JPH0499185A - フォトエッチングの方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、電着フォトレジストを用いて、フォトエツチ
ング時のサイドエツチングを防止し、深くて狭いエツチ
ングを可能とすることによって、高密度なフォトエツチ
ング工法による製品の製造を可能としたものである。

近年エレクトロニクスの発展に伴い、電子部品の高集積
度、多機能、高密度化は益々必要となっており、ＩＣの
リードフレームやチップオンボード等のプリント配線基
板も、高密度の製品はフォトエツチングを用いて製造さ
れております。

しかるにフォトエツチングは通常（１）図Ａ、　Ｂのよ
うにフォトレジストを用いてエツチングを行うが、この
場合エツチングは下方底面ａのみでなく、側面すにもエ
ツチングされるので、エツチングされる部材の厚さが厚
くなると、側面へのエツチング（サイドエッチ）量が大
きくなり、（２）図Ａ、Ｂのようにエツチングの予定中
よりも著しくエツチング巾が広がる。このサイドエッチ
量を見込んでフォトマスクを作成するとエツチングスリ
ット巾が小さくなって、フォトレジストの解像度やエツ
チング能力の限界となリ、狭くて深いエツチングをする
ことができない。

今まで深彫りのエツチングにはサイドエツチング量の少
ないエツチング液や、サイドエッチ防止剤、エツチング
シャワー圧を上げる等の方法が考案されているが、サイ
ドエツチング量の少ないエツチング液も効果が少なく限
界がある。

サイドエッチ防止剤は、コストや排液処理の問題や充分
なサイドエッチ防止の効果がないなどの理由で、はとん
ど使用されていない。又シャワー圧を上げる方法は、エ
ツチングが進みフォトレジストのオーバーハングが大き
くなるとシャワー圧でフォトレジストが折れ易くなるの
で正確なエツチングができないなど問題があった。

ＩＣの実装等でボンデングをするのに、ある程度の回路
、端子中が必要で、同−寸法内で端子数を増そうとする
と、回路間の巾を狭くする必要があるが、今までの製法
では０．１５１１１１の材料厚ではエツチングのスリッ
ト巾は０．１ｆｌ程度が限界だと言われている。

上記の課題を解決するために本発明では第（３）図のよ
うにフォトレジストを用いてサイドエッチ量の少ない時
期にエツチングを中止して、第（４）図のようにポジタ
イプの電着フォトレジストを用いて穴の内壁を含む全面
にフォトレジストを折出させ、フォトマスクを用いてエ
ツチング部の底面のみに露光して、現像すると、第（５
）図のようにエツチング部所の側壁をレジストでカバー
して底面のみ露出させることができる。

その後２度目のエツチングを行うとエツチング部の側面
はフォトレジストでカバーされているので、底面のみエ
ツチングが進行する。これによって今までのエツチング
巾で約２倍の深さのエツチングが可能となる。

この作業を繰り返えすことによってさらに深いエツチン
グを行うことができる。

本発明にポジタイプの電着ホトレジストを用いるのは、
エツチングを途中まで行った凹状のエツチング部所側面
と底面に薄くて（２μ〜１０、）均一な膜厚を形成する
ことは、電着塗装法を用いることによって、はじめて可
能であり、デツピング等では留りができて均一な厚さの
被膜の形成は不可能である。

被膜の厚さが薄くないと、狭いエツチングスリットでは
光が底面まで充分に入らず、露光・現像によって底面を
露出させることができない。

又エツチングに耐えるレジストの厚さを必要とするため
、均一で薄いレジスト膜の形成は必要不可欠の条件であ
る。

ポジタイプの感光液を用いたのは、最初にエツチングさ
れた側面の巾より少し狭いスリットの巾のホトマスクを
用い、平行光線の露光機を用いて露光すれば、側壁に光
を当てずに底面のみに露光して現像によって側面をレジ
ストで被い底面のみを露出させることができる。

光重合型のネガタイプを用いた場合には、側面のみ露光
して底面に露光しないといけないので技術的に不可能で
あり、光崩壊型のポジタイプの感光液を用いてはじめて
可能な技術である。

露光には平行光線を用いるのが最良であるがレジストへ
の光の入射角度から考えて、ホトマスクのスリットの巾
や露光量を調整することによって散乱光を用いても側面
のみにレジスト被膜を残すことは可能である。

本発明による効用例を上げると、厚い材料に対するエツ
チングのスリット巾を狭（できるので、リードフレーム
等の端子間ピッチを飛躍的に小さ（することができる。

これによってネールヘッドによるＩＣのインナーボンド
の限界値と云われる１３０μピツチに近い値に、リード
フレームの端子ピッチができると、ＩＣのチップサイズ
を小さくすることができ、ＩＣチップのコストを大巾に
下げることができる。

その上ボンデングワイヤの長さを短くすることができる
ので、ワイヤの倒れを防止でき信頼性を大巾に向上させ
ることができるなど、その効用大なるものがあります。

【図面の簡単な説明】

各図共Ａはケミカルミーリングを、Ｂはプリント配線基
板を示す。 第１図、エツチング途中のエツチング部の断面図、第２
図、エツチング終了時の断面図、第３図、エツチングを
途中まで行ったエツチング部の断面図、第４図、ポジタ
イプの電着フォトレジストを用い被膜を形成し、フォト
マスクを用いて露光時のエツチング部の断面図、第５図
、露光後現像して底面が露光したエツチング部の断面図
、第６図、２度目のエツチングを行ったエツチング部の
断面図。 記号　ａ、底面、　ｂ、側面、　Ｃ，フォトレジスト、
　　ｄ、金属、　　ｅ、絶縁積層材、ｆ、光線、　ｇ、
フォトマスク、　ｈ、ポジタイプ電着ホトレジスト被膜 第３図 第１図 第５図 １゜ ２゜ ３゜ 事件の表示 平成　２年　特許願　第２０８９２５号考案の名称 フォトエツチングの方法 補正をする者 事件との関係　　出願人 住所　ｗ台１ｕ寥市バｒ１デ３−４ 平成　２年１０月３０日 手続補正書（方式） 千成ヅ１″・１＋　　：’、ｆ１差出 平成　３年　５月　２日 植松　敏殿

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）被エッチング物の表面にエッチングレジストで必
   要パターンを形成し、その後のエッチング工程を途中で
   中止し、電着塗装法によりポジタイプのフォトレジスト
   を折出させ、露光現象によってエッチング部の側壁にエ
   ッチングレジスト膜を形成してからエッチングを再開す
   ることによって、サイドエッチングを防止して深彫りの
   エッチングを可能としたフォトエッチング製造方法。
2. （２）上記フォトエッチング製造方法を用いて製造した
   リードフレーム、プリント配線基板、ケミカルミーリン
   グ、シィートコイル等のフォトエッチング製品。