JPS61156044A - レジストステンシルマスクの製造方法 - Google Patents
レジストステンシルマスクの製造方法Info
- Publication number
- JPS61156044A JPS61156044A JP27737184A JP27737184A JPS61156044A JP S61156044 A JPS61156044 A JP S61156044A JP 27737184 A JP27737184 A JP 27737184A JP 27737184 A JP27737184 A JP 27737184A JP S61156044 A JPS61156044 A JP S61156044A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- stencil mask
- photoresist
- substrate
- developing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C5/00—Photographic processes or agents therefor; Regeneration of such processing agents
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Silver Salt Photography Or Processing Solution Therefor (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はりフトオフ法によりパターン形成をする場合に
使用されるレジストステンシルマスクの製造方法に関す
る。
使用されるレジストステンシルマスクの製造方法に関す
る。
（従来技術）
リフトオフ法により薄膜パターンを形成するための一つ
の手段としてレジストステンシルマスクが用いられてい
る。
の手段としてレジストステンシルマスクが用いられてい
る。
第２図（ａ）〜（Ｃ）は従来のパターンのりフトオフ方
法を説明するための工程順に示した断面図である。
法を説明するための工程順に示した断面図である。
まず、第２図（ａ）に示すように、基板１の上にレジス
トステンシルマスク２を形成する。レジストステンシル
マスク２は、図示するように、アンダーカット構造とな
っている。
トステンシルマスク２を形成する。レジストステンシル
マスク２は、図示するように、アンダーカット構造とな
っている。
次に、第２図（ｂ）に示すように、薄膜層３を上方から
被着する。
被着する。
次に、第２図（Ｃ）に示すように、レジストステンシル
マスク２を溶剤で除去する。すると、マスクの開口部７
に被着された薄膜層３のみが残り、他は除去され、所望
のパターンが得られる。
マスク２を溶剤で除去する。すると、マスクの開口部７
に被着された薄膜層３のみが残り、他は除去され、所望
のパターンが得られる。
アンダーカット構造とは、第２図（ａ）に示すように、
レジストステンシルマスク２の形成されている開孔部７
の上方の径が下方、つまり基板１に接している側の径よ
りも小さい構造を指して呼ぶ。
レジストステンシルマスク２の形成されている開孔部７
の上方の径が下方、つまり基板１に接している側の径よ
りも小さい構造を指して呼ぶ。
もしこのリフトオフ工程において、アンダーカットの無
いレジストステンシルマスクを１ｅ用した場合、＃！３
図に示すようｌこ、レジストステンシルマスク２′と基
板１の上部にそれぞれ形成された薄膜層３は不連続的に
ならず、お互いに接続してしまい、パターン形成は出来
ない。
いレジストステンシルマスクを１ｅ用した場合、＃！３
図に示すようｌこ、レジストステンシルマスク２′と基
板１の上部にそれぞれ形成された薄膜層３は不連続的に
ならず、お互いに接続してしまい、パターン形成は出来
ない。
従来、このアンダーカット構造を作る方法として、ポジ
イティブフォトレジストを基板上に塗布した後に、クロ
ロベンゼンによってレジストの表面部分の現像速度を遅
くする方法や、フォトレジストを多層化して、上部と下
部のレジストの種類又は露光量などを調節して、上部レ
ジストの開孔部が下部のそれよりも小さくする方法など
が知られている。しかし、クロロベンゼン処理法は制御
性、再現性に問題があり、又多層化レジスト法は、その
プロセスが複雑である点などに欠゛点があった。
イティブフォトレジストを基板上に塗布した後に、クロ
ロベンゼンによってレジストの表面部分の現像速度を遅
くする方法や、フォトレジストを多層化して、上部と下
部のレジストの種類又は露光量などを調節して、上部レ
ジストの開孔部が下部のそれよりも小さくする方法など
が知られている。しかし、クロロベンゼン処理法は制御
性、再現性に問題があり、又多層化レジスト法は、その
プロセスが複雑である点などに欠゛点があった。
（発明の目的）
本発明の目的は、プロセスが簡単で、しかも再現性、制
御性のよいアンダーカットを持ったレジストステンシル
マスクの製造方法を提供する事にある。
御性のよいアンダーカットを持ったレジストステンシル
マスクの製造方法を提供する事にある。
（発明の構成）
本発明のレジストステンシルマスクの製造方法は、基板
上にアクリル樹脂系のネガティブフォトレジスト膜を被
着する工程と、フォトマスクを用いて前記ネガティブフ
ォトレジスト膜をアンダー露光する工程と、現像して前
記ネガティブフォトレジスト膜にアンダーカット構造の
パターンを形成する工程とを含んで構成される。
上にアクリル樹脂系のネガティブフォトレジスト膜を被
着する工程と、フォトマスクを用いて前記ネガティブフ
ォトレジスト膜をアンダー露光する工程と、現像して前
記ネガティブフォトレジスト膜にアンダーカット構造の
パターンを形成する工程とを含んで構成される。
（発明の原理と作用）
本発明によりアンダーカット構造を形成するメカニズム
を説明する。フォトレジストを露光する場合、レジスト
内では光は吸収されながら進行して行く。この光量の減
衰のために、レジストの下部はその上部よりも常に露光
不足の状態になっている。このレジスト内の上下方向、
つまりレジストの面の垂直な方向での露光量の不均一性
は、露光パターンのエツジ部において、レジスト面に平
行した面内での露光量の不均一性と線型に重ね合されて
、レジスト面に斜に交わる面を介して不均−ｌこ露光さ
れている。つまり、露光パターンのエツジ部では、露光
パターンの中心部に比べて、レジスト膜の下部に行くに
つれて、その露光不足は強調される。第４図に上記の露
光後の状態を示す。
を説明する。フォトレジストを露光する場合、レジスト
内では光は吸収されながら進行して行く。この光量の減
衰のために、レジストの下部はその上部よりも常に露光
不足の状態になっている。このレジスト内の上下方向、
つまりレジストの面の垂直な方向での露光量の不均一性
は、露光パターンのエツジ部において、レジスト面に平
行した面内での露光量の不均一性と線型に重ね合されて
、レジスト面に斜に交わる面を介して不均−ｌこ露光さ
れている。つまり、露光パターンのエツジ部では、露光
パターンの中心部に比べて、レジスト膜の下部に行くに
つれて、その露光不足は強調される。第４図に上記の露
光後の状態を示す。
第４図中４はパターン作るフォトマスク、５はコリメイ
トされた光、６は露光されたレジストの部分である。本
発明で使用されるのはネガティブレジストなので、露光
されたレジストの部分のみ現像されずに残るので、第２
図（へ）のようなアンダーカットを持ったレジストステ
ンシルマスフカ出来る。
トされた光、６は露光されたレジストの部分である。本
発明で使用されるのはネガティブレジストなので、露光
されたレジストの部分のみ現像されずに残るので、第２
図（へ）のようなアンダーカットを持ったレジストステ
ンシルマスフカ出来る。
（実施例）
次に、本発明の実施例ｔζついて図面を用いて説明する
。
。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示した断面図である。
めの工程順に示した断面図である。
マス、第１図（ａ）に示すように、基板１の上にアクリ
ル樹脂系のネガティブフォトレジスト１２をラミネータ
ーを使用して約１００’Ｃで付着する。
ル樹脂系のネガティブフォトレジスト１２をラミネータ
ーを使用して約１００’Ｃで付着する。
アクリル樹脂系のネガティブフォトレジストとし鴇
て１例えば、ダナケム社（Ｄｙｎａ ｃｈｅｍ Ｃｏ、
）のＬａｍ１ｎａｒ ＡＸがある。
）のＬａｍ１ｎａｒ ＡＸがある。
矢に、第１図（ｂ）に示すように、ネガティブフォトレ
ジスト１２の上方にフォトマスク４を置き、波長３５０
ｎｍ％エネルギー約２０〜４０ミリジェールの光５で照
射して露光する。
ジスト１２の上方にフォトマスク４を置き、波長３５０
ｎｍ％エネルギー約２０〜４０ミリジェールの光５で照
射して露光する。
次に、第１図（（Ｊに示すように、境偉し１、露光しな
か〕たフォトレジストの部分を除去する。現像は、ブチ
ルセルソルブ１５ ｃ ｃ、炭酸ナトリウム（１０水塩
）１０ｇ、水１！の比の組成を有し、３２℃に加温され
た現像液に約３分間浸漬して行う。この現像を行うと、
フォトレジスト１２の除去部分はアンダーカット構造と
なフている。
か〕たフォトレジストの部分を除去する。現像は、ブチ
ルセルソルブ１５ ｃ ｃ、炭酸ナトリウム（１０水塩
）１０ｇ、水１！の比の組成を有し、３２℃に加温され
た現像液に約３分間浸漬して行う。この現像を行うと、
フォトレジスト１２の除去部分はアンダーカット構造と
なフている。
一般に、露光量を少なくすればする程、アンダーカット
蓋は増え、露光量を増し過ぎると、第３図に示したよう
に、アンダーカットの無いフォトレジストパターンが得
られる。
蓋は増え、露光量を増し過ぎると、第３図に示したよう
に、アンダーカットの無いフォトレジストパターンが得
られる。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明ｔこよｎば、非常ｊこ簡単
なプロセスで、再現性、制御性に優れ、リフトオフに適
したアンダーカット構造を有するレジストステンシルマ
スクを製造することができる。
なプロセスで、再現性、制御性に優れ、リフトオフに適
したアンダーカット構造を有するレジストステンシルマ
スクを製造することができる。
第１図ｔａ）〜（四ま本発明の一実施例を説明するため
の工程順を示した断面図、第２図（ａ）〜（Ｃ）は従来
のパターンのりフトオフ方法を説明するための工程順に
示した断面図、第３図は従来のアンダニカットがないレ
ジストステンシルマスクを用いた場合のりフトオフ方法
の欠点を説明するための断面図、第４図はネガティブレ
ジストの露光を説明するための断面図である。 １・・・・・・基板、２．２’・・・・・・レジスト、
３・・・・・・薄膜層、４・・・・・・フォトマスク、
５・・・・・・コリメイトされた光、６・・・・・・露
光されたレジストの部分、７・・・・・・開口部、１２
・・・・・・ネガティブフォ“トレジスト膜。 ′：今１５ 代理人 弁理士 内 原 秩；５．７”＼二−ノ
の工程順を示した断面図、第２図（ａ）〜（Ｃ）は従来
のパターンのりフトオフ方法を説明するための工程順に
示した断面図、第３図は従来のアンダニカットがないレ
ジストステンシルマスクを用いた場合のりフトオフ方法
の欠点を説明するための断面図、第４図はネガティブレ
ジストの露光を説明するための断面図である。 １・・・・・・基板、２．２’・・・・・・レジスト、
３・・・・・・薄膜層、４・・・・・・フォトマスク、
５・・・・・・コリメイトされた光、６・・・・・・露
光されたレジストの部分、７・・・・・・開口部、１２
・・・・・・ネガティブフォ“トレジスト膜。 ′：今１５ 代理人 弁理士 内 原 秩；５．７”＼二−ノ
Claims (1)
- 基板上にアクリル樹脂系のネガティブフォトレジスト膜
を被着する工程と、フォトマスクを用いて前記ネガティ
ブフォトレジスト膜をアンダー露光する工程と、現像し
て前記ネガティブフォトレジスト膜にアンダーカット構
造のパターンを形成する工程とを含むことを特徴とする
レジストステンシルマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27737184A JPS61156044A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | レジストステンシルマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27737184A JPS61156044A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | レジストステンシルマスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61156044A true JPS61156044A (ja) | 1986-07-15 |
Family
ID=17582587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27737184A Pending JPS61156044A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | レジストステンシルマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61156044A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9766546B2 (en) | 2013-08-06 | 2017-09-19 | Ams Ag | Method of producing a resist structure with undercut sidewall |
| CN112652522A (zh) * | 2020-07-23 | 2021-04-13 | 腾讯科技（深圳）有限公司 | 光刻胶结构、图形化沉积层和半导体芯片及其制作方法 |
| JP2023504051A (ja) * | 2020-10-15 | 2023-02-01 | テンセント・テクノロジー・（シェンジェン）・カンパニー・リミテッド | エアブリッジ構造及びその製造方法、並びに超伝導量子チップ及びその製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5373073A (en) * | 1976-12-11 | 1978-06-29 | Fujitsu Ltd | Treatment method for photo resist |
| JPS5533035A (en) * | 1978-08-28 | 1980-03-08 | Nec Corp | Forming of resist pattern shaped like inverted truncated pyramid |
| JPS5730829A (en) * | 1980-08-01 | 1982-02-19 | Hitachi Ltd | Micropattern formation method |
| JPS60134236A (ja) * | 1983-12-23 | 1985-07-17 | Hitachi Ltd | 微細パタ−ン形成法 |
-
1984
- 1984-12-27 JP JP27737184A patent/JPS61156044A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5373073A (en) * | 1976-12-11 | 1978-06-29 | Fujitsu Ltd | Treatment method for photo resist |
| JPS5533035A (en) * | 1978-08-28 | 1980-03-08 | Nec Corp | Forming of resist pattern shaped like inverted truncated pyramid |
| JPS5730829A (en) * | 1980-08-01 | 1982-02-19 | Hitachi Ltd | Micropattern formation method |
| JPS60134236A (ja) * | 1983-12-23 | 1985-07-17 | Hitachi Ltd | 微細パタ−ン形成法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9766546B2 (en) | 2013-08-06 | 2017-09-19 | Ams Ag | Method of producing a resist structure with undercut sidewall |
| CN112652522A (zh) * | 2020-07-23 | 2021-04-13 | 腾讯科技（深圳）有限公司 | 光刻胶结构、图形化沉积层和半导体芯片及其制作方法 |
| JP2023504051A (ja) * | 2020-10-15 | 2023-02-01 | テンセント・テクノロジー・（シェンジェン）・カンパニー・リミテッド | エアブリッジ構造及びその製造方法、並びに超伝導量子チップ及びその製造方法 |
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