JP2014193590A - 電子部品を作製するために用いられる積層体 - Google Patents

Abstract

【課題】高い耐擦傷性を有する第１遮光導電層を備えた積層体を提供する。
【解決手段】積層体は、基材フィルムの一方の側に設けられ、透光性および導電性を有する第１透明導電層と、第１透明導電層の一方の側に設けられ、遮光性および導電性を有する第１遮光導電層と、を備えている。第１遮光導電層は、銀を主成分とするとともに銅およびパラジウムを含む銀合金を有している。第１遮光導電層の銀合金における銅の含有比率は、３．０〜７．０重量％の範囲内となっている。
【選択図】図３

Description

本発明は、タッチパネルセンサやディスプレイ用基板などの電子部品を作製するために用いられる積層体に関する。

タッチパネルセンサやディスプレイ用基板は、加熱工程や薬液処理工程など、様々な工程を経て作製される。このため、タッチパネルセンサやディスプレイ用基板で用いられる電極材料や配線材料には、高い導電性だけでなく、高い耐環境性や耐熱性も求められる。このような要求を満たすことができる材料として、銀を主成分とするとともに銅およびパラジウムを含む、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ系の銀合金、いわゆるＡＰＣ合金が知られている。例えば特許文献１において、ＡＰＣ合金を用いて、タッチパネルセンサの信号を外部に取り出すための取出配線を形成することが提案されている。

特開２０１２−７３９９２号公報

近年、タッチパネルセンサなどの電子部品に求められる特性が益々高度なものとなっている。このため、電子部品の構造が複雑化しており、これに伴って、電子部品を作製するために用いられる積層体の層構成も複雑化している。電子部品の構造や積層体の層構成が複雑化することは、これに伴って製造工程が複雑化することを意味しており、この結果、製造工程において積層体の各層が損傷されてしまう機会が多くなることが考えられる。特に、配線を構成するために設けられる、ＡＰＣ合金などからなる金属層は、外部の部品や機器との間の接続を確保するため、通常、タッチパネルセンサなどの電子部品の最表面に配置される。このためＡＰＣ合金には、導電性、耐環境性や耐熱性だけでなく、製造工程において目立った損傷が生じないようにするための耐擦傷性も求められる。

本発明は、このような課題を効果的に解決し得る積層体を提供することを目的とする。

第１の本発明は、基材フィルムと、前記基材フィルムの一方の側に設けられ、透光性および導電性を有する第１透明導電層と、前記第１透明導電層の一方の側に設けられ、遮光性および導電性を有する第１遮光導電層と、を備え、前記第１遮光導電層は、銀を主成分とするとともに銅およびパラジウムを含む銀合金を有し、前記第１遮光導電層の銀合金における銅の含有比率が、３．０〜７．０重量％の範囲内である、積層体である。

第１の本発明による積層体によれば、第１遮光導電層の銀合金における銅の含有比率が３．０〜７．０重量％の範囲内となっている。このため、第１遮光導電層に高い耐擦傷性を付与することができ、これによって、製造工程において第１遮光導電層が損傷してしまうことを抑制することができる。このことにより、積層体の製造工程や積層体から作成される電子部品の製造工程における歩留りを向上させることができる。

第１の本発明による積層体は、前記第１透明導電層と前記第１遮光導電層との間で前記第１遮光導電層に接するよう設けられた第１中間層をさらに備えていてもよい。この場合、前記第１中間層は、銀を主成分とするとともに銅およびパラジウムを含む銀合金を有しており、前記第１遮光導電層の銀合金における銅の含有比率が、前記第１中間層の銀合金における銅の含有比率よりも大きくなっている。

第１の本発明による積層体は、前記基材フィルムの他方の側に設けられ、透光性および導電性を有する第２透明導電層と、前記第２透明導電層の他方の側に設けられ、遮光性および導電性を有する第２遮光導電層と、をさらに備えていてもよい。この場合、前記第２遮光導電層は、銀を主成分とするとともに銅およびパラジウムを含む銀合金を有しており、前記第２遮光導電層の銀合金における銅の含有比率が、３．０〜７．０重量％の範囲内となっている。

第２の本発明は、基材フィルムと、前記基材フィルムの一方の側に設けられ、透光性および導電性を有する第１透明導電層と、前記第１透明導電層の一方の側に設けられ、遮光性および導電性を有する第１遮光導電層と、前記第１透明導電層と前記第１遮光導電層との間で前記第１遮光導電層に接するよう設けられた第１中間層と、を備え、前記第１遮光導電層および前記第１中間層のいずれも、銀を主成分とするとともに銅およびパラジウムを含む銀合金を有し、前記第１遮光導電層の銀合金における銅の含有比率が、前記第１中間層の銀合金における銅の含有比率よりも大きい、積層体である。

第２の本発明による積層体によれば、第１遮光導電層の銀合金における銅の含有比率が、第１遮光導電層よりも内側に配置された第１中間層の銀合金における銅の含有比率よりも大きくなっている。このため第１遮光導電層には、第１中間層に比べて高い耐擦傷性を付与することができ、これによって、製造工程において第１遮光導電層が損傷してしまうことを抑制することができる。このことにより、積層体の製造工程や積層体から作製される電子部品の製造工程における歩留りを向上させることができる。また本発明によれば、第１遮光導電層および第１中間層の両方が、積層体の導電性および積層体から作製される電子部品の導電性に寄与することができる。このため、第１中間層が存在しない場合に比べて、一定の導電性を保ちながら第１遮光導電層の厚みを低減することができる。さらに本発明によれば、第１中間層の銀合金における銅の含有比率が第１遮光導電層の場合に比べて小さいため、第１中間層は、第１遮光導電層に比べて硬度が小さいものとなっており、従って容易に製造され得るものとなっている。このため、第１遮光導電層のみによって導電性および耐擦傷性を実現しようとする場合に比べて、積層体の製造に要する全体的な工数やコストを低減することができる。

第２の本発明による積層体において、前記第１中間層は、ＭｏＮｂ合金をさらに有していてもよい。

第２の本発明による積層体は、前記基材フィルムの他方の側に設けられ、透光性および導電性を有する第２透明導電層と、前記第２透明導電層の他方の側に設けられ、遮光性および導電性を有する第２遮光導電層と、前記第２透明導電層と前記第２遮光導電層との間で前記第２遮光導電層と接するよう設けられた第２中間層と、をさらに備えていてもよい。この場合、前記第２遮光導電層および前記第２中間層のいずれも、銀を主成分とするとともに銅およびパラジウムを含む銀合金を有しており、前記第２遮光導電層の銀合金における銅の含有比率が、前記第２中間層の銀合金における銅の含有比率よりも大きくなっている。

本発明によれば、高い耐擦傷性を有する第１遮光導電層を備えた積層体を提供することができる。

図１は、本発明の実施の形態における積層体製造装置を示す図。 図２は、図１に示す積層体製造装置の成膜装置を示す図。 図３は、図２に示す成膜装置により形成された遮光導電層を含む積層体を示す断面図。 図４は、図３に示す積層体の変形例を示す断面図。 図５は、図４に示す積層体をパターニングすることにより得られるタッチパネルセンサを示す平面図。 図６は、図５に示すタッチパネルセンサの線VI−VIに沿った断面図。 図７は、本発明の第２の実施の形態における成膜装置を示す図。 図８は、図７に示す成膜装置により形成された中間層および遮光導電層を含む積層体を示す断面図。 図９は、図８に示す積層体の変形例を示す断面図。 図１０は、図７に示す成膜装置の変形例を示す図。 図１１は、サンプル１および５による積層体の遮光導電層の観察結果を示す図。 図１２は、サンプル１および５による積層体の遮光導電層について、（１１１）面の比率および粒子径を測定した結果を示す図。 図１３は、積層体の遮光導電層における（１１１）面の比率および粒子径を、遮光導電層の硬度に対してプロットした結果を示す図。 図１４は、積層体の遮光導電層にキズが発生する頻度を、遮光導電層の硬度に対してプロットした結果を示す図。 図１５は、積層体の遮光導電層に含まれる結晶の結晶面を測定する原理を示す図。 図１６は、積層体の遮光導電層に含まれる結晶の結晶面比率を測定した結果を示す図。

第１の実施の形態
以下、図１乃至図６を参照して、本発明の第１の実施の形態について説明する。はじめに図３を参照して、本実施の形態において製造される積層体１０について説明する。

積層体
図３は、積層体１０を示す断面図である。図３に示すように、積層体１０は、基材フィルム１２と、基材フィルム１２の一方の側の面１２ａ上に順に設けられた第１ハードコート層１３ａ、第１高屈折率層１４ａおよび第１低屈折率層１５ａと、第１低屈折率層１５ａの一方の側の面上に設けられた第１透明導電層１６ａと、第１透明導電層１６ａの一方の側の面上に設けられた第１遮光導電層１７ａと、を含んでいる。以下、基材フィルム１２、第１ハードコート層１３ａ、第１高屈折率層１４ａ、第１低屈折率層１５ａ、第１透明導電層１６ａおよび第１遮光導電層１７ａについてそれぞれ説明する。

（基材フィルム）
基材フィルム１２としては、十分な透光性を有するフィルムが用いられる。基材フィルム１２を構成する材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、環状オレフィン・コポリマー（ＣＯＣ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、（ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などが挙げられる。基材フィルム１２の厚みは、例えば２５〜２００μｍの範囲内となっている。

（ハードコート層）
第１ハードコート層１３ａは、擦り傷を防止するという目的や、層間の界面に低分子重合体（オリゴマー）が析出して白く濁ってみえることを防ぐという目的のために設けられる層である。第１ハードコート層１３ａとしては、例えばアクリル樹脂などが用いられる。なお図３に示すように、第１ハードコート層１３ａと同一の材料から構成された第２ハードコート層１３ｂが、基材フィルム１２の他方の面１２ｂ上にさらに設けられていてもよい。ハードコート層１３ａ，１３ｂの厚みは、例えば０．１〜１０μｍの範囲内となっている。

（高屈折率層および低屈折率層）
第１低屈折率層１５ａは、第１透明導電層１６ａを構成する材料よりも低い屈折率を有する材料から構成される層であり、一方、第１高屈折率層１４ａは、第１低屈折率層１５ａよりも高い屈折率を有する材料から構成される層である。このような第１高屈折率層１４ａおよび第１低屈折率層１５ａを基材フィルム１２と第１透明導電層１６ａとの間に設けることにより、積層体１０における光の透過率や反射率を調整することができる。例えば、第１高屈折率層１４ａおよび第１低屈折率層１５ａは、後述するように積層体１０の第１透明導電層１６ａがパターニングされてタッチパネルセンサの透明導電パターンとなる場合に、透明導電パターンが設けられている領域と設けられていない領域との間の光の透過率および反射率の差を小さくするためのインデックスマッチング層として機能することができる。

第１低屈折率層１５ａを構成する材料としては、第１透明導電層１６ａを構成する材料よりも低い屈折率を有する材料であれば特に限定はされないが、例えば酸化珪素が用いられる。第１高屈折率層１４ａを構成する材料としては、第１低屈折率層１５ａを構成する材料よりも高い屈折率を有する材料であれば特に限定はされないが、例えば酸化ニオブやジルコニウムが用いられる。第１高屈折率層１４ａおよび第１低屈折率層１５ａの厚みは、所望の透過率や反射率が達成されるよう、用いられる材料に応じて適宜設定される。

なお本実施の形態においては、上述の第１高屈折率層１４ａおよび第１低屈折率層１５ａが積層体１０に含まれている例について説明するが、しかしながら、第１高屈折率層１４ａおよび第１低屈折率層１５ａは必ずしも設けられていなくてもよい。同様に、ハードコート層１３ａ，１３ｂも、必要に応じて任意に設けられる層である。従って、基材フィルム１２の一方の側の面１２ａや第１ハードコート層１３ａの一方の側の面に直接的に接するよう第１透明導電層１６ａが設けられることもある。

（透明導電層）
第１透明導電層１６ａを構成する材料としては、導電性を有しながら透光性を示す材料が用いられ、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などの金属酸化物が用いられる。第１透明導電層１６ａの厚みは、積層体１０から作製される透明電極または透明導電パターンにおける電気抵抗の仕様などに応じて適宜設定されるが、例えば１８〜５０ｎｍの範囲内となっている。

（遮光導電層）
第１遮光導電層１７ａは、後述するように、タッチパネルなどの電子部品において、信号を外部に取り出すための取出パターンや電極を形成するために用いられる層である。すなわち、第１遮光導電層１７ａはいわゆる配線材料や電極材料として用いられる層である。従って、第１遮光導電層１７ａを構成する材料としては、高い導電性および遮光性を有する金属材料が用いられる。具体的には、銀を主成分とするとともに銅およびパラジウムを含む、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ系の銀合金、いわゆるＡＰＣ合金が用いられる。第１遮光導電層１７ａの厚みは、電子部品における電気抵抗の仕様などに応じて適宜設定されるが、例えば１００〜２５０ｎｍの範囲内となっている。第１遮光導電層１７ａの厚みを１００ｎｍ以上とすることにより、第１遮光導電層１７ａおよび第１遮光導電層１７ａから得られる取出パターンや電極の導電性を十分に確保することができる。また、第１遮光導電層１７ａの厚みを２５０ｎｍ以下とすることにより、第１遮光導電層１７ａの成膜工程や第１遮光導電層１７ａのパターニング工程に要する負荷が過大になることを防ぐことができる。

ところで第１遮光導電層１７ａからなる取出パターンや電極は、外部の部品や機器との間の接続を確保するため、通常、タッチパネルセンサなどの電子部品の最表面に配置される。このため第１遮光導電層１７ａには、積層体１０の製造工程や、積層体１０を用いてタッチパネルセンサなどの電子部品を製造する製造工程において、目立った損傷が生じないようにするための耐擦傷性が求められる。

従来、ＡＰＣ合金は、配線材料や電極材料としてではなく、主に記録材料として使用されていた。この場合、ＡＰＣ合金の様々な特性のうちその鏡面性が重視されるため、従来のＡＰＣ合金においては、銀の含有比率が著しく高くなっていた。例えば従来のＡＰＣ合金において、銅およびパラジウムの含有比率はいずれも１重量％前後であり、残りの約９８重量％を銀が占めていた。すなわち従来は、ＡＰＣ合金の鏡面性を重視していたため、銅やパラジウムなどの添加元素の比率を高めるとう検討はほとんどされていなかった。

これに対して本実施の形態のように、ＡＰＣ合金が配線材料や電極材料として用いられる場合、その耐擦傷性が重要な特性の１つとなる。このような背景に基づき、本件発明者らが、従来のＡＰＣ合金の組成にとらわれることなく鋭意実験を重ねたところ、一例として後述する実施例での実験結果で支持されているように、銅の含有比率が３．０〜７．０重量％の範囲内であるＡＰＣ合金から第１遮光導電層１７ａが構成される場合に、第１遮光導電層１７ａの硬度を、従来のＡＰＣ合金が用いられる場合に比べて著しく高くすることができることを知見した。この結果、第１遮光導電層１７ａの耐擦傷性を著しく高めることができた。このようなアプローチは、従来のＡＰＣ合金の用途からは容易に想到し得ないものであると言える。また、このような新規のアプローチによって得られた作用効果は、従来の技術水準から予測される範囲を超えた顕著な作用効果であると言える。

なお図４に示すように、積層体１０は、第２ハードコート層１３ｂの他方の側に順に設けられた第２高屈折率層１４ｂおよび第２低屈折率層１５ｂと、第２低屈折率層１５ｂの他方の側の面上に設けられた第２透明導電層１６ｂと、第２透明導電層１６ｂの他方の側の面上に設けられた第２遮光導電層１７ｂと、をさらに含んでいてもよい。第２低屈折率層１５ｂ、第２透明導電層１６ｂおよび第２遮光導電層１７ｂを構成する材料は、第１低屈折率層１５ａ，第１透明導電層１６ａおよび第１遮光導電層１７ａを構成する材料と同一であるので、詳細な説明を省略する。

次に図１および図２を参照して、ＡＰＣ合金を有する第１遮光導電層１７ａを備えた積層体１０を製造するための積層体製造装置１について説明する。はじめに図１を参照して、積層体製造装置１全体について説明する。

積層体製造装置
図１に示すように、積層体製造装置１は、第１遮光導電層１７ａを支持する支持材１１を巻き出すシャフト２１を含む巻出装置２０と、支持材１１上に第１遮光導電層１７ａを形成する成膜装置３０と、第１遮光導電層１７ａが設けられた支持材１１からなる積層体１０を巻き取るシャフト５１を含む巻取装置５０と、を備えている。なお支持材１１とは、基材フィルム１２と、第１遮光導電層１７ａが設けられる前に予め基材フィルム１２上に設けられている層と、を含むものを表している。例えば支持材１１は、図３に示すように、基材フィルム１２と、第１遮光導電層１７ａが設けられる前に予め基材フィルム１２上に設けられている第ハードコート層１３ａ，１３ｂ、第１高屈折率層１４ａ、第１低屈折率層１５ａおよび第１透明導電層１６ａと、を含む中間積層体を意味している。

（成膜装置）
次に、積層体製造装置１の成膜装置３０について説明する。成膜装置３０における成膜方法としては、真空蒸着、スパッタリング、ＣＶＤやイオンプレーティングなど様々な方法が採用され得るが、ここでは、成膜方法としてスパッタリングが用いられる例について図２を参照して説明する。

図２に示すように、成膜装置３０は、成膜処理が実施される成膜室３６と、支持材１１が巻き付けられて搬送される搬送ドラム３８と、搬送される支持材１１を案内するガイドローラー３９と、成膜室３６の内部の気体を外部に排出する排気手段と、搬送ドラム３８によって搬送されている支持材１１の外面に対向するよう設けられ、支持材１１上に設けられる第１遮光導電層１７ａの原料となるターゲット３２ａと、を備えている。ターゲット３２ａとしては、第１遮光導電層１７ａを構成するためのＡＰＣ合金が用いられている。

なおスパッタリングにおいては、ターゲット３２ａを構成するＡＰＣ合金の組成と、ターゲット３２ａに基づいて形成される第１遮光導電層１７ａの組成とが完全には一致しないことがある。その理由としては、ＡＰＣ合金を構成する銀、パラジウムおよび銅の原子の重さが各々異なり、この結果、ターゲット３２ａから支持材１１に向かって飛翔する際の飛翔のし易さが銀、パラジウムおよび銅の間で異なることが挙げられる。この点を考慮して、ターゲット３２ａのＡＰＣ合金の組成を、第１遮光導電層１７ａにおける所望の組成から予めわずかにずらしたものとしてもよい。

成膜装置３０の成膜室３６は、隔壁３６ａによって複数の領域に区画されていてもよい。例えば図２に示すように、成膜室３６は、ターゲット３２ａが配置された第１領域３１と、第３領域３５を介して第１領域３１と対向する第２領域３３と、に区画されていてもよい。この場合、各領域３１，３３，３５に別個に排気手段３１ａ，３３ａ，３５ａが接続されていてもよい。

搬送ドラム３８は、その表面が所定の成膜温度に調整されたものであってもよい。これによって、最適な温度条件下で支持材１１上に第１遮光導電層１７ａを成膜することができる。搬送ドラム３８の表面を所定の成膜温度に調整するための具体的な構成が特に限られることはない。例えば図示はしないが、搬送ドラム３８の内部に設けられ、オイルなどの所定の温度媒体を循環させる媒体循環路と、温度媒体を成膜温度に調整する媒体調整手段とが用いられる。

次に、このような構成からなる本実施の形態の作用および効果について説明する。ここでは、はじめに、第１遮光導電層１７ａを含む積層体１０の製造方法について説明する。次に、積層体１０をパターニングすることにより得られるタッチパネルセンサについて説明する。

積層体の製造方法
はじめに、巻出装置２０において、支持材１１が巻回されたシャフト２１を準備し、次に、成膜装置３０に向けて支持材１１を巻き出す。なお図示はしないが、巻出装置２０のシャフト２１には基材フィルム１２が巻回されており、また巻出装置２０と成膜装置３０との間に、基材フィルム１２上に第１低屈折率層１５ａや第１透明導電層１６ａを成膜するためのその他の成膜装置が配置されていてもよい。すなわち、第１遮光導電層１７ａの成膜だけでなく、第１高屈折率層１４ａ，第１低屈折率層１５ａや第１透明導電層１６ａなどのその他の層の成膜も、１つの積層体製造装置１の一連の真空雰囲気の中で実施されてもよい。

（成膜工程）
次に、成膜装置３０を用いて、支持材１１の一方の側に第１遮光導電層１７ａを設ける成膜工程を実施する。成膜工程においては、はじめに排気手段３１ａによって第１領域３１の内部の気体を外部に排出し、これによって、第１領域３１内を真空状態とする。この際、第２領域３３および第３領域３５も、排気手段３３ａおよび排気手段３５ａを用いることによって真空状態とされる。次に、不活性ガス供給装置（図示せず）によって第１領域３１内にアルゴンなどの不活性ガスを導入し、その後、放電装置によってターゲット３２ａに放電電力を印加する。これによって生じるスパッタリング現象によって、ターゲット３２ａを構成するＡＰＣ合金からなる第１遮光導電層１７ａを支持材１１上に設けることができる。なお、スパッタリングの際の放電電力や放電時間、不活性ガスの分圧などの条件は、所望の膜厚や搬送ドラム３８の回転速度などに応じて適宜設定される。

その後、巻取装置５０において、支持材１１と、支持材１１上に形成された第１遮光導電層１７ａと、を含む積層体１０が、シャフト５１によって巻き取られる。これによって、積層体１０の巻回体が得られる。

なお、上述のようにして得られた第１遮光導電層１７ａを含む積層体１０を再度巻出装置２０に搬入して成膜装置３０に向けて搬送し、成膜装置３０を用いて支持材１１の他方の側に第２遮光導電層１７ｂをさらに形成してもよい。これによって、図４に示す、基材フィルム１２の他方の側に設けられた第２遮光導電層１７ｂをさらに含む積層体１０を製造することができる。

ここで本実施の形態によれば、成膜工程において、スパッタリングにより形成される第１遮光導電層１７ａにおける銅の含有比率が３．０〜７．０重量％の範囲内となるよう組成が調整されたターゲット３２ａが用いられる。このため、後述する実施例での実験結果で支持されているように、銅の含有比率が従来に比べて高く、このため高い硬度を有する第１遮光導電層１７ａを得ることができる。従って、第１遮光導電層１７ａに高い耐擦傷性を付与することができ、これによって、製造工程において第１遮光導電層１７ａが損傷してしまうことを抑制することができる。このことにより、積層体１０の製造工程や、積層体１０から作製される電子部品の製造工程における歩留りを向上させることができる。

次に、図４に示すように基材フィルム１２の一方の側および他方の側のいずれにも遮光導電層が設けられる場合に、本実施の形態によって得られる効果について考える。具体的には、はじめに基材フィルム１２の一方の側に第１遮光導電層１７ａを形成し、次に、基材フィルム１２の他方の側に第２遮光導電層１７ｂを形成する場合について考える。この場合、成膜装置３０を用いて第２遮光導電層１７ｂを形成する際、先行して形成されている第１遮光導電層１７ａが、成膜装置３０の搬送ドラム３８の表面に接触することになる。このため、第２遮光導電層１７ｂを成膜する成膜処理の間に、支持材１１や第１遮光導電層１７ａの伸縮などに起因して第１遮光導電層１７ａの表面が搬送ドラム３８によって擦られてしまうことが考えられる。このような場合であっても、本実施の形態によれば上述のように、第１遮光導電層１７ａのＡＰＣ合金における銅の含有比率を３．０〜７．０重量％の範囲内とすることにより、第１遮光導電層１７ａの耐擦傷性が高められている。このため、第１遮光導電層１７ａの表面が搬送ドラム３８によって擦られてしまったとしても、これによって第１遮光導電層１７ａの表面が傷ついてしまうことを抑制することができる。このように本実施の形態により得られる効果は、基材フィルム１２の両側に遮光導電層が設けられる場合など、積層体１０の製造工程が複雑なものであり、このため遮光導電層の表面の損傷が生じやすい場合により顕著になると言える。

タッチパネルセンサの製造方法
次に、積層体１０の用途の一例として、積層体１０をパターニングすることにより得られるタッチパネルセンサについて説明する。タッチパネルセンサ６０は、液晶表示パネルや有機ＥＬ表示パネルなどの表示パネルの観察者側に設けられ、人体などの被検出体の接触位置を検出するための透明導電パターンなどを含むセンサである。タッチパネルセンサ６０としては、被検出体からの圧力に基づいてタッチ箇所を検出する抵抗膜方式のタッチパネルセンサや、人体などの被検出体からの静電気に基づいてタッチ箇所を検出する静電容量方式のタッチパネルセンサなど様々なタイプのものが知られているが、ここでは、積層体１０をパターニングすることによって静電容量方式のタッチパネルセンサ６０を形成する例について、図５および図６を参照して説明する。図５は、タッチパネルセンサ６０を示す平面図であり、図６は、図５に示すタッチパネルセンサ６０の線VI−VIに沿った断面図である。なお図５および図６においては、図４に示す、基材フィルム１２の一方の側および他方の側に配置された第１遮光導電層１７ａおよび第２遮光導電層１７ｂを含む積層体１０を用いることにより、タッチパネルセンサ６０が作製されている。

図５に示すように、タッチパネルセンサ６０は、指などの外部導体の接近に起因する静電容量の変化を検出するための透明導電パターン６２ａ，６２ｂを備えている。透明導電パターン６２ａ，６２ｂは、基材フィルム１２の一方の側に配置され、図５の横方向に延びる第１透明導電パターン６２ａと、基材フィルム１２の他方の側に配置され、図５の縦方向に延びる第２透明導電パターン６２ｂと、からなっている。またタッチパネルセンサ６０は、第１透明導電パターン６２ａに接続された第１取出パターン６４ａと、第２透明導電パターン６２ｂに接続された第２取出パターン６４ｂと、をさらに備えている。また、各取出パターン６４ａ，６４ｂに接続され、各透明導電パターン６２ａ，６２ｂからの信号を外部へ取り出すための端子部６５ａ，６５ｂがさらに設けられていてもよい。

図６に示すように、透明導電パターン６２ａ，６２ｂは、積層体１０の透明導電層１６ａ、１６ｂをパターニングすることにより得られるものである。同様に、第１取出パターン６４ａは、積層体１０の第１遮光導電層１７ａをパターニングすることにより得られるものである。また図６には示されていないが、第１端子部６５ａも、積層体１０の第１遮光導電層１７ａをパターニングすることにより得られるものであり、また第２取出パターン６４ｂおよび第２端子部６５ｂは、積層体１０の第２遮光導電層１７ｂをパターニングすることにより得られるものである。透明導電層１６ａ，１６ｂおよび遮光導電層１７ａ、１７ｂをパターニングする方法としては、例えばフォトリソグラフィー法が用いられる。

本実施の形態によれば、遮光導電層１７ａ、１７ｂはＡＰＣ合金から構成されている。このため、遮光導電層１７ａ、１７ｂから得られる取出パターン６４ａ，６４ｂおよび端子部６５ａ，６５ｂの導電性を高めることができ、これによって、タッチパネルセンサ６０の検出精度を向上させることができる。また本実施の形態によれば、遮光導電層１７ａ、１７ｂのＡＰＣ合金の銅の含有比率が３．０〜７．０重量％の範囲内となっている。このため、遮光導電層１７ａ、１７ｂ、並びに、遮光導電層１７ａ、１７ｂから得られる取出パターン６４ａ，６４ｂおよび端子部６５ａ，６５ｂは、高い導電性だけでなく高い耐擦傷性を備えることができる。このことにより、タッチパネルセンサ６０を高い歩留りで製造することができる。

第２の実施の形態
次に図７および図８を参照して、本発明の第２の実施の形態について説明する。図７および図８に示す第２の実施の形態において、図１乃至図６に示す第１の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。また、第１の実施の形態において得られる作用効果が本実施の形態においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。

積層体
図８は、本実施の形態による積層体１０を示す断面図である。図８に示すように、積層体１０は、第１透明導電層１６ａと第１遮光導電層１７ａとの間で第１遮光導電層１７ａに接するよう設けられた第１中間層１８ａをさらに備えている。この第１中間層１８ａを構成する材料は、具体的な組成が異なる点を除いて、第１遮光導電層１７ａを構成する材料と同一である。すなわち第１中間層１８ａも、第１遮光導電層１７ａと同様に、銀を主成分とするとともに銅およびパラジウムを含む銀合金、いわゆるＡＰＣ合金から構成されている。

以下、本実施の形態における、第１遮光導電層１７ａおよび第１中間層１８ａの組成について説明する。本実施の形態において、第１遮光導電層１７ａおよび第１中間層１８ａは、第１遮光導電層１７ａのＡＰＣ合金における銅の含有比率が、第１中間層１８ａのＡＰＣ合金における銅の含有比率よりも大きくなるよう、構成されている。また好ましくは、図８に示すように、第１遮光導電層１７ａの厚みは、第１中間層１８ａの厚みよりも小さくなっている。以下、このような第１中間層１８ａを設けることの意義について説明する。

本件発明者らが鋭意実験を重ねたところ、後述する実施例での実験結果で支持されているように、ＡＰＣ合金における銅の含有比率が大きくなるにつれて、ＡＰＣ合金から構成された膜の硬度が高くなることが知見された。ところで、ＡＰＣ合金からなる膜がスパッタリング法や蒸着法によって形成される場合、ＡＰＣ合金の硬度が高くなることは、スパッタリング法や蒸着法で用いられる、ＡＰＣ合金からなるターゲットや蒸発源の成形が困難になることを意味している。従って、ターゲットや蒸発源の成形性、すなわちターゲットや蒸発源の生産コストを考慮すると、ＡＰＣ合金における銅の含有比率が小さいことが好ましい。

ここで本実施の形態によれば、第１遮光導電層１７ａのＡＰＣ合金における銅の含有比率は、第１遮光導電層１７ａよりも内側に配置された第１中間層１８ａのＡＰＣ合金における銅の含有比率よりも大きくなっている。このため、第１遮光導電層１７ａには、第１中間層１８ａに比べて高い耐擦傷性を付与することができ、これによって、製造工程において第１遮光導電層１７ａが損傷してしまうことを抑制することができる。一方、第１中間層１８ａは、最外面に位置する層ではなく、このため第１中間層１８ａにはさほど大きな耐擦傷性が求められない。このため上述のように第１中間層１８ａのＡＰＣ合金における銅の含有比率を小さくしたとしても、傷に関する問題が生じる可能性は低い。また第１中間層１８ａは、第１遮光導電層１７ａと同様にＡＰＣ合金から構成される層であり、従って第１中間層１８ａは、第１遮光導電層１７ａとともに、積層体１０の導電性や積層体１０から作製される電子部品の導電性に寄与することができる。このため導電性の観点からは、第１中間層１８ａが存在しない場合に比べて、第１遮光導電層１７ａの厚みを低減することができる。従って、第１遮光導電層１７ａを形成するために用いられる、生産コストの高いターゲット３２ａの使用量を低減することができる。また、第１中間層１８ａにおける銅の含有比率は第１遮光導電層１７ａの場合よりも小さく、従って第１中間層１８ａの硬度は低いため、第１中間層１８ａを形成するために用いられるターゲット３４ａの生産コストは、ターゲット３２ａの生産コストよりも低くなっている。このため、第１遮光導電層１７ａのみによって積層体１０の導電性および耐擦傷性を確保しようとする場合に比べて、積層体１０の製造に要する工数やコストを全体として低減することができる。

好ましくは、第１遮光導電層１７ａを構成するＡＰＣ合金の銅の含有比率は、第１の実施の形態の場合と同様に３．０〜７．０重量％の範囲内となっている。これによって、第１遮光導電層１７ａの耐擦傷性を十分に確保することができ、このことにより、製造工程において第１遮光導電層１７ａが損傷してしまうことを抑制することができる。また好ましくは、第１中間層１８ａを構成するＡＰＣ合金の銅の含有比率は、配線材料として一般に用いられているＡＰＣ合金の場合と同等になっており、例えば０．３〜０．８重量％の範囲内となっている。これによって、十分な耐久性を維持しながら、導電性を十分に確保することができる。また、第１中間層１８ａの原料となるターゲットの入手性が良好になる。

積層体製造装置
次に、本実施の形態による積層体１０を製造するための積層体製造装置１について説明する。なお本実施の形態において用いられる積層体製造装置１は、第１遮光導電層１７ａに加えて第１中間層１８ａをさらに形成するよう成膜装置３０が構成されている点を除いて、第１の実施の形態において用いられる積層体製造装置１と同一である。従ってここでは、本実施の形態で用いられる成膜装置３０についてのみ説明する。

図７に示すように、成膜装置３０の第１領域３１には、第１遮光導電層１７ａの原料となるターゲット３２ａが配置されており、さらに第２領域３３には、第１中間層１８ａの原料となるターゲット３４ａが配置されている。ターゲット３４ａは、第１中間層１８ａを構成するＡＰＣ合金の銅の含有比率が、第１遮光導電層１７ａを構成するＡＰＣ合金の銅の含有比率よりも小さくなるよう、構成されている。

成膜装置３０を用いた成膜工程においては、はじめに、ターゲット３４ａを用いたスパッタリングによって、支持材１１の一方の側に第１中間層１８ａを形成する。次に、ターゲット３２ａを用いたスパッタリングによって、第１中間層１８ａの一方の側の面上に第１遮光導電層１７ａを形成する。これによって、組成の異なる２種類のＡＰＣ合金から構成された２つのＡＰＣ合金層を含む積層体１０を得ることができる。

本実施の形態によれば、２種類のＡＰＣ合金の組成を適宜調整することにより、積層体１０における耐擦傷性、導電性、耐環境性や耐熱性を十分に確保しながら、ターゲット３２ａおよびターゲット３４ａの全体的な生産コストや調達コストを低減することができる。このため、積層体１０の製造に要する工数やコストを全体として低減することができる。

なお図９に示すように、積層体１０は、第２ハードコート層１３ｂの他方の側に順に設けられた第２高屈折率層１４ｂおよび第２低屈折率層１５ｂと、第２低屈折率層１５ｂの他方の側の面上に設けられた第２透明導電層１６ｂと、第２透明導電層１６ｂの他方の側の面上に設けられた第２中間層１８ｂと、第２中間層１８ｂの他方の側の面上に設けられた第２遮光導電層１７ｂと、をさらに含んでいてもよい。第２低屈折率層１５ｂ、第２透明導電層１６ｂ、第２中間層１８ｂおよび第２遮光導電層１７ｂを構成する材料は、第１低屈折率層１５ａ，第１透明導電層１６ａ、第１中間層１８ａおよび第１遮光導電層１７ａを構成する材料と同一であるので、詳細な説明を省略する。

変形例
上述した実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、図面を参照しながら、変形の一例について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した実施の形態と同様に構成され得る部分について、上述の実施の形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。

ＡＰＣ合金は、高い導電性を有する一方で、他の材料との間の密着力という点で従来の配線材料よりも劣ることがあることが知られている。例えば、第１透明導電層１６ａと、ＡＰＣ合金からなる第１中間層１８ａとの間の密着力は、アルミニウムなどの従来の配線材料が用いられる場合よりも小さいことがある。このような課題を克服するため、第１中間層１８ａは、ＡＰＣ合金に加えて、第１透明導電層１６ａに対する高い密着力を有する材料をさらに含んでいてもよい。第１透明導電層１６ａに対する第１中間層１８ａの密着力を向上させることができる材料としては、例えば、モリブデンとニオブの合金であるＭｏＮｂ合金を挙げることができる。図１０は、ＡＰＣ合金に加えてＭｏＮｂ合金をさらに含む第１中間層１８ａを形成するために用いられる成膜装置３０の一例を示す図である。

図１０に示すように、本変形例において、成膜装置３０の第２領域３３には、ＡＰＣ合金からなるターゲット３４ａに加えて、ＭｏＮｂ合金からなるターゲット３４ｂが配置されている。このため、第２領域３３におけるスパッタリングによって形成される第１中間層１８ａは、ＡＰＣ合金に加えて、ＭｏＮｂ合金をさらに有する層となる。例えば、ＡＰＣ合金およびＭｏＮｂ合金が混在した層となる。このことにより、第１中間層１８ａに、ＡＰＣ合金に基づく高い導電性だけでなく、ＭｏＮｂ合金に基づく高い密着性を付与することができる。このため、第１中間層１８ａと第１遮光導電層１７ａとの間の密着力や、第１中間層１８ａと第１透明導電層１６ａとの間の密着力を十分に確保することができる。なお、ターゲット３４ｂとターゲット３４ａとの間の距離が大きい場合、ＡＰＣ合金およびＭｏＮｂ合金が混在した層と第１遮光導電層１７ａとの間に、ＭｏＮｂ合金のみからなる層が形成されることがある。本変形例において、「第１中間層１８ａはＭｏＮｂ合金をさらに有する」とは、第１中間層１８ａがＡＰＣ合金およびＭｏＮｂ合金が混在した層を有する場合だけでなく、第１中間層１８ａがＭｏＮｂ合金のみからなる層を有する場合をも含む概念である。

なお図１０においては、第１中間層１８ａを形成するためのスパッタリングと、第１遮光導電層１７ａを形成するためのスパッタリングとが、同一の成膜装置３０の別個の領域３１，３３で実施される例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、第１中間層１８ａを形成するためのスパッタリングと、第１遮光導電層１７ａを形成するためのスパッタリングとが別個の成膜装置において実施されてもよい。

次に、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。

（サンプル１）
ＡＰＣ合金から構成され、最外面に配置された遮光導電層を含む積層体を作製した。遮光導電層は、スパッタリング法を用いることにより作製された。スパッタリングの際に用いられるターゲットとしては、銀、パラジウムおよび銅の含有比率がそれぞれ９８．６重量％、０．９重量％および０．５重量％であるターゲットを用いた。作製された積層体の遮光導電層における各元素の含有比率を測定した結果、銀、パラジウムおよび銅の含有比率がそれぞれ９８．７重量％、０．９重量％および０．５重量％であった。遮光導電層における各元素の含有比率を測定する方法が特に限られることはないが、例えばＸＰＳ法を用いることができる。

（サンプル２）
遮光導電層を形成するためのターゲットとして、銀、パラジウムおよび銅の含有比率がそれぞれ９７．６重量％、０．９重量％および１．５重量％であるターゲットを用いた点を除いて、サンプル１の場合と同様にして積層体を作製した。作製された積層体の遮光導電層における各元素の含有比率を測定した結果、銀、パラジウムおよび銅の含有比率がそれぞれ９７．８重量％、０．９重量％および１．４重量％であった。

（サンプル３）
遮光導電層を形成するためのターゲットとして、銀、パラジウムおよび銅の含有比率がそれぞれ９６．６重量％、０．９重量％および２．５重量％であるターゲットを用いた点を除いて、サンプル１の場合と同様にして積層体を作製した。作製された積層体の遮光導電層における各元素の含有比率を測定した結果、銀、パラジウムおよび銅の含有比率がそれぞれ９６．８重量％、０．９重量％および２．３重量％であった。

（サンプル４）
遮光導電層を形成するためのターゲットとして、銀、パラジウムおよび銅の含有比率がそれぞれ９５．６重量％、０．９重量％および３．５重量％であるターゲットを用いた点を除いて、サンプル１の場合と同様にして積層体を作製した。作製された積層体の遮光導電層における各元素の含有比率を測定した結果、銀、パラジウムおよび銅の含有比率がそれぞれ９５．９重量％、０．９重量％および３．２重量％であった。

（サンプル５）
遮光導電層を形成するためのターゲットとして、銀、パラジウムおよび銅の含有比率がそれぞれ９４．６重量％、０．９重量％および４．５重量％であるターゲットを用いた点を除いて、サンプル１の場合と同様にして積層体を作製した。作製された積層体の遮光導電層における各元素の含有比率を測定した結果、銀、パラジウムおよび銅の含有比率がそれぞれ９５．０重量％、０．９重量％および４．２重量％であった。

〔評価方法〕
（評価方法１ 比抵抗）
サンプル１乃至５に係る積層体の遮光導電層の比抵抗を測定した。測定法は特には限定されないが、ここでは４端子法を用いた。結果、サンプル１乃至５に係る積層体の遮光導電層の比抵抗は、それぞれ３．２μΩ・ｃｍ、３．３μΩ・ｃｍ、３．７μΩ・ｃｍ、４．０μΩ・ｃｍおよび４．３μΩ・ｃｍであった。

（評価方法２ 硬度）
サンプル１、４および５に係る積層体の遮光導電層の硬度を測定した。測定器としては、Hysitron社製のTI 950 TriboIndenterを用いた。圧子としてはキューブコーナーを用いた。圧子を押し込む際の荷重は１５μＮとした。結果、サンプル１、４および５に係る積層体の遮光導電層の硬度は、それぞれ２．１ＧＰａ、２．７ＧＰａおよび３．２ＧＰａであった。

（評価方法３ 耐擦傷性）
サンプル１乃至５に係る積層体の遮光導電層の耐擦傷性を測定した。測定器としては、ＪＩＳ Ｋ ５７０１に準拠した学振試験機である、テスター産業（株）製のＡＢ−３０１型を用いた。試験条件は以下のとおりである。
・往復距離：２０ｍｍ
・往復速度：３００ｍｍ／ｓｅｃ
・往復回数：５０回
・試験荷重：２００ｇｆ
・ヘッド：白ネル（白ネルの柔面を遮光導電層に接触させた）
ＡＢ−３０１型を用いてサンプル１乃至５に係る積層体の遮光導電層に摩擦を加えた後、各サンプルの遮光導電層を、光学顕微鏡を用いて観察し、遮光導電層の表面に形成された傷の密度（キズ発生頻度）を算出した。

比抵抗、硬度および耐擦傷性の評価結果をまとめて表１に示す。なお耐擦傷性については、「○」または「△」で相対的に評価した。「○」は、「△」のサンプルよりもキズ発生頻度が小さかったことを意味している。
また、耐擦傷性試験を実施した後の、サンプル１および５の積層体の遮光導電層の観察結果を図１１に示す。

表１および図１１に示すように、遮光導電層における銅の含有比率が大きくなるにつれて、遮光導電層の硬度が高くなり、これによって遮光導電層の耐擦傷性が高くなることがわかった。特に、遮光導電層における銅の含有比率が３．２〜４．２重量％の場合に、良好な硬度および耐擦傷性が得られた。

なお、銀に対する銅の固溶限から考えると、サンプル１〜５において、銅は、銀を主成分とする結晶の中に固溶するという状態で存在するのではなく、銀を主成分とする結晶の間に、銅を主成分とする結晶として析出するという状態で存在していると考えられる。また銅を主成分とする合金は、銀を主成分とする合金の場合と同様に、面心立方格子（ＦＣＣ）構造を有している。このため、仮にサンプル５の場合よりも多くの銅を添加してＡＰＣ合金を作製したとしても、得られるＡＰＣ合金の結晶構造は、サンプル１〜５を構成するＡＰＣ合金の構造と類似であると推測される。また、サンプル１，４および５における比抵抗および硬度の評価結果から明らかなように、ＡＰＣ合金における比抵抗および硬度は、銅の含有比率との間に正の相関を有している。従って、サンプル５の場合よりも銅の含有比率を高くして遮光導電層を作製した場合、例えば銅の含有比率を５重量％以上、より具体的には７重量％や８重量％にした場合、遮光導電層の比抵抗および硬度は、サンプル５の場合よりも大きくなると予想される。すなわち表１からは、銅の含有比率がサンプル５の場合よりも大きくなる範囲においても、例えば銅の含有比率が４．２〜８．０重量％程度になる範囲においても、銅の含有比率が大きくなるにつれて遮光導電層の硬度および耐擦傷性が高くなるという傾向が継続すると予想される。

なお、銅が７．０重量％を超えると、表面の凹凸が大きくなることが予想される。従って、凹凸の程度を適度なものに抑制するという観点からは、遮光導電層を構成するＡＰＣ合金における銅の含有比率を７重量％以下とすることが好ましい。また、銅の含有比率が５．０重量％を超えると、ＡＰＣ合金の硬度が高くなりすぎ、このため遮光導電層の原料となるターゲットの入手性が悪化することが考えられる。従って、ターゲットの入手性を確保するという観点からは、遮光導電層を構成するＡＰＣ合金における銅の含有比率を５重量％以下とすることが好ましい。

なお表１に示すように、遮光導電層の比抵抗は、遮光導電層における銅の含有比率が大きくなるにつれて高くなっていた。特に、銅の含有比率の増加に伴う比抵抗の増加は、銅の含有比率が１．５重量％→２．５重量％に増加する領域において顕著であった。また一般に、ＡＰＣ合金は、その低い比抵抗を期待されて用いられるものである。従って、通常、当業者がＡＰＣ合金における銅の含有比率を２．５重量％以上にまで、例えば３．０％以上にまで増加させることはないと考える。これらのことから、上述の第１の本実施の形態のように、銅の含有比率が３．０〜７．０重量％の範囲内であるＡＰＣ合金を用いて遮光導電層を構成することは、従来のＡＰＣ合金の用途からは容易に想到し得ないものであり、かつ、従来の技術水準から予測される範囲を超えた顕著な作用効果をもたらすものであると言える。

以下、銅の含有比率が大きくなるにつれてＡＰＣ合金の硬度および耐擦傷性が高くなる理由について検討する。なお以下に記載する説明は例示的なものにすぎず、ＡＰＣ合金の硬度および耐擦傷性が高くなる理由が以下の説明に限定されることはない。

本件発明者は、ＡＰＣ合金に含まれる粒子の方位およびサイズに着目して、ＡＰＣ合金の硬度について検討した。図１２は、サンプル１および５における硬度を棒グラフで示すとともに、（１１１）の結晶面を有する結晶の比率、および、結晶が含まれる粒子の径（以下、粒子径とも称する）をプロットした結果を示す図である。図１２に示すように、（１１１）の結晶面の比率が低く、かつ粒子径が小さい場合に、ＡＰＣ合金の硬度が高くなるという関係が見出された。ここで、結晶の結晶面は、図１５に示すＸＲＤ＿ｉｎ−Ｐｌａｎｅ法を用いた測定に基づいて定義されるものである。ＸＲＤ＿ｉｎ−Ｐｌａｎｅ法とは、基材７１上に設けられた金属薄膜７２の表面すれすれにＸ線７３を入射させ、この際に生じるＸ線の回折を観察することによって、金属薄膜７２の結晶面を測定する方法である。この方法においては、基材７１および金属薄膜７２の法線方向に平行な結晶面の方位が測定される。従って、「（１１１）の結晶面を有する結晶」とは、（１１１）の結晶面が、遮光導電層を含む積層体の法線方向と平行になっている結晶のことである。ＸＲＤ＿ｉｎ−Ｐｌａｎｅ法によれば、従来一般に用いられてきたＸＲＤ＿θ／２θ法に比べて、基材フィルムや下地層に起因する信号を抑制することができるので、金属薄膜７２の表面の結晶情報を感度良く測定することができる。本実施例においては、ＸＲＤ＿ｉｎ−Ｐｌａｎｅ法による測定を実施する測定器として、リガク製のＳｍａｒｔＬａｂを用いた。
粒子径とは、各粒子の長径および短径の平均に基づいて算出された、各粒子の平均径のことである。各粒子の長径および短径は、東洋テクニカ製 ５４２０型 ＡＦＭ／ＳＰＭシステムを用いて各粒子の表面形状の画像を取得し、粒子間の境界を画像の濃淡から判断することにより測定した。

結晶の方位および粒子径とＡＰＣ合金の硬度との相関についてさらに検討するため、図１３に示すように、その他のサンプルについても、（１１１）の結晶面を有する結晶面の比率、および粒子径を、ＡＰＣ合金の硬度に対してプロットした。図１３には、（１１１）の結晶の比率が低く、かつ粒子径が小さい場合にＡＰＣ合金の硬度が高くなるという関係がさらに明確に示されている。

以下、（１１１）の結晶面を有する結晶の比率および粒子径が、ＡＰＣ合金の硬度に影響を及ぼす理由について検討する。

一般に、膜の硬度を高める方法としては以下の３つの方法が挙げられる。
（１）粒子径を小さくすること。
（２）滑りやすい結晶面を減らすこと。
（３）不純物を添加すること。

（１）については、粒子径が小さいほど、膜の単位体積あたりに存在する粒界の比率が大きくなり、この結果、転位の運動が阻害され易くなる、ということから説明され得る。

（２）について、ＡＰＣ合金は、銀を主成分とする合金であり、従って面心立方格子（ＦＣＣ）構造を有している。このため、ＡＰＣ合金のすべり面は（１１１）である。従って、（１１１）の結晶面を有する結晶の比率が低くなることは、積層体の法線方向に平行するすべり面を有する結晶の比率が低くなることを意味している。なおこのような検討結果は、ＡＰＣ合金の硬度を向上させるために用いられる添加元素として、銅だけでなく、（１１１）の結晶面を有する結晶の比率を低くすることができる様々な添加元素が採用され得ることを示唆している。

（３）について、銅は、銀に固溶した場合に共晶組織を形成するものとして知られている。従って、ＡＰＣ合金における銅の含有比率を増加させると、銅を主成分とする結晶が、銀を主成分とする結晶、すなわちＡＰＣ合金の結晶の粒子の粒界に数多く現れると考えられる。ＡＰＣ合金の結晶の粒子の粒界に現れる不純物（銅を主成分とする結晶）は、転位の運動を阻害するという役割を果たすことができる。このため、銅の含有比率を増加させることにより、膜の硬度を高めることができたと考えられる。

参考のため、遮光導電層におけるキズ発生頻度を、遮光導電層の硬度に対してプロットした結果を図１４に示す。図１４から明らかなように、硬度とキズ発生頻度との間には、硬度が高いほどキズ発生頻度が低くなるという明確な相関がみられた。

また、結晶面の方位と膜硬度との関係についてさらに検証するため、図１６および表２に、各サンプルにおける、（１１１）、（２２０）、（２００）および（３１１）の結晶面の比率を測定した結果を、各サンプルの膜硬度に対して示す。

図１３においても示したように、膜硬度が高くなるほど、（１１１）の結晶面の比率が低くなることがわかる。さらに図１６および表１からは、膜硬度が２ＧＰａ以下の領域では、膜硬度が高くなるにつれて（２２０）の結晶面の比率が増加すること、および、膜硬度が２．５ＧＰａ程度になると、膜硬度が高くなるにつれて（２００）の結晶面の比率が徐々に増加することが分かる。

ＡＰＣ合金などの面心立方格子構造を有する結晶において、（１１１）結晶面におけるすべり面およびすべり方向の数は、それぞれ４および３となっている。また（２２０）結晶面におけるすべり面およびすべり方向の数は、それぞれ４および２となっている。また（２００）結晶面におけるすべり面およびすべり方向の数は、それぞれ４および２となっている。従って、（１１１）結晶面、（２２０）結晶面および（２００）結晶面におけるすべり系の数は、それぞれ１２、８および８となっている。このように、面心立方格子構造を有する結晶において、（１１１）結晶面におけるすべり系の数は、（２２０）結晶面および（２００）結晶面におけるすべり系の数の１．５倍となっている。このことから、（１１１）結晶面の比率を小さくすることが、十分な膜硬度を実現する上で重要であることがわかる。本実施例によれば、上述のように、ＡＰＣ合金における銅の含有比率を３．０〜７．０重量％まで高めることによって、（１１１）結晶面の比率を増加させ、これによって、ＡＰＣ合金の硬度および耐擦傷性を高めることができたと考えられる。

１ 積層体製造装置
１０ 積層体
１１ 支持材
１２ 基材フィルム
１３ａ，１３ｂ ハードコート層
１４ａ，１４ｂ 高屈折率層
１５ａ，１５ｂ 低屈折率層
１６ａ，１６ｂ 透明導電層
１７ａ，１７ｂ 遮光導電層
１８ａ，１８ｂ 中間層
２０ 巻出装置
３０ 成膜装置
３１ 第１領域
３２ａ ターゲット
３３ 第２領域
３４ａ，３４ｂ ターゲット
３８ 搬送ドラム
５０ 巻取装置
６０ タッチパネルセンサ
６２ａ，６２ｂ 透明導電パターン
６４ａ，６４ｂ 取出パターン
６５ａ，６５ｂ 端子部

Claims (6)

1. 基材フィルムと、
   前記基材フィルムの一方の側に設けられ、透光性および導電性を有する第１透明導電層と、
   前記第１透明導電層の一方の側に設けられ、遮光性および導電性を有する第１遮光導電層と、を備え、
   前記第１遮光導電層は、銀を主成分とするとともに銅およびパラジウムを含む銀合金を有し、
   前記第１遮光導電層の銀合金における銅の含有比率が、３．０〜７．０重量％の範囲内である、積層体。
2. 前記第１透明導電層と前記第１遮光導電層との間で前記第１遮光導電層に接するよう設けられた第１中間層をさらに備え、
   前記第１中間層は、銀を主成分とするとともに銅およびパラジウムを含む銀合金を有し、
   前記第１遮光導電層の銀合金における銅の含有比率が、前記第１中間層の銀合金における銅の含有比率よりも大きい、請求項１に記載の積層体。
3. 前記基材フィルムの他方の側に設けられ、透光性および導電性を有する第２透明導電層と、
   前記第２透明導電層の他方の側に設けられ、遮光性および導電性を有する第２遮光導電層と、をさらに備え、
   前記第２遮光導電層は、銀を主成分とするとともに銅およびパラジウムを含む銀合金を有し、
   前記第２遮光導電層の銀合金における銅の含有比率が、３．０〜７．０重量％の範囲内である、請求項１または２に記載の積層体。
4. 基材フィルムと、
   前記基材フィルムの一方の側に設けられ、透光性および導電性を有する第１透明導電層と、
   前記第１透明導電層の一方の側に設けられ、遮光性および導電性を有する第１遮光導電層と、
   前記第１透明導電層と前記第１遮光導電層との間で前記第１遮光導電層に接するよう設けられた第１中間層と、を備え、
   前記第１遮光導電層および前記第１中間層のいずれも、銀を主成分とするとともに銅およびパラジウムを含む銀合金を有し、
   前記第１遮光導電層の銀合金における銅の含有比率が、前記第１中間層の銀合金における銅の含有比率よりも大きい、積層体。
5. 前記第１中間層は、ＭｏＮｂ合金をさらに有する、請求項４に記載の積層体。
6. 前記基材フィルムの他方の側に設けられ、透光性および導電性を有する第２透明導電層と、
   前記第２透明導電層の他方の側に設けられ、遮光性および導電性を有する第２遮光導電層と、
   前記第２透明導電層と前記第２遮光導電層との間で前記第２遮光導電層と接するよう設けられた第２中間層と、をさらに備え、
   前記第２遮光導電層および前記第２中間層のいずれも、銀を主成分とするとともに銅およびパラジウムを含む銀合金を有し、
   前記第２遮光導電層の銀合金における銅の含有比率が、前記第２中間層の銀合金における銅の含有比率よりも大きい、請求項４または５に記載の積層体。