JP4844145B2 - 有機elディスプレイ - Google Patents
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Description
有機ELディスプレイとしては、例えば、(1)三原色の有機EL素子を各発光色毎に所定のパターンで配列する方式、(2)白色発光の有機EL素子を使用し、三原色のカラーフィルタ層を介して表示する方式、(3)青色発光の有機EL素子を使用し、蛍光色素を利用した色変換蛍光体層(CCM層)を設置して、青色光を緑色蛍光や赤色蛍光に変換して三原色表示をするCCM方式等が提案されている。
上記のようなディスプレイ内部での反射を防止するために、(a)カラーフィルタ層や色変換蛍光体層の表面を粗面化したり、(b)互いに屈折率の異なる複数の層からなる反射防止層をカラーフィルタ層や色変換蛍光体層の表面に設けることが行われている。
また、上述のような凹凸部を有する反射防止フィルムをディスプレイの表面に配設した場合、外光反射が防止されて、ディスプレイからの映像光を明瞭に認識することは可能である。しかし、ディスプレイ内部での反射を防止して、有機EL素子から出た光の利用効率(カラーフィルタ層や色変換蛍光体層への光の入射効率)を向上させることは困難であった。
本発明は、このような実情に鑑みてなされたものであり、ディスプレイ内部での光の反射を抑制し、光の利用効率が高く、かつ、製造も容易な有機ELディスプレイを提供することを目的とする。
本発明の他の態様として、前記微細凹凸層はハードコート層を兼ねたものであるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記有機EL素子がアクティブマトリックス駆動方式のものであるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記有機EL素子がパッシブマトリックス駆動方式のものであるような構成とした。
[第1の形態]
図1は、本発明の有機ELディスプレイの一実施形態を示す概略構成図である。図1に示されるように、有機ELディスプレイ1は、有機EL素子2と、この有機EL素子2の一方の面側に微細凹凸層3を介して配設された透明部材層4とを備えている。また、有機EL素子2と微細凹凸層3との間には空隙部が形成されており、この空隙部の周縁部は、図示しない封止部材により封止されている。
有機EL素子2は、三原色の有機EL素子2R,2G,2Bが所定のパターンで配列したものである。
微細凹凸層3は、400nm以下、好ましくは200〜300nmの範囲のピッチで配列された複数の微細凹凸を有機EL素子2に対向するように有している。
尚、本発明において屈折率の測定は、分光エリプソメータ((株)堀場製作所製)を用いて行うものとする。
図2は、本発明の有機ELディスプレイの他の実施形態を示す概略構成図である。図2に示される有機ELディスプレイ1′は、有機EL素子2と、この有機EL素子2の一方の面側に微細凹凸層3を介して配設された透明部材層4′とを備えている。この有機ELディスプレイ1′は、透明部材層4′が、三原色の有機EL素子2R,2G,2Bに対応した三原色の着色層6R,6G,6Bからなるカラーフィルタ層6と、着色層6R,6G,6Bの境界部位に対応したパターン形状のブラックマトリックス8を備えた透明基材5とで構成されている他は、上述の有機ELディスプレイ1と同様である。尚、有機ELディスプレイ1と同様の部材には、同じ部材番号を付している。
尚、カラーフィルタ層6の屈折率n2が、着色層6R,6G,6Bの各部位によって異なる場合には、着色層6R,6G,6Bの全ての屈折率n2と微細凹凸層3の屈折率n1との間で上記の関係が成立することが必要である。
図3は、本発明の有機ELディスプレイの他の実施形態を示す概略構成図である。図3に示されるように、有機ELディスプレイ11は、有機EL素子12と、この有機EL素子12の一方の面側に微細凹凸層13を介して配設された透明部材層14とを備えている。また、有機EL素子12と微細凹凸層13との間には空隙部が形成されており、この空隙部の周縁部は、図示しない封止部材により封止されている。
有機ELディスプレイ11を構成する有機EL素子12は、白色発光の有機EL素子である。
微細凹凸層13は、400nm以下、好ましくは200〜300nmの範囲のピッチで配列された複数の微細凹凸を有機EL素子12に対向するように有している。
このような有機ELディスプレイ11では、有機EL素子12から出た光は、微細凹凸層13に対して大きな入射角で入射した光も含めて、微細凹凸層13によって大部分が取込まれる。そして、微細凹凸層13に取込まれて微細凹凸層13を透過した光は、上記の屈折率n1、n2の関係が成立している透明部材層14に、反射をほとんど生じることなく入射する。このため、有機ELディスプレイ11内部での反射による光損失が大幅に低減され、透明部材層14への光の入射効率が極めて高いものとなる。
尚、カラーフィルタ層16の屈折率n2が、着色層16R,16G,16Bの各部位によって異なる場合には、着色層16R,16G,16Bの全ての屈折率n2と微細凹凸層13の屈折率n1との間で上記の関係が成立することが必要である。
図4は、本発明の有機ELディスプレイの他の実施形態を示す概略構成図である。図4に示される有機ELディスプレイ21は、有機EL素子22と、この有機EL素子22の一方の面側に微細凹凸層23を介して配設された透明部材層24とを備えている。また、有機EL素子22と微細凹凸層23との間には空隙部が形成されており、この空隙部の周縁部は、図示しない封止部材により封止されている。
有機ELディスプレイ21を構成する有機EL素子22は、青色発光の有機EL素子である。
また、微細凹凸層23は、400nm以下、好ましくは200〜300nmの範囲のピッチで配列された複数の微細凹凸を有機EL素子22に対向するように有している。
尚、色変換蛍光体層27の屈折率n2が、各層27R,27G,27Bによって異なる場合には、色変換蛍光体層27を構成する全ての層27R,27G,27Bの屈折率n2と微細凹凸層13の屈折率n1との間で上記の関係が成立することが必要である。
図5は、本発明の有機ELディスプレイの他の実施形態を示す概略構成図である。図5に示される有機ELディスプレイ21′は、有機EL素子22と、この有機EL素子22の一方の面側に微細凹凸層23を介して配設された透明部材層24′とを備えている。この有機ELディスプレイ21′は、透明部材層24′が、色変換蛍光体層27と透明基材25との間に、色変換蛍光体層27を構成する各層27R,27G,27Bに対応した三原色の着色層26R,26G,26Bからなるカラーフィルタ層26を備える他は、上述の有機ELディスプレイ21と同様である。尚、有機ELディスプレイ21と同様の部材には、同じ部材番号を付している。
この有機ELディスプレイ21′でも、微細凹凸層23は、400nm以下、好ましくは200〜300nmの範囲のピッチで配列された複数の微細凹凸を有機EL素子22に対向するように有している。また、微細凹凸層23の屈折率n1と、透明部材層24′のうち微細凹凸層23と接触する部位である色変換蛍光体層27の屈折率n2との間には、0.8n1<n2<2n1の関係が成立する。
また、図6に示されるように、透明部材層14が、微細凹凸層13と接触する部位にハードコート層19を有するような有機ELディスプレイ11′であってもよい。また、図7に示されるように、透明部材層14が、微細凹凸層13と接触する部位にガスバリアー層19aを有し、このガスバリアー層19aの下層としてハードコート層19bを備えた有機ELディスプレイ11″であってもよい。尚、図6、図7では、上述の有機ELディスプレイ11を例として説明しているが、上述の有機ELディスプレイ1,1′,21,21′についても同様である。
[微細凹凸層]
本発明の有機ELディスプレイを構成する微細凹凸層3,13,23,23A,23Bは、上述のように、400nm以下、好ましくは200〜300nmの範囲のピッチで配列された複数の微細凹凸を有するものである。この微細凹凸の断面形状は種々の形状とすることができる。例えば、微細凹凸層3を例とすると、図9(A)に示されるように断面上縁の形状が正弦曲線をなすもの、図9(B)に示されるように断面の頂部が円弧状であって、立ち上がり部位が直線状で頂部方向にすぼまった形状、図9(C)に示されるように断面上縁が三角波状のもの、図9(D)に示されるように矩形波状のもの等であってよい。微細凹凸層13,23,23A,23Bについても同様である。
また、微細凹凸層の微細凹凸は、図10に示すように、凸部3a、凹部3bが同一方向に連続した形状とすることができる。また、図11(A)に示されるように、微細凹凸の凸部3aが単純立方格子配列をとるもの、図11(B)に示すように、微細凹凸の凸部3aが最密六方格子配列をとるものであってもよい。特に、図11(A)、図11(B)に示されるような一方向性ではない微細凹凸の配列は、入射光の方向による反射率の変化がなく、有機EL素子から出た光の取込みが高い効率で行われる。
上述のような微細凹凸は、微細凹凸層3,13,23,23A,23Bの形成と同時に形成してもよく、また、微細凹凸層3,13,23,23A,23B用の層を予め形成し、その後、微細凹凸を形成してもよい。
本発明の有機ELディスプレイを構成する有機EL素子2,12,22は、基本的に、1対の電極と、この電極間に位置する発光層とを少なくとも有している。また、有機EL素子の駆動方式は、パッシブマトリックス、アクティブマトリックスのいずれであってもよい。
図12は、アクティブマトリックス駆動方式の有機EL素子2の例を示す概略構成図である。図12において、有機EL素子2は、透明基材51と、1対の電極52,54と、この電極52,54間に挟持された有機EL発光層53を備えている。尚、有機EL素子12,22についても同様である。
透明基材51(これに替わる不透明な基材も含む)としては、ガラス材料、樹脂材料、または、これらの複合材料からなるもの、例えば、ガラス板に保護プラスチックフィルムもしくは保護プラスチック層を設けたもの等が用いられる。
透明基材51の厚さは、通常、50μm〜2.0mm程度である。
電極52は画素電極であり、透明基材51上に形成された図示しない信号線、走査線、と、駆動素子であるTFT(薄膜トランジスタ)61とともに、電極配線パターンを構成するものである。そして、この電極52は、有機EL発光層53からの光を図12の矢印a方向に取り出すボトム・エミッションの場合には、透明電極(画素電極)となり、図12の矢印b方向に取り出すトップ・エミッションの場合には、透明、不透明いずれの電極(画素電極)であってもよい。
一方、電極54は、共通電極であり、有機EL発光層53からの光を、図12の矢印a方向に取り出すボトム・エミッションの場合には、透明、不透明いずれであってもよく、図12の矢印b方向に取り出すトップ・エミッションの場合には、透明電極とする。
また、発光波長を調整したり、発光効率を向上させる等の目的で、上記の各層に適当な材料をドーピングすることもできる。
(1)色素系発光材料
シクロペンタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、シロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、トリフマニルアミン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー等が挙げられる。
アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾール亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポリフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体等、中心金属にAl、Zn、Be等、または、Tb、Eu、Dy等の希土類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を有する金属錯体が挙げられる。
ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリフルオレン誘導体等が挙げられる。
さらに、図4〜図5に示される有機EL素子22の場合において、有機EL発光層53に使用する青色発光である有機発光材料としては、例えば、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系等の蛍光増白剤、金属キレート化オキシノイド化合物、スチリルベンゼン系化合物、ジスチリルピラジン誘導体、芳香族ジメチリディン系化合物等を挙げることができる。
また、上記の金属キレート化オキシノイド化合物としては、トリス(8−キノリノール)アルミニウム、ビス(8−キノリノール)マグネシウム、ビス(ベンゾ[f]−8−キノリノール)亜鉛等の8−ヒドロキシキノリン系金属錯体やジリチウムエピントリジオン等を挙げることができる。
また、上記のジスチリルピラジン誘導体としては、2,5−ビス(4−メチルスチリル)ピラジン、2,5−ビス(4−エチルスチリル)ピラジン、2,5−ビス[2−(1−ナフチル)ビニル]ピラジン、2,5−ビス(4−メトキシスチリル)ピラジン、2,5−ビス[2−(4−ビフェニル)ビニル]ピラジン、2,5−ビス[2−(1−ピレニル)ビニル]ピラジン等を挙げることができる。
さらに、発光層の材料として、一般式(Rs−Q)2−AL−O−Lで表される化合物も挙げることができる(上記式中、ALはベンゼン環を含む炭素原子6〜24個の炭化水素であり、O−Lはフェニラート配位子であり、Qは置換8−キノリノラート配位子であり、Rsはアルミニウム原子に置換8−キノリノラート配位子が2個以上結合するのを立体的に妨害するように選ばれた8−キノリノラート置換基を表す)。具体的には、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(パラーフェニルフェノラート)アルミニウム(III)、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(1−ナフトラート)アルミニウム(III)等が挙げられる。
(ドーピング材料)
ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポリフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾリン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾン等が挙げられる。
オキサジアゾール系、オキサゾール系、トリアゾール系、チアゾール系、トリフェニルメタン系、スチリル系、ピラゾリン系、ヒドラゾン系、芳香族アミン系、カルバゾール系、ポリビニルカルバゾール系、スチルベン系、エナミン系、アジン系、トリフェニルアミン系、ブタジエン系、多環芳香族化合物系、スチルベン二量体等が挙げられる。
また、π共役系高分子として、ポリアセチレン、ポリジアセチレン、ポリ(P−フェニレン)、ポリ(P−フェニレンスルフィド)、ポリ(P−フェニレンオキシド)、ポリ(1,6−ヘプタジエン)、ポリ(P−フェニレンビニレン)、ポリ(2,5−チエニレン)、ポリ(2,5−ピロール)、ポリ(m−フェニレンスルフィド)、ポリ(4,4′−ビフェニレン)等が挙げられる。
正孔輸送材料としては、イオン化ポテンシャルの小さい材料が好ましく、特に、ブタジエン系、エナミン系、ヒドラゾン系、トリフェニルアミン系が好ましい。
フェニルアミン系、スターバースト型アミン系、フタロシアニン系、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウム等の酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリン、ポリチオフェン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、ポリシラン系、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー等の誘電性高分子オリゴマー等、を挙げることができる。
カルシウム、バリウム、アルミリチウム、フッ化リチウム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、フッ化ストロンチウム、フッ化カルシウム、フッ化バリウム、酸化アルミニウム、酸化ストロンチウム、酸化カルシウム、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレンスルホン酸ナトリウム、ニトロ置換フルオレン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタンおよびアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、上記のオキサジアゾール環の酸素原子をイオウ原子に置換したチアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有したキノキサリン誘導体、トリス(8−キノリノール)アルミニウム等の8−キノリノール誘導体の金属錯体、フタロシアニン、金属フタロシアニン、ジスチリルピラジン誘導体等を挙げることができる。
また、パッシブマトリックス駆動方式の有機EL素子の場合には、例えば、上述のTFT61や信号線、走査線を設けずに、電極52を所定方向にストライプ形状に形成し、電極54を電極52に直交する方向でストライプ形状に形成することができる。また、パッシブマトリックス駆動方式においても、有機EL発光層53からの光の取り出し方向は、上述のボトム・エミッション、トップ・エミッションのいずれであってもよい。
透明部材層4,4′,14,24を構成する透明基材5,15,25は、観察者側に設けられ、有機EL素子からの光を観察者が容易に視認することができる程度の透明性を有するものである。このような透明基材5,15,25としては、上述の透明基材51として挙げた透明材料が使用可能である。
また、透明部材層24を構成する色変換蛍光体層27は、青色光を赤色蛍光に変換する赤色変換蛍光体層27R、青色光を緑色蛍光に変換する緑色変換蛍光体層27G、青色光をそのまま透過する青色変換ダミー層27Bが所望のパターンで配列されたものである。
赤色変換蛍光体層27Rおよび緑色変換蛍光体層27Gが樹脂中に蛍光色素を含有したものである場合、樹脂としては、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、ポリ塩化ビニル樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、マレイン酸樹脂、ポリアミド樹脂等の透明(可視光透過率50%以上)樹脂を使用することができる。また、色変換蛍光体層27のパターン形成をフォトリソグラフィー法により行う場合、例えば、アクリル酸系、メタクリル酸系、ポリケイ皮酸ビニル系、環ゴム系等の反応性ビニル基を有する光硬化型レジスト樹脂を使用することができる。さらに、これらの樹脂は、上述の青色変換ダミー層27Bに使用することができる。
また、例えば、図7に示されるように、透明部材層14が、微細凹凸層13と接触する部位にガスバリアー層19aを有し、このガスバリアー層19aの下層としてハードコート層19bを備える場合、ハードコート層19bは上記のハードコート層19と同様とすることができる。ガスバリアー層19aは、例えば、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン等の無機酸化物をスパッタリング法や真空蒸着法等の物理蒸着法により形成したものであってよい。
上述の実施形態は例示であり、本発明はこれらに限定されるものではない。例えば、ブラックマトリックス8,18,28を備えないものであってもよい。
[実施例1]
(透明部材層上への微細凹凸層の形成)
透明部材層として、150mm×150mm、厚み0.7mmのソーダガラスの基板(セントラル硝子(株)製)を準備した。このガラス基板上の中央に、紫外線硬化性のアクリレート系樹脂(JSR(株)製 JNPC)を載置した。次いで、この上から、微細凹凸の型が形成されたポリカーボネート製の型シートを、型面が上記のアクリレート系樹脂に接触するように被せた。そして、ローラを用いて型シートをガラス基板に押し付け、ガラス基板と型シートとの間のアクリレート系樹脂をガラス基板全面に広げた。この状態で紫外線をアクリレート系樹脂に照射し、さらに全面を加熱加圧した後、型シートを剥離した。これにより、ガラス基板上には、図9(A)、図11(B)に示されるような形状でピッチPが300nm、凸部と凹部の高低差が300nmである微細凹凸を有する微細凹凸層が形成された。この微細凹凸層の凸部先端からガラス基板までの厚みは2.0μmであった。また、この微細凹凸層の屈折率n1は1.53であり、また、上記のガラス基板の屈折率n2は1.50であった。
150mm×150mm、厚み0.7mmのソーダガラスの基板(セントラル硝子(株)製)を準備し、このガラス基板に対して、イオンプレーティング法により膜厚150nmの酸化インジウムスズ(ITO)電極膜を形成し、このITO電極膜上に感光性レジストを塗布し、マスク露光、現像、ITO電極膜のエッチングを行って、第1電極層(透明電極層)を形成した。
次に、第1電極層上に、隔壁用塗料(日本ゼオン(株)製フォトレジスト ZPN1100)をスピンコート法により絶縁層を覆うように全面に塗布し、プリベーク(70℃、30分間)を行った。その後、所定の隔壁用フォトマスクを用いて露光し、現像液(日本ゼオン(株)製ZTMA−100)にて現像を行い、次いで、ポストベーク(100℃、30分間)を行った。これにより、280μmの間隔を設けて並行に複数の隔壁を形成した。この隔壁は、高さ10μm、下部(絶縁層側)の幅15μm、上部の幅26μmである形状を有するものであった。
すなわち、まず、4,4′,4″−トリス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミンを、130mm×130mmの開口部を備えたマスクを介して200nm厚まで蒸着して成膜し、その後、4,4′−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニルを20nm厚まで蒸着して成膜することによって、隔壁がマスクパターンとなり、各隔壁間のみを正孔注入層材料が通過して透明電極層上に正孔注入層が形成された。
次に、上記と同様に、隔壁をマスクとして、4,4′−ビス(2,2−ジフェニルビニル)ビフェニルを50nmまで蒸着して成膜することにより発光層を形成した。
次に、150mm×150mmの開口部を備えたマスクを介して上記の隔壁が形成されている領域に真空蒸着法によりマグネシウムと銀を同時に蒸着(マグネシウムの蒸着速度=1.3〜1.4nm/秒、銀の蒸着速度=0.1nm/秒)して成膜した。これにより、隔壁がマスクとなって、マグネシウム/銀混合物からなる厚み200nmの第2電極層(背面電極層)が有機EL発光層上に形成された。この第2電極層は、幅280μmの帯状パターンとして有機EL発光層上に存在するものであり、隔壁の上部表面にもダミーの背面電極層が形成された。
以上の方法により、有機EL素子を得た。
このように作製した有機EL素子のガラス基板に対して、上述の微細凹凸層が0.2mmの空隙を形成して対向するようにガラス基板(透明部材層)を配設した。この状態で、空隙部の周縁に紫外線硬化型接着剤を充填して硬貨固着させることにより、本発明の有機ELディスプレイを得た。
この有機ELディスプレイについて、第1電極と第2電極間に8.0Vの電圧を印加したときの発光輝度(cd/m2)を測定し、結果を下記の表1に示した。
微細凹凸層を形成する材料として、紫外線硬化性のアクリレート系樹脂(JSR(株)製 JNPC)の代わりにフッ化マグネシウム(屈折率n1は1.37)を使用した他は、実施例1と同様にして、本発明の有機ELディスプレイを得た。
この有機ELディスプレイについて、実施例1と同様に、印加電圧が8.0Vのときの発光輝度(cd/m2)を測定し、結果を下記の表1に示した。
微細凹凸層を形成する材料として、紫外線硬化性のアクリレート系樹脂(JSR(株)製 JNPC)の代わりにシリカ系コート材(日産化学工業(株)製 絶縁ハードコート材NHC、屈折率n1は1.89)を使用し、ガラス基板として屈折率n2が1.56のガラス基板を使用した他は、実施例1と同様にして、本発明の有機ELディスプレイを得た。
この有機ELディスプレイについて、実施例1と同様に、印加電圧が8.0Vのときの発光輝度(cd/m2)を測定し、結果を下記の表1に示した。
微細凹凸層を形成する材料として、紫外線硬化性のアクリレート系樹脂(JSR(株)製 JNPC)の代わりにシリカ系コート材(日産化学工業(株)製 絶縁ハードコート材NHC、屈折率n1は1.89)を使用した他は、実施例1と同様にして、有機ELディスプレイを得た。
この有機ELディスプレイについて、実施例1と同様に、印加電圧が8.0Vのときの発光輝度(cd/m2)を測定し、結果を下記の表1に示した。
微細凹凸層に形成した微細凹凸のピッチPを500nmとした他は、実施例1と同様にして、有機ELディスプレイを得た。
この有機ELディスプレイについて、実施例1と同様に、印加電圧が8.0Vのときの発光輝度(cd/m2)を測定し、結果を下記の表1に示した。
実施例1の微細凹凸層の形成に使用したアクリレート系樹脂を使用し、微細凹凸層の代わりに、厚み2.0μmの平坦な樹脂層を形成した他は、実施例1と同様にして、有機ELディスプレイを得た。
この有機ELディスプレイについて、実施例1と同様に、印加電圧が8.0Vのときの発光輝度(cd/m2)を測定し、結果を下記の表1に示した。
2,12,22…有機EL素子
3,13,23,23A,23B…微細凹凸層
3a…凸部
3b…凹部
4,4′,14,24…透明部材層
5,15,25…透明基材
6,16,26…カラーフィルタ層
8,18,28…ブラックマトリックス
27…色変換蛍光体層
51…透明基材
52,54…電極
53…有機EL発光層
61…TFT(薄膜トランジスタ)
Claims (6)
- 電極間に少なくとも発光層を有する有機EL素子と、該有機EL素子の一方の面側に微細凹凸層を介して配設された透明基材と、を備え、前記微細凹凸層と前記有機EL素子との間に空隙部を有し、前記微細凹凸層は400nm以下のピッチで配列された複数の微細凹凸を前記有機EL素子に対向するように有し、前記微細凹凸層の屈折率n1と、前記透明基材のうち微細凹凸層と接触する部位の屈折率n2との間に0.8n1<n2<2n1の関係が成立することを特徴とする有機ELディスプレイ。
- 前記発光層は三原色の各発光層が所望のパターンで配列されたものであることを特徴とする請求項1に記載の有機ELディスプレイ。
- 前記微細凹凸層はハードコート層を兼ねたものであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の有機ELディスプレイ。
- 前記微細凹凸層と対向する前記有機EL素子の表面に第2の微細凹凸層を備え、該第2の微細凹凸層は複数の微細凹凸を前記微細凹凸層に対向するように有することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の有機ELディスプレイ。
- 前記有機EL素子がアクティブマトリックス駆動方式のものであることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の有機ELディスプレイ。
- 前記有機EL素子がパッシブマトリックス駆動方式のものであることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の有機ELディスプレイ。
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