JPH0685431A - フィルム配線基板の製造方法 - Google Patents
フィルム配線基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH0685431A JPH0685431A JP26054792A JP26054792A JPH0685431A JP H0685431 A JPH0685431 A JP H0685431A JP 26054792 A JP26054792 A JP 26054792A JP 26054792 A JP26054792 A JP 26054792A JP H0685431 A JPH0685431 A JP H0685431A
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- Japan
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- photoresist pattern
- layer
- polyimide
- opening
- film wiring
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 デバイスホールやスルホール等の開口部を有
するフィルム配線基板において、開口部の寸法精度を良
くし、また開口部のエッジの強度を高くする。 【構成】 銅箔１１の上面にほぼ垂直な外壁を有するポ
ジ型フォトレジストパターン１２を形成し、ポジ型フォ
トレジストパターン１２を含む銅箔１１の上面全体にキ
ャスティング法によりポリアミド酸層１３を形成する。
次に、ポリアミド酸層１３を少なくともポジ型フォトレ
ジストパターン１２の上面が露出するまでエッチングす
るとともに、ポジ型フォトレジストパターン１２をエッ
チングして除去し、次いでポリアミド酸層１３をキュア
してポリイミド化すると、内壁のほぼ垂直な開口部１５
を有するポリイミド層１４が形成される。
するフィルム配線基板において、開口部の寸法精度を良
くし、また開口部のエッジの強度を高くする。 【構成】 銅箔１１の上面にほぼ垂直な外壁を有するポ
ジ型フォトレジストパターン１２を形成し、ポジ型フォ
トレジストパターン１２を含む銅箔１１の上面全体にキ
ャスティング法によりポリアミド酸層１３を形成する。
次に、ポリアミド酸層１３を少なくともポジ型フォトレ
ジストパターン１２の上面が露出するまでエッチングす
るとともに、ポジ型フォトレジストパターン１２をエッ
チングして除去し、次いでポリアミド酸層１３をキュア
してポリイミド化すると、内壁のほぼ垂直な開口部１５
を有するポリイミド層１４が形成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はフィルム配線基板の製
造方法に関する。
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】フィルム配線基板の製造方法には、キャ
スティング法と呼ばれ、銅箔等からなる金属箔にポリイ
ミド前駆体を塗布して硬化させることによりポリイミド
層を形成し、この後金属箔を所定パターンにエッチング
してリードを形成する方法が知られている。ところで、
このような方法で製造されるフィルム配線基板におい
て、ポリイミド層にデバイスホールやスルホール等の開
口部を形成することが多い。
スティング法と呼ばれ、銅箔等からなる金属箔にポリイ
ミド前駆体を塗布して硬化させることによりポリイミド
層を形成し、この後金属箔を所定パターンにエッチング
してリードを形成する方法が知られている。ところで、
このような方法で製造されるフィルム配線基板におい
て、ポリイミド層にデバイスホールやスルホール等の開
口部を形成することが多い。
【０００３】このような場合には、まず、図４（Ａ）お
よび図５に示すように、銅箔等からなる金属箔１の上面
に形成されたポリイミド層２の上面に、所定の個所に開
口部３を有するエッチングレジスト層４を印刷やフォト
リソグラフィ等によって形成する。次に、ヒドラジン等
のアルカリエッチング液を用いてウェットエッチングを
行い、図４（Ｂ）に示すように、ポリイミド層２に開口
部５を形成する。この後、エッチングレジスト層４を剥
離すると、図４（Ｃ）および図６に示すように、ポリイ
ミド層２に開口部５が形成されたフィルム配線基板が得
られる。
よび図５に示すように、銅箔等からなる金属箔１の上面
に形成されたポリイミド層２の上面に、所定の個所に開
口部３を有するエッチングレジスト層４を印刷やフォト
リソグラフィ等によって形成する。次に、ヒドラジン等
のアルカリエッチング液を用いてウェットエッチングを
行い、図４（Ｂ）に示すように、ポリイミド層２に開口
部５を形成する。この後、エッチングレジスト層４を剥
離すると、図４（Ｃ）および図６に示すように、ポリイ
ミド層２に開口部５が形成されたフィルム配線基板が得
られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
このようなフィルム配線基板の製造方法では、ヒドラジ
ン等のアルカリエッチング液を用いてポリイミド層２を
ウェットエッチングしているので、等方性エッチングと
なり、エッチング加工精度が悪く、また開口部５の内壁
が垂直にならず、したがって開口部５の寸法精度が悪
く、また開口部５のエッジの強度が低いという問題があ
った。この発明の目的は、開口部の寸法精度を良くする
ことができ、また開口部のエッジの強度を高くすること
のできるフィルム配線基板の製造方法を提供することに
ある。
このようなフィルム配線基板の製造方法では、ヒドラジ
ン等のアルカリエッチング液を用いてポリイミド層２を
ウェットエッチングしているので、等方性エッチングと
なり、エッチング加工精度が悪く、また開口部５の内壁
が垂直にならず、したがって開口部５の寸法精度が悪
く、また開口部５のエッジの強度が低いという問題があ
った。この発明の目的は、開口部の寸法精度を良くする
ことができ、また開口部のエッジの強度を高くすること
のできるフィルム配線基板の製造方法を提供することに
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、金属箔の上
面にフォトレジストパターンを形成し、次いでこのフォ
トレジストパターンを含む前記金属箔の上面全体にポリ
イミド前駆体層またはポリイミド層を形成し、次いで少
なくとも前記フォトレジストパターンの上面が露出する
まで前記ポリイミド前駆体層またはポリイミド層をエッ
チングするとともに、前記フォトレジストパターンを除
去することにより、前記ポリイミド前駆体層またはポリ
イミド層に開口部を形成するようにしたものである。
面にフォトレジストパターンを形成し、次いでこのフォ
トレジストパターンを含む前記金属箔の上面全体にポリ
イミド前駆体層またはポリイミド層を形成し、次いで少
なくとも前記フォトレジストパターンの上面が露出する
まで前記ポリイミド前駆体層またはポリイミド層をエッ
チングするとともに、前記フォトレジストパターンを除
去することにより、前記ポリイミド前駆体層またはポリ
イミド層に開口部を形成するようにしたものである。
【０００６】
【作用】この発明によれば、金属箔の上面に形成したフ
ォトレジストパターンの外壁がほぼ垂直となり、この垂
直な外壁を有するフォトレジストパターンを除去するこ
とにより、ポリイミド前駆体層またはポリイミド層に開
口部を形成することになるので、開口部の形状がフォト
レジストパターンの形状に依存することとなり、したが
って開口部の寸法精度を良くすることができ、また開口
部の内壁がほぼ垂直となり、そのエッジの強度を高くす
ることができる。
ォトレジストパターンの外壁がほぼ垂直となり、この垂
直な外壁を有するフォトレジストパターンを除去するこ
とにより、ポリイミド前駆体層またはポリイミド層に開
口部を形成することになるので、開口部の形状がフォト
レジストパターンの形状に依存することとなり、したが
って開口部の寸法精度を良くすることができ、また開口
部の内壁がほぼ垂直となり、そのエッジの強度を高くす
ることができる。
【０００７】
【実施例】図１（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれこの発明の一
実施例におけるフィルム配線基板の各製造工程を示した
ものである。そこで、これらの図を順に参照しながら、
この実施例のフィルム配線基板の製造方法について説明
する。
実施例におけるフィルム配線基板の各製造工程を示した
ものである。そこで、これらの図を順に参照しながら、
この実施例のフィルム配線基板の製造方法について説明
する。
【０００８】まず、図１（Ａ）およびその平面図の図２
に示すように、厚さ２０μｍ程度の銅箔１１の上面の所
定の個所（すなわち、後述するポリイミド層に形成する
開口部に対応した部分）にフォトプロセスにより厚さ２
５μｍ程度のポジ型フォトレジストパターン１２を形成
する。ここで、ポジ型フォトレジストパターン１２の外
壁はフォトプロセスにより形成されているためほぼ垂直
に形成される。次に、図１（Ｂ）に示すように、ポジ型
フォトレジストパターン１２を含む銅箔１１の上面全体
に、キャスティング法によりポリイミド前駆体であるポ
リアミド酸を３０μｍ程度の厚さに塗布して半硬化（１
５０℃程度の温度下で３０分間程度の放置）させること
により、ポリアミド酸層１３を形成する。
に示すように、厚さ２０μｍ程度の銅箔１１の上面の所
定の個所（すなわち、後述するポリイミド層に形成する
開口部に対応した部分）にフォトプロセスにより厚さ２
５μｍ程度のポジ型フォトレジストパターン１２を形成
する。ここで、ポジ型フォトレジストパターン１２の外
壁はフォトプロセスにより形成されているためほぼ垂直
に形成される。次に、図１（Ｂ）に示すように、ポジ型
フォトレジストパターン１２を含む銅箔１１の上面全体
に、キャスティング法によりポリイミド前駆体であるポ
リアミド酸を３０μｍ程度の厚さに塗布して半硬化（１
５０℃程度の温度下で３０分間程度の放置）させること
により、ポリアミド酸層１３を形成する。
【０００９】次に、図１（Ｃ）に示すように、紫外線を
照射しながら、ヒドラジン、エチレンジアミン、水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリエッチング液
を用いてポリアミド酸層１３を少なくともポジ型フォト
レジストパターン１２の上面が露出するまでウェットエ
ッチングする。この場合、アルカリエッチング液でのエ
ッチングレートがポリアミド酸よりもポジ型フォトレジ
ストの方がはるかに速いので、ポジ型フォトレジストパ
ターン１２の上面が露出された後、続いてポジ型フォト
レジストパターン１２が直ちにエッチングされて除去さ
れ（図１（Ｄ）参照）、その間にポリアミド酸層１３が
溶解されることはほとんどない。また、この場合のエッ
チングは、等方性エッチングであっても、全面エッチン
グであるので、エッチング加工精度が問題となることは
ない。さらに、このとき紫外線を照射する理由は、未露
光状態にあるポジ型フォトレジストパターン１２を露光
して、ポジ型フォトレジストパターン１２がアルカリエ
ッチング液に溶けやすくなるようにするためである。ま
た、フォトレジストとしてポジ型のものを用いる理由
は、ネガ型の場合ではアルカリエッチング液に溶けにく
いからである。
照射しながら、ヒドラジン、エチレンジアミン、水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリエッチング液
を用いてポリアミド酸層１３を少なくともポジ型フォト
レジストパターン１２の上面が露出するまでウェットエ
ッチングする。この場合、アルカリエッチング液でのエ
ッチングレートがポリアミド酸よりもポジ型フォトレジ
ストの方がはるかに速いので、ポジ型フォトレジストパ
ターン１２の上面が露出された後、続いてポジ型フォト
レジストパターン１２が直ちにエッチングされて除去さ
れ（図１（Ｄ）参照）、その間にポリアミド酸層１３が
溶解されることはほとんどない。また、この場合のエッ
チングは、等方性エッチングであっても、全面エッチン
グであるので、エッチング加工精度が問題となることは
ない。さらに、このとき紫外線を照射する理由は、未露
光状態にあるポジ型フォトレジストパターン１２を露光
して、ポジ型フォトレジストパターン１２がアルカリエ
ッチング液に溶けやすくなるようにするためである。ま
た、フォトレジストとしてポジ型のものを用いる理由
は、ネガ型の場合ではアルカリエッチング液に溶けにく
いからである。
【００１０】次に、ポリアミド酸層１３をキュアしてポ
リイミド化すると、図１（Ｄ）およびその平面図の図３
に示すように、ポリイミド層１４に開口部１５が形成さ
れたフィルム配線基板が得られる。この場合のキュア工
程は、まず２００℃程度の温度下で３０分間程度の放置
を行ない、次いで２５０℃程度の温度下で３０分間程度
の放置を行ない、次いで３００℃程度の温度下で３０分
間程度の放置を行ない、次いで３５０℃程度の温度下で
３０分間程度の放置を行なう。
リイミド化すると、図１（Ｄ）およびその平面図の図３
に示すように、ポリイミド層１４に開口部１５が形成さ
れたフィルム配線基板が得られる。この場合のキュア工
程は、まず２００℃程度の温度下で３０分間程度の放置
を行ない、次いで２５０℃程度の温度下で３０分間程度
の放置を行ない、次いで３００℃程度の温度下で３０分
間程度の放置を行ない、次いで３５０℃程度の温度下で
３０分間程度の放置を行なう。
【００１１】このようにして得られたフィルム配線基板
では、ほぼ垂直な外壁を有するポジ型フォトレジストパ
ターン１２を含む銅箔１１の上面全体にポリアミド酸層
１３を形成し、次いで少なくともポジ型フォトレジスト
パターン１２の上面が露出するまでポリアミド酸層１３
をエッチングするとともに、ポジ型フォトレジストパタ
ーン１２を除去することにより、ポリアミド酸層１３お
よびそのポリアミド酸をキュアしてなるポリイミド層１
４に開口部１５を形成しているので、開口部１５の形状
がポジ型フォトレジストパターン１２の形状に依存し、
したがって開口部１５の寸法精度を良くすることがで
き、また開口部１５の内壁がほぼ垂直となり、そのエッ
ジの強度を高くすることができる。
では、ほぼ垂直な外壁を有するポジ型フォトレジストパ
ターン１２を含む銅箔１１の上面全体にポリアミド酸層
１３を形成し、次いで少なくともポジ型フォトレジスト
パターン１２の上面が露出するまでポリアミド酸層１３
をエッチングするとともに、ポジ型フォトレジストパタ
ーン１２を除去することにより、ポリアミド酸層１３お
よびそのポリアミド酸をキュアしてなるポリイミド層１
４に開口部１５を形成しているので、開口部１５の形状
がポジ型フォトレジストパターン１２の形状に依存し、
したがって開口部１５の寸法精度を良くすることがで
き、また開口部１５の内壁がほぼ垂直となり、そのエッ
ジの強度を高くすることができる。
【００１２】なお、上記実施例では、ポリアミド酸層１
３をエッチングすると同時にポジ型フォトレジストパタ
ーン１２をエッチングして除去しているが、別々にエッ
チングしてもよいことはもちろんである。
３をエッチングすると同時にポジ型フォトレジストパタ
ーン１２をエッチングして除去しているが、別々にエッ
チングしてもよいことはもちろんである。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、垂直な外壁を有するフォトレジストパターンを除去
することにより、ポリイミド層に開口部を形成している
ので、開口部の形状がフォトレジストパターンの形状に
依存することとなり、したがって開口部の寸法精度を良
くすることができ、また開口部の内壁がほぼ垂直とな
り、そのエッジの強度を高くすることができる。
ば、垂直な外壁を有するフォトレジストパターンを除去
することにより、ポリイミド層に開口部を形成している
ので、開口部の形状がフォトレジストパターンの形状に
依存することとなり、したがって開口部の寸法精度を良
くすることができ、また開口部の内壁がほぼ垂直とな
り、そのエッジの強度を高くすることができる。
【図１】（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれこの発明の一実施例
におけるフィルム配線基板の各製造工程の断面図。
におけるフィルム配線基板の各製造工程の断面図。
【図２】図１（Ａ）の平面図。
【図３】図１（Ｄ）の平面図。
【図４】（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ従来のフィルム配線
基板の各製造工程の断面図。
基板の各製造工程の断面図。
【図５】図４（Ａ）の平面図。
【図６】図４（Ｃ）の平面図。
１１ 銅箔 １２ フォトレジストパターン １３ ポリアミド酸層 １４ ポリイミド層 １５ 開口部
Claims (1)
- 【請求項１】 金属箔の上面にフォトレジストパターン
を形成し、次いでこのフォトレジストパターンを含む前
記金属箔の上面全体にポリイミド前駆体層またはポリイ
ミド層を形成し、次いで少なくとも前記フォトレジスト
パターンの上面が露出するまで前記ポリイミド前駆体層
またはポリイミド層をエッチングするとともに、前記フ
ォトレジストパターンを除去することにより、前記ポリ
イミド前駆体層またはポリイミド層に開口部を形成する
ことを特徴とするフィルム配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26054792A JP3493671B2 (ja) | 1992-09-04 | 1992-09-04 | フィルム配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26054792A JP3493671B2 (ja) | 1992-09-04 | 1992-09-04 | フィルム配線基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0685431A true JPH0685431A (ja) | 1994-03-25 |
| JP3493671B2 JP3493671B2 (ja) | 2004-02-03 |
Family
ID=17349477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26054792A Expired - Fee Related JP3493671B2 (ja) | 1992-09-04 | 1992-09-04 | フィルム配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3493671B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6303230B1 (en) * | 1995-01-17 | 2001-10-16 | Nippon Steel Chemical Co., Ltd. | Laminates |
| EP1309000A2 (en) * | 2001-10-30 | 2003-05-07 | Trw Inc. | Via formation in polymers |
| JP2006500783A (ja) * | 2002-09-27 | 2006-01-05 | メドトロニック ミニメド インコーポレイテッド | 多層基板 |
-
1992
- 1992-09-04 JP JP26054792A patent/JP3493671B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6303230B1 (en) * | 1995-01-17 | 2001-10-16 | Nippon Steel Chemical Co., Ltd. | Laminates |
| EP1309000A2 (en) * | 2001-10-30 | 2003-05-07 | Trw Inc. | Via formation in polymers |
| EP1309000A3 (en) * | 2001-10-30 | 2004-05-12 | Northrop Grumman Corporation | Via formation in polymers |
| JP2006500783A (ja) * | 2002-09-27 | 2006-01-05 | メドトロニック ミニメド インコーポレイテッド | 多層基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3493671B2 (ja) | 2004-02-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |