KR100602912B1 - 도체 패턴의 제조방법 - Google Patents

도체 패턴의 제조방법 Download PDF

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알프스 덴키 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 레지스트재료의 제약이 없고, 또한 1번 형성한 포토 마스크를 반복하여 이용할 수 있어, 생산성이 뛰어난 도체 패턴의 제조방법을 제공하는 것이다.
이를 위하여 투명기판(1)의 일면(1a)측에 차광막(2)이 형성되어 이루어지는 마스크기판(3)에 투명 도전막(4)을 형성하는 공정과, 투명 도전막(4)상에 레지스트층(5)을 적층하는 공정과, 마스크기판(3)의 다른 면(1b)측으로부터 빛을 조사하여 레지스트층(5)을 노광, 현상함으로써 레지스트제거부(6a)를 가지는 패턴화 레지스트층(6)으로 하는 공정과, 레지스트제거부(6a)로부터 노출된 투명 도전막(4)상에 도체 패턴을 도금하여 형성하는 공정과, 도체 패턴상에 배선기판을 탑재하여 도체 패턴을 배선기판으로 옮기는 공정을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 도체 패턴의 제조방법을 제공하는 것이다.

Description

도체 패턴의 제조방법{METHOD FOR MANUFACTURING CONDUCTIVE PATTERN}
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태인 도체 패턴의 제조방법에 있어서의 제조공정을 설명하는 단면 모식도,
도 2는 본 발명의 제 1 실시형태인 도체 패턴의 제조방법에 있어서의 제조공정을 설명하는 단면 모식도,
도 3은 본 발명의 제 2 실시형태인 도체 패턴의 제조방법에 있어서의 제조공정을 설명하는 단면 모식도,
도 4는 본 발명의 제 2 실시형태인 도체 패턴의 제조방법에 있어서의 제조공정을 설명하는 단면 모식도이다.
※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1, 11 : 투명기판 1a, 11a : 일면
1b, 11b : 다른 면 2, 12 : 차광막
3, 13 : 마스크기판 4 : 투명 도전막
5, 15 : 레지스트층 6, 16 : 패턴화 레지스트층
6a, 16a : 레지스트제거부 7, 17 : 도체 패턴
8 : 배선기판 M : 마스크부
본 발명은 도체 패턴의 제조방법에 관한 것으로, 특히 생산성이 뛰어난 도체 패턴의 제조방법에 관한 것이다.
종래, 반도체기판 등에 형성되는 미세 배선의 배선저항을 저감시키기 위하여 배선을 구성하는 도체의 단면형상의 종횡비를 높게 하는 시도가 이루어져 있다. 즉, 미세 배선을 형성하는 관계상, 도체 폭을 넓히는 것에는 한계가 있기 때문에, 필연적으로 도체의 두께를 크게 하여 종횡비를 크게 함으로써 도체 단면의 단면적의 증가를 도모하려고 하고 있다. 이 경우의 도체의 형성방법으로서는 스핀코트법 등에 의하여 기판상에 레지스트층 등을 두껍게 형성하고, 다음에 레지스트층상에 포토 마스크를 겹치고 나서 빛을 조사하여 레지스트층을 노광, 현상하여, 레지스트층이 제거된 부분에 도금을 행함으로써 비교적 큰 두께의 도체를 형성하고 있었다.
그러나 상기한 방법에서는 고점도의 레지스트용액을 두껍고 평활하게 도포하는 것이 어렵기 때문에, 레지스트층 표면이 완전한 평탄면이 되기 어렵다. 이 때문에 레지스트층과, 레지스트층상에 겹치는 포토 마스크와의 사이에서 부분적으로 간극이 발생하여 레지스트층의 노광시에 이 간극의 주변에서 회절현상이 일어나는 경우가 있다. 원래, 레지스트층을 노광, 현상함으로써 형성되는 레지스트제거부의 벽면은 기판면에 대하여 수직해지는 곳, 상기한 회절현상이 일어나면 이 벽면이 테이퍼면이 되어 형성해야 할 도체의 도체 폭이 넓어져, 미세한 배선구조의 형성이 곤란하게 된다는 문제가 있었다.
그래서 최근에는 예를 들면 하기 비특허문헌 1에 기재되어 있는 바와 같이 포토 마스크를 리프트 오프에 의하여 형성하고, 이 포토 마스크상에 레지스트층을 형성하고 나서 포토 마스크측으로부터 빛을 조사하여 레지스트층을 노광, 현상하는 방법이 제안되어 있다. 이 비특허문헌 1에 기재된 방법을 더욱 상세하게 설명하면 상기 문헌의 도 3(a) 내지 도 3(l)에 나타내는 바와 같이 미리 일면상에 다른 회로용의 투명배선이 패턴 형성된 유리판 등으로 이루어지는 투명기판을 준비하고, 이 ITO로 이루어지는 투명 배선상에, 네가티브형 및 포지티브형의 레지스트층을 패턴형성하고, 다음에 상기한 각 레지스트층상에 크롬 금 합금막을 형성하고, 다음에 포지티브형 레지스트층만을 제거하여 크롬 금 합금막을 부분적으로 리프트 오프하여 포토 마스크로 한다. 다음에 포토 마스크상에 네가티브형의 레지스트층을 두껍게 형성하고, 투명 기판의 다른 면측으로부터 빛을 조사하여 네가티브형 레지스트층의 노광, 현상을 행하고, 다음에 네가티브형 레지스트층을 제거하고 포토 마스크를 전극으로 하여 니켈도금을 행하여 니켈로 이루어지는 도체를 형성한다. 이 방법에 의하면 마스크가 되는 크롬 금 합금막과 포지티브형 레지스트층이 밀착되어 있기 때문에 상기한 회절현상에 의한 문제를 회피할 수 있다는 이점이 있다.
[비특허문헌 1]
「파트 오브 더 컨퍼런스 온 디자인, 캐릭터리제이션, 앤드 패키징 포 엠이엠에스 앤드 마이크로일렉트로닉스(Part of the Conference on Design, Characterization, and Packaging for MEMS and Microelectronics)」, 1999년 10월, p.486-493
그러나, 상기 비특허문헌 1에 기재된 방법에서는, 레지스트층의 재질에 제한이 있어 네가티브형의 레지스트밖에 사용할 수 없다는 제약이 있다. 네가티브형 레지스트는 일반적으로 해상도나 박리성이라는 면에서 포지티브형 레지스트에 뒤떨어지기 때문에, 미세한 배선구조의 형성용으로 할 수 없다는 단점이 있다. 또 비특허문헌 1에 기재된 방법에서는 포토 마스크가 되는 크롬 금 합금막을 그 때마다 형성하지 않으면 안된다는 문제도 있다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 레지스트재료의 제약이 없고, 또한 한번 형성한 포토 마스크를 반복하여 이용할 수 있어 생산성이 뛰어난 도체 패턴의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 이하의 구성을 채용하였다.
본 발명의 도체 패턴의 제조방법은, 투명기판의 일면측에 차광막이 패턴형성되어 이루어지는 마스크부를 가지는 마스크기판을 준비하고, 그 마스크부의 전면에 투명 도전막을 형성하는 공정과, 상기 투명 도전막의 위에 포지티브형 또는 네가티브형의 레지스트층을 적층하는 공정과, 상기 마스크기판의 다른 면측으로부터 빛을 조사하여 상기 레지스트층을 노광하고, 노광후의 레지스트층을 현상함으로써 상기 레지스트층을 상기 차광막의 패턴에 대응하여 형성된 레지스트제거부를 가지는 패턴화 레지스트층으로 하는 공정과, 상기 레지스트제거부의 저면에 노출된 상기 투명 도전막상에 도체 패턴을 도금하여 형성하는 공정과, 형성된 상기 도체 패턴상에 배선기판을 탑재하여 상기 도체 패턴을 상기 배선기판으로 옮기는 공정을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 구성에 의하면, 마스크부의 전면에 형성한 투명 도전막을, 도체 패턴의 도금형성시의 전극으로서 이용되기 때문에 포지티브형, 네가티브형의 레지스트층의 어느 쪽도 사용할 수 있다. 즉, 포지티브형을 사용한 경우에는 노광된 부분이 레지스트제거부가 되어 그곳에 도체 패턴이 형성되고, 한편 네가티브형을 사용한 경우는 노광되지 않은 부분이 레지스트제거부가 되어 그곳에 도체 패턴이 형성된다. 어느 것의 경우도 레지스트제거부의 저면에 투명 도전막이 노출되기 때문에, 이 투명 도전막을 도금의 전극으로서 이용할 수 있다.
또 형성한 도체 패턴을 배선기판으로 옮기기 때문에, 마스크기판을 재이용할 수 있다.
또한 투명 도전막을 거쳐 마스크기판에 레지스트층을 적층함으로써, 마스크기판과 레지스트층과의 간격이 대략 일정하게 유지되기 때문에, 이에 의하여 회절현상이 발생할 염려가 없고, 레지스트제거부의 벽면이 수직하게 형성되어 도체 패턴의 확대를 방지할 수 있다.
또 본 발명의 도체 패턴의 제조방법은, 앞서 기재한 도체 패턴의 제조방법이며, 상기 차광막을 Cr 또는 Al에 의하여 형성하는 것을 특징으로 한다. Cr 또는 Al로 이루어지는 차광막은 차광성이 뛰어나기 때문에, 레지스트층의 노광, 현상을 정밀도 좋게 행할 수 있어 미세한 도체 패턴을 형성할 수 있다.
또 본 발명의 도체 패턴의 제조방법은, 앞서 기재된 도체 패턴의 제조방법이 며, 상기 배선기판으로 상기 도체 패턴을 옮길 때에 상기 투명 도전막을 에칭하여 제거하는 것을 특징으로 한다. 이 구성에 의하여 마스크기판을 손상하지 않고 마스크기판으로부터 도체 패턴을 박리시킬 수 있어, 마스크기판의 재이용을 도모할 수 있다.
또 본 발명의 도체 패턴의 제조방법은, 앞서 기재한 도체 패턴의 제조방법이며, 상기 투명 도전막이 아몰퍼스의 ITO 막인 것을 특징으로 한다. 아몰퍼스 ITO 막은 옥살산으로 용이하게 용해할 수 있기 때문에, 도체 패턴을 배선기판으로 옮길 때에 옥살산 에칭을 행함으로써 마스크기판으로부터 도체 패턴을 용이하게 박리할 수 있다.
또 본 발명의 도체 패턴의 제조방법은, 앞서 기재한 도체 패턴의 제조방법이며, 상기 도체 패턴을 상기 배선기판으로 옮기기 전에, 상기 패턴화 레지스트층을 제거하는 것을 특징으로 한다. 이 구성에 의하여 마스크기판을 손상하지 않고 마스크기판으로부터 도체 패턴을 박리시킬 수 있어, 마스크기판의 재이용을 도모할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시형태를 도면을 참조하여 설명한다. 또한 이하의 실시형태의 설명에 사용하는 도면은, 본 발명의 도체 패턴의 제조방법의 공정을 설명하기 위한 도면이며, 도시되는 각 부의 크기나 두께나 치수 등은, 실제의 제조공정에 있어서의 각 부의 크기나 두께나 치수와는 다르다.
[제 1 실시형태]
이하, 본 발명의 제 1 실시형태를 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한다.
본 실시형태의 도체 패턴의 제조방법은, 마스크기판에 투명 도전막을 형성하는 공정과, 레지스트층을 적층하는 공정과, 패턴화 레지스트층을 형성하는 공정과, 도금공정과, 도체 패턴을 배선기판으로 옮기는 공정으로 개략 구성되어 있다.
먼저 마스크기판에 투명 도전막을 형성하는 공정에서는, 도 1a에 나타내는 바와 같이 투명기판(1)의 일면(1a)상에 차광막(2, …)이 형성되어 이루어지는 마스크기판(3)을 준비한다. 투명기판(1)은 예를 들면 유리 등의 투명재료로 구성되어 있다. 또 차광막(2)은, Cr 또는 Al 등의 차광성이 높은 금속막으로 구성되어 있다. 이 차광막 (2, …)은 도 1a의 앞쪽으로부터 안 길이측을 향하여 띠형상으로 형성되어 있다. 또 차광막 (2, …)이형성된 영역이 마스크부(M)로 되어 있다. 도 1a의 예에서는 투명기판(1)의 일면(1a) 의 대략 전면에 차광막(2)이 형성되어 있기 때문에, 일면(1a) 전면이 마스크부(M)가 된다. 또한 차광막 (2, …)이 일면(1a)의 일부에 한정적으로 형성되어 있는 경우는, 마스크부(M)는 그 한정된 영역을 차지하는 부분이 된다.
차광막 (2, …)끼리의 간격(d1)은 바람직하게는 1㎛ 이상으로 설정되고, 예를 들면 10㎛ 정도가 바람직하다. 또 차광막(2) 자체의 폭(w1)은 바람직하게는 1㎛ 이상으로 설정되고, 예를 들면 10㎛ 정도가 바람직하다. 또한 차광막(2)의 두께는 바람직하게는 90nm 이상 300nm 이하의 범위로 설정되고, 예를 들면 100nm 정도가 바람직하다.
다음에 도 1b에 나타내는 바와 같이 마스크부(M)의 전면, 즉 투명기판(1)의 일면(1a) 전면에 투명 도전막(4)을 성막한다. 투명 도전막(4)은 예를 들면 아몰퍼스의 ITO(산화 인듐주석) 등으로 형성하는 것이 바람직하다. 또 투명 도전막(4)의 두께는 0.15㎛ 정도로 하면 좋다. 또한 마스크부(M)가 투명기판(1) 일면(1a)의 일부의 영역에만 형성되어 있는 경우는, 투명 도전막(4)도 그 마스크부(M)의 형성영역에 한정하여 성막하는 것이 바람직하다.
다음에 레지스트층을 적층하는 공정 및 패턴화 레지스트층을 형성하는 공정에 대하여 설명한다.
레지스트층을 적층하는 공정에서는 도 1c에 나타내는 바와 같이 투명 도전막(4)의 전면에 포지티브형의 레지스트층(5)을 적층한다. 레지스트층(5)의 두께는 10㎛ 이상 100㎛ 이하의 범위가 바람직하고, 30㎛ 정도가 보다 바람직하다. 또 레지스트층(5)은 포지티브형에 한정하지 않고, 네가티브형이어도 좋다.
레지스트층(5)을 형성한 후, 투명기판(1)의 다른 면(1b)측으로부터 자외광(UV)을 조사한다. 자외광(UV)은 일부가 차광막(2, …)에 의하여 차광되고, 다른 일부는 차광막(2, …)의 사이를 통과하여 레지스트층(5)을 노광시킨다.
그리고 도 1d에 나타내는 바와 같이 레지스트층(5)의 노광된 부분을 웨트에칭에 의하여 제거(현상)함으로써, 레지스트제거부(6a)를 가지는 패턴화 레지스트층(6)을 형성한다. 레지스트제거부(6a)의 저면에는 투명 도전막(4)이 노출된다. 또 본 실시형태와 같이 포지티브형의 레지스트층(5)을 사용한 경우에는 도 1d에 나타내는 바와 같이 차광막(2)에 대응하는 부분이 레지스트제거부가 되나, 네가티브형의 레지스트층을 사용한 경우에는 차광층(2)이 형성되어 있지 않은 부분이 레지스 트제거부가된다. 어느 쪽의 경우도 레지스트제거부의 저면에는 투명 도전막(4)이 노출된다.
다음에 도금공정에 대하여 설명한다. 도 2a에 나타내는 바와 같이 투명 도전막(4)을 전극으로 하는 도금법에 의하여 패턴화 레지스트층(6)의 레지스트제거부(6a)에 Cu 등으로 이루어지는 도체 패턴(7)을 도금으로 형성한다. 구체적으로는 예를 들면 황산구리 등을 포함하는 도금액을 레지스트제거부(6a) 내의 투명 전극막(4)에 접촉시키고 나서, 투명 도전막(4)에 직류 전류를 인가하여 Cu 도금을 성장시킨다. 도체 패턴(7)의 두께는 패턴화 레지스트층(6)의 두께보다도 얇게 하는 것이 바람직하고, 예를 들면 20㎛ 정도가 좋다.
다음에 도 2b에 나타내는 바와 같이, 웨트에칭에 의하여 패턴화 레지스트층(6)을 제거한다. 이와 같이 하여 마스크기판(1)상에 소정의 형상으로 패턴 성형된 도체 패턴(7)을 얻을 수 있다.
다음에 도체 패턴을 배선기판으로 옮기는 공정에 대하여 설명한다. 이 공정에서는 먼저 도 2c에 나타내는 바와 같이 도체 패턴(7)의 위에 배선기판(8)을 겹친다. 배선기판(8)은 통상의 유리 에폭시판, 플렉시블 프린트기판, 세라믹기판 등을 사용할 수 있다. 배선기판(8)의 도체 패턴(7)과의 맞댐면(8a)에는 배선기판(8)과 도체 패턴(7)과의 접착성을 높이기 위하여 미리 접착제 등을 도포하여 두어도 좋다.
다음에 도 2d에 나타내는 바와 같이, 마스크기판(3)으로부터 배선기판(8)을 천천히 떼어 내어 도체 패턴(7)을 배선기판(8)마다 마스크기판(3)으로부터 박리시 킨다. 이와 같이 하여 도체 패턴(7)을 배선기판(8)으로 옮길 수 있다. 또한 이때 투명 도전막(4)을 웨트에칭하여 제거하고 나서 도체 패턴(7)을 박리시키는 것이, 도체 패턴(7)을 손상하지 않고 박리할 수 있는 점에서 바람직하다. 투명 도전막(4)이 아몰퍼스상태의 ITO막인 경우에는, 에칭액으로서 옥살산수용액을 사용할 수 있다.
또, 투명 도전막(4)을 에칭하지 않고 도체 패턴(7)을 용이하게 박리할 수 있는 경우이더라도 도체 패턴(7)을 박리시키고 나서 투명 도전막(4)을 웨트에칭하여 제거하여 두는 것이 바람직하다.
도체 패턴(7) 박리후의 마스크기판(3)은, 다음의 도체 패턴형성의 마스크기판(3)으로서 재이용할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시형태의 도체 패턴의 제조방법에 의하면, 투명 도전막(4)을 거쳐 마스크기판(3)에 레지스트층(5)을 적층함으로써 마스크기판(3)과 레지스트층(5)과의 간격이 대략 일정하게 유지되기 때문에, 레지스트층의 노광시에 회절현상이 일어날 염려가 없고, 레지스트제거부(6a)의 벽면이 수직하게 형성된다. 이에 따라 도체 패턴(7)의 측벽면이 마스크기판(3)에 대하여 대략 수직하게 형성되어 도체 패턴(7)의 도체폭이 넓어질 염려가 없어, 도체 패턴(7)의 두께를 종래보다도 각별하게 높일 수 있다. 이와 같이 함으로써 종횡비가 크고 저저항이며, 또한 미세한 배선구조를 용이하게 형성할 수 있다.
또, 마스크부(M)의 전면에 형성한 투명 도전막(4)을 도체 패턴(7)의 도금형성시의 전극으로서 이용하기 때문에, 포지티브형, 네가티브형의 어느 쪽의 레지스 트층에서도 사용할 수 있다. 즉, 포지티브형을 사용한 경우에는 노광된 부분이 레지스트제거부가 되어, 그곳에 도체 패턴(7)이 형성되고, 한쪽 네가티브형을 사용한 경우는 노광되지 않은 부분이 레지스트제거부가 되어, 그곳에 도체 패턴(7)이 형성된다. 어느 경우도 레지스트제거부의 저면으로부터 투명 도전막(4)이 노출되기 때문에 이 투명 도전막(4)을 도금의 전극으로서 이용할 수 있다.
[제 2 실시형태]
다음에 본 발명의 제 2 실시형태를 도 3 및 도 4를 참조하여 설명한다. 본 실시형태의 도체 패턴의 제조방법은, 제 1 실시형태와 마찬가지로 마스크기판에 투명 도전막을 형성하는 공정과, 레지스트층을 적층하는 공정과, 패턴화 레지스트층을 형성하는 공정과, 도금공정과, 도체 패턴을 배선기판으로 옮기는 공정으로 개략 구성되어 있다. 본 실시형태와 제 1 실시형태와의 상위점은, 마스크기판의 단면형상이 다른 점이다. 또한 도 3 및 도 4에 나타내는 구성요소 중, 도 1 및 도 2에 나타내는 구성요소와 동일한 구성요소에는, 도 1 및 도 2에 나타낸 부호와 동일한 부호를 붙이고 그 설명을 생략, 또는 간단하게 설명한다.
먼저, 마스크기판에 투명 도전막을 형성하는 공정에서는, 도 3a에 나타내는 바와 같이, 투명기판(11)의 일면(11a)상에 차광막(2, …)이 형성되어 이루어지는 마스크기판(13)을 준비한다. 투명기판(11)은 예를 들면 유리 등의 투명재료로 구성되고, 그 일면(11a)상에 단면으로 보아 대략 사다리꼴형상의 오목부(11c)가 형성되어 있다. 차광막(2)은 도 3a의 바로 앞쪽으로부터 안 길이측을 향하여 띠형상으로 형성되어 있다. 또 차광막(2)의 일부가 오목부(11c)의 전면에 형성되어 있다. 차광막(2)의 두께는 오목부(11c)의 안 길이보다도 작게 되어 있고, 오목부(11c)에 형성된 차광막(2)은 오목부(11c)의 단면형상을 대략 따른 형상이 된다. 차광막(2, …)이 형성된 영역이 마스크부(M)이다.
다음에 도 3b에 나타내는 바와 같이 마스크부(M)의 전면에 아몰퍼스의 ITO로 이루어지는 투명 도전막(4)을 성막한다. 이 경우도 투명 도전막(4)의 두께가 오목부(11c)의 깊이보다도 작게 되어 있기 때문에, 오목부(11c)에 형성된 투명 도전막(4)은 오목부(11c)의 단면형상을 대략 따른 형상이 된다.
다음에 레지스트층을 적층하는 공정 및 패턴화 레지스트층을 형성하는 공정에 대하여 설명한다.
레지스트층을 적층하는 공정에서는 도 3c에 나타내는 바와 같이 투명 도전막(4)의 전면에 포지티브형의 레지스트층(15)을 스핀코트법 등에 의하여 적층한다. 레지스트층(15)은 오목부(11c)를 완전히 메움과 동시에 레지스트층(15)의 상면(15a)이 대략 평탄하게 되도록 형성하는 것이 바람직하다. 레지스트층(15)의 두께는 오목부(11c)의 비형성 부분에 있어서의 두께를 10㎛ 이상 100㎛ 이하의 범위로 설정하는 것이 바람직하고, 30㎛μ정도로 하는 것이 더욱 바람직하다. 또 레지스트층(15)은 포지티브형에 한정하지 않고, 네가티브형이어도 좋다.
레지스트층(15)을 형성한 후, 투명기판(11)의 다른 면(11b)측으로부터 자외광(UV)을 조사한다. 자외광(UV)은 일부가 차광막(12, …)에 의하여 차광되고, 다른 일부는 차광막(12, …)의 사이를 통과하여 레지스트층(15)을 노광시킨다.
그리고 도 3d에 나타내는 바와 같이 레지스트층(15)의 노광된 부분을 웨트에 칭에 의하여 제거(현상)함으로써, 레지스트제거부(16a)를 가지는 패턴화 레지스트층(16)을 형성한다. 레지스트제거부(16a)의 저면으로부터는 투명 도전막(4)이 노출된다.
다음에 도금공정에 대하여 설명한다. 도 4a에 나타내는 바와 같이 투명 도전막(4)을 전극으로 하는 도금법에 의하여 패턴화 레지스트층(16)의 레지스트제거부(16a)에 Cu 등으로 이루어지는 도체 패턴(17)을 도금으로 형성한다. 이때 도체 패턴(17)은 투명 도전막(4)상에서 대략 균일한 두께로 형성된다. 이 때문에 오목부(11c)에 형성되는 도체 패턴(17a)은 오목부(11a)의 단면형상을 따른 형으로 형성된다. 이에 의하여 도체 패턴(17a)의 상면에는 패턴 오목부(17a1)가 형성된다. 도체 패턴(17)의 두께는 패턴화 레지스트층(16)의 두께보다도 얇게 하는 것이 바람직하고, 예를 들면 20㎛ 정도가 좋다.
다음에 도 4b에 나타내는 바와 같이 웨트에칭에 의하여 패턴화 레지스트층(16)을 제거한다.
다음에 도체 패턴을 배선기판으로 옮기는 공정에서는 제 1 실시형태의 경우와 마찬가지로 도 4c에 나타내는 바와 같이 도체 패턴(17)의 위에 배선기판(8)을 겹치게 하고 나서 도 4d에 나타내는 바와 같이 마스크기판(13)으로부터 배선기판(8)을 천천기 떼어 내어 도체 패턴(17)을 배선기판(8)마다 마스크기판(13)으로부터 박리시킨다. 이와 같이 하여 도체 패턴(17)을 배선기판(8)으로 옮길 수 있다.
또한 상기한 바와 같이 오목부(11c)상에 형성된 도체 패턴(17a)에는 패턴 오 목부(17a1)가 형성되어 있고, 도체 패턴(17)이 배선기판(8)으로 옮겨졌을 때에 이 패턴 오목부(17a1)에 의한 공극부(17a2)가 형성된다. 그래서 미리 배선기판(8)의 일면(8a)상에 별도의 배선을 형성하여 두고, 이 별도의 배선에 공극부(17a2)를 겹치도록 하면 배선기판(8)상에 입체 배선구조를 용이하게 형성하는 것이 가능하게 된다.
도체 패턴(17)의 박리후의 마스크기판(13)은 제 1 실시형태와 마찬가지로 다음의 도체 패턴형성의 마스크기판(13)으로서 재이용할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시형태의 도체 패턴의 제조방법에 의하면 입체 배선구조를 용이하게 형성할 수 있다.
본 발명의 도체 패턴의 제조방법에 의하면, 레지스트재료의 제약이 없고, 또한 1번 형성한 포토 마스크를 반복하여 이용할 수 있어, 생산성이 뛰어난 도체 패턴의 제조방법을 제공할 수 있다.

Claims (5)

  1. 투명기판의 일면측에 차광막이 패턴 형성되어 이루어지는 마스크부를 가지는 마스크기판을 준비하고, 상기 마스크부의 전면에 투명 도전막을 형성하는 공정과,
    상기 투명 도전막의 위에 포지티브형 또는 네가티브형의 레지스트층을 적층하는 공정과,
    상기 마스크기판의 다른 면측으로부터 빛을 조사하여 상기 레지스트층을 노광하고, 노광후의 레지스트층을 현상함으로써 상기 레지스트층을 상기 차광막의 패턴에 대응하여 형성된 레지스트제거부를 가지는 패턴화 레지스트층으로 하는 공정과,
    상기 레지스트제거부의 저면에 노출된 상기 투명 도전막상에 도체 패턴을 도금하여 형성하는 공정과,
    형성된 상기 도체 패턴상에 배선기판을 탑재하여 상기 도체 패턴을 상기 배선기판으로 옮기는 공정을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 도체 패턴의 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 차광막을 Cr 또는 Al에 의하여 형성하는 것을 특징으로 하는 도체 패턴의 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 배선기판으로 상기 도체 패턴을 옮길 때에 상기 투명 도전막을 에칭하여 제거하는 것을 특징으로 하는 도체 패턴의 제조방법.
  4. 제 1항 또는 제 3항에 있어서
    상기 투명 도전막이 아몰퍼스의 ITO막인 것을 특징으로 하는 도체 패턴의 제조방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 도체 패턴을 상기 배선기판으로 옮기기 전에, 상기 패턴화 레지스트층을 제거하는 것을 특징으로 하는 도체 패턴의 제조방법.
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