KR100342250B1 - 새도우마스크와그제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 섀도우 마스크와 그 제조방법에 관한 것으로, CRT장치에 적용하기 위한 섀도우 마스크의 제조방법은 제 1 및 제 2 주 표면을 갖춘 박막형 금속웨브를 제공하여 그 제 1 및 제 2 주 표면상에 제 1 및 제 2감광층을 형성하게 되며, 그 제 1감광층은 제 1패터닝 광에 노광됨과 더불어 제 2감광층은 제 2패터닝 광에 노광된다. 그 노광은 상기 감광층의 누적된 감광이 소정치에 도달될 때 까지 지속된다. 이어, 상기 제 2감광층에는 제 2표면의 에칭을 방지하기 위해 제 1보호막이 적층되고, 그 제 1표면이 에칭되어 제 1캐비티를 형성하게 되며, 그 제 1캐비티는 제 1표면으로 부터 제 2표면까지의 거리에 비해 작은 깊이를 갖게 된다. 상기 제 1표면에는 상기 제 1표면의 추가적인 에칭을 방지하기 위해 제 2보호막이 적층되고, 그 제 1보호막이 제검됨과 더불어 상기 제 2표면이 에칭되어 제 2캐비티를 형성하게 된다. 상기 제 2캐비티는 제 1캐비티와 연통하게 된다. 최종적으로 상기 제 2 보호막과 제 1 및 제 2감광층이 제거된다.
Description
본 발명은 다수의 구멍을 갖춘 웨브(web)의 제조에 관한 것으로, 보다 상세하게는 컬러 CRT장치에 적용하기 위한 섀도우 마스크와 그 제조방법에 관한 것이다.
CRT장치는 예컨대 텔레비전이라던지 컴퓨터표시장치와 같은 여러가지 장치에 적용된다. 그러한 CRT장치에서 고해상도를 얻기 위한 가장 중요한 요소는 정도 높게 에칭된 섀도우 마스크의 제조에 관련된다. 일반적으로, 균일하게 에칭된 고해상도의 섀도우 마스크의 양호한 제조를 위해서는 2-단계의 에칭공정의 필요성이 알려진 상황이다. 그 2-단계 에칭공정은 1-단계 에칭과정에서 양측의 주표면의 동시적인 에칭시 에칭된 캐비티(cavity)들이 교차되는 경우에 초래되는 급격하고 비조절된 치수의 변동이 회피되도록 지원하게 된다.
그러한 2-단계 에칭이 설명된 참조문헌들에 따르면 제 1에칭단계에서 형성된 캐비티가 제 2에칭단계의 수행 이전에 완전하게 층전되어야 함이 설명되어 있다. 새도우 마스크를 제조하는 2-단계 에칭방법의 일예는 쿠보(Kubo) 등에 의한 미합중국 특허 제 3, 679, 500호에 기재되어 있다. 그 방법에 따르면, 먼저 웨브의 양측에는 에칭레지스트재가 도포되고, 그 에칭레지스트재가 패터닝된 후 상기 웨브의 제 1측면이 에칭되어 제 1캐비티를 형성하게 된다. 이어, 그 제 1캐비티에 에칭레지스트재가 층전되고, 최종적으로 상기웨브는 제1측면과 대향하는 제2측면으로부터 에칭되어 제1캐비티와 연통되는 제 2캐비티가 형성됨에 따라 구멍이 형성된다.
섀도우 마스크를 제조하는 다른 2-단계 방법이 오다케(Ohtake)등에 의한 미합중국 특허 제 4, 689, 114호에 기술되어 있다. 그 방법에 따르면, 웨브는 제 1측면이 상향 지향된 다음, 그 웨브의 제 1측면이 에칭되어 캐비티를 형성하게 된다. 이어, 웨브는 상기 제 1측면이 하향 대면되도록 변위되고, 상기 제 1측면에는 에칭레지스트층이 도포되며, 그 제 2측면은 그 제 2 측면에 에칭되는 캐비티가 상기 제1측면에 에칭된 캐비티와 연통될 때 까지 에칭된다. 또, 상기한 오다케 등에 의한 미합중국 특허 제 4, 689, 114호에 기재된 방법에서는 제1측면의 캐비티가 에칭레지스트층으로 완전하게 충전되도록 하기 위한 시도가 행해진다.
2-단계 에칭공정에 의해 제조되는 섀도우 마스크의 질(質)을 향상시키기 위한 다른 시도가 토에이(Toei)등에 의한 미합중국 특허 제 5, 200, 025호에 개시되어 있다. 그 토에이 등에 의한 특허에서는 제 1에칭단계의 실행 후에 웨브에 고압액체를 분무하는 과정이 설명되어 있다. 그 액체는 제 1에칭단계중에 에칭된 캐비티를 돌출시키는 에칭레지스트재를 제거하게 된다. 따라서, 제 2에칭단계의 실행 이전에 에칭레지스트재로 캐비티를 보다 완전하게 충전하는 것이 가능하게 된다.
수측부에 캐비티를 정의하는 에지(edge)의 라운딩(rounding)처리는 양질의 섀도우 마스크를 제공하기 위해 중요하게 고려된다. 1-단계 에칭이 내부에지 라운딩에 제공되는 경우 그 1-단계 에칭을 적용하여 제조된 섀도우 마스크의 전체적인 질은 2-단계 에칭공정을 적용하여 제조된 섀도우 마스크에 비해 우수하다고 고려된다. 다수 단계의 에칭공정에서 내부에지 라운딩을 실현하기 위한 요구를 지향하는 하나의 방법이 오다케 등에 의한 미합중국 특허 제 4, 662, 984호에 제안되어 있는 바, 그 특허는 상기한 특허 제 4, 689, 114호에 기재된 방법과 유사하다. 그러나,그 방법에는 에칭된 웨브로 부터 에칭레지스트재를 제거한 후 추가적인 에칭단계를 포함하게 되는 바, 그 에칭단계에서 웨브의 양 측면에는 수축지점에서 캐비티를 정의하는 에지를 라운딩처리하기 위해 에칭액이 분무되는 과정이 수반된다.
본 발명은 CRT장치에 적용하기 위한 섀도우 마스크와 그 제조방법을 포함하게 된다. 그 방법에 따르면 제 1및 제 2주 표면을 갖추고서 대체로 0.1mm - 0.3mm두께의 박막형 금속웨브를 제공하게 되고, 그 제 1 및 제 2주 표면상에는 제 1및 제 2감광층이 형성된다. 이어 그 제 1감광층은 제1패터닝 광에 노광되는 반면, 제 2감광층은 제 2패터닝광에 노광된다. 그러한 노광은 각 감광층의 누적된 노광이 소정치에 도달되는 시점까지 지속된다. 제 2감광층에는 제 2표면의 에칭을 방지하기 위해 제 1보호막이 적층되고, 이어 그 제 1표면이 에칭되어 제 1캐비티가 형성되는 바, 그 제1캐비티는 제 1표면으로 부터 제 2표면까지의 거리보다 작은 깊이를 갖게 된다. 또한 제 1표면에는 그 제 1표면의 추가적인 에칭을 방지하기 위해 제 2보호막이 적층된다. 그 제 1보호막이 제거됨에 이어 상기 제 2표면이 에칭되어 제 2캐비티가 형성된다. 그 제 2캐비티는 제 1캐비티와 연통되고, 최종적으로 제 1보호막과 제 1 및 제 2감광층이 제거된다.
이하, 본 발명에 따른 섀도우 마스크와 그 제조방법에 대해 첨부도면을 참조하여 상세하계 설명한다.
제 1도에 도시된 바와 같이, CRT장치(20)는 전자비임(24)을 생성하는 전자총(2a)과 그 전자비임(24)을 선택적으로 통과시키기 위한 섀도우 마스크(26) 및 상기 섀도우 마스크(26)를 통과하는 다수의 전자비임(24)을 수취하여 3원색 중하나의 광을 발광하기 위한 형광점(28)을 포함하여 구성된다.
제 2도는 상기 섀도우 마스크(26)의 단면도로서, 그 섀도우 마스크(26)는 웨브(29)로 제조된다. 그 웨브(29)는 다수의 구멍(30)을 갖추게 되며, 그 웨브(29)에 구성된 구멍(30)의 위치와 치수는 그 웨브(29)가 CRT장치의 섀도우마스크로서 적용되는 경우 고해상도 화상의 형성이 가능하도록 주의깊게 설계된다. 전자비임(24)은 그 섀도우 마스크(26)를 통과하는 전자비임(24)만이 정확하게 형광점에 충돌하도록 구멍(30)을 통과하여 지향된다.
상기 웨브(29)는 제 1 주 측면(32; 제 1표면)과 그 제 1 측면(32)에 대향되는 제 2주 측면(34: 제 2표면)을 포함하게 되고, 바람직하게 전자총을 향해 지향된 상기 제 1 주 측면(32)은 그레이드 사이드(grads side)이고 형광스크린을 향해 지향된 제 2 주 측면(34)은 콘 사이드(cone side)이다.
상기 구멍(30)들은 그레이드 사이드(32)로부터 콘 사이드(34)까지 연장되고, 상기 그레이드 사이드(32)에는 그레이드 사이드 캐비티(36)가 형성되고, 상기 콘 사이드(36)에는 콘 사이드 캐비티(38)가 형성된다. 상기 그레이드 사이드 캐비티(36)의 폭(39)은 상기 콘 사이드 캐비티(38)의 폭(41)에 비해 크게 설정된다. 상기 그레이드 사이드 캐비티(35)와 콘 사이드 캐비티(35)는 수축부(40)에서 연통된다.
상기 수축부(40)에서 구멍(30)의 폭은 형광점상에 투사가능한 전자비임(24)의 치수를 결정하게 된다. 예컨대 상기 그레이드 사이드 캐비티(36)와 콘 사이드 캐비티(38) 또는 수축부(40)의 위치 또는 치수가 웨브(29)내에서 변화되는 경우CRT장치의 화질이 열화되게 된다. 또한, 예컨대 전자비임이 그레이드 사이드 캐비티(30) 또는 콘 사이드 캐비티(38)의 내벽(42)에 충돌하게 되면 그 반사된 전자비임이 화질의 열화를 초래하게 된다.
웨브(29)에서 구멍(30)을 형성하기 위해서는 전형적으로 포토리소그레피방법이 이용되지만 그 포토리소그래피방법은 웨브(79)의 두께가 구멍(30)의 수축부(40)의 직경에 비해 크기 때문에 실행이 용이하지 않게 된다. 종래의 1-단계 에칭기법은 웨브(29)에 상기한 형식의 구멍(30)을 형성하기 위해 적용되는 경우 예측 불가능한 결과를 초래하게 된다. 즉, 그 1-단계 에칭기법은 종종 웨브의 오버에칭을 초래하게 된다. 또, 그 에칭공정은 연속적인 생산방식에서 에칭의 수행이 바람직하다는 사실에 의해 더욱 실행이 용이하지 않게 된다.
제 3도는 본 발명에 따른 섀도우 마스크의 제조방법에 대한 흐름도를 나타내고, 제 4도(A) 내지 제 4도(H)는 웨브(29)에 대한 본 발명의 방법이 적용된 공정단계를 나타낸다.
도시된 바와 같이, 그레이드 사이드(32)는 상방향으로 지향되지만, 그 그레이드 사이드(32)의 방위는 본 발명에서 주요한 요소로 되지는 않고, 그에 따라 그레이드 사이드(32)는 하향적으로 지향되거나 수직 및 수평방향 사이의 각도로 지향될 수도 있음은 물론이다.
상기 웨브(29)는 바람직하게 철이 함유된 니켈합금으로 제조되고, 그 웨브(29)는 주지된 바와 같이 예컨대 저 카본 알루미늄 킬드 강(low carbon aluminum killed steel)과 같은 다른 재료로 제조될 수도 있다. 상기 웨브(29)는우선 가성용액을 포함하는 탱크를 통과하면서 세정되고, 이어 그 웨브(29)는 탈이온수에의해 세정되어 가성용액을 제거하게된다.
제 4도(A)에 도시된 바와 같이, 상기 웨브(29)상에 감광성 수지가 적층되어 상기 그레이드 사이드(32)와 콘 사이드(34)에 각각 제 1 및 제 2감광층(52,54)을 형성하게 된다. 그 감광층(52,54)은 바람직하게 수용성 카세인계 재료로 형성되지만, 감광층을 제조하기 위해 다른 재료가 사용될 수도 있음은 물론이다.
이어, 상기 그레이드 사이드 감광층(52)과 콘 사이드 감광층(54)에는 제 1네가티브 막(도시 생략)과 제 2네가티브 막(도시 생략)이 각각 인접해서 위치되는 바, 그 제 1 및 제 2네가티브 막은 웨브(29)내에 에칭되어져야 하는 페턴에 대응하는 페턴을 갖게 된다.
이어, 상기 감광층(52,54)은 광원(도시 생략)에 노광되는 바, 그 광원은 바람직하게 자외선 광이 채용된다. 그 자외선 광은 네가티브막에 의해 커버되지 않은 감광층(52, 54)의 부분에 고형화 영역(56)을 형성하게 되는 반면 상기 네가티브막에 의해 커버된 감광층(52,54)의 비노광 부분(58)은 고형화되지 않게 된다. 제 4도(B)는 상기 감광층(57)이 노광된 웨브를 나타낸다. 이어, 상기 노광된 웨브(29)는 오븐에서 최소한 200℃의 온도로 감광층이 경화될 때 까지 열처리(baking)된다.
다음에, 상기 감광층(52,54)에 대해서는 물이 분무되고, 그 물은 감광층(52,54)의 비노광 부분(58)을 용해시키게 된다. 제 4도(C)는 패터닝된 감광층(59)을 갖춘 웨브의 단면도를 나타낸다.
그리고 나서, 상기 콘 사이드(34)의 에칭을 방지하기 위해 폴리머계보호막(62)이 그 콘 사이드(34)에 적층되는 바, 바람직하게 그 보호막(62)은 에칭액에 의해 영향을 받지 않도록 폴리머계로 형성된다. 제 4도(D)는 그 보호막에 의해 보호되고 비에칭된 웨브의 단면도를 나타낸다.
이어, 상기 웨브(29)의 그레이드 사이드(32)에 염화 제 2철 에칭액이 분무되고, 그 에칭액은 그레이드 사이드 캐비티(36)가 웨브(29)내로 에칭되도록 작용하게 된다. 그러한 에칭은 그레이드 사이드 캐비티(36)가 소정 깊이로 될 때까지 지속된다. 일단 에칭이 완료되면 상기 웨브(29)는 탈이온 수에 의해 세정되어 잔여의 에칭액을 제거하게 된다. 제 4도(E)는 부분적으로 에칭된 웨브(65)의 단면도를 나타낸다.
본 발명에 대한 설명에서는 그레이드 사이드(32)가 콘 사이드(34)에 앞서 에칭되지만, 그 측면들의 에칭순서는 정밀하게 에칭된 웨브를 형성하기 위한 확정된 순서는 아니고, 그에 따라 콘 사이드(34)가 그레이드 사이드(32)에 앞서 에칭될 수도 있다.
이 단계에서 상기 그레이드 사이드 감광층(52)은 웨브(29)에 물을 분무함으로써 제거될 수 있다. 이어,웨브(29)는 오븐에서 열처리됨으로써 건조된다. 그에 대해, 상기 그레이드 사이드 감광층(52)은 콘 사이드 감광층(54)이 제거된 경우 제 2에칭단계 후에 제거될 수 있다.
상기 콘 사이드 보호막(62)이 콘 사이드(34)로 부터 제거되어 패터닝된 콘 사이드 감광층(54)을 노출시키게 되고, 그 웨브(29)의 그레이드 사이드(32)에 폴리머계 보호막(66)이 적층된다. 그 그레이드 보호막(66)은 그레이드 사이드(32)의 추가적인 에칭을 방지하게 된다. 제 4도(F)는 그 보호막(66)에 의해 보호되어 부분적으로 에칭된 웨브(67)의 단면도를 나타낸다.
그리고나서, 웨브(29)에는 염화 제 2철 에칭액이 분무되고, 그 에칭액은 웨브(29)의 콘 사이드(34)에서 캐비티(38)를 에칭하게 된다. 그 에칭은 콘 사이드 캐비티(38)가 소정 깊이로 얻어질 때 까지 지속된다. 따라서, 상기 그레이드 사이드 캐비티(36)와 콘 사이드 캐비티(38)는 수축부(40)에서 연통된다. 제 4도(G)는 보호되고 에칭된 웨브(71)의 단면도를 나타낸다.
상기 그레이드 사이드 캐비티(36)는 제 2에칭단계중에 에칭레지스트재에 의해 충전되지 않기 때문에 에칭액은 수축부(40)의 라운딩에 영향을 주게 된다. 그 수축부(40)의 라운딩은 상기 웨브(29)가 CRT장치내에 장착되는 경우 그 웨브(29)가 보다 정도 높은 화상을 제공하도록 하게 된다.
본 발명의 공정에 의해 얻어지는 수축부(40)의 라운딩은 섀도우 마스크가 종래의 2-단계 에칭방법에 의해 실현가능한 화질 보다 양호한 화질을 제공하도록 하게 된다. 또한, 본 발명의 공정은 제 3에칭단계를 수행하지 않고서도 수축부(40)의 라운딩을 얻게 된다.
이어, 그레이드 사이드 보호막(66)이 그레이드 사이드(32)로 부터 제거되고, 그 웨브(29)에는 박리액(stripping solution)이 분무되어 콘 사이드(34)로 부터 감광층(54)을 제거하게 된다. 그 박리액은 바람직하게 물이 사용된다. 이어, 상기 웨브(29)는 다른 잔여의 박리액을 제거하기 위해 탈이온 수로 세정된다. 최종적으로, 제 4도(F)에 도시된 에칭된 웨브(29)가 그 웨브(29)의 건조를 위해 오븐에서 가열되고, 그에 따라 상기 웨브(72)는 CRT장치에 적용하기 위한 섀도우 마스크를 형성하는데 이용가능하도록 소정 치수로 절단되기 위해 준비된다.
이상에서는 본발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명되었지만, 본 발명은 그 기술적 사상과 요지를 일탈함 없이 형태 및 상세의 변경이 가능함은 물론이다.
제 1도는 일반적인 CRT장치의 단면도,
제 2도는 제 1도에 도시된 일반적인 CRT장치용 섀도우 마스크의 단면도,
제 3도는 본 발명에 따른 섀도우 마스크의 제조방법을 설명하는 흐름도,
제 4도(A) 내지 제 4도(H)는 다수의 제조공정단계에 따른 CRT장치용 섀도우 마스크의 단면도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
20--- CRT장치, 22--- 전자총,
24--- 전자비임, 26--- 섀도우 마스크,
28--- 형광점, 29--- 웨브,
30--- 구멍, 32--- 제 1 주 표면(그레이드 사이드),
34--- 제 2 주 표면(콘 사이드), 36--- 그레이드 사이드 캐비티,
38--- 콘 사이드 캐비티, 40--- 수축부,
42--- 내벽, 52, 54--- 제 1, 제 2감광층,
62--- 보호막, 66---보호막,
Claims (10)
- CRT장치에 적용하기 위한 섀도우 마스크를 제조하는 방법에 있어서, 제 1 및 제 2주 표면(32, 34)을 갖춘 박형 금속웨브(29)를 준비하는 단계와 ;상기 제 1 및 제 2 주 표면상에 제 1 및 제 2감광층(52, 54)을 형성하는 단계;상기 각 감광층의 누적 노광이 소정치로 될 때까지 상기 제 1감광층은 제 1패터닝 광에 노광시킴과 더불어 상기 제 2감광층은 제 2패터닝 광에 노광시키는 단계 ;상기 제 2 주 표면의 에칭을 방지하기 위해 상기 제 2감광층상에 제 1 보호막(62)을 형성하는 단계 ;상기 제 1 주 표면을 에칭하여 그 제 1표면으로 부터 제 2표면까지의 거리 보다 작은 깊이를 갖는 제 1캐비티(36)를 형성하는 단계 ;상기 제 1표면의 추가적인 에칭을 방지하기 위해 제 1표면에 제 2보호막(66)을 적층하는 단계 ;상기 제 1보호막(66)을 제거하는 단계 ;상기 제 2 표면을 에칭하여 제 1캐비티와 연통되는 제 2캐비티(38)를 형성하는 단계 ;상기 제 2보호막을 제거하는 단계 ;상기 감광층들을 제거하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 섀도우 마스크의 제조방법.
- 제 1항에 따른 섀도우 마스크의 제조방법에서 상기 제 1표면(32)에 제 2감광막(54)을 적층하기 이전에 상기 제 1감광층(52)을 제거하는 단계가 추가된 것을 특징으로 하는 섀도우 마스크의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 금속웨브(29)의 두께는 0.1mm-0.3mm의 범위인 것을 특징으로 하는 섀도우 마스크의 제조방법.
- 제 3항에 있어서, 상기 금속웨브(29)의 재질은 철을 함유하는 니켈합금인 것을 특정으로 하는 섀도우 마스크의 제조방법.
- 제 3항에 있어서, 상기 금속웨브(29)의 재질은 저카본 알루미늄 킬드 강인 것을 특징으로 하는 섀도우 마스크의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2감광층(52, 54)은 수용성 카세인 재료로 형성된 것을 특징으로 하는 섀도우 마스크의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 제 1패터닝 광과 제 2패터닝 광을 생성하기 위해 자외선 광이 패터닝된 것을 특징으로 하는 섀도우 마스크의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 에칭은 염화 제 2철 에칭액에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 섀도우 마스크의 제조방법.
- 제 1항에 따른 공정에 의해 제조된 섀도우 마스크는 상기 제 1 및 제 2캐비티(36, 38) 사이에 노출된 수축부(40)를 따르는 라운딩이 형성된 것을 특징으로 하는 섀도우 마스크.
- 제 2항에 따른 공정에 의해 제조된 섀도우 마스크는 상기 제 1 및 제 2캐비티(36, 38) 사이에 노출된 수축부(40)를 따르는 라운딩이 형성된 것을 특징으로 하는 섀도우 마스크.
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|---|---|---|---|---|
| TW378334B (en) * | 1994-10-14 | 2000-01-01 | Thomson Consumer Electronics | Method of forming an enhanced resolution shadow mask |
| TW373222B (en) * | 1996-07-02 | 1999-11-01 | Toshiba Corp | Shade shelter lid fabricating method, shade shelter lid fabricating device, and the cleaning device using for the same |
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| US6620332B2 (en) | 2001-01-25 | 2003-09-16 | Tecomet, Inc. | Method for making a mesh-and-plate surgical implant |
| US7018418B2 (en) * | 2001-01-25 | 2006-03-28 | Tecomet, Inc. | Textured surface having undercut micro recesses in a surface |
| US6599322B1 (en) * | 2001-01-25 | 2003-07-29 | Tecomet, Inc. | Method for producing undercut micro recesses in a surface, a surgical implant made thereby, and method for fixing an implant to bone |
| US7591955B2 (en) * | 2005-07-14 | 2009-09-22 | Interplex Nas, Inc. | Method for forming an etched soft edge metal foil and the product thereof |
| CN101552168B (zh) * | 2008-04-01 | 2011-03-30 | 四川海英电子科技有限公司 | 高清显示器荫罩板的生产工艺 |
| WO2011099760A2 (ko) * | 2010-02-09 | 2011-08-18 | 서강대학교산학협력단 | 입자 및 그 제조방법 |
| CN115383613A (zh) * | 2022-10-10 | 2022-11-25 | 苏州安洁科技股份有限公司 | 一种金属内孔毛刺处理方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61114439A (ja) * | 1984-11-08 | 1986-06-02 | Dainippon Printing Co Ltd | 高精細度シヤドウマスク |
| JPS61114440A (ja) * | 1984-11-08 | 1986-06-02 | Dainippon Printing Co Ltd | 高精細度シヤドウマスク |
| US4662984A (en) * | 1984-08-30 | 1987-05-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing shadow mask |
| KR880014620A (ko) * | 1987-05-19 | 1988-12-24 | 아오이 죠이찌 | 새도우 마스크의 제조방법 및 그 장치 |
| KR900007021A (ko) * | 1988-10-31 | 1990-05-09 | 하태봉 | 섀도우 마스크의 제조 방법 |
| JPH06103888A (ja) * | 1992-09-18 | 1994-04-15 | Toshiba Corp | カラーブラウン管用シャドウマスクの製造方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2750524A (en) * | 1951-11-15 | 1956-06-12 | Mergenthaler Linotype Gmbh | Perforate mask for multicolor television apparatus and method of producting same |
| US3973965A (en) * | 1972-05-30 | 1976-08-10 | Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. | Making shadow mask with slit-shaped apertures for CRT |
| JPS56139676A (en) * | 1980-04-02 | 1981-10-31 | Toshiba Corp | Method and apparatus for etching metal sheet |
| US4303466A (en) * | 1980-06-19 | 1981-12-01 | Buckbee-Mears Company | Process of forming graded aperture masks |
| JPS59158051A (ja) * | 1983-02-28 | 1984-09-07 | Toshiba Corp | シヤドウマスクの製造方法 |
| JPS6070185A (ja) * | 1983-09-26 | 1985-04-20 | Toshiba Corp | シヤドウマスクの製造方法 |
| JPS62247085A (ja) * | 1986-04-17 | 1987-10-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | フオトエッチング法による金属薄板の加工方法 |
| JP2716714B2 (ja) * | 1988-01-27 | 1998-02-18 | 株式会社東芝 | シャドウマスクの製造方法 |
| JPH03208225A (ja) * | 1990-01-09 | 1991-09-11 | Mitsubishi Electric Corp | シャドウマスクの製造方法 |
| JPH0833651B2 (ja) * | 1990-07-05 | 1996-03-29 | 三菱電機株式会社 | フォトマスク |
| JPH071675B2 (ja) * | 1990-08-22 | 1995-01-11 | 大日本スクリーン製造株式会社 | シャドウマスクの製造方法及びシャドウマスク板材 |
| US5200025A (en) * | 1990-09-20 | 1993-04-06 | Dainippon Screen Manufacturing Co. Ltd. | Method of forming small through-holes in thin metal plate |
-
1994
- 1994-05-03 US US08/237,501 patent/US5484074A/en not_active Expired - Fee Related
-
1995
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4662984A (en) * | 1984-08-30 | 1987-05-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing shadow mask |
| JPS61114439A (ja) * | 1984-11-08 | 1986-06-02 | Dainippon Printing Co Ltd | 高精細度シヤドウマスク |
| JPS61114440A (ja) * | 1984-11-08 | 1986-06-02 | Dainippon Printing Co Ltd | 高精細度シヤドウマスク |
| KR880014620A (ko) * | 1987-05-19 | 1988-12-24 | 아오이 죠이찌 | 새도우 마스크의 제조방법 및 그 장치 |
| KR900007021A (ko) * | 1988-10-31 | 1990-05-09 | 하태봉 | 섀도우 마스크의 제조 방법 |
| JPH06103888A (ja) * | 1992-09-18 | 1994-04-15 | Toshiba Corp | カラーブラウン管用シャドウマスクの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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