JP2009000914A - マスクの製造方法及びマスク - Google Patents

マスクの製造方法及びマスク Download PDF

Info

Publication number
JP2009000914A
JP2009000914A JP2007164178A JP2007164178A JP2009000914A JP 2009000914 A JP2009000914 A JP 2009000914A JP 2007164178 A JP2007164178 A JP 2007164178A JP 2007164178 A JP2007164178 A JP 2007164178A JP 2009000914 A JP2009000914 A JP 2009000914A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resist
mask
opening
base material
convergent light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007164178A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5118395B2 (ja
Inventor
Hiroshi Yui
浩 由井
Masaichi Aizawa
政一 相沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Bon Mark Co Ltd
Original Assignee
Bon Mark Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Bon Mark Co Ltd filed Critical Bon Mark Co Ltd
Priority to JP2007164178A priority Critical patent/JP5118395B2/ja
Publication of JP2009000914A publication Critical patent/JP2009000914A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5118395B2 publication Critical patent/JP5118395B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Manufacture Or Reproduction Of Printing Formes (AREA)
  • Printing Plates And Materials Therefor (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

【課題】レジストの基材付近での露光不足を防止するとともに、製造工程を簡易化し、環境や人体への悪影響を減らすことを目的とする。
【解決手段】透明性を有する非導電性物質からなる基材1の表面に、透明性を有する導電性物質からなる導皮膜2を形成する。次に、導皮膜2上にレジスト3を形成する。基材1の裏面から直描式露光機によりレジスト3を露光し、現像して、所望のパターン形状にレジスト3を形成する。パターン形状に形成されたレジスト3の領域を除いて、導皮膜2上にめっきにより金属層を形成する。レジスト3を除去して、金属層から導皮膜2と基材1とを剥離する。
【選択図】図2

Description

本発明は、例えば、スクリーン印刷用のマスクの製造方法及びスクリーン印刷用のマスクに関する。
マスクを製造する場合に、導電性基材上の印刷パターン開口となる部分にレジストを形成し、めっきを行う方法がある。ここで、導電性基材上の印刷パターン開口となる部分にレジストを形成するため、導電性基材上に一様にレジストを形成した後、印刷パターンを施したフィルム等を用いてレジストの上から露光・現像し、開口パターンを形成する。この方法では、レジストの基材付近まで露光時の光が達しにくく、レジストの基材側で露光不足となる虞がある。露光不足となった場合は寸法精度不良、形状不良、めっきの潜り込み等が発生して、製造されたマスクの精度が低下してしまう。
また、上記方法の課題を解決するために、基材にガラスを使用し、レジストが形成される面の裏面より露光する方法がある(特許文献1参照)。この方法では、基材の上に導電性薄膜を形成し、導電性薄膜に所望のパターンを描画してエッチング除去する。これにより、導電性薄膜を所望のパターン形状に形成する。次に、基材と導電性薄膜とにレジストを形成し、基材の裏面から紫外線を照射してレジストを上記パターン形状に形成する。そして、導電性薄膜上にめっきを行う。この方法では、基材の裏面からレジストを露光するため、レジストの基材付近で露光不足を起こすことがない。
特開平10−34870号公報
しかし、特許文献1の方法では、導電性薄膜を所望のパターンに形成する工程が必要である。さらに、特許文献1の方法では、露光時にピンホールの発生し、現像後のピンホールの修正等が必要となる。そのため、特許文献1の方法では製造工程が煩雑である。また、導電性薄膜を所望のパターンに形成する工程では、導電性薄膜にクロムの皮膜を一般に用いる。そのため、クロムをエッチングする際は硝酸セリウムアンモニウムと過塩素酸の混合液等のエッチング液等により加工を行うため、環境や人体への悪影響がある。
本発明は、レジストの基材付近での露光不足を防止するとともに、露光・現像時のピンホール発生による歩留まりの低下の防止をし、製造工程を簡易化し、環境や人体への悪影響を減らすことを目的とする。
本発明に係るマスクの製造方法は、例えば、透明性を有する非導電性物質からなる基材の表面に形成された透明性を有する導電性物質からなる導皮膜上にレジストを形成するステップと、
レジストを形成されていない上記基材の裏面から直描式露光機により上記レジストを露光し、現像して、所望のパターン形状に上記レジストを形成するステップと、
上記パターン形状に形成されたレジストの領域を除いて、上記導皮膜上にめっきにより金属層を形成するステップと、
上記金属層を形成した後に、上記レジストを除去して、上記金属層から上記導皮膜と上記基材とを剥離するステップと
を備えることを特徴とする。
上記マスクの製造方法は、さらに、
上記レジストを除去する前に、上記金属層の成長面側にメッシュ状のメッシュ部材をめっきにより接合するステップ
を備えることを特徴とする。
上記レジストを露光する場合、上記レジストと上記導皮膜との境界面から収束光の焦点をずらして、直描式露光機により上記レジストに収束光を照射する
ことを特徴とする。
また、本発明に係るマスクは、例えば、上記マスクの製造方法により製造されたことを特徴とする。
本発明に係るマスクの製造方法によれば、基材の裏面からレジストを露光するため、レジストの基材側で露光不足を起こすことがない。
また、導電性薄膜を所望のパターンに形成するエッチング等の工程がないため、製造工程が簡易化され、製造コストの低減及び製造期間の短縮化を図ることができる。さらに、環境や人体への悪影響を減らすことができる。
実施の形態1.
図1から図6に基づき、この実施の形態に係るマスクの製造方法について説明する。
まず、図1に示すように、基材1の表面に導皮膜2を形成する。あるいは、導皮膜2が形成された基材1を使用する。ここで、基材1は、ガラス等の透明性を有する非導電性物質からなるものを使用する。また、導皮膜2は、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)等の透明性を有する導電性物質からなるものを使用する。
次に、図2に示すように、導皮膜2上にレジスト3を形成する。そして、基材1の裏面から直描式露光機によりレジスト3を露光し、現像する。そして、図3に示すように、所望のパターン形状にレジスト3を形成する。
次に、図4に示すように、所望のパターン形状に形成されたレジスト3の領域を除いて、導皮膜2上にめっきにより金属層4を形成する。次に、図5に示すように、金属層を形成した後に、レジスト3を除去する。そして、図6に示すように、金属層4から導皮膜2と基材1とを剥離する。これにより、マスクを得る。
ここで、この実施の形態に係るマスクの製造方法では、第1に、基材1と導皮膜2とのいずれもが透明性を有することを特徴とする。また、第2に、レジスト3を露光する場合に、直描式露光機を用いることを特徴とする。この2つの特徴を有するために、従来必要であった導電性薄膜(導皮膜2)を所望のパターンに形成する工程を設けることなく、レジストを所望のパターンに形成することができる。つまり、基材1と導皮膜2とが透明であるため、導皮膜2を所望のパターンに形成しなくても、基材1の裏面からレジスト3を露光することができる。さらに、直描式露光機を用いて露光することにより、導皮膜2を所望のパターンに形成されていなくても、レジスト3を所望のパターンに形成することができる。
ここで、パターンフィルムを基材1の裏面に設けてレジスト3を露光することも可能である。しかし、パターンフィルムを基材1の裏面に設けてレジスト3を露光した場合、パターンフィルムを透過した光が基材1を通る際に散乱してしまい精度よくレジストを所望のパターンに形成することができない。つまり、パターンフィルムを基材1の裏面に設けてレジスト3を露光した場合、基材1の厚みにより精度よくレジストを所望のパターンに形成することができない。すなわち、直描式露光機を用いて露光することが有効なのである。直描式露光機による露光はパターンフィルムを用いた場合と異なり、精度よくレジストを所望のパターン位置と開口形状とに形成することができるためである。
また、直描式露光機を用いてレジスト3を露光する際、収束光の焦点位置を調節することにより、図3に示すように、レジスト3の基材1側の面の面積よりも反対側(レジスト表面側)の面の面積が狭くなるように、側面にテーパーを付けてレジスト3を形成することができる。このため、図6に示すように、製造されたマスクの開口にも同様に壁面にテーパーを付けることができる。この方法については後の実施の形態において詳しく説明する。
上述したように、この実施の形態に係るマスクの製造方法では、基材1の裏面から露光することにより、レジスト3の基材1側での露光不足を防止することができる。
また、従来必要であった導電性薄膜(導皮膜2)を所望のパターンに形成する工程を設ける必要がない。そのため、製造工程を簡易化するとともに、環境や人体への悪影響を減らすことができる。
次に、図7、図8に基づき、メッシュ状の層と印刷パターンを有する層との2つの層を有するマスク(サスペンドマスク)の製造方法について説明する。サスペンドマスクとは、ステンレスメッシュの紗と金属箔とをめっきにより接合してなるスクリーン印刷用メタルマスクである。
図7は、図4に示す金属層4を形成した状態で、金属層4の表面にメッシュ状のメッシュ部材5を載せた状態を示す。つまり、図7は、図5に示すレジスト3を除去する前の状態で、金属層4の表面にメッシュ状のメッシュ部材5を載せた状態を示す。
次に、図8に示すように、めっき(接合めっき6)を施し、金属層4の表面にメッシュ部材5を接合する。そして、メッシュ状の層と印刷パターンを有する層との2つの層を有するマスクを得る。
この方法では、レジスト3を残した状態でめっき(接合めっき6)を施すため、印刷パターンの開口壁面7に接合めっき6が施されることがない。したがって、開口寸法を狂わせることがなく、精度の高いマスクを得ることができる。
なお、通常、金属層4は、レジスト3の高さ以下である。これは、金属層4はめっきを成長させて形成したものであるためである。仮に、金属層4をレジスト3の高さ以上に成長させると、金属層4がレジスト3の表面に被さるように成長してしまいマスクが好ましい形状とならない。したがって、図7に示すように、金属層4の上にメッシュ部材5を載せるためには、レジスト3の高さを金属層4の高さ以下にする必要がある。そこで、金属層4の上にメッシュ部材5を載せる前に、例えば、レジスト3を研磨して、レジスト3の高さを金属層4の高さ以下にする。この際、特に、レジスト3の高さを金属層4の高さと同一にするのがよい。レジスト3の高さを金属層4の高さと同一であれば、印刷パターンの開口壁面7に一切接合めっき6が施されることがないためである。
なお、上述した通り、図7に示すように、レジスト3の基材1側の面の面積よりもメッシュ部材5が載せられた側の面の面積が狭くなるように、側面にテーパーを付けてレジスト3を形成することができる。このため、製造されたマスクの開口壁面にも同様のテーパーを付けることができる。つまり、製造されたマスクの開口壁面に、印刷時にスキージが摺動するメッシュ部材5側の面(スキージ面)の面積がワーク側となる面(印刷面)の面積よりも狭くなるようなテーパーを付けることができる。
また、この実施の形態に係るマスクの製造方法により、タッチパネル用ドットスペーサー印刷マスクを製造することもできる。タッチパネル用ドットスペーサー印刷マスクとは、タッチパネルを構成するフィルムとガラスの接触を防ぐ為にドットスペーサーを印刷する為のスクリーン印刷用メタルマスクである。タッチパネル用ドットスペーサー印刷マスクは、通常のスクリーン印刷用メタルマスクに比べ、薄く、開口が小さいという特徴がある。開口を小さくするため、上述したようにレジスト3の周囲にめっきを成長させるという方法だけでなく、レジスト3の高さよりも高くめっきを成長させ、金属層4をレジスト3の上面に一部かかるように形成し、開口を形成するという方法がある。この方法では、レジスト3の大きさよりも小さい開口を形成することができる。
実施の形態2.
この実施の形態では、マスクの開口壁面にテーパーを付ける方法について説明する。
図9は、導皮膜2上に形成したレジスト3を、基材1の裏面から直描式露光機により露光する工程を示す。
図9において、一般にレジスト3と導皮膜2との境界面に焦点を合わせて収束光を照射すると、レジスト3は、基材1に対して垂直方向に収束光により露光されるので、露光されたレジスト3にはテーパーは付かない。ここで、製造されるマスクの開口の形状は、露光されたレジスト3の形状となる。したがって、レジスト3にテーパーを付けて露光しなければ、製造されるマスクにはテーパーは付かない。
そこで、収束光の焦点の位置をレジスト3と導皮膜2との境界面からずらして収束光を照射する。収束光の焦点の位置をずらすことにより、レジスト3にテーパーを付けて露光することが可能となる。また、収束光の焦点の位置のずらし方により、レジスト3に付けるテーパーの角度を制御することができる。つまり、製造されるマスクの開口に付けるテーパーの角度を制御することが可能である。図10に示すように、壁面にテーパーの全くない開口21を作ることも、壁面にテーパーを小さい角度(θ)で付けた開口22を作ることも、壁面にテーパーを大きい角度(θ’)で付けた開口23を作ることも可能である。
次に、図11から図20に基づき、収束光の焦点の位置をレジスト3と導皮膜2との境界面からずらして照射した場合に、レジスト3に付くテーパーの角度の変化について説明する。上述したように、レジスト3に付くテーパーの角度は、マスクの開口壁面のテーパーの角度と等しい。以下、製造されたマスクにおいて、製造時に基材1側(収束光が照射された側)になっていた面を印刷面と、反対側(レジスト表面側)の面をスキージ面と呼ぶ。
図11、図13、図15、図17は、収束光の焦点の深度Z(位置)(μm)を変化させた場合に製造されたマスクの印刷面の開口寸法L(μm)とスキージ面の開口寸法M(μm)とを示す図である。特に、図11は収束光の光量を200mjとして、直径200μmの開口を開けた場合の値を示す。図13は収束光の光量を150mjとして、直径200μmの開口を開けた場合の値を示す。図15は収束光の光量を200mjとして、直径100μmの開口を開けた場合の値を示す。図17は収束光の光量を150mjとして、直径100μmの開口を開けた場合の値を示す。図12は、図11に示す収束光の焦点の深度Z(位置)に対する印刷面の開口寸法L(μm)とスキージ面の開口寸法M(μm)とをグラフにしたものである。図12と同様に、図14は図13のグラフであり、図16は図15のグラフであり、図18は図17のグラフである。また、図19は図11、図13、図15、図17に示す収束光の焦点の深度Z(位置)に対する印刷面の開口寸法L(μm)とスキージ面の開口寸法M(μm)とをグラフにしたものである。図20は、図11、図13、図15、図17に示す各値の位置を示す図である。ここで、収束光の焦点の深度Zは、レジスト3と導皮膜2との境界面を0とした場合に、基材1方向(基材1側)に−(マイナス)の値をとり、基材1とは反対の方向(レジスト表面側)に+(プラス)の値をとる。また、図11、図13、図15、図17に示す印刷面の開口寸法L(μm)とスキージ面の開口寸法M(μm)とは、開けようとしていた開口の寸法よりもどれだけ大きいかを示している。つまり、例えば図11において、焦点深度Zが100μmの場合のスキージ面の開口寸法Mは、開口直径200μmに8μmを足した208μmである。
図11から図19までに示す値をとるにあたり、収束光を照射する直描式描画機として大日本印刷株式会社製LI−8500 HM−3056を用いた。また、図20に示すようにレジスト3は、29μmのものを2枚用いた。つまり、レジスト3の厚さWは58μmである。また、ここでは、収束光を移動させ、所定の開口の大きさに露光を行った。
図11から図19までに示すように、収束光の焦点の位置をレジスト3と導皮膜2との境界面よりも+(プラス)方向又は−(マイナス)方向へずらすほど、スキージ面の開口寸法(開口面積)よりも印刷面の開口寸法(開口面積)の方が大きくなる。つまり、収束光の焦点の位置をレジスト3と導皮膜2との境界面よりも+(プラス)方向又は−(マイナス)方向へずらすほど、印刷面の開口面積とスキージ面の開口面積との比(印刷面の開口面積/スキージ面の開口面積)が大きくなる。すなわち、収束光の焦点の位置をレジスト3と導皮膜2との境界面よりも+(プラス)方向又は−(マイナス)方向へずらすほど、開口壁面に大きい角度のテーパーを付けることが可能である。
図11、図13、図15、図17に示す、レベル1〜3では、差N(L−M)が焦点深度0μmの場合よりも大きいため、焦点深度0μmの場合よりも開口壁面にテーパーが付き、インク等の抜け性がよくなるという効果がある。さらに、レベル2〜3では、差N(L−M)が5μm以上であり、よりインク等の抜け性がよくなるという効果がある。特に、レベル3では、差N(L−M)が10μm以上であり、さらにインク等の抜け性がよくなるという効果がある。また、焦点深度Zをレベル3以上にすることで、開口壁面により大きい角度のテーパーを付けることができる。
ここで、図11、図13、図15、図17において、レベル及び印刷面の開口寸法L(μm)・スキージ面の開口寸法M(μm)とを斜字体で記載しているものについては、製造したマスクの形状がよくないものである。これは、収束光の焦点をは−(マイナス)方向(基材1方向)へ大きくずらした場合に発生している。収束光の焦点を基材1方向へ大きくずらした場合、レジストへ届く光が弱くなってしまい、しっかりと露光できないことが原因である。つまり、収束光の焦点を大きくずらし、開口壁面により大きい角度のテーパーを付ける場合には、基材1方向ではなく基材1と反対の方向へ焦点をずらす方が望ましい。
収束光の焦点をずらして収束光を照射するマスクの製造方法によれば、各印刷パターンに対応する開口壁面に、スキージ面から印刷面へ向かって広がる任意の角度のテーパーを形成することが可能である。原則としてどのレジストを用いた場合でもテーパーの角度を制御できる。特に、剥離性や解像度の高いレジストであっても、テーパーの角度を制御できる。
また、超高圧水銀灯の光を集光した収束光により印刷パターンをレジスト3に直接描画するため、開口壁面粗さが小さくなる。具体的には、印刷パターンに対応する開口の壁面の粗さRaを0.01〜0.1μmとすることができる。特に印刷パターンに対応する開口の壁面の粗さRaを0.01〜0.03μmとすることができる。中でも特に印刷パターンに対応する開口の壁面の粗さRaを約0.01とすることができる。さらに、この壁面粗さを、開口壁面にテーパーを付けるとともに実現可能である。
また、超高圧水銀灯の光を集光した収束光により印刷パターンをレジスト3に直接描画するため、板厚を10〜300μmのマスクに印刷パターンに対応する開口を高精度に作ることができる。特に板厚を10〜100μm以下のマスクに印刷パターンに対応する開口を高精度に作ることができる。中でも特に板厚を約10〜50μmのマスクに印刷パターンに対応する開口を高精度に作ることができる。さらに、この厚さの板厚に、開口壁面にテーパーを付けた印刷パターンに対応する開口を作ることができる。
なお、テーパーの付き方はレジストの感度により若干異なる。言い換えれば、感度の異なるレジストを使用することによりテーパーの付き方を制御することもできる。
開口部にテーパーを有することにより、インク、ハンダ等の抜け性が向上する。特に、板厚、形状寸法等に合ったテーパーを付けることによりハンダの抜け性が向上する。さらに、開口壁面の面粗さが小さいため、ハンダの抜け性が向上する。
また、薄い板厚に印刷パターンを作ることが可能であるため、印刷の厚さを薄くできる。
また、この実施の形態で説明したように、収束光の照射側の方が反対側よりも開口が大きくなる。そのため、印刷面側の開口をスキージ面側の開口よりも大きくするには、メッシュ部材5を載せる面(スキージ側の面)の逆側(基材1側)から収束光を照射する必要がある。つまり、実施の形態1で説明したサスペンドマスクの製造方法と、この実施の形態で説明した収束光の焦点をずらして収束光を照射するマスクの製造方法とを組合せることが有効なのである。
なお、上記実施の形態の説明中の直描式露光機には、例えば、超高圧水銀灯、キセノンランプ、フラッシュランプ、LED、レーザー等がある。直描式露光機は、レジストの感光特性に応じて選択すればよい。
基材1の表面に導皮膜2を形成した状態を示す図。 導皮膜2上にレジスト3を形成し、露光する状態を示す図。 所望のパターン形状にレジスト3を形成した状態を示す図。 導皮膜2上にめっきにより金属層4を形成した状態を示す図。 レジスト3を除去した状態を示す図。 金属層4から導皮膜2と基材1とを剥離した状態を示す図。 金属層4の表面にメッシュパターンの開口を有するメッシュ部材5を載せた状態を示す図。 めっきを施し、金属層4の表面にメッシュ部材5を接合した状態を示す図。 導皮膜2上に形成したレジスト3を、基材1の裏面から直描式露光機により露光する工程を示す図。 製造されたマスクのテーパーを示す図。 収束光の光量を200mjとして、直径200μmの開口を開けた場合の収束光の焦点の深度(μm)を変化させた場合に生成されたマスク1の印刷面の開口寸法(μm)とスキージ面の開口寸法(μm)とを示す図。 図11に示す収束光の焦点の深度(位置)に対する印刷面の開口寸法(μm)とスキージ面の開口寸法(μm)とを示したグラフ。 収束光の光量を150mjとして、直径200μmの開口を開けた場合の収束光の焦点の深度(μm)を変化させた場合に生成されたマスク1の印刷面の開口寸法(μm)とスキージ面の開口寸法(μm)とを示す図。 図13に示す収束光の焦点の深度(位置)に対する印刷面の開口寸法(μm)とスキージ面の開口寸法(μm)とを示したグラフ。 収束光の光量を200mjとして、直径100μmの開口を開けた場合の収束光の焦点の深度(μm)を変化させた場合に生成されたマスク1の印刷面の開口寸法(μm)とスキージ面の開口寸法(μm)とを示す図。 図15に示す収束光の焦点の深度(位置)に対する印刷面の開口寸法(μm)とスキージ面の開口寸法(μm)とを示したグラフ。 収束光の光量を150mjとして、直径100μmの開口を開けた場合の収束光の焦点の深度(μm)を変化させた場合に生成されたマスク1の印刷面の開口寸法(μm)とスキージ面の開口寸法(μm)とを示す図。 図17に示す収束光の焦点の深度(位置)に対する印刷面の開口寸法(μm)とスキージ面の開口寸法(μm)とを示したグラフ。 図11、図13、図15、図17に示す収束光の焦点の深度(位置)に対する印刷面の開口寸法(μm)とスキージ面の開口寸法(μm)とを示したグラフ。 図11、図13、図15、図17に示す各値の位置を示す図である。
符号の説明
1 基材、2 導皮膜、3 レジスト、4 金属層、5 メッシュ部材、6 接合めっき、7 開口壁面。

Claims (4)

  1. 透明性を有する非導電性物質からなる基材の表面に形成された透明性を有する導電性物質からなる導皮膜上にレジストを形成するステップと、
    上記基材のレジストが形成されていない裏面から直描式露光機により上記レジストを露光し、現像して、所望のパターン形状に上記レジストを形成するステップと、
    上記パターン形状に形成されたレジストの領域を除いて、上記導皮膜上にめっきにより金属層を形成するステップと、
    上記金属層を形成した後に、上記レジストを除去して、上記金属層から上記導皮膜と上記基材とを剥離するステップと
    を備えることを特徴とするマスクの製造方法。
  2. 上記マスクの製造方法は、さらに、
    上記レジストを除去する前に、上記金属層の成長面側にメッシュ状のメッシュ部材をめっきにより接合するステップ
    を備えることを特徴とする請求項1記載のマスクの製造方法。
  3. 上記レジストを露光する場合、上記レジストと上記導皮膜との境界面から収束光の焦点をずらして、直描式露光機により上記レジストに収束光を照射する
    ことを特徴とする請求項1又は2のいずれかに記載のマスクの製造方法。
  4. 請求項1から3までのいずれかに記載のマスクの製造方法により製造されたことを特徴とするマスク。
JP2007164178A 2007-06-21 2007-06-21 マスクの製造方法及びマスク Expired - Fee Related JP5118395B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007164178A JP5118395B2 (ja) 2007-06-21 2007-06-21 マスクの製造方法及びマスク

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007164178A JP5118395B2 (ja) 2007-06-21 2007-06-21 マスクの製造方法及びマスク

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009000914A true JP2009000914A (ja) 2009-01-08
JP5118395B2 JP5118395B2 (ja) 2013-01-16

Family

ID=40317838

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007164178A Expired - Fee Related JP5118395B2 (ja) 2007-06-21 2007-06-21 マスクの製造方法及びマスク

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5118395B2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013199684A (ja) * 2012-03-26 2013-10-03 Bonmaaku:Kk 電着レジストを用いたメタルマスクの製造方法及びそれにより作製されたメタルマスク
WO2014098118A1 (ja) * 2012-12-20 2014-06-26 株式会社ボンマーク 印刷用サスペンドメタルマスク及びその製造方法
KR101612122B1 (ko) 2014-04-02 2016-04-14 김형익 새도우 마스크 제조용 틀 및 이를 이용한 새도우 마스크 제조방법
JP2018020511A (ja) * 2016-08-04 2018-02-08 ミタニマイクロニクス九州株式会社 スクリーンマスクおよびその製造方法
JP2021059029A (ja) * 2019-10-03 2021-04-15 株式会社プロセス・ラボ・ミクロン メタルマスク、及びその製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63209128A (ja) * 1987-02-25 1988-08-30 Sumitomo Electric Ind Ltd レジストパタ−ン形成方法
JPH1034870A (ja) * 1996-07-24 1998-02-10 Kyushu Hitachi Maxell Ltd 電鋳製品の製造方法
JPH115289A (ja) * 1997-06-16 1999-01-12 Hitachi Ltd 印刷用スクリーンの作製装置とこれを用いるスクリーンの製造方法
JP2002105621A (ja) * 2000-09-27 2002-04-10 Tokyo Process Service Kk 金属板とその製造方法及び露光装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63209128A (ja) * 1987-02-25 1988-08-30 Sumitomo Electric Ind Ltd レジストパタ−ン形成方法
JPH1034870A (ja) * 1996-07-24 1998-02-10 Kyushu Hitachi Maxell Ltd 電鋳製品の製造方法
JPH115289A (ja) * 1997-06-16 1999-01-12 Hitachi Ltd 印刷用スクリーンの作製装置とこれを用いるスクリーンの製造方法
JP2002105621A (ja) * 2000-09-27 2002-04-10 Tokyo Process Service Kk 金属板とその製造方法及び露光装置

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013199684A (ja) * 2012-03-26 2013-10-03 Bonmaaku:Kk 電着レジストを用いたメタルマスクの製造方法及びそれにより作製されたメタルマスク
WO2014098118A1 (ja) * 2012-12-20 2014-06-26 株式会社ボンマーク 印刷用サスペンドメタルマスク及びその製造方法
KR20150095867A (ko) * 2012-12-20 2015-08-21 가부시키가이샤 본 마크 인쇄용 서스펜드 메탈 마스크 및 그 제조 방법
CN104884264A (zh) * 2012-12-20 2015-09-02 奔马有限公司 印刷用悬浮金属掩模及其制造方法
JP5970561B2 (ja) * 2012-12-20 2016-08-17 株式会社ボンマーク 印刷用サスペンドメタルマスク及びその製造方法
TWI564162B (zh) * 2012-12-20 2017-01-01 奔馬股份有限公司 印刷用懸置金屬罩及其製造方法
KR101723321B1 (ko) 2012-12-20 2017-04-04 가부시키가이샤 본 마크 인쇄용 서스펜드 메탈 마스크 및 그 제조 방법
KR101612122B1 (ko) 2014-04-02 2016-04-14 김형익 새도우 마스크 제조용 틀 및 이를 이용한 새도우 마스크 제조방법
JP2018020511A (ja) * 2016-08-04 2018-02-08 ミタニマイクロニクス九州株式会社 スクリーンマスクおよびその製造方法
JP2021059029A (ja) * 2019-10-03 2021-04-15 株式会社プロセス・ラボ・ミクロン メタルマスク、及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP5118395B2 (ja) 2013-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6764796B2 (en) Maskless photolithography using plasma displays
JP5118395B2 (ja) マスクの製造方法及びマスク
JP2009277900A (ja) 露光装置及びフォトマスク
US20110183270A1 (en) Method for forming three-dimensional pattern
JP5033438B2 (ja) メタルマスクの製造方法及びそれにより製造されたメタルマスク
JP5084217B2 (ja) 交互位相シフトマスク
JP2007165679A (ja) パターン形成体の製造方法
JP5313429B2 (ja) 光リソグラフィ方法
JPWO2010070988A1 (ja) 凸状パターン形成方法、露光装置及びフォトマスク
EP2908175A1 (en) Micro-structure body fabrication method, and micro-structure body
JP2012220919A (ja) フォトマスク
JP2007164059A (ja) ソルダーレジスト用露光システム及びプリント配線板の製造方法
FI81690C (fi) Foerfarande av en jaemn foerdelningstaethet.
KR100889334B1 (ko) 반도체 소자의 오버레이 버니어 형성방법
JP2010190935A (ja) フォトマスク基板の作製方法
JP2012226129A (ja) フォトマスク
JP5323442B2 (ja) パターン形成方法
JP2012122119A (ja) 電鋳体の製造方法
JPH11149152A (ja) 接地方法およびフォトマスクブランクス
JP4368241B2 (ja) 配線基板の製造方法
JP2023165191A (ja) スクリーン印刷マスクの製造方法
JP2008180896A (ja) 露光方法、露光装置及びカラーフィルタの製造方法
JP2006276791A (ja) ネガレジスト組成物
JP4461847B2 (ja) 露光用マスクフィルムおよびそれを用いたプリント配線板の製造方法
JPH05160207A (ja) Tab用テープキャリア製造用露光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100616

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120823

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120925

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121019

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20181026

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees