JP5231282B2 - タッチパネルセンサー - Google Patents
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Description
無アルカリ硝子板(板厚0.7mm、直径4インチ)を基板とし、その表面に、DCマグネトロンスパッタリング法で、下記表1〜6に示すアルミニウム合金膜(膜厚はいずれも約300nm)を形成した。成膜は、成膜前にチャンバー内の雰囲気を一旦、到達真空度:3×10−6Torrにしてから、各アルミニウム合金膜と同一の成分組成の直径4インチの円盤型ターゲットを用い、下記に示す条件で行った。尚、形成されたアルミニウム合金膜の組成は、誘導結合プラズマ(Inductively Coupled Plasma:ICP)質量分析法で確認した。
(スパッタリング条件)
・Arガス圧:2mTorr
・Arガス流量:30sccm
・スパッタパワー:260W
・基板温度:室温
以下では、透明導電膜、アルミニウム合金膜の順に積層させた場合の両者の接触部分の接続抵抗値を測定し、該積層構造におけるアルミニウム合金膜の透明導電膜との電気伝導性を評価した。
以下では、アルミニウム合金膜、透明導電膜の順に積層させた場合の両者の接触部分の接続抵抗値を測定し、該積層構造におけるアルミニウム合金膜の透明導電膜との電気伝導性を評価した。
無アルカリ硝子板(板厚0.7mm、直径4インチ)を基板とし、その表面に、表1〜6のアルミニウム合金膜(膜厚はいずれも約300nm)を、上記実施例1と同様に成膜した。その後、成膜後に熱処理を行なわずに、TMAHによるフォトリソグラフィーおよびエッチングを行って、幅100μm、長さ10mmのストライプ状パターン(電気抵抗率測定用パターン)に加工してから、該パターンの電気抵抗率を、プローバーを使用した直流4探針法で室温にて測定した。そして、電気抵抗率が50μΩ・cmを超えるものを不良、50μΩ・cm以下のものを良好と評価した。尚、同様の測定を、アルミニウム合金膜のかわりに、純アルミニウム膜を形成した試料についても行った。
無アルカリ硝子板(板厚0.7mm、直径4インチ)を基板とし、その表面に、表1〜6のアルミニウム合金膜(膜厚はいずれも約300nm)を、上記実施例1と同様に成膜した。
無アルカリ硝子板(板厚0.7mm、直径4インチ)を基板とし、その表面に、表1〜6のアルミニウム合金膜(膜厚はいずれも約300nm)を、上記実施例1と同様に成膜した。
Claims (14)
- 透明導電膜およびこれと直接接続するアルミニウム合金膜からなる引き回し配線を有するタッチパネルセンサーであって、
前記アルミニウム合金膜は、NiおよびCoよりなるX群から選ばれる少なくとも1種の元素(以下「X群元素」という)を合計で0.2〜10原子%含み、残部はアルミニウムおよび不可避的不純物であり、かつ、前記アルミニウム合金膜の硬度は2〜15GPaであることを特徴とするタッチパネルセンサー。 - 前記アルミニウム合金膜は、更に、希土類元素、Ta、Ti、Cr、Mo、W、Cu、Zn、Ge、SiおよびMgよりなるZ群から選ばれる少なくとも1種の元素(以下「Z群元素」という)を合計で0.05原子%以上含み、かつ、前記X群元素および前記Z群元素の合計量が10原子%以下である請求項1に記載のタッチパネルセンサー。
- 前記アルミニウム合金膜は、更に、希土類元素、Ta、Ti、Cr、Mo、W、Cu、Zn、Ge、SiおよびMgよりなるZ群から選ばれる少なくとも1種の元素(以下「Z群元素」という)を合計で0.15原子%以上含み、かつ、前記X群元素および前記Z群元素の合計量が10原子%以下である請求項1に記載のタッチパネルセンサー。
- 前記アルミニウム合金膜は、Z群元素として希土類元素を含み、かつ希土類元素量が0.05原子%以上であると共に、前記X群元素および希土類元素の合計量が10原子%以下である請求項2または3に記載のタッチパネルセンサー。
- 前記希土類元素は、Nd、Gd、La、Y、Ce、PrおよびDyよりなる群から選択される1種以上の元素である請求項2〜4のいずれかに記載のタッチパネルセンサー。
- 前記アルミニウム合金膜は、Z群元素としてCuを含み、かつCu量が0.05原子%以上である請求項2〜5のいずれかに記載のタッチパネルセンサー。
- 透明導電膜およびこれと直接接続するアルミニウム合金膜からなる引き回し配線を有するタッチパネルセンサーであって、
前記アルミニウム合金膜は、NiおよびCoよりなるX群から選ばれる少なくとも1種の元素(以下「X群元素」という)を合計で0.02原子%以上、およびGeを0.2原子%以上含み、前記X群元素とGeの合計量が10原子%以下であり、残部はアルミニウムおよび不可避的不純物であり、かつ、前記アルミニウム合金膜の硬度は2〜15GPaであることを特徴とするタッチパネルセンサー。 - 前記アルミニウム合金膜は、更に、希土類元素、Ta、Ti、Cr、Mo、W、Cu、Zn、SiおよびMgよりなるZ'群から選ばれる少なくとも1種の元素(以下「Z'群元素」という)を合計で0.05原子%以上含み、かつ、前記X群元素、Geおよび前記Z'群元素の合計量が10原子%以下である請求項7に記載のタッチパネルセンサー。
- 前記アルミニウム合金膜は、Z'群元素として希土類元素を含み、かつ希土類元素量が0.05原子%以上であると共に、前記X群元素、Geおよび希土類元素の合計量が10原子%以下である請求項8に記載のタッチパネルセンサー。
- 前記希土類元素は、Nd、Gd、La、Y、Ce、PrおよびDyよりなる群から選択される1種以上の元素である請求項8または9に記載のタッチパネルセンサー。
- 前記アルミニウム合金膜は、Z'群元素としてCuを含み、かつCu量が0.05原子%以上である請求項8〜10のいずれかに記載のタッチパネルセンサー。
- 前記アルミニウム合金膜の電気抵抗率が50μΩ・cm以下である請求項1〜11のいずれかに記載のタッチパネルセンサー。
- 前記アルミニウム合金膜の電気抵抗率が25μΩ・cm以下である請求項1〜12のいずれかに記載のタッチパネルセンサー。
- 前記透明導電膜が、酸化インジウム錫(ITO)または酸化インジウム亜鉛(IZO)からなる請求項1〜13のいずれかに記載のタッチパネルセンサー。
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