CN107429380A - 金属掩模用基材及其制造方法、蒸镀用金属掩模及其制造方法 - Google Patents

金属掩模用基材及其制造方法、蒸镀用金属掩模及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107429380A
CN107429380A CN201680013003.6A CN201680013003A CN107429380A CN 107429380 A CN107429380 A CN 107429380A CN 201680013003 A CN201680013003 A CN 201680013003A CN 107429380 A CN107429380 A CN 107429380A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mentioned
metal mask
piece
base material
invar alloy
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201680013003.6A
Other languages
English (en)
Inventor
三上菜穗子
田村纯香
寺田玲尔
仓田真嗣
藤户大生
西辻清明
西刚广
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toppan Printing Co Ltd filed Critical Toppan Printing Co Ltd
Priority to CN201910317040.1A priority Critical patent/CN110117767A/zh
Priority to CN202110664955.7A priority patent/CN113403574A/zh
Publication of CN107429380A publication Critical patent/CN107429380A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/01—Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic
    • B32B15/013—Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic one layer being formed of an iron alloy or steel, another layer being formed of a metal other than iron or aluminium
    • B32B15/015—Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic one layer being formed of an iron alloy or steel, another layer being formed of a metal other than iron or aluminium the said other metal being copper or nickel or an alloy thereof
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B21—MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
    • B21B—ROLLING OF METAL
    • B21B1/00—Metal-rolling methods or mills for making semi-finished products of solid or profiled cross-section; Sequence of operations in milling trains; Layout of rolling-mill plant, e.g. grouping of stands; Succession of passes or of sectional pass alternations
    • B21B1/22—Metal-rolling methods or mills for making semi-finished products of solid or profiled cross-section; Sequence of operations in milling trains; Layout of rolling-mill plant, e.g. grouping of stands; Succession of passes or of sectional pass alternations for rolling plates, strips, bands or sheets of indefinite length
    • B21B1/227—Surface roughening or texturing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B21—MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
    • B21B—ROLLING OF METAL
    • B21B3/00—Rolling materials of special alloys so far as the composition of the alloy requires or permits special rolling methods or sequences ; Rolling of aluminium, copper, zinc or other non-ferrous metals
    • B21B3/02—Rolling special iron alloys, e.g. stainless steel
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/02—Local etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/02—Local etching
    • C23F1/04—Chemical milling
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/16—Acidic compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/16—Acidic compositions
    • C23F1/28—Acidic compositions for etching iron group metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/32—Alkaline compositions
    • C23F1/40—Alkaline compositions for etching other metallic material
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/211—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by selective transformation of an existing layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B21—MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
    • B21B—ROLLING OF METAL
    • B21B2261/00—Product parameters
    • B21B2261/02—Transverse dimensions
    • B21B2261/04—Thickness, gauge

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

在具备表面以及与表面相反侧的面即背面的金属轧制片中，表面及背面的至少一方为处理对象。金属掩模用基材的制造方法为，通过用酸性蚀刻液将处理对象蚀刻3μm以上来使金属轧制片所具有的厚度变薄到10μm以下，并且，将处理对象粗糙化为具有0.2μm以上的表面粗糙度Rz的抗蚀剂用处理面，得到金属制的金属掩模用片。

Description

金属掩模用基材及其制造方法、蒸镀用金属掩模及其制造 方法
技术领域
本发明涉及金属掩模用基材的制造方法、使用了金属掩模用基材的蒸镀用金属掩模的制造方法、金属掩模用基材以及蒸镀用金属掩模。
背景技术
作为使用蒸镀法来制造的显示器件之一，已知有机EL显示器。有机EL显示器所具备的有机层，是在蒸镀工序中升华的有机分子的堆积物。在蒸镀工序中使用的金属掩模的开口，是供所升华的有机分子通过的通路，具有与有机EL显示器的像素的形状相对应的形状(例如，参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015-055007号公报
发明内容
发明要解决的课题
然而，随着显示器件的显示品质提高、显示器件的高精细化发展，在上述的有机EL显示器、进而在规定像素尺寸的金属掩模中，对使用了金属掩模的成膜期望高精细化。近年来，对有机EL显示器期望700ppi以上的高精细化，由此，可形成如此高精细化的有机EL显示器中的有机层的金属掩模备受期待。
此外，对于使用了金属掩模的成膜的高精细化，不限于包含有机EL显示器在内的显示器件的制造，在各种器件所具备的布线的形成、各种器件所具备的功能层等使用了金属掩模的蒸镀中都受到期待。
本发明的目的在于，提供能够将使用了蒸镀用金属掩模的成膜高精细化的金属掩模用基材的制造方法、蒸镀用金属掩模的制造方法、金属掩模用基材以及蒸镀用金属掩模。
用于解决课题的手段
用于解决上述课题的金属掩模用基材的制造方法包括如下步骤：准备金属轧制片，该金属轧制片具备表面以及与上述表面相反侧的面即背面，上述表面以及上述背面的至少一方为处理对象；以及通过用酸性蚀刻液将上述处理对象蚀刻3μm以上，从而使上述金属轧制片所具有的厚度变薄到10μm以下，并且使上述处理对象变粗糙为具有0.2μm以上的表面粗糙度Rz的抗蚀剂用处理面，由此，得到金属制的金属掩模用片。
用于解决上述课题的蒸镀用金属掩模的制造方法包括如下步骤：形成具备至少1个抗蚀剂用处理面的金属掩模用基材；在1个上述抗蚀剂用处理面形成抗蚀剂层；通过对上述抗蚀剂层进行图案形成来形成抗蚀剂掩模；以及使用上述抗蚀剂掩模对上述金属掩模用基材进行蚀刻。使用上述金属掩模用基材的制造方法来形成上述金属掩模用基材。
用于解决上述课题的金属掩模基材包括具有表面、以及与上述表面相反侧的面即背面的金属片，上述表面以及上述背面的至少一方为抗蚀剂用处理面，上述金属片所具有的厚度为10μm以下，上述抗蚀剂用处理面的表面粗糙度Rz为0.2μm以上。
用于解决上述课题的蒸镀用金属掩模包括金属掩模用基材，上述金属掩模用基材为上述金属掩模用基材，上述金属掩模用基材所包含的上述金属片具有将上述表面与上述背面之间贯通的多个贯通孔。
根据上述构成，金属掩模用片所具有的厚度为10μm以下，因此能够使形成于金属掩模用片的掩模开口的深度为10μm以下。由此，能够减少从蒸镀粒子观察成膜对象时成为蒸镀用金属掩模的影子的部分，即能够抑制阴影效应，因此能够使成膜对象得到对掩模开口的形状进行追随的形状，进而，能够实现使用了蒸镀用金属掩模的成膜的高精细化。在此基础上，对金属掩模用片形成掩模开口时，首先，在抗蚀剂用处理面上形成抗蚀剂层时，能够使该抗蚀剂层与金属掩模用基材的紧贴性比粗化前提高。然后，在掩模开口的形成中能够抑制由于抗蚀剂层从金属掩模用片剥离等引起的形状精度的降低，因此在这一点上，也能够实现使用了蒸镀用金属掩模的成膜的高精细化。
在上述金属掩模用基材的制造方法中，上述处理对象也可以为上述表面以及上述背面的双方。
根据上述构成，无论是由表面形成的抗蚀剂用处理面还是由背面形成的抗蚀剂用处理面，对于哪个抗蚀剂用处理面都能够形成抗蚀剂层。因此，能够抑制由于弄错形成抗蚀剂层的对象的面而难以得到抗蚀剂层与金属掩模用基材的紧贴性，进而，能够抑制制造蒸镀用金属掩模时的成品率降低。
在上述金属掩模用基材的制造方法中也可以为，上述处理对象为上述表面以及上述背面的任一方，上述制造方法还包括在与上述处理对象相反侧的面上层叠树脂制的支撑层的步骤，在上述金属轧制片与上述支撑层层叠的状态下对上述处理对象进行蚀刻，由此，得到上述金属掩模用片与上述支撑层层叠的金属掩模用基材。
在上述金属掩模用基材的制造方法中也可以为，上述蚀刻包括如下步骤：对上述表面以及上述背面的一方即第一处理对象进行蚀刻；之后对上述表面以及上述背面的另一方即第二处理对象进行蚀刻，上述制造方法还包括在对上述第一处理对象进行了蚀刻之后在通过上述第一处理对象的蚀刻而得到的上述抗蚀剂用处理面上层叠树脂制的支撑层的步骤，在上述金属轧制片与上述支撑层层叠的状态下对上述第二处理对象进行蚀刻，由此，得到上述金属掩模用片与上述支撑层层叠的金属掩模用基材。
根据上述构成，在金属掩模用片的搬运、对金属掩模用片的后处理中，能够减少因由于金属掩模用片的厚度为10μm以下引起的金属掩模用片的脆弱性而导致的金属掩模用片的处理繁琐。
在上述金属掩模用基材的制造方法中优选为，上述金属轧制片为因瓦合金轧制片，上述金属掩模用片为因瓦合金制。
根据上述构成，在成膜对象为玻璃基板时，玻璃基板的线性膨胀系数与因瓦合金的线性膨胀系数为相同程度，因此能够将由金属掩模基材形成的金属掩模应用于对玻璃基板的成膜，即能够将形状精度得以提高的金属掩模应用于对玻璃基板的成膜。
在上述蒸镀用金属掩模的制造方法中优选为，上述金属掩模用基材包含上述金属掩模用片与树脂制的支撑层的层叠体，该制造方法还包括：将形成有上述抗蚀剂掩模之后的上述金属掩模用基材暴露于碱性溶液，由此从上述金属掩模用基材化学地除去上述支撑层。
根据上述构成，与从金属掩模用片物理地撕离支撑层的情况相比，对金属掩模用片不作用外力，因此能够抑制金属掩模用片产生褶皱及变形。
在上述金属掩模基材中，上述抗蚀剂用处理面也可以具有作为具有椭圆锤状的多个凹陷的粒子痕，各个上述粒子痕的长径方向对齐。
金属片通常通过轧制来制造，因此，在金属片的制造过程中添加的脱氧剂的氧化物等粒子混入金属片的情况不少。混入金属片的表面的粒子，在金属材的轧制方向上被延伸，具有在轧制方向上具有长径的椭圆锤状。若这样的粒子残存于在抗蚀剂用处理面中形成掩模开口的部位，则用于形成掩模开口的蚀刻有可能被粒子妨碍。
在这一点上，根据上述构成，抗蚀剂用处理面具有长径方向对齐的椭圆锤状的多个粒子痕，即上述粒子已经被从抗蚀剂用处理面除去了，因此在掩模开口的形成时能够提高掩模开口的形状及尺寸的精度。
发明的效果
根据本发明，能够将使用了蒸镀用金属掩模的成膜高精细化。
附图说明
图1是表示将本发明的金属掩模用基材具体化了的1个实施方式的金属掩模用基材的立体构造的立体图。
图2是表示在蒸镀用金属掩模的制造方法中准备因瓦合金轧制片的工序的工序图。
图3是表示在蒸镀用金属掩模的制造方法中对因瓦合金轧制片的背面进行蚀刻的工序的工序图。
图4是表示在蒸镀用金属掩模的制造方法中在因瓦合金轧制片的抗蚀剂用处理面上形成支撑层的工序的工序图。
图5是表示在蒸镀用金属掩模的制造方法中对因瓦合金轧制片的表面进行蚀刻的工序的工序图。
图6是示意性地表示因瓦合金轧制片的金属氧化物的分布的示意图。
图7是表示在蒸镀用金属掩模的制造方法中形成抗蚀剂层的工序的工序图。
图8是表示在蒸镀用金属掩模的制造方法中形成抗蚀剂掩模的工序的工序图。
图9是表示在蒸镀用金属掩模的制造方法中对因瓦合金片进行蚀刻的工序的工序图。
图10是表示通过对因瓦合金片的表面以及背面的双方进行蚀刻而形成的贯通孔的截面形状的截面图。
图11是表示在蒸镀用金属掩模的制造方法中将抗蚀剂掩模除去的工序的工序图。
图12是表示在蒸镀用金属掩模的制造方法中将支撑层化学地除去的工序的工序图。
图13是表示粘贴于框架的蒸镀用金属掩模的截面构造的截面图。
图14是表示粘贴于框架的蒸镀用金属掩模的平面构造的平面图。
图15是对试验例1的因瓦合金轧制片的表面进行摄影而得到的SEM图像。
图16是对试验例2的因瓦合金片的抗蚀剂用处理面进行摄影而得到的SEM图像。
图17是对试验例3的因瓦合金片的抗蚀剂用处理面进行摄影而得到的SEM图像。
图18是对试验例4的因瓦合金片的抗蚀剂用处理面进行摄影而得到的SEM图像。
图19是对第一粒子痕进行摄影而得到的SEM图像。
图20是的第二粒子痕进行摄影而得到的SEM图像。
图21是表示变形例的金属掩模以及框架的截面构造的截面图。
图22是表示变形例的金属掩模以及框架的截面构造的截面图。
图23是表示变形例的因瓦合金片的平面构造的平面图。
具体实施方式
参照图1至图20，说明将金属掩模用基材的制造方法、蒸镀用金属掩模的制造方法、金属掩模用基材以及蒸镀用金属掩模具体化的1个实施方式。在本实施方式中，作为蒸镀用金属掩模的一例，对有机EL器件所具备的有机层的形成所使用的蒸镀用金属掩模进行说明。以下，依次说明金属掩模用基材的构成、包含金属掩模用基材的制造方法的蒸镀用金属掩模的制造方法以及试验例。
[金属掩模用基材的构成]
参照图1对金属掩模用基材的构成进行说明。
如图1所示那样，金属掩模用基材10为金属掩模用片的一例，包括因瓦合金制的金属掩模片即因瓦合金片11，因瓦合金片11具有表面11a以及与表面11a相反侧的面即背面11b。在因瓦合金片11中，表面11a以及背面11b为抗蚀剂用处理面，且是在对因瓦合金片11进行蚀刻时可形成抗蚀剂层的面。
因瓦合金片11的厚度T1为10μm以下，表面11a的表面粗糙度Rz以及背面11b的表面粗糙度Rz为0.2μm以下。
因瓦合金片11具有的厚度为10μm以下，因此能够使形成于因瓦合金片11的掩模开口的深度为10μm以下。由此，能够减少在从蒸镀粒子观察成膜对象时成为蒸镀用金属掩模的影子的部分、即能够抑制阴影效应，因此能够使成膜对得到对象掩模开口的形状进行追随的形状，进而，能够实现使用了蒸镀用金属掩模的成膜的高精细化。
在此基础上，在因瓦合金片11上形成掩模开口时，首先，在表面11a上形成抗蚀剂层时，能够使抗蚀剂层与因瓦合金片11的紧贴性比粗化前提高。然后，在掩模开口的形成中能够抑制由抗蚀剂层从因瓦合金片11剥离等而引起的形状精度的降低，因此在这一点上，也能够实现使用了蒸镀用金属掩模的成膜的高精细化。
因瓦合金片11的形成材料是含有36质量％的镍、以及铁的镍铁合金、即因瓦合金，因瓦合金、即因瓦合金片11的热膨胀系数为1.2×10-6/℃程度。
因瓦合金片11的热膨胀系数与成膜对象的一例即玻璃基板的热膨胀系数为相同的程度。因此，能够将使用金属掩模用基材10制造的蒸镀用金属掩模应用于对玻璃基板的成膜、即将提高了形状精度的蒸镀用金属掩模应用于对玻璃基板的成膜。
因瓦合金片11的表面的表面粗糙度Rz是通过符合JISB0601-2001的方法测定的值。表面粗糙度Rz是具有基准长度的轮廓曲线中的最大高度。
金属掩模用基材10还具备树脂制的支撑层12，金属掩模用基材10是因瓦合金片11与支撑层12的层叠体。因瓦合金片11之中的背面11b与支撑层12紧贴。支撑层12的形成材料例如为聚酰亚胺以及负型抗蚀剂的至少一方。支撑层12可以是聚酰亚胺制的1个层，也可以是负型抗蚀剂制的1个层。或者，支撑层12也可以是聚酰亚胺制的层与负型抗蚀剂制的层的层叠体。
在这其中，聚酰亚胺的热膨胀系数作为温度依赖性而示出与因瓦合金的热膨胀系数相同的倾向，并且，热膨胀系数的值为相同的程度。因此，如果支撑层12的形成材料为聚酰亚胺，则与支撑层12为聚酰亚胺以外的树脂制的构成相比，能够抑制由于金属掩模用基材10的温度变化而在金属掩模用基材10、进而在因瓦合金片11产生翘曲。
[蒸镀用金属掩模的制造方法]
参照图2至图12对蒸镀用金属掩模的制造方法进行说明。
如图2所示那样，蒸镀用金属掩模的制造方法包含金属掩模用基材10的制造方法，在金属掩模用基材10的制造方法中，首先，准备金属轧制片的一例即因瓦合金轧制片21。因瓦合金轧制片21具备表面21a以及与表面21a相反侧的面即背面21b，因瓦合金轧制片21中的表面21a以及背面21b是金属掩模用基材10的制造方法的处理对象。
因瓦合金轧制片21是通过对因瓦合金制的母材进行轧制并对所轧制的母材进行退火而得到的。由于因瓦合金轧制片21被轧制，因此因瓦合金轧制片21的表面21a以及背面21b各自的表面粗糙度Rz，比母材的表面以及背面上的表面粗糙度Rz小了母材的表面以及背面上的阶差被减少的量。
因瓦合金轧制片21的厚度T2例如为10μm以上100μm以下，更优选为10μm以上50μm以下。
如图3所示那样，通过酸性蚀刻液将处理对象之一、即2个处理对象中先被蚀刻的第一处理对象的一例即背面21b蚀刻3μm以上。蚀刻前的因瓦合金轧制片21的背面21b与蚀刻后的因瓦合金轧制片21的背面、即抗蚀剂用处理面21c之间的差为蚀刻厚度T3，蚀刻厚度T3为3μm以上。
通过背面21b的蚀刻，能够使因瓦合金轧制片21的厚度比蚀刻前变小，并且，将背面21b粗糙化为抗蚀剂用处理面21c具有0.2μm以上的表面粗糙度Rz。
酸性蚀刻液是能够对因瓦合金进行蚀刻的蚀刻液，并且是具有使因瓦合金轧制片21的背面21b比蚀刻前更粗糙化的组成的溶液即可。酸性蚀刻液例如是对高氯酸铁液、以及高氯酸铁液与氯化铁液的混合液，混合了高氯酸、盐酸、硫酸、甲酸以及醋酸中的任意一种而得到的溶液。背面21b的蚀刻可以是将因瓦合金轧制片21浸渍到酸性蚀刻液中的浸渍式，可以是对因瓦合金轧制片21的背面21b喷吹酸性蚀刻液的喷射式，也可以是向通过旋转器而进行旋转的因瓦合金轧制片21滴下酸性蚀刻液的旋转式。
蚀刻厚度T3为至少3μm即可，优选为10μm以上，更优选为15μm以上。
如图4所示那样，在对因瓦合金轧制片21的背面21b进行了蚀刻之后，在通过背面21b的蚀刻而得到的抗蚀剂用处理面21c上层叠上述的树脂制的支撑层12。支撑层12的厚度T4例如为10μm以上50μm以下。
即使因瓦合金轧制片21的厚度为10μm以下，在将支撑层12与因瓦合金轧制片21的层叠体的强度提高到在金属掩模用基材10的制造过程中减少因层叠体的脆弱性而导致的处理繁琐的程度这一点，支撑层12的厚度也优选为10μm以上。
此外，在抑制通过碱性溶液从金属掩模用基材10除去支撑层12时所需要的时间过度变长这一点上，支撑层12的厚度优选为50μm以下。
支撑层12也可以是通过在形成为片状之后粘贴于抗蚀剂用处理面21c，由此层叠于抗蚀剂用处理面21c。或者，支撑层12也可以是通过将用于形成支撑层12的涂液涂敷到抗蚀剂用处理面21c上，由此层叠于抗蚀剂用处理面21c。
此外，在支撑层12包括上述的负型抗蚀剂制的层的情况下，在将负型抗蚀剂的薄膜粘贴于抗蚀剂用处理面21c之后，或者在将负型抗蚀剂涂敷到抗蚀剂用处理面21c之后，对负型抗蚀剂的整体照射紫外线而形成支撑层12。
如图5所示那样，在因瓦合金轧制片21与支撑层12层叠的状态下，通过酸性蚀刻液将在第一处理对象之后被蚀刻的第二处理对象的一例即因瓦合金轧制片21的表面21a蚀刻3μm以上。蚀刻前的因瓦合金轧制片21的表面21a与蚀刻后的因瓦合金轧制片21即因瓦合金片11的表面11a之间的差为蚀刻厚度T5，蚀刻厚度T5为3μm以上。
如此，因瓦合金轧制片21的蚀刻包括：对第一处理对象的一例即因瓦合金轧制片21的背面21b进行蚀刻；之后对第二处理对象的一例即表面21a进行蚀刻。
通过表面21a的蚀刻，使利用图2在之前说明的因瓦合金轧制片21所具有的厚度T2成为10μm以下，并且，将表面21a粗糙化为表面21a具有0.2μm以上的表面粗糙度Rz。由此，得到作为金属制的金属掩模用片以及金属片的一例的、且表面11a以及背面11b各自的表面粗糙度Rz为0.2μm以上的因瓦合金片11、以及因瓦合金片11与支撑层12层叠的金属掩模用基材10。
由于因瓦合金轧制片21的表面21a以及背面21b的双方被蚀刻，因此无论是对由表面21a形成的抗蚀剂用处理面、还是对由背面21b形成的抗蚀剂用处理面21c，对任一个抗蚀剂用处理面都能够形成抗蚀剂层。由此，能够抑制由于弄错形成抗蚀剂层的对象的面而难以得到抗蚀剂层与金属掩模用基材10的紧贴性的情况，进而，还能够抑制制造蒸镀用金属掩模51时的成品率降低。
此外，金属掩模用基材10为因瓦合金片11与支撑层12的层叠体。因此，在因瓦合金片11的搬运、对因瓦合金片11的后处理中，能够减少因由于因瓦合金片11的厚度为10μm以下引起的因瓦合金片11的脆弱性而导致的因瓦合金片11的处理繁琐。
酸性蚀刻液是背面21b的蚀刻所使用的酸性蚀刻液的任一种即可，优选与背面21b的蚀刻所使用的酸性蚀刻液相同。此外，表面21a的蚀刻也可以是浸渍式、喷射式以及旋转式中的任一种，但优选与背面21b的蚀刻相同的方式。
蚀刻厚度T5至少为3μm即可，优选为10μm以上，更优选为15μm以上。蚀刻厚度T5与上述的蚀刻厚度T3可以为相同的大小，也可以为相互不同的大小。
此外，在形成因瓦合金轧制片21的母材时，通常，为了将混入到母材的形成材料中的氧除去，例如将粒状的铝、镁等作为脱氧剂混入母材的形成材料。铝以及镁被氧化，以氧化铝以及氧化镁等金属氧化物的状态被包含于母材的形成材料中。在形成母材时，金属氧化物的大部分被从母材中除去了，但是在母材的内部仍会残留一部分金属氧化物。
如图6所示那样，在因瓦合金轧制片21中，包含因瓦合金轧制片21的厚度方向的中央的部分为中央部分C，包含表面21a的部分为第一表层部分S1，包含背面21b的部分为第二表层部分S2。金属氧化物为，与中央部分C相比，更多分布于第一表层部分S1以及第二表层部分S2。
在通过因瓦合金片11的蚀刻而形成蒸镀用金属掩模时，金属氧化物成为抗蚀剂从因瓦合金片11剥离、因瓦合金片11被过度蚀刻的一个因素。
如上所述，在金属掩模用基材10的制造方法中，因瓦合金轧制片21的表面21a以及背面21b被蚀刻，因此含有较多金属氧化物的第一表层部分S1以及第二表层部分S2的至少一部分被除去。由此，与因瓦合金轧制片21的表面21a以及背面21b未被蚀刻的情况相比，能够抑制由金属氧化物引起的抗蚀剂的剥离、因瓦合金片11的过度蚀刻，并能够抑制对金属掩模用基材10的蚀刻的精度变低。
如图7所示那样，在因瓦合金片11的表面11a上形成抗蚀剂层22。抗蚀剂层22可以是通过在形成为片状之后粘贴于表面11a而形成于表面11a。或者，抗蚀剂层22也可以是通过将用于形成抗蚀剂层22的涂液涂敷到表面11a而形成于表面11a。
抗蚀剂层22的形成材料可以为负型抗蚀剂，也可以为正型抗蚀剂。此外，在支撑层12的形成材料为负型抗蚀剂时，优选抗蚀剂层22由与支撑层12相同的材料形成。
如图8所示那样，通过对抗蚀剂层22进行图案形成来形成抗蚀剂掩模23。抗蚀剂掩模23具有用于对因瓦合金片11进行蚀刻的多个贯通孔23a。
在抗蚀剂层22的形成材料为负型抗蚀剂时，对抗蚀剂层22之中的与抗蚀剂掩模23的各贯通孔23a对应的部分以外的部分照射紫外线，对抗蚀剂层22进行曝光。然后，通过用显影液对抗蚀剂层22进行显影，由此得到具有多个贯通孔23a的抗蚀剂掩模23。
在抗蚀剂层22的形成材料为正型抗蚀剂时，对抗蚀剂层22之中的与抗蚀剂掩模23的各贯通孔23a对应的部分照射紫外线，对抗蚀剂层22进行曝光。然后，通过用显影液对抗蚀剂层22进行显影，由此得到具有多个贯通孔23a的抗蚀剂掩模23。
如图9所示那样，使用抗蚀剂掩模23对因瓦合金片11进行蚀刻。在因瓦合金片11的蚀刻中例如使用氯化亚铁溶液。由此，对因瓦合金片11形成将表面11a与背面11b之间贯通的多个贯通孔11c即掩模开口。在因瓦合金片11的沿着厚度方向的截面中，各贯通孔11c的内周面具有大致劣弧状，在各贯通孔11c中，表面11a上的开口面积大于背面11b上的开口面积。
因瓦合金片11的厚度为10μm以下，因此仅通过从表面11a对因瓦合金片11进行蚀刻，也能够不使因瓦合金片11所具有的掩模开口、换言之贯通孔11c过大地形成将表面11a与背面11b之间贯通的贯通孔11c。
如图10所示那样，因瓦合金片31的厚度T6大于因瓦合金片11的厚度T1，即，因瓦合金片31的厚度T6大于10μm。在该情况下，需要在形成使得因瓦合金片31的表面31a上的开口的面积与因瓦合金片11的表面11a上的开口的面积为相同程度且将表面31a与背面31b贯通的贯通孔的基础上，从表面31a以及背面31b对因瓦合金片31进行蚀刻。
由此，形成由在表面31a开口的第一孔31c、以及在背面31b开口的第二孔31d构成的贯通孔31e。在与因瓦合金片31的厚度正交的方向上，第一孔31c与第二孔31d的连接部处的开口面积小于背面31b上的第二孔31d的开口面积。
在具有这样的贯通孔31e的因瓦合金片31被用作为蒸镀用金属掩模的情况下，在因瓦合金片31的背面31b与成膜对象对置的状态下，因瓦合金片31配置在蒸镀源与成膜对象之间。连接部构成因瓦合金片31之中的从蒸镀粒子观察成膜对象时成为蒸镀用金属掩模的影子的部分，因此与此相应地，在成膜对象中难以得到对第二孔31d的掩模开口的形状进行追随的形状。因此，第二孔31d的深度、换言之为背面31b与连接部之间的距离优选较小。
与此相对，根据因瓦合金片11的贯通孔11c，不具有连接部，与此相对应地，与上述因瓦合金片31相比，能够减少从蒸镀粒子观察成膜对象时成为蒸镀用金属掩模的影子的部分。结果，在成膜对象中能够得到相对于掩模开口的形状更加追随的形状。
如图11所示那样，将使用图9在之前说明过的位于金属掩模用基材10上的抗蚀剂掩模23除去。此外，在将抗蚀剂掩模23从金属掩模用基材10与抗蚀剂掩模23的层叠体除去时，也可以在支撑层12之中的与因瓦合金片11相接触的面的相反侧的面上形成保护支撑层12的保护层。根据保护层，能够抑制用于除去抗蚀剂掩模23的溶液使支撑层12溶解。
如图12所示那样，在将抗蚀剂掩模23除去之后，将金属掩模用基材10暴露于碱性溶液中，由此从金属掩模用基材10化学地除去支撑层12。由此，得到蒸镀用金属掩模片41。蒸镀用金属掩模片41具有与因瓦合金片11的表面11a相当的表面41a、与因瓦合金片11的背面11b相当的背面41b、以及与因瓦合金片11的贯通孔11c相当的贯通孔41c。
此时，支撑层12被从金属掩模用基材10化学地除去，因此与从因瓦合金片11物理地撕离支撑层12的情况相比，不对因瓦合金片11作用外力，能够抑制因瓦合金片11产生褶皱及变形。
碱性溶液只要是通过对支撑层12进行溶解而能够将支撑层12从因瓦合金片11剥离的溶液即可，例如，为氢氧化钠水溶液。在将金属掩模用基材10暴露于碱性溶液时，可以将金属掩模用基材10浸渍到碱性溶液中，也可以对金属掩模用基材10的支撑层12喷吹碱性溶液，还可以相对于通过旋转器进行旋转的金属掩模用基材10的支撑层12滴下碱性溶液。
如图13所示那样，从蒸镀用金属掩模片41切取具有规定长度的蒸镀用金属掩模51。蒸镀用金属掩模51具有与蒸镀用金属掩模片41的表面41a相当的表面51a、与蒸镀用金属掩模片41的背面41b相当的背面51b、以及与蒸镀用金属掩模片41的贯通孔41c相当的贯通孔51c。
然后，在进行有机层的蒸镀时，将蒸镀用金属掩模51粘贴于框架。即，蒸镀用金属掩模51在通过粘合层53粘贴于金属制的框架52的状态下被用于有机层的蒸镀。在蒸镀用金属掩模51中，蒸镀用金属掩模51的背面51b的一部分与框架52的一部分对置，粘合层53位于蒸镀用金属掩模51与框架52之间。此外，蒸镀用金属掩模51也可以为，在蒸镀用金属掩模51的表面51a的一部分与框架52的一部分对置、粘合层53位于蒸镀用金属掩模51的表面51a与框架52之间的状态下，通过粘合层53而被粘贴于框架52。
如图14所示那样，在与蒸镀用金属掩模51的表面51a对置的俯视时，蒸镀用金属掩模51具有矩形状，框架52具有矩形框状。在与表面51a对置的俯视时，各贯通孔51c具有矩形状。即，贯通孔51c之中的表面51a上的开口具有矩形状。此外，贯通孔51c之中的背面51b上的开口也具有矩形状。多个贯通孔51c沿着一个方向以等间隔排列，并且沿着与一个方向正交的另一个方向以等间隔排列。蒸镀用金属掩模51在蒸镀用金属掩模51的背面51b与成膜对象对置的状态下，配置在蒸镀源与成膜对象之间。
此外，在图14中，纸面的左右方向为在成膜对象中像素的排列方向。在图14中在左右方向上相互相邻的贯通孔51c之间的距离小于左右方向上的贯通孔51c的宽度，但是优选为在左右方向上相互相邻的贯通孔51c之间的距离为左右方向上的贯通孔51c的宽度的2倍以上。
[试验例]
参照图15至图20来说明试验例。
[试验例1]
准备具有30μm厚度的因瓦合金轧制片，作为试验例1的因瓦合金轧制片。
[试验例2]
准备具有30μm厚度的因瓦合金轧制片，通过对因瓦合金轧制片的表面喷吹酸性蚀刻液而将因瓦合金轧制片的表面蚀刻3μm，得到具有抗蚀剂用处理面的试验例2的因瓦合金片。此外，作为酸性蚀刻液，使用对高氯酸第二铁液与氯化亚铁液的混合液混合了高氯酸的溶液。
[试验例3]
准备具有30μm厚度的因瓦合金轧制片，以与试验例2相同的条件将因瓦合金轧制片的表面蚀刻4.5μm，得到具有抗蚀剂用处理面的试验例3的因瓦合金片。
[试验例4]
准备具有30μm厚度的因瓦合金轧制片，以与试验例2相同的条件将因瓦合金轧制片的表面蚀刻10μm，得到具有抗蚀剂用处理面的试验例4的因瓦合金片。
[扫描电子显微镜对表面的摄影]
通过扫描电子显微镜对试验例1的表面以及试验例2至试验例4各自的抗蚀剂用处理面进行摄影，生成了SEM图像。将扫描电子显微镜(JSM-7001F，日本电子(株式会社)制)的倍率设定为10000倍，将加速电压设定为10.0kV，将工作距离设定为9.7mm。
如图15所示那样，能够确认试验例1的因瓦合金轧制片的表面的平坦性最高，此外，在试验例1的因瓦合金轧制片的表面上，能够确认在纸面的上下方向上延伸的筋即轧制痕。如图16以及图17所示那样，能够确认在试验例2的因瓦合金片的抗蚀剂用处理面、以及试验例3的因瓦合金片的抗蚀剂用处理面上形成有阶差。如图18所示那样，能够确认在试验例4的因瓦合金片的抗蚀剂用处理面上与试验例2的因瓦合金片的抗蚀剂用处理面以及试验例3的因瓦合金片的抗蚀剂用处理面相比形成了更大的阶差。此外，能够确认在图16至图18的各因瓦合金片的抗蚀剂用处理面中由于蚀刻而轧制痕几乎消失。
[原子力显微镜对表面粗糙度的测定]
制作了将试验例1的因瓦合金轧制片的表面作为表面而包含的试验片，并且，制作了将试验例2至试验例4各自的因瓦合金片的抗蚀剂用处理面作为表面而包含的试验片。然后，在各试验片的表面中，对具有一边长度为5μm的正方形状的区域即扫描区域的表面粗糙度进行了测定。
使用原子力显微镜(AFM5400L，(株式会社)日立High-TechScience制)，通过符合JISB0601-2001的方法，对各试验例的表面的表面粗糙度进行了测定。表面粗糙度的测定结果如以下的表1所示那样。此外，基于测定结果，对各试验片的表面积率进行计算，作为扫描区域的表面积相对于扫描区域的面积之比。换言之，表面积率是将扫描区域的表面积除以扫描区域的面积而得到的值。
此外，表1所记载的表面粗糙度的参数之中，Rz为具有基准长度的轮廓曲线中最高峰的高度与最深谷的深度之和即最大高度，Ra为具有基准长度的轮廓曲线的算术平均粗糙度。Rp为具有基准长度的轮廓曲线中最高峰的高度，Rv为具有基准长度的轮廓曲线中最深谷的深度。此外，以下，Rz、Ra、Rp以及Rv各自的单位为μm。
[表1]
如表1所示那样，能够确认，在试验例1的因瓦合金轧制片的表面中，表面粗糙度Rz为0.17，表面粗糙度Ra为0.02，表面粗糙度Rp为0.08，表面粗糙度Rv为0.09。此外，能够确认，在试验例1的因瓦合金轧制片的表面中，表面积率为1.02。
能够确认，在试验例2的因瓦合金片的抗蚀剂用处理面中，表面粗糙度Rz为0.24，表面粗糙度Ra为0.02，表面粗糙度Rp为0.12，表面粗糙度Rv为0.12。此外，能够确认，在试验例2的因瓦合金片的抗蚀剂用处理面中，表面积率为1.23。
能够确认，在试验例3的因瓦合金片的抗蚀剂用处理面中，表面粗糙度Rz为0.28，表面粗糙度Ra为0.03，表面粗糙度Rp为0.15，表面粗糙度Rv为0.13。此外，能够确认，在试验例3的因瓦合金片的抗蚀剂用处理面中，表面积率为1.13。
能够确认，在试验例4的因瓦合金片的抗蚀剂用处理面中，表面粗糙度Rz为0.30，表面粗糙度Ra为0.03，表面粗糙度Rp为0.17，表面粗糙度Rv为0.13。此外，能够确认，在试验例4的因瓦合金片的抗蚀剂用处理面中，表面积率为1.22。
如此，能够确认，在通过将因瓦合金轧制片的表面蚀刻3μm以上而得到的因瓦合金片中，抗蚀剂用处理面的表面粗糙度Rz为0.2μm以上。此外，能够确认，进行蚀刻的厚度越大，则抗蚀剂用处理面的表面粗糙度Rz越大，因此因瓦合金轧制片的表面的蚀刻的厚度优选为4.5μm，更优选为10μm。
此外，准备具有30μm厚度的因瓦合金轧制片，以上述条件将因瓦合金轧制片的表面以及背面分别各蚀刻10μm，由此得到具有10μm厚度的因瓦合金片。此时，在从因瓦合金轧制片的背面得到的抗蚀剂用处理面上，作为支撑层而粘贴了具有20μm厚度的聚酰亚胺制的片。
根据这样的因瓦合金片，本申请的发明人能够确认，仅通过从因瓦合金片的表面对因瓦合金片进行蚀刻，就能够形成将因瓦合金片的表面与背面之间贯通的贯通孔。此外，本申请的发明人还能够确认，在这样的贯通孔中，因瓦合金片的表面上的开口面积以及因瓦合金片的背面上的开口面积分别具有所希望的大小。
此外，在试验例1的因瓦合金轧制片的表面上粘贴干膜抗蚀剂、并对干膜抗蚀剂进行了图案形成之后，对试验例1的因瓦合金轧制片进行蚀刻，对表面形成了多个凹部。
然后，在试验例2至4的各个因瓦合金片的抗蚀剂用处理面上粘贴干膜抗蚀剂、并对干膜抗蚀剂进行了图案形成之后，对试验例2至4的各个因瓦合金片进行蚀刻，对抗蚀剂用处理面形成了多个凹部。此外，在试验例2至4中，作为干膜抗蚀剂的图案形成方法，使用与试验例1相同的方法，此外，将因瓦合金片的蚀刻条件设定为与试验例1相同的条件。
能够确认，在试验例2至4的各自中，抗蚀剂用处理面上的开口的大小的偏差，小于试验例1中的开口的大小的偏差。即，能够确认，如试验例2至4的各个那样，如果表面粗糙度Rz为0.2μm以上，则能够提高抗蚀剂层与因瓦合金片的紧贴性，由此能够抑制掩模开口的形状精度的降低。
[试验例5]
准备具有30μm厚度的因瓦合金轧制片，作为试验例5的因瓦合金轧制片。
[试验例6]
准备具有30μm厚度的因瓦合金轧制片，以与试验例2相同的条件将因瓦合金轧制片的表面蚀刻3μm，得到具有抗蚀剂用处理面的试验例6的因瓦合金片。
[试验例7]
准备具有30μm厚度的因瓦合金轧制片，以与试验例2相同的条件将因瓦合金轧制片的表面蚀刻10μm，得到具有抗蚀剂用处理面的试验例7的因瓦合金片。
[试验例8]
准备具有30μm厚度的因瓦合金轧制片，以与试验例2相同的条件将因瓦合金轧制片的表面蚀刻15μm，得到具有抗蚀剂用处理面的试验例8的因瓦合金片。
[试验例9]
准备具有30μm厚度的因瓦合金轧制片，以与试验例2相同的条件将因瓦合金轧制片的表面蚀刻16μm，得到具有抗蚀剂用处理面的试验例9的因瓦合金片。
[粒子痕的计数]
制作了将试验例5的因瓦合金轧制片的表面的一部分作为表面而包含的3个试验片，该3个试验片是具有一边长度为2mm的正方形状的试验片。此外，制作将试验例6至试验例9的各个因瓦合金片的抗蚀剂用处理面的一部分作为表面而包含的3个试验片，且是具有一边长度为2mm的正方形状的试验片。
使用扫描电子显微镜(同上)对各试验片的表面进行观察，对各试验片所具有的粒子痕进行了计数。此外，粒子痕为金属氧化物的粒子从因瓦合金轧制片或者因瓦合金片脱离后的痕迹，在各试验片中，能够确认到第一粒子痕以及第二粒子痕的至少一方。对粒子痕进行计数的结果如以下的表2所示。
如图19所示那样，第一粒子痕是在与试验片的表面对置的俯视时对大致圆状的区域进行划定并具有半球状的凹陷。能够确认，第一粒子痕的直径为3μm以上5μm以下。
与此相对，如图20所示那样，第二粒子痕为在与试验片的表面对置的俯视时对大致椭圆状的区域进行划定并具有椭圆锤状的凹陷。能够确认，第二粒子痕的长径为3μm以上5μm以下。
在对第一粒子痕以及第二粒子痕进行摄影时，在扫描电子显微镜中，将倍率设定为5000倍，将加速电压设定为10.0kV，将工作距离设定为9.7mm。
[表2]
如表2所示那样，在试验例5中，能够确认试验片1具有1个第一粒子痕，并能够确认试验片2以及试验片3均没有粒子痕。即，在试验例5中，能够确认，第一粒子痕的合计为1个，第二粒子痕的合计为0个。
在试验例6中，能够确认，试验片1具有4个第一粒子痕和1个第二粒子痕，试验片2具有9个第一粒子痕，试验例3具有8个第一粒子痕和2个第二粒子痕。即，在试验例6中，第一粒子痕的合计为21个，第二粒子痕合计为3个。
在试验例7中，能够确认，试验片1具有5个第一粒子痕和1个第二粒子痕，试验片2具有6个第一粒子痕和1个第二粒子痕，试验片3具有5个第一粒子痕和2个第二粒子痕。即，在试验例7中，能够确认，第一粒子痕合计为16个，第二粒子痕合计为4个。
在试验例8中，能够确认，试验片1具有5个第一粒子痕，试验片2具有2个第一粒子痕，试验片3具有6个第一粒子痕和1个第二粒子痕。即，在试验例8中，能够确认，第一粒子痕合计为13个，第二粒子痕的合计为1个。
在试验例9中，能够确认，试验片1具有4个第一粒子痕，试验片2具有5个第一粒子痕，试验片3具有5个第一粒子痕，而试验片1至试验片3全部不具有第二粒子痕。即，在试验例9中，能够确认，第一粒子痕合计为14个。
此外，在具有多个第二粒子痕的试验例6以及试验例7中，能够确认，各第二粒子痕的长径方向对齐，并且长径方向与用于形成因瓦合金片的因瓦合金轧制片的轧制方向平行。
如此，能够确认，如果将因瓦合金轧制片的表面蚀刻16μm以上，则能够从因瓦合金片的抗蚀剂用处理面除去第二粒子痕。此外，能够确认，通过将因瓦合金轧制片的表面蚀刻10μm以上，由此能够减少第一粒子痕的省略，并且能够确认，通过将因瓦合金轧制片的表面蚀刻15μm以上，由此能够进一步减少第一粒子痕的数量。
根据这样的结果，可以说，通过将因瓦合金轧制片的表面蚀刻10μm以上，更优选为蚀刻15μm以上，由此能够减少因瓦合金轧制片内的金属氧化物的粒子。因此，可以说，在抑制金属氧化物的脱离对通过金属掩模用基材的蚀刻而形成的贯通孔的形状精度产生影响的方面，将因瓦合金轧制片的表面蚀刻10μm以上、优选为蚀刻15μm以上是有效的。
如以上说明的那样，根据金属掩模用基材的制造方法、蒸镀用金属掩模的制造方法、金属掩模用基材以及蒸镀用金属掩模的1个实施方式，能够得到以下列举的效果。
(1)由于因瓦合金片11所具有的厚度为10μm以下，因此能够使形成于因瓦合金片11的掩模开口的深度为10μm以下。由此，能够减少从蒸镀粒子观察成膜对象时成为蒸镀用金属掩模51的影子的部分、即能够抑制阴影效应，因此能够使成膜对象得到对掩模开口的形状进行追随的形状，进而能够实现使用了蒸镀用金属掩模51的成膜的高精细化。
在此基础上，对因瓦合金片11形成掩模开口时，能够使抗蚀剂层22与因瓦合金片11的紧贴性比粗化前提高。并且，在掩模开口的形成中能够抑制因抗蚀剂层22从因瓦合金片11剥离等导致的形状精度的降低，因此在这一点上，也能够实现使用了蒸镀用金属掩模51的成膜的高精细化。
(2)无论是对由因瓦合金轧制片21的表面21a形成的抗蚀剂用处理面、还是对由因瓦合金轧制片21的背面21b形成的抗蚀剂用处理面21c，对哪个抗蚀剂用处理面都能够形成抗蚀剂层22。因此，能够抑制由于弄错形成抗蚀剂层22的对象的面而难以得到抗蚀剂层22与金属掩模用基材10的紧贴性，进而，还能够抑制制造蒸镀用金属掩模51时的成品率降低。
(3)在因瓦合金片11的搬运、对因瓦合金片11的后处理中，能够减少因由于因瓦合金片11的厚度为10μm以下引起的因瓦合金片11的脆弱性而导致的因瓦合金片11的处理繁琐。
(4)与从因瓦合金片11物理地撕离支撑层12的情况相比，不对因瓦合金片11作用外力，因此能够抑制因瓦合金片11产生褶皱及变形。
此外，上述的实施方式还能够如以下那样适当地变更而实施。
·支撑层12也可以从因瓦合金片11物理地剥离。即，也可以对支撑层12以及因瓦合金片11中的至少一方施加外力，以便在支撑层12与因瓦合金片11的界面产生剥离。在这样的构成中，只要以使抗蚀剂用处理面的表面粗糙度Rz成为0.2μm以上的方式进行粗糙化，并且以使蚀刻后的因瓦合金轧制片21的厚度成为10μm以下的方式对因瓦合金轧制片21进行蚀刻，则能够得到与上述(1)相同的效果。
但是，如上所述，在对因瓦合金片11的褶皱及变形进行抑制的方面，优选通过碱性溶液从金属掩模用基材10化学地除去支撑层12。
·在因瓦合金轧制片21的表面21a以及背面21b的蚀刻中，可以是背面21b比表面21a先蚀刻，也可以是表面21a与背面21b同时蚀刻。与表面21a以及背面21b被蚀刻的顺序无关，只要以使抗蚀剂用处理面的表面粗糙度Rz成为0.2μm以上的方式进行粗糙化，并且以使蚀刻后的因瓦合金轧制片21的厚度成为10μm以下的方式对因瓦合金轧制片21进行蚀刻，则能够得到与上述(1)相同的效果。
·因瓦合金轧制片21中的处理对象，可以仅为因瓦合金轧制片21的表面21a，也可以仅为背面21b。在这样的构成中，只要以使抗蚀剂用处理面的表面粗糙度Rz成为0.2μm以上的方式进行粗糙化，并且以使蚀刻后的因瓦合金轧制片21的厚度成为10μm以下的方式对因瓦合金轧制片21进行蚀刻，则能够得到与上述(1)相同的效果。
·在因瓦合金轧制片21中，在处理对象仅为表面21a时，优选在表面21a的蚀刻前，在背面21b上层叠支撑层12，在因瓦合金轧制片21与支撑层12层叠的状态下对表面21a进行蚀刻。此外，在处理对象仅为背面21b时，优选在背面21b的蚀刻前，在表面21a上形成支撑层12，在因瓦合金轧制片21与支撑层12层叠的状态下对背面21b进行蚀刻。通过这样的构成也能够得到与上述(3)相同的效果。
·因瓦合金轧制片21中的处理对象的蚀刻，无论处理对象是表面21a以及背面21b的任一方，还是表面21a以及背面21b的双方，都可以在未对因瓦合金轧制片21形成支撑层12的状态下进行。在这样的构成中，只要以使抗蚀剂用处理面的表面粗糙度Rz成为0.2μm以上的方式进行粗糙化，并且以使蚀刻后的因瓦合金轧制片21的厚度成为10μm以下的方式对因瓦合金轧制片21进行蚀刻，则能够得到与上述(1)相同的效果。
在该情况下，金属掩模用基材也可以为不具有支撑层12的构成，即仅具备因瓦合金片11的构成。或者，也可以在从因瓦合金轧制片21得到了因瓦合金片11之后，对因瓦合金片11的一个面层叠支撑层12，由此得到因瓦合金片11与支撑层12的层叠体即金属掩模用基材。
·也可以如图21所示那样，如果支撑层12的形成材料为聚酰亚胺，则在从金属掩模用基材10除去支撑层12时，仅将支撑层12之中的在金属掩模用基材10的厚度方向上与因瓦合金片11所具有的贯通孔11c重叠的部分从因瓦合金片11除去。换言之，也可以为，在从金属掩模用基材10除去支撑层12时，在与因瓦合金片11的背面11b对置的俯视时，仅将支撑层12之中的作为支撑层12的边缘部的、除了比全部贯通孔11c都靠外侧的部分以外的部分除去。
在这样的构成中，蒸镀用金属掩模61由因瓦合金片11以及具有矩形框状的聚酰亚胺框12a构成。因瓦合金片11具有多个贯通孔11c，聚酰亚胺框12a在与因瓦合金片11的背面11b对置的俯视时，具有矩形框状，并将全部的贯通孔11c包围起来。
蒸镀用金属掩模61所具备的聚酰亚胺框12a在蒸镀用金属掩模61被安装于框架52时能够作为粘合层起作用。因此，在蒸镀用金属掩模61中的聚酰亚胺框12a与框架52相接触的状态下，蒸镀用金属掩模61安装于框架52。
·如图22所示那样，如果支撑层12的形成材料为聚酰亚胺，则也可以不将支撑层12从金属掩模用基材10除去。在这样的构成中，蒸镀用金属掩模62被粘贴于框架52时，由具有多个贯通孔11c的因瓦合金片11以及与因瓦合金片11的背面11b的整体重叠的支撑层12构成。
蒸镀用金属掩模62所具备的支撑层12与上述聚酰亚胺框12a同样，在蒸镀用金属掩模62被安装于框架52安装时能够作为粘合层起作用。因此，在蒸镀用金属掩模62中的支撑层12与框架52相接触的状态下，蒸镀用金属掩模62安装于框架52。
此外，在这样的蒸镀用金属掩模62中，在蒸镀用金属掩模62安装于框架52之后，仅将支撑层12之中的在金属掩模用基材10的厚度方向上与因瓦合金片11所具有的贯通孔11c重叠的部分从因瓦合金片11除去即可。换言之，在与因瓦合金片11的背面11b对置的俯视时，仅将支撑层12之中的作为支撑层12的边缘部的、除了比全部的贯通孔11c都靠外侧的部分以外的部分除去即可。
·图23表示因瓦合金片的平面构造，且是与通过因瓦合金轧制片21中的处理对象的蚀刻而得到的抗蚀剂用处理面对置的俯视时的平面构造。此外，在图23中，为了明确第一粒子痕以及第二粒子痕与抗蚀剂用处理面中除了第一粒子痕以及第二粒子痕以外的部分之间的区别，对第一粒子痕以及第二粒子痕施以点。
如图23所示那样，如果因瓦合金轧制片21的处理对象被蚀刻的厚度为3μm以上10μm以下，则因瓦合金片71的抗蚀剂用处理面71a具有多个第一粒子痕72以及多个第二粒子痕73。各第一粒子痕72为具有半球状的凹陷，第一粒子痕72的直径即第一径D1为3μm以上5μm以下。
各第二粒子痕73为具有椭圆锤状的凹陷，第二粒子痕73的长径即第二径D2为3μm以上5μm以下，各第二粒子痕73的长径方向对齐。各第二粒子痕73的长径方向为与因瓦合金片71的轧制方向平行的方向。
因瓦合金片71通常通过轧制来制造，因此在因瓦合金片71的制造过程中添加的由脱氧剂等氧化物构成的粒子向因瓦合金片71混入的情况不少。向因瓦合金片71的表面混入的粒子的一部分在因瓦合金片71的轧制方向上延伸，具有在轧制方向上具有长径的椭圆锤状。若这样的粒子残留于抗蚀剂用处理面71a中的掩模开口的形成部位，则用于形成掩模开口的蚀刻有可能被粒子妨碍。
在这一点上，根据上述构成，能够得到以下的效果。
(5)由于上述粒子已经被从抗蚀剂用处理面71a除去了，因此抗蚀剂用处理面71a具有长径方向对齐的椭圆锤状的多个第二粒子痕73。因此，在掩模开口的形成时，与在因瓦合金片71中残留有粒子的情况相比，还能够提高掩模开口的形状及尺寸的精度。
·金属轧制片的形成材料、进而金属掩模片以及金属片的形成材料，只要是纯金属或者合金即可，也可以是因瓦合金以外的材料。
·也可以是，蒸镀用金属掩模51的制造方法的各工序针对预先切断为与一个蒸镀用金属掩模51对应的大小的因瓦合金轧制片来进行。在这样的情况下，通过从与因瓦合金轧制片相当的因瓦合金片除去抗蚀剂掩模以及支撑层而得到蒸镀用掩模。
或者，也可以是，金属掩模用基材10的制造方法的各工序针对具有与多个蒸镀用金属掩模51对应的大小的因瓦合金轧制片21来进行，将所得到的金属掩模用基材10切断为具有与一个蒸镀用金属掩模51对应的大小的金属掩模用基材片。然后，也可以为对金属掩模用基材片进行形成抗蚀剂层的步骤、形成抗蚀剂掩模的步骤、蚀刻因瓦合金片的步骤、以及除去支撑层的步骤。
·蒸镀用金属掩模51在与表面51a对置的俯视时，可以具有矩形状以外的形状、例如正方形状，也可以具有四边形状以外的多边形状等形状。
·蒸镀用金属掩模51的各贯通孔51c中的表面51a上的开口以及背面51b上的开口也可以分别具有例如正方形状及圆形状等除了矩形状以外的形状。
·在与表面51a对置的俯视时，在上述一个方向为第一方向、与第一方向正交的方向为第二方向时，多个贯通孔51c也可以如以下那样排列。即，沿着第一方向的多个贯通孔51c构成一行，在第一方向上多个贯通孔51c以规定的间距形成。并且，在构成各行的多个贯通孔51c中，第一方向上的位置每隔1行相互重叠。另一方面，在第二方向上相互相邻的行中，相对于构成一方的行的多个贯通孔51c在第一方向上的位置，构成另一方的行的多个贯通孔51c在第一方向上的位置错开1/2间距程度。换言之，多个贯通孔51c也可以排列为交错状(千鸟格状)。
总之，在蒸镀用金属掩模51中，多个贯通孔51c以与使用蒸镀用金属掩模51形成的有机层的配置对应的方式排列即可。此外，在实施方式中，多个贯通孔51c以与有机EL器件的晶格排列对应的方式排列，而上述变形例的多个贯通孔51c以与有机EL器件的Δ(Delta)排列对应的方式排列。
·在与表面51a对置的俯视时，在上述一个方向为第一方向、与第一方向正交的方向为第二方向时，在上述实施方式中，各贯通孔51c与在第一方向上相邻的其他贯通孔51c以及在第二方向上相邻的其他贯通孔51c分离。但不限于此，各贯通孔51c的表面51a上的开口也可以与在第一方向上相互相邻的其他贯通孔51c的表面51a上的开口相连，也可以与在第二方向上相互相邻的贯通孔51c的表面51a上的开口相连。或者，各贯通孔51c的表面51a上的开口也可以在第一方向以及第二方向的双方上与相互相邻的其他贯通孔51c的表面51a上的开口相连。在这样的蒸镀用金属掩模中，2个贯通孔51c相连的部分的厚度也可以薄于作为蒸镀用金属掩模的外缘的、未设置有贯通孔51c的部分即在形成贯通孔51c的工序中未被蚀刻的部分的厚度。
·蒸镀用金属掩模不限定于在形成有机EL器件的有机层时使用的蒸镀用金属掩模，也可以是在有机EL器件以外的显示器件等各种器件所具备的布线的形成、形成各种器件所具备的功能层等时使用的蒸镀用金属掩模。
符号的说明
10…金属掩模用基材，11、31、71…因瓦合金片，11a、21a、31a、41a、51a…表面，11b、21b、31b、41b、51b…背面，11c、23a、31e、41c、51c…贯通孔，12…支撑层，12a…聚酰亚胺框，21…因瓦合金轧制片，21c、71a…抗蚀剂用处理面，22…抗蚀剂层，23…抗蚀剂掩模，31c…第一孔，31d…第二孔，41…蒸镀用金属掩模片，51、61、62…蒸镀用金属掩模，52…框架，53…粘合层，72…第一粒子痕，73…第二粒子痕，C…中央部分，S1…第一表层部分，S2…第二表层部分。

Claims (10)

1.一种金属掩模用基材的制造方法，其中，包括如下步骤：
准备金属轧制片，该金属轧制片具备表面以及与上述表面相反侧的面即背面，上述表面以及上述背面的至少一方为处理对象；以及
通过用酸性蚀刻液将上述处理对象蚀刻3μm以上来使上述金属轧制片所具有的厚度变薄到10μm以下，并且，将上述处理对象粗糙化为具有0.2μm以上的表面粗糙度Rz的抗蚀剂用处理面，由此，得到金属制的金属掩模用片。
2.如权利要求1所述的金属掩模用基材的制造方法，其中，
上述处理对象为上述表面以及上述背面的双方。
3.如权利要求1所述的金属掩模用基材的制造方法，其中，
上述处理对象为上述表面以及上述背面的任一方，
上述制造方法还包括在与上述处理对象相反侧的面上层叠树脂制的支撑层的步骤，
在上述金属轧制片与上述支撑层层叠的状态下对上述处理对象进行蚀刻，由此，得到上述金属掩模用片与上述支撑层层叠的金属掩模用基材。
4.如权利要求2所述的金属掩模用基材的制造方法，其中，
上述蚀刻的步骤包括：对上述表面以及上述背面的一方即第一处理对象进行蚀刻的步骤；以及之后对上述表面以及上述背面的另一方即第二处理对象进行蚀刻的步骤，
上述制造方法还包括在对上述第一处理对象进行了蚀刻之后在通过上述第一处理对象的蚀刻而得到的上述抗蚀剂用处理面上层叠树脂制的支撑层的步骤，
在上述金属轧制片与上述支撑层层叠的状态下对上述第二处理对象进行蚀刻，由此，得到上述金属掩模用片与上述支撑层层叠的金属掩模用基材。
5.如权利要求1至4中任一项所述的金属掩模用基材的制造方法，其中，
上述金属轧制片为因瓦合金轧制片，
上述金属掩模用片为因瓦合金制。
6.一种蒸镀用金属掩模的制造方法，其中，包括如下步骤：
形成具有至少一个抗蚀剂用处理面的金属掩模用基材；
在一个上述抗蚀剂用处理面上形成抗蚀剂层；
通过对上述抗蚀剂层进行图案形成来形成抗蚀剂掩模；以及
使用上述抗蚀剂掩模对上述金属掩模用基材进行蚀刻，
使用权利要求1至5中任一项所述的金属掩模用基材的制造方法来形成上述金属掩模用基材。
7.如权利要求6所述的蒸镀用金属掩模的制造方法，其中，
上述金属掩模用基材包含上述金属掩模用片与树脂制的支撑层的层叠体，
上述制造方法还包括通过将形成有上述抗蚀剂掩模之后的上述金属掩模用基材暴露于碱性溶液来从上述金属掩模用基材化学地除去上述支撑层的步骤。
8.一种金属掩模用基材，其中，
包括具备表面以及与上述表面相反侧的面即背面的金属片，
上述表面以及上述背面的至少一方为抗蚀剂用处理面，
上述金属片所具有的厚度为10μm以下，
上述抗蚀剂用处理面的表面粗糙度Rz为0.2μm以上。
9.如权利要求8所述的金属掩模用基材，其中，
上述抗蚀剂用处理面具有粒子痕，该粒子痕是具有椭圆锤状的多个凹陷，各个上述粒子痕的长径方向对齐。
10.一种蒸镀用金属掩模，其中，
包含金属掩模用基材，
上述金属掩模用基材为权利要求8或9所述的金属掩模用基材，
上述金属掩模用基材所包含的上述金属片具有将上述表面与上述背面之间贯通的多个贯通孔。
CN201680013003.6A 2015-07-17 2016-06-29 金属掩模用基材及其制造方法、蒸镀用金属掩模及其制造方法 Pending CN107429380A (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910317040.1A CN110117767A (zh) 2015-07-17 2016-06-29 金属掩模用基材及其制造方法、蒸镀用金属掩模及其制造方法
CN202110664955.7A CN113403574A (zh) 2015-07-17 2016-06-29 金属掩模用基材及其制造方法、蒸镀用金属掩模及其制造方法

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015-143509 2015-07-17
JP2015143509 2015-07-17
JP2015171440 2015-08-31
JP2015-171440 2015-08-31
JP2015237004 2015-12-03
JP2015-237004 2015-12-03
PCT/JP2016/069350 WO2017014016A1 (ja) 2015-07-17 2016-06-29 メタルマスク用基材の製造方法、蒸着用メタルマスクの製造方法、メタルマスク用基材、および、蒸着用メタルマスク

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110664955.7A Division CN113403574A (zh) 2015-07-17 2016-06-29 金属掩模用基材及其制造方法、蒸镀用金属掩模及其制造方法
CN201910317040.1A Division CN110117767A (zh) 2015-07-17 2016-06-29 金属掩模用基材及其制造方法、蒸镀用金属掩模及其制造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107429380A true CN107429380A (zh) 2017-12-01

Family

ID=57834324

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110664955.7A Pending CN113403574A (zh) 2015-07-17 2016-06-29 金属掩模用基材及其制造方法、蒸镀用金属掩模及其制造方法
CN201910317040.1A Pending CN110117767A (zh) 2015-07-17 2016-06-29 金属掩模用基材及其制造方法、蒸镀用金属掩模及其制造方法
CN201680013003.6A Pending CN107429380A (zh) 2015-07-17 2016-06-29 金属掩模用基材及其制造方法、蒸镀用金属掩模及其制造方法

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110664955.7A Pending CN113403574A (zh) 2015-07-17 2016-06-29 金属掩模用基材及其制造方法、蒸镀用金属掩模及其制造方法
CN201910317040.1A Pending CN110117767A (zh) 2015-07-17 2016-06-29 金属掩模用基材及其制造方法、蒸镀用金属掩模及其制造方法

Country Status (7)

Country Link
US (2) US11111585B2 (zh)
JP (3) JP6804301B2 (zh)
KR (3) KR102509663B1 (zh)
CN (3) CN113403574A (zh)
DE (1) DE112016003231T5 (zh)
TW (2) TWI634227B (zh)
WO (1) WO2017014016A1 (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108796438A (zh) * 2018-07-24 2018-11-13 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜板的制备方法、掩膜板、蒸镀设备
CN111224019A (zh) * 2018-11-23 2020-06-02 Tgo科技株式会社 掩模支撑模板和其制造方法及框架一体型掩模的制造方法
CN111886357A (zh) * 2018-04-19 2020-11-03 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模、带框架的蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、有机半导体元件的制造方法、有机el显示器的制造方法、及图案的形成方法
CN112752860A (zh) * 2018-09-27 2021-05-04 日铁化学材料株式会社 金属掩膜材料及其制造方法、金属掩膜
CN113388836A (zh) * 2021-07-26 2021-09-14 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种化学蚀刻减薄FeNi合金箔带的方法
CN114086114A (zh) * 2021-06-11 2022-02-25 达运精密工业股份有限公司 金属遮罩及其制造方法
CN115341172A (zh) * 2021-05-13 2022-11-15 凸版印刷株式会社 蒸镀掩模
TWI814999B (zh) * 2019-03-15 2023-09-11 日商凸版印刷股份有限公司 蒸鍍遮罩之製造方法、顯示裝置之製造方法、及蒸鍍遮罩中間體

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113403574A (zh) 2015-07-17 2021-09-17 凸版印刷株式会社 金属掩模用基材及其制造方法、蒸镀用金属掩模及其制造方法
KR20220009499A (ko) 2015-07-17 2022-01-24 도판 인사츠 가부시키가이샤 메탈 마스크 기재, 메탈 마스크, 및 메탈 마스크의 제조 방법
KR101854584B1 (ko) 2015-07-17 2018-05-03 도판 인사츠 가부시키가이샤 증착용 메탈 마스크 기재, 증착용 메탈 마스크, 증착용 메탈 마스크 기재의 제조 방법, 및, 증착용 메탈 마스크의 제조 방법
JP6796281B2 (ja) * 2016-09-30 2020-12-09 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法、及び蒸着マスクを製造するために用いられる金属板の製造方法
KR102330373B1 (ko) * 2017-03-14 2021-11-23 엘지이노텍 주식회사 금속판, 증착용 마스크 및 이의 제조방법
JP6998139B2 (ja) * 2017-06-28 2022-01-18 株式会社ジャパンディスプレイ 蒸着マスク
JP6879109B2 (ja) * 2017-07-31 2021-06-02 凸版印刷株式会社 蒸着マスク用基材、蒸着マスク用基材の製造方法、蒸着マスクの製造方法、および、表示装置の製造方法
CN109423600B (zh) 2017-08-25 2020-01-07 京东方科技集团股份有限公司 掩膜条及其制备方法、掩膜板
CN114899345A (zh) * 2017-09-07 2022-08-12 Lg伊诺特有限公司 用于制造有机发光二极管沉积掩模的方法
CN111032902B (zh) * 2017-09-15 2021-03-02 凸版印刷株式会社 蒸镀掩模的制造方法、显示装置的制造方法及蒸镀掩模
KR102591494B1 (ko) * 2017-11-14 2023-10-20 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 증착 마스크를 제조하기 위한 금속판, 금속판의 검사 방법, 금속판의 제조 방법, 증착 마스크, 증착 마스크 장치 및 증착 마스크의 제조 방법
WO2019190121A1 (ko) * 2018-03-30 2019-10-03 주식회사 티지오테크 마스크의 제조 방법, 마스크 지지 버퍼기판과 그의 제조 방법
KR102028639B1 (ko) * 2018-03-30 2019-10-04 주식회사 티지오테크 마스크의 제조 방법, 마스크 지지 버퍼기판과 그의 제조 방법
JP7169534B2 (ja) * 2018-07-31 2022-11-11 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク、及び蒸着マスクを作製するための給電板
KR102188948B1 (ko) * 2019-02-12 2020-12-09 주식회사 오럼머티리얼 프레임 일체형 마스크의 제조 방법
CN112639157B (zh) * 2018-09-07 2022-04-29 凸版印刷株式会社 蒸镀掩模中间体、蒸镀掩膜及蒸镀掩模的制造方法
WO2020076021A1 (ko) * 2018-10-11 2020-04-16 주식회사 오럼머티리얼 마스크 지지 템플릿과 그의 제조 방법 및 프레임 일체형 마스크의 제조 방법
KR102196796B1 (ko) * 2018-11-23 2020-12-30 주식회사 오럼머티리얼 마스크 지지 템플릿과 그의 제조 방법 및 프레임 일체형 마스크의 제조 방법
US20200176248A1 (en) * 2018-11-29 2020-06-04 Zyvex Labs, Llc Surface contaminant reduction in controlled environments
KR102138800B1 (ko) * 2019-05-13 2020-07-28 주식회사 오럼머티리얼 마스크 및 프레임 일체형 마스크
KR20210007082A (ko) 2019-07-09 2021-01-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP2021066949A (ja) * 2019-10-28 2021-04-30 大日本印刷株式会社 蒸着マスクおよび蒸着マスクの製造方法
JP7340160B2 (ja) * 2019-10-28 2023-09-07 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法および蒸着マスク
JP6888128B1 (ja) * 2020-01-30 2021-06-16 凸版印刷株式会社 蒸着マスク
KR20220038214A (ko) * 2020-09-18 2022-03-28 삼성디스플레이 주식회사 마스크 수리 장치 및 그것을 이용한 마스크 수리 방법
JP7104902B2 (ja) * 2020-11-10 2022-07-22 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法、及び蒸着マスクを製造するために用いられる金属板の製造方法
CN112934964A (zh) * 2021-01-25 2021-06-11 太原理工大学 一种物理气相沉积与激光能场辅助的金属复合带轧制方法
KR102284940B1 (ko) * 2021-05-10 2021-08-04 위폼스 주식회사 돌출형 표면 거칠화 선처리에 의해 유기물 증착 성능이 개선된 메탈 마스크 제조방법
KR102639339B1 (ko) * 2021-05-12 2024-02-21 도판 인사츠 가부시키가이샤 증착 마스크
TWI810563B (zh) 2021-05-14 2023-08-01 達運精密工業股份有限公司 遮罩的製造方法及遮罩製造裝置
TW202325868A (zh) * 2021-08-31 2023-07-01 日商凸版印刷股份有限公司 蒸鍍遮罩基材、蒸鍍遮罩基材的檢查方法、蒸鍍遮罩的製造方法、及顯示裝置的製造方法
CN114187850B (zh) * 2021-12-17 2022-09-20 合肥达视光电科技有限公司 一种透性强的贴膜显示屏及生产工艺

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013105643A1 (ja) * 2012-01-12 2013-07-18 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法

Family Cites Families (78)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3160752A (en) 1963-02-19 1964-12-08 Harold E Bennett Reflectometer for measuring surface finishes
JPS5295410A (en) * 1976-02-04 1977-08-11 Hitachi Ltd Air spring height control device for vehicles
JP2534589B2 (ja) 1991-01-21 1996-09-18 東洋鋼鈑株式会社 薄肉化深絞り缶用ポリエステル樹脂被覆鋼板および原板
JPH05290724A (ja) 1992-04-10 1993-11-05 Toshiba Corp シャドウマスクの製造方法
KR950014366A (ko) * 1993-11-27 1995-06-16 조희재 금속시트재의 표면처리장치
JP2693943B2 (ja) 1996-01-23 1997-12-24 富山日本電気株式会社 プリント配線板
JP3487471B2 (ja) 1996-01-30 2004-01-19 日立金属株式会社 エッチング加工性に優れたＦｅ−Ｎｉ系合金薄板
JPH11140667A (ja) 1997-11-13 1999-05-25 Dainippon Printing Co Ltd エッチング用基材、エッチング加工方法およびエッチング加工製品
JPH11260255A (ja) 1998-03-05 1999-09-24 Toshiba Corp ドライフィルムおよびこのドライフィルムを用いたカラー受像管用シャドウマスクの製造方法
JP2002151841A (ja) 2000-11-13 2002-05-24 Ibiden Co Ltd 多層プリント配線板の製造方法
JP4134517B2 (ja) 2001-01-22 2008-08-20 日本軽金属株式会社 アルミニウム箔およびその製造方法
JP4092914B2 (ja) * 2001-01-26 2008-05-28 セイコーエプソン株式会社 マスクの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
US6749973B2 (en) 2001-02-14 2004-06-15 Hoya Corporation Reflection type mask blank for EUV exposure and reflection type mask for EUV exposure as well as method of producing the mask
JP4390418B2 (ja) 2001-02-14 2009-12-24 Ｈｏｙａ株式会社 Ｅｕｖ露光用反射型マスクブランクおよびｅｕｖ露光用反射型マスク並びに半導体の製造方法
JP4429539B2 (ja) 2001-02-16 2010-03-10 古河電気工業株式会社 ファインパターン用電解銅箔
JP2003193211A (ja) * 2001-12-27 2003-07-09 Nippon Mining & Metals Co Ltd 銅張積層板用圧延銅箔
JP2003253434A (ja) * 2002-03-01 2003-09-10 Sanyo Electric Co Ltd 蒸着方法及び表示装置の製造方法
KR100813832B1 (ko) * 2002-05-31 2008-03-17 삼성에스디아이 주식회사 증착용 마스크 프레임 조립체와 이의 제조방법
US7314688B2 (en) 2002-09-11 2008-01-01 Hoya Corporation Method of producing a reflection mask blank, method of producing a reflection mask, and method of producing a semiconductor device
JP2004218034A (ja) 2003-01-17 2004-08-05 Toppan Printing Co Ltd メタルマスクの製造方法およびメタルマスク
JP3683261B2 (ja) 2003-03-03 2005-08-17 Ｈｏｙａ株式会社 擬似欠陥を有する反射型マスクブランクス及びその製造方法、擬似欠陥を有する反射型マスク及びその製造方法、並びに擬似欠陥を有する反射型マスクブランクス又は反射型マスクの製造用基板
JP3809531B2 (ja) * 2003-03-17 2006-08-16 太陽化学工業株式会社 メタルマスク及びレーザ加工法によるメタルマスクの製造方法
KR100534580B1 (ko) 2003-03-27 2005-12-07 삼성에스디아이 주식회사 표시장치용 증착 마스크 및 그의 제조방법
JP2005076068A (ja) 2003-08-29 2005-03-24 Canon Components Inc 電鋳法による薄膜部材の製造方法
JPWO2005074347A1 (ja) 2004-01-30 2007-09-13 大日本印刷株式会社 電磁波シールドフィルム、及びその製造方法
JP4401180B2 (ja) * 2004-01-30 2010-01-20 日鉱金属株式会社 圧延銅箔及びその製造方法、並びに積層基板
KR20060015949A (ko) * 2004-08-16 2006-02-21 엘지전자 주식회사 금속 패턴 형성 방법
KR100623158B1 (ko) 2004-11-11 2006-09-19 엘지마이크론 주식회사 레이저 빔을 이용하여 제조된 메탈 마스크
KR100708654B1 (ko) 2004-11-18 2007-04-18 삼성에스디아이 주식회사 마스크 조립체 및 이를 이용한 마스크 프레임 조립체
JP2006233285A (ja) 2005-02-25 2006-09-07 Toray Ind Inc 蒸着マスク及び蒸着マスクを用いた有機ｅｌ素子の製造方法
JP2007095324A (ja) 2005-09-27 2007-04-12 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示パネルの製造方法、及びこの製造方法により製造した有機ｅｌ表示パネル
JP4662834B2 (ja) * 2005-10-12 2011-03-30 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 回路用銅又は銅合金箔
CN100449038C (zh) 2005-12-06 2009-01-07 安泰科技股份有限公司 因瓦合金箔的制备方法
JP2008041553A (ja) * 2006-08-09 2008-02-21 Sony Corp 蒸着用マスク及び蒸着用マスクの製造方法
KR20080036771A (ko) * 2006-10-24 2008-04-29 삼성전자주식회사 유기층 패턴 형성방법, 그에 의해 형성된 유기층 및 그를포함하는 유기 메모리 소자
JP4985227B2 (ja) 2007-08-24 2012-07-25 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、蒸着マスク装置、蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク装置の製造方法、および、蒸着マスク用シート状部材の製造方法
JP5167763B2 (ja) 2007-10-29 2013-03-21 大日本印刷株式会社 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法
JP2009127105A (ja) 2007-11-27 2009-06-11 Seiko Instruments Inc 電鋳部品の製造方法
RU2535176C2 (ru) 2009-01-19 2014-12-10 Панасоник Интеллекчуал Проперти Корпорэйшн оф Америка Способ кодирования, способ декодирования, устройство кодирования, устройство декодирования, программа и интегральная схема
JP5294072B2 (ja) 2009-03-18 2013-09-18 日立金属株式会社 エッチング加工用素材の製造方法及びエッチング加工用素材
JP2011034681A (ja) 2009-07-29 2011-02-17 Hitachi Displays Ltd 金属加工方法、金属マスク製造方法及び有機ｅｌ表示装置製造方法
JP5367613B2 (ja) * 2010-02-12 2013-12-11 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 プリント配線板用銅箔
JP5636863B2 (ja) 2010-10-18 2014-12-10 大日本印刷株式会社 メタルマスクとメタルマスク部材
ES2430641T3 (es) 2010-10-22 2013-11-21 Hydro Aluminium Rolled Products Gmbh Banda litográfica para desbastado electroquímico y método para su fabricación
JP2012103425A (ja) 2010-11-09 2012-05-31 Panasonic Corp 光電気複合配線板の製造方法、及び前記製造方法により製造された光電気複合配線板
JP2012158645A (ja) 2011-01-31 2012-08-23 Sumitomo Bakelite Co Ltd プリント配線板用エポキシ樹脂組成物、プリプレグ、金属張積層板、樹脂シート、プリント配線板及び半導体装置
JP5571616B2 (ja) 2011-05-17 2014-08-13 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 圧延銅箔、並びにこれを用いた負極集電体、負極板及び二次電池
CN103797149B (zh) * 2011-09-16 2017-05-24 株式会社V技术 蒸镀掩膜、蒸镀掩膜的制造方法及薄膜图案形成方法
JP5958804B2 (ja) 2012-03-30 2016-08-02 株式会社ブイ・テクノロジー 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法及び有機ｅｌ表示装置の製造方法
CN103205680A (zh) 2012-01-16 2013-07-17 昆山允升吉光电科技有限公司 用镍铁合金制备的蒸镀用金属掩模板
JP2013245392A (ja) 2012-05-29 2013-12-09 V Technology Co Ltd 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法
CN103578995B (zh) * 2012-07-27 2015-12-02 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 形成FinFET的方法
WO2014038510A1 (ja) 2012-09-04 2014-03-13 新日鐵住金株式会社 ステンレス鋼板およびその製造方法
JP2014067500A (ja) * 2012-09-24 2014-04-17 Dainippon Printing Co Ltd 蒸着マスク用材料の製造方法、蒸着マスクの製造方法
JP5721691B2 (ja) * 2012-11-20 2015-05-20 Jx日鉱日石金属株式会社 メタルマスク材料及びメタルマスク
JP5382259B1 (ja) 2013-01-10 2014-01-08 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いて蒸着マスクを製造する方法
JP2014133375A (ja) 2013-01-11 2014-07-24 Sonocom Co Ltd 電解研磨法を使用したスクリーン印刷用部材、及びスクリーン印刷用部材の製造方法
JP5534093B1 (ja) 2013-01-11 2014-06-25 大日本印刷株式会社 メタルマスクおよびメタルマスクの製造方法
JP6403969B2 (ja) 2013-03-29 2018-10-10 Ｊｘ金属株式会社 キャリア付銅箔、プリント配線板、銅張積層板、電子機器及びプリント配線板の製造方法
CN104213071B (zh) * 2013-06-01 2018-02-06 昆山允升吉光电科技有限公司 一种掩模板的制作工艺
CN103352224B (zh) * 2013-07-01 2015-09-23 广东工业大学 一种用于金属制品的双面蚀刻方法
JP2015036436A (ja) 2013-08-13 2015-02-23 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法および蒸着マスク
JP5455099B1 (ja) 2013-09-13 2014-03-26 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いてマスクを製造する方法
JP6060862B2 (ja) 2013-09-13 2017-01-18 コニカミノルタ株式会社 蒸着用マスク、蒸着用マスクの製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP5780350B2 (ja) 2013-11-14 2015-09-16 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、及び有機半導体素子の製造方法
JP6256000B2 (ja) 2013-12-27 2018-01-10 大日本印刷株式会社 蒸着マスク装置の製造方法
JP2015127441A (ja) 2013-12-27 2015-07-09 大日本印刷株式会社 蒸着マスク装置の製造方法
JP2015129334A (ja) 2014-01-08 2015-07-16 大日本印刷株式会社 積層マスクの製造方法、積層マスクおよび保護フィルム付き積層マスク
JP6357777B2 (ja) 2014-01-08 2018-07-18 大日本印刷株式会社 積層マスクの製造方法
JP5641462B1 (ja) * 2014-05-13 2014-12-17 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いてマスクを製造する方法
JP5846279B2 (ja) 2014-10-20 2016-01-20 大日本印刷株式会社 メタルマスクとメタルマスク部材
CN104561894B (zh) * 2014-12-25 2017-10-03 信利（惠州）智能显示有限公司 一种掩膜板的制造方法
WO2017013904A1 (ja) 2015-07-17 2017-01-26 凸版印刷株式会社 メタルマスク基材、メタルマスク基材の管理方法、メタルマスク、および、メタルマスクの製造方法
CN113403574A (zh) * 2015-07-17 2021-09-17 凸版印刷株式会社 金属掩模用基材及其制造方法、蒸镀用金属掩模及其制造方法
KR20220009499A (ko) 2015-07-17 2022-01-24 도판 인사츠 가부시키가이샤 메탈 마스크 기재, 메탈 마스크, 및 메탈 마스크의 제조 방법
KR101854584B1 (ko) 2015-07-17 2018-05-03 도판 인사츠 가부시키가이샤 증착용 메탈 마스크 기재, 증착용 메탈 마스크, 증착용 메탈 마스크 기재의 제조 방법, 및, 증착용 메탈 마스크의 제조 방법
JP6759666B2 (ja) 2016-03-31 2020-09-23 凸版印刷株式会社 エッチング保護用感光性組成物および金属加工板の製造方法
US10419550B2 (en) 2016-07-06 2019-09-17 Cisco Technology, Inc. Automatic service function validation in a virtual network environment

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013105643A1 (ja) * 2012-01-12 2013-07-18 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111886357A (zh) * 2018-04-19 2020-11-03 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模、带框架的蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、有机半导体元件的制造方法、有机el显示器的制造方法、及图案的形成方法
CN111886357B (zh) * 2018-04-19 2022-06-21 大日本印刷株式会社 一种蒸镀掩模及其制造方法
CN108796438A (zh) * 2018-07-24 2018-11-13 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜板的制备方法、掩膜板、蒸镀设备
CN112752860A (zh) * 2018-09-27 2021-05-04 日铁化学材料株式会社 金属掩膜材料及其制造方法、金属掩膜
CN111224019A (zh) * 2018-11-23 2020-06-02 Tgo科技株式会社 掩模支撑模板和其制造方法及框架一体型掩模的制造方法
CN111224019B (zh) * 2018-11-23 2023-05-02 Tgo科技株式会社 掩模支撑模板和其制造方法及掩模与框架连接体的制造方法
TWI814999B (zh) * 2019-03-15 2023-09-11 日商凸版印刷股份有限公司 蒸鍍遮罩之製造方法、顯示裝置之製造方法、及蒸鍍遮罩中間體
CN115341172A (zh) * 2021-05-13 2022-11-15 凸版印刷株式会社 蒸镀掩模
CN114086114A (zh) * 2021-06-11 2022-02-25 达运精密工业股份有限公司 金属遮罩及其制造方法
CN114086114B (zh) * 2021-06-11 2023-05-05 达运精密工业股份有限公司 金属遮罩及其制造方法
CN113388836A (zh) * 2021-07-26 2021-09-14 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种化学蚀刻减薄FeNi合金箔带的方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201708590A (zh) 2017-03-01
JP6958597B2 (ja) 2021-11-02
KR102388829B1 (ko) 2022-04-21
KR20180112088A (ko) 2018-10-11
TWI634227B (zh) 2018-09-01
KR20220053686A (ko) 2022-04-29
US20210355586A1 (en) 2021-11-18
US20180065162A1 (en) 2018-03-08
JP6120039B1 (ja) 2017-04-26
US11111585B2 (en) 2021-09-07
US11746423B2 (en) 2023-09-05
JP2019163552A (ja) 2019-09-26
KR102509663B1 (ko) 2023-03-14
CN110117767A (zh) 2019-08-13
CN113403574A (zh) 2021-09-17
TWI775907B (zh) 2022-09-01
JPWO2017014016A1 (ja) 2018-04-26
JP6804301B2 (ja) 2020-12-23
WO2017014016A1 (ja) 2017-01-26
DE112016003231T5 (de) 2018-05-03
KR101968033B1 (ko) 2019-04-10
KR20170109042A (ko) 2017-09-27
JP2017106114A (ja) 2017-06-15
TW201840881A (zh) 2018-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107429380A (zh) 金属掩模用基材及其制造方法、蒸镀用金属掩模及其制造方法
JP4534984B2 (ja) 金属フォトエッチング製品の製造方法
TWI344581B (en) Printing plate and method for fabricating the same
JP2004221450A (ja) プリント配線板およびその製造方法
JP2007261144A (ja) 反転オフセット印刷用除去版およびパターン形成方法
US7585334B2 (en) Manufacturing method for molecular rulers
JP2004266230A (ja) 回路基板及びその製造方法
TW582076B (en) Overlay target for semiconductor process
KR101607821B1 (ko) 미세패턴 인쇄회로기판 제조방법
JP5023796B2 (ja) プリント配線板およびその製造方法
CN117082963A (zh) 超导金属叠层结构的制备方法和超导金属叠层结构
JP2005223272A (ja) 薄膜型チップ抵抗器の製造方法
TW526695B (en) Method for manufacturing multi-layer circuit boards
JPH0831317A (ja) シャドウマスクの製造方法
TW507291B (en) Manufacture method of electronic device
TWI294758B (en) Method for manufacturing flexible printed circuits
JP2000049195A (ja) 電子部品用部材の製造方法
JP2006179642A (ja) 平面コイルの製造方法
JPS6372889A (ja) リ−ドフレ−ムの製造方法
JPH03225609A (ja) 薄膜磁気ヘッドの製造方法
JPS63275197A (ja) 多層プリント基板の製造方法
JPH0637047A (ja) 化合物半導体装置の製造装置及び化合物半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20171201