JP2012122119A - 電鋳体の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】紫外線による露光で作製されるフォトレジストを用いた電鋳型において、微細性に優れると同時に厚み方向にテーパーが小さく、垂直度に優れるとともに、不要な部分に電鋳体を形成することなく、所望の形の電鋳体を容易に作製する電鋳型を提供する。
【解決手段】ガラス基板の一表面上に透明導電膜、遮光パターン７を形成し、ネガ型フォトレジスト８を裏面からの露光により開口部１２を形成し、開口部に電鋳体を形成し、再度ネガ型フォトレジストを形成する工程以降の工程を繰り返すことにより、微細性、アスペクト比に優れた電鋳体を提供する。
【選択図】図３

Description

本発明は、電気めっき法による電鋳体を作製するために使用する電鋳型と電鋳体とその製造方法に関する。

電鋳法によれば、精密に加工された電鋳型と呼ばれる部材を用いることにより、非常に高い転写性を有する部材を製造することが出来る。特に近年、シリコンプロセスにより感光性材料を用いて電鋳型形状に加工するＬＩＧＡ（Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｉｅ Ｇａｌｖａｎｏｆｏｍｕｎｇ Ａｂｆｏｒｍｕｎｇ）法によって電鋳型を製造し、合わせて微小な形状を有する部品や金型を製造することが提案されている（特許文献１参照）。

ＬＩＧＡ法による電鋳型の製造では、Ｘ線による露光方法と紫外線による露光方法が行われている。

Ｘ線による露光では、使用される波長が、使用するフォトレジストの厚みや線幅に対して、十分短い。そのため、Ｘ線による露光では、厚いフォトレジストに対して非常に高い解像度を有する電鋳型を提供できる。しかし、Ｘ線による露光は、Ｘ線源としてシンクロトロン放射装置など特殊で高額な設備を必要とするため、特殊な用途に限られている。

紫外線による露光法では、通常のフォトリソグラフィーに使用する設備で対応できる。しかし、使用する波長が比較的長いため、紫外線の拡散や干渉等の影響が現れるので解像度において十分でない。フォトレジストとフォトマスクとの間に間隙がある場合、この影響が著しく、特にフォトレジストが厚くなるとフォトレジストの表面に凹凸やウネリが生じやすくなる。そのため、この間隙が大きくなり、解像度に問題を来たす。例えば、厚い部品に対して、旨く解像しないことや、厚さ方向に対して、テーパーがつくという問題が生じている。

このような中、フォトレジストを利用して作製される電鋳型を利用して、複雑形状を有する機械式腕時計のムーブ部品等の微小な部品への応用がなされてきている。しかし、例えば、時計部品では、その適用は、歯車等比較的薄い部品に限られており、カナや受け部品といった比較的厚みを有する部品への適用は困難である。

これに対して、フォトレジストとフォトマスクとの間の間隙による解像度に対する影響を排除するために、透明基板の一面上に銅膜からなるパターンを形成し、さらに、この表面にネガ型フォトレジスト層を形成した後、銅膜からなるパターンをフォトマスクにおける遮光部として利用し、この表面とは反対側の面より露光することにより、銅膜パターン部のみが開口している電鋳型を作製し、電鋳体を作製する方法が提案されている（特許文献２参照）。

この方法によれば、フォトマスクの代替として形成された銅膜パターンがフォトレジスト層と一体化しているので、フォトレジストの厚み方向に対するテーパーがつきにくいという利点がある。しかし、所望とする電鋳パターンと電鋳を行うために必要な外部との電気的接続を開口された銅膜パターンを通して行うため、電鋳を行う際、この部分にも電鋳体が形成される。そのため、結果として、所望とする電鋳体と導通のため開口部に形成された電鋳体とが一体化したものとなるので、後加工で後者を除去することが必要であった。

また、同様に、透過型基板の一面に透過領域および遮光領域からなるパターンを形成し、その上にネガレジスト材料層を形成し、この一面とは反対面から露光し、現像することによりネガレジストの残部を第２透過領域とするとともに、ネガレジスト材料層の溝部に第２遮光領域となる埋め込み材を埋め込むことで、上記第２透過領域および上記第２遮光領域からなるパターン層を形成し、さらに新たなネガレジスト材料層を形成し、同様の操作を繰り返すことにより、透過領域と遮光領域からなるパターンを重ねて行く振幅型回折格子の製造方法が提案されている（特許文献３参照）。

この方法によれば、遮光領域がフォトマスクの代替として機能し、且つ、フォトレジスト層と一体化しているので、フォトレジストの厚み方向に対するテーパーがつきにくいという利点がある。さらに、順次、パターンを重ねて行くので遮光領域あるいは透過領域の基板設置面積に対する遮光領域あるいは透過領域の厚みの比率、すなわち、いわゆるフォトリソグラフィーで言うところのアスペクトを大きくすることができるという利点を併せ持っている。しかし、この方法においても、遮光領域に埋め込まれる埋め込み材を電鋳法で形成する場合、初期的に形成した遮光領域を構成する材料を利用して、外部と接続し、且つ、導通を取るための電極を兼用する必要がある。さらに、所望とする電鋳パターンと電鋳を行うために必要な外部との電気的接続を開口された導通層を形成する必要がある。そのため、電鋳を行う際、導通層の部分にも電鋳体が形成される。そのため、結果として、所望とする埋め込み部と導通層の部分が電鋳により一体化したものとなるので、所望とする埋め込み部のみを取り出す場合、後加工で分離する必要があった。

特開平１１−１５１２６号公報 特開平１１−６１４７７号公報 特開２００９−２８２３２２号公報

本発明は、上記事情に鑑みて成されたものであり、紫外線による露光で作製されるフォトレジストを用いた電鋳型において、微細性に優れると同時に厚み方向にテーパーが小さく、垂直度に優れるとともに、不要な部分に電鋳体を形成することなく、所望の形の電鋳体を容易に作製する電鋳型を提供することを目的とする。

本発明は、上記課題を解決するため、以下の手段を採用する。
本発明に係る電鋳体の製造方法は、導電性を有し、かつ紫外線に対して透過性を有する導電膜を、紫外線を透過する基板上に形成する導電膜形成工程と、前記導電膜上の一部に金属膜を形成する金属膜形成工程と、前記導電膜上及び前記金属膜上に第１のフォトレジスト層を形成する第１のフォトレジスト層形成工程と、前記基板の前記導電膜を形成した面と反対の面より紫外線による露光を行う第１の露光工程と、前記第１のフォトレジスト層を現像して、前記金属膜上に第１の貫通孔を形成する第１の貫通孔形成工程と、前記金属膜上に第１の電鋳体を形成する第１の電鋳体形成工程と、前記第１のフォトレジスト層上及び前記第１の電鋳体上に第２のフォトレジスト層を形成する第２のフォトレジスト層形成工程と、前記基板の前記導電膜を形成した面と反対の面より紫外線による露光を行う第２の露光工程と、前記第２のフォトレジスト層を現像して、前記第１の電鋳体上に第２の貫通孔を形成する第２の貫通孔形成工程と、前記第１の電鋳体上に第２の電鋳体を形成し、前記第１の電鋳体と前記第２の電鋳体とを一体化する第２の電鋳体形成工程と、を備えることを特徴とする。

この電鋳体の製造方法によれば、導電膜および金属膜からなる遮光パターンを介して電流を供給することにより、遮光パターンと同形状の開口部に電鋳を行うので、優れた転写性を有する電鋳体となる。さらに、第２のフォトレジスト層を形成し、第１の電鋳体をフォトマスクとして、反対面からの露光と現像、さらに電鋳を行うことを繰り返すことにより、露光時に第１の電鋳体と第２のフォトレジスト層の間に空間を作らないので、解像度や垂直性に優れた開口パターンを得ることがでると同時に、精度が高く肉厚の電鋳体も形成することができる。

また、本発明に係る電鋳体の製造方法は、前記第２のフォトレジスト形成工程において、前記第１のフォトレジスト層と前記第２のフォトレジスト層との合計の厚さは、前記第１の貫通孔の幅に対して５倍以上に形成されるとともに、前記第２の貫通孔形成工程において、前記第２の貫通孔側の側面が平坦面で形成されることを特徴とする。

この電鋳体の製造方法によれば、第２のフォトレジスト層を形成し、第１の電鋳体をフォトマスクとして、反対面からの露光と現像、さらに電鋳を行うことを繰り返すことにより、露光時に第１の電鋳体と第２のフォトレジスト層の間に空間を作らないので、解像度や垂直性に優れた開口パターンを得ることがでると同時に、精度が高く肉厚の電鋳体も形成することができる。

また、本発明に係る電鋳体の製造方法は、前記第２の電鋳体形成工程後、さらに前記第２のフォトレジスト層形成工程から前記第２の電鋳体形成工程までを１回以上繰り返す工程を備えることを特徴とする。

この工程を繰り返し行った場合、第２の電鋳体形成工程で形成された第２の電鋳体と次の第２のフォトレジスト層形成工程で形成される第２のフォトレジストとの間はほとんど間隙がない。そのため、さらに電鋳体を厚くしても、第２の貫通孔側の側面は平坦面を保つことができる。

また、本発明に係る電鋳体の製造方法は、最後の前記第２の電鋳体形成工程後、前記第１のフォトレジスト層及び前記第２のフォトレジスト層を除去し、一体化した前記第１の電鋳体及び前記第２の電鋳体を前記導電膜から剥離する剥離工程を備えることを特徴とする。

また、本発明に係る電鋳体の製造方法は、前記導電膜形成工程において、前記導電膜がインジウムとスズの酸化物から構成される透明導電膜で形成されることを特徴とする。

この電鋳体の製造方法は、紫外線に対して透過性を有する膜として、透過性および導電性に優れ、かつ、容易に形成することができるインジウムとスズの酸化物から構成される透明導電膜を用いるので、導電性、透過性に優れた膜となる。これにより、フォトレジストの露光を効率高く行うことができる。さらに、電鋳時における導通を容易且つ安定的に行うことができるので、精度に優れた電鋳型と電鋳体を提供することが出来る。

この発明によれば、解像度が高く、基板に対して垂直性が良い電鋳型を作製することができるので、微細で、テーパーが小さい、厚みある電鋳体の提供が可能となる。

本発明の実施形態により作製した電鋳体である時計用歯車のカナを示す図である。 本発明の実施形態に係る電鋳体の製造方法のうち、導電膜形成工程と、金属膜形成工程とを示す説明図である。 本発明の実施形態に係る電鋳体の製造方法のうち、第１のフォトレジスト層形成工程と、第１の露光工程と、第１の貫通孔工程とを示す説明図である。 本発明の実施形態に係る電鋳体の製造方法のうち、第１の電鋳体形成工程と、第２のフォトレジスト層形成工程とを示す説明図である。 本発明の実施形態に係る電鋳体の製造方法のうち、第２の露光する工程と、第２の貫通孔形成工程とを示す説明図である。 本発明の実施形態に係る電鋳体の製造方法のうち、第２の電鋳体形成工程を示す説明図である。 本発明の実施形態により作製した電鋳体である時計用歯車のカナを示す図である。

本発明に係る第１の実施形態について、図１から図７を参照して説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態により作製される電鋳体のである腕時計ムーブを構成する厚み５００μｍ、歯車外径１５００μｍ、歯車内径約１００μｍのカナ１と呼ばれる歯車の上面および縦断面を示す図である。
図１（ａ）はカナ１の上面図を示す図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）に示すＡＡ’線の断面を示す図である。

次に、本実施形態により作製される電鋳体であるカナ１を製造する方法について説明する。
図２（ａ）は、紫外線を透過する基板２上に導電性を有し、かつ紫外線に対して透過性を有する導電膜３を形成する導電膜形成工程を示す図である。この工程では、基板２上に導電膜３を形成する。基板２は、例えば、ソーダガラス、無アルカリガラス、無機ガラスなどのガラスなどで形成されている。基板２の厚さは、約０．４ｍｍで形成されている。また、アクリルやポリカーボなどの透明なプラスチックや、石英やサファイアなどの透明なセラミックなどでも形成することができる。導電膜３は、例えば、酸化インジウムと酸化スズからなるＩＴО膜、酸化インジウムなどの透明導電膜を用いる。導電膜３はスパッタリング法などで形成する。また、導電膜３の厚さは、１００Å〜１０μｍで形成する。１００Å以下の場合、必要な導電率が得られない。また、１０μｍ以上の場合、透過率が低下する問題が起きる。さらに、好ましくは、数百〜数千Åの厚さで形成する。

この工程において、基板２にソーダガラスを用いて、導電膜３としてＩＴＯ膜を１０００Åの厚さで形成した場合、紫外線の透過率は、基板２及び導電膜３を含めた値で６５％であり、表面電気抵抗は１３Ω／□である。なお、紫外線の透過率及び表面電気抵抗は、基板２及び導電膜３の材質、膜厚や、電鋳を行う面積によって調整することができる。

図２（ｂ）は、導電膜３上にポジ型フォトレジスト４をコートする工程を示す図である。このとき、ポジ型フォトレジスト４の厚さは約０．５μｍである。

図２（ｃ）は、フォトリソグラフィー法により所望とするパターンとなるようにポジ型フォトレジスト４に開口部５を形成する工程を示す図である。この開口部５の幅は、５０〜１００μｍである。

図２（ｄ）は、開口部５に電気めっき法により、金属膜６を形成する工程を示す図である。このとき、金属膜６は、約０．１μｍのニッケル層と約０．０５μｍの金層とで構成される積層となっている。なお、金属膜６としては、例えばクロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、シリコン、タングステン、モリブデン、またはこれらの金属のいずれかを含む合金などを用いることができる。

図２（ｅ）は、ポジ型フォトレジスト４を除去する工程を示す図である。この工程では、ポジ型フォトレジスト４をエッチングにより除去する。これにより、導電膜３上の一部に金属膜６を形成することができる。この金属膜６は遮光パターンとして用いられる。なお、金属膜６をスパッタリング法でポジ型フォトレジスト４上にも形成した場合、ポジ型フォトレジスト４を除去することで、ポジ型フォトレジスト４上の金属膜６を除去することができる。

図３（ａ）は、導電膜３上及び金属膜上に第１のフォトレジスト層８を形成する第１のフォトレジスト層形成工程を示す図である。この工程では、例えばエポキシ系の化学増幅型のネガ型フォトレジストをスピンコートによりコートする。その後、加熱により溶剤成分を蒸発することにより約３００μｍの厚みを有する第１のフォトレジスト層８を形成する。なお、化学増幅型のフォトレジストを用いない場合、加熱する必要がなくなる。

図３（ｂ）は、基板２の導電膜３を形成した面と反対の面より紫外線による露光を行う第１の露光工程を示す図である。この工程において、基板２の導電膜３を形成した面と反対の面より、露光装置により十分平行度がある紫外線光９を照射する。さらに、露光による硬化を増幅させるために、全体を加熱する。

図３（ｃ）は、露光後の第１のフォトレジスト層８を示す図である。露光工程により、第１のフォトレジスト層８に硬化部１０と金属膜６により遮光される未硬化部１１とが形成される。

図３（ｄ）は、第１のフォトレジスト層８を現像して、第１のフォトレジスト層８のうち金属膜上の部分に第１の貫通孔１２を形成する貫通孔形成工程を示す図である。第１のフォトレジスト層８を現像する工程では、露光と加熱により硬化部１０と未硬化部１１が形成された基板２を現像液にて現像を行うことにより、未硬化部１８を除去する。これにより、第１のフォトレジスト層８のうち金属膜６上に第１の貫通孔１２を形成し、電鋳型１３が形成される。この第１の貫通孔１２は、幅が約５０〜１００μｍで形成されている。

このようにして作製される電鋳型１３の硬化部１０の表面は、第１のフォトレジスト層８のコート時に生じる膜厚分布により若干凹凸を有しているものであるが、通常のフォトマスクを使用した場合に生じるこの凹凸により形成されるフォトマスクとフォトレジストとの間の間隙による露光光の屈折、散乱、回折といった光の直進性を失わせる現象が小さいため、非常に解像度が高いのと同時に第１の貫通孔１２の垂直性も極めて良くなる。

さらに、第１のフォトレジスト層８を通過した紫外線光９は、反射等による戻りが無いため、通常用いられる金属表面を有する基板で生じる反射による第１のフォトレジスト層への影響が無いので寸法への影響がないと同時に露光量の計算も容易に行える。

図４（ａ）は、金属膜上に第１の電鋳体を形成する第１の電鋳体形成工程を示す図である。この工程では、導電膜３に電流を供給し、金属膜６まで通電することにより、電鋳型１３の第１の貫通孔１２内に、ニッケル電鋳を行い、第１の電鋳体１４を形成する。

図４（ｂ）は、第１のフォトレジスト層８の硬化部１０上及び第１の電鋳体１４上に第２のフォトレジスト層１５を形成する第２のフォトレジスト層形成工程を示す図である。この工程では、第１のフォトレジスト層８と同じ材質からなるネガ型フォトレジストにより第２のフォトレジスト層１５を約３００μｍの厚さに形成する。

図５（ａ）は、第１の露光工程と同様の工程であり、基板２の導電膜３を形成した面と反対の面より紫外線による露光を行う露光工程を示す図である。この工程において、基板２の導電膜３を形成した面と反対の面より、露光装置により十分平行度がある紫外線光１６を照射する。さらに、露光による硬化を増幅させるために、全体を加熱する。

図５（ｂ）は、露光後の第２のフォトレジスト層１５を示す図である。露光工程により、第２のフォトレジスト層１５に硬化部１７と第１の電鋳体１４により遮光される未硬化部１８とが形成される。

図５（ｃ）は、第２のフォトレジスト層１５を現像して、第２のフォトレジスト層１５のうち金属膜上の部分に第２の貫通孔１９を形成する第２の貫通孔形成工程を示す図である。第２のフォトレジスト層１５を現像する工程では、露光と加熱により硬化部１７と未硬化部１８が形成された基板２を現像液にて現像を行うことにより、未硬化部１８を除去する。これにより、第２のフォトレジスト層１５のうち、第１の電鋳体１４上に第２の貫通孔１９を形成し、電鋳型２０が形成される。このとき、第１のフォトレジスト層と前記第２のフォトレジスト層との合計の厚さは、第１の貫通孔の幅に対して５倍以上に形成されているが、本実施例では、第２の貫通孔側の側面を平坦面で形成することができる。

このようにして作製される電鋳型２０は、金属膜６とその上に形成された第１の電鋳体１４が遮光パターンとなるので、電鋳型１３を作製したときと同様、通常のフォトマスクを使用した場合に生じるフォトレジスト表面の凹凸により形成されるフォトマスクとフォトレジストとの間の間隙による露光光の屈折、散乱、回折といった光の直進性を失わせる現象が小さいため、非常に解像度が高いのと同時に第２の貫通孔１９の垂直性も極めて良くなる。

さらに、露光に際しては、第２の型フォトレジスト層１５を通過した紫外線光１６は、反射等による戻りが無いため、通常用いられる金属表面を有する基板で生じる反射によるフォトレジスト層への影響が無いので寸法への影響がないと同時に露光量の計算も容易に行える。

図４（ａ）は、第１の電鋳体１４上に第２の電鋳体２１を形成し、第１の電鋳体１４と第２の電鋳体２１とを一体化する第２の電鋳体形成工程を示す図である。この工程では、電鋳型２０の第２の貫通孔１９内に、ニッケル電鋳を行い、第２の電鋳体２１を形成する。

このとき、第２の電鋳体２１は第１の電鋳体１４と密着した状態となるので、実質的に一体化したものとなる。

その後、電鋳体２１のカナ１としての全体の厚み調整と表面の平坦度、平行度を出すために、研削と研磨を行う。さらに、第１のフォトレジスト層８及び第２のフォトレジスト層１５を除去する。さらに、金属膜６と第１の電鋳体１４との界面で第１の電鋳体１４を金属膜６を構成するニッケル層表面に形成された酸化層による密着力の低下を利用することにより引き剥がし、カナ７を得る。なお、第１の電鋳体１４及び第２の電鋳体２１を導電膜３の界面で剥離してもよい。このとき、金属膜６は、第１の電鋳体１４と一体となっている。この場合、研磨等により、金属膜６を第１の電鋳体から除去してもよい。

図７は、作製されたカナ１を示す図である。図７（ａ）はカナ１の上面図を示す図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）に示すＡＡ’線の断面図を示す図である。以上の工程により、カナ１を作成することができる。本実施例では、作成されたカナ１の厚さが第１の貫通孔１２の幅より５倍以上で、カナ１における第２の貫通孔１９側に形成された側面が平坦面で構成されるカナ１を形成ことができる。

すなわち、このようにして作製されたカナ１は、フォトレジストと遮光パターンとの間がほとんどないため、フォトレジストが厚くても、フォトレジストの表面に凹凸やウネリが生じない。そのため、カナ１の断面方向における垂直度は非常に高いものであり、腕時計ムーブ部品として十分使用できるものである。

なお、本実施形態では、ネガ型フォトレジストとして化学増幅型のものを使用したが、電鋳型として使用できる厚膜タイプのネガ型フォトレジストであれば、限定されるものではない。

また、本発明の電鋳型を用いて、カナ、回転錘、歯車、がんぎ車、アンクル、てんわなどの時計部品を形成することが可能である。また、時計部品に限らず、微細部品や精密部品を形成することができる。

また、第２の電鋳体形成後、さらに第２のフォトレジスト層形成工程から第２の電鋳体形成工程までを１回以上繰り返すことができる。これにより、さらに電鋳体の厚さを厚く形成することができる。この工程を繰り返し行った場合、第２の電鋳体形成工程で形成された第２の電鋳体と次の第２のフォトレジスト層形成工程で形成される第２のフォトレジストとの間はほとんど間隙がない。そのため、さらに電鋳体を厚くしても、第２の貫通孔側の側面は平坦面を保つことができる。

また、この際、最後の第２の電鋳体形成工程後、第１のフォトレジスト層８及び全ての第２のフォトレジスト層１５を除去し、一体化した第１の電鋳体及び全ての第２の電鋳体を導電膜から剥離する剥離工程を行う。

また、本実施形態では、ニッケル電鋳による時計部品について記載したが、電鋳材料および対象とする電鋳部品も限定されるものではない。本発明に係わる電鋳体の製造方法によれば、例えば、電鋳材料として、金のような原子番号が大きく、且つ、密度が大きなものを用いることにより、Ｘ線に対する振幅型回折格子の製造にも用いることが出来る。Ｘ線を吸収する電鋳体に、金のような原子量の大きいものを用いることにより、確実にＸ線を吸収することができる。

さらに、電鋳を行う開口部とネガ型フォトレジストの厚みの比を適宜調整し、工程の繰り返し数を調整することにより、Ｘ線、特にシンクロトロン放射によるＸ線を用いたフォトリソグラフィーに用いるフォトマスクの作製にも適用できる。通常、Ｘ線による露光用マスクは、Ｘ線に対して透過性が高い材料であるカーボン、シリコン、窒化ケイ素、ガラス等を用い、Ｘ線を吸収する厚さ１０μｍ以上の厚みを有する金電鋳パターンによるＸ線の遮光を行っている。この金電鋳パターンは、通常の紫外線によるフォトリソグラフィーによる電鋳型の形成と金電鋳によるため、この電鋳型の開口部の幅に対する開口部の高さの比には限界があるため、微細化度や精度に大きな問題があるが、本発明に係わる電鋳体の製造方法によれば、容易に微細化と精度の向上を進めることが可能になる。

以上、本発明による電鋳型およびその製造方法によれば、微細性に優れ、且つ、垂直性が高い電鋳型と電鋳体を提供することが出来ので、微細な機械部品だけでなく、高精度を要求される産業用部材の製造にも適用できる。

１ カナ
２ 基板
３ 導電膜
４ ポジ型フォトレジスト
５ 開口部
６ 金属膜
８ 第１のフォトレジスト層
９、１６ 紫外線光
１０、１７ 硬化部
１１、１８ 未硬化部
１２ 第１の貫通孔
１３、２０ 電鋳型
１４ 第１の電鋳体
１５ 第２のフォトレジスト層
１９ 第２の貫通孔
２１ 第２の電鋳体

Claims (5)

1. 導電性を有し、かつ紫外線に対して透過性を有する導電膜を、紫外線を透過する基板上に形成する導電膜形成工程と、
   前記導電膜上の一部に金属膜を形成する金属膜形成工程と、
   前記導電膜上及び前記金属膜上に第１のフォトレジスト層を形成する第１のフォトレジスト層形成工程と、
   前記基板の前記導電膜を形成した面と反対の面より紫外線による露光を行う第１の露光工程と、
   前記第１のフォトレジスト層を現像して、前記金属膜上に第１の貫通孔を形成する第１の貫通孔形成工程と、
   前記金属膜上に第１の電鋳体を形成する第１の電鋳体形成工程と、
   前記第１のフォトレジスト層上及び前記第１の電鋳体上に第２のフォトレジスト層を形成する第２のフォトレジスト層形成工程と、
   前記基板の前記導電膜を形成した面と反対の面より紫外線による露光を行う第２の露光工程と、
   前記第２のフォトレジスト層を現像して、前記第１の電鋳体上に第２の貫通孔を形成する第２の貫通孔形成工程と、
   前記第１の電鋳体上に第２の電鋳体を形成する第２の電鋳体形成工程と、
   を備えることを特徴とする電鋳体の製造方法。
2. 前記第２のフォトレジスト層形成工程において、前記第１のフォトレジスト層及び前記第２のフォトレジスト層の厚さの合計は、前記第１の貫通孔の幅に対して５倍以上に形成されるとともに、
   前記第２の貫通孔形成工程において、前記第２のフォトレジスト層の前記第２の貫通孔側の側面が平坦面で形成されることを特徴とする請求項１に記載の電鋳体の製造方法。
3. 前記第２の電鋳体形成工程後、さらに前記第２のフォトレジスト層形成工程から前記第２の電鋳体形成工程までを１回以上繰り返す工程を備えることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電鋳体の製造方法。
4. 最後の前記第２の電鋳体形成工程後、前記第１のフォトレジスト層及び前記第２のフォトレジスト層を除去し、前記第１の電鋳体及び前記第２の電鋳体を剥離する剥離工程を備えることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電鋳体の製造方法。
5. 前記導電膜形成工程において、前記導電膜がインジウムとスズの酸化物から構成される透明導電膜で形成されることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電鋳体の製造方法。

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