JP6742184B2

JP6742184B2 - 位相シフタ膜の製造方法、位相シフトマスクブランクの製造方法、及び、位相シフトマスクの製造方法

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Publication number: JP6742184B2
Application number: JP2016146598A
Authority: JP
Inventors: 博幸磯; 影山　景弘; 景弘影山; 修一郎金井
Original assignee: Ulvac Coating Corp
Current assignee: Ulvac Coating Corp
Priority date: 2016-07-26
Filing date: 2016-07-26
Publication date: 2020-08-19
Anticipated expiration: 2036-07-26
Also published as: JP2018017825A

Description

本発明は、面内透過率のバラツキを抑制できる、位相シフタ膜の製造方法、位相シフトマスクブランクの製造方法、及び、位相シフトマスクの製造方法に関する。

半導体分野では、高密度実装を図るため、回路パターンの微細化が進められている。これに伴い、露光波長の短波長化や、露光方法の改善などが検討されている。
このような回路パターンの微細化に対応するため、フォトマスクにおいては、単純な遮光膜のパターンのみで形成されたバイナリーマスクから、パターン縁における光干渉を用いて、単波長を用い、より微細なパターン形成が可能な位相シフトマスク（Phase-Shifting Mask：PSM）が使用されるに至っている。

上述した半導体用の位相シフトマスクとしては、ｉ線単波長からなる露光光とハーフトーン型位相シフトマスクとの組み合わせ（たとえば、特許文献１）や、更なる微細化のために、ＡｒＦ単波長からなる露光光とハーフトーン型位相シフトマスク（Attenuated PSM）との組み合わせ（たとえば、特許文献２）、などが用いられている。

いずれの組み合わせにおいても、位相シフトマスクを構成する位相シフタ膜には、位相角や透過率のバラツキが小さいことが求められている。位相角や透過率のバラツキを小さくするためには、面内の膜厚を均一にする必要があり、面内の膜厚均一性を改善する手法の一例としては、特許文献３による手法が提案されている。

本発明者らは、透過率と膜厚の面内分布について検討したところ、図１５、図１６に示すように、透過率と膜厚の面内分布の傾向は完全に一致しているわけではないことが分かった。図１５が膜厚の面内分布、図１６が透過率の面内分布である。図１５、図１６は、所望の位相シフタ膜をガラス基板（１５２．４ｍｍ角基板）上に形成した試料を用意し、その表面を９×９領域に分割し、透過率と膜厚のデータを取得した結果である。

図１５、図１６において、各測定値の先頭に付けた符号は、基板の面内において、△印が最大値であることを、▼印が最小値であることを、無印が最大値と最小値の間であることを、それぞれ表わしている。図１５、図１６の結果から、最大値や最小値が発現する位置は、透過率と膜厚で完全に一致しているわけではないことが確認された。
換言すると、図１５、図１６の結果より、膜厚の面内分布が小さくなるような作製条件を求めても、透過率の面内分布をさらに小さくすることには、必ずしも繋がらないことが明らかとなった。

そこで本発明者らは、光学定数ｎとｋのうち、特にｋに着目し、膜厚の面内分布との関係を詳細に検討した。光学定数ｎとｋは両方とも、物質を記述するのに必要な値であり、波長や温度が変化するにつれて変化する値である。ｎは試料（ここでは、位相シフタ膜を構成する物質）の屈折率を、ｋは試料の消衰係数を表わしており、これら２つの値は複素屈折率Ｎにより、「Ｎ＝ｎ＋ｉ・ｋ」として、１つに表示される。
本発明者らは、消衰係数ｋと膜厚の面内分布を解析することにより、本発明に係る位相シフタ膜の製造方法の開発に至った。

特開平８−２７２０７１号公報特開２００６−０７８９５３号公報特開２００５−２４８２２２号公報

本発明は、このような従来の実情に鑑みて考案されたものであり、位相シフタ膜製造の中で重要な特性である透過率と位相角の中で、面内透過率のバラツキを抑制できる、位相シフタ膜の製造方法、位相シフトマスクブランクの製造方法、及び、位相シフトマスクの製造方法を提供することを目的とする。

本発明の第１形態に記載の位相シフタ膜の製造方法は、反応性ロングスロースパッタリング方法を用いて形成する、位相シフトマスクに用いられる位相シフタ膜の製造方法であって、前記反応性ロングスロースパッタリング方法は、前記位相シフタ膜を形成するための真空槽内に、反応ガスと不活性ガスとを、それぞれ分離して導入するとともに、前記不活性ガスとしてヘリウム（Ｈｅ）を含むガスを用いるとともに、前記不活性ガスが、アルゴン（Ａｒ）ガスとヘリウム（Ｈｅ）ガスから構成される場合、前記Ａｒガスの流量をＦａ、前記Ｈｅガスの流量をＦｈと定義したとき、前記Ｆｈを前記Ｆａと前記Ｆｈの和で除してなる値が、６６％以上１００％以下であることを特徴とする。
本発明の位相シフタ膜の製造方法は、上記のいずれかにおいて、前記真空槽内において、前記反応ガスは基板側へ導入され、前記不活性ガスはターゲット側へ導入されることができる。
本発明の位相シフタ膜の製造方法は、上記のいずれかにおいて、前記位相シフタ膜が、モリブデンシリサイドの酸化窒化物からなることができる。

本発明の第２形態に位相シフトマスクブランクの製造方法は、反応性ロングスロースパッタリング方法を用いて透明基板の上に位相シフタ膜を形成する工程を有する位相シフトマスク用ブランクスの製造方法であって、前記反応性ロングスロースパッタリング方法は、前記位相シフタ膜を形成するための真空槽内に、反応ガスと不活性ガスとを、それぞれ分離して導入するとともに、前記不活性ガスとしてヘリウム（Ｈｅ）を含むガスを用いるとともに、前記不活性ガスが、アルゴン（Ａｒ）ガスとヘリウム（Ｈｅ）ガスから構成される場合、前記Ａｒガスの流量をＦａ、前記Ｈｅガスの流量をＦｈと定義したとき、前記Ｆｈを前記Ｆａと前記Ｆｈの和で除してなる値が、６６％以上１００％以下であることを特徴とする。

本発明の第３形態に位相シフトマスクの製造方法は、反応性ロングスロースパッタリング方法を用いて透明基板の上に位相シフタ膜を形成する工程と、前記位相シフタ膜の上に所定のパターンを有するレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜をマスクにして前記位相シフタ膜のパターニングを行う工程と、を含む位相シフトマスクの製造方法であって、前記反応性ロングスロースパッタリング方法は、前記位相シフタ膜を形成するための真空槽内に、反応ガスと不活性ガスとを、それぞれ分離して導入するとともに、前記不活性ガスとしてヘリウム（Ｈｅ）を含むガスを用いるとともに、前記不活性ガスが、アルゴン（Ａｒ）ガスとヘリウム（Ｈｅ）ガスから構成される場合、前記Ａｒガスの流量をＦａ、前記Ｈｅガスの流量をＦｈと定義したとき、前記Ｆｈを前記Ｆａと前記Ｆｈの和で除してなる値が、６６％以上１００％以下であることを特徴とする。

請求項１に記載の発明（位相シフタ膜の製造方法）は、反応性ロングスロースパッタリング方法により位相シフタ膜を形成する際に、前記位相シフタ膜を形成するための真空槽内に、反応ガスと不活性ガスとを、それぞれ分離して導入するとともに、前記不活性ガスとしてヘリウム（Ｈｅ）を含むガスを用いる。これにより、面内透過率のバラツキが抑制された位相シフタ膜が得られる。ゆえに、本発明は、たとえば半導体分野において、回路パターンの微細化を図る際に行われる、露光波長の短波長化や、露光方法の改善に寄与する位相シフタ膜の製造方法をもたらす。

請求項５に記載の発明（位相シフトマスクブランクの製造方法）と請求項６に記載の発明（位相シフトマスクの製造方法）は何れも、前述した「反応性ロングスロースパッタリング方法を用いて透明基板の上に位相シフタ膜を形成する工程」を有しており、前記反応性ロングスロースパッタリング方法は、前記位相シフタ膜を形成するための真空槽内に、反応ガスと不活性ガスとを、それぞれ分離して導入するとともに、前記不活性ガスとしてヘリウム（Ｈｅ）を含むガスを用いる。これにより、面内透過率のバラツキが抑制された位相シフタ膜を備えた、位相シフトマスク用ブランクスまたは位相シフトマスクが得られる。ゆえに、本発明は、露光波長の短波長化や、露光方法の改善に寄与する、位相シフトマスク用ブランクスの製造方法や位相シフトマスクの製造方法をもたらす。

ＬＴＳ法が採用されたスパッタリング装置の構成を示す概略図。位相シフタ膜の消衰係数ｋに着目し透過率を制御するプロセスフローチャート。本発明に係る位相シフタ膜の一例を示す断面図。本発明に係る位相シフトマスクの一例を示す断面図。本発明に係る位相シフトマスクを用いた場合のマスク上の電場およびウェハ上の電場を示す模式図。実施例１における膜厚の基板位置依存性を示す図。実施例１における透過率の基板位置依存性を示す図。実施例１における消衰係数の基板位置依存性を示す図。実施例２における膜厚の基板位置依存性を示す図。実施例２における透過率の基板位置依存性を示す図。実施例２における消衰係数の基板位置依存性を示す図。実施例３における膜厚の基板位置依存性を示す図。実施例３における透過率の基板位置依存性を示す図。実施例３における消衰係数の基板位置依存性を示す図。比較例１における膜厚の基板位置依存性を示す図。比較例１における透過率の基板位置依存性を示す図。比較例１における消衰係数の基板位置依存性を示す図。

以下では、本発明に係る各実施の形態について、図面に基づいて説明する。

（実施形態１）
本実施形態では、本発明に係る位相シフタ膜を形成するために用いた、ロングスロースパッタリング（以下、ＬＴＳとも呼ぶ）法によるスパッタリング装置について、図１を参照して説明する。

図１は、ＬＴＳ法が実現可能なスパッタリング装置５００の構成を示す概略図である。このスパッタリング装置は、減圧可能な内部空間を有する真空槽５３を備えている。真空槽５３には、不図示のガス供給手段が接続される３つのガス導入口、すなわち、反応ガス導入口６４ａ、不活性ガス導入口６４ｂ、および混合ガス導入口６４ｃが配されている。また、真空槽５３には、不図示の排気手段に接続される２つの排気口６４ｄと排気口６４ｅも配されている。

真空槽５３の内部空間において、ターゲット５４と基板５６（Ｓ）が、所望の離間距離で対向して配されるように、ターゲット５４はターゲット電極５５に、基板５６は基板ホルダ５７に、各々載置されている。ターゲット電極５５の裏面側には、たとえば２重の同心円状に配された磁石６０を有するマグネットプレート５９が設けられている。ターゲット電極５５には電源６２が接続されている。基板ホルダ５７の裏面側には基板の温度制御手段６１が設けられている。

本実施形態では、スパッタリング装置５００のターゲット５４としてモリブデンシリサイドを用い、位相シフタ膜４とするモリブデンシリサイド酸化窒化膜を、基板５６（Ｓ）上に成膜した。
基板５６（Ｓ）としては平板四角形状のガラス基板（株式会社ファインサーフェス技術社製、型番：ＦＳＡＮ６０２５−０．５Ｔ型、形状：１５２．４ｍｍ角、板厚：６．３５ｍｍｔ）を用いた。位相シフタ膜４を形成する基板５６（Ｓ）の被成膜面を９×９領域に分割して、各領域ごとに「膜厚と透過率と消衰係数」を測定した。膜厚の測定にはＡＦＭ（ブルカー・エイエックスエス社製、型番：Ｄ３１００）を、透過率の測定には分光光度計（株式会社日立ハイテクノロジーズ社製、自記分光光度計４０００）を、消衰係数ｋの測定には高速分光エリプソメーター（Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ社製、Ｍ−２０００）を、それぞれ用いた。

基板５６（Ｓ）の９×９領域において各々測定された膜厚値のバラツキ（面内膜厚バラツキとも呼ぶ）が０．３％以下であり、かつ、透過率の値のバラツキ（面内透過率バラツキ）が０．０５％以下となるまで、図２に示すプロセスフリーチャートを繰り返した。図２において、ステップＳ１〜ステップＳ６は、以下の内容である。
ステップＳ１（膜厚制御）：前述したスパッタリング装置を用い所望の成膜条件で作製した試料について、各領域ごとに位相シフタ膜の膜厚を測定する工程である。
ステップＳ２（透過率測定）：ステップＳ１を経た試料について、各領域ごとに透過率を測定する工程である。
ステップＳ３（消衰係数ｋ測定）：ステップＳ２を経た試料について、各領域ごとに消衰係数ｋを測定する工程である。

ステップＳ４（異種スパッタガス導入成膜）：ステップＳ１〜Ｓ３の情報に基づき、スパッタガス（Ａｒガス、Ｈｅガス）の流量（流量比）を変更し、新たな基板５６（Ｓ）上に位相シフタ膜を成膜する工程である。
ステップＳ５（透過率測定）：ステップＳ４を経た試料について、各領域ごとに透過率を測定する工程である。透過率の値のバラツキ（面内透過率バラツキとも呼ぶ）が特定の範囲内（たとえば０．０５％以下）に収まっているか否かを判定する。特定の範囲内にあれば、次のステップＳ６へ進む。特定の範囲外（たとえば０．０５％より大きい）にあれば、前述したステップ１へ戻り、Ｓ１→Ｓ５の各工程を繰り返す。
ステップＳ６（膜厚・透過率特性最適化完了）：ステップＳ５を経た試料について、面内透過率バラツキが０．０５％以下を満たした場合、本発明は図２のプロセスフリーチャートを終了する。

以下では、上述したプロセスフリーチャートに基づき、基板上にモリブデンシリサイド酸化窒化膜からなる位相シフタ膜４を作製する際に、スパッタガス（Ａｒガス、Ｈｅガス）の流量（流量比）を変えて、４種類の試料ａ〜試料ｄを作製した。
ここで、比較例１により作製したものを試料ａ、実施例１〜３により作製したものを順に試料ｂ〜ｄと呼ぶ。
試料ａ〜ｄの成膜において、スパッタガス（Ａｒガス、Ｈｅガス）の流量（流量比）以外は、次に示すように、同じ作製条件とした。

・Ｔ／Ｓ（ターゲット／基板）距離［ｍｍ］：４００
・スパッタ電流［Ａ］：１．７〜３．２
・スパッタ電圧［Ｖ］：５３０〜５７０
・スパッタ電力［ｋＷ］：１
・基板温度［℃］：５０〜１２０
・膜厚［ｎｍ］：７０
・スパッタ時間［ｍｉｎ］：７〜１２（静止成膜）、２８〜５６（回転成膜）
・ガス分離方式：基板に反応ガス（Ｎ２、ＮＯ）を吹きつける。ターゲットには不活性ガス（Ａｒ、Ｈｅ）を供給する。
上記の作製条件の下で、ガス流量比（Ｈｅ／（Ａｒ＋Ｈｅ）[％]）、ガス流量［ｓｃｃｍ］、圧力［１．３×１０^−２Ｐａ］、堆積速度［Å／ｍｉｎ］を適宜選択し、成膜したものが、表１に示す試料ａ（比較例１）、試料ｂ〜ｄ（実施例１−３）である。
表１は、比較例１および実施例１−３におけるガス流量と諸特性の一覧表である。

表１より、以下の点が明らかとなった。
（Ａ１）スパッタガスとして、Ａｒガスのみ用いた場合に比べて、ＡｒガスとＨｅガスからなる混合ガスを用いることによって、透過率の面内バラツキとともに、消衰係数の面内バラツキが減少する。
（Ａ２）ガス流量比が増大することにより、透過率の面内バラツキが減少傾向を示し、消衰係数も同じ減少傾向となる。
（Ａ３）この傾向の面内バラツキは、ガス流量比（Ｈｅ／（Ａｒ＋Ｈｅ）[％]）が６６以上１００以下の範囲内において確認された。

図６〜図１７は、比較例１および実施例１−３の各試料ａ〜ｄを構成する、基板５６（Ｓ）の９×９領域において各々測定された諸特性（膜厚、透過率、消衰係数）に関する測定結果である。
図６〜図８は実施例１に関する諸特性の測定結果であり、図６が膜厚、図７が透過率、図８が消衰係数である。
図９〜図１１は実施例２に関する諸特性の測定結果であり、図９が膜厚、図１０が透過率、図１１が消衰係数である。
図１２〜図１４は実施例３に関する諸特性の測定結果であり、図１２が膜厚、図１３が透過率、図１４が消衰係数である。
図１５〜図１７は比較例１に関する諸特性の測定結果であり、図１５が膜厚、図１６が透過率、図１７が消衰係数である。

図６〜図１７により、以下の点が明らかとなった。
（Ｂ１）図６〜図１７に示した比較例１および実施例１−３の各試料ａ〜ｄは、膜厚の面内バラツキが同等（０．２ｎｍ）であるにも関わらず、透過率の面内バラツキの状況は異なっている。

（Ｂ２）透過率の面内バラツキ（０．１９％）や消衰係数の面内バラツキ（０．０７％）が大きな試料ａでは、最大値と最小値が出現する位置は、透過率の面内バラツキと消衰係数の面内バラツキにも、はっきりとした相関が見られない。

（Ｂ３）これに対して、透過率の面内バラツキ（０．０４〜０．０９％）や消衰係数の面内バラツキ（０．０３〜０．０５％）が小さな試料ｂ〜ｄでは、最大値と最小値が出現する位置は、透過率の面内バラツキと消衰係数の面内バラツキに相関が確認された。

（Ｂ４）試料ｂの場合、基板面内の位置Ｅｃにおいて透過率の最小値（▼５．１１）が確認され、同じ位置Ｅｃにおいて消衰係数の最大値（△０．６４６）が得られた。
（Ｂ５）同様に、試料ｃの場合、基板面内の位置Ａｆ、Ａｇ、Ｈｉにおいて透過率の最小値（▼５．２０）が確認され、近隣位置Ａｈ、Ａｉや同じ位置Ｈｉにおいて消衰係数の最大値（△０．６４１）が得られた。
（Ｂ６）同様に、試料ｄの場合、基板面内の位置Ｇｉにおいて透過率の最小値（▼５．１９）が確認され、位置Ｇｉにおいて消衰係数の最大値（△０．６４１）が得られた。

以上の結果より、透過率の面内バラツキと消衰係数の面内バラツキの間には、強い相関があることが確認された。つまり、モリブデンシリサイド酸化窒化膜からなる位相シフタ膜４において、膜面透過率が低く、かつ透過率の面内バラツキも小さなものとするためには、消衰係数の面内バラツキに着目して透過率の面内バラツキを制御できることが分かった。ゆえに、この相関を利用して成膜条件を決定するならば、大面積の基板上に、良好な位相シフタ膜４を安定して製造できることが判明した。

（実施形態２）
本実施形態では、本発明に係る位相シフトマスクブランクの製造方法、および位相シフトマスクの製造方法について説明する。ここでは、位相シフタ膜として、前述したモリブデンシリサイド酸化窒化膜を用いた場合について述べる。

まず、図４を参照して、この実施の形態２におけるハーフトーン型の位相シフトマスクの構造について説明する。このハーフトーン型の位相シフトマスク２００は、露光光を透過する石英からなる透明基板１と、この透明基板１の主表面上に形成された位相シフトパターン３０とを備えている。この位相シフトパターン３０は、透明基板１が露出する第１光透過部１０と、透過する露光光の位相と透過率とが、第１光透過部１０を透過する露光光の位相に対して略１８０°変換し、かつ、必要な透過率（例えば、１％〜４０％）を有し、単一の材料からなる第２光透過部４とから構成されている。

次に、図５（ａ），（ｂ），（ｃ）を参照して、上記構造よりなる位相シフトマスク２００を通過する露光光のマスク上の電場およびウェハ上の光強度について説明する。

図５（ａ）を参照して、上述した位相シフトマスク２００の断面図である。図５（ｂ）を参照して、マスク上の電場は、露光パターンのエッジで位相が反転しているために、露光パターンのエッジ部での電場が必ず０となる。よって、図５（ｃ）を参照して、露光パターンの光透過部１０と位相シフタ部４とのウェハ上における電場の差が十分となり高い解像度を得ることが可能となる。

つまり、本発明に係る位相シフトマスクブランクの製造方法、および位相シフトマスクの製造方法は何れも、前述した「反応性ロングスロースパッタリング方法を用いて透明基板の上に位相シフタ膜を形成する工程」を有している。そして、前記反応性ロングスロースパッタリング方法は、前記位相シフタ膜を形成するための真空槽内に、反応ガスと不活性ガスとを、それぞれ分離して導入するとともに、前記不活性ガスとしてヘリウム（Ｈｅ）を含むガスを用いる。これにより、面内透過率のバラツキが抑制された位相シフタ膜を備えた、位相シフトマスクブランクまたは位相シフトマスクが得られる。
したがって、本発明は、露光波長の短波長化や、露光方法の改善に寄与する、位相シフトマスクブランクの製造方法や位相シフトマスクの製造方法をもたらす。

なお、上述した実施形態においては、Ｔ／Ｓ間距離が４００ｍｍの場合について説明しているが、適用分野によっては、１００ｍｍ〜６００ｍｍの範囲としてもよい。

上記の実施形態においては、反応ガスとしてＮＯ、Ｎ_２を使用しているが、Ｎ_２Ｏや、Ｎ_２＋Ｏ_２、または、これらの混合ガスを使用することも可能である。また、不活性ガスとしてＡｒ＋Ｈｅを使用しているが、その他の不活性ガス（周期律表０族の属するガス）Ｎｅ、Ｋｒ等を用いることも可能である。また好適なＨｅ／（Ａｒ＋Ｈｅ）の流量比の範囲内で、位相シフタ膜の成膜中にＨｅ／（Ａｒ＋Ｈｅ）の流量比を変更して多層構造としたり、位相シフタ膜の成膜中にＨｅ／（Ａｒ＋Ｈｅ）の流量比を連続的に変更して連続変化膜構造としたりしてもよい。

また、上記各実施の形態においては、ＬＴＳ法をモリブデンシリサイド系ハーフトーン位相シフタ膜に適用したが、他のハーフトーン位相シフタ膜の材料として、ＣｒＦ_ｘなどの金属フッ化物、ＺｒＳｉＯ_ｘなどの金属シリサイド酸化物、ＺｒＳｉＯ_ｘＮ_ｙなどの金属シリサイド酸窒化物が挙げられる。

以上、本発明に係る位相シフタ膜の製造方法、位相シフトマスクブランクの製造方法、及び、位相シフトマスクの製造方法について説明してきたが、本発明はこれに限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、適宜変更が可能である。

本発明は、面内透過率のバラツキを抑制できる、位相シフタ膜の製造方法、位相シフトマスクブランクの製造方法、及び、位相シフトマスクの製造方法に広く適用可能である。

５３真空槽、５４ターゲット、５５ターゲット電極、５６（Ｓ）基板、５７基板ホルダ、５９マグネットプレート、６０磁石、６１温度制御手段、６２電源、６４ａ反応ガス導入口、６４ｂ不活性ガス導入口、６４ｃ混合ガス導入口、６４ｄ、６４ｅ排気口。

Claims

反応性ロングスロースパッタリング方法を用いて形成する、位相シフトマスクに用いられる位相シフタ膜の製造方法であって、
前記反応性ロングスロースパッタリング方法は、
前記位相シフタ膜を形成するための真空槽内に、反応ガスと不活性ガスとを、それぞれ分離して導入するとともに、前記不活性ガスとしてヘリウム（Ｈｅ）を含むガスを用いるとともに、
前記不活性ガスが、アルゴン（Ａｒ）ガスとヘリウム（Ｈｅ）ガスから構成される場合、前記Ａｒガスの流量をＦａ、前記Ｈｅガスの流量をＦｈと定義したとき、
前記Ｆｈを前記Ｆａと前記Ｆｈの和で除してなる値が、６６％以上１００％以下であることを特徴とする位相シフタ膜の製造方法。
前記真空槽内において、前記反応ガスは基板側へ導入され、前記不活性ガスはターゲット側へ導入されることを特徴とする請求項１に記載の位相シフタ膜の製造方法。
前記位相シフタ膜が、モリブデンシリサイドの酸化窒化物からなることを特徴とする請求項１または２に記載の位相シフタ膜の製造方法。
反応性ロングスロースパッタリング方法を用いて透明基板の上に位相シフタ膜を形成する工程を有する位相シフトマスクブランクの製造方法であって、
前記反応性ロングスロースパッタリング方法は、
前記位相シフタ膜を形成するための真空槽内に、反応ガスと不活性ガスとを、それぞれ分離して導入するとともに、前記不活性ガスとしてヘリウム（Ｈｅ）を含むガスを用いるとともに、
前記不活性ガスが、アルゴン（Ａｒ）ガスとヘリウム（Ｈｅ）ガスから構成される場合、前記Ａｒガスの流量をＦａ、前記Ｈｅガスの流量をＦｈと定義したとき、
前記Ｆｈを前記Ｆａと前記Ｆｈの和で除してなる値が、６６％以上１００％以下であることを特徴とする位相シフトマスクブランクの製造方法。
反応性ロングスロースパッタリング方法を用いて透明基板の上に位相シフタ膜を形成する工程と、前記位相シフタ膜の上に所定のパターンを有するレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜をマスクにして前記位相シフタ膜のパターニングを行う工程と、を含む位相シフトマスクの製造方法であって、
前記反応性ロングスロースパッタリング方法は、
前記位相シフタ膜を形成するための真空槽内に、反応ガスと不活性ガスとを、それぞれ分離して導入するとともに、前記不活性ガスとしてヘリウム（Ｈｅ）を含むガスを用いるとともに、
前記不活性ガスが、アルゴン（Ａｒ）ガスとヘリウム（Ｈｅ）ガスから構成される場合、前記Ａｒガスの流量をＦａ、前記Ｈｅガスの流量をＦｈと定義したとき、
前記Ｆｈを前記Ｆａと前記Ｆｈの和で除してなる値が、６６％以上１００％以下であることを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。