JP2012518261A5

JP2012518261A5 -

Info

Publication number: JP2012518261A5
Application number: JP2011550580A
Authority: JP
Filing date: 2010-02-19
Publication date: 2013-02-28
Anticipated expiration: 2030-02-19

Claims

支持体（１０）及び電極（１１）を含むフォトニックデバイスのための透明基板（１）であって、前記電極（１１）が単一の金属導電層（１１２）、及び前記電極を通る光透過を改良するための特性を有する少なくとも一つの被覆（１１０）を含む積層構造を含み、前記被覆（１１０）が、少なくとも３．０ｎｍより大きくかつ最大でも２００ｎｍに等しいか又はそれより小さい幾何学的厚さを有し、前記被覆（１１０）が、光透過を改良するための少なくとも一つの層（１１０１）を含み、かつ金属導電層（１１２）と支持体（１０）の間に位置され、支持体（１０）の上に前記電極（１１）が蒸着されているものにおいて、光透過を改良するための特性を有する被覆（１１０）の光学的厚さＴ_Ｄ１と金属導電層（１１２）の幾何学的厚さＴ_ＭＥが以下の方程式によって関係づけられていることを特徴とする透明基板：

式中、Ｔ_ＭＥ＿ｏ，Ｂ及びＴ_Ｄ１＿ｏは定数であり、Ｔ_ＭＥ＿ｏは１０．０〜２５．０ｎｍの範囲の値を有し、Ｂは１０．０〜１６．５ｎｍの範囲の値を有し、Ｔ_Ｄ１＿ｏは２３．９＊ｎ_Ｄ１〜２８．３＊ｎ_Ｄ１ｎｍの範囲の値を有し、ｎ_Ｄ１は５５０ｎｍの波長における光透過を改良するための被覆の屈折率を表わし、ｎ_{ｓｕｐｐｏｒｔ}は５５０ｎｍの波長における支持体の屈折率を表わす。
支持体（１０）が、５５０ｎｍの波長において少なくとも１．２に等しい値の屈折率ｎ_{ｓｕｐｐｏｒｔ}を有することを特徴とする請求項１に記載の透明基板。
光透過を改良するための被覆（１１０）の屈折率が支持体（１０）の屈折率より高いことを特徴とする請求項１又は２に記載の透明基板。
支持体（１０）が５５０ｎｍの波長において１．４〜１．６の範囲の屈折率を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の透明基板。
金属導電層（１１２）の幾何学的厚さが少なくとも１６．０ｎｍに等しくかつ最大２９．０ｎｍに等しく、光透過を改良するための被覆（１１０）の幾何学的厚さが少なくとも２０．０ｎｍに等しくかつ最大４０．０ｎｍに等しいことを特徴とする請求項４に記載の透明基板。
支持体が５５０ｎｍにおいて１．５に等しい屈折率を有すること、及び金属導電層（１１２）の幾何学的厚さが少なくとも６．０ｎｍに等しくかつ最大２２．０ｎｍに等しく、光透過を改良するための被覆（１１０）の幾何学的厚さが少なくとも５０．０ｎｍに等しくかつ最大１３０．０ｎｍに等しいことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の透明基板。
電極が、少なくとも一つの追加の結晶層（１１０２）を含む光透過を改良するための被覆（１１０）を有し、支持体（１０）に関して、前記結晶層（１１０２）が、前記被覆（１１０）を形成する積層構造から最も離れた層であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の透明基板。
結晶層（１１０２）の幾何学的厚さが、光透過を改良するための被覆（１１０）の全幾何学的厚さの少なくとも７％に等しいことを特徴とする請求項７に記載の透明基板。
電極（１１）が、表面電気特性を標準化するための薄い層（１１４）を有し、それが、支持体（１０）に関して前記電極（１１）を形成する多層積層構造の上にあることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の透明基板。
電極（１１）が、金属導電層（１１２）と薄い標準化層（１１４）の間に位置された少なくとも一つの追加の挿入層（１１３）を有することを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の透明基板。
挿入層（１１３）の幾何学的厚さ（Ｅ_ｉｎ）が、そのオーム厚さが最大１０^１２オームに等しいようなものであり、オーム厚さが、挿入層を形成する材料の抵抗（ρ）とこの同じ層の幾何学的厚さ（ｌ）の間の関係に等しく、挿入層の幾何学的厚さがさらに、方程式Ｅ_ｏｒｇ＝Ｅ_ｉｎ−Ａによって有機発光デバイスの第一有機層の幾何学的厚さ（Ｅ_ｏｒｇ）に関連づけられ、「第一有機層」という用語は、挿入層と有機発光層の間に配置された全ての有機層を意味し、式中、Ａは、５．０〜７５．０ｎｍ、好ましくは２０．０〜６０．０ｎｍ、より好ましくは３０．０〜４５．０ｎｍの範囲の値を有する定数であることを特徴とする請求項１０に記載の透明基板。
挿入層（１１３）の幾何学的厚さ（Ｅ_ｉｎ）が、そのオーム厚さが最大１０^１２オームに等しいようなものであり、オーム厚さが、挿入層を形成する材料の抵抗（ρ）とこの同じ層の幾何学的厚さ（ｌ）の間の関係に等しく、挿入層の幾何学的厚さがさらに、方程式Ｅ_ｏｒｇ＝Ｅ_ｉｎ−Ｃによって有機発光デバイスの第一有機層の幾何学的厚さ（Ｅ_ｏｒｇ）に関連づけられ、「第一有機層」という用語は、挿入層と有機発光層の間に配置された全ての有機層を意味し、式中、Ｃは、１５０．０〜２５０．０ｎｍ、好ましくは１６０．０〜２２５．０ｎｍ、より好ましくは７５．０〜２０５．０ｎｍの範囲の値を有する定数であることを特徴とする請求項１０に記載の透明基板。
金属導電層（１１２）がその面の少なくとも一つの上に少なくとも一つの犠牲層（１１１ａ及び／又は１１１ｂ）を有することを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の透明基板。
前記電極（１１）が上に蒸着される支持体（１０）が、電極（１１）が上に蒸着される面とは反対の面の上に少なくとも一つの機能被覆（９）を含むことを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の透明基板。
支持体側（１０）の反射ｒ_{ｓｕｐｐｏｒｔ}が、少なくとも２８％に等しくかつ最大４９％に等しい値を有することを特徴とする請求項１〜１４のいずれかに記載の透明基板。
以下の二つの段階で実施されることを特徴とする請求項１〜１５のいずれかに記載の透明基板の製造方法：
− 光透過を改良するための特性を有する被覆（１１０）の支持体（１０）の蒸着、
− 金属導電層（１１２）の蒸着直後にフォトニックシステムを形成する異なる機能要素の蒸着。
以下の二つの段階で実施されることを特徴とする請求項１〜１５のいずれかに記載の透明基板の製造方法：
− 電極（１１）を通る光透過を改良するための特性を有する被覆（１１０）、金属導電層（１１２）、犠牲層（１１１ｂ）、挿入層（１１３）の支持体（１０）の蒸着、
− 標準化層（１１４）の蒸着直後のフォトニックシステムを形成する異なる機能要素の蒸着。
請求項１〜１５のいずれかに記載の少なくとも一つの透明基板を含む有機発光デバイス。
準白色光を放出する請求項１８に記載の有機発光デバイス。