KR20050097944A

KR20050097944A - 금속 포토 에칭 제품 및 그 제조 방법

Info

Publication number: KR20050097944A
Application number: KR1020057013154A
Authority: KR
Inventors: 류지 우에다; 사토시 다나카; 오사무 코가; 후사오 다카기; 히로시 마츠자와; 유스케 오노다; 신고 아카오
Original assignee: 도판 인사츠 가부시키가이샤
Priority date: 2003-01-17
Filing date: 2004-01-16
Publication date: 2005-10-10
Also published as: CN100531526C; CN1738927A; JPWO2004065660A1; JP4534984B2; TWI325021B; US7498074B2; TW200502436A; US8110344B2; EP1602749A1; US20090081596A1; KR101094798B1; WO2004065660A1; US20060127690A1

Abstract

가공부가 금속층의 표층측에 1차 에칭에 의한 측벽을 가지고, 1차 에칭에 의한 측벽에 막두께 방향으로 이어지는, 전착 레지스트를 이용한 1회이상의 에칭에 의해 형성되는, 적어도 1개의 측벽을 가지는, 1차 에칭에 의한 오목부와는 다른 형상의, 2차 이후의 에칭에 의한 오목부를 가지는 형상의 금속 패턴을 가지는, 가공부를 가지는 금속 포토 에칭 제품

Description

금속 포토 에칭 제품 및 그 제조 방법{METAL PHOTO-ETCHING PRODUCT AND PRODUCTION METHOD THEREFOR}

본 발명은, 금속 포토 에칭 제품 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 또한, 본 출원은, 일본국 특허출원 2003년 제009237호를 기초로 하고 있고, 그 내용을 여기에 편입하는 것으로 한다.

웨트 에칭 부품을 형성하기 위해서는, 통상 다음과 같은 방법이 취해진다. 철계나 동계의 금속재료 상에 알칼리 가용인 포토레지스트막을 원하는 패턴으로 형성하고, 그 후 산성의 염화제2철 에칭액이나 염화제2동 에칭액을 이용하여, 상기 포토레지스트막으로부터 노출되어 있는 금속부분을 에칭한다. 이러한 에칭액을 사용하는 웨트 에칭 방법에서는, 포토레지스트의 개공(開孔)부로부터 포토레지스트막의 직하(直下)까지 등방적으로 에칭이 진행된다. 이 때문에, 사이드 에칭(포토레지스트막면 밑으로도 등방적으로 에칭이 들어간 결과, 포토레지스트 직하에 발생하는 에칭이 진행된 부분)이 발생하고, 미세가공을 곤란하게 하고 있다. 또, 상기의 등방적인 에칭의 진행에 의해, 에칭된 가공 부분의 단면형상은 약 반타원형상이 된다. 상기와 같은 이유에서, 금속 에칭 제품의 에칭부분을 고애스펙트비화하고, 이웃하는 패턴과의 피치를 좁게 하는 것을 희망해도, 이것을 달성할 수 없다는 문제가 발생하였다.

이 문제를 해결하기 위해서, 예를 들면 일본국 특개평1-188700호 공보에 기술된 것과 같은 방법도 들 수 있다. 이 방법에서는, 1차 에칭(하프 에칭으로 말해지는 경우도 있다.)한 부분의 측면을 절연성의 보호막으로 보호한 뒤, 다시 전해에칭한다. 이에 따라, 1차 에칭이 실시된 층의 불필요 부분을 제거하여, 고밀도 패턴을 형성한다.

상기의 문헌에서는, 일단 1차 에칭한 부분(구멍부)의 전체면에, 절연성 보호막을 형성하고, 그 후 1차 에칭을 한 부분의 심층부의 바닥부분에 해당하는 개소의 절연성 보호막을, 산성액의 스프레이만으로 용해시킨다. 이 때문에, 금속판의 면내에서 산성액의 스프레이의 흐름 편차가 나와버리면, 1차 에칭 부분내의 보호막에 치수 편차가 생기기 쉽다. 특히 이웃하는 패턴과의 피치가 좁은 고정세(高精細)한 패턴의 경우에서는, 큰 문제가 발생한다. 또 고정세한 패턴에서는, 사이드 에칭량이 적고 1차 포토레지스트의 플랜지(표면과 에칭 부분의 모서리부에 형성된 플랜지 부분)가 미소하며, 이러한 경우, 절연성의 보호막이 모두 떨어져 버린다는 문제가 있다. 또 1차 에칭에 의한 구멍이 깊어 심도방향으로 에칭량이 많은 패턴을 형성할 경우에서는, 상기 방법으로는 심층부 바닥만 절연성의 보호막을 제거할 수 없다. 따라서, 2차 에칭에서 희망에 반하여 전체적으로로 에칭이 진행해 버린다.

또, 일본국 특공소58-15537호 공보에서 기술되어 있는 것 같은 방법도 취해진다. 이 방법에서는, 1차 에칭으로 형성한 포토레지스트의 플랜지를 포토마스크로서 사용하고, 1차 에칭면에 다시 코팅된 포지형 포토레지스트를, 노광 및 현상한다. 에칭이 실시된 층의 불필요 부분은 제거되고, 1차 에칭에 의해 형성된 측벽에는 포지형 포토레지스트가 존재하고, 고밀도 패턴이 형성된다.

상기의 방법에서는, 1차 에칭으로 형성한 포토레지스트 플랜지가 일부라도 부족하거나 늘어짐이 생겨 버리면, 그 변형을 2차 에칭 레지스트의 형상에 전사해버린다. 따라서, 샤프한 형상을 얻을 수 없고, 미세한 패턴형성에 적합하지 않고, 특히 이웃하는 패턴과의 피치가 좁은 고정세한 패턴과 같은 경우에는, 큰 문제가 발생한다. 또 이 방법에서는, 1차 에칭으로 형성된 구멍에 균일하게 2차 포토레지스트를 코팅하는 것이 곤란하며, 특히 고정세한 패턴이나 1차 에칭에 의한 구멍이 깊어서 에칭량이 많은 패턴에는 대응할 수 없다.

또한, 일본국 특공소62-37713호 공보에 기술된 것 같은 방법도 들 수 있다. 이 방법에서는, 1차 에칭으로 형성한 면에 저분자 용제계의 접착액을 충만시킨 후, 건조한다. 이에 따라, 연화된 레지스트의 플랜지를 강제적으로 1차 에칭면에 접착시키고, 피에칭층의 불필요 부분을 제거하여, 고밀도 패턴을 형성하는 것이 행하여지고 있다.

이 방법에서는, 접착액으로 용해한 1차 에칭용 레지스트의 레지스트 성분이, 1차 에칭 바닥부에 드문드문하게 잔류해 버려, 다음 에칭이 드문드문하게밖에 들어가지 않게 되는 문제나, 접착액으로 레지스트의 플랜지가 팽윤하고, 건조하는 공정에서, 플랜지가 샤프한 형상을 재현할 수 없는 문제가 발생한다. 이들 문제는, 면내에서의 에칭 치수의 편차를 생기게 하는 것이 문제이다. 또, 고정세한 패턴에서는, 1차 에칭의 레지스트의 플랜지가 미소하기 때문에, 접착액에 의한 접착제가 모두 증발해버릴 뿐, 플랜지를 접착시키는 효과를 얻을 수 없다. 또 고애스펙트비의 구멍을 얻으려고 해도, 플랜지의 부분밖에는 사이드 에칭이 방지될 수 없으므로, 1차 에칭 구멍이 깊어서 에칭량이 많은 패턴에는 대응할 수 없다.

이상과 같이, 특허문헌 기재와 같은 기술에서는, 정밀도 좋게, 안정적으로 2차 에칭의 가공을 행하는 것이 곤란하며, 또, 1차 에칭용 레지스트가 하프 에칭 구멍을 이용해서 2차 에칭용 레지스트를 형성하기 때문에, 1차 에칭과 다른 형상의 가공을 2차 에칭 이후로 행하는 것은 곤란하다.

도 1A는, 패턴형성된 레지스트층을 가지는 금속기판을 도시한 개략 단면도이다.

도 1B는, 1차 에칭된 금속기판을 도시한 개략 단면도이다.

도 1C는, 기판에 형성된 전착 레지스트층이 노광·현상되어, 패턴형성된 것을 도시한 개략 단면도이다.

도 1D는, 2차 에칭이 행해진 것을 도시한 개략 단면도이다.

도 1E는, 얻어진 본 발명의 제품의 형상을 도시한 개략 단면도이다.

도 1F는, 도 1E의 제품의 에칭 부분을 상부에서 도시한 개략 상면도이다.

도 2A는, 패턴형성된 레지스트층을 가지는 금속기판을 도시한 개략 단면도이다.

도 2B는, 1차 에칭된 금속기판을 도시한 개략 단면도이다.

도 2C는, 작은 오목부의 전착 레지스트층의 선택된 부분이 노광·현상된 것을 도시한 개략 단면도이다.

도 2D는, 2차 에칭이 행해진 것을 도시한 개략 단면도이다.

도 2E는, 얻어진 본 발명의 제품의 형상을 도시한 개략 단면도이다.

도 2F는, 도 2E의 제품의 에칭 부분을 상부에서 도시한 개략 상면도이다.

도 3A는, 패턴형성된 레지스트층을 가지는 금속기판을 도시한 개략 단면도이다.

도 3B는, 1차 에칭된 금속기판을 도시한 개략 단면도이다.

도 3C는, 큰 오목부의 전착 레지스트층의 선택된 부분이 노광·현상된 것을 도시한 개략 단면도이다.

도 3D는, 2차 에칭이 행해진 것을 도시한 개략 단면도이다.

도 3E는, 얻어진 본 발명의 제품의 형상을 도시한 개략 단면도이다.

도 3F는, 도 3E의 제품의 에칭 부분을 상부에서 도시한 개략 상면도이다.

도 4A는, 패턴형성된 레지스트층을 가지는 금속기판을 도시한 개략 단면도이다.

도 4B는, 1차 에칭된 금속기판을 도시한 개략 단면도이다.

도 4C는, 전착 레지스트층의 선택된 부분이 노광·현상된 것을 도시한 개략 단면도이다.

도 4D는, 2차 에칭이 행해진 것을 도시한 개략 단면도이다.

도 4E는, 얻어진 본 발명의 제품의 형상을 도시한 개략 단면도이다.

도 5A는, 패턴형성된 레지스트층을 가지는 금속기판을 도시한 개략 단면도이다.

도 5B는, 1차 에칭된 금속기판을 도시한 개략 단면도이다.

도 5C는, 얻어진, 종래 기술의 제품의 개략 단면도이다.

도 6A는, 도 4E와 같은 개략 단면도이다.

도 6B는, 전착 레지스트층이 형성된 금속기판을 도시한 개략 단면도이다.

도 6C는, 전착 레지스트층의 선택된 부분이 노광·현상된 것을 도시한 개략 단면도이다.

도 6D는, 얻어진 본 발명의 제품의 형상을 도시한 개략 단면도이다.

도 7A는, 패턴형성된 레지스트층을 표면과 이면에 가지는 금속기판을 도시한 개략 단면도이다.

도 7B는, 1차 에칭된 금속기판을 도시한 개략 단면도이다.

도 7C는, 기판에 형성된 전착 레지스트층이 노광·현상된 것을 도시한 개략 단면도이다.

도 7D는, 2차 에칭이 행해진 것을 도시한 개략 단면도이다.

도 7E는, 얻어진 본 발명의 제품의 형상을 도시한 개략 단면도이다.

도 8은, 네거형 전착 포토레지스트를 사용했을 때의 에칭을 도시한 개략 단면도이다.

도 9A는, 1차 포지형 포토레지스트의 패터닝 표면의 형상을 도시한 개략 평면도이다.

도 9B는, 1차 에칭 공정의 표면형상을 도시한 개략 평면도이다.

도 9C는, 2차 포지형 전착 포토레지스트 패터닝의 표면형상을 도시한 개략 평면도이다.

도 9D는, 2차 에칭 공정의 표면형상을 도시한 개략 평면도이다.

도 10A는, 패턴형성된 포지형 포토레지스트층을 가지는 금속기판을 도시한 종래 기술의 개략 단면도이다.

도 10B는, 1차 에칭 공정의 단면형상을 도시한 개략 단면도이다.

도 10C는, 포토레지스트 박막 후의 제품을 도시한 개략 단면도이다.

도 11은, 절연 기판 상에 적층된 금속층에, 2차 에칭 공정으로 개공부를 설치한 제품을 도시한 개략 단면도이다.

도 12는, 본 발명의 제품의 1예를 도시한 평면 일부 확대도이다.

본 발명의 제1 형태는, 면내에 적어도 1개의 단경이 W₁S, 장경이 W₁L, 깊이가 D1인 대오목부를 가지고, 상기 대오목부 중 적어도 1개가, 그 안에 1개 이상의 오목부를 가지고, 가장 작은 소공(小孔)의 단경이 W₂S, 장경이 W₂L, 깊이가 D2이며,

D1+D2=판두께(D), 및 0.02㎜≤D≤2㎜이고,

0.4×D<W₁S<D, 0.2×D<W₂S<0.8×D인 치수를 가지는 금속 포토 에칭 제품이다.

본 발명의 제2 형태는, 면내에 적어도 1개의 단경이 W₁S, 장경이 W₁L, 깊이가 D1인 대오목부와, 단경이 W₂S, 장경이 W₂L, 깊이가 D2인 소오목부의 조합을 가지고, 0.02㎜≤D≤2㎜이고,

0.5×W₁S<D1<D, 0.5×W₂S<D2<D, 1.7×W₂S<W₁S<5×W₂S, 0.5×D2<D1<1.5×D2인 치수를 가지는 금속 포토 에칭 제품이다.

본 발명의 제3 형태는, 면내에 적어도 1개의 단경이 W₁S, 장경이 W₁L, 깊이가 D1인 대오목부와, 단경이 W₂S, 장경이 W₂L, 깊이가 D2인 소오목부의 조합을 가지고, 0.02㎜≤D≤2㎜이고,

0.5×W₁S<D1≤D, 0.5×W₂S<D2≤D, W₂S<W₁S<2.0×W₂S, 0.2×D1<W₂S<0,8×D1인 치수를 가지는 금속 포토 에칭 제품이다.

본 발명의 제4 형태는, 가공부가 금속층의 표층측에 1차 에칭에 의한 측벽을 가지고, 1차 에칭에 의한 측벽에 막두께 방향으로 이어지는, 전착 레지스트를 이용한 1회이상의 에칭에 의해 형성되는 적어도 1개의 측벽을 가지는, 1차 에칭에 의한 오목부와는 다른 형상의, 2차 이후의 에칭에 의한 오목부를 가지는 형상의 금속 패턴을 가지는, 가공부를 가지는 금속 포토 에칭 제품이다.

본 발명의 제5 형태는, 가공부가 금속층의 표층측에 1차 에칭에 의한 측벽을 가지고, 1차 에칭에 의한 측벽에 이어지는, 또한 전착 레지스트를 이용한 1회이상의 에칭에 의해 형성되는, 적어도 1개의 측벽을 가지는, 복잡한 입체형상의 금속 패턴을 가지고, 금속 패턴의 개공부의 에칭 팩터가 2.6 이상인, 가공부를 가지는 금속 포토 에칭 제품이다.

본 발명의 제6 형태는, 금속기판을 준비하고, 적어도 일부에 포토레지스트층을 설치하는 공정과, 노광과 현상에 의해 포토레지스트층에 1개 이상의 개구부를 설치하는 공정과, 1차 에칭을 행해 상기 개구부에 대응하는 오목부를 형성하는 공정을 포함하고, 전착 포토레지스트층을 설치하는 공정과, 노광과 현상에 의해, 적어도 1개의 오목부내에 있는 전착 포토레지스트층에 적어도 1개의 개구부를 설치하는 공정과, 2차 에칭을 행하는 공정을 포함하는 금속 포토 에칭 제품의 제조 방법이다.

본 발명의 제7 형태는, 금속표면에 포토레지스트를 코팅하고, 제1 포토마스크를 이용하여 노광, 현상하여 개공부 패턴의 개공한 포토레지스트를 형성하여 1차 에칭을 행하고, 1차 에칭에서 사용한 포토레지스트를 박막 후, 전착 레지스트를 전면 코팅하고, 전회차 에칭에서 제조한 1차 에칭 구멍과 제1 포토마스크와는 다른 패턴을 가지는 제2 포토마스크의 위치맞춤을 행하고, 이어서 평행 광원으로 노광, 현상, 에칭함으로써, 에칭 팩터가 2.6 이상인 개공치수에 대하여 구멍이 깊은 에칭 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 복잡한 입체형상을 가지는 금속 포토 에칭 제품의 제조 방법이다. 상기의 본 발명에서는, 2차 에칭까지 행하는 것까지로 머물지 않고, 그것보다 고차의 단계까지, 임의로 실시해도 좋다. 즉, 상기 방법의 뒤에 상기 전착 포토레지스트층을 설치하는 공정과, 적어도 1개의 개구부를 설치하는 공정과, 에칭을 행하는 공정을, 복수회 더 반복해도 좋다.

상기 제6 형태가, 금속기판을 준비하고, 양면에 포토레지스트층을 설치하는 공정과, 노광과 현상에 의해 상면의 포토레지스트층에 1개 이상의 큰 개구부를 설치하고, 이면의 포토레지스트층에 큰 개구부의 위치에 대응하는 1개 이상의 작은 개구부를 설치하는 공정과, 1차 에칭을 행해 상기 개구부에 대응하는 오목부를 형성하는 공정을 포함하고,

전착 포토레지스트층을 설치하는 공정과, 노광과 현상에 의해, 적어도 1개의 오목부내의, 전착 포토레지스트층에 적어도 1개의 개구부를 설치하는 공정과, 2차 에칭을 행하는 공정과, 상기 3개의 공정을 반복하고, 표면과 이면을 관통한 구멍을 얻는 공정을 포함하는 제조 방법이어도 된다.

또, 상기 제6 형태가, 금속기판을 준비하고, 편면에 포토레지스트층을 설치하는 공정과, 노광과 현상에 의해 포토레지스트층에 1개 이상의 큰 개구부와 작은 개구부를 설치하는 공정과, 1차 에칭을 행하여 오목부를 형성하는 공정을 포함하고,

전착 포토레지스트층을 설치하는 공정과, 노광과 현상에 의해, 큰 오목부와 작은 오목부의 적어도 1개의 오목부내의 전착 포토레지스트층에 적어도 1개의 개구부를 설치하는 공정과, 2차 에칭을 행하는 공정과, 상기 3개의 공정을 반복하는 공정을 포함하는 제조 방법이라도 된다.

(발명을 실시하기 위한 최선의 형태)

본 발명에 의해, 고정밀도이고 미세한 가공 형상의, 즉 단면을 보았을 때 애스펙트비가 높고 또한 고정세한 에칭 형상이 형성된, 금속 에칭 부품 및 그 제조 방법이 제공된다. 본 발명에 의해, 종래의 방법에서는 불가능했던 복잡한 입체형상, 특히 금속 에칭 부분이 이형단면인 형성이 가능해 졌다. 피치가 좁은 파인 피치의 금속 에칭 제품을 제조하기 위해서는 사이드 에칭량을 적게 할 필요가 있었기 때문에 깊은 에칭을 할 수 없고 고애스펙트비의 단면형상을 가지는 금속 에칭 제품을 공급할 수 없다는 문제가 있었지만, 평활면을 가지는 금속재료에 포토 에칭법을 이용하여 패턴형성할 수 있는 본 발명의 제품에서는, 이들의 문제를 극복하고 있다.

본 발명의 금속 에칭 제품은, 구체적으로는, 고밀도 프린트 배선기판의 금속배선이나 쉐도우 마스크, 리드 프레임, 전자, 전기부품과 같은 고정세 금속 에칭 제품으로서 사용가능하다. 본 발명의 우수한 제품은, 그 이외의 여러가지 분야에도 이용 가능하다.

(제품에 대해서)

다음에 본 발명의 제품을 설명한다.

본 발명의 제품은, 막두께 방향으로 고애스펙트비의 오목부(건너편까지 관통하지 않는 구멍 및/또는 관통하는 구멍)를 형성시킨 제품이다. 가공부는, 고차의 에칭에 의해 형성되고, 금속층의 오목부벽에는 그 가공 형상을 가진다. 상세하게 말하면, 가공부가 금속층의 표층측에 1차 에칭에 의한 측벽을 가지고, 또한, 1차 에칭에 의한 측벽에 전착 포토레지스트를 이용한 것에 기인하는, 복수차의 에칭에 의한 적어도 1개의 측벽을 가지는 복잡한 입체형상의 금속 패턴을 가진다. 본 발명에서는, 종래에는 달성할 수 없었던 고애스펙트비이며, 또한 이형단면을 가지는 제품이 제공되는데, 여기에서 말하는 이형이란, 단면을 사이드로부터 보았을 경우, 통상과 같은 단순히 오목부가 형성된 심플한 형상이 아니라, 오목부 안에 또 1개 이상의 작은 오목부가 형성되어 있거나, 큰 오목부와 작은 오목부가 특정한 비율을 가지고 금속기판 상에 형성되어 있거나, 금속기판의 양면 또는 편면에 오목부가 형성되어 있거나, 이러한 복잡한 단면을 가질 수 있는 형을 말한다. 이러한 형을 가짐으로써, 예를 들면 다층 단면 구조를 1개의 기판에 만들거나, 구멍 지름이 크게 달라도 구멍의 깊이의 차를 작게 할 수 있거나, 크고 깊은 구멍과 극히 지름이 작은 구멍을 공존시킨다는 우수한 특성을 나타낼 수 있다. 본 발명의 우수한 특성은 이들로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 제품은, 구체적인 예로서는 도 12와 같은 형태를 가질 수 있다. 금속 가공기판(44)의 일부분을 확대한 부분에 비가공부(43)와, 극히 작은 대오목부(42)가 규칙적으로 형성되고, 그 내부에 더 작은 소공부(41)와, 그것보다 더 작은 소공부(40)가 형성되어 있다. 본 발명의 제품은 이것에 한정되는 것은 아니고, 여러가지 우수한 금속 포토 에칭 제품을 제공하는 것이다. 본 발명에서는 기계가공으로는 가능하지 않은 대면적의 미세가공이 가능하다. 본 발명에서는 예를 들면, 가공부의 면적이 300×300∼2000×2000㎜, 가공부 패턴의 피치가 미소한 0.05∼0.5㎜ 등의 값을 취해도 가능하다.

(금속판에 대해서)

본 발명의 제품의 제조에 사용되는 금속판은, 예를 들면 동, 및 동합금, 철 및 스테인레스나 철-니켈 등의 합금 등의 판 등을 사용할 수 있다. 그 중에서도 철-니켈합금을 사용하는 것이 바람직하다. 금속판의 판두께는, 0.01㎜이상 5㎜이하이다. 바람직하게는 0.02㎜이상, 2㎜이하이며, 보다 바람직하게는 0.05㎜이상 0.5㎜이하, 더 바람직하게는 0.1㎜이상 0.3㎜이하이다. 또, 금속판은 알칼리 탈지, 산세척이나 화학연마 등의 처리를 행해도 된다. 또 평판인 것, 혹은 평면을 가지는 것이 바람직하지만, 곡면을 가지고 있어도 된다. 또 이러한 경우, 에칭은 평면에 실시되어도, 곡면에 실시되어도 좋다.

<본 발명의 제1 형태의 제품에 대해서>

본 발명의 제1 형태의 제품은, 면내에 적어도 1개의 단경이W₁S, 장경이 W₁L, 깊이가 D1인 대오목부를 가지고, 상기 대오목부의 적어도 1개가, 그 속에 1개 이상의 소오목부를 가진다. 본 형태에서는, 가장 작은 소공의 단경이 W₂S, 장경이 W₂L, 깊이가 D2이다. 본 제품은, 대오목부를 금속판에 어떤 배치로도 임의로 형성할 수 있다. 완전히 같은 대오목부가 규칙적으로 종횡으로 형성되어도 좋고, 다른 대오목부가 규칙적으로 배치되어 있어도 좋다. 또 랜덤하게 배치되어 있어도 좋다. 또 소오목부는, 가능한 한 대오목부의 안에서 어떠한 위치에서도 형성될 수 있다. D1+D2=판두께(D)이다. 즉, 본 형태의 제품은, 대오목부와 소오목부에 의해, 금속판을 관통하는 구멍이 설치되어 있다.

본 형태의 제품은, 이하의 식으로 규정되는 치수의 관계를 가진다.

0.4×D<W₁S<D, 0.2×D<W₂S<0.8×D

상기의 식은 더 바람직하게는

0.4×D<W₁S<0.9×D, 0.2×D<W₂S<0.65×D이다.

또 더욱 바람직하게는,

0.4×D<W₁S<0.8×D, 0.2×D<W₂S<0.5×D이다.

본 제품의 1예는, 도 1E 및 도 1E의 에칭 부분을, 선A-A'을 중심으로 상면으로부터 본 도 1F에서 도시된다.(도 1F는 개략도이며 실제로는 상기 한정을 충족시키는 것으로 한다.) 도 1A에서는 금속재료에 의한 기체(1)와, 그 양면에 설치된, 노광·현상에 의한 1개 및 2개의 개공부를 각각 가진 제1 레지스트층(2)이 도시되어 있다. 도 1B에서는, 제1 에칭에 의해, 에칭 부분(3)이 형성된 모양이 도시되어 있다. 도 1C에서는, 제1 레지스트층(2)이 삭제되고, 제2 레지스트층(4)에, 노광·현상에 의해, 원하는 개공부가 에칭 부분(3) 상에 형성된 모양이 도시되어 있다. 도 1D는, 제2 에칭에 의해, 표리의 각각에서, 기판의 개공이 진행되고, 기판을 관통하는 구멍(5)이 형성된 모양이 도시되어 있다. 또한 대오목부 및 소오목부의 형상은, 도 1과 같은 형상을 하고 있지만, 상기 한정을 충족시키면, 다른 사각형이나 다른 형상 등 임의로 형성할 수 있는 것이다. 또 도 1F에는 1조의 에칭 부분밖에 기재되어 있지 않지만, 실제는 1조 이상의 에칭부를 형성할 수 있다.

<본 발명의 제2 형태의 제품에 대해서>

본 발명의 제2 형태의 제품은, 면내에 적어도 1개의 단경이 W₁S, 장경이 W₁L, 깊이가 D1인 대오목부와, 단경이 W₂S, 장경이 W₂L, 깊이가 D2인 소오목부의 조합을 가진다. 또한 상기 대오목부와 소오목부는, 어느 쪽도 바닥부를 가지고, 금속판을 관통하는 것은 아니다. 이들 오목부는 서로 금속의 표면에 임의의 방향으로 공존해도 된다. 본 제품은 가능한 한, 대오목부 및 소오목부를 금속판 상에 어떠한 배치라도, 임의로 형성할 수 있다. 완전히 같은 대오목부 및 소오목부의 조가 규칙적으로 형성되어도 좋고, 서로 다른 대오목부 및 소오목부의 조가 규칙적으로 배치되어 있어도 좋다. 또 랜덤하게 배치되어 있어도 좋다. 어떠한 배치라도 좋다. 본 형태의 제품은, 면내에 적어도 1개의 단경이 W₁S, 장경이 W₁L, 깊이가 D1인 대오목부와, 단경이 W₂S, 장경이 W₂L, 깊이가 D2인 소오목부의 조합을 가지고, 이하의 식으로 규정되는 치수의 관계를 가진다.

0.5×W₁S<D1<D, 0.5×W₂S<D2<D, 1.7×W₂S<W₁S<5×W₂S, 0.5×D2<D1<1.5×D2

바람직하게는, 상기 관계는 이하의 식으로 규정된다.

0.5×W₁S<D1<D, 0.5×W₂S<D2<D, 2.2×W₂S<W₁S<5×W₂S, 0.5×D2<D1<1.3×D2

더 바람직하게는, 이하의 식으로 규정된다.

0.5×W₁S<D1<D, 0.5×W₂S<D2<D, 2.7×W₂S<W₁S<5×W₂S, 0.5×D2<D1<1.1×D2

본 제품의 1예는, 도 2E, 및 도 2E의 에칭 부분을 선B-B'을 중심으로 상면으로부터 본 도 2F에서 도시된다.(또한 도 2F는 개략도이며, 실제로는 상기 한정을 충족시키는 것으로 한다.) 도 2A에서는 금속재료에 의한 기체(1)와, 그 편면에 설치된, 노광·현상에 의해 원하는 2개의 개공부를 가진 제1 레지스트층(2)이 도시되어 있다. 도 2B에서는 제1 에칭에 의해, 대와 소의 2개의 에칭 부분(3)이 형성된 모양이 도시되어 있다. 도 2C에서는 제1 레지스트층(2)이 삭제되고, 제2 레지스트층(4)이 형성되고, 그 후에 노광·현상에 의해, 원하는 개공부(7)가, 작은 쪽의 에칭 부분(3) 상에 형성된 모양을 도시하고 있다. 도 2D는, 제2 에칭에 의해, 개공부(7)에 기인하는 에칭 부분이 형성되어 있다. 도 2E에서는, 제2 레지스트층(4)이 삭제되고, 에칭 제품이 형성되어 있다. 또한 대오목부 및 소오목부의 형상은 도 2와 같이 사각형의 형상을 하고 있지만, 상기 한정을 충족시키면, 다른 사각형이나 다른 형상 등 임의로 형성할 수 있는 것이다.

<본 발명의 제3 형태의 제품에 대해서>

본 발명의 제3 형태의 제품은, 면내에 적어도 1개의 단경이 W₁S, 장경이 W₁L, 깊이가 D1인 대오목부와, 단경이 W₂S, 장경이 W₂L, 깊이이 D2인 소오목부의 조합을 가진다. 또한 상기 대오목부 및 소오목부는, 금속판을 관통해도 되고, 또 관통하지 않아도 된다. 이들 오목부는 서로 임의의 방향으로 공존해도 좋다. 본 제품은 가능한 한, 대오목부 및 소오목부를 금속판 상에 어떠한 배치라도, 임의로 형성할 수 있다. 완전히 같은 대오목부 및 소오목부의 조가 규칙적으로 형성되어도 좋고, 서로 다른 대오목부 및 소오목부의 조가 규칙적으로 배치되어 있어도 좋다. 또 랜덤하게 배치되어 있어도 좋다. 본 형태의 제품은, 면내에 적어도 1개의 단경이 W₁S, 장경이 W₁L, 깊이가 D1의 대오목부와, 단경이 W₂S, 장경이 W₂L, 깊이가 D2인 소오목부의 조합을 가지고, 이하의 식으로 규정되는 치수의 관계를 가진다.

0.5×W₁S<D1≤D, 0.5×W₂S<D2≤D, W₂S<W₁S<2.0×W₂S, 0.2×D1<W₂S<0.8×D1

상기 관계는, 바람직하게는 이하의 식으로 규정된다.

0.5×W₁S<D1≤D, 0.5×W₂S<D2≤D, W₂S<W₁S<1.8×W₂S, 0.2×D1<W₂S<0.6×D1

더 바람직하게는, 이하의 식으로 규정된다.

0.5×W₁S<D1≤D, 0.5×W₂S<D2≤D, W₂S<W₁S<1.6×W₂S, 0.2×D1<W₂S<0.4×D1

본 제품의 1예는, 도 3E 및 도 3E의 에칭 부분을 선C-C'를 중심으로 상면으로부터 본 도 3F에서 도시된다.(도 3F는 개략도이며, 실제로는 상기 한정을 충족시키는 것으로 한다.) 도 3A에서는 금속재료에 의한 기체(1)와, 그 편면에 설치된, 노광·현상에 의해 원하는 2개의 개공부를 가진 제1 레지스트층(2)이 도시되어 있다. 도 3B에서는 제1 에칭에 의해, 2개의 에칭 부분(3)이 형성된 모양이 도시되어 있다. 도 3C에서는 제1 레지스트층(2)이 삭제되고, 제2 레지스트층(4)이 형성되고, 그 후, 노광·현상에 의해, 원하는 개공부(7)가, 큰 쪽의 에칭 부분(3) 상에 형성된 모양을 도시하고 있다. 도 3D는, 제2 에칭에 의해, 개공부(7)에 기인하는 에칭 부분이 형성되어 있다. 도 3E에서는, 제2 레지스트층(4)이 삭제되고, 에칭 제품이 형성되어 있다. 또한 대오목부 및 소오목부의 형상은 도 3과 같이 사각형의 형상을 하고 있지만, 상기 한정을 충족시키면, 다른 사각형이나 다른 형상 등 임의로 형성할 수 있는 것이다.

<본 발명의 제품의 그 밖의 특징에 대해서>

본 발명의 금속 에칭 제품에 있어서는, 금속 패턴이, 금속층의 표층측에 개공부의 1차 에칭에 의한 측벽을 가지고, 심층측에 전착 포토레지스트를 이용한 2차 에칭에 의한 측벽을 가질 경우, 이 금속 패턴의 적어도 1개의 개공부(오목부)의 에칭 팩터가 2.6 이상인 것도 바람직하다. 개공 치수에 대하여 구멍이 깊은 에칭 형상을 가짐으로써 우수한 특성을 제공할 수 있다. 발명자 등의 실험에서는, 포토레지스트 개공 지름 10㎛이상의 포토레지스트 패턴에서는, 1차 에칭만으로는 포토레지스트 직하에서의 사이드 에칭이 진행하기 때문에, 에칭 팩터는 최대라도 2.6미만 정도이었다. 그러나, 본 발명의 제품의 1예에서는, 1차 포토레지스트 개공 지름 260㎛ 패턴이며, 전착 포토레지스트를 이용한 2차 에칭에 의해 에칭 팩터 6.9가 제공된다.

여기에서 에칭 팩터(이하 EF)에 대해서 설명하면, 1차 에칭 공정으로 1차 에칭되는 금속층의 개공 치수(단경)와, 이 개공부에 가하는 1차 에칭용 포토레지스트의 개공 치수와의 치수차를 반으로 한 사이드 에칭량(이하 SE)과, 에칭된 깊이 치수(이하 ED)로 식 1에 나타낸 바와 같이 규정된다.

EF=ED/SE

또한, 2차 이후의 에칭이 행해지고 있을 경우, 에칭 치수는 최고차의 값을 이용하여 계산할 수 있다.

본 발명의 제품은, 도 11과 같이 절연 기판 상에 설치된 금속층을 가지는 것과 같은 것이라도 되지만, 이와 같이 금속층을 오목부가 관통하고 있을 경우에는 아래와 같이 생각한다. 도 11은, 절연 기판(37) 상에 적층된 금속층(35)에, 2차 에칭 공정으로 개공부(36)가 설치된 금속 에칭 제품을, 단면으로 도시한 부분 설명도이다.

2차 이상의 에칭을 실시한 금속층(35)의 개공부(36)의 ED나 SE는 개공부(36)의 중심을 수직으로 절단하고, 절단면의 단면으로부터 계측할 수 있다. 도면에 도시된 바와 같이, 절연 기판(37) 상에 이르기까지 개공부(36)를 설치하거나, 금속층(35)에 관통 구멍을 설치하거나 했을 경우 등과 같이, 금속층(35)의 개공부(36)의 심층부 바닥의 형상(38)이 곡면을 그리지 않고, 일부 결여되어 있는 경우에는, 바닥의 곡선을 외삽해서, 즉 ED를 추정해서 값을 얻을 수 있다.

이렇게 본 발명에서는, 금속기판의 양면으로부터 에칭해서, 거의 수직인 관통 구멍을 제작해도 좋고, 금속기판을 비에칭성의 기판에 붙인 금속박의 편측으로부터 에칭하여, 고애스펙트비의 금속배선 패턴을 형성해도 좋다.

(제조 방법에 대해서)

이하 본 발명의 제조 방법에 대해서 상세하게 설명한다.

본 발명의 복잡한 입체형상을 가지는 금속 에칭 제품의 제조 방법에서는, 제1 포토마스크와 그 이후의 노광 공정에서 이용되는 포토마스크의 패턴 형상을 변화시킴으로써, 입체적이고 복잡한 에칭 형상을 가능하게 한다. 또, 1회의 노광 공정에서 이용되는 포토마스크의 패턴 형상을 표리에서 다른 것으로 함으로써, 부분적으로 금속판 두께가 다른 등의 보다 복잡한 입체형상을 형성하는 것을 가능하게 한다.

상술한 본 발명의 제품은, 원하는 복잡한 형상을 얻기 위해서, 전착 포토레지스트를 사용하고, 2차 이상의 복수차 에칭 공정을 거쳐 얻을 수 있다. 심도 방향으로의 이방성이 높은 에칭을 하고, 고애스펙트비의 관통 구멍을 형성시켜, 고애스펙트비 또한 고정세한 금속패턴을 형성시킨다.

본 발명의 제품을 얻기 위해서는, 적어도 에칭이 n차까지(n은 2이상의 복수), 즉 복수회로 나누어서 행해진다. 바람직하게는 제조비용적인 관점에서 3회까지이다. 이하에 서술되는 제2 에칭을 위한 공정을, 조건을 같게, 혹은 바꿔서, 복수회 반복해도 좋다. 그러나 적어도 1회는 바꾸는 것이 바람직하다. 소정의 부분에 연속해서 행해지는 n차와 n+1차의 에칭에서 사용할 수 있는 포토마스크는, 같아도, 달라도 되지만, n+1차 마스크에 의한 노광 부분이 n차보다 작은 것을 사용하는 것이 바람직하다. 우선 처음에, 금속기체의 표면의 적어도 1개의 면 또는 일부에, 포토레지스트가 코팅되고, 레지스트막 형성이 행해진다. 그 후, 개공부 패턴이 형성된다. 즉, 레지스트막의 원하는 위치로의 노광 및 현상이 행해진 결과, 원하는 위치의 레지스트막이 제거된다. 즉 레지스트가 개공부 패턴으로 개공하고, 금속표면이 노출된다. 이 후, 1차 에칭이 행해져, 금속표층에 측벽을 가지는 오목부가 설치된다. 이 후에, 레지스트막을 박리하는 공정을 포함하고 있어도 된다. 다음에, 심층부 바닥만 개공한 전착 포토레지스트 패턴이 형성된다. 즉, 오목부가 형성된 금속기체 상에, 제2회째의 레지스트막 형성이 전착으로 행해지고, 전회와는 달라져 있는 것이 바람직한 형상 및/또는 조건으로, 원하는 위치에 노광·현상이 행해진다. 이 후에, 2차 에칭이 행해진다. 이 결과, 상기 오목부 내부에, 다시 오목부가 형성된다. 이렇게 심층부 바닥만의 에칭을 반복함으로써, 애스펙트비는 높아져 간다.

(오목부의 제조예)

복잡한 입체형상을 가지는 금속 에칭 제품의 제조 방법의 예로서, 이하와 같은 방법을 들 수 있다. 기판에 적어도 1회의 에칭으로 큰 오목부를 형성하고, 그 안에 적어도 1회의 에칭으로 적어도 1개의 작은 오목부를 형성하는 방법, 기판 상에 2회이상의 에칭에 의한 작은 오목부와 1회의 에칭에 의한 큰 오목부를 형성하는 방법, 또는 그 반대의 방법, 기판의 일방의 측으로부터의 적어도 1회의 에칭으로 큰 오목부를 형성하고, 기판의 반대측으로부터의 적어도 1회의 에칭으로 작은 오목부를 형성해 관통부를 형성하는 방법 등이 있다. 관통부와 오목부의 양방이 기판 상에 모두 존재하도록 제조할 수 있다.

상기의 방법에서는, 금속표면에 포토레지스트를 코트하고, 마스크 등을 사용하는 노광과 현상을 행하여, 개공부가 형성된 패턴을 형성하고, 그 후, 1차 에칭이 행해진다. 이 이후의, 2차 에칭이후의 공정에서는, 1차 에칭과는 달라도 좋은 원하는 위치에, 개공하는 전착 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 즉, 전착막 형성, 원하는 위치의 노광, 현상, 에칭을 반복 행하고, 복잡한 에칭 가공 형상을 형성할 수 있다. 또, 평활한 금속재료 표면에 포토리소그래피법으로 패턴 형성할 경우, 원하는 패턴이 형성된 포토마스크를 이용하여, 두께 10㎛정도의 레지스트 패턴을 형성할 수 있다.

(제1 포토레지스트의 종류와 레지스트 부가의 방법에 대해서)

1차 에칭의 전에는 포토레지스트가, 기판의 적어도 일부 또는 일면에 부가된다. 1차 에칭 공정에서 사용되는 레지스트에는, 나프토퀴논 아지드계나 노볼락수지계의 포지형 포토레지스트나 중크롬산계나 폴리신남산비닐계나 환화고무 아지드계 등의 네거형 포토레지스트를 이용할 수 있다. 또 1차 에칭부터 포지형이나 네거형의 전착 포토레지스트를 사용해도 좋다. 레지스트의 두께는, 내에칭성이나 해상도라는 관점에서 3㎛이상 30㎛이하, 바람직하게는 5㎛이상 20㎛이하인 것이 바람직하다. 액상 포토레지스트의 코팅의 경우에는, 스핀 코터, 롤 코터, 딥 코터 등 통상 사용되는 포토레지스트 코트 방법을 이용할 수 있다. 드라이 필름 레지스트를 이용할 경우에는, 라미네이터가 이용된다. 또, 인쇄 레지스트를 패턴 인쇄해도 좋다. 이들 중에서도, 상기 포토레지스트를 이용하는 것이 미세가공의 관점에서 바람직하다.

(1차 에칭의 전에 행해지는 노광 및 현상에 대해서)

1차 에칭의 전에는, 포토레지스트에 대하여 원하는 위치에 노광 및 현상이 행해진다. 노광에는 제1 포토마스크를 이용할 수 있고, 그 후 현상을 행하면, 원하는 레지스트 패턴을 얻을 수 있다. 금속표면에 포토레지스트가 코트되어 있으므로, 노광과 현상에 의해, 개공부 패턴으로 개공한 포토레지스트가 형성된다. 노광은 1회로 행해도 되고 복수회로 나누어서 행해도 된다.

노광의 방법이나 조건으로서는, 평행 광원, 확산 광원, 콘택트 노광이나 투영 노광 등을 들 수 있다. 현상의 방법이나 조건으로서는 스프레이 현상이나 딥 현상 등을 들 수 있다. 노광, 현상의 조건은 어느 것이나 임의로 선택 가능하지만, 노광은 평행 광원, 현상은 스프레이로 행해지는 것이 미세가공의 관점에서 바람직하다.

(1차 에칭에 대해서)

레지스트 패턴이 얻어진 후, 1차 에칭이 행해진다. 이 공정에 의해 1차 에칭 형상(하프 에칭 형상)이 형성된다. 에칭제로서는, 염화제2철액, 염화제2동액 등을 들 수 있다. 에칭액이 공급되는 방법은 임의이며, 스프레이법, 패들법, 딥법이나 분류법 등을 들 수 있지만, 스프레이법에 의한 것이 바람직하다.

(제1 포토레지스트의 박리에 대해서)

다음번의 포토레지스트를 형성하기 전에, 1차 에칭 공정에서 사용한 금속재료에 부착되어 있는 포토레지스트는, 박막해도 좋다. 박리의 방법이나 조건은 임의이다. 열알칼리 용액, 유기용제 및 그 혼합물 등의 레지스트 박리액을 이용하여 박막해도 좋다. 또, 스프레이법, 딥법 등을 들 수 있고, 알칼리를 이용한 스프레이법이 바람직하다.

(1차 에칭 이후의 레지스트 형성에 대해서)

1차 에칭이 행해진 금속기체 상에, 전착에 의한 2차 레지스트가 형성된다. 2차 이후의 레지스트를 형성하기 위해서는, 액상 포토레지스트나 드라이 필름 레지스트에서는, 에칭면을 가지는 요철이 있는 금속층에, 균일한 막두께로 레지스트를 코팅하는 것은 거의 불가능하다. 액체 포토레지스트를 사용하면, 1차 에칭에 의한 오목부의 표면에 2차 에칭에 사용하는 포토레지스트를 코팅할 때에, 1차 에칭 구멍부에 포토레지스트 액이 고이기 쉽다. 따라서, 균일한 막두께의 포토레지스트를 형성할 수 없는 문제가 있다. 또 드라이 필름 레지스트는 1차 에칭면(특히 오목부)에 잘 붙일 수 없는 문제가 있다.

따라서, 전착법이 이용된다. 전착 포토레지스트는 1차 에칭에 의해 요철이 생긴 금속표면에 대하여 균일한 막두께로 전착에 의해 코팅된다. 전착 레지스트는, 기판의 전체면을 코트해도 좋고, 또 특정면이나 부분만을 선택해서 코트해도 좋다. 전착 포토레지스트의 막두께는 20㎛이하정도, 바람직하게는 8㎛전후이다. 막두께는, 재료 자체의 유전율과 전착조건에 의해 제어할 수 있지만, 사이드 에칭에 의해 생성하는 플랜지의 기계적 강도의 문제에서 2㎛이상의 막두께가 바람직하고, 고선명 패턴을 형성하기 위해서는 10㎛이하의 막두께가 바람직하다.

여기에서, 2차 에칭에 사용하는 전착 포토레지스트재에는, 포지형 전착 포토레지스트가 바람직하다. 네거형 전착 포토레지스트라도 사용할 수 없는 것은 아니나, 이하에 나타내는 바와 같이 불량이 생긴다.

도 8은, 금속재료의, 네거형 전착 포토레지스트를 사용했을 때의, 에칭 공정을 단면으로 도시한 부분 설명도이다. 1차 에칭되어 하프 에칭 구멍의 표층부가 역테이퍼로 된 상태가 도시되어 있다. 도 8에서, 1차 에칭 공정에서 형성된 하프 에칭 형상을 가지는 금속재료(21)에, 네거형 전착 레지스트(22)가 도포되어 있다. 금속재료(21)의 표면에는, 네거형 포토마스크(24)가 설치되고, 네거형 포토마스크(24)의 상방으로부터 빛(25)이 조사되고 있다. 구멍의 중앙부에서는 마스크에 의해 빛이 가로막아져 있다. 여기에서 1차 에칭되어 구멍의 표층부가 역테이퍼로 되었기 때문에, 노광할 수 없는 네거형 전착 레지스트 부분(23)이 생기고 있다. 도면에 도시한 바와 같이 1차 에칭량이 많아 하프 에칭면의 표층부가 역테이퍼 형상으로 되어 있으면(레지스트 부분(23)), 2차 포토레지스트에 네거형 포토레지스트를 사용했을 경우, 하프 에칭면의 표층부의 필요한 부분을 노광할 수 없다. 따라서 포지형 전착 포토레지스트를 이용하는 것이 바람직하다.

(제2 노광, 현상에 대해서)

이어서, 전착 포토레지스트로의 노광, 현상을 행할 수 있다. 노광에서는, 제1 포토마스크와 다른 제2 포토마스크를 이용할 수 있다. 상기 처리에 의해, 1차 에칭 공정에서의 하프 에칭벽의 원하는 개소에만 금속면을 노출시킨다. 마스크는, 제1 포토마스크와는 다른 패턴을 가지는 제2 포토마스크가 사용되는 것이 바람직하다. 또, 포지형 전착 레지스트가 사용되는 경우는, 제2 포토마스크는 제1 포토마스크보다 노광할 수 있는 사이즈가 작은 것이 바람직하다. 전차 에칭에서 제조한 1차 에칭 구멍과 제1 포토마스크와는 다른 패턴을 가지는 제2 포토마스크의 위치맞춤을 행하고, 노광을 행하는 것이 바람직하다. 노광은 상부로부터의 평행 광원을 이용하여 행해지는 것이 바람직하지만, 조건에 따라서는 이것으로 한정되는 것은 아니다. 제2 포토마스크를 이용할 경우, 프록시미티 노광법, 소프트 콘택트법이나 투영 노광법을 이용해도 된다. 이 경우, 전차 에칭 공정에서의 1차 에칭된 구멍 혹은 볼록부와 얼라인먼트를 맞춰 평행 자외선광으로 노광하고, 현상할 수 있다.

또한, 제2보다 고차의 단계의 포토마스크로서 제1 포토마스크와 다른 패턴 형상을 이용할 수도 있다. 전차 에칭에서 사용한 포토마스크와 개공 패턴이 다른 포토마스크를 이용하고, 전차 에칭 구멍 또는 오목부와 포토마스크의 위치맞춤을 행하고, 이어서 노광, 현상할 수 있다. 2차, 3차, 그 이후와 같이 몇단계라도 나눠서 상기에 서술된 공정들을 반복할 수 있지만, 이 경우, 원하는 패턴을 형성할 수 있도록 서로 다른 포토마스크를 선택해 노광을 행할 수 있다. 포지형 전착 레지스트의 경우, 고차가 될수록 구멍이 작아지는, 노광 부분이 작아지는 마스크를 선택하는 것도 바람직하다. 즉, 차수가 오를수록 노광에 의해 설치되는 개구부가 작아지는 것이 바람직하다. 이들의 방법에 의해, 원하는 위치에 적확하게 가공 형상을 형성하는 것도 가능하다. 2차 에칭에서는, 1차 에칭에 의한 오목부와 포토마스크의 위치맞춤을 행하고, 이어서 평행 광원으로 노광, 현상해도 좋다. 그 차원마다 다른 전착 포토레지스트 개공형상을 제작하고, 에칭을 행할 수 있으므로, 고차 전착 포토레지스트 패턴을 포토마스크의 패턴 형상대로 충실하게 재현시키고, 또한 레지스트 엣지 형상을 샤프하게 하고, 금속 엣지 형상이 샤프한 에칭 형상을 얻을 수 있다.

(제2 에칭에 대해서)

상기의 현상 후, 2차 에칭 공정을 행한다. 2차 에칭 공정 이후에서는, 전착공정이 받아들여져 있음으로써, 금속재료 표면의 사이드 에칭을 막으면서, 원하는 개소에 에칭을 하고, 복잡하고 고정세한 금속 패턴 가공 형상을 형성한다. 2차 에칭은, 1차 에칭 공정과 동일하게 행해도 되고, 달라 있어도 된다. 예를 들면, 1차 에칭과 같이, 염화제2철액이나 염화제2동액과 같은 에칭액 스프레이로 에칭한다. 그 결과, 복잡한 입체형상을 가지는 금속 에칭 제품을 얻는다.

본 발명에서는, 2차 에칭 공정까지로 한하지 않고, 2회이상의 복수회의 에칭 공정도 행하는 것이 가능하다. 예를 들면, 3차, 4차, 5차와 같이 에칭을 거듭함으로써, 보다 애스펙트비가 높은 에칭 제품을 얻는 것도 가능하다. n+1차 에칭 공정에서는, 전차의 n차 에칭 구멍 또는 오목부의 표면에서의 사이드 에칭을 방지한다. 즉, 사이드는 전착막으로 보호하고, 원하는 가공 부분만의 에칭을 진행시킨다.

또한, 에칭은, 금속판의 편면에만 행하는 것도, 양면 행하는 것도 가능하다. 또 양면을 행할 경우, 표면과 이면에서, 에칭의 회수를 바꾸어도 좋다. 이렇게 노광·현상·에칭을 행하는 회수, 순서, 위치는 임의이며, 따라서 여러가지 우수한 제품을 얻을 수 있다.

(전착 포토레지스트의 제거에 대해서)

상기 에칭 후에, 전착 포토레지스트를 박막해도 좋다. 이 때, 박막을 위해, 열알칼리, 유기용제 등을 사용할 수 있지만, 그중에서도, 3wt%가성소다 수용액을 사용하는 것이 바람직하다. 또 박막온도는, 임의이지만, 박리 속도의 관점에서 고온인 것이 바람직하고, 3wt%가성소다 수용액을 사용할 경우, 60℃정도로 행해지는 것이 가장 바람직하다. 이렇게 하여, 복잡한 에칭 형상을 가지는 금속 에칭 제품을 완성시킨다.

(에칭의 모서리부에 대해서)

레지스트 패턴이 직사각형일 경우, 모서리부에 사이드 에칭의 영향이 있다. 도 9A에 도시된 바와 같이 금속재료 기판(26)에, 직사각형의 모서리를 가지는 1차 에칭 공정을 위한 포지형 포토레지스트 패턴(27)을 형성하고, 1차 에칭을 행하면, 도 9B에 도시된 바와 같이, 1차 에칭 공정으로 형성된 1차 에칭 오목부(28)에 더해, 1차 에칭 공정으로 형성된 오목부의 사이드 에칭부(29)가 형성된다. 즉, 에칭 형상은 상기 포토레지스트의 직사각형의 모서리를 중심으로 하는 반경(SE)의 둥근 모서리(직각이 아닌 곡선을 그리는 모서리)의 직사각형이 되어 버린다. 둥근 모서리의 정도를 경감하기 위해서, 2차 에칭 이후의 전착 포토레지스트에서는, 모서리를 강조한 포토마스크를 이용한다. 도 9C에는, 상기 포토마스크의 사용에 의해 형성된, 2차 에칭 공정을 위한 금속재료 노출부(30)와, 포지형 전착 포토레지스트 코팅부(31)와, 1차 에칭 공정으로 형성된 1차 에칭 오목부 상에 코팅된 포지형 전착 포토레지스트 코팅부(32)가 도시되어 있다. 반경(SE)의 둥근 모서리의 중앙을 시점으로 하는, 사이드 에칭부(29)의 변에 평행하게 달리는 라인까지, 전착 레지스트가 전착되어 있다. 둥근 모서리의 원하는 부분에도, 임의로 포지형 전착 포토레지스트를 부여함으로써, 보다 높은 애스펙트비를 얻을 수 있다. 도 9D에서는, 2차 에칭 공정에 의해 직사각형의 둥근 모서리가 작아진 부위(33)가 도시되어 있다. 이렇게, 에칭 형상을 제어함으로써, 에칭 팩터가 2.6 이상인, 구멍 개공치수에 대하여 구멍이 깊은 에칭 형상을 가지는 금속 에칭 제품을 제조할 수 있다.

(기타)

편측 에칭의 경우, 에칭 개공 지름은 판두께의 약 200%가 한계지만, 본 발명 의 방법에 의하면 0.01∼5㎜의 판두께에 있어서 판두께의 40∼160%로, 바람직하게는 40∼130%로, 보다 바람직하게는 40∼100%로 개공할 수 있다. 또 양면 에칭의 경우, 에칭 개공지름은 판두께의 약 100%가 한계지만, 본 발명에 의하면 0.05∼10㎜의 판두께에 있어서 판두께의 20∼80%로, 바람직하게는 20∼65%로, 더 바람직하게는 20∼50%로 개공할 수 있다. 또한 본 발명에 의하면, 2차 에칭 공정 이후의 원판설계 보정의 취하는 방법에 의해, 에칭 단면형상을 테이퍼 형상이나 단차형상으로 하는 것도 가능하게 되고, 단순한 수직단면뿐만 아니라, 에칭 형상의 삼차원적인 제어가 가능해 진다.

실시예

이하 청구항에 의거하는 실시예1, 2 및 실시예3에는, 복잡한 입체형상을 가지는 에칭 가공 형상의 제작 방법을 나타내고 있다.

비교예1에는, 종래의 일단 에칭에 의한 금속기판의 에칭을 나타낸다. 실시예1과 비교해서 알 수 있는 바와 같이, 에칭 가공부의 단면형상은 반타원형상이 된다.

<실시예1>

도 4A에서 도 4E는, 본 실시예1의 제조 방법의 공정을 단면으로 도시한 개략 설명도이다. 두께 500㎛의 철계의 금속재료 기판(1)을 알칼리 탈지하고, 포지형 포토레지스트의 PMER P-RH300PM(도쿄오카고교제)을 막두께 10㎛로 코팅하였다. 이어서, 피치 350×1000㎛로 260×860㎛의 슬롯 패턴이 개공된 제1 포토마스크를 통해 자외선을 노광하였다. 이어서, 알칼리수용액의 스프레이 현상으로, 제1 포토마스크와 동치수의 1차 에칭 공정을 위한 포지형 포토레지스트(2)의 패턴을 형성하였다(도 4A).

1차 에칭 공정으로서, 염화제2철 에칭액을 50℃, 0.3MPa로 사이드 에칭이 20㎛ 진행할 때까지 스프레이 에칭하여, 1차 에칭 후의 하프 에칭부(3)가 형성되었다 (도 4B). 그 후, 수세 후 60℃, 3wt%의 가성소다 수용액에 침지하고, 포지형 포토레지스트를 박막하였다.

이어서, 포지형 전착 포토레지스트(4)(존네EDUV P-500, 간사이페인트제)를 막두께 8㎛로 코팅하였다. 이어서 피치 350×1000㎛로 260×860㎛의 슬롯 패턴이 개공되고, 또한 스폿 패턴 내에 180×780㎛의 직사각형의 차광부를 가지는 제2 포토마스크를 통해 노광을 행하였다. 노광은 150mJ/㎠로 행해지고, 140℃, 15min 열처리 후, 35℃, 1wt%의 탄산소다 수용액으로 스프레이 현상하였다(도 4C).

또한 2차 에칭 공정으로서, 염화제2철 에칭액을 50℃, 0.3MPa으로 스프레이 에칭하고, 에칭 부분(8)을 얻었다(도 4D참조). 그 후, 레지스트를 박막하고, 판두께 500㎛, 금속표면에서의 개구의 치수(A)가 300×900㎛, 가공 바닥면 돌기부(9)의 치수가 160×760㎛인 입체적인 형상을 제작할 수 있었다(도 4E).

<비교예1>

도 5A에서 도 5C는, 비교예1의 제조 방법의 공정을 단면으로 도시한 개략 설명도이다. 두께 500㎛의 철계의 금속재료 기판(1)을 알칼리 탈지하고, 포지형 포토레지스트의 PMER P-RH300PM(도쿄오카고교제)을 막두께 10㎛으로 양면 코팅하였다. 이어서, 피치 350×1000㎛로 260×860㎛ 슬롯 패턴이 개공된 포토마스크를 통해 자외선을 노광하고, 알칼리수용액의 스프레이 현상으로, 포토마스크와 동치수의 포지형 포토레지스트 패턴(2)을 형성하였다(도 5A).

1차 에칭 공정으로서, 염화제2철 에칭액을 50℃, 0.3MPa으로 스프레이 에칭하였다(도 5B). 수세 후 60℃, 3wt%의 가성소다 수용액에 침지하고, 포지형 포토레지스트 패턴을 박막하고, 판두께 500㎛, 금속표면에서의 개구치수가 300×900㎛인 단면형상이 반타원형의 하프 에칭 오목부(3)를 제작할 수 있었다(도 5C).

이렇게 종래의 제조 방법에서는, 복잡한 입체형상은 형성할 수 없다.

<실시예2>

도 6A에서 도 6D는, 본 실시예2의 제조 방법의 공정을 단면으로 도시한 개략 설명도이다. 실시예1에서 형성한 가공 바닥면 돌기부(9)를 가지는 입체적인 형상 상(도 6A)에 포지형 전착 포토레지스트(3)(존네EDUV P-500, 간사이페인트제)를 막두께 2㎛로 코팅하였다. 이어서 피치 350×1000㎛로 100×700㎛의 슬롯 패턴에 개구하고, 가공 바닥면 돌기부(9) 중앙에 개구한 슬롯 패턴이 배치되도록 얼라인먼트 된 제3포토마스크를 통해 150mJ/㎠로 노광하고, 140℃, 15min 열처리 후, 35℃, 1wt%의 탄산소다 수용액으로 스프레이 현상하였다(도 6B).

또한 3차 에칭 공정으로서, 염화제2철 에칭액을 50℃, 0.3MPa으로 스프레이 에칭하였다(도 6C). 이 후 레지스트를 박막하고, 판두께 500㎛, 금속표면에서의 개구치수가 300×900㎛, 가공 바닥면 돌기부(9)치수가 160×760㎛, 가공 바닥면 돌기부에 형성한 3차 에칭 부분(11)의 가공 바닥면 돌기부 상면에서의 치수가 130×730㎛인 입체적인 형상을 제작할 수 있었다 (도 6D).

<실시예3>

도 7A에서 도 7E는, 본 실시예3의 제조 방법의 공정을 단면으로 도시한 개략 설명도이다. 두께 500㎛의 철계의 금속재료 기판(1)을 알칼리 탈지하고, 포지형 포토레지스트(PMER P-RH300PM, 도쿄오카고교제)를 막두께 10㎛로 코팅하였다. 이어서, 편측면(A)인 금속표면(12)에 피치 350×1000㎛로 260×860㎛의 슬롯 패턴이 개공된 제1 포토마스크(A)를, 타방의 편측면(B)의 금속표면(13)에 피치 700×1000㎛로 610×860㎛의 슬롯 패턴이 개공된 제1 포토마스크(B)를 통해 자외선을 노광하였다. 이어서, 알칼리수용액의 스프레이 현상으로, 제1 포토마스크와 동치수의 포지형 포토레지스트 패턴(2)을 형성하였다(도 7A).

1차 에칭 공정으로서, 염화제2철 에칭액을 50℃, 0.3MPa으로 사이드 에칭이 20㎛ 진행할 때까지 스프레이 에칭하고(도 7B), 수세 후 60℃, 3wt%의 가성소다 수용액에 침지하고, 포지형 포토레지스트를 박막하였다. 그 때의 금속표면부터의 깊이(14)는 50㎛이었다.

이어서, 포지형 전착 포토레지스트(15)(존네EDUV P-500, 간사이페인트제)를 막두께 8㎛로 코팅하였다. 이어서 양방의 금속표면(12, 13)에, 피치 350×1000㎛로 260×860㎛의 슬롯 패턴이 개공된 제2 포토마스크를 통해, 150mJ/㎠로 노광하고, 140℃, 15min의 열처리 후, 35℃, 1wt%의 탄산소다 수용액으로 스프레이 현상하였다(도 7C).

또한 2차 에칭 공정으로서, 염화제2철 에칭액을 50℃, 0.3MPa로 스프레이 에칭하였다(도 7D). 레지스트를 박막하고, 판두께 500㎛, 금속표면(A)에서의 개구(16)의 치수가 300×900㎛, 금속표면(B)에서의 개구(17)의 치수가 650×900㎛, 가공 바닥면 돌기부의 금속표면(B)부터의 깊이(19)가 50㎛, 관통 부분(20)의 치수가 280×880㎛인 입체적인 형상을 제작할 수 있었다(도 7E).

<비교예2>

비교예2에는, 종래의 일단 에칭에 의한 금속기판의 양면으로부터의 에칭을 나타냈다. 실시예와 비교해서 알 수 있는 바와 같이, 동일한 피치로 에칭하기 위해서는, 판두께를 절반 이하로 할 필요가 있다.

도 10A에서 10C는, 비교예1의 제조 방법의 공정을 단면으로 도시한 개략 설명도이다. 두께 200㎛의 철계의 금속재료재 기판(1)을 알칼리 탈지하고, 포지형 포토레지스트(PMER P-RH300PM, 도쿄오카고교제)를 막두께 10㎛로 양면 코팅하였다. 이어서, 피치 350×1000㎛로 260×860㎛ 슬롯 패턴이 개공된 포토마스크를 통해 자외선을 노광하고, 알칼리수용액의 스프레이 현상으로, 포토마스크와 동치수의 포지형 포토레지스트 패턴(2)을 형성하였다(도 10A).

1차 에칭 공정으로서, 염화제2철 에칭액을 50℃, 0.3MPa로 SE가 20㎛까지 진행할 때까지 스프레이 에칭하고(도 10B), 수세 후 60℃, 3wt%의 가성소다 수용액에 침지하고, 포지형 포토레지스트 패턴을 박막하고, 편측에서의 EF가 2.6으로 형성되는 판두께 200㎛, 300×900㎛ 슬롯 패턴의 관통구멍(34)이 제작되었다(도 10C). 이렇게 종래의 제조 방법에서는, 판두께가 얇은 것밖에 할 수 없다.

<실시예4>

도 1A에서 도 1E는, 본 실시예4의 제조 방법의 공정을 단면으로 도시한 개략 설명도이다. 두께 500㎛의 철계의 금속재료 기판(1)을 알칼리 탈지하고, 포지형 포토레지스트의 PMER P-RH300PM(도쿄오카고교제)을 막두께 10㎛로 양면 코팅하였다. 이어서, 피치 800×260㎛로 710×170㎛의 슬롯 패턴이 개공된 제1 포토마스크를 통해 표면에 자외선을 노광하였다. 또, 피치 400×260㎛로 170×170㎛의 슬롯 패턴이 개공된 제2 포토마스크를 통해 이면에 자외선을 노광하였다. 이어서, 알칼리수용액의 스프레이 현상으로, 제1 포토마스크와 동치수의 1차 에칭 공정을 위한 포지형 포토레지스트(2)의 패턴을 표면에, 제2 포토마스크와 동치수의 1차 에칭 공정을 위한 포지형 포토레지스트(2)의 패턴을 이면에 형성하였다(도 1A).

1차 에칭 공정으로서, 염화제2철 에칭액을 50℃, 0.3MPa로 사이드 에칭이 20㎛ 진행할 때까지 스프레이 에칭하고, 1차 에칭 후의 하프 에칭부(3)가 형성되었다 (도 1B). 여기에서 표면측의 하프 에칭부는, 이면의 하프 에칭부와 비교하여, 지름, 깊이 모두 크다. 그 후, 수세 후 60℃, 3wt%의 가성소다 수용액에 침지하고, 포지형 포토레지스트를 박막하였다.

이어서, 포지형 전착 포토레지스트(4)(존네EDUV P-500, 간사이페인트제)를 막두께 8㎛로 코팅하였다. 이어서 피치 800×260㎛로 740×200㎛의 슬롯 패턴이 개공되고, 또한 슬롯 패턴내에 200×200㎛의 직사각형의 차광부를 가지는 제3포토마스크를 통해 표리의 노광을 행하였다. 노광은 150mJ/㎠로 행해지고, 140℃, 15min 열처리 후, 35℃, 1wt%의 탄산소다 수용액으로 스프레이 현상하였다(도 1C).

또한 2차 에칭 공정으로서, 염화제2철 에칭액을 50℃, 0.3MPa로 스프레이 에칭하고, 관통하는 구멍(5)을 얻었다(도 1D참조). 그 후, 레지스트를 박막하고, 깊이(D1)가 250㎛, 금속표면에서의 개구의 단경(W₁S)이 210㎛, 장경(W₁L)이 750㎛의 대오목부와, 그 속에 깊이(D2)가 250㎛, 대오목부 표면에서의 개구의 단경(W₂S)이 210㎛, 장경(W₂L)이 270㎛의 2개의 오목부를 가지는 금속 포토 에칭 제품(6)을 제작할 수 있었다(도 1E).

또한, 금속 포토 에칭 제품의 D1+D2=판두께(D)는, 500㎛, 0.4×D<W₁S<D는, 120<210<300㎛, 0.2×D<W₂S<0.8×D는, 60<210<240㎛이었다.

<실시예5>

도 2A에서 도 2E는, 본 실시예5의 제조 방법의 공정을 단면으로 도시한 개략 설명도이다. 두께 500㎛의 철계의 금속재료 기판(1)을 알칼리 탈지하고, 포지형 포토레지스트의 PMER P-RH300PM(도쿄오카고교제)을 막두께 10㎛으로 양면 코팅하였다. 이어서, 피치 1800×560㎛로 1080×400㎛의 (대오목부용)슬롯 패턴과 200×400㎛의 (소오목부용)슬롯 패턴이 개공된 제1 포토마스크를 통해 표면에 자외선을 노광하였다. 이어서, 알칼리수용액의 스프레이 현상으로, 제1 포토마스크와 동치수의 1차 에칭 공정을 위한 포지형 포토레지스트(2)의 패턴을 형성하였다(도 2A).

1차 에칭 공정으로서, 염화제2철 에칭액을 50℃, 0.3MPa로 사이드 에칭이 30㎛ 진행할 때까지 스프레이 에칭하고, 1차 에칭 후의 하프 에칭부(3)가 형성되었다 (도 2B). 그 후, 수세 후 60℃, 3wt%의 가성소다 수용액에 침지하고, 포지형 포토레지스트를 박막하였다.

이어서, 포지형 전착 포토레지스트(4)(존네EDUV P-500, 간사이페인트제)를 막두께 8㎛로 코팅하였다. 이어서 피치 1800×560㎛로 250×450㎛의 슬롯 패턴이 개공된 차광부를 가지는 제2 포토마스크를 통해 노광을 행하였다. 노광은 150mJ/㎠로 행하지고, 140℃, 15min 열처리 후, 35℃, 1wt%의 탄산소다 수용액으로 스프레이 현상함으로써, 작은 오목부내의 레지스트에 개구부(7)를 형성하였다(도 2C).

또한 2차 에칭 공정으로서, 염화제2철 에칭액을 50℃, 0.3MPa로 스프레이 에칭하고, 에칭 부분(8)을 얻었다 (도 2D참조). 그 후, 레지스트를 박막하고, 깊이(D1)가 300㎛, 금속표면에서의 개구의 단경(W₁S)이 460㎛, 장경(W₁L)이 1140㎛의 대오목부와, 깊이(D2)가 240㎛, 금속표면에서의 개구의 단경(W₂S)이 260㎛, 장경(W₂L)이 460㎛의 소오목부를 가지는 금속 포토 에칭 제품(9)을 제작할 수 있었다 (도 2E).

또한, 금속 포토 에칭 제품의 D는, 500㎛, 0.5×W₁S<D1<D는, 260<300<500㎛, 0.5×W₂S<D2<D는, 130<240<500, 1.7×W₂S<W₁S<5×W₂S는, 442<460<1300㎛, 0.5×D2<D1<1.5×D2은, 120<300<360㎛이었다.

<실시예6>

도 3A에서 도 3E는, 본 실시예6의 제조 방법의 공정을 단면으로 도시한 개략 설명도이다. 두께 500㎛의 철계의 금속재료 기판(1)을 알칼리 탈지하고, 포지형 포토레지스트의 PMER P-RH300PM(도쿄오카고교제)을 막두께 10㎛으로 양면 코팅하였다. 이어서, 피치 770×270㎛로 510×180㎛의 (대오목부용)슬롯 패턴과 80×180㎛의 (소오목부용)슬롯 패턴이 개공된 제1 포토마스크를 통해 표면에 자외선을 노광하였다. 이어서, 알칼리수용액의 스프레이 현상으로, 제1 포토마스크와 동치수의 1차 에칭 공정을 위한 포지형 포토레지스트(2)의 패턴을 형성하였다(도 3A).

1차 에칭 공정으로서, 염화제2철 에칭액을 50℃, 0.3MPa로 사이드 에칭이 20㎛ 진행할 때까지 스프레이 에칭하고, 1차 에칭 후의 하프 에칭부(3)가 형성되었다 (도 3B). 그 후, 수세 후 60℃, 3wt%의 가성소다 수용액에 침지하고, 포지형 포토레지스트를 박막하였다.

이어서, 포지형 전착 포토레지스트(4)(존네EDUV P-500, 간사이페인트제)를 막두께 8㎛로 코팅하였다. 이어서 피치 770×270㎛로 110×210㎛의 슬롯 패턴이 개공된 차광부를 가지는 제2 포토마스크를 통해 노광을 행하였다. 노광은 150mJ/㎠로 행해지고, 140℃, 15min 열처리 후, 35℃, 1wt%의 탄산소다 수용액으로 스프레이 현상함으로써, 큰 오목부내의 레지스트에 개구부(7)를 형성하였다(도 3C).

또한 2차 에칭 공정으로서, 염화제2철 에칭액을 50℃, 0.3MPa로 스프레이 에칭하고, 에칭 부분(8)을 얻었다(도 3D참조). 그 후, 레지스트를 박막하고, 깊이(D1)가 170㎛, 금속표면에서의 개구의 단경(W₁S)이 220㎛, 장경(W₁L)이 550㎛의 대오목부와, 깊이(D2)가 110㎛, 금속표면에서의 개구의 단경(W₂S)이 120㎛, 장경(W₂L)이 220㎛의 소오목부를 가지는 금속 포토 에칭 제품(9)을 제작할 수 있었다(도 3E).

또한, 금속 포토 에칭 제품의 D는, 500㎛, 0.5×W₁S<D1<D는, 110<170<300, 0.5×W₂S<D2≤D는, 60<110<300㎛, W₂S<W₁S<2.0×W₂S는, 120<220<240㎛, 0.2×D1<W₂S<0.8×D1은, 34<120<136이었다.

본 발명에 의하면, 사이드 에칭의 진행을 방지하고, 선택적으로 심도방향(심층방향)으로 에칭하는 이방성 에칭, 즉 반복해서 전착 포토레지스트를 코트하는 공정을 포함하는 다단 에칭에 의해 행할 수 있고, 정밀도 좋게 설계대로 비약적인 고에칭 팩터를 얻을 수 있다. 판두께가 두꺼운 금속재료로의 깊은 에칭이 가능하게 되고, 지금까지 불가능했던 고애스펙트비 또한 파인 피치의 에칭 형상을 가지는 고애스펙트비, 또한 고정세 또한 이형의 단면형상을 가지는 금속 패턴을 가지는 금속 에칭 제품을 제공할 수 있다.

Claims

면내에 적어도 1개의 단경이 W₁S, 장경이 W₁L, 깊이가 D1인 대오목부를 가지고, 상기 대오목부 중 적어도 1개가, 그 안에 1개 이상의 오목부를 가지고, 가장 작은 소공의 단경이 W₂S, 장경이 W₂L, 깊이가 D2일 때,

D1+D2=판두께(D), 및 0.02㎜≤D≤2㎜이고,

0.4×D<W₁S<D, 0.2×D<W₂S<0.8×D인 치수를 가지는 것을 특징으로 하는 금속 포토 에칭 제품.
면내에 적어도 1개의 단경이 W₁S, 장경이 W₁L, 깊이가 D1인 대오목부와, 단경이 W₂S, 장경이 W₂L, 깊이가 D2인 소오목부의 조합을 가지고,

0.02㎜≤D≤2㎜이고,

0.5×W₁S<D1<D, 0.5×W₂S<D2<D, 1.7×W₂S<W₁S<5×W₂S, 0.5×D2<D1<1.5×D2인 치수를 가지는 것을 특징으로 하는 금속 포토 에칭 제품.
면내에 적어도 1개의 단경이 W₁S, 장경이 W₁L, 깊이가 D1인 대오목부와, 단경이 W₂S, 장경이 W₂L, 깊이가 D2인 소오목부의 조합을 가지고,

0.02㎜≤D≤2㎜이고,

0.5×W₁S<D1≤D, 0.5×W₂S<D2≤D, W₂S<W₁S<2.0×W₂S, 0.2×D1<W₂S<0.8×D1인 치수를 가지는 것을 특징으로 하는 금속 포토 에칭 제품.
가공부가 금속층의 표층측에 1차 에칭에 의한 측벽을 가지고, 1차 에칭에 의한 측벽에 막두께 방향으로 이어지는, 전착 레지스트를 이용한 1회이상의 에칭에 의해 형성되는, 적어도 1개의 측벽을 가지는, 1차 에칭에 의한 오목부와는 다른 형상의, 2차 이후의 에칭에 의한 오목부를 가지는 형상의 금속 패턴을 가지는, 가공부를 가지는 것을 특징으로 하는 금속 포토 에칭 제품.
가공부가 금속층의 표층측에 1차 에칭에 의한 측벽을 가지고, 1차 에칭에 의한 측벽에 막두께 방향으로 이어지는, 또한 전착 레지스트를 이용한 1회이상의 에칭에 의해 형성되는, 적어도 1개의 측벽을 가지는, 복잡한 입체형상의 금속 패턴을 가지고, 금속 패턴의 개공부의 에칭 팩터가 2.6 이상인, 가공부를 가지는 것을 특징으로 하는 금속 포토 에칭 제품.
금속기판을 준비하고, 적어도 일부에 포토레지스트층을 설치하는 공정과, 노광과 현상에 의해 포토레지스트층에 1개 이상의 개구부를 설치하는 공정과, 1차 에칭을 행해 상기 개구부에 대응하는 오목부를 형성하는 공정을 포함하고,

전착 포토레지스트층을 설치하는 공정과, 노광과 현상에 의해, 적어도 1개의 오목부내에 있는 전착 포토레지스트층에 적어도 1개의 개구부를 설치하는 공정과, 2차 에칭을 행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 포토 에칭 제품의 제조 방법.
제 6 항에 있어서, 또한, 상기 전착 포토레지스트층을 설치하는 공정과, 적어도 1개의 개구부를 설치하는 공정과, 2차 에칭을 행하는 공정을, 복수회 더 반복하는 것을 특징으로 하는 금속 포토 에칭 제품의 제조 방법.
제 6 항에 있어서, 상기 적어도 일부가, 금속기판의 편면 및 양면 중 어느 하나이고, 전착 포토레지스트가 포지형 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 금속 포토 에칭 제품의 제조 방법.
제 6 항에 있어서, 1차 에칭의 후에, 포토레지스트층을 배제하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 포토 에칭 제품의 제조 방법.
제 6 항에 있어서, 차수가 오를수록 노광에 의해 설치되는 개구부가 작아지는 것을 특징으로 하는 금속 포토 에칭 제품의 제조 방법.
제 6 항에 있어서, 금속기판을 준비하고, 양면에 포토레지스트층을 설치하는 공정과, 노광과 현상에 의해 상면의 포토레지스트층에 1개 이상의 큰 개구부를 설치하고, 이면의 포토레지스트층에 큰 개구부의 위치에 대응하는 1개 이상의 작은 개구부를 설치하는 공정과, 1차 에칭을 행해 상기 개구부에 대응하는 오목부를 형성하는 공정을 포함하고,

전착 포토레지스트층을 설치하는 공정과, 노광과 현상에 의해, 적어도 1개의 오목부내의, 전착 포토레지스트층에 적어도 1개의 개구부를 설치하는 공정과, 2차 에칭을 행하는 공정과, 상기 3개의 공정을 반복하여, 표면과 이면을 관통한 구멍을 얻는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 포토 에칭 제품의 제조 방법.
제 6 항에 있어서, 금속기판을 준비하고, 편면에 포토레지스트층을 설치하는 공정과, 노광과 현상에 의해 포토레지스트층에 1개 이상의 큰 개구부와 작은 개구부를 설치하는 공정과, 1차 에칭을 행하여 오목부를 형성하는 공정을 포함하고,

전착 포토레지스트층을 설치하는 공정과, 노광과 현상에 의해, 큰 오목부와 작은 오목부 중 적어도 하나의 오목부내의 전착 포토레지스트층에 적어도 1개의 개구부를 설치하는 공정과, 2차 에칭을 행하는 공정과, 상기 3개의 공정을 반복하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 포토 에칭 제품의 제조 방법.
금속표면에 포토레지스트를 코팅하고, 제1 포토마스크를 이용하여 노광, 현상해 개공부 패턴의 개공한 포토레지스트를 형성하여 1차 에칭을 행하고, 1차 에칭에서 사용한 포토레지스트를 박막 후, 전착 레지스트를 전면 코팅하고, 전회차 에칭에서 제조한 1차 에칭 구멍과 제1 포토마스크와는 다른 패턴을 가지는 제2 포토마스크의 위치맞춤을 행하고, 이어서 평행 광원으로 노광, 현상, 에칭함으로써, 에칭 팩터가 2.6 이상인 개공치수에 대하여 구멍이 깊은 에칭 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 복잡한 입체형상을 가지는 금속 포토 에칭 제품의 제조 방법.