JPH02275956A - フォトレジスト組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、例えば半導体デバイスの製造において用い
られるネガ型のフォトレジスト組成物に関する。

（従来の技術） フォトレジスト組成物（以下、単にレジストと称する場
合もある）は、種々の半導体デバイス等の製造における
フォトリソグラフィー工程で用いられる基本的な材料で
ある。

従来、このようなレジストとしで、例えばインブレンゴ
ムをベース樹脂とし、ビスアジド化合物を感光剤とした
環化ゴム系のものか用いられていた。しかしながら、半
導体デバイス等の高集積化に伴ない、３　（ｕｍ）以下
の微細加工か可能なドライエツチング技術の出現に至っ
ては、微細なレジストパターンの形成が可能であり、し
かもトライエツチング時に発生する反応性ガスプラズマ
に耐性を有するレジストか不可欠となっ、：。

このような微細化と耐トライエツチング性とを満足し得
るレジストとして、例えば［○ＦＰ日８００Ｊ　　（集
束応化（株）製の商品名）に代表されるノボラック系の
ポジ型レジストが知られている。このポジ型レジストは
、アルカリ現像液に可溶なりレゾール−ホルムアルデヒ
ド樹脂（構造式■参照）をベース樹脂とし、これに、ポ
リヒドロキシヘンシフエノンの２−ジアゾナフトキノン
スルホン酸エステル類（構造式■または構造式〇参照）
を感光剤として含むものである。

（但し、構造式〇中、 ｒは正の整数を示ず） ０＝Ｓ＝Ｏ （但し、上記の構造式■及び■中のｒ−［）ＮＱＪは、
下記の構造式■または構造式■のいずれかを表わす） このノボラック系ポジ型レジストのレジストパターン形
成機構は次のように説明できる。

ます、光照射前のポジ型レジストでは、アルカリ現像液
に溶けにくい感光剤（構造式■または■）と、当該溶液
に可溶なベース樹脂（構造式■）とは反応しない。

このようなポジ型レジストの露光に際しては、一般に、
水銀ランプの９線（波長４３６（ｎｍ））やｉ線（波長
３６５　（ｎｍ））を用いた縮小投影型露光装百を用い
る。このような露光により光が照射されると、前述の感
光剤が極性のカルボン酸基を有するインデンカルボン酸
誘導体に変化する。このインデンカルボン酸誘導体はア
ルカリ現像液に可溶であるため、光照射（露光）された
部分のノボラック樹脂の溶解を促進し、ポジ型レジスト
パターンを形成することが可能となる。すなわち、この
系のフォトレジスト組成物では、極性を有するヘ−ス樹
脂に対して、露光により極性か生する感光剤を作用させ
ることによりパターン形成か成される。

上述のポジ型レジストか用いられる主な理由として、 （１）アルカリ現像液を用いるため、レジストパターン
の膨潤か実質的に解消され、かつ］〜２（ｕｍ）程度の
解像度を有する （１１）構造式■〜■に示すようにヘンセン骨格等の芳
香環を多く含むため、反応性ガスプラズマのような外部
からのイオンエネルキーに対して環の共鳴による安定化
効果が大きく、前述の環化ゴム系しジス１〜に比べて耐
ドライエツチング特性に優れている （ｉｉｉ）構造式■または■に示す感光剤が露光波長で
の感度に優れている か挙げられる。

しかしなから、近年、半導体デバイスの高集積化に対す
る要求は更に厳しいものとなり、レジストパターンの精
細さもサブミクロンレベルの寸法精度を要求されるのか
現状である。周知のように、縮小投影光学系においては
対物レンズの開口数か同しである場合、レジストパター
ンの解像度は露光波長に依存し、当該波長か短くなるほ
ど高解像度か得られる。これかため、フォトリソグラフ
ィー技術に用いる光源の短波長化が検討されている。

現在、露光波長として２００〜３００　（ｎｍ）の遠紫
外領域か利用され、短波長光源としでは、既に広く用い
られているキセノン−水銀（ＸｅＨ９）ランプや、クリ
プトン−フッ素（Ｋ　ｒ　Ｆ）のような混合ガスを励起
して得られるエキシマレーザのように実用域に達したも
のが知られている。

股に、前述した９線や１線で露光するために用いられる
ノボラック系のポジ型レジストは、遠紫外領域における
芳香環部分（例えば構造式■〜■及び構造式■、■参照
）に由来する吸収が大きく、かつ当該領域の光照射を受
けでもこれら芳香環部分か分解されにくいため、レジス
ト層の上層部（光源に近い部分）では、当該レジスト層
の下層部に比べて露光量か大きく成る。このため、ポジ
型レジストの場合には形成されたレジストパターンの断
面か台形形状となる。一方、波長領域２００〜３００　
（ｎｍ）でのｌヌが大きい従来の船釣ネガ型レジストの
場合にはパターン断面か逆台形形状を呈し、良好なレジ
ストパターンを形成することが難しい。

良好なレジストパターンを得るための技術として、例え
ば文献Ｉ　：　ｒＳＰＩＥ　Ｖｏｌ、６３１　Ａｄｖａ
ｎｃｅｓｉｎ　Ｒｅ５ｉｓｔ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｑｙ　
ａｎｄ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｑ　　ＩＩＩ　（ニス　ピ
ー　アイ　イー　Ｖｏｌ、６３１アトバンスイズイン　
レジスト　テクノロジー　アンド　ブ　ロセッシングＩ
ＩＩ）　　（第６８〜７４頁、１９８６年）」に開示さ
れる技術か知られている。

この技術に開示されるポジ型レジストは、ベース樹脂と
して、構造式■ （但し、Ｓは正の整数を示す） て表わされスチレン−マレイン酸イミドの第３ブトキシ
カルボニル誘導体を用い、かつ感光剤として構造式■ （但し、同式中、ｒ−ＤＮＱＪは前記構造式■または前
記構造式■を表わす） で表わされる２−ジアゾナフトキノン系の化合物が、或
いは構造式〇 て表わされるジフェニルヨードニウムトリフロロメタン
スルホン酸のうちのいずれかか用いられる。

この文献に開示されるレジストのレジストパターン形成
機構は次のように説明できる。

ます、構造式■に示すベース樹脂はアルカリ性現像液に
溶けにくい。このようなレジストに遠紫外線を照射する
ことによって、構造式■または■で示される感光剤か酸
性物質に変化する。当該物質が構造式■で表わされるベ
ース樹脂に触媒として作用することによって、このベー
ス樹脂の第３ブトキシカルボニル基かｐＡ離しでイミド
化合物を生成する。このイミド化合物（よアルカリ性現
像液に可溶なため、当該現像液を用いることにより、１
　（ｕｎ）程度の高解像度でポジ型レジストパターンか
得られる。

この文献に開示されるレジストは、遠紫外線照射によっ
て進む上述の反応が触媒的に進むため、高感度である。

また、ベース樹脂である構造式■に示す化合物は、マレ
イン酸イミド単位を導入し１とことによって、前述した
構造式■に示す化合物に比へて、遠紫外領域での吸収が
低減される。

従って、レジストパターンを矩形に近い断面形状で形成
することか可能である。

矩形に近い、遠紫外線用のフォトレジスト組成物を提供
することに有る。

（発明か解決しようとする課題） しかしなから、上述の構造式■で示す化合物をベース樹
脂とし、かつ構造式■または■で示す化合物を感光剤と
して含む従来のフォトレジスト組成物では、ベース樹脂
にマレイン酸イミド単位を導入したことにより、芳香環
の含有率か低下し、ノボラック系のレジストに比へて、
前述した反応性ガスプラズマに対する耐エツチング特性
か低下するという問題点かあった。

また、上述した従来のネガ型レジストを用いてレジスト
パターンを形成し、このレジストバタンをマスクとして
下地の基板等の加工を行なった場合には、マスク寸法通
りにパターンを転写できないため、微細加工が困難であ
る。

この発明の目的は、上述し１こ従来の問題点に鑑み、反
応性ガスプラズマに対する耐エツチング特性に優れ、か
つ、レジストパターンの断面形状か（課題を解決するた
めの手段） この目的の達成を図るため、この発明のフォトレジスト
組成物によれば、ベース樹脂と遠紫外線に感受性を有す
る感光剤と、溶剤とを含むフォトレジスト組成物におい
て、 上述したベース樹脂が下記の構造式（Ｉ）（但し、ｋは
正の整数を示す） で表わされるポリヒドロキシスチレンから成り、かつ前
述の感光剤がポリハロゲン化合物から成ることを特徴と
しでいる。

ます、この発明の実施に当り、構造式（Ｉ）で表わされ
るベース樹脂の重量平均分子量は、、０００以上１００
，０００以下（７）範囲内とするのか好適であり、最適
範囲は５，０００〜５０．０００の範囲である。このポ
リヒドロキシスチレンは、文献ＩＩ　：　ｒＰｏｌｙｍ
ｅｒ（ポリ７−）（第２４巻、第９９５頁、１９８３年
、バターワース　アンドコーポレーション　リミテッド
（Ｂｕｔｔｅｒｗｏｒｔｈ　＆Ｇｏ、Ｌｔｄ、　）　）
　Ｊに開示されるように、カチオン重合、アニオン重合
またはラジカル重合によって、ビニルフェノール誘導体
から容易に合成することか可能であり、分子量か最大１
００，０００程度のものまで入手することができる。文
献ＩＩによれば、このポリヒドロキシスチレンは、ガラ
ス転位点１７０℃、吸収係数０．２５Ｂｍ−’で、アル
カリ可溶性である。また、この発明のフォトレジスト組
成物は後段で詳述するようにネガ化する。すなわち、感
光剤に遠紫外線を照射して発生したハロゲンラジカルを
ベース樹脂として用いるポリヒドロキシスチレンに対し
作用させるとネガ化する。このため、ポリヒドロキシス
チレンの重量平均分子量が小さい場合には、ベース樹脂
と感光剤との化学量論的関係を満たすために、感光剤を
大量に含有せしめる必要か有る。レジストの感度を高め
るためには、上述したベース樹脂の重量平均分子量は、
０００以上とするのが好適である。

次に、この発明に係るフォトレジスト組成物に含有せし
める感光剤としてのポリハロゲン化合物は、遠紫外線、
Ｘ線および電子線から選ばれた一種以上の放射線に感受
性を有するのか良い。特（こ、波長か２００〜３００（
ｎｍ）の遠紫外線照射によりハロゲンラジカルを発生す
るものか好適である。

このような性質ヲ有するポリハロゲン化合物として種々
のものか挙げられるが、主としで、（ａ）一般式（ＩＩ
　）で表わされるジグロロアルカン及びトリクロロアル
カン Ｒ’　　−Ｃ１ｌ：＋−，ｃｕ、　　　・・・・　（Ｉ
Ｉ　）（但し、Ｒ１はアルキル基を表わし、ρは２また
は３を示す） （ｂ）一般式（Ｉｒｌ）で表わされるポリブロモアルカ
ンまたはポリヨードアルカン Ｃ，、、Ｈ，，２−、Ｘ’、　　　　・−−−（Ｉｌｒ
　）（但し、×１は臭素またはヨウ素を表わし、ｍおよ
びｎは、１≦ｎ≦２ｍ＋２を満たす整数を示す） （ｃ）次の一般式（ＴＶ） ＣＨ３−Ｊ２ｐ　　−ｃ　　−ｖ　　−・・・（ＴＶ）
（但（〕、×２は塩素、臭素またはヨウ素を表わし、ｐ
は１≦ｐ≦３の整数を示す）で表わされるα−へロエス
テル化合物（但し、Ｙはアルコキシル基（−〇Ｒ１）を
表わす）、α−ハロカルボン酸化合物（但し、Ｙ　ｌ、
を水酸基（−〇Ｈ）を表わす）、α−ハロケトン化合物
（但し、Ｙはアルキル基またはアリール基（−日２）を
表わす）、α−ハロアルデヒド化合物（但し、Ｙは水素
を表わす）、α−八へアミｉ〜化合物（但し、Ｙはアミ
ノ基（−Ｎ＋−１２）を表わす）、Ｎ−アルキルハロア
ミド化合物（但し、Ｙは第一アミン残基（−ＮＨＲ’　
）を表わす）またはＮ、Ｎ−ジアルキルハロアミド化合
物（但し、Ｙは第二アミン残基（Ｎ２Ｒ１）を表わす） （ｄ）−形式（Ｖ）で表わされる一連の化合物Ａｒ−（
−ＣＨ３−ｐＸ２ｐ）、＋　　　　−・−・（Ｖ　）（
但し、ｐは１≦ｐ≦３の整数、ｑは１以上の整数を各々
示し、×２は塩素、臭素またはヨウ素を表し、かつＡｒ
は、フェニル基、ナフチル基、ペンセンスルホニル基、
アミノピリジン残基、Ｓトリアジン残基、フラン残基ま
たはチオフェン残基を表わす） か好適である。

上述の一般式（ＩＩ　）〜（Ｖ）で表わされるポリハロ
ゲン化合物は、夫々の一般式で表わされる化合物のα位
の炭素に結合する２つ以上の水素をハロゲン原子で置換
した構造を有する。

尚、上述した一般式（ＩＩ　）のアルキル基Ｒを、好ま
しくは、メチル、エチル、ｎ−プロピル等の一級アルキ
ルと、イソプロピル、２−ブチル、２−ヘンチル等の二
級アルキルと、２−メチル−２−プロピル、２−エチル
−２−プロピル等の三級アルキルとするのが良い。

ざらに、−形式（ＩＶ）で表わされるα−ハロエステル
化合物のアルコキシル基Ｙを、好ましくは、メトキシ、
エトキシ、イソプロキシ、第３ブトキシまたはフェノキ
シとするのが良い。

さらに、−形式（ＩＶ）で表わされるα−ハロケトン化
合物のアルキル基Ｙを、好ましくは、メチル、エチル、
イソプロピル、第３ブチルとするのが良く、また、この
化合物のアリール基Ｙを、好ましくは、フェニル、ナフ
チル、ビフェニル、４−ピリジル、ｐ−クロロノエニル
、ｐ−ブロモフェニルとするのが良い。

さらに、−形式（ＩＶ）で表わされるＮ−アルキルハロ
アミド化合物の第一アミン残基Ｙｕ、好ましくは、メチ
ルアミン、エチルアミノまたはアリノとするのか良く、
また、Ｎ、Ｎ−ジアルキルハロアミド化合物の第二アミ
ン残基Ｙｕ、好ましくは、ジメチルアミノ、ジエチルア
ミノまたはＮ−メチルアニリノとするのか良い。

周知のように、多くのフ・ン化アルキル化合物と単純な
モノクロロアルキル化合物とを除く、大部分のハロゲン
化合物は遠紫外線によってハロゲンラジカルを発生し得
る。ここで、炭素数が１のハロゲン化アルキルを例示し
て、分光学的なデータを挙げればＣＨ３Ｃρ、ＣＨ３Ｂ
　ｒ　、　ＣＨ３工の順に、その光吸収極大（λｍａｘ
　）は、１７３（ｎｍ）　、２０４　（ｎｍ）　、２５
８　（ｎｍ）と、原子量の大きなハロゲン原子はど長波
長側にシフトする。また、これと同様に、ＣＨ３Ｉ、Ｃ
Ｈ２■２、ＣＨ■３の順に、λ、、、、、、ｘは、２５
８（ｎｍ）、２９２　（ｎｍ）　、３４９　（ｎｍ）と
なり、同一の炭素に結合する水素をハロゲン原子で置換
する場合には、当該ハロゲン原子の数が多いほど長波長
側にシフトする。従って、同一の化合物をハロゲン原子
で置換していった場合には、置換するハロゲン原子が多
いもの、或いは、原子量の大きなハロゲン原子で置換し
たものほどハロゲンラジカルの発生効率が高いと考えら
れる。さらに、炭素とハロゲンとの結合は、この炭素の
隣接位にカルボニル基や芳香族置換基かある場合、活性
化されてハロゲンラジカルを発生し易い。

このように、この発明で利用し得るポリハロゲン化合物
は多種類に亙り、容易に入手可能である。これらの化合
物の中から、例えばレジスト膜としで乾燥する際のへ−
ク温度で、固体であるものや或いは自発分解性の低いも
の等、フォトレジスト組成物として用いるに好適な性質
を具える化合物を、設計に応して選択すれば良い。

次に、この発明の実施に当っては、下記の数式て表わさ
れるベース樹脂と感光剤の全ｍｏｌ数量に対する感光剤
の含有量が、好ましくは、］（ｍｏｌ％）以上５０（ｍ
ｏｌ％）以下の範囲内こあれば良く、最適範囲は２〜２
０ｍｏ１％とする。但し、この明細書では、ベース樹脂
のモル数とはモノマーユニット換算で定義しポリヒドロ
キシスチレンの重量をヒドロキシスチレンの分子量１２
０で割った値である。この含有量の下限である１（ｍｏ
ｌ％）は実質的なフォトレジスト組成物の感度を維持す
るのに必要な量であり、当該量の上限である５０（ｍｏ
ｌ％）はレジストと被エツチング物との密着性を維持す
るの（こ必要な量である。

ざらに、この発明の実施に当り、フォトレジスト組成物
に含有せしめる溶剤を、酢酸エステル、エーテル、ラク
トンまたはアミドのうちから選ばれ、：１種類以上のも
のとするのか好適である。

ここで、この酢酸エステルを、好ましくは、酢酸２−メ
トキシエチルまたは酢酸２−エトキシエチルとするのか
良い。

ざらに、このエーテルを、好ましくは、ジオキサンまた
はテトラヒドロフランとするのか良い。

ざらに、好ましくは、ラクトンをγ−ブチロラクトンと
するのか良い。

さらに、アミドを、好ましくは、Ｎ、Ｎ−ジメチルホル
ムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセタミドとするのか良い
。

（作用） この発明のフォトレジスト組成物によれば、少なくとも
、前述の構造式（Ｉ）で表わされるポリヒドロキシスチ
レンと前述の一般式（ＩＩ　）〜（Ｖ）で表わされる一
連のポリハロゲン化合物とを含む構成となっている。こ
のようなレジストを用いてレジストパターンを形成する
際の機構は次のようなものであると考えられる。

まず、感光剤となるポリハロゲン化合物（Ｒ×として包
括的に示す）は遠紫外線の照射によってハロゲンラジカ
ル（Ｘ’　として示す）を発生する。

Ｒ−Ｘ　　　−Ｒ’″＋Ｘ０ このハロゲンラジカルは、ポリヒドロキシスチレンのヘ
ンシル位から水素を引き抜き、ポリマラジカルを生成す
る。続いて、上述したポリマラジカル同士が架橋して高
分子化し、現像液（有機溶剤やアルカリ水溶液）に溶け
にくくなり、ネガ型のレジストパターンか得られる。

（但し、式中ではヒドロキシスチレン単位と１個のハロ
ゲンラジカルにのみ注目して示す）このようなハロゲン
ラジカルでレジストパター形成か達成されるため、パタ
ーン形成に必要な感光剤の含有量を少なくすることかで
き、フォトレジスト組成物全体としての芳香環の含有量
か低減することかない。従って、耐重・ンチング特牲力
λ向上すると考えられる。

（実施例） 以下、この発明の実施例につき詳細に説明する。尚、以
下の実施例では、この発明の理解を容易とするため、特
定の条件を例示して説明するが、この発明は、これら実
施例にのみ限定されるものではないことを理解されたい
。また、以下の実施例で用いた薬品類のうち、出処を省
略する場合も有るが、いずれも化学的に充分に純粋であ
り、容易に入手し得るものを用いた。

〈レジストパターン形成の感度と解像度〉始めに、この
発明に係るフォトレジスト組成物のうちのいくつかを例
示して、感光剤として用い楚ポリハロゲン化合物を種々
に変え、実際にレジストパターン形成を行なった際の感
度と解像度との測定結果につき説明する。

［実施例１〜１２］ ます、この測定で用いたレジスト１〜レジスト１２の調
製につき、ヘ−ス樹脂と感光剤との組成と、含有量とを
中心に説明する。

尚、これら実施例での測定に当っては、測定結果の比較
を容易とするため、ベース樹脂であるポリヒドロキシス
チレンの重量平均分子量が１８．８００のものに統一し
、がっ、このベース樹脂と種々の感光剤との組み合わせ
て種々のレジストを調製した。これらレジストの調整は
全て室温で行なった。

レジスト１ 重量平均分子量か１８，８００のポリヒドロキシスチレ
ン９０　（ｍｍｏｌ）（１１（９）に相当）と、前述の
一般式（ＴＶ）に分類されるトリクロロアセタミド（Ｃ
ｊＬ　ＣＣＯＮＨ２）１０　（ｍｍｏｌ）（１，６２（
９）に相当）とを混合し、溶剤である酢酸２−メトキシ
エチル５０（ｍβ）に溶解する。然る後、０．２　（ｕ
ｍ）の孔径た有するメンブランフィルタ−を用いて、上
述した溶液を濾過することによりレジスト１を得た。上
述の説明からも理解できるように、このレジスト］にお
いで、ポリヒドロキシスチレンに対するトリクロロアセ
タミドの含有量は１０（ｍ０１％）である。

し多じしド２ このレジスト２ては、上述のポリヒドロキシスチレン９
５　（ｍｍｏｌ）と、前述の一般式（Ｖ）に分類され、
下記の構造式〇 レジスト３ このレジスト３では、前述のポリヒドロキシスチレン９
０（ｍｍｏｌ）と、前述の一般式（Ｖ）に分類され、下
記の構造式〇 て表わされるトリス（トリクロロメチル）　−Ｓトリア
ジン５　（ｍｍｏｌ）（２，１６（９）Ｉこ相当）とを
混合し、酢酸２−メトキシエチル５０（ｍｆ２）を溶剤
として溶解する。然る後、レジスト］と同様に、濾過し
てレジスト２を得た。このレジスト２における感光剤の
含有量は５（ｍｏｌ％）である。

て表わされる２、４−ジクロロへンゾトリクロリト１０
　（ｍｍｏｌ）（２，６５（９）に相当）とを混合し、
酢酸２−メトキシエチル５０（ｍβ）を溶剤として溶解
する。然る後、レジスト］と同様に、濾過してレジスト
３を得た。このレジスト３における感光剤の含有量は１
０（ｍｏｌ％）である。

レジスト４ このレジスト４では、前述のポリヒドロキシスチレン９
０（ｍｍｏｌ）と、前述の一般式（ＩＶ）に分類される
ジクロロアセタミド（Ｃρ２ＣＨＣＯＮＨ２）１０　（
ｍｍｏｌ）とを混合し、溶剤である酢酸２−メトキシエ
チル５０（ｍβ）に溶解し、前述と同様に濾過してレジ
スト４とした。このレジスト４にあける感光剤の含有量
は１０（ｍｏｌ％）である。

レジスト５ このレジスト５ては、前述のポリヒドロキシスチレン９
０（ｍｍｏ１）と、前述の一般式（Ｖ）に分類され、下
記の構造式〇 て表わされるトリブロモキナルジン１０（ｍｍｏ　１）
とを混合し、溶剤である酢酸２−メトキシエチル５０（
ｍｊ２）＠溶剤として溶解する。然る後、前述と同様に
濾過してレジスト５を得た。

このレジスト５における感光剤の含有量は１０（ｍｏｌ
％）である。

レジストに のレジスト６は、前述した２、４−ジクロロベンゾトリ
クロリト（構造式■）を用い、当該感光剤の含有量％５
（ｍｏｌ％）としたことを除いてはレジスト３と同様に
してレジストを調製した。

レジストア このレジストアは、前述したトリス（トリクロロメチル
）　−５−ｈリアジン（構造式■）を用い、当該感光剤
の含有量を１０（ｍｏｌ％）としたことを除いてはレジ
スト２と同様にしてレジストを調製した。

レジスト８ このレジスト８では、前述のポリヒドロキシスチレン９
０　（ｍｍｏｌ）と、前述の一般式（Ｖ）に分類され、
下記の構造式■ て表わされるトリブロモメチルフェニルスルホン１０（
ｍｍｏｌ）とを混合し、酢酸２−メトキシエチル５０（
ｍβ）を溶剤として溶解する。然る後、前述と同様に、
濾過してレジスト８を得た。

このレジスト８における感光剤の含有量は１０（ｍｏｌ
％）である。

フェニルスルホン（構造式■）を用い、当該感光剤の含
有量を５（ｍｏｌ％）とし１こことを除いてはレジスト
８と同様にしてレジストを調製した。

レジスト］０ このレジスト１０は、前述のポリヒドロキシスチレン９
０（ｍｍｏｌ）と、前述の一般式（１）で表わされる四
臭化炭素（Ｃａｒ、　）　１０　（ｍｍｏｌ）（ジメチ
ルアミノピリジン１０（ｍｎｏ　ｌ）の共存下）とを混
合し、酢酸２−メトキシエチル５０　（ｍｊ２）％溶剤
として溶解する。然る後、前述と同様に、濾過してレジ
スト１０を得た。このレジスト１０における感光剤の含
有量は１０（ｍｏｌ％）である。尚、このレジスト］Ｏ
に含有せしめるジメチルアミノピリジンは、周知のよう
に、四臭化炭素からのハロゲンラジカル発生を促進する
ものである。

レジスト９ このレジスト９は、上述したトリブロモメチルレジスト
１１ このレジスト１］は、前述のポリヒトロキシスチレン９
０　（ｍｍｏｌ）と、前述の一般式（ＩＶ）に分類され
、下記の構造式［相］ で表わされるｐ−プロモフエナシルブロミト１０（ｍｍ
ｏｌ）とを混合し、酢酸２−メトキシエチル５０（ｍρ
）を溶剤として溶解する。然る後、前述と同様に、濾過
してレジスト１１を得た。このレジスト１１における感
光剤の含有量は１゜（ｍ０１％）である。

レジスト１２ このレジスト１２は、前述したレジスト４の溶剤としで
、酢酸２−メトキシエチルの代わりに、酢酸２−メトキ
シエチル　酢酸イソアミルの重量比か１・９である溶剤
を用いてレジストを調製した。尚、このレジスト１２に
おける感光剤（ジクロロアセタミド）の含有量は１０（
ｍｏｌ％）である。

次に、第１図（Ａ）及び（Ｂ）を参照して、上述したレ
ジスト１〜レジスト１２を用い、レジストパターンを形
成した手順につき説明する。

第１図（Ａ）及びＣＢ）は、この実施例で感度と解像度
とを測定する際の手順を説明するため、概略的断面によ
り示す説明図であり、断面を示すハツチングは一部省略
する。

第１図（Ａ）に示すように、被エツチング物に相当する
基板１］としてシリコン基板を用い、当該基板１］の表
面に、熱硬化によって感光性を除いた反射防止層１３を
１　（ｕｍ）の膜厚て形成づ−る。

尚、ここで用いた反射防止層は、感度比較の１とめに便
宜上設けたもので、例えば、デバイスを作るときのフォ
トリソプロセスで用いられる反射防止層とは異なる。こ
こで、用いた上述の反射防止層は、レジストを通過した
光を完全に吸収するものであればどのような種類のもの
でも良い。

この実施例では、熱硬化させるのが簡便であるという理
由で、フォトレジストであるｒＭＰ２４００」　（シラ
プレー社製の商品名）を反射防止層１３として用いた。

続いて、上述の反射防止層１３の表面に、前述したレジ
スト１〜レジスト１２の溶液を、各々、回転塗布し、ホ
ットプレートを用いて１００（°Ｃ）の温度で１分間に
亙ってソフトヘー／７を行ない、膜厚１　（ｕｍ）のレ
ジスト層］５を形成し、被露光物１７とした。

上述の反射防止層１３は、遠紫外線によって露光を行な
った際、レジスト層１５を一度透過した光が反射して当
該層］５中に再入射するのを防止するためのものである
。

このようにして第１図（Ａ）に示す被露光物１７を得た
後、Ｘｅ−Ｈｑクランプキャノン社製のＰＬへ５０１ア
ライナにＣＭ２５０コールドミラーを装着したものであ
り、波長は２２０〜３００（ｎｍ）に相当）と石英マス
クとを用いて密着露光を行なう。

然る後、アルカリ性現像液ｒＭＦ３１２」（シラプレー
社製の商品名）を、純水によって４倍の体積にまで稀釈
し、２３Ｃ℃）の温度に保っで所定時間現像を行ない、
純水で３０秒間に亙ってリンスすることによって、第１
図（Ｂ）に示すような測定試料１９としてネガ型のレジ
ストパターンを得た。

続いて、このようにして得られた試料の断面形状を電子
顕微鏡によって観察し、第１図（Ｂ）中にｄ、の符号を
付して示すパターン上層部の寸法と、ｄ２の符号を付し
て示す最小パターン寸法とを測定し、（ｄ、−ｃＬ　）
／２で定義されるオバーハング量を算出した。

また、上述した一連のレジストパターン形成では、ｄ２
かほぼ０となる前のパターンの解像寸法を最小解像寸法
と称する。

以下、前述したレジスト１〜レジス］−１２の各々を用
いて得られた、現像後の残膜率か一定となるのに必要な
足低ドーズ量すなわち感度と、最小解像寸法及びオーバ
ーハング量の測定結果につき、実施例１〜実施例１２と
して別表１に示す。

この別表１からも理解できるように、実施例１、実施例
２、実施例４、実施例７または実施例］２に係る各々の
レジストでは、最小解像寸法か０．５　（ｕｍ）の場合
であってもオーバーハング量かＯ（ｕｍ）となり、レジ
ストパターンの断面形状は矩形であった。また、実施例
３、実施例６或いは実施例９〜実施例１１に係る各々の
レジストでは、最小解像寸法か０．５　（ｕｍ）となり
、最もオーバーハング量か大きなレジスト（実施例９）
であっても０．１　（ｕｎ）以下の高解像度でレジスト
パターンを形成することかできた。ざらに、実施例５ま
たは実施例８として示す夫々のレジストであっても、最
小解像寸法は、０（ｕｎ）となり、０．２　（ｕｎ）以
下のオーババング量を達成し得ることか理解できる。

また、ドーズ量の結果からは、感光剤としでトリス（ト
リクロロメチル）−ｓ−トリアジンを用いたもの（実施
例２及び実施例７）、２．４−ジクロロヘンシトリクロ
リドを用いたもの（実施例３及び実施例６）、トリブロ
モメチルフェニルスルホンを用いたもの（実施例８及び
実施例９）、四臭化炭素（ジメチルアミノピリジンの共
存下）を用いたもの（実施例１０）、或いはｐ−ブロモ
フェナシルプロミドを用いたもの（実施例１１）が比較
的優れた感度を示すのが理解できる。

［実施例１３〜］８］ 以下に説明する実施例では、ポリヒドロキシスチレンの
重量平均分子量を種々に変えてレジストを調製し、レジ
ストパターンを形成した場合の測定結果につき、別表２
を参照して説明する。

ます、これら実施例１３〜］８での測定で用いたレジス
ト１３〜レジスト１８につき説明する。

レジスト１３ このレジスト１３は、重量平均分子量か４８．８００で
あるポリヒドロキシスチレン９５（ｍｍｏ　１）＠用い
たことを除き、前述のレジスト２と同様に、トリス（ト
リクロロメチル）−Ｓトリアジン５　（ｍｍｏ１）を感
光剤として用いると共に、酢酸２−メトキシエチル５ｏ
（ｍｆ２）を溶剤として調製した。

レジスト１４ このレジスト１４は、重量平均分子量が５．０００であ
るポリヒドロキシスチレン９５（ｍｍｏｌ）ｕｍいたこ
とを除き、前述のレジスト２と同様に、トリス（トリク
ロロメチル）　−Ｓ−トリアジン５　（ｍｍｏ　１）＠
感光剤として用いると共に、酢酸２−メトキシエチル５
０（ｍβ）を溶剤として調製した。

レジスト１５ このレジスト１５は、重量平均分子量が、６００である
ポリヒドロキシスチレン９５（ｍｍｏｌ）を用いたこと
を除き、前述のレジスト２と同様に、トリス（トリクロ
ロメチル）ｓ−トリアジン５　（ｍｍｏｌ）を感光剤と
して用いると共に、酢酸２−メトキシエチル５０（ｍβ
）を溶剤として調製した。

レジスト１に のレジスト１６は、重量平均分子量が ４８．８００であるポリヒドロキシスチレン９０（ｍｍ
ｏｌ）％用いたことを除き、前述のレジスト３と同様に
、２，４−ジクロロヘンシトリクロリド１０（ｍｍｏｌ
）ｕ感光剤として用いると共に、酢酸２−メトキシエチ
ル５０（ｍρ）を溶剤としで調製した。

レジスト１７ このレジスト１７は、重量平均分子量が５．０００であ
るポリヒドロキシスチレン９０（ｍｍｏ　１）％用いた
ことを除き、前述のレジスト３と同様に、２，４−ジク
ロロヘンシトリクロリド１０　（ｍｍｏ　１）　％感光
剤として用いると共に、酢酸２−メトキシエチル５０（
ｍｆ２）を溶剤としで調製した。

レジスト１８ このレジスト１８は、重量平均分子量か、６００である
ポリヒドロキシスチレン９０（ｍｍｏ　１）＠用いたこ
とを除き、前述のレジスト３と同様に、２，４−ジクロ
ロヘンシトリクロリド１０　（ｍｍｏ　ｌ）　７Ｆｒ感
光剤として用いると共に、酢酸２−メトキシエチル５０
（ｍｆ２）を溶剤として調製した。

このようにして得られたレジスト１３〜レジスト１８の
夫々を用い、第１図（Ａ）及び（Ｂ）　Ｖ参照して既に
説明した実施例］〜実施例１２と同様な手順で、レジス
トパターン形成を行なった。

この別表２からも理解できるように、同一の感光剤を用
いた場合、ベース樹脂として用いるポリヒドロキシスチ
レンの重量平均分子量か小さくなるほど、大きなドーズ
量を必要とする傾向が見て取れる。これは、表１に掲げ
るように、ポリヒドロキシスチレンの吸光係数に影ｇを
受けると考えられる。

表１ ［実施例１９〜２６］ 次に、レジストパターン形成を行なう際の光源として、
Ｘｅ−Ｈｇランプの代わりに、ＫｒＦエキシマレーザを
用いた場合の実施例（ごつき説明する。

この実施例で用いたエキシマレーザは、第２図に示すよ
うな光学系のものを用いた。

この第２図に示すように、レーザ発振器２１（ラムダフ
ィシツク社製）から発生する遠紫外線（波長は約２５０
　（ｎｍ））を反射鏡２３によってレンズ系２５に導く
。このレンズ系２５を通過したレーザ光によって、被露
光物１７（第１図（Ａ）参照）とマスク２７とを密着さ
せて露光を行なった。尚、この実施例では４．１　（ｍ
Ｊ／ｃｍ２）のパルスで露光を行ない、被露光物１７の
構成は実施例１〜実施例１８と同一の膜厚条件、現像は
実施例１３〜実施例１８と同一の条件で行なった。

以下、別表３を参照しで、各実施例で用いたレジストと
、これによって得られた測定結果とにつき説明する。

ます、実施例１９〜実施例２２では、感光剤としでトリ
ス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジンを用い、ポリ
ヒドロキシスチレンの重量平均分子量のみか異なるレジ
ストを調製してレジストパターンを形成した。詳細に説
明すれば、実施例１９で用いたレジストは前述のレジス
ト１３に相当するもの、実施例２０て用い１こレジスト
は前述のレジスト２に相当するもの、実施例２１および
実施例２２て用い１とレジストは、各々、レジスト１４
或いはレジスト１５に相当するものである。

これら実施例１９〜実施例２２に関して得られた測定結
果からも理解できるように、エキシマレーザを用いて露
光した場合であっても、最小解像寸法は０．５　（ｕｍ
）以下を達成でき、さらに、実施例１３〜実施例１５に
よって説明したように、ポリヒドロキシスチレンの重量
平均分子量か小さいほど、大きなドーズ量を必要とする
傾向が認められた。

また、実施例２３〜実施例２６は、感光剤として２，４
−ジクロロヘンシトリクロリドを用い、ポリヒドロキシ
スチレンの重量平均分子量のみが異なるレジストを調製
してレジストパターンを形成した測定結果を示している
。実施例２３で用いたレジストは前述のレジスト］６に
相当するもの、実施例２４て用い１とレジストは前述の
レジスト３に相当するもの、実施例２５および実施例２
６で用いたレジストは、各々、レジスト１７或いはレジ
スト１８に相当するものである。

これら実施例２３〜実施例２６に関して得られた測定結
果も、０．５　（ｕｍ）以下の最小解像寸法を達成でき
、ざらに、ポリヒドロキシスチレンの重量平均分子量が
小さいほど、大きなドーズ量を必要とする傾向か認めら
れた。

［比較例１］ 前述した実施例で用い１と基板に前述した実施例で用い
たと同様な反射防止層を形成した後、この反射防止層上
にネガ型のレジスト層を形成した。

ネガレジストとしてヒスアジド（感光剤）とポリヒドロ
キシスチレンとを含有する「レイキャスト日Ｄ−２００
ＯＮ（日立化成（株）社製の商品名）」ヲ使用した。こ
のネガ型のレジスト層は、このネガレジスト！５０００
ｒ、ｐ、ｍ、て反射防止層上に回転塗布し、ホットプレ
ートを用いて８０℃の温度で１分間ヘークして膜厚１ｕ
ｍとして形成した。この構造体を×ｅ−日９日ノランプ
：Ｍ２５０コールドミラー装着）で２秒間密着露光し１
と後、ＲＤ現像液（日立化成（株）社製の商品名）で９
０秒現像した後、純水で６０秒、リンスを行なった。こ
の処理後得られた構造体をホットプレートを用いて１４
０℃の温度で１分間ポストベークを行なってレジストパ
ターンを得た。

得られたレジストパターンの断面形状を見たところ、１
、Ｊｍラインアンドスペースのパターンのオーバーハン
グ量は０．４ｕｍであった。その結果を別表４に比較例
１として示した。

以上、この発明に係るフォトレジスト組成物の一例ヲ挙
げ、実施例１〜実施例２６として、レジストパターンの
解像度につき説明した。従来知られている遠紫外線用の
ポジ型のフォトレジスト組成物は、上述した実施例に係
るネガ型のレジストとの比較を行なうことは難しいが、
前述の文献■によれば、ドーズ量から類推される感度は
ほぼ同等であり、最小解像寸法は、この発明に係るレジ
ストのほうか高いと考えられる。

また、比較例との対比からも明らかなように、この発明
のフォトレジスト組成物を使用した場合の方かオーバー
ハング量か約１／１０以下であるので、この発明のネガ
型フォトレジストの方か従：ミのネガ型レジストよりも
高感度でかつ高解像をガする。

く耐ドライエツチング特性〉 ［実施例２７および２８］ 次に、耐ドライエツチング特性につき説明する。この特
性測定に当っては、シリコン基板の表面に、各々のレジ
ストｉｌ　（ｕｍ）の膜厚て塗布した後に乾燥させ、１
Ｌ１ｍのラインアンドスペスのレジストパターンを形成
し試料とし１と。

大海を１乙ｌ この実施例２７では、前述したレジスト３を用いて上述
の試料とし、平行平板型ドライエツチング装ＨｒＤＥＭ
４５１Ｊ　　（日電アネルバ製）によって、酸素−四フ
ッ化炭素（１０（体積％）の酸素含有）系の混合ガス中
でドライエツチングを行なった。この混合ガスの圧力は
２（Ｐａ）とし、ガス流量は５０（ＳＣＣｍ）、および
パワ密度は０．１２　（Ｗ／ｃｍ２）とした。

このようなドライエツチング処理の前後で、「タリステ
ップ」　（テーラーホブソン社製の商品名）を用いて、
試料に被着するレジストパターンの膜厚を測定した。そ
して、エツチング速度は、エツチング時間１０分の間の
膜厚減少量から算出した。

その結果、実施例２７に係るレジストバタンは７．９　
（ｎｍ／ｍｉ　ｎ）の速度でエツチングされたことがわ
かった。また、この場合の１ｕｍのラインアンドスペー
スの寸法後退量は５０（ｎｍ）であった。これらの結果
を別表５１こ示［比較例２および３］ また、比較のため、前述した文献■に開示されるスチレ
ンーマレイシ酸イミドの第３ブトキシカルボニル誘導体
（１：１の共重合体であり、重量平均分子量６，５００
）％レジストとした試料（比較例２と称する）、および
前述した「ｏＦＰ日８００」をレジストとした試料（比
較例３と称する）を、各々作製し、上述と同一の条件で
ドライエツチングを行なって１Ｌ１ｍのラインアンドス
ペースのレジストパターンのドライエツチング耐性を測
定した。実施例２７と同様にエツチング速度と寸法後退
量を測定した。

その結果、既に述べたように実施例２７に係るレジスト
パターンが７．９　（ｎｍ／ｍ１ｎ）の速度でエツチン
グされたのに対しで、比較例２では１０．１　（ｎｍ／
ｍ１ｎ）、比較例３では７．７（ｎｍ／ｍ１ｎ）の速度
でエツチングされ、また比較例２では３００（ｎｍ）、
比較例３ては２００（ｎｍ）の寸法後退量であった。こ
れらの結果も、別表５にあわせて示す。

この結果からも理解できるように、この発明のポリヒド
ロキシスチレンから成る実施例２７ては、従来の遠紫外
線用レジスト（比較例２）に比べて耐ドライエツチジグ
特性に優れており、ノボラック系のレジスト（比較例３
）とぼぼ同等の効果か得られることかわかる。

寅寺Ｊ引Ｚ旦 この実施例２８では、上述の実施例２７と同の条件で試
料を作製し、さらに、同一の製雪によって、酸素−四フ
ッ化炭素系の混合ガスの代わりに、四塩化炭素ガスを用
いてドライエツチングを行なった。このガスの圧力は１
０　（Ｐａ）とし、ガス流量は２０　（ｓｃｃｍ）　、
およびパワ密度は０．１６　（Ｗ／ｃｍ２）とした。

その結果、実施例２８に係るレジストバタンは１、０　
（ｎｍ／ｍｉ　ｎ）の速度でエツチングされた。これに
対して、実施例２７の場合と同様にして作製した比較例
２及び比較例３に係る試料では、比較例２の場合に１６
．○（ｎｍ／ｍ１ｎ）、比較例３ては１０．０　（ｎｍ
／ｍ１ｎ）の速度でエツチングされた。

この結果からも理解できるように、四塩化炭素を用いた
ドライエツチング系であっても、この発明に係るフォト
レジスト組成物で形成したレジストパターンは、従来の
遠紫外線用レジスト（比較例２）に比べて耐ドライエツ
チング特性に優れでおり、ノボラック系のレジスト（比
較例３）とほぼ同等の効果が得られた。

以上、実施例１〜実施例２８を例示して説明したように
、この発明に係るフォトレジスト組成物は、従来知られ
ている遠紫外線用フォトレジスト組成物と同等若しくは
これ以上の解像度を有し、かつノボラック系フォトレジ
ストと同等の耐ドライエツチング特性を有することか理
解できる。

以上、この発明の実施例につき説明したが、この発明は
上述した実施例にのみ限定して効果が得られるものでは
ないこと明らかである。

例えば、この発明で用いるポリヒドロキシスチレンは市
販品として容易に入手し得るものであるが、一般に、フ
ェノール性の水酸基（構造式（１）９照）か酸化され易
く、遠紫外線に大きな吸収を生じる場合か有る。係る場
合には、接触還元や水素化物を用いた還元手段によって
、遠紫外領域の吸収を低減せしめ、フォトレジスト組成
物の解像度の向上を図ることかできる。

ざらに、この発明に係るフォトレジスト組成物を溶剤に
溶解せしめた状態で保存する場合には、上述の実施例で
用いた酢酸エステル系の溶剤を始めとして、ジオキサン
、テトラヒドロフランを始めとするエーテル系の溶剤、
γ−ブチルラクトン等のラクトン系の溶剤、Ｎ、Ｎ−ジ
メチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ヘキサメ
チルホスホリックトリアミドを始めとするアミド系の溶
剤を用いることによって、ベース樹脂や感光剤の析出を
回避することができ、レジスト塗布に当って、均一な膜
厚で被着することが可能となる。

これに加えて、上述の実施例では、特定のポリハロゲン
化合物を例示して説明した。しかしながら、この発明で
利用し得る感光剤は、例示物質にのみ限定されるもので
はなく、遠紫外線照射によってハロゲンラジカルを発生
するものであれば、上述した実施例と同様な効果を得る
ことができる。

上述した説明においては、この発明のフォトレジスト組
成物を遠紫外線で露光する例について述へたが、遠紫外
線を用いる代わりに電子線またはＸ線を用いても良い。

ポリハロゲン化合物は遠紫外線照射によって光分解する
のであるから、この光よりもエネルキーの高い放射線例
えば加速電子ビームやＸ線を照射しても充分分解するも
のと推定される。

従って、この発明のフォトレジスト組成物は、電子線レ
ジストやＸ線レジストとしても使用可能である。

これら材料、数値的条件及びその他の条件は、この発明
の目的の節回内て、任意好適に、設計の変更および変形
を行ない得ること明らかである。

（発明の効果） 上述した実施例からも明らかなように、この発明のフォ
ト［／ラスト組成物によれば、少なくとも、ポリヒドロ
キシスチレンから成るベース樹脂とポリハロゲン化合物
から成る感光剤との組み合わせとすることによって、マ
レイン酸イミド単位を導入した場合のように、ベース樹
脂における芳香環の含有率を低下させることか無い。こ
れかブとめ、耐ドライエツチング特性を損なうことなく
、しかもハロゲンラジカルを利用した高感度なパターン
形成機構を利用し、高解像度でレジストパターンを形成
することかできる。

このように、この発明のフォトレジスト組成物か従来の
ポジ型ノボラックのレジストと同等のドライエッチジグ
耐性を有し、かつ、このフォトレジスト組成物で形成す
るレジストパターンの側壁を垂直にできる。従って、こ
のレジストパターンをマスクとして用いて下地の加工を
行なえば、下地にマスク通りのパターンを転写できるの
で、微細加工か可能である。

Ｆ［］’Ｐ ｅＣ

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）及び（Ｂ）は、この発明のフォトレジスト
組成物の実施例を説明するため、基板の概略的断面によ
って示す説明図、 第２図は、この発明の実施例で用いた露光製画を説明す
るため、当該製画の構成を概略的に示す説明図である。 １　］ ・・・基板、 ・・・レジスト層、 ・・・測定試料、 ・・・反射鏡、 ・・・マスク。 １３・・・反射防止層 １７・・・被露光物 ２１・・・レーザ発振器 ２５・・・レンズ系

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）ベース樹脂と、感光剤と、溶剤とを含んで成るフ
   ォトレジスト組成物において、 前記ベース樹脂が下記の構造式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼‥‥（ I ） （但し、ｋは正の整数を示す） で表わされるポリヒドロキシスチレンから成り、かつ前
   記感光剤がポリハロゲン化合物から成ることを特徴とす
   るフォトレジスト組成物。
2. （２）請求項１に記載のベース樹脂が１，０００以上１
   ００，０００以下の範囲内の重量平均分子量を有するこ
   とを特徴とするフォトレジスト組成物。
3. （３）請求項１において、感光剤は、遠紫外線、Ｘ線お
   よび電子線から選ばれた一種以上の放射線に感受性を有
   することを特徴とするフォトレジスト組成物。
4. （４）請求項１に記載の、ポリハロゲン化合物から成る
   感光剤が、下記の一般式（II）で表わされるジグロロア
   ルカン或いはトリクロロアルカン▲数式、化学式、表等
   があります▼‥‥（II） （但し、Ｒ＾１はアルキル基を表わし、ｌは２または３
   を示す） および下記の一般式（III）で表わされるポリプロモア
   ルカンまたはポリヨードアルカン Ｃ＿ｍＨ＿２＿ｍ＿＋＿２＿−＿ｎＸ＾１＿ｎ‥‥（I
   II）（但し、Ｘ＾１は臭素またはヨウ素を表わし、ｍお
   よびｎは、１≦ｎ≦２ｍ＋２を満たす整数を示す） のうちから選ばれた１種類以上の化合物から成ることを
   特徴とするフォトレジスト組成物。
5. （５）請求項１に記載のポリハロゲン化合物から成る感
   光剤が、下記の一般式（IV） ＣＨ＿３＿−＿ｐＸ＾２＿ｐ−Ｃ−Ｙ‥‥（IV）（但し
   、Ｘ＾２は塩素、臭素またはヨウ素を表わし、ｐは１≦
   ｐ≦３の整数を示す）で表わされるα−ハロエステル化
   合物（但し、Ｙはアルコキシル基（−ＯＲ＾１）を表わ
   す）、α−ハロカルボン酸化合物（但し、Ｙは水酸基（
   −ＯＨ）を表わす）、α−ハロケトン化合物（但し、Ｙ
   はアルキル基またはアリール基（−Ｒ＾２）を表わす）
   、α−ハロアルデヒド化合物（但し、Ｙは水素を表わす
   ）、α−ハロアミド化合物（但し、Ｙはアミノ基（−Ｎ
   Ｈ＿２）を表わす）、Ｎ−アルキルハロアミド化合物（
   但し、Ｙは第一アミン残基（−ＮＨＲ＾１）を表わす）
   またはＮ、Ｎ−ジアルキルハロアミド化合物（但し、Ｙ
   は第二アミン残基（−Ｎ＿２Ｒ＾１）を表わす）のうち
   から選ばれた１種類または２種類以上の化合物から成る
   ことを特徴とするフォトレジスト組成物。
6. （６）請求項１に記載のポリハロゲン化合物から成る感
   光剤が、下記の一般式（Ｖ） ▲数式、化学式、表等があります▼‥‥（Ｖ） （但し、ｐは１≦ｐ≦３の整数、ｑは１以上の整数を各
   々示し、Ｘ＾２は塩素、臭素またはヨウ素を表し、かつ
   Ａｒは、フェニル基、ナフチル基、ベンゼンスルホニル
   基、アミノピリジン残基、ｓ−トリアジン残基、フラン
   残基またはチオフェン残基を表わす）で表わされる１種
   類以上の化合物から成ることを特徴とするフォトレジス
   ト組成物。
7. （７）請求項１に記載のポリヒドロキシスチレンから成
   るベース樹脂に対する、ポリハロゲン化合物から成る感
   光剤の含有量か、１（ｍｏｌ％）以上５０（ｍｏｌ％）
   以下の範囲内であることを特徴とするフォトレジスト組
   成物。
8. （８）請求項１に記載の溶剤が、酢酸エステル、エーテ
   ル、ラクトンまたはアミドのうちから選ばれた１種類以
   上の化合物から成ることを特徴とするフォトレジスト組
   成物。