JP2008171901A

JP2008171901A - 配線基板の製造方法

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Publication number: JP2008171901A
Application number: JP2007001822A
Authority: JP
Inventors: Atsuo Hattori; 服部敦夫
Original assignee: Yamaha Corp
Current assignee: Yamaha Corp
Priority date: 2007-01-09
Filing date: 2007-01-09
Publication date: 2008-07-24

Abstract

【課題】貫通電極の近傍領域においても配線のパターン密度を高める。
【解決手段】配線基板の製造方法は、フォトマスクを用いて配線となる第一のパターンの遮光性導電膜を透光性基板の表面上に形成し、前記遮光性導電膜の上に感光性成形対象膜を形成し、前記遮光性導電膜をフォトマスクとして用いて前記透光性基板の裏側から前記感光性成形対象膜を露光し、前記第一のパターンと一部が重なる第二のパターンのフォトマスクを用いて前記透光性基板の表側から前記感光性成形対象膜を露光し、前記透光性基板の表裏両側から露光された前記感光性成形対象膜を現像して通孔を有する成形基板を形成し、前記通孔内に貫通電極となる第二導電膜を形成する、ことを含む。
【選択図】図７

Description

本発明は配線基板の製造方法に関し、特に貫通電極を備える配線基板の製造方法に関する。

従来、貫通電極を備える配線基板の製造方法が知られている（例えば特許文献１−６参照）。
特開２００１−１８５８５８号公報特開平５−２７５８２０号公報特開２００２−９４３４号公報特開２００５−２８６１８４号公報特開２００２−２３７４６８号公報特開平９−３２１１８４号公報

従来の方法では、基板表面に形成される配線と基板を貫通する貫通電極とのアライメント誤差が発生するため、それを見越して配線のパターンを設計する必要があった。この場合、貫通電極近傍において配線のパターン密度が低くなるという問題がある。また、貫通電極を形成するための通孔を基板に形成する工程では、異方性エッチングにより基板に通孔を形成すると製造コストが増大し、機械加工やレーザー加工により基板に通孔を形成すると貫通電極の断面積を小さくしたり貫通電極の位置精度を高めることが困難である。
本発明は、これらの問題を解決するために創作されたものであって、貫通電極の近傍領域においても配線のパターン密度を高めることを目的の１つとする。

（１）上記目的を達成するための配線基板の製造方法は、フォトマスクを用いて配線となる第一のパターンの遮光性導電膜を透光性基板の表面上に形成し、前記遮光性導電膜の上に感光性成形対象膜を形成し、前記透光性基板および前記遮光性導電膜をフォトマスクとして用いて前記透光性基板の裏側から前記感光性成形対象膜を露光し、前記第一のパターンと一部が重なる第二のパターンのフォトマスクを用いて前記透光性基板の表側から前記感光性成形対象膜を露光し、前記透光性基板の表裏両側から露光された前記感光性成形対象膜を現像して通孔を有する成形基板を形成し、前記通孔内に貫通電極となる第二導電膜を形成する、ことを含む。

この製造方法によると、第二のパターンのフォトマスクが第一のパターンの遮光性導電膜と重なっている領域において感光性成形対象膜に通孔が形成されるため、通孔内に形成される貫通電極は配線となる遮光性導電膜に必ず重なる。したがって、貫通電極が形成される通孔と配線とのアライメント誤差を見越して配線のパターンを設計する必要が無く、貫通電極の近傍領域においても配線のパターン密度を高めることができる。またこの製造方法によると、貫通電極を形成するための通孔が感光性成形対象膜の現像によって行われるため、貫通電極の断面積を小さくすることができるとともに、エッチングや機械加工で通孔を形成する場合に比べて配線基板の製造コストを低減することができる。

尚、本明細書において、表裏は相対的な位置関係の概念であり、ある物について裏面というときには、その物について表面と称する面の裏側の面を意味する。また透光性や遮光性という用語が物について用いられるときは、その物をフォトマスクとする露光工程において用いられる波長の光に対する透光性または遮光性を意味する。また透光性や遮光性は、透光率または遮光率という階調をともなう概念であり、露光される感光性材料の現像時の溶解特性に実質的な差を生じさせる程度に、フォトマスクとして用いられる物が透明または不透明であることを意味する。

（２）上記目的を達成するための配線基板の製造方法は、透光性基板の表面上に第一のパターンの遮光性膜が接合されているフォトマスク板の上に感光性保護膜を形成し、前記透光性基板および前記遮光性膜をフォトマスクとして用いて前記透光性基板の裏側から前記感光性保護膜を露光し、露光された前記感光性保護膜を現像することにより前記感光性保護膜に開口を形成し、前記感光性保護膜の開口内に配線となる第一導電膜を形成し、前記感光性保護膜を除去し、前記感光性保護膜が除去されることによって露出した面上に感光性成形対象膜を形成し、前記遮光性膜をフォトマスクとして用いて前記透光性基板の裏側から前記感光性成形対象膜を露光し、前記第一のパターンと一部が重なる第二のパターンのフォトマスクを用いて前記透光性基板の表側から前記感光性成形対象膜を露光し、前記透光性基板の表裏両側から露光された前記感光性成形対象膜を現像して通孔を有する成形基板を形成し、前記通孔内に貫通電極となる第二導電膜を形成する、ことを含む。

この製造方法によると、第二のパターンのフォトマスクが第一のパターンの遮光性膜と重なっている領域において感光性成形対象膜に通孔が形成される。配線となる第一導電膜には遮光性膜のパターンが転写されているため、通孔内に形成される貫通電極は配線となる遮光性導電膜に必ず重なる。したがって、貫通電極が形成される通孔と配線とのアライメント誤差を見越して配線のパターンを設計する必要が無く、貫通電極の近傍領域においても配線のパターン密度を高めることができる。またこの製造方法によると、貫通電極を形成するための通孔が感光性対象膜の現像によって行われるため、貫通電極の断面積を小さくすることができるとともに、エッチングや機械加工で通孔を形成する場合に比べて配線基板の製造コストを低減することができる。またこの製造方法によると、配線となる第一導電膜は感光性保護膜の開口内に形成されるため、第一導電膜の材料の流動により配線間がショートすることもない。

（３）上記目的を達成するための配線基板の製造方法において、前記成形基板と前記配線と前記貫通電極とが一体となった成形物と前記フォトマスク板とを分離する、ことを含んでもよい。

この場合、フォトマスク板を繰り返し使用することができるため、配線基板の製造コストを低減することができる。

（４）上記目的を達成するための配線基板の製造方法において、前記通孔からはみ出し、前記通孔からはみ出した部分がバンプとなる前記第二導電膜を電解めっきにより形成する、ことを含んでもよい。

この場合、貫通電極と重なる位置にバンプを備える配線基板の製造コストを低減することができる。

（５）上記目的を達成するための配線基板の製造方法において、前記通孔からはみ出す前記第二導電膜を形成し、前記通孔からはみ出している前記第二導電膜の部分を研削、研磨の少なくともいずれか一方によって除去する、ことを含んでもよい。

この場合、貫通電極の表面と基板の表面とを平坦に揃えることができる。

以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照しながら以下の順に説明する。尚、各図において対応する構成要素には同一の符号が付され、重複する説明は省略される。
＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊
１．第一実施形態
２．第二実施形態
３．第三実施形態
４．第四実施形態
５．他の実施形態
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１．第一実施形態
図１０に示す配線基板１は、成形基板１４４と貫通電極１３１と表面配線１１０、１１１と貫通アライメントマーク１３０とが一体になった片面配線基板である。成形基板１４４は感光性材料からなる。表面配線１１０、１１１は遮光性導電膜１１からなる。以下、図１０に示す配線基板１の製造方法について説明する。
図１から図９は図１０に示す配線基板１を製造するための工程を示し、各分図（Ａ）は図１０（Ｃ）の符号Ａに対応する断面図であり、各分図（Ｂ）は図１０（Ｃ）の符号Ｂに対応する断面図であり、各分図（Ｃ）は平面図である。

はじめに図１に示すように、透光性基板１０の表面上に遮光性導電膜１１を形成する。透光性基板１０には、透光性基板１０および遮光性導電膜１１をフォトマスクとして用いて感光性材料を露光する工程において用いられる光を、感光性材料に光化学反応を生じさせる程度に透過する材料が用いられる。遮光性導電膜１１には、遮光性導電膜１１をフォトマスクとして用いて感光性材料を露光する工程において用いられる光を、感光性材料に光化学反応を生じさせない程度に遮る導電性材料として、単体金属、合金などが用いられる。具体的には例えばＣｕ、Ａｕ、ＡｕＣｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、ＮｉＰ、ＮｉＭｏ、ＮｉＦｅ、ＮｉＷなどからなる遮光性導電膜１１を無電解めっき、スパッタ、蒸着、ＣＶＤ等によって石英、ソーダライムガラス、透明結晶化ガラスなどからなる透光性基板１０の表面上に成膜する。透光性基板１０の厚さは例えば２ｍｍとする。遮光性導電膜１１の厚さは、例えば１μｍに設定する。遮光性導電膜１１は単層膜でも複層膜でもよい。例えばスパッタによって金属シード層を薄く成膜し、その上に電解めっきによって厚い金属層を形成してもよいし、完成品の表層となる層の材料を完成品の深層となる層の材料よりも化学的に安定した材料にしてもよい。

透光性基板１０は完成品から取り除く対象になるため、透光性基板１０と遮光性導電膜１１との間に、択一的除去が可能な透光性犠牲膜を形成してもよい。例えば配線基板１の構成材料のいずれよりも犠牲基板よりも融点が低い半田や樹脂からなる透光性犠牲膜を透光性基板１０と遮光性導電膜１１との間に形成してもよい。

次に図２に示すように、遮光性導電膜１１に転写すべき第一のパターンまたはその反転パターンのフォトレジスト膜１２を遮光性導電膜１１の表面に形成する。例えば化学増幅型ネガレジスト、感光性ポリイミドなどの感光性樹脂であるフォトレジストを厚さ１μｍ塗布し、ステッパーやアライナーを用いて露光し、ライン幅２５μｍ、ライン間隔２５μｍのパターンのフォトレジスト膜１２を現像する。

次に図３に示すように、フォトレジスト膜１２を保護膜として用いて遮光性導電膜１１をエッチングし、配線１１０、１１１、アライメントマーク１１２を有する第一のパターンに遮光性導電膜１１を成形する。エッチングの方法は、イオンミリング等の異方性エッチングでもよいし、硝酸第二セリウムアンモニウム水溶液でＣｒ膜を等方的にエッチングしてもよい。

次に図４に示すようにフォトレジスト膜１２を除去する。具体的には例えば、ＮＭＰ（エヌ・メチル・２・ピロリドン）、アセトン、Ｏ_２プラズマ、アミン系有機剥離液などを用いてフォトレジスト膜１２が除去される。

尚、第一のパターンの遮光性導電膜１１を形成する方法にリフトオフ法、インプリント法、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法などを用いてもよい。

次に図５に示すように、第二のフォトレジスト膜である感光性成形対象膜１４を遮光性導電膜１１の上に形成する。具体的には化学増幅型ネガレジスト、感光性ポリイミドなどのネガ型の感光性樹脂を塗布し、プリベークして感光性成形対象膜１４を成膜する。感光性成形対象膜１４は、完成状態の成形基板の厚さに等しい例えば５０μｍの厚さに設定される。尚、感光性成形対象膜１４はネガ型のフォトレジスト材料からなるものとして説明するが、感光性成形対象膜１４の材料として光硬化性樹脂を用いてもよい。

次に図６に示すように、透光性基板１０の裏側（すなわち遮光性導電膜１１が接合されている面の裏側）から感光性成形対象膜１４を露光する。露光に用いる光は可視光でもよいし、紫外線でもよいし、それら両方を用いてもよい。このとき、遮光性導電膜１１がマスクとして機能するため、感光性成形対象膜１４の遮光性導電膜１１と重なっていない領域１４１が感光し、感光性成形対象膜１４の遮光性導電膜１１と重なっている領域１４０は感光しない。

次に図７に示すように、遮光性導電膜１１とパターンが一部重なる第二のパターンの遮光性膜１５１、１５２が透光性基板１５０に接合されているフォトマスク１５を用いて、感光性成形対象膜１４を透光性基板１０の表側から露光する。すなわち遮光性導電膜１１が接合されている面から透光性基板１０に光が入射する方向から光を照射する。このとき、感光性成形対象膜１４の感光領域１４１が拡大し、未感光領域１４０が縮小し、遮光性導電膜１１とフォトマスク１５の遮光性膜１５１とが重なっている領域のみが未感光領域１４０として残存することになる。本実施形態では、フォトマスク１５と透光性基板１０とのアライメント誤差が生じても配線基板１の貫通電極が細ることのないように、遮光性導電膜１１１から遮光性膜１５２がはみ出ているフォトマスク１５を用いている。遮光性導電膜１１１からはみ出している遮光性膜１５２の領域を設けても、その領域に貫通電極が形成されることはない（図１０の領域１３２参照）。

次に図８に示すように、透光性基板１０の表裏両側から露光された感光性成形対象膜１４を現像することにより未感光領域１４０を除去する。その結果、通孔１４２、１４３を有する成形基板１４４が形成され、通孔１４２、１４３から遮光性導電膜１１が露出する。このとき、感光性成形対象膜１４がネガ型のフォトレジストからなる場合、透光性基板１０の表裏いずれの側からも感光していない領域１４０のみが溶解し除去される。感光性成形対象膜１４が光硬化性樹脂からなる場合、透光性基板１０の表裏いずれかの側から感光した領域１４１が硬化しており、透光性基板１０の表裏いずれの側からも露光されていない領域１４０は硬化していないため、除去される。いずれの場合であっても、たとえ貫通電極を形成するための通孔を形成するためのフォトマスク１５の遮光性膜１５２が透光性基板１０に対して正確にアライメントされていなくとも、通孔の輪郭が遮光性導電膜１１の配線１１１からはみ出すことがない。したがって、遮光性導電膜１１のパターンをフォトマスク１５の透光性基板１０に対するアライメント誤差を加味せずに細密化することができるのである。また、貫通電極を形成するための通孔が感光性成形対象膜の現像によって行われるため、貫通電極の断面積を小さくすることができるとともに、エッチングや機械加工で通孔を形成する場合に比べて配線基板の製造コストを低減することができる。

次に図９に示すように、通孔１４２、１４３内において遮光性導電膜１１の上に貫通電極１３１などになる第二導電膜１３を形成する。その結果、成形基板１４４と貫通電極１３１と表面配線１１０、１１１と貫通アライメントマーク１３０とが一体になった配線基板１が透光性基板１０の上に接合された状態となる。第二導電膜１３の材料としては、Ｃｕ、Ａｕなどの単体金属、ＡｕＣｕなどの合金が選択される。これらの材料は電解めっき、無電解めっき、パルスめっきなどによって通孔１４２、１４３の内部に堆積させることができる。第二導電膜１３の成膜方法にスパッタや蒸着を用いてもよい。

最後に図１０に示すように配線基板１から透光性基板１０を剥離させるなどして除去すると、配線基板１が完成する。

図１１に示すように、貫通電極１３１および貫通アライメントマーク１３０のバンプを配線基板１の裏側に突出させてもよい。図１１に示す配線基板２は、第二導電膜１３を形成した後に、成形基板１４４の通孔１４２、１４３から露出している第二導電膜１３の表面上に電解めっきなどによって第三導電膜１６を形成することによって製造できる。第三導電膜１６の成形基板１４４の表面から溢れ出た部分が貫通電極１３１のバンプ１６２と貫通アライメントマーク１３０のバンプ１６１となる。

図１２に示すように、貫通電極１３１および貫通アライメントマーク１３０のバンプを配線基板１の裏側に突出させてもよい。図１２に示す配線基板３は、第二導電膜１３を形成するとき、成形基板１４４の表面から溢れ出すまで第二導電膜１３を形成することによって製造できる。第二導電膜１３の成形基板１４４の表面から溢れ出た部分が貫通電極１３１と貫通アライメントマーク１３０のバンプとなる。

図１３に示すように、配線基板４の裏面を平坦にすることもできる。配線基板４は、配線基板３を中間物として用い、第二導電膜１３の成形基板１４４の表面から溢れ出た部分を研削または研磨によって除去することによって製造できる。

５．第二実施形態
図１４から図２０は、図２１に示す配線基板５の製造方法を示す図である。以下、本発明による配線基板の製造方法の第二実施形態として、透光性基板１０および遮光性膜１１をフォトマスクとして再利用できる製造方法について説明する。

はじめに図１から図６に基づいて前述した工程を実施する。ただし、感光性成形対象膜と称した符号１４で示される膜は、配線基板５の構成要素にならない感光性保護膜として用いられる。また、遮光性導電膜と称した符号１１で示される膜は、配線基板５の構成要素にならない第一のパターンの遮光性膜に相当するため、導電性のない材料から形成してもよい。

次に、図１４に示すように感光性保護膜１４を現像し、感光領域１４１のみを残存させる。その結果、遮光性膜１１と同一のパターンの開口１４２、１４３、１４４が感光性保護膜１４に形成される。

次に、図１５に示すように、感光性保護膜１４の開口１４２、１４３、１４４から露出した遮光性膜１１の上に配線となる第一導電膜１７を形成する。遮光性膜１１が導電性のある材料からなる場合には、電解めっきを用いて第一導電膜１７を形成することができる。第一導電膜１７は、無電解めっき、パルスめっきなどによって形成してもよい。第一導電膜１７は、感光性保護膜１４の開口１４２、１４３、１４４内に形成されるため、遮光性膜１１と同一のパターンとなる。第一導電膜１７のパターンをリフトオフ法によって形成してもよい。

次に感光性保護膜１４を除去した後に、感光性保護膜１４を除去することによって露出した面の上に図１６に示すように感光性成形対象膜１８を形成する。

次に図１７に示すように、透光性基板１０の裏側（遮光性膜１１が接合されている面の裏側）から遮光性膜１１をフォトマスクとして用いて感光性成形対象膜１８を露光する。このとき、遮光性膜１１と重なっていない領域１８１は感光し、遮光性膜１１と重なっている領域１８０は感光しない。

次に図１８に示すように、遮光性膜１１とパターンの一部が重なる第二のパターンの遮光性膜１５１を備えるフォトマスク１５を用いて透光性基板１０の表側から感光性成形対象膜１８を露光する。このとき、感光領域１８１が拡大し、未感光領域１８０は縮小する。その結果、未感光領域１８０はフォトマスク１５の遮光性膜１５１と遮光性膜１１とが重なっている領域のみになる。

次に感光性成形対象膜１８を現像し、未感光領域１８０を除去する。その結果、図１９に示すように、感光性成形対象膜１８の感光領域１８１からなり通孔１８２、１８３を有する成形基板１８４が形成される。

次に図２０に示すように、成形基板１８４の通孔１８２、１８３から露出している第一導電膜１７の上に第二導電膜１３を形成する。その結果、第二導電膜１３からなる貫通電極１３１と貫通アライメントマーク１３０とが形成され、透光性基板１０と遮光性膜１１とに配線基板５が接合された状態となる。

最後に図２１に示すように、透光性基板１０と遮光性膜１１とから配線基板５を剥離させる。配線基板５と分離された透光性基板１０と遮光性膜１１とは、再利用可能なフォトマスク板を構成し、図１から図３に基づいて説明した工程を経て製造される物であり、図６に基づいて説明した工程においてフォトマスクとして機能する。すなわち、本実施形態によると、透光性基板１０と遮光性膜１１とをフォトマスクとして再利用できるため、配線基板５を製造するたびに図１から図３に示す工程を繰り返す必要が無くなる。

３．第三実施形態
図２２から図２７は、図２８に示す配線基板６の製造方法を示す図である。以下、本発明による配線基板の製造方法の第三実施形態として、透光性基板１０をフォトマスクとして再利用できる、表面配線１１０、１１１の表面と成形基板１８４の表面とが平坦な配線基板６の製造方法について説明する。

はじめに、透光性基板１０の平坦な表面上に第一のパターンの反転パターンのフォトレジスト膜１９を形成する。

次に図２２に示すようにフォトレジスト膜１９を保護膜として用いて透光性基板１０の一部を異方性エッチングなどにより除去する。その結果、透光性基板１０の表面に第一のパターンの凹部１０１、１０２、１０３が形成される。尚、透光性基板１０の表面の凹部１０１、１０２、１０３をレーザ加工や機械加工によって形成してもよい。

次に図２３に示すように透光性基板１０の表面に遮光性膜１１を形成し、凹部１０１、１０２、１０３を埋める。

次に図２４に示すように遮光性膜１１の表層を透光性基板１０が露出するまで研削または研磨により除去する。その結果、透光性基板１０の表面の凹部１０１、１０２、１０３の内側にのみ遮光性膜１１が残存し、第一のパターンの遮光性膜１１が形成される。

次に図２５に示すように透光性基板１０と遮光性膜１１の上に感光性保護膜１４を形成し、透光性基板１０の裏側から感光性保護膜１４を露光する。

次に図２６に示すように感光性保護膜１４を現像すると感光性保護膜１４は感光領域１４１のみが残る。その後、図１５から図２０に基づいて説明した工程を実施すると、図２７に示すように配線基板６が透光性基板１０と遮光性膜１１とに接合された状態となる。

最後に透光性基板１０と遮光性膜１１とから配線基板６を剥離すると、図２８に示す配線基板６が完成する。このとき、遮光性膜１１は透光性基板１０の表面の凹部１０１、１０２、１０３の内側に形成され、透光性基板１０と遮光性膜１１の表面が平坦であるため、配線基板６の表面配線１１０、１１１と成形基板１８４の表面は平坦になる。また、配線基板６から分離された透光性基板１０と遮光性膜１１とは、表面が平坦なフォトマスクとして再利用できる。尚、配線基板６の表面配線１１０、１１１と成形基板１８４とは表面が平坦な状態で形成されるため、配線基板６から透光性基板１０と遮光性膜１１とを分離する代わりに、透光性基板１０と遮光性膜１１とをエッチングなどにより除去してもよい。

４．第四実施形態
図２９に示すように成形基板１８４の表面から表面配線１１０、１１１とが突出した配線基板７を製造する場合には、図２４に基づいて説明した工程に変えて、遮光性膜１１の表面が透光性基板１０の表面の頂部よりも低くなるまで遮光性膜１１の表層をエッチングにより除去する工程を実施すればよい。

５．他の実施形態
本発明の技術的範囲は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上記実施形態で示した材質や寸法や成膜方法やパターン転写方法はあくまで例示であるし、当業者であれば自明である工程の追加や削除や工程順序の入れ替えについては説明が省略されている。

本発明の第一実施形態にかかる断面図である。本発明の第一実施形態にかかる断面図である。本発明の第一実施形態にかかる断面図である。本発明の第一実施形態にかかる断面図である。本発明の第一実施形態にかかる断面図である。本発明の第一実施形態にかかる断面図である。本発明の第一実施形態にかかる断面図である。本発明の第一実施形態にかかる断面図である。本発明の第一実施形態にかかる断面図である。本発明の第一実施形態にかかる断面図である。本発明の第一実施形態にかかる断面図である。本発明の第一実施形態にかかる断面図である。本発明の第一実施形態にかかる断面図である。本発明の第二実施形態にかかる断面図である。本発明の第二実施形態にかかる断面図である。本発明の第二実施形態にかかる断面図である。本発明の第二実施形態にかかる断面図である。本発明の第二実施形態にかかる断面図である。本発明の第二実施形態にかかる断面図である。本発明の第二実施形態にかかる断面図である。本発明の第二実施形態にかかる断面図である。本発明の第三実施形態にかかる断面図である。本発明の第三実施形態にかかる断面図である。本発明の第三実施形態にかかる断面図である。本発明の第三実施形態にかかる断面図である。本発明の第三実施形態にかかる断面図である。本発明の第三実施形態にかかる断面図である。本発明の第三実施形態にかかる断面図である。本発明の第四実施形態にかかる断面図である。

符号の説明

１：配線基板、２：配線基板、３：配線基板、４：配線基板、５：配線基板、６：配線基板、７：配線基板、１０：透光性基板、１１：遮光性導電膜、遮光性膜、１２：フォトレジスト膜、１３：第二導電膜、１４：感光性成形対象膜、感光性保護膜、１５：フォトマスク、１６：第三導電膜、１７：第一導電膜、１８：感光性成形対象膜、１９：フォトレジスト膜、１１０：配線、１１１：遮光性導電膜、１１１：配線、１１２：アライメントマーク、１３０：貫通アライメントマーク、１３１：貫通電極、１４０：未感光領域、１４１：感光領域、１４２：通孔、開口、１４４：成形基板、１５０：透光性基板、１５１：遮光性膜、１５２：遮光性膜、１６１：バンプ、１６２：バンプ、１８０：未感光領域、１８１：感光領域、１８２：通孔、１８４：成形基板

Claims

フォトマスクを用いて配線となる第一のパターンの遮光性導電膜を透光性基板の表面上に形成し、
前記遮光性導電膜の上に感光性成形対象膜を形成し、
前記透光性基板および前記遮光性導電膜をフォトマスクとして用いて前記透光性基板の裏側から前記感光性成形対象膜を露光し、
前記第一のパターンと一部が重なる第二のパターンのフォトマスクを用いて前記透光性基板の表側から前記感光性成形対象膜を露光し、
前記透光性基板の表裏両側から露光された前記感光性成形対象膜を現像して通孔を有する成形基板を形成し、
前記通孔内に貫通電極となる第二導電膜を形成する、
ことを含む配線基板の製造方法。
透光性基板の表面上に第一のパターンの遮光性膜が接合されているフォトマスク板の上に感光性保護膜を形成し、
前記透光性基板および前記遮光性膜をフォトマスクとして用いて前記透光性基板の裏側から前記感光性保護膜を露光し、
露光された前記感光性保護膜を現像することにより前記感光性保護膜に開口を形成し、
前記感光性保護膜の開口内に配線となる第一導電膜を形成し、
前記感光性保護膜を除去し、
前記感光性保護膜が除去されることによって露出した面上に感光性成形対象膜を形成し、
前記遮光性膜をフォトマスクとして用いて前記透光性基板の裏側から前記感光性成形対象膜を露光し、
前記第一のパターンと一部が重なる第二のパターンのフォトマスクを用いて前記透光性基板の表側から前記感光性成形対象膜を露光し、
前記透光性基板の表裏両側から露光された前記感光性成形対象膜を現像して通孔を有する成形基板を形成し、
前記通孔内に貫通電極となる第二導電膜を形成する、
ことを含む配線基板の製造方法。
前記成形基板と前記配線と前記貫通電極とが一体となった成形物と前記フォトマスク板とを分離する、
ことを含む請求項２に記載の配線基板の製造方法。
前記通孔からはみ出し、前記通孔からはみ出した部分がバンプとなる前記第二導電膜を電解めっきにより形成する、
ことを含む請求項１から３のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
前記通孔からはみ出す前記第二導電膜を形成し、
前記通孔からはみ出している前記第二導電膜の部分を研削、研磨の少なくともいずれか一方によって除去する、
ことを含む請求項１から３のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。