JPS60164323A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS60164323A JPS60164323A JP59020166A JP2016684A JPS60164323A JP S60164323 A JPS60164323 A JP S60164323A JP 59020166 A JP59020166 A JP 59020166A JP 2016684 A JP2016684 A JP 2016684A JP S60164323 A JPS60164323 A JP S60164323A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特に、フォト
エツチングプロセスに関する。
エツチングプロセスに関する。
0コ)従来技術
従来、フォトエツチングプロセスで半導体基板にコンタ
クトボールやアルミニウム配線のパターン等を正[([
に形成するために、フォトエツチングプロセスにおいて
、比較的高IVJ像度のパターン形成が可能なポジ型レ
ジストを用いて、その膜厚を1〜1.2μm程度に薄く
して露光、現像、異方性ドライエツチング、レジスト剥
離を行っている。
クトボールやアルミニウム配線のパターン等を正[([
に形成するために、フォトエツチングプロセスにおいて
、比較的高IVJ像度のパターン形成が可能なポジ型レ
ジストを用いて、その膜厚を1〜1.2μm程度に薄く
して露光、現像、異方性ドライエツチング、レジスト剥
離を行っている。
しかしながら、ポリシリコン或いはアルミニウム層等の
被エツチング層と半導体基板とに段差があるため、レジ
ストの膜厚は均一にならない。
被エツチング層と半導体基板とに段差があるため、レジ
ストの膜厚は均一にならない。
そのため、膜厚が薄い部分の現像過度或いは、膜厚が□
厚い部分の現像不足を生じ易く、微細なパターン形成が
困難である。
厚い部分の現像不足を生じ易く、微細なパターン形成が
困難である。
又露光工程おいて、レジストに照射された光は、その下
部にある一、i、8−、反射率めアルミニウム層やその
構造上乱反射しやすいポリシリコンにより、前記光のい
わゆる廻り込み現象を生じる結果、本来照射してはなら
ない部分のレジストをも照射することになるので、微細
なパターン形成が困ケ11である。
部にある一、i、8−、反射率めアルミニウム層やその
構造上乱反射しやすいポリシリコンにより、前記光のい
わゆる廻り込み現象を生じる結果、本来照射してはなら
ない部分のレジストをも照射することになるので、微細
なパターン形成が困ケ11である。
(ハ)目的
本発明は、半導体基板の被エツチング層に微細なパター
ンを形成する半導体装置の製造方法を提供することを目
的としている。
ンを形成する半導体装置の製造方法を提供することを目
的としている。
(ニ)構成
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板の表面に
形成された被エツチング層の表面に、非感光性の中間層
を形成し、この表面にレジストを塗布し露光、現像する
ことによりレジストを開孔し、この開孔部にガラス質の
マスク層を形成して、これをマスクとしてレジスト及び
中間層をエツチングすることを特徴としている。
形成された被エツチング層の表面に、非感光性の中間層
を形成し、この表面にレジストを塗布し露光、現像する
ことによりレジストを開孔し、この開孔部にガラス質の
マスク層を形成して、これをマスクとしてレジスト及び
中間層をエツチングすることを特徴としている。
(ボ)実施例
例えば、アルミニウム配線を形成する場合において、第
1図は本発明の実施例を示す説明図である。
1図は本発明の実施例を示す説明図である。
1は半導体基板、2はシリコン酸化膜、3はアルミニウ
ム層である。
ム層である。
4は中間層であり、ポリイミドやオルガノラダーシリコ
ンや環化ブタジェン等の樹脂からなる。
ンや環化ブタジェン等の樹脂からなる。
5はポジ型レジストであり、感光剤としてナフトキノン
ジアジドを添加したフェノールノボラック樹脂系レジス
トからなる。
ジアジドを添加したフェノールノボラック樹脂系レジス
トからなる。
6はマスク層であり、SiO□或いはPSG層からなる
。
。
ここで、本発明の半導体装置の製造方法について、その
工程順に説明する。
工程順に説明する。
(a) 半導体基板lの表面全面に中間層4を形成させ
る。尚、中間層4の膜厚は3μm程度にするのが望まし
い。
る。尚、中間層4の膜厚は3μm程度にするのが望まし
い。
(b) 中間層4の表面にレジスト5を塗布し、露光す
る。尚パターン精度をあげるため、レジスト5の膜厚を
例えTf3000人〜8000人程度に薄くするのが望
ましい。矢印は照射する部分である。
る。尚パターン精度をあげるため、レジスト5の膜厚を
例えTf3000人〜8000人程度に薄くするのが望
ましい。矢印は照射する部分である。
(C) レジスト5を現像することにより、光が照射さ
れたレジスト5部分を除去し、開孔部5+1を形成する
。
れたレジスト5部分を除去し、開孔部5+1を形成する
。
+d) いわゆるスピンオングラス法により、レジスト
5の開孔部5aにマスク層6を形成する。
5の開孔部5aにマスク層6を形成する。
(e) マスク層6をマスクとして異方性ドライエツチ
ングを行うことにより、中間層4やレジスト5を除去す
る。
ングを行うことにより、中間層4やレジスト5を除去す
る。
(f) アルミニウム層をエツチングする。その後、中
間層4とマスク層6を剥離する。
間層4とマスク層6を剥離する。
しかしてこの方法によれば、レジスト5を照射しても、
光は中間層4に吸収されるので下部のアルミニウム層3
による光のいわゆる廻り込み現象は生じない。
光は中間層4に吸収されるので下部のアルミニウム層3
による光のいわゆる廻り込み現象は生じない。
又中間層4の膜厚を3μm程度に厚くしたので被エツチ
ング層の急峻な段差を緩和できる。そのため、レジスト
5の膜厚を薄くすることができ、微細なレジストパター
ンが得られる。
ング層の急峻な段差を緩和できる。そのため、レジスト
5の膜厚を薄くすることができ、微細なレジストパター
ンが得られる。
上述した実施例では、アルミニウム配線を形成する場合
を例にとって説明したが本発明はこれに限定されず、被
エツチング層に段差がある場合やその他の反射或いは回
折現象を生じやすい被エツチング層をパターン精度グす
る場合等に適用してもよいことは勿論である。
を例にとって説明したが本発明はこれに限定されず、被
エツチング層に段差がある場合やその他の反射或いは回
折現象を生じやすい被エツチング層をパターン精度グす
る場合等に適用してもよいことは勿論である。
尚、実施例で中間層4は被エツチング層をエツチングす
るときにマスクとして用いられるが、多層配線時には、
中間層4をポリイミドにすると眉間絶縁膜としてそのま
ま使用できるという効果を生じる。
るときにマスクとして用いられるが、多層配線時には、
中間層4をポリイミドにすると眉間絶縁膜としてそのま
ま使用できるという効果を生じる。
(へ)効果
本発明は、被エツチング層に段差がある場合や又前記被
エツチング層が反射率の高い物の場合等でも従来達成し
えなかった微細なパターンを容易に形成することができ
る。
エツチング層が反射率の高い物の場合等でも従来達成し
えなかった微細なパターンを容易に形成することができ
る。
第1図は本発明の実施例を示す説明図である。
1 ・・・半導体基板、3 ・・・アルミニウム層、4
・・・中間層、5 ・・・レジスト、6 ・・・マス
ク層。 特許出願人 ローム株式会社 代理人 弁理士 大 西 孝 治 第1 (a) (d) (f)
・・・中間層、5 ・・・レジスト、6 ・・・マス
ク層。 特許出願人 ローム株式会社 代理人 弁理士 大 西 孝 治 第1 (a) (d) (f)
Claims (1)
- (1)半導体基板の表面に形成された被エツチングj4
の表面に、非感光性の中曲層を形成し、この表面にレジ
ストを塗布し露光、現像することによリレシストを開孔
し、この開孔部にマスク層を形成し一ζ、これをマスク
として前記レジスト及び中間1腎をエツチングすること
を特徴とした半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59020166A JPS60164323A (ja) | 1984-02-06 | 1984-02-06 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59020166A JPS60164323A (ja) | 1984-02-06 | 1984-02-06 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60164323A true JPS60164323A (ja) | 1985-08-27 |
Family
ID=12019574
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59020166A Pending JPS60164323A (ja) | 1984-02-06 | 1984-02-06 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60164323A (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5353401A (en) * | 1976-10-22 | 1978-05-15 | Hitachi Ltd | Photoetching of polyimide synthetic resin film |
JPS55140229A (en) * | 1979-04-20 | 1980-11-01 | Hitachi Ltd | Method for formation of fine pattern |
JPS58132927A (ja) * | 1982-02-03 | 1983-08-08 | Matsushita Electronics Corp | パタ−ン形成方法 |
JPS5918637A (ja) * | 1982-07-13 | 1984-01-31 | インタ−ナシヨナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−シヨン | 像パタ−ンの形成方法 |
-
1984
- 1984-02-06 JP JP59020166A patent/JPS60164323A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5353401A (en) * | 1976-10-22 | 1978-05-15 | Hitachi Ltd | Photoetching of polyimide synthetic resin film |
JPS55140229A (en) * | 1979-04-20 | 1980-11-01 | Hitachi Ltd | Method for formation of fine pattern |
JPS58132927A (ja) * | 1982-02-03 | 1983-08-08 | Matsushita Electronics Corp | パタ−ン形成方法 |
JPS5918637A (ja) * | 1982-07-13 | 1984-01-31 | インタ−ナシヨナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−シヨン | 像パタ−ンの形成方法 |
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