JP6458972B2 - フォトマスク、前記フォトマスクを含む積層体、前記フォトマスクの製造方法および前記フォトマスクを用いるパターン形成方法 - Google Patents

Description

本出願は、２０１５年７月２８日付で韓国特許庁に出願された韓国特許出願第１０−２０１５−０１０６８３３号の出願日の利益を主張し、その内容のすべては本明細書に組み込まれる。

本明細書は、フォトマスク、前記フォトマスクを含む積層体、前記フォトマスクの製造方法および前記フォトマスクを用いるパターン形成方法に関する。

ディスプレイ装置のパターンを形成する場合に、基板にパターンを形成する方法のうち、フォトマスクを用いたフォトリソグラフィ法が多く使用されている。

前記フォトリソグラフィ法は、フォトレジスト（ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ）を基材上に均一に塗布し、露光（ｅｘｐｏｓｉｎｇ）装備とフォトマスクを用いてフォトマスク上のパターンを露光させた後、現像（ｄｅｖｅｌｏｐｉｎｇ）、ポストベーク過程を経て所望のパターンを形成させるすべての工程をいう。

前記フォトレジスト層がポジティブ（ｐｏｓｉｔｉｖｅ）レジスト層であれば、露光した領域でレジスト層材料の化学的変化が生じ、前記材料は現像時にレジスト層から離れていく。これに対し、フォトレジスト層がネガティブ（ｎｅｇａｔｉｖｅ）レジスト層であれば、現像時に露光しない材料が離れていく。

この時、フォトリソグラフィ法は、マスクパターンが形成された透過性基板をフォトマスクとして配置し、前記フォトマスク上に光を照射してレジスト膜に所定形状のレジストパターンを形成する。

本明細書は、フォトマスク、前記フォトマスクを含む積層体、前記フォトマスクの製造方法および前記フォトマスクを用いるパターン形成方法を提供する。

本明細書は、第１基板上に備えられた第１遮光マスクパターンを含む第１ユニットと、第２基板上に備えられた第２遮光マスクパターンを含む第２ユニットと、前記第１ユニットの第１遮光マスクパターンが備えられた面と、前記第２ユニットの第２遮光マスクパターンが備えられた面との間に位置する中間層と、前記第２ユニットの、中間層の備えられた面と反対面に位置する透明平坦層とを含むフォトマスクを提供する。

また、本明細書は、基材（ｂａｓｅ ｐｌａｔｅ）上に備えられたフォトレジスト層を含む露光対象物および第１基板上に備えられた第１遮光マスクパターンを含む第１ユニットと、第２基板上に備えられた第２遮光マスクパターンを含む第２ユニットと、前記第１ユニットの第１遮光マスクパターンが備えられた面と前記第２ユニットの第２遮光マスクパターンが備えられた面との間に位置する中間層と、前記第２ユニットの、中間層の備えられた面と反対面に位置する透明平坦層とを含むフォトマスクを含み、前記露光対象物のフォトレジスト層は、フォトマスクの透明平坦層と接触するものである積層体を提供する。

また、本明細書は、第１基板上に備えられた第１遮光マスクパターンを含む第１ユニット、および第２基板上に備えられた第２遮光マスクパターンを含む第２ユニットを準備するステップと、前記第１ユニットの第１遮光マスクパターンが備えられた面上に中間層を形成した後、前記中間層上に第２ユニットを積層するステップと、前記第２ユニットの、中間層の備えられた面と反対面に透明平坦層を形成するステップとを含むフォトマスクの製造方法を提供する。

さらに、本明細書は、基材（ｂａｓｅ ｐｌａｔｅ）上に備えられたフォトレジスト層を含む露光対象物を準備するステップと、第１基板上に備えられた第１遮光マスクパターンを含む第１ユニットと、第２基板上に備えられた第２遮光マスクパターンを含む第２ユニットと、前記第１ユニットの第１遮光マスクパターンが備えられた面と前記第２ユニットの第２遮光マスクパターンが備えられた面との間に位置する中間層と、前記第２ユニットの、中間層の備えられた面と反対面に位置する透明平坦層とを含むフォトマスクの透明平坦層と、前記露光対象物のフォトレジスト層とを接触するようにラミネートするステップと、前記フォトマスクの第１基板側から光を照射する露光ステップと、露光後、前記露光対象物から前記フォトマスクを分離するステップとを含むものであるパターン形成方法を提供する。

本明細書に係るフォトマスクは、大面積または広幅のフォトマスクを製造することができる。

本明細書に係るフォトマスクは、透明平坦層の適用により、露光対象物のフォトレジスト層と遮光パターン層との接触で発生する汚染を防止することができる。

本明細書の一実施態様に係るフォトマスクの製造方法を示すフローチャートである。 本明細書の一実施態様に係るフォトマスクの遮光マスクパターンを示す平面図である。 本明細書の一実施態様に係るフォトマスクを用いたパターン形成方法を示すフローチャートである。 本明細書の一実施態様に係るフォトマスクを用いて製造されたパターンのイメージである。 比較例１のフォトマスクの製造方法を示すフローチャートである。 比較例２のフォトマスクの製造方法を示すフローチャートである。

以下、本明細書について詳細に説明する。

本明細書は、第１基板上に備えられた第１遮光マスクパターンを含む第１ユニットと、第２基板上に備えられた第２遮光マスクパターンを含む第２ユニットと、前記第１ユニットの第１遮光マスクパターンが備えられた面と前記第２ユニットの第２遮光マスクパターンが備えられた面との間に位置する中間層と、前記第２ユニットの、中間層の備えられた面と反対面に位置する透明平坦層とを含むフォトマスクを提供する。

前記第１ユニットは、第１基板上に備えられた第１遮光マスクパターンを含み、前記第２ユニットは、第２基板上に備えられた第２遮光マスクパターンを含んでもよい。

前記第１基板および第２基板の材質は特に限定はないが、遮光マスクパターンおよび中間層との接着性が良く、フォトマスクの基板としてフォトマスクを透過する光に最小限の影響を及ぼすものが好ましい。

前記第１基板および第２基板はそれぞれ、剛性基板またはフレキシブル基板であってもよい。前記フレキシブル基板は、プラスチック基板またはプラスチックフィルムであってもよい。前記プラスチック基板またはプラスチックフィルムは特に限定はないが、例えば、ポリアクリレート（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅ）、ポリプロピレン（ＰＰ、ｐｏｌｙｐｒｏｐｙｌｅｎｅ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ、ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリエチレンエーテルフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｅｔｈｅｒ ｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリエチレンフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリブチレンフタレート（ｐｏｌｙｂｕｔｈｙｌｅｎｅ ｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ；Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリカーボネート（ＰＣ；ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）、ポリスチレン（ＰＳ、ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ）、ポリエーテルイミド（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒ ｉｍｉｄｅ）、ポリエーテルスルホン（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒ ｓｕｌｆｏｎｅ）、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ；ｐｏｌｙｄｉｍｅｔｈｙｌ ｓｉｌｏｘａｎｅ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ；Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｅｔｈｅｒｋｅｔｏｎｅ）、およびポリイミド（ＰＩ；ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）のうちのいずれか１つ以上を含んでもよい。

前記第１基板および第２基板はそれぞれ、透明度が高い基板を用いることができ、前記第１基板および第２基板の光透過度は５０％以上であってもよい。

前記第１基板および第２基板の屈折率はそれぞれ、中間層の屈折率と差が少ないことが好ましく、前記第１基板および第２基板の屈折率はそれぞれ１．４５以上１．６５以下であってもよい。

前記第１基板および第２基板は、同一または異なる材質からなってもよいが、前記第１基板および第２基板は、同一の材質からなることが好ましい。

前記第１ユニットの第１遮光マスクパターンは、前記第２ユニットの第２遮光マスクパターンと一部が重なるか、前記第１ユニットの第１遮光マスクパターンは、前記第２ユニットの第２遮光マスクパターンと重ならなくてもよい。具体的には、前記第１ユニットの第１遮光マスクパターンは、前記第２ユニットの第２遮光マスクパターンと一部が重なってもよい。

図２に示されているように、前記第１ユニットの第１遮光マスクパターンは、前記第２ユニットの第２遮光マスクパターンと一部が重なってもよい。

前記第１ユニットの第１遮光マスクパターンが備えられた面と前記第２ユニットの第２遮光マスクパターンが備えられた面とは、互いに対向してもよい。図１に示されているように、前記第１ユニットの第１遮光マスクパターンが備えられた面と前記第２ユニットの第２遮光マスクパターンが備えられた面とは、互いに対向してもよい。

前記中間層は、第１ユニットの第１遮光マスクパターンが備えられた面と前記第２ユニットの第２遮光マスクパターンが備えられた面との間に位置し、第１ユニットと第２ユニットとを接着可能な接着力を有し、フォトマスクを透過する光に最小限の影響を及ぼすものが好ましい。

前記中間層は、シリコーン系樹脂を含んでもよいし、具体的には、シロキサン系樹脂を含んでもよく、さらに具体的には、ＰＤＭＳ（ｐｏｌｙｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｏｘａｎｅ）を含んでもよい。

前記中間層の厚さは１μｍ以上５００μｍ以下であってもよいが、これに限定されない。

前記透明平坦層は、第２ユニットの、中間層の備えられた面と反対面に位置し、第２ユニットの中間層が備えられた面の反対面は、平坦な層である。前記透明平坦層のうち、第２ユニットの、中間層が備えられた面の反対面の平坦化度を示す表面粗さ（Ｒａ）は０．１ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることが好ましい。

前記透明平坦層は、遮光マスクパターンによって遮断されず、フォトマスクを透過する光に最小限の影響を及ぼすものが好ましい。前記透明平坦層は、透明度が高い材料を用いることができ、前記透明平坦層の光透過度は５０％以上であってもよい。

前記透明平坦層の屈折率は、第１基板、第２基板、および中間層の屈折率と差が少ないことが好ましく、前記透明平坦層の屈折率は１．４３以上１．４９以下であってもよい。

前記透明平坦層の厚さは１μｍ以上５００μｍ以下であってもよい。具体的には、前記透明平坦層の厚さは１μｍ以上５０μｍ以下であってもよい。

前記透明平坦層は、平坦層を形成できるように塗布特性に優れ、光透過度が高く、他の物体の表面に付着し分離できるように粘着性と離型性を有することが好ましい。

前記透明平坦層は、シリコーン系樹脂を含んでもよいし、具体的には、シロキサン系樹脂を含んでもよく、さらに具体的には、ＰＤＭＳ（ｐｏｌｙｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｏｘａｎｅ）を含んでもよい。

前記透明平坦層は、中間層と同一または異なるシリコーン系樹脂を含んでもよい。前記透明平坦層は、中間層と同一のシリコーン系樹脂を含むことが好ましい。

本明細書は、基材（ｂａｓｅ ｐｌａｔｅ）上に備えられたフォトレジスト層を含む露光対象物、および第１基板上に備えられた第１遮光マスクパターンを含む第１ユニットと、第２基板上に備えられた第２遮光マスクパターンを含む第２ユニットと、前記第１ユニットの第１遮光マスクパターンが備えられた面と前記第２ユニットの第２遮光マスクパターンが備えられた面との間に位置する中間層と、前記第２ユニットの、中間層の備えられた面と反対面に位置する透明平坦層とを含むフォトマスクを含み、前記露光対象物のフォトレジスト層は、フォトマスクの透明平坦層と接触するものである積層体を提供する。

前記基材の材質は特に限定はないが、前記基材は、剛性材質または軟性材質であってもよい。

前記剛性材質は、ガラス、金属、剛性プラスチック、または厚いプラスチックを含んでもよい。

前記軟性材質は、軟性プラスチックまたは薄いプラスチックを含んでもよい。

前記基材の厚さは１５μｍ以上２ｍｍ以下であってもよいが、これに限定されない。

前記フォトレジスト層（ＰＲ、Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ）は、光に露出することによって現像液に対する耐性が変化する高分子を含む層を意味し、前記フォトレジスト層は、ポジティブフォトレジスト層またはネガティブフォトレジスト層であってもよい。具体的には、前記フォトレジスト層は、ポジティブフォトレジスト層であることが好ましい。

前記フォトレジスト層の厚さは１００ｎｍ以上１０μｍ以下であってもよいが、これに限定されない。

前記露光対象物は、前記基材と前記フォトレジスト層との間に備えられた金属層をさらに含んでもよい。

前記金属層の材質は特に限定はないが、前記金属層は、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、および銀（Ａｇ）のうちの少なくとも１つからなってもよい。

前記積層体におけるフォトマスクに関する説明は、上述したフォトマスクに関する説明を引用することができる。

本明細書は、第１基板上に備えられた第１遮光マスクパターンを含む第１ユニット、および第２基板上に備えられた第２遮光マスクパターンを含む第２ユニットを準備するステップと、前記第１ユニットの第１遮光マスクパターンが備えられた面上に中間層を形成した後、前記中間層上に第２ユニットを積層するステップと、前記第２ユニットの、中間層の備えられた面と反対面に透明平坦層を形成するステップとを含むフォトマスクの製造方法を提供する。

前記フォトマスクの製造方法は、第１基板上に備えられた第１遮光マスクパターンを含む第１ユニット、および第２基板上に備えられた第２遮光マスクパターンを含む第２ユニットを準備するステップを含んでもよい。

前記第１基板および第２基板上にそれぞれ第１遮光マスクパターンおよび第２遮光マスクパターンを形成する方法はそれぞれ、インクジェットプリンティング、グラビアプリンティング、グラビアオフセットプリンティング、スクリーンプリンティング、リバースオフセットプリンティング、およびフォトリソグラフィであってもよい。具体的には、前記第１基板および第２基板上にそれぞれ第１遮光マスクパターンおよび第２遮光マスクパターンを形成する方法は、フォトリソグラフィであってもよいし、基板上に遮光マスク金属を蒸着しエッチングレジストパターンを形成した後、エッチング工程によりエッチングレジストパターンが備えられていない領域の金属を選択的に除去し、最終的に遮光マスクパターン上のエッチングレジストパターンを剥離して遮光マスクパターンを形成することができる。

前記第１ユニットおよび第２ユニットに関する説明は、上述したところを引用することができる。

前記フォトマスクの製造方法は、前記第１ユニットの第１遮光マスクパターンが備えられた面上に中間層を形成した後、前記中間層上に第２ユニットを積層するステップを含んでもよい。

前記中間層を形成する方法は、前記第１ユニットの第１遮光マスクパターンが備えられた面上に中間層を形成するための組成物を塗布した後、前記組成物を乾燥および硬化するステップを含んでもよい。

前記中間層上に第２ユニットを積層するステップは、前記中間層上に第２ユニットの第２基板が接触するように積層したり、前記中間層上に第２ユニットの第２遮光マスクパターンが備えられた第２基板の面が接触するように積層することができる。具体的には、前記中間層上に第２ユニットを積層するステップは、前記中間層上に第２ユニットの第２遮光マスクパターンが備えられた第２基板の面が接触するように積層することが好ましい。すなわち、前記第１ユニットの第１遮光マスクパターンが備えられた面と前記第２ユニットの第２遮光マスクパターンが備えられた面とは、互いに対向することが好ましい。

前記フォトマスクの製造方法は、前記第２ユニットの、中間層の備えられた面と反対面に透明平坦層を形成するステップを含んでもよい。

前記透明平坦層を形成するステップは、透明平坦層を形成するための組成物を、前記第２ユニットの、中間層の備えられた面と反対面に塗布するステップと、前記組成物を乾燥および硬化させるステップとを含んでもよい。この時、塗布、乾燥および硬化方法は、当技術分野で一般的に使用する方法を採用することができる。

前記透明平坦層を形成するための組成物は、シリコーン系樹脂を含んでもよいし、具体的には、シロキサン系樹脂を含んでもよく、さらに具体的には、ＰＤＭＳ（ｐｏｌｙｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｏｘａｎｅ）を含んでもよい。

前記中間層を形成するための組成物および透明平坦層を形成するための組成物はそれぞれ、シリコーン系樹脂を含んでもよく、前記中間層を形成するための組成物は、透明平坦層を形成するための組成物と同一または異なるシリコーン系樹脂を含んでもよい。前記中間層を形成するための組成物は、透明平坦層を形成するための組成物と同一のシリコーン系樹脂を含むことが好ましい。

前記中間層を形成するための組成物および透明平坦層を形成するための組成物はそれぞれ、硬化剤をさらに含んでもよい。前記硬化剤は特に限定はなく、当技術分野で一般的に使用する材質を選択することができる。

本明細書は、基材（ｂａｓｅ ｐｌａｔｅ）上に備えられたフォトレジスト層を含む露光対象物を準備するステップと、第１基板上に備えられた第１遮光マスクパターンを含む第１ユニットと、第２基板上に備えられた第２遮光マスクパターンを含む第２ユニットと、前記第１ユニットの第１遮光マスクパターンが備えられた面と前記第２ユニットの第２遮光マスクパターンが備えられた面との間に位置する中間層と、前記第２ユニットの、中間層の備えられた面と反対面に位置する透明平坦層とを含むフォトマスクの透明平坦層と、前記露光対象物のフォトレジスト層とを接触するようにラミネートするステップと、前記フォトマスクの第１基板側から光を照射する露光ステップと、露光後、前記露光対象物から前記フォトマスクを分離するステップとを含むものであるパターン形成方法を提供する。

前記パターン形成方法において、上述した説明と重複する説明は省略し、上述した説明を引用することができる。

前記パターン形成方法は、前記フォトマスクを分離した後、露光した露光対象物を現像してフォトレジストパターンを形成するステップをさらに含んでもよい。

前記露光した露光対象物を現像する方法は、現像液を露光した露光対象物に塗布する方式でフォトレジストパターンを形成したり、露光した露光対象物を現像液に浸漬する方式でフォトレジストパターンを形成することができる。

前記露光対象物が前記基材と前記フォトレジスト層との間に備えられた金属層をさらに含む場合、前記フォトマスクを分離した後、露光した露光対象物を現像してフォトレジストパターンを形成するステップと、前記金属層のフォトレジストパターンの形成されていない部分をエッチングして金属パターンを形成するステップとをさらに含んでもよい。

前記金属パターンを形成するステップは、前記金属層のフォトレジストパターンの形成されていない部分をエッチングするステップと、金属層をエッチングした後、フォトレジストパターンを除去するステップとを含んでもよい。

以下、実施例によって本明細書をより詳細に説明する。しかし、以下の実施例は本明細書を例示するためのものに過ぎず、本明細書を限定するためのものではない。

［実施例１］
フィルムフォトマスクの製造
５００ｍｍ×５００ｍｍの大きさの第１ユニットの第１遮光マスクパターンが備えられた面上に、シリコーン系樹脂組成物をベーカーアプリケータを用いて１００μｍの厚さに塗布した後、７０℃で１０分間乾燥して、最終的に３０μｍの厚さの中間層を形成した。前記シリコーン系樹脂組成物は、信越社の主要物質（製品名ＫＥ−１６０６）と硬化剤（製品名ＣＡＴ−ＲＧ）を１０：１．５の比率で配合したものを使用した。

前記中間層上に５００ｍｍ×５００ｍｍの大きさの第２ユニットの第２遮光マスクパターンが備えられた面を対向するように貼合した。

前記第１、第２ユニットは、１００μｍの厚さのＰＥＴ基材上に、線幅１０μｍ、線間距離３００μｍ、線高さ１００ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）メッシュパターンを備えた。

前記第２ユニットの、中間層の備えられた面と反対面に、前記シリコーン系樹脂組成物を、ベーカーアプリケータを用いて１００μｍの厚さに塗布した後、１００℃で１０分間乾燥および熱硬化して、最終的に３０μｍの厚さの透明平坦層を形成して、図１のようなフィルムフォトマスクを製造した。

露光対象物の製造およびパターニング
１００μｍの厚さのＰＥＴ基材上に、ノボラック樹脂とジアゾナフトキノン誘導体で構成されているポジティブフォトレジストを、スロットダイコータを用いて１．５μｍの厚さに塗布した。

製造されたフィルムフォトマスクと前記露光対象物を、ロールラミネータを用いて、図３のように貼合した。

前記貼合された積層体をコリメーションレンズが備えられた平行光露光器を用いて露光した後、フィルムフォトマスクを露光対象物から分離し、Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ ａｍｍｏｕｎｉｕｍ ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ（ＴＭＡＨ）２．３８ｗｔ％の濃度の現像液に露光対象物を５０秒間浸漬して、フォトレジストパターンを形成した。

［実施例２］
第１ユニットおよび第２ユニットのメッシュパターンが図４のように重なるように配置したことを除き、実施例１と同様に、フィルムフォトマスクを製造し、製造されたフィルムフォトマスクを用いて露光対象物にフォトレジストパターンを形成した。

その結果、図４のように、第１ユニットの第１遮光マスクパターンによって形成されたフォトレジストパターンと、第２ユニットの第２遮光マスクパターンによって形成されたフォトレジストパターンの線幅が同一であることが分かる。

［比較例１］
実施例における透明平坦層を形成しないことを除いて同様に製造し、比較例１の構造を図５に示した。

比較例１を用いる場合、フォトマスクと印刷対象物のフォトレジストとの接触時、浮き上がり現象が発生し、表面汚染が発生した。

［比較例２］
実施例における中間層を、第２ユニットの遮光パターンが備えられた面の反対面に形成することを除いて同様に製造し、比較例２の構造を図６に示した。

比較例２を用いる場合、第１遮光パターンによって形成されたフォトレジストパターンと、第２遮光パターンによって形成されたフォトレジストパターンの線幅が異なることが分かる。

Claims (13)

1. 第１基板上に備えられた第１遮光マスクパターンを含む第１ユニットと、
   第２基板上に備えられた第２遮光マスクパターンを含む第２ユニットと、
   前記第１ユニットの前記第１遮光マスクパターンが備えられた面と前記第２ユニットの前記第２遮光マスクパターンが備えられた面との間に位置する中間層と、
   前記第２ユニットの、前記中間層側の面と反対面に位置する透明平坦層と
   を含み、
   前記第１ユニットの前記第１遮光マスクパターンは、
   前記第２ユニットの前記第２遮光マスクパターンと重ならないものである、
   フォトマスク。
2. 前記第１ユニットの前記第１遮光マスクパターンが備えられた面と
   前記第２ユニットの前記第２遮光マスクパターンが備えられた面とは、
   互いに対向するものである、
   請求項１に記載のフォトマスク。
3. 前記中間層と前記透明平坦層はそれぞれ、
   シリコーン系樹脂を含むものである、
   請求項１又は２に記載のフォトマスク。
4. 基材（ｂａｓｅ ｐｌａｔｅ）上に備えられたフォトレジスト層を含む露光対象物および請求項１から３のいずれか１項に記載のフォトマスクを含み、
   前記露光対象物の前記フォトレジスト層は、
   前記フォトマスクの前記透明平坦層と接触するものである
   積層体。
5. 前記フォトレジスト層は、
   ポジティブフォトレジスト層である、
   請求項４に記載の積層体。
6. 前記露光対象物は、
   前記基材と前記フォトレジスト層との間に備えられた金属層をさらに含むものである、
   請求項４または５に記載の積層体。
7. 前記第１ユニットの前記第１遮光マスクパターンが備えられた面と
   前記第２ユニットの前記第２遮光マスクパターンが備えられた面とは、
   互いに対向するものである、
   請求項４から６のいずれか１項に記載の積層体。
8. 第１基板上に備えられた第１遮光マスクパターンを含む第１ユニット、
   および第２基板上に備えられた第２遮光マスクパターンを含む第２ユニットを準備するステップと、
   前記第１ユニットの前記第１遮光マスクパターンが備えられた面上に中間層を形成した後、
   前記中間層上に前記第２ユニットを積層するステップと、
   前記第２ユニットの、前記中間層側の面と反対面に透明平坦層を形成するステップと
   を含み、
   前記第１ユニットの前記第１遮光マスクパターンは、
   前記第２ユニットの前記第２遮光マスクパターンと重ならないものである、
   フォトマスクの製造方法。
9. 前記第１ユニットの前記第１遮光マスクパターンが備えられた面と
   前記第２ユニットの前記第２遮光マスクパターンが備えられた面とは、
   互いに対向するものである、
   請求項８に記載のフォトマスクの製造方法。
10. 基材（ｂａｓｅ ｐｌａｔｅ）上に備えられたフォトレジスト層を含む露光対象物を準備するステップと、
    請求項１から３のいずれか１項に記載のフォトマスクと、前記露光対象物のフォトレジスト層とを接触するようにラミネートするステップと、
    前記フォトマスクの第１基板側から光を照射する露光ステップと、
    露光後、前記露光対象物から前記フォトマスクを分離するステップとを含むものである
    パターン形成方法。
11. 前記フォトマスクを分離した後、
    露光した前記露光対象物を現像してフォトレジストパターンを形成するステップをさらに含む、
    請求項１０に記載のパターン形成方法。
12. 前記露光対象物は、
    前記基材と前記フォトレジスト層との間に備えられた金属層をさらに含むものである、
    請求項１０または１１に記載のパターン形成方法。
13. 前記フォトマスクを分離した後、
    露光した前記露光対象物を現像してフォトレジストパターンを形成するステップと、
    前記金属層のフォトレジストパターンの形成されていない部分をエッチングして金属パターンを形成するステップと
    をさらに含むものである、
    請求項１２に記載のパターン形成方法。