KR960019482A - 감광막의 패터닝방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 단차가 매우 큰 층의 영역상에 감광막을 코팅하고 그 감광막의 상층부의 일부 깊이까지만 제거된 그 감광막의 함몰부를 형성한 후 그 함몰부에 평탄화된 무기질층을 형성하고 그 무기질층을 마스크층으로 이용하여 그 감광막을 선택적으로 제거함으로써 노광시 광의 산란에 의한 노칭을 방지하여 반도체 장치의 금속배선 또는 게이트의 패턴을 정확하게 형성할 수 있다.

Description

감광막의 패터닝방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 (가)~(마)는 본 발명의 일실시예에 의한 감광막의 패터닝 방법을 나타낸 단면 공정도,
제3도 (가)~(라)는 본 발명의 다른 실시예에 의한 감광막의 패터닝 방법을 나타낸 단면 공정도이다.

Claims (15)

  1. 기판의 전면상에 패턴화될 층을 형성하는 단계와; 그 층의 전면상에 감광막을 코팅하는 단계와; 그 감광막의 소정 영역에 그 감광막의 함몰부를 선택적으로 형성하는 단계와; 그 감광막의 함몰부에 평탄화된 무기질층을 형성하는 단계와; 그 무기질층을 마스크층으로 이용하여 상기 감광막을 제거하는 단계를 포함하는 감광막의 패터닝방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 감광막이 물리적인 방법에 의하여 제거되는 것을 특징으로 하는 감광막의 패터닝방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 감광막이 산소(O2) 플라즈마 방법에 의하여 제거되는 것을 특징으로 하는 감광막의 패터닝방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 감광막이 알곤(Ar) 스퍼터링 방법에 의하여 제거되는 것을 특징으로 하는 감광막의 패터닝방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 감광막의 함몰부는 상기 감광막이 노광 및 현상 공정에 의하여 상기 감광막의 두께의 30% 이내의 깊이까지 제거되어 형성되는 것을 특징으로 하는 감광막의 패터닝방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 감광막의 함몰부가 부족 노광 및 최적 현상에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 감광막의 패터닝방법.
  7. 제5항에 있어서, 상기 감광막의 함몰부가 부족 노광 및 부적 현상에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 감광막의 패터닝방법.
  8. 제5항에 있어서, 상기 감광막의 함몰부가 최적 노광 및 부적 현상에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 감광막의 패터닝방법.
  9. 제5항에 있어서, 상기 감광막이 80mJ/㎠ 내지 300mJ/㎠의 에너지로 노광되는 것을 특징으로 하는 감광막의 패터닝방법.
  10. 제5항에 있어서, 상기 감광막이 5 내지 50초의 시간동안 현상되는 것을 특징으로 하는 감광막의 패터닝방법.
  11. 제1항에 있어서, 상기 무기질층이 상기 감광막상에 증착된 후 에치백되어 평탄화되는 것을 특징으로 하는 감광막의 패터닝방법.
  12. 제1항에 있어서, 상기 감광막은 상기 무기질층이 그 감광막의 전면상에 증착되기 전에 단계적으로 열처리되는 것을 특징으로 하는 감광막의 패터닝방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 감광막이 110℃ 내지 300℃에서 단계적으로 열처리되는 것을 특징으로 하는 감광막의 패터닝방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 감광막이 130℃에서 160℃, 190℃, 230℃의 온도에서 각각 2분씩 단계적으로 열처리되는 것을 특징으로 하는 감광막의 패터닝방법.
  15. 제1항에 있어서, 상기 감광막이 노포락 레진(Novolac Resin)과 나프도퀴논-디아지드-설포네이트-에스터화합물(Naphthoquinone-diazide-sulfonate-ester Compound)를 포함하는 것을 특징으로 하는 감광막의 패터닝방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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