DE112016003231T5

DE112016003231T5 - Verfahren zum herstellen von substrat für metallmasken, verfahren zum herstellen von metallmaske zur dampfabscheidung, substrat für metallmasken und metallmaske zur dampfabscheidung

Info

Publication number: DE112016003231T5
Application number: DE112016003231.5T
Authority: DE
Inventors: Naoko Mikami; Sumika TAMURA; Reiji TERADA; Masashi Kurata; Daisei FUJITO; Kiyoaki NISHITSUJI; Takehiro Nishi
Original assignee: Toppan Printing Co Ltd
Current assignee: Toppan Inc
Priority date: 2015-07-17
Filing date: 2016-06-29
Publication date: 2018-05-03
Also published as: US20180065162A1; CN110117767A; JP2019163552A; JPWO2017014016A1; JP6120039B1; CN107429380A; JP6804301B2; KR102388829B1; TW201840881A; CN113403574A; KR20220053686A; JP6958597B2; KR102509663B1; US20210355586A1; KR101968033B1; WO2017014016A1; KR20180112088A; TWI634227B; TWI775907B; KR20170109042A

Abstract

Eine gewalzte Metallplatte beinhaltet eine Vorderseitenoberfläche und eine Rückseitenoberfläche, die eine Oberfläche ist, die gegenüber der Vorderseitenoberfläche lokalisiert ist. Zumindest eine von der Vorderseitenoberfläche und der Rückseitenoberfläche ist ein Prozessierungsobjekt. Ein Verfahren zum Herstellen eines Metallmaskensubstrats beinhaltet das Reduzieren einer Dicke der gewalzten Metallplatte auf 10 µm oder weniger durch Ätzen des Prozessierungsobjekts um 3 µm oder mehr durch die Verwendung einer sauren Ätzflüssigkeit und Aufrauen des Prozessierungsobjekts, sodass das Prozessierungsobjekt eine Resistbildungsoberfläche wird, die eine Oberflächenrauheit Rz von 0,2 µm oder mehr aufweist, wodurch eine Metallmaskenplatte erhalten wird.

Description

TECHNISCHES GEBIET
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen eines Metallmaskensubstrats, ein Verfahren zum Herstellen einer Dampfabscheidungs-Metallmaske durch die Verwendung eines Metallmaskensubstrats, ein Metallmaskensubstrat und eine Dampfabscheidungs-Metallmaske.
TECHNISCHER HINTERGRUND
Ein organisches EL Display ist als eine von Displayvorrichtungen bekannt, die gemäß einem Dampfabscheidungsverfahren hergestellt werden. Eine organische Schicht, die in dem organischen EL Display beinhaltet ist, ist eine Abscheidung von organischen Molekülen, die in einem Dampfabscheidungsschritt sublimiert werden. Eine Öffnung von einer Metallmaske, die in dem Dampfabscheidungsschritt verwendet wird, ist ein Durchgang, durch welchen die sublimierten organischen Moleküle hindurchdringen und weist eine Form korrespondierend zu der Form von Pixeln in dem organischen EL Display auf (siehe zum Beispiel Patentdokument 1).
STAND DER TECHNIK
Patentdokument
Patentdokument 1: japanisches offengelegtes Patent Veröffentlichungs-Nr. 2015-055007
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Die durch die Erfindung zu lösenden Probleme
Mit der Verbesserung der Displayqualität in einer Displayvorrichtung oder mit der Förderung einer hohen Auflösung einer Displayvorrichtung ist die Filmbildung durch die Verwendung einer Metallmaske gewünscht, um eine hohe Auflösung in dem organischen EL Display oder in einer Metallmaske, die eine Pixelgröße determiniert, zu realisieren. In den letzten Jahren war es gewünscht, ein organisches EL Display mit einer hohen Auflösung von 700 ppi oder mehr zu realisieren, und daher war eine Metallmaske gewünscht, die fähig ist zum Bilden einer organischen Schicht in solch einem hochaufgelösten organischen EL Display.
Die Realisierung einer hohen Auflösung bei einer Filmbildung durch die Verwendung einer Metallmaske war gewünscht beim Bilden von Leitungen von verschiedenen Vorrichtungen, oder war gewünscht durch die Verwendung einer Metallmaske beim Dampfabscheiden von einer funktionellen Schicht oder dergleichen von verschiedenen Vorrichtungen, ohne auf die Herstellung von Displayvorrichtungen beschränkt zu sein, die ein organisches EL Display beinhalten.
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ein Verfahren zum Herstellen eines Metallmaskensubstrats, ein Verfahren zum Herstellen einer Dampfabscheidungs-Metallmaske, ein Metallmaskensubstrat und eine Dampfabscheidungs-Metallmaske bereitzustellen, die fähig sind zum Realisieren einer hohen Auflösung bei der Filmbildung durch die Verwendung einer Dampfabscheidungs-Metallmaske.
Mittel zum Lösen der Probleme
Um das vorhergehende Ziel zu erreichen und gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zum Herstellen eines Metallmaskensubstrats bereitgestellt. Das Verfahren beinhaltet: Anfertigen einer gewalzten Metallplatte, wobei die gewalzte Metallplatte eine Vorderseitenoberfläche und eine Rückseitenoberfläche, die eine gegenüber der Vorderseitenoberfläche lokalisierte Oberfläche ist, beinhaltet, wobei zumindest eine von der Vorderseitenoberfläche und der Rückseitenoberfläche ein zu prozessierendes Objekt ist; und Reduzieren einer Dicke der gewalzten Metallplatte auf 10 µm oder weniger durch Ätzen des zu prozessierenden Objekts um 3 µm oder mehr durch die Verwendung einer sauren Ätzflüssigkeit und Aufrauen des zu prozessierenden Objekts, sodass das Prozessierungsobjekt eine Resistbildungsoberfläche wird, die eine Oberflächenrauheit Rz von 0,2 µm oder mehr aufweist, wodurch eine Metallmaskenplatte erhalten wird.
Um das vorhergehende Ziel zu erreichen und gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zum Herstellen einer Dampfabscheidungs-Metallmaske bereitgestellt. Das Verfahren beinhaltet: Bilden eines Metallmaskensubstrats, das zumindest eine Resistbildungsoberfläche beinhaltet; Bilden einer Resistschicht auf der einen Resistbildungsoberfläche; Bilden einer Resistmaske durch Unterwerfen der Resistschicht einer Musterung; und Ätzen des Metallmaskensubstrats durch die Verwendung der Resistmaske. Das Metallmaskensubstrat wird durch die Verwendung des oben beschriebenen Verfahrens zum Herstellen eines Metallmaskensubstrats gebildet.
Um das vorhergehende Ziel zu erreichen und gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Metallmaskensubstrat bereitgestellt, das eine Metallplatte beinhaltet, die eine Vorderseitenoberfläche und eine Rückseitenoberfläche, die gegenüber der Vorderseitenoberfläche lokalisiert ist, beinhaltet. Zumindest eine von der Vorderseitenoberfläche und der Rückseitenoberfläche ist eine Resistbildungsoberfläche. Eine Dicke der Metallplatte ist 10 µm oder weniger. Eine Oberflächenrauheit Rz der Resistbildungsoberfläche ist 0,2 µm oder mehr.
Um das vorhergehende Ziel zu erreichen und gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Dampfabscheidungs-Metallmaske bereitgestellt, die ein Metallmaskensubstrat beinhaltet. Das Metallmaskensubstrat ist das oben beschriebene Metallmaskensubstrat. Die Metallplatte, die in dem Metallmaskensubstrat beinhaltet ist, weist eine Mehrzahl an Durchgangslöchern auf, die die Vorderseitenoberfläche und die Rückseitenoberfläche durchdringen.
Mit der zuvor genannten Konfiguration ist die Dicke der Metallmaskenplatte 10 µm oder weniger, und es ist daher möglich, die Tiefe einer Maskenöffnung, die in der Metallmaskenplatte gebildet ist, auf 10 µm oder weniger einzustellen. Daher ist es möglich, einen Abschnitt zu reduzieren, der durch die Dampfabscheidungs-Metallmaske verdeckt ist, wenn ein Filmbildungsobjekt von einem abgeschiedenen Teilchen aus betrachtet wird, d.h. es ist möglich, einen Verschattungseffekt zu unterdrücken. Es ist daher möglich, eine Form zu erhalten, die mit der Form einer Maskenöffnung bei dem Filmbildungsobjekt übereinstimmt, und konsequenterweise ist es möglich, eine hohe Auflösung bei der Filmbildung durch die Verwendung der Dampfabscheidungs-Metallmaske zu realisieren. Zusätzlich, wenn eine Resistschicht auf der Resistbildungsoberfläche gebildet wird, um eine Maskenöffnung in der Metallmaskenplatte zu bilden, ist es zunächst möglich, das Anhaften zwischen der Resistschicht und dem Metallmaskensubstrat verglichen mit vor dem Aufrauen zu erhöhen. Zusätzlich ist es auch möglich, dass das Reduzieren der Formgenauigkeit, aufgrund von zum Beispiel dem Abblättern der Resistschicht von der Metallmaskenplatte bei der Bildung der Maskenöffnung, unterdrückt wird. Diesbezüglich ist es möglich, eine hohe Auflösung bei der Filmbildung durch die Verwendung der Dampfabscheidungsmetallmaske zu realisieren.
In dem oben beschriebenen Verfahren zum Herstellen eines Metallmaskensubstrats kann das zu prozessierende Objekt sowohl die Vorderseitenoberfläche als auch die Rückseitenoberfläche umfassen.
Mit der zuvor genannten Konfiguration ist es möglich, eine Resistschicht auf irgendeiner Resistbildungsoberfläche zu bilden, d.h. entweder auf der Resistbildungsoberfläche, die von der Vorderseitenoberfläche gebildet ist, oder der Resistbildungsoberfläche, die von der Rückseitenoberfläche gebildet ist. Daher kann verhindert werden, dass es schwierig wird das Anhaften zwischen der Resistschicht und dem Metallmaskensubstrat zu erhalten, weil die falsche Oberfläche eines Objekts zum Bilden der Resistschicht genommen wird. Konsequenterweise ist es möglich, das Reduzieren der Ausbeute zu verhindern, wenn eine Dampfabscheidungs-Metallmaske hergestellt wird.
In dem oben beschriebenen Verfahren zum Herstellen eines Metallmaskensubstrats ist das zu prozessierende Objekt entweder die Vorderseitenoberfläche oder die Rückseitenoberfläche. Das Verfahren beinhaltet ferner das Aufschichten einer Plastikträgerschicht auf eine Oberfläche, die gegenüber dem zu prozessierenden Objekt lokalisiert ist. Das zu prozessierende Objekt wird in einem Zustand geätzt, in welchem die gewalzte Metallplatte und die Trägerschicht aufeinandergeschichtet sind, wodurch ein Metallmaskensubstrat erhalten wird, in welchem die Metallmaskenplatte und die Trägerschicht aufeinandergeschichtet sind.
In dem oben beschriebenen Verfahren zum Herstellen eines Metallmaskensubstrats beinhaltet das Ätzen das Ätzen eines ersten zu prozessierenden Objekts, das eine von der Vorderseitenoberfläche und der Rückseitenoberfläche ist, und dann das Ätzen eines zweiten zu prozessierenden Objekts, das die Verbleibende von der Vorderseitenoberfläche und der Rückseitenoberfläche ist. Das Verfahren beinhaltet ferner das Ätzen des ersten zu prozessierenden Objekts und dann das Aufschichten einer Plastikträgerschicht auf die Resistbildungsoberfläche, die durch das Ätzen des ersten zu prozessierenden Objekts erhalten wurde. Das zweite zu prozessierende Objekt wird in einem Zustand geätzt, in welchem die gewalzte Metallplatte und die Trägerschicht aufeinandergeschichtet sind, wodurch ein Metallmaskensubstrat erhalten wird, in welchem die Metallmaskenplatte und die Trägerschicht aufeinandergeschichtet sind.
Mit der zuvor genannten Konfiguration ist es möglich, die Komplexität der Handhabung der Metallmaskenplatte zu reduzieren, die von der Zerbrechlichkeit der Metallmaskenplatte resultiert, verursacht durch den Umstand, dass die Dicke der Metallmaskenplatte 10 µm oder weniger ist, wenn die Metallmaskenplatte befördert wird oder wenn eine Nachprozessierung auf die Metallmaskenplatte angewandt wird.
In dem oben beschriebenen Verfahren zum Herstellen eines Metallmaskensubstrats ist die gewalzte Metallplatte bevorzugt eine gewalzte Invarplatte, und die Metallmaskenplatte ist bevorzugt eine Invarplatte.
Mit der zuvor genannten Konfiguration, falls das Filmbildungsobjekt ein Glassubstrat ist, können der lineare Ausdehnungskoeffizient des Glassubstrats und der lineare Ausdehnungskoeffizient von Invar im Wesentlichen gleich zueinander sein. Es ist daher möglich, eine Metallmaske, die von dem Metallmaskensubstrat gebildet ist, zur Filmbildung auf das Glassubstrat anzuwenden. Das heißt, es ist möglich eine Metallmaske, von welcher die Formgenauigkeit gesteigert wurde, zur Filmbildung auf das Glassubstrat anzuwenden.
In dem zuvor beschriebenen Verfahren zum Herstellen einer Dampfabscheidungs-Metallmaske beinhaltet das Metallmaskensubstrat bevorzugt ein Laminat aus der Metallmaskenplatte und der Plastikträgerschicht. Das Verfahren beinhaltet ferner das chemische Entfernen der Trägerschicht von dem Metallmaskensubstrat durch Aussetzen des Metallmaskensubstrats, in welchem die Resistmaske gebildet wurde, zu einer alkalischen Lösung.
Mit der zuvor genannten Konfiguration wirkt keine externe Kraft auf die Metallmaskenplatte, und daher wird unterdrückt, dass die Metallmaskenplatte zerknittert oder deformiert wird, im Vergleich mit einem Fall, in welchem die Trägerschicht physikalisch von der Metallmaskenplatte abgeblättert wird.
In dem oben beschriebenen Metallmaskensubstrat kann die Resistbildungsoberfläche Teilchenspuren aufweisen, die eine Mehrzahl an Aussparungen sind, die jeweils wie ein elliptischer Konus geformt sind, und die Hauptachsen der Teilchenspuren können ausgerichtet sein.
Die Metallplatte wird gewöhnlich durch Walzen hergestellt, und daher ist es nicht selten, dass Teilchen von zum Beispiel Oxiden eines Desoxidationsmittels, das während eines Prozesses zum Herstellen der Metallplatte zugegeben wird, in die Metallplatte gemischt werden. Die Teilchen, die in die Vorderseitenoberfläche der Metallplatte eingemischt wurden, erstrecken sich in der gewalzten Richtung eines Metallmaterials, um wie elliptische Konusse geformt zu sein, die Hauptachsen aufweisen, die ausgerichtet sind, um sich in der gewalzten Richtung zu erstrecken. Falls solche Teilchen in einem Abschnitt verbleiben, in welchem eine Maskenöffnung in der Resistbildungsoberfläche gebildet wird, kann das Ätzen, um die Maskenöffnung zu bilden, durch die Teilchen behindert werden.
Diesbezüglich weist die Resistbildungsoberfläche mit der zuvor genannten Konfiguration eine Mehrzahl an Teilchenspuren auf, die wie elliptische Konusse mit jeweils ausgerichteten Hauptachsen geformt sind, d.h. die zuvor genannten Teilchen wurden bereits von der Resistbildungsoberfläche entfernt. Daher, wenn eine Maskenöffnung gebildet wird, ist es auch möglich, die Formgenauigkeit oder Größengenauigkeit der Maskenöffnung zu erhöhen.
EFFEKTE DER ERFINDUNG
Gemäß der vorliegenden Erfindung ist es möglich, eine hohe Auflösung bei der Filmbildung durch die Verwendung einer Dampfabscheidungs-Metallmaske zu realisieren.
Figurenliste

1 ist eine perspektivische Ansicht, die eine perspektivische Struktur eines Metallmaskensubstrats gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
2 ist ein Prozessdiagramm, das einen Schritt des Anfertigens einer gewalzten Invarplatte in einem Verfahren zum Herstellen einer Dampfabscheidungs-Metallmaske zeigt.
3 ist ein Prozessdiagramm, das einen Schritt des Ätzens einer Rückseitenoberfläche einer gewalzten Invarplatte in dem Verfahren zum Herstellen einer Dampfabscheidungsmetallmaske zeigt.
4 ist ein Prozessdiagramm, das einen Schritt des Bildens einer Trägerschicht auf einer Resistbildungsoberfläche einer gewalzten Invarplatte in dem Verfahren zum Herstellen einer Dampfabscheidungs-Metallmaske zeigt.
5 ist ein Prozessdiagramm, das einen Schritt des Ätzens einer Vorderseitenoberfläche der gewalzten Invarplatte in dem Verfahren zum Herstellen einer Dampfabscheidungs-Metallmaske zeigt.
6 ist ein schematisches Diagramm, das schematisch die Verteilung eines Metalloxids in der gewalzten Invarplatte zeigt.
7 ist ein Prozessdiagramm, das einen Schritt zum Bilden einer Resistschicht in dem Verfahren zum Herstellen einer Dampfabscheidungs-Metallmaske zeigt.
8 ist ein Prozessdiagramm, das einen Schritt des Bildens einer Resistmaske in dem Verfahren zum Herstellen einer Dampfabscheidungs-Metallmaske zeigt.
9 ist ein Prozessdiagramm, das einen Schritt des Ätzens einer Invarplatte in dem Verfahren zum Herstellen einer Dampfabscheidungs-Metallmaske zeigt.
10 ist eine Querschnittsansicht, die eine Querschnittsform eines Durchgangslochs zeigt, das durch Ätzen sowohl der Vorderseitenoberfläche als auch der Rückseitenoberfläche der Invarplatte gebildet ist.
11 ist ein Prozessdiagramm, das einen Schritt des Entfernens der Resistmaske in dem Verfahren zum Herstellen einer Dampfabscheidungs-Metallmaske zeigt.
12 ist ein Prozessdiagramm, das einen Schritt des chemischen Entfernens der Trägerschicht in dem Verfahren zum Herstellen einer Dampfabscheidungs-Metallmaske zeigt.
13 ist eine Querschnittsansicht, die eine Querschnittsstruktur einer Dampfabscheidungs-Metallmaske gebunden zu einem Rahmen zeigt.
14 ist eine Draufsicht, die eine planare Struktur der Dampfabscheidungs-Metallmaske gebunden zu dem Rahmen zeigt.
15 ist ein SEM Bild, das durch Fotografieren der Vorderseitenoberfläche einer gewalzten Invarplatte von Testbeispiel 1 erhalten ist.
16 ist ein SEM Bild, das durch Fotografieren einer Resistbildungsoberfläche einer Invarplatte von Testbeispiel 2 erhalten ist.
17 ist ein SEM Bild, das durch Fotografieren einer Resistbildungsoberfläche einer Invarplatte von Testbeispiel 3 erhalten ist.
18 ist ein SEM Bild, das durch Fotografieren einer Resistbildungsoberfläche einer Invarplatte von Testbeispiel 4 erhalten ist.
19 ist ein SEM Bild, das durch Fotografieren einer ersten Teilchenspur erhalten ist.
20 ist ein SEM Bild, das durch Fotografieren einer zweiten Teilchenspur erhalten ist.
21 ist eine Querschnittsansicht, die eine Querschnittstruktur zwischen einer Metallmaske und einem Rahmen in einer Modifikation zeigt.
22 ist eine Querschnittsansicht, die eine Querschnittstruktur zwischen einer Metallmaske und einem Rahmen in einer Modifikation zeigt.
23 ist eine Draufsicht, die eine planare Struktur einer Invarplatte in einer Modifikation zeigt.

MODI ZUM AUSFÜHREN DER ERFINDUNG
Mit Bezug zu 1 bis 20 erfolgt eine Beschreibung einer Ausführungsform, in welcher ein Verfahren zum Herstellen eines Metallmaskensubstrats, ein Verfahren zum Herstellen einer Dampfabscheidungs-Metallmaske, ein Metallmaskensubstrat und eine Dampfabscheidungs-Metallmaske verkörpert werden. In der vorliegenden Ausführungsform wird eine Dampfabscheidungs-Metallmaske, die zum Bilden einer organischen Schicht einer organischen EL Vorrichtung verwendet wird, als ein Beispiel einer Dampfabscheidungs-Metallmaske beschrieben. Hiernach werden in dieser Reihenfolge eine Konfiguration eines Metallmaskensubstrats, ein Verfahren zum Herstellen einer Dampfabscheidungs-Metallmaske, beinhaltend ein Verfahren zum Herstellen eines Metallmaskensubstrats, und Testbeispiele beschrieben.
[Konfiguration von einem Metallmaskensubstrat]
Eine Konfiguration von einem Metallmaskensubstrat wird mit Bezug zu 1 beschrieben.
Wie in 1 gezeigt, ist ein Metallmaskensubstrat 10 ein Beispiel von einer Metallmaskenplatte, und beinhaltet eine Invarplatte 11, die eine Invarmetallmaskenplatte ist. Die Invarplatte 11 ist zusammengesetzt aus einer Vorderseitenoberfläche 11a und einer Rückseitenoberfläche 11b, die eine gegenüber der Vorderseitenoberfläche 11a lokalisierte Oberfläche ist. In der Invarplatte 11 sind die Vorderseitenoberfläche 11a und die Rückseitenoberfläche 11b jeweils zu prozessierende Oberflächen für einen Resist, und sind Oberflächen, auf welchen jeweils eine Resistschicht gebildet werden kann, wenn die Invarplatte 11 geätzt wird.
Die Dicke T1 der Invarplatte 11 ist 10 µm oder weniger und die Oberflächenrauheit Rz in der Vorderseitenoberfläche 11a und die Oberflächenrauheit Rz in der Rückseitenoberfläche 11b sind jeweils 0,2 µm oder weniger.
Die Dicke der Invarplatte 11 ist 10 µm oder weniger, und es ist daher möglich, die Tiefe einer Maskenöffnung, die in der Invarplatte 11 gebildet wird, auf 10 µm oder weniger einzustellen. Daher ist es möglich, einen Abschnitt zu reduzieren, der durch die Dampfabscheidungs-Metallmaske verdeckt ist, wenn ein Filmbildungsobjekt von einem abgeschiedenen Teilchen aus betrachtet wird, d.h. es ist möglich, einen Verschattungseffekt zu unterdrücken. Es ist daher möglich, eine Form zu erhalten, die mit der Form einer Maskenöffnung bei dem Filmbildungsobjekt übereinstimmt, und es ist daher möglich, eine hohe Auflösung bei der Filmbildung durch die Verwendung der Dampfabscheidungs-Metallmaske zu realisieren.
Zusätzlich, wenn eine Resistschicht auf der Vorderseitenoberfläche 11a gebildet wird, um eine Maskenöffnung in der Invarplatte 11 zu bilden, ist es zunächst möglich, das Anhaften zwischen der Resistschicht und der Invarplatte 11 verglichen mit vor dem Aufrauen zu erhöhen. Zusätzlich ist es auch möglich, dass das Reduzieren der Formgenauigkeit, aufgrund von zum Beispiel dem Abblättern der Resistschicht von der Invarplatte 11 bei der Bildung der Maskenöffnung, unterdrückt wird. Auch diesbezüglich ist es möglich, eine hohe Auflösung bei der Filmbildung durch die Verwendung der Dampfabscheidungsmetallmaske zu realisieren.
Das Material, aus welchem die Invarplatte 11 hergestellt ist, ist eine Nickel-Eisen Legierung, die Nickel bei 36 Massen-% und Eisen beinhaltet, d.h. ist Invar, und der thermische Ausdehnungskoeffizient der Invarplatte 11 ist ungefähr 1,2 × 10^-6/°C.
Der thermische Ausdehnungskoeffizient der Invarplatte 11 und der thermische Ausdehnungskoeffizient eines Glassubstrats, das ein Beispiel eines Filmbildungsobjekts ist, auf welchem ein Film gebildet wird, sind im Wesentlichen gleich zueinander. Daher ist es möglich, eine Dampfabscheidungs-Metallmaske, die durch die Verwendung des Metallmaskensubstrats 10 hergestellt ist, zu der Filmbildung auf dem Glassubstrat anzuwenden, d.h. es ist möglich, eine Dampfabscheidungs-Metallmaske, von welcher die Formgenauigkeit erhöht wurde, zur Filmbildung auf dem Glassubstrat anzuwenden.
Die Oberflächenrauheit Rz in der Vorderseitenoberfläche der Invarplatte 11 ist ein Wert, der durch ein Verfahren gemäß JIS B 0601-2001 gemessen wird. Die Oberflächenrauheit Rz ist eine maximale Höhe in der Konturkurve, die eine Referenzlänge aufweist.
Das Metallmaskensubstrat 10 beinhaltet zusätzlich eine Plastikträgerschicht 12 und ist ein Laminat, das aus der Invarplatte 11 und der Trägerschicht 12 besteht. Von allen Abschnitten der Invarplatte 11 haftet die Rückseitenoberfläche 11b fest zu der Trägerschicht 12 an. Das Material, das die Trägerschicht 12 bildet, ist zum Beispiel eines aus einem Polyimid und einem Negativresist. Die Trägerschicht 12 kann eine Polyimidschicht sein oder kann eine Negativresistschicht sein. Alternativ kann die Trägerschicht 12 ein Laminat sein, das aus einer Polyimidschicht und einer Negativresistschicht besteht.
Unter diesen zeigt der thermische Ausdehnungskoeffizient von einem Polyimid die gleiche Tendenz wie der thermische Ausdehnungskoeffizient von Invar bezüglich der Temperaturabhängigkeit, und ist im Wesentlichen gleich im Wert zu dem thermischen Ausdehnungskoeffizienten von Invar. Daher, falls das Material, das die Trägerschicht 12 bildet, ein Polyimid ist, ist es möglich, dass zuverlässiger verhindert wird, dass sich das Metallmaskensubstrat 10 und die Invarplatte durch eine Temperaturveränderung in dem Metallmaskensubstrat verwinden, verglichen mit einem Fall, in welchem die Trägerschicht 12 aus einem Plastik hegestellt ist, das sich von einem Polyimid unterscheidet.
[Verfahren zum Herstellen einer Dampfabscheidungs-Metallmaske]
Mit Bezug zu 2 bis 12 erfolgt eine Beschreibung bezüglich eines Verfahrens zum Herstellen einer Dampfabscheidungs-Metallmaske.
Wie in 2 gezeigt, beinhaltet das Herstellungsverfahren einer Dampfabscheidungs-Metallmaske ein Verfahren zum Herstellen eines Metallmaskensubstrats 10. In dem Herstellungsverfahren des Metallmaskensubstrats 10 wird zunächst eine gewalzte Invarplatte 21, die ein Beispiel einer gewalzten Metallplatte ist, angefertigt. Die gewalzte Invarplatte 21 ist zusammengesetzt aus einer Vorderseitenoberfläche 21a und einer Rückseitenoberfläche 21b, die eine gegenüber der Vorderseitenoberfläche 21a lokalisierte Oberfläche ist, und, unter allen Abschnitten von der gewalzten Invarplatte 21, sind die Vorderseitenoberfläche 21a beziehungsweise die Rückseitenoberfläche 21b zu prozessierende Objekte in dem Herstellungsverfahren des Metallmaskensubstrats 10.
Die gewalzte Invarplatte 21 ist erhältlich durch Auswalzen eines Invarbasismaterials und durch Tempern des Basismaterials, das ausgewalzt wurde. Die Oberflächenrauheit Rz von jeder der Vorder- und Rückseitenoberflächen 21a und 21b von der gewalzten Invarplatte 21 wird geringer als die Oberflächenrauheit Rz von jeder der Vorderseiten- und Rückseitenoberflächen des Basismaterials im Verhältnis zu einer Reduktion in der Niveaudifferenz der Vorderseiten- und Rückseitenoberflächen des Basismaterials, die durch Auswalzen der gewalzten Invarplatte 21 bewirkt wird.
Die Dicke T2 der gewalzten Invarplatte 21 ist zum Beispiel 10 µm oder mehr und 100 µm oder weniger, und stärker bevorzugt 10 µm oder mehr und 50 µm oder weniger.
Die Rückseitenoberfläche 21b ist ein zu prozessierendes Objekt, das von den zwei zu prozessierenden Objekten früher geätzt wird, und ist ein Beispiel eines ersten zu prozessierenden Objekts. Wie in 3 gezeigt, wird die Rückseitenoberfläche 21b mit einer sauren Ätzlösung um 3 µm oder mehr geätzt. Die Differenz zwischen der Rückseitenoberfläche 21b der gewalzten Invarplatte 21, die noch nicht geätzt wurde, und der Rückseitenoberfläche der gewalzten Invarplatte 21, die geätzt wurde, d.h. zwischen der Rückseitenoberfläche 21b der gewalzten Invarplatte 21, die noch nicht geätzt wurde, und einer Resistbildungsoberfläche 21c, ist eine Ätzdicke T3. Die Ätzdicke T3 ist 3 µm oder mehr.
Die Dicke der gewalzten Invarplatte 21 wird durch Ätzen der Rückseitenoberfläche 21b im Vergleich zu vor dem Ätzen der Rückseitenoberfläche 21b verringert, und die Rückseitenoberfläche 21b wird aufgeraut, so dass die Resistbildungsoberfläche 21c eine Oberflächenrauheit Rz von 0,2 µm oder mehr aufweist.
Die saure Ätzflüssigkeit ist empfehlenswerter Weise eine Ätzlösung, die fähig ist zum Ätzen von Invar, und ist empfehlenswerter Weise eine Lösung mit einer Zusammensetzung, die die Rückseitenoberfläche 21b der gewalzten Invarplatte 21 rauer macht als bevor die Rückseitenoberfläche 21b geätzt wird. Die saure Ätzflüssigkeit ist eine Lösung, die zum Beispiel erhalten wird durch Mischen von einer aus Perchlorsäure, Salzsäure, Schwefelsäure, Ameisensäure und Essigsäure, mit Eisen(III)-Perchloratlösung und mit einer Mischung von Eisen(III)-Perchloratlösung und Eisen(III)-Chloridlösung. Die Rückseitenoberfläche 21b kann geätzt werden gemäß einem Eintauchen, bei dem die gewalzte Invarplatte 21 in eine saure Ätzlösung eingetaucht wird, oder gemäß einem Sprühverfahren, bei welchem eine saure Ätzlösung auf die Rückseitenoberfläche 21b der gewalzten Invarplatte 21 gesprüht wird, oder gemäß einem Rotationsverfahren, bei welchem eine saure Ätzlösung durch Rotationsbeschichtung auf die gewalzte Invarplatte 21 aufgebracht wird.
Die Ätzdicke T3 ist empfehlenswerter Weise zumindest 3 µm, bevorzugt 10 µm oder mehr und ist noch bevorzugter 15 µm oder mehr.
Wie in 4 gezeigt, wird die Rückseitenoberfläche 21b der gewalzten Invarplatte 21 geätzt, und dann wird die Plastikträgerschicht 12 auf die Resistbildungsoberfläche 21c aufgeschichtet, welche durch Ätzen der Rückseitenoberfläche 21b erhalten wurde. Die Dicke T4 der Trägerschicht 12 ist zum Beispiel 10 µm oder mehr und 50 µm oder weniger
Bevorzugt ist die Dicke der Trägerschicht 12 10 µm oder mehr, wegen dem Umstand, dass die Festigkeit eines Laminats, das aus der Trägerschicht 12 und der gewalzten Invarplatte 21 besteht, zu solch einem Ausmaß erhöht werden kann, um die Komplexität der Handhabung zu reduzieren, die von der Zerbrechlichkeit des Laminats in einem Prozess zum Herstellen des Metallmaskensubstrats 10 resultiert, selbst wenn die Dicke der gewalzten Invarplatte 21 10 µm oder weniger ist.
Zusätzlich ist die Dicke der Trägerschicht 12 bevorzugt 50 µm oder weniger, wegen dem Umstand, dass eine Zeitperiode, die benötigt wird, wenn die Trägerschicht 12 von dem Metallmaskensubstrat 10 durch eine alkalische Lösung entfernt wird, nicht exzessiv lang wird.
Die Trägerschicht 12 kann auf die Resistbildungsoberfläche 21c aufgeschichtet werden, durch das Binden zu der Resistbildungsoberfläche 21c, nachdem sie in eine Plattenform gebildet wurde. Alternativ kann die Trägerschicht 12 auf die Resistbildungsoberfläche 21c aufgeschichtet werden durch Aufbringen einer Aufbringungsflüssigkeit, die zum Bilden der Trägerschicht 12 verwendet wird, auf die Resistbildungsoberfläche 21c.
Falls die Trägerschicht 12 die zuvor genannte Negativresistschicht beinhaltet, werden, nachdem ein Film von einem Negativresist zu der Resistbildungsoberfläche 21c gebunden ist oder nachdem ein Negativresist auf die Resistbildungsoberfläche 21c aufgebracht ist, Ultraviolettstrahlen auf den gesamten Negativresist bestrahlt, um die Trägerschicht 12 zu bilden.
Wie in 5 gezeigt, wird in einem Zustand, in welchem die gewalzte Metallplatte 21 und die Trägerschicht 12 aufeinandergeschichtet sind, die Rückseitenoberfläche 21a der gewalzten Invarplatte 21, welche ein Beispiel eines zweiten zu prozessierenden Objekts ist, das geätzt wird, nachdem das erste zu prozessierende Objekt geätzt ist, mit einer sauren Ätzflüssigkeit um 3 µm oder mehr geätzt. Die Differenz zwischen der Vorderseitenoberfläche 21a der gewalzten Invarplatte 21, die noch nicht geätzt wurde, und der gewalzten Invarplatte 21, die geätzt wurde, d. h. zwischen der Vorderseitenoberfläche 21a der gewalzten Invarplatte 21, die noch nicht geätzt wurde, und der Vorderseitenoberfläche 21a von der Invarplatte 11, ist eine Ätzdicke T5. Die Ätzdicke T5 ist 3 µm oder mehr.
Wie dadurch beschrieben, beinhaltet das Ätzen der gewalzten Invarplatte 21 den Umstand, dass die Rückseitenoberfläche 21b der gewalzten Invarplatte 21, die ein Beispiel des ersten zu prozessierenden Objekts ist, geätzt wird, und den Umstand, dass danach die Rückseitenoberfläche 21a, die ein Beispiel einer zweiten zu prozessierenden Oberfläche ist, geätzt wird.
Die Dicke T2 der gewalzten Invarplatte 21, wie zuvor mit Bezug zu 2 beschrieben, wird auf 10 µm oder weniger durch Ätzen der Vorderseitenoberfläche 21a eingestellt, und die Vorderseitenoberfläche 21a wird aufgeraut, sodass die Vorderseitenoberfläche 21a eine Oberflächenrauheit Rz von 0,2 µm oder mehr aufweist. Dies macht es möglich, die Invarplatte 11 zu erhalten, die ein Beispiel einer Metallmaskenplatte und einer Metallplatte ist und die eine Oberflächenrauheit Rz von 0,2 µm oder mehr in sowohl den Vorderseiten- als auch Rückseitenoberflächen 11a und 11b aufweist, und das Metallmaskensubstrat 10 zu erhalten, in welchem die Invarplatte 11 und die Trägerschicht 12 aufeinandergeschichtet sind.
Sowohl die Vorderseitenoberfläche 21a als auch die Rückseitenoberfläche 21b der gewalzten Invarplatte 21 werden geätzt und es ist daher möglich, eine Resistschicht auf irgendeiner Resistbildungsoberfläche zu bilden, d. h. entweder auf der Resistbildungsoberfläche, die von der Vorderseitenoberfläche 21a gebildet ist, oder der Resistbildungsoberfläche 21c, die von der Rückseitenoberfläche 21b gebildet ist. Daher kann verhindert werden, dass es schwierig wird, das Anhaften zwischen der Resistschicht und dem Metallmaskensubstrat 10 zu erhalten, weil die falsche Oberfläche eines Objekts zum Bilden der Resistschicht genommen wird, und konsequenterweise ist es möglich, das Reduzieren der Ausbeute zu verhindern, wenn eine Dampfabscheidungs-Metallmaske 51 hergestellt wird.
Das Metallmaskensubstrat 10 ist ein Laminat, das aus der Invarplatte 11 und der Trägerschicht 12 besteht. Daher ist es möglich, die Komplexität der Handhabung der Invarplatte 11 zu reduzieren, die von der Zerbrechlichkeit der Invarplatte 11 resultiert, verursacht durch den Umstand, dass die Dicke der Invarplatte 11 10 µm oder weniger ist, wenn die Invarplatte 11 befördert wird oder wenn ein Nachprozessieren auf die Invarplatte 11 angewandt wird.
Die saure Ätzlösung ist empfehlenswerter Weise eine von den sauren Ätzlösungen, die zum Ätzen der Rückseitenoberfläche 21b verwendet werden, und ist bevorzugt die gleiche wie die saure Ätzlösung, die zum Ätzen der Rückseitenoberfläche 21b verwendet wird. Zusätzlich wird die Vorderseitenoberfläche 21a bevorzugt gemäß der gleichen Weise geätzt, wie die Rückseitenoberfläche 21b geätzt wird, obwohl die Vorderseitenoberfläche 21a gemäß irgendeinem aus dem Eintauchen, dem Sprühen und dem Rotieren geätzt werden kann.
Die Ätzdicke T5 ist empfehlenswerter Weise zumindest 3 µm und ist bevorzugt 10 µm oder mehr und ist noch stärker bevorzugt 15 µm oder mehr. Die Ätzdicke T5 und die zuvor genannte Ätzdicke T3 können gleich zueinander sein oder können sich voneinander unterscheiden.
Normalerweise, wenn ein Basismaterial von der gewalzten Invarplatte 21 gebildet wird, wird zum Beispiel teilchenförmiges Aluminium, Magnesium oder dergleichen, welches als ein Desoxidationsmittel dient, mit Materialien zum Bilden des Basismaterials gemischt, um Sauerstoff zu entfernen, der die Materialien infiltriert hat, die das Basismaterial bilden. Aluminium und Magnesium werden oxidiert und sind in den Materialien, die das Basismaterial bilden, in einem Zustand von Metalloxiden beinhaltet, wie etwa ein Aluminiumoxid und ein Magnesiumoxid. Wenn ein Basismaterial gebildet wird, verbleibt einiges der Metalloxide innerhalb des Basismaterials, obwohl das meiste der Metalloxide von dem Basismaterial entfernt wird.
Wie in 6 gezeigt, ist, unter allen Abschnitten der gewalzten Invarplatte 21, ein Abschnitt, der das Zentrum in der Dickenrichtung der gewalzten Invarplatte 21 beinhaltet, ein Zentralabschnitt C, und ist ein Abschnitt, der die Vorderseitenoberfläche 21a beinhaltet, ein erster Oberflächenschichtabschnitt S1, und ist ein Abschnitt, der die Rückseitenoberfläche 21b beinhaltet, ein zweiter Oberflächenschichtabschnitt S2. Das Metalloxid ist bei dem ersten Oberflächenschichtabschnitt S1 und bei dem zweiten Oberflächenschichtabschnitt S2 stärker verteilt als bei dem Zentralabschnitt C.
Das Metalloxid ist eine Ursache, die zu dem Umstand, dass ein Resist von der Invarplatte 11 abblättert, oder zu dem Umstand führt, dass die Invarplatte 11 exzessiv geätzt wird, wenn eine Dampfabscheidungs-Metallmaske durch Ätzen der Invarplatte 11 gebildet wird.
Wie oben beschrieben, werden in dem Herstellungsverfahren des Metallmaskensubstrats 10 die Vorderseitenoberfläche 21a und die Rückseitenoberfläche 21b der gewalzten Invarplatte 21 geätzt, und daher wird zumindest ein Abschnitt von dem ersten Oberflächenschichtabschnitt S1 und zumindest ein Abschnitt von dem zweiten Oberflächenschichtabschnitt S2, die jeweils mehr Metalloxide beinhalten, entfernt. Daher wird verhindert, dass der Resist aufgrund der Metalloxide abblättert, oder es wird verhindert, dass die Invarplatte 11 aufgrund der Metalloxide exzessiv geätzt wird, und es wird verhindert, dass die Genauigkeit des Ätzens bezüglich des Metallmaskensubstrats 10 kleiner wird als in einem Fall, in welchem die Vorderseitenoberfläche 21a und die Rückseitenoberfläche 21b der gewalzten Invarplatte 21 nicht geätzt werden.
Wie in 7 gezeigt, wird eine Resistschicht 22 auf der Vorderseitenoberfläche 11a der Invarplatte 11 gebildet. Die Resistschicht 22 kann auf der Vorderseitenoberfläche 11a durch Bilden in einer Plattenform und dann Binden zu der Vorderseitenoberfläche 11a gebildet werden. Alternativ kann die Resistschicht 22 auf der Vorderseitenoberfläche 11a durch Aufbringen einer Aufbringungsflüssigkeit, die zum Bilden der Resistschicht 22 verwendet wird, auf die Vorderseitenoberfläche 11a gebildet werden.
Das Material, das die Resistschicht 22 bildet, kann ein Negativresist sein oder kann ein Positivresist sein. Falls das Material, das die Trägerschicht 12 bildet, ein Negativresist ist, ist es bevorzugt, die Resistschicht 22 mit dem gleichen Material wie die Trägerschicht 12 zu bilden.
Wie in 8 gezeigt, wird eine Resistmaske 23 durch Mustern der Resistschicht 22 gebildet. Die Resistmaske 23 weist eine Mehrzahl an Durchgangslöchern 23a auf, um die Invarplatte 11 zu ätzen.
Falls das Material, das die Resistschicht 22 bildet, ein Negativresist ist, werden, unter allen Abschnitten der Resistschicht 22, Ultraviolettstrahlen auf Abschnitte bestrahlt, die sich von Abschnitten unterscheiden, die zu jedem Durchgangsloch 23a der Resistmaske 23 korrespondieren, und die Resistschicht 22 wird belichtet. Danach wird die Resistmaske 23 mit den Durchgangslöchern 23a durch Entwickeln der Resistschicht 22 mit einem Entwickler erhalten.
Falls das Material, das die Resistschicht 22 bildet, ein Positivresist ist, werden, unter allen Abschnitten der Resistschicht 22, Ultraviolettstrahlen auf einen Abschnitt bestrahlt, der zu jedem Durchgangsloch 23a der Resistmaske 23 korrespondiert, und die Resistschicht 22 wird belichtet. Danach wird die Resistmaske 23 mit den Durchgangslöchern 23a durch Entwickeln der Resistschicht 22 mit dem Entwickler erhalten.
Wie in 9 gezeigt, wird die Invarplatte 11 durch die Verwendung der Resistmaske 23 geätzt. Zum Beispiel wird Eisen(III)-Chloridlösung verwendet, um die Invarplatte 11 zu ätzen. Durch diese Eisen(III)-Chloridlösung werden eine Mehrzahl an Durchgangslöchern 11c, die den Abschnitt zwischen der Vorderseitenoberfläche 11a und der Rückseitenoberfläche 11b durchdringen, in der Invarplatte 11 gebildet, d. h. eine Maskenöffnung wird in der Invarplatte 11 gebildet. Die innere Umfangsoberfläche von jedem Durchgangsloch 11c weist in einem Querschnitt entlang der Dickenrichtung der Invarplatte 11 die Form eines im wesentlichen tiefgestellten Bogens auf, und die Öffnungsfläche in der Vorderseitenoberfläche 11a ist in jedem Durchgangsloch 11c größer als die Öffnungsfläche in der Rückseitenoberfläche 11b.
Die Dicke der Invarplatte 11 ist 10 µm oder weniger. Daher, als Ergebnis von Ätzen der Invarplatte 11 nur von der Vorderseitenoberfläche 11a, ist es möglich, ein Durchgangsloch 11c zu bilden, das sich zwischen der Vorderseitenoberfläche 11a und der Rückseitenoberfläche 11b erstreckt, ohne die Maskenöffnung der Invarplatte 11 exzessiv zu vergrößern, d. h. ohne exzessives Vergrößern des Durchgangslochs 11c.
Wie in 10 gezeigt, ist die Dicke T6 einer Invarplatte 31 größer als die Dicke T1 der Invarplatte 11, d. h. die Dicke T6 der Invarplatte 31 ist größer als 10 µm. In diesem Fall, um ein Durchgangsloch zu bilden, das sich zwischen einer Vorderseitenoberfläche 31a und einer Rückseitenoberfläche 31b erstreckt, während die Fläche einer Öffnung in der Vorderseitenoberfläche 31a der Invarplatte 31 so eingestellt wird, um im Wesentlichen gleich zu der Fläche einer Öffnung in der Vorderseitenoberfläche 11a der Invarplatte 11 zu werden, ist es notwendig, die Invarplatte 31 von der Vorderseitenoberfläche 31a und von der Rückseitenoberfläche 31b zu ätzen.
Als Ergebnis wird ein Durchgangsloch 31e gebildet, das zusammengesetzt ist aus einem ersten Loch 31c, das in der Vorderseitenoberfläche 31a geöffnet ist, und einem zweiten Loch 31d, das in der Rückseitenoberfläche 31b geöffnet ist. In einer Richtung senkrecht zu der Dicke der Invarplatte 31 ist die Öffnungsfläche in einem Verbindungsabschnitt zwischen dem ersten Loch 31c und dem zweiten Loch 31d geringer als die Öffnungsfläche des zweiten Lochs 31d der Rückseitenoberfläche 31b.
Wenn die Invarplatte 31, die das dadurch konfigurierte Durchgangsloch 31b aufweist, als eine Dampfabscheidungs-Metallmaske verwendet wird, wird die Invarplatte 31 zwischen einer Dampfabscheidungsquelle und einem Filmbildungsobjekt in einem Zustand angeordnet, in welchem die Rückseitenoberfläche 31b der Invarplatte 31 dem Filmbildungsobjekt zugewandt ist. Der Verbindungsabschnitt bildet einen Abschnitt, der durch die Dampfabscheidungs-Metallmaske unter allen Teilen der Invarplatte 31 verdeckt ist, wenn das Filmbildungsobjekt von einem abgeschiedenen Teilchen aus betrachtet wird. Dementsprechend wird eine Form, die mit einer Form der Maskenöffnung übereinstimmt, in dem zweiten Loch 31d in dem Filmbildungsobjekt nicht einfach enthalten. Daher ist es bevorzugt, dass die Tiefe des zweiten Lochs 31d gering gemacht wird, d. h., dass die Distanz zwischen der Rückseitenoberfläche 31b und dem Verbindungsabschnitt gering gemacht wird.
Im Gegensatz dazu, gemäß dem Durchgangsloch 11c der Invarplatte 11, ist es möglich, wenn das Filmbildungsobjekt von einem abgeschiedenen Teilchen aus betrachtet wird, einen Abschnitt, der durch die Dampfabscheidungs-Metallmaske verdeckt wird, geringer als die zuvor genannte Invarplatte 31 zu machen, korrespondierend zu dem Umstand, dass der Verbindungsabschnitt nicht vorhanden ist. Als Ergebnis ist es möglich, eine Form zu erhalten, die stärker mit der Form der Maskenöffnung in dem Filmbildungsobjekt übereinstimmt.
Wie in 11 gezeigt, wird die Resistmaske 23, welche die zuvor mit Bezug zu 9 beschriebene Resistmaske 23 ist und welche auf dem Metallmaskensubstrat 10 lokalisiert ist, entfernt. Wenn die Resistmaske 23 von dem Laminat, das aus dem Metallmaskensubstrat 10 und der Resistmaske 23 besteht, entfernt wird, kann eine Schutzschicht, die die Trägerschicht 12 schützt, auf einer Oberfläche auf der Seite gegenüber einer Oberfläche angrenzend zu der Invarplatte 11, unter allen Abschnitten der Trägerschicht 12, gebildet werden. Die Schutzschicht verhindert, dass die Trägerschicht 12 durch die Lösung, die die Resistmaske 23 entfernt, aufgelöst wird.
Wie in 12 gezeigt, wird die Resistmaske 23 entfernt, und dann wird das Metallmaskensubstrat 10 zu einer alkalischen Lösung ausgesetzt, und als Ergebnis wird die Trägerschicht 12 chemisch von dem Metallmaskensubstrat 10 entfernt. Als Ergebnis wird eine Metallmaskenplatte 41 zur Dampfabscheidung erhalten. Die Metallmaskenplatte 41 zur Dampfabscheidung weist eine Vorderseitenoberfläche 41a korrespondierend zu der Vorderseitenoberfläche 11a der Invarplatte 11, eine Rückseitenoberfläche 41b korrespondierend zu der Rückseitenoberfläche 11b der Invarplatte 11, und ein Durchgangsloch 41c korrespondierend zu dem Durchgangsloch 11c der Invarplatte 11 auf.
Zu dieser Zeit wird die Trägerschicht 12 chemisch von dem Metallmaskensubstrat 10 entfernt, und dadurch wirkt keine Kraft auf die Invarplatte 11, und die Invarplatte 11 wird verglichen mit einem Fall, in welchem die Trägerschicht 12 physikalisch von der Invarplatte 11 abgeblättert wird, nicht verzogen oder verformt.
Es ist lediglich nötig, dass die alkalische Lösung eine Lösung ist, die durch Auflösen der Trägerschicht 12 fähig ist zum Abblättern der Trägerschicht 12 von der Invarplatte 11, und ist z.B. eine wässrige Natriumhydroxidlösung. Wenn das Metallmaskensubstrat 10 einer alkalischen Lösung ausgesetzt wird, kann das Metallmaskensubstrat 10 in die alkalische Lösung eingetaucht werden, oder die alkalische Lösung kann auf die Trägerschicht 12 von dem Metallmaskensubstrat 10 gesprüht werden, oder die alkalische Lösung kann auf die Trägerschicht 12 von dem Metallmaskensubstrat 10 rotationsbeschichtet werden.
Wie in 13 gezeigt, wird eine Metallmaske 51 zur Dampfabscheidung, die eine bestimmte Länge hat, von der Metallmaskenplatte 41 zur Dampfabscheidung herausgeschnitten. Die Metallmaske 51 zur Dampfabscheidung weist eine Vorderseitenoberfläche 51a korrespondierend zu der Vorderseitenoberfläche 41a der Metallmaskenplatte 41 zur Dampfabscheidung, eine Rückseitenoberfläche 51b korrespondierend zu der Rückseitenoberfläche 41b der Metallmaskenplatte 41 zur Dampfabscheidung, und ein Durchgangsloch 51c korrespondierend zu dem Durchgangsloch 41c von der Metallmaskenplatte 41 zur Dampfabscheidung auf.
Danach, wenn die Dampfabscheidung einer organischen Schicht ausgeführt wird, wird die Metallmaske 51 zur Dampfabscheidung zu einem Rahmen gebunden. Mit anderen Worten wird die Metallmaske 51 zur Dampfabscheidung für die Dampfabscheidung der organischen Schicht in einem Zustand verwendet, in welchem sie zu einem Metallrahmen 52 mittels einer Haftschicht 53 gebunden ist. In der Metallmaske 51 zur Dampfabscheidung ist ein Abschnitt der Rückseitenoberfläche 51b der Metallmaske 51 zur Dampfabscheidung einem Abschnitt des Rahmens 52 zugewandt, und die Haftschicht 53 ist zwischen der Metallmaske 51 zur Dampfabscheidung und dem Rahmen 52 lokalisiert. Die Metallmaske 51 zur Dampfabscheidung kann zu dem Rahmen 52 mittels der Haftschicht 53 in einem Zustand, in welchem ein Abschnitt der Vorderseitenoberfläche 51a der Metallmaske 51 zur Dampfabscheidung einem Abschnitt des Rahmens 52 zugewandt ist, und in einen Zustand, in welchem die Haftschicht 53 zwischen der Vorderseitenoberfläche 51a der Metallmaske 51 zur Dampfabscheidung und dem Rahmen 52 lokalisiert ist, gebunden werden.
Wie in 14 gezeigt, in einer Draufsicht, die der Vorderseitenoberfläche 51a der Metallmaske 51 zur Dampfabscheidung zugewandt ist, weist die Metallmaske 51 zur Dampfabscheidung eine rechtwinklige Form auf, und der Rahmen 52 weist eine rechtwinklige Rahmenform auf. In der Draufsicht, die der Vorderseitenoberfläche 51a zugewandt ist, weist jedes Durchgangsloch 51c eine rechtwinklige Form auf. Mit anderen Worten weist eine Öffnung in der Vorderseitenoberfläche 51a, unter den Durchgangslöchern 51c, eine rechtwinklige Form auf. In ähnlicher Weise weist eine Öffnung in der Rückseitenoberfläche 51b, unter den Durchgangslöchern 51c, eine rechtwinklige Form auf. Die Durchgangslöcher 51c sind in einer Richtung gleichförmig verteilt und sind in einer anderen Richtung, die zu der einen Richtung senkrecht ist, gleichförmig verteilt. Die Metallmaske 51 zur Dampfabscheidung wird zwischen einer Dampfabscheidungsquelle und einem Filmbildungsobjekt in einem Zustand angeordnet, in welchem die Rückseitenoberfläche 51b der Metallmaske 51 zur Dampfabscheidung dem Filmbildungsobjekt zugewandt ist.
In 14 ist eine Links-Rechts-Richtung in der Zeichnung eine Richtung, in welcher Pixel Seite an Seite in dem Filmbildungsobjekt angeordnet werden. Bevorzugt ist die Distanz zwischen einander benachbarten Durchgangslöchern 51c in der Links-Rechts-Richtung zweimal oder mehr mal so weit wie die Breite des Durchgangslochs 51c in der Links-Rechts-Richtung, obwohl die Distanz zwischen den einander benachbarten Durchgangslöchern 51c in der Links-Rechts-Richtung geringer ist als die Breite des Durchgangslochs 51c in der Links-Rechts-Richtung in 14.
[Testbeispiele]
Testbeispiele werden mit Bezug zu 15 bis 20 beschrieben.
[Testbeispiel 1]
Eine gewalzte Invarplatte, die eine Dicke von 30 µm hatte, wurde angefertigt, und wurde als eine gewalzte Invarplatte von Testbeispiel 1 genommen.
[Testbeispiel 2]
Eine gewalzte Invarplatte, die eine Dicke von 30 µm hatte, wurde angefertigt, und die Vorderseitenoberfläche der gewalzten Invarplatte wurde um 3 µm durch Sprühen einer sauren Ätzlösung auf die Vorderseitenoberfläche der gewalzten Metallplatte geätzt, und eine Invarplatte von Testbeispiel 2, die eine Resistbildungsoberfläche hatte, wurde erhalten. Eine Lösung, in welcher eine Perchlorsäure mit einer Mischung bestehend aus Eisen(III)-Perchloratlösung und Eisen(III)-Chloridlösung gemischt war, wurde als die saure Ätzlösung verwendet.
[Testbeispiel 3]
Eine gewalzte Invarplatte, die eine Dicke von 30 µm hatte, wurde angefertigt, und die Vorderseitenoberfläche der gewalzten Invarplatte wurde um 4,5 µm unter der gleichen Bedingung wie im Testbeispiel 2 geätzt, und eine Invarplatte von Testbeispiel 3, die eine Resistbildungsoberfläche hatte, wurde erhalten.
[Testbeispiel 4]
Eine gewalzte Invarplatte, die eine Dicke von 30 µm hatte, wurde angefertigt, und die Vorderseitenoberfläche der gewalzten Invarplatte wurde um 10 µm unter der gleichen Bedingung wie im Testbeispiel 2 geätzt, und eine Invarplatte von Testbeispiel 4, die eine Resistbildungsoberfläche hatte, wurde erhalten.
[Fotografieren der Vorderseitenoberfläche durch Rasterelektronenmikroskop]
Die Vorderseitenoberfläche von Testbeispiel 1 und die Resistbildungsoberfläche von jedem Testbeispiel von Testbeispiel 2 bis Testbeispiel 4 wurde durch ein Rasterelektronenmikroskop fotografiert und SEM-Bildungen wurden erzeugt. Die Vergrößerung des Rasterelektronenmikroskops (JSM-7001F, hergestellt von JEOL Ltd.) wurde auf 10000-fach eingestellt und die Beschleunigungsspannung wurde auf 10,0 kV eingestellt und die Arbeitsdistanz wurde auf 9,7 mm eingestellt.
Wie in 15 gezeigt, wurde festgestellt, dass die Flachheit der Vorderseitenoberfläche in der gewalzten Invarplatte von Testbeispiel 1 am höchsten war, und eine gewalzte Spur, die ein Streifen war, der sich in der obenunten-Richtung in der Zeichnung erstreckt, wurde in der Vorderseitenoberfläche in der gewalzten Invarplatte von Testbeispiel 1 beobachtet. Wie in den 16 und 17 gezeigt, wurde festgestellt, dass eine Niveaudifferenz in der Resistbildungsoberfläche in der Invarplatte von Testbeispiel 2 und in der Resistbildungsoberfläche in der Invarplatte von Testbeispiel 3 gebildet wird. Wie in 18 gezeigt, wurde festgestellt, dass eine größere Niveaudifferenz in der Resistbildungsoberfläche in der Invarplatte von Testbeispiel 4 als in der Resistbildungsoberfläche in der Invarplatte von Testbeispiel 2 und in der Resistbildungsoberfläche in der Invarplatte von Testbeispiel 3 gebildet wurde. Zusätzlich wurde festgestellt, dass die gewalzte Spur in der Resistbildungsoberfläche in jeder Invarplatte von 16 bis 18 aufgrund des Ätzens im Wesentlichen verschwunden war.
[Messung der Oberflächenrauheit durch Rasterkraftmikroskop]
Ein Probekörper, der die Vorderseitenoberfläche in der gewalzten Invarplatte von Testbeispiel 1 als eine Vorderseitenoberfläche beinhaltete, wurde erzeugt, und ein Probekörper, der die Resistbildungsoberfläche von der Invarplatte in jedem Testbeispiel von Testbeispiel 2 bis Testbeispiel 4 als eine Vorderseitenoberfläche beinhaltete, wurde erzeugt. Danach wurde die Oberflächenrauheit in einer Scanregion, die eine Region mit einer quadratischen Form war, in welcher die Länge einer Seite 5 µm ist, in der Vorderseitenoberfläche von jedem Probekörper gemessen.
Die Oberflächenrauheit in der Vorderseitenoberfläche von jedem Testbeispiel wurde gemäß einem Verfahren in Übereinstimmung mit JIS B 0601-2001 unter Verwendung eines Rasterkraftmikroskops (AFM5400L, hergestellt von Hitachi High-Tech Science Corporation) gemessen. Die Messergebnisse der Oberflächenrauheit waren wie in Tabelle 1 nachfolgend gezeigt. Zusätzlich, basierend auf den Messergebnissen, wurde das Oberflächenverhältnis in jedem Probekörper als das Verhältnis einer Oberfläche in einer Scanregion bezüglich einer Fläche der Scanregion berechnet. Mit anderen Worten war das Oberflächenverhältnis ein Wert, der durch Teilen der Oberfläche der Scanregion durch die Fläche der Scanregion erhalten ist.
Unter den in Tabelle 1 gezeigten Parametern der Oberflächenrauheit bezeichnet Rz eine maximale Höhe, die die Summe aus der Höhe des höchsten Gipfels und der Tiefe der tiefsten Vertiefung in einer Konturkurve, die eine Referenzlänge aufweist, ist, und bezeichnet Ra eine arithmetisch gemittelte Rauheit einer Konturkurve, die eine Referenzlänge aufweist. Rp bezeichnet die Höhe des höchsten Gipfels in einer Konturkurve, die eine Referenzlänge aufweist, Rv bezeichnet die Tiefe der tiefsten Vertiefung in einer Konturkurve, die eine Referenzlänge aufweist. In der folgenden Beschreibung ist jede Einheit von Rz, Ra, Rp und Rv µm.

[Tabelle 1]

	Ätzdicke (µm)	Rz	Ra	Rp	Rv	Oberflächenverhältnis
Testbeispiel 1	0	0,17	0,02	0,08	0,09	1,02
Testbeispiel 2	3	0,24	0,02	0,12	0,12	1,23
Testbeispiel 3	4,5	0,28	0,03	0,15	0,13	1,13
Testbeispiel 4	10	0,30	0,03	0,17	0,13	1,22

Wie in Tabelle 1 gezeigt, wird in der Vorderseitenoberfläche in der gewalzten Invarplatte von Testbeispiel 1 festgestellt, dass die Oberflächenrauheit Rz 0,17 war, die Oberflächenrauheit Ra 0,02 war, die Oberflächenrauheit Rp 0,08 war und die Oberflächenrauheit Rv 0,09 war. Zusätzlich wurde in der Vorderseitenoberfläche in der gewalzten Invarplatte von Testbeispiel 1 festgestellt, dass das Oberflächenverhältnis 1,02 war.
In der Resistbildungsoberfläche in der Invarplatte von Testbeispiel 2 wurde festgestellt, dass die Oberflächenrauheit Rz 0,24 war, die Oberflächenrauheit Ra 0,02 war, die Oberflächenrauheit Rp 0,12 war und die Oberflächenrauheit Rv 0,12 war. Zusätzlich wurde in der Resistbildungsoberfläche in der Invarplatte von Testbeispiel 2 festgestellt, dass das Oberflächenverhältnis 1,23 war.
In der Resistbildungsoberfläche in der Invarplatte von Testbeispiel 3 wurde festgestellt, dass die Oberflächenrauheit Rz 0,28 war, die Oberflächenrauheit Ra 0,03 war, die Oberflächenrauheit Rp 0,15 war und die Oberflächenrauheit Rv 0,13 war. Zusätzlich wurde in der Resistbildungsoberfläche in der Invarplatte von Testbeispiel 3 festgestellt, dass das Oberflächenverhältnis 1,13 war.
In der Resistbildungsoberfläche in der Invarplatte von Testbeispiel 4 wurde festgestellt, dass die Oberflächenrauheit Rz 0,30 war, die Oberflächenrauheit Ra 0,03 war, die Oberflächenrauheit Rp 0,17 war und die Oberflächenrauheit Rv 0,13 war. Zusätzlich wurde in der Resistbildungsoberfläche in der Invarplatte von Testbeispiel 4 festgestellt, dass das Oberflächenverhältnis 1,22 war.
Wie dadurch beschrieben, wurde in der Invarplatte, die durch Ätzen der Vorderseitenoberfläche von der gewalzten Invarplatte um 3 µm oder mehr erhalten wird, festgestellt, dass die Oberflächenrauheit Rz in der Resistbildungsoberfläche 0,2 µm oder mehr war. Zusätzlich wurde von dem Umstand, dass die Oberflächenrauheit Rz in der Resistbildungsoberfläche im Verhältnis zu einer Erhöhung der Ätzdicke größer wurde, festgestellt, dass die Ätzdicke in der Vorderseitenoberfläche von der gewalzten Invarplatte bevorzugt 4,5 µm war, und stärker bevorzugt 10 µm war.
Eine gewalzte Invarplatte, die eine Dicke von 30 µm hatte, wurde angefertigt, und eine Invarplatte, die eine Dicke von 10 µm hatte, wurde erhalten durch Ätzen von jeder der Vorderseiten- und Rückseitenoberflächen von der gewalzten Invarplatte um 10 µm unter den zuvor genannten Bedingungen. Zu diesem Zeitpunkt wurde eine Polyimidplatte, die eine Dicke von 20 µm hatte und als eine Trägerschicht diente, zu der Resistbildungsoberfläche gebunden, die von der Rückseitenoberfläche der gewalzten Invarplatte erhalten wurde.
Es wurde durch die vorliegenden Erfinder festgestellt, dass es durch die dadurch konfigurierte Invarplatte möglich war, ein Durchgangsloch zu bilden, das sich zwischen der Vorderseitenoberfläche und der Rückseitenoberfläche der Invarplatte erstreckt, durch Ätzen der Invarplatte nur von der Vorderseitenoberfläche der Invarplatte. Zusätzlich wurde durch die vorliegenden Erfinder festgestellt, dass, in dem dadurch konfigurierten Durchgangsloch, die Öffnungsfläche in der Vorderseitenoberfläche von der Invarplatte und die Öffnungsfläche in der Rückseitenoberfläche von der Invarplatte jeweils ein gewünschtes Ausmaß haben.
Zusätzlich wurde ein Trockenfilmresist zu der Vorderseitenoberfläche der gewalzten Invarplatte von Testbeispiel 1 gebunden, und wurde einem Mustern unterworfen, und dann wurde die gewalzte Invarplatte von Testbeispiel 1 geätzt, so dass eine Mehrzahl an konkaven Abschnitten auf der Vorderseitenoberfläche gebildet wurde.
Danach wurde ein Trockenfilmresist zu der Resistbildungsoberfläche von jeder Invarplatte von Testbeispielen 2 bis 4 gebunden, und wurde einem Mustern unterworfen, und dann wurde jede Invarplatte von Testbeispielen 2 bis 4 geätzt, um eine Mehrzahl von konkaven Abschnitten auf der Resistbildungsoberfläche zu bilden. In den Testbeispielen 2 bis 4 wurde das gleiche Verfahren wie in Testbeispiel 1 als das Musterungsverfahren des Trockenfilmresists angewandt, und die Ätzbedingungen von der Invarplatte wurden genauso eingestellt wie in Testbeispiel 1.
In jedem von Testbeispielen 2 bis 4 wurde festgestellt, dass Variationen in der Größe der Öffnung in der Resistbildungsoberfläche geringer waren als Variationen in der Größe der Öffnung in Testbeispiel 1. Mit anderen Worten wurde festgestellt, dass, falls die Oberflächenrauheit Rz 0,2 µm oder mehr war, wie in jedem von Testbeispielen 2 bis 4, das Anhaften zwischen der Resistschicht und der Invarplatte erhöht war, und dass als Ergebnis verhindert werden kann, dass sich die Formgenauigkeit in der Maskenöffnung verringert.
[Testbeispiel 5]
Eine gewalzte Invarplatte, die eine Dicke von 30 µm hatte, wurde angefertigt, und wurde als eine gewalzte Invarplatte von Testbeispiel 5 herangezogen.
[Testbeispiel 6]
Eine gewalzte Invarplatte, die eine Dicke von 30 µm hatte, wurde angefertigt, und die Vorderseitenoberfläche von der gewalzten Invarplatte wurde um 3 µm unter den gleichen Bedingungen wie im Testbeispiel 2 geätzt, und eine Invarplatte von Testbeispiel 6, die eine Resistbildungsoberfläche hatte, wurde erhalten.
[Testbeispiel 7]
Eine gewalzte Invarplatte, die eine Dicke von 30 µm hatte, wurde angefertigt, und die Vorderseitenoberfläche von der gewalzten Invarplatte wurde um 10 µm unter den gleichen Bedingungen wie im Testbeispiel 2 geätzt, und eine Invarplatte von Testbeispiel 7, die eine Resistbildungsoberfläche hatte, wurde erhalten.
[Testbeispiel 8]
Eine gewalzte Invarplatte, die eine Dicke von 30 µm hatte, wurde angefertigt, und die Vorderseitenoberfläche von der gewalzten Invarplatte wurde um 15 µm unter den gleichen Bedingungen wie im Testbeispiel 2 geätzt, und eine Invarplatte von Testbeispiel 8, die eine Resistbildungsoberfläche hatte, wurde erhalten.
[Testbeispiel 9]
Eine gewalzte Invarplatte, die eine Dicke von 30 µm hatte, wurde angefertigt, und die Vorderseitenoberfläche von der gewalzten Invarplatte wurde um 16 µm unter den gleichen Bedingungen wie im Testbeispiel 2 geätzt, und eine Invarplatte von Testbeispiel 9, die eine Resistbildungsoberfläche hatte, wurde erhalten.
[Zählen von Teilchenspuren]
Drei Probekörper wurden erzeugt, die jeweils einen Abschnitt der Vorderseitenoberfläche in der gewalzten Invarplatte von Testbeispiel 5 als dessen Vorderseitenoberfläche beinhalteten und die jeweils eine quadratische Form mit einer Seitenlänge von 2 mm hatten. Überdies wurden drei Probekörper erzeugt, die jeweils einen Abschnitt von der Resistbildungsoberfläche in jeder Invarplatte von Testbeispielen 6 bis 9 als dessen Vorderseitenoberfläche beinhalteten und die jeweils eine quadratische Form mit einer Seitenlänge von 2 mm hatten.
Die Vorderseitenoberfläche von jedem Probekörper wurde unter Verwendung eines Rasterelektronenmikroskops (gleiches wie oben) untersucht, und die Anzahl an Teilchenspuren von jedem Probekörper wurde gezählt. Die Teilchenspur ist eine Spur, die aufgrund des Umstands erscheint, dass ein Teilchen von einem Metalloxid von einer gewalzten Invarplatte oder von einer Invarplatte eliminiert wurde. In jedem Probekörper wurde zumindest eine von einer ersten Teilchenspur und einer zweiten Teilchenspur beobachtet. Ergebnisse, die durch das Zählen der Anzahl an Teilchenspuren erhalten sind, sind wie in Tabelle 2 nachfolgen gezeigt.
Wie in 19 gezeigt, definierte die erste Teilchenspur eine im Wesentlichen kreisförmige Region in einer Draufsicht, der Vorderseitenoberfläche eines Probekörpers zugewandt, und war eine Aussparung, die eine halbkugelförmige Form hatte. Es wurde festgestellt, dass der Durchmesser der ersten Teilchenspur 3 µm oder mehr und 5 µm oder weniger war.
Im Gegensatz dazu, wie in 20 gezeigt, definierte die zweite Teilchenspur eine im Wesentlichen elliptisch Region in einer Draufsicht, der Vorderseitenoberfläche eines Probekörpers zugewandt, und war eine Aussparung, die als ein elliptischer Konus geformt war. Es wurde festgestellt, dass die Hauptachse der zweiten Teilchenspur 3 µm oder mehr und 5 µm oder weniger war.
Wenn die erste Teilchenspur und die zweite Teilchenspur fotografiert wurden, war in dem Rasterelektronenmikroskop die Vergrößerung auf 5000-fach eingestellt, die Beschleunigungsspannung war auf 10,0 kV eingestellt, und die Arbeitsdistanz war auf 9,7 mm eingestellt.

[Tabelle 2]

	Ätzdicke (µm)	Probekörper Nr.	Erste Teilchenspur (Anzahl an Spuren)	Zweite Teilchenspur (Anzahl an Spuren)	Gesamt (Anzahl an Spuren)
	Ätzdicke (µm)	Probekörper Nr.	Erste Teilchenspur (Anzahl an Spuren)	Zweite Teilchenspur (Anzahl an Spuren)	Erste Teilchenspur	Zweite Teilchenspur
Testbeispiel 5	0	Probekörper 1	1	0	1	0
		Probekörper 2	0	0
		Probekörper 3	0	0
Testbeispiel 6	3	Probekörper 1	4	1	21	3
		Probekörper 2	9	0
		Probekörper 3	8	2
Testbeispiel 7	10	Probekörper 1	5	1	16	4
		Probekörper 2	6	1
		Probekörper 3	5	2
Testbeispiel 8	15	Probekörper 1	5	0	13	1
		Probekörper 2	2	0
		Probekörper 3	6	1
Testbeispiel 9	16	Probekörper 1	4	0	14	0
		Probekörper 2	5	0
		Probekörper 3	5	0

Wie in Tabelle 2 gezeigt, wurde im Testbeispiel 5 festgestellt, dass der Probekörper 1 eine einzelne erste Teilchenspur hatte, und es wurde festgestellt, dass sowohl der Probekörper 2 als auch der Probekörper 3 keine Teilchenspuren hatten. Mit anderen Worten wurde im Testbeispiel 5 festgestellt, dass die Summe der ersten Teilchenspuren Eins war und dass die Summe der zweiten Teilchenspuren Null war.
Im Testbeispiel 6 wurde festgestellt, dass der Probekörper 1 vier erste Teilchenspuren und eine zweite Teilchenspur hatte, und dass der Probekörper 2 neun erste Teilchenspuren hatte, und dass das Testbeispiel 3 acht erste Teilchenspuren und zwei zweite Teilchenspuren hatte. Mit anderen Worten wurde im Testbeispiel 6 festgestellt, dass die Summe der ersten Teilchenspuren einundzwanzig war und dass die Summe der zweiten Teilchenspuren drei war.
Im Testbeispiel 7 wurde festgestellt, dass der Probekörper 1 fünf erste Teilchenspuren und eine zweite Teilchenspur hatte, und dass der Probekörper 2 sechs erste Teilchenspuren und eine zweite Teilchenspur hatte, und dass der Probekörper 3 fünf erste Teilchenspuren und zwei zweite Teilchenspuren hatte. Mit anderen Worten wurde im Testbeispiel 7 festgestellt, dass die Summe der ersten Teilchenspuren sechzehn war und dass die Summe der zweiten Teilchenspuren vier war.
Im Testbeispiel 8 wurde festgestellt, dass der Probekörper 1 fünf erste Teilchenspuren, und dass der Probekörper 2 zwei erste Teilchenspuren hatte, und dass der Probekörper 3 sechs erste Teilchenspuren und eine zweite Teilchenspur hatte. Mit anderen Worten wurde im Testbeispiel 8 festgestellt, dass die Summe der ersten Teilchenspuren dreizehn war und dass die Summe der zweiten Teilchenspuren Eins war.
Im Testbeispiel 9 wurde festgestellt, dass der Probekörper 1 vier erste Teilchenspuren hatte, und dass der Probekörper 2 fünf erste Teilchenspuren hatte, und dass der Probekörper 3 fünf erste Teilchenspuren hatte, während alle von Probekörper 1 bis Probekörper 3 keine zweiten Teilchenspuren hatten. Mit anderen Worten wurde im Testbeispiel 9 festgestellt, dass die Summe der ersten Teilchenspuren vierzehn war.
In Testbeispiel 6 und Testbeispiel 7, die jeweils eine Mehrzahl an zweiten Teilchenspuren hatten, wurde festgestellt, dass die Hauptachsen in den zweiten Teilchenspuren einheitlich waren, und dass die Hauptachsenrichtung parallel zu der gewalzten Richtung einer gewalzten Invarplatte waren, um eine Invarplatte zu bilden.
Wie dadurch beschrieben, wurde festgestellt, dass es möglich war zweite Teilchenspuren von der Resistbildungsoberfläche von der Invarplatte auszuschließen, falls die Vorderseitenoberfläche von der gewalzten Invarplatte um 16 µm oder mehr geätzt wurde. Zusätzlich wurde festgestellt, dass es möglich war, die Anzahl an ersten Teilchenspuren durch Ätzen der Vorderseitenoberfläche von der gewalzten Invarplatte um 10 µm oder mehr zu reduzieren, und es wurde festgestellt, dass es möglich war, die Anzahl von ersten Teilchenspuren durch Ätzen der Vorderseitenoberfläche von der gewalzten Invarplatte um 15 µm oder mehr weiter zu reduzieren.
Von diesen Ergebnissen kann gesagt werden, dass es möglich ist, die Teilchen von einem Metalloxid in der gewalzten Invarplatte durch Ätzen der Vorderseitenoberfläche der gewalzten Invarplatte um 10 µm oder mehr, und stärker bevorzugt durch Ätzen der Vorderseitenoberfläche der gewalzten Invarplatte um 15 µm oder mehr, zu reduzieren. Daher kann gesagt werden, dass es effektiv ist, die Vorderseitenoberfläche von der gewalzten Invarplatte um 10 µm oder mehr zu ätzen, und stärker bevorzugt die Vorderseitenoberfläche der gewalzten Invarplatte um 15 µm oder mehr zu ätzen, um zu verhindern, dass die Eliminierung eines Metalloxids die Formgenauigkeit eines Durchgangslochs beeinträchtigt, das durch Ätzen eines Metallmaskensubstrats gebildet wird.
Wie oben beschrieben, ist es möglich, die nachfolgend genannten Vorteile gemäß einer Ausführungsform eines Verfahrens zum Herstellen eines Metallmaskensubstrats, eines Verfahrens zum Herstellen einer Dampfabscheidungs-Metallmaske, eines Metallmaskensubstrats und einer Dampfabscheidungs-Metallmaske zu erhalten.
(1) Die Dicke der Invarschicht 11 ist 10 µm oder weniger, und es ist dadurch möglich, die Tiefe einer Maskenöffnung, die in der Invarplatte 11 gebildet ist, auf 10 µm oder weniger einzustellen. Daher ist es möglich, einen Abschnitt zu reduzieren, der durch die Metallmaske 51 zur Dampfabscheidung verdeckt ist, wenn ein Filmbildungsobjekt von einem abgeschiedenen Teilchen aus betrachtet wird, d. h. es ist möglich, einen Verschattungseffekt zu verhindern, und es ist dadurch möglich, eine Form zu erhalten, die mit der Form einer Maskenöffnung bei dem Filmbildungsobjekt übereinstimmt, und konsequenterweise ist es möglich, eine hohe Auflösung bei der Filmbildung durch die Verwendung der Metallmaske 51 zur Dampfabscheidung zu realisieren.
Zusätzlich, wenn eine Maskenöffnung in der Invarplatte 11 gebildet wird, ist es möglich, das Anhaften zwischen der Resistschicht 22 und der Invarplatte 11 zu erhöhen, verglichen mit vor dem Aufrauen. Weiterhin ist es möglich, das Reduzieren einer Formgenauigkeit zu unterdrücken, z.B. wegen dem Abblättern der Resistschicht 22 von der Invarplatte 11 bei der Bildung der Maskenöffnung. Diesbezüglich ist es möglich, eine hohe Auflösung bei der Filmbildung durch die Verwendung der Metallmaske 51 zur Dampfabscheidung zu realisieren.
(2) Es ist möglich, eine Resistschicht 22 auf irgendeiner Resistbildungsoberfläche zu bilden, d.h. entweder auf der Resistbildungsoberfläche, die von der Vorderseitenoberfläche 21a von der gewalzten Invarplatte 21 gebildet ist, oder auf der Resistbildungsoberfläche 21c, die von der Rückseitenoberfläche 21b von der gewalzten Invarplatte 21 gebildet ist. Daher kann verhindert werden, dass es schwierig wird, das Anhaften zwischen der Resistschicht 22 und dem Metallmaskensubstrat 10 zu erhalten, weil die falsche Oberfläche eines Objekts zum Bilden der Resistschicht 22 genommen wird, und konsequenterweise ist es möglich, das Reduzieren einer Ausbeute zu verhindern, wenn eine Dampfabscheidungs-Metallmaske 51 hergestellt wird.
(3) Es ist möglich, die Komplexität der Handhabung der Invarplatte 11 zu reduzieren, die von der Zerbrechlichkeit der Invarplatte 11 resultiert, verursacht von dem Umstand, dass die Dicke der Invarplatte 11 10 µm oder weniger ist, wenn die Invarplatte 11 befördert wird oder wenn eine Nachprozessierung auf die Invarplatte 11 angewandt wird.
(4) Es wirkt keine externe Kraft auf die Invarplatte 11, und daher wird unterdrückt, dass die Metallmaskenplatte 11 zerknittert oder deformiert wird, im Vergleich mit einem Fall, in welchem die Trägerschicht 12 physikalisch von der Invarplatte 11 abgeblättert wird.
Die oben beschriebene Ausführungsform kann wie folgt modifiziert werden.
Die Trägerschicht 12 kann von der Invarplatte 11 physikalisch abgeblättert werden. Mit anderen Worten kann eine externe Kraft auf zumindest eine von der Trägerschicht 12 und der Invarplatte 11 angewandt werden, sodass ein Abblättern bei einer Grenzfläche zwischen der Trägerschicht 12 und der Invarplatte 11 auftritt. Selbst in der dadurch konfigurierten Konfiguration ist es möglich, einen Vorteil äquivalent zu dem zuvor genannten Vorteil (1) zu erhalten, durch Ausführen einer Aufrauungsoperation, sodass die Oberflächenrauheit Rz von der Resistbildungsoberfläche 0,2 µm oder mehr wird, und durch Ätzen der gewalzten Invarplatte 21, sodass die Dicke in der gewalzten Invarplatte 21, die geätzt wurde, 10 µm oder weniger wird.
Es ist bevorzugt, die Trägerschicht 12 von dem Metallmaskensubstrat 10 chemisch durch die Verwendung einer alkalischen Lösung zu entfernen, um wie oben beschrieben, zu verhindern, dass die Invarplatte 11 zerknittert oder verformt wird.
Wenn die Vorderseitenoberfläche 21a und die Rückseitenoberfläche 21b von der gewalzten Invarplatte 21 geätzt werden, kann die Rückseitenoberfläche 21b früher als die Vorderseitenoberfläche 21a geätzt werden, oder die Vorderseitenoberfläche 21a und die Rückseitenoberfläche 21b können simultan geätzt werden. Es ist möglich, einen Vorteil äquivalent zu dem zuvor genannten Vorteil (1) zu erhalten, durch Ausführen einer Aufrauungsoperation, sodass die Oberflächen Rz von der Resistbildungsoberfläche 0,2 µm oder mehr wird, und durch Ätzen der gewalzten Invarplatte 21, sodass die Dicke in der gewalzten Invarplatte 21, die geätzt wurde, 10 µm oder weniger wird, unabhängig von der Reihenfolge, in welcher die Vorderseitenoberfläche 21a und die Rückseitenoberfläche 21b geätzt werden.
Ein zu prozessierendes Objekt in der gewalzten Invarplatte 21 kann nur die Vorderseitenoberfläche 21a von der gewalzten Invarplatte 21 sein, oder kann nur die Rückseitenoberfläche 21b von der gewalzten Invarplatte 21 sein. Selbst in der dadurch konfigurierten Konfiguration ist es möglich, einen Vorteil äquivalent zu dem zuvor genannten Vorteil (1) zu halten, durch Ausführen einer Aufrauungsoperation, sodass die Oberflächenrauheit Rz von der Resistbildungsoberfläche 0,2 µm oder mehr wird, und durch Ätzen der gewalzten Invarplatte 21, sodass die Dicke in der gewalzten Invarplatte 21, die geätzt wurde, 10 µm oder weniger wird.
Falls das zu prozessierende Objekt nur die Vorderseitenoberfläche 21a in der gewalzten Invarplatte 21 ist, ist es bevorzugt, die Trägerschicht 12 auf die Rückseitenoberfläche 21b vor dem Ätzen der Vorderseitenoberfläche 21a aufzuschichten und dann die Vorderseitenoberfläche 21a in einem Zustand zu Ätzen, in welchem die gewalzte Invarplatte 21 und die Trägerschicht 12 aufeinandergeschichtet sind. Falls das zu prozessierende Objekt nur die Rückseitenoberfläche 21b ist, ist es bevorzugt, die Trägerschicht 12 auf der Vorderseitenoberfläche 21a vor dem Ätzen der Rückseitenoberfläche 21b zu bilden und dann die Rückseitenoberfläche 21b in einem Zustand zu Ätzen, in welchem die gewalzte Invarplatte 21 und die Trägerschicht 12 aufeinandergeschichtet sind. In gleicher Weise macht es diese Konfiguration möglich, einen Vorteil äquivalent zu dem zuvor genannten Vorteil (3) zu erhalten.
Selbst wenn das zu prozessierende Objekt entweder die Vorderseitenoberfläche 21a oder die Rückseitenoberfläche 21b ist, oder selbst wenn das zu prozessierende Objekt sowohl die Vorderseitenoberfläche 21a als auch die Rückseitenoberfläche 21b ist, kann das zu prozessierende Objekt in der gewalzten Invarplatte 21 in einem Zustand geätzt werden, in welchem die Trägerschicht 12 bei der gewalzten Invarplatte 21 nicht gebildet ist. Selbst in der dadurch konfigurierten Konfiguration ist es möglich, einen Vorteil äquivalent zu dem zuvor genannten Vorteil (1) zu erhalten, durch Ausführen einer Aufrauungsbehandlung, sodass die Oberflächenrauheit Rz von der Resistbildungsoberfläche 0,2 µm oder mehr wird, und durch Ätzen der gewalzten Invarplatte 21, sodass die Dicke in der gewalzten Invarplatte 21, die geätzt wurde, 10 µm oder weniger wird.
In diesem Fall kann das Metallmaskensubstrat angeordnet werden, um die Trägerschicht 12 nicht aufzuweisen, d. h. kann angeordnet werden, um nur die Invarplatte 11 zu beinhalten. Alternativ kann das Metallmaskensubstrat, das ein Laminat ist, das aus der Invarplatte 11 und der Trägerschicht 12 besteht, durch Erhalten der Invarplatte 11 von der gewalzten Invarplatte 21 und dann Aufschichten der Trägerschicht 12 auf eine Oberfläche der Invarplatte 11 erhalten werden.
Wie in 21 gezeigt, falls das Material, das die Trägerschicht 12 bildet, Polyimid ist, wenn die Trägerschicht 12 von dem Metallmaskensubstrat 10 entfernt wird, kann nur ein Abschnitt, der mit dem Durchgangsloch 11c von der Invarplatte 11 in der Dickenrichtung des Metallmaskensubstrats 10 unter allen Teilen der Trägerschicht 12 überlappt, von der Invarplatte 11 entfernt werden. Mit anderen Worten, wenn die Trägerschicht 12 von dem Metallmaskensubstrat 10 entfernt wird, kann, von allen Teilen der Trägerschicht 12, nur ein Abschnitt, der ein Randabschnitt der Trägerschicht 12 ist und der ein Abschnitt ist, der sich von Abschnitten unterscheidet, die außerhalb aller Durchgangslöcher 11c positioniert sind, entfernt werden, in einer Draufsicht zugewandt zu der Rückseitenoberfläche 11b von der Invarplatte 11.
In der dadurch konfigurierten Konfiguration ist ein Metallmaskensubstrat 61 zur Dampfabscheidung aus der Invarplatte 11 und einem Polyimidrahmen 12a mit einer rechtwinkligen Rahmenform zusammengesetzt. Die Invarplatte 11 weist eine Mehrzahl von Durchgangslöchern 11c auf und der Polyimidrahmen 12a weist eine rechtwinklige Rahmenform auf und umgibt alle Durchgangslöcher 11c in einer Draufsicht, betrachtet zugewandt zu der Rückseitenoberfläche 11b von der Invarplatte 11.
Der Polyimidrahmen 12a von der Metallmaske 61 zur Dampfabscheidung kann als eine Haftschicht fungieren, wenn die Metallmaske 61 zur Dampfabscheidung zu dem Rahmen 52 angefügt ist. Daher wird die Metallmaske 61 zur Dampfabscheidung zu dem Rahmen 52 in einem Zustand angefügt, in welchem der Polyimidrahmen 12a, unter allen Teilen von der Metallmaske 61 zur Dampfabscheidung, in Kontakt mit dem Rahmen 52 ist.
Wie in 22 gezeigt, falls das Material, das die Trägerschicht 12 bildet, Polyimid ist, ist es nicht notwendig, dass die Trägerschicht 12 von dem Metallmaskensubtrat 10 entfernt wird. In der dadurch konfigurierten Konfiguration ist eine Metallmaske 62 zur Dampfabscheidung zusammengesetzt aus der Invarplatte 11 mit den Durchgangslöchern 11c und der Trägerschicht 12, die mit der gesamten Rückseitenoberfläche 11b von der Invarplatte 11 bei einem Punkt überlappt, wenn die Metallmaske 62 zur Dampfabscheidung zu dem Rand 52 gebunden ist.
In der gleichen Weise wie der Polyimidrahmen 12a kann die Trägerschicht 12 von der Metallmaske 62 zur Dampfabscheidung als eine Haftschicht fungieren, wenn die Metallmaske 62 zur Dampfabscheidung zu dem Rahmen 52 angefügt ist. Daher ist die Metallmaske 62 zur Dampfabscheidung zu dem Rahmen 52 in einem Zustand angefügt, in welchem die Trägerschicht 12, unter allen Teilen von der Metallmaske 62 zur Dampfabscheidung, in Kontakt mit dem Rahmen 52 ist.
In der dadurch konfigurierten Metallmaske 62 zur Dampfabscheidung ist es empfehlenswert, von der Invarplatte 11 nur einen Abschnitt zu entfernen, der mit dem Durchgangsloch 11c von der Invarplatte 11 in der Dickenrichtung des Metallmaskensubstrats 10 überlappt, unter allen Teilen von der Trägerschicht 12, nachdem die Metallmaske 62 zur Dampfabscheidung zu dem Rahmen 12 angefügt ist. Mit anderen Worten ist es empfehlenswert, unter allen Teilen von der Trägerschicht 12 nur einen Abschnitt, der ein Randabschnitt der Trägerschicht 12 ist, und der ein Abschnitt ist, der sich von Abschnitten unterscheidet, die außerhalb aller Durchgangslöcher 11c positioniert sind, zu entfernen, in einer Draufsicht zugewandt zu der Rückseitenoberfläche 11b von der Invarplatte 11.
23 zeigt eine planare Struktur einer Invarplatte, d. h. eine planare Struktur in einer Draufsicht zugewandt zu einer Resistbildungsoberfläche, die durch Ätzen eines zu prozessierenden Objekts in der gewalzten Invarplatte 21 erhältlich ist. In 23 werden Punkte zu einer ersten Teilchenspur und zu einer zweiten Teilchenspur angegeben, um eine Abgrenzung zwischen den ersten und zweiten Teilchenspuren und den anderen Abschnitten in der Resistbildungsoberfläche klarzustellen.
Wie in 23 gezeigt, falls die Dicke, durch welche ein zu prozessierendes Objekt von der gewalzten Invarplatte 21 geätzt ist, 3 µm oder mehr und 10 µm oder weniger ist, weist eine zu prozessierende Oberfläche 71a für einen Resist von einer Invarplatte 71 eine Mehrzahl an ersten Teilchenspuren 72 und eine Mehrzahl an zweiten Teilchenspuren 73 auf. Jede von den ersten Teilchenspuren 72 ist eine Aussparung, die eine halbkugelförmige Form hat, und der erste Durchmesser D1, welcher der Durchmesser der ersten Teilchenspur 72 ist, ist 3 µm oder mehr und 5 µm oder weniger.
Jede der zweiten Teilchenspuren 73 ist eine Aussparung, die wie ein elliptischer Konus geformt ist, und der zweite Durchmesser D2, welcher die Hauptachse der zweiten Teilchenspur 73 ist, ist 3 µm oder mehr und 5 µm oder weniger, und die Hauptachsen in den zweiten Teilchenspuren 73 sind einheitlich. Die Hauptachsenrichtung in jeder der zweiten Teilchenspuren 73 ist eine Richtung parallel zu der gewalzten Richtung von der Invarplatte 71.
Die Metallplatte 71 wird gewöhnlich durch Walzen hergestellt, und daher ist es nicht selten, dass Teilchen von zum Beispiel Oxiden eines Desoxidationsmittels, das während eines Prozesses zum Herstellen der Invarplatte 71 zugegeben wird, in die Invarplatte 71 gemischt werden. Ein Teil der Teilchen, die in die Vorderseitenoberfläche der Invarplatte 71 eingemischt wurden, erstrecken sich in der gewalzten Richtung von der Invarplatte 71, um wie elliptische Konusse geformt zu sein, mit den Hauptachsen, die mit der gewalzten Richtung ausgerichtet sind. Falls solche Teilchen in einem Abschnitt verbleiben, in welchem eine Maskenöffnung in der zu prozessierenden Oberfläche 71a für einen Resist gebildet wird, besteht die Gefahr, dass das Ätzen, um die Maskenöffnung zu bilden, durch die Teilchen behindert werden.
Diesbezüglich macht die zuvor genannte Konfiguration es möglich, den folgenden Vorteil zu erhalten.
(5) Die zuvor genannten Teilchen wurden bereits von der zu prozessierenden Oberfläche 71a für ein Resist entfernt und daher weist die zu prozessierende Oberfläche 71a für den Resist die zweiten Teilchenspuren 73 auf, die wie ein elliptischer Konus mit entsprechend ausgerichteten Hauptachsen geformt sind. Daher, wenn eine Maskenöffnung gebildet wird, ist es auch möglich, die Formgenauigkeit oder Größengenauigkeit der Maskenöffnung höher zu machen als in einem Fall, in welchem die Teilchen in der Invarplatte 71 verbleiben.
Das Material, das eine gewalzte Metallplatte bildet, und das Material, das eine Metallmaskenplatte und eine Metallplatte bildet, können Materialien sein, die sich von Invar unterscheiden, falls das Material ein reines Metall oder eine Legierung ist.
Jeder Schritt von dem Herstellungsverfahren von der Metallmaske 51 zur Dampfabscheidung kann bezüglich eines gewalzten Invarplattenstücks ausgeführt werden, das durch zuvor Schneiden in eine Größe korrespondierend zu einer Metallmaske 51 zur Dampfabscheidung erhalten ist. In diesem Fall ist es möglich, eine Maske zur Dampfabscheidung zu erhalten, durch Entfernen der Resistmaske und der Trägerschicht von einem Invarplattenstück korrespondierend zu dem gewalzten Invarplattenstück.
Alternativ kann jeder Schritt von dem Herstellungsverfahren des Metallmaskensubstrats 10 auf die gewalzte Invarplatte 21 angewandt werden, die eine Größe korrespondierend zu den Metallmasken 51 zur Dampfabscheidung aufweist, während das Metallmaskensubstrat 10, das erhalten wurde, in ein Metallmaskensubstratstück geschnitten werden kann, das eine Größe korrespondierend zu einer Metallmaske 51 zur Dampfabscheidung aufweist. Danach kann das Bilden einer Resistschicht, das Bilden einer Resistmaske, das Ätzen einer Invarplatte und das Entfernen einer Trägerschicht auf das Metallmaskensubstratstück angewandt werden.
Die Metallmaske 51 zur Dampfabscheidung kann eine Form aufweisen, wie etwa eine quadratische Form, die sich von einer rechtwinkeligen Form unterscheidet, oder kann eine Form aufweisen, wie etwa eine polygonale Form, die sich von einer vierseitigen Form unterscheidet, in einer Draufsicht zugewandt zu der Vorderseitenoberfläche 51a.
Eine Öffnung in der Vorderseitenoberfläche 51a und eine Öffnung in der Rückseitenoberfläche 51b, unter den Durchgangslöchern 51c von der Metallmaske 51 zur Dampfabscheidung, kann jeweils eine Form aufweisen, wie etwa eine quadratische Form oder eine kreisförmige Form, die sich von einer rechtwinkligen Form unterscheiden.
Falls die zuvor genannte eine Richtung eine erste Richtung ist und eine Richtung senkrecht zu der ersten Richtung eine zweite Richtung ist, in einer Draufsicht zugewandt zu der Vorderseitenoberfläche 51a, können die Durchgangslöcher 51c wie folgt angeordnet sein. Im Detail können die Durchgangslöcher 51c entlang der ersten Richtung eine Reihe bilden und die Durchgangslöcher 51c sind mit bestimmten Abständen in der ersten Richtung gebildet. In jeder anderen Reihe von den Durchgangslöchern 51c sind die Positionen in der ersten Richtung äquivalent zueinander. Andererseits weichen in benachbarten Reihen in der zweiten Richtung Positionen in der ersten Richtung in den Durchgangslöchern 51c, die eine Reihe bilden, um 1/2 Abstände ab, bezüglich der Positionen in der ersten Richtung in den Durchgangslöchern 51c, die eine andere Reihe bilden. Mit anderen Worten können die Durchgangslöcher 51c in einer gestaffelten Weise angeordnet sein.
Kurz gesagt ist es in der Metallmaske 51 zur Dampfabscheidung bezüglich der Durchgangslöcher 51c lediglich notwendig, diese in korrespondierender Weise zu der Anordnung einer organischen Schicht anzuordnen, die durch die Verwendung der Metallmaske 51 zur Dampfabscheidung gebildet wird. Die Durchgangslöcher 51c sind in der Ausführungsform korrespondierend zu der Gitteranordnung in der organischen EL Vorrichtung angeordnet, während die Durchgangslöcher 51c in der zuvor genannten Modifikation korrespondierend zu der Deltaanordnung in der organischen EL Vorrichtung angeordnet sind.
Falls die zuvor genannte eine Richtung eine erste Richtung ist und falls eine Richtung senkrecht zu der ersten Richtung eine zweite Richtung ist, in einer Draufsicht zugewandt zu der Vorderseitenoberfläche 51a, ist in der zuvor genannten Ausführungsform jedes der Durchgangslöcher 51c entfernt von den anderen Durchgangslöchern 51c, die in der ersten Richtung benachbart sind, und von den anderen Durchgangslöchern 51c, die in der zweiten Richtung benachbart sind. Ohne darauf begrenzt zu sein, kann die Öffnung in der Vorderseitenoberfläche 51a von jedem der Durchgangslöcher 51c kontinuierlich sein mit der Öffnung in der Vorderseitenoberfläche 51a von jedem der anderen Durchgangslöcher 51c, die in der ersten Richtung zueinander benachbart sind, oder kann kontinuierlich sein mit der Öffnung in der Vorderseitenoberfläche 51a von jedem der Durchgangslöcher 51c, die in zweiten Richtung zueinander benachbart sind. Alternativ kann die Öffnung in der Vorderseitenoberfläche 51a von jedem der Durchgangslöcher kontinuierlich sein mit der Öffnung in der Vorderseitenoberfläche 51a von jedem der Durchgangslöcher 51c, die sowohl der ersten Richtung als auch der zweiten Richtung zueinander benachbart sind. In der dadurch konfigurierten Dampfabscheidungs-Metallmaske kann die Dicke eines Abschnitts, bei welchem zwei Durchgangslöcher 51c kontinuierlich miteinander sind, geringer sein als die Dicke von einem Abschnitt, der bei dem äußeren Rand der Dampfabscheidungs-Metallmaske ist und bei welchem das Durchgangsloch 51c nicht positioniert ist, d. h. als die Dicke von einem Abschnitt, bei welchem ein Ätzen nicht ausgeführt wurde in einem Schritt des Bildens des Durchgangslochs 51c.
Ohne auf eine Dampfabscheidungs-Metallmaske beschränkt zu sein, die beim Bilden der organischen Schicht einer organischen EL Vorrichtung verwendet wird, kann die Dampfabscheidungs-Metallmaske eine Dampfabscheidungs-Metallmaske sein, die verwendet wird, wenn Leitungen von verschiedenen Vorrichtungen, wie etwa eine Displayvorrichtung, die sich von der organischen EL Vorrichtung unterscheidet, gebildet werden oder, wenn funktionelle Schichten oder dergleichen von verschiedenen Vorrichtungen gebildet werden.
Bezugszeichenliste
10 ... Metallmaskensubstrat; 11, 31, 71 ... Invarplatte; 11a, 21a, 31a, 41a, 51a ... Vorderseitenoberfläche; 11b, 21b, 31b, 41b, 51b ... Rückseitenoberfläche; 11c, 23a, 31e, 41c, 51c ... Durchgangsloch; 12 ... Trägerschicht; 12a ... Polyimidrahmen; 21 ... gewalzte Invarplatte; 21c, 71a ... Resistbildungsoberfläche; 22 ... Resistschicht; 23 ... Resistmaske; 31c ... erstes Loch; 31d ... zweites Loch; 41 ... Metallmaskenplatte zur Dampfabscheidung; 51, 61, 62 ... Dampfabscheidungs-Metallmaske; 52 ... Rahmen; 53 ... Haftschicht; 72 ... erste Teilchenspur; 73 ... zweite Teilchenspur; C ... Zentralabschnitt; S1 ... erster Oberflächenschichtabschnitt; S2 ... zweiter Oberflächenschichtabschnitt.

Claims

Verfahren zum Herstellen eines Metallmaskensubstrats, wobei das Verfahren umfasst: Anfertigen einer gewalzten Metallplatte, wobei die gewalzte Metallplatte eine Vorderseitenoberfläche und eine Rückseitenoberfläche, die eine gegenüber der Vorderseitenoberfläche lokalisierte Oberfläche ist, beinhaltet, wobei zumindest eine von der Vorderseitenoberfläche und der Rückseitenoberfläche ein zu prozessierendes Objekt ist; und Reduzieren einer Dicke der gewalzten Metallplatte auf 10 µm oder weniger durch Ätzen des zu prozessierenden Objekts um 3 µm oder mehr durch die Verwendung einer sauren Ätzflüssigkeit und Aufrauen des zu prozessierenden Objekts, sodass das Prozessierungsobjekt eine Resistbildungsoberfläche wird, die eine Oberflächenrauheit Rz von 0,2 µm oder mehr aufweist, wodurch eine Metallmaskenplatte erhalten wird.
Verfahren zum Herstellen eines Metallmaskensubstrats nach Anspruch 1, wobei das zu prozessierende Objekt sowohl die Vorderseitenoberfläche als auch die Rückseitenoberfläche umfasst.
Verfahren zum Herstellen eines Metallmaskensubstrats nach Anspruch 1, wobei das zu prozessierende Objekt entweder die Vorderseitenoberfläche oder die Rückseitenoberfläche ist, das Verfahren ferner das Aufschichten einer Plastikträgerschicht auf eine Oberfläche umfasst, die gegenüber dem zu prozessierenden Objekt lokalisiert ist, das zu prozessierende Objekt in einem Zustand geätzt wird, in welchem die gewalzte Metallplatte und die Trägerschicht aufeinandergeschichtet sind, wodurch ein Metallmaskensubstrat erhalten wird, in welchem die Metallmaskenplatte und die Trägerschicht aufeinandergeschichtet sind.
Verfahren zum Herstellen eines Metallmaskensubstrats nach Anspruch 2, wobei das Ätzen das Ätzen eines ersten zu prozessierenden Objekts, das eine von der Vorderseitenoberfläche und der Rückseitenoberfläche ist, und dann das Ätzen eines zweiten zu prozessierenden Objekts, das die Verbleibende von der Vorderseitenoberfläche und der Rückseitenoberfläche ist, beinhaltet, das Verfahren ferner das Ätzen des ersten zu prozessierenden Objekts und dann Aufschichten einer Plastikträgerschicht auf die Resistbildungsoberfläche, die durch Ätzen des ersten zu prozessierenden Objekts erhalten wurde, umfasst, das zweite zu prozessierende Objekt in einem Zustand geätzt wird, in welchem die gewalzte Metallplatte und die Trägerschicht aufeinandergeschichtet sind, wodurch ein Metallmaskensubstrat erhalten wird, in welchem die Metallmaskenplatte und die Trägerschicht aufeinandergeschichtet sind.
Verfahren zum Herstellen eines Metallmaskensubstrats nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die gewalzte Metallplatte eine gewalzte Invarplatte ist, und die Metallmaskenplatte eine Invarplatte ist.
Verfahren zum Herstellen einer Dampfabscheidungs-Metallmaske, wobei das Verfahren umfasst: Bilden eines Metallmaskensubstrats, das zumindest eine Resistbildungsoberfläche beinhaltet; Bilden einer Resistschicht auf der einen Resistbildungsoberfläche; Bilden einer Resistmaske durch Unterwerfen der Resistschicht einer Musterung; und Ätzen des Metallmaskensubstrats durch die Verwendung der Resistmaske, wobei das Metallmaskensubstrat durch die Verwendung des Verfahrens zum Herstellen eines Metallmaskensubstrats nach einem der Ansprüche 1 bis 5 gebildet wird.
Verfahren zum Herstellen einer Dampfabscheidungs-Metallmaske nach Anspruch 6, wobei das Metallmaskensubstrat ein Laminat aus der Metallmaskenplatte und der Plastikträgerschicht beinhaltet, und das Verfahren ferner das chemische Entfernen der Trägerschicht von dem Metallmaskensubstrat durch Aussetzen des Metallmaskensubstrats, in welchem die Resistmaske gebildet wurde, zu einer alkalischen Lösung umfasst.
Metallmaskensubstrat, das eine Metallplatte umfasst, die eine Vorderseitenoberfläche und eine Rückseitenoberfläche, die gegenüber der Vorderseitenoberfläche lokalisiert ist, beinhaltet, wobei zumindest eine von der Vorderseitenoberfläche und der Rückseitenoberfläche eine Resistbildungsoberfläche ist, eine Dicke der Metallplatte 10 µm oder weniger ist, und eine Oberflächenrauheit Rz der Resistbildungsoberfläche 0,2 µm oder mehr ist.
Metallmaskensubstrat nach Anspruch 8, wobei die Resistbildungsoberfläche Teilchenspuren aufweist, die eine Mehrzahl von Aussparungen sind, die jeweils wie ein elliptischer Konus geformt sind, und Hauptachsen der Teilchenspuren ausgerichtet sind.
Dampfabscheidungs-Metallmaske, die ein Metallmaskensubstrat umfasst, wobei das Metallmaskensubstrat das Metallmaskensubstrat nach Anspruch 8 oder 9 ist, und die Metallmaske, die in dem Metallmaskensubstrat beinhaltet ist, eine Mehrzahl an Durchgangslöchern aufweist, die die Vorderseitenoberfläche und die Rückseitenoberfläche durchdringen.