JPH0853401A - 芳香族ジアゾニウム塩およびそれらの放射線感応性混合物における使用 - Google Patents
芳香族ジアゾニウム塩およびそれらの放射線感応性混合物における使用Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 放射線感応性記録材料の被覆に使用されるポ
ジ型またはネガ型放射線感応性混合物に使用される芳香
族ジアゾニウム塩の提供。 【構成】 芳香族または複素芳香族のモノ−またはビス
ジアゾニウム１，１，２，３，３，３−ヘキサフルオロ
プロパンスルホン酸塩。
ジ型またはネガ型放射線感応性混合物に使用される芳香
族ジアゾニウム塩の提供。 【構成】 芳香族または複素芳香族のモノ−またはビス
ジアゾニウム１，１，２，３，３，３−ヘキサフルオロ
プロパンスルホン酸塩。
Description
【０００１】本発明は芳香族ジアゾニウム塩およびそれ
らの製造法および ａ）化学放射線に露出されることにより酸を形成する化
合物、 ｂ1 ）ポジ型混合物に対しては、放射線または酸に露出
されることにより、アルカリ水溶液中の溶解度が増加す
る化合物、または ｂ2 ）ネガ型混合物に対しては、該酸に露出されること
により、アルカリ水溶液中の溶解度が減少する化合物、
および必要に応じて ｃ）水には不溶であるが、アルカリ水溶液には可溶であ
るか、または少なくとも膨潤可能である重合体状有機バ
インダー を含有する放射線感応性混合物に関する。
らの製造法および ａ）化学放射線に露出されることにより酸を形成する化
合物、 ｂ1 ）ポジ型混合物に対しては、放射線または酸に露出
されることにより、アルカリ水溶液中の溶解度が増加す
る化合物、または ｂ2 ）ネガ型混合物に対しては、該酸に露出されること
により、アルカリ水溶液中の溶解度が減少する化合物、
および必要に応じて ｃ）水には不溶であるが、アルカリ水溶液には可溶であ
るか、または少なくとも膨潤可能である重合体状有機バ
インダー を含有する放射線感応性混合物に関する。
【０００２】さらに、本発明は基材および放射線感応性
被覆を有する記録材料にも関する。
被覆を有する記録材料にも関する。
【０００３】芳香族ジアゾニウム塩は以前から知られて
いる。ＤＥ−Ａ ２０２４２４２（＝ＵＳ−Ａ ３８４
９３９２）には多くのジアゾニウム塩が記載されてい
る。この特許明細書には、特に、４−アニリノベンゼン
ジアゾニウム、４−アニリノ−２−メトキシベンゼンジ
アゾニウム、４−（４−メトキシアニリノ）ベンゼンジ
アゾニウム、４−（２−カルボキシアニリノ）ベンゼン
ジアゾニウム、２，５−ジエトキシ−４−（４−エトキ
シアニリノ）ベンゼンジアゾニウム、２，５−ジメトキ
シ−４−ｐ−トリルメルカプトベンゼンジアゾニウム、
２，５−ジメトキシ−４−フェノキシベンゼンジアゾニ
ウム、４−（２，５−ジエトキシベンゾイルアミノ）−
２，５−ジエトキシベンゼンジアゾニウム、３−メトキ
シジベンゾフラン−２−ジアゾニウム、４−（メチル−
１−ナフチルメチルアミノ）ベンゼンジアゾニウム、４
−アニリノ−２−カルボキシベンゼンジアゾニウム、
２，５−ジメトキシ−４−（Ｎ−メチル−Ｎ−フェニル
メルカプトアセチルアミノ）−ベンゼンジアゾニウムお
よび４−［Ｎ−メチル−Ｎ−（２−フェニルメルカプト
エチル）アミノ）−ベンゼンジアゾニウム塩が記載され
ている。これらの塩はすべて塩酸塩、硫酸塩またはリン
酸塩の形態にある。これらの塩の縮合生成物は放射線感
応性混合物に使用されている。
いる。ＤＥ−Ａ ２０２４２４２（＝ＵＳ−Ａ ３８４
９３９２）には多くのジアゾニウム塩が記載されてい
る。この特許明細書には、特に、４−アニリノベンゼン
ジアゾニウム、４−アニリノ−２−メトキシベンゼンジ
アゾニウム、４−（４−メトキシアニリノ）ベンゼンジ
アゾニウム、４−（２−カルボキシアニリノ）ベンゼン
ジアゾニウム、２，５−ジエトキシ−４−（４−エトキ
シアニリノ）ベンゼンジアゾニウム、２，５−ジメトキ
シ−４−ｐ−トリルメルカプトベンゼンジアゾニウム、
２，５−ジメトキシ−４−フェノキシベンゼンジアゾニ
ウム、４−（２，５−ジエトキシベンゾイルアミノ）−
２，５−ジエトキシベンゼンジアゾニウム、３−メトキ
シジベンゾフラン−２−ジアゾニウム、４−（メチル−
１−ナフチルメチルアミノ）ベンゼンジアゾニウム、４
−アニリノ−２−カルボキシベンゼンジアゾニウム、
２，５−ジメトキシ−４−（Ｎ−メチル−Ｎ−フェニル
メルカプトアセチルアミノ）−ベンゼンジアゾニウムお
よび４−［Ｎ−メチル−Ｎ−（２−フェニルメルカプト
エチル）アミノ）−ベンゼンジアゾニウム塩が記載され
ている。これらの塩はすべて塩酸塩、硫酸塩またはリン
酸塩の形態にある。これらの塩の縮合生成物は放射線感
応性混合物に使用されている。
【０００４】ＤＥ−Ａ ２６４１０９９（＝ＵＳ−Ａ
４１６３６７２）には、照射により開裂して酸を生じる
感光性の２，４，５−三置換ベンゼンジアゾニウム塩が
記載されている。これらの塩はヘキサフルオロリン酸
塩、テトラフルオロホウ酸塩またはヘキサフルオロヒ酸
塩の形態をとる。これらの物質は、これらの塩に加え
て、（ｏ−ナフトキノンジアジド）スルホン酸または
（ｏ−ナフトキノンジアジド）カルボン酸のエステルま
たはアミドおよび塩形成できるトリフェニルメタン、ア
ジンまたはアントラキノンを含有する感光性混合物に使
用されている。
４１６３６７２）には、照射により開裂して酸を生じる
感光性の２，４，５−三置換ベンゼンジアゾニウム塩が
記載されている。これらの塩はヘキサフルオロリン酸
塩、テトラフルオロホウ酸塩またはヘキサフルオロヒ酸
塩の形態をとる。これらの物質は、これらの塩に加え
て、（ｏ−ナフトキノンジアジド）スルホン酸または
（ｏ−ナフトキノンジアジド）カルボン酸のエステルま
たはアミドおよび塩形成できるトリフェニルメタン、ア
ジンまたはアントラキノンを含有する感光性混合物に使
用されている。
【０００５】いわゆる「化学的に強化された」混合物は
特に感光性である。これらの混合物は一般に、放射線に
露出されることにより触媒活性を有する物質（通常は
酸）を放出する化合物、および該物質の触媒作用によ
り、現像剤中のその溶解性が増加または減少する様に変
性される化合物ｂ）を含む。この最後に述べた化合物
は、ポジ型混合物中では、より溶解し易い開裂生成物に
転化されるが、ネガ型混合物中では、溶解し難い架橋生
成物に変換される。照射により触媒活性を有する酸を放
出する多くの化合物がすでに知られている。これらの
「光反応開始剤」には、トリハロメチル基で置換された
トリアジンを含む。照射により、これらの物質はハロゲ
ン化水素酸(hydrohalic acid) を放出する。しかし、ハ
ロゲン化水素酸は比較的揮発性であり、複写被覆から拡
散することが多く、したがって十分な触媒効果を発揮し
ない。さらに、ハロゲン化物陰イオンは求核性が強いた
めに、酸のかなりの部分が好ましくない副反応により消
費される。
特に感光性である。これらの混合物は一般に、放射線に
露出されることにより触媒活性を有する物質（通常は
酸）を放出する化合物、および該物質の触媒作用によ
り、現像剤中のその溶解性が増加または減少する様に変
性される化合物ｂ）を含む。この最後に述べた化合物
は、ポジ型混合物中では、より溶解し易い開裂生成物に
転化されるが、ネガ型混合物中では、溶解し難い架橋生
成物に変換される。照射により触媒活性を有する酸を放
出する多くの化合物がすでに知られている。これらの
「光反応開始剤」には、トリハロメチル基で置換された
トリアジンを含む。照射により、これらの物質はハロゲ
ン化水素酸(hydrohalic acid) を放出する。しかし、ハ
ロゲン化水素酸は比較的揮発性であり、複写被覆から拡
散することが多く、したがって十分な触媒効果を発揮し
ない。さらに、ハロゲン化物陰イオンは求核性が強いた
めに、酸のかなりの部分が好ましくない副反応により消
費される。
【０００６】ＥＰ−Ａ ０１０２４５０には、アリール
ジアゾニウム、トリアリールスルホニウムまたはジアリ
ールヨードニウム塩が光反応開始剤として使用されてい
る、化学的に強化された感光性混合物を記載している。
これらの塩は、テトラフルオロホウ酸塩、ヘキサフルオ
ロアンチモン酸塩またはヘキサフルオロリン酸塩の形態
をとる。照射によりこれらの塩から放出される酸は、ハ
ロゲン化水素酸よりも揮発性が低く、関連する陰イオン
も求核性が低い。しかし、金属成分は欠点である。半導
体基材をその様な塩を含む混合物で被覆すると、基材
の、該金属による好ましくないドーピングが起こること
がある。
ジアゾニウム、トリアリールスルホニウムまたはジアリ
ールヨードニウム塩が光反応開始剤として使用されてい
る、化学的に強化された感光性混合物を記載している。
これらの塩は、テトラフルオロホウ酸塩、ヘキサフルオ
ロアンチモン酸塩またはヘキサフルオロリン酸塩の形態
をとる。照射によりこれらの塩から放出される酸は、ハ
ロゲン化水素酸よりも揮発性が低く、関連する陰イオン
も求核性が低い。しかし、金属成分は欠点である。半導
体基材をその様な塩を含む混合物で被覆すると、基材
の、該金属による好ましくないドーピングが起こること
がある。
【０００７】ＥＰ−Ａ ０３５３６００には、陰イオン
がその様な金属を含まない芳香族ジアゾニウム塩が記載
されている。これらの塩はメタンスルホン酸塩、トリフ
ルオロメタンスルホン酸塩またはトリフルオロ酢酸塩の
形態をとっている。しかし、これらの塩は、感光性混合
物に一般に使用されている溶剤の多くに十分に溶解しな
い。別の欠点は、これらの塩は結晶化する傾向が高いこ
とである。
がその様な金属を含まない芳香族ジアゾニウム塩が記載
されている。これらの塩はメタンスルホン酸塩、トリフ
ルオロメタンスルホン酸塩またはトリフルオロ酢酸塩の
形態をとっている。しかし、これらの塩は、感光性混合
物に一般に使用されている溶剤の多くに十分に溶解しな
い。別の欠点は、これらの塩は結晶化する傾向が高いこ
とである。
【０００８】従って、本発明の目的は、光反応開始剤と
して適当であると同時に上記の欠点を有していないジア
ゾニウム塩を提供することである。さらに、これらの塩
は毒性ができるだけ低い必要がある。
して適当であると同時に上記の欠点を有していないジア
ゾニウム塩を提供することである。さらに、これらの塩
は毒性ができるだけ低い必要がある。
【０００９】この目的は、芳香族および複素芳香族(het
eroaromatic)のモノ−またはビスジアゾニウム１，１，
２，３，３，３−ヘキサフルオロプロパンスルホン酸塩
により達成される。芳香族または複素芳香族陽イオン
は、一般に４〜２０個の炭素原子を含む。複素芳香族化
合物中のヘテロ原子は、好ましくは酸素、硫黄および／
または窒素である。
eroaromatic)のモノ−またはビスジアゾニウム１，１，
２，３，３，３−ヘキサフルオロプロパンスルホン酸塩
により達成される。芳香族または複素芳香族陽イオン
は、一般に４〜２０個の炭素原子を含む。複素芳香族化
合物中のヘテロ原子は、好ましくは酸素、硫黄および／
または窒素である。
【００１０】芳香族ジアゾニウム１，１，２，３，３，
３−ヘキサフルオロプロパンスルホン酸塩の中で、所望
により置換されたベンゼンジアゾニウム１，１，２，
３，３，３−ヘキサフルオロプロパンスルホン酸塩およ
びフルオレンジアゾニウム１，１，２，３，３，３−ヘ
キサフルオロプロパンスルホン酸塩が好ましい。必要に
応じて存在する置換基は、好ましくはハロゲン原子、ま
たはヒドロキシル、（Ｃ1 〜Ｃ4 ）アルコキシ、フェノ
キシ、（Ｃ1 〜Ｃ4 ）アルキル、アミノ、（Ｃ1〜
Ｃ4 ）アルキルアミノ、ジ（Ｃ1 〜Ｃ4 ）アルキルアミ
ノ、（Ｃ1 〜Ｃ4 ）ヒドロキシアルキルアミノ、ジ（Ｃ
1 〜Ｃ4 ）ヒドロキシアルキルアミノ、（Ｃ1〜Ｃ4 ）
ヒドロキシアルキル（Ｃ1 〜Ｃ4 ）アルキルアミノ、ピ
ロリジノ、ピペリジノ、モルホリノ、フェニルアミノ、
ニトロ、フェニルまたはフェニルアゾ基である。これら
の基は、必要に応じてさらに（Ｃ1 〜Ｃ4 ）アルキル、
（Ｃ1 〜Ｃ4 ）アルコキシまたはジアゾニウム基により
置換されたベンゾイル基でもよい。最後に、必要に応じ
て存在する置換基は、同様に所望により（Ｃ1 〜Ｃ4 ）
アルキルまたは（Ｃ1 〜Ｃ4 ）アルコキシ基で置換され
たフェニルメルカプト基でもよい。
３−ヘキサフルオロプロパンスルホン酸塩の中で、所望
により置換されたベンゼンジアゾニウム１，１，２，
３，３，３−ヘキサフルオロプロパンスルホン酸塩およ
びフルオレンジアゾニウム１，１，２，３，３，３−ヘ
キサフルオロプロパンスルホン酸塩が好ましい。必要に
応じて存在する置換基は、好ましくはハロゲン原子、ま
たはヒドロキシル、（Ｃ1 〜Ｃ4 ）アルコキシ、フェノ
キシ、（Ｃ1 〜Ｃ4 ）アルキル、アミノ、（Ｃ1〜
Ｃ4 ）アルキルアミノ、ジ（Ｃ1 〜Ｃ4 ）アルキルアミ
ノ、（Ｃ1 〜Ｃ4 ）ヒドロキシアルキルアミノ、ジ（Ｃ
1 〜Ｃ4 ）ヒドロキシアルキルアミノ、（Ｃ1〜Ｃ4 ）
ヒドロキシアルキル（Ｃ1 〜Ｃ4 ）アルキルアミノ、ピ
ロリジノ、ピペリジノ、モルホリノ、フェニルアミノ、
ニトロ、フェニルまたはフェニルアゾ基である。これら
の基は、必要に応じてさらに（Ｃ1 〜Ｃ4 ）アルキル、
（Ｃ1 〜Ｃ4 ）アルコキシまたはジアゾニウム基により
置換されたベンゾイル基でもよい。最後に、必要に応じ
て存在する置換基は、同様に所望により（Ｃ1 〜Ｃ4 ）
アルキルまたは（Ｃ1 〜Ｃ4 ）アルコキシ基で置換され
たフェニルメルカプト基でもよい。
【００１１】複素芳香族ジアゾニウム１，１，２，３，
３，３−ヘキサフルオロプロパンスルホン酸塩の中で、
ジ−ｘ−ベンゾフランジアゾニウム１，１，２，３，
３，３−ヘキサフルオロプロパンスルホン酸塩、ジ−ｘ
−ベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェンジアゾニウム１，１，
２，３，３，３−ヘキサフルオロプロパンスルホン酸
塩、９−（Ｃ1 〜Ｃ4 ）アルキル−ｘ−カルバゾールジ
アゾニウム１，１，２，３，３，３−ヘキサフルオロプ
ロパンスルホン酸塩が好ましい（ここでｘは位置番号を
規定する）。ジアゾニウム基は一般的に上記複素環式化
合物の１〜８の位置のいずれでもよい。
３，３−ヘキサフルオロプロパンスルホン酸塩の中で、
ジ−ｘ−ベンゾフランジアゾニウム１，１，２，３，
３，３−ヘキサフルオロプロパンスルホン酸塩、ジ−ｘ
−ベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェンジアゾニウム１，１，
２，３，３，３−ヘキサフルオロプロパンスルホン酸
塩、９−（Ｃ1 〜Ｃ4 ）アルキル−ｘ−カルバゾールジ
アゾニウム１，１，２，３，３，３−ヘキサフルオロプ
ロパンスルホン酸塩が好ましい（ここでｘは位置番号を
規定する）。ジアゾニウム基は一般的に上記複素環式化
合物の１〜８の位置のいずれでもよい。
【００１２】本発明の１，１，２，３，３，３−ヘキサ
フルオロプロパンスルホン酸（＝ＨＦＰＳＡ）のジアゾ
ニウム塩は、当業者にはそれ自体公知の製法により製造
することができる。例えば、これらの塩は、対応する
（複素）芳香族ジアゾニウムハロゲン化物または硫酸塩
から、ＨＦＰＳＡとの反応により（方法Ａ）、あるいは
ＨＦＰＳＡの存在下で（複素）芳香族アミンのジアゾ化
により（方法Ｂ）製造することができる。
フルオロプロパンスルホン酸（＝ＨＦＰＳＡ）のジアゾ
ニウム塩は、当業者にはそれ自体公知の製法により製造
することができる。例えば、これらの塩は、対応する
（複素）芳香族ジアゾニウムハロゲン化物または硫酸塩
から、ＨＦＰＳＡとの反応により（方法Ａ）、あるいは
ＨＦＰＳＡの存在下で（複素）芳香族アミンのジアゾ化
により（方法Ｂ）製造することができる。
【００１３】方法Ａの場合、溶液中のジアゾニウムのハ
ロゲン化物または硫酸塩を一般的にＨＦＰＳＡと攪拌し
ながら反応させる。この場合、溶剤は、この製法で形成
されるジアゾニウム１，１，２，３，３，３−ヘキサフ
ルオロプロパンスルホン酸塩が固体として沈殿し、分離
できる様に選択するのが有利である。多くの場合にこれ
らの条件を満たす溶剤の一つは水である。有機溶剤、例
えばエーテル、ケトンまたはアルコール、がより有利で
ある場合もある。
ロゲン化物または硫酸塩を一般的にＨＦＰＳＡと攪拌し
ながら反応させる。この場合、溶剤は、この製法で形成
されるジアゾニウム１，１，２，３，３，３−ヘキサフ
ルオロプロパンスルホン酸塩が固体として沈殿し、分離
できる様に選択するのが有利である。多くの場合にこれ
らの条件を満たす溶剤の一つは水である。有機溶剤、例
えばエーテル、ケトンまたはアルコール、がより有利で
ある場合もある。
【００１４】強酸の存在下で芳香族アミンをジアゾ化す
る方法は以前から知られている。この方法は一般的に、
亜硝酸ナトリウムを使用して水溶液中で行なわれ、製造
されたジアゾニウム塩は少なくとも部分的に溶解したま
まである。本発明のジアゾニウム塩の製造では、有利な
ことに、対応する（複素）アリールアミンを有機溶剤中
で亜硝酸イソアミルを使用してジアゾ化する。この製法
では、１，１，２，３，３，３−ヘキサフルオロプロパ
ンスルホン酸ジアゾニウムが細かく分割された携帯で沈
殿し、容易に分離することができる。例外的な場合にの
み、予め沈殿剤を加える必要がある。
る方法は以前から知られている。この方法は一般的に、
亜硝酸ナトリウムを使用して水溶液中で行なわれ、製造
されたジアゾニウム塩は少なくとも部分的に溶解したま
まである。本発明のジアゾニウム塩の製造では、有利な
ことに、対応する（複素）アリールアミンを有機溶剤中
で亜硝酸イソアミルを使用してジアゾ化する。この製法
では、１，１，２，３，３，３−ヘキサフルオロプロパ
ンスルホン酸ジアゾニウムが細かく分割された携帯で沈
殿し、容易に分離することができる。例外的な場合にの
み、予め沈殿剤を加える必要がある。
【００１５】本発明の、 ａ）化学放射線に露出されることにより酸を形成する化
合物、 ｂ1 ）ポジ型混合物に対しては、放射線または酸に露出
されることにより、アルカリ水溶液中の溶解度が増加す
る化合物、または ｂ2 ）ネガ型混合物に対しては、該酸に露出されること
により、アルカリ水溶液中の溶解度が減少する化合物、
および所望により ｃ）水には不溶であるが、アルカリ水溶液には可溶であ
るか、または少なくとも膨潤可能である重合体状有機バ
インダー を含有する放射線感応性混合物は、化合物ａ）が１，
１，２，３，３，３−ヘキサフルオロプロパンスルホン
酸の芳香族または複素芳香族ジアゾニウム塩である混合
物である。好ましい芳香族または複素芳香族ジアゾニウ
ム塩は上に記載してある。
合物、 ｂ1 ）ポジ型混合物に対しては、放射線または酸に露出
されることにより、アルカリ水溶液中の溶解度が増加す
る化合物、または ｂ2 ）ネガ型混合物に対しては、該酸に露出されること
により、アルカリ水溶液中の溶解度が減少する化合物、
および所望により ｃ）水には不溶であるが、アルカリ水溶液には可溶であ
るか、または少なくとも膨潤可能である重合体状有機バ
インダー を含有する放射線感応性混合物は、化合物ａ）が１，
１，２，３，３，３−ヘキサフルオロプロパンスルホン
酸の芳香族または複素芳香族ジアゾニウム塩である混合
物である。好ましい芳香族または複素芳香族ジアゾニウ
ム塩は上に記載してある。
【００１６】酸に露出することにより、アルカリ水溶液
中の溶解度が増加する化合物ｂ1 ）は、好ましくは酸に
敏感な基を含む重合体である。これに関して、少なくと
も１個の、酸により開裂し得るＣ−Ｏ−Ｃ結合を有する
重合体が好ましい。これらの重合体には、芳香族環が、
酸により開裂し得るｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキ
シ、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルまたはｔｅｒｔ−ブ
トキシ基で置換された重合体が含まれる。特に好ましい
化合物ｂ1 ）は、所望により置換された、特にアルキル
置換された、フェノール性水酸基が完全にまたは部分的
にｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ、ｔｅｒｔ−ブ
トキシカルボニルまたはｔｅｒｔ−ブトキシ基で置換さ
れたポリヒドロキシスチレンである。
中の溶解度が増加する化合物ｂ1 ）は、好ましくは酸に
敏感な基を含む重合体である。これに関して、少なくと
も１個の、酸により開裂し得るＣ−Ｏ−Ｃ結合を有する
重合体が好ましい。これらの重合体には、芳香族環が、
酸により開裂し得るｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキ
シ、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルまたはｔｅｒｔ−ブ
トキシ基で置換された重合体が含まれる。特に好ましい
化合物ｂ1 ）は、所望により置換された、特にアルキル
置換された、フェノール性水酸基が完全にまたは部分的
にｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ、ｔｅｒｔ−ブ
トキシカルボニルまたはｔｅｒｔ−ブトキシ基で置換さ
れたポリヒドロキシスチレンである。
【００１７】その様な重合体は、例えばポリヒドロキシ
スチレンまたはノボラックから、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル
ジカーボネートと部分的に、または完全に反応させるこ
とにより得られる。また、メタクリル酸ｔｅｒｔ−ブチ
ルを含んでなる基を含む重合体も好ましい。これらの重
合体さらに、酸により開裂し得るＣ−Ｏ−Ｃ結合を含む
アセタールおよびケタールを包含する。適当な低分子量
アセタールおよびケタールはＤＥ−Ａ ２６１０８４２
（＝ＵＳ−Ａ ４１０１３２３）に記載されており、適
当な重合体アセタールおよびケタールはＤＥ−Ａ ２７
１８２５４（＝ＵＳ−Ａ ４２４７６１１）に記載され
ている。さらに、ＥＰ−Ａ ０５１０４４９（＝ＵＳ−
Ａ ５２８６６０２）に記載されている様なポリ（Ｎ，
Ｏ−アセタール）も適当である。これらの酸に敏感な重
合体の比率は、混合物の不揮発成分の総重量に対して約
６０〜９９重量％である。この量は、重合体状バインダ
ーｃ）の１種を含まない混合物に対してのものである。
上記の重合体酸開裂性化合物を使用する場合、重合体状
バインダーｃ）は絶対に必要という訳ではない。しか
し、これらのバインダーの１種を使用する場合、酸に敏
感な重合体の比率はそれに応じて減少させる。
スチレンまたはノボラックから、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル
ジカーボネートと部分的に、または完全に反応させるこ
とにより得られる。また、メタクリル酸ｔｅｒｔ−ブチ
ルを含んでなる基を含む重合体も好ましい。これらの重
合体さらに、酸により開裂し得るＣ−Ｏ−Ｃ結合を含む
アセタールおよびケタールを包含する。適当な低分子量
アセタールおよびケタールはＤＥ−Ａ ２６１０８４２
（＝ＵＳ−Ａ ４１０１３２３）に記載されており、適
当な重合体アセタールおよびケタールはＤＥ−Ａ ２７
１８２５４（＝ＵＳ−Ａ ４２４７６１１）に記載され
ている。さらに、ＥＰ−Ａ ０５１０４４９（＝ＵＳ−
Ａ ５２８６６０２）に記載されている様なポリ（Ｎ，
Ｏ−アセタール）も適当である。これらの酸に敏感な重
合体の比率は、混合物の不揮発成分の総重量に対して約
６０〜９９重量％である。この量は、重合体状バインダ
ーｃ）の１種を含まない混合物に対してのものである。
上記の重合体酸開裂性化合物を使用する場合、重合体状
バインダーｃ）は絶対に必要という訳ではない。しか
し、これらのバインダーの１種を使用する場合、酸に敏
感な重合体の比率はそれに応じて減少させる。
【００１８】化学放射線に露出させることにより、アル
カリ水溶液中の溶解度が増加する化合物ｂ1 ）は、好ま
しくはｏ−キノンジアジド、特に好ましくはｏ−ナフト
キノンジアジド、である。特に適当なｏ−ナフトキノン
ジアジドは、必要に応じてさらに置換されたビス［４−
（１，２−ナフトキノン２−ジアジド−４−または−５
−スルホニルオキシ）フェニル］−（Ｃ2 〜Ｃ9 ）アル
カン酸およびそれらのエステル、２，３，４，２´，３
´，４´−ヘキサキス（１，２−ナフトキノン２−ジア
ジド−４−または−５−スルホニルオキシ）−５，５´
−ジアルカノイル−またはジアロイルジフェニルメタ
ン、および必要に応じてさらに置換されたビス［４，４
´−（１，２−ナフトキノン２−ジアジド−４−または
−５−スルホニルオキシ）ベンゾイル］−（Ｃ2 〜
Ｃ18）アルカンである。（１，２−ナフトキノン２−ジ
アジド）−４−または−５−スルホン酸と、フェノール
性水酸基を含む化合物、特に２〜６個のフェノール性水
酸基を含む化合物、のエステルが一般的に適当である。
その様な混合物では、本発明のジアゾニウム塩はコント
ラスト形成剤の機能を有する。特に有利なのは、該混合
物で製造した記録材料から形成される潜像の熱安定性が
著しく増加することである。比較として、放射線感応性
被覆が他の放射線感応性コントラスト形成剤、例えば塩
化（１，２−ナフトキノン２−ジアジド）−４−スルホ
ニルまたは置換トリハロメチル−ｓ−トリアジン、を含
む記録材料を使用した。
カリ水溶液中の溶解度が増加する化合物ｂ1 ）は、好ま
しくはｏ−キノンジアジド、特に好ましくはｏ−ナフト
キノンジアジド、である。特に適当なｏ−ナフトキノン
ジアジドは、必要に応じてさらに置換されたビス［４−
（１，２−ナフトキノン２−ジアジド−４−または−５
−スルホニルオキシ）フェニル］−（Ｃ2 〜Ｃ9 ）アル
カン酸およびそれらのエステル、２，３，４，２´，３
´，４´−ヘキサキス（１，２−ナフトキノン２−ジア
ジド−４−または−５−スルホニルオキシ）−５，５´
−ジアルカノイル−またはジアロイルジフェニルメタ
ン、および必要に応じてさらに置換されたビス［４，４
´−（１，２−ナフトキノン２−ジアジド−４−または
−５−スルホニルオキシ）ベンゾイル］−（Ｃ2 〜
Ｃ18）アルカンである。（１，２−ナフトキノン２−ジ
アジド）−４−または−５−スルホン酸と、フェノール
性水酸基を含む化合物、特に２〜６個のフェノール性水
酸基を含む化合物、のエステルが一般的に適当である。
その様な混合物では、本発明のジアゾニウム塩はコント
ラスト形成剤の機能を有する。特に有利なのは、該混合
物で製造した記録材料から形成される潜像の熱安定性が
著しく増加することである。比較として、放射線感応性
被覆が他の放射線感応性コントラスト形成剤、例えば塩
化（１，２−ナフトキノン２−ジアジド）−４−スルホ
ニルまたは置換トリハロメチル−ｓ−トリアジン、を含
む記録材料を使用した。
【００１９】酸に露出することによりアルカリ水溶液中
の溶解度が減少する化合物ｂ2 ）は、好ましくは少なく
とも２個の酸−架橋性基、特に少なくとも２個のヒドロ
キシメチル、メトキシメチルまたはアセトキシメチル
基、を含む。これらの化合物には、下式の化合物が含ま
れる。 （Ｒ1 Ｏ−ＣＨＲ3 ）n −Ａ−（ＣＨＲ3 −ＯＲ2 ）m
および （Ｒ1 Ｏ−ＣＨＲ3 ）n −Ａ−Ｙ−Ａ−（ＣＨＲ3 −Ｏ
Ｒ2 ）m （式中、Ａは必要に応じて置換された単核の芳香族炭化
水素であるか、または酸素、硫黄または窒素を含む複素
環式芳香族化合物であり、Ｙは単結合、炭素鎖が酸素原
子、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2 −、−ＣＯ−、−ＣＯ−
Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−により中継さ
れている（Ｃ1 〜Ｃ4 ）アルキレンまたは（Ｃ1 〜
Ｃ4 ）アルキレンジオキシまたはフェニレンジオキシで
あり、Ｒ1 およびＲ2 は、同一であるか、または異なる
ものであって、水素原子、または（Ｃ1〜Ｃ4 ）アルキ
ル、シクロアルキル、必要に応じて置換されたアリー
ル、アラルキルまたはアルカノイル基であり、Ｒ3 は水
素原子、または（Ｃ1 〜Ｃ4 ）アルキルまたは所望によ
り置換されたフェニル基であり、ｎは１〜３の整数であ
り、ｍは０〜３の整数であり、ｎ＋ｍは少なくとも２で
ある。）
の溶解度が減少する化合物ｂ2 ）は、好ましくは少なく
とも２個の酸−架橋性基、特に少なくとも２個のヒドロ
キシメチル、メトキシメチルまたはアセトキシメチル
基、を含む。これらの化合物には、下式の化合物が含ま
れる。 （Ｒ1 Ｏ−ＣＨＲ3 ）n −Ａ−（ＣＨＲ3 −ＯＲ2 ）m
および （Ｒ1 Ｏ−ＣＨＲ3 ）n −Ａ−Ｙ−Ａ−（ＣＨＲ3 −Ｏ
Ｒ2 ）m （式中、Ａは必要に応じて置換された単核の芳香族炭化
水素であるか、または酸素、硫黄または窒素を含む複素
環式芳香族化合物であり、Ｙは単結合、炭素鎖が酸素原
子、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2 −、−ＣＯ−、−ＣＯ−
Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−により中継さ
れている（Ｃ1 〜Ｃ4 ）アルキレンまたは（Ｃ1 〜
Ｃ4 ）アルキレンジオキシまたはフェニレンジオキシで
あり、Ｒ1 およびＲ2 は、同一であるか、または異なる
ものであって、水素原子、または（Ｃ1〜Ｃ4 ）アルキ
ル、シクロアルキル、必要に応じて置換されたアリー
ル、アラルキルまたはアルカノイル基であり、Ｒ3 は水
素原子、または（Ｃ1 〜Ｃ4 ）アルキルまたは所望によ
り置換されたフェニル基であり、ｎは１〜３の整数であ
り、ｍは０〜３の整数であり、ｎ＋ｍは少なくとも２で
ある。）
【００２０】ヘキサ−Ｎ−メトキシメチルメラミン、平
均分子量Ｍw が５００〜１，５００である未硬化アルキ
ル−エーテル化メラミン／ホルムアルデヒド樹脂（ＥＰ
−Ａ０２６３４３４）および尿素／ホルムアルデヒドま
たは尿素／ホルムアルデヒド縮合生成物（ＥＰ−Ａ ０
２８５０１３）も架橋剤として適当である。
均分子量Ｍw が５００〜１，５００である未硬化アルキ
ル−エーテル化メラミン／ホルムアルデヒド樹脂（ＥＰ
−Ａ０２６３４３４）および尿素／ホルムアルデヒドま
たは尿素／ホルムアルデヒド縮合生成物（ＥＰ−Ａ ０
２８５０１３）も架橋剤として適当である。
【００２１】本発明のジアゾニウム塩の比率は、それぞ
れの場合に混合物の不揮発成分の総重量に対して一般に
１〜４０重量％、好ましくは２〜２５重量％、である。
混合物が、放射線の影響下で水性アルカリ現像剤中の溶
解度が増加する上記の化合物の１種を含む場合、本発明
のジアゾニウム塩の比率はやや低くなる。その場合、そ
の比率は、やはり混合物の不揮発成分の総重量に対して
好ましくは０．５〜２０重量％、特に好ましくは１〜１
０重量％、である。
れの場合に混合物の不揮発成分の総重量に対して一般に
１〜４０重量％、好ましくは２〜２５重量％、である。
混合物が、放射線の影響下で水性アルカリ現像剤中の溶
解度が増加する上記の化合物の１種を含む場合、本発明
のジアゾニウム塩の比率はやや低くなる。その場合、そ
の比率は、やはり混合物の不揮発成分の総重量に対して
好ましくは０．５〜２０重量％、特に好ましくは１〜１
０重量％、である。
【００２２】酸により開裂し得る（ｂ1 ）または酸で架
橋し得る（ｂ2 ）が低分子量である場合、混合物はさら
に重合体状バインダーｃ）を含有するのが好ましい。フ
ェノール性水酸基またはカルボキシル基を含有する重合
体が適当である。これらの重合体にはフェノール性樹
脂、特にポリ（４−ヒドロキシスチレン）、クレゾール
／ホルムアルデヒドノボラック（ＤＩＮ ５３１８１に
よる融解範囲１０５〜１２０℃）およびフェノール／ホ
ルムアルデヒドノボラック（ＤＩＮ ５３１８１による
融解範囲１１０〜１２０℃）、が含まれる。メタクリル
酸／メタクリル酸メチル、クロトン酸／酢酸ビニルおよ
び無水マレイン酸／スチレンの共重合体も使用できる。
無水マレイン酸／スチレンの共重合体の場合、カルボキ
シル基は、まず酸無水物基のアルカリ性けん化により形
成される。混合物は同時に様々なバインダーを含有する
ことができる。
橋し得る（ｂ2 ）が低分子量である場合、混合物はさら
に重合体状バインダーｃ）を含有するのが好ましい。フ
ェノール性水酸基またはカルボキシル基を含有する重合
体が適当である。これらの重合体にはフェノール性樹
脂、特にポリ（４−ヒドロキシスチレン）、クレゾール
／ホルムアルデヒドノボラック（ＤＩＮ ５３１８１に
よる融解範囲１０５〜１２０℃）およびフェノール／ホ
ルムアルデヒドノボラック（ＤＩＮ ５３１８１による
融解範囲１１０〜１２０℃）、が含まれる。メタクリル
酸／メタクリル酸メチル、クロトン酸／酢酸ビニルおよ
び無水マレイン酸／スチレンの共重合体も使用できる。
無水マレイン酸／スチレンの共重合体の場合、カルボキ
シル基は、まず酸無水物基のアルカリ性けん化により形
成される。混合物は同時に様々なバインダーを含有する
ことができる。
【００２３】バインダーｃ）の比率は、いずれの場合も
混合物の不揮発成分の総重量に対して一般に３０〜９０
重量％、好ましくは５５〜８５重量％、である。
混合物の不揮発成分の総重量に対して一般に３０〜９０
重量％、好ましくは５５〜８５重量％、である。
【００２４】上記の成分に加えて、本発明の混合物は、
混合物の不揮発成分の総重量に対して約２０重量％まで
の、他の単独重合体または共重合体を含有することがで
きる。これらの重合体は、特に、ビニル重合体、例えば
ポリ酢酸ビニル、ポリアクリル酸エステルおよびコモノ
マーの配合により変性してあってもよいポリビニルエー
テル、である。これらの追加重合体により、現像特性に
影響を及ぼすことができる。
混合物の不揮発成分の総重量に対して約２０重量％まで
の、他の単独重合体または共重合体を含有することがで
きる。これらの重合体は、特に、ビニル重合体、例えば
ポリ酢酸ビニル、ポリアクリル酸エステルおよびコモノ
マーの配合により変性してあってもよいポリビニルエー
テル、である。これらの追加重合体により、現像特性に
影響を及ぼすことができる。
【００２５】ある種の特性、例えば柔軟性、接着性、光
沢、ＵＶ吸収性、等に影響を及ぼすために、本発明の混
合物は、用途に応じて、さらに少量のポリグリコール、
セルロース誘導体、例えばエチルセルロース、湿潤剤、
ＵＶ吸収剤、染料および細かく分割した顔料を含有する
ことができる。染料としては、特にカルビノール塩基の
形態のトリフェニルメタン染料が有利であることが分か
っている。
沢、ＵＶ吸収性、等に影響を及ぼすために、本発明の混
合物は、用途に応じて、さらに少量のポリグリコール、
セルロース誘導体、例えばエチルセルロース、湿潤剤、
ＵＶ吸収剤、染料および細かく分割した顔料を含有する
ことができる。染料としては、特にカルビノール塩基の
形態のトリフェニルメタン染料が有利であることが分か
っている。
【００２６】最後に、本発明は、基材および放射線感応
性被覆を有し、その被覆が本発明の放射線感応性混合物
からなる記録材料にも関連する。
性被覆を有し、その被覆が本発明の放射線感応性混合物
からなる記録材料にも関連する。
【００２７】記録材料は、本発明の混合物の溶液を基材
に塗布し、次いで溶剤を除去することにより製造する。
溶剤としては、ケトン（例えばブタノン）、塩素化炭化
水素（トリクロロエチレンおよび１，１，１−トリクロ
ロエタン）、アルコール（例えばプロパノール）、エー
テル（例えばテトラヒドロフラン）、グリコールモノア
ルキルエーテル（エチレングリコールモノエチルエーテ
ルおよびプロピレングリコールモノメチルエーテル）、
グリコールモノアルキルエーテルアセテート（例えばプ
ロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）お
よびエステル（例えば酢酸ブチル）が適当である。これ
らの溶剤の混合物も使用できる。さらにアセトニトリ
ル、ジオキサンまたはジメチルホルムアミドも追加溶剤
として存在してもよい。一般的に、本発明の混合物の成
分と、あるいは基材と好ましくない反応を起こさない、
これらすべての溶剤を使用することができる。
に塗布し、次いで溶剤を除去することにより製造する。
溶剤としては、ケトン（例えばブタノン）、塩素化炭化
水素（トリクロロエチレンおよび１，１，１−トリクロ
ロエタン）、アルコール（例えばプロパノール）、エー
テル（例えばテトラヒドロフラン）、グリコールモノア
ルキルエーテル（エチレングリコールモノエチルエーテ
ルおよびプロピレングリコールモノメチルエーテル）、
グリコールモノアルキルエーテルアセテート（例えばプ
ロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）お
よびエステル（例えば酢酸ブチル）が適当である。これ
らの溶剤の混合物も使用できる。さらにアセトニトリ
ル、ジオキサンまたはジメチルホルムアミドも追加溶剤
として存在してもよい。一般的に、本発明の混合物の成
分と、あるいは基材と好ましくない反応を起こさない、
これらすべての溶剤を使用することができる。
【００２８】溶液の溶剤および固体含有量も、被覆およ
び乾燥工程により異なる。一般的に厚さ約５μｍまでの
被覆をドクターブレードで引き、または塗布し、次いで
乾燥させる。これらの工程に使用する溶液は約４０重量
％までの固体含有量を有する。基材の両面に被覆する場
合、適当な溶液中に基材を浸漬する。低沸点の、従って
容易に除去できる溶剤を使用することにより、被覆を迅
速に乾燥させることができる。被覆は、吹き付けによ
り、またはローラーまたはフラットフィルムダイを使用
して、塗布することもできる。単板、特に亜鉛またはマ
ルチメタルからなる板、は、カーテンコーティングで被
覆するのが有利である。
び乾燥工程により異なる。一般的に厚さ約５μｍまでの
被覆をドクターブレードで引き、または塗布し、次いで
乾燥させる。これらの工程に使用する溶液は約４０重量
％までの固体含有量を有する。基材の両面に被覆する場
合、適当な溶液中に基材を浸漬する。低沸点の、従って
容易に除去できる溶剤を使用することにより、被覆を迅
速に乾燥させることができる。被覆は、吹き付けによ
り、またはローラーまたはフラットフィルムダイを使用
して、塗布することもできる。単板、特に亜鉛またはマ
ルチメタルからなる板、は、カーテンコーティングで被
覆するのが有利である。
【００２９】オフセット印刷板を製造するには、記録材
料は通常、機械的および／または電気化学的に粗面化さ
れ、所望により陽極酸化（anodize ）されたアルミニウ
ム製の基材を含むが、この基材はさらに化学的に、例え
ばポリビニルホスホン酸、ケイ酸塩またはリン酸塩で前
処理することができる。Ｃｕ／Ｃｒまたは黄銅／Ｃｒ表
面を有するマルチメタル板も適当である。そこに塗布さ
れる記録用被覆は一般的に１０μｍより薄い。
料は通常、機械的および／または電気化学的に粗面化さ
れ、所望により陽極酸化（anodize ）されたアルミニウ
ム製の基材を含むが、この基材はさらに化学的に、例え
ばポリビニルホスホン酸、ケイ酸塩またはリン酸塩で前
処理することができる。Ｃｕ／Ｃｒまたは黄銅／Ｃｒ表
面を有するマルチメタル板も適当である。そこに塗布さ
れる記録用被覆は一般的に１０μｍより薄い。
【００３０】厚さが１０μｍを超える被覆は、通常まず
一時的基材（一般的にプラスチックシート）に塗布し、
そこから最終的な基材に転移させる。プラスチックシー
トはポリエステルフィルム（例えばポリ（エチレンテレ
フタレート））またはポリオレフィンシート（例えばポ
リプロピレン）であることが多い。
一時的基材（一般的にプラスチックシート）に塗布し、
そこから最終的な基材に転移させる。プラスチックシー
トはポリエステルフィルム（例えばポリ（エチレンテレ
フタレート））またはポリオレフィンシート（例えばポ
リプロピレン）であることが多い。
【００３１】一工程エッチング法用の亜鉛またはマグネ
シウム基材およびそれらの市販されている微結晶合金ま
たはエッチング可能なプラスチック、例えばポリオキシ
メチレンは凸版印刷板に使用される。グラビア印刷版お
よびスクリーン印刷版には、本発明の混合物が特に良く
密着する銅またはニッケル表面を有する基材が適当であ
る。これらの被覆は耐エッチング剤性も非常に優れてい
る。
シウム基材およびそれらの市販されている微結晶合金ま
たはエッチング可能なプラスチック、例えばポリオキシ
メチレンは凸版印刷板に使用される。グラビア印刷版お
よびスクリーン印刷版には、本発明の混合物が特に良く
密着する銅またはニッケル表面を有する基材が適当であ
る。これらの被覆は耐エッチング剤性も非常に優れてい
る。
【００３２】本発明の混合物は、さらにフォトレジスト
およびケミカルミリングにも使用できる。これらの混合
物は下記の被覆にも適当である。片面または両面上を銅
で覆った非導電性材料からなるプリント回路基板、所望
により接着促進性の前処理したガラスまたはセラミック
物質、被覆を直接または一時的基材を使用して行なうこ
とができる、必要に応じて表面に窒化物被覆または酸化
物被覆を施したシリコンウエハー、木、織物、および投
影による画像を有し、アルカリ性現像剤の作用に耐性が
ある、多くの材料の表面。
およびケミカルミリングにも使用できる。これらの混合
物は下記の被覆にも適当である。片面または両面上を銅
で覆った非導電性材料からなるプリント回路基板、所望
により接着促進性の前処理したガラスまたはセラミック
物質、被覆を直接または一時的基材を使用して行なうこ
とができる、必要に応じて表面に窒化物被覆または酸化
物被覆を施したシリコンウエハー、木、織物、および投
影による画像を有し、アルカリ性現像剤の作用に耐性が
ある、多くの材料の表面。
【００３３】被覆の乾燥には標準的な装置および条件を
使用することができ、１００℃前後の温度および短時間
なら１２０℃までの温度が許容され、放射線に対する感
度の低下もない。
使用することができ、１００℃前後の温度および短時間
なら１２０℃までの温度が許容され、放射線に対する感
度の低下もない。
【００３４】標準的な複写装置、例えば管状ランプ、キ
セノンパルスランプ、ハロゲン化金属でドーピングした
水銀蒸気圧ランプおよびカーボンアークランプを露光目
的に使用することができる。さらに、金属フィラメント
ランプからの光を使用する標準的な投影および拡大装置
での露光および通常の白熱電球を使用する接触露光が可
能である。露光は、レーザーのコヒーレント光で行なう
こともできる。適切な出力の短波長レーザー、例えばア
ルゴンイオンレーザー、クリプトンイオンレーザー、ダ
イレーザー、ヘリウム／カドミウムレーザーおよび１９
３〜６３３nmで発振するエキシマーレーザーも適当であ
る。レーザー光は、予めプログラム化されたラインおよ
び／またはラスター移動により制御する。
セノンパルスランプ、ハロゲン化金属でドーピングした
水銀蒸気圧ランプおよびカーボンアークランプを露光目
的に使用することができる。さらに、金属フィラメント
ランプからの光を使用する標準的な投影および拡大装置
での露光および通常の白熱電球を使用する接触露光が可
能である。露光は、レーザーのコヒーレント光で行なう
こともできる。適切な出力の短波長レーザー、例えばア
ルゴンイオンレーザー、クリプトンイオンレーザー、ダ
イレーザー、ヘリウム／カドミウムレーザーおよび１９
３〜６３３nmで発振するエキシマーレーザーも適当であ
る。レーザー光は、予めプログラム化されたラインおよ
び／またはラスター移動により制御する。
【００３５】本発明のポジ型放射線感応性混合物の場
合、像様に露光した、または照射した被覆は、必要に応
じて熱的な後処理の後、市販のナフトキノンジアジド被
覆およびレジストに使用する現像剤と事実上同じ現像剤
で除去することができる。他方、本発明のネガ型放射線
感応性混合物の場合、未露光区域は現像剤により除去さ
れる。この新規な被覆の複写条件は公知の手段、例えば
現像剤およびプログラム化スプレー現像装置に調節する
ことができる。現像剤水溶液は、例えばアルカリ金属リ
ン酸塩、アルカリ金属ケイ酸塩またはアルカリ金属水酸
化物、さらに湿潤剤および少量の有機溶剤を含有するこ
とができる。場合により、溶剤／水の混合物も現像剤と
して使用できる。最も有利な現像剤は、それぞれの場合
に使用する被覆で実験することにより決定できる。必要
であれば、現像を機械的に支援することができる。印刷
中の耐性、および洗浄剤、抹消液およびＵＶ光で硬化し
得るインクに対する耐性を強化するために、ＧＢ−Ａ
１１５４７４９でジアゾ被覆に関して記載されている様
に、現像した板を高温で短時間加熱することができる。
合、像様に露光した、または照射した被覆は、必要に応
じて熱的な後処理の後、市販のナフトキノンジアジド被
覆およびレジストに使用する現像剤と事実上同じ現像剤
で除去することができる。他方、本発明のネガ型放射線
感応性混合物の場合、未露光区域は現像剤により除去さ
れる。この新規な被覆の複写条件は公知の手段、例えば
現像剤およびプログラム化スプレー現像装置に調節する
ことができる。現像剤水溶液は、例えばアルカリ金属リ
ン酸塩、アルカリ金属ケイ酸塩またはアルカリ金属水酸
化物、さらに湿潤剤および少量の有機溶剤を含有するこ
とができる。場合により、溶剤／水の混合物も現像剤と
して使用できる。最も有利な現像剤は、それぞれの場合
に使用する被覆で実験することにより決定できる。必要
であれば、現像を機械的に支援することができる。印刷
中の耐性、および洗浄剤、抹消液およびＵＶ光で硬化し
得るインクに対する耐性を強化するために、ＧＢ−Ａ
１１５４７４９でジアゾ被覆に関して記載されている様
に、現像した板を高温で短時間加熱することができる。
【００３６】本発明の１，１，２，３，３，３−ヘキサ
フルオロプロパンスルホン酸ジアゾニウムは、上記の放
射線感応性混合物のみならず、感光性ジアゾニウム塩が
これまで使用されているすべての分野、例えばマイクロ
フィルムおよびジアゾタイプ用のダイライン、に使用す
ることができる。
フルオロプロパンスルホン酸ジアゾニウムは、上記の放
射線感応性混合物のみならず、感光性ジアゾニウム塩が
これまで使用されているすべての分野、例えばマイクロ
フィルムおよびジアゾタイプ用のダイライン、に使用す
ることができる。
【００３７】本発明の１，１，２，３，３，３−ヘキサ
フルオロプロパンスルホン酸ジアゾニウムおよびその放
射線感応性混合物における用途の例を以下に記載する
が、これらの例は本発明を限定するものではない。
フルオロプロパンスルホン酸ジアゾニウムおよびその放
射線感応性混合物における用途の例を以下に記載する
が、これらの例は本発明を限定するものではない。
【００３８】
【実施例】例１ ２，５−ジエトキシ−４−ｐ−トリルメルカプトベンゼ
ンジアゾニウム１，１，２，３，３，３−ヘキサフルオ
ロプロパンスルホン酸塩の合成（方法Ａ） ５０ｇの塩化２，５−ジエトキシ−４−ｐ−トリルメル
カプトベンゼンジアゾニウム 1/2 ＺｎＣｌ2 を１．５
リットルの水に溶解させた。次いで濾過した溶液に、強
く攪拌しながら、１，１，２，３，３，３−ヘキサフル
オロプロパンスルホン酸２０mlを滴下して加えた。油状
の滴として沈殿し、数分後に固化した生成物を吸引濾過
し、水１リットル中に強く攪拌しながら分散させ、再度
吸引濾過し、最後に乾燥させた。２，５−ジエトキシ−
４−ｐ−トリルメルカプトベンゼンジアゾニウム１，
１，２，３，３，３−ヘキサフルオロプロパンスルホン
酸塩５６．５ｇが細かい明褐色の粉末として得られた。
ンジアゾニウム１，１，２，３，３，３−ヘキサフルオ
ロプロパンスルホン酸塩の合成（方法Ａ） ５０ｇの塩化２，５−ジエトキシ−４−ｐ−トリルメル
カプトベンゼンジアゾニウム 1/2 ＺｎＣｌ2 を１．５
リットルの水に溶解させた。次いで濾過した溶液に、強
く攪拌しながら、１，１，２，３，３，３−ヘキサフル
オロプロパンスルホン酸２０mlを滴下して加えた。油状
の滴として沈殿し、数分後に固化した生成物を吸引濾過
し、水１リットル中に強く攪拌しながら分散させ、再度
吸引濾過し、最後に乾燥させた。２，５−ジエトキシ−
４−ｐ−トリルメルカプトベンゼンジアゾニウム１，
１，２，３，３，３−ヘキサフルオロプロパンスルホン
酸塩５６．５ｇが細かい明褐色の粉末として得られた。
【００３９】例２ ９−エチル−３−カルバゾールジアゾニウム１，１，
２，３，３，３−ヘキサフルオロプロパンスルホン酸塩
の合成（方法Ｂ） １，１，２，３，３，３−ヘキサフルオロプロパンスル
ホン酸３mlを、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２０mlお
よび９−エチル−３−カルバゾリルアミン４．２ｇの溶
液に加えた。０℃に冷却した後、亜硝酸イソアミル３ml
を、温度が１０℃を超えない様に攪拌しながら、滴下し
て加えた。滴加が完了した後、氷浴を除去し、反応混合
物の攪拌をさらに４時間続行した。ジエチルエーテル５
０mlを加え、生じた沈殿を吸引濾別し、少量のジエチル
エーテルで洗浄し、乾燥させた。９−エチル−３−カル
バゾールジアゾニウム１，１，２，３，３，３−ヘキサ
フルオロプロパンスルホン酸塩７．４ｇが黄色の細かい
結晶性粉末として得られた。
２，３，３，３−ヘキサフルオロプロパンスルホン酸塩
の合成（方法Ｂ） １，１，２，３，３，３−ヘキサフルオロプロパンスル
ホン酸３mlを、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２０mlお
よび９−エチル−３−カルバゾリルアミン４．２ｇの溶
液に加えた。０℃に冷却した後、亜硝酸イソアミル３ml
を、温度が１０℃を超えない様に攪拌しながら、滴下し
て加えた。滴加が完了した後、氷浴を除去し、反応混合
物の攪拌をさらに４時間続行した。ジエチルエーテル５
０mlを加え、生じた沈殿を吸引濾別し、少量のジエチル
エーテルで洗浄し、乾燥させた。９−エチル−３−カル
バゾールジアゾニウム１，１，２，３，３，３−ヘキサ
フルオロプロパンスルホン酸塩７．４ｇが黄色の細かい
結晶性粉末として得られた。
【００４０】例３〜９ 表１：合成したジアゾニウム１，１，２，３，３，３−
ヘキサフルオロプロパンスルホン酸塩
ヘキサフルオロプロパンスルホン酸塩
【表１】 Ｘ- ＝ＣＦ3 ＣＨＦＣＦ2 ＳＯ3 - ＊いずれの場合も、融解は分解およびガスの発生と共に
起きる。
起きる。
【００４１】例１０〜１９ 下記の例は、本発明のジアゾニウム１，１，２，３，
３，３−ヘキサフルオロプロパンスルホン酸塩の、放射
線感応性混合物の被覆に好ましい溶剤に対する改良され
た溶解性を示すものである。
３，３−ヘキサフルオロプロパンスルホン酸塩の、放射
線感応性混合物の被覆に好ましい溶剤に対する改良され
た溶解性を示すものである。
【００４２】表２：ジアゾニウム１，１，２，３，３，
３−ヘキサフルオロプロパンスルホン酸塩およびジアゾ
ニウムトリフルオロメタンスルホン酸塩の溶解性
３−ヘキサフルオロプロパンスルホン酸塩およびジアゾ
ニウムトリフルオロメタンスルホン酸塩の溶解性
【表２】 ＊プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート ＊＊テトラヒドロフランおよびプロピレングリコールモ
ノメチルエーテルの、体積比１：１の混合物
ノメチルエーテルの、体積比１：１の混合物
【００４３】例２０〜２３ 電気化学的に粗面化され、陽極酸化されたアルミニウム
製の板を、９．００重量部の、ポリヒドロキシスチレン
とジ炭酸ジ−ｔｅｒｔ−ブチルの反応生成物（ＯＨ価２
６７） ０．５０重量部の、表３に示すジアゾニウム１，１，
２，３，３，３−ヘキサフルオロプロパンスルホン酸塩 ０．０８重量部のクリスタルバイオレットベースおよび
１７５重量部のブタノン（メチルエチルケトン）からな
る溶液でスピンコーティングし、乾燥加熱炉中、１００
℃で加熱した。乾燥後、被覆厚は１．９μｍであった。
板を、濃度勾配０．１５で１３階段を有するハーフトー
ン・ステップ・ウェッジを通し、５kWハロゲン化金属ラ
ンプの下で、１１０cmの距離で露光させ、１００℃で１
分間後加熱し、組成 ５．５重量部のメタケイ酸ナトリウム・９Ｈ2 Ｏ ３．４重量部のリン酸三ナトリウム・１２Ｈ2 Ｏ ０．４重量部の無水リン酸一ナトリウムおよび９０．７
重量部の十分に脱イオン化した水を有する水性アルカリ
現像剤で３０秒間現像した。それぞれの場合に、印刷版
下の陽画像が得られた。表３は、ハーフトーン・ウェッ
ジのステップ３が完全にオープン形で再現された露光時
間を示す。
製の板を、９．００重量部の、ポリヒドロキシスチレン
とジ炭酸ジ−ｔｅｒｔ−ブチルの反応生成物（ＯＨ価２
６７） ０．５０重量部の、表３に示すジアゾニウム１，１，
２，３，３，３−ヘキサフルオロプロパンスルホン酸塩 ０．０８重量部のクリスタルバイオレットベースおよび
１７５重量部のブタノン（メチルエチルケトン）からな
る溶液でスピンコーティングし、乾燥加熱炉中、１００
℃で加熱した。乾燥後、被覆厚は１．９μｍであった。
板を、濃度勾配０．１５で１３階段を有するハーフトー
ン・ステップ・ウェッジを通し、５kWハロゲン化金属ラ
ンプの下で、１１０cmの距離で露光させ、１００℃で１
分間後加熱し、組成 ５．５重量部のメタケイ酸ナトリウム・９Ｈ2 Ｏ ３．４重量部のリン酸三ナトリウム・１２Ｈ2 Ｏ ０．４重量部の無水リン酸一ナトリウムおよび９０．７
重量部の十分に脱イオン化した水を有する水性アルカリ
現像剤で３０秒間現像した。それぞれの場合に、印刷版
下の陽画像が得られた。表３は、ハーフトーン・ウェッ
ジのステップ３が完全にオープン形で再現された露光時
間を示す。
【００４４】表３ 例 表１に示す酸供与体 露光時間（秒） ２０ ３ １２ ２１ ４ ６０ ２２ ５ ２５ ２３ ８ ４０比較＊ − ７５ ＊標準的なポジ型印刷板 (R) OZASOL P61 例２０の板をオフセット印刷機械に取り付け、１００，
０００部を超える良品質の印刷を行なった。
０００部を超える良品質の印刷を行なった。
【００４５】例２４ 電気化学的に粗面化され、陽極酸化されたアルミニウム
製の板を、２７．００重量部のノボラック樹脂（(R) Al
novol PN 429/430) 、８．００重量部の、オルトギ酸ト
リメチルおよび２−エチル−２−（４−ヒドロキシブト
キシメチル）−１，３−プロパンジオールの反応により
製造された重合体オルトエステル、０．７０重量部の、
例３、表１に示すジアゾニウム１，１，２，３，３，３
−ヘキサフルオロプロパンスルホン酸塩 ０．２０重量部のクリスタルバイオレット塩化物および
６７５重量部のブタノンからなる溶液でスピンコーティ
ングし、乾燥加熱炉中、１００℃で加熱した。乾燥後、
被覆厚は１．９μｍであった。板を、濃度勾配０．１５
で１３階段を有するハーフトーン・ステップ・ウェッジ
を通し、５kWハロゲン化金属ランプの下で、１１０cmの
距離で露光させ、１００℃で１分間後加熱し、例２０〜
２３に示す組成を有し、水で１：１に希釈した水性アル
カリ現像剤で３０秒間現像した。フィルム印刷版下の陽
画像が得られ、使用したハーフトーン・ウェッジのステ
ップ３が完全にオープン形で板上に再現された。
製の板を、２７．００重量部のノボラック樹脂（(R) Al
novol PN 429/430) 、８．００重量部の、オルトギ酸ト
リメチルおよび２−エチル−２−（４−ヒドロキシブト
キシメチル）−１，３−プロパンジオールの反応により
製造された重合体オルトエステル、０．７０重量部の、
例３、表１に示すジアゾニウム１，１，２，３，３，３
−ヘキサフルオロプロパンスルホン酸塩 ０．２０重量部のクリスタルバイオレット塩化物および
６７５重量部のブタノンからなる溶液でスピンコーティ
ングし、乾燥加熱炉中、１００℃で加熱した。乾燥後、
被覆厚は１．９μｍであった。板を、濃度勾配０．１５
で１３階段を有するハーフトーン・ステップ・ウェッジ
を通し、５kWハロゲン化金属ランプの下で、１１０cmの
距離で露光させ、１００℃で１分間後加熱し、例２０〜
２３に示す組成を有し、水で１：１に希釈した水性アル
カリ現像剤で３０秒間現像した。フィルム印刷版下の陽
画像が得られ、使用したハーフトーン・ウェッジのステ
ップ３が完全にオープン形で板上に再現された。
【００４６】例２５〜２７ 電気化学的に粗面化され、陽極酸化されたアルミニウム
製の板を、９．００重量部のノボラック樹脂（(R) Alno
vol PN 429/430) 、２．００重量部の、２，３，４−ト
リヒドロキシベンゾフェノン１モルおよび塩化（１，２
−ナフトキノン ２−ジアジド）−５−スルホニル３モ
ルのエステル化生成物、０．２０重量部のクリスタルバ
イオレット塩化物および１７５重量部のブタノンからな
り、表４に示す重量部の様々な物質をそれぞれの場合に
コントラスト形成剤として加えた溶液をスピンコーティ
ングし、乾燥加熱炉中、１００℃で加熱した。乾燥後、
被覆厚は１．９μｍであった。板を、光に対して不透明
な黒色シートで半分覆い、５kWハロゲン化金属ランプの
下で、１１０cmの距離で露光させた。形成された画像コ
ントラストを、未露光区域およご露光区域のフルトーン
濃度の差として測定した後、板を１００℃で熟成させ、
画像コントラストの経時低下を観察した。表４は、本発
明のジアゾニウム１，１，２，３，３，３−ヘキサフル
オロプロパンスルホン酸塩を使用した場合の画像コント
ラストの優れた熱的安定性を示している。
製の板を、９．００重量部のノボラック樹脂（(R) Alno
vol PN 429/430) 、２．００重量部の、２，３，４−ト
リヒドロキシベンゾフェノン１モルおよび塩化（１，２
−ナフトキノン ２−ジアジド）−５−スルホニル３モ
ルのエステル化生成物、０．２０重量部のクリスタルバ
イオレット塩化物および１７５重量部のブタノンからな
り、表４に示す重量部の様々な物質をそれぞれの場合に
コントラスト形成剤として加えた溶液をスピンコーティ
ングし、乾燥加熱炉中、１００℃で加熱した。乾燥後、
被覆厚は１．９μｍであった。板を、光に対して不透明
な黒色シートで半分覆い、５kWハロゲン化金属ランプの
下で、１１０cmの距離で露光させた。形成された画像コ
ントラストを、未露光区域およご露光区域のフルトーン
濃度の差として測定した後、板を１００℃で熟成させ、
画像コントラストの経時低下を観察した。表４は、本発
明のジアゾニウム１，１，２，３，３，３−ヘキサフル
オロプロパンスルホン酸塩を使用した場合の画像コント
ラストの優れた熱的安定性を示している。
【００４７】表４ 例番号 コントラスト形成剤 重量部 画像ゼロ値 コントラスト １５分 ４時間 25 塩化(1,2- ナフトキノン 0.3 0.24 0.03 - 2-ジアジド)-4-スルホニル 26 2-(4- スチルベニル)-4,6- 0.1 0.25 0.02 - ビス- トリクロロメチル- s-トリアジン 27 表１によるジアゾニウム 0.45 0.29 0.28 0.25 1,1,2,3,3,3-ヘキサフル オロプロパンスルホン酸塩
【００４８】実施例２８ 接着促進被覆を有する１２５μｍ厚のポリ（エチレンテ
レフタレート）シートを、６７．５重量部のアセトン、
１７．５重量部のメタノール、４．０重量部のｎ−ブタ
ノール、４．０重量部のエチレングリコールモノメチル
エーテル、７．０重量部の酢酸プロピオン酸セルロー
ス、０．２重量部の５−スルホサリチル酸、１．７重量
部の、例９、表１によるジアゾニウムヘキサフルオロプ
ロパンスルホン酸塩、および１．０重量部の２，２´−
ジメチル−４，４´−ジヒドロキシ−５，５´−ジ−ｔ
ｅｒｔ−ブチル−ジフェニルスルフィドからなる溶液で
被覆し、循環空気式乾燥加熱炉中、９０℃で１分間乾燥
させた。乾燥後、被覆重量は８g/m 2 であった。得られ
た複写フィルムを透明なラインアートを通して露光し、
湿ったアンモニアガス中で現像した。透明な背景上にオ
レンジ−赤色の線を有する、フィルム版下のポジ型コピ
ーが得られた。
レフタレート）シートを、６７．５重量部のアセトン、
１７．５重量部のメタノール、４．０重量部のｎ−ブタ
ノール、４．０重量部のエチレングリコールモノメチル
エーテル、７．０重量部の酢酸プロピオン酸セルロー
ス、０．２重量部の５−スルホサリチル酸、１．７重量
部の、例９、表１によるジアゾニウムヘキサフルオロプ
ロパンスルホン酸塩、および１．０重量部の２，２´−
ジメチル−４，４´−ジヒドロキシ−５，５´−ジ−ｔ
ｅｒｔ−ブチル−ジフェニルスルフィドからなる溶液で
被覆し、循環空気式乾燥加熱炉中、９０℃で１分間乾燥
させた。乾燥後、被覆重量は８g/m 2 であった。得られ
た複写フィルムを透明なラインアートを通して露光し、
湿ったアンモニアガス中で現像した。透明な背景上にオ
レンジ−赤色の線を有する、フィルム版下のポジ型コピ
ーが得られた。
Claims (12)
- 【請求項１】芳香族および複素芳香族(heteroaromatic)
のモノ−またはビスジアゾニウム１，１，２，３，３，
３−ヘキサフルオロプロパンスルホン酸塩。 - 【請求項２】必要に応じてハロゲン原子、またはヒドロ
キシル、（Ｃ1 〜Ｃ4 ）アルコキシ、フェノキシ、（Ｃ
1 〜Ｃ4 ）アルキル、アミノ、（Ｃ1 〜Ｃ4 ）アルキル
アミノ、ジ（Ｃ1 〜Ｃ4 ）アルキルアミノ、（Ｃ1 〜Ｃ
4 ）ヒドロキシアルキルアミノ、ジ（Ｃ1 〜Ｃ4 ）ヒド
ロキシアルキルアミノ、（Ｃ1 〜Ｃ4 ）ヒドロキシアル
キル（Ｃ1 〜Ｃ4 ）アルキルアミノ、ピロリジノ、ピペ
リジノ、モルホリノ、フェニルアミノ、ニトロ、フェニ
ルまたはフェニルアゾ、フェニルメルカプトまたはベン
ゾイル基により置換され、ベンゾイル基はさらに（Ｃ1
〜Ｃ4 ）アルキル、（Ｃ1 〜Ｃ4 ）アルコキシまたはジ
アゾニウム基により、フェニルメルカプト基が（Ｃ1 〜
Ｃ4 ）アルキルまたは（Ｃ1 〜Ｃ4 ）アルコキシ基で置
換されていることができる、ベンゼンジアゾニウム１，
１，２，３，３，３−ヘキサフルオロプロパンスルホン
酸塩およびフルオレンジアゾニウム１，１，２，３，
３，３−ヘキサフルオロプロパンスルホン酸塩。 - 【請求項３】ジ−ｘ−ベンゾフランジアゾニウム１，
１，２，３，３，３−ヘキサフルオロプロパンスルホン
酸塩、ジ−ｘ−ベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェンジアゾニウ
ム１，１，２，３，３，３−ヘキサフルオロプロパンス
ルホン酸塩、または９−（Ｃ1〜Ｃ4 ）アルキル−ｘ−
カルバゾールジアゾニウム１，１，２，３，３，３−ヘ
キサフルオロプロパンスルホン酸塩（ここでｘは位置番
号を規定する）。 - 【請求項４】ａ）化学放射線に露出されることにより酸
を形成する化合物、 ｂ1 ）ポジ型混合物に対しては、放射線または酸に露出
されることにより、アルカリ水溶液中の溶解度が増加す
る化合物、または ｂ2 ）ネガ型混合物に対しては、酸に露出されることに
より、アルカリ水溶液中の溶解度が減少する化合物、お
よび必要に応じて ｃ）水には不溶であるが、アルカリ水溶液には可溶であ
るか、または少なくとも膨潤可能である重合体有機結合
剤を含有する放射線感応性混合物であって、化合物ａ）
が、請求項１〜３のいずれか１項に記載の芳香族または
複素芳香族ジアゾニウム塩である混合物。 - 【請求項５】酸に露出されることにより、アルカリ水溶
液中の溶解度が増加する化合物ｂ1）が、酸に敏感な基
を含む重合体である、請求項４に記載の放射線感応性混
合物。 - 【請求項６】酸に敏感な基を含む重合体が、少なくとも
１個の、酸により開裂し得るＣ−Ｏ−Ｃ結合を有する重
合体、好ましくは芳香族環が、酸により開裂し得るｔｅ
ｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ
カルボニルまたはｔｅｒｔ−ブトキシ基で置換された重
合体、である、請求項５に記載の放射線感応性混合物。 - 【請求項７】化学放射線に露出されることにより、アル
カリ水溶液中の溶解度が増加する化合物ｂ1 ）が、ｏ−
キノンジアジド、好ましくはｏ−ナフトキノンジアジ
ド、である、請求項４に記載の放射線感応性混合物。 - 【請求項８】ｏ−ナフトキノンジアジドが、（１，２−
ナフトキノン２−ジアジド）−４−または−５−スルホ
ン酸と、フェノール性水酸基を含む化合物、好ましくは
２〜６個のフェノール性水酸基を含む化合物、のエステ
ルである、請求項７に記載の放射線感応性混合物。 - 【請求項９】化合物ｂ2 ）が少なくとも２個の酸により
架橋し得る基、好ましくはヒドロキシメチル、アルコキ
シメチルまたはオキシラニルメチル、基を含む、請求項
４に記載の放射線感応性混合物。 - 【請求項１０】化合物ｂ2 ）が、少なくとも２個のＮ−
ヒドロキシメチル、Ｎ−アルコキシメチルまたはＮ−ア
シルオキシメチル基を含む、メラミン／ホルムアルデヒ
ドまたは尿素／ホルムアルデヒド縮合物である、請求項
９に記載の放射線感応性混合物。 - 【請求項１１】バインダーｃ）が、フェノール性水酸基
を含む、またはカルボキシル基を含む重合体、好ましく
はノボラックまたはポリヒドロキシスチレン、である、
請求項４〜８のいずれか１項に記載の放射線感応性混合
物。 - 【請求項１２】基材および放射線感応性被覆を有し、前
記被覆が請求項４〜１１のいずれか１項に記載の放射線
感応性混合物からなる記録材料。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GE4414897.6 | 1994-04-28 | ||
| DE4414897A DE4414897A1 (de) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | Aromatische Diazoniumsalze und deren Verwendung in strahlungsempfindlichen Gemischen |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0853401A true JPH0853401A (ja) | 1996-02-27 |
Family
ID=6516712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7106436A Pending JPH0853401A (ja) | 1994-04-28 | 1995-04-28 | 芳香族ジアゾニウム塩およびそれらの放射線感応性混合物における使用 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5776652A (ja) |
| EP (1) | EP0679635B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0853401A (ja) |
| KR (1) | KR950032089A (ja) |
| BR (1) | BR9501829A (ja) |
| DE (2) | DE4414897A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012102404A1 (ja) | 2011-01-30 | 2012-08-02 | Ｍｅｉｊｉ Ｓｅｉｋａファルマ株式会社 | 外用抗真菌剤 |
| WO2014021284A1 (ja) | 2012-07-30 | 2014-02-06 | Ｍｅｉｊｉ Ｓｅｉｋａファルマ株式会社 | 抗白癬菌症貼付剤 |
| WO2014021282A1 (ja) | 2012-07-30 | 2014-02-06 | Ｍｅｉｊｉ Ｓｅｉｋａファルマ株式会社 | 抗白癬菌症外用液剤 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3108376B2 (ja) * | 1996-07-04 | 2000-11-13 | 沖電気工業株式会社 | 感熱記録媒体用のジアゾニウム塩 |
| TWI250379B (en) * | 1998-08-07 | 2006-03-01 | Az Electronic Materials Japan | Chemical amplified radiation-sensitive composition which contains onium salt and generator |
| JP4494060B2 (ja) * | 2004-03-30 | 2010-06-30 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
| EP1705519B1 (en) * | 2005-03-20 | 2016-07-06 | Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. | Method of treating a microelectronic substrate |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1447963B2 (de) * | 1965-11-24 | 1972-09-07 | KaIIe AG, 6202 Wiesbaden Biebnch | Verfahren zur herstellung einer offsetdruckform aus einem vorsensibilisierten druckplattenmaterial |
| US3849392A (en) * | 1969-05-20 | 1974-11-19 | Kalle Ag | Process for the production of polycondensation products of aromatic diazonium compounds |
| US3679419A (en) * | 1969-05-20 | 1972-07-25 | Azoplate Corp | Light-sensitive diazo condensate containing reproduction material |
| CH621416A5 (ja) * | 1975-03-27 | 1981-01-30 | Hoechst Ag | |
| DE2641099A1 (de) * | 1976-09-13 | 1978-03-16 | Hoechst Ag | Lichtempfindliche kopierschicht |
| DE2718254C3 (de) * | 1977-04-25 | 1980-04-10 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Strahlungsempfindliche Kopiermasse |
| US4491628A (en) * | 1982-08-23 | 1985-01-01 | International Business Machines Corporation | Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone |
| DE3634371A1 (de) * | 1986-10-09 | 1988-04-21 | Hoechst Ag | Lichtempfindliches gemisch und hieraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial |
| DE3711264A1 (de) * | 1987-04-03 | 1988-10-13 | Hoechst Ag | Lichtempfindliches gemisch und hieraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial |
| JP2768692B2 (ja) * | 1988-08-01 | 1998-06-25 | 株式会社日立製作所 | 感放射線組成物及びパターン形成方法 |
| DE4112968A1 (de) * | 1991-04-20 | 1992-10-22 | Hoechst Ag | Saeurespaltbare verbindungen, diese enthaltendes positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
| DE4120172A1 (de) * | 1991-06-19 | 1992-12-24 | Hoechst Ag | Strahlungsempfindliches gemisch, das als bindemittel neue polymere mit einheiten aus amiden von (alpha),(beta)-ungesaettigten carbonsaeuren enthaelt |
| JPH0561191A (ja) * | 1991-09-04 | 1993-03-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性平版印刷版 |
-
1994
- 1994-04-28 DE DE4414897A patent/DE4414897A1/de not_active Withdrawn
-
1995
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- 1995-04-28 KR KR1019950010220A patent/KR950032089A/ko not_active Application Discontinuation
-
1997
- 1997-10-14 US US08/949,777 patent/US5776652A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012102404A1 (ja) | 2011-01-30 | 2012-08-02 | Ｍｅｉｊｉ Ｓｅｉｋａファルマ株式会社 | 外用抗真菌剤 |
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