KR0163953B1 - 포지티브형 감방사선 혼합물 및 이로부터 제조된 감방사선 복사물질 - Google Patents

포지티브형 감방사선 혼합물 및 이로부터 제조된 감방사선 복사물질 Download PDF

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Abstract

포지티브-작용성 방사선-감수성 혼합물 및 이로부터 제조된 방사선-감수성 복사 물질.
a) 조사시 강산을 형성하는 하기 일반식(I)의 α, α-비스(설포닐)디아조메탄:
Figure kpo00001
상기식에서, R은 임의로 치환된 알킬, 사이클로알킬, 아릴 또는 헤테로아릴 라디칼이다, b) 산에 의해 분해될 수 있는 적어도 하나의 C-O-C- 또는 C-O-Si- 결합을 갖는 화합물 및 c) 알칼리성-수용액 내에서 가용성이거나 적어도 팽윤성인 수-불용성 결합제를 필수 성분으로 함유하는 포지티브-작용성 방사선-감수성 혼합물에 관한 설명이다.
본 발명에 따른 방사선-감수성 혼합물의 광범위한 스펙트럼 영역에 걸친 고도의 민감성은 주목할만하다. 또한 본 혼합물은 높은 열안정성을 가지며 광성 노출시 어떠한 부식성의 광분해적 생성물도 형성하지 않는다.

Description

포지티브형 감방사선 혼합물 및 이로부터 제조된 감방사선 복사 물질
본 발명은 필수 성분으로서 방사선 조사(irradiation)시 강산을 형성하는 화합물(a).
산에 의해 분해될 수 있는 C-O-C- 또는 C-O-Si- 결합 중의 하나 이상을 갖는 화합물(b) 및 알칼리성 수용액 속에서 가용성이거나 적어도 팽윤성인 수불용성 결합제(c)를 함유하는 포지티브형 감방사선 혼합물(positive-working radiation-sensitive mixture)에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 이 혼합물로부터 제조되는 감광성 내식막(photoresist), 전자 부품, 인쇄 판의 제조 또는 화학적 분쇄에 적합한 감방사선 복사 물질(radiation-sensitive copying material)에 관한 것이다.
UV 석판인쇄법(lithography)에 있어서, 분해능(resolution)의 한계는 사용되는 방사선의 파장에 따라 좌우된다. 그러므로, 예를 들면, 칩(chip) 생산에 있어서, 구조적 치수를 연속적으로 소형화하기 위해 서브마이크론 영역(submicron region)에 대한 변형된 석판인쇄 기술이 요구된다. 이들 영역은 파장이 짧기 때문에, 예를 들면, 고에너지 UV 광 또는 전자 비임(beam) 및 X선 비임이 사용된다. 그러나, 석판인쇄 기술의 변형은 특히, 감방사선 혼합물에 대해 부과된 필요 조건의 변형을 의미한다. 예를 들면, 이러한 필요 조건들의 요약은 씨. 지. 윌슨(C. G. Willson)의 논문[참조 : Organic Resist Materials-Theory and Chemistry (Introduction to Micro-lithography, Theory, Materials, and Processing, edited by L. F. Thompson, C. G. Willson, M. J. Bowden, ACS Symp. Ser., 219, 87(1983), American Chemical Society, Washington)]에 기술되어 있다. 따라서, 광범위한 스펙트럼 영역에서 바람직하게는 민감한 감방사선 혼합물이 강력하게 요구되고 있으며, 따라서 통상적인 UV 석판인쇄법 또는, 예를 들면, 감수성의 손실이 없는 중 UV(mid-UV), 심 UV(deep-UV), 전자 또는 X선 석판인쇄법과 같은 개선된 기술을 사용할 수 있다.
위에서 언급한 조성물의 혼합물은 원칙적으로 공지되어 있으며, 예를 들면, 문헌에 기술되어 있다[참조 : DE-A 2,306,248(=US-A 3,779,778), 2,610,842(=US-A 4,101,323), 2,718,254(=US-A 4,247,611), 2,718,259(=US-A 4,189,323), 2,928,636(=US-A 4,311,782), 3,151,078(=US-A 4,506,006), 3,544,165(=US-A 4,786,577), 3,601,264, 3,730,783, 3,730,785 및 3,730,787, EP-A 0,006,626(=US-A 4,250,247), 0,006,627(US-A 4,248,957), 0,042,562(=US-A 4,506,003), 0,202,196, 0,302,359 및 US-A 4,491,628 및 4,603,101].
위에서 기술한 물질에 조사하는 경우, 화합물(a)는 광분해되어 산을 형성하며, 이 산은 감광성 층의 조사된 영역이 수성의 알칼리성 현상액 속에서 가용성화되는 방법으로 화합물(b)의 C-O-C- 또는 C-O-Si- 결합을 분해한다.
광분해성 산 공여체로 특징지워질 수 있는 화합물(a)로서, 특히 비친핵성 산의 디아조늄, 포스포늄, 설포늄 및 요오드늄 염과 같은 오늄 염, 예를 들면, HSbF6, HAsF6또는 HPF6[참조 : J. V. Crivello, Polym. Eng. Sci., 23, 953(1983)]. 할로겐 화합물[참조 : EP-A 0,232,972, DE-A 1,572,089(=GB-A 1,163,324), DE-A 1,817,540(=US-A 3,615,455), DE-A 1,949,010(=US-A 3,686,084), DE-A 2,317,846(=GB-A 1,381,471 및 1,381,472), US-A 3,912,606)], 특히 트리클로로메틸 트리아진 유도체[참조 : DE-A 1,298,414(=GB-A 1,234, 648), 2,243,621(=GB-A 1,388,492), 2,306,248, 2,718,259, 3,333,450(=ZA 84/7165), 3,337,024(=US-A 4,619,998 및 4,696,888) 및 US-A 3,515,552, 3,536,489 및 3,615,630)] 또는 트리클로로메틸 옥사디아졸 유도체[참조 : DE-A 2,851,472(=US-A 4,212,970 및 4,232,106), 2,949,396(=US-A 4,279,982), 3,021,590(=US-A 4,371,607), 3,021,599(=US-A 4,371,606) 및 DE-A 3,333,450], o-퀴논디아지드설포클로라이드 또는 유기 금속 / 유기 할로겐 혼합물이 지금까지 권장되어 왔다.
그러나, 이러한 광분해성 산 공여체를 사용하는 경우에는 다수의 응용 분야에서 이들의 가능한 용도가 크게 제한된다는 단점이 있다. 그러므로, 예를 들면, 다수의 오늄염은 독성이 있다. 다양한 용매 속에서의 이들의 용해도는 충분치 못하며, 그 결과 내식막 피복 용매의 선택이 제한된다. 또한, 오늄염이 사용되는 경우, 일부의 바람직하지 않은 외부 원자가 도입됨으로써, 그 결과 공정상, 특히 마이크로 석판인쇄에 있어서 문제가 발생할 수 있다. 더욱이, 광분해 동안에, 이들 오늄염은 매우 강한 부식 작용과 함께 브뢴스테드 산(Bronstedt acid)을 형성하여 민감성 지지체(sensitive substrate)에 대한, 이들 산을 함유하는 감방사선 혼합물의 사용을 만족스럽지 못하게 한다. 할로겐 화합물 및 퀴논디아지드 설포닐 클로라이드는 또한 강력한 부식 작용을 지니는 할로겐화 수소산(hydrohalic acid)을 형성한다. 더욱이, 특정 지지체에 대하여 이러한 화합물들은 단지 제한된 저장 수명(storage life)을 가지며, 이는 과거에 참고문헌[참조 : DE-A 3,621,376(=US-A 4,840,867)]의 기술에 따라 지지체와 (a)형 화합물을 함유하는 방사선 감수성층 사이에 중간층을 도입시킴으로써 개선되었으나, 결함의 증가 및 공정 재생산성의 감소와 같은 바람직하지 않은 결과를 초래하였다. 또한, (b)형 화합물은 감광성 층에서 우수한 이동성(mobility)을 갖는 위에서 언급한 형태의 산에 의해서만 분해될 수 있다는 견해도 있었다.
그러나, 최근의 연구[F. M. Houlihan et al., SPIE 920, 67(1988)]는 위에서 언급한 산 공여체 이외에, 광에 노광(exposure)되는 경우 낮은 이동성의 설폰산을 형성하는 니트로벤질 토실레이트가 특정 산 불안정성 내식막(acid-labile resist) 제제에 사용될 수 있다는 것을 보이고 있다. 그러나, 이러한 경우에 성취되는 민감성 및 감광성 내식막의 열안정성은 불충분하다.
그러므로, 언급된 단점들 때문에, 광분해적으로 작용하며, 감방사선 혼합물의 성분으로서 위에서 기술한 단점을 갖지 않고, 짧은 노광 시간에서도 (b)형 화합물을 이들의 분해 생성물로 전환시키기에 충분한 반응성 및 산 농도를 갖는 추가의 산 공여체를 필요로 한다.
그러므로, 본 발명의 목적은 산에 의해 분해될 수 있는 화합물과 혼합된, 산형성 화합물을 기본으로 하는 감방사선 혼합물을 제공하는 것으로, 이 혼합물에 있어서, 광분해적으로 산을 형성하는 화합물(a)는 모든 공지된 지지체에 대하여 가능한 한 안정해야 하며, 비부식성 작용과 함께 광 생성물로서 산을 생성해야 한다.
본 발명에 따라서, 감방사선 혼합물은 다음의 필수 성분을 함유하는 것으로 제안된다:
화학 방사선(actinic radiation)에 노광시키는 경우 강산을 형성하는 화합물(a), 산에 의해 분해될 수 있는 C-O-C- 또는 C-O-Si- 결합 중 하나 이상을 갖는 화합물(b) 및 알칼리성 수용액 속에서 가용성이거나 적어도 팽윤성인 수불용성 결합제(c).
본 발명에 따르는 혼합물은 조사시키는 경우 강산을 형성하는 화합물(a)가 다음 일반식(I)의 α, α-비스(설포닐) 디아조메탄인 혼합물이다:
Figure kpo00002
상기식에서, R은 임의 치환된 알킬, 사이클로알킬, 아릴 또는 헤테로아릴 라디칼이다.
또한, 본 발명에 따라서, 지지체 위의 감방사선 층으로서 위에서 기술한 혼합물을 함유하는 감방사선 복사 물질이 제공된다.
본 발명에 따르는 감방사선 혼합물은 광범위한 스펙트럼 범위에 걸쳐 높은 민감성을 갖는다는 것이 주목할만하다. 이는 열 안정성이 높고, 구조적으로 정밀한 마스터(master)의 가장 정밀한 구조 조차도 재현할 수 있는 가능성을 제공한다. 광에 노광시키는 경우, 부식성 광분해 생성물은 형성되지 않으며, 그 결과 혼합물은 민감성 지지체 물질에 대해서도 사용될 수 있다.
감방사선 혼합물의 제조에 있어서, 일반식(I)의 화합물(여기서, R은 임의 치환된 알킬 또는 사이클로알킬 라디칼, 임의 치환된 아릴 라디칼 또는 임의 치환된 헤테로아릴 라디칼이다)이 사용될 수 있다.
일반식(I)의 α, α-비스(설포닐)-디아조메탄에 적합한 치환체 R의 예는 다음과 같다: 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실, 사이클로헥실, 노닐, 데실 또는 운데실 그룹 및 또한 이들의 위치 이성체, 벤젠 및 나프탈렌과 같은 아릴, 헤테로 원자로서 O, N 또는 S를 함유하는 방향족 화합물 및 이들의 유도체(여기서, 하나 이상의 수소원자는, 예를 들면, 알킬, 알콕시, 알콕시알킬, 아릴, 아릴옥시, 아릴알콕시, 할로, 시아노, 니트로, 카보닐, 카복실, 아미도 또는 이와 유사한 라디칼에 의해 치환된다). 특히 바람직한 치환체는 알킬, 알콕시, 알콕시알킬, 카보닐, 아미도, 니트로 라디칼 또는 할로겐, 특히 1 내지 4개의 탄소원자를 함유하는 알킬 또는 알콕시 라디칼이다. 방향족 라디칼의 다치환이 존재하는 경우, 적합한 치환제는 주로 알킬 또는 할로겐이다. 특히, 이들은 이치환된 라디칼 R이다. 그러나, 불소가 라디칼 R의 치환체인 경우, 2개 이상의 불소원자는 또한 라디칼 R의 치환체일 수 있으나, 이는 바람직하지 않다. R이 헤테로 아릴인 경우, R이 이핵성(binuclear) 라디칼인 경우에도, 이 라디칼은 가장 유력하게는 하나의 헤테로 원자를 함유한다. N이 헤테로원자로서 선택되는 경우, 이는 하나의 핵에 대해 많아야 2개 존재할 수 있다.
라디칼로서 R=알킬을 함유하는 일반식(I)의 화합물들 중에서, 1 내지 6개의 탄소원자를 함유하는 것이 바람직하며, 라디칼로서 R=아릴을 함유하는 일반식(I)의 화합물 중에는, R이 일핵성 또는 이핵성 방향족 라디칼인 것이 바람직하다:
특히 적합한 일반식(I)의 α, α-비스(설포닐)-디아조메탄의 예는 다음과 같다.
Figure kpo00003
Figure kpo00004
Figure kpo00005
Figure kpo00006
Figure kpo00007
Figure kpo00008
위에서 언급한 화합물은 220 내지 270nm의 범위에서 최대 흡수치를 가지므로, 이는 고에너지 UV 방사선을 사용한 조사에 있어서 매우 적합하다.
R이 치환된 아릴 라디칼인 일반식(I)의 위에서 언급한 화합물중에서, 다음의 화합물이 특히 바람직하다.
Figure kpo00009
Figure kpo00010
Figure kpo00011
이들 화합물은 한편으로는 높은 광분해 반응성과 다른 한편으로는 충분한 열안정성을 갖기 때문에 특히 적합하다.
본 발명에 따르는 α, α-비스(아릴설포닐)디아조 메탄 유도체의 제조방법은 그 자제로 공지되어 있다. 이들의 제조방법은, 예를 들면, 문헌에 기술되어 있다[참조 : F. Klages et al., Chem. Ber., 97, 735(1964)].
또한, 포지티브형 물질, 특히 인쇄판에 대한 용해 억제제로서의 이들의 용도는 이전에 연구된 바 있다[참조 : A. Poot et al., J. Photogr. Sci., 19, 88(1971)]; 그러나, 이들은 감광성이 불충분하기 때문에 감광성 내식막 제형에서의 이들의 적합성은 사실상 배제된다.
그러므로, 본 발명에 따라 사용되는 일반식(I)의 화합물은 광분해 동안 본 발명에 따라, 고도의 민감성을 갖는 포지티브형 감방사선 혼합물의 제조를 가능하게 하는 적절한 양의 충분히 강한 산을 형성한다는 것은 특히 놀라운 점이다. 형성되는 산의 함량 및 특성에 관한 정확한 개념은 없을지라도, 설폰산 및 설핀산의 광분해 결과 생성되며 이들은 (b)형 화합물의 불안정한 결합을 분해할 수 있는 것으로 추측될 수 있다.
예를 들면, 염산과 같이 종래 사용된 광분해적으로 생성된 산과 비교하여, 이들 산은, 고분자량으로 인해, 본 발명에 따르는 감방사선 혼합물 속에서 훨씬 낮은 확산경향 또는 이동성을 가지며, 그 결과 한편으로는 놀랍게도 최고의 필요 조건들을 만족시키는 상분화(image differentiation)를 수행시킬 수 있으나, 다른 한편으로는 더욱 놀랍게도 감방사선 혼합물의 대등한 민감성, 콘트라스트 및 결과적으로 분해능이 추가로 증가한다. 또한, 일반식(I)의 α, α-비스 (설포닐)디아조메탄이 고에너지 단파 방사선에 의해 활성화되고, 이어서, 예를 들면, 고에너지 UV2 방사선(248m)에 대해 매우 민감한 감광성 내식막을 제조할 수 있다는 것은 놀라운 점이다. 그러나, 특히 충분한 스펙트럼 민감성이 통상적인 광학 석판인쇄 영역(436nm)에서도 존재하는 것은 기대하지 않은 것이다.
이점에 있어서, 화학선은 적어도 단파 가시광선과 동일한 에너지를 갖는 특정한 방사선을 의미하는 것으로 이해된다. 이점에 있어서, 특히 190 내지 450nm, 바람직하게 200 내지 400nm, 특히 바람직하게 200 내지 300nm 범위의 UV 방사선이 사용되지만, 전자 방사선과 X선 또한 적합하다.
본 발명에 따라 사용되는 α, α-비스(아릴설포닐) 디아조메탄의 일부 신규한 제조방법은 바람직한 비스(4-3급-부틸페닐설포닐)디아조메탄을 기준으로 설명한다(pbw=중량부):
4-3급-부틸티오페놀 37.3pbw를 수산화나트륨 100pbw에 가하고, 용액이 투명해질때까지 실온에서 교반한다. 당해 티오페놀 용액에 디클로로메탄 18.2pbw를 가한다. 혼합물을 환류하에서 8시간 동안 가열한다. 생성된 포름알데히드 비스(4-3급-부틸페닐머캅탈)을 에테르에 용해시키고 물 200ml로 2회 세척한다. 이어서, 황산 마그네슘을 사용하여 건조시키고, 에테르를 증류제거한다. 무색 오일 36pbw가 남는다. 이 오일 20pbw를 빙초산 40ml에 용해시키고, 90℃로 예비가열된 빙초산 200pbw와 과산화수소 60pbw와의 혼합물에 적가한다(적가 속도를 조절하여 온도가 100°이하로 유지되도록 한다). 초기의 강한 발열반응이 종결된 후, 100℃에서 추가로 2시간 동안 가열시키고, 혼합물을 냉각시킨 다음, 물에 붓는다. 이는 비스(4-3급-부틸페닐설포닐)메탄 16pbw를 생성한다. 당해 생성물을 에탄올로부터 재결정하여 융점이 150 내지 152℃인 생성물을 수득한다.
위에서 수득한 생성물 10pbw를 토실라지드 4.8pbw와 함께 아세토니트릴 90pbw에 용해시키고, 0℃로 냉각한다. 온도가 10℃ 이하로 유지되도록 하면서 트리에틸아민 2.5pbw 를 이 혼합물에 적가한다. 혼합물을 실온에서 4시간 동안 계속하여 교반시킨 다음, 혼합물로부터 용매를 제거한다. 잔사를 메틸렌 클로라이드에 용해시키고, 5% 농도의 수산화나트륨 수용액 100pbw로 2회 추출하고, 중성이 될 때까지 세척한 후 건조시킨다. 용매를 증발제거시킨 후, 잔류 오일을 용매로서 메틸렌클로라이드와 함께 규산을 통해 여과시킨다. 용액을 재차 증발시켜 분해온도가 153 내지 155℃인 고체를 제조하는데, 이는 분석적으로 순수한 비스(4-3급-부틸페닐설포닐) 디아조메탄인 것으로 입증되었다.
이 화합물의 분석치는 다음과 같다:
계산치 : C 58.04%, H 6.03%, N 6.45%, S 14.75%
실측치 : C 57.9%, H 6.1%, N 6.5%, S 14.4%
'H-NMR(CDCl3) : 1.4ppm(s, 18H), 7.4 내지 8.2ppm(q, 8H) λmax(CHCl3)=238, 248nm.
일반식(I)의 위에서 언급한 기타의 화합물을 유사한 방법으로 제조할 수 있다.
본 발명에 따르는 감방사선 혼합물 속에 함유된 광분해성 산 공여체는 단독으로 또는 언급한 부류의 기타 산 공여체와 혼합하여 사용할 수 있다. 그러나, 기타의 광분해성 산 공여체와 혼합하는 것도 가능하며, 특히 이러한 목적을 위해서는 α-설포닐-α-카보닐디아조메탄(본원과 동시 출원된 특허원 제P 3,930,087.0호에 기술되어 있다)이 적합하다.
또한, 본 발명에 따르는 일반식(I)의 산 공여체는 비친핵성 산의 디아조늄, 포스포늄, 설포늄 및 요오도늄 염(예를 들면, HSbF6, HAsF6또는 HPF6)과 같은 오늄염[참조 : J. V. Crivello, Polym. Eng. Sci., 23, 953(1983)], 할로겐 화합물[참조 : DE-A 1,572,089, 1,817,540, 1,949,010 및 2,317,846, EP-A 0,232,972, US-A 3,912,606], 특히 트리클로로메틸 트리아진 유도체[참조 : DE-A 1,298,414, 2,243,621, 2,306,248, 2,718,259, 3,333,450 및 3,337,024, US-A 3,515,552, 3,536,489 및 3,615,630] 또는 트리클로로메틸 옥사디아졸 유도체[참조 : DE-A 2,851,472, 2,949,396, 3,021,590, 3,021,599 및 3,333,450, 및 EP-A 135,348], o-퀴논디아지드설포 클로라이드 또는 유기 금속/유기 할로겐 혼합물과 혼합될 수 있다. 그러나, 이러한 감방사선 혼합물에 있어서 전문(前文)에 언급된 단점들이 다시 제기될 수 있기 때문에 이러한 혼합이 전적으로 바람직한 것은 아니다.
본 발명에 따르는 혼합물에 있어서, 일반식(I)의 산 공여체의 함량은, 각각의 경우 층의 총 중량을 기준으로 하여, 일반적으로 0.5 내지 25중량%, 바람직하게 1 내지 10중량%이다.
본 발명에 따르는 감방사선 혼합물 중에서 산에 의해 분해될 수 있는 물질로서, 특히 다음의 화합물 부류가 성공적인 것으로 입증되었다:
a) 하나 이상의 오로토카복실 산 에스테르 및/또는 카복실산 아미드 아세탈 그룹을 함유하며, 또한 중합체적 특성을 갖고, 언급된 그룹들이 주쇄에서 결합 원소로서 또는 측 치환체로서 작용할 수 있는 화합물,
b) 주쇄에 반복 아세탈 및/또는 케탈 그룹을 함유하는 올리고머성 또는 중합체성 화합물,
c) 하나 이상의 엔올 에테르 또는 N-아크릴이미노카보네이트 그룹을 함유하는 화합물,
d) β-케토 에스테르 또는 β-케토 아미드의 사이클릭 아세탈 또는 케탈,
e) 실릴 에테르 그룹을 함유하는 화합물,
f) 실릴 엔올 에테르 그룹을 함유하는 화합물,
g) 이들의 알데히드 또는 케톤 성분의 현상액 속에서의 용해도가 0.1 내지 100g/ℓ의 모노아세탈 또는 모노케탈,
h) 3급 알콜을 기본으로 하는 에테르 및
i) 3급 알릴 알콜 또는 벤질 알콜의 카보네이트 및 카복실산 에스테르.
감방사선 혼합물의 성분으로서, 산에 의해 분해될 수 있는 (a)형 화합물은 문헌[참조 : DE-A 2,610,842 및 2,928,636]에 상세히 기술되어 있다. (b)형 화합물을 함유하는 혼합물도 문헌[참조 : DE-C 2,306,248 및 2,718,254]에 기술되어 있으며, (c)형 화합물[참조 : EP-A 0,006,626 및 0,006,627], (d)형 화합물[참조 : EP-A 0,202,196], (e)형 화합물[참조 : DE-A 3,544,165 및 3,601,264], (f)형 화합물[참조 : DE-A 3,730,785 및 3,730,783], (g)형 화합물[참조 : DE-A 3,730,787호], (h)형 화합물[참조 : US-A 4,603,101] 및 (i)형 화합물[참조 : US-A 4,491,628 및 J. M. Frechet et al., J. Imaging Sci. 30, 59-64(1986)] 또한 기술되어 있다.
산에 의해 분해될 수 있는 언급한 물질들의 혼합물이 또한 사용될 수 있다. 그러나, 바람직한 것은 산에 의해 분해될 수 있는 위에서 언급한 유형의 물질로, 특히 산에 의해 분해될 수 있는 C-O-C- 결합을 가진 물질을 포함한다. 특히 바람직한 것은 (a), (b), (g) 및 (i)형에 속하는 물질들이다. (b)형 중에서, 특히 중합체성 아세탈에 주목해야 하며, 산에 의해 분해될 수 있는 (g)형 물질, 특히 이들의 알데히드 또는 케톤 성분이 150℃이상, 바람직하게는 200℃ 이상의 비점을 갖는 물질들에 주목해야 한다.
본 발명에 따르는 감방사선 혼합물 중에서 산에 의해 분해될 수 있는 물질의 함량은, 각각의 경우 층의 총 중량을 기준으로하여, 1 내지 50 중량%, 바람직하게는 5 내지 25 중량%이다.
또한, 본 발명에 따르는 감방사선 혼합물을 하나 이상의 중합체성 수불용성 결합제(binder)(그러나, 이것은 알칼리성 수용액에서 가용성이며, 적어도 팽윤성이다)를 함유한다. 특히, 이 결합제는 본 발명에 따르는 감방사선 혼합물의 성분을 용이하게 용해시키며, 특히 190 내지 300nm의 파장 범위에서 고유 흡수성(inherent absorption)이 가능한 한 낮다는 점, 즉 투명성이 높다는 점에 의해 구별된다. 특히, 이는 일반적으로 광 활성 성분인 나프토퀴논디아지드와 결합되어 사용되는 노볼락(movolak) 축합 수지를 기본으로 하는 결합제를 포함하지 않는다. 상(image)에 노광된 후, 조사되지 않은 영역내의 수성 알칼리성 현상액과 비교하여 노볼락 축합 수지의 용해도가 감소되지만, 이의 고유 흡수성은 광선에 조사되는데 필요한 파장 범위내에서 바람직하지 않게 높다.
그러나, 위에서 언급한 노볼락 축합 수지는 투명도가 높고 결합제로서 적합한 기타 수지와의 혼합물로 사용된다. 이와 관련하여, 이들의 혼합 비율은 주로 노볼락 수지와 혼합되는 결합제의 특성에 좌우된다. 특히, 언급한 파장 범위에서의 고유 흡수도, 또한 감방사선 혼화물의 기타 성분과의 혼합성이 결정적인 역할을 한다. 그러나, 일반적으로 본 발명에 따르는 감방사선 혼합물의 결합제는 30중량% 이하, 특히 20중량% 이하까지의 노볼락 축합 수지를 함유할 수 있다.
적합한 결합제는 p-하이드록시스티렌 및 이의 알킬 유도체, 예를 들면, 3-메틸하이드록시스티렌의 단독중합체 또는 공중합체 및 기타 폴리비닐페놀, 예를 들면, 3-하이드록시스티렌 또는 페놀계 그룹을 함유하는 방향족 화합물과 아크릴산의 에스테르 또는 아미드의 단독중합체 또는 공중합체이다. 스티렌, 메트아크릴 산 메트아크릴레이트, 아크릴산 메타크릴레이트 등과 같은 중합가능 화합물을 공중합체중에서 공단량체로서 사용할 수 있다.
위에서 언급한 유형의 공중합체를 제조하기 위해, 규소 함유 비닐 단량체, 예를 들면, 비닐트리메틸실란을 사용하는 경우, 플라즈마 에칭(plasma etching)에 대한 내성이 개선된 혼합물이 수득된다. 이들 결합제의 투명도는 일반적으로 목적하는 범위로 높기 때문에 개선된 패터닝(patterning)이 가능하다.
말레인이미드의 단독중합체 또는 공중합체를 동일한 목적으로 사용할 수 있다. 이들 결합제는 또한 위에서 언급한 파장 범위에서 높은 투명도를 보인다. 또한 스티렌, 치환된 스티렌, 비닐 에테르, 비닐 에스테르, 비닐실릴 화합물 또는 (메트)아크릴산 에스테르를 공단량체로서 사용한다.
또한, 알칼리성 수용액중에서의 용해도 증가를 초래하는 공단량체와 스티렌의 공중합체를 사용하는 것도 가능하다. 예를 들면, 이들은 말레산 무수물, 말레산 반에스테르 등을 포함한다.
혼화성이고 감방사선 혼합물의 광학 품질에 손상을 주지 않는 경우, 위에서 언급한 결합제를 혼합물에 사용할 수 있다. 그러나, 위에서 언급한 유형들 중의 하나를 함유하는 결합제가 바람직하다.
결합제의 양은, 감방사선 혼합물의 총 중량을 기준으로 하여, 1 내지 90 중량%, 특히 5 내지 90 중량%, 바람직하게는 50 내지 90 중량%이다.
임의로, 염료, 안료, 가소제, 습윤제 및 균염제 뿐만 아니라 폴리글리콜, 셀룰로즈 에테르(예 : 에틸셀룰로즈)를 본 발명에 따르는 감방사선 혼합물에 추가로 가하여 가용성(flexibility), 접착성 및 광택과 같은 특정 요건을 개선시킬 수 있다.
본 발명에 따르는 감방사선 혼합물을 용매, 예를 들면, 에틸렌 글리콜, 글리콜 에테르, 글리콜 모노메틸 에테르, 글리콜 디메틸 에테르, 글리콜 모노에틸 에테르 또는 프로필렌 글리콜 모노알킬 에테르, 특히 프로필렌 글리콜 메틸 에테르, 지방족 에스테르(예 : 에틸 아세테이트, 하이드록시에틸 아세테이트, 알콕시에틸 아세테이트, n-부틸 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노알킬 에테르 아세테이트, 특히 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트 또는 아밀 아세테이트), 에테르(예 : 디옥산), 케톤(예 : 메틸 에틸 케톤, 메틸 이소부틸 케톤, 사이클로펜타논 및 사이클로헥사논), 디메틸포름아미드, 디메틸 아세트아미드, 핵사메틸인산아미드, N-메틸 피롤리돈, 부티롤아세톤, 테트라하이드로푸란 및 이들의 혼합물에 용해시키는 것이 바람직하다. 글리콜 에테르, 지방족 에스테르 및 케톤이 특히 바람직하다.
결국, 용매의 선택은 사용되는 피복 방법, 목적하는 층 두께 및 건조 조건에 좌우된다. 용매는 화학적으로 중성이어야 한다. 즉, 용매는 다른 층 성분과 비가역적으로 반응해서는 안된다.
감방사선 혼합물 성분으로 제조된 용액은 통상 5 내지 60 중량%, 바람직하게는 50 중량% 이하의 고형분을 함유한다.
본 발명에 따라, 지지체(substrate)와 지지체에 적용된 감방사선 조성물을 필수적으로 함유하는 감방사선 복사 물질이 추가로 청구된다.
캐패시터(capacitor), 반도체, 다층 인쇄 회로 및 집적 회로를 구성하거나 제조하는 모든 물질이 적합한 지지체이다. 특히, 반도체 산업에서 통상적인 모든 지지체, 예를 들면 질화규소, 비소화갈륨 및 인화인듐을 포함하여 열 산화된 규소물질 및/또는 임의로 도핑될 수 있는 알루미늄으로 피복된 규소 물질이 언급될 수 있다. 또한, 액정 디스플레이 산업에서 공지된 지지체, 예를 들면, 유리 및 산화 인듐주석, 금속판과 금속 호일(예를 들면, 알루미늄, 구리 또는 아연으로 구성됨), 바이메탈(bimetal) 및 트리메탈 호일(foil) 뿐만 아니라 금속으로 증기 피복된 전기 비전도성 시트, 알루미늄으로 임의 피복된 SiO2물질 및 종이가 적합하다. 이러한 지지체들을 목적하는 특성, 예를 들면, 친수성을 증가시키는 열적 전처리(thermal pretreatment)시키거나, 표면 조악화(superficially roughened)시키거나, 초기 에칭시키거나 또는 시약으로 처리할 수 있다.
특정 양태에서, 감방사선 혼합물은 내식막의 접착력 또는 내식막과 지지체 사이의 접착력을 개선시키기 위해 접착 촉진제를 함유할 수 있다. 규소 또는 이산화규소 지지체의 경우, 아미노실란 유형의 접착 촉진제, 예를 들면, 3-아미노프로필 트리에톡시실란 또는 헥사메틸디실라잔이 이러한 목적에 적합하다.
활자 프레스 인쇄(letter press printing), 석판인쇄 및 스크린 인쇄용 인쇄형태 같은 광기계적 복사층을 제조하기 위해 사용될 수 있는 지지체 및 엠보싱 복사물(embossed copies)의 예는 알루미늄판, 임의로 양극 산화, 그레인화(grained) 및/또는 실리케이트화된 아연판, 임의로 크롬 도금된 강철판 및 플라스틱 시트 또는 종이가 포함된다.
본 발명에 따르는 복사 물질을 상에 노광시킨다. 화학 방사선 공급원(source)은 금속 할라이드 램프, 카본 아크 램프, 크세논 램프 및 수은 증기 램프이다. 또한, 레이저 방사선, 전자 방사선 또는 X선과 같은 고에너지 방사선에 노광시킬 수 있다. 그러나, 190 내지 260nm의 파장의 빛을 방사할 수 있는 램프, 특히 크세논 및/또는 수은 증기 램프가 바람직하다. 또한, 엑시머 레이저(excimer laser), 특히 각각 249 또는 193nm에서 빛을 발하는 KrF 또는 ArF 레이저와 같은 레이저 광원을 사용할 수 있다. 방사선 공급원은 위에서 언급한 파장 범위에서 적합하게 방출되어야 한다.
층 두께는 적용 분야의 함수로서 다양하며 0.1 내지 100μm, 특히 1 내지 10μm이다.
본 발명은 또한 감방사선 복사 물질의 제조방법에 관한 것이다. 감방사선 혼합물은 분무(spraying-on), 유동 피복, 롤링, 스핀 피복(spin coating) 및 침지 피복시킴으로써 지지체에 적용할 수 있다. 그후, 용매를 증발시켜 제거하여 지지체의 표면에 감방사선 층을 잔류시킨다. 층을 150℃ 이하의 온도로 가열함으로써 용매 제거를 임의로 촉진시킬 수 있다. 그러나, 혼합물을 위에서 기술한 방법으로 중간 지지체에 먼저 적용시키고, 이를 가압 및 승온하에 최종 지지체 물질로 이동시킬 수 있다. 중간 지지체로서, 지지체 물질로 확인된 모든 물질을 사용할 수도 있다. 이후에, 상에 따라 층을 조사한다. 이후에, 현상에 의해 감방사선 층에서 상 패턴이 노출되는데, 여기서 층은 물질의 조사된 부분을 용해시키거나 제거하는 현상액으로 처리한다.
현상액으로서, 예를 들면, 알칼리 금속 및/또는 알칼리 토금속, 특히 암모늄 이온, 및 암모니아의 실리케이트, 메타실리케이트, 수산화물, 수소인산염 또는 이수소인산염, 탄산염 또는 중탄산염 등이 사용된다. 금속 이온 부재 현상액이 특허 문헌에 기술되어 있다.[참조 : US-A 4,729,941, 0,062,733, US-A 4,628,023, US-A 4,141,733, EP-A 0,097,282 및 EP-A 0,023,758]. 현상액 중에서 이들 물질의 함량은, 현상액의 중량을 기준으로 하여, 일반적으로 0.1 내지 15 중량%, 바람직하게는 0.5 내지 5 중량%이다, 특히 금속 이온 부재 현상액이 사용된다. 임의로, 소량의 습윤제를 현상액에 가하여 현상액중의 노출된 영역의 용해를 촉진시킬 수 있다.
현상된 내식막 구조물을 임의로 후경화(post-hardening)시킨다. 후경화는 열판 위에서 내식막 구조물을 유동 온도 이하의 온도까지 가열한 다음, 이를 크세논-수은 증기 램프(200 내지 250nm의 범위)의 UV 광에 전영역을 노광시켜 수행한다. 이러한 후경화에 의해 내식막 구조물이 가교결합되어 구조물이 약 200℃ 이하의 온도에서 내유동성(flow resistance)을 갖게 한다. 당해 후경화는 고에너지 UV 광을 조사함으로써 온도를 상승시키지 않고 수행할 수도 있다.
감방사선 혼합물은 집적 회로 또는 불연속 전기성분 제조를 위한 석판인쇄 공정에서 바람직하게 사용된다. 이후에, 혼합물로 제조된 복사 물질은 후속 공정 단계용 마스크로서 작용한다. 이들은 예를 들면, 지지체의 에칭, 지지체에서 이온의 이식(implantation) 또는 지지체 위에서의 금속 또는 기타 물질의 부착을 포함한다.
다음에 기재하는 실시예는 단지 본 발명의 일부이며, 따라서 본 발명을 이러한 실시예들로 제한하여는 의도는 아니다.
실시예 1 내지 8은 매우 넓은 에너지 범위의 방사선을 이용하는 마이크로 석판인쇄술에서 복사 물질을 위한 본 발명에 따르는 혼합물의 적합성을 확인한다. 비교실시예 9 및 10은 선행기술에 비한 본 발명에 따르는 혼합물의 우수성을 입중한다. 실시예 11 및 12는 매크로 제품(macroapplication), 예를 들면, 석판인쇄판에서의 본 발명의 혼합물의 유용성을 입증한다.
[실시예 1]
프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 42pbw 중의 연화(softening) 온도 범위가 105 내지 120℃인 크레졸-포름알데히드 노볼락 7.5pbw, p-메톡시벤즈 알데히드 비스(페녹시에틸)-아세탈(DE-A 제 3,730,787호의 제조실시예 1과 유사하게 제조) 2.0pbw 및 비스(4-클로로페닐설포닐)디아조메탄 0.7pbw로부터 피복 용액을 제조한다.
기공 직경이 0.2μm인 여과기(filter)를 통해 용액을 여과하고, 접착 촉진제(헥사메틸디실라잔)로 처리된 웨이퍼에서 3,000rpm(revolution)으로 방사시킨다. 열판에서 100℃에서 1분 동안 건조시킨 후, 층 두께 1.04μm를 수득한다. 복사물질을 에너지가 124mJ/㎠이고 파장이 365mm인 크세논-수은 증기 램프의 UV 방사선을 사용하여 마스터(master)하에 상(image)에 노광(exposure)시킨다.
조성이 나트륨 메타실리케이트 노나하이드레이트 5.3pbw, 삼나트륨 포스페이트 도데카하이드레이트 3.4pbw, 나트륨 디하이드로겐포스페이트 0.3pbw 및 완전 연수(soften water) 91pbw인 0.3N 알칼리성 현상액으로 복사 물질을 현상시킨다.
60초 동안 현상시킨 후, 내식막 모서리의 경사가 가파른 마스크의 결함없는 상을 수득하며, 1μm 미만의 구조도 아주 상세하게 해상된다. 내식막 윤곽의 모서리를 주사 전자 현미경으로 조사하여 내식막 프로파일(profile)의 모서리가 기판 표면에 대해 거의 수직임을 확인한다.
[실시예 2]
프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 42pbw 중의 평균 분자량이 32,000인 스티렌/p-하이드록시스티렌(20/80)의 공중합체 7.5pbw, 3, 4-디메톡시벤즈알데히드 비스(페녹시에틸) 아세탈(DE-A 제 37 30 787호의 제조 실시예 1과 유사하게 제조) 2.0pbw 및 비스(4-브로모페닐설포닐)디아조메탄 0.7pbw로부터 피복 용액을 제조한다.
기공 직경이 0.2μm인 여과기를 통해 용액을 여과하고, 접착 촉진제(헥사메틸디실라잔)로 처리된 웨이퍼 위에 3,000rpm으로 방사시킨다. 열판에서 100℃에서 1분동안 건조시킨 후, 층 두께 1.18μm를 수득한다.
복사 물질을 에너지가 103mJ/㎠이고 파장이 260nm인 크세논-수은 증기 램프의 UV 방사선을 사용하여 마스터하에 상에 노광시킨 후, 실시예 1에 기술한 현상액으로 현상한다.
60초 동안 현상시킨 후, 내식막 모서리의 안정성이 큰 마스크의 결함없는 상을 수득하며, 당해 경우 1μm 미만의 구조도 아주 상세하게 해상된다.
[실시예 3]
실시예 2에 따라 제조된 웨이퍼를 에너지가 92mJ/㎠이고 파장이 248nm인 KrF 엑시머 레이저(excimer laser)의 UV 광을 사용하여 마스터하에 조사시킨다. 현상시킨 후, 서브마이크론 영역까지 아주 상세히 복제된 균일한 구조의 마스터 상을 실시예 2와 유사하게 수득한다.
[실시예 4]
파장이 436nm인 UV 광을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1의 과정을 반복한다. 모서리가 예리한 마스터 상을 수득하기 위하여 280mJ/㎠의 에너지에 노광시켜야 한다.
[실시예 5]
프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 42pbw 중의 연화 온도 범위가 165 내지 180℃인 스티렌과 말레이미드의 1:1 공중합체 7.5pbw, 벤즈알데히드 비스(페녹시에틸)아세탈(DE-A 제 3,730,787호의 제조 실시예 1과 유사하게 제조) 2.0pbw 및 비스(페닐설포닐)디아조메탄 0.7pbw로부터 피복 용액을 제조한다.
기공 직경이 0.2μm인 여과기를 통해 용액을 여과하고, 접착 촉진제(헥사메틸디실라잔)로 처리된 웨이퍼 위에 3,500rpm으로 방사시킨다. 열판에서 100℃에서 1분 동안 건조시킨 후, 층 두께를 1.08μm로 수득된다.
복사 물질을 에너지가 88mJ/㎠이고 파장이 260nm인 크세논-수은 증기 램프의 UV 방사선을 사용하여 마스터하에 상에 노광시킨다.
복사 물질을 테트라메틸 수산화암모늄 0.02N 수용액으로 현상시키고, 노광된 부분을 스트리핑하여 60초 내에 어떠한 잔사도 남지 않게 한다.
내식막 모서리가 만족스럽게 경사진 마스크의 결함없는 상을 하나 이상 수득한다. 노광되지 않은 영역의 제거는 200nm미민이다: 1nm 미만의 구조도 아주 상세히 해상된다.
[실시예 6]
프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이크 42pbw 중의 연화 온도 범위가 165내지 180℃인 스티렌과 말레이미드의 1:1 공중합체 7.5pbw, 3, 4-메틸렌디옥시 벤즈알데히드 비스(페녹시에틸)아세탈 2.0pbw 및 비스(3급-부틸페닐설포닐) 디아조메탄 0.8pbw로부터 피복 용액을 제조한다.
기공 직경이 0.2pbw인 여과기를 통해 용액을 여과하고, 접착 촉진제(헥시메틸디실라잔)로 처리된 웨이퍼 위에 3,500rpm으로 방사시킨다. 열판에서 100℃에서 1분 동안 건조시킨 후, 층 두께를 1.06pbw로 수득한다.
에너지가 92mJ/㎠이고 파장이 260pbw인 크세논-수은 증기 램프의 UV 방사선을 사용하여 마스터하에 복사 물질을 상에 노광시킨다.
복사 물질을 테트라메틸암모늄 하이드록사이드의 0.02N 수용액으로 현상시켜, 노광된 부분을 스트리핑하여 60초 내에 어떠한 잔사도 남지 않게하고 아주 상세한 상의 마스터를 수득한다. 상의 모서리 경사도는 85° 이상이다.
[실시예 7]
프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 42pbw 중의 실시예 2의 공중합체 7.5pbw, 7, 7-비스하이드록시메틸노나놀 1몰과 메틸 오르토포르메이트 1몰을 축합시켜 제조한 폴리오르토 에스테르 2.0pbw 및 비스(3급-부틸페닐설포닐)디아조메탄 0.8pbw로부터 피복 용액을 제조한다.
기공 직경이 0.2pbw인 여과기를 통해 용액을 여과하고, 접착 촉진제(헥사메틸디실라잔)로 처리된 웨이퍼 위에 3,500rpm으로 방사시킨다. 열판에서 100℃에서 1분 동안 건조시킨 후, 층 두께를 0.98μm로 수득한다.
복사 물질을 에너지가 78mJ/㎠이고 파장이 260nm인 크세논-수은 증기 램프의 UV 방사선을 사용하여 마스터하에 상에 노광시킨다.
복사물질을 테트라메틸암모늄 하이드록시 0.27N 수용액으로 현상시켜, 노광된 부분을 스트리핑하여 60초 내에 어떠한 잔사도 남지 않도록하여 아주 상세한 상의 마스터를 수득한다. 라인(line)과 갭(gab)이 마스크에 대해 원본에 충실하게 0.7μm 미만으로 재생된다.
[실시예 8]
실시예 7로부터의 복사 물질에 160mJ/㎠의 방사선량(dose)으로 규소상 금마스크를 통해 신크로트론 방사선(synchrotron radiation; BESSY, Berlin, 754 MeV)으로 조사시킨다. 실험 장치는 문헌에 기술되어 있다.[참조 : A. Heuberger, Microelectr. Eng., 3, 535(1985)]. 실시예 7에 기술된 현상액으로 70초간 현상시킨 후에, 0.6μm 미만의 구조까지 마스크의 결함이 없는 상을 수득한다. 내식막 모서리는 평면 기판 표면에 대해 거의 수직이다.
[실시예 9 및 10(비교 실시예)]
실시예 7의 내식막 제제를 본 명세서에서 사용되는 산 형성 화합물 대신에 동량의 트리페닐설포늄 헥사플루오로포스 페이트(실시예 9) 또는 2-니트로벤질 토실레이트(실시예 10)를 사용하는 방법으로 개질시킨다.
파장이 260nm이고 에너지가 105 또는 140mJ/㎠인 방사선에 노광시키고 실시예 1에서 명시한 조성의 현상액으로 현상시킨 후, 실용적 작업에 적합한 상의 차이가 전혀 없는 구조물을 수득한다.
오늄염(실시예 9)을 사용하는 경우, 소위 내식막 푸트(resist foot)를 갖는 구조물이 수득되며, 즉 내식막 잔사가 노광된 영역의 기판에 부착되며, 토실 에스테르(실시예 10)를 사용하는 경우, 표면 가교결합(lips)을 관찰할 수 있으며, 이들은 노광된 기판 영역에 걸쳐있다. 두 경우 모두 결과적으로 수용가능한 패턴(patterning)이 수득되지 않는다.
[실시예 11]
오프셋 인쇄판(offset printing plate)을 제조하기 위해, 기계적으로 조면화(roughening)시키고 예비 처리한 알루미늄 호일을 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 90pbw 중의 연화 온도범위가 105 내지 120℃인 크레졸-포름알데히드 노볼락 7.5pbw, 2-에틸부티르알데히드 1몰 및 트리에틸렌 글리콜 1몰로부터 제조한 폴리아세탈 2.3pbw, 비스(4-클로로페닐설포닐)디아조메탄 0.5pbw 및 크리스탈 바이올렛 베이스(crystal violet base) 0.05pbw의 조성을 갖는 피복 용액으로 스핀 피복시킨다.
층(층 중량 : 대략 2.5g/㎡)을 건조시킨 후, 포지티브 시험 마스터하에 30초 동안 노광시킨 다음, 완전한 연수 97.7pbw 중의 2-n-부톡시에탄올 1.0pbw, 나트륨 메타실리케이트 노나하이드레이트 0.8pbw 및 수산화나트륨 0.5pbw의 조성을 갖는 현상액으로 현상시킨다.
물로 세정한 후, 판을 1% 농도의 인산으로 닦아서 인쇄 준비를 한다. 인쇄 프레스(printing press)에서 압박한 후, 마스터의 72,000매의 완전한 인쇄물을 수득한다.
[실시예 12]
부타논 30pbw 중의 실시예 11에서 기재된 노볼락 12.5pbw, 부티르알데히드와 디에틸렌 글리콜을 축합시켜 제조된 평균 분자량이 약 1,400인 올리고머성 지방족 폴리아세탈 10.0pbw, 비스(4-메틸페닐설포닐)디아조메탄 0.5pbw 및 크리스탈 바이올렛 0.1pbw를 혼합하여 에칭과 전기도금 포지티브형 건조 내식막의 용액을 제조한다.
당해 목적에 표준인 두께가 25μm인 폴리에틸렌 테레프탈 레이트 필름을 위의 용액으로 피복하여, 18μm의 건조 층 두께를 수득한다. 건조 내식막 필름의 표면을 추가의 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름으로 덮는다. 건조 필름을 압력과 열을 가하면서 피복 필름을 박리시킨 후, 놋쇠 시트(brass sheet) 위에 적충시킨다. 임시 지지 필름을 냉각시키고 박리시킨 후, 마스터를 통해 시트를 노광시키며, 이 과정에서 우수한 상 콘트라스트를 관찰할 수 있다. 노광된 영역을 실시예 11에서 명시한 조성의 현상액으로 분무 현상시킨다. 이어서, 시트를 매끈한 모서리가 에칭될 때까지 통상적인 페리클로라이드(ferrichloride) 용액을 사용하여 에칭시킨다. 수득한 성형 부품은 단일품으로 분리하기 전에 추가로 가공할 수 있다.

Claims (13)

  1. 방사선 조사시 산을 생성하는 일반식(I)의 α, α-비스(설포닐)디아조메탄 유도체 화합물(a) 0.5 내지 25 중량%, 산에 의해 분해될 수 있으며 하나 이상의 C-O-C- 결합 또는 C-O-Si- 결합을 갖는 화합물(b) 1 내지 50 중량% 및, 알칼리성 수용액 속에서 가용성이거나 적어도 팽윤성인 수불용성 결합제(c) 1 내지 90 중량%를 함유하는 포지티브형 감방사선 혼합물.
    Figure kpo00012
    상기식에서, R은 알킬, 사이클로알킬, 아릴 또는 헤테로아릴 라디칼이다.
  2. 제1항에 있어서, 일반식(I)의 화합물의 라디칼 R이 치환되거나 치환되지 않은 알킬 또는 사이클로알킬 라디칼, 치환되거나 치환되지 않은 아릴 라디칼 또는 헤테로아릴 라디칼인 포지티브형 감방사선 혼합물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 일반식(I)의 화합물의 라디칼 R이 탄수소 1 내지 6의 치환되거나 치환되지 않은 알킬 라디칼 또는 치환되거나 치환되지 않은 아릴 라디칼인 포지티브형 감방사선 혼합물.
  4. 제3항에 있어서, 일반식(I)의 화합물의 라디칼 R이 치환되거나 치환되지 않은 아릴 라디칼인 포지티브형 감방사선 혼합물.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 방향족 라디칼의 치환체가 알킬, 알콕시, 알콕시알킬, 니트로, 카보닐 및 아미도 라디칼 또는 할로겐 원자를 함유하는 그룹으로부터 선택되는 포지티브형 감방사선 혼합물.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 파장이 190 내지 450nm인 UV 광이 방사선으로서 사용되는 포지티브형 감방사선 혼합물.
  7. 제6항에 있어서, 파장이 200 내지 400nm인 UV 광이 방사선으로서 사용되는 포지티브형 감방사선 혼합물.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 결합제가 조사 파장 범위에서의 흡광도가 0.5μm-1미만인 포지티브형 감방사선 혼합물.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서, 결합제로서 노볼락 축합 수지를 30 중량% 이하로 함유하는 포지티브형 감방사선 혼합물.
  10. 제8항에 있어서, 결합제가 페놀계 하이드록실 그룹을 함유하는 포지티브형 감방사선 혼합물.
  11. 제8항에 있어서, 결합제가 240nm 이상에서의 흡광도가 0.3μm-1미만인 포지티브형 감방사선 혼합물.
  12. 제1항에 있어서, 일반식(I)의 화합물이 248nm에서 모든 내식막 성분의 최대 몰 흡수성(molar absorption)을 갖는 포지티브형 감방사선 혼합물.
  13. 지지체와 제1항 내지 제12항 중의 어느 한 항에서 청구한 방사선 경화성 혼합물로 구성되는 감방사선 층을 함유하는 포지티브형 감방사선 복사 물질.
KR1019900014098A 1989-09-09 1990-09-07 포지티브형 감방사선 혼합물 및 이로부터 제조된 감방사선 복사물질 KR0163953B1 (ko)

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SG (1) SG43324A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100710863B1 (ko) * 1998-09-28 2007-04-25 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨 방사선 감응성 조성물

Families Citing this family (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5216135A (en) 1990-01-30 1993-06-01 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Diazodisulfones
JP2500533B2 (ja) * 1990-01-30 1996-05-29 和光純薬工業株式会社 新規なジアゾジスルホン化合物
DE4006190A1 (de) * 1990-02-28 1991-08-29 Hoechst Ag Negativ arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
JP2586692B2 (ja) * 1990-05-24 1997-03-05 松下電器産業株式会社 パターン形成材料およびパターン形成方法
JP2849666B2 (ja) * 1990-08-01 1999-01-20 和光純薬工業株式会社 新規なレジスト材料
DE4112971A1 (de) * 1991-04-20 1992-10-22 Hoechst Ag Sulfonsaeureester von 2,4,6-tris-(2-hydroxy-ethoxy)-(1,3,5)triazin, ein damit hergestelltes positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und aufzeichnungsmaterial
DE4112966A1 (de) * 1991-04-20 1992-10-22 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und damit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
JP3030672B2 (ja) * 1991-06-18 2000-04-10 和光純薬工業株式会社 新規なレジスト材料及びパタ−ン形成方法
DE4120173A1 (de) * 1991-06-19 1992-12-24 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und damit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
EP0552548B1 (en) * 1991-12-16 1997-03-19 Wako Pure Chemical Industries Ltd Resist material
JP2726348B2 (ja) * 1992-02-03 1998-03-11 沖電気工業株式会社 放射線感応性樹脂組成物
DE4222968A1 (de) * 1992-07-13 1994-01-20 Hoechst Ag Positiv-arbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch und damit hergestelltes Aufzeichnungsmaterial
DE4306152A1 (de) * 1993-02-27 1994-09-01 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch und damit hergestelltes Aufzeichnungsmaterial
KR960015081A (ko) * 1993-07-15 1996-05-22 마쯔모또 에이이찌 화학증폭형 레지스트 조성물
JP3353258B2 (ja) * 1993-10-26 2002-12-03 富士通株式会社 遠紫外線用レジスト
DE4402363C2 (de) * 1994-01-27 1995-08-17 Kunststoff Maschinen Handelsge Verfahren zur chromatotropischen LASER-Beschriftung von Kunststoffen
US5663035A (en) * 1994-04-13 1997-09-02 Hoechst Japan Limited Radiation-sensitive mixture comprising a basic iodonium compound
US5558971A (en) * 1994-09-02 1996-09-24 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Resist material
EP0801329B1 (en) * 1994-12-28 2002-03-27 Clariant Finance (BVI) Limited Radiation-sensitive composition and recording medium produced therefrom
JP2956824B2 (ja) * 1995-06-15 1999-10-04 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト膜形成用塗布液
DE19533608A1 (de) * 1995-09-11 1997-03-13 Basf Ag Positivarbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch und Verfahren zur Herstellung von Reliefstrukturen
JP3589365B2 (ja) * 1996-02-02 2004-11-17 富士写真フイルム株式会社 ポジ画像形成組成物
US5945248A (en) * 1996-07-24 1999-08-31 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Chemical-sensitization positive-working photoresist composition
US5945517A (en) * 1996-07-24 1999-08-31 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Chemical-sensitization photoresist composition
US5908730A (en) * 1996-07-24 1999-06-01 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Chemical-sensitization photoresist composition
TW439016B (en) * 1996-09-20 2001-06-07 Sumitomo Chemical Co Positive resist composition
US6153733A (en) * 1998-05-18 2000-11-28 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. (Disulfonyl diazomethane compounds)
US6210856B1 (en) 1999-01-27 2001-04-03 International Business Machines Corporation Resist composition and process of forming a patterned resist layer on a substrate
AU2001238706A1 (en) * 2000-02-27 2001-09-03 Shipley Company, L.L.C. Photoacid generators and photoresists comprising same
US6689530B2 (en) 2001-09-28 2004-02-10 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Sulfonyldiazomethanes, photoacid generations, resist compositions, and patterning process
US6844131B2 (en) 2002-01-09 2005-01-18 Clariant Finance (Bvi) Limited Positive-working photoimageable bottom antireflective coating
US7070914B2 (en) * 2002-01-09 2006-07-04 Az Electronic Materials Usa Corp. Process for producing an image using a first minimum bottom antireflective coating composition
US20030215736A1 (en) * 2002-01-09 2003-11-20 Oberlander Joseph E. Negative-working photoimageable bottom antireflective coating
JP3991213B2 (ja) 2002-08-09 2007-10-17 信越化学工業株式会社 新規スルホニルジアゾメタン化合物、光酸発生剤、並びにそれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
JP3991222B2 (ja) 2003-02-13 2007-10-17 信越化学工業株式会社 新規スルホニルジアゾメタン化合物、光酸発生剤、並びにそれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
JP3991223B2 (ja) 2003-02-13 2007-10-17 信越化学工業株式会社 新規スルホニルジアゾメタン化合物、光酸発生剤、並びにそれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
JP4359467B2 (ja) 2003-08-28 2009-11-04 信越化学工業株式会社 新規スルホニルジアゾメタン化合物、光酸発生剤、並びにそれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法。
US20050214674A1 (en) * 2004-03-25 2005-09-29 Yu Sui Positive-working photoimageable bottom antireflective coating
US20060204732A1 (en) 2005-03-08 2006-09-14 Fuji Photo Film Co., Ltd. Ink composition, inkjet recording method, printed material, method of producing planographic printing plate, and planographic printing plate
ATE410460T1 (de) 2005-08-23 2008-10-15 Fujifilm Corp Härtbare tinte enthaltend modifiziertes oxetan
JP4757574B2 (ja) 2005-09-07 2011-08-24 富士フイルム株式会社 インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、平版印刷版の製造方法、及び、平版印刷版
DE602006019366D1 (de) 2005-11-04 2011-02-17 Fujifilm Corp Härtbare Tintenzusammensetzung und Oxetanverbindung
DE602007012161D1 (de) 2006-03-03 2011-03-10 Fujifilm Corp Härtbare Zusammensetzung, Tintenzusammensetzung, Tintenstrahlaufzeichnungsverfahren und Flachdruckplatte
JP2008189776A (ja) 2007-02-02 2008-08-21 Fujifilm Corp 活性放射線硬化型重合性組成物、インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、平版印刷版の作製方法、及び平版印刷版
JP2008208266A (ja) 2007-02-27 2008-09-11 Fujifilm Corp インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、平版印刷版の製造方法、および平版印刷版
JP5159141B2 (ja) 2007-03-30 2013-03-06 富士フイルム株式会社 インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、平版印刷版の作製方法及び平版印刷版
JP5111039B2 (ja) 2007-09-27 2012-12-26 富士フイルム株式会社 重合性化合物、重合開始剤、および染料を含有する光硬化性組成物
US8088548B2 (en) * 2007-10-23 2012-01-03 Az Electronic Materials Usa Corp. Bottom antireflective coating compositions
US8240838B2 (en) 2007-11-29 2012-08-14 Fujifilm Corporation Ink composition for inkjet recording, inkjet recording method, and printed material
JP5383133B2 (ja) 2008-09-19 2014-01-08 富士フイルム株式会社 インク組成物、インクジェット記録方法及び印刷物成形体の製造方法
EP2169018B1 (en) 2008-09-26 2012-01-18 Fujifilm Corporation Ink composition and inkjet recording method
JP5461809B2 (ja) 2008-09-29 2014-04-02 富士フイルム株式会社 インク組成物、及び、インクジェット記録方法
US8455176B2 (en) * 2008-11-12 2013-06-04 Az Electronic Materials Usa Corp. Coating composition
US8632948B2 (en) * 2009-09-30 2014-01-21 Az Electronic Materials Usa Corp. Positive-working photoimageable bottom antireflective coating
US20110086312A1 (en) * 2009-10-09 2011-04-14 Dammel Ralph R Positive-Working Photoimageable Bottom Antireflective Coating
JP6655628B2 (ja) * 2015-11-05 2020-02-26 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法
EP4343326A1 (en) * 2022-09-20 2024-03-27 Miltenyi Biotec B.V. & Co. KG Biological conjugates having an photogenerated acidic or basic releasable detection moiety on top of biological tissues

Family Cites Families (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3502476A (en) * 1965-10-20 1970-03-24 Konishiroku Photo Ind Light-sensitive photographic materials
US3515552A (en) * 1966-09-16 1970-06-02 Minnesota Mining & Mfg Light-sensitive imaging sheet and method of using
US3536489A (en) * 1966-09-16 1970-10-27 Minnesota Mining & Mfg Heterocyclic iminoaromatic-halogen containing photoinitiator light sensitive compositions
GB1231789A (ko) * 1967-09-05 1971-05-12
DE1296975B (de) * 1967-11-09 1969-06-04 Kalle Ag Lichtempfindliches Gemisch
DE1298414B (de) * 1967-11-09 1969-06-26 Kalle Ag Lichtempfindliches Gemisch
FR1590914A (ko) * 1967-11-09 1970-04-20
GB1248036A (en) * 1968-01-12 1971-09-29 Agfa Gevaert Photopolymerisation of ethylenically unsaturated organic compounds
DE1949010C3 (de) * 1969-09-27 1979-11-29 Bayer Ag, 5090 Leverkusen Verwendung von halogenmethylierten Benzophenonen als Photopolymerisationsinitiatoren
BE754916A (nl) * 1969-11-11 1971-02-17 Agfa Gevaert Nv Fotopolymerisatie van ethylenisch onverzadigde organische verbindingen
US3987037A (en) * 1971-09-03 1976-10-19 Minnesota Mining And Manufacturing Company Chromophore-substituted vinyl-halomethyl-s-triazines
US3779778A (en) * 1972-02-09 1973-12-18 Minnesota Mining & Mfg Photosolubilizable compositions and elements
NL7205384A (ko) * 1972-04-21 1973-10-23
US3912606A (en) * 1974-11-21 1975-10-14 Eastman Kodak Co Photosensitive compositions containing benzoxazole sensitizers
CH621416A5 (ko) * 1975-03-27 1981-01-30 Hoechst Ag
US4189323A (en) * 1977-04-25 1980-02-19 Hoechst Aktiengesellschaft Radiation-sensitive copying composition
DE2718254C3 (de) * 1977-04-25 1980-04-10 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Strahlungsempfindliche Kopiermasse
JPS5474728A (en) * 1977-11-28 1979-06-15 Fuji Photo Film Co Ltd Photosensitive composition
US4212970A (en) * 1977-11-28 1980-07-15 Fuji Photo Film Co., Ltd. 2-Halomethyl-5-vinyl-1,3,4-oxadiazole compounds
US4343885A (en) * 1978-05-09 1982-08-10 Dynachem Corporation Phototropic photosensitive compositions containing fluoran colorformer
DE2829512A1 (de) * 1978-07-05 1980-01-17 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefbildern
DE2829511A1 (de) * 1978-07-05 1980-01-24 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefbildern
JPS5577742A (en) * 1978-12-08 1980-06-11 Fuji Photo Film Co Ltd Photosensitive composition
DE2928636A1 (de) * 1979-07-16 1981-02-12 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefbildern
DE3021590A1 (de) * 1980-06-09 1981-12-17 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt 4-halogen-5-(halogenmethyl-phenyl)-oxazol-derivate, ein verfahren zu ihrer herstellung und sie enthaltenden strahlungsempfindliche massen
DE3021599A1 (de) * 1980-06-09 1981-12-24 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt 2-(halogenmethyl-phenyl)-4-halogenoxazol-derivate, ein verfahren zu ihrer herstellung und sie enthaltende strahlungsempfindliche massen
DE3023201A1 (de) * 1980-06-21 1982-01-07 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch
DE3151078A1 (de) * 1981-12-23 1983-07-28 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Verfahren zur herstellung von reliefbildern
US4491628A (en) * 1982-08-23 1985-01-01 International Business Machines Corporation Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone
GB8321813D0 (en) * 1983-08-12 1983-09-14 Vickers Plc Radiation sensitive compounds
DE3337024A1 (de) * 1983-10-12 1985-04-25 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Lichtempfindliche, trichlormethylgruppen aufweisende verbindungen, verfahren zu ihrer herstellung und diese verbindungen enthaltendes lichtempfindliches gemisch
JPS61141442A (ja) * 1984-12-14 1986-06-28 Fuji Photo Film Co Ltd 光可溶化組成物
DE3601264A1 (de) * 1985-01-18 1986-07-24 Fuji Photo Film Co., Ltd., Minami-Ashigara, Kanagawa Photosolubilisierbare zusammensetzung
US4737426A (en) * 1985-05-15 1988-04-12 Ciba-Geigy Corporation Cyclic acetals or ketals of beta-keto esters or amides
US4603101A (en) * 1985-09-27 1986-07-29 General Electric Company Photoresist compositions containing t-substituted organomethyl vinylaryl ether materials
CA1307695C (en) * 1986-01-13 1992-09-22 Wayne Edmund Feely Photosensitive compounds and thermally stable and aqueous developablenegative images
DE3621376A1 (de) * 1986-06-26 1988-01-07 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE3725741A1 (de) * 1987-08-04 1989-02-16 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch
DE3730783A1 (de) * 1987-09-13 1989-03-23 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE3730785A1 (de) * 1987-09-13 1989-03-23 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE3730787A1 (de) * 1987-09-13 1989-03-23 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
US5250669A (en) * 1987-12-04 1993-10-05 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Photosensitive compound
JP2719640B2 (ja) * 1988-06-30 1998-02-25 日本合成ゴム株式会社 ポジ型感放射線樹脂組成物
US5272036A (en) * 1988-10-28 1993-12-21 Matsushita Electronic Industrial Co., Ltd. Pattern forming contrast enhanced material utilizing water soluble photosensitive diazo compound and pattern forming method
JPH02118655A (ja) * 1988-10-28 1990-05-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd パターン形成用コンストラストエンハンスト材料
DE3900736A1 (de) * 1989-01-12 1990-07-26 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch enthaltend einen mehrfunktionellen (alpha)-diazo-(beta)-ketoester, verfahren zu dessen herstellung und strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial enthaltend dieses gemisch
JPH02187764A (ja) * 1989-01-13 1990-07-23 Japan Synthetic Rubber Co Ltd 感遠紫外線樹脂組成物

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100710863B1 (ko) * 1998-09-28 2007-04-25 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨 방사선 감응성 조성물

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