JP2013137489A - フォトマスク及びその製造方法 - Google Patents
フォトマスク及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013137489A JP2013137489A JP2012065636A JP2012065636A JP2013137489A JP 2013137489 A JP2013137489 A JP 2013137489A JP 2012065636 A JP2012065636 A JP 2012065636A JP 2012065636 A JP2012065636 A JP 2012065636A JP 2013137489 A JP2013137489 A JP 2013137489A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- photomask
- manufacturing
- resist
- transparent member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 34
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N sodium;9,10-dioxoanthracene-2-sulfonic acid Chemical compound [Na+].C1=CC=C2C(=O)C3=CC(S(=O)(=O)O)=CC=C3C(=O)C2=C1 GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 14
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 12
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 12
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 12
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 11
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 4
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 4
- 239000004713 Cyclic olefin copolymer Substances 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 4
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 4
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 4
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 4
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000004798 oriented polystyrene Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
- G03F1/58—Absorbers, e.g. of opaque materials having two or more different absorber layers, e.g. stacked multilayer absorbers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
【課題】露光の際に光の回折を減少させるフォトマスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明部材110の両面を活性化させるために、高周波処理またはプライマー(primer)処理を施す。両面を活性化させることで、透明部材110と第1マスク121及び第2マスク141との間の接着力を向上させることができる。第1マスク121及び第2マスク141は、透明部材110の両面に選択的に形成されて、露光の際に光を選択的に遮断する。これにより、第1マスク121及び第2マスク141を選択的に通過した光によって、透明基板に形成された電極層を選択的にパターン形成することができる。
【選択図】図1
【解決手段】透明部材110の両面を活性化させるために、高周波処理またはプライマー(primer)処理を施す。両面を活性化させることで、透明部材110と第1マスク121及び第2マスク141との間の接着力を向上させることができる。第1マスク121及び第2マスク141は、透明部材110の両面に選択的に形成されて、露光の際に光を選択的に遮断する。これにより、第1マスク121及び第2マスク141を選択的に通過した光によって、透明基板に形成された電極層を選択的にパターン形成することができる。
【選択図】図1
Description
本発明は、フォトマスク及びその製造方法に関する。
半導体、LCD、及びタッチパネルを製造する場合、基板に微細電極を形成するためにフォトリソグラフィ(photolithography)工程を利用している。
ここで、フォトマスク(potomask)は、フォトリソグラフィ(photolithography)工程の重要な要素の一つであって、電極形成のために基板にメッキされた感光部が選択的に露光されるようにして、基板に電極を選択的に形成する機能を行う。
また、均一な露光のために、露光器の光源を調節したり、フォトマスクを用いて均一に露光されるようにする。
また、従来のフォトマスクは、断面マスクからなり、コンタクト(contact)露光などで回折、拡散する光を制御している。
しかし、従来のフォトマスクは、支持基材に一層のフォトマスクのみを形成して、露光の際に回折または拡散される光の極めて一部のみを制御するという問題がある。
これにより、露光の正確度が低下し、電極を精密に形成することができないという問題がある。
本発明は、前記のような問題点を解決するために導き出されたものであって、露光の際に光の回折を減少させるフォトマスク及びその製造方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、フォトマスクの両面に同一パターンのマスクを形成して、露光の際にフォトマスクの一面から他面に通過する光の回折を効果的に減少させるフォトマスク及びその製造方法を提供することを目的とする。
さらに、本発明は、フォトマスクの一面及び他面に同一パターンのマスクを形成し、一面に形成されたマスクの線幅及び他面に形成されたマスクの線幅を相違するように形成したフォトマスク及びその製造方法を提供することを目的とする。
本発明の一側面によるフォトマスクは、透明部材と、前記透明部材の両面にそれぞれパターン形成された第1マスク及び第2マスクと、を含むことができる。
また、前記第1マスク及び前記第2マスクは、互いに同一のパターンに形成されることができる。
また、前記第1マスク及び前記第2マスクは、線幅が相違するように形成されることができる。
また、前記透明部材は、ガラスまたはフィルムからなることができる。
また、前記第1マスク及び前記第2マスクは、金属で形成されることができる。
また、前記第1マスク及び前記第2マスクは、銀塩乳剤層を露光/現像して形成された金属銀で形成されることができる。
また、前記第1マスク及び前記第2マスクは、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、金(Au)、銀(Ag)、チタン(Ti)、パラジウム(Pd)、クロム(Cr)または酸化クロムのうち何れか一つ以上で形成されることができる。
一方、本発明の他の側面によるフォトマスクの製造方法は、透明部材の両面に金属層を積層する金属層形成段階と、前記金属層にパターン化されたレジストを形成するレジスト形成段階と、前記レジストを介して前記金属層を露光し、パターン化された第1マスク及び第2マスクを形成するマスク形成段階と、を含むことができる。
また、前記レジスト形成段階は、前記金属層にレジスト物質を積層し、選択的に前記レジスト物質を露光して硬化する露光段階と、前記レジスト物質のうち硬化されていない部分を選択的に除去し、パターン化されたレジストを形成するパターニング段階と、を含むことができる。
また、前記金属層は、銀塩エマルジョンからなり、前記マスク形成段階は、前記銀塩エマルジョンを選択的に露光し、硬化された金属銀を選択的に形成する硬化段階と、前記銀塩エマルジョンのうち硬化されていない部分を除去し、パターン化された第1マスク及び第2マスクを形成するパターニング段階と、を含むことができる。
また、前記マスク形成段階の後、前記第1マスク及び前記第2マスクに積層された前記レジストを分離するレジスト除去段階をさらに含むことができる。
また、前記マスク形成段階は、前記第1マスク及び前記第2マスクを互いに同一のパターンで形成することができる。
また、前記マスク形成段階は、前記第1マスク及び前記第2マスクの線幅を相違するように形成することができる。
また、前記透明部材は、ガラスまたはフィルムからなることができる。
また、前記第1マスク及び前記第2マスクは、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、金(Au)、銀(Ag)、チタン(Ti)、パラジウム(Pd)、クロム(Cr)または酸化クロムのうち何れか一つ以上で形成されることができる。
本発明の特徴及び利点は添付図面に基づいた以下の詳細な説明によってさらに明らかになるであろう。
本発明の詳細な説明に先立ち、本明細書及び特許請求の範囲に用いられた用語や単語は通常的かつ辞書的な意味に解釈されてはならず、発明者が自らの発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則にしたがって本発明の技術的思想にかなう意味と概念に解釈されるべきである。
本発明によると、露光の際に光の回折を減少させて露光の正確度を高めることができる。
また、本発明によると、フォトマスクの両面に同一パターンのマスクを形成し、露光の際にフォトマスクの一面から他面に通過する光の回折を効果的に減少させて、露光の正確度を高め、電極のパターンを精密に形成することができる。
さらに、本発明によると、フォトマスクの一面及び他面に同一パターンのマスクを形成し、一面に形成されたマスクの線幅及び他面に形成されたマスクの線幅を相違するように形成して、光量を調節することができる。
本発明の目的、特定の長所及び新規の特徴は添付図面に係る以下の詳細な説明及び好ましい実施例によってさらに明らかになるであろう。本明細書において、各図面の構成要素に参照番号を付け加えるに際し、同一の構成要素に限っては、たとえ異なる図面に示されても、できるだけ同一の番号を付けるようにしていることに留意しなければならない。また、本発明は、様々な相違した形態に具現されることができ、ここで説明する実施例に限定されない。なお、本発明を説明するにあたり、係わる公知技術についての具体的な説明が本発明の要旨を不明瞭にする可能性があると判断される場合は、その詳細な説明を省略する。
図1は、本発明の一実施例によるフォトマスクを示す断面図である。
図1を参照すると、本発明の一実施例によるフォトマスク100は、透明部材110及び透明部材110の両面に形成される第1マスク121及び第2マスク141を含む。
以下、図1を参照して、本発明の一実施例であるフォトマスク100についてより詳細に説明する。
先ず、図1を参照すると、透明部材110は、第1マスク121及び第2マスク141が形成される支持部を提供する。
また、透明部材110は、ガラスまたはフィルムからなることができる。
ここで、フィルムは、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリカーボネート(PC)、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルスルフォン(PES)、環状オレフィンコポリマー(COC)、トリアセチルセルロース(Triacetylcellulose;TAC)フィルム、ポリビニルアルコール(Polyvinyl alcohol;PVA)フィルム、ポリイミド(Polyimide;PI)フィルム、ポリスチレン(Polystyrene;PS)、二軸延伸ポリスチレン(K樹脂含有biaxially oriented PS;BOPS)などで形成されることができるが、必ずしもこれに限定されるものではない。
一方、透明部材110の両面を活性化させるために、高周波処理またはプライマー(primer)処理を施すことができる。透明部材110の両面を活性化させることで、透明部材110と第1マスク121及び第2マスク141との間の接着力を向上させることができる。
また、図1を参照すると、第1マスク121及び第2マスク141は、透明部材110の両面に選択的に形成されて、露光の際に光を選択的に遮断する。
この際、第1マスク121及び第2マスク141は、パターン形成されて露光の際に光を選択的に遮断するため、第1マスク121及び第2マスク141に選択的に光が通過する。
これにより、第1マスク121及び第2マスク141を選択的に通過した光によって、透明基板10に形成された電極層20を選択的にパターン形成することができる。
また、第1マスク121及び第2マスク141は、互いに同一のパターンで形成されるが、第1マスク121及び第2マスク141の線幅は相違するように形成されることができる。
ここで、第1マスク121の線幅は、第2マスク141の線幅より狭く形成されることができる。この際、例えば、第1マスク121の線幅は、第2マスク141の線幅より12〜20%狭く形成されることができる。しかし、本発明の一実施例による第1マスク121の線幅及び第2マスク141の線幅は必ずしもこれに限定されるものではない。
さらに、第1マスク121及び第2マスク141は、金属で形成されることができる。この際、金属は、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、金(Au)、銀(Ag)、チタン(Ti)、パラジウム(Pd)、クロム(Cr)または酸化クロム(chrome oxide)のうち何れか一つ以上で形成されることができる。
ここで、第1マスク121及び第2マスク141が銅(Cu)で形成される場合、第1マスク121及び第2マスク141の表面には黒化処理を施して光が反射することを防止することができる。
また、前記第1マスク121及び前記第2マスク141は、銀塩乳剤層を露光/現像して形成された金属銀で形成されることができる。
図2は、本発明の他の実施例によるフォトマスクの製造方法を示すフローチャートである。
図2を参照すると、本発明の他の実施例によるフォトマスクの製造方法は、透明部材110の両面に金属層120、140を積層する金属層形成段階(S10)と、金属層120、140にレジスト(regist)131、151を積層するレジスト形成段階(S20)と、金属層120、140を選択的にパターン化して第1マスク121及び第2マスク141を形成するマスク形成段階(S30)と、を含む。
本発明の他の実施例によるフォトマスクの製造方法は、本発明の一実施例によるフォトマスク100に対する製造方法に関し、同一構成に対しては同一の図面符号を併記する。
図3〜図6は、本発明の他の実施例によるフォトマスクの製造方法を工程順に示す断面図であり、図7は、本発明の他の実施例によるフォトマスクの製造方法で製造されたフォトマスクを示す使用状態図である。
以下、図2〜図7を参照して、本発明の他の実施例であるフォトマスクの製造方法についてより詳細に説明する。
図2及び図3を参照すると、金属層120、140の形成段階は、透明部材110の両面に金属層120、140を積層して金属層120、140を形成する。
また、透明部材110は、ガラスまたはフィルムからなることができる。
ここで、フィルムは、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリカーボネート(PC)、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルスルフォン(PES)、環状オレフィンコポリマー(COC)、トリアセチルセルロース(Triacetylcellulose;TAC)フィルム、ポリビニルアルコール(Polyvinyl alcohol;PVA)フィルム、ポリイミド(Polyimide;PI)フィルム、ポリスチレン(Polystyrene;PS)、二軸延伸ポリスチレン(K樹脂含有biaxially oriented PS;BOPS)などで形成されることができるが、必ずしもこれに限定されるものではない。
一方、透明部材110の両面を活性化させるために、高周波処理またはプライマー(primer)処理を施すことができる。透明部材110の両面を活性化して、透明部材110と金属層120、140との間の接着力を向上させることにより、金属層120、140をパターン化した第1マスク121及び第2マスク141の接着力を向上させることができる。
図3〜図6を参照すると、レジスト形成段階(S20)は、露光段階及びパターニング段階を含む。
先ず、図3を参照すると、露光段階は、透明部材110の両面にそれぞれ形成された金属層120、140にレジスト物質130、150を積層して形成する。
また、露光器で光(紫外線)をレジスト物質130、150方向に照射して、透明部材110の両側に位置したレジスト物質130、150を選択的に硬化する。この際、レジスト物質130、150はポリマー材質からなることができる。
図4を参照すると、パターニング段階は、レジスト物質130、150のうち硬化されていない部分を炭酸ナトリウム(Na2CO3)または炭酸カリウム(K2CO3)などの現像液で溶解して除去する。
ここで、レジスト物質130、150を選択的に除去することにより、開口部が形成されるようにレジスト物質130、150をパターニングし、パターン化されたレジスト131、151を形成することができる。
図5を参照すると、マスク形成段階(S30)は、レジスト131、151の開口部を介して露出した金属層120、140を選択的に露光してパターン化することで、金属材質の第1マスク121及び第2マスク141を形成することができる。
また、露光によるパターン化方法では、金属層120、140が銀塩エマルジョン(銀塩乳剤層)からなり、露光器を介して銀塩エマルジョンを選択的に露光してパターンを形成する。
この際、マスク形成段階(S30)は、硬化段階及びパターニング段階を含んでなる。
ここで、硬化段階では、銀塩エマルジョンを選択的に露光して硬化させることにより、銀塩エマルジョンを選択的に露光された部分に金属銀が形成される。
さらに、パターニング段階では、銀塩エマルジョンのうち硬化されていない部分を除去することにより、硬化された部分に除去されていない金属銀がパターンを形成して、第1マスク121及び第2マスク141を形成する。
一方、図6を参照すると、本発明の他の実施例によるフォトマスクの製造方法は、第1マスク121及び第2マスク141に積層されたレジスト131、151を分離して除去するレジスト除去段階をさらに含むことができる。
また、第1マスク121及び第2マスク141を互いに同一のパターンで形成し、前記第1マスク121及び前記第2マスク141の線幅を相違するように形成することができる。
ここで、第1マスク121の線幅は、第2マスク141の線幅より狭く形成されることができる。この際、第1マスク121の線幅は、第2マスク141の線幅より12〜20%狭く形成されることができる。しかし、本発明の他の実施例による第1マスク121の線幅及び第2マスク141の線幅はこれに必ずしも限定されるものではない。
また、本発明の他の実施例によるフォトマスクの製造方法は、第1マスク121及び第2マスク141が同一パターンで透明部材110の両面に形成されたフォトマスク100を形成することができる。
ここで、フォトマスク100は、パターン化された電極21を形成するために、透明基板10に積層された電極層20を露光する際に、透明基板10を基準に光源方向に位置して、光を選択的に通過させる。
一方、金属層120、140は金属からなるため、第1マスク及び第2マスクも同一金属からなる。
この際、金属は、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、金(Au)、銀(Ag)、チタン(Ti)、パラジウム(Pd)、クロム(Cr)または酸化クロム(chrome oxide)のうち何れか一つ以上で形成されることができる。
以下、本発明のまた他の実施例によるフォトマスクの製造方法によるフォトマスク100の作用について説明する。
先ず、図7を参照すると、透明基板10に形成された電極層20を露光する際に光がフォトマスク100の第1マスク121の開口部122と透明部材110を通過して第2マスク141の開口部142を介して透明基板10に積層された電極層20に走査される。
この際、光は、第1マスク121の開口部122を介して透明部材110を通過する際に直進したり屈折されるが、大きく屈折(回折)される光は、第1マスク121と同一パターンに形成された第2マスク141によって反射して濾過されることができる。
これにより、第1マスク121及び第2マスク141が両面に二重形成されたフォトマスク100を用いて、電極層20に光を正確に照射することができ、精密にパターン化された電極21を形成することができる。
以上、本発明を具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのものであり、本発明によるフォトマスク及びその製造方法はこれに限定されず、該当分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想内にての変形や改良が可能であることは明白であろう。
本発明の単純な変形乃至変更はいずれも本発明の領域に属するものであり、本発明の具体的な保護範囲は添付の特許請求の範囲により明確になるであろう。
本発明は、露光の際に光の回折を減少させるフォトマスク及びその製造方法に適用可能である。
10 透明基板
20 電極層
21 電極
100 フォトマスク
110 透明部材
120、140 金属層
121 第1マスク
122、142 開口部
130、150 レジスト物質
141 第2マスク
131、151 レジスト
20 電極層
21 電極
100 フォトマスク
110 透明部材
120、140 金属層
121 第1マスク
122、142 開口部
130、150 レジスト物質
141 第2マスク
131、151 レジスト
Claims (15)
- 透明部材と、
前記透明部材の両面にそれぞれパターン形成された第1マスク及び第2マスクと、
を含むフォトマスク。 - 前記第1マスク及び前記第2マスクは、互いに同一のパターンで形成される請求項1に記載のフォトマスク。
- 前記第1マスク及び前記第2マスクは、線幅が相違するように形成される請求項2に記載のフォトマスク。
- 前記透明部材はガラスまたはフィルムからなる請求項1に記載のフォトマスク。
- 前記第1マスク及び前記第2マスクは金属で形成される請求項1に記載のフォトマスク。
- 前記第1マスク及び前記第2マスクは、銀塩乳剤層を露光/現像して形成される金属銀で形成される請求項5に記載のフォトマスク。
- 前記第1マスク及び前記第2マスクは、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、金(Au)、銀(Ag)、チタン(Ti)、パラジウム(Pd)、クロム(Cr)または酸化クロムのうち何れか一つ以上で形成される請求項5に記載のフォトマスク。
- 透明部材の両面に金属層を積層する金属層形成段階と、
前記金属層にパターン化されたレジストを形成するレジスト形成段階と、
前記レジストを介して前記金属層を露光し、パターン化された第1マスク及び第2マスクを形成するマスク形成段階と、
を含むフォトマスクの製造方法。 - 前記レジスト形成段階は、
前記金属層にレジスト物質を積層し、選択的に前記レジスト物質を露光して硬化する露光段階と、
前記レジスト物質のうち硬化されていない部分を選択的に除去し、パターン化されたレジストを形成するパターニング段階と、
を含む請求項8に記載のフォトマスクの製造方法。 - 前記金属層は、銀塩エマルジョンからなり、
前記マスク形成段階は、前記銀塩エマルジョンを選択的に露光し、硬化された金属銀を選択的に形成する硬化段階と、
前記銀塩エマルジョンのうち硬化されていない部分を除去し、パターン化された第1マスク及び第2マスクを形成するパターニング段階と、
を含む請求項8に記載のフォトマスクの製造方法。 - 前記マスク形成段階の後、
前記第1マスク及び前記第2マスクに積層された前記レジストを分離するレジスト除去段階をさらに含む請求項8に記載のフォトマスクの製造方法。 - 前記マスク形成段階は、
前記第1マスク及び前記第2マスクを互いに同一のパターンで形成する請求項8に記載のフォトマスクの製造方法。 - 前記マスク形成段階は、
前記第1マスク及び前記第2マスクの線幅を相違するように形成する請求項12に記載のフォトマスクの製造方法。 - 前記透明部材は、ガラスまたはフィルムからなる請求項8に記載のフォトマスクの製造方法。
- 前記第1マスク及び前記第2マスクは、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、金(Au)、銀(Ag)、チタン(Ti)、パラジウム(Pd)、クロム(Cr)または酸化クロムのうち何れか一つ以上で形成される請求項8に記載のフォトマスクの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2011-0143606 | 2011-12-27 | ||
KR1020110143606A KR20130075291A (ko) | 2011-12-27 | 2011-12-27 | 포토마스크 및 그 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013137489A true JP2013137489A (ja) | 2013-07-11 |
Family
ID=48654881
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012065636A Pending JP2013137489A (ja) | 2011-12-27 | 2012-03-22 | フォトマスク及びその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130164656A1 (ja) |
JP (1) | JP2013137489A (ja) |
KR (1) | KR20130075291A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015111640A1 (ja) | 2014-01-24 | 2015-07-30 | 和光純薬工業株式会社 | ボレート系塩基発生剤および該塩基発生剤を含有する塩基反応性組成物 |
US20160299420A1 (en) * | 2015-04-13 | 2016-10-13 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Mask, manufacturing method thereof and exposure apparatus |
US10901216B2 (en) | 2017-10-23 | 2021-01-26 | Google Llc | Free space multiple laser diode modules |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102015117556A1 (de) * | 2015-10-15 | 2017-04-20 | Universität Kassel | Mikrostruktur und Verfahren zur Herstellung einer Mikrostruktur in einer Fotolithographietechnik |
-
2011
- 2011-12-27 KR KR1020110143606A patent/KR20130075291A/ko not_active Application Discontinuation
-
2012
- 2012-03-21 US US13/425,591 patent/US20130164656A1/en not_active Abandoned
- 2012-03-22 JP JP2012065636A patent/JP2013137489A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015111640A1 (ja) | 2014-01-24 | 2015-07-30 | 和光純薬工業株式会社 | ボレート系塩基発生剤および該塩基発生剤を含有する塩基反応性組成物 |
KR20160113149A (ko) | 2014-01-24 | 2016-09-28 | 와코 쥰야꾸 고교 가부시키가이샤 | 보레이트계 염기 발생제 및 당해 염기 발생제를 함유하는 염기 반응성 조성물 |
US10100070B2 (en) | 2014-01-24 | 2018-10-16 | Fujifilm Wako Pure Chemical Corporation | Borate-based base generator, and base-reactive composition comprising such base generator |
US20160299420A1 (en) * | 2015-04-13 | 2016-10-13 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Mask, manufacturing method thereof and exposure apparatus |
US10901216B2 (en) | 2017-10-23 | 2021-01-26 | Google Llc | Free space multiple laser diode modules |
US11300788B2 (en) | 2017-10-23 | 2022-04-12 | Google Llc | Free space multiple laser diode modules |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130164656A1 (en) | 2013-06-27 |
KR20130075291A (ko) | 2013-07-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2013137489A (ja) | フォトマスク及びその製造方法 | |
JP2014512568A (ja) | 両面フォトレジストコーティングを有する基板を含む光パターニング可能な構造体 | |
JP2007072451A5 (ja) | ||
JP2011154080A (ja) | 透明基材両面へのパターン形成方法 | |
JP2008055907A (ja) | 大面積スタンパーの製造方法 | |
JP2014122384A (ja) | 蒸着マスクの製造方法及び蒸着マスク | |
JP4787866B2 (ja) | パターン化されたフォトレジスト層の形成方法 | |
US9034766B2 (en) | Pattern formation method | |
JP2009000914A (ja) | マスクの製造方法及びマスク | |
TWI721406B (zh) | 光阻及應用其的光蝕刻方法 | |
JP6458972B2 (ja) | フォトマスク、前記フォトマスクを含む積層体、前記フォトマスクの製造方法および前記フォトマスクを用いるパターン形成方法 | |
JP2017038037A (ja) | 金属配線の製造方法 | |
US10747099B2 (en) | Photomask | |
WO2019119329A1 (zh) | 曲面触控面板的制造方法 | |
TWI386117B (zh) | 具有光學可讀標示碼的電路板及該電路板的製作方法 | |
JP2021157048A (ja) | 感光性樹脂のパターン形成方法 | |
JP6001987B2 (ja) | エッジ強調型位相シフトマスクの製造方法及びエッジ強調型位相シフトマスク | |
JP2016195159A (ja) | 配線基板の製造方法および配線基板 | |
CN116744565A (zh) | 无膜式干式光阻曝光制程 | |
KR101167783B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 이를 위한 마스크 패널 | |
TWI591452B (zh) | 線路基板的製作方法與光罩結構及其製作方法 | |
US20180203344A1 (en) | Photomask | |
JP4121813B2 (ja) | 導電性パターン基板の製造方法 | |
JP2003260884A (ja) | 印刷版及びその製造方法 | |
JPH0737782A (ja) | 有機薄膜の製造方法 |