JP4534984B2 - 金属フォトエッチング製品の製造方法 - Google Patents
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Description
この問題を解決すべく、例えば特開平1−188700号公報に述べられるような方法も挙げられる。この方法では、一次エッチング(ハーフエッチングと言われることもある)した部分の側面を絶縁性の保護膜で保護したのち、再度電解エッチングする。これにより、一次エッチングが施された層の不要部分を除去して、高密度パターンを形成する。
上記の文献では、一旦一次エッチングした部分(孔部)の全面に、絶縁性保護膜を形成し、その後一次エッチングをした部分の深層部の底部分にあたる箇所の絶縁性保護膜を、酸性液のスプレーだけで溶解させる。このため、金属板の面内で酸性液のスプレーの流れバラツキが出てしまうと、一次エッチング部分内の保護膜に寸法バラツキが生じやすい。特に隣り合うパターンとのピッチが狭い高精細なパターンの場合では、大きな問題が発生する。また高精細なパターンでは、サイドエッチング量が少なく一次フォトレジストの庇(表面とエッチング部分の角部に形成された、ひさし部分)が微少であり、このような場合、絶縁性の保護膜がすべて取れてしまうといった問題がある。また一次エッチングによる孔が深くて深度方向にエッチング量の多いパターンを形成する場合では、上記方法では深層部底だけ絶縁性の保護膜を除去することができない。よって、二次エッチングで希望に反して全体的にエッチングが進行してしまう。
上記の方法では、一次エッチングで形成したフォトレジスト庇が一部でもカケや垂れが生じてしまうと、その変形を二次エッチングレジストの形状に転写してしまう。よって、シャープな形状が得られず、微細なパターン形成に不向きであり、特に隣り合うパターンとのピッチが狭い高精細なパターンのような場合には、大きな問題が発生する。またこの方法では、一次エッチングで形成された孔に均一に二次フォトレジストをコーティングすることが困難であり、特に高精細なパターンや一次エッチングによる孔が深くてエッチング量の多いパターンには対応できない。
この方法では、接着液で溶解した一次エッチング用レジストのレジスト成分が、一次エッチング底部にまばらに残留してしまい、次のエッチングがまばらにしか入らなくなる問題や、接着液でレジストの庇が膨潤し、乾燥する工程で、庇がシャープな形状を再現できない問題が発生する。これらの問題は、面内でのエッチング寸法のバラツキを生じさせる問題である。また、高精細のパターンでは、一次エッチングのレジストの庇が微少であるため、接着液による接着剤がすべて蒸発してしまうだけで、庇を接着させる効果が得られない。また高アスペクト比の孔を得ようとしても、庇の部分しかサイドエッチングが止められないので、一次エッチング孔が深くてエッチング量の多いパターンには対応できない。
電着フォトレジスト層を設ける工程と、露光と現像により、少なくとも一つの凹部内の、電着フォトレジスト層に少なくとも一つの開口部を設ける工程と、二次エッチングを行う工程と、上記3つの工程を繰り返し、表と裏に貫通した穴を得る工程を含む製造方法であってもよい。
電着フォトレジスト層を設ける工程と、露光と現像により、大きな凹部と小さな凹部の少なくとも一つの凹部内の電着フォトレジスト層に少なくとも一つの開口部を設ける工程と、二次エッチングを行う工程と、上記3つの工程を繰り返す工程を含む製造方法であってもよい。
次に本発明の製品を説明する。
本発明の製品は、膜厚方向に高アスペクト比の凹部(向こうまでつき抜けない穴および/または突き抜ける穴)を形成させた製品である。加工部は、高次のエッチングにより形成され、金属層の凹部壁にはその加工形状を有する。詳しく述べると、加工部が金属層の表層側に一次エッチングによる側壁を有し、さらに、一次エッチングによる側壁に電着フォトレジストを用いたことに起因する、複数次のエッチングによる少なくとも一つの側壁を有する複雑な立体形状の金属パターンを有する。本発明では、従来では達成できなかった高アスペクト比で、かつ異型断面をもつ製品が提供されるが、ここで述べる異型とは、断面をサイドから見た場合、通常のような単に凹部が形成されたシンプルな形状ではなく、凹部の中にさらに一つ以上の小さな凹部が形成されていたり、大きい凹部と小さな凹部が特定の比率を有して金属基板上に形成されていたり、金属基板の両面または片面に凹部が形成されていたり、といったような、複雑な断面を有し得る型をいう。このような型をもつことにより、例えば多層断面構造を一枚の基板に作りこんだり、孔径が大きく異なっても孔の深さの差を小さくできたり、大きく深い孔と極めて径の小さい孔を共存させるといった優れた特性を示すことができる。本発明の優れた特性はこれらに限定されるわけではない。本発明の製品は、具体的な例としては図12のような形態を有することができる。金属加工基板44の一部分を拡大した部分に非加工部42と、ごく小さい大凹部42が規則正しく形成され、その内部にさらに小さい小孔部41と、それよりさらに小さい小孔部40が形成されている。本発明の製品はこれに限定されるわけではなく、様々な優れた金属フォトエッチング製品を提供するものである。本発明では機械加工では可能でない大面積の微細加工が可能である。本発明では例えば、加工部の面積が300×300〜2000×2000mm、加工部パターンのピッチが微小な0.05〜0.5mmなどの値をとっても可能である。
本発明の製品の製造に使用される金属板は、例えば銅、および銅合金、鉄およびステンレスや鉄−ニッケル等の合金などの板などが使用できる。その中でも鉄−ニッケル合金を使用することが好ましい。金属板の板厚は、0.01mm以上5mm以下である。好ましくは0.02mm以上、2mm以下であり、よりこの好ましくは0.05mm以上0.5mm以下、さらに好ましくは0.1mm以上0.3mm以下である。また、金属板はアルカリ脱脂、酸洗や化学研磨などの処理を行ってもよい。また平板であること、あるいは平面を有することが好ましいが、曲面を有していても良い。またこのような場合、エッチングは平面に施されても、曲面に施されても良い。
本発明の第一の態様の製品は、面内に少なくとも一つの短径W1S、長径W1L、深さD1の大凹部を有し、前記大凹部の少なくとも一つが、その中に一つ以上の小凹部を有する。本態様では、最も小さい小孔の短径が、W2S、長径がW2L、深さがD2である。本製品は、大凹部を金属板へどのような配置でも任意に形成できる。全く同じ大凹部が規則正しく縦横に形成されてもよいし、異なる大凹部が規則正しく配置されていてもよい。またランダムに配置されていても良い。また小凹部は、可能な限り大凹部の中でいかなる位置でも形成されることができる。D1+D2=板厚Dである。すなわち、本態様の製品は、大凹部と小凹部によって、金属板を貫通する穴が設けられている。
本態様の製品は、以下の式で規定される寸法の関係を有する。
0.4×D<W1S<D、0.2×D<W2S<0.8×D
上記の式はより好ましくは
0.4×D<W1S<0.9×D、0.2×D<W2S<0.65×Dである。
またさらに好ましくは、
0.4×D<W1S<0.8×D、0.2×D<W2S<0.5×Dである。
本発明の第二の態様の製品は、面内に少なくとも一つの、短径W1S、長径W1L、深さD1の大凹部と、短径W2S、長径W2L、深さD2の小凹部と、の組み合わせを有する。なお上記大凹部と小凹部は、どちらも底部を有し、金属板を貫通するものではない。これらの凹部は互いに金属の表面に任意の向きで共存してよい。本製品は可能な限り、大凹部及び小凹部を金属板上へどのような配置でも、任意に形成できる。全く同じ大凹部及び小凹部の組が規則正しく形成されてもよいし、互いに異なる大凹部及び小凹部の組が規則正しく配置されていてもよい。またランダムに配置されていても良い。どのような配置でもよい。本態様の製品は、面内に少なくとも一つの、短径W1s、長径W1L、深さD1の大凹部と、短径W2S、長径W2L、深さD2の小凹部との組み合わせを有し、以下の式で規定される寸法の関係を有する。
0.5×W1S<D1<D、0.5×W2S<D2<D、1.7×W2S<W1S<5×W2S、0.5×D2<D1<1.5×D2
好ましくは、上記関係は以下の式で規定される。
0.5×W1S<D1<D、0.5×W2S<D2<D、2.2×W2S<W1S<5×W2S、0.5×D2<D1<1.3×D2
さらに好ましくは、以下の式で規定される。
0.5×W1S<D1<D、0.5×W2S<D2<D、2.7×W2S<W1S<5×W2S、0.5×D2<D1<1.1×D2
本発明の第三の態様の製品は、面内に少なくとも一つの、短径W1S、長径W1L、深さD1の大凹部と、短径W2S、長径W2L、深さD2の小凹部と、の組み合わせを有する。なお上記大凹部及び小凹部は、金属板を貫通してもよく、またしなくてもよい。これらの凹部は互いに任意の向きで共存してよい。本製品は可能な限り、大凹部及び小凹部を金属板上へどのような配置でも、任意に形成できる。全く同じ大凹部及び小凹部の組が規則正しく形成されてもよいし、互いに異なる大凹部及び小凹部の組が規則正しく配置されていてもよい。またランダムに配置されていても良い。本態様の製品は、面内に少なくとも一つの、短径W1S、長径W1L、深さD1の大凹部と、短径W2S、長径W2L、深さD2の小凹部との組み合わせを有し、以下の式で規定される寸法の関係を有する。
0.5×W1S<D1≦D、0.5×W2S<D2≦D、W2S<W1S<2.0×W2S、0.2×D1<W2S<0.8×D1
上記関係は、好ましくは以下の式で規定される。
0.5×W1S<D1≦D、0.5×W2S<D2≦D、W2S<W1S<1.8×W2S、0.2×D1<W2S<0.6×D1
さらに好ましくは、以下の式で規定される。
0.5×W1S<D1≦D、0.5×W2S<D2≦D、W2S<W1S<1.6×W2S、0.2×D1<W2S<0.4×D1
本発明の金属エッチング製品においては、金属パターンが、金属層の表層側に開孔部の一次エッチングによる側壁を有し、深層側に電着フォトレジストを用いた二次エッチングによる側壁を有する場合、該金属パターンの少なくとも一つの開孔部(凹部)のエッチングファクターが2.6以上であることも好ましい。孔開孔寸法に対して孔深いエッチング形状を有することで優れた特性を提供できる。発明者等の実験では、フォトレジスト開孔径10μm以上のフォトレジストパターンでは、一次エッチングだけではフォトレジスト直下でのサイドエッチングが進行するため、エッチングファクターは最大でも2.6未満程度であった。しかしながら、本発明の製品の一例では、一次フォトレジスト開孔径260μmパターンで、電着フォトレジストを用いた二次エッチングによってエッチングファクター6.9が提供される。
EF=ED/SE
なお2次以降のエッチングが行われている場合、エッチング寸法は最高次の値を用いて計算することができる。
二次以上のエッチングを実施した金属層35の開孔部36のEDやSEは開孔部36の中心を垂直に切断し、切断面の断面から計測することができる。図に示されるように、絶縁基板37上に至るまで開孔部36を設けたり、金属層35に貫通孔を設けたりした場合などのように、金属層35の開孔部36の深層部底の形状38が曲面を描かず、一部欠けている場合は、底の曲線を外挿して、すなわちEDを推定して値を得ることができる。
このように本発明では、金属基板の両面からエッチングして、ほぼ垂直な貫通孔を作製してもよいし、金属基板を非エッチング性の基板に貼り付けた金属箔の片側からエッチングして、高アスペクト比な金属配線パターンを形成してもよい。
以下本発明の製造方法について詳細に説明する。
本発明の複雑な立体形状を有する金属エッチング製品の製造方法では、第一のフォトマスクとそれ以降の露光工程で用いられるフォトマスクのパターン形状を変えることにより、立体的で複雑なエッチング形状を可能する。また、1回の露光工程で用いられるフォトマスクのパターン形状を表裏で異なるものとすることで、部分的に金属板厚が異なるなどのより複雑な立体形状を形成することを可能とする。
上記に述べた本発明の製品は、所望する複雑な形状を得るために、電着フォトレジストを使用して、二次以上の複数次エッチング工程を経て得ることができる。深度方向への異方性の高いエッチングをして、高アスペクト比の貫通孔を形成させ、高アスペクト比かつ高精細な金属パターンを形成させる。
複雑な立体形状を有する金属エッチング製品の製造方法の例として、以下のような方法が挙げられる。基板に少なくとも一回のエッチングで大きな凹部を形成して、その中に少なくとも一回のエッチングで少なくとも一つの小さな凹部を形成する方法、基板上に二回以上のエッチングによる小さな凹部と一回のエッチングによる大きな凹部とを形成する方法、またはその逆の方法、基板の一方の側からの少なくとも一回のエッチングで大きな凹部を形成し、基板の反対側からの少なくとも一回のエッチングで小さな凹部を形成し貫通部を形成する方法、などがある。貫通部と凹部の両方が基板上に共に存在するように製造することができる。
一次エッチングの前にはフォトレジストが、基板の少なくとも一部または一面に付加される。一次エッチング工程で使用されるレジストには、ナフトキノンアジド系やノボラック樹脂系のポジ型フォトレジストや重クロム酸系やポリケイ皮酸ビニル系や環化ゴムアジド系などのネガ型フォトレジストを用いることができる。また一次エッチングからポジ型やネガ型の電着フォトレジストを使用してもよい。レジストの厚さは、耐エッチング性や解像度という観点から3μm以上30μm以下、好ましくは5μm以上20μm以下であることがこのましい。液状フォトレジストのコーティングの場合には、スピンコーター、ロールコーター、ディップコーターなど通常使用されるフォトレジストコート方法を用いることができる。ドライフィルムレジストを用いる場合には、ラミネーターが用いられる。また、印刷レジストをパターン印刷しても良い。これらの中でも、前記フォトレジストを用いることが微細加工の観点から好ましい。
一次エッチングの前には、フォトレジストに対して所望の位置に露光および現像が行われる。露光には第一のフォトマスクを用いることができ、その後現像を行うと、所望するレジストパターンが得られる。金属表面にフォトレジストがコートされているので、露光と現像によって、開孔部パターンで開孔したフォトレジストが形成される。露光は1回で行っても良く複数回に分けて行っても良い。
露光の方法や条件としては、平行光源、拡散光源、コンタクト露光や投影露光などが挙げられる。現像の方法や条件としてはスプレー現像やディップ現像などが挙げられる。露光、現像の条件はどのようなものも任意に選択可能であるが、露光は平行光源、現像はスプレーで行われることが微細加工の観点から好ましい。
レジストパターンが得られた後、一次エッチングが行われる。この工程によって一次エッチング形状(ハーフエッチング形状)が形成される。エッチング剤としては、塩化第二鉄液、塩化第二銅液などが挙げられる。エッチング液が供給される方法は任意であり、スプレー法、パドル法、ディップ法や噴流法、などが挙げられるが、スプレー法によることが好ましい。
次回のフォトレジストを形成する前に、一次エッチング工程で使用した金属材料に付着しているフォトレジストは、剥膜してよい。剥離の方法や条件は任意である。熱アルカリ溶液、有機溶剤及びその混合物等のレジスト剥離液を用いて剥膜してもよい。また、スプレー法、ディップ法などが挙げられ、アルカリを用いたスプレー法が好ましい。
一次エッチングが行われた金属基体上に、電着による二次レジストが形成される。二次以降のレジストの形成すには、液状フォトレジストやドライフィルムレジストでは、エッチング面を有する凹凸のある金属層に、均一な膜厚でレジストをコーティングするのはほぼ不可能である。液体フォトレジストを使用すると、一次エッチングによる凹部の表面に二次エッチングに使用するフォトレジストをコーティングするときに、一次エッチング孔部にフォトレジスト液が溜まりやすい。よって、均一な膜厚のフォトレジストを形成できない問題がある。またドライフィルムレジストは一次エッチング面(特に凹部)に上手く貼り付けることができない問題がある。
従って、電着法が用いられる。電着フォトレジストは一次エッチングによって凹凸の生じた金属表面に対して均一な膜厚で電着によりコーティングされる。電着レジストは、基板の全面をコートしてもよく、また特定の面や部分のみを選択してコートしてもよい。電着フォトレジストの膜厚は20μm以下程度、好ましくは8μm前後である。膜厚は、材料自体の誘電率と電着条件により制御できるが、サイドエッチングによって生成する庇の機械的強度の問題から2μm以上の膜厚が好ましく、高精細パターンを形成するためには10μm以下の膜厚が好ましい。
ここで、二次エッチングに使用する電着フォトレジスト材には、ポジ型電着フォトレジストが望ましい。ネガ型電着フォトレジストでも使用できなくはないが、以下に示すように不具合が生じる。
次いで、電着フォトレジストへの露光、現像を行うことができる。露光では、第一のフォトマスクと異なる第二のフォトマスクを用いることができる。上記処理により、一次エッチング工程でのハーフエッチング壁の所望箇所にのみ金属面を露出させる。マスクは、第一のフォトマスクとは異なるパターンを有する第二のフォトマスクが使用されることが好ましい。また、ポジ型電着レジストが使用される場合は、第二のフォトマスクは第一のフォトマスクより露光できるサイズが小さいことが好ましい。前次エッチングで製造した一次エッチング孔と第一のフォトマスクとは異なるパターンを有する第二のフォトマスクの位置合わせを行い、露光を行うことが好ましい。露光は上部からの平行光源を用いて行われることが好ましいが、条件によってはこの限りではない。第二のフォトマスクを用いる場合、プロキシミティ露光法、ソフトコンタクト法や投影露光法を用いても良い。この場合、前次エッチング工程での一次エッチングされた孔あるいは凸部とアライメントを合わせて平行紫外線光にて露光し、現像できる。
上記の現像後、二次エッチング工程を行う。二次エッチング工程以降では、電着工程が取り入れられていることにより、金属材料表面のサイドエッチングを防ぎつつ、所望の箇所にエッチングをして、複雑で高精細な金属パターン加工形状を形成する。二次エッチングは、一次エッチング工程と同様に行っても良いし、異なっていてもよい。例えば、一次エッチングのように、塩化第二鉄液や塩化第二銅液といったエッチング液スプレーでエッチングする。その結果、複雑な立体形状を持つ金属エッチング製品を得る。
なお、エッチングは、金属板の片面のみに行うことも、両面行うことも可能である。また両面を行う場合、表面と裏面で、エッチングの回数を変えても良い。このように露光・現像・エッチングを行う回数、順番、位置は任意であり、よって様々な優れた製品を得ることができる。
上記エッチングの後に、電着フォトレジストを剥膜してもよい。このとき、剥膜のためには、熱アルカリ、有機溶剤等を使用できるが、その中でも、3wt%苛性ソーダ水溶液を使用することが好ましい。また剥膜温度は、任意であるが、剥離速度の観点から高温であることが好ましく、3wt%苛性ソーダ水溶液を使用する場合、60℃程度で行われるのが最も好ましい。このようにして、複雑なエッチング形状を有する金属エッチング製品を完成させる。
レジストパターンが矩形である場合、角部にサイドエッチングの影響がある。図9Aに示されるように金属材料基板26に、矩形の角を有する一次エッチング工程のためのポジ型フォトレジストパターン27を形成し、一次エッチングを行うと、図9Bに示されるように、一次エッチング工程で形成された一次エッチング凹部28加え、一次エッチング工程で形成された凹部のサイドエッチング部29が形成される。すなわち、エッチング形状は上記フォトレジストの矩形の角を中心とする半径SEの角丸(直角でなく曲線を描く角)の矩形になってしまう。角丸の程度を軽減するため、二次エッチング以降の電着フォトレジストでは、角を強調したフォトマスクを用いる。図9Cには、前記フォトマスクの使用によって形成された、二次エッチング工程のための金属材料露出部30と、ポジ型電着フォトレジストコーティング部31と、一次エッチング工程で形成された一次エッチング凹部上にコーティングされたポジ型電着フォトレジストコーティング部32が示されている。半径SEの角丸の中央を始点とする、サイドエッチング部29の辺に平行に走るラインまで、電着レジストが電着されている。角丸の所望する部分にも、任意にポジ型電着フォトレジストを付与することにより、より高いアスペクト比が得られる。図9Dでは、二次エッチング工程により矩形の角丸が小さくなった部位33が示されている。このように、エッチング形状を制御することにより、エッチングファクターが2.6以上である、孔開孔寸法に対して孔深いエッチング形状を有する金属エッチング製品を製造方法できる。
片側エッチングの場合、エッチング開孔径は板厚の約200%が限界であるが、本発明の方法によれば0.01〜5mmの板厚において板厚の40〜160%で、好ましくは40〜130%で、よりこのましくは40〜100%で開孔できる。開孔できる。また両面エッチングの場合、エッチング開孔径は板厚の約100%が限界であるが、本発明によれば0.05〜10mmの板厚において板厚の20〜80%で、好ましくは20〜65%で、より好ましくは20〜50%で開孔できる。さらに本発明によれば、二次エッチング工程以降の原版設計補正の取り方によって、エッチング断面形状をテーパー形状や段差形状にすることも可能となり、単純な垂直断面だけでなく、エッチング形状の三次元的な制御が可能となる。
比較例1には、従来の一段エッチングによる金属基板のエッチングを示した。実施例1と比較して分かるように、エッチング加工部の断面形状は半楕円形状となる。
一次エッチング工程として、塩化第二鉄エッチング液を50℃、0.3MPaにてサイドエッチングが20μm進行するまでスプレーエッチングして、一次エッチング後のハーフエッチング部3が形成された(図4B)。その後、水洗後60℃、3wt%の苛性ソーダ水溶液に浸漬し、ポジ型フォトレジストを剥膜した。
次いで、ポジ型電着フォトレジスト4(ゾンネEDUV P−500、関西ペイント製)を膜厚8μmでコーティングした。次いでピッチ350×1000μmで260×860μmのスロットパターンが開孔され、さらにスポットパターン内に180×780μmの長方形の遮光部を有する第二のフォトマスクを介して露光をおこなった。露光は150mJ/cm2で行われ、140℃、15min熱処理後、35℃、1wt%の炭酸ソーダ水溶液でスプレー現像した(図4C)。
さらに二次エッチング工程として、塩化第二鉄エッチング液を50℃、0.3MPaにてスプレーエッチングして、エッチング部分8をえた(図4D参照)。その後、レジストを剥膜し、板厚500μm、金属表面での開口の寸法Aが300×900μm、加工底面突起部9の寸法が160×760μmである立体的な形状が作製できた(図4E)。
図5Aから図5Cは、比較例1の製造方法の工程を断面で示す概略説明図である。 厚み500μmの鉄系の金属材料基板1をアルカリ脱脂し、ポジ型フォトレジストのPMER P−RH300PM(東京応化工業製)を膜厚10μmで両面コーティングした。次いで、ピッチ350×1000μmで260×860μmスロットパターンが開孔されたフォトマスクを介して紫外線を露光し、アルカリ水溶液のスプレー現像で、フォトマスクと同寸法のポジ型フォトレジストパターン2を形成した(図5A)。
一次エッチング工程として、塩化第二鉄エッチング液を50℃、0.3MPaにてスプレーエッチングした(図5B)。水洗後60℃、3wt%の苛性ソーダ水溶液に浸漬し、ポジ型フォトレジストパターンを剥膜し、板厚500μm、金属表面での開口寸法が300×900μmである断面形状が半楕円形のハーフエッチング凹部3が作製できた(図5C)。
このように従来の製造方法では、複雑な立体形状は形成できない。
さらに三次エッチング工程として、塩化第二鉄エッチング液を50℃、0.3MPaにてスプレーエッチングした(図6C)。この後レジストを剥膜し、板厚500μm、金属表面での開口寸法が300×900μm、加工底面突起部9寸法が160×760μm、加工底面突起部に形成した三次エッチング部分11の加工底面突起部上面での寸法が130×730μmである立体的な形状が作製できた(図6D)。
一次エッチング工程として、塩化第二鉄エッチング液を50℃、0.3MPaにてサイドエッチングが20μm進行するまでスプレーエッチングし(図7B)、水洗後60℃、3wt%の苛性ソーダ水溶液に浸漬し、ポジ型フォトレジストを剥膜した。その際の金属表面よりの深さ14は50μmであった。
次いで、ポジ型電着フォトレジスト15(ゾンネEDUV P−500、関西ペイント製)を膜厚8μmでコーティングした。次いで両方の金属表面12、13に、ピッチ350×1000μmで260×860μmのスロットパターンが開孔された第二のフォトマスクを介して、150mJ/cm2で露光し、140℃、15minの熱処理後、35℃、1wt%の炭酸ソーダ水溶液でスプレー現像した(図7C)。
さらに二次エッチング工程として、塩化第二鉄エッチング液を50℃、0.3MPaにてスプレーエッチングした(図7D)。レジストを剥膜し、板厚500μm、金属表面Aでの開口16の寸法が300×900μm、金属表面Bでの開口17の寸法が650×900μm、加工底面突起部の金属表面Bよりの深さ19が50μm、貫通部分20の寸法が280×880μmである立体的な形状が作製できた(図7E)。
比較例2には、従来の一段エッチングによる金属基板の両面からのエッチングを示した。実施例と比較して分かるように、同じピッチでエッチングするには、板厚を半分以下にする必要がある。
図10Aから10Cは、比較例1の製造方法の工程を断面で示す概略説明図である。厚み200μmの鉄系の金属材料材基板1をアルカリ脱脂し、ポジ型フォトレジスト(PMER P−RH300PM、東京応化工業製)を膜厚10μmで両面コーティングした。次いで、ピッチ350×1000μmで260×860μmスロットパターンが開孔されたフォトマスクを介して紫外線を露光し、アルカリ水溶液のスプレー現像で、フォトマスクと同寸法のポジ型フォトレジストパターン2を形成した(図10A)。
一次エッチング工程として、塩化第二鉄エッチング液を50℃、0.3MPaにてSEが20μmまで進行するまでスプレーエッチングし(図10B)、水洗後60℃、3wt%の苛性ソーダ水溶液に浸漬し、ポジ型フォトレジストパターンを剥膜し、片側でのEFが2.6で形成される板厚200μm、300×900μmスロットパターンの貫通孔34が作製された(図10C)。このように従来の製造方法では、板厚の薄いものしかできない。
一次エッチング工程として、塩化第二鉄エッチング液を50℃、0.3MPaにてサイドエッチングが20μm進行するまでスプレーエッチングして、一次エッチング後のハーフエッチング部3が形成された(図1B)。ここで表面側のハーフエッチング部は、裏面のハーフエッチング部と比べ、径、深さとも大きい。その後、水洗後60℃、3wt%の苛性ソーダ水溶液に浸漬し、ポジ型フォトレジストを剥膜した。
次いで、ポジ型電着フォトレジスト4(ゾンネEDUV P−500、関西ペイント製)を膜厚8μmでコーティングした。次いでピッチ800×260μmで740×200μmのスロットパターンが開孔され、さらにスロットパターン内に200×200μmの長方形の遮光部を有する第三のフォトマスクを介して表裏の露光をおこなった。露光は150mJ/cm2で行われ、140℃、15min熱処理後、35℃、1wt%の炭酸ソーダ水溶液でスプレー現像した(図1C)。
さらに二次エッチング工程として、塩化第二鉄エッチング液を50℃、0.3MPaにてスプレーエッチングして、貫通する孔5をえた(図1D参照)。その後、レジストを剥膜し、深さD1が250μm、金属表面での開口の短径W1Sが210μm、長径W1Lが750μmの大凹部と、その中に深さD2が250μm、大凹部表面での開口の短径W2Sが210μm、長径W2Lが270μmの2つの凹部を有する金属フォトエッチング製品6が作製できた(図1E)。
なお、金属フォトエッチング製品のD1+D2=板厚Dは、500μm、0.4×D<W1S<Dは、120<210<300μm、0.2×D<W2S<0.8×Dは、60<210<240μmであった。
一次エッチング工程として、塩化第二鉄エッチング液を50℃、0.3MPaにてサイドエッチングが30μm進行するまでスプレーエッチングして、一次エッチング後のハーフエッチング部3が形成された(図2B)。その後、水洗後60℃、3wt%の苛性ソーダ水溶液に浸漬し、ポジ型フォトレジストを剥膜した。
次いで、ポジ型電着フォトレジスト4(ゾンネEDUV P−500、関西ペイント製)を膜厚8μmでコーティングした。次いでピッチ1800×560μmで250×450μmのスロットパターンが開孔された遮光部を有する第二のフォトマスクを介して露光をおこなった。露光は150mJ/cm2で行われ、140℃、15min熱処理後、35℃、1wt%の炭酸ソーダ水溶液でスプレー現像することにより、小さな凹部内のレジストに開口部7を形成した(図2C)。
さらに二次エッチング工程として、塩化第二鉄エッチング液を50℃、0.3MPaにてスプレーエッチングして、エッチング部分8をえた(図2D参照)。その後、レジストを剥膜し、深さD1が300μm、金属表面での開口の短径W1Sが460μm、長径W1Lが1140μmの大凹部と、深さD2が240μm、金属表面での開口の短径W2Sが260μm、長径W2Lが460μmの小凹部を有する金属フォトエッチング製品9が作製できた(図2E)。
なお、金属フォトエッチング製品のDは、500μm、0.5×W1S<D1<Dは、260<300<500μm、0.5×W2S<D2<Dは、130<240<500、1.7×W2S<W1S<5×W2Sは、442<460<1300μm、0.5×D2<D1<1.5×D2は、120<300<360μmであった。
一次エッチング工程として、塩化第二鉄エッチング液を50℃、0.3MPaにてサイドエッチングが20μm進行するまでスプレーエッチングして、一次エッチング後のハーフエッチング部3が形成された(図3B)。その後、水洗後60℃、3wt%の苛性ソーダ水溶液に浸漬し、ポジ型フォトレジストを剥膜した。
次いで、ポジ型電着フォトレジスト4(ゾンネEDUV P−500、関西ペイント製)を膜厚8μmでコーティングした。次いでピッチ770×270μmで110×210μmのスロットパターンが開孔された遮光部を有する第二のフォトマスクを介して露光をおこなった。露光は150mJ/cm2で行われ、140℃、15min熱処理後、35℃、1wt%の炭酸ソーダ水溶液でスプレー現像することにより、大きな凹部内のレジストに開口部7を形成した(図3C)。
さらに二次エッチング工程として、塩化第二鉄エッチング液を50℃、0.3MPaにてスプレーエッチングして、エッチング部分8をえた(図3D参照)。その後、レジストを剥膜し、深さD1が170μm、金属表面での開口の短径W1Sが220μm、長径W1Lが550μmの大凹部と、深さD2が110μm、金属表面での開口の短径W2Sが120μm、長径W2Lが220μmの小凹部を有する金属フォトエッチング製品9が作製できた(図3E)。
なお、金属フォトエッチング製品のDは、500μm、0.5×W1S<D1<Dは、110<170<300、0.5×W2S<D2≦Dは、60<110<300μm、W2S<W1S<2.0×W2Sは、120<220<240μm、0.2×D1<W2S<0.8×D1は、34<120<136であった。
Claims (8)
- 金属基板を用意して、少なくとも一部にフォトレジスト層を設ける工程と、第一のフォトマスクを用い露光露光と現像によりフォトレジスト層に一つ以上の開口部を設ける工程と、一次エッチングを行い前記開口部に対応する凹部を形成する工程とを含み、
電着フォトレジスト層を設ける工程と、前記一次エッチングで製造した一次エッチング孔と第一のフォトマスクとは異なるパターンを有する第二のフォトマスクを用い露光と現像により、少なくとも一つの凹部内にある電着フォトレジスト層に少なくとも一つの開口部を設ける工程と、二次エッチングを行う工程と、を含み、異形断面であるエッチング部分を形成する金属フォトエッチング製品の製造方法。 - 請求項1に記載の金属フォトエッチング製品の製造方法であって、
さらに、上記電着フォトレジスト層を設ける工程と、少なくとも一つの開口部を設ける工程と、二次エッチングを行う工程とを、複数回さらに繰り返す金属フォトエッチング製品の製造方法。 - 請求項1に記載の金属フォトエッチング製品の製造方法であって、前記少なくとも一部が、金属基板の片面及び両面のどちらか一つであり、電着フォトレジストがポジ型フォトレジストである金属フォトエッチング製品の製造方法。
- 請求項1に記載の金属フォトエッチング製品の製造方法であって、一次エッチングのあとに、フォトレジスト層を排除する工程を含む金属フォトエッチング製品の製造方法。
- 請求項1に記載の金属フォトエッチング製品の製造方法であって、次数が上がるほど露光によって設けられる開口部が小さくなる金属フォトエッチング製品の製造方法。
- 請求項1に記載の金属フォトエッチング製品の製造方法であって、金属基板を用意して、両面にフォトレジスト層を設ける工程と、露光と現像により上面のフォトレジスト層に一つ以上の大きな開口部を設け、裏面のフォトレジスト層に大きな開口部の位置に対応する一つ以上の小さな開口部を設ける工程と、一次エッチングを行い前記開口部に対応する凹部を形成する工程とを含み、
電着フォトレジスト層を設ける工程と、露光と現像により、少なくとも一つの凹部内の、電着フォトレジスト層に少なくとも一つの開口部を設ける工程と、二次エッチングを行う工程と、上記3つの工程を繰り返し、表と裏に貫通した穴を得る工程を含む金属フォトエッチング製品の製造方法。 - 請求項1に記載の金属フォトエッチング製品の製造方法であって、金属基板を用意して、片面にフォトレジスト層を設ける工程と、露光と現像によりフォトレジスト層に一つ以上の大きな開口部と小さな開口部を設ける工程と、一次エッチングを行って凹部を形成する工程とを含み、
電着フォトレジスト層を設ける工程と、露光と現像により、大きな凹部と小さな凹部の少なくとも一つの凹部内の電着フォトレジスト層に少なくとも一つの開口部を設ける工程と、二次エッチングを行う工程と、上記3つの工程を繰り返す工程を含む金属フォトエッチング製品の製造方法。 - 金属表面にフォトレジストをコートし、第一のフォトマスクを用い露光、現像し開孔部パターンの開孔したフォトレジストを形成し一次エッチングを行い、一次エッチングで使用したフォトレジストを剥膜後、電着レジストを全面コートし、前次エッチングで製造した一次エッチング孔と第一のフォトマスクとは異なるパターンを有する第二のフォトマスクの位置合わせを行い、次いで平行光源で露光、現像、エッチングすることで、エッチングファクターが2.6以上である開孔寸法に対して孔深い異形断面であるエッチング形状を有すること特徴とする複雑な立体形状を有する金属フォトエッチング製品の製造方法。
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