JP6453850B2 - タッチパネル、その作成方法、及びタッチパネル用のａｇ−ｐｄ−ｎｄ合金 - Google Patents

タッチパネル、その作成方法、及びタッチパネル用のａｇ−ｐｄ−ｎｄ合金 Download PDF

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Description

本発明は、タッチパネル、その作成方法、タッチパネルを有するディスプレイ、及びタッチパネル用の合金に関する。
タッチスクリーンパネル（ＴＳＰ）は、センサを内蔵するパネルであり、ユーザがキーボードとマウスのような入力装置を用いず、一本以上の指により、スクリーンを押すまたはタッチすると、タッチされた点の座標を認識し、特定の機能を実行するため、位置を検出する。タッチスクリーンパネル（ＴＳＰ）を構成する主要部品たるタッチパネルは、コントローラＩＣ、ドライバソフトウェア（ＳＷ）等のように、上方プレート（膜）と下方プレート（膜またはガラス）を有する。透明電極または、透明導電膜（ＩＴＯ）が上方プレートに設けられる。タッチパネルは、接触または電気容量変化に応じて信号生成位置を検出し、コントローラＩＣに検出位置を送信する。
近年、完全タッチ式携帯電話の普及に伴い、タッチパネルの需要が増している。また、大面積のノートＰＣやタブレットＰＣに対するタッチパネルの需要が増している。
タッチパネルは、適応される技術に応じて、抵抗膜式タッチパネル、容量方式タッチパネル、超音波（表面波ＳＡＷ）タッチパネル、赤外線（ＩＲ）タッチパネルに分類される。その内、主に使用されるのは抵抗膜式タッチパネルと容量方式タッチパネルである。
抵抗膜式タッチパネルでは、ユーザが基板を指またはペンで触れると、所定の間隔を空けた上下基板の透明電極同士が接触し、電気信号が生成される。その結果、その位置が検出される。抵抗膜式タッチパネルは、低コスト、高精度、小型化という利点があるため、携帯情報端末（ＰＤＡ）、ポータブルメディアプレーヤー（ＰＭＰ）、ナビゲーション、ハンドセット等で主に使用されている。
一方、容量方式タッチパネルでは、ユーザが基板上の透明電極を、一本以上の指のような導体で触れると、例えば一本以上の指で電極に触れた際に人体に流れる定電流により、絶縁層に形成された一定容量層を通じて信号が送られ、その位置が検出される。容量方式タッチパネルは耐久性が高く、反応が早く、透光性に優れる。容量方式タッチパネルは、抵抗膜式タッチパネルよりも複数点タッチ可能という点で優れ、そのため近年携帯機器で幅広く使用されている。容量方式タッチパネルの場合、強化ガラスまたはプラスチック基板が最上層に設けられる。
図１は、一般的なタッチパネルモジュールの構造を示す。ＰＥＴ層１０ａと、２つの透明導電性膜２０と、ガラス１０ｂがこの順番でＬＣＤパネル５０上に積層され、各層同士は光学的に透明な接着剤４０で接着されている。
透明導電材料上に金属回路配線を形成する一般的方法としては、銀ペーストを印刷することが挙げられる。しかし、銀ペースト印刷方法では、５０μｍ以下の厚さの回路を実現することが困難であるため、金属蒸着法が近年使用されている。金属としては、銅または銀が主に使用される。法の場合でさえ、蒸着される金属の厚さは０．３μｍ以下となり、銀印刷方法の場合よりもかなり薄く、したがって、銅または銀が空気中で酸化してしまう可能性がある。この問題を解決するため、合金の使用またはコーティング処理が試みられている。
特開第２００４−２９２９号は、銀を主に含み、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｐｄ等の元素も含む銀合金を開示する。開示された銀合金は、スパッタリングターゲットに使用され、反射ＬＣＤリフレクターまたは反射配線電極の作成に使用される。しかし、同文献には、銀合金をタッチパネルに使用することについては記載されていない。さらに同合金はＮｄを含まない。
韓国特許第９０８，１０１号は、金属コーティング層としてＣｕまたはＡｌを含むタッチパネルと、当該タッチパネルの作成方法を開示している。さらに、タッチパネル用パッドは、パターン形成にＣｕ、Ａｇ、Ａｌを使用し、水分、塩分からの保護にＮｉ／Ｃｒ、Ｎｉ／Ｃｕ、Ｍｏを使用している。しかし、従来技術で使用されているＣｕ、Ｎｉ／Ｃｒ、Ａｇ、Ｍｏ等の合金は、高温高湿環境や、汗を構成する塩分等の要素により酸化または錆びてしまい、電気特性が劣化してしまう。
本発明の少なくとも１つの実施形態の目的は、従来技術の問題を解決して、耐酸化性に優れた新規のタッチパネル、その作成方法、及び当該タッチパネルを有するディスプレイを提供することである。
本発明の少なくとも１つの実施形態の別の目的は、タッチパネル用のＡｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金を提供することである。
少なくとも１つの上記課題を解決するために、本発明の例示的実施形態は、透明基板と、前記基板上に設けられた透明導電材料と、前記透明導電材料上に設けられたＡｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金層と、を有するタッチパネルを提供する。
少なくとも１つの実施形態では、前記Ａｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金層は、合金の総重量パーセント１００に対して、Ａｇを９７．９〜９９．２重量パーセント、Ｐｄを０．７〜１．８重量パーセント、Ｎｄを０．１〜０．３重量パーセント含有してもよく、あるいは少なくとも１つの実施形態では、合金の総重量パーセント１００に対して、Ａｇを９８．４５〜９９．０５重量パーセント、Ｐｄを０．８〜１．３重量パーセント、Ｎｄを０．１５〜０．２５重量パーセント含有してもよい。
前記透明基板は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボネート、ガラスからなる群から選択されてもよい。少なくとも１つの実施形態では、前記透明基板は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）であってもよい。
前記透明導電材料は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウム亜鉛スズ酸化物（ＩＺＴＯ）、カドミウムスズ酸化物（ＣＴＯ）、ＰＥＤＯＴ（ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン））、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）、銀ナノワイヤーからなる群から選択されてもよい。少なくとも１つの実施形態では、前記透明導電材料は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）であってもよい。
少なくとも１つの実施形態では、前記Ａｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金層は、蒸着またはスパッタリングにより前記透明導電材料上に形成されてもよい。
本発明の別の例示的実施形態は、前記タッチパネルを作成する方法であって、透明膜またはガラスにより形成される透明基板を設ける工程と、前記透明基板上に透明導電材料を積層する工程と、前記透明導電材料上に、スパッタリングによりＡｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金層を形成する工程と、を含む方法を提供する。
本発明のさらに別の例示的実施形態は、前記タッチパネルを有するディスプレイを提供する。
本発明のさらに別の例示的実施形態は、タッチパネル用のＡｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金であって、合金の総重量パーセント１００に対して、Ａｇを９７．９〜９９．２重量パーセント、Ｐｄを０．７〜１．８重量パーセント、Ｎｄを０．１〜０．３重量パーセント含有する合金を提供する。
（発明の効果）
本発明の例示的実施形態によると、導電性透明電極上に形成されたＡｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金層により、タッチパネルと当該タッチパネルを有するディスプレイは優れた表面特性と耐酸化性を持つことが可能となり、寿命が長くなる。
一般的なタッチパネルモジュールの構造を示す。 本発明の例示的実施形態に係るタッチパネルの構造を示す。 本発明の例示的実施形態に係る一タッチパネルを作成する処理を示す。 例１の１サンプルの、初期状態の写真（左）と、温湿度試験後の写真（右）を示す。 比較例１のサンプルの内、（温湿度試験の結果、酸化点が生じた１サンプルの）初期状態の写真（左）と、温湿度試験後の写真（右）を示す。 Ａｇを９９．３％、Ｐｄを０．５％、Ｎｄを０．２％含有する合金を有するサンプルの、塩水噴霧試験の後、剥離試験が実施された状態を示す。 Ａｇを９９．１％、Ｐｄを０．７％、Ｎｄを０．２％含有する合金を有するサンプルの、塩水噴霧試験の後、剥離試験が実施された状態を示す。 Ａｇを９８．８％、Ｐｄを１．０％、Ｎｄを０．２％含有する合金を有するサンプルの、塩水噴霧試験の後、剥離試験が実施された状態を示す。 エッチング試験の結果、直線性が良好であった場合を示す。 エッチング時にパターンが粗かった場合を示す。 図７は、剥離が生じた断面により、剥離強度のグレードを示す。
図を参照し、本発明を以下に説明する。
図２は、本発明の例示的実施形態に係るタッチパネルの構造を示す。図２に示すように、本発明の例示的実施形態により提供されるタッチパネルは、透明基板１０と、基板１０上に設けられた透明導電材料２０と、透明導電材料２０上に設けられたＡｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金層３０とを有する。
タッチパネルにおいて、Ａｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金層３０はＡｇ、Ｐｄ、Ｎｄを含有し、それらのみで構成されてもよい。Ｐｄは、酸化と、湿気と、空気中の熱に対し耐性を持ち、耐久性を向上させる。Ｎｄは、合金層の結晶粒のサイズを最小化するため、熱安定性に有用である。さらに、Ｎｄは、表面特性を向上させる。Ａｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金層３０は、合金の総重量パーセント１００に対して、Ａｇを９７．９〜９９．２重量パーセント、Ｐｄを０．７〜１．８重量パーセント、Ｎｄを０．１〜０．３重量パーセントを含んでもよい。あるいは、少なくとも１つの実施形態では、総重量パーセント１００に対して、Ａｇを９８．４５〜９９．０５重量パーセント、Ｐｄを０．８〜１．３重量パーセント、Ｎｄを０．１５〜０．２５重量パーセントを含んでもよい。
タッチパネルにおいて、透明基板１０は透明の膜またはガラスで形成されており、その上に透明導電材料２０が設けられる。透明基板１０は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボネート、ガラスからなる群から選択された材料で形成してもよい。少なくとも１つの実施形態では、透明基板１０はポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）で形成してもよい。特に、抵抗膜式タッチパネルの場合はガラスやＰＥＴ膜を使用してもよく、容量方式タッチパネルの場合はＰＥＴ膜を使用してもよい。
タッチパネルにおいて、透明導電材料２０は透明基板１０上に設けられ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金層３０は透明導電材料２０上に設けられる。透明導電材料２０は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウム亜鉛スズ酸化物（ＩＺＴＯ）、カドミウムスズ酸化物（ＣＴＯ）、ＰＥＤＯＴ（ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン））、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）、銀ナノワイヤーからなる群から選択されてもよい。少なくとも１つの実施形態では、透明導電材料はインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）であってもよい。
インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）膜は、数十ナノメートルの厚さの基膜上に酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ５）と酸化スズ（ＳｎＯ２）の複合体を蒸着した薄膜により形成してもよく、透光性、導電性、電極加工性を有する。そのため、ＩＴＯ膜は、タッチスクリーン、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）バックライト、電磁波保護膜、太陽電池等に使用されている。
透明導電材料と、Ａｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金層は、良好な接着力を有しても、有しなくてもよい。例えば、Ａｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金層が、非結晶性透明導電材料上に設けられる場合、その間の接着性は良好である。一方、Ａｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金層が結晶性透明導電材料上に設けられる場合、結晶化の度合いによっては接着性が良好でない場合もある。
この場合、透明導電材料とＡｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金層との間の接着性を向上させるため、透明導電材料とＡｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金層との間に、Ｍｏ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒからなる群から選択された１つ以上の金属により形成された金属層を形成してもよい。少なくとも１つの実施形態では、金属層はＭｏ、Ｍｏ−Ａｇ合金、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｔｉ合金またはＮｉ−Ｃｒ合金により形成される。Ｍｇ−Ａｇ合金層は、Ｍｏを５０〜７０重量パーセント、Ａｇを３０〜５０重量パーセント含有する。Ｎｉ−Ｃｒ合金層は、Ｎｉを９２〜９５重量パーセント、Ｃｒを５〜８重量パーセント含有する。
Ｍｏ層またはＮｉ−Ｃｒ合金層としての金属層は、厚さが１〜３０ｎｍであってもよい。少なくとも１つの実施形態では、厚さは３〜１０ｎｍであってもよい。Ｍｏ−Ａｇ合金層またはＮｉ−Ｃｕ−Ｔｉ合金層としての金属層は、厚さが１０〜５０ｎｍであってもよい。
金属層及び金属層に積層された金属合金層が、さらに透明導電材料とＡｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金層との間に形成されてもよい。積層体は、スパッタリングなどの一般的方法で形成されてもよい。金属層は、Ｍｏ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔｉ及びＣｒからなる群から選択された金属から形成され、金属合金層は、Ｍｏ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔｉ及びＣｒからなる群から選択された２つ以上の金属から形成される。少なくとも１つの実施形態では、金属層として、Ｍｏを使用してもよく、金属合金層として、Ｍｏ−ＡｇまたはＮｉ−Ｃｕ−Ｔｉ合金を使用してもよい。Ｍｇ−Ａｇ合金層は、Ｍｏを５０〜７０重量パーセント、Ａｇを３０〜５０重量パーセント含有してもよい。Ｍｏ層としての金属層またはＮｉ−Ｃｒ合金層としての金属合金層は、厚さが１〜３０ｎｍであってもよい。少なくとも１つの実施形態では、厚さは３〜１０ｎｍであってもよい。Ｍｏ−Ａｇ合金層またはＮｉ−Ｃｕ−Ｔｉ合金層としての金属合金層は、厚さが１０〜５０ｎｍであってもよい。
タッチパネルにおいて、Ａｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金層３０は、例えば蒸着法やスパッタリングにより透明導電材料２０上に形成されてもよい。Ａｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金層３０は、当業者にとって周知の様々な方法により形成できる。一方、めっきには蒸着法またはスパッタリングを使用してもよい。図３は、本発明の例示的実施形態に係るタッチパネルにおいて、Ａｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金層３０を透明導電材料２０上にスパッタリングにより形成する処理を示す。
タッチパネルにおいて、透明基板層１０に透明膜が使用される場合、厚さは１０〜１，０００μｍであってもよく、透明基板層１０にガラスが使用される場合、厚さは１００〜３００μｍであってもよく、これにより、エッチング処理が簡単となり、エッチング段階での高さの差を最小限に抑えることができる。透明基板１０の厚さが上記範囲内であれば、耐久性が保証される。
透明導電材料コーティング層２０は、０．００５〜０．１μｍに形成されてもよく、これにより、タッチパネルは、エッチング段階で問題なく低い抵抗と良好な透明性を有する。
合金層３０は、０．０１〜１μｍに形成されてもよく、これにより、タッチパネルは、低抵抗となり、製造時の生産性が良好となる。合金層３０と透明導電材料コーティング層２０の厚さが上記範囲であれば、エッチング処理は容易に実行でき、処理時間を短縮可能となる。
本発明の一例示的実施形態は、透明膜またはガラスにより形成された透明基板１０を作成することと、透明基板１０上に透明導電材料２０を積層することと、スパッタリングにより透明導電材料２０上にＡｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金層３０を形成することとを含む、タッチパネルを作成する方法を提供する。
銀ペーストを使用した従来のタッチパネルは、下方パネルを作成して、当該下方パネルをその他の積層体層に結合することで製造されていた。下方パネルを作成する方法は、
−透明基板上に透明導電材料を積層し、透明導電材料を熱処理することと、
−透明導電材料層パターン形成のための、ＰＲコーティング、露出、現像、エッチング、剥離を含むフォトリソグラフィ処理と、
−透明導電材料パターンが形成される上面に銀ペーストパターンを形成するための基準を設定するためのガイドを加工する処理と、
−加工されたガイドに基づいて銀ペーストを印刷する処理と、
−銀ペーストを硬化するための高温硬化処理と、を有する。
タッチパネルにおいて、金属コーティング層３０が既に透明導電材料層２０上に形成されていると、ガイド加工と硬化処理は不要となる。
図３は、本発明の例示的実施形態に係るタッチパネルを製造する処理を示す。最初に、透明導電材料としてのＩＴＯ層２０が透明基板１０上に積層される。Ａｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金層３０がＩＴＯ層２０上にスパッタリングにより形成され、ＩＴＯ層２０と合金層３０にパターンが形成される。別の積層構造として、ＩＴＯ層２０とＡｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金層３０とが同様に透明基板１０上に形成され、パターンが形成される。２つの積層構造が光学的に透明な接着剤４０により接着されると、パターンを有するタッチパネル組立体が形成される。
パターンを形成する方法として、フォトリソグラフィ処理等の、当業者にとって周知の一般的方法を使用してもよい。
容量方式タッチパネルと抵抗膜式タッチパネルの両方を使用してもよい。この場合、接着層と、絶縁体からなる誘電体層を、パターンが形成されたパッドの上面に結合する処理を実行してもよい。あるいは、パターンが形成されたパッドの上面に、パターンが形成された別のパッドを裏返して互いに上下方向に離間した状態で結合する処理を実行してもよい。
より詳細には、容量方式タッチパネルの場合、接着層を絶縁体からなる絶縁層に結合することで、パターンが形成されたパッドの上面にパネルを形成してもよい。容量方式タッチパネルは、透明膜またはガラスで形成された透明基板１０と、基板１０上の透明導電材料２０と、透明導電材料２０上のＡｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金層３０を有するパッドに加え、パッドの上面に接着された接着層と、接着層の上面に結合された絶縁体で形成された誘電体層を有してもよい。
抵抗膜式タッチパネルは、パターンが形成されたパッドの上面に、パターンが形成された別のパッドを裏返して互いに上下方向に離間した状態で結合する処理を実行することにより製造してもよい。互いに対向するパターンが形成された２つのパッドの間の空間は、縁に離間膜層を設け、所定の間隔の離間空間にスペーサを設けることで、形成してもよい。抵抗膜式タッチパネルは、透明膜またはガラスで形成された透明基板１０と、基板１０上の透明導電材料コーティング層２０と、透明導電材料コーティング層２０上のＡｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金層３０を有する下方パッドに加え、下方パッドの上面に接着されるスペーサまたは上面の縁に接着される離間膜層と、スペーサまたは離間膜層の上部に接着され、透明基板１０と、透明基板１０の下面上の透明導電材料コーティング層２０と、透明導電材料コーティング層２０の下面上に形成されたＡｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金層３０とを有する上方パッドを備えてもよい。
本発明の例示的実施形態は、さらにタッチパネルを備えるディスプレイも提供する。図１に示すように、ディスプレイは、タッチパネル下部にＬＣＤ ５０のようなディスプレイ装置を備える２０タッチパネル型ディスプレイとして使用可能である。
本発明の例示的実施形態はさらに、タッチパネル用の、Ａｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金を提供し、このＡｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金は、合金の総重量パーセント１００に対して、Ａｇを９７．９〜９９．２重量パーセント、Ｐｄを０．７〜１．８重量パーセント、Ｎｄを０．１〜０．３重量パーセント含有する。より具体的には、Ａｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金は、合金の総重量パーセント１００に対して、Ａｇを９８．４５〜９９．０５重量パーセント、Ｐｄを０．８〜１．３重量パーセント、Ｎｄを０．１５〜０．２５重量パーセント含有する。
以下に本発明の実施例を詳細に説明する。これらの実施例は本発明を詳細に説明するためのものであり、本発明の範囲はこれらの実施例に限られない。
（実施例１）
１００×１００ｍｍサイズのサンプル１が、結晶化ＩＴＯ膜（ＰＥＴ系ＩＴＯ膜）上にＡｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金を０．１５μｍの厚さになるようスパッタリングすることで作成された。同様に、サンプル１と同じサイズのサンプル２〜４が作成された。同じサイズのサンプル５も同様に作成されたが、Ａｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金の厚さは０．１μｍとした。サンプル１と同じサイズのサンプル６〜８が、サンプル５と同様に作成された。使用される合金では、Ａｇ、Ｐｄ、Ｎｄの含有量はそれぞれ９８．８重量パーセント、１．０重量パーセント、０．２重量パーセントであった。
Figure 0006453850
比較例１
以下の表２に示すように、１００×１００ｍｍのサイズの６つの比較例（比較例１〜６）が、厚さ５μｍのＰＥＴ上に１０ｎｍのＮｉ／Ｃｒを形成し、Ｎｉ／Ｃｒ上に８μｍのＣｕを形成し、Ｃｕ上に３０ｎｍのＮｉ／Ｃｒを形成することで作成された。ここで、ＣｕのＰＥＴに対する接着性は良好ではなく、ＰＥＴ上のＮｉ／Ｃｒを接着性向上に用いた。Ｃｕ上のＮｉ／Ｃｒは外部環境からの保護に使用された。
Figure 0006453850
サンプル１と比較サンプル１〜６に、温湿度試験、塩水噴霧試験のようなストレステストを実施した。
実験１−温湿度試験
以下に説明するように、ＥＳＰＥＣ及びＰＲ−２ＳＰを使用した温湿度試験をサンプル１〜４、比較サンプル１〜６に対して実施した。それぞれに使用された試験方法、システムは、ＩＥＣ７４９の半導体デバイス−機械及び耐候試験方法と、ＪＩＳ Ｃ ７０２１の個別半導体デバイスの環境試験方法及び耐久性試験方法である。
サンプル１〜４には、温湿度試験が２度実施された。
最初に、サンプル１〜４は１２０時間、８５度未満、相対湿度８５％に保たれ、２４時間室温に置かれた。その後、５腐食が生じるかが観察された。
次に、サンプル１〜４に同様の試験が実施されたが、ここではサンプルは１９２時間、８５度未満、相対湿度８５％に保たれた。その後、腐食が生じるかが観察された。
比較サンプル１〜６は１４４時間、８５度未満、相対湿度８５％に保たれ、２４時間室温に置かれた。その後、腐食が生じるかが観察された。
これらの結果を以下の表３に示す。
Figure 0006453850
上述のように、第１、第２実験を通じて、サンプル１〜４には酸化点が確認されなかった。したがって、腐食は生じていない。比較サンプル２では酸化点が確認されたため、そこに腐食が生じた。
図４Ａは、サンプル１の初期状態（左）と、温湿度試験後（右）の写真を示す。図４Ｂは、比較サンプル２の初期状態（左）と、温湿度試験後（右）の写真を示す。このサンプルでは、温湿度試験の結果、酸化点が生じている。
図４Ａ、４Ｂでは、サンプル１と比較サンプル２の試験前は、汚れのない状態で示される。温湿度試験後、サンプル１には若干点がみられるものの、比較的汚れのない状態（図４Ａ右）であるが、比較サンプル２には酸化点がある（図４Ｂ右）。
実験２−表面抵抗試験
サンプル１〜４と比較サンプル１〜６に対し、４プローブテスターを使用して、横方向（ＴＤ）に１０ｍｍ間隔の６点で表面抵抗が測定された。表面抵抗値は初期状態と温湿度試験後に測定された。以下の表４に結果としての平均値を示す。
Figure 0006453850
上述のように、実施例１のサンプルは、所定の時間が経過しても、抵抗値はわずかに減少したのみであったが、比較例１の比較サンプルは抵抗値が大きく増加した。
実験３−塩水噴霧試験
（１）ＫＳ Ｄ９５０２方法による塩水噴霧試験がサンプル５、６に実施された。試験は、２４時間、４８時間、７２時間のような様々な時間間隔で塩水を噴射することで行われた。
試験に使用された塩水のＮａＣｌ濃度は５±１％で、温度は３５±２℃であった。各サンプルに、塩水が２４時間、４８時間、７２時噴霧され、ソフトブラシを使用して室温の水で７分間洗浄され、その後１時間乾燥させた。その後、腐食が生じたかが観察された。
（２）比較サンプル１〜６に、同様の方法で塩水噴霧試験が実施された。その後、腐食が生じたかが観察された。
（３）さらに、サンプル７、８に（１）と同様に塩水噴霧試験が実施されたが、ここではソフトブラシを使用した洗浄が省かれた。その後、腐食が生じたかが観察された。
（１）、（２）、（３）のテスト結果を以下の表５に示す。
Figure 0006453850
表５に示すように、サンプル５〜８に対する２４時間、４８時間、７２時間の塩水噴霧試験では、洗浄方法に関わらず、腐食は生じなかった。一方、比較例１の比較サンプルに対する２４時間、４８時間の試験では、全サンプルで腐食が生じた。
実験４−剥離試験
合金が以下の表６に示す含有量を含むこと以外はサンプル１と同様の構造を持つサンプル９、１０に、塩水噴霧試験が実施され、３Ｍ ６００（アクリル）テープを使用したＩＰＣ−ＴＭ−６５０ ２．４．１．６グリッド試験方法に基づく剥離試験が実施された。
Figure 0006453850
図５Ａ〜５Ｃに試験結果を示す。図５Ｃに示すように、サンプル１は剥離が良好に行われず、したがって最も良好な接着性を有する。次に、サンプル１０は良好な接着性を有することが示され、サンプル９は良好な接着性を有することが示された。
（実施例２）
サンプル１１は、Ｍｏを結晶化ＩＴＯ膜上にスパッタリングすることで金属層を形成した後、当該金属層上にＡｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金をスパッタリングすることで製造された。このサンプルのＭｏ金属層は厚さ１０ｎｍであった。Ａｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金層は厚さ１００ｎｍであり、Ａｇ、Ｐｄ、Ｎｄの含有量はそれぞれ９８．８重量パーセント、１．０重量パーセント、０．２重量パーセントであった。
（実施例３）
サンプル１２は、Ｍｏ−Ａｇ合金を結晶化ＩＴＯ膜上にスパッタリングすることで金属層を形成した後、当該金属層上にＡｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金をスパッタリングすることで製造された。Ｍｏ−Ａｇ合金層は厚さ３０ｎｍであり、Ｍｏ、Ａｇの含有量はそれぞれ６０重量パーセントと４０重量パーセントであった。Ａｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金層は厚さ１００ｎｍであり、Ａｇ、Ｐｄ、Ｎｄの含有量はそれぞれ９８．８重量パーセント、１．０重量パーセント、０．２重量パーセントであった。
（実施例４）
サンプル１３は、Ｍｏを結晶化ＩＴＯ膜上にスパッタリングすることで金属層を形成した後、当該金属層上にＭｏ−Ａｇ合金をスパッタリングし、その後、当該合金層上にＡｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金をスパッタリングすることで製造された。Ｍｏ金属層は厚さ１０ｎｍであった。Ｍｏ−Ａｇ合金層は厚さ３０ｎｍで、Ｍｏ、Ａｇの含有量はそれぞれ６０重量パーセント、４０重量パーセントであった。Ａｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金層は厚さ１００ｎｍであり、Ａｇ、Ｐｄ、Ｎｄの含有量はそれぞれ９８．８重量パーセント、１．０重量パーセント、０．２重量パーセントであった。
（実施例５）
サンプル１４は、結晶化ＩＴＯ膜上にＭｏをスパッタリングすることで金属層を形成した後、当該金属層上にＮｉ−Ｃｕ−Ｔｉ合金層を形成し、当該合金層上にＡｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金をスパッタリングすることで製造された。Ｍｏ金属層の厚さは１０ｎｍであった。Ｎｉ−Ｃｕ−Ｔｉ合金層は厚さ３０ｎｍで、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔｉの含有量はそれぞれ６０重量パーセント、３９．７重量パーセント、０．３重量パーセントであった。Ａｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金層は厚さ１００ｎｍであり、Ａｇ、Ｐｄ、Ｎｄの含有量はそれぞれ９８．８重量パーセント、１．０重量パーセント、０．２重量パーセントであった。
（実施例６）
サンプル１５は、結晶化ＩＴＯ膜上にＮｉ−Ｃｕ−Ｔｉ合金をスパッタリングすることで合金層を形成した後、当該合金層上にＡｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金をスパッタリングすることで製造された。Ｎｉ−Ｃｕ−Ｔｉ合金は厚さ３０ｎｍで、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔｉの含有量はそれぞれ６０重量パーセント、３９．７重量パーセント、０．３重量パーセントであった。Ａｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金は厚さ１００ｎｍであり、Ａｇ、Ｐｄ、Ｎｄの含有量はそれぞれ９８．８重量パーセント、１．０重量パーセント、０．２重量パーセントであった。
（実施例７）
サンプル１６は、結晶化ＩＴＯ膜上にＮｉ−Ｃｒ合金をスパッタリングすることで合金層を形成した後、当該合金層上にＡｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金をスパッタリングすることで製造された。Ｎｉ−Ｃｒ合金は厚さ１０ｎｍであり、Ｎｉ、Ｃｒ含有量はそれぞれ９５重量パーセント、５重量パーセントであった。Ａｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金は厚さ１００ｎｍであり、Ａｇ、Ｐｄ、Ｎｄの含有量はそれぞれ９８．８重量パーセント、１．０重量パーセント、０．２重量パーセントであった。
以下の表７は、実施例１〜７で説明されたサンプルの構成を示す。
Figure 0006453850
実験５
エッチング試験と剥離試験が実施された。具体的な試験、評価方法は以下のとおりとした。
エッチング試験
（１）最初に、ベース６５％のＨＮＯ３腐食液を用意し、基板を１０×１００ｍｍの小片に切り分け、腐食液に９０秒浸した。
（２）サンプルを腐食液から取り出し、すぐに純水で１分間洗浄した。
（３）ＡＰＤまたは中間層残留物がサンプル表面に存在するか目視で確認された。
（４）４プローブシート抵抗メータにより、サンプルのシート抵抗が測定された。
（５）測定結果として、エッチング後に基板上にはＩＴＯ層のみが存在することが確認された。これは、ＩＴＯ層を損傷することなく、ＡＰＤ合金とあらゆる中間金属（または金属合金）層がエッチング可能であることを示す。したがって、ＨＮＯ３液に対してＩＴＯ層の耐腐食性が保持可能であった。
（６）概して、基板はＨＮＯ３エッチング試験に合格であった。
エッチング時に、図６Ａに示すように端の直線性が非常に高い場合、「良好」とされた。図６Ｂに示すように、突起やネズミにかじられたような形の粗い部分が存在する場合、「粗い」とされる。
剥離試験
３Ｍ ６００（アクリル）テープを使用する、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０ ２．４．１．６グリッド試験方法により剥離試験が実施された。剥離強度の基準は以下のとおりである。
グレード５：線パターンの角はほぼ汚れのない状態。格子の四角が確認されない。
グレード４：格子の交差部分で金属層（スパッタ層）がわずかに剥離（格子の５％未満）
グレード３：格子の角に沿って、そして交差部分で金属層（スパッタ層）がわずかに剥離（格子の５％〜１５％）
グレード２：四角の一部や角に沿って、金属層（スパッタ層）が剥離（格子の１５％〜３５％）
グレード１：長いリボンの直線パターンの角に沿って、コーティングが剥離（格子の３５％〜６５％）
グレード０：６５％を超える範囲で格子形が確認
図７に、各グレードに対応する、剥離が生じた断面を示す。
以下の表８に、１０×１００ｍｍサイズの実施例１〜４のサンプルのエッチングの調査結果と、エッチング後の残留物を示す。
Figure 0006453850
以下の表９に、実施例５〜７のサンプルの剥離強度の調査結果と、エッチング後の残留物を示す。
Figure 0006453850
上述のとおり、ここでは本発明の様々な実施形態が説明のため示され、本発明の範囲と要旨から外れない範囲で様々な変形が可能であることが理解されよう。したがって、ここで説明した様々な実施形態は限定的でなく、以下の請求項により真の範囲と要旨が示される。
Figure 0006453850
 本発明の実施態様の一部を以下の項目［１］−［１４］に記載する。
［１］
タッチパネルであって、
透明基板と、
前記基板上に設けられた透明導電材料と、
前記透明導電材料上に設けられたＡｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金層と、を有するタッチパネル。
［２］
前記透明導電材料と、前記Ａｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金層との間に設けられ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒからなる群から選択された少なくとも１つの金属により形成される金属層をさらに有することを特徴とする、項目１に記載のタッチパネル。
［３］
前記金属層は、Ｍｏ、Ｍｏ−Ａｇ合金、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｔｉ合金、またはＮｉ−Ｃｒ合金により形成されることを特徴とする、項目２に記載のタッチパネル。
［４］
Ｍｏ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒからなる群から選択された金属により形成される金属層と、
前記金属層上に設けられた、Ｍｏ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒからなる群から選択された少なくとも２つの金属により形成される金属合金層と、を
前記透明導電材料と前記Ａｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金層との間にさらに有することを特徴とする、項目１に記載のタッチパネル。
［５］
前記Ａｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金層は、合金の総重量パーセント１００に対して、
Ａｇを９７．９〜９９．２重量パーセント、
Ｐｄを０．７〜１．８重量パーセント、
Ｎｄを０．１〜０．３重量パーセント
含有することを特徴とする、項目１に記載のタッチパネル。
［６］
前記Ａｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金層は、合金の総重量パーセント１００に対して、
Ａｇを９８．４５〜９９．０５重量パーセント、
Ｐｄを０．８〜１．３重量パーセント、
Ｎｄを０．１５〜０．２５重量パーセント
含有することを特徴とする、項目５に記載のタッチパネル。
［７］
前記透明基板は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボネート、ガラスからなる群から選択されることを特徴とする、項目１に記載のタッチパネル。
［８］
前記透明基板は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）であることを特徴とする、項目７に記載のタッチパネル。
［９］
前記透明導電材料は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウム亜鉛スズ酸化物（ＩＺＴＯ）、カドミウムスズ酸化物（ＣＴＯ）、ＰＥＤＯＴ（ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン））、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）、銀ナノワイヤーからなる群から選択されることを特徴とする、項目１に記載のタッチパネル。
［１０］
前記透明導電材料は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）であることを特徴とする、項目１に記載のタッチパネル。
［１１］
前記Ａｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金層は、蒸着またはスパッタリングにより前記透明導電材料上に形成されることを特徴とする、項目１に記載のタッチパネル。
［１２］
項目１に記載のタッチパネルを作成する方法であって、
透明膜またはガラスにより形成される透明基板を設ける工程と、
前記透明基板上に透明導電材料を積層する工程と、
前記透明導電材料上に、スパッタリングによりＡｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金層を形成する工程と、を含む方法。
［１３］
項目１に記載のタッチパネルを有するディスプレイ。
［１４］
タッチパネル用のＡｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金であって、合金の総重量パーセント１００に対して、
Ａｇを９７．９〜９９．２重量パーセント、
Ｐｄを０．７〜１．８重量パーセント、
Ｎｄを０．１〜０．３重量パーセント
含有する合金。

Claims (8)

  1. タッチパネルであって、
    透明基板と、
    前記基板上に設けられた透明導電材料と、
    前記透明導電材料上に設けられたＡｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金層と、
    前記透明導電材料とＡｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金層の間に設けられた、Ｍｏ、Ｍｏ−Ａｇ合金、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｔｉ合金もしくはＮｉ−Ｃｒ合金から形成された金属層と
    を有するタッチパネル。
  2. 前記金属層がＭｏにより形成されている、請求項１に記載のタッチパネル。
  3. 前記透明導電材料と前記Ａｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金層との間の金属層上に、Ｍｏ−Ａｇ合金又はＮｉ−Ｃｕ−Ｔｉ合金から形成されている金属合金層をさらに有する、請求項２に記載のタッチパネル。
  4. 前記Ａｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金層は、合金の総重量パーセント１００に対して、
    Ａｇを９７．９〜９９．２重量パーセント、
    Ｐｄを０．７〜１．８重量パーセント、
    Ｎｄを０．１〜０．３重量パーセント
    含有する、請求項１に記載のタッチパネル。
  5. 前記Ａｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金層は、合金の総重量パーセント１００に対して、
    Ａｇを９８．４５〜９９．０５重量パーセント、
    Ｐｄを０．８〜１．３重量パーセント、
    Ｎｄを０．１５〜０．２５重量パーセント
    含有する、請求項４に記載のタッチパネル。
  6. 請求項１に記載のタッチパネルを作成する方法であって、
    透明膜またはガラスにより形成される透明基板を設ける工程と、
    前記透明基板上に透明導電材料を積層する工程と、
    前記透明導電材料上に、スパッタリングによりＭｏ、Ｍｏ−Ａｇ合金、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｔｉ合金もしくはＮｉ−Ｃｒ合金から形成された金属層を形成する工程と、
    前記金属層上に、スパッタリングによりＡｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金層を形成する工程と、を含む方法。
  7. 請求項１に記載のタッチパネルを有するディスプレイ。
  8. タッチパネル用のＡｇ−Ｐｄ−Ｎｄ合金であって、合金の総重量パーセント１００に対して、
    Ａｇを９８．４５〜９９．０５重量パーセント、
    Ｐｄを０．８〜１．３重量パーセント、
    Ｎｄを０．１５〜０．２５重量パーセント
    含有する合金。
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