JP2008041294A - 導電膜基板 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 181
- 239000012528 membrane Substances 0.000 title abstract 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 90
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 90
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 71
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 43
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 27
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 22
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 44
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 18
- GRPQBOKWXNIQMF-UHFFFAOYSA-N indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [Sn+4].[O-2].[In+3] GRPQBOKWXNIQMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 265
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 167
- 238000000034 method Methods 0.000 description 77
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 58
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 48
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 48
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 30
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 27
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 25
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 21
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 15
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 13
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 13
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 12
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 12
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 11
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 11
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 10
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 10
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 8
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 8
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 7
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 6
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 5
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 5
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 5
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 5
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 4
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 4
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 4
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 4
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 4
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 4
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Chemical compound [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- SULWTXOWAFVWOY-PHEQNACWSA-N 2,3-bis[(E)-2-phenylethenyl]pyrazine Chemical class C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=NC=CN=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 SULWTXOWAFVWOY-PHEQNACWSA-N 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical group C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 3
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 3
- 229910001257 Nb alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 3
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 3
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 3
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 3
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 3
- NLDYACGHTUPAQU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoethylene Chemical compound N#CC(C#N)=C(C#N)C#N NLDYACGHTUPAQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 1,2-bis[(e)-2-phenylethenyl]benzene Chemical class C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 0.000 description 2
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WSSSPWUEQFSQQG-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-1-pentene Chemical compound CC(C)CC=C WSSSPWUEQFSQQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPQKUYVSJWQSDY-UHFFFAOYSA-N 4-phenyldiazenylaniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1N=NC1=CC=CC=C1 QPQKUYVSJWQSDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 2
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 2
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 description 2
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 description 2
- 229940114081 cinnamate Drugs 0.000 description 2
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 2
- 150000004775 coumarins Chemical class 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 150000002081 enamines Chemical class 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical class [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 2
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 235000019422 polyvinyl alcohol Nutrition 0.000 description 2
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 2
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 2
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 2
- XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N quinoxaline Chemical compound N1=CC=NC2=CC=CC=C21 XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M trans-cinnamate Chemical compound [O-]C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M (4z)-1-(3-methylbutyl)-4-[[1-(3-methylbutyl)quinolin-1-ium-4-yl]methylidene]quinoline;iodide Chemical class [I-].C12=CC=CC=C2N(CCC(C)C)C=CC1=CC1=CC=[N+](CCC(C)C)C2=CC=CC=C12 QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical class N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- SHXCHSNZIGEBFL-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzothiazole;zinc Chemical compound [Zn].C1=CC=C2SC=NC2=C1 SHXCHSNZIGEBFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical class C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RETDKIXQRINZEF-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole;zinc Chemical compound [Zn].C1=CC=C2OC=NC2=C1 RETDKIXQRINZEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical class C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QKLPIYTUUFFRLV-YTEMWHBBSA-N 1,4-bis[(e)-2-(2-methylphenyl)ethenyl]benzene Chemical compound CC1=CC=CC=C1\C=C\C(C=C1)=CC=C1\C=C\C1=CC=CC=C1C QKLPIYTUUFFRLV-YTEMWHBBSA-N 0.000 description 1
- BCASZEAAHJEDAL-PHEQNACWSA-N 1,4-bis[(e)-2-(4-methylphenyl)ethenyl]benzene Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1\C=C\C(C=C1)=CC=C1\C=C\C1=CC=C(C)C=C1 BCASZEAAHJEDAL-PHEQNACWSA-N 0.000 description 1
- LWGPQZLNJIVUIC-UHFFFAOYSA-N 1,4-bis[2-(2-ethylphenyl)ethenyl]benzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1C=CC(C=C1)=CC=C1C=CC1=CC=CC=C1CC LWGPQZLNJIVUIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SWYYRSGBEBXIRE-UHFFFAOYSA-N 1,4-bis[2-(3-ethylphenyl)ethenyl]benzene Chemical compound CCC1=CC=CC(C=CC=2C=CC(C=CC=3C=C(CC)C=CC=3)=CC=2)=C1 SWYYRSGBEBXIRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDQJALUKGQTAV-UHFFFAOYSA-N 1,4-bis[2-(3-methylphenyl)ethenyl]benzene Chemical compound CC1=CC=CC(C=CC=2C=CC(C=CC=3C=C(C)C=CC=3)=CC=2)=C1 XBDQJALUKGQTAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001140 1,4-phenylene group Chemical group [H]C1=C([H])C([*:2])=C([H])C([H])=C1[*:1] 0.000 description 1
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical group C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 1-[(e)-2-phenylethenyl]anthracene Chemical class C=1C=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C2C=1\C=C\C1=CC=CC=C1 VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 0.000 description 1
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- UIWLITBBFICQKW-UHFFFAOYSA-N 1h-benzo[h]quinolin-2-one Chemical compound C1=CC=C2C3=NC(O)=CC=C3C=CC2=C1 UIWLITBBFICQKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTDHEFNWWHSXSU-UHFFFAOYSA-N 2,3,5,6-tetrachloroaniline Chemical compound NC1=C(Cl)C(Cl)=CC(Cl)=C1Cl YTDHEFNWWHSXSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical class O=C1C=CC(=O)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OWTKICLARQLANW-UHFFFAOYSA-N 2,5-bis(2-pyren-1-ylethenyl)pyrazine Chemical compound C1=C2C(C=CC3=NC=C(N=C3)C=CC=3C4=CC=C5C=CC=C6C=CC(C4=C65)=CC=3)=CC=C(C=C3)C2=C2C3=CC=CC2=C1 OWTKICLARQLANW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZGXQLVRLPJXTIK-LQIBPGRFSA-N 2,5-bis[(e)-2-(4-methoxyphenyl)ethenyl]pyrazine Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1\C=C\C(N=C1)=CN=C1\C=C\C1=CC=C(OC)C=C1 ZGXQLVRLPJXTIK-LQIBPGRFSA-N 0.000 description 1
- PAJSTGVSGZWCGO-UHFFFAOYSA-N 2,5-bis[2-(4-ethylphenyl)ethenyl]pyrazine Chemical compound C1=CC(CC)=CC=C1C=CC(N=C1)=CN=C1C=CC1=CC=C(CC)C=C1 PAJSTGVSGZWCGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFQSAUNFPAHVRZ-UHFFFAOYSA-N 2,5-bis[2-(4-methylphenyl)ethenyl]pyrazine Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1C=CC(N=C1)=CN=C1C=CC1=CC=C(C)C=C1 BFQSAUNFPAHVRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004959 2,6-naphthylene group Chemical group [H]C1=C([H])C2=C([H])C([*:1])=C([H])C([H])=C2C([H])=C1[*:2] 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDMRRCGWWDZRRG-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(4-chlorophenyl)ethenyl]benzo[e][1,3]benzoxazole Chemical compound C1=CC(Cl)=CC=C1C=CC(O1)=NC2=C1C=CC1=CC=CC=C21 BDMRRCGWWDZRRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OIXMVDHMELKBDX-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)cyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile;2-(1,3-dithiol-2-ylidene)-1,3-dithiole Chemical compound S1C=CSC1=C1SC=CS1.N#CC(C#N)=C1C=CC(=C(C#N)C#N)C=C1 OIXMVDHMELKBDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JDDDDNVALGZAMR-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(1h-benzimidazol-2-yl)ethenyl]phenyl]-1h-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC(C=CC=3C=CC(=CC=3)C=3NC4=CC=CC=C4N=3)=NC2=C1 JDDDDNVALGZAMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMRCQMRVIVSYOX-UHFFFAOYSA-N 2-[5-[5,7-bis(2-methylbutan-2-yl)-1,3-benzoxazol-2-yl]-1,3,4-thiadiazol-2-yl]-5,7-bis(2-methylbutan-2-yl)-1,3-benzoxazole Chemical compound CCC(C)(C)C1=CC(C(C)(C)CC)=C2OC(C3=NN=C(S3)C=3OC4=C(C=C(C=C4N=3)C(C)(C)CC)C(C)(C)CC)=NC2=C1 SMRCQMRVIVSYOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TZUPZYHCGXBTIJ-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-1,4-bis[2-(2-methylphenyl)ethenyl]benzene Chemical compound C=1C=C(C=CC=2C(=CC=CC=2)C)C(CC)=CC=1C=CC1=CC=CC=C1C TZUPZYHCGXBTIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVNTXZRQFPYYHV-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1,4-bis[2-(2-methylphenyl)ethenyl]benzene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C=CC(C=C1C)=CC=C1C=CC1=CC=CC=C1C SVNTXZRQFPYYHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 2-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DWYHDSLIWMUSOO-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-benzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC2=CC=CC=C2N1 DWYHDSLIWMUSOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCHZICNRHXRCHY-UHFFFAOYSA-N 2h-oxazine Chemical compound N1OC=CC=C1 BCHZICNRHXRCHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 3-(1h-benzimidazol-2-yl)-7-(diethylamino)chromen-2-one Chemical compound C1=CC=C2NC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DNTVTBIKSZRANH-UHFFFAOYSA-N 4-(4-aminophenyl)-3-(3-methylphenyl)aniline Chemical compound CC1=CC=CC(C=2C(=CC=C(N)C=2)C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 DNTVTBIKSZRANH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLYPIBBGWLKELC-UHFFFAOYSA-N 4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(4-(dimethylamino)styryl)-4H-pyran Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C=CC1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KFDVPJUYSDEJTH-UHFFFAOYSA-N 4-ethenylpyridine Chemical compound C=CC1=CC=NC=C1 KFDVPJUYSDEJTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPYMZALMVVFPJZ-UHFFFAOYSA-N 6,7,15,16,24,25,33,34-octamethyl-2,11,20,29,37,38,39,40-octazanonacyclo[28.6.1.13,10.112,19.121,28.04,9.013,18.022,27.031,36]tetraconta-1,3,5,7,9,11,13(18),14,16,19,21(38),22(27),23,25,28,30(37),31(36),32,34-nonadecaene Chemical compound N1=C(N=C2[C]3C=C(C)C(C)=CC3=C(N=C3C4=CC(C)=C(C)C=C4C(=N4)N3)N2)[C](C=C(C(C)=C2)C)C2=C1N=C1C2=CC(C)=C(C)C=C2C4=N1 WPYMZALMVVFPJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SOHCOYTZIXDCCO-UHFFFAOYSA-N 6-thiabicyclo[3.1.1]hepta-1(7),2,4-triene Chemical compound C=1C2=CC=CC=1S2 SOHCOYTZIXDCCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- ZYASLTYCYTYKFC-UHFFFAOYSA-N 9-methylidenefluorene Chemical class C1=CC=C2C(=C)C3=CC=CC=C3C2=C1 ZYASLTYCYTYKFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXYHZIYEDDINQH-UHFFFAOYSA-N C1=CNC2=C3C=NN=C3C=CC2=C1 Chemical class C1=CNC2=C3C=NN=C3C=CC2=C1 UXYHZIYEDDINQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MDFZCJNJMBEQTE-UHFFFAOYSA-N CC(C)(C)C1(C(C)(C)C)C=CC=CC1C=CC1=CC=C(C=2C=CC(C=CC3C(C=CC=C3)(C(C)(C)C)C(C)(C)C)=CC=2)C=C1 Chemical group CC(C)(C)C1(C(C)(C)C)C=CC=CC1C=CC1=CC=C(C=2C=CC(C=CC3C(C=CC=C3)(C(C)(C)C)C(C)(C)C)=CC=2)C=C1 MDFZCJNJMBEQTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical class [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910000799 K alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930040373 Paraformaldehyde Natural products 0.000 description 1
- SJEYSFABYSGQBG-UHFFFAOYSA-M Patent blue Chemical compound [Na+].C1=CC(N(CC)CC)=CC=C1C(C=1C(=CC(=CC=1)S([O-])(=O)=O)S([O-])(=O)=O)=C1C=CC(=[N+](CC)CC)C=C1 SJEYSFABYSGQBG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 229930182556 Polyacetal Natural products 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical class [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000980 acid dye Substances 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 229920001893 acrylonitrile styrene Polymers 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical compound [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZSNNUDOANMGNX-UHFFFAOYSA-K aluminum;4-phenylphenolate Chemical compound [Al+3].C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 VZSNNUDOANMGNX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- JOSWYUNQBRPBDN-UHFFFAOYSA-P ammonium dichromate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O JOSWYUNQBRPBDN-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- 150000008425 anthrones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical class [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical class [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000981 basic dye Substances 0.000 description 1
- 150000001556 benzimidazoles Chemical class 0.000 description 1
- XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N benzo[de]isoquinoline-1,3-dione Chemical compound C1=CC(C(=O)NC2=O)=C3C2=CC=CC3=C1 XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000319 biphenyl-4-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1C1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000038 blue colorant Substances 0.000 description 1
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical class [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001718 carbodiimides Chemical class 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- VYXSBFYARXAAKO-WTKGSRSZSA-N chembl402140 Chemical compound Cl.C1=2C=C(C)C(NCC)=CC=2OC2=C\C(=N/CC)C(C)=CC2=C1C1=CC=CC=C1C(=O)OCC VYXSBFYARXAAKO-WTKGSRSZSA-N 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical class C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUIWZLHUNCCYBL-UHFFFAOYSA-N decacyclene Chemical compound C12=C([C]34)C=CC=C4C=CC=C3C2=C2C(=C34)C=C[CH]C4=CC=CC3=C2C2=C1C1=CC=CC3=CC=CC2=C31 CUIWZLHUNCCYBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- SMBQBQBNOXIFSF-UHFFFAOYSA-N dilithium Chemical compound [Li][Li] SMBQBQBNOXIFSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 239000000982 direct dye Substances 0.000 description 1
- 239000000986 disperse dye Substances 0.000 description 1
- 125000006575 electron-withdrawing group Chemical group 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRJLLXQDXANQEC-UHFFFAOYSA-N fastogen green y Chemical compound [Cu+2].[N-]1C(N=C2C3=C(Cl)C(Cl)=C(Br)C(Cl)=C3C(N=C3C4=C(Br)C(Cl)=C(Br)C(Cl)=C4C(=N4)[N-]3)=N2)=C(C(Br)=C(Cl)C(Br)=C2Cl)C2=C1N=C1C2=C(Cl)C(Cl)=C(Cl)C(Br)=C2C4=N1 JRJLLXQDXANQEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 1
- JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N gamma-Phenylpyridine Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=NC=C1 JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000040 green colorant Substances 0.000 description 1
- 239000001056 green pigment Substances 0.000 description 1
- GEAWFZNTIFJMHR-UHFFFAOYSA-N hepta-1,6-diene Chemical compound C=CCCCC=C GEAWFZNTIFJMHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940083761 high-ceiling diuretics pyrazolone derivative Drugs 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical class [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- MOOHXQFFIPDLNX-UHFFFAOYSA-N magnesium;quinolin-8-ol Chemical compound [Mg].C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MOOHXQFFIPDLNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- LPQMOFIXRVVOSF-UHFFFAOYSA-M methyl sulfate;n-methyl-n-[(1,3,3-trimethylindol-1-ium-2-yl)methylideneamino]aniline Chemical compound COS([O-])(=O)=O.C[N+]=1C2=CC=CC=C2C(C)(C)C=1/C=N/N(C)C1=CC=CC=C1 LPQMOFIXRVVOSF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AODWRBPUCXIRKB-UHFFFAOYSA-N naphthalene perylene Chemical group C1=CC=CC2=CC=CC=C21.C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 AODWRBPUCXIRKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000002916 oxazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M perchlorate Inorganic materials [O-]Cl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical class C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- FIZIRKROSLGMPL-UHFFFAOYSA-N phenoxazin-1-one Chemical compound C1=CC=C2N=C3C(=O)C=CC=C3OC2=C1 FIZIRKROSLGMPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOMHBFAJZRZNQD-UHFFFAOYSA-N phenoxazone Natural products C1=CC=C2OC3=CC(=O)C=CC3=NC2=C1 UOMHBFAJZRZNQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- 150000004986 phenylenediamines Chemical class 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920002863 poly(1,4-phenylene oxide) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002006 poly(N-vinylimidazole) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Chemical class 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000015 polydiacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 1
- 150000004033 porphyrin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N potassiosodium Chemical compound [Na].[K] BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N potassium oxide Chemical compound [O-2].[K+].[K+] CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001950 potassium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- SCUZVMOVTVSBLE-UHFFFAOYSA-N prop-2-enenitrile;styrene Chemical compound C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 SCUZVMOVTVSBLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DNXIASIHZYFFRO-UHFFFAOYSA-N pyrazoline Chemical compound C1CN=NC1 DNXIASIHZYFFRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 150000003252 quinoxalines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000001062 red colorant Substances 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical compound [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043267 rhodamine b Drugs 0.000 description 1
- 239000001022 rhodamine dye Substances 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical class C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 150000003967 siloles Chemical class 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940006186 sodium polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical class [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L strontium fluoride Chemical class [F-].[F-].[Sr+2] FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001637 strontium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N thiadiazole Chemical compound C1=CSN=N1.C1=CSN=N1 VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007979 thiazole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001651 triphenylamine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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Abstract
【課題】パターンエッチングによる加工性が良好で、信頼性が高く消費電力が低い有機EL表示装置を可能とする導電膜基板を提供する。
【解決手段】導電膜基板を、透明基材と、この透明基材上に順次積層された透明導電膜、中間層および金属層とを備えたものとし、透明導電膜は酸化インジウムスズ膜、中間層はMo層、Mo合金層および酸化インジウム亜鉛層のいずれか、金属層はAg合金層とし、これにより、透明導電膜と金属層との密着性が良好なものとなり、かつ、透明導電膜に対して中間層と金属層を一括で選択エッチングしてリード部のパターンを形成することが可能となる。
【選択図】 図1
【解決手段】導電膜基板を、透明基材と、この透明基材上に順次積層された透明導電膜、中間層および金属層とを備えたものとし、透明導電膜は酸化インジウムスズ膜、中間層はMo層、Mo合金層および酸化インジウム亜鉛層のいずれか、金属層はAg合金層とし、これにより、透明導電膜と金属層との密着性が良好なものとなり、かつ、透明導電膜に対して中間層と金属層を一括で選択エッチングしてリード部のパターンを形成することが可能となる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、透明導電膜を備えた導電膜基板、特にパッシブマトリックス駆動方式の有機EL表示装置に使用する導電膜基板に関する。
有機のエレクトロルミネッセンス(EL)素子を用いた有機EL表示装置は、自発光により視認性が高いこと、液晶表示装置と異なり全固体表示装置であること、温度変化の影響をあまり受けないこと、視野角が大きいこと等の利点をもっており、近年、フルカラー表示装置、エリアカラー表示装置、照明等の有機発光表示装置として実用化が進んでいる。
有機EL表示装置としては、例えば、(1)三原色の有機EL素子を各発光色毎に所定のパターンで配列する方式、(2)白色発光の有機EL素子を使用し、三原色のカラーフィルタ層を介して表示する方式、(3)青色発光の有機EL素子を使用し、蛍光色素を利用した色変換蛍光体層(CCM層)を設置して、青色光を緑色蛍光や赤色蛍光に変換して三原色表示をするCCM方式等が提案されている。
有機EL表示装置としては、例えば、(1)三原色の有機EL素子を各発光色毎に所定のパターンで配列する方式、(2)白色発光の有機EL素子を使用し、三原色のカラーフィルタ層を介して表示する方式、(3)青色発光の有機EL素子を使用し、蛍光色素を利用した色変換蛍光体層(CCM層)を設置して、青色光を緑色蛍光や赤色蛍光に変換して三原色表示をするCCM方式等が提案されている。
また、有機EL表示装置には、パッシブマトリックス駆動方式、アクティブマトリックス駆動方式とがある。このうち、パッシブマトリックス駆動方式は、複数のストライプ形状の陽極(透明電極)と、有機EL発光層を介して陽極と直交するように形成された複数のストライプ形状の陰極(背面電極)とを備え、ドライバICにより陽極と陰極とが交差する所望の部位に電流を供給して駆動するものである。このパッシブマトリックス駆動方式は、アクティブマトリックス駆動方式に比べて構造が簡単であり製造コストが低いという利点があるが、反面、消費電力が大きいという問題がある。そして、近年の画素サイズの大型化に伴って、パッシブマトリックス駆動方式における消費電力低減の要請が更に高くなっている。
これに対応するために、酸化インジウム錫(ITO)等の透明電極のリード部に金属層を形成して、リード部とタブとの接触抵抗を低減した有機EL表示装置が提案されている(特許文献1)。
特開2003−55721号公報
これに対応するために、酸化インジウム錫(ITO)等の透明電極のリード部に金属層を形成して、リード部とタブとの接触抵抗を低減した有機EL表示装置が提案されている(特許文献1)。
上記の特許文献1では、ITOに対する密着性が不十分である点からAg合金層は金属層から排除されており、Ag、Pd等からなる金属層を形成することが開示されている。
しかし、特許文献1に開示されているITO/金属層の積層体は、ITOに対する金属層の選択エッチング性が悪く、高精細なパターン形成が困難であるという問題があった。
本発明は、このような実情に鑑みてなされたものであり、パターンエッチングによる加工性が良好で、信頼性が高く消費電力が低い有機EL表示装置を可能とする導電膜基板を提供することを目的とする。
しかし、特許文献1に開示されているITO/金属層の積層体は、ITOに対する金属層の選択エッチング性が悪く、高精細なパターン形成が困難であるという問題があった。
本発明は、このような実情に鑑みてなされたものであり、パターンエッチングによる加工性が良好で、信頼性が高く消費電力が低い有機EL表示装置を可能とする導電膜基板を提供することを目的とする。
このような目的を達成するために、本発明は、透明基材と、該透明基材上に順次積層された透明導電膜、中間層および金属層とを備え、前記透明導電膜は酸化インジウムスズ膜であり、中間層はMo層、Mo合金層および酸化インジウム亜鉛層のいずれかであり、前記金属層はAg合金層であるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記Mo合金層は、主成分であるMoを60重量%以上の範囲で含有し、副成分としてNb、Cr、Alの少なくとも1種を含有するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記Ag合金層は、主成分であるAgを70〜99重量%の範囲で含有し、副成分としてPd、Cu、Al、Auの少なくとも1種を含有するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記Mo合金層は、主成分であるMoを60重量%以上の範囲で含有し、副成分としてNb、Cr、Alの少なくとも1種を含有するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記Ag合金層は、主成分であるAgを70〜99重量%の範囲で含有し、副成分としてPd、Cu、Al、Auの少なくとも1種を含有するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記透明基材と前記透明導電膜との間にカラーフィルタ層を備えるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記透明基材と前記透明導電膜との間にカラーフィルタ層と平坦化層をこの順に積層して備えるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記透明基材と前記透明導電膜との間にカラーフィルタ層と色変換蛍光体層と平坦化層をこの順に積層して備えるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記透明導電膜は、ガスバリア層を介して形成されているような構成とした。
本発明の他の態様として、前記透明基材と前記透明導電膜との間にカラーフィルタ層と平坦化層をこの順に積層して備えるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記透明基材と前記透明導電膜との間にカラーフィルタ層と色変換蛍光体層と平坦化層をこの順に積層して備えるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記透明導電膜は、ガスバリア層を介して形成されているような構成とした。
本発明の導電膜基板は、Mo層、Mo合金層および酸化インジウム亜鉛層のいずれかからなる中間層を、Ag合金層からなる金属層と酸化インジウムスズ膜からなる透明導電膜との間に備えるので、透明導電膜と金属層との密着性が良好であり、また、例えば、硝酸・リン酸・酢酸混合液等の金属層用のエッチング液に対して中間層も金属層と同等のエッチング性を発現し、透明導電膜に対して中間層と金属層を一括で選択エッチングしてリード部のパターンを形成することが可能であり、また、中間層はフォトリソグラフィー工程で使用するアルカリ性の現像液や剥離液に対する耐性に優れ、これによりリード部での接触抵抗が小さく消費電力が低いとともに、リード部の剥離欠陥が生じ難く信頼性の高い有機EL表示装置の製造を可能とするものである。
以下、本発明について図面を参照しながら説明する。
[導電膜基板]
図1は、本発明の導電膜基板の一実施形態を示す概略構成図である。図1において、導電膜基板1は、透明基材2と、この透明基材2の一方の面に順次形成された透明導電膜3、中間層4および金属層5とを備えている。本発明では、上記の透明導電膜3が酸化インジウムスズ(ITO)膜であり、中間層4がMo層、Mo合金層および酸化インジウム亜鉛(IZO)層のいずれかであり、金属層5がAg合金層であり、中間層4は透明導電膜3と金属層(Ag合金層)5との密着性を向上させるための層である。
[導電膜基板]
図1は、本発明の導電膜基板の一実施形態を示す概略構成図である。図1において、導電膜基板1は、透明基材2と、この透明基材2の一方の面に順次形成された透明導電膜3、中間層4および金属層5とを備えている。本発明では、上記の透明導電膜3が酸化インジウムスズ(ITO)膜であり、中間層4がMo層、Mo合金層および酸化インジウム亜鉛(IZO)層のいずれかであり、金属層5がAg合金層であり、中間層4は透明導電膜3と金属層(Ag合金層)5との密着性を向上させるための層である。
図2は、本発明の導電膜基板の他の実施形態を示す概略構成図である。図2において、導電膜基板11は、透明基材12と、この透明基材12の一方の面に順次形成されたカラーフィルタ層16、透明導電膜13、中間層14および金属層15とを備えている。透明導電膜13、中間層14、金属層15は上述の透明導電膜3、中間層4、金属層5と同様であり、透明導電膜13は酸化インジウム錫膜であり、中間層14はMo層、Mo合金層および酸化インジウム亜鉛層のいずれかであり、金属層15はAg合金層である。また、カラーフィルタ層16は、入射光を色補正したり、色純度を高めるものであり、本発明の導電膜基板を用いて作製する有機EL表示装置に応じて適宜設定することができ、上述の例では、1色の着色層からなるものであるが、これに限定されるものではない。
図3は、本発明の導電膜基板の他の実施形態を示す概略構成図である。図3において、導電膜基板21は、透明基材22と、この透明基材22の一方の面に形成された三原色の着色層26R,26G,26Bからなるカラーフィルタ層26と、着色層26R,26G,26Bの境界部位に対応したパターン形状のブラックマトリックス27と、平坦化層28と、この平坦化層28上に順次形成された透明導電膜23、中間層24および金属層25とを備えている。透明導電膜23、中間層24、金属層25は上述の透明導電膜3、中間層4、金属層5と同様であり、透明導電膜23はITO膜であり、中間層24はMo層、Mo合金層およびIZO層のいずれかであり、金属層25はAg合金層である。
また、カラーフィルタ層26は、入射光を色補正したり、色純度を高めるものであり、本発明の導電膜基板を用いて作製する有機EL表示装置に応じて適宜設定することができ、上述の例では、三原色の着色層26R,26G,26Bからなるものであるが、これに限定されるものではない。さらに、平坦化層28は、カラーフィルタ層26の形成による凹凸表面を平坦化するための層である。
また、カラーフィルタ層26は、入射光を色補正したり、色純度を高めるものであり、本発明の導電膜基板を用いて作製する有機EL表示装置に応じて適宜設定することができ、上述の例では、三原色の着色層26R,26G,26Bからなるものであるが、これに限定されるものではない。さらに、平坦化層28は、カラーフィルタ層26の形成による凹凸表面を平坦化するための層である。
図4は、本発明の導電膜基板の他の実施形態を示す概略構成図である。図4において、導電膜基板31は、透明基材32と、この透明基材32の一方の面に形成された三原色の着色層36R,36G,36Bからなるカラーフィルタ層36と、着色層36R,36G,36Bの境界部位に対応したパターン形状のブラックマトリックス37と、色変換蛍光体層39、平坦化層38と、この平坦化層38上に順次形成された透明導電膜33、中間層34および金属層35とを備えている。透明導電膜33、中間層34、金属層35は上述の中間層4、金属層5と同様であり、透明導電膜33はITO膜であり、中間層34はMo層、Mo合金層およびIZO層のいずれかであり、金属層35はAg合金層である。
また、カラーフィルタ層36は、入射光を色補正したり、色純度を高めるものであり、本発明の導電膜基板を用いて作製する有機EL表示装置に応じて適宜設定することができ、上述の例では、三原色の着色層36R,36G,36Bからなるものである。
また、カラーフィルタ層36は、入射光を色補正したり、色純度を高めるものであり、本発明の導電膜基板を用いて作製する有機EL表示装置に応じて適宜設定することができ、上述の例では、三原色の着色層36R,36G,36Bからなるものである。
また、色変換蛍光体層39は、入射光を所望の色の蛍光に変換するための層であり、図示例では、有機EL素子で発光された青色光を赤色蛍光に変換する赤色変換蛍光体層39R、青色光を緑色蛍光に変換する緑色変換蛍光体層39G、青色光をそのまま透過する青色変換ダミー層39Bからなっている。そして、赤色変換蛍光体層39R、緑色変換蛍光体層39G、青色変換ダミー層39Bが、カラーフィルタ層36の三原色の着色層36R,36G,36Rに対応した位置に形成されている。尚、平坦化層38は、上述の平坦化層28と同様に、凹凸表面を平坦化するための層である。
図5は、本発明の導電膜基板の他の実施形態を示す概略構成図である。図5において、導電膜基板41は、透明基材42と、この透明基材42の一方の面に形成された三原色の着色層46R,46G,46Bからなるカラーフィルタ層46と、着色層46R,46G,46Bの境界部位に対応したパターン形状のブラックマトリックス47と、平坦化層48、ガスバリア層49と、このガスバリア層49上に順次形成された透明導電膜43、中間層44および金属層45とを備えている。透明導電膜43、中間層44、金属層45は上述の中間層4、金属層5と同様であって、透明導電膜43はITO膜であり、中間層44はMo層、Mo合金層およびIZO層のいずれかであり、金属層45はAg合金層である。
また、カラーフィルタ層46は、入射光を色補正したり、色純度を高めるものであり、本発明の導電膜基板を用いて作製する有機EL表示装置に応じて適宜設定することができ、上述の例では、三原色の着色層46R,46G,46Bからなるものである。尚、平坦化層48は、上述の平坦化層28と同様に、凹凸表面を平坦化するための層である。
また、ガスバリア層49は、このガスバリア層49よりも透明基材42側に位置する層から発生するガスが透明導電膜43方向へ移行することを防止するための層である。
また、カラーフィルタ層46は、入射光を色補正したり、色純度を高めるものであり、本発明の導電膜基板を用いて作製する有機EL表示装置に応じて適宜設定することができ、上述の例では、三原色の着色層46R,46G,46Bからなるものである。尚、平坦化層48は、上述の平坦化層28と同様に、凹凸表面を平坦化するための層である。
また、ガスバリア層49は、このガスバリア層49よりも透明基材42側に位置する層から発生するガスが透明導電膜43方向へ移行することを防止するための層である。
次に、上述の本発明の導電膜基板を構成する部材について説明する。
本発明に使用可能な透明基材2,12,22,32,42としては、ガラス材料、樹脂材料、または、これらの複合材料からなるもの、例えば、ガラス板に保護プラスチックフィルムもしくは保護プラスチック層を設けたもの等が用いられる。
上記の樹脂材料、保護プラスチック材料としては、例えば、フッ素系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリフッ化ビニル、ポリスチレン、ABS樹脂、ポリアミド、ポリアセタール、ポリエステル、ポリカーボネート、変性ポリフェニレンエーテル、ポリスルホン、ポリアリレート、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリフェニレンスルフィド、液晶性ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリオキシメチレン、ポリエーテルサルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアクリレート、アクリロニトリル−スチレン樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン、シリコーン樹脂、非晶質ポリオレフィン等が挙げられる。この他の樹脂材料であっても、有機EL表示装置用として使用できる高分子材料であれば、使用可能である。
本発明に使用可能な透明基材2,12,22,32,42としては、ガラス材料、樹脂材料、または、これらの複合材料からなるもの、例えば、ガラス板に保護プラスチックフィルムもしくは保護プラスチック層を設けたもの等が用いられる。
上記の樹脂材料、保護プラスチック材料としては、例えば、フッ素系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリフッ化ビニル、ポリスチレン、ABS樹脂、ポリアミド、ポリアセタール、ポリエステル、ポリカーボネート、変性ポリフェニレンエーテル、ポリスルホン、ポリアリレート、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリフェニレンスルフィド、液晶性ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリオキシメチレン、ポリエーテルサルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアクリレート、アクリロニトリル−スチレン樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン、シリコーン樹脂、非晶質ポリオレフィン等が挙げられる。この他の樹脂材料であっても、有機EL表示装置用として使用できる高分子材料であれば、使用可能である。
また、透明基材2,12,22,32,42の厚さは、通常、50μm〜2.0mm程度とすることができる。
このような透明基材は、水蒸気や酸素等のガスバリア性の良好なものであれば更に好ましい。また、透明基材に水蒸気や酸素等のガスバリア層を形成してもよい。このようなガスバリア層としては、例えば、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン等の無機酸化物をスパッタリング法や真空蒸着法等の物理蒸着法により形成したものであってよい。
本発明の導電膜基板を構成する透明導電膜3,13,23,33,43は、酸化インジウムスズ(ITO)膜であり、その厚みは、例えば、0.005〜1μm程度とすることができる。
このような透明基材は、水蒸気や酸素等のガスバリア性の良好なものであれば更に好ましい。また、透明基材に水蒸気や酸素等のガスバリア層を形成してもよい。このようなガスバリア層としては、例えば、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン等の無機酸化物をスパッタリング法や真空蒸着法等の物理蒸着法により形成したものであってよい。
本発明の導電膜基板を構成する透明導電膜3,13,23,33,43は、酸化インジウムスズ(ITO)膜であり、その厚みは、例えば、0.005〜1μm程度とすることができる。
本発明の導電膜基板を構成する中間層4,14,24,34,44は、上述のように、透明導電膜3,13,23,33,43と金属層5,15,25,35,45との密着性を向上させるための層であり、Mo層、Mo合金層および酸化インジウム亜鉛(IZO)層のいずれかである。中間層がMo合金層である場合、主成分であるMoを60重量%以上、好ましくは80重量%以上の範囲で含有し、副成分としてはNb、Cr、Al、Ndの少なくとも1種を含有することができる。Mo合金層における主成分のMoの含有量が60重量%未満であると、透明導電膜と金属層との密着性が不十分となり好ましくないとともに、Mo合金層と金属層とのエッチング性の差が大きくなり、本発明の導電膜基板に対する加工工程において、中間層4,14,24,34,44と金属層5,15,25,35,45との一括エッチングが難しくなり好ましくない。
また、このような中間層の厚みは0.005〜0.1μm、好ましくは0.01〜0.03μmの範囲で適宜設定することができる。中間層の厚みが0.005μm未満であると、上記の透明導電膜と金属層との密着性を向上させる作用が十分に発現されず、0.1μmを超えると、密着性向上の更なる作用が得られない反面、製造コストの増大を来たすので好ましくない。
本発明の導電膜基板を構成する金属層5,15,25,35,45は、透明電極のリード部を構成し、外部タブとの接触抵抗を低減するための層である。このような金属層は、上述のように、Ag合金層であり、主成分であるAgを70〜99重量%、好ましくは96〜99重量%の範囲で含有し、副成分としてPd、Cu、Al、Au、Nd、Mgの少なくとも1種を含有するものである。金属層における主成分のAgの含有量が70重量%未満であると、抵抗値が高くなり、99重量%を超えると、白濁を生じたり耐腐食性が低下して好ましくない。
本発明の導電膜基板を構成する金属層5,15,25,35,45は、透明電極のリード部を構成し、外部タブとの接触抵抗を低減するための層である。このような金属層は、上述のように、Ag合金層であり、主成分であるAgを70〜99重量%、好ましくは96〜99重量%の範囲で含有し、副成分としてPd、Cu、Al、Au、Nd、Mgの少なくとも1種を含有するものである。金属層における主成分のAgの含有量が70重量%未満であると、抵抗値が高くなり、99重量%を超えると、白濁を生じたり耐腐食性が低下して好ましくない。
また、このような金属層の厚みは0.05〜1.0μm、好ましくは0.2〜0.4μmの範囲で適宜設定することができる。金属層の厚みが0.05μm未満であると、リード部としての機能が不十分となることがあり、1.0μmを超えると、製造コストの増大を来たすので好ましくない。
本発明の導電膜基板を構成するカラーフィルタ層16,26,36,46は、上述のように、入射光を色補正したり、色純度を高めるものであり、例えば、有機EL表示装置がエリアカラーの場合には、図2のカラーフィルタ層16のような単色、あるいは所定のエリア毎の複数色とすることができる。また、有機EL表示装置がフルカラーの場合には、図3〜5のカラーフィルタ層26,36,46のような三原色の着色層からなるものとする。
本発明の導電膜基板を構成するカラーフィルタ層16,26,36,46は、上述のように、入射光を色補正したり、色純度を高めるものであり、例えば、有機EL表示装置がエリアカラーの場合には、図2のカラーフィルタ層16のような単色、あるいは所定のエリア毎の複数色とすることができる。また、有機EL表示装置がフルカラーの場合には、図3〜5のカラーフィルタ層26,36,46のような三原色の着色層からなるものとする。
カラーフィルタ層の形成に使用する材料は、特に限定されず、例えば、顔料、顔料分散剤、バインダー樹脂、反応性化合物および溶媒を含有する顔料分散組成物で形成することができる。さらに、カラーフィルタ層の厚みは、使用する材料、入射光の光学特性等に応じて適宜設定することができ、例えば、0.5〜10μm程度の範囲で設定することができる。
本発明の導電膜基板を構成する平坦化層28,38,48は、平坦化層よりも透明基材側に位置する層構造による凹凸を解消して、透明電極膜23,33,43の平坦性を確保するための層である。この平坦化層の形成は、樹脂材料をスピンコート、ロールコート、キャストコート等の方法で塗布し、硬化させることにより行うことができる。
本発明の導電膜基板を構成する平坦化層28,38,48は、平坦化層よりも透明基材側に位置する層構造による凹凸を解消して、透明電極膜23,33,43の平坦性を確保するための層である。この平坦化層の形成は、樹脂材料をスピンコート、ロールコート、キャストコート等の方法で塗布し、硬化させることにより行うことができる。
平坦化層の材料としては、例えば、アクリレート系、メタクリレート系、ポリ桂皮酸ビニル系、もしくは環化ゴム系等の反応性ビニル基を有する光硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、また、透明樹脂として、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、ポリ塩化ビニル樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、マレイン酸樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、環状ポリオレフィン樹脂、ノルボルネン系樹脂、4−メチルペンテン樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンテレナフタレート樹脂、ポリプロピレンテレフタレート樹脂、フッ素系樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリエステル樹脂、シリコーン樹脂、マレイン酸樹脂等の透明樹脂材が挙げられる。さらには、ポリシロキサンオリゴマー等からなるゾルゲル材料もしくはポリシロキサンオリゴマー等と有機ポリマー等とからなる有機−無機ハイブリッド材料を挙げることもできる。
本発明の導電膜基板を構成する色変換蛍光体層39は、例えば、蛍光色素を単体で使用し、所望のパターンマスクを介して真空蒸着法、スパッタリング法により帯状に形成することができる。また、例えば、蛍光色素と樹脂とを分散、または可溶化させた塗布液をスピンコート、ロールコート、キャストコート等の方法で塗布して成膜し、これをフォトリソグラフィー法でパターニングする方法、上記の塗布液をスクリーン印刷法等でパターン印刷する方法等により、樹脂中に蛍光色素を含有した層として形成することができる。
上記の青色発光を赤色蛍光に変換する赤色変換蛍光体層39Rに使用する蛍光色素としては、4−ジシアノメチレン−2−メチル−6−(p−ジメチルアミノスチリル)−4H−ピラン等のシアニン系色素、1−エチル−2−[4−(p−ジメチルアミノフェニル)−1,3−ブタジエニル]−ピリジウム−パークロレート等のピリジン色素、ローダミンB、ローダミン6G等のローダミン系色素、オキサジン系色素等が挙げられる。また、青色発光を緑色蛍光に変換する緑色変換蛍光体層39Gに使用する蛍光色素としては、2,3,5,6−1H,4H−テトラヒドロ−8−トリフルオロメチルキノリジノ(9,9a,1−gh)クマリン、3−(2′−ベンゾチアゾリル)−7−ジエチルアミノクマリン、3−(2′−ベンズイミダゾリル)−7−N,N−ジエチルアミノクマリン等のクマリン色素、ベーシックイエロー51等のクマリン色素系染料、ソルベントイエロー11、ソルベントイエロー116等のナフタルイミド色素等が挙げられる。さらに、直接染料、酸性染料、塩基性染料、分散染料等の各種染料も蛍光性があれば使用することができる。上述のような蛍光色素は単独、あるいは、2種以上の組み合わせで使用することができる。赤色変換蛍光体層および緑色変換蛍光体層が樹脂中に蛍光色素を含有したものである場合、蛍光色素の含有量は、使用する蛍光色素、色変換蛍光体層の厚み等を考慮して適宜設定することができるが、例えば、使用する樹脂100重量部に対し0.1〜1重量部程度とすることができる。
また、青色変換ダミー層39Bは、有機EL発光層で発光された青色光をそのまま透過するものであり、赤色変換蛍光体層39R、緑色変換蛍光体層39Gとほぼ同じ厚みの透明樹脂層とすることができる。
赤色変換蛍光体層および緑色変換蛍光体層が樹脂中に蛍光色素を含有したものである場合、樹脂としては、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、ポリ塩化ビニル樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、マレイン酸樹脂、ポリアミド樹脂等の透明(可視光透過率50%以上)樹脂を使用することができる。また、色変換蛍光体層のパターン形成をフォトリソグラフィー法により行う場合、例えば、アクリル酸系、メタクリル酸系、ポリケイ皮酸ビニル系、環ゴム系等の反応性ビニル基を有する光硬化型レジスト樹脂を使用することができる。さらに、これらの樹脂は、上述の青色変換ダミー層に使用することができる。
赤色変換蛍光体層および緑色変換蛍光体層が樹脂中に蛍光色素を含有したものである場合、樹脂としては、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、ポリ塩化ビニル樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、マレイン酸樹脂、ポリアミド樹脂等の透明(可視光透過率50%以上)樹脂を使用することができる。また、色変換蛍光体層のパターン形成をフォトリソグラフィー法により行う場合、例えば、アクリル酸系、メタクリル酸系、ポリケイ皮酸ビニル系、環ゴム系等の反応性ビニル基を有する光硬化型レジスト樹脂を使用することができる。さらに、これらの樹脂は、上述の青色変換ダミー層に使用することができる。
このような色変換蛍光体層39の厚みは、例えば、10〜20μm程度とすることができ、各色の色変換蛍光体層間で厚みが異なるように形成してもよい。
本発明の導電膜基板を構成するガスバリア層49は、上述のように、このガスバリア層49よりも透明基材42側に位置する層から発生するガスを遮断するための層である。このガスバリア層49としては、電気絶縁性の透明無機酸化物膜を設けることが好ましく、例えば、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化イットリウム、酸化ゲルマニウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ホウ素、酸化ストロンチウム、酸化バリウム、酸化鉛、酸化ジルコニウム、酸化ナトリウム、酸化リチウム、酸化カリウム等の1種あるいは2種以上の酸化物を用いて、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の真空成膜方式により形成することができる。ガスバリア層49の厚みは、バリア性と透明性とを考慮して0.01〜1μmの範囲で適宜設定することができる。このようなガスバリア層は、上記のような無機酸化物膜からなる2層以上の多層構成であってもよく、また、窒化珪素等の窒化物を副成分として含有したものであってもよい。
本発明の導電膜基板を構成するガスバリア層49は、上述のように、このガスバリア層49よりも透明基材42側に位置する層から発生するガスを遮断するための層である。このガスバリア層49としては、電気絶縁性の透明無機酸化物膜を設けることが好ましく、例えば、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化イットリウム、酸化ゲルマニウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ホウ素、酸化ストロンチウム、酸化バリウム、酸化鉛、酸化ジルコニウム、酸化ナトリウム、酸化リチウム、酸化カリウム等の1種あるいは2種以上の酸化物を用いて、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の真空成膜方式により形成することができる。ガスバリア層49の厚みは、バリア性と透明性とを考慮して0.01〜1μmの範囲で適宜設定することができる。このようなガスバリア層は、上記のような無機酸化物膜からなる2層以上の多層構成であってもよく、また、窒化珪素等の窒化物を副成分として含有したものであってもよい。
[導電膜基板の製造例]
次に、本発明の導電膜基板の製造例を、上述の透明導電膜41を例として説明する。
図6は、本発明の導電膜基板の製造例を説明するための工程図である。まず、透明基材42の一方の面に、ブラックマトリックス47を形成し、その後、カラーフィルタ層46を形成する(図6(A))。
ブラックマトリックス47の形成は、従来のカラーフィルタ基板におけるブラックマトリックスの形成と同様に行うことができる。例えば、透明基材42上に、スパッタリング法等の真空成膜法により酸化窒化複合クロム等の遮光性薄膜を形成し、この上に感光性レジストを塗布し、マスク露光、現像を行ってレジストパターンを形成し、次いで、このレジストパターンをマスクとして遮光性薄膜をエッチングしてブラックマトリックス47を形成することができる。
次に、本発明の導電膜基板の製造例を、上述の透明導電膜41を例として説明する。
図6は、本発明の導電膜基板の製造例を説明するための工程図である。まず、透明基材42の一方の面に、ブラックマトリックス47を形成し、その後、カラーフィルタ層46を形成する(図6(A))。
ブラックマトリックス47の形成は、従来のカラーフィルタ基板におけるブラックマトリックスの形成と同様に行うことができる。例えば、透明基材42上に、スパッタリング法等の真空成膜法により酸化窒化複合クロム等の遮光性薄膜を形成し、この上に感光性レジストを塗布し、マスク露光、現像を行ってレジストパターンを形成し、次いで、このレジストパターンをマスクとして遮光性薄膜をエッチングしてブラックマトリックス47を形成することができる。
また、カラーフィルタ層46は、例えば、顔料、顔料分散剤、バインダー樹脂、反応性化合物および溶媒を含有する顔料分散組成物を用いた顔料分散法等の公知の方法により形成することができ、形成方法には特に制限はない。形成するカラーフィルタ層46の厚みは、使用する材料、入射光の光学特性等に応じて適宜設定することができ、例えば、0.5〜10μm程度の範囲で設定することができる。
次に、カラーフィルタ層46、ブラックマトリックス47を被覆するように平坦化層48を形成する(図6(B))。平坦化層48の形成は、上述の説明で挙げたような樹脂材料を用いて、スピンコート、ロールコート、キャストコート等の方法で塗布し、硬化させることにより行うことができる。この平坦化層48は、透明基材42の周辺部であって、有機EL表示装置の作製工程においてリード部が形成される領域を露出させるように形成する。
次に、カラーフィルタ層46、ブラックマトリックス47を被覆するように平坦化層48を形成する(図6(B))。平坦化層48の形成は、上述の説明で挙げたような樹脂材料を用いて、スピンコート、ロールコート、キャストコート等の方法で塗布し、硬化させることにより行うことができる。この平坦化層48は、透明基材42の周辺部であって、有機EL表示装置の作製工程においてリード部が形成される領域を露出させるように形成する。
次いで、平坦化層48を被覆するように透明基材42上にガスバリア層49、透明導電膜43、中間層44、金属層45を順次積層して本発明の導電膜基板41を得る(図6(C))。図7は、図6(C)に示される導電膜基板41のI−I線における部分縦断面図である。このI−I線で示される部位は、有機EL表示装置の作製工程においてリード部が形成される領域であり、透明基材42上にガスバリア層49を介して、透明導電膜43、中間層44、金属層45が積層されている。
ガスバリア層49の形成は、上述の説明で挙げたような材料を用いて、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の真空成膜方式により形成することができる。形成するガスバリア層49の厚みは、バリア性と透明性とを考慮して0.01〜1μmの範囲で適宜設定することができる。
ガスバリア層49の形成は、上述の説明で挙げたような材料を用いて、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の真空成膜方式により形成することができる。形成するガスバリア層49の厚みは、バリア性と透明性とを考慮して0.01〜1μmの範囲で適宜設定することができる。
また、透明導電膜43の形成では、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の真空成膜方式によりITO膜を成膜することができる。形成する透明導電膜43の厚みは、例えば、0.005〜1μmの範囲で適宜設定することができる。
また、中間層44の形成は、Mo、あるいは、上述の説明で挙げたようなMo合金を用いて、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等の成膜手段を用いて行うことができる。また、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の真空成膜方式によりIZO層を形成して中間層44とすることができる。形成する中間層44の厚みは、例えば、0.005〜0.1μmの範囲で適宜設定することができる。
さらに、金属層45の形成は、上述の説明で挙げたようなAg合金を用いて、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等の成膜手段を用いて行うことができる。形成する金属層45の厚みは、例えば、0.05〜1.0μmの範囲で適宜設定することができる。
また、中間層44の形成は、Mo、あるいは、上述の説明で挙げたようなMo合金を用いて、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等の成膜手段を用いて行うことができる。また、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の真空成膜方式によりIZO層を形成して中間層44とすることができる。形成する中間層44の厚みは、例えば、0.005〜0.1μmの範囲で適宜設定することができる。
さらに、金属層45の形成は、上述の説明で挙げたようなAg合金を用いて、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等の成膜手段を用いて行うことができる。形成する金属層45の厚みは、例えば、0.05〜1.0μmの範囲で適宜設定することができる。
[導電膜基板の加工例]
次に、本発明の導電膜基板を用いた有機EL表示装置の製造における加工例を、上述の導電膜基板41を例として説明する。
図8は、本発明の導電膜基板の加工例を説明するための工程図である。まず、導電膜基板41の金属層45上に所望のレジストパターンを設け、このレジストパターンをマスクとして金属層45と中間層44を一括で選択エッチングし、その後、レジストパターンを除去する(図8(A))。このエッチングは、例えば、硝酸・リン酸・酢酸混合液等の金属層(Ag合金層)45のエッチング液を用いて行うことができる。このようなエッチング液に対して、中間層44も金属層45と同等のエッチング性を発現するので、透明導電膜43上において中間層44と金属層45を一括で選択エッチングしてパターン形成が可能となる。一方、中間層44はレジストパターン形成で使用するアルカリ性の現像液や剥離液に対して優れた耐性を具備する。これにより、透明基材42の対向する2辺に沿って複数のリード部55aが形成され、別の対向する2辺に沿って複数のリード部55bが形成される。
次に、本発明の導電膜基板を用いた有機EL表示装置の製造における加工例を、上述の導電膜基板41を例として説明する。
図8は、本発明の導電膜基板の加工例を説明するための工程図である。まず、導電膜基板41の金属層45上に所望のレジストパターンを設け、このレジストパターンをマスクとして金属層45と中間層44を一括で選択エッチングし、その後、レジストパターンを除去する(図8(A))。このエッチングは、例えば、硝酸・リン酸・酢酸混合液等の金属層(Ag合金層)45のエッチング液を用いて行うことができる。このようなエッチング液に対して、中間層44も金属層45と同等のエッチング性を発現するので、透明導電膜43上において中間層44と金属層45を一括で選択エッチングしてパターン形成が可能となる。一方、中間層44はレジストパターン形成で使用するアルカリ性の現像液や剥離液に対して優れた耐性を具備する。これにより、透明基材42の対向する2辺に沿って複数のリード部55aが形成され、別の対向する2辺に沿って複数のリード部55bが形成される。
これらのリード部55a、55bのうち、リード部55aは後工程で形成される透明電極のリード部となり、リード部55bは、有機EL発光層を介して透明電極に直交するように形成される背面電極のリード部となる。尚、リード部55aは、図示例では、方形状に形成されているが、後工程で形成される透明電極の補助電極となるように、透明電極の長手方向と同一方向に細幅(図8(A)に2点鎖線で示される形状)で延設されてもよい。
次に、リード部55a、55bを含む透明導電膜43上に所望のレジストパターンを設け、このレジストパターンをマスクとして透明導電膜43を選択エッチングし、その後、レジストパターンを除去する(図8(B))。このエッチングは、例えば、塩酸・硝酸混合液等のエッチング液を用いて行うことができる。この工程において、中間層44はレジストパターン形成で使用するアルカリ性の現像液や剥離液に対して優れた耐性を具備する。これにより、リード部55aから同一方向に透明電極53が延設される。
次に、リード部55a、55bを含む透明導電膜43上に所望のレジストパターンを設け、このレジストパターンをマスクとして透明導電膜43を選択エッチングし、その後、レジストパターンを除去する(図8(B))。このエッチングは、例えば、塩酸・硝酸混合液等のエッチング液を用いて行うことができる。この工程において、中間層44はレジストパターン形成で使用するアルカリ性の現像液や剥離液に対して優れた耐性を具備する。これにより、リード部55aから同一方向に透明電極53が延設される。
図9は、図8(B)に示される加工後の導電膜基板41のII−II線における部分縦断面図であり、図10は、図8(B)に示される加工後の導電膜基板41のIII−III線における部分縦断面図である。図示されているように、リード部55aは金属層45と中間層44からなる積層体であり、リード部55bは金属層45、中間層44、透明導電膜43からなる積層体である。そして、これらの透明電極53、リード部55a,55bの下層としてガスバリア層49が透明基材42の全域に存在している。
上述の加工例では、カラーフィルタ層46の各着色層46R,46G,46Bの延設方向と、透明電極53の延設方向が同一方向であるが、使用する有機EL発光層が三原色のものである場合、両者が直交するように、すなわち、リード部55bから透明基板42の中央部方向に透明電極53を延設してもよい。この場合、リード部55aが、有機EL発光層を介して透明電極53に直交するように形成される背面電極のリード部となる。
上述の加工例では、カラーフィルタ層46の各着色層46R,46G,46Bの延設方向と、透明電極53の延設方向が同一方向であるが、使用する有機EL発光層が三原色のものである場合、両者が直交するように、すなわち、リード部55bから透明基板42の中央部方向に透明電極53を延設してもよい。この場合、リード部55aが、有機EL発光層を介して透明電極53に直交するように形成される背面電極のリード部となる。
[有機EL表示装置]
次に、本発明の導電膜基板を上述のように加工して作製した有機EL表示装置の例を説明する。
図11は、上述の図9に示される加工後の導電膜基板41を用いて作製したパッシブマトリックス駆動方式の有機EL表示装置の一例を示す概略構成図である。図11に示される有機EL表示装置51は、本発明の加工後の導電膜基板41の帯状の透明電極53の延設方向に直交するように延設された絶縁層56と、この絶縁層上に配設された隔壁57と、隔壁57間に順次積層された有機EL発光層58と背面電極59とを備えている。隔壁57は、有機EL発光層58と背面電極59の形成工程にてパターニング手段として利用するものであり、この結果、隔壁57上にはダミーの有機EL発光層58′と背面電極59′が形成されている。
次に、本発明の導電膜基板を上述のように加工して作製した有機EL表示装置の例を説明する。
図11は、上述の図9に示される加工後の導電膜基板41を用いて作製したパッシブマトリックス駆動方式の有機EL表示装置の一例を示す概略構成図である。図11に示される有機EL表示装置51は、本発明の加工後の導電膜基板41の帯状の透明電極53の延設方向に直交するように延設された絶縁層56と、この絶縁層上に配設された隔壁57と、隔壁57間に順次積層された有機EL発光層58と背面電極59とを備えている。隔壁57は、有機EL発光層58と背面電極59の形成工程にてパターニング手段として利用するものであり、この結果、隔壁57上にはダミーの有機EL発光層58′と背面電極59′が形成されている。
有機EL表示装置51を構成する絶縁層56は、非発光領域(透明電極53と背面電極59とが交差する領域を除く領域)にマトリックス形状に形成されている。この絶縁層56は、例えば、チタン窒化物、チタン酸化物、チタン酸窒化物等のチタン系黒色顔料を用いて真空蒸着法、イオンプレーティング蒸着法等の方法により成膜し、その後、エッチングによるパターニング等を行なうことにより形成することができる。このような絶縁層56の厚みは、例えば、0.2〜1μm程度とすることができる。また、絶縁層56は、感光性樹脂材料を用いてパターニングした後、硬化させたものであってもよい。この場合、脱ガス性が低く、有機EL発光層58へ脱ガス成分の拡散による画像表示品質の低下、短寿命化を防止できるポジ型感光性樹脂材料を使用することが好ましい。例えば、このようなポジ型感光性樹脂材料に、上述のようなチタン系黒色顔料の1種、あるいは2種以上を含有させた塗布液を用いて、フォトリソグラフィー法により絶縁層56を形成することができる。絶縁層56の厚みは、例えば、1〜3μm程度とすることができる。尚、絶縁層56は、多層構造であってもよい。
有機EL表示装置51を構成する隔壁57は、上述のように、帯状の透明電極53と直角に交差するように有機EL発光層58と背面電極59とを帯状に形成するための隔壁パターンである。すなわち、隔壁57は、透明電極53上に有機EL発光層58と背面電極59を真空蒸着法等により形成する際のマスクの役割を果たすものである。このような隔壁57は、感光性樹脂をスピンコート、ロールコート、キャストコート等の方法で塗布して成膜し、これをフォトリソグラフィー法でパターニングして形成することができる。図11に示される例では、隔壁57は下すぼまりの逆台形状の断面を有しているが、このように、隔壁57を下すぼまり、もしくは、上すぼまりの形状とするには、所定の厚みで形成したポジ型またはネガ型の感光性樹脂層を、露光方向を変えて多重露光する方法、パターンをずらして異なる方向から多重露光する方法等により実現することができる。このような隔壁57の高さは1〜20μm程度、幅は5〜30μm程度の範囲で設定することができる。
有機EL表示装置51を構成する有機EL発光層58は、白色発光であり、例えば、透明電極53側から正孔注入層、発光層、および電子注入層が積層された構造、発光層単独からなる構造、正孔注入層と発光層とからなる構造、発光層と電子注入層とからなる構造、さらに、正孔注入層と発光層との間に正孔輸送層を介在させた構造、発光層と電子注入層との間に電子輸送層を介在させた構造等とすることができる。
また、発光波長を調整したり、発光効率を向上させる等の目的で、上記の各層に適当な材料をドーピングすることもできる。
また、発光波長を調整したり、発光効率を向上させる等の目的で、上記の各層に適当な材料をドーピングすることもできる。
有機EL発光層を構成する発光層は、上述の例では、白色発光であるが、有機EL表示装置の使用目的等に応じて、所望の発光色、例えば、赤色発光、緑色発光、青色発光の三原色とすることができ、あるいは、黄色、水色、オレンジ色である発光層を単独で、また、赤色発光、緑色発光、青色発光以外の他の複数の発光色の所望の組み合わせ等、いずれであってもよい。また、図4に示す導電膜基板31を使用する場合には、有機EL発光層を青色発光とする。
有機EL発光層を構成する発光層に用いる有機発光材料としては、例えば、下記のような色素系、金属錯体系、高分子系のものを挙げることができる。
(1)色素系発光材料
シクロペンタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、シロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、トリフマニルアミン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー等が挙げられる。
(1)色素系発光材料
シクロペンタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、シロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、トリフマニルアミン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー等が挙げられる。
(2)金属錯体系発光材料
アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾール亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポリフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体等、中心金属にAl、Zn、Be等、または、Tb、Eu、Dy等の希土類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を有する金属錯体が挙げられる。
アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾール亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポリフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体等、中心金属にAl、Zn、Be等、または、Tb、Eu、Dy等の希土類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を有する金属錯体が挙げられる。
(3)高分子系発光材料
ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリフルオレン誘導体等が挙げられる。
特に、図4に示す導電膜基板31を使用して製造する有機EL表示装置においては、有機EL発光層に使用する青色発光である有機発光材料として、例えば、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系等の蛍光増白剤、金属キレート化オキシノイド化合物、スチリルベンゼン系化合物、ジスチリルピラジン誘導体、芳香族ジメチリディン系化合物等を挙げることができる。
ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリフルオレン誘導体等が挙げられる。
特に、図4に示す導電膜基板31を使用して製造する有機EL表示装置においては、有機EL発光層に使用する青色発光である有機発光材料として、例えば、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系等の蛍光増白剤、金属キレート化オキシノイド化合物、スチリルベンゼン系化合物、ジスチリルピラジン誘導体、芳香族ジメチリディン系化合物等を挙げることができる。
具体的には、2−2′−(p−フェニレンジビニレン)−ビスヘンゾチアゾール等のベンゾチアゾール系; 2−[2−[4−(2−ベンゾイミダゾリル)フェニル]ビニル]ベンゾイミダゾール、2−[2−(4−カルボキシフェニル)ビニル]ベンゾイミダゾール等のベンゾイミダゾール系; 2,5−ビス(5,7−ジ−t−ペンチル−2−ベンゾオキサゾリル)−1,3,4−チアジアゾール、4,4′−ビス(5,7−t−ペンチル−2−ベンゾオキサゾリル)スチルベン、2−[2−(4−クロロフェニル)ビニル]ナフト[1,2−d]オキサゾール等のベンゾオキサゾール系等の蛍光増白剤を挙げることができる。
また、上記の金属キレート化オキシノイド化合物としては、トリス(8−キノリノール)アルミニウム、ビス(8−キノリノール)マグネシウム、ビス(ベンゾ[f]−8−キノリノール)亜鉛等の8−ヒドロキシキノリン系金属錯体やジリチウムエピントリジオン等を挙げることができる。
また、上記の金属キレート化オキシノイド化合物としては、トリス(8−キノリノール)アルミニウム、ビス(8−キノリノール)マグネシウム、ビス(ベンゾ[f]−8−キノリノール)亜鉛等の8−ヒドロキシキノリン系金属錯体やジリチウムエピントリジオン等を挙げることができる。
また、上記のスチリルベンゼン系化合物としては、1,4−ビス(2−メチルスチリル)ベンゼン、1,4−ビス(3−メチルスチリル)ベンゼン、1,4−ビス(4−メチルスチリル)ベンゼン、ジスチリルベンゼン、1,4−ビス(2−エチルスチリル)ベンゼン、1,4−ビス(3−エチルスチリル)ベンゼン、1,4−ビス(2−メチルスチリル)−2−メチルベンゼン、1,4−ビス(2−メチルスチリル)−2−エチルベンゼン等を挙げることができる。
また、上記のジスチリルピラジン誘導体としては、2,5−ビス(4−メチルスチリル)ピラジン、2,5−ビス(4−エチルスチリル)ピラジン、2,5−ビス[2−(1−ナフチル)ビニル]ピラジン、2,5−ビス(4−メトキシスチリル)ピラジン、2,5−ビス[2−(4−ビフェニル)ビニル]ピラジン、2,5−ビス[2−(1−ピレニル)ビニル]ピラジン等を挙げることができる。
また、上記のジスチリルピラジン誘導体としては、2,5−ビス(4−メチルスチリル)ピラジン、2,5−ビス(4−エチルスチリル)ピラジン、2,5−ビス[2−(1−ナフチル)ビニル]ピラジン、2,5−ビス(4−メトキシスチリル)ピラジン、2,5−ビス[2−(4−ビフェニル)ビニル]ピラジン、2,5−ビス[2−(1−ピレニル)ビニル]ピラジン等を挙げることができる。
また、上記の芳香族ジメチリディン系化合物としては、1,4−フェニレンジメチリディン、4,4−フェニレンジメチリディン、2,5−キシレンジメチリディン、2,6−ナフチレンジメチリディン、1,4−ビフェニレンジメチリディン、1,4−p−テレフェニレンジメチリディン、9,10−アントラセンジイルジルメチリディン、4,4′−ビス(2,2−ジ−t−ブチルフェニルビニル)ビフェニル、4,4′−ビス(2,2−ジフェニルビニル)ビフェニル等、およびその誘導体を挙げることができる。
さらに、発光層の材料として、一般式(Rs−Q)2−AL−O−Lで表される化合物も挙げることができる(上記式中、ALはベンゼン環を含む炭素原子6〜24個の炭化水素であり、O−Lはフェニラート配位子であり、Qは置換8−キノリノラート配位子であり、Rsはアルミニウム原子に置換8−キノリノラート配位子が2個以上結合するのを立体的に妨害するように選ばれた8−キノリノラート置換基を表す)。具体的には、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(パラーフェニルフェノラート)アルミニウム(III)、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(1−ナフトラート)アルミニウム(III)等が挙げられる。
さらに、発光層の材料として、一般式(Rs−Q)2−AL−O−Lで表される化合物も挙げることができる(上記式中、ALはベンゼン環を含む炭素原子6〜24個の炭化水素であり、O−Lはフェニラート配位子であり、Qは置換8−キノリノラート配位子であり、Rsはアルミニウム原子に置換8−キノリノラート配位子が2個以上結合するのを立体的に妨害するように選ばれた8−キノリノラート置換基を表す)。具体的には、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(パラーフェニルフェノラート)アルミニウム(III)、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(1−ナフトラート)アルミニウム(III)等が挙げられる。
有機EL発光層58を構成する各層に用いるドーピング材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子注入材料等は、下記に例示するような無機材料、有機材料いずれでもよい。有機EL発光層58を構成する各層の厚みは特に制限はなく、例えば、10〜1000nm程度とすることができる。
(ドーピング材料)
ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポリフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾリン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾン等が挙げられる。
(ドーピング材料)
ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポリフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾリン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾン等が挙げられる。
(正孔輸送材料)
オキサジアゾール系、オキサゾール系、トリアゾール系、チアゾール系、トリフェニルメタン系、スチリル系、ピラゾリン系、ヒドラゾン系、芳香族アミン系、カルバゾール系、ポリビニルカルバゾール系、スチルベン系、エナミン系、アジン系、トリフェニルアミン系、ブタジエン系、多環芳香族化合物系、スチルベン二量体等が挙げられる。
また、π共役系高分子として、ポリアセチレン、ポリジアセチレン、ポリ(P−フェニレン)、ポリ(P−フェニレンスルフィド)、ポリ(P−フェニレンオキシド)、ポリ(1,6−ヘプタジエン)、ポリ(P−フェニレンビニレン)、ポリ(2,5−チエニレン)、ポリ(2,5−ピロール)、ポリ(m−フェニレンスルフィド)、ポリ(4,4′−ビフェニレン)等が挙げられる。
オキサジアゾール系、オキサゾール系、トリアゾール系、チアゾール系、トリフェニルメタン系、スチリル系、ピラゾリン系、ヒドラゾン系、芳香族アミン系、カルバゾール系、ポリビニルカルバゾール系、スチルベン系、エナミン系、アジン系、トリフェニルアミン系、ブタジエン系、多環芳香族化合物系、スチルベン二量体等が挙げられる。
また、π共役系高分子として、ポリアセチレン、ポリジアセチレン、ポリ(P−フェニレン)、ポリ(P−フェニレンスルフィド)、ポリ(P−フェニレンオキシド)、ポリ(1,6−ヘプタジエン)、ポリ(P−フェニレンビニレン)、ポリ(2,5−チエニレン)、ポリ(2,5−ピロール)、ポリ(m−フェニレンスルフィド)、ポリ(4,4′−ビフェニレン)等が挙げられる。
また、電荷移動高分子錯体として、ポリスチレン・AgC104、ポリビニルナフタレン・TCNE、ポリビニルナフタレン・P−CA、ポリビニルナフタレン・DDQ、ポリビニルメシチレン・TCNE、ポリナフタアセチレン・TCNE、ポリビニルアントラセン・Br2、ポリビニルアントラセン・I2、ポリビニルアントラセン・TNB、ポリジメチルアミノスチレン・CA、ポリビニルイミダゾール・CQ、ポリ−P−フェニレン・I2、ポリ−1−ビニルピリジン・I2、ポリ−4−ビニルピリジン・I2、ポリ−P−1−フェニレン・I2、ポリビニルピリジウム・TCNQ等が挙げられ、さらに、電荷移動低分子錯体として、TCNQ−TTF等が、高分子金属錯体としては、ポリ銅フタロシアニン等が挙げられる。
正孔輸送材料としては、イオン化ポテンシャルの小さい材料が好ましく、特に、ブタジエン系、エナミン系、ヒドラゾン系、トリフェニルアミン系が好ましい。
正孔輸送材料としては、イオン化ポテンシャルの小さい材料が好ましく、特に、ブタジエン系、エナミン系、ヒドラゾン系、トリフェニルアミン系が好ましい。
(正孔注入材料)
フェニルアミン系、スターバースト型アミン系、フタロシアニン系、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウム等の酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリン、ポリチオフェン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、ポリシラン系、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー等の誘電性高分子オリゴマー等、を挙げることができる。
フェニルアミン系、スターバースト型アミン系、フタロシアニン系、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウム等の酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリン、ポリチオフェン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、ポリシラン系、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー等の誘電性高分子オリゴマー等、を挙げることができる。
さらに、正孔注入材料として、ポリフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物を挙げることもできる。上記のポリフィリン化合物としては、ポリフィン、1,10,15,20−テトラフェニル−21H、23H−ポリフィン銅(II)、アルミニウムフタロシアニンクロリド、銅オクタメチルフタロシアニン等を挙げることができる。また、芳香族第三級アミン化合物およびスチリルアミン化合物としては、N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノフェニル、N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−[1,1′−ビフェニル]−4,4′−ジアミン、4−(ジ−p−トリルアミノ)−4′−[4(ジ−p−トリルアミノ)スチリル]スチルベン、3−メトキシ−4′−N,N−ジフェニルアミノスチルベンゼン、4,4′−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル、4,4′,4″−トリス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミン等を挙げることができる。
(電子注入材料)
カルシウム、バリウム、アルミリチウム、フッ化リチウム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、フッ化ストロンチウム、フッ化カルシウム、フッ化バリウム、酸化アルミニウム、酸化ストロンチウム、酸化カルシウム、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレンスルホン酸ナトリウム、ニトロ置換フルオレン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタンおよびアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、上記のオキサジアゾール環の酸素原子をイオウ原子に置換したチアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有したキノキサリン誘導体、トリス(8−キノリノール)アルミニウム等の8−キノリノール誘導体の金属錯体、フタロシアニン、金属フタロシアニン、ジスチリルピラジン誘導体等を挙げることができる。
カルシウム、バリウム、アルミリチウム、フッ化リチウム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、フッ化ストロンチウム、フッ化カルシウム、フッ化バリウム、酸化アルミニウム、酸化ストロンチウム、酸化カルシウム、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレンスルホン酸ナトリウム、ニトロ置換フルオレン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタンおよびアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、上記のオキサジアゾール環の酸素原子をイオウ原子に置換したチアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有したキノキサリン誘導体、トリス(8−キノリノール)アルミニウム等の8−キノリノール誘導体の金属錯体、フタロシアニン、金属フタロシアニン、ジスチリルピラジン誘導体等を挙げることができる。
有機EL発光層58を構成する各層の形成は、隔壁57をマスクとした真空蒸着法等により成膜して形成することができる。
有機EL表示装置51を構成する背面電極59の材料としては、仕事関数の小さい(4eV以下)金属、合金、これらの混合物で形成される。具体的には、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。電子注入性および電極としての酸化等に対する耐久性を考えると、電子注入性金属と、これより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物が好ましく、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、リチウム/アルミニウム混合物等が挙げられる。このような背面電極59はシート抵抗が数百Ω/□以下が好ましく、このため、背面電極59の厚みは、例えば、10nm〜1μm、好ましくは50〜200nm程度とすることができる。
有機EL表示装置51を構成する背面電極59の材料としては、仕事関数の小さい(4eV以下)金属、合金、これらの混合物で形成される。具体的には、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。電子注入性および電極としての酸化等に対する耐久性を考えると、電子注入性金属と、これより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物が好ましく、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、リチウム/アルミニウム混合物等が挙げられる。このような背面電極59はシート抵抗が数百Ω/□以下が好ましく、このため、背面電極59の厚みは、例えば、10nm〜1μm、好ましくは50〜200nm程度とすることができる。
上記の背面電極59は、隔壁57をマスクとして上述の電極材料を用いて真空蒸着法、イオンプレーティング蒸着法等の方法により成膜して形成することができる。すなわち、隔壁57がマスクパターンとなり、各隔壁57間のみを電極材料が通過して有機EL発光層58上に到達することができる。そして、フォトリソグラフィー法等のパターニングを行う必要がないので、有機EL発光層58の特性を劣化させることがない。
上述の本発明の実施形態は例示であり、本発明はこれらに限定されるものではない。
上述の本発明の実施形態は例示であり、本発明はこれらに限定されるものではない。
次に、実施例を示して本発明を更に詳細に説明する。
[実施例1]
(試料1)
<導電膜基板の作製>
透明基材として、370mm×470mm、厚み0.7mmのソーダガラス(セントラル硝子(株)製)を準備した。
[実施例1]
(試料1)
<導電膜基板の作製>
透明基材として、370mm×470mm、厚み0.7mmのソーダガラス(セントラル硝子(株)製)を準備した。
(ブラックマトリックスの形成)
上記の透明基材上に、スパッタリング法により酸化窒化複合クロムの薄膜(厚み0.2μm)を形成した。この酸化窒化複合クロム薄膜上に感光性レジストを塗布し、マスク露光、現像を行ってレジストパターンを形成した。次いで、このレジストパターンをマスクとして酸化窒化複合クロムをエッチングして、80μm×280μmの長方形状の開口部が、短辺方向に100μmピッチ、長辺方向に300μmピッチでマトリックス状に配列したブラックマトリックスを形成した。尚、透明基材の周縁部には、幅10mmでブラックマトリックスの非形成領域(後工程にてリード部を形成する領域)を確保した。
上記の透明基材上に、スパッタリング法により酸化窒化複合クロムの薄膜(厚み0.2μm)を形成した。この酸化窒化複合クロム薄膜上に感光性レジストを塗布し、マスク露光、現像を行ってレジストパターンを形成した。次いで、このレジストパターンをマスクとして酸化窒化複合クロムをエッチングして、80μm×280μmの長方形状の開口部が、短辺方向に100μmピッチ、長辺方向に300μmピッチでマトリックス状に配列したブラックマトリックスを形成した。尚、透明基材の周縁部には、幅10mmでブラックマトリックスの非形成領域(後工程にてリード部を形成する領域)を確保した。
(カラーフィルタ層の形成)
まず、赤色、緑色、青色の3種の着色層用感光性塗料を調製した。すなわち、赤色着色剤として縮合アゾ系顔料(チバガイギー社製 クロモフタルレッドBRN)、緑色着色剤としてフタロシアニン系顔料緑色顔料(東洋インキ(株)製 リオノールグリーン2Y−301)、および、青色着色剤としてアントラキノン系顔料(チバガイギー社製 クロモフタルブルーA3R)を準備した。これらの着色剤を用い、バインダー樹脂としてポリビニルアルコール(10%水溶液)を用い、ポリビニルアルコール水溶液10重量部に対し、各着色剤を1重量部の割合で配合して、十分に混合分散させ、得られた溶液100重量部に1重量部の重クロム酸アンモニウムを架橋剤として添加し、赤色、緑色、青色の3種の着色層用感光性塗料を得た。
まず、赤色、緑色、青色の3種の着色層用感光性塗料を調製した。すなわち、赤色着色剤として縮合アゾ系顔料(チバガイギー社製 クロモフタルレッドBRN)、緑色着色剤としてフタロシアニン系顔料緑色顔料(東洋インキ(株)製 リオノールグリーン2Y−301)、および、青色着色剤としてアントラキノン系顔料(チバガイギー社製 クロモフタルブルーA3R)を準備した。これらの着色剤を用い、バインダー樹脂としてポリビニルアルコール(10%水溶液)を用い、ポリビニルアルコール水溶液10重量部に対し、各着色剤を1重量部の割合で配合して、十分に混合分散させ、得られた溶液100重量部に1重量部の重クロム酸アンモニウムを架橋剤として添加し、赤色、緑色、青色の3種の着色層用感光性塗料を得た。
次に、上記の3種の着色層用感光性塗料を用いて各色の着色層を成膜してカラーフィルタ層を形成した。すなわち、上記のブラックマトリックスを形成した透明基材全面に、赤色着色層用の感光性塗料をスピンコート法により塗布し、プリベーク(100℃、5分間)を行った。その後、所定の着色層用フォトマスクを用いて露光した。次いで、現像液(0.05%KOH水溶液)にて現像を行い、次いで、ポストベーク(200℃、60分間)を行って、帯状(幅85μm)の赤色着色層(厚み1.5μm)を、その幅方向がブラックマトリックスの短辺方向となり、ブラックマトリックスの開口配列上となるように、300μmピッチで形成した。
同様に、緑色着色層の感光性塗料を用いて、帯状(幅85μm)の緑色着色層(厚み1.5μm)を、上記の赤色着色層の延設方向と平行にブラックマトリックスの開口配列上となるように、それぞれ300μmピッチで形成した。隣接する赤色着色層と緑色着色層のピッチは100μmとした。さらに、青色着色層の感光性塗料を用いて、帯状(幅85μm)の青色着色層(厚み1.5μm)を、上記の赤色着色層の延設方向と平行に赤色着色層と緑色着色層の中間領域(ブラックマトリックスの開口配列上)に、それぞれ300μmピッチで形成した。これにより、着色層の延設方向と直角方向の300μm幅内に、帯状(幅85μm)の赤色着色層、緑色着色層、青色着色層が100μmピッチで配設され、この300μm単位が繰り返えされてなる着色層が形成された。
同様に、緑色着色層の感光性塗料を用いて、帯状(幅85μm)の緑色着色層(厚み1.5μm)を、上記の赤色着色層の延設方向と平行にブラックマトリックスの開口配列上となるように、それぞれ300μmピッチで形成した。隣接する赤色着色層と緑色着色層のピッチは100μmとした。さらに、青色着色層の感光性塗料を用いて、帯状(幅85μm)の青色着色層(厚み1.5μm)を、上記の赤色着色層の延設方向と平行に赤色着色層と緑色着色層の中間領域(ブラックマトリックスの開口配列上)に、それぞれ300μmピッチで形成した。これにより、着色層の延設方向と直角方向の300μm幅内に、帯状(幅85μm)の赤色着色層、緑色着色層、青色着色層が100μmピッチで配設され、この300μm単位が繰り返えされてなる着色層が形成された。
(平坦化層の形成)
アクリレート系光硬化性樹脂(JSR(株)製 JUPC)をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートで希釈して平坦化層用塗布液を調製した。この平坦化層用塗布液を、スピンコート法によりカラーフィルタ層上に塗布し、プリベーク(120℃、5分間)を行った。その後、所定のフォトマスクを用いて露光、現像を行い、次いで、ポストベーク(230℃、60分間)を行って、カラーフィルタ層とブラックマトリックスを被覆する平坦化層(厚み2μm)を形成した。尚、透明基材の周縁部には、幅10mmで平坦化層の非形成領域(後工程にてリード部を形成する領域)を確保した。
アクリレート系光硬化性樹脂(JSR(株)製 JUPC)をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートで希釈して平坦化層用塗布液を調製した。この平坦化層用塗布液を、スピンコート法によりカラーフィルタ層上に塗布し、プリベーク(120℃、5分間)を行った。その後、所定のフォトマスクを用いて露光、現像を行い、次いで、ポストベーク(230℃、60分間)を行って、カラーフィルタ層とブラックマトリックスを被覆する平坦化層(厚み2μm)を形成した。尚、透明基材の周縁部には、幅10mmで平坦化層の非形成領域(後工程にてリード部を形成する領域)を確保した。
(透明導電膜の形成)
上記の平坦化層を被覆するように透明基材の全面に、イオンプレーティング法により膜厚150nmの酸化インジウムスズ(ITO)膜を形成して透明導電膜とした。
上記の平坦化層を被覆するように透明基材の全面に、イオンプレーティング法により膜厚150nmの酸化インジウムスズ(ITO)膜を形成して透明導電膜とした。
(中間層の形成)
上記のITO膜上に、RFマグネトロンスパッタリング法により厚み0.3μmのMo層を形成して中間層とした。
上記のITO膜上に、RFマグネトロンスパッタリング法により厚み0.3μmのMo層を形成して中間層とした。
(金属層の形成)
上記の中間層上に、RFマグネトロンスパッタリング法により厚み0.3μmのAg/Pd合金層(Ag含有量=80重量%)を形成して金属層とした。
これにより、導電膜基板(試料1)を得た。
上記の中間層上に、RFマグネトロンスパッタリング法により厚み0.3μmのAg/Pd合金層(Ag含有量=80重量%)を形成して金属層とした。
これにより、導電膜基板(試料1)を得た。
<導電膜基板の加工>
(金属層と中間層の一括パターニング)
上記の導電膜基板(試料1)の金属層上に感光性レジスト(シプレー(株)製 S1805)をスピンコート法により塗布し乾燥し、次いで、所望のフォトマスクを介して露光、現像してレジストパターンを設けた。このレジストパターンをマスクとし、硝酸・リン酸・酢酸混合液を用いて金属層(Ag/Pd層)と中間層(Mo層)を一括で選択エッチングし、その後、レジストパターンを除去した。これにより、図8(A)に示されるように、透明導電膜(ITO膜)の周縁部(平坦化層が形成されていない部位)に、一辺が80μmの正方形のリード部(金属層(Ag/Pd層)と中間層(Mo層)の積層体)を100μmピッチで形成した。
(金属層と中間層の一括パターニング)
上記の導電膜基板(試料1)の金属層上に感光性レジスト(シプレー(株)製 S1805)をスピンコート法により塗布し乾燥し、次いで、所望のフォトマスクを介して露光、現像してレジストパターンを設けた。このレジストパターンをマスクとし、硝酸・リン酸・酢酸混合液を用いて金属層(Ag/Pd層)と中間層(Mo層)を一括で選択エッチングし、その後、レジストパターンを除去した。これにより、図8(A)に示されるように、透明導電膜(ITO膜)の周縁部(平坦化層が形成されていない部位)に、一辺が80μmの正方形のリード部(金属層(Ag/Pd層)と中間層(Mo層)の積層体)を100μmピッチで形成した。
(透明導電膜のパターニング)
次に、リード部を形成した導電膜基板の透明導電膜(ITO膜)上に、リード部も被覆するように感光性レジスト(シプレー(株)製 S1805)をスピンコート法により塗布し乾燥し、次いで、所望のフォトマスクを介して露光、現像してレジストパターンを設けた。このレジストパターンをマスクとし、塩酸・硝酸混合液を用いて透明導電膜(ITO膜)を選択エッチングし、その後、レジストパターンを除去した。これにより、図8(B)に示されるように、カラーフィルタ層の各着色層の長手方向に向って、リード部から透明電極を延設した。
次に、リード部を形成した導電膜基板の透明導電膜(ITO膜)上に、リード部も被覆するように感光性レジスト(シプレー(株)製 S1805)をスピンコート法により塗布し乾燥し、次いで、所望のフォトマスクを介して露光、現像してレジストパターンを設けた。このレジストパターンをマスクとし、塩酸・硝酸混合液を用いて透明導電膜(ITO膜)を選択エッチングし、その後、レジストパターンを除去した。これにより、図8(B)に示されるように、カラーフィルタ層の各着色層の長手方向に向って、リード部から透明電極を延設した。
<評 価>
(エッチング性の評価)
上記の金属層(Ag/Pd層)と中間層(Mo層)を一括で選択エッチングした際のエッチング性を下記の基準で評価して、結果を下記の表1に示した。
(評価基準)
○ : 全面均一にエッチングが可能
△ : 中間層(Mo層)に少しオーバーエッチングがみられる
× : オーバーエッチングにより中間層(Mo層)がほとんど残らない
(エッチング性の評価)
上記の金属層(Ag/Pd層)と中間層(Mo層)を一括で選択エッチングした際のエッチング性を下記の基準で評価して、結果を下記の表1に示した。
(評価基準)
○ : 全面均一にエッチングが可能
△ : 中間層(Mo層)に少しオーバーエッチングがみられる
× : オーバーエッチングにより中間層(Mo層)がほとんど残らない
(密着性の評価)
ヒートサイクルテープ剥離テスト[ヒートサイクル:温度60℃、湿度90%の環境下での5時間放置を1サイクルとし、4サイクル(20時間)実施]により透明電極に対するリード部の密着性を下記の基準で評価して、結果を下記の表1に示した。尚、使用したテープは3M(株)製 BK−15(テープ幅15mm)である。
(評価基準)
○ : リード部が剥離しない
△ : 3〜4サイクルでリード部の剥離(剥離面積は20%以下)発生
× : 2サイクル以下でリード部の剥離(剥離面積は20%以上)発生
また、上記の導電膜基板(試料1)について、透明導電膜の抵抗値を下記条件で測定し、また導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を下記の基準で評価して、結果を下記の表1に示した。
ヒートサイクルテープ剥離テスト[ヒートサイクル:温度60℃、湿度90%の環境下での5時間放置を1サイクルとし、4サイクル(20時間)実施]により透明電極に対するリード部の密着性を下記の基準で評価して、結果を下記の表1に示した。尚、使用したテープは3M(株)製 BK−15(テープ幅15mm)である。
(評価基準)
○ : リード部が剥離しない
△ : 3〜4サイクルでリード部の剥離(剥離面積は20%以下)発生
× : 2サイクル以下でリード部の剥離(剥離面積は20%以上)発生
また、上記の導電膜基板(試料1)について、透明導電膜の抵抗値を下記条件で測定し、また導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を下記の基準で評価して、結果を下記の表1に示した。
(抵抗値の測定条件)
常温にて、試料の5箇所に4探針抵抗値計(三菱油化(株)製 ロレスタ)を
接触させ測定する。
常温にて、試料の5箇所に4探針抵抗値計(三菱油化(株)製 ロレスタ)を
接触させ測定する。
(透明導電膜の耐性の評価)
レジストパターン形成時の現像液、剥離液による表面の変化を観察し下記の基準で評価した。
(評価基準)
○ : 透明導電膜にクラック、欠けがみられない
△ : 透明導電膜にクラック、欠けがみられるが断線状態ではない
× : 透明導電膜にクラックがみられ断線状態となっている
レジストパターン形成時の現像液、剥離液による表面の変化を観察し下記の基準で評価した。
(評価基準)
○ : 透明導電膜にクラック、欠けがみられない
△ : 透明導電膜にクラック、欠けがみられるが断線状態ではない
× : 透明導電膜にクラックがみられ断線状態となっている
(試料2)
中間層として、Mo層の代わりに、RFマグネトロンスパッタリング法によりMo/Nb合金層(Mo含有量=90重量%)を形成した他は、試料1と同様にして導電膜基板(試料2)を作製した。
この導電膜基板(試料2)に、試料1と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例1と同様に評価して、結果を下記の表1に示した。また、導電膜基板(試料2)について、試料1と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表1に示した。
中間層として、Mo層の代わりに、RFマグネトロンスパッタリング法によりMo/Nb合金層(Mo含有量=90重量%)を形成した他は、試料1と同様にして導電膜基板(試料2)を作製した。
この導電膜基板(試料2)に、試料1と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例1と同様に評価して、結果を下記の表1に示した。また、導電膜基板(試料2)について、試料1と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表1に示した。
(試料3)
中間層として、Mo層の代わりに、RFマグネトロンスパッタリング法によりMo/Nb合金層(Mo含有量=60重量%)を形成した他は、試料1と同様にして導電膜基板(試料3)を作製した。
この導電膜基板(試料3)に、試料1と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例1と同様に評価して、結果を下記の表1に示した。また、導電膜基板(試料3)について、試料1と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表1に示した。
中間層として、Mo層の代わりに、RFマグネトロンスパッタリング法によりMo/Nb合金層(Mo含有量=60重量%)を形成した他は、試料1と同様にして導電膜基板(試料3)を作製した。
この導電膜基板(試料3)に、試料1と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例1と同様に評価して、結果を下記の表1に示した。また、導電膜基板(試料3)について、試料1と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表1に示した。
(試料4)
中間層として、Mo層の代わりに、RFマグネトロンスパッタリング法によりMo/Cr合金層(Mo含有量=60重量%)を形成した他は、試料1と同様にして導電膜基板(試料4)を作製した。
この導電膜基板(試料4)に、試料1と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例1と同様に評価して、結果を下記の表1に示した。また、導電膜基板(試料4)について、試料1と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表1に示した。
中間層として、Mo層の代わりに、RFマグネトロンスパッタリング法によりMo/Cr合金層(Mo含有量=60重量%)を形成した他は、試料1と同様にして導電膜基板(試料4)を作製した。
この導電膜基板(試料4)に、試料1と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例1と同様に評価して、結果を下記の表1に示した。また、導電膜基板(試料4)について、試料1と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表1に示した。
(試料5)
中間層として、Mo層の代わりに、RFマグネトロンスパッタリング法によりMo/Al合金層(Mo含有量=60重量%)を形成した他は、試料1と同様にして導電膜基板(試料5)を作製した。
この導電膜基板(試料5)に、試料1と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例1と同様に評価して、結果を下記の表1に示した。また、導電膜基板(試料5)について、試料1と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表1に示した。
中間層として、Mo層の代わりに、RFマグネトロンスパッタリング法によりMo/Al合金層(Mo含有量=60重量%)を形成した他は、試料1と同様にして導電膜基板(試料5)を作製した。
この導電膜基板(試料5)に、試料1と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例1と同様に評価して、結果を下記の表1に示した。また、導電膜基板(試料5)について、試料1と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表1に示した。
(試料6)
金属層として、Ag/Pd合金層(Ag含有量=80重量%)の代わりに、Ag/Pd合金層(Ag含有量=90重量%)を形成した他は、試料1と同様にして導電膜基板(試料6)を作製した。
この導電膜基板(試料6)に、試料1と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例1と同様に評価して、結果を下記の表1に示した。また、導電膜基板(試料6)について、試料1と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表1に示した。
金属層として、Ag/Pd合金層(Ag含有量=80重量%)の代わりに、Ag/Pd合金層(Ag含有量=90重量%)を形成した他は、試料1と同様にして導電膜基板(試料6)を作製した。
この導電膜基板(試料6)に、試料1と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例1と同様に評価して、結果を下記の表1に示した。また、導電膜基板(試料6)について、試料1と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表1に示した。
(試料7)
金属層として、Ag/Pd合金層(Ag含有量=80重量%)の代わりに、Ag/Pd合金層(Ag含有量=70重量%)を形成した他は、試料1と同様にして導電膜基板(試料7)を作製した。
この導電膜基板(試料7)に、試料1と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例1と同様に評価して、結果を下記の表1に示した。また、導電膜基板(試料7)について、試料1と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表1に示した。
金属層として、Ag/Pd合金層(Ag含有量=80重量%)の代わりに、Ag/Pd合金層(Ag含有量=70重量%)を形成した他は、試料1と同様にして導電膜基板(試料7)を作製した。
この導電膜基板(試料7)に、試料1と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例1と同様に評価して、結果を下記の表1に示した。また、導電膜基板(試料7)について、試料1と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表1に示した。
(試料8)
金属層として、Ag/Pd合金層(Ag含有量=80重量%)の代わりに、RFマグネトロンスパッタリング法によりAg/Cu合金層(Ag含有量=80重量%)を形成した他は、試料1と同様にして導電膜基板(試料8)を作製した。
この導電膜基板(試料8)に、試料1と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例1と同様に評価して、結果を下記の表1に示した。また、導電膜基板(試料8)について、試料1と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表1に示した。
金属層として、Ag/Pd合金層(Ag含有量=80重量%)の代わりに、RFマグネトロンスパッタリング法によりAg/Cu合金層(Ag含有量=80重量%)を形成した他は、試料1と同様にして導電膜基板(試料8)を作製した。
この導電膜基板(試料8)に、試料1と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例1と同様に評価して、結果を下記の表1に示した。また、導電膜基板(試料8)について、試料1と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表1に示した。
(試料9)
金属層として、Ag/Pd合金層(Ag含有量=80重量%)の代わりに、RFマグネトロンスパッタリング法によりAg/Al合金層(Ag含有量=80重量%)を形成した他は、試料1と同様にして導電膜基板(試料9)を作製した。
この導電膜基板(試料9)に、試料1と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例1と同様に評価して、結果を下記の表1に示した。また、導電膜基板(試料9)について、試料1と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表1に示した。
金属層として、Ag/Pd合金層(Ag含有量=80重量%)の代わりに、RFマグネトロンスパッタリング法によりAg/Al合金層(Ag含有量=80重量%)を形成した他は、試料1と同様にして導電膜基板(試料9)を作製した。
この導電膜基板(試料9)に、試料1と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例1と同様に評価して、結果を下記の表1に示した。また、導電膜基板(試料9)について、試料1と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表1に示した。
(試料10)
金属層として、Ag/Pd合金層(Ag含有量=80重量%)の代わりに、RFマグネトロンスパッタリング法によりAg/Au合金層(Ag含有量=80重量%)を形成した他は、試料1と同様にして導電膜基板(試料10)を作製した。
この導電膜基板(試料10)に、試料1と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例1と同様に評価して、結果を下記の表1に示した。また、導電膜基板(試料10)について、試料1と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表1に示した。
金属層として、Ag/Pd合金層(Ag含有量=80重量%)の代わりに、RFマグネトロンスパッタリング法によりAg/Au合金層(Ag含有量=80重量%)を形成した他は、試料1と同様にして導電膜基板(試料10)を作製した。
この導電膜基板(試料10)に、試料1と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例1と同様に評価して、結果を下記の表1に示した。また、導電膜基板(試料10)について、試料1と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表1に示した。
(試料11)
中間層として、Mo層の代わりに、RFマグネトロンスパッタリング法によりMo/Nb合金層(Mo含有量=50重量%)を形成した他は、試料1と同様にして導電膜基板(試料11)を作製した。
この導電膜基板(試料11)に、試料1と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例1と同様に評価して、結果を下記の表2に示した。また、導電膜基板(試料11)について、試料1と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表2に示した。
中間層として、Mo層の代わりに、RFマグネトロンスパッタリング法によりMo/Nb合金層(Mo含有量=50重量%)を形成した他は、試料1と同様にして導電膜基板(試料11)を作製した。
この導電膜基板(試料11)に、試料1と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例1と同様に評価して、結果を下記の表2に示した。また、導電膜基板(試料11)について、試料1と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表2に示した。
(試料12)
中間層として、Mo層の代わりに、RFマグネトロンスパッタリング法によりMo/Cr合金層(Mo含有量=50重量%)を形成した他は、試料1と同様にして導電膜基板(試料12)を作製した。
この導電膜基板(試料12)に、試料1と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例1と同様に評価して、結果を下記の表2に示した。また、導電膜基板(試料12)について、試料1と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表2に示した。
中間層として、Mo層の代わりに、RFマグネトロンスパッタリング法によりMo/Cr合金層(Mo含有量=50重量%)を形成した他は、試料1と同様にして導電膜基板(試料12)を作製した。
この導電膜基板(試料12)に、試料1と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例1と同様に評価して、結果を下記の表2に示した。また、導電膜基板(試料12)について、試料1と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表2に示した。
(試料13)
中間層として、Mo層の代わりに、RFマグネトロンスパッタリング法によりMo/Al合金層(Mo含有量=50重量%)を形成した他は、試料1と同様にして導電膜基板(試料13)を作製した。
この導電膜基板(試料13)に、試料1と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例1と同様に評価して、結果を下記の表2に示した。また、導電膜基板(試料13)について、試料1と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表2に示した。
中間層として、Mo層の代わりに、RFマグネトロンスパッタリング法によりMo/Al合金層(Mo含有量=50重量%)を形成した他は、試料1と同様にして導電膜基板(試料13)を作製した。
この導電膜基板(試料13)に、試料1と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例1と同様に評価して、結果を下記の表2に示した。また、導電膜基板(試料13)について、試料1と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表2に示した。
(試料14)
中間層を形成しない他は、試料1と同様にして導電膜基板(試料14)を作製した。
この導電膜基板(試料14)に、試料1と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例1と同様に評価して、結果を下記の表2に示した。また、導電膜基板(試料14)について、試料1と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表2に示した。
中間層を形成しない他は、試料1と同様にして導電膜基板(試料14)を作製した。
この導電膜基板(試料14)に、試料1と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例1と同様に評価して、結果を下記の表2に示した。また、導電膜基板(試料14)について、試料1と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表2に示した。
(試料15)
金属層として、Ag/Pd合金層(Ag含有量=80重量%)の代わりに、Ag層を形成した他は、試料1と同様にして導電膜基板(試料15)を作製した。
この導電膜基板(試料15)に、試料1と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例1と同様に評価して、結果を下記の表2に示した。また、導電膜基板(試料15)について、試料1と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表2に示した。
金属層として、Ag/Pd合金層(Ag含有量=80重量%)の代わりに、Ag層を形成した他は、試料1と同様にして導電膜基板(試料15)を作製した。
この導電膜基板(試料15)に、試料1と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例1と同様に評価して、結果を下記の表2に示した。また、導電膜基板(試料15)について、試料1と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表2に示した。
(試料16)
金属層として、Ag/Pd合金層(Ag含有量=80重量%)の代わりに、Ag/Pd合金層(Ag含有量=99重量%)を形成した他は、試料1と同様にして導電膜基板(試料16)を作製した。
この導電膜基板(試料16)に、試料1と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例1と同様に評価して、結果を下記の表2に示した。また、導電膜基板(試料16)について、試料1と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表2に示した。
金属層として、Ag/Pd合金層(Ag含有量=80重量%)の代わりに、Ag/Pd合金層(Ag含有量=99重量%)を形成した他は、試料1と同様にして導電膜基板(試料16)を作製した。
この導電膜基板(試料16)に、試料1と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例1と同様に評価して、結果を下記の表2に示した。また、導電膜基板(試料16)について、試料1と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表2に示した。
(試料17)
金属層として、Ag/Pd合金層(Ag含有量=80重量%)の代わりに、Ag/Cu合金層(Ag含有量=99重量%)を形成した他は、試料1と同様にして導電膜基板(試料17)を作製した。
この導電膜基板(試料17)に、試料1と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例1と同様に評価して、結果を下記の表2に示した。また、導電膜基板(試料17)について、試料1と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表2に示した。
金属層として、Ag/Pd合金層(Ag含有量=80重量%)の代わりに、Ag/Cu合金層(Ag含有量=99重量%)を形成した他は、試料1と同様にして導電膜基板(試料17)を作製した。
この導電膜基板(試料17)に、試料1と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例1と同様に評価して、結果を下記の表2に示した。また、導電膜基板(試料17)について、試料1と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表2に示した。
(試料18)
金属層として、Ag/Pd合金層(Ag含有量=80重量%)の代わりに、Ag/Al合金層(Ag含有量=99重量%)を形成した他は、試料1と同様にして導電膜基板(試料18)を作製した。
この導電膜基板(試料18)に、試料1と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例1と同様に評価して、結果を下記の表2に示した。また、導電膜基板(試料18)について、試料1と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表2に示した。
金属層として、Ag/Pd合金層(Ag含有量=80重量%)の代わりに、Ag/Al合金層(Ag含有量=99重量%)を形成した他は、試料1と同様にして導電膜基板(試料18)を作製した。
この導電膜基板(試料18)に、試料1と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例1と同様に評価して、結果を下記の表2に示した。また、導電膜基板(試料18)について、試料1と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表2に示した。
(試料19)
金属層として、Ag/Pd合金層(Ag含有量=80重量%)の代わりに、Ag/Au合金層(Ag含有量=99重量%)を形成した他は、試料1と同様にして導電膜基板(試料19)を作製した。
この導電膜基板(試料19)に、試料1と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例1と同様に評価して、結果を下記の表2に示した。また、導電膜基板(試料19)について、試料1と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表2に示した。
金属層として、Ag/Pd合金層(Ag含有量=80重量%)の代わりに、Ag/Au合金層(Ag含有量=99重量%)を形成した他は、試料1と同様にして導電膜基板(試料19)を作製した。
この導電膜基板(試料19)に、試料1と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例1と同様に評価して、結果を下記の表2に示した。また、導電膜基板(試料19)について、試料1と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表2に示した。
(試料20)
金属層として、Ag/Pd合金層(Ag含有量=80重量%)の代わりに、Ag/Pd合金層(Ag含有量=60重量%)を形成した他は、試料1と同様にして導電膜基板(試料20)を作製した。
この導電膜基板(試料20)に、試料1と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例1と同様に評価して、結果を下記の表2に示した。また、導電膜基板(試料20)について、試料1と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表2に示した。
金属層として、Ag/Pd合金層(Ag含有量=80重量%)の代わりに、Ag/Pd合金層(Ag含有量=60重量%)を形成した他は、試料1と同様にして導電膜基板(試料20)を作製した。
この導電膜基板(試料20)に、試料1と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例1と同様に評価して、結果を下記の表2に示した。また、導電膜基板(試料20)について、試料1と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表2に示した。
(試料21)
金属層として、Ag/Pd合金層(Ag含有量=80重量%)の代わりに、Ag/Cu合金層(Ag含有量=60重量%)を形成した他は、試料1と同様にして導電膜基板(試料21)を作製した。
この導電膜基板(試料21)に、試料1と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例1と同様に評価して、結果を下記の表2に示した。また、導電膜基板(試料21)について、試料1と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表2に示した。
金属層として、Ag/Pd合金層(Ag含有量=80重量%)の代わりに、Ag/Cu合金層(Ag含有量=60重量%)を形成した他は、試料1と同様にして導電膜基板(試料21)を作製した。
この導電膜基板(試料21)に、試料1と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例1と同様に評価して、結果を下記の表2に示した。また、導電膜基板(試料21)について、試料1と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表2に示した。
(試料22)
金属層として、Ag/Pd合金層(Ag含有量=80重量%)の代わりに、Ag/Al合金層(Ag含有量=60重量%)を形成した他は、試料1と同様にして導電膜基板(試料22)を作製した。
この導電膜基板(試料22)に、試料1と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例1と同様に評価して、結果を下記の表2に示した。また、導電膜基板(試料22)について、試料1と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表2に示した。
金属層として、Ag/Pd合金層(Ag含有量=80重量%)の代わりに、Ag/Al合金層(Ag含有量=60重量%)を形成した他は、試料1と同様にして導電膜基板(試料22)を作製した。
この導電膜基板(試料22)に、試料1と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例1と同様に評価して、結果を下記の表2に示した。また、導電膜基板(試料22)について、試料1と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表2に示した。
(試料23)
金属層として、Ag/Pd合金層(Ag含有量=80重量%)の代わりに、Ag/Au合金層(Ag含有量=60重量%)を形成した他は、試料1と同様にして導電膜基板(試料23)を作製した。
この導電膜基板(試料23)に、試料1と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例1と同様に評価して、結果を下記の表2に示した。また、導電膜基板(試料23)について、試料1と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表2に示した。
金属層として、Ag/Pd合金層(Ag含有量=80重量%)の代わりに、Ag/Au合金層(Ag含有量=60重量%)を形成した他は、試料1と同様にして導電膜基板(試料23)を作製した。
この導電膜基板(試料23)に、試料1と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例1と同様に評価して、結果を下記の表2に示した。また、導電膜基板(試料23)について、試料1と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表2に示した。
[実施例2]
Mo層の代わりに、ITO膜上にRFマグネトロンスパッタリング法により厚み0.3μmの酸化インジウム亜鉛(IZO)層を形成して中間層とした他は、実施例1の試料1、6〜10、15〜23と同様にして導電膜基板(試料24〜38)を作製した。
この導電膜基板(試料24〜38)に、試料1と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例1と同様に評価して、結果を下記の表3に示した。また、導電膜基板(試料24〜38)について、試料1と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表3に示した。
Mo層の代わりに、ITO膜上にRFマグネトロンスパッタリング法により厚み0.3μmの酸化インジウム亜鉛(IZO)層を形成して中間層とした他は、実施例1の試料1、6〜10、15〜23と同様にして導電膜基板(試料24〜38)を作製した。
この導電膜基板(試料24〜38)に、試料1と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例1と同様に評価して、結果を下記の表3に示した。また、導電膜基板(試料24〜38)について、試料1と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表3に示した。
[実施例3]
透明導電膜として、イオンプレーティング法により膜厚150nmのIZO膜を形成した他は実施例1の試料1と同様にして導電膜基板(試料39)を作製した。
また、透明導電膜として、イオンプレーティング法により膜厚150nmのIZO膜を形成し、中間層(Mo層)を形成しない他は実施例1の試料1と同様にして導電膜基板(試料40)を作製した。
これらの導電膜基板(試料39,40)に、試料1と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例1と同様に評価して、結果を下記の表4に示した。
また、上記の試料39、40について、試料1と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表4に示した。
尚、表4には実施例1の試料1、実施例2の試料24の評価結果も示した。
透明導電膜として、イオンプレーティング法により膜厚150nmのIZO膜を形成した他は実施例1の試料1と同様にして導電膜基板(試料39)を作製した。
また、透明導電膜として、イオンプレーティング法により膜厚150nmのIZO膜を形成し、中間層(Mo層)を形成しない他は実施例1の試料1と同様にして導電膜基板(試料40)を作製した。
これらの導電膜基板(試料39,40)に、試料1と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例1と同様に評価して、結果を下記の表4に示した。
また、上記の試料39、40について、試料1と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表4に示した。
尚、表4には実施例1の試料1、実施例2の試料24の評価結果も示した。
フルカラー表示装置、エリアカラー表示装置、照明等の種々の有機EL表示装置の製造において有用である。
1,11,21,31,41…導電膜基板
2,12,22,32,42…透明基材
3,13,23,33,43…透明導電膜
4,14,24,34,44…中間層
5,15,25,35,45…金属層
16,26,36,46…カラーフィルタ層
28,38,48…平坦化層
39…色変換蛍光体層
49…ガスバリア層
51…有機EL表示装置
53…透明電極
55a,55b…リード部
57…隔壁
58…有機EL発光層
59…背面電極
2,12,22,32,42…透明基材
3,13,23,33,43…透明導電膜
4,14,24,34,44…中間層
5,15,25,35,45…金属層
16,26,36,46…カラーフィルタ層
28,38,48…平坦化層
39…色変換蛍光体層
49…ガスバリア層
51…有機EL表示装置
53…透明電極
55a,55b…リード部
57…隔壁
58…有機EL発光層
59…背面電極
Claims (7)
- 透明基材と、該透明基材上に順次積層された透明導電膜、中間層および金属層とを備え、前記透明導電膜は酸化インジウムスズ膜であり、前記中間層はMo層、Mo合金層および酸化インジウム亜鉛層のいずれかであり、前記金属層はAg合金層であることを特徴とする導電膜基板。
- 前記Mo合金層は、主成分であるMoを60重量%以上の範囲で含有し、副成分としてNb、Cr、Alの少なくとも1種を含有することを特徴とする請求項1に記載の導電膜基板。
- 前記Ag合金層は、主成分であるAgを70〜99重量%の範囲で含有し、副成分としてPd、Cu、Al、Auの少なくとも1種を含有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の導電膜基板。
- 前記透明基材と前記透明導電膜との間にカラーフィルタ層を備えることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の導電膜基板。
- 前記透明基材と前記透明導電膜との間にカラーフィルタ層と平坦化層をこの順に積層して備えることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の導電膜基板。
- 前記透明基材と前記透明導電膜との間にカラーフィルタ層と色変換蛍光体層と平坦化層をこの順に積層して備えることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の導電膜基板。
- 前記透明導電膜は、ガスバリア層を介して形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の導電膜基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006210566A JP2008041294A (ja) | 2006-08-02 | 2006-08-02 | 導電膜基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006210566A JP2008041294A (ja) | 2006-08-02 | 2006-08-02 | 導電膜基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008041294A true JP2008041294A (ja) | 2008-02-21 |
Family
ID=39176096
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006210566A Pending JP2008041294A (ja) | 2006-08-02 | 2006-08-02 | 導電膜基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008041294A (ja) |
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