KR20160031423A - 포토마스크 블랭크 - Google Patents

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KR20160031423A
KR20160031423A KR1020150127445A KR20150127445A KR20160031423A KR 20160031423 A KR20160031423 A KR 20160031423A KR 1020150127445 A KR1020150127445 A KR 1020150127445A KR 20150127445 A KR20150127445 A KR 20150127445A KR 20160031423 A KR20160031423 A KR 20160031423A
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film
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chromium
material film
photomask blank
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KR1020150127445A
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Inventor
소우이치 후카야
유키오 이나즈키
Original Assignee
신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명은 석영 기판과, 석영 기판 상에 형성된 크롬계 재료막을 갖고, 크롬계 재료막이 차광막이며, 크롬계 재료막의 단위 막 두께당 파장 193㎚의 광학 농도가 0.050/㎚ 이상이고, 또한 크롬계 재료막이, 각 변 152㎜, 두께 6.35㎜의 석영 기판 상에 성막하고, 150℃ 이상에서 10분간 이상 열처리했을 때의 크롬계 재료막의 휨량이 50㎚ 이하로 되는 인장 응력 또는 압축 응력을 갖는 포토마스크 블랭크를 제공한다. 본 발명에 따르면, 크롬계 재료막의 단위 막 두께당 광학 농도를 높게 유지하면서, 막 응력을 저감시킨 크롬계 재료의 박막을 갖는 포토마스크 블랭크를 제공할 수 있고, 이에 의해, 고정밀도의 크롬계 재료막의 패턴 제작이 가능해진다.

Description

포토마스크 블랭크{PHOTOMASK BLANK}
본 발명은 반도체 집적 회로, CCD(전하 결합 소자), LCD(액정 표시 소자)용 컬러 필터, 자기 헤드 등의 미세 가공에 사용되는 포토마스크의 소재가 되는 포토마스크 블랭크에 관한 것이다.
최근들어 반도체 가공에 있어서는, 특히 대규모 집적 회로의 고집적화에 의해, 회로 패턴의 미세화가 점점 필요해지고 있으며, 회로를 구성하는 배선 패턴의 세선화나, 셀을 구성하는 층간의 배선을 위한 콘택트 홀 패턴의 미세화 기술에 대한 요구가 점점 높아지고 있다. 그로 인해, 이들 배선 패턴이나 콘택트 홀 패턴을 형성하는 광 리소그래피에서 사용되는, 회로 패턴이 기입된 포토마스크의 제조에 있어서도, 상기 미세화에 수반하여, 보다 미세하면서도 또한 정확하게 회로 패턴을 기입할 수 있는 기술이 요구되고 있다.
더 정밀도가 높은 포토마스크 패턴을 포토마스크 기판 상에 형성하기 위해서는, 먼저, 포토마스크 블랭크 상에 고정밀도의 레지스트 패턴을 형성하는 것이 필요해진다. 실제의 반도체 기판을 가공할 때의 광 리소그래피는 축소 투영을 행하기 위하여, 포토마스크 패턴은 실제로 필요한 패턴 사이즈의 4배 정도의 크기이지만, 그만큼 정밀도가 완화된다는 것은 아니며, 오히려 원판인 포토마스크에는 노광 후의 패턴 정밀도에 요구되는 것보다도 높은 정밀도가 요구된다.
또한, 이미 현재 행해지고 있는 리소그래피에서는, 묘화하려는 회로 패턴은 사용하는 광의 파장을 상당히 하회하는 사이즈로 되어 있으며, 회로의 형상을 그대로 4배로 한 포토마스크 패턴을 사용하면, 실제의 광 리소그래피를 행할 때에 발생하는 광의 간섭 등의 영향으로, 레지스트막에 포토마스크 패턴대로의 형상은 전사되지 않는다. 따라서 이들 영향을 감소시키기 위하여, 포토마스크 패턴은, 실제의 회로 패턴보다 복잡한 형상(소위 OPC: Optical Proximity Correction(광학 근접 효과 보정) 등을 적용한 형상)으로 가공할 필요가 생기는 경우도 있다. 그로 인해, 포토마스크 패턴을 얻기 위한 리소그래피 기술에 있어서도, 현재, 더욱 고정밀도의 가공 방법이 요구되고 있다. 리소그래피 성능에 대해서는 한계 해상도로 표현되는 경우가 있지만, 이 해상 한계로서는, 포토마스크를 사용한 반도체 가공 공정에서 사용되는 광 리소그래피에 필요한 해상 한계와 동등 정도, 또는 그 이상의 한계 해상 정밀도가 포토마스크 가공 공정의 리소그래피 기술에 요구되고 있다.
포토마스크 패턴의 형성에 있어서는, 통상 투명 기판 상에 차광막이나 위상 시프트막과 같은 광학막을 갖는 포토마스크 블랭크 상에 포토레지스트막을 형성하고, 전자선에 의한 패턴의 묘화를 행하여, 현상을 거쳐 레지스트 패턴을 얻고, 그리고 얻어진 레지스트 패턴을 에칭 마스크로 하여, 광학막을 에칭하여 광학막 패턴으로 가공하지만, 광학막 패턴을 미세화하는 경우에 레지스트막의 두께를 미세화 전과 동일하도록 유지한 채로 가공하고자 하면, 패턴에 대한 막 두께의 비, 소위 애스펙트비가 높아져, 레지스트 패턴의 형상이 열화되어 패턴 전사가 제대로 되지 않게 되거나, 경우에 따라서는 레지스트 패턴이 도괴나 박리를 일으키거나 한다. 그로 인해, 미세화에 수반하여 레지스트의 막 두께를 얇게 할 필요가 있다. 그러나, 레지스트의 막 두께를 얇게 하여 행한 경우에는, 광학막의 드라이 에칭 중에 레지스트 패턴이 대미지를 받아, 전사되는 패턴의 치수 정밀도의 저하라는 문제가 일어난다.
보다 박막의 레지스트막을 사용하여 고정밀도의 포토마스크를 제작하기 위한 방법으로서, 차광막이나 하프톤 위상 시프트막 등의 광학막과는 별도로, 레지스트막과 광학막 사이에 가공 보조막으로서 하드 마스크막을 설치하고, 레지스트 패턴을 일단 하드 마스크막에 전사하여, 얻어진 하드 마스크막 패턴을 사용하여 광학막의 드라이 에칭을 행하는 방법이 있다. 특히, 보다 미세한 패턴을 형성하기 위한 사용예로서는, 일본 특허 공개 제2007-241060호 공보(특허문헌 1)에 개시된 방법을 들 수 있고, 여기에서는, 보다 미세한 광 리소그래피 기술을 확립하기 위하여, 고정밀도 가공용으로서, 보다 박막으로 ArF 엑시머 레이저광을 차광하는 것이 가능한 전이 금속 규소 화합물 재료에 의한 차광막을 채용하고, 또한 그 가공에 하드 마스크막으로서 크롬계 재료막을 사용함으로써 보다 고정밀도의 가공을 실현할 수 있다는 것을 개시하고 있다. 또한, 일본 특허 공개 제2010-237499호 공보(특허문헌 2)에서는, 일본 특허 공개 제2007-241060호 공보(특허문헌 1)와 마찬가지의 구성의 포토마스크에 있어서, 하드 마스크막을 다층으로 하여 하드 마스크막을 형성했을 때에 발생하는 응력을 완화시켜, 포토마스크의 제조 과정에 있어서의 가공 정밀도 저하의 방지를 시도하고 있다.
일본 특허 공개 제2007-241060호 공보 일본 특허 공개 제2010-237499호 공보 일본 특허 공개(평) 7-140635호 공보
ArF 엑시머 레이저광을 사용하는 광 리소그래피는, 액침법, 더블 패터닝법 등의 도입에 의해, 반도체 가공 프로세스 기준으로 하여 20㎚ 노드까지는 확실하게 연명되어, 더욱 미세한 구조에 사용될 가능성도 부정할 수 없다. 이러한 미세한 패턴을 얻기 위한 포토마스크는, 허용되는 오차가 당연히 작아져, 보다 고정밀도의 패턴 가공이 필요해진다.
또한, 디바이스의 복층 구조를 형성하기 위하여, 복수매의 포토마스크를 사용하는 경우에는 높은 중첩 정밀도가 필요해진다. 그리고, 그 중첩 정밀도는, 패턴의 미세화에 수반하여 보다 높은 것으로 되어야 한다.
그러나, 차광막에 응력이 발생하고 있는 경우, 포토마스크 블랭크로부터, 레지스트 도포, 노광, 현상, 에칭, 레지스트 박리의 각 공정을 거쳐, 차광막의 패턴 형성을 행할 때 차광막의 막 응력이 부분적으로 개방되어 변형을 일으켜, 그 결과, 최종적으로 얻어지는 포토마스크 패턴에 변형을 일으키게 된다. 포토마스크에, 이러한 변형이 있으면, 포토마스크의 패턴 위치 정밀도는 저하된다.
크롬계 재료막의 막 응력을 저감시키는 방법으로서는, 산소의 함유율을 높이는 것을 들 수 있다. 그러나, 산소의 함유율을 높이면, 투과율이 상승하는 경향이 있다. 그로 인해, 원하는 광학 농도를 얻기 위하여 막 두께를 두껍게 할 필요가 생긴다.
막 두께를 두껍게 한 경우, 패턴이 미세한 경우에는 애스펙트비가 높아져, 패턴 도괴 등의 문제가 발생되기 때문에, 막 두께가 두꺼운 차광막은 미세 가공이 필요한 포토마스크의 제조에 적합하지 않다.
본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 차광막 등에 사용되는 크롬계 재료막으로서, 단위 막 두께당 광학 농도가 높고, 막 응력이 작은 박막을 갖는 포토마스크 블랭크를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위하여 예의 검토를 거듭한 결과, 크롬계 재료막을 차광막으로 하고, 크롬계 재료막으로서, 그의 단위 막 두께당 파장 193㎚의 광학 농도가 0.050/㎚ 이상이고, 또한 각 변 152㎜, 두께 6.35㎜의 석영 기판 상에 성막하고, 150℃ 이상에서 10분간 이상 열처리했을 때의 휨량이 50㎚ 이하로 되는 인장 응력 또는 압축 응력을 갖는 것을 사용함으로써, 크롬계 재료막의 단위 막 두께당 광학 농도를 높게 유지하면서, 막 응력을 저감시킨 크롬계 재료의 차광막을 갖는 포토마스크 블랭크를 제공할 수 있는 것을 발견하여, 본 발명을 이루기에 이르렀다.
따라서, 본 발명은 이하의 포토마스크 블랭크를 제공한다.
청구항 1:
석영 기판과, 해당 석영 기판 상에 형성된 크롬계 재료막을 갖는 포토마스크 블랭크이며,
상기 크롬계 재료막이 차광막이며, 상기 크롬계 재료막의 단위 막 두께당 파장 193㎚의 광학 농도가 0.050/㎚ 이상이고, 또한 상기 크롬계 재료막이, 각 변 152㎜, 두께 6.35㎜의 석영 기판 상에 성막하고, 150℃ 이상에서 10분간 이상 열처리했을 때의 상기 크롬계 재료막의 휨량이 50㎚ 이하로 되는 인장 응력 또는 압축 응력을 갖는 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
청구항 2:
제1항에 있어서, 상기 휨량이 30㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
청구항 3:
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 광학 농도가 0.054/㎚ 이상인 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
청구항 4:
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 크롬계 재료막의 막 두께가 4㎚ 이상 50㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
청구항 5:
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열처리의 온도가 300℃ 이하인 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
청구항 6:
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 크롬계 재료막이 질소, 산소, 탄소 및 수소로부터 선택되는 적어도 하나를 함유하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
청구항 7:
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 크롬계 재료막이 CrN막인 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
청구항 8:
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 크롬계 재료막이 단층막인 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
본 발명에 따르면, 크롬계 재료막의 단위 막 두께당 광학 농도를 높게 유지하면서, 막 응력을 저감시킨 크롬계 재료의 박막을 갖는 포토마스크 블랭크를 제공할 수 있고, 이에 의해, 고정밀도의 크롬계 재료막의 패턴 제작이 가능해진다. 그리고, 본 발명의 포토마스크 블랭크를 사용하여 포토마스크로의 가공을 행함으로써, 특히 20㎚ 노드 이하의 리소그래피에 사용하는 포토마스크의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
이하, 본 발명에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
본 발명의 포토마스크 블랭크는 석영 기판과, 석영 기판 상에 형성된 차광막을 갖고, 이 차광막은 크롬계 재료막이다. 그리고, 이 크롬계 재료막은,
(i) 크롬계 재료막의 단위 막 두께당 파장 193㎚의 광학 농도가 0.050/㎚ 이상, 바람직하게는 0.054/㎚ 이상이고, 또한
(ii) 크롬계 재료막이, 각 변 152㎜, 두께 6.35㎜의 석영 기판 상에 성막하고, 150℃ 이상, 바람직하게는 150℃ 이상 300℃ 이하에서, 10분간 이상 열처리했을 때의 크롬계 재료막의 휨량이 50㎚ 이하, 바람직하게는 30㎚ 이하로 되는 인장 응력 또는 압축 응력을 갖는다
는 특징을 구비한다.
포토마스크 블랭크의 가공을 행할 때, 막 응력이 큰 경우, 패턴 형성을 행할 때 막 응력이 부분적으로 개방되어, 최종적으로 얻어지는 포토마스크에 변형을 일으킨다. 이 변형에 의해 포토마스크의 패턴 위치 정밀도는 저하되어 버린다.
또한, 단위 막 두께당 광학 농도가 낮은 경우, 원하는 광학 농도를 얻기 위하여 필요한 막 두께가 두꺼워져, 패턴 형성 시에 패턴 도괴 등의 문제가 발생된다. 패턴 도괴 등이 발생하면 하방의 박막에 원하는 패턴을 형성할 수 없다.
본 발명의 포토마스크 블랭크는, 단위 막 두께당 광학 농도를 높이고, 막 응력을 저감시킨 크롬계 재료막을 성막한 포토마스크 블랭크이며, 크롬계 재료막의 패턴 위치 정밀도가 향상된, 보다 얇은 크롬계 재료막을 갖는 포토마스크 블랭크이다.
크롬계 재료막은 다층막일 수도 있지만, 단층막인 것이 보다 바람직하다. 또한, 크롬계 재료막의 막 두께는 4㎚ 이상 50㎚ 이하인 것이 바람직하다.
또한, 크롬계 재료막은 질소, 산소, 탄소 및 수소로부터 선택되는 적어도 하나를 함유하는 크롬계 재료막인 것이 바람직하지만, 특히 크롬 및 질소를 포함하는 CrN막인 것이 바람직하다. 이 경우, 크롬의 함유율은 70원자％ 이상 90원자％ 이하, 질소의 함유율은 10원자％ 이상 30원자％ 이하인 것이 바람직하다.
크롬계 재료막의 산소 함유율을 높이면, 막 응력을 저감시킬 수 있지만, 단위 막 두께당 광학 농도가 낮아지고, 막 두께가 두꺼워져 버린다. 한편, 크롬의 함유율을 높이면, 단위 막 두께당 광학 농도는 높아지고, 막 두께는 얇아지지만, 막 응력이 커지는 경향이 있다. 본 발명의 포토마스크 블랭크의 크롬계 재료막은, 성막 시의 조건, 경원소의 함유율을 설정함으로써, 원하는 광학 농도와 막 응력을 갖는 크롬계 재료막을 성막한다.
본 발명에 사용하는 크롬계 재료막의 성막은, 스퍼터링법에 의해 행할 수 있다. 스퍼터링 방법은 DC 스퍼터링, RF 스퍼터링 중 어느 것이든 좋지만, 예를 들어 일본 특허 공개 (평)7-140635호 공보(특허문헌 3) 등에 기재되어 있으며, 공지의 어느 한 방법을 사용할 수도 있다. 또한, 타깃은 전형적으로는 크롬 타깃이 사용되지만, 질소를 함유하는 크롬 타깃을 사용할 수도 있다.
스퍼터링은, 반응성 스퍼터링이 바람직하고, 스퍼터 가스로서는, 공지의 불활성 가스와 반응성 가스가 사용되고, 구체적으로는 불활성 가스로서 아르곤 가스(Ar 가스) 등과, 반응성 가스로서 질소 가스(N2 가스), 산화질소 가스(N2O 가스, NO2 가스), 산소 가스(O2 가스), 산화탄소 가스(CO 가스, CO2 가스) 등의 조합에 의해, 특히 CrN막을 성막하는 경우는, 불활성 가스로서 아르곤 가스(Ar 가스)와, 반응성 가스로서 질소 가스(N2 가스)의 조합에 의해, 원하는 조성이 얻어지도록 조정하는 것이 바람직하다. 또한, 다층막으로 하기 위하여, 단계적 또는 연속적으로 조성이 변화하는 막을 얻는 방법으로서는, 예를 들어 사용하는 스퍼터 가스의 조성을 단계적 또는 연속적으로 변화시키면서 성막하는 방법을 들 수 있다.
성막 시의 가스압은, 막의 응력, 내약품성, 세정 내성 등을 고려하여 적절히 설정하면 되며, 통상 0.01 내지 1Pa, 특히 0.03 내지 0.3Pa로 함으로써, 내약품성이 향상된다. 또한, 각 가스 유량은, 원하는 조성으로 되도록 적절히 설정하면 되며, 통상 0.1 내지 100sccm으로 하면 된다. 이 경우, 불활성 가스에 대한 반응성 가스의 유량비가 1 이상인 것이 바람직하고, 2 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, 스퍼터 타겟에 투입하는 전력은 타깃의 크기, 냉각 효율, 성막의 컨트롤의 용이함 등에 의해 적절히 설정하면 되며, 통상 타깃의 스퍼터면의 면적당 전력으로서, 0.1 내지 10W/㎠로 하면 된다.
본 발명의 포토마스크 블랭크는, ArF 엑시머 레이저광(파장 193㎚)을 노광 파장으로 하는 포토리소그래피에 사용되는 포토마스크를 제조하기 위한 소재로서 적합하다.
[실시예]
이하, 실시예 및 비교예를 나타내어 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1]
DC 스퍼터 장치를 사용하여, CrN을 포함하는 크롬계 재료막(두께 44㎚)을 성막했다. 스퍼터 가스로서는, 아르곤 가스와 질소 가스를 유량비로 Ar:N2=1:1(몰비)로 하여 사용하여, 챔버 내의 가스압이 0.04Pa로 되도록 조정했다. 타깃으로서는 Cr을 사용하여, 기판을 30rpm으로 회전시키면서 성막했다.
얻어진 크롬계 재료막에 대하여, ArF 엑시머 레이저(193㎚)에 있어서의 투과율을 레이저테크(Lasertec)사제 MPM193에 의해 측정하여, 단위 막 두께당 광학 농도를 구했다. 표 1에 단위 막 두께당 광학 농도를 나타낸다.
또한, 얻어진 크롬계 재료막을 150℃에서, 10분간 열처리하고, 크롬계 재료막 성막 전의 투명 기판의 휨량을 기준으로 하여, 열처리 후의 크롬계 재료막의 휨량을 구했다. 휨량은 트로펠(TROPEL)사제 울트라플랫(UltlaFlat)에 의해 측정했다. 표 1에 휨량을 나타낸다. 휨량의 값이 양인 경우는, 응력이 인장 응력에 의한 휨, 음인 경우는, 응력이 압축 응력에 의한 휨인 것을 나타낸다.
[실시예 2]
DC 스퍼터 장치를 사용하여, CrN을 포함하는 크롬계 재료막(두께 45㎚)을 성막했다. 스퍼터 가스로서는, 아르곤 가스와 질소 가스를 유량비로 Ar:N2=1:1.5(몰비)로 하여 사용하여, 챔버 내의 가스압이 0.05Pa로 되도록 조정했다. 타깃으로서는 Cr을 사용하여, 기판을 30rpm으로 회전시키면서 성막했다. 얻어진 크롬계 재료막에 대하여, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 단위 막 두께당 광학 농도와, 휨량을 구했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
[비교예 1]
DC 스퍼터 장치를 사용하여, CrN을 포함하는 크롬계 재료막(두께 43㎚)을 성막했다. 스퍼터 가스로서는, 아르곤 가스와 질소 가스를 유량비로 Ar:N2=2.5:2(몰비)로 하여 사용하여, 챔버 내의 가스압이 0.07Pa로 되도록 조정했다. 타깃으로서는 Cr을 사용하여, 기판을 30rpm으로 회전시키면서 성막했다. 얻어진 크롬계 재료막에 대하여, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 단위 막 두께당 광학 농도와 휨량을 구했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
[비교예 2]
DC 스퍼터 장치를 사용하여, CrON을 포함하는 크롬계 재료막(두께 44㎚)을 성막했다. 스퍼터 가스로서는, 아르곤 가스와 질소 가스와 산소 가스를 유량비로 Ar:N2:O2=2.5:7.5:4(몰비)로 하여 사용하여, 챔버 내의 가스압이 0.13Pa로 되도록 조정했다. 타깃으로서는 Cr을 사용하여, 기판을 30rpm으로 회전시키면서 성막했다. 얻어진 크롬계 재료막에 대하여, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 단위 막 두께당 광학 농도와 휨량을 구했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
Figure pat00001
비교예 1의 경우, 크롬계 재료막 성막 시에, 불활성 가스에 대한 반응성 가스의 유량비를 낮춤으로써, 단위 막 두께당 광학 농도가 높아지지만, 휨이 커져 버린다. 한편, 비교예 2의 경우, 크롬계 재료막 성막 시에, 불활성 가스에 대한 반응성 가스의 유량비를 높임으로써, 휨은 작아지지만, 단위 막 두께당 광학 농도가 낮아져 버린다. 이들에 대하여, 실시예 1, 2에서는, 단위 막 두께당 광학 농도 및 휨량의 양쪽이, 실용상 적합한 크롬계 재료막으로 되어 있다.
실시예 1 및 실시예 2의 크롬계 재료막은, 단위 막 두께당 광학 농도를 높게 유지하면서, 막 응력을 저감시킨 크롬계 재료의 박막을 갖는 포토마스크 블랭크를 제공하는 것을 가능하게 한다. 이에 의해, 종래보다도 고정밀도의 크롬계 재료막의 패턴 제작이 가능해진다. 그리고, 본 발명의 포토마스크 블랭크를 사용하여 포토마스크로의 가공을 행함으로써, 특히 20㎚ 노드 이하의 리소그래피에 사용하는 포토마스크의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

Claims (8)

  1. 석영 기판과, 해당 석영 기판 상에 형성된 크롬계 재료막을 갖는 포토마스크 블랭크이며,
    상기 크롬계 재료막이 차광막이며, 상기 크롬계 재료막의 단위 막 두께당 파장 193㎚의 광학 농도가 0.050/㎚ 이상이고, 또한 상기 크롬계 재료막이, 각 변 152㎜, 두께 6.35㎜의 석영 기판 상에 성막하고, 150℃ 이상에서 10분간 이상 열처리했을 때의 상기 크롬계 재료막의 휨량이 50㎚ 이하로 되는 인장 응력 또는 압축 응력을 갖는 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 휨량이 30㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 광학 농도가 0.054/㎚ 이상인 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 크롬계 재료막의 막 두께가 4㎚ 이상 50㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 열처리의 온도가 300℃ 이하인 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 크롬계 재료막이 질소, 산소, 탄소 및 수소로부터 선택되는 적어도 하나를 함유하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 크롬계 재료막이 CrN막인 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 크롬계 재료막이 단층막인 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
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