TWI634227B - 金屬遮罩用基材的製造方法、蒸鍍用金屬遮罩的製造方法 - Google Patents

金屬遮罩用基材的製造方法、蒸鍍用金屬遮罩的製造方法 Download PDF

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Abstract

具備表面及與表面相反側之面、即背面的金屬壓延薄片當中之表面及背面至少一者為處理對象。金屬遮罩用基材的製造方法係藉由將處理對象以酸性蝕刻液蝕刻3μm以上，使金屬壓延薄片所具有的厚度薄到10μm以下並以成為具有0.2μm以上的表面粗糙度Rz的阻劑用處理面之方式將處理對象粗化，獲得金屬製的金屬遮罩用薄片。

Description

金屬遮罩用基材的製造方法、蒸鍍用金屬遮罩的製造方法
本發明係有關一種金屬遮罩用基材的製造方法、使用金屬遮罩用基材之蒸鍍用金屬遮罩的製造方法、金屬遮罩用基材及蒸鍍用金屬遮罩。
已知使用蒸鍍法所製造的顯示裝置之一為有機EL顯示器。有機EL顯示器所具備的有機層係在蒸鍍步驟中已昇華的有機分子之堆積物。於蒸鍍步驟所用的金屬遮罩之開口，係供已昇華的有機分子通過的通路，且具有與有機EL顯示器中之畫素的形狀對應之形狀(例如，參照專利文獻1)。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1 日本特開2015-055007號公報
然而，伴隨著顯示裝置的顯示品質提高、顯示裝置的高精細化進展，關於上述的有機EL顯示器甚至是決定畫素尺寸的金屬遮罩，被期望在使用金屬遮罩 的成膜上高精細化。近年被期望在有機EL顯示器上具有700ppi以上的高精細化，因此，被期望有可以形成如此被高精細化之有機EL顯示器中的有機層之金屬遮罩。
此外，對於使用金屬遮罩的成膜之高精細化係不受限於含有有機EL顯示器的顯示裝置之製造，在各種裝置所具備的配線之形成或各種裝置所具備的機能層等之使用金屬遮罩的蒸鍍亦被期待。
本發明之目的在於提供一種能將使用蒸鍍用金屬遮罩之成膜高精細化的金屬遮罩用基材的製造方法、蒸鍍用金屬遮罩的製造方法、金屬遮罩用基材及蒸鍍用金屬遮罩。
用以解決上述課題的金屬遮罩用基材的製造方法，包含：準備金屬壓延薄片，該金屬壓延薄片具備表面和為與前述表面相反側的面、即背面，該金屬壓延薄片的前述表面及前述背面至少一方是處理對象；及將前述處理對象藉由酸性蝕刻液蝕刻3μm以上，使前述金屬壓延薄片所具有的厚度薄到10μm以下，並以可成為具有0.2μm以上的表面粗糙度Rz之阻劑用處理面的方式將前述處理對象粗化，藉以獲得金屬製的金屬遮罩用薄片。
用以解決上述課題的蒸鍍用金屬遮罩的製造方法，包含：形成具備至少1個阻劑用處理面的金屬遮罩用基材；在1個前述阻劑用處理面形成阻劑層；藉由將前述阻劑層圖案化而形成阻劑遮罩；及使用前述阻 劑遮罩對前述金屬遮罩用基材進行蝕刻。使用上述金屬遮罩用基材的製造方法形成前述金屬遮罩用基材。
用以解決上述課題的金屬遮罩基材，包含具備表面和與前述表面相反側的面、即背面的金屬薄片，前述表面及前述背面至少一方是阻劑用處理面，前述金屬薄片所具有的厚度是10μm以下，前述阻劑用處理面的表面粗糙度Rz是0.2μm以上。
用以解決上述課題的蒸鍍用金屬遮罩含有金屬遮罩用基材，前述金屬遮罩用基材是上述金屬遮罩用基材，前述金屬遮罩用基材所含有的前述金屬薄片是具有貫通前述表面和前述背面之間的複數個貫通孔。
依據上述構成，由於金屬遮罩用薄片所具有的厚度是10μm以下，故可將形成於金屬遮罩用薄片的遮罩開口之深度設為10μm以下。因此，可減少從蒸鍍粒子觀看成膜對象時成為蒸鍍用金屬遮罩的陰影的部分，亦即，可抑制陰影效應，故而能在成膜對象獲得追隨遮罩開口形狀的形狀，進而可謀求使用蒸鍍用金屬遮罩之成膜的高精細化。而且，在金屬遮罩用薄片形成遮罩開口之際，首先，於阻劑用處理面形成阻劑層時，其阻劑層和金屬遮罩用基材之密接性可比粗化前還要提高。而且，由於阻劑層從金屬遮罩用薄片被剝下等所致形狀精度之降低可於形成遮罩開口時進行抑制，所以關於這點可謀求使用蒸鍍用金屬遮罩的成膜之高精細化。
在上述金屬遮罩用基材的製造方法中，前述處理對象亦可為前述表面及前述背面雙方。
依據上述構成，不論是由表面形成的阻劑用處理面還是由背面形成的阻劑用處理面，對於任一阻劑用處理面都可形成阻劑層。因此，可抑制因搞錯形成阻劑層的對象之面而導致難以獲得阻劑層和金屬遮罩用基材之密接性，甚至是抑制在製造蒸鍍用金屬遮罩時良率降低。
上述金屬遮罩用基材的製造方法中，亦可前述處理對象係前述表面及前述背面任一方，前述製造方法更包含在與前述處理對象相反側之面上積層樹脂製的支持層，在前述金屬壓延薄片與前述支持層層積的狀態下蝕刻前述處理對象，藉此，獲得前述金屬遮罩用薄片與前述支持層積層之金屬遮罩用基材。
上述金屬遮罩用基材的製造方法中，亦可前述蝕刻包含蝕刻前述表面及前述背面其中一方的第1處理對象，之後，蝕刻前述表面及前述背面其中另一方的第2處理對象，前述製造方法更包含在蝕刻前述第1處理對象之後，於藉前述第1處理對象之蝕刻而獲得之前述阻劑用處理面上積層樹脂製的支持層，在前述金屬壓延薄片與前述支持層層積的狀態蝕刻前述第2處理對象，藉此，獲得前述金屬遮罩用薄片與前述支持層積層之金屬遮罩用基材。
依據上述構成，在對金屬遮罩用薄片搬送或對金屬遮罩用薄片進行後處理中，可減少起因於金屬遮罩用薄片的厚度是10μm以下所致金屬遮罩用薄片的脆弱性而造成金屬遮罩用薄片的處理麻煩。
上述金屬遮罩用基材的製造方法中，以前述金屬壓延薄片是恆範鋼(invar)壓延薄片，前述金屬遮罩用薄片是恆範鋼製者更佳。
依據上述構成，由於成膜對象是玻璃基板時，玻璃基板的線膨脹係數和恆範鋼的線膨脹係數是相同程度，故可將由金屬遮罩基材形成的金屬遮罩適用於對玻璃基板進行成膜，亦即，可將已提高形狀精度的金屬遮罩適用於對玻璃基板進行成膜。
上述蒸鍍用金屬遮罩的製造方法中，前述金屬遮罩用基材含有前述金屬遮罩用薄片和樹脂製的支持層之積層體，將形成有前述阻劑遮罩後的前述金屬遮罩用基材暴露於鹼溶液，藉以從前述金屬遮罩用基材將前述支持層以化學方式除去者更佳。
依據上述構成，相較於從金屬遮罩用薄片將支持層以物理方式剝下的情況，由於外力未作用於金屬遮罩用薄片，故可抑制在金屬遮罩用薄片產生皺紋或變形。
上述金屬遮罩基材中，亦可為前述阻劑用處理面具有橢圓錘狀的複數個凹陷、即粒子痕，前述各粒子痕的長徑方向對齊。
金屬薄片通常是透過壓延來製造，所以沒有在金屬薄片的製造過程所添加的脫氧劑的氧化物等之粒子混入金屬薄片的情形。混入金屬薄片的表面之粒子係具有在金屬材的壓延方向延伸且於壓延方向具有長徑的橢圓錘狀。當在阻劑用處理面之中供形成遮罩開口的 部位殘存這種粒子時，會有用以形成遮罩開口的蝕刻被粒子妨礙之虞。
關於這點，依據上述構成，阻劑用處理面具有長徑方向是對齊之橢圓錘狀的複數個粒子痕，亦即，由於上述的粒子既由阻劑用處理面除去，故在形成遮罩開口時，亦可提高遮罩開口的形狀、尺寸的精度。
依據本發明，能讓採用蒸鍍用金屬遮罩的成膜高精細化。
10‧‧‧金屬遮罩用基材
11、31、71‧‧‧恆範鋼薄片
11a、21a、31a、41a、51a‧‧‧表面
11b、21b、31b、41b、51b‧‧‧背面
11c、23a、31e、41c、51c‧‧‧貫通孔
12‧‧‧支持層
12a‧‧‧聚醯亞胺框
21‧‧‧恆範鋼壓延薄片
21c、71a‧‧‧阻劑用處理面
22‧‧‧阻劑層
23‧‧‧阻劑遮罩
31c‧‧‧第1孔
31d‧‧‧第2孔
41‧‧‧蒸鍍用金屬遮罩薄片
51、61、62‧‧‧蒸鍍用金屬遮罩
52‧‧‧框架
53‧‧‧接著層
72‧‧‧第1粒子痕
73‧‧‧第2粒子痕
C‧‧‧中央部分
S1‧‧‧第1表層部分
S2‧‧‧第2表層部分
圖1係表示將本發明的金屬遮罩用基材具體化後的1個實施形態中之金屬遮罩用基材的立體構造之立體圖。
圖2係表示在蒸鍍用金屬遮罩的製造方法中準備恆範鋼壓延薄片的步驟之步驟圖。
圖3係表示在蒸鍍用金屬遮罩的製造方法中蝕刻恆範鋼壓延薄片的背面的步驟之步驟圖。
圖4係表示在蒸鍍用金屬遮罩的製造方法中於恆範鋼壓延薄片的阻劑用處理面形成支持層的步驟之步驟圖。
圖5係表示在蒸鍍用金屬遮罩的製造方法中蝕刻恆範鋼壓延薄片的表面的步驟之步驟圖。
圖6係示意顯示恆範鋼壓延薄片中的金屬氧化物的分布之模式圖。
圖7係表示在蒸鍍用金屬遮罩的製造方法中形成阻劑層的步驟之步驟圖。
圖8係表示在蒸鍍用金屬遮罩的製造方法中形成阻劑遮罩的步驟之步驟圖。
圖9係表示在蒸鍍用金屬遮罩的製造方法中蝕刻恆範鋼薄片的步驟之步驟圖。
圖10係表示藉由蝕刻恆範鋼薄片的表面與背面雙方所形成的貫通孔的剖面形狀之剖面圖。
圖11係表示在蒸鍍用金屬遮罩的製造方法中除去阻劑遮罩的步驟之步驟圖。
圖12係表示在蒸鍍用金屬遮罩的製造方法中將支持層以化學方式除去的步驟之步驟圖。
圖13係表示貼附於框架的蒸鍍用金屬遮罩的剖面構造之剖面圖。
圖14係表示貼附於框架的蒸鍍用金屬遮罩的平面構造之平面圖。
圖15係拍攝試驗例1的恆範鋼壓延薄片中的表面之SEM畫像。
圖16係拍攝試驗例2的恆範鋼薄片中的阻劑用處理面之SEM畫像。
圖17係拍攝試驗例3的恆範鋼薄片中的阻劑用處理面之SEM畫像。
圖18係拍攝試驗例4的恆範鋼薄片中的阻劑用處理面之SEM畫像。
圖19係拍攝第1粒子痕的SEM畫像。
圖20係拍攝第2粒子痕的SEM畫像。
圖21係表示在變形例中的金屬遮罩和框架之剖面構造的剖面圖。
圖22係表示在變形例中的金屬遮罩和框架之剖面構造的剖面圖。
圖23係表示在變形例中的恆範鋼薄片之平面構造的平面圖。
參照圖1至圖20說明將金屬遮罩用基材的製造方法、蒸鍍用金屬遮罩的製造方法、金屬遮罩用基材及蒸鍍用金屬遮罩具體化的1個實施形態。本實施形態中，作為蒸鍍用金屬遮罩的一例，說明用於形成有機EL裝置所具備的有機層之蒸鍍用金屬遮罩。以下依序說明金屬遮罩用基材的構成、包含金屬遮罩用基材的製造方法之蒸鍍用金屬遮罩的製造方法、及試驗例。
[金屬遮罩用基材的構成]
參照圖1說明金屬遮罩用基材的構成。
如圖1所示，金屬遮罩用基材10係金屬遮罩用薄片的一例，含有恆範鋼製的金屬遮罩薄片、即恆範鋼薄片11，恆範鋼薄片11具備表面11a及表面11a相反側的面、即背面11b。恆範鋼薄片11中，表面11a及背面11b是阻劑用處理面且為在蝕刻恆範鋼薄片11時可形成阻劑層的面。
恆範鋼薄片11的厚度T1係10μm以下，在表面11a中之表面粗糙度Rz及背面11b中之表面粗糙度Rz是0.2μm以下。
由於恆範鋼薄片11所具有的厚度是10μm以下，故可將形成於恆範鋼薄片11的遮罩開口之深度設為10μm以下。因此，減少在從蒸鍍粒子觀看成膜對象時成為蒸鍍用金屬遮罩陰影的部分，亦即，可抑制陰影效應，因而在成膜對象獲得追隨遮罩開口的形狀之形狀，甚至是，可謀求使用蒸鍍用金屬遮罩之成膜的高精細化。
而且，在恆範鋼薄片11形成遮罩開口時，首先，在表面11a形成阻劑層時，阻劑層和恆範鋼薄片11之密接性可比粗化前還要提高。而且，由於阻劑層從恆範鋼薄片11剝離等所引起的形狀精度降低可在遮罩開口形成中來抑制，關於這點，可謀求使用蒸鍍用金屬遮罩的成膜之高精細化。
恆範鋼薄片11的形成材料係含有36質量%的鎳和鐵之鎳鐵合金，即恆範鋼，恆範鋼，亦即恆範鋼薄片11的熱膨脹係數係1.2×10-6/℃左右。
恆範鋼薄片11的熱膨脹係數和作為成膜對象的一例之玻璃基板的熱膨脹係數是相同程度。因此，使用金屬遮罩用基材10製造的蒸鍍用金屬遮罩適用於針對玻璃基板進行成膜，亦即，可將已提高形狀精度的蒸鍍用金屬遮罩適用於對玻璃基板進行成膜。
恆範鋼薄片11的表面中之表面粗糙度Rz係遵循依JIS B 0601-2001的方法所測定的值。表面粗糙度Rz係在具有基準長度的輪廓曲線中之最大高度。
金屬遮罩用基材10更具備樹脂製的支持層12，金屬遮罩用基材10係恆範鋼薄片11和支持層12之積層體。恆範鋼薄片11中的背面11b是和支持層12密接。支持層12的形成材料，例如係聚醯亞胺及負型阻劑當中至少一方。支持層12可為聚醯亞胺製的1個層，亦可為負型阻劑製的1個層。或者，支持層12亦可為聚醯亞胺製的層與負型阻劑製的層之積層體。
其中，聚醯亞胺的熱膨脹係數在溫度依存性方面呈現和恆範鋼的熱膨脹係數相同傾向，且熱膨脹係數的值是相同程度。因此，若支持層12的形成材料是聚醯亞胺，則與支持層12是聚醯亞胺以外的樹脂製之構成相比，藉由金屬遮罩用基材10中之溫度的變化，不僅抑制金屬遮罩用基材10產生翹曲進而抑制在恆範鋼薄片11產生翹曲。
[蒸鍍用金屬遮罩的製造方法]
參照圖2至圖12說明蒸鍍用金屬遮罩的製造方法。
如圖2所示，蒸鍍用金屬遮罩的製造方法包含金屬遮罩用基材10的製造方法，就金屬遮罩用基材10的製造方法而言，首先，準備屬於金屬壓延薄片的一例之恆範鋼壓延薄片21。恆範鋼壓延薄片21具備表面21a及表面21a的相反側的面、即背面21b，恆範鋼壓延薄片21中的表面21a及背面21b是金屬遮罩用基材10的製造方法中的處理對象。
恆範鋼壓延薄片21係藉由將恆範鋼製的母材壓延並將壓延後的母材退火而獲得。光是藉由恆範鋼壓延薄片21被壓延使母材的表面及背面中之階差小的份量，在恆範鋼壓延薄片21的表面21a及背面21b各自中的表面粗糙度Rz係比母材的表面及背面中之表面粗糙度Rz還小。
恆範鋼壓延薄片21的厚度T2，例如係10μm以上且100μm以下，更佳為10μm以上且50μm以下。
如圖3所示，利用酸性蝕刻液將是處理對象之一且是兩個處理對象中先被蝕刻的第1處理對象例、即背面21b蝕刻3μm以上。蝕刻前的恆範鋼壓延薄片21的背面21b和蝕刻後的恆範鋼壓延薄片21的背面，亦即阻劑用處理面21c之間的差是蝕刻厚度T3，蝕刻厚度T3係3μm以上。
藉由背面21b的蝕刻，使恆範鋼壓延薄片21的厚度小於蝕刻前的厚度，並以阻劑用處理面21c具有0.2μm以上的表面粗糙度Rz的方式將背面21b粗化。
酸性蝕刻液只要是可蝕刻恆範鋼的蝕刻液且為具有比恆範鋼壓延薄片21的背面21b蝕刻前還粗的組成之溶液即可。酸性蝕刻液，例如係對過氯酸鐵液及過氯酸鐵液和氯化鐵液之混合液混合了過氯酸、鹽酸、硫酸、蟻酸、及醋酸任一者的溶液。背面21b的蝕刻可以是將恆範鋼壓延薄片21浸泡於酸性蝕刻液的浸液式，可以是對恆範鋼壓延薄片21的背面21b噴吹酸性蝕刻液的噴霧式，亦可為對藉由旋轉器而旋轉的恆範鋼壓延薄片21滴下酸性蝕刻液之旋轉式。
蝕刻厚度T3係至少為3μm即可，10μm以上者較佳，15μm以上者更佳。
如圖4所示，在將恆範鋼壓延薄片21的背面21b蝕刻後，於藉由背面21b的蝕刻所獲得之阻劑用處理面21c積層上述的樹脂製的支持層12。支持層12的厚度T4係例如10μm以上且50μm以下。
即使恆範鋼壓延薄片21的厚度是10μm以下，於金屬遮罩用基材10的製造過程中，將支持層12與恆範鋼壓延薄片21的積層體之強度以減少起因於積層體的脆弱性之處理麻煩的程度上作提高這點上，支持層12的厚度以10μm以上者更佳。
又，在抑制將支持層12利用鹼溶液從金屬遮罩用基材10除去時所需時間過長這點上，支持層12的厚度以50μm以下者更佳。
支持層12可藉由在形成薄片狀後貼附於阻劑用處理面21c而被積層於阻劑用處理面21c。或者，支持層12亦可藉由將用以形成支持層12的塗液塗布於阻劑用處理面21c而被積層於阻劑用處理面21c。
此外，在支持層12含有上述的負型阻劑製的層之情況，將負型阻劑的薄膜貼附於阻劑用處理面21c後，或者，將負型阻劑塗布於阻劑用處理面21c後，對負型阻劑的整體照射紫外線以形成支持層12。
如圖5所示，在恆範鋼壓延薄片21與支持層12層積的狀態下，利用酸性蝕刻液對比第1處理對象還後面蝕刻的第2處理對象的一例、即恆範鋼壓延薄片 21的表面21a蝕刻3μm以上。蝕刻前的恆範鋼壓延薄片21的表面21a與蝕刻後的恆範鋼壓延薄片21，亦即，與恆範鋼薄片11中的表面11a之間的差是蝕刻厚度T5，蝕刻厚度T5係3μm以上。
如此，恆範鋼壓延薄片21的蝕刻係包含：蝕刻第1處理對象的一例、即恆範鋼壓延薄片21的背面21b，及在之後蝕刻第2處理對象的一例、即表面21a。
藉由表面21a的蝕刻，將使用圖2先做了說明的恆範鋼壓延薄片21所具有的厚度T2成為10μm以下，並以表面21a可具有0.2μm以上的表面粗糙度Rz的方式將表面21a粗化。藉此，獲得是金屬製的金屬遮罩用薄片及金屬薄片的一例、即恆範鋼薄片11且在表面11a及背面11b各自的表面粗糙度Rz是0.2μm以上的恆範鋼薄片11，及積層有恆範鋼薄片11和支持層12之金屬遮罩用基材10。
由於恆範鋼壓延薄片21的表面21a及背面21b雙方會被蝕刻，故不論從表面21a形成的阻劑用處理面或從背面21b形成的阻劑用處理面21c，都可對任一阻劑用處理面形成阻劑層。因此，不僅可抑制因搞錯形成阻劑層的對象之面而導致難以獲得阻劑層和金屬遮罩用基材10之密接性，進而亦可抑制在製造蒸鍍用金屬遮罩51時良率降低。
又，金屬遮罩用基材10係恆範鋼薄片11和支持層12之積層體。因此，在恆範鋼薄片11的搬送或對恆範鋼薄片11進行後處理中，可減少起因於恆範鋼 薄片11的厚度是10μm以下所致恆範鋼薄片11的脆弱性而造成恆範鋼薄片11的處理麻煩。
酸性蝕刻液只要是用於背面21b之蝕刻的酸性蝕刻液任一者即可，與背面21b之蝕刻所用的酸性蝕刻液相同者更佳。又，表面21a之蝕刻亦只要是浸液式、噴霧式及旋轉式任一者即可，但與背面21b之蝕刻相同方式者更佳。
蝕刻厚度T5係至少3μm即可，10μm以上者較佳，15μm以上者更佳。蝕刻厚度T5和上述的蝕刻厚度T3可為相同大小，亦可為彼此相異的大小。
此外，在形成恆範鋼壓延薄片21的母材時，通常為了除去混入母材的形成材料中的氧，對母材的形成材料混合例如作為脫氧劑的粒狀的鋁或鎂等。鋁及鎂係被氧化而在氧化鋁及氧化鎂等之金屬氧化物的狀態下包含於母材的形成材料中。在形成母材時，金屬氧化物的大部分雖從母材被去除，但一部份的金屬氧化物會殘留於母材的內部。
如圖6所示，恆範鋼壓延薄片21中，含有恆範鋼壓延薄片21的厚度方向之中央的部分是中央部分C，含有表面21a的部分是第1表層部分S1，含有背面21b的部分是第2表層部分S2。相較於中央部分C，在第1表層部分S1及第2表層部分S2所分布的金屬氧化物多。
金屬氧化物在藉由恆範鋼薄片11之蝕刻而形成蒸鍍用金屬遮罩時，係成為阻劑從恆範鋼薄片11剝離或恆範鋼薄片11被過量蝕刻的一個因素。
如上述，就金屬遮罩用基材10的製造方法而言，由於恆範鋼壓延薄片21的表面21a及背面21b會被蝕刻，故含有較多金屬氧化物的第1表層部分S1及第2表層部分S2的至少一部份會被除去。因此，相較於恆範鋼壓延薄片21的表面21a及背面21b未被蝕刻的情況，可抑制因金屬氧化物所致阻劑剝離或恆範鋼薄片11過量蝕刻，亦可抑制對金屬遮罩用基材10蝕刻的精度變低的情形。
如圖7所示，在恆範鋼薄片11的表面11a形成阻劑層22。阻劑層22可藉由在形成薄片狀後再貼附於表面11a而形成於表面11a。或者，阻劑層22亦可藉由用以形成阻劑層22的塗液被塗布於表面11a而形成於表面11a。
阻劑層22的形成材料係可為負型阻劑，亦可為正型阻劑。此外，在支持層12的形成材料是負型阻劑時，阻劑層22亦用和支持層12相同材料形成者更佳。
如圖8所示，藉由將阻劑層22圖案化而形成阻劑遮罩23。阻劑遮罩23係具有用以蝕刻恆範鋼薄片11的複數個貫通孔23a。
在阻劑層22的形成材料是負型阻劑時，對阻劑層22當中之與阻劑遮罩23的各貫通孔23a對應的部分以外之部分照射紫外線，將阻劑層22曝光。然後，將阻劑層22利用顯影液顯影而獲得具有複數個貫通孔23a的阻劑遮罩23。
在阻劑層22的形成材料是正型阻劑時，對阻劑層22當中之與阻劑遮罩23的各貫通孔23a對應的部分照射紫外線，將阻劑層22曝光。然後，將阻劑層22利用顯影液顯影而獲得具有複數個貫通孔23a的阻劑遮罩23。
如圖9所示，使用阻劑遮罩23對恆範鋼薄片11進行蝕刻。恆範鋼薄片11的蝕刻，例如，使用氯化鐵溶液。藉此，對恆範鋼薄片11形成貫通表面11a和背面11b之間的複數個貫通孔11c、亦即遮罩開口。於恆範鋼薄片11的沿著厚度方向的剖面，各貫通孔11c的內周面具有大致弧狀，於各貫通孔11c，在表面11a的開口面積大於在背面11b的開口面積。
由於恆範鋼薄片11的厚度是10μm以下，故即便是將恆範鋼薄片11僅從表面11a蝕刻，亦能將恆範鋼薄片11所具有的遮罩開口，換言之，可在未將貫通孔11c形成過大地形成貫通表面11a和背面11b之間的貫通孔11c。
如圖所10示，恆範鋼薄片31的厚度T6比恆範鋼薄片11的厚度T1還大，亦即，恆範鋼薄片31的厚度T6大於10μm。於此情況，在要將恆範鋼薄片31的表面31a中的開口之面積作成與恆範鋼薄片11的表面11a中的開口之面積同程度並形成貫通表面31a與背面31b的貫通孔方面，有必要從表面31a與背面31b來蝕刻恆範鋼薄片31。
藉此，形成由開口於表面31a的第1孔31c和開口於背面31b的第2孔31d所構成之貫通孔31e。在和恆範鋼薄片31的厚度正交的方向，在第1孔31c和第2孔31d之連接部的開口面積小於在背面31b的第2孔31d的開口面積。
在具有這樣的貫通孔31e之恆範鋼薄片31被用作為蒸鍍用金屬遮罩之情況，在恆範鋼薄片31的背面31b是和成膜對象對向之狀態下，恆範鋼薄片31配置於蒸鍍源和成膜對象之間。因為恆範鋼薄片31中連接部形成從蒸鍍粒子觀看成膜對象時成為蒸鍍用金屬遮罩陰影的部分，所以光是該份量，難以在成膜對象中獲得追隨於第2孔31d中的遮罩開口的形狀之形狀。因此，第2孔31d的深度，換言之背面31b和連接部之間的距離小者更佳。
對此，依據恆範鋼薄片11的貫通孔11c，光是未具有連接部的份量，相較於上述的恆範鋼薄片31，可減少在從蒸鍍粒子觀看成膜對象時成為蒸鍍用金屬遮罩的陰影之部分。結果，可在成膜對象獲得更追隨於遮罩開口的形狀之形狀。
如圖11所示，將使用圖9先做了說明的阻劑遮罩23且是位在金屬遮罩用基材10上的阻劑遮罩23除去。此外，在將阻劑遮罩23從金屬遮罩用基材10與阻劑遮罩23的積層體除去時，亦可在支持層12當中之和恆範鋼薄片11相接的面的相反側之面上形成保護支持層12的保護層。依據保護層，可抑制因為用以除去阻劑遮罩23的溶液而溶解支持層12。
如圖12所示，除去阻劑遮罩23後，將金屬遮罩用基材10暴露於鹼溶液，藉以從金屬遮罩用基材10將支持層12以化學方式除去。藉此，獲得蒸鍍用金屬遮罩薄片41。蒸鍍用金屬遮罩薄片41係具有和恆範鋼薄片11的表面11a相當之表面41a、和恆範鋼薄片11的背面11b相當之背面41b、及和恆範鋼薄片11的貫通孔11c相當之貫通孔41c。
此時，由於支持層12從金屬遮罩用基材10被以化學方式除去，所以相較於從恆範鋼薄片11將支持層12以物理方式剝下的情況，外力未作用於恆範鋼薄片11，在恆範鋼薄片11產生皺紋或變形之情況受到抑制。
鹼溶液只要是藉由溶解支持層12可將支持層12從恆範鋼薄片11剝離的溶液即可，例如為氫氧化鈉水溶液。在將金屬遮罩用基材10暴露於鹼溶液時，可將金屬遮罩用基材10浸泡於鹼溶液，亦可對金屬遮罩用基材10的支持層12噴吹鹼溶液，亦可對藉由旋轉器而旋轉的金屬遮罩用基材10的支持層12滴下鹼溶液。
如圖13所示，從蒸鍍用金屬遮罩薄片41切出具有既定長度的蒸鍍用金屬遮罩51。蒸鍍用金屬遮罩51係具有與蒸鍍用金屬遮罩薄片41的表面41a相當的表面51a、與蒸鍍用金屬遮罩薄片41的背面41b相當的背面51b、及與蒸鍍用金屬遮罩薄片41貫通孔41c相當的貫通孔51c。
而且，在進行有機層之蒸鍍時，將蒸鍍用金屬遮罩51貼附於框架。亦即，蒸鍍用金屬遮罩51係在藉由接著層53被貼附於於金屬製的框架52之狀態下被用在有機層的蒸鍍。蒸鍍用金屬遮罩51中，蒸鍍用金屬遮罩51的背面51b的一部份和框架52的一部份對向，接著層53位在蒸鍍用金屬遮罩51和框架52之間。此外，蒸鍍用金屬遮罩51亦可蒸鍍用金屬遮罩51的表面51a的一部份和框架52的一部份對向，且以接著層53位在蒸鍍用金屬遮罩51的表面51a和框架52之間的狀態下藉由接著層53貼附於框架52。
如圖14所示，在與蒸鍍用金屬遮罩51的表面51a對向之平面視圖中，蒸鍍用金屬遮罩51具有矩形狀，框架52具有矩形框狀。在與表面51a對向的平面視圖中，各貫通孔51c具有矩形狀。亦即，貫通孔51c中之表面51a的開口係具有矩形狀。此外，貫通孔51c中之在背面51b中的開口也具有矩形狀。複數個貫通孔51c係沿著1個方向以等間隔排列且沿著和1個方向正交之其他的方向以等間隔排列。蒸鍍用金屬遮罩51在蒸鍍用金屬遮罩51的背面51b是與成膜對象對向的狀態下配置在蒸鍍源和成膜對象之間。
此外，圖14中，紙面的左右方向是成膜對象中畫素的排列方向。圖14中，在左右方向彼此相鄰的貫通孔51c間的距離小於在左右方向之貫通孔51c的寬度，但以在左右方向彼此相鄰的貫通孔51c間的距離係在左右方向之貫通孔51c的寬度的2倍以上者更佳。
[試驗例]
參照圖15至圖20說明試驗例。
[試驗例1]
準備具有30μm的厚度之恆範鋼壓延薄片，設為試驗例1的恆範鋼壓延薄片。
[試驗例2]
準備具有30μm的厚度之恆範鋼壓延薄片，對恆範鋼壓延薄片的表面噴吹酸性蝕刻液將恆範鋼壓延薄片的表面蝕刻3μm，獲得具有阻劑用處理面之試驗例2的恆範鋼薄片。此外，在酸性蝕刻液方面，使用對過氯酸鐵液和氯化鐵液之混合液混合了過氯酸的溶液。
[試驗例3]
準備具有30μm的厚度之恆範鋼壓延薄片，以和試驗例2相同條件將恆範鋼壓延薄片的表面蝕刻4.5μm，獲得具有阻劑用處理面之試驗例3的恆範鋼薄片。
[試驗例4]
準備具有30μm的厚度之恆範鋼壓延薄片，以和試驗例2相同條件將恆範鋼壓延薄片的表面蝕刻10μm，獲得具有阻劑用處理面之試驗例4的恆範鋼薄片。
[利用掃描式電子顯微鏡之表面拍攝]
將試驗例1的表面及從試驗例2到試驗例4每一者中的阻劑用處理面利用掃描式電子顯微鏡拍攝而生成SEM畫像。將掃描式電子顯微鏡(JSM-7001F，日本電子(株式會社)製)中的倍率設成10000倍，加速電壓設成10.0kV，作動距離設成9.7mm。
如圖15所示，確認了在試驗例1的恆範鋼壓延薄片中之表面的平坦性最高，又，在試驗例1的恆範鋼壓延薄片的表面中，確認了在紙面上下方向延伸之條紋的壓延痕。如圖16及圖17所示，確認了在試驗例2的恆範鋼薄片中之阻劑用處理面和在試驗例3的恆範鋼薄片中之阻劑用處理面上形成階差。如圖18所示，確認了在試驗例4的恆範鋼薄片中之阻劑用處理面上，形成比在試驗例2的恆範鋼薄片中之阻劑用處理面及在試驗例3的恆範鋼薄片中之阻劑用處理面還大的階差。又，確認了在圖16至圖18的各恆範鋼薄片中之阻劑用處理面，壓延痕因為蝕刻而大致消失。
[利用原子力顯微鏡測定表面粗糙度]
作成含有試驗例1的恆範鋼壓延薄片的表面之表面的試驗片，且作成含有試驗例2至試驗例4每一者之恆範鋼薄片的阻劑用處理面之表面的試驗片。然後，於各試驗片的表面，測定在具有一邊長5μm的正方形狀之區域、即掃描區域中的表面粗糙度。
使用原子力顯微鏡(AFM5400L，(株式會社)hitachi high-tech Science製)且以遵循JIS B 0601-2001的方法測定在各試驗例的表面中之表面粗糙度。表面粗糙度的測定結果係如以下的表1所示。又，依據測定結果將各試驗片中的表面積率以掃描區域的表面積對掃描區域的面積之比算出。換言之，表面積率係掃描區域的面積除以掃描區域的表面積之值。
此外，表1記載的表面粗糙度的參數中，Rz係屬於在具有基準長度的輪廓曲線中之最大的山之高度與最深的谷之深度的和的最大高度，Ra係具有基準長度的輪廓曲線之算術平均粗糙度。Rp係在具有基準長度的輪廓曲線之中最高的山之高度，Rv係在具有基準長度的輪廓曲線之中最深的谷之深度。又，以下，Rz、Ra、Rp及Rv各自的單位為μm。
如表1所示，就試驗例1的恆範鋼壓延薄片中的表面而言，確認了表面粗糙度Rz是0.17，表面粗糙度Ra是0.02，表面粗糙度Rp是0.08，表面粗糙度Rv是0.09。又，就試驗例1的恆範鋼壓延薄片中的表面而言，確認了表面積率是1.02。
就試驗例2的恆範鋼薄片中的阻劑用處理面而言，確認了表面粗糙度Rz是0.24，表面粗糙度Ra是0.02，表面粗糙度Rp是0.12，表面粗糙度Rv是0.12。又，就試驗例2的恆範鋼薄片中的阻劑用處理面而言，確認了表面積率是1.23。
就試驗例3的恆範鋼薄片中的阻劑用處理面而言，確認了表面粗糙度Rz是0.28，表面粗糙度Ra是0.03，表面粗糙度Rp是0.15，表面粗糙度Rv是0.13。 又，就試驗例3的恆範鋼薄片中的阻劑用處理面而言，確認了表面積率是1.13。
就試驗例4的恆範鋼薄片中的阻劑用處理面而言，確認了表面粗糙度Rz是0.30，表面粗糙度Ra是0.03，表面粗糙度Rp是0.17，表面粗糙度Rv是0.13。又，就試驗例4的恆範鋼薄片中的阻劑用處理面而言，確認了表面積率是1.22。
如此，針對將恆範鋼壓延薄片的表面蝕刻3μm以上所獲得之恆範鋼薄片而言，確認了阻劑用處理面中的表面粗糙度Rz是0.2μm以上。又，確認了蝕刻的厚度越大，阻劑用處理面中的表面粗糙度Rz變越大，故而在恆範鋼壓延薄片的表面之蝕刻的厚度係4.5μm較佳，10μm更佳。
此外，準備具有30μm的厚度之恆範鋼壓延薄片，將恆範鋼壓延薄片的表面及背面各自以上述的條件各蝕刻10μm，藉以獲得具有10μm的厚度之恆範鋼薄片。此時，在從恆範鋼壓延薄片的背面所獲得之阻劑用處理面，貼附具有20μm的厚度之聚醯亞胺製的薄片作為支持層。
依據這樣的恆範鋼薄片，本案發明者確認了從恆範鋼薄片的表面僅蝕刻恆範鋼薄片，可形成將恆範鋼薄片的表面和背面之間貫通的貫通孔，關於這樣的貫通孔，在恆範鋼薄片的表面之開口面積及在恆範鋼薄片的背面之開口面積分別具有所期望的大小亦為本案發明者們所確認。
又，在試驗例1的恆範鋼壓延薄片的表面貼附乾膜阻劑，將乾膜阻劑圖案化後，蝕刻試驗例1的恆範鋼壓延薄片，於表面形成複數個凹部。
然後，在試驗例2至4的每一者的恆範鋼薄片之阻劑用處理面貼附乾膜阻劑，在將乾膜阻劑圖案化後，將試驗例2至4的每一者的恆範鋼薄片蝕刻，於阻劑用處理面形成複數個凹部。此外，試驗例2至4中，在乾膜阻劑的圖案化方法方面使用和試驗例1相同方法，又，將恆範鋼薄片的蝕刻條件設定成和試驗例1相同條件。
在試驗例2至4的每一者中，確認了在阻劑用處理面之開口的大小的不均比起在試驗例1的開口的大小的不均還小。亦即，如試驗例2至4的每一者，確認了若表面粗糙度Rz是0.2μm以上，則透過阻劑層和恆範鋼薄片之密接性提高使遮罩開口5中之形狀精度的降低受到抑制。
[試驗例5]
準備具有30μm的厚度之恆範鋼壓延薄片，設為試驗例5的恆範鋼壓延薄片。
[試驗例6]
準備具有30μm的厚度之恆範鋼壓延薄片，以和試驗例2相同條件將恆範鋼壓延薄片的表面蝕刻3μm，獲得具有阻劑用處理面之試驗例6的恆範鋼薄片。
[試驗例7]
準備具有30μm的厚度之恆範鋼壓延薄片，以和試驗例2相同條件將恆範鋼壓延薄片的表面蝕刻10μm，獲得具有阻劑用處理面之試驗例7的恆範鋼薄片。
[試驗例8]
準備具有30μm的厚度之恆範鋼壓延薄片，以和試驗例2相同條件將恆範鋼壓延薄片的表面蝕刻15μm，獲得具有阻劑用處理面之試驗例8的恆範鋼薄片。
[試驗例9]
準備具有30μm的厚度之恆範鋼壓延薄片，以和試驗例2相同條件將恆範鋼壓延薄片的表面蝕刻16μm，獲得具有阻劑用處理面之試驗例9的恆範鋼薄片。
[粒子痕之計數]
作成含有試驗例5的恆範鋼壓延薄片的表面的一部份之表面的3個試驗片且具有一邊長為2mm的正方形狀之試驗片。又，作成含有試驗例6至試驗例9每一者的恆範鋼薄片的阻劑用處理面的一部份之表面的3個試驗片且具有一邊長度為2mm的正方形狀之試驗片。
使用掃描式電子顯微鏡(同上)觀察各試驗片的表面，計數各試驗片所具有的粒子痕。此外，粒子痕係金屬氧化物的粒子從恆範鋼壓延薄片或者恆範鋼薄片脫離的痕跡，在各試驗片中，確認有第1粒子痕及第2粒子痕至少一方。計數粒子痕的結果係如以下的表2所示。
如圖19所示，第1粒子痕係在與試驗片的表面對向的平面視圖中區劃略圓狀的區域且具有半球狀的凹陷。確認了第1粒子痕的徑係3μm以上且5μm以下。
對此，如圖20所示，第2粒子痕係在與試驗片的表面對向的平面視圖中區劃略橢圓狀的區域且具有橢圓錘狀的凹陷。確認了第2粒子痕的長徑係3μm以上且5μm以下。
在拍攝第1粒子痕和第2粒子痕時，於掃描式電子顯微鏡中，將倍率設成5000倍，加速電壓設成10.0kV，作動距離設成9.7mm。
如表2所示，確認了在試驗例5，試驗片1具有1個第1粒子痕，確認了試驗片2及試驗片3都沒有粒子痕。亦即，確認了在試驗例5，第1粒子痕的合計是1個，第2粒子痕的合計是0個。
試驗例6中，確認了試驗片1有4個第1粒子痕和1個第2粒子痕，試驗片2有9個第1粒子痕，試驗例3有8個第1粒子痕和2個第2粒子痕。亦即，試驗例6中，確認了第1粒子痕的合計是21個，第2粒子痕的合計是3個。
試驗例7中，確認了試驗片1有5個第1粒子痕和1個第2粒子痕，試驗片2有6個第1粒子痕和1個第2粒子痕，試驗片3有5個第1粒子痕和2個第2粒子痕。亦即，確認了在試驗例7，第1粒子痕的合計是16個，第2粒子痕的合計是4個。
試驗例8中，確認了試驗片1有5個第1粒子痕，試驗片2有2個第1粒子痕，試驗片3有6個第1粒子痕和1個第2粒子痕。亦即，確認了在試驗例8，第1粒子痕的合計是13個，第2粒子痕的合計是1個。
試驗例9中，確認了試驗片1有4個第1粒子痕，試驗片2有5個第1粒子痕，試驗片3有5個第1粒子痕，另一方面，試驗片1到試驗片3全都沒有第2粒子痕。亦即，確認了在試驗例9，第1粒子痕的合計是14個。
又，確認了在具有複數個第2粒子痕之試驗例6及試驗例7中，各第2粒子痕的長徑方向對齊且長徑方向係和用以形成恆範鋼薄片的恆範鋼壓延薄片的壓延方向平行。
如此，若將恆範鋼壓延薄片的表面蝕刻16μm以上，則可從恆範鋼薄片的阻劑用處理面去除第2粒子痕。又，確認了藉由將恆範鋼壓延薄片的表面蝕刻10μm以上，可減少第1粒子痕的數量，確認了藉由將恆範鋼壓延薄片的表面蝕刻15μm以上，可減少第1粒子痕的數量。
從這樣的結果，可以說藉由將恆範鋼壓延薄片的表面蝕刻10μm以上，更佳為蝕刻15μm以上，可減少恆範鋼壓延薄片內的金屬氧化物之粒子。因此，對於依金屬遮罩用基材之蝕刻所形成的貫通孔之形狀的精度，在抑制金屬氧化物的脫離所產生的影響上，可說應將恆範鋼壓延薄片的表面蝕刻10μm以上，更佳為蝕刻15μm以上是有效的。
如以上所說明，依據金屬遮罩用基材的製造方法、蒸鍍用金屬遮罩的製造方法、金屬遮罩用基材及蒸鍍用金屬遮罩的1個實施形態，可獲得以下列舉的效果。
(1)由於恆範鋼薄片11所具有的厚度是10μm以下，故可將形成於恆範鋼薄片11的遮罩開口之深度設為10μm以下。因此，從蒸鍍粒子看成膜對象時減少成為蒸鍍用金屬遮罩51的陰影的部分，亦即，因為 可抑制陰影效應，故而不僅在成膜對象可獲得追隨遮罩開口形狀的形狀，進而可謀求使用蒸鍍用金屬遮罩51之成膜的高精細化。
而且，在恆範鋼薄片11形成遮罩開口時，阻劑層22和恆範鋼薄片11之密接性可比粗化前還要提高。而且，起因於阻劑層22從恆範鋼薄片11被剝下等所致形狀精度的降低，可於遮罩開口形成中抑制，所以關於這點可謀求使用蒸鍍用金屬遮罩51的成膜之高精細化。
(2)不論是由恆範鋼壓延薄片21的表面21a形成的阻劑用處理面還是由恆範鋼壓延薄片21的背面21b形成的阻劑用處理面21c，對任一阻劑用處理面都可形成阻劑層22。因此，不僅可抑制因搞錯形成阻劑層22的對象的面而導致難以獲得阻劑層22和金屬遮罩用基材10之密接性，進而亦可抑制在製造蒸鍍用金屬遮罩51時良率降低。
(3)在恆範鋼薄片11的搬送或對恆範鋼薄片11進行後處理中，可減少起因於恆範鋼薄片11的厚度是10μm以下所致恆範鋼薄片11的脆弱性而而造成恆範鋼薄片11的處理麻煩。
(4)相較於從恆範鋼薄片11將支持層12以物理方式剝下的情況，由於外力未作用於恆範鋼薄片11，故在恆範鋼薄片11產生皺紋或變形之情況受到抑制。
此外，上述的實施形態係可如以下那樣適宜地變更實施。
支持層12亦可從恆範鋼薄片11以物理方式剝離。亦即，亦可在支持層12與恆範鋼薄片11的界面產生剝離的方式對支持層12和恆範鋼薄片11至少一方施加外力。即便是這樣的構成，若以阻劑用處理面的表面粗糙度Rz可成為0.2μm以上的方式進行粗化，且以蝕刻後的恆範鋼壓延薄片21中之厚度可成為10μm以下的方式蝕刻恆範鋼壓延薄片21，則可獲得和上述的(1)同等效果。
但是，如上述，在抑制恆範鋼薄片11的起皺或變形方面，支持層12係藉由鹼溶液從金屬遮罩用基材10以化學方式除去者更佳。
關於恆範鋼壓延薄片21的表面21a與背面21b之蝕刻，背面21b可比表面21a還先被蝕刻，亦可表面21a與背面21b同時被蝕刻。無關乎表面21a和背面21b被蝕刻的順序，若以阻劑用處理面的表面粗糙度Rz可成為0.2μm以上的方式進行粗化，且以蝕刻後的恆範鋼壓延薄片21中之厚度可成為10μm以下的方式蝕刻恆範鋼壓延薄片21，則可獲得和上述的(1)同等效果。
恆範鋼壓延薄片21中的處理對象可以是僅恆範鋼壓延薄片21的表面21a，亦可為僅背面21b。即便是這樣的構成，若以阻劑用處理面的表面粗糙度Rz可成為0.2μm以上的方式進行粗化，且以蝕刻後的恆範鋼壓延薄片21中之厚度可成為10μm以下的方式蝕刻恆範鋼壓延薄片21，則可獲得和上述的(1)同等效果。
在恆範鋼壓延薄片21中的處理對象僅為表面21a時，於表面21a蝕刻前，在背面21b積層支持層12，以恆範鋼壓延薄片21與支持層12層積的狀態下蝕刻表面21a者更佳。又，在處理對象僅為背面21b時，於背面21b蝕刻前，在表面21a形成支持層12，以恆範鋼壓延薄片21與支持層12層積的狀態下蝕刻背面21b者更佳。藉由這樣的構成，亦可獲得和上述的(3)同等效果。
恆範鋼壓延薄片21中的處理對象之蝕刻為，不論處理對象是表面21a及背面21b中任一或是表面21a及背面21b雙方，亦可在對恆範鋼壓延薄片21未形成有支持層12的狀態下進行。即便是這樣的構成，若以阻劑用處理面的表面粗糙度Rz可成為0.2μm以上的方式進行粗化，且以蝕刻後的恆範鋼壓延薄片21中之厚度可成為10μm以下的方式蝕刻恆範鋼壓延薄片21，則可獲得和上述的(1)同等效果。
於此情況，金屬遮罩用基材係未具有支持層12的構成，亦即，亦可僅具備恆範鋼薄片11的構成。或者，亦可在從恆範鋼壓延薄片21獲得恆範鋼薄片11後，對恆範鋼薄片11的1個面積層支持層12，藉以獲得恆範鋼薄片11與支持層12的積層體、即金屬遮罩用基材。
如圖21所示，若支持層12的形成材料是聚醯亞胺，則從金屬遮罩用基材10除去支持層12時，亦可將支持層12當中之在金屬遮罩用基材10的厚度方 向的僅與恆範鋼薄片11所具有的貫通孔11c重合的部分從恆範鋼薄片11除去。換言之，亦可從金屬遮罩用基材10除去支持層12時，僅將與恆範鋼薄片11的背面11b對向之平面視圖中支持層12當中之支持層12的緣部且位在比所有貫通孔11c還外側的部分以外的部分除去。
在這樣的構成中，蒸鍍用金屬遮罩61係由恆範鋼薄片11和具有矩形框狀的聚醯亞胺框12a所構成。恆範鋼薄片11具有複數個貫通孔11c，聚醯亞胺框12a在與恆範鋼薄片11的背面11b對向的平面視圖中，係具有矩形框狀將所有的貫通孔11c包圍。
蒸鍍用金屬遮罩61所具備的聚醯亞胺框12a係在蒸鍍用金屬遮罩61被安裝於框架52時可作為接著層發揮機能。因此，以蒸鍍用金屬遮罩61中的聚醯亞胺框12a接於框架52的狀態下使蒸鍍用金屬遮罩61被安裝於框架52。
如圖22所示，若支持層12的形成材料是聚醯亞胺，則支持層12亦可不被從金屬遮罩用基材10除去。在這樣的構成中，蒸鍍用金屬遮罩62在已貼附於框架52的時點係由具有複數個貫通孔11c的恆範鋼薄片11及和恆範鋼薄片11的背面11b整體重疊的支持層12所構成。
蒸鍍用金屬遮罩62所具備的支持層12係與上述的聚醯亞胺框12a同樣，在蒸鍍用金屬遮罩62被安裝於框架52時，可作為接著層發揮機能。因此，以蒸鍍用金屬遮罩62中的支持層12接於框架52的狀態使蒸鍍用金屬遮罩62被安裝於框架52。
此外，就這樣的蒸鍍用金屬遮罩62而言，在蒸鍍用金屬遮罩62被安裝於框架52後，僅將支持層12當中之在金屬遮罩用基材10的厚度方向和恆範鋼薄片11所具有的貫通孔11c重疊的部分從恆範鋼薄片11除去即可。換言之，在與恆範鋼薄片11的背面11b對向的平面視圖中，亦可僅將支持層12當中是支持層12的緣部且位在比所有貫通孔11c外側的部分以外的部分除去。
圖23係恆範鋼薄片的平面構造，表示藉由蝕刻恆範鋼壓延薄片21中之處理對象所獲得之與阻劑用處理面對向的平面視圖中之平面構造。此外，圖23中為使第1粒子痕及第2粒子痕與阻劑用處理面中其以外的部分之區別明確，在第1粒子痕及第2粒子痕附上圓點。
如圖23所示，若恆範鋼壓延薄片21的處理對象被蝕刻的厚度是3μm以上且10μm以下，則恆範鋼薄片71的阻劑用處理面71a具有複數個第1粒子痕72和複數個第2粒子痕73。各第1粒子痕72係為具有半球狀的凹陷，第1粒子痕72的直徑、即第1徑D1係3μm以上且5μm以下。
各第2粒子痕73係為具有橢圓錘狀的凹陷，第2粒子痕73的長徑、即第2徑D2係3μm以上且5μm以下，各第2粒子痕73的長徑方向是對齊。各第2粒子痕73的長徑方向係和恆範鋼薄片71的壓延方向平行的方向。
恆範鋼薄片71係藉由一般壓延所製造，所以在恆範鋼薄片71的製造過程被添加之由脫氧劑等的氧化物構成的粒子混入於恆範鋼薄片71的情況不少。混入於恆範鋼薄片71的表面之粒子的一部份係在恆範鋼薄片71的壓延方向被延伸，具有在壓延方向具有長徑的橢圓錘狀。在阻劑用處理面71a中當這樣的粒子殘存於供形成遮罩開口的部位時，會有用以形成遮罩開口的蝕刻被粒子妨礙之虞。
關於這點，依據上述的構成，可獲得以下的效果。
(5)由於上述的粒子既從阻劑用處理面71a除去，故阻劑用處理面71a具有長徑方向對齊的橢圓錘狀之複數個第2粒子痕73。因此，在形成遮罩開口時，與恆範鋼薄片71中殘存粒子的情況相比，亦可提高遮罩開口的形狀或尺寸的精度。
金屬壓延薄片的形成材料，甚至金屬遮罩薄片及金屬薄片的形成材料若為純粹的金屬或合金，則亦可為恆範鋼以外的材料。
蒸鍍用金屬遮罩51的製造方法中的各步驟係亦可對預先切斷成與1個蒸鍍用金屬遮罩51對應的大小之恆範鋼壓延薄片進行。於這樣的情況，藉由從與恆範鋼壓延薄片相當的恆範鋼薄片除去阻劑遮罩與支持層可獲得蒸鍍用遮罩。
或者，金屬遮罩用基材10的製造方法中的各步驟，亦可為對具有與複數個蒸鍍用金屬遮罩51對應 的大小之恆範鋼壓延薄片21進行，一方面，將所獲得之金屬遮罩用基材10切斷成具有與1個蒸鍍用金屬遮罩51對應的大小之金屬遮罩用基材片。而且，亦可對金屬遮罩用基材片進行形成阻劑層、形成阻劑遮罩、蝕刻恆範鋼薄片及除去支持層。
蒸鍍用金屬遮罩51在與表面51a對向的平面視圖中，可具有矩形狀以外的形狀，例如正方形狀，亦可具有四角形狀以外的多角形狀等之形狀。
蒸鍍用金屬遮罩51的各貫通孔51c當中之在表面51a的開口及在背面51b的開口每一者，例如亦可具有正方形狀及圓形狀等的矩形狀以外之形狀。
在與表面51a對向的平面視圖中，在上述的1個方向是第1方向、且與第1方向正交的方向是第2方向時，複數個貫通孔51c亦可按照以下那樣排列。亦即，沿著第1方向的複數個貫通孔51c構成1行，於第1方向中，複數個貫通孔51c係以既定間距形成。而且，於構成各行的複數個貫通孔51c中，在第1方向中的位置是每隔1行相互重合。另一方面，在第2方向中彼此相鄰的行中，相對於構成一行的複數個貫通孔51c在第1方向的位置，構成另一行的複數個貫通孔51c在第1方向的位置是偏離1/2間距程度。換言之，複數個貫通孔51c亦可呈棋盤狀排列。
總之，在蒸鍍用金屬遮罩51中，複數個貫通孔51c只要是以與使用蒸鍍用金屬遮罩51所形成之有機層的配置相對應的方式排列即可。此外，在實施形態 中，複數個貫通孔51c係以對應有機EL裝置中的格柵配列之方式排列，一方面，上述的變形例中的複數個貫通孔51c係以對應有機EL裝置中的三角形配列之方式排列。
在與表面51a對向的平面視圖中，在上述的1個方向是第1方向、且與第1方向正交的方向是第2方向時，上述的實施形態中，各貫通孔51c係與在第1方向相鄰的其他的貫通孔51c及在第2方向相鄰的其他的貫通孔51c偏離。惟不限於此，各貫通孔51c的表面51a中的開口可在第1方向和在彼此相鄰的其他的貫通孔51c的表面51a中的開口相連，亦可在第2方向和在彼此相鄰的貫通孔51c的表面51a中開口相連。或者，各貫通孔51c的表面51a中的開口可在第1方向與第2方向雙方和在彼此相鄰的其他的貫通孔51c的表面51a中的開口相連。在這樣的蒸鍍用金屬遮罩中，2個貫通孔51c相連的部分之厚度亦可以比蒸鍍用金屬遮罩的外緣且不是貫通孔51c的位置的部分，即於形成貫通孔51c的步驟中未被蝕刻之部分的厚度還薄。
蒸鍍用金屬遮罩係不受限於在形成有機EL裝置的有機層時所用的蒸鍍用金屬遮罩，亦可以是在形成有機EL裝置以外的顯示裝置等之各種裝置所具備的配線之形成、或在形成各種裝置所具備的機能層等時所用的蒸鍍用金屬遮罩。

Claims (7)

  1. 一種金屬遮罩用基材的製造方法，包含：準備金屬壓延薄片，該金屬壓延薄片具備表面和背面，前述背面係與前述表面相反側的面，該金屬壓延薄片的前述表面及前述背面至少一者是處理對象；及將前述處理對象藉由酸性蝕刻液蝕刻3μm以上，使前述金屬壓延薄片所具有的厚度薄到10μm以下，並以可成為具有0.2μm以上的表面粗糙度Rz之阻劑用處理面的方式將前述處理對象粗化，藉以獲得金屬製的金屬遮罩用薄片，前述阻劑用處理面具有粒子痕，前述粒子痕為具有橢圓錘狀的複數個凹陷，前述各粒子痕之長徑方向對齊。
  2. 如請求項1之金屬遮罩用基材的製造方法，其中前述處理對象係前述表面及前述背面雙方。
  3. 如請求項1之金屬遮罩用基材的製造方法，其中前述處理對象係前述表面及前述背面任一者，前述製造方法更包含在前述處理對象相反側的面積層樹脂製的支持層，在前述金屬壓延薄片和前述支持層層積的狀態下蝕刻前述處理對象，藉以獲得前述金屬遮罩用薄片和前述支持層積層而成之金屬遮罩用基材。
  4. 如請求項2之金屬遮罩用基材的製造方法，其中前述蝕刻係包含蝕刻前述表面及前述背面的其中一者的第1處理對象，和在之後，蝕刻前述表面及前述背面的另一者的第2處理對象，前述製造方法係更包含在蝕刻前述第1處理對象後，在藉由前述第1處理對象之蝕刻所獲得之前述阻劑用處理面積層樹脂製的支持層，在前述金屬壓延薄片和前述支持層層積的狀態下蝕刻前述第2處理對象，藉以獲得前述金屬遮罩用薄片和前述支持層積層而成之金屬遮罩用基材。
  5. 如請求項1之金屬遮罩用基材的製造方法，其中前述金屬壓延薄片是恆範鋼壓延薄片，前述金屬遮罩用薄片是恆範鋼製。
  6. 一種蒸鍍用金屬遮罩的製造方法，包含：形成具備至少1個阻劑用處理面的金屬遮罩用基材；在1個前述阻劑用處理面形成阻劑層；藉由將前述阻劑層圖案化而形成阻劑遮罩；及使用前述阻劑遮罩對前述金屬遮罩用基材進行蝕刻，使用如請求項1至5中任一項之金屬遮罩用基材的製造方法，形成前述金屬遮罩用基材。
  7. 如請求項6之蒸鍍用金屬遮罩的製造方法，其中前述金屬遮罩用基材係包含前述金屬遮罩用薄片和樹脂製的支持層之積層體，更包含藉由將已形成前述阻劑遮罩之後的前述金屬遮罩用基材暴露於鹼溶液而從前述金屬遮罩用基材將前述支持層以化學方式除去。
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