JPS60134236A - 微細パタ−ン形成法 - Google Patents
微細パタ−ン形成法Info
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- JPS60134236A JPS60134236A JP58242038A JP24203883A JPS60134236A JP S60134236 A JPS60134236 A JP S60134236A JP 58242038 A JP58242038 A JP 58242038A JP 24203883 A JP24203883 A JP 24203883A JP S60134236 A JPS60134236 A JP S60134236A
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- polyamic acid
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/008—Azides
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はりフトオフ法を用いた微細パターン形成法に係
り、特にＵＶ１１光法によって微細なパターンを形成す
る方法に関する。
り、特にＵＶ１１光法によって微細なパターンを形成す
る方法に関する。
従来、微細なパターンをリフトオフ法’ｅ用いて鞘度良
く飛成する方法として、リフＬオフ用ホトレジストとし
て知波長紫外光（波長がほぼ２００〜３２０ｎｍの紫外
＊）の吸収が極めて大きくかつ短波長光に感応するホト
レジストを用い、短波長紫外光を照射エネルギー源とし
たＤｅｅｐ−ＵＶ露光法によって逆台形状のホトレジス
トパターンを形成し、リフトオフ用レジストパターンと
して供する方法が知られている（特公昭５７−３０８２
９ ）。
く飛成する方法として、リフＬオフ用ホトレジストとし
て知波長紫外光（波長がほぼ２００〜３２０ｎｍの紫外
＊）の吸収が極めて大きくかつ短波長光に感応するホト
レジストを用い、短波長紫外光を照射エネルギー源とし
たＤｅｅｐ−ＵＶ露光法によって逆台形状のホトレジス
トパターンを形成し、リフトオフ用レジストパターンと
して供する方法が知られている（特公昭５７−３０８２
９ ）。
上記方法は短波長光によってレジストパターンが形成さ
れることから微細パターン形成能に優ねるとされている
が、近年ＵＶ光を用いる１／１０縮小投影露光法は露光
装置の急速な進歩によりパターンの解像性、位憤合せ精
度においてＤｅｅｐ−ＵＶ １／ １投影露光法に勝る
方法として微細パターン形成法の主流を占めるに至った
。しかしながら、ＵＶ光（波長がほぼ３２０〜４５０１
ｍの紫外光）に感応し、リフトオフ法に必要な逆台形状
パターンを形成するホトレジスト、！：Ｌ−’Ｃｍ用な
ものが無く、ＵＶ＋／＋０＃小投影法を用いたリフトオ
フ法による微細配線パターン形成法を供することができ
なかった。
れることから微細パターン形成能に優ねるとされている
が、近年ＵＶ光を用いる１／１０縮小投影露光法は露光
装置の急速な進歩によりパターンの解像性、位憤合せ精
度においてＤｅｅｐ−ＵＶ １／ １投影露光法に勝る
方法として微細パターン形成法の主流を占めるに至った
。しかしながら、ＵＶ光（波長がほぼ３２０〜４５０１
ｍの紫外光）に感応し、リフトオフ法に必要な逆台形状
パターンを形成するホトレジスト、！：Ｌ−’Ｃｍ用な
ものが無く、ＵＶ＋／＋０＃小投影法を用いたリフトオ
フ法による微細配線パターン形成法を供することができ
なかった。
本発明の目的はＵＶ露光法を用いたリフトオフ法によっ
て微細でかつ精度良くパターンを形成する方法を提供す
ると吉にある。
て微細でかつ精度良くパターンを形成する方法を提供す
ると吉にある。
上記目的を達成するためには、ＵＶ光（波長がほぼ６２
０〜４ｓｏｎｍの紫外光）に感応しかつ１回の露光、現
像処理によって逆台形状の断面形状ヲモつパターンを精
度良く形成するホトレジストを用いてリフトオフを行え
ば良いと考えた。
０〜４ｓｏｎｍの紫外光）に感応しかつ１回の露光、現
像処理によって逆台形状の断面形状ヲモつパターンを精
度良く形成するホトレジストを用いてリフトオフを行え
ば良いと考えた。
このためには、ＵＶ吸収が大青く、覗僑溶媒に対する膨
潤性の少ないホトレジストを選べば良いと考えた。即ち
、ＵＶ吸収が大きければ、ホトレジスト膜の厘さ方向に
おける照射ＵＶ光の減衰が非常に大きくなり、その結果
、完全ｌこ不溶化されるのは表面層のみで、深部になる
に従って、不溶化の程度は小さくなり溶解度は大きくな
る。このため、現像液に浸漬すると不溶程度の少ない膜
下層部は時間とともに溶解し、図１の２に示す如く逆台
形状の断面形状を持つホトレジストパターンａが形成さ
れる。この時、ホトレジストが現像液に対する膨潤性に
乏しけれは、パターンはに＠による形状変化を受けるこ
とがないので、精度良く形成することができる。上記の
条件を満すホトレジストとそレラヲ用いたリフトオフ微
細パターン形成法について、上記の考えに基づいて鋭意
検削した結果、基板表面上にホトレジストの被膜を形成
する第１工程と、該被膜の所望部に紫外線を照射して被
照射部の溶解度を低下させ、断面形状が逆台形状である
該被膜のパターンを形成する第２工程と、微細パターン
を形成すべき材料の膜を４ｉ着する第３工程と、該ホト
レジスト被膜をその上に被着された上記微細パターンを
形成すべき相料の膜とともに除去する第４工程とからな
るリフトオフ微細パターン形成法において、該ホトレジ
ストとしてポリマ鎖に芳香族環を含む感光性ポリアミド
酸又は感光性ポリアミド酸エステル又は感光性ポリアミ
ド酸組成物を用いることを特徴とする微細パターン形成
法が、ＵＶ露光法を用いた微細でかつ精度良くパターン
を形成する微細パターン形成法であることを見い出した
。
潤性の少ないホトレジストを選べば良いと考えた。即ち
、ＵＶ吸収が大きければ、ホトレジスト膜の厘さ方向に
おける照射ＵＶ光の減衰が非常に大きくなり、その結果
、完全ｌこ不溶化されるのは表面層のみで、深部になる
に従って、不溶化の程度は小さくなり溶解度は大きくな
る。このため、現像液に浸漬すると不溶程度の少ない膜
下層部は時間とともに溶解し、図１の２に示す如く逆台
形状の断面形状を持つホトレジストパターンａが形成さ
れる。この時、ホトレジストが現像液に対する膨潤性に
乏しけれは、パターンはに＠による形状変化を受けるこ
とがないので、精度良く形成することができる。上記の
条件を満すホトレジストとそレラヲ用いたリフトオフ微
細パターン形成法について、上記の考えに基づいて鋭意
検削した結果、基板表面上にホトレジストの被膜を形成
する第１工程と、該被膜の所望部に紫外線を照射して被
照射部の溶解度を低下させ、断面形状が逆台形状である
該被膜のパターンを形成する第２工程と、微細パターン
を形成すべき材料の膜を４ｉ着する第３工程と、該ホト
レジスト被膜をその上に被着された上記微細パターンを
形成すべき相料の膜とともに除去する第４工程とからな
るリフトオフ微細パターン形成法において、該ホトレジ
ストとしてポリマ鎖に芳香族環を含む感光性ポリアミド
酸又は感光性ポリアミド酸エステル又は感光性ポリアミ
ド酸組成物を用いることを特徴とする微細パターン形成
法が、ＵＶ露光法を用いた微細でかつ精度良くパターン
を形成する微細パターン形成法であることを見い出した
。
上記方法において、芳香族環を含む感光性ポＩ＋ ７５
ト酸又は感光性ポリアミド酸エステル又は感光性ポリ
アミド酸組成物がリフトオフ用ｔ。
ト酸又は感光性ポリアミド酸エステル又は感光性ポリ
アミド酸組成物がリフトオフ用ｔ。
トレジストとして有用であるのは、これらがＵＶ光吸収
能の大きな芳香族環を含むためにＵＶ光の吸収が袷めて
大きく、又現像液に対する膨潤性に乏しいため、リフト
オフに不可欠な逆台形状の断面構造を持つパターンを精
度良く形成することができるためである。
能の大きな芳香族環を含むためにＵＶ光の吸収が袷めて
大きく、又現像液に対する膨潤性に乏しいため、リフト
オフに不可欠な逆台形状の断面構造を持つパターンを精
度良く形成することができるためである。
以下本発明について詳細に説明する。
先ず、本発明によるリフトオフ微細パターン形成プロセ
スについて、第１図を用いて説明する。
スについて、第１図を用いて説明する。
第１工程では、所望の基板上にホトレジストとして感光
性ポリアミド酸又は感光性ポリアミド酸エステル又は感
光性ポリアミド酸組成物の溶液をスピンナーを用いたス
ピン塗布法、スプレー法、浸漬法等によって塗布し、次
いで加熱乾燥（通常５０〜１２０℃）して上記ホトレジ
ストの被膜を得る（第１図の（ａ））。第２工程では上
記被膜の所望部に紫外線を照射した徒、現像処理によっ
て逆台形状の断面を持つパターンを得る（第１図の（ｂ
））。この時、照射方法としては６６５又は４０５又は
４３６ｎｍの波長の紫外光を用いた１／１０又は１１５
縮小投影露光法が微細パターン形成能及びパターンの位
置合せ精度の瑯から好しいが、高圧水銀灯を用いる密着
露光法、Ｄｅｅｐ−ＵＶ＋／１投影露光法、Ｄｅｅｐ−
ＵＶ密着露光法を用いてもさしつかえない。第３工程で
は第２工程でヤ成した基板上に微細パターンを形成すべ
き材料の膜を被着する。微細パターンを形成すべ永材料
としては、例えばＡｌ Ｃｕ、 Ａｕ、Ａｆ等の金属や
これらを一つの成分とする合金などのような配線として
用いるものが例として挙、けられるが、目的によって適
宜変えられるため、これらに限定されない。これらの材
料の被着法としては、例えは真空蒸着法、ブ→ズマ重合
法、スバ、・クリング法等のような真空技術を応用した
手法が用いられる。この時、ホトレジストパターンは逆
台形の断面形状を持つため、微細パターンを形成すべき
材料は連続した膜とはならず、第１図の（ｃ）に示す如
く基板すおよびホトレジスト膜２の上にそれぞれ分離し
て被着される。
性ポリアミド酸又は感光性ポリアミド酸エステル又は感
光性ポリアミド酸組成物の溶液をスピンナーを用いたス
ピン塗布法、スプレー法、浸漬法等によって塗布し、次
いで加熱乾燥（通常５０〜１２０℃）して上記ホトレジ
ストの被膜を得る（第１図の（ａ））。第２工程では上
記被膜の所望部に紫外線を照射した徒、現像処理によっ
て逆台形状の断面を持つパターンを得る（第１図の（ｂ
））。この時、照射方法としては６６５又は４０５又は
４３６ｎｍの波長の紫外光を用いた１／１０又は１１５
縮小投影露光法が微細パターン形成能及びパターンの位
置合せ精度の瑯から好しいが、高圧水銀灯を用いる密着
露光法、Ｄｅｅｐ−ＵＶ＋／１投影露光法、Ｄｅｅｐ−
ＵＶ密着露光法を用いてもさしつかえない。第３工程で
は第２工程でヤ成した基板上に微細パターンを形成すべ
き材料の膜を被着する。微細パターンを形成すべ永材料
としては、例えばＡｌ Ｃｕ、 Ａｕ、Ａｆ等の金属や
これらを一つの成分とする合金などのような配線として
用いるものが例として挙、けられるが、目的によって適
宜変えられるため、これらに限定されない。これらの材
料の被着法としては、例えは真空蒸着法、ブ→ズマ重合
法、スバ、・クリング法等のような真空技術を応用した
手法が用いられる。この時、ホトレジストパターンは逆
台形の断面形状を持つため、微細パターンを形成すべき
材料は連続した膜とはならず、第１図の（ｃ）に示す如
く基板すおよびホトレジスト膜２の上にそれぞれ分離し
て被着される。
第４図の工程では、ホトレジスト被膜をその被膜上に被
着された微細パターンを形成すべき材料の膜とともに除
去し、目的とする微細パターンが形成される（第１図の
（Ｃ））。ホトレジスト被膜の剥離法としては非プロト
ン性極性溶媒を主成分とする液に浸漬加温することによ
って剥離するかあるいはアルカリ性溶液に浸漬する方法
が挙けられる。非プロトン性極性溶媒の例としてはＮ−
メチル−２−ピロリドン、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキ
シド、Ｎ−アセチル−ローカプロラクタム、Ｎ−アセチ
ル−２−ピロリドン、ジメチルイミダゾリジノンなどが
挙げられる。アルカリ性浴液の例としては、テト丹メチ
ルアンモニウムヒドロキシドによって代表されるテトラ
アルキルアンモニウムヒドロキシドの水浴液、第６燐酸
す） Ｉ＋リム、水酸化ナトリウムに代表される無機ア
ルカリ水溶液、エチレンジアミンとトリエチルアミンと
から成る有機アルカリ溶液などが挙げられるが、アルカ
リ性溶液であれば良くこれらに限定されない。
着された微細パターンを形成すべき材料の膜とともに除
去し、目的とする微細パターンが形成される（第１図の
（Ｃ））。ホトレジスト被膜の剥離法としては非プロト
ン性極性溶媒を主成分とする液に浸漬加温することによ
って剥離するかあるいはアルカリ性溶液に浸漬する方法
が挙けられる。非プロトン性極性溶媒の例としてはＮ−
メチル−２−ピロリドン、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキ
シド、Ｎ−アセチル−ローカプロラクタム、Ｎ−アセチ
ル−２−ピロリドン、ジメチルイミダゾリジノンなどが
挙げられる。アルカリ性浴液の例としては、テト丹メチ
ルアンモニウムヒドロキシドによって代表されるテトラ
アルキルアンモニウムヒドロキシドの水浴液、第６燐酸
す） Ｉ＋リム、水酸化ナトリウムに代表される無機ア
ルカリ水溶液、エチレンジアミンとトリエチルアミンと
から成る有機アルカリ溶液などが挙げられるが、アルカ
リ性溶液であれば良くこれらに限定されない。
次に本発明でリフトオフ用ホトレジストとして用いる感
光性ポリアミド酸、感光性ポリアミド酸エステル、感光
性ポリアミド酸組成物について散明する。
光性ポリアミド酸、感光性ポリアミド酸エステル、感光
性ポリアミド酸組成物について散明する。
本発明で用いる感光性ポリアミド酸としては、一般式〔
■〕で表わされる化合物が具体的な例と（但し、Ｒ１は
４価の有機基、Ａ ｒ ’は５価の芳香族環状基、ｐ＋
はメタクリル基、アクリル基等の感光基を含む有機基を
表わし、ｎは整数を衣わす。
■〕で表わされる化合物が具体的な例と（但し、Ｒ１は
４価の有機基、Ａ ｒ ’は５価の芳香族環状基、ｐ＋
はメタクリル基、アクリル基等の感光基を含む有機基を
表わし、ｎは整数を衣わす。
）して挙けられる。更に具体的には特開昭５５−４５７
４Ｂ 、 ５５−１３５１３９、５６ −１１０７２８
、５８−４５４４９等に詳細に開示されている。
４Ｂ 、 ５５−１３５１３９、５６ −１１０７２８
、５８−４５４４９等に詳細に開示されている。
本発明で用いる感光性ポリアミド酸エステルとしては、
一般式〔■〕で表わされる化合物が具体的な例として挙
げられる。
一般式〔■〕で表わされる化合物が具体的な例として挙
げられる。
（但し、Ｒ２ば２価の有機基、Ａｒ２は４価の芳香族環
状基、Ｐ２はメタクリル基、アクリル基等の感光基を含
む有機基を表わし、ｎは整数を表わす。） 更に具体的には、特開昭４９−１＋５５４１．５１−４
０９２０ 、 ５１−４０９２２．５４− ｊ＋６２１
６等に詳細に開示されている。
状基、Ｐ２はメタクリル基、アクリル基等の感光基を含
む有機基を表わし、ｎは整数を表わす。） 更に具体的には、特開昭４９−１＋５５４１．５１−４
０９２０ 、 ５１−４０９２２．５４− ｊ＋６２１
６等に詳細に開示されている。
本発明で用いる感光性ポリアミド酸組成物としては芳香
族環をポリマ主鎖に含むポリアミド酸と化学線によって
２倉化又は１合可能な炭素−炭素２１結合およびアミノ
基を含む化合物から成る組成物、芳香族環をポリマ主鎖
に含むポリアミド酸と、芳香族アジド基およびアミノ基
を含む化合物とから成る組成物、芳香族環をポリマ主鎖
に含むポリアミド酸とビスアジド光架橋剤とアジドとの
反応基を有するアミン化合物とから成る組成物等が知ら
れている。更に具体的には特開昭５４−１４．５７９４
．５７−１０２９２６．５７−１６８９４２．５７−２
１２４３２ 、５７−２１２４３６．１７０９２９，５
８−５９４４０等に詳しく開示されている。
族環をポリマ主鎖に含むポリアミド酸と化学線によって
２倉化又は１合可能な炭素−炭素２１結合およびアミノ
基を含む化合物から成る組成物、芳香族環をポリマ主鎖
に含むポリアミド酸と、芳香族アジド基およびアミノ基
を含む化合物とから成る組成物、芳香族環をポリマ主鎖
に含むポリアミド酸とビスアジド光架橋剤とアジドとの
反応基を有するアミン化合物とから成る組成物等が知ら
れている。更に具体的には特開昭５４−１４．５７９４
．５７−１０２９２６．５７−１６８９４２．５７−２
１２４３２ 、５７−２１２４３６．１７０９２９，５
８−５９４４０等に詳しく開示されている。
本発明でホトレジストとして用いる感光性ポリアミに酸
又は感光性ポリアミド′酸エステル又は感光性ポリアミ
ド酸組成物として特に好しいものは一般式口〕で表わさ
れるビスアジド化合物を光架（但し、〔Ｉ〕式式中上水
素、低級アルキル基、水ｆ［基、アルコキシ基、ヒドロ
キシアルキル基、カルボキシル基、アミノ基を夛わし、
ｍは０又は１である。）橋剤成分とする感光性ポリアミ
上記感光性ポリアミド酸組成物が好ましい第一の理由は
ＵＶ光（波長がほぼ３２０〜４５０ｎｍの紫外光）の吸
収がさらに大きいからである。このため、前述のように
逆台形状の断面を持つホトレジストパターンが極めて容
易に形成される。
又は感光性ポリアミド′酸エステル又は感光性ポリアミ
ド酸組成物として特に好しいものは一般式口〕で表わさ
れるビスアジド化合物を光架（但し、〔Ｉ〕式式中上水
素、低級アルキル基、水ｆ［基、アルコキシ基、ヒドロ
キシアルキル基、カルボキシル基、アミノ基を夛わし、
ｍは０又は１である。）橋剤成分とする感光性ポリアミ
上記感光性ポリアミド酸組成物が好ましい第一の理由は
ＵＶ光（波長がほぼ３２０〜４５０ｎｍの紫外光）の吸
収がさらに大きいからである。このため、前述のように
逆台形状の断面を持つホトレジストパターンが極めて容
易に形成される。
ＵＶ光吸収が大きくなる理由は光架橋剤〔■〕のＵＶ光
吸収が大きいことに起因する。即ち、一般式（１）にお
いてｍ ＝ ０の時、紫外線極大吸収波長はおおむね３
４０〜５７０ ｎｍに位置し、モル吸光係数はおおむね
５５，０００〜５０，０００であり、ｍ＝１の時、紫外
線極大吸収波長はおおむね５９０〜４２０ ｎｍに位置
し、モル吸光係数はおおむね３５，００ （１〜５０，
０００と極めて大きいので、式［’ｌ）の成分がＵＶ光
吸収に大きく寄与することは明らかである。
吸収が大きいことに起因する。即ち、一般式（１）にお
いてｍ ＝ ０の時、紫外線極大吸収波長はおおむね３
４０〜５７０ ｎｍに位置し、モル吸光係数はおおむね
５５，０００〜５０，０００であり、ｍ＝１の時、紫外
線極大吸収波長はおおむね５９０〜４２０ ｎｍに位置
し、モル吸光係数はおおむね３５，００ （１〜５０，
０００と極めて大きいので、式［’ｌ）の成分がＵＶ光
吸収に大きく寄与することは明らかである。
上記感光性ポリアミド酸組成物の好ましい第２の理由は
、式（１）で−表わされる光架橋剤を用いた材料はこれ
を用いない他の材料に比べ、５〜１σ０倍＾感度である
からである。このため、この材料をリフトオフ用ホトレ
ジストとして用いる微細パターン形成法は量産性、作業
性に優れる。
、式（１）で−表わされる光架橋剤を用いた材料はこれ
を用いない他の材料に比べ、５〜１σ０倍＾感度である
からである。このため、この材料をリフトオフ用ホトレ
ジストとして用いる微細パターン形成法は量産性、作業
性に優れる。
上記組成物の具体例は、特開昭５７−１６８９４２．５
７−１７０９２９．５８−５９４４０に詳しく開示され
ている。
７−１７０９２９．５８−５９４４０に詳しく開示され
ている。
以下、本発明を実施例によって説明する。
実施例 １
繰り返し単位が式ＣＩＶ）で表わされるポリアミド酸（
７’）１５重量％Ｎ−メチル−２−ピロリドン溶液２０
ｇに対し、 ２．６−ビス（パラアジドベンザル）−４−カルボキシ
シクロへキサノン０．６ｇ、３−（Ｎ、Ｎ−ジメチルア
ミノ）プロピルメタクリレート２．６ｇ。
７’）１５重量％Ｎ−メチル−２−ピロリドン溶液２０
ｇに対し、 ２．６−ビス（パラアジドベンザル）−４−カルボキシ
シクロへキサノン０．６ｇ、３−（Ｎ、Ｎ−ジメチルア
ミノ）プロピルメタクリレート２．６ｇ。
トリエチレングリコール０．７ｔを溶解し、次いで１μ
ｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過してホトレジスト溶液
を調製した。
ｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過してホトレジスト溶液
を調製した。
この溶液をシリコンウェハ上へ回転塗布、プリベークし
て厚さ１．０μｍのホトレジスト膜を形成した。
て厚さ１．０μｍのホトレジスト膜を形成した。
１／１０縮小投影露光装置を照射装置として用い、レジ
スト膜に波長５６５ｎｍのＵＶ光を露光した。照射量は
３０ ｍｊ ／ ｃｄであった。
スト膜に波長５６５ｎｍのＵＶ光を露光した。照射量は
３０ ｍｊ ／ ｃｄであった。
露光された上記ホトレジスト膜をＮ−メチル−２−ピロ
リドン４容、水１から成る混液で５分間現俊、エタノー
ルでリンスしたところ上辺および下辺の長さがそれぞれ
４μｍおよび２μｍの逆台形状の断面であるストライブ
状のホトレジストパターンが得られた。
リドン４容、水１から成る混液で５分間現俊、エタノー
ルでリンスしたところ上辺および下辺の長さがそれぞれ
４μｍおよび２μｍの逆台形状の断面であるストライブ
状のホトレジストパターンが得られた。
厚さ０５μｍのアルミニウム膜を真空蒸着法によって図
のＣに示したように被着した後、Ｎ−メチル−２−ピロ
リドンに６０℃、２０分間浸漬して、上記ホトレジスト
パターンをその上に被着されであるアルミニウム膜とと
もに除去すると、シリコン白エバ上に線幅１．５μｍの
ストライプ状のアルミニウムパターンがａ度良く形成さ
れた。
のＣに示したように被着した後、Ｎ−メチル−２−ピロ
リドンに６０℃、２０分間浸漬して、上記ホトレジスト
パターンをその上に被着されであるアルミニウム膜とと
もに除去すると、シリコン白エバ上に線幅１．５μｍの
ストライプ状のアルミニウムパターンがａ度良く形成さ
れた。
実施例 ２
繰り返し単位が式（Ｖ）で表わされるポリアミド酸ノ１
ｓ ｈ、量％ Ｎ−メチル−２−ピロリドン溶液２０ｐ
に対し、２．６−（４’−アジドシンナミリデン）−４
−ヒドロキシシクロへキサノン０．８４． ５−（Ｎ
、 Ｎ−ジメチルアミノ）プロピルメタクリレ−ｈ２．
５１Ｐ、グリセリン０６ｇを溶解し、次いで１μｍ孔の
フィルタを用いて加圧濾過してホトレジスト溶液を調製
した。
ｓ ｈ、量％ Ｎ−メチル−２−ピロリドン溶液２０ｐ
に対し、２．６−（４’−アジドシンナミリデン）−４
−ヒドロキシシクロへキサノン０．８４． ５−（Ｎ
、 Ｎ−ジメチルアミノ）プロピルメタクリレ−ｈ２．
５１Ｐ、グリセリン０６ｇを溶解し、次いで１μｍ孔の
フィルタを用いて加圧濾過してホトレジスト溶液を調製
した。
この溶液をシリコンウェハ上へ回転塗布、７゜リベーク
して厘さ１１μｍのホトレジスト膜を形成した。
して厘さ１１μｍのホトレジスト膜を形成した。
１／１Ｏ縮小投影露光装置を照射装置として用い、ホト
レジスト膜に波長４３６ｎｍのＵＶ光を露光した。照射
量は５０ｍｊ／ｅｉであった。
レジスト膜に波長４３６ｎｍのＵＶ光を露光した。照射
量は５０ｍｊ／ｅｉであった。
露光された上記ホトレジスト膜をＮ−メチル−２−ピロ
リドン４容、水１各から成る混液で５分間現像し、エタ
ノールでリンスしたところ上辺および下辺の長さがそれ
ぞれ４μｍおよび２．０μｍの逆台形状の断面を持つス
トライプ状のホトレジストパターンが得られた。
リドン４容、水１各から成る混液で５分間現像し、エタ
ノールでリンスしたところ上辺および下辺の長さがそれ
ぞれ４μｍおよび２．０μｍの逆台形状の断面を持つス
トライプ状のホトレジストパターンが得られた。
厚さ０８６μｍの銅膜を真空蒸着によって第１図の（ｃ
）に示したように被着した後、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセト
アミトニ６０℃、２０分間浸漬して上記ホトレジストパ
ターンをその上に被着されている銅膜と七もに除去する
とシリコンウェハ上に線幅１５μｍのストライブ状の鍋
パターンが精度良く形成された。
）に示したように被着した後、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセト
アミトニ６０℃、２０分間浸漬して上記ホトレジストパ
ターンをその上に被着されている銅膜と七もに除去する
とシリコンウェハ上に線幅１５μｍのストライブ状の鍋
パターンが精度良く形成された。
実施例 ６
繰り返し単位が式（ＶＩ〕で表わされるポリアミド酸の
＋ ５＠ 量％ジメチルアセトアミド溶液２Ｏｆに対し
、２．６−Ｃバラアジドベンサル）−４−ヒドロキシシ
クロへキサノン０．５ｆを溶解し、にａｌ ”” ｔ；
−ＬニーＬＪ−１，ｆｉｇ −１Ｊ次いで１μｍ孔のフ
ィルタを用いて加圧沖過してホトレジスト溶液を調製し
た。
＋ ５＠ 量％ジメチルアセトアミド溶液２Ｏｆに対し
、２．６−Ｃバラアジドベンサル）−４−ヒドロキシシ
クロへキサノン０．５ｆを溶解し、にａｌ ”” ｔ；
−ＬニーＬＪ−１，ｆｉｇ −１Ｊ次いで１μｍ孔のフ
ィルタを用いて加圧沖過してホトレジスト溶液を調製し
た。
この溶液全シリコンウェハ上へ回転塗布、プリベークし
て厚さ１．０μｍのホトレジスト膜を形成した。１ Ｋ
Ｗ高圧水銀灯を照射源とし、ホトマスクを用いた密着露
光方式でホトレジスト膜にｕｖｇ光した。照射量は５６
５ｎｍの波長における測定値で５０ｍｊ層であった。
て厚さ１．０μｍのホトレジスト膜を形成した。１ Ｋ
Ｗ高圧水銀灯を照射源とし、ホトマスクを用いた密着露
光方式でホトレジスト膜にｕｖｇ光した。照射量は５６
５ｎｍの波長における測定値で５０ｍｊ層であった。
露光された上記ホトレジスト膜をＮ−メチル−２−ピロ
リドン４容、水１容から成る混液で５分間現倫し、エタ
ノールでリンスしたところ、上辺および下辺の長さがそ
れぞれ４μｍおよび２０μｍの逆台形状の断面を持つス
トライブ状のホトレジストパターンが得られた。
リドン４容、水１容から成る混液で５分間現倫し、エタ
ノールでリンスしたところ、上辺および下辺の長さがそ
れぞれ４μｍおよび２０μｍの逆台形状の断面を持つス
トライブ状のホトレジストパターンが得られた。
岸さ０４μｍのクロム膜を真空蒸着によって、図のＣに
示したように被着した俵、ヒドラジンヒトラード７容、
エチレンジアミン６容から成る混液に２分間浸漬して上
記ホトレジストパターンをその上に被着されているクロ
ム膜とともに除去するとシリコンウェハ上に１．５μｍ
のストライプ状のクロムパターンが精度良く形成された
。
示したように被着した俵、ヒドラジンヒトラード７容、
エチレンジアミン６容から成る混液に２分間浸漬して上
記ホトレジストパターンをその上に被着されているクロ
ム膜とともに除去するとシリコンウェハ上に１．５μｍ
のストライプ状のクロムパターンが精度良く形成された
。
実施例 ４
繰り返し単位が式〔■〕で表わされるポリアミド酸エス
テルの１５１１％ジメチルアセトアミド溶液２０ｇに対
し、０３ｔのミヒラケトンを溶解し、次いで１μｍ孔の
フィルタを用いて加圧濾過この溶液をシリコンウェハ上
へ回転塗布、プリベークして厚さ１０μｍのホトレジス
ト膜を形成した。
テルの１５１１％ジメチルアセトアミド溶液２０ｇに対
し、０３ｔのミヒラケトンを溶解し、次いで１μｍ孔の
フィルタを用いて加圧濾過この溶液をシリコンウェハ上
へ回転塗布、プリベークして厚さ１０μｍのホトレジス
ト膜を形成した。
ＩＫＷ高圧水銀灯を照射源とし、石英製ホトマスクを用
いた＠着照射方式でホトレジストｙにＵＶ［ｔした。照
射蓋は５６５ｎｍの波長における測定値でｓｏｏｍｊ／
ｉであった。
いた＠着照射方式でホトレジストｙにＵＶ［ｔした。照
射蓋は５６５ｎｍの波長における測定値でｓｏｏｍｊ／
ｉであった。
露光された上記ホトレジスト膜をＮ−メチル−２−ピロ
リドン４容、水１容から成る混液で５分間現倫し、エタ
ノールでリンスしたところ上辺および下辺の長さがそれ
ぞれ４μｍおよび６０μｍの逆台形状の断面を持つスト
ライプ状のホトレジストパターンが得られた。
リドン４容、水１容から成る混液で５分間現倫し、エタ
ノールでリンスしたところ上辺および下辺の長さがそれ
ぞれ４μｍおよび６０μｍの逆台形状の断面を持つスト
ライプ状のホトレジストパターンが得られた。
厚さ０３μｍのアルミニウム膜を真空蒸着法によって第
１図の（ｃ）に示したように被着した後、ヒトうジンヒ
トラード７容、エチレンジアミン３容から成る混液に浸
漬して上記ホトレジストパターンをその上に被着されて
いるアルミニウム族とともに除去するとシリコンウェハ
上に１．５μｍのストライブ状のアルミニウムパターン
カ形成された。
１図の（ｃ）に示したように被着した後、ヒトうジンヒ
トラード７容、エチレンジアミン３容から成る混液に浸
漬して上記ホトレジストパターンをその上に被着されて
いるアルミニウム族とともに除去するとシリコンウェハ
上に１．５μｍのストライブ状のアルミニウムパターン
カ形成された。
以上、詳述したように本発明によれは、位置合せ精度お
よび解倫性に優れた縮小投影露光法を用いることのでき
るリフトオフ微細パターン形成法を提供することができ
、配線など各種微細パターンを高鞘度で形成することが
できる。
よび解倫性に優れた縮小投影露光法を用いることのでき
るリフトオフ微細パターン形成法を提供することができ
、配線など各種微細パターンを高鞘度で形成することが
できる。
明細書の浄書（内容に変更なし）
第１図は本発明によるリフトオフ微細パターン形成法の
工程図を示し、ａ〜Ｃの順に加工される。 １・・・基板 ２・・・ホトレジスト ３・・・微細パ
タ棟 ｌ 肥 手続補正書（方式） 事件の表示 昭和 ５８年特許願第 ２４２０３８ 号発明の名称 微細パターン形成法 補正をする者 ｉ沖ｌトσ矯” 特許用１ａ 人 名 Ｉダ１１ ’５１０１株式会＋１（」 立 ラソ
イ乍 所代 理 人 補正の対象 明細書の図面の簡単な説明の欄補正の内容
明細書のｊｐ２０頁の浄１’（内容に変更なしン
工程図を示し、ａ〜Ｃの順に加工される。 １・・・基板 ２・・・ホトレジスト ３・・・微細パ
タ棟 ｌ 肥 手続補正書（方式） 事件の表示 昭和 ５８年特許願第 ２４２０３８ 号発明の名称 微細パターン形成法 補正をする者 ｉ沖ｌトσ矯” 特許用１ａ 人 名 Ｉダ１１ ’５１０１株式会＋１（」 立 ラソ
イ乍 所代 理 人 補正の対象 明細書の図面の簡単な説明の欄補正の内容
明細書のｊｐ２０頁の浄１’（内容に変更なしン
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板表面上にホトレジストの被膜を形成する工程と
該被膜の所望部に紫外線を照射して被照射部の溶解度を
低下させ、現倫によって非照射部分を溶解除去して、断
面形状が逆台形状である該＠膜のバ々−ンを形成する工
程と、微細バ〃−ンを形成すべき胴料の膜を被着する工
程と、該ホトレジスト被膜をその上に被着された上記微
細バ々−ンを形成すべき材料の膜とともｔど除去する工
程上からなるリフトオフ微細パターン形成法において、
該ホトレジストとしてポリマ鎖に芳香族環を含む感光性
ポリアミド酸、又は感光性ポリアミド酸エステル又はｇ
光性ポリアミド酸組成物を用いることを％命とする微細
パターン形成法。 ２、 ホトレジストとして、一般式（１）で表わされる
ビスアジド化合物を光架橋剤成分とする感光性 欠 （但し、〔Ｉ〕式中Ｘは水素、低級アルキル基、水酸基
、アルコキシ基、ヒドロキシアルキル基、カルボキシル
基、アミン基を表わし、ｍは０またけ１である。） ポリアミド酸組成物を用いることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の微細パターン形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58242038A JPS60134236A (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | 微細パタ−ン形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58242038A JPS60134236A (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | 微細パタ−ン形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60134236A true JPS60134236A (ja) | 1985-07-17 |
| JPH0411023B2 JPH0411023B2 (ja) | 1992-02-27 |
Family
ID=17083346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58242038A Granted JPS60134236A (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | 微細パタ−ン形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60134236A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61156044A (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-15 | Nec Corp | レジストステンシルマスクの製造方法 |
| JPS62238617A (ja) * | 1986-04-09 | 1987-10-19 | Oki Electric Ind Co Ltd | 単結晶薄膜の形成方法 |
| JPS62299846A (ja) * | 1986-06-19 | 1987-12-26 | Ube Ind Ltd | 感光性ポリイミドのパタ−ン形成方法 |
| JPS6461746A (en) * | 1987-09-02 | 1989-03-08 | Hitachi Ltd | Heat-resisting photosensitive polymer composition |
| JPH04133062A (ja) * | 1990-09-25 | 1992-05-07 | Toray Ind Inc | 感光性ポリイミド用現像液 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54145794A (en) * | 1978-04-14 | 1979-11-14 | Toray Ind Inc | Heat-resistant photosensitive material |
| JPS5730829A (en) * | 1980-08-01 | 1982-02-19 | Hitachi Ltd | Micropattern formation method |
-
1983
- 1983-12-23 JP JP58242038A patent/JPS60134236A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54145794A (en) * | 1978-04-14 | 1979-11-14 | Toray Ind Inc | Heat-resistant photosensitive material |
| JPS5730829A (en) * | 1980-08-01 | 1982-02-19 | Hitachi Ltd | Micropattern formation method |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61156044A (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-15 | Nec Corp | レジストステンシルマスクの製造方法 |
| JPS62238617A (ja) * | 1986-04-09 | 1987-10-19 | Oki Electric Ind Co Ltd | 単結晶薄膜の形成方法 |
| JPS62299846A (ja) * | 1986-06-19 | 1987-12-26 | Ube Ind Ltd | 感光性ポリイミドのパタ−ン形成方法 |
| JPS6461746A (en) * | 1987-09-02 | 1989-03-08 | Hitachi Ltd | Heat-resisting photosensitive polymer composition |
| JPH04133062A (ja) * | 1990-09-25 | 1992-05-07 | Toray Ind Inc | 感光性ポリイミド用現像液 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0411023B2 (ja) | 1992-02-27 |
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