KR950034377A - 섀도우 마스크의 제조방법 - Google Patents
섀도우 마스크의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR950034377A KR950034377A KR1019950010807A KR19950010807A KR950034377A KR 950034377 A KR950034377 A KR 950034377A KR 1019950010807 A KR1019950010807 A KR 1019950010807A KR 19950010807 A KR19950010807 A KR 19950010807A KR 950034377 A KR950034377 A KR 950034377A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- shadow mask
- photosensitive layer
- cavity
- manufacturing
- protective film
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 8
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000005018 casein Substances 0.000 claims 1
- BECPQYXYKAMYBN-UHFFFAOYSA-N casein, tech. Chemical compound NCCCCC(C(O)=O)N=C(O)C(CC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CC(C)C)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(CC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(C(C)O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(COP(O)(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(N)CC1=CC=CC=C1 BECPQYXYKAMYBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 235000021240 caseins Nutrition 0.000 claims 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 claims 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/06—Screens for shielding; Masks interposed in the electron stream
- H01J29/07—Shadow masks for colour television tubes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/14—Manufacture of electrodes or electrode systems of non-emitting electrodes
- H01J9/142—Manufacture of electrodes or electrode systems of non-emitting electrodes of shadow-masks for colour television tubes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/02—Local etching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
본 발명은 섀도우 마스크의 제조방법에 관한 것으로, CRT장치에 적용하기 위한 섀도우 마스크이 제조방법은 제1 및 제2주 표면을 갖춘 박막형 금속웨브를 제공하여 그 제1 및 제2주 표면상에 제1 및 제2감광층을 형성하게 되며, 그 제1감광층은 제1패터닝 광에 노광됨과 더불어 제2감광층은 제2패터닝 광에 노광된다. 그 노광은 상기 감광층의 누적된 감광이 소정치에 도달될 때 까지 지속된다. 이어, 상기 제2감광층에는 제2표면의 에칭을 방지하기 위해 제1보호막이 적층되고, 그 제1표면이 에칭되어 제1캐비티를 형성하게 되며, 그 제1캐비티는 제1표면으로 부터 제2표면까지의 거리에 비해 작은 깊이를 갖게 된다. 상기 제1표면에는 상기 제1표면의 추가적인 에칭을 방지하기 위해 제2보호막이 적층되고, 그 제1보호막이 제거됨과 더불어 상기 제2표면이 에칭되어 제2캐비티를 형성하게 된다. 상기 제2캐비티는 제1캐비티와 연통하게 된다. 최종적으로 상기 제1보호막과 제1 및 제2감광층이 제거된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 섀도우 마스크의 제조방법을 설명하는 흐름도, 제4도(A) 내지 제4도(H)는 다수 단계의 제조공정에 따른 CRT장치용 섀도우 마스크이 단면도이다.
Claims (10)
- CRT장치에 적용하기 위한 섀도우 마스크를 제조하는 방법에 있어서, 제1 및 제2주 표면을 갖춘 박형 금속웨브를 준비하는 단계와; 제1 및 제2주 표면상에 제1 및 제2감광층을 형성하는 단계; 각 감광층의 누적 노광이 소정치로 될 때까지 상기 제1감광층은 제1패터닝 광에 노광시킴과 더불어 상기 제2감광층은 제2패터닝 광에 노광시키는 단계; 상기 제2주 표면의 애칭을 방지하기 위해 상기 제2감광층 상에 제1보호막을 형성하는단계; 상기 제1주 표면을 에칭하여 그 제1표면으로 부터 제2표면 까지의 거리 보다 작은 깊이를 갖는 제1캐비티를 형성하는 단계; 상기 제1표면의 추가적인 에칭을 방지하기 위해 제1표면에 제2보호막을 적층하는 단계; 상기 제1보호막을 제거하는 단계; 상기 제2표면을 에칭하여 제1캐비티와 연통되는 제2캐비티를 형성하는 단계; 상기 제2보호막을 제거하는 단계; 상기 감광층들을 제거하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 섀도우 마스크의 제조방법.
- 제1항에 따른 섀도우 마스크이 제조방법에서 상기 제1표면에 제2감광막층을 적층하기 이전에 상기 제1감광층을 제거하는 단계가 추가된 것을 특징으로 하는 섀도우 마스크의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 금속웨브의 두께는 0.1㎜-0.3㎜의 범위인 것을 특징으로 하는 섀도우 마스크의 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 금속웨브의 재질은 철을 함유하는 니켈합금인 것을 특징으로 하는 섀도우 마스크의 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 금속웨브의 재질은 저카본 알루미늄 킬드 강인 것을 특징으로 하는 섀도우 마스크의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2감광층은 수용성 카세인 재료로 형성된 것을 특징으로 하는 섀도우 마스크의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1패터닝 광과 제2캐터닝 광을 생성하기 위해 자외선 광이 패터닝된 것을 특징으로 하는 섀도우 마스크의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 에칭은 염화 제2철 에칭액에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 섀도우 마스크의 제조방법.
- 제1항에 따른 공정에 의해 제조된 섀도우 마스크는 상기 제1 및 제2캐비티 사이에 노출된 수축부를 따르는 라운딩이 형성된 것을 특징으로 하는 섀도우 마스크.
- 제2항에 따른 공정에 의해 제조된 섀도우 마스크는 상기 제1 및 제2캐비티 사이에 노출된 수축부를 따르는 라운딩이 형성된 것을 특징으로 하는 섀도우 마스크.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/237501 | 1994-05-03 | ||
| US08/237,501 US5484074A (en) | 1994-05-03 | 1994-05-03 | Method for manufacturing a shadow mask |
| US8/237,501 | 1994-05-03 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950034377A true KR950034377A (ko) | 1995-12-28 |
| KR100342250B1 KR100342250B1 (ko) | 2002-11-30 |
Family
ID=22893985
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950010807A KR100342250B1 (ko) | 1994-05-03 | 1995-05-03 | 새도우마스크와그제조방법 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5484074A (ko) |
| JP (1) | JPH0877922A (ko) |
| KR (1) | KR100342250B1 (ko) |
| CN (1) | CN1127417A (ko) |
| DE (1) | DE19516226A1 (ko) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW378334B (en) * | 1994-10-14 | 2000-01-01 | Thomson Consumer Electronics | Method of forming an enhanced resolution shadow mask |
| TW373222B (en) * | 1996-07-02 | 1999-11-01 | Toshiba Corp | Shade shelter lid fabricating method, shade shelter lid fabricating device, and the cleaning device using for the same |
| KR100669449B1 (ko) | 2000-01-31 | 2007-01-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 음극선관용 인장 마스크 |
| US6620332B2 (en) | 2001-01-25 | 2003-09-16 | Tecomet, Inc. | Method for making a mesh-and-plate surgical implant |
| US7018418B2 (en) * | 2001-01-25 | 2006-03-28 | Tecomet, Inc. | Textured surface having undercut micro recesses in a surface |
| US6599322B1 (en) | 2001-01-25 | 2003-07-29 | Tecomet, Inc. | Method for producing undercut micro recesses in a surface, a surgical implant made thereby, and method for fixing an implant to bone |
| US7591955B2 (en) * | 2005-07-14 | 2009-09-22 | Interplex Nas, Inc. | Method for forming an etched soft edge metal foil and the product thereof |
| CN101552168B (zh) * | 2008-04-01 | 2011-03-30 | 四川海英电子科技有限公司 | 高清显示器荫罩板的生产工艺 |
| EP2535311B1 (en) * | 2010-02-09 | 2018-12-12 | Industry-University Cooperation Foundation Sogang University | Particle and method for manufacturing same |
| CN115383613A (zh) * | 2022-10-10 | 2022-11-25 | 苏州安洁科技股份有限公司 | 一种金属内孔毛刺处理方法 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2750524A (en) * | 1951-11-15 | 1956-06-12 | Mergenthaler Linotype Gmbh | Perforate mask for multicolor television apparatus and method of producting same |
| US3973965A (en) * | 1972-05-30 | 1976-08-10 | Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. | Making shadow mask with slit-shaped apertures for CRT |
| JPS56139676A (en) * | 1980-04-02 | 1981-10-31 | Toshiba Corp | Method and apparatus for etching metal sheet |
| US4303466A (en) * | 1980-06-19 | 1981-12-01 | Buckbee-Mears Company | Process of forming graded aperture masks |
| JPS59158051A (ja) * | 1983-02-28 | 1984-09-07 | Toshiba Corp | シヤドウマスクの製造方法 |
| JPS6070185A (ja) * | 1983-09-26 | 1985-04-20 | Toshiba Corp | シヤドウマスクの製造方法 |
| JPS6160889A (ja) * | 1984-08-30 | 1986-03-28 | Toshiba Corp | シヤドウマスクの製造方法 |
| JPS61114440A (ja) * | 1984-11-08 | 1986-06-02 | Dainippon Printing Co Ltd | 高精細度シヤドウマスク |
| JPS61114439A (ja) * | 1984-11-08 | 1986-06-02 | Dainippon Printing Co Ltd | 高精細度シヤドウマスク |
| JPS62247085A (ja) * | 1986-04-17 | 1987-10-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | フオトエッチング法による金属薄板の加工方法 |
| JPS63286588A (ja) * | 1987-05-19 | 1988-11-24 | Toshiba Corp | シャドウマスクの製造方法 |
| JP2716714B2 (ja) * | 1988-01-27 | 1998-02-18 | 株式会社東芝 | シャドウマスクの製造方法 |
| KR930007091B1 (ko) * | 1988-10-31 | 1993-07-29 | 금성마이크로닉스 주식회사 | 새도우 마스크의 제조 방법 |
| JPH03208225A (ja) * | 1990-01-09 | 1991-09-11 | Mitsubishi Electric Corp | シャドウマスクの製造方法 |
| JPH0833651B2 (ja) * | 1990-07-05 | 1996-03-29 | 三菱電機株式会社 | フォトマスク |
| JPH071675B2 (ja) * | 1990-08-22 | 1995-01-11 | 大日本スクリーン製造株式会社 | シャドウマスクの製造方法及びシャドウマスク板材 |
| EP0476664B1 (en) * | 1990-09-20 | 1995-07-05 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Method of forming small through-holes in thin metal plate |
| JPH06103888A (ja) * | 1992-09-18 | 1994-04-15 | Toshiba Corp | カラーブラウン管用シャドウマスクの製造方法 |
-
1994
- 1994-05-03 US US08/237,501 patent/US5484074A/en not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-05-02 JP JP7108841A patent/JPH0877922A/ja active Pending
- 1995-05-02 CN CN95105408A patent/CN1127417A/zh active Pending
- 1995-05-03 KR KR1019950010807A patent/KR100342250B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-05-03 DE DE19516226A patent/DE19516226A1/de not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19516226A1 (de) | 1995-11-09 |
| CN1127417A (zh) | 1996-07-24 |
| JPH0877922A (ja) | 1996-03-22 |
| KR100342250B1 (ko) | 2002-11-30 |
| US5484074A (en) | 1996-01-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4202914A (en) | Method of depositing thin films of small dimensions utilizing silicon nitride lift-off mask | |
| KR950034377A (ko) | 섀도우 마스크의 제조방법 | |
| KR890004392A (ko) | 미세패턴의 형성방법 | |
| KR840006728A (ko) | 집적회로 제조방법 | |
| US20030128803A1 (en) | X-ray mask and method for providing same | |
| KR950021058A (ko) | 위상반전마스크 제조방법 | |
| KR960019482A (ko) | 감광막의 패터닝방법 | |
| JPS613489A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR940018710A (ko) | 홀로그램 광학 소자의 제조 방법 | |
| JPS6473087A (en) | Formation of metallic pattern | |
| KR960026303A (ko) | 미세패턴 형성방법 | |
| KR980005764A (ko) | 2층 이상의 금속층을 패터닝하는 식각방법 | |
| JPS5764975A (en) | Constructing method of narrow line | |
| KR950001407A (ko) | 반도체 소자의 레지스트 패턴 형성방법 | |
| KR970023719A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| KR950021047A (ko) | 포토레지스트의 미세패턴 형성방법 | |
| KR960002575A (ko) | 반도체소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR960030099A (ko) | 박막 자기 헤드의 제조방법 | |
| KR940016439A (ko) | 반도체소자의 콘택형성방법 | |
| JPS6212502B2 (ko) | ||
| JPS5618429A (en) | Minute electrode formation | |
| KR970016751A (ko) | 마스크 패턴 형성 방법 | |
| KR960026282A (ko) | 반도체 소자의 패턴 형성방법 | |
| JPS5635774A (en) | Dry etching method | |
| KR970018198A (ko) | 반도체소자의 평탄화방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |