KR910007699B1 - 색수상관 새도우마스크 제조방법 - Google Patents

색수상관 새도우마스크 제조방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

색수상관 새도우마스크 제조방법
제1도는 본 발명이 구체화된 색수상관의 단면도.
제2도는 제1도에 도시된 색수상관의 새도우마스크 단면도.
제3a도 내지 제3e도는 종래 방법에 따른 다수의 구멍을 가진 새도우마스크 시트 제조단계를 설명하는 단면도.
제4도는 제3d도에 도시된 새도우마스크의 단면도.
제5a도 내지 제5f도는 본 발명에 따른 다수의 구멍을 가진 새도우마스크 시트 제조단계를 설명하는 단면도.
제6a도는 본 발명에 따른 금속시트상에 형성된 감광막 부분의 확대단면도.
제6b도는 종래 방법에 따라 금속시트상에 형성된 감광막 부분의 확대단면도.
제7도는 측면에칭양과 노광률 사이의 관계를 도시한 그래프이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 외주기 2: 네크부
3 : 전자총 4 : 패널부
5 : 형광면 6 : 새도우마스크
7 : 마스크 프레임 8 : 프레임 홀더
9 : 패널핀 10, 38 : 구멍
13a, 13b, 20a, 20b, 40a, 40b : 오프닝
13c : 내부벽 13d : 압축된 부분
14, 32 : 감광층 15, 31 : (금속)시트
16a, 16b, 34a, 34b : (네가티브)박막
18a, 18b, 35a, 35b : 레지스트 박막
19a, 19b, 39a, 39b : 홀 21a, 21b : 측면확장
37 : 박막부
본 발명은 색수상관에 대한 새도우마스크에 관한 것으로, 특히 새도우마스크 제조방법에 관한 것이다.
제1도에 도시되어 있듯이 색수상관은 일반적으로 유리외주기(1), 3전자비임(11R)(11G)(11B)을 방출하는 인라인 전자총(3) 및, 전자비임(11R)(11G)(1
1B)에 의해 여기될 때 가시광선을 방사하는 적, 녹, 청 형광도트(도시되지 않음)을 포함한 형광면(5)으로 구성되어 있다. 전자총(3)은 외주기(1)의 네크부(2)내에 위치하며, 순환하며 되풀이되는 칼라들의 도트형태로써 배열되는 형광물질들이 외주기(1)의 패널부(4) 내부 표면상에 코팅된다.
패널부(4)와 네크부(2)를 연결하는 것이 퍼넬부(12)이다. 전자비임(11R)(11
G)(11B)은 네크부(2)를 둘러싸는 편향요크(도시되지 않음)에 의해 발생된 자기장에 의해 편향된다.
화면(5) 가까이에 형광 도트 위치에 대응되는 다수의 원형구멍(10)을 갖는 새도우마스크(6)가 제2도에 도시되어 있다. 새도우마스크(6)는 프레임 홀더(8)에 의해 외주기(1)내에 지지된 마스크 프레임(7)에 부착되고, 프레임 홀더는 패널부(4)의 측벽에 끼워진 패널핀(9)에 안전하게 설치되어 있다.
새도우마스크(6)는 전자비임을 형광도트에 정확하게 충돌시키는 기능을 갖는다. 그러므로 구멍(10)의 단면형상이 주의깊게 설계되어 있다.
즉 제2도에서 보는 바와 같이 구멍(10)을 형성하기 위하여 새도우마스크(6)는 형광면을 향하여 면해있는 정면 오프닝(13a), 전자총을 향하여 면해있는 뒷면 오프닝(13b)을 가지고 있으며, 내부벽(13c)은 정면 오프닝과 뒷면 오프닝을 연결하고 있다.
내부벽(13c)은 형광면에 투영된 전자비임(11B)의 스폿(spot) 사이즈를 결정하기 위하여, 오프닝(13a)와 (13b) 사이에 매우 압축된 부분(13d)을 가지고 있다.
또한 내부벽(13c)상에, 원하지 않는 전자비임(11B)의 충돌을 피하기 위하여, 정면 오프닝(13a)이 뒷면 오프닝(13b)보다 더 크고, 이때 내부벽(13c)은 경사가 진다.
새도우마스크에서 앞면 오프닝(13a)과 뒷면 오프닝(13b) 사이의 위치 및 가장 압축된 부분(13d)의 사이즈가 설계값과 다르게 된다면, 구멍(10)을 통과하는 전자비임의 양은 변할 것이고, 그리하여 영상의 질이 저하될 것이다.
또 전자비임(11B)(11G)(11R)이 내부벽(13c)과 충돌한다면, 영상의 칼라순도는 반사된 전자비임으로 인해 저하될 것이다.
이런 종류의 새도우마스크는 포토리소그래피에 의해 제조되어 왔다. 새도우마스크 제조에 대한 전형적인 공정과정은 미합중국 특허 제3,973,965호에 나타나 있다.
즉 제3a도에 도시된 바와 같이 스트립형 금속시트표면을 닦고 건조시킨 뒤, 양표면 위에 감광성 수지액을 코팅하여, 한쌍의 감광층(14)을 스트립형 금속시트(1
5)의 양표면 위에 형성시킨다.
다른 사이즈로 그 위에 형성된 도트 패턴을 갖는 한쌍의 네가티브 박막(16a)(16b)이 감광층(14)에 놓여진다.
이때 감광층(14)는 네가티브 박막(16a)(16b)을 통하여 광원(17)으로부터 방출된 빛에 각각 노출된다(제3b도 참조).
다음에 노출된 감광층(14)이 현상된다. 이때 감광층(14)의 노출되지 않은 부분이 제거된다. 그리하여 네가티브 박막(16a)(16b)의 도트패턴에 대응되는 도트형 오프닝 패턴으로 구성된 한쌍의 레지스트 박막(18a)(18b)이 시트(15)상에 형성된다(제3c도 참조).
레지스트 박막(18a)(18b)을 건조시키고, 부식 저항력을 증가시키기 위하여 베이크(bake)한다. 이후 구멍(10)을 형성하기 위하여 에칭 용액을 시트(15)의 양 표면상에 스프레이 한다.
에칭결과 레지스트 박막(18a)내의 큰 오프닝(20a)으로부터 성장한 큰 홀(19a)과 레지스트 박막(18b)내의 작은 오프닝(20b)으로부터 성장한 작은 홀(19b)이 서로 연결된다(제3d도 참조).
큰 오프닝(20a)은 작은 오프닝(20b)보다 더 크다. 최종적으로 레지스트 박막(18a)(18b)이 벗겨지고, 표면으로부터 제거된다(제3e도 참조).
상기 언급된 에칭 과정중 레지스트 박막(18a)(18b)의 측면확장(21a)(21b)이 불가피하게 형성되는데, 이는 제4도에 도시된 바와 같이 홀(19a)(19b)이 커지는 것을 수반하여 레지스트 박막 아래에서 측면에칭이 되기 때문이다.
제4도에서 측면확장(21a) 폭(d)는 아이소트로픽 에칭 결과이다. 확장영역(21
a)이 파괴되고, 에칭용액의 스프레이 압력으로 인해 벗겨진다. 결과적으로 구멍의 모양이 설계 모양과는 변경된다.
상기 언급된 측면에칭은 두꺼운 새도우마스크내에서 일어나기가 쉽고 그것은 새도우마스크가 높은 기계적 강도를 갖도록 요구될 때, 예를 들면 평평한 새도우마스크들에 사용된다.
예를 들면 시트 두께가 통상 새도우마스크에 이용되는 0.15mm 두께에서 0.3mm 두께로 증가될 때, 에칭시간이 거의 3배 증가한다.
그리하여 측면에칭은 에칭이 진행되는 것에 비례하여 진행된다. 결과적으로 레지스트 박막의 측면확장이 증가하며, 결과적으로 박막이 벗겨진다.
또한 측면에칭은 본래의 새도우마스크에 비해서 작은 사이즈의 구멍 및 작은 배열 피치를 갖는 고해상도 색수상관에서 일어나기가 쉽다. 즉 작은 오프닝으로 인한 구멍내에서 에칭용액이 순환하기 어려우므로 에칭시간은 본래의 새도우마스크의 시간에 비해 증가된다.
본 발명의 목적은 고신뢰도를 갖는 새도우마스크를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
그러므로 본 발명은 금속 새도우마스크 시트를 향하여 색수상관의 전자총으로부터 방사된 전자비임이 통과하는 것을 허용하는 다수의 구멍을 가진 새도우마스크를 제조하는 방법을 제공하는 것으로, 새도우마스크 시트의 제1, 제2표면상에 각각 제1, 제2감광층을 제공하고; 미리 결정된 리세스(recess) 패턴을 가진 최소한 하나의 레지스트 박막을 제1, 제2표면의 각각에 형성되고; 구멍을 형성하기 위하여 각 리세스 부분을 제거하기 위한 시트를 에칭하고; 레지스트 박막의 나머지 부분을 제거하는 단계로 이루어져 있다.
본 발명가는 레지스트 박막을 형성하기 위하여 감광층을 패턴화 빛에 노출하기 전이나 또는 후에, 비패턴화 빛에 노출시킬 때 측면에칭이 상당히 감소될 수 있음을 발견했다.
본 발명에 따르면 패턴화 빛에 노출된 누적 노광량에 대한 비패턴화 빛에 노출된 누적 노광량의 비를 약 10%-45%로 하는 것이 바람직하다. 그것이 약 10% 미만일 때 측면에칭은 효과적으로 감소되지 않는다.
노출이 약 45%를 능가하면 패턴화 빛에 노출되지 않은 영역에 남아 있는 감광막이 너무 두꺼워지므로, 에칭이 성공적으로 완성되지 않는다. 누적된 노광량이란 노출시간 동안 감광층의 단위 면적당 누적된 전 에너지를 의미한다.
즉 누적된 노광량은 아래와 같은 등식에 의해 표현된다.
누적된 노광량[mJ/cm2=(조도)[mW]×노출시간[sec]
누적된 노광량은 감광층 지료의 두께 및 종류, 네가티브 박막의 전도성에 따라 적당한 값으로 조절될 수 있다.
감광막이 패턴화 빛에 대한 노출에 부가하여 비패턴화 빛에 노출될 때, 감광막의 노출되지 않은 부분이 새도우마스크 시트상에 레지스트 박막을 형성하기 위하여 제거된 후, 노출되지 않은 영역이 레지스트 박막의 잔류부분으로서 잔류 감광막으로 덮여진다.
결과적으로 리세트 패턴으로 구성된 레지스트 박막이 얻어진다. 노출되지 않은 영역의 주변은 에칭에 대한 방어로, 충분한 두께의 레지스트 박막으로 덮여진다.
노출되지 않은 영역을 덮는 레지스트 박막의 나머지 부분은 이 부분을 에칭하기 위하여 벗겨진다.
나머지 부분의 두께는 레지스트 박막 두께의 약 20% 이하이다. 두께는 약 0.1#-약 1#의 범위에 있는 것이 바람직하다. 패턴화 빛에 대한 노출의 누적 노광량에 대한 비패턴화 빛에 대한 노출의 누적 노광량의 비를 조절하기 위하여, 빛의 노출시간 및 조도가 각각 변화될 수 있다.
본 발명dml 이해를 돕기 위하여, 첨부된 도면을 참고로 하여 상세히 설명한다. 처음에, 알루미늄이 함유된 저탄소강으로 구성된 스트립형 금속시트의 양표면을 닦는다.
제5a도에 도시된 바와 같이 약 6# 두께의 감광층(32)이 금속시트(31)의 양표면에 감광 수지액을 코팅하여 건조시킴으로써 형성된다. 예를 들면 감광수지액으로는 감광제로 1wt% 암모니움 디크로메이트를 포함하는 알카리 밀크 카제이네이트가 이용된다.
다음에 제5b도에 도시되었듯이 감광층(32)상에 네가티브 박막(34a)(34b)의 패턴을 프린트하기 위하여 한쌍의 네가티브 박막(34a)(34b)이 각각 감광층(32)에 형성된 후 광원(33)으로부터 자외선과 같은 빛에 동시에 노출시킨다. 네가티브 박막(34a)(34b)은 다른 원형의 네가티브 패턴을 가진다.
제1박막(34a)은 한 감광층(32)내에 큰 오프닝을 만들 수 있도록 원형도트 패턴으로 형성되어 있다.
제2박막(34b) 또한 다른 감광층(32)내에 작은 오프닝을 만들 수 있도록 원형 도트 패턴으로 형성된다.
광원(33)은 5kw의 초고압수은 방전램프로 이루어져 있고, 그들은 금속시트(31)의 표면으로부터 약 1m 떨어져 위치해 있다. 노출은 약 1분간 수행되었다.
노출결과에 따라 감광층(32)들은 각각 2종류의 패턴화 빛에 노출되었다. 누적된 노광량을 조절하기 위해, 누적 노광량을 감지하는 집적노광 메터가 이용되었다.
그러나 감광층의 표면에 실제로 누적된 노광량을 감지하기란 어렵다. 네가티브 박막의 표면에 누적된 노광량은 감광층 표면에 누적된 노광량 대신에 감광층의 노출을 조절하기 위하여 이용될 수 있다.
다른 말로 하면 누적 노광량이 설정된 값이 될 때까지 노출이 수행될 수 있도록 한다. 패턴화 빛은 새도우마스크용 프린팅 패턴을 사용하여 이것을 통과시킨 빛을 말하며, 감광층상에 네가티브 박막이 피착된 상태에서 노광하기 위한 조사광을 말한다.
또한 제5c도에 도시된 바와 같이 네가티브 박막이 약 10초 동안 제거된 후에, 감광층(32)은 광원(33)으로부터의 빛에 의해 노출된다. 즉 감광층(32)은 패턴화 빛에 의한 노출에 부가해서 비패턴화 빛에 의해 노출된다.
비패턴화 빛은 새도우마스크용 프린팅 패턴을 사용하지 않고 노광시키는 빛을 말하며, 감광층상에 네가티브 박막이 피착되지 않은 상태, 즉 감광층 표면의 전면이 노출되어 있는 상태에서 노광하기 위한 조사광을 의미한다.
노출후에 약 40℃, 1kg/cm2의 압력의 따뜻한 물을 이용한 스프레이로 현상을 하고, 감광층(32)의 노출되지 않은 부분을 제거한다.
이때 감광층(32)을 약 150℃의 온도에서 건조시키고, 약 200℃의 온도로 대기중에서 굽는다. 제5d에 도시되어 있듯이 상기 언급된 단계의 결과로 네가티브 박막의 네가티브 패턴에 대응되는 다른 사이즈를 갖는 리세스 패턴을 가진 한쌍의 레지스트 박막(35a)(35b)이 금속시트(31)의 표면에 얻어진다.
노출되지 않은 영역(36a)(36b)은 패턴화 빛에 의해 노출되지 않고, 비패턴화 빛에 의해 노출되며, 얇은 박막부(37)로 덮힌다.
다른말로 레지스트 박막(35a)(35b)은 레지스트 박막(35a)(35b)의 나머지 부분인 박막부(37)를 가진 다른 리세트 패턴을 갖는다.
다음에 레지스트 박막(35a)(35b)으로 덮인 금속시트를 에칭하기 위해, 약 67℃의 온도에서 염화 제2철용액으로 스프레이 한다. 용액의 비중은 약 1.467이다.
제5e도에 도시된 바와 같이 특수한 구멍이 큰 홀(39a)을과 작은 홀(39b) 연결시키기 위하여 형성된다. 큰 홀(39a)과 작은 홀(39b)은 에칭하는 동안 각각 레지스트 박막(35a)(35b)내에서 큰 오프닝(40a)과 작은 오프닝(40b)으로 성장한다.
최종적으로 레지스트 박막(35a)(35b)이 물에 의해 씻겨진 후에 약 90℃, 1kg/cm2의 압력에서 15%의 가성소다 용액을 스프레이 함으로서 제거된 후 제5f도에 도시된 바와 같이 다수의 구멍(38)을 가진 새도우마스크 시트가, 물로 씻겨진 후 건조시킴으로서, 얻어진다.
실시예에 따르면 감광층이 짧은 시간 비패턴화 빛에 노출되므로 얇은 포토레지스트층은 패턴화 빛에 의해 노출된 감광층의 노출되지 않은 영역위에 여전히 남아있다.
결과적으로 제6a도에 도시된 바와 같이 레지스트 박막(35a)은 패턴화 빛에 의해 노출되지 않은 영역을 덮는 얇은 박막부(37)를 갖는다. 레지스트 박막(35a)의 박막부(37)가 너무 얇기 때문에, 에칭용액이 침투할 수 있고, 에칭하는 동안 제거될 수도 있다.
결과적으로 레지스트 박막 아래의 측면에칭이 감소된다.
이 실시예의 경우 패널화 빛에 의한 노광시간은 제1주기이며 그후 행해지는 비패턴화 빛에 의한 노광시간은 상기 제1주기보다 짧은 제2주기이다. 반대로 비패턴화 빛에 의해 노출되지 않는 종래방법의 경우에 있어서, 패턴화 빛에 의해 노출되지 않은 영역을 둘러싼 주변의 레지스트 박막(18a)은 제6b도에 도시된 바와 같이 제거된다.
이 제거로 인해 레지스트 박막(18a)의 에지부분이 θ1에 의해 도시된 둔각을 형성하며 결과적으로 에칭용액이 에지부분을 뚫고 들어가므로 바람직하지 않게 측면에칭이 진행된다.
본 발명의 실시예의 경우에 있어서, 레지스트 박막(35a)의 에지부분은 레지스트 박막(35a)의 나머지 박막부(37)가 제거된다 하더라도 예각(θ2)을 유지할 수 있으므로 에칭용액의 침투를 막을 수 있다. 결과적으로 측면에칭이 감소될 수 있다.
제7도는 비패턴화 빛의 노출량과 측면에칭량 사이의 관계를 도시하였다. 이 그래프에서 수평축은 금속시트에 인접한 접촉부에 네가티브 박막을 이용하여 패턴화에 요구되는 노광량에 대한, 비패턴화 빛에 의해 누적된 노출의 양을 위한 누적 노광량의 비(%)를 나타낸다.
다른 말로 비율(%)은 패턴화에 요구되는 패턴화 빛의 누적 노광량에 의해 비패턴화 빛의 누적 노광량을 나눔으로서 얻어진다.
수직축은 비패턴화 빛에 노출될 때 측면에칭량의 비(%)를 나타내며, 이때 패턴화 빛에만 노출될 때의 측면에칭량을 100%로 취한다. 그래프에서 패턴화 빛의 노광량에 대한 비패턴화 빛의 노광량의 비는 약 10%-약 45%의 범위가 바람직하다.
본 발명에 따르면 감광막의 측면확장길이는 비패턴화 빛에 의한 노출에 의한 금속시트 두께의 약 25%-45%까지 감소하는 반면, 감광막의 측면확장길이는 제3a도 내지 제3e도에 도시된 바와 같이 종래 방법의 경우에 있어서 금속시트 두께의 45%-65%이다.
또한 본 발명은 노출되지 않은 영역위에 남아있는 감광층으로 인하여 녹스는 것으로부터 금속시트를 방지할 수 있다.
본 발명의 방법에 있어서, 비패턴화 빛에 대한 노출은 패턴화 빛에 노출하기 전이나 노출후에 수행될 수 있다.
이 실시예의 경우 비패턴화 빛에 의한 노광시간은 제1주기이며, 그후 행해지는 패턴화 빛에 의한 노광시간은 상기 제1주기보다 긴 제2주기이다. 게다가 비패턴화 빛에의 노출은 감광층 중의 하나에 대해서 실행될 수 있으며, 특히 큰 오프닝 패턴을 형성하는 감광층에 대해서, 또는 두 감광층 모두 다에 실행될 수 있다.
본 발명의 방법에 있어서, 박막부(37)와 그 주위의 감광층(35a)(35b)의 두께는 고해상도 색수상관의 새도우마스크를 제조하기 위하여, 서로 다르게 만들어질 수 있다.
즉 금속시트의 제1표면상에 형성되는 제1감광층에 대한 두께를 증가시키는 것이 바람직하며, 시트내에 제2감광층에 비해 큰 구멍이 형성된다.
이 경우에 있어서, 제1감광층에 노출되는 제1패턴화 빛에 대한 누적 노광량을 제2패턴화 빛에 대한 누적 노광량보다 더 크게 조절할 수 있다. 먼저 언급된 바와 같이 노출광의 조도 및/또는 노출시간은 누적된 노광량이 증가함에 따라 증가된다.

Claims (6)

  1. 새도우마스크 시트(31)의 제1,제2표면상에 제1, 제2감광층(32)(32)을 제공하는 단계가 각각 제1, 제2표면의 각각에 레지스트 박막을 형성하고, 시트(31)에 구멍들(10)을 형성하기 위하여 시트(31)에 에칭하고, 레지스트 박막(32)을 향하여 색수상관의 전자총(3)으로부터 방출된 전자비임들(11G)(11B)(11R) 통과시키는 다수의 구멍(10)을 가진 새도우마스크(6) 제조방법에 있어서, 상기 레지스트 박막(32)중의 하나가 최소한 상기 형성단계중 미리 결정된 리세스 패턴(35a)(37)을 가지도록 형성되고, 각 리세트 부분(35a)(37)이 에칭될 때 구멍을 형성하도록 제거되는 것을 특징으로 하는 새도우마스크 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 레지스트 박막(32)(32)을 형성하는 단계가 시트(31)의 제1표면상의 제1감광층(32)을 제1패턴화 빛에 노출시키고, 시트(31)의 제2표면상의 제2감광층(32)을 제2패턴화 빛에 노출시키며, 이때 노출은 제1, 제2패턴화 빛에 대한 노출의 각 누적된 노광량이 미리 설정된 값에 다다를 때까지 수행되고, 제1, 제2감광층(32)(32)의 최소한 하나의 전 표면이 비패턴화 빛에 노출되며, 이때 노출은 비패턴화 빛에 대한 노출의 누적 노광량이 미리 설정된 값보다 적은 규정값에 다다를 때까지 수행되고; 제1, 제2표면상에 레지스트 박막(32)(32)을 남기기 위하여, 제1, 제2패턴화 빛에 의해 노출되지 않은 제1, 제2감광층 부분(32)(32)을 각각 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 레지스트 박막(32)(32)을 형성하는 단계가 시트(31)의 제1표면상의 제1감광층(32)이 제1주기 시간동안 규정된 조도를 갖는 제1패턴화 빛에 노출되며, 시트(31)의 제2표면상의 제2감광층(32)이 상기 기간에 규정된 조도를 갖는 제2패턴화 빛에 노출되고; 제1, 제2감광층(32)(32)의 최소한 하나의 층 전 표면이 상기 제1주기 시간보다 짧은 제2주기 시간동안 미리 설정된 조도를 갖는 비패턴화 빛에 노출되고; 제1, 제2표면상에 레지스트 박막을 남기기 위하여, 제1, 제2패턴화 빛에 의해 노출되지 않은 제1, 제2감광층(32)(32) 영역들(36a)(36b)을 각각 제어하는 단계를 포함한 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 제1, 제2감광층(32)(32)중 최소한 하나의 전 표면이 비패턴화 빛에 노출되며, 이때 노출은 비패턴화 빛에 대한 노출의 누적된 노광량이 미리 설정된 값에 다다를 때까지 수행되고; 시트의 제1표면상의 제1감광층이 제1패턴화 빛에 노출되고, 시트의 제1표면상의 제2감광층(32)이 제2패턴화 빛에 노출되며, 이때 노출은 제1,제2패턴화 빛에 대한 노출의 각 누적된 노광량이 미리 설정된 값보다 크도록 규정된 값에 다다를 때까지 수행되고; 제1, 제2표면상에 레지스트 박막(32)(32)을 남기기 위하여, 제1,제2패턴화 빛에 의해 노출되지 않은 제1,제 2감광층 부분을 각각 제거하는 단계를 포함한 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 레지스트 박막 형성단계는 제1, 제2감광층(32)(32)중 최소한 하나의 전 표면이 제1주기 시간동안 미리 설정된 빛의 세기를 갖는 비패턴화 빛에 노출되고; 제1주기시간 보다 제2주기 시간동안 규정된 빛의 세기를 갖는 제1패턴화 빛에 시트(31)의 제1표면상의 제1감광층이 노출되며, 제2주기 시간동안 규정된 빛의 세기를 갖는 제2패턴화 빛에 시트의 제2표면상의 제2감광층이 노출되고; 제1, 제2표면상에 레지스트 박막을 남기기 위하여, 제1, 제2패턴화 빛에 의해 노출되지 않은 제1,제2감광층(32)(32) 영역들(36a)(36b)을 각각 제거하는 단계를 포함한 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제2항 또는 제4항에 있어서, 패턴화 빛의 노출의 누적 노광량에 대한 비패턴화 빛의 노출의 누적 노광량의 비가 10%-45%의 범위인 것을 특징으로 하는 방법.
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