WO2017057621A1

WO2017057621A1 - 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法および金属板

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Publication number: WO2017057621A1
Application number: PCT/JP2016/078899
Authority: WO
Inventors: 知加雄池永; 洋島崎; 謙太朗関; 宏樹古庄; 千秋初田
Original assignee: 大日本印刷株式会社
Priority date: 2015-09-30
Filing date: 2016-09-29
Publication date: 2017-04-06
Also published as: KR20200137032A; KR102477941B1; TW201726950A; US10538838B2; KR20220025944A; EP3358038A4; TWI604074B; JP2019007083A; CN108138303B; US20180334740A1; JP6939732B2; EP3757247A1; CN108138303A; KR20180043816A; JP6443457B2; EP3358038B1; JPWO2017057621A1; US11118258B2; KR102366712B1; EP3358038A1

Abstract

蒸着マスクは、マスク本体と、マスク本体に設けられ、蒸着材料を被蒸着基板に蒸着させる際に蒸着材料が通過する貫通孔と、を備えている。マスク本体は、インデンテーション弾性率をｘ（ＧＰａ）、０．２％耐力をｙ（ＭＰａ）としたときに、　ｙ≧９５０、かつ、ｙ≧２３ｘ－１２８０を満たしている。

Description

蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法および金属板

　本発明は、複数の貫通孔が形成された蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法および蒸着マスクを製造するために用いられる金属板に関する。

　近年、スマートフォンやタブレットＰＣ等の持ち運び可能なデバイスで用いられる表示装置に対して、高精細であること、例えば画素密度が４００ｐｐｉ以上であることが求められている。また、持ち運び可能なデバイスにおいても、ウルトラフルハイビジョンに対応することへの需要が高まっており、この場合、表示装置の画素密度が例えば８００ｐｐｉ以上であることが求められる。

　表示装置の中でも、応答性の良さ、消費電力の低さやコントラストの高さのため、有機ＥＬ表示装置が注目されている。有機ＥＬ表示装置の画素を形成する方法として、所望のパターンで配列された貫通孔を含む蒸着マスクを用い、所望のパターンで画素を形成する方法が知られている。具体的には、はじめに、有機ＥＬ表示装置用の有機ＥＬ基板（被蒸着基板）に対して蒸着マスクを密着させ、次に、密着させた蒸着マスクおよび有機ＥＬ基板を共に蒸着装置に投入し、有機材料を有機ＥＬ基板に蒸着させる蒸着工程を行う。この場合、高い画素密度を有する有機ＥＬ表示装置を精密に作製するためには、蒸着マスクの貫通孔の位置や形状を設計に沿って精密に再現することや、蒸着マスクの厚みを小さくすることが求められる。

　蒸着マスクの製造方法としては、例えば特許文献１に開示されているように、フォトリソグラフィー技術を用いたエッチングによって金属板に貫通孔を形成する方法が知られている。例えば、はじめに、金属板の第１面上に第１レジストパターンを形成し、また金属板の第２面上に第２レジストパターンを形成する。次に、金属板の第１面のうち第１レジストパターンによって覆われていない領域をエッチングして、金属板の第１面に第１開口部を形成する。その後、金属板の第２面のうち第２レジストパターンによって覆われていない領域をエッチングして、金属板の第２面に第２開口部を形成する。この際、第１開口部と第２開口部とが通じ合うようにエッチングを行うことにより、金属板を貫通する貫通孔を形成することができる。

　その他にも、蒸着マスクの製造方法として、例えば特許文献２に開示されているように、めっき処理を利用して蒸着マスクを製造する方法が知られている。例えば特許文献２に記載の方法においては、はじめに、導電性を有する基材を準備する。次に、基材の上に、所定の隙間を空けてレジストパターンを形成する。このレジストパターンは、蒸着マスクの貫通孔が形成されるべき位置に設けられている。その後、レジストパターンの隙間にめっき液を供給して、電解めっき処理によって基材の上に金属層を析出させる。その後、金属層を基材から分離させることにより、複数の貫通孔が形成された蒸着マスクを得ることができる。

特許第５３８２２５９号公報特開２００１－２３４３８５号公報

　ところで、蒸着マスクは、有機ＥＬ基板への蒸着工程を行った後、蒸着材料が付着する傾向にある。付着した蒸着材料はシャドーになり、次の蒸着工程を行う際に、蒸着材料の利用効率を低下させ得る。このことにより、付着した蒸着材料を除去するために、蒸着マスクの超音波洗浄を行う場合がある。この場合、洗浄時に照射される超音波によって、蒸着マスクの両面が変形し、凹みが形成される可能性がある。

　ところで、蒸着マスクは、上述したように、画素密度を高くするために、開口率を増大させたり、厚みを小さくしたりする場合がある。この場合、蒸着マスクの超音波洗浄に対する強度が低下し、蒸着マスクの両面に凹みが形成される可能性が高まる。このような凹みが形成されると、超音波洗浄時に発生するキャビテーションによって、蒸着マスクが破断するという可能性も考えられる。

　本発明は、このような課題を考慮してなされたものであり、超音波洗浄時に変形することを抑制できる蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法および金属板を提供することを目的とする。

　本発明は、
　被蒸着基板に蒸着材料を蒸着させる蒸着マスクであって、
　マスク本体と、
　前記マスク本体に設けられ、前記蒸着材料を前記被蒸着基板に蒸着させる際に前記蒸着材料が通過する貫通孔と、を備え、
　前記マスク本体は、インデンテーション弾性率をｘ（ＧＰａ）、０．２％耐力をｙ（ＭＰａ）としたときに、
　ｙ≧９５０、かつ、ｙ≧２３ｘ－１２８０
を満たしていることを特徴とする蒸着マスク、
である。

　また、本発明は、
　被蒸着基板に蒸着材料を蒸着させる蒸着マスクであって、
　マスク本体と、
　前記マスク本体に設けられ、前記蒸着材料を前記被蒸着基板に蒸着させる際に前記蒸着材料が通過する貫通孔と、を備え、
　前記マスク本体は、インデンテーション弾性率をｘ（ＧＰａ）、インデンテーション硬度をｚ（ＧＰａ）としたときに、
　ｚ≧３．７、かつ、ｚ≧０．１ｘ－６．０
を満たしていることを特徴とする蒸着マスク、
である。

　本発明による蒸着マスクにおいて、
　前記マスク本体の厚みは、１５μｍ以下である、
ようにしてもよい。

　本発明による蒸着マスクにおいて、
　前記蒸着マスクは、めっき処理によって作製されている、
ようにしてもよい。

　本発明による蒸着マスクにおいて、
　前記マスク本体は、第１金属層と、前記第１金属層上に設けられた第２金属層と、を有している、
ようにしてもよい。

　また、本発明は、
　被蒸着基板に蒸着材料を蒸着させる蒸着マスクを製造する蒸着マスクの製造方法であって、
　基材上に、めっき処理によって、前記蒸着材料を前記被蒸着基板に蒸着させる際に前記蒸着材料が通過する貫通孔が設けられたマスク本体を形成する工程と、
　前記マスク本体を前記基材から分離させる工程と、を備え、
　前記マスク本体は、インデンテーション弾性率をｘ（ＧＰａ）、０．２％耐力をｙ（ＭＰａ）としたときに、
　ｙ≧９５０、かつ、ｙ≧２３ｘ－１２８０
を満たしていることを特徴とする蒸着マスクの製造方法、
である。

　また、本発明は、
　被蒸着基板に蒸着材料を蒸着させる蒸着マスクを製造する蒸着マスクの製造方法であって、
　基材上に、めっき処理によって、前記蒸着材料を前記被蒸着基板に蒸着させる際に前記蒸着材料が通過する貫通孔が設けられたマスク本体を形成する工程と、
　前記マスク本体を前記基材から分離させる工程と、を備え、
　前記マスク本体は、インデンテーション弾性率をｘ（ＧＰａ）、インデンテーション硬度をｚ（ＧＰａ）としたときに、
　ｚ≧３．７、かつ、ｚ≧０．１ｘ－６．０
を満たしていることを特徴とする蒸着マスクの製造方法、
である。

　本発明による蒸着マスクの製造方法において、
　前記マスク本体を形成する工程は、
　前記貫通孔を構成する第１開口部が設けられた第１金属層を形成する第１成膜工程と、　前記第１開口部に連通する第２開口部が設けられた第２金属層を前記第１金属層上に形成する第２成膜工程であって、前記第１金属層と前記第２金属層とを有する前記マスク本体を得る第２成膜工程と、を有している、
ようにしてもよい。

　本発明による蒸着マスクの製造方法において、
　前記第２成膜工程は、
　前記基材上および前記第１金属層上に、所定の隙間を空けてレジストパターンを形成するレジスト形成工程と、
　前記レジストパターンの前記隙間において前記第１金属層上に、第２金属層を析出させるめっき処理工程と、を含み、
　前記レジスト形成工程は、前記第１金属層の前記第１開口部が前記レジストパターンによって覆われるとともに、前記レジストパターンの前記隙間が前記第１金属層上に位置するように実施される、
ようにしてもよい。

　本発明による蒸着マスクの製造方法において、
　前記第２成膜工程の前記めっき処理工程は、前記第１金属層に電流を流すことによって前記第１金属層上に前記第２金属層を析出させる電解めっき処理工程を含む、
ようにしてもよい。

　本発明による蒸着マスクの製造方法において、
　前記基材は、絶縁性を有しており、
　前記基材上には、前記第１金属層に対応するパターンを有する導電性パターンが形成されており、
　前記第１成膜工程は、前記導電性パターン上に前記第１金属層を析出させるめっき処理工程を含む、
ようにしてもよい。

　本発明による蒸着マスクの製造方法において、
　前記第１成膜工程の前記めっき処理工程は、前記導電性パターンに電流を流すことによって前記導電性パターン上に前記第１金属層を析出させる電解めっき処理工程を含む、
ようにしてもよい。

　本発明による蒸着マスクの製造方法において、
　前記第１成膜工程は、
　前記基材上に、所定の隙間を空けてレジストパターンを形成するレジスト形成工程と、　前記レジストパターンの前記隙間において前記基材上に、第１金属層を析出させるめっき処理工程と、を含み、
　前記基材の表面のうち前記第１金属層が析出する部分は、導電性を有する導電層によって構成されている、
ようにしてもよい。

　本発明による蒸着マスクの製造方法において、
　前記第１成膜工程の前記めっき処理工程は、前記基材に電流を流すことによって前記基材上に前記第１金属層を析出させる電解めっき処理工程を含む、
ようにしてもよい。

　また、本発明は、
　被蒸着基板に蒸着材料を蒸着させる蒸着マスクを製造するために用いられる金属板であって、
　インデンテーション弾性率をｘ（ＧＰａ）、０．２％耐力をｙ（ＭＰａ）としたときに、
　ｙ≧９５０、かつ、ｙ≧２３ｘ－１２８０
を満たしていることを特徴とする金属板、
である。

　また、本発明は、
　被蒸着基板に蒸着材料を蒸着させる蒸着マスクを製造するために用いられる金属板であって、
　インデンテーション弾性率をｘ（ＧＰａ）、インデンテーション硬度をｚ（ＧＰａ）としたときに、
　ｚ≧３．７、かつ、ｚ≧０．１ｘ－６．０
を満たしていることを特徴とする金属板、
である。

　本発明によれば、超音波洗浄時に変形することを抑制できる。

図１は、本発明の実施の形態において、蒸着マスクを含む蒸着マスク装置の一例を示す概略平面図。図２は、図１に示す蒸着マスク装置を用いて蒸着する方法を説明するための図。図３は、図１に示された蒸着マスクを示す部分平面図。図４は、形態１における図３のＡ－Ａ線に沿った断面図。図５は、図４に示す蒸着マスクの第１部分および第２部分の一部を拡大して示す断面図。図６は、表面および裏面を有する基材を示す断面図。図７は、基材の表面上に表面処理用レジストパターンを形成する表面処理用レジスト形成工程を示す断面図。図８は、基材の表面上に表面処理液を供給する表面処理工程を示す断面図。図９Ａは、被処理領域からなる高密着性領域が形成された基材を示す断面図。図９Ｂは、被処理領域からなる高密着性領域が形成された基材を示す平面図。図１０Ａは、基材の表面上にめっき用レジストパターンを形成するめっき用レジスト形成工程を示す断面図。図１０Ｂは、図１０Ａのめっき用レジストパターンを示す平面図。図１１は、基材の表面上に、貫通孔が形成された金属層を析出させるめっき処理工程を示す断面図。図１２は、めっき用レジストパターンを除去する除去工程を示す図。図１３Ａは、貫通孔が形成された金属層を基材から分離させることによって得られた蒸着マスクを示す図。図１３Ｂは、図１３Ａの蒸着マスクを第２面側から見た場合を示す平面図。図１４は、形態２における図３のＡ－Ａ線に沿った断面図。図１５Ａは、図１４に示す蒸着マスクの第１金属層および第２金属層の一部を拡大して示す断面図。図１５Ｂは、図１５Ａに示す第１金属層および第２金属層の一部を更に拡大して示す模式断面図。図１６は、基材上に形成された導電性パターンを含むパターン基板を示す断面図。図１７Ａは、導電性パターン上に第１金属層を析出させる第１めっき処理工程を示す断面図。図１７Ｂは、図１７Ａの第１金属層を示す平面図。図１８Ａは、パターン基板上および第１金属層上にレジストパターンを形成するレジスト形成工程を示す断面図。図１８Ｂは、図１８Ａのレジストパターンを示す平面図。図１９は、第１金属層上に第２金属層を析出させる第２めっき処理工程を示す断面図。図２０は、レジストパターンを除去する除去工程を示す図。図２１Ａは、金属層組合体をパターン基板から分離させる分離工程を示す図。図２１Ｂは、図１１Ａの蒸着マスクを第２面側から見た場合を示す平面図。図２２は、形態３における表面および裏面を有する基材を示す断面図。図２３は、基材上に第１レジストパターンを形成する第１レジスト形成工程を示す図。図２４は、基材上に第１金属層を析出させる第１めっき処理工程を示す断面図。図２５は、第１レジストパターン上および第１金属層上に第２レジストパターンを形成する第２レジスト形成工程を示す断面図。図２６は、第１金属層上に第２金属層を析出させる第２めっき処理工程を示す断面図。図２７は、第１レジストパターンおよび第２レジストパターンを除去する除去工程を示す図。図２８は、金属層組合体をパターン基板から分離させる分離工程を示す図。図２９は、形態４における蒸着マスクの断面形状の一例を示す図。図３０は、図２９に示す蒸着マスクをエッチングによって製造する方法の一例の一工程を示す図。図３１は、図２９に示す蒸着マスクをエッチングによって製造する方法の一例の一工程を示す図。図３２は、図２９に示す蒸着マスクをエッチングによって製造する方法の一例の一工程を示す図。図３３は、図２９に示す蒸着マスクをエッチングによって製造する方法の一例の一工程を示す図。図３４は、サンプルのインデンテーション弾性率を測定する際の、圧子の押込量の推移を示すグラフ。図３５は、サンプルの超音波試験方法を説明するための図。図３６は、各サンプルのインデンテーション弾性率と０．２％耐力との関係を示す図。図３７は、各サンプルのインデンテーション弾性率とインデンテーション硬度との関係を示す図。

　以下、図面を参照して本発明の一実施の形態について説明する。なお、本件明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。

　図１～図３３は、本発明による一実施の形態およびその変形例を説明するための図である。以下の実施の形態およびその変形例では、有機ＥＬ表示装置を製造する際に有機材料を所望のパターンで基板上にパターニングするために用いられる蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法および金属板を例にあげて説明する。ただし、このような適用に限定されることなく、種々の用途に用いられる蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法および金属板に対し、本発明を適用することができる。

　なお、本明細書において、「板」、「シート」、「フィルム」の用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。例えば、「板」はシートやフィルムと呼ばれ得るような部材も含む概念である。

　また、「板面（シート面、フィルム面）」とは、対象となる板状（シート状、フィルム状）の部材を全体的かつ大局的に見た場合において対象となる板状部材（シート状部材、フィルム状部材）の平面方向と一致する面のことを指す。また、板状（シート状、フィルム状）の部材に対して用いる法線方向とは、当該部材の板面（シート面、フィルム面）に対する法線方向のことを指す。

　さらに、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件および物理的特性並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」、「直交」、「同一」、「同等」等の用語や長さや角度並びに物理的特性の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。

　（蒸着マスク装置）
　まず、蒸着マスクを含む蒸着マスク装置の一例について、図１～図３を参照して説明する。ここで、図１は、蒸着マスクを含む蒸着マスク装置の一例を示す平面図であり、図２は、図１に示す蒸着マスク装置の使用方法を説明するための図である。図３は、蒸着マスクを第１面の側から示す平面図である。

　図１及び図２に示された蒸着マスク装置１０は、平面視において略矩形状の形状を有する複数の蒸着マスク２０と、複数の蒸着マスク２０の周縁部に取り付けられたフレーム１５と、を備えている。各蒸着マスク２０には、蒸着マスク２０を貫通する複数の貫通孔２５が設けられている。この蒸着マスク装置１０は、図２に示すように、蒸着マスク２０が蒸着対象物である基板、例えば有機ＥＬ基板（被蒸着基板）９２の下面に対面するようにして蒸着装置９０内に支持され、有機ＥＬ基板９２への蒸着材料の蒸着に使用される。

　蒸着装置９０内では、不図示の磁石からの磁力によって、蒸着マスク２０と有機ＥＬ基板９２とが密着するようになる。蒸着装置９０内には、蒸着マスク装置１０の下方に、蒸着材料（一例として、有機発光材料）９８を収容するるつぼ９４と、るつぼ９４を加熱するヒータ９６とが配置されている。蒸着装置９０内を高真空に減圧した後、るつぼ９４内の蒸着材料９８は、ヒータ９６からの加熱により、気化または昇華して有機ＥＬ基板９２の表面に付着するようになる。上述したように、蒸着マスク２０には多数の貫通孔２５が形成されており、蒸着材料９８を有機ＥＬ基板９２に蒸着させる際、蒸着材料９８はこの貫通孔２５を通過して有機ＥＬ基板９２に付着する。この結果、蒸着マスク２０の貫通孔２５の位置に対応した所望のパターンで、蒸着材料９８が有機ＥＬ基板９２の表面に成膜される。図２において、蒸着マスク２０の面のうち蒸着工程の際に有機ＥＬ基板９２と対向する面（以下、第１面とも称する）が符号２０ａで表されている。また、蒸着マスク２０の面のうち第１面２０ａの反対側に位置する面（以下、第２面とも称する）が符号２０ｂで表されている。第２面２０ｂ側には、蒸着材料９８の蒸着源（ここではるつぼ９４）が配置される。

　上述したように、本実施の形態では、貫通孔２５が各有効領域２２において所定のパターンで配置されている。なお、複数の色によるカラー表示を行いたい場合には、各色に対応する蒸着マスク２０が搭載された蒸着機をそれぞれ準備し、有機ＥＬ基板９２を各蒸着機に順に投入する。これによって、例えば、赤色用の有機発光材料、緑色用の有機発光材料および青色用の有機発光材料を順に有機ＥＬ基板９２に蒸着させることができる。

　なお、蒸着マスク装置１０のフレーム１５は、矩形状の蒸着マスク２０の周縁部に取り付けられている。フレーム１５は、蒸着マスク２０が撓んでしまうことがないように蒸着マスク２０を張った状態に保持する。蒸着マスク２０とフレーム１５とは、例えばスポット溶接により互いに対して固定されている。

　ところで蒸着処理は、高温雰囲気となる蒸着装置９０の内部で実施される場合がある。この場合、蒸着処理の間、蒸着装置９０の内部に保持される蒸着マスク２０、フレーム１５および有機ＥＬ基板９２も加熱される。この際、蒸着マスク２０、フレーム１５および有機ＥＬ基板９２は、各々の熱膨張係数に基づいた寸法変化の挙動を示すことになる。この場合、蒸着マスク２０やフレーム１５と有機ＥＬ基板９２の熱膨張係数が大きく異なっていると、それらの寸法変化の差異に起因した位置ずれが生じ、この結果、有機ＥＬ基板９２上に付着する蒸着材料の寸法精度や位置精度が低下してしまう。このような課題を解決するため、蒸着マスク２０およびフレーム１５の熱膨張係数が、有機ＥＬ基板９２の熱膨張係数と同等の値であることが好ましい。例えば、有機ＥＬ基板９２としてガラス基板が用いられる場合、蒸着マスク２０およびフレーム１５の主要な材料として、ニッケルを含む鉄合金を用いることができる。具体的には、３４～３８質量％のニッケルを含むインバー材や、ニッケルに加えてさらにコバルトを含むスーパーインバー材などの鉄合金を、蒸着マスク２０を構成する後述する第１部分３２および第２部分３７を含む金属層２８や金属板２１の材料として用いることができる。なお本明細書において、「～」という記号によって表現される数値範囲は、「～」という符号の前後に置かれた数値を含んでいる。例えば、「３４～３８質量％」という表現によって画定される数値範囲は、「３４質量％以上かつ３８質量％以下」という表現によって画定される数値範囲と同一である。

　なお蒸着処理の際に、蒸着マスク２０、フレーム１５および有機ＥＬ基板９２の温度が高温には達しない場合は、蒸着マスク２０およびフレーム１５の熱膨張係数を有機ＥＬ基板９２の熱膨張係数と同等の値にする必要は特にない。この場合、蒸着マスク２０を構成する後述する第１部分３２および第２部分３７を含む金属層２８や金属板２１の材料として、ニッケルやニッケル－コバルト合金など、上述の鉄合金以外の様々な材料を用いることができる。

　（蒸着マスク）
　次に、蒸着マスク２０について、図３～図４を参照して詳細に説明する。図１に示すように、本実施の形態において、蒸着マスク２０は、平面視において略四角形形状、さらに正確には平面視において略矩形状の輪郭を有している。蒸着マスク２０は、規則的な配列で貫通孔２５が形成された有効領域２２と、有効領域２２を取り囲む周囲領域２３と、を含んでいる。周囲領域２３は、有効領域２２を支持するための領域であり、有機ＥＬ基板９２へ蒸着されることを意図された蒸着材料が通過する領域ではない。例えば、有機ＥＬ表示装置用の有機発光材料の蒸着に用いられる蒸着マスク２０においては、有効領域２２は、有機発光材料が蒸着して画素を形成するようになる有機ＥＬ基板９２の表示領域となる区域に対面する、蒸着マスク２０内の領域のことである。ただし、種々の目的から、周囲領域２３に貫通孔や凹部が形成されていてもよい。図１に示された例において、各有効領域２２は、平面視において略四角形形状、さらに正確には平面視において略矩形状の輪郭を有している。なお図示はしないが、各有効領域２２は、有機ＥＬ基板９２の表示領域の形状に応じて、様々な形状の輪郭を有することができる。例えば各有効領域２２は、円形状の輪郭を有していてもよい。

　図示された例において、蒸着マスク２０の複数の有効領域２２は、蒸着マスク２０の長手方向と平行な一方向に沿って所定の間隔を空けて一列に配列されている。図示された例では、一つの有効領域２２が一つの有機ＥＬ表示装置に対応するようになっている。すなわち、図１に示された蒸着マスク装置１０（蒸着マスク２０）によれば、多面付蒸着が可能となっている。

　本実施の形態による蒸着マスク２０は、マスク本体と、マスク本体に設けられた複数の貫通孔２５と、を備えている。ここで、マスク本体とは、貫通孔２５が形成されていない状態の金属製の部材であって、板状に形成された部材を意味する概念として用いており、蒸着マスクが後述するめっき処理によって作製される１層構造を有する場合の金属層２８に相当し、後述するめっき処理によって作製される２層構造を有する場合の金属層組合体２８’に相当し、また後述するエッチング処理によって作製される場合の金属板２１に相当する概念である。図３に示すように、図示された例において、各有効領域２２に形成された複数の貫通孔２５は、当該有効領域２２において、互いに直交する二方向に沿ってそれぞれ所定のピッチで配列されている。この貫通孔２５の形状などについて、以下に詳細に説明する。ここでは、蒸着マスク２０がめっき処理またはエッチングによって形成される場合の、貫通孔２５の形状などについて、それぞれ説明する。

〔形態１　めっき処理によって作製された１層構造を有する蒸着マスク〕
　はじめに、蒸着マスク２０がめっき処理によって作製された１層構造を有する場合について説明する。図４は、めっき処理によって作製された１層構造の蒸着マスク２０を、図３のＡ－Ａ線に沿って切断した場合を示す断面図である。

　この形態における蒸着マスク２０は、図３および図４に示すように、金属層２８（マスク本体）と、金属層２８に設けられた複数の上述した貫通孔２５と、を備えている。

　このうち金属層２８は、インデンテーション弾性率をｘ（ＧＰａ）、０．２％耐力をｙ（ＭＰａ）としたときに、
　ｙ≧９５０、かつ、ｙ≧２３ｘ－１２８０　・・・（１）
を満たしている。ここで、インデンテーション弾性率とは、極小領域の弾性率を評価するためのナノ・インデンテーション試験によって算出される弾性率である。弾性率の指標としてインデンテーション弾性率を採用することにより、金属層２８の厚みが小さい場合であっても、その弾性率を適切に評価することができる。０．２％耐力とは、除荷時の永久ひずみが０．２％となる応力を言う。

　あるいは、金属層２８は、インデンテーション弾性率をｘ（ＧＰａ）、インデンテーション硬度をｚ（ＧＰａ）としたときに、
　　ｚ≧３．７、かつ、ｚ≧０．１ｘ－６．０　・・・（１）
を満たしている。ここで、インデンテーション硬度とは、上記ナノ・インデンテーション試験によって算出される硬度である。硬度の指標としてインデンテーション硬度を採用することにより、金属層２８の厚みが小さい場合であっても、その硬度を適切に評価することができる。

　ここで、本明細書では、金属層２８が上記式（１）を満たしているとは、貫通孔２５が形成されていない状態の金属層２８が上記式（１）を満たしていることを意味し、貫通孔２５が形成された状態の金属層２８が上記式（１）を満たしていることを意味するものではない、とする。従って、本明細書では、蒸着マスク２０が、上記式（１）を満たしている金属層２８に、貫通孔２５が形成されたという構成を有している、と言うことができる。貫通孔２５が形成された状態の金属層２８では、インデンテーション弾性率や０．２％耐力（若しくは、インデンテーション硬度）が、貫通孔２５の大きさ、ピッチ、形状等によって影響を受けると考えられる。このため、蒸着マスク２０の完成形として、金属層２８に複数の貫通孔２５が形成された状態においては、上記式（１）を満たす金属層２８の領域は、貫通孔２５が形成されていない領域、より詳細にはインデンテーション弾性率および０．２％耐力（若しくは、インデンテーション硬度）に貫通孔２５の影響が及ばない領域であって、例えば、上述した周囲領域２３のうち貫通孔２５の影響が及ばない領域や、有効領域２２のうち互いに隣り合う貫通孔２５同士の間の領域であって貫通孔２５の影響が及ばない領域となる。従って、蒸着マスク２０の完成形から金属層２８のインデンテーション弾性率および０．２％耐力（若しくは、インデンテーション硬度）を調べる場合には、周囲領域２３のうち貫通孔２５が含まれない領域を切り取って、後述するナノ・インデンテーション試験、および０．２％耐力を調べる場合には引張試験を行うことが好適である。また、有効領域２２であっても、互いに隣り合う貫通孔２５同士の間の距離が、ナノ・インデンテーション試験、および０．２％耐力を調べる場合の引張試験を行うことが可能な程度の距離であれば、貫通孔２５同士の間の領域を切り取ってもよい。なお、材料特性の点で述べると、一般的に蒸着マスク２０の金属層２８は、材料の組成や材質が位置によって異なることはない。このため、貫通孔２５に近い位置と、貫通孔２５から離れた位置とで、材料の特性が異なることはない。

　蒸着マスク２０の貫通孔２５は、第１面２０ａ側に位置し、第１面２０ａにおいて開口寸法Ｓ１を有する第１開口部３０と、第２面２０ｂ側に位置し、第２面２０ｂにおいて開口寸法Ｓ２を有する第２開口部３５と、を含んでいる。言い換えると、第１面２０ａ側の第１開口部３０と第２面２０ｂ側の第２開口部３５とが互いに連通することにより、貫通孔２５が形成されている。図４において、蒸着マスク２０の有効領域２２のうち、第１面２０ａ側の第１開口部３０の輪郭を画定している部分（以下、第１部分とも称する）が符号３２で表され、第２面２０ｂ側の第２開口部３５の輪郭を画定している部分（以下、第２部分とも称する）が符号３７で表されている。第１部分３２および第２部分３７は例えば、後述するめっき処理工程において基材５１の表面５１ａ上に析出する金属層２８として同時に形成される。

　図３に示すように、貫通孔２５を構成する第１開口部３０や第２開口部３５は、平面視において略多角形状になっていてもよい。ここでは第１開口部３０および第２開口部３５が、略四角形状、より具体的には略正方形状になっている例が示されている。また図示はしないが、第１開口部３０や第２開口部３５は、略六角形状や略八角形状など、その他の略多角形状になっていてもよい。なお「略多角形状」とは、多角形の角部が丸められている形状を含む概念である。また図示はしないが、第１開口部３０や第２開口部３５は、円形状になっていてもよい。また、平面視において第２開口部３５が第１開口部３０を囲う輪郭を有する限りにおいて、第１開口部３０の形状と第２開口部３５の形状が相似形になっている必要はない。

　図５は、図４の金属層２８の第１部分３２および第２部分３７を拡大して示す図である。後述するように、第１部分３２は、基材５１の低密着性領域５６とめっき用レジストパターン６０の第１面６１との間において析出した金属によって形成される部分である。一方、第２部分３７は、めっき用レジストパターン６０の隙間６４において析出した金属によって形成される部分である。図５においては、第１部分３２と第２部分３７との間の仮想的な境界線が一点鎖線で示されている。また、第１部分３２によって画定される第１開口部３０の壁面３１と、第２部分３７によって画定される第２開口部３５の壁面３６とが接する接続部が符号４０で表されている。なお「壁面３１」とは、第１部分３２の面のうち第１開口部３０を画成する面のことである。上述の「壁面３６」も同様に、第２部分３７の面のうち第２開口部３５を画成する面のことである。

　図５に示すように、蒸着マスク２０の第２面２０ｂにおける金属層２８の幅Ｍ２は、蒸着マスク２０の第１面２０ａにおける金属層２８の幅Ｍ１よりも小さくなっている。言い換えると、第２面２０ｂにおける貫通孔２５（第２開口部３５）の開口寸法Ｓ２は、第１面２０ａにおける貫通孔２５（第１開口部３０）の開口寸法Ｓ１よりも大きくなっている。以下、このように金属層２８を構成することの利点について説明する。

　蒸着マスク２０の第２面２０ｂ側から飛来する蒸着材料９８は、貫通孔２５の第２開口部３５および第１開口部３０を順に通過して有機ＥＬ基板９２に付着する。有機ＥＬ基板９２のうち蒸着材料９８が付着する領域は、第１面２０ａにおける貫通孔２５の開口寸法Ｓ１や開口形状によって主に定められる。ところで、図４において第２面２０ｂ側から第１面２０ａへ向かう矢印Ｌ１で示すように、蒸着材料９８は、るつぼ９４から有機ＥＬ基板９２に向けて蒸着マスク２０の法線方向Ｎに沿って移動するだけでなく、蒸着マスク２０の法線方向Ｎに対して大きく傾斜した方向に移動することもある。ここで、仮に第２面２０ｂにおける貫通孔２５の開口寸法Ｓ２が第１面２０ａにおける貫通孔２５の開口寸法Ｓ１と同一であるとすると、蒸着マスク２０の法線方向Ｎに対して大きく傾斜した方向に移動する蒸着材料９８の多くは、貫通孔２５を通過して有機ＥＬ基板９２に到達するよりも前に、貫通孔２５の第２開口部３５の壁面３６に到達して付着してしまう。従って、蒸着材料９８の利用効率を高めるためには、第２開口部３５の開口寸法Ｓ２を大きくすること、すなわち第２面２０ｂ側における金属層２８の幅Ｍ２を小さくすることが好ましいと言える。

　図４において、第２部分３７の端部３９および第１部分３２の端部３４を通る直線Ｌ１が、蒸着マスク２０の法線方向Ｎに対してなす角度が、符号θ１で表されている。斜めに移動する蒸着材料９８を、第２開口部３５の壁面３６に到達させることなく可能な限り有機ＥＬ基板９２に到達させるためには、角度θ１を大きくすることが有利となる。角度θ１を大きくする上では、第１面２０ａ側における金属層２８の幅Ｍ１に比べて第２面２０ｂ側における金属層２８の幅Ｍ２を小さくすることが有効である。また図から明らかなように、角度θ１を大きくする上では、第１部分３２の厚みＴ１や第２部分３７の厚みＴ２を小さくすることも有効である。ここで「第１部分３２の厚みＴ１」は、第１部分３２と第２部分３７との境界における第１部分３２の厚みを意味している。また図５から明らかなように、第２部分３７の厚みＴ２は、蒸着マスク２０の有効領域２２を構成する金属層２８の厚みと同義である。なお幅Ｍ２や厚みＴ１、厚みＴ２を過剰に小さくしてしまうと、蒸着マスク２０の強度が低下し、このため搬送時や使用時に蒸着マスク２０が破損してしまうことが考えられる。例えば、蒸着マスク２０をフレーム１５に張設する際に蒸着マスク２０に加えられる引張り応力によって、蒸着マスク２０が破損してしまうことが考えられる。これらの点を考慮すると、蒸着マスク２０の各部分の幅や厚みが以下の範囲に設定されることが好ましいと言える。これによって、上述の角度θ１を例えば４５°以上にすることができる。

　・第１面２０ａ側における金属層２８の幅Ｍ１：５～２５μｍ
　・第２面２０ｂ側における金属層２８の幅Ｍ２：２～２０μｍ
　・第１部分３２の厚みＴ１：５μｍ以下
　・第２部分３７の厚みＴ２：１～５０μｍ、より好ましくは３～３０μｍ、さらに好ましくは３～２５μｍ、さらに好ましくは３～１５μｍ
　・厚みＴ１と厚みＴ２との差ΔＴ：０．１～５０μｍ、より好ましくは３～３０μｍ、さらに好ましくは３～２５μｍ、さらに好ましくは３～１５μｍ
とりわけ、第２部分３７の厚みＴ２を１５μｍ以下とすることにより、後述する圧延材で作製された蒸着マスク２０では得ることが困難な厚みで蒸着マスク２０を作製することができる。この場合、シャドーの影響を低減し、蒸着材料の利用効率を向上させることが可能な蒸着マスク２０を得ることができる。

　表１に、５インチの有機ＥＬ表示装置において、表示画素数、および表示画素数に応じて求められる、蒸着マスク２０の各部分の幅や厚みの値の例を示す。なお「FHD」は、Full High Definitionを意味し、「WQHD」は、Wide Quad High Definitionを意味し、「UHD」は、Ultra High Definitionを意味している。

　次に、第１部分３２の形状についてより詳細に説明する。仮に図５において点線で示すように、端部３４において第１部分３２が、第２面２０ｂ側へ向かって大きく切り立った形状を有している場合、貫通孔２５の第２開口部３５を通過した後の蒸着材料９８の多くが第１部分３２の壁面３１に到達して付着してしまうことが考えられる。このような、端部３４近傍における第１部分３２への蒸着材料９８の付着を抑制するため、図５に示すように、第１部分３２は、端部３４およびその近傍において、第１部分３２のうち第２部分３７に接する部分における厚みＴ１よりも小さな厚みを有することが好ましい。例えば図５に示すように、第１部分３２の厚みが、第１部分３２のうち第２部分３７に接する部分から端部３４に向かうにつれて単調に減少していることが好ましい。このような第１部分３２の形状は、後述するように、めっき処理によって第１部分３２を形成することによって実現され得る。

　（蒸着マスクの製造方法）
　次に、以上のような構成からなる蒸着マスク２０を製造する方法について、図６～図１３Ｂを参照して説明する。

　まず、後述する基材５１上に、めっき処理によって、貫通孔２５が設けられた金属層２８（マスク本体）を形成する工程（成膜工程）が実施される。当該成膜工程は、後述する準備工程と、表面処理用レジスト形成工程と、表面処理工程と、めっき用レジスト形成工程と、めっき処理工程と、を有している。

　（準備工程）
　はじめに図６に示すように、めっき処理の際の下地となる基材５１を準備する準備工程を実施する。ここでは、めっき処理が電解めっき処理である例について説明する。この場合、基材５１の表面５１ａのうち少なくとも金属層２８が析出する部分は、導電性を有する導電層によって構成されている。例えば基材５１全体が、導電性を有する導電層によって構成されていてもよい。この場合、基材５１のうち表面５１ａの反対側に位置する裏面５１ｂには、裏面５１ｂが他の部材と導通してしまうことを防ぐための、絶縁性を有するカバーフィルム５２が設けられていてもよい。

　後述するめっき処理の際に所定の金属を析出させることができる限りにおいて、基材５１の導電層を構成する材料が特に限られることはない。例えば、基材５１の導電層を構成する材料としては、金属材料や酸化物導電性材料等の導電性を有する材料が適宜用いられる。金属材料の例としては、例えばステンレススチールや銅などを挙げることができる。好ましくは、後述するめっき用レジストパターン６０に対する高い密着性を有する材料が、基材５１の導電層を構成する材料として用いられる。例えばめっき用レジストパターン６０が、アクリル系光硬化性樹脂を含むレジスト膜など、いわゆるドライフィルムと称されるものをパターニングすることによって作製される場合、基材５１の導電層を構成する材料として、ドライフィルムに対する高い密着性を有する銅が用いられることが好ましい。

　準備工程においては、基材５１を準備した後、基材５１の表面５１ａに高密着性領域５５および低密着性領域５６を形成する工程を実施する。ここで「高密着性領域５５および低密着性領域５６」は、高密着性領域５５に対する、後述するめっき用レジストパターン６０の第１面６１の密着力が、低密着性領域５６に対するめっき用レジストパターン６０の第１面６１の密着力よりも相対的に高くなるよう構成された領域として定義される。図９Ａおよび図９Ｂは、高密着性領域５５および低密着性領域５６が形成された基材５１を示す断面図および平面図である。高密着性領域５５は、めっき処理によって基材５１の表面５１ａ上に作製される蒸着マスク２０の第１面２０ａ側の第１開口部３０に対応する領域である。図９Ａおよび図９Ｂに示すように、高密着性領域５５は、基材５１の表面５１ａ上に複数形成される。また各高密着性領域５５は、第１開口部３０に対応する形状、例えば略矩形形状を有している。一方、低密着性領域５６は、各高密着性領域５５を取り囲むよう形成される。高密着性領域５５および低密着性領域５６とめっき用レジストパターン６０との間の密着力の評価方法としては、例えば、ＪＩＳ　Ｋ５４００－８に記載の碁盤目試験、ＪＩＳ－５６００－５－６に記載のクロスカット法、ＪＩＳ　Ｋ５６００－５－７に記載のプルオフ法などを用いることができる。

　（表面処理用レジスト形成工程）
　以下、基材５１上に高密着性領域５５および低密着性領域５６を形成する方法の一例について、図７および図８を参照して説明する。はじめに図７に示すように、基材５１の表面５１ａのうち低密着性領域５６に対応する領域の上に表面処理用レジストパターン５３を形成する表面処理用レジスト形成工程を実施する。言い換えると、基材５１の表面５１ａのうち高密着性領域５５に対応する領域に隙間５３ａが空けられるよう、基材５１の表面５１ａ上に表面処理用レジストパターン５３を設ける。具体的には、はじめに、基材５１の表面５１ａにドライフィルムを貼り付けることによって、ネガ型のレジスト膜を形成する。ドライフィルムの例としては、例えば日立化成製のＲＹ３３１０など、アクリル系光硬化性樹脂を含むものを挙げることができる。次に、レジスト膜のうち隙間５３ａとなるべき領域に光を透過させないようにした露光マスクを準備し、露光マスクをレジスト膜上に配置する。その後、真空密着によって露光マスクをレジスト膜に十分に密着させる。なおレジスト膜として、ポジ型のものが用いられてもよい。この場合、露光マスクとして、レジスト膜のうちの除去したい領域に光を透過させるようにした露光マスクが用いられる。

　その後、レジスト膜を露光マスク越しに露光する。さらに、露光されたレジスト膜に像を形成するためにレジスト膜を現像する。以上のようにして、図７に示す表面処理用レジストパターン５３を形成することができる。なお、表面処理用レジストパターン５３を基材５１の表面５１ａに対してより強固に密着させるため、現像工程の後に表面処理用レジストパターン５３を加熱する熱処理工程を実施してもよい。

　（表面処理工程）
　次に、図８に示すように、基材５１の表面５１ａのうち表面処理用レジストパターン５３によって覆われていない領域を表面処理して被処理領域５４を形成する表面処理工程を実施する。ここでは、表面処理液として、基材５１の表面５１ａをソフトエッチングすることによって表面５１ａを粗化することができるものが用いられる。例えば表面処理液として、過酸化水素水および硫酸を含む、いわゆる過酸化水素／硫酸系のソフトエッチング剤などが用いられ、具体的にはAtoteck社製のボンドフィルムなどが用いられ得る。このような表面処理液を用いて基材５１の表面５１ａを部分的に粗化することにより、後述するめっき用レジストパターン６０に対する表面５１ａの被処理領域５４の密着力を部分的に高めることができる。すなわち、表面処理液によって表面処理された被処理領域５４が、めっき用レジストパターン６０に対する高い密着力を有する高密着性領域５５となる。また、表面処理用レジストパターン５３によって覆われているために表面処理が施されなかった領域が、めっき用レジストパターン６０に対する密着力が高密着性領域５５に比べて相対的に低い低密着性領域５６となる。高密着性領域５５に施される粗化処理の程度、例えば高密着性領域５５の表面粗さは、高密着性領域５５を構成する材料や後述するめっき用レジストパターン６０を構成する材料などに応じて適宜定められる。例えば、菱化システム社製の走査型白色干渉計VertScanを用いて表面粗さを測定した場合、高密着性領域５５および低密着性領域５６における表面粗さはそれぞれ以下の範囲内になっている。

　なお表２において、「表面積率(s-ratio)」は、高密着性領域５５や低密着性領域５６の表面の起伏や凹凸を考慮しない、表面の二次元的な投影面積に対する、高密着性領域５５や低密着性領域５６の表面の起伏や凹凸を含めた、表面の三次元的な実測面積の比を意味している。

　なお、めっき用レジストパターン６０に対する基材５１の表面５１ａの密着力を部分的に高めることができる限りにおいて、表面処理工程の内容が、上述の粗化処理に限られることはない。例えば表面処理工程は、めっき用レジストパターン６０に対する高い密着性を有する層を、基材５１の表面５１ａのうち表面処理用レジストパターン５３によって覆われていない領域に設ける工程であってもよい。

　その後、表面処理用レジストパターン５３を除去する除去工程を実施する。例えばアルカリ系剥離液を用いることによって、表面処理用レジストパターン５３を基材５１の表面５１ａから剥離させることができる。このようにして、図９Ａおよび図９Ｂに示すように、複数の高密着性領域５５と、高密着性領域５５を取り囲む低密着性領域５６と、に区画された表面５１ａを有する基材５１を準備することができる。

　（めっき用レジスト形成工程）
　次に、基材５１の表面５１ａ上に、所定の隙間６４を空けてめっき用レジストパターン６０を形成するめっき用レジスト形成工程を実施する。図１０Ａおよび図１０Ｂは、めっき用レジストパターン６０が形成された基材５１を示す断面図および平面図である。図１０Ａに示すように、めっき用レジストパターン６０は、基材５１の表面５１ａに対向する第１面６１と、第１面６１の反対側に位置する第２面６２と、隙間６４に面する側面６３と、を含んでいる。

　めっき用レジスト形成工程は、図１０Ａおよび図１０Ｂに示すように、めっき用レジストパターン６０の第１面６１が高密着性領域５５を覆うとともに低密着性領域５６にまで広がり、かつ、めっき用レジストパターン６０の隙間６４が低密着性領域５６上に位置するよう、実施される。この場合、図１０Ａに示すように、めっき用レジストパターン６０の第１面６１は、高密着性領域５５および低密着性領域５６の両方に接し、まためっき用レジストパターン６０の側面６３は低密着性領域５６に接するようになる。なお上述のように高密着性領域５５には粗化処理が施されているので、高密着性領域５５に対するめっき用レジストパターン６０の密着力は、低密着性領域５６に対するめっき用レジストパターン６０の密着力よりも高くなっている。

　後述するように、蒸着マスク２０の第１部分３２は、低密着性領域５６とめっき用レジストパターン６０との間に浸入しためっき液によって形成される。めっき用レジストパターン６０のうち高密着性領域５５から低密着性領域５６へはみ出している部分の幅ｋは、第１面２０ａ上における第１部分３２の幅Ｍ３に対応しており、例えば０．５～５．０μｍの範囲内になっている。

　めっき用レジスト形成工程においては、上述の表面処理用レジスト形成の場合と同様に、はじめに、基材５１の表面５１ａにドライフィルムを貼り付けることによって、ネガ型のレジスト膜を形成する。ドライフィルムの例としては、例えば日立化成製のＲＹ３３１０など、アクリル系光硬化性樹脂を含むものを挙げることができる。次に、レジスト膜のうち隙間６４となるべき領域に光を透過させないようにした露光マスクを準備し、露光マスクをレジスト膜上に配置する。その後、真空密着によって露光マスクをレジスト膜に十分に密着させる。なおレジスト膜として、ポジ型のものが用いられてもよい。この場合、露光マスクとして、レジスト膜のうちの除去したい領域に光を透過させるようにした露光マスクが用いられる。

　その後、レジスト膜を露光マスク越しに露光する。さらに、露光されたレジスト膜に像を形成するためにレジスト膜を現像する。以上のようにして、図１０Ａおよび図１０Ｂに示すめっき用レジストパターン６０を形成することができる。なお、めっき用レジストパターン６０を基材５１の表面５１ａに対して、特に高密着性領域５５に対してより強固に密着させるため、現像工程の後にめっき用レジストパターン６０を加熱する熱処理工程を実施してもよい。また現像工程の後、酸性の溶液などを用いてめっき用レジストパターン６０に囲まれた低密着性領域５６の金属表面を活性化する活性化工程を実施してもよい。これによって、めっき用レジストパターン６０と低密着性領域５６との間の密着性をより低くすることができる。酸性の溶液としては、例えばスルファミン酸を用いることができる。

　（めっき処理工程）
　次に、めっき用レジストパターン６０の隙間６４にめっき液を供給するめっき処理工程を実施する。例えば、めっき用レジストパターン６０が設けられた基材５１を、めっき液が充填されためっき槽に浸してもよい。これによって、図１１に示すように、隙間６４において基材５１の表面５１ａ上に金属層２８を析出させることができる。

　基材５１の表面５１ａ上に金属層２８を析出させることができる限りにおいて、めっき処理工程の具体的な方法が特に限られることとはない。例えば、めっき処理工程は、基材５１の導電層に電流を流すことによって基材５１の表面５１ａの低密着性領域５６上に金属層２８を析出させる、いわゆる電解めっき処理工程として実施されてもよい。若しくは、めっき処理工程は、無電解めっき処理工程であってもよい。なおめっき処理工程が無電解めっき処理工程である場合、基材５１の導電層上には適切な触媒層が設けられる。電解めっき処理工程が実施される場合にも、基材５１の導電層上に触媒層が設けられていてもよい。

　用いられるめっき液の成分は、金属層２８に求められる特性に応じて適宜定められる。例えば金属層２８が、ニッケルを含む鉄合金によって構成される場合、めっき液として、ニッケル化合物を含む溶液と、鉄化合物を含む溶液との混合溶液を用いることができる。例えば、スルファミン酸ニッケルや臭化ニッケルを含む溶液と、スルファミン酸第一鉄を含む溶液との混合溶液を用いることができる。めっき液には、様々な添加剤が含まれていてもよい。添加剤としては、例えば、ホウ酸などのｐｈ緩衝剤や、マロン酸やサッカリンなどの添加剤が含まれていてもよい。その他にも、金属層２８を構成する材料に応じて、例えば、ニッケルおよびコバルトを含むめっき液や、ニッケルを含むめっき液などを用いることができる。

　ところで上述のように、めっき用レジストパターン６０の隙間６４は基材５１の低密着性領域５６上に位置している。まためっき用レジストパターン６０は、高密着性領域５５から低密着性領域５６へはみ出している。この場合、めっき用レジストパターン６０の隙間６４に供給されためっき液は、低密着性領域５６とめっき用レジストパターン６０の第１面６１との間にも浸入し得る。このようなめっき液の浸入が生じるため、図１１に示すように、隙間６４だけでなく、基材５１の低密着性領域５６とめっき用レジストパターン６０の第１面６１との間においても金属（金属層２８）の析出が生じる。このため、めっき処理工程によって基材５１の表面５１ａ上に生じる金属層２８は、めっき用レジストパターン６０の隙間６４において析出した金属によって形成される第２部分３７に加えて、基材５１の低密着性領域５６とめっき用レジストパターン６０の第１面６１との間において析出した金属によって形成される第１部分３２を含むようになる。一方、高密着性領域５５においては粗化処理によってめっき用レジストパターン６０に対する密着力が高められている。このため図１１に示すように、めっき液の浸入を高密着性領域５５によって食い止めることができる。このため、金属層２８に上述の第１開口部３０を確保することができる。

　このようにして、図４および図５に示す金属層２８が得られる。

　（除去工程）
　その後、図１２に示すように、めっき用レジストパターン６０を金属層２８から除去する除去工程を実施する。例えばアルカリ系剥離液を用いることによって、めっき用レジストパターン６０を基材５１の表面５１ａから剥離させることができる。めっき用レジストパターン６０が除去されることにより、貫通孔２５が現れ、貫通孔２５が設けられた金属層２８を得ることができる。

　（分離工程）
　次に、金属層２８を基材５１の表面５１ａから分離させる分離工程を実施する。これによって、図１３Ａに示すように、第１面２０ａから第２面２０ｂまで延びる第２部分３７と、第１面２０ａ側において第２部分３７から貫通孔２５の中心側に向かって広がる第１部分３２と、を含む金属層２８を有する蒸着マスク２０を得ることができる。図１３Ｂは、蒸着マスク２０を第２面２０ｂ側から見た場合を示す平面図である。

　以下、分離工程の一例について詳細に説明する。はじめに、粘着性を有する物質が塗工などによって設けられているフィルムを、基材５１上に形成された金属層２８に貼り付ける。次に、フィルムを引き上げたり巻き取ったりすることにより、フィルムを基材５１から引き離し、これによって、金属層２８を基材５１から分離させる。その後、金属層２８からフィルムを剥がす。

　なお粘着性を有する物質としては、ＵＶなどの光を照射されることによって、または加熱されることによって粘着性を喪失する物質を使用してもよい。この場合、金属層２８を基材５１から分離させた後、フィルムに光を照射する工程やフィルムを加熱する工程を実施する。これによって、金属層２８からフィルムを剥がす工程を容易化することができる。例えば、フィルムと金属層２８とを可能な限り互いに平行な状態に維持した状態で、フィルムを剥がすことができる。これによって、フィルムを剥がす際に金属層２８が湾曲することを抑制することができ、このことにより、蒸着マスク２０に湾曲などの変形のくせがついてしまうことを抑制することができる。

　上述した形態１によれば、上述のように、めっき用レジスト形成工程は、めっき用レジストパターン６０が高密着性領域５５を覆うとともに低密着性領域５６にまで広がり、かつ、めっき用レジストパターン６０の隙間６４が低密着性領域５６上に位置するよう、実施される。このため、めっき処理工程の際、低密着性領域５６とめっき用レジストパターン６０との間にめっき液を少なくとも部分的に浸入させることができる。これによって、金属層２８は、基材５１の低密着性領域５６とめっき用レジストパターン６０との間において析出した金属によって形成される第１部分３２と、めっき用レジストパターン６０の隙間６４において析出した金属によって形成される第２部分３７と、を含むようになる。この場合、蒸着マスク２０の貫通孔２５の形状は、第１面２０ａにおいては第１部分３２によって画定され、第２面２０ｂにおいては第２部分３７によって画定される。従って、複雑な形状を有する貫通孔２５を得ることができる。

　また、低密着性領域５６とめっき用レジストパターン６０との間に浸入しためっき液を利用して第２部分を形成することにより、小さな厚みを有する第１部分３２を得ることができる。さらに、第１部分３２の厚みを、第１部分３２のうち第２部分３７に接する部分から端部３４に向かうにつれて単調に減少させることも可能になる。これによって、有機ＥＬ基板９２に到達し得る蒸着材料９８の飛来角度に対応する上述の角度θ１を効率的に大きくすることができる。

　また、めっき処理を利用して金属層２８を形成することにより、貫通孔２５の形状とは独立に、蒸着マスク２０の厚みを任意に設定することができる。このため、十分な強度を蒸着マスク２０に持たせることができる。従って、高精細な有機ＥＬ表示装置を製造することができ、かつ耐久性に優れた蒸着マスク２０を提供することができる。

〔形態２　めっき処理によって作製された２層構造を有する蒸着マスク〕
　次に、蒸着マスク２０がめっき処理によって作製された２層構造を有する場合について説明する。図１４は、めっき処理によって作製された２層構造の蒸着マスク２０を、図３のＡ－Ａ線に沿って切断した場合を示す断面図である。

　この形態における蒸着マスク２０は、図１４に示すように、金属層組合体２８’（マスク本体）と、金属層組合体２８’に設けられた複数の上述した貫通孔２５と、を備えている。このうち金属層組合体２８’は、所定のパターンで第１開口部３０が設けられた第１金属層３２’と、第１開口部３０に連通する第２開口部３５が設けられた第２金属層３７’と、を有している。第２金属層３７’は、第１金属層３２’よりも蒸着マスク２０の第２面２０ｂ側に配置されている。図１４に示す例においては、第１金属層３２’が蒸着マスク２０の第１面２０ａを構成し、第２金属層３７’が蒸着マスク２０の第２面２０ｂを構成している。

　このうち金属層組合体２８’は、上述した金属層２８と同様に、上記式（１）を満たしている。

　ここで、本明細書では、金属層組合体２８’との用語は、上述した金属層２８と同様に、貫通孔２５が形成されていない状態（単なる板状）の部材の概念を意味するものとして用いる。すなわち、本明細書では、概念的には、金属層組合体２８’に、金属層組合体２８’とは別の概念である複数の貫通孔２５が設けられた構成を、蒸着マスク２０が有しているとする。このことにより、金属層組合体２８’が上記式（１）を満たしているとは、貫通孔２５が形成されていない状態の金属層組合体２８’が上記式（１）を満たしていることを意味し、貫通孔２５が形成された状態の金属層組合体２８’が上記式（１）を満たしていることを意味するものではない。貫通孔２５が形成された状態の金属層組合体２８’では、インデンテーション弾性率や０．２％耐力（若しくは、インデンテーション硬度）が、貫通孔２５の大きさ、ピッチ、形状等によって影響を受けると考えられる。このため、蒸着マスク２０の完成形として、金属層組合体２８’に複数の貫通孔２５が形成された状態においては、上記式（１）を満たす金属層組合体２８’の領域は、貫通孔２５が形成されていない領域、より詳細にはインデンテーション弾性率および０．２％耐力（若しくは、インデンテーション硬度）に貫通孔２５の影響が及ばない領域であり、例えば、上述した周囲領域２３のうち貫通孔２５の影響が及ばない領域や、有効領域２２のうち互いに隣り合う貫通孔２５同士の間の領域となる。従って、蒸着マスク２０の完成形から金属層組合体２８’のインデンテーション弾性率および０．２％耐力（若しくは、インデンテーション硬度）を調べる場合には、周囲領域２３のうち貫通孔２５が含まれない領域を切り取って、後述するナノ・インデンテーション試験、および０．２％耐力を調べる場合には引張試験を行うことが好適である。また、有効領域２２であっても、互いに隣り合う貫通孔２５同士の間の距離が、ナノ・インデンテーション試験および０．２％耐力を調べる場合の引張試験を行うことが可能な程度の距離であれば、貫通孔２５同士の間の領域を切り取ってもよい。なお、材料特性の点で述べると、一般的に蒸着マスク２０の金属層組合体２８’は、材料の組成や材質が位置によって異なることはない。このため、貫通孔２５に近い位置と、貫通孔２５から離れた位置とで、材料の特性が異なることはない。

　形態２においては、第１開口部３０と第２開口部３５とが互いに連通することにより、蒸着マスク２０を貫通する貫通孔２５が構成されている。この場合、蒸着マスク２０の第１面２０ａ側における貫通孔２５の開口寸法や開口形状は、第１金属層３２’の第１開口部３０によって画定される。一方、蒸着マスク２０の第２面２０ｂ側における貫通孔２５の開口寸法や開口形状は、第２金属層３７’の第２開口部３５によって画定される。言い換えると、貫通孔２５には、第１金属層３２’の第１開口部３０によって画定される形状、および、第２金属層３７’の第２開口部３５によって画定される形状の両方が付与されている。

　図１４において、符号４０は、第１金属層３２’と第２金属層３７’とが接続される接続部を表している。なお図１４においては、第１金属層３２’と第２金属層３７’とが接している例を示したが、これに限られることはなく、第１金属層３２’と第２金属層３７’との間にその他の層が介在されていてもよい。例えば、第１金属層３２’と第２金属層３７’との間に、第１金属層３２’上における第２金属層３７’の析出を促進させるための触媒層が設けられていてもよい。

　図１５Ａは、図１４の第１金属層３２’および第２金属層３７’の一部を拡大して示す図である。図１５Ａに示すように、蒸着マスク２０の第２面２０ｂにおける第２金属層３７’の幅Ｍ５は、蒸着マスク２０の第１面２０ａにおける第１金属層３２’の幅Ｍ４よりも小さくなっている。言い換えると、第２面２０ｂにおける貫通孔２５（第２開口部３５）の開口寸法Ｓ２は、第１面２０ａにおける貫通孔２５（第１開口部３０）の開口寸法Ｓ１よりも大きくなっている。以下、このように第１金属層３２’および第２金属層３７’を構成することの利点について説明する。

　蒸着マスク２０の第２面２０ｂ側から飛来する蒸着材料９８は、貫通孔２５の第２開口部３５および第１開口部３０を順に通って有機ＥＬ基板９２に付着する。有機ＥＬ基板９２のうち蒸着材料９８が付着する領域は、第１面２０ａにおける貫通孔２５の開口寸法Ｓ１や開口形状によって主に定められる。ところで、図１４において第２面２０ｂ側から第１面２０ａへ向かう矢印Ｌ１で示すように、蒸着材料９８は、るつぼ９４から有機ＥＬ基板９２に向けて蒸着マスク２０の法線方向Ｎに沿って移動するだけでなく、蒸着マスク２０の法線方向Ｎに対して大きく傾斜した方向に移動することもある。ここで、仮に第２面２０ｂにおける貫通孔２５の開口寸法Ｓ２が第１面２０ａにおける貫通孔２５の開口寸法Ｓ１と同一であるとすると、蒸着マスク２０の法線方向Ｎに対して大きく傾斜した方向に移動する蒸着材料９８の多くは、貫通孔２５を通って有機ＥＬ基板９２に到達するよりも前に、貫通孔２５の第２開口部３５の壁面３６に到達して付着してしまう。従って、蒸着材料９８の利用効率を高めるためには、第２開口部３５の開口寸法Ｓ２を大きくすること、すなわち第２金属層３７’の幅Ｍ５を小さくすることが好ましいと言える。

　図１４において、第２金属層３７’の端部３９を通るとともに第１金属層３２’の壁面３１に接する直線Ｌ１が、蒸着マスク２０の法線方向Ｎに対してなす角度が、符号θ１で表されている。斜めに移動する蒸着材料９８を、第２開口部３５の壁面３６に到達させることなく可能な限り有機ＥＬ基板９２に到達させるためには、角度θ１を大きくすることが有利となる。角度θ１を大きくする上では、第１金属層３２’の幅Ｍ４に比べて第２金属層３７’の幅Ｍ５を小さくすることが有効である。また図から明らかなように、角度θ１を大きくする上では、第１金属層３２’の厚みＴ４や第２金属層３７’の厚みＴ５を小さくすることも有効である。ここで「第１金属層３２’の厚みＴ４」は、第１金属層３２’のうち第２金属層３７’に接続される部分における厚みを意味している。なお第２金属層３７’の幅Ｍ５、第１金属層３２’の厚みＴ５や第２金属層３７’の厚みＴ５を過剰に小さくしてしまうと、蒸着マスク２０の強度が低下し、このため搬送時や使用時に蒸着マスク２０が破損してしまうことが考えられる。例えば、蒸着マスク２０をフレーム１５に張設する際に蒸着マスク２０に加えられる引張り応力によって、蒸着マスク２０が破損してしまうことが考えられる。これらの点を考慮すると、第１金属層３２’および第２金属層３７’の寸法が以下の範囲に設定されることが好ましいと言える。これによって、上述の角度θ１を例えば４５°以上にすることができる。

　・第１面２０ａ側における第１金属層３２’の幅Ｍ４：５～２５μｍ
　・第２面２０ｂ側における第２金属層３７’の幅Ｍ５：２～２０μｍ
　・蒸着マスク２０の厚みＴ３：１～５０μｍ、より好ましくは３～３０μｍ、さらに好ましくは３～２５μｍ、さらに好ましくは３～１５μｍ
　・第１金属層３２’の厚みＴ４：５μｍ以下
　・第２金属層３７’の厚みＴ５：０．１～５０μｍ、より好ましくは３～３０μｍ、さらに好ましくは３～２５μｍ、さらに好ましくは３～１５μｍ
とりわけ、蒸着マスク２０の厚みＴ３を１５μｍ以下とすることにより、後述する圧延材で作製された蒸着マスク２０では得ることが困難な厚みで蒸着マスク２０を作製することができる。この場合、シャドーの影響を低減し、蒸着材料の利用効率を向上させることが可能な蒸着マスク２０を得ることができる。

　表３に、５インチの有機ＥＬ表示装置において、表示画素数、および表示画素数に応じて求められる、蒸着マスク２０の各部分の幅や厚みの値の例を示す。なお「FHD」は、Full High Definitionを意味し、「WQHD」は、Wide Quad High Definitionを意味し、「UHD」は、Ultra High Definitionを意味している。

　次に、第１金属層３２’の形状についてより詳細に説明する。仮に図１５Ａにおいて点線で示すように、端部３４において第１金属層３２’が、第２面２０ｂ側へ向かって大きく切り立った形状を有している場合、貫通孔２５の第２開口部３５を通過した後の蒸着材料９８の多くが第１金属層３２’の壁面３１に到達して付着してしまうことが考えられる。このような、端部３４近傍における第１金属層３２’への蒸着材料９８の付着を抑制するため、図１５Ａに示すように、第１金属層３２’は、端部３４およびその近傍において、第１金属層３２’のうち第２金属層３７’に接続される部分における厚みＴ４よりも小さな厚みを有することが好ましい。例えば図１５Ａに示すように、第１金属層３２’の厚みが、第１金属層３２’のうち第２金属層３７’に接続される部分から端部３４に向かうにつれて減少していることが好ましい。このような第１金属層３２’の形状は、後述するように、めっき処理によって第１金属層３２’を形成することによって実現され得る。

　図１５Ａにおいて、蒸着機から、第２金属層３７’の端部３９を通ることなく第１金属層３２’の壁面３１に接する直線Ｌ２が表されている。この直線Ｌ２が蒸着マスク２０の法線方向Ｎに対してなす角度は、符号θ２となっている。この角度θ２は、端部３９を通らないために上述した角度θ１よりも小さくなっている。このような角度θ２に相当する蒸着角度φ（＝９０°－θ２）を有する蒸着機に蒸着マスク２０を適用した場合には、図１５Ｂに示すようなシャドーが発生し得る。ここで、角度θ２について、図１５Ｂを用いてより詳細に説明する。

　図１５Ｂには、二点鎖線で示すように矩形状に形成された第１金属層３２’の壁面３１の角部を通る直線Ｌ３が法線方向Ｎに対してなす角度をθ２’とした場合に、シャドーＳＨ１が発生し得ることが示されている。このように壁面３１が矩形状に形成されている場合では、厚みを小さくすることによりシャドーを小さくすることが可能となるが、この場合には、蒸着マスク２０の強度が低下し得る。

　これに対して、図１５Ｂに示すように、湾曲状に形成された壁面３１に接する角度θ２’の直線Ｌ４によって発生し得るシャドーは、ＳＨ２となる。このシャドーＳＨ２は、上述のシャドーＳＨ１よりも小さくなっている。このことにより、壁面３１が矩形状に形成された場合よりも湾曲状に形成された場合の方が、シャドーを小さくすることができる。言い換えると、同じシャドーを得るためには、壁面３１が矩形状に形成された場合よりも湾曲状に形成された場合の方が、当該壁面３１に接する直線の角度を大きくすることができる。すなわち、図１５Ｂに示すように、湾曲状の壁面３１に接する直線Ｌ５の角度が、θ２’よりも大きいθ２’’である場合であっても、得られるシャドーはＳＨ１となる。このことにより、壁面３１が湾曲状に形成された蒸着マスク２０は、角度θ２が大きくなり得る、すなわち蒸着角度φが小さくなり得る蒸着機に適用することができる。また、第１金属層３２’の厚みを小さくしなくても、壁面３１を湾曲状に形成することによって当該壁面３１に接する直線の角度が大きくなるため、蒸着マスク２０の強度を確保することもできる。

　このようにして、蒸着マスク２０を、図１５Ａに示す角度θ２が大きくなり得る蒸着機に適用可能とすることが好適である。例えば、上述したように壁面３１を湾曲状に形成することにより、角度θ２が、好ましくは３０°以上、より好ましくは４５°以上となり得る蒸着機に適用することが可能となる。

　このような壁面３１の湾曲形状も、めっき処理によって第１金属層３２’を形成することによって実現され得る。なお「壁面３１」とは、第１金属層３２’の面のうち第１開口部３０を画成する面のことである。上述の「壁面３６」も同様に、第２金属層３７’の面のうち第２開口部３５を画成する面のことである。

　（蒸着マスクの製造方法）
　次に、以上のような構成からなる蒸着マスク２０を製造する方法について、図１６～図２１Ｂを参照して説明する。

　まず、後述する基材５１’上に、めっき処理によって、貫通孔２５が設けられた金属層組合体２８’（マスク本体）を形成する工程が実施される。当該工程は、具体的には、後述する第１成膜工程と、第２成膜工程と、を有している。

　（第１成膜工程）
　はじめに、絶縁性を有する基材５１’上に所定のパターンで第１開口部３０が設けられた第１金属層３２’を形成する第１成膜工程について説明する。まず図１６に示すように、絶縁性を有する基材５１’と、基材５１’上に形成された導電性パターン５２’と、を有するパターン基板５０を準備する準備工程を実施する。導電性パターン５２’は、第１金属層３２’に対応するパターンを有している。絶縁性および適切な強度を有する限りにおいて基材５１’を構成する材料や基材５１’の厚みが特に限られることはない。例えば基材５１’を構成する材料として、ガラスや合成樹脂などを用いることができる。

　導電性パターン５２’を構成する材料としては、金属材料や酸化物導電性材料等の導電性を有する材料が適宜用いられる。金属材料の例としては、例えばクロムや銅などを挙げることができる。好ましくは、後述するレジストパターン６０’に対する高い密着性を有する材料が、導電性パターン５２’を構成する材料として用いられる。例えばレジストパターン６０’が、アクリル系光硬化性樹脂を含むレジスト膜など、いわゆるドライフィルムと称されるものをパターニングすることによって作製される場合、導電性パターン５２’を構成する材料として、ドライフィルムに対する高い密着性を有する銅が用いられることが好ましい。

　後述するように、導電性パターン５２’の上には、導電性パターン５２’を覆うように第１金属層３２’が形成され、この第１金属層３２’はその後の工程で導電性パターン５２’から分離される。例えば導電性パターン５２’の厚みは、５０～５００ｎｍの範囲内になっている。

　次に、導電性パターン５２’が形成された基材５１’上に第１めっき液を供給して、導電性パターン５２’上に第１金属層３２’を析出させる第１めっき処理工程を実施する。例えば、導電性パターン５２’が形成された基材５１’を、第１めっき液が充填されためっき槽に浸す。これによって、図１７Ａに示すように、パターン基板５０上に、所定のパターンで第１開口部３０が設けられた第１金属層３２’を得ることができる。図１７Ｂは、基材５１’上に形成された第１金属層３２’を示す平面図である。

　なおめっき処理の特性上、図１７Ａに示すように、第１金属層３２’は、基材５１’の法線方向に沿って見た場合に導電性パターン５２’と重なる部分だけでなく、導電性パターン５２’と重ならない部分にも形成され得る。これは、導電性パターン５２’の端部５３’と重なる部分に析出した第１金属層３２’の表面にさらに第１金属層３２’が析出するためである。この結果、図１７Ａに示すように、第１金属層３２’の端部３４は、基材５１’の法線方向に沿って見た場合に導電性パターン５２’と重ならない部分に位置するようになり得る。一方、金属の析出が厚み方向でなく基材５１’の板面方向に進んだ分だけ、端部３４およびその近傍における第１金属層３２’の厚みは、中央部における厚みに比べて小さくなる。例えば図１７Ａに示すように、第１金属層３２’の中央部から端部３４に向かうにつれて第１金属層３２’の厚みが少なくとも部分的に減少し、端部３４およびその近傍（あるいは壁面３１）が湾曲状に形成される。この結果、上述したように、適用可能な蒸着機の蒸着角度φを小さく（角度θ２を大きく）することができる。

　図１７Ａにおいて、第１金属層３２’のうち導電性パターン５２’と重ならない部分の幅が符号ｗで表されている。幅ｗは、例えば０．５～５．０μｍの範囲内になる。導電性パターン５２’の寸法は、この幅ｗを考慮して設定される。

　導電性パターン５２’上に第１金属層３２’を析出させることができる限りにおいて、第１めっき処理工程の具体的な方法が特に限られることはない。例えば第１めっき処理工程は、導電性パターン５２’に電流を流すことによって導電性パターン５２’上に第１金属層３２’を析出させる、いわゆる電解めっき処理工程として実施されてもよい。若しくは、第１めっき処理工程は、無電解めっき処理工程であってもよい。なお第１めっき処理工程が無電解めっき処理工程である場合、導電性パターン５２’上には適切な触媒層が設けられる。電解めっき処理工程が実施される場合にも、導電性パターン５２’上に触媒層が設けられていてもよい。

　用いられる第１めっき液の成分は、第１金属層３２’に求められる特性に応じて適宜定められる。例えば第１金属層３２’が、ニッケルを含む鉄合金によって構成される場合、第１めっき液として、ニッケル化合物を含む溶液と、鉄化合物を含む溶液との混合溶液を用いることができる。例えば、スルファミン酸ニッケルや臭化ニッケルを含む溶液と、スルファミン酸第一鉄を含む溶液との混合溶液を用いることができる。めっき液には、様々な添加剤が含まれていてもよい。添加剤としては、例えば、ホウ酸などのｐＨ緩衝材や、マロン酸やサッカリンなどの添加剤が含まれていてもよい。

　（第２成膜工程）
　次に、第１開口部３０に連通する第２開口部３５が設けられた第２金属層３７’を第１金属層３２’上に形成する第２成膜工程を実施する。まず、パターン基板５０の基材５１’上および第１金属層３２’上に、所定の隙間６４’を空けてレジストパターン６０’を形成するレジスト形成工程を実施する。図１８Ａおよび図１８Ｂは、基材５１’上に形成されたレジストパターン６０’を示す断面図および平面図である。図１８Ａおよび図１８Ｂに示すように、レジスト形成工程は、第１金属層３２’の第１開口部３０がレジストパターン６０’によって覆われるとともに、レジストパターン６０’の隙間６４’が第１金属層３２’上に位置するように実施される。

　以下、レジスト形成工程の一例について説明する。はじめに、パターン基板５０の基材５１’上および第１金属層３２’上にドライフィルムを貼り付けることによって、ネガ型のレジスト膜を形成する。ドライフィルムの例としては、例えば日立化成製のＲＹ３３１０など、アクリル系光硬化性樹脂を含むものを挙げることができる。次に、レジスト膜のうち隙間６４’となるべき領域に光を透過させないようにした露光マスクを準備し、露光マスクをレジスト膜上に配置する。その後、真空密着によって露光マスクをレジスト膜に十分に密着させる。なおレジスト膜として、ポジ型のものが用いられてもよい。この場合、露光マスクとして、レジスト膜のうちの除去したい領域に光を透過させるようにした露光マスクが用いられる。

　その後、レジスト膜を露光マスク越しに露光する。さらに、露光されたレジスト膜に像を形成するためにレジスト膜を現像する。以上のようにして、図１８Ａおよび図１８Ｂに示すように、第１金属層３２’上に位置する隙間６４’が設けられるとともに第１金属層３２’の第１開口部３０を覆うレジストパターン６０’を形成することができる。なお、レジストパターン６０’を基材５１’および第１金属層３２’に対してより強固に密着させるため、現像工程の後にレジストパターン６０’を加熱する熱処理工程を実施してもよい。

　次に、レジストパターン６０’の隙間６４’に第２めっき液を供給して、第１金属層３２’上に第２金属層３７’を析出させる第２めっき処理工程を実施する。例えば、第１金属層３２’が形成された基材５１’を、第２めっき液が充填されためっき槽に浸す。これによって、図１９に示すように、第１金属層３２’上に第２金属層３７’を形成することができる。

　第１金属層３２’上に第２金属層３７’を析出させることができる限りにおいて、第２めっき処理工程の具体的な方法が特に限られることとはない。例えば、第２めっき処理工程は、第１金属層３２’に電流を流すことによって第１金属層３２’上に第２金属層３７’を析出させる、いわゆる電解めっき処理工程として実施されてもよい。若しくは、第２めっき処理工程は、無電解めっき処理工程であってもよい。なお第２めっき処理工程が無電解めっき処理工程である場合、第１金属層３２’上には適切な触媒層が設けられる。電解めっき処理工程が実施される場合にも、第１金属層３２’上に触媒層が設けられていてもよい。

　第２めっき液としては、上述の第１めっき液と同一のめっき液が用いられてもよい。若しくは、第１めっき液とは異なるめっき液が第２めっき液として用いられてもよい。第１めっき液の組成と第２めっき液の組成とが同一である場合、第１金属層３２’を構成する金属の組成と、第２金属層３７’を構成する金属の組成も同一になる。

　なお図１９においては、レジストパターン６０’の上面と第２金属層３７’の上面とが一致するようになるまで第２めっき処理工程が継続される例を示したが、これに限られることはない。第２金属層３７’の上面がレジストパターン６０’の上面よりも下方に位置する状態で、第２めっき処理工程が停止されてもよい。

　このようにして、第１金属層３２’上に第２金属層３７’が形成され、図１４および図１５Ａに示す第１金属層３２’と第２金属層３７’とを有する金属層組合体２８’が得られる。

　（除去工程）
　その後、図２０に示すように、レジストパターン６０’を除去する除去工程を実施する。例えばアルカリ系剥離液を用いることによって、レジストパターン６０’を基材５１’、第１金属層３２’や第２金属層３７’から剥離させることができる。

　（分離工程）
　次に、第１金属層３２’および第２金属層３７’を有する金属層組合体２８’をパターン基板５０の基材５１’から分離させる分離工程を実施する。これによって、図２１Ａに示すように、所定のパターンで第１開口部３０が設けられた第１金属層３２’と、第１開口部３０に連通する第２開口部３５が設けられた第２金属層３７’と、を備えた蒸着マスク２０を得ることができる。図２１Ｂは、蒸着マスク２０を第２面２０ｂ側から見た場合を示す平面図である。

　以下、分離工程の一例について詳細に説明する。はじめに、粘着性を有する物質が塗工などによって設けられているフィルムを、基材５１’上に形成された金属層組合体２８’に貼り付ける。次に、フィルムを引き上げたり巻き取ったりすることにより、フィルムを基材５１’から引き離し、これによって、金属層組合体２８’をパターン基板５０の基材５１’から分離させる。その後、金属層組合体２８’からフィルムを剥がす。その他にも、分離工程においては、はじめに、金属層組合体２８’と基材５１’との間に、分離のきっかけとなる間隙を形成し、次に、この間隙にエアを吹き付け、これによって分離工程を促進してもよい。

　なお粘着性を有する物質としては、ＵＶなどの光を照射されることによって、または加熱されることによって粘着性を喪失する物質を使用してもよい。この場合、金属層組合体２８’を基材５１’から分離させた後、フィルムに光を照射する工程やフィルムを加熱する工程を実施する。これによって、金属層組合体２８’からフィルムを剥がす工程を容易化することができる。例えば、フィルムと金属層組合体２８’とを可能な限り互いに平行な状態に維持した状態で、フィルムを剥がすことができる。これによって、フィルムを剥がす際に金属層組合体２８’が湾曲することを抑制することができ、このことにより、蒸着マスク２０に湾曲などの変形のくせがついてしまうことを抑制することができる。

　上述した形態２によれば、上述のように、レジストパターン６０’の隙間６４’に第２めっき液を供給して、第１金属層３２’上に第２金属層３７’を析出させることによって、蒸着マスク２０が作製される。このため、蒸着マスク２０の貫通孔２５に、第１金属層３２’の第１開口部３０によって画定される形状、および、第２金属層３７’の第２開口部３５によって画定される形状の両方を付与することができる。従って、複雑な形状を有する貫通孔２５を精密に形成することができる。例えば、上述の角度θ１を大きくすることが可能な貫通孔２５を得ることができる。とりわけ、第１金属層３２’の端部３４およびその近傍を、後述する形態３よりも大きく湾曲状に形成することができるため、当該角度θ１をより一層大きくすることができる。これによって、蒸着材料９８の利用効率を高めることができる。言い換えると、端部３４およびその近傍が湾曲状に形成されていることにより、所定の角度θ１に対して第１金属層３２’の厚みを、湾曲の度合いが小さい場合よりも大きくすることができ、第１金属層３２’の強度、例えば超音波洗浄時に対する強度を増大させることができる。また、めっき処理を利用して第２金属層３７’を形成することにより、貫通孔２５の形状とは独立に、蒸着マスク２０の厚みＴ３を任意に設定することができる。このため、十分な強度を蒸着マスク２０に持たせることができる。従って、高精細な有機ＥＬ表示装置を製造することができ、かつ耐久性に優れた蒸着マスク２０を提供することができる。さらに、上述したように、第１金属層３２’の端部３４およびその近傍を湾曲状に形成しているため、蒸着マスク２０を適用可能な蒸着機の蒸着角度φを小さく（角度θ２を大きく）することができる。

〔形態３　２層構造を有する蒸着マスクのめっき処理による製造方法の他の例〕
　次に、２層構造を有する蒸着マスクのめっき処理による製造方法の他の例について説明する。当該製造方法により製造される蒸着マスク２０の構造は、図１４に示す形態２の構造と略同一となるため、ここでは詳細な説明は省略する。以下に、形態３における蒸着マスク２０を製造する方法について、図２２～図２８を参照して説明する。

　まず、後述する基材５１’’上に、めっき処理によって、貫通孔２５が設けられた金属層組合体２８’（マスク本体）を形成する工程が実施される。当該工程は、具体的には、後述する第１成膜工程と、第２成膜工程と、を有している。

　（第１成膜工程）
　はじめに図２２に示すように、めっき処理の際の下地となる基材５１’’を準備する準備工程を実施する。ここでは、めっき処理が電解めっき処理である例について説明する。この場合、基材５１’’の表面５１ａ’’のうち少なくとも第１金属層３２’が析出する部分は、導電性を有する導電層によって構成されている。例えば、基材５１’’全体が、導電性を有する導電層によって構成されていてもよい。この場合、基材５１’’のうち表面５１ａ’’の反対側に位置する裏面５１ｂ’’には、裏面５１ｂ’’が他の部材と導通してしまうことを防ぐための、絶縁性を有するカバーフィルム５２’’が設けられていてもよい。

　後述するめっき処理の際に所定の金属を析出させることができる限りにおいて、基材５１’’の導電層を構成する材料が特に限られることはない。例えば、基材５１’’の導電層を構成する材料としては、金属材料や酸化物導電性材料等の導電性を有する材料が適宜用いられる。金属材料の例としては、例えばステンレススチールや銅などを挙げることができる。好ましくは、後述する第１レジストパターン６０Ａに対する高い密着性を有する材料が、基材５１’’の導電層を構成する材料として用いられる。例えば第１レジストパターン６０Ａが、アクリル系光硬化性樹脂を含むレジスト膜など、いわゆるドライフィルムと称されるものをパターニングすることによって作製される場合、基材５１’’の導電層を構成する材料として、ドライフィルムに対する高い密着性を有する銅が用いられることが好ましい。

　次に、基材５１’’の表面５１ａ’’上に、所定の第１隙間６４Ａを空けて第１レジストパターン６０Ａを形成する第１レジスト形成工程を実施する。図２３は、第１レジストパターン６０Ａが形成された基材５１’’を示す断面図である。図２３に示すように、第１レジストパターン６０Ａは、第１隙間６４Ａに面する側面６３Ａを含んでいる。

　第１レジスト形成工程においては、はじめに、基材５１’’の表面５１ａ’’にドライフィルムを貼り付けることによって、ネガ型のレジスト膜を形成する。ドライフィルムの例としては、例えば日立化成製のＲＹ３３１０など、アクリル系光硬化性樹脂を含むものを挙げることができる。次に、レジスト膜のうち第１隙間６４Ａとなるべき領域に光を透過させないようにした露光マスクを準備し、露光マスクをレジスト膜上に配置する。その後、真空密着によって露光マスクをレジスト膜に十分に密着させる。なおレジスト膜として、ポジ型のものが用いられてもよい。この場合、露光マスクとして、レジスト膜のうちの除去したい領域に光を透過させるようにした露光マスクが用いられる。

　その後、レジスト膜を露光マスク越しに露光する。さらに、露光されたレジスト膜に像を形成するためにレジスト膜を現像する。以上のようにして、図２３に示す第１レジストパターン６０Ａを形成することができる。なお、第１レジストパターン６０Ａを基材５１’’の表面５１ａ’’に対してより強固に密着させるため、現像工程の後に第１レジストパターン６０Ａを加熱する熱処理工程を実施してもよい。

　次に、第１レジストパターン６０Ａが形成された基材５１’’上に第１めっき液を供給して、第１隙間６４Ａにおける基材５１’’上に第１金属層３２’を析出させる第１めっき処理工程を実施する。例えば、第１レジストパターン６０Ａが形成された基材５１’’を、第１めっき液が充填されためっき槽に浸す。これによって、図２４に示すように、基材５１’’上に、所定のパターンで第１開口部３０が設けられた第１金属層３２’を得ることができる。

　なおめっき処理の特性上、図２４に示すように、第１金属層３２’は、基材５１’’の法線方向に析出して成長していく。しかしながら、第１レジストパターン６０Ａの第１隙間６４Ａに面する側面６３Ａ付近では、第１レジストパターン６０Ａの存在により、第１めっき液が入り込みにくくなっていることから、金属材料の析出速度が低下する。このことにより、第１金属層３２’の端部３４およびその近傍は、図１４および図１５Ａに示すような湾曲状に形成され得る。なお、図２４～図２８においては、図面を明瞭化するために、端部３４およびその近傍は矩形状に示されている。

　基材５１’’上に第１金属層３２’を析出させることができる限りにおいて、第１めっき処理工程の具体的な方法が特に限られることはない。例えば第１めっき処理工程は、基材５１’’に電流を流すことによって基材５１’’上に第１金属層３２’を析出させる、いわゆる電解めっき処理工程として実施されてもよい。若しくは、第１めっき処理工程は、無電解めっき処理工程であってもよい。なお第１めっき処理工程が無電解めっき処理工程である場合、基材５１’’上には適切な触媒層が設けられる。電解めっき処理工程が実施される場合にも、基材５１’’上に触媒層が設けられていてもよい。

　第１めっき液の成分は、形態２で説明した第１めっき液と同様とすることができるため、ここでは詳細な説明は省略する。

　（第２成膜工程）
　次に、第１開口部３０に連通する第２開口部３５が設けられた第２金属層３７’を第１金属層３２’上に形成する第２成膜工程を実施する。まず、第１レジストパターン６０Ａ上および第１金属層３２’上に、所定の第２隙間６４Ｂを空けて第２レジストパターン６０Ｂを形成する第２レジスト形成工程を実施する。図２５は、第１レジストパターン６０Ａおよび第１金属層３２’上に形成された第２レジストパターン６０Ｂを示す断面図である。図２５に示すように、第２レジスト形成工程は、第１金属層３２’の第１開口部３０が第２レジストパターン６０Ｂによって覆われるとともに、第２レジストパターン６０Ｂの第２隙間６４Ｂが第１金属層３２’上に位置するように実施される。

　第２レジストパターン６０Ｂの形成工程は、上述した第１レジストパターン６０Ａの形成工程と同様に実施することができるため、ここでは詳細な説明は省略する。

　次に、第２レジストパターン６０Ｂの第２隙間６４Ｂに第２めっき液を供給して、第１金属層３２’上に第２金属層３７’を析出させる第２めっき処理工程を実施する。例えば、第１金属層３２’が形成された基材５１’’を、第２めっき液が充填されためっき槽に浸す。これによって、図２６に示すように、第１金属層３２’上に第２金属層３７’を形成することができる。

　なお図２６においては、第２レジストパターン６０Ｂの上面と第２金属層３７’の上面とが一致するようになるまで第２めっき処理工程が継続される例を示したが、これに限られることはない。第２金属層３７’の上面が第２レジストパターン６０Ｂの上面よりも下方に位置する状態で、第２めっき処理工程が停止されてもよい。

　（除去工程）
　その後、図２７に示すように、第１レジストパターン６０Ａおよび第２レジストパターン６０Ｂを除去する除去工程を実施する。例えばアルカリ系剥離液を用いることによって、第１レジストパターン６０Ａおよび第２レジストパターン６０Ｂを基材５１’’、第１金属層３２’や第２金属層３７’から剥離させることができる。

　（分離工程）
　次に、第１金属層３２’および第２金属層３７’を有する金属層組合体２８’を基材５１’’から分離させる分離工程を実施する。これによって、図２８に示すように、所定のパターンで第１開口部３０が設けられた第１金属層３２’と、第１開口部３０に連通する第２開口部３５が設けられた第２金属層３７’と、を備えた蒸着マスク２０を得ることができる。分離工程は、上述した形態２における分離工程と同様に実施することができる。

　上述した形態３によれば、上述のように、第１レジストパターン６０Ａの第１隙間６４Ａに第１めっき液を供給して第１金属層３２’を析出させ、第２レジストパターン６０Ｂの第２隙間６４Ｂに第２めっき液を供給して、第１金属層３２’上に第２金属層３７’を析出させることによって、蒸着マスク２０が作製される。このため、蒸着マスク２０の貫通孔２５に、第１金属層３２’の第１開口部３０によって画定される形状、および、第２金属層３７’の第２開口部３５によって画定される形状の両方を付与することができる。従って、複雑な形状を有する貫通孔２５を精密に形成することができる。例えば、上述の角度θ１を大きくすることが可能な貫通孔２５を得ることができる。これによって、蒸着材料９８の利用効率を高めることができる。また、めっき処理を利用して第２金属層３７’を形成することにより、貫通孔２５の形状とは独立に、蒸着マスク２０の厚みＴ３を任意に設定することができる。このため、十分な強度を蒸着マスク２０に持たせることができる。従って、高精細な有機ＥＬ表示装置を製造することができ、かつ耐久性に優れた蒸着マスク２０を提供することができる。

　〔形態４　エッチングによって作製された蒸着マスク〕
　上述の図３～図２８に示す例においては、めっき処理によって蒸着マスク２０を作製する場合について説明した。しかしながら、蒸着マスク２０を作製するために採用される方法が、めっき処理に限られることはない。以下、エッチングによって金属板２１に貫通孔２５を形成することによって蒸着マスク２０を作製する例について説明する。ここで、金属板２１は、エッチングによって、有機ＥＬ基板９２に蒸着材料９８を蒸着させる蒸着マスク２０であって、複数の貫通孔２５が形成された蒸着マスク２０を作製するために用いられる板材である。

　すなわち、この形態４における蒸着マスク２０は、図２９に示すように、金属板２１（マスク本体）と、金属板２１に設けられた複数の上述の貫通孔２５と、を備えている。

　このうち金属板２１は、上述した金属層２８と同様に、上記式（１）を満たしている。

　ここで、本明細書では、金属板２１との用語は、上述した金属層２８と同様に、貫通孔２５が形成されていない状態（単なる板状）の部材の概念を意味するものとして用いる。すなわち、本明細書では、概念的には、金属板２１に、金属板２１とは別の概念である複数の貫通孔２５が設けられた構成を、蒸着マスク２０が有しているとする。このことにより、金属板２１が上記式（１）を満たしているとは、貫通孔２５が形成されていない状態の金属板２１が上記式（１）を満たしていることを意味し、貫通孔２５が形成された状態の金属板２１が上記式（１）を満たしていることを意味するものではない。貫通孔２５が形成された状態の金属板２１では、インデンテーション弾性率や０．２％耐力（若しくは、インデンテーション硬度）が、貫通孔２５の大きさ、ピッチ、形状等によって影響を受けると考えられる。このため、蒸着マスク２０の完成形として、金属板２１に複数の貫通孔２５が形成された状態においては、上記式（１）を満たす金属板２１の領域は、貫通孔２５が形成されていない領域、より詳細にはインデンテーション弾性率および０．２％耐力（若しくは、インデンテーション硬度）に貫通孔２５の影響が及ばない領域であり、例えば、上述した周囲領域２３のうち貫通孔２５の影響が及ばない領域や、有効領域２２のうち互いに隣り合う貫通孔２５同士の間の領域となる。従って、蒸着マスク２０の完成形から金属板２１のインデンテーション弾性率および０．２％耐力（若しくは、インデンテーション硬度）を調べる場合には、周囲領域２３のうち貫通孔２５が含まれない領域を切り取って、後述するナノ・インデンテーション試験、および０．２％耐力を調べる場合には引張試験を行うことが好適である。また、有効領域２２であっても、互いに隣り合う貫通孔２５同士の間の距離が、ナノ・インデンテーション試験、および０．２％耐力を調べる場合の引張試験を行うことが可能な程度の距離であれば、貫通孔２５同士の間の領域を切り取ってもよい。なお、材料特性の点で述べると、一般的に蒸着マスク２０の金属板２１は、材料の組成や材質が位置によって異なることはない。このため、貫通孔２５に近い位置と、貫通孔２５から離れた位置とで、材料の特性が異なることはない。

　図２９は、エッチングを利用することによって作製された蒸着マスク２０を、図３のＡ－Ａ線に沿って切断した場合を示す断面図である。図２９に示す例では、後に詳述するように、蒸着マスクの法線方向における一方の側となる金属板２１の第１面２１ａに第１開口部３０がエッチングによって形成され、金属板２１の法線方向における他方の側となる第２面２１ｂに第２開口部３５がエッチングによって形成される。第１開口部３０は、第２開口部３５に接続され、これによって第２開口部３５と第１開口部３０とが互いに連通するように形成される。貫通孔２５は、第２開口部３５と、第２開口部３５に接続された第１開口部３０とによって構成されている。

　図２９に示すように、蒸着マスク２０の第１面２０ａの側から第２面２０ｂの側へ向けて、蒸着マスク２０の法線方向に沿った各位置における蒸着マスク２０の板面に沿った断面での各第１開口部３０の断面積は、しだいに小さくなっていく。同様に、蒸着マスク２０の法線方向に沿った各位置における蒸着マスク２０の板面に沿った断面での各第２開口部３５の断面積は、蒸着マスク２０の第２面２０ｂの側から第１面２０ａの側へ向けて、しだいに小さくなっていく。

　図２９に示すように、第１開口部３０の壁面３１と、第２開口部３５の壁面３６とは、周状の接続部４１を介して接続されている。接続部４１は、蒸着マスクの法線方向に対して傾斜した第１開口部３０の壁面３１と、蒸着マスクの法線方向に対して傾斜した第２開口部３５の壁面３６とが合流する張り出し部の稜線によって、画成されている。そして、接続部４１は、蒸着マスク２０の平面視において貫通孔２５の面積が最小になる貫通部４２を画成する。

　図２９に示すように、蒸着マスクの法線方向に沿った一方の側の面、すなわち、蒸着マスク２０の第１面２０ａ上において、隣り合う二つの貫通孔２５は、蒸着マスクの板面に沿って互いから離間している。すなわち、後述する製造方法のように、蒸着マスク２０の第１面２０ａに対応するようになる金属板２１の第１面２１ａ側から当該金属板２１をエッチングして第１開口部３０を作製する場合、隣り合う二つの第１開口部３０の間に金属板２１の第１面２１ａが残存するようになる。

　同様に、図２９に示すように、蒸着マスクの法線方向に沿った他方の側、すなわち、蒸着マスク２０の第２面２０ｂの側においても、隣り合う二つの第２開口部３５が、蒸着マスクの板面に沿って互いから離間していてもよい。すなわち、隣り合う二つの第２開口部３５の間に金属板２１の第２面２１ｂが残存していてもよい。以下の説明において、金属板２１の第２面２１ｂの有効領域２２のうちエッチングされずに残っている部分のことを、トップ部４３とも称する。このようなトップ部４３が残るように蒸着マスク２０を作製することにより、蒸着マスク２０に十分な強度を持たせることができる。このことにより、例えば搬送中などに蒸着マスク２０が破損してしまうことを抑制することができる。なおトップ部４３の幅βが大きすぎると、蒸着工程においてシャドーが発生し、これによって蒸着材料９８の利用効率が低下することがある。従って、トップ部４３の幅βが過剰に大きくならないように蒸着マスク２０が作製されることが好ましい。例えば、トップ部４３の幅βが２μｍ以下であることが好ましい。なおトップ部４３の幅βは一般に、蒸着マスク２０を切断する方向に応じて変化する。例えば、図２９に示すトップ部４３の幅βは互いに異なることがある。この場合、いずれの方向で蒸着マスク２０を切断した場合にもトップ部４３の幅βが２μｍ以下になるよう、蒸着マスク２０が構成されていてもよい。

　図２９においても、上述の図４に示す場合と同様に、蒸着マスク２０の第２面２０ｂ側における貫通孔２５（第２開口部３５）の端部３８を通る蒸着材料９８の経路であって、有機ＥＬ基板９２に到達することができる経路のうち、蒸着マスク２０の法線方向Ｎに対して角度θ１をなす経路が、符号Ｌ１で表されている。本形態においても、蒸着材料９８の利用効率を高めるためには、角度θ１を大きくすることが好ましい。例えば、蒸着マスク２０の強度を確保できる範囲内で可能な限り蒸着マスク２０の厚みを小さくし、これによって角度θ１を大きくすることが好ましい。例えば蒸着マスク２０の厚みは、８０μｍ以下に、例えば１０～８０μｍの範囲内や２０～８０μｍの範囲内に設定される。蒸着の精度をさらに向上させるため、蒸着マスク２０の厚みを、４０μｍ以下に、例えば１０～４０μｍの範囲内や２０～４０μｍの範囲内に設定してもよい。なお蒸着マスク２０の厚みは、周囲領域２３の厚み、すなわち蒸着マスク２０のうち第１開口部３０および第２開口部３５が形成されていない部分の厚みである。従って蒸着マスク２０の厚みは、金属板２１の厚みであると言うこともできる。

　次に、図２９に示す蒸着マスク２０を、エッチングを利用して製造する方法について説明する。

　はじめに、所定の厚みを有する金属板２１を準備する。金属板２１を構成する材料としては、ニッケルを含む鉄合金などが用いられ得る。とりわけ、このような合金からなる圧延材を好適に用いることができる。次に図３０に示すように、金属板２１の第１面２１ａ上に、所定の隙間６６ａを空けて第１レジストパターン６５ａを形成する。また、金属板２１の第２面２１ｂ上に、所定の隙間６６ｂを空けて第２レジストパターン６５ｂを形成する。

　その後、図３１に示すように、金属板２１の第１面２１ａのうち第１レジストパターン６５ａによって覆われていない領域を、第１エッチング液を用いてエッチングする第１面エッチング工程を実施する。例えば、第１エッチング液が、金属板２１の第１面２１ａに対面する側に配置されたノズルから、第１レジストパターン６５ａ越しに金属板２１の第１面２１ａに向けて噴射される。この結果、図３１に示すように、金属板２１の第１面２１ａのうち第１レジストパターン６５ａによって覆われていない領域で、第１エッチング液による浸食が進む。これによって、金属板２１の第１面２１ａに多数の第１開口部３０が形成される。第１エッチング液としては、例えば塩化第２鉄溶液および塩酸を含むものが用いられる。

　その後、図３２に示すように、後の第２面エッチング工程において用いられる第２エッチング液に対する耐性を有した樹脂６９によって、第１開口部３０が被覆される。すなわち、第２エッチング液に対する耐性を有した樹脂６９によって、第１開口部３０が封止される。図３２に示す例においては、樹脂６９の膜が、形成された第１開口部３０だけでなく、金属板２１の第１面２１ａ（第１レジストパターン６５ａ）も覆うように形成されている。

　次に、図３３に示すように、金属板２１の第２面２１ｂのうち第２レジストパターン６５ｂによって覆われていない領域をエッチングし、第２面２１ｂに第２開口部３５を形成する第２面エッチング工程を実施する。第２面エッチング工程は、第１開口部３０と第２開口部３５とが互いに通じ合い、これによって貫通孔２５が形成されるようになるまで実施される。第２エッチング液としては、上述の第１エッチング液と同様に、例えば塩化第２鉄溶液および塩酸を含むものが用いられる。

　なお第２エッチング液による浸食は、金属板２１のうち第２エッチング液に触れている部分において行われていく。従って、浸食は、金属板２１の法線方向（厚み方向）のみに進むのではなく、金属板２１の板面に沿った方向にも進んでいく。ここで好ましくは、第２面エッチング工程は、第２レジストパターン６５ｂの隣り合う二つの隙間６６ｂに対面する位置にそれぞれ形成された二つの第２開口部３５が、二つの隙間６６ｂの間に位置するブリッジ部６７ｂの裏側において合流するよりも前に終了される。これによって、図３３に示すように、金属板２１の第２面２１ｂに上述のトップ部４３を残すことができる。

　その後、金属板２１から樹脂６９を除去する。これによって、金属板２１に形成された複数の貫通孔２５を備える蒸着マスク２０を得ることができる。樹脂６９は、例えばアルカリ系剥離液を用いることによって、除去することができる。アルカリ系剥離液が用いられる場合、樹脂６９と同時にレジストパターン６５ａ，６５ｂも除去され得る。なお、樹脂６９を除去した後、樹脂６９を剥離させるための剥離液とは異なる剥離液を用いて、樹脂６９とは別途にレジストパターン６５ａ，６５ｂを除去してもよい。

　このように本実施の形態によれば、蒸着マスク２０のマスク本体（金属層２８、金属板２１）が、インデンテーション弾性率をｘ（ＧＰａ）、０．２％耐力をｙ（ＭＰａ）としたときに、ｙ≧９５０、かつ、ｙ≧２３ｘ－１２８０を満たしている場合、以下に詳述するように、蒸着マスク２０の超音波洗浄時に、蒸着マスク２０の第１面２０ａおよび第２面２０ｂに凹みが発生することを抑制でき、蒸着マスク２０が変形することを抑制できる。とりわけ、蒸着マスク２０のマスク本体の厚みが、１５μｍ以下となっている場合であっても、凹みが発生することを抑制できる。すなわち、高い画素密度を有する有機ＥＬ表示装置を精密に作製することができるとともに、変形を防止することができる蒸着マスク２０を得ることができる。

　また、本実施の形態によれば、蒸着マスク２０のマスク本体（金属層２８、金属板２１）が、インデンテーション弾性率をｘ（ＧＰａ）、インデンテーション硬度をｚ（ＧＰａ）としたときに、ｚ≧３．７、かつ、ｚ≧０．１ｘ－６．０を満たしている場合、以下に詳述するように、蒸着マスク２０の超音波洗浄時に、蒸着マスク２０の第１面２０ａおよび第２面２０ｂに凹みが発生することを抑制でき、蒸着マスク２０が変形することを抑制できる。とりわけ、蒸着マスク２０のマスク本体の厚みが、１５μｍ以下となっている場合であっても、凹みが発生することを抑制できる。すなわち、高い画素密度を有する有機ＥＬ表示装置を精密に作製することができるとともに、変形を防止することができる蒸着マスク２０を得ることができる。

　以上、本発明の実施の形態について詳細に説明してきたが、本発明による蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法および金属板は、上記実施の形態に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。

　（実施例１）
　上述した本実施の形態による蒸着マスク２０のマスク本体（金属層２８、金属層組合体２８’、金属板２１）のインデンテーション弾性率および０．２％耐力を測定するとともに、超音波洗浄を行って、マスク本体の２つの面のうちの一方の面（以下、対象面と記す）に発生した凹みの有無を確認した。

　まず、めっき処理によって作製されたマスク本体としての２層構造の金属層組合体２８’（［形態２］）について、種々のサンプルを作製した。第１めっき液には、スルファミン酸第一鉄、スルファミン酸ニッケル、ホウ酸、サッカリン、マロン酸等を含む混合溶液を用いた。この第１めっき液の温度を３５℃～５０℃とし、鉄ペレットおよびニッケルペレットをアノードとして用いて、第１金属層３２’を析出させた。第２めっき液には第１めっき液と同様の混合溶液を用い、第１金属層３２’を析出させる際の条件と同様の条件で、第２金属層３７’を析出させた。このようにして、第１金属層３２’と第２金属層３７’とによって構成された２層構造の各サンプルを作製した。作製された金属層組合体２８’のサンプルのうち一部のサンプルに、アニール処理（焼成処理）を行い、残りのサンプルにはアニール処理を行わなかった。このようにして、５種類の金属層組合体２８’のサンプルを作製した（後述する表４および図３６のサンプルＳ１～Ｓ５）。なお、アニール処理は、１００℃から６００℃の温度、窒素雰囲気下で６０分間行ったが、温度が高い方が、後述する０．２％耐力が小さくなる傾向にあった。

　また、めっき処理によって作製されたマスク本体としての１層構造の金属層２８（［形態１］）についても、種々のサンプルを作製した。めっき液には、上述した第１めっき液や第２めっき液と同様の混合溶液を用い、同様の条件で金属層２８を析出させて１層構造の各サンプルを作製した。作製された金属層２８のサンプルのうち一部のサンプルに、アニール処理（焼成処理）を行い、残りのサンプルにはアニール処理を行わなかった。このようにして、１０種類の金属層２８のサンプルを作製した（後述する表４および図３６のサンプルＳ６～Ｓ１５）。なお、アニール処理は、１００℃から６００℃の温度、窒素雰囲気下で６０分間行ったが、温度が高い方が、後述する０．２％耐力が小さくなる傾向にあった。

　金属層組合体２８’のサンプルおよび金属層２８のサンプルは、４０ｍｍ×４０ｍｍ、厚みは、０．５μｍ～２５μｍの形状とした。このサンプルには、上述した貫通孔２５は形成しなかった。なお、厚みは、サンプルによって違いが生じているが、この程度の違いでは、インデンテーション弾性率や０．２％耐力の測定、および超音波洗浄時での凹みの発生には影響が無いものと考えられる。

　また、エッチング処理によって作製されたマスク本体としての金属板２１（［形態４］）について、２種類のサンプルを作製した（後述する表４および図３６のサンプルＳ１６～Ｓ１７）。ここでは、圧延材として、日立金属株式会社製の３６Ｎｉ－Ｆｅ合金であるＹＥＴ３６（３５～３７質量％のニッケルと、鉄およびその他の微量成分を含有）を使用した。作製された金属板２１のサンプルにはアニール処理は行わなかった。また、金属板２１のサンプルの形状は、金属層組合体２８’や金属層２８のサンプルの形状と同様とし、貫通孔２５は形成しなかった。

　次に、作製された各サンプルについてナノ・インデンテーション試験を行い、各サンプルのインデンテーション弾性率を測定した。測定には、ナノインデンター（ハイジトロン社製、TriboIndenter、ＴＩ９５０）を用いた。圧子には、ダイヤモンド製の三角錐形状の圧子（Berkovich圧子、No.TI0039-10251012）を用いた。ナノ・インデンテーション試験は、室温（２３℃～２５℃）下で行った。

　測定の際には、図３４に示すように、押込過程として圧子をサンプルに深さ２００ｎｍまで押し込んだ。この際の圧子の押込速度は２０ｎｍ／秒とした。その後、除荷過程として、サンプルに押し込まれていた圧子を引き出した。この際の圧子の引出速度は２０ｎｍ／秒とした。

　図３４に示す押込過程および除荷過程の間に、圧子の押込荷重Ｐと押込量ｈとを測定し、測定された押込荷重Ｐのうちの最大荷重Ｐ_ｍａｘを求め、その最大荷重Ｐ_ｍａｘが圧子に負荷されたときの押込量ｈから圧子とサンプルとの接触面積Ａ_Ｃを求めた。なお、押込荷重Ｐ、押込量ｈの測定と、最大荷重Ｐ_ｍａｘ、接触面積Ａｃの算出は、ナノインデンター内で行われた。このようにして求められた最大荷重Ｐ_ｍａｘと接触面積Ａ_Ｃとから、以下の式を用いてインデンテーション弾性率Ｅ_ｒを求めた。

　ここで、Ｓは、除荷過程におけるスティッフネス（接触剛性）を示しており、

である。このように、インデンテーション弾性率Ｅ_ｒは、除荷過程における押込荷重Ｐと押込量ｈとの関係から求められ、減少弾性率または戻り弾性率と称されることもある。

　なお、押込荷重Ｐおよび押込量ｈの測定から、インデンテーション弾性率Ｅ_ｒの算出までは、ナノインデンターが行った。

　０．２％耐力の測定には、インストロン社製のデジタル材料試験機５５８１型を用いた。０．２％耐力の測定は、室温で行った。試験片は、ダンベル形状（ＪＩＳ　Ｋ６２５１の５号形）とした。引張荷重は、１ｍｍ／分の試験速度で負荷した。伸び測定には、インストロン社製の非接触ビデオ伸び計ＡＶＥを用いた。伸び測定の基準となる標点間の距離は２５ｍｍとした。引張荷重と試験片の伸びとの関係から応力－歪み曲線を求め、ここから０．２％耐力を求めた。

　各サンプルで得られたインデンテーション弾性率および０．２％耐力は、後述する表４に示す。

　次に、各サンプルの超音波洗浄を行い、凹みの発生の有無を調べた。

　具体的には、まず、図３５に示すように、洗浄槽１００内に洗浄液を貯留し、この洗浄液にサンプルＳを浸漬させた。洗浄液には、溶剤であるＮ－メチルピロリドン（ＮＭＰ）を使用した。洗浄液の温度は４０℃に調整した。また、サンプルＳは、サンプルの上端部を保持するようにして洗浄液内に吊り下げられるように浸漬させた。これにより、サンプルＳの対象面が、垂直方向に沿うようにした。なお、超音波洗浄時には、蒸着マスク２０の両端を保持して超音波洗浄することが一般的である。上述のようにしてサンプルＳの一端のみを保持してサンプルＳを吊り下げる場合には、一般的な場合よりも凹みが発生しやすくなると考えられ、凹みの発生に関して厳しい条件を採用した。

　このサンプルの対象面に対して、超音波を２０ｋＨｚで３０分間、水平方向（サンプルの対象面に対して垂直な方向）に照射し、サンプルの超音波洗浄を行った。なお、超音波洗浄を行う際に照射される超音波の周波数は、一般的には２０ｋＨｚよりも高いが、ここでは、加速試験との意味合いを込めて、一般的な周波数よりも低い周波数とした。

　超音波を照射した後、サンプルを取り出して、対象面における凹みの発生の有無を確認した。凹みが発生していた場合には、発生した凹みの個数を数えた。その結果を、以下の表４に示す。なお、凹みの確認は、サンプルの対象面を実体顕微鏡（株式会社ニコン社製、型式ＳＭＺ６４５）で総合倍率５０倍で拡大した画像を反射照明下で行われた。また、表４の凹み発生数は、各サンプルを１７個作製して、その結果を平均した値を示している。

　各サンプルの良否判定は、凹みの発生数が１以下であるとした。この良否判定に基づくと、各サンプルの良否判定は表４に示すようになる。

　表４に示された各サンプルを、図３６にプロットした。図３６では、横軸にインデンテーション弾性率をとり、縦軸に０．２％耐力をとった。

　図３６に示されているように、プロットされた各サンプルのうち、良と判定されたサンプルのグループが存在するエリアと、否と判定されたサンプルのグループが存在するエリアとは、明確に区分けされていることがわかる。より具体的には、概略的には、０．２％耐力が小さい範囲に、否と判定されたサンプルが存在し、０．２％耐力が大きい範囲に、良と判定されたサンプルが存在している。

　そして、これらのサンプルのグループの間には、明確な境界線が存在すると言うことができる。その境界線は、インデンテーション弾性率が所定の値（図３６では約９７）よりも小さい範囲では、０．２％耐力が一定となる線によって定義できることがわかる。より具体的には、０．２％耐力をｙ（ＭＰａ）とすると、境界線は、
　ｙ＝９５０
によって定義できる。すなわち、このインデンテーション弾性率の範囲では、ｙ＝９５０の境界線よりも０．２％耐力が小さい範囲に、否と判定されたサンプルのグループが存在し、当該境界線よりも大きい範囲に、良と判定されたサンプルのグループが存在している。

　一方、インデンテーション弾性率が上記所定の値よりも大きい範囲では、０．２％耐力が、インデンテーション弾性率の一次関数を示す線によって定義できることがわかる。より具体的には、インデンテーション弾性率をｘ（ＧＰａ）、０．２％耐力をｙ（ＭＰａ）とすると、境界線は、
　ｙ＝２３ｘ－１２８０
によって定義できる。すなわち、このインデンテーション弾性率の範囲では、ｙ＝２３ｘ－１２８０よりも０．２％耐力が小さい範囲に、否と判定されたサンプルのグループが存在し、当該境界線よりも大きい範囲に、良と判定されたサンプルのグループが存在している。

　従って、インデンテーション弾性率ｘ（ＧＰａ）と０．２％耐力ｙ（ＭＰａ）が、
　　ｙ≧９５０、かつ、ｙ≧２３ｘ－１２８０
を満たしていると、超音波洗浄時に凹みの発生の可能性を低減できる、または凹みが発生し得ない蒸着マスク２０のマスク本体（金属層２８、金属層組合体２８’、金属板２１）を得ることができる。

　なお、実施例１におけるサンプルＳ１～Ｓ６は、上述したように２層構造の金属層組合体２８’（［形態２］）である。これらのサンプルＳ１～Ｓ６は、いずれも良と判定されており、否と判定されたサンプルが存在していない。しかしながら、形態２の金属層組合体２８’と、形態１の金属層２８とは、層構造の点で相違するが、層構造の相違は、凹みの発生に影響を及ぼすことは考え難いため、形態２の金属層組合体２８’も、形態１の金属層２８と同様の傾向を示すと考えられる。このため、形態２の金属層組合体２８’であっても、上記式を満たすことにより、超音波洗浄時に凹みの発生の可能性を低減できる、または凹みが発生し得ない蒸着マスク２０のマスク本体（金属層組合体２８’）を得ることができる。

　また、形態３の金属層組合体２８’と、形態２の金属層組合体２８’とは、第１金属層３２’が析出する下地が、第１レジストパターン６０Ａが形成された基材５１’’か、あるいは基材５１’上に形成された導電性パターン５２’かが異なるだけであり、第２金属層３７’の析出方法に差異は無い。このことにより、形態３の金属層組合体２８’も、形態２の金属層組合体２８’（更に言えば形態１の金属層２８）と同様の傾向を示すと考えられる。このため、形態３の金属層組合体２８’であっても、上記式を満たすことにより、超音波洗浄時に凹みの発生の可能性を低減できる、または凹みが発生し得ない蒸着マスク２０のマスク本体（金属層組合体２８’）を得ることができる。

　（実施例２）
　上述した本実施の形態による蒸着マスク２０のマスク本体（金属層２８、金属層組合体２８’、金属板２１）のインデンテーション弾性率およびインデンテーション硬度を測定するとともに、超音波洗浄を行って、マスク本体の２つの面のうちの一方の面（以下、対象面と記す）に発生した凹みの有無を確認した。

　まず、めっき処理によって作製されたマスク本体としての２層構造の金属層組合体２８’（［形態２］）について、上述した実施例１と同様にして５種類の金属層組合体２８’のサンプルを作製した（後述する表５および図３７のサンプルＳ１～Ｓ５）。なお、アニール処理は、１００℃から６００℃の温度、窒素雰囲気下で６０分間行ったが、温度が高い方が、後述するインデンテーション硬度が小さくなる傾向にあった。

　また、めっき処理によって作製されたマスク本体としての１層構造の金属層２８（［形態１］）について、上述した実施例１と同様にして１０種類の金属層２８のサンプルを作製した（後述する表５および図３７のサンプルＳ６～Ｓ１５）。なお、アニール処理は、１００℃から６００℃の温度、窒素雰囲気下で６０分間行ったが、温度が高い方が、後述するインデンテーション弾性率が小さくなる傾向にあった。

　金属層組合体２８’のサンプルおよび金属層２８のサンプルは、４０ｍｍ×４０ｍｍ、厚みは、０．５μｍ～２５μｍの形状とした。このサンプルには、上述した貫通孔２５は形成しなかった。なお、厚みは、サンプルによって違いが生じているが、この程度の違いでは、インデンテーション弾性率やインデンテーション硬度の測定、および超音波洗浄時での凹みの発生には影響が無いものと考えられる。

　また、エッチング処理によって作製されたマスク本体としての金属板２１（［形態４］）について、上述した実施例１と同様にして２種類のサンプルを作製した（後述する表５および図３７のサンプルＳ１６～Ｓ１７）。

　次に、作製された各サンプルについてナノ・インデンテーション試験を行い、各サンプルのインデンテーション弾性率およびインデンテーション硬度を測定した。実施例２におけるインデンテーション弾性率の測定およびインデンテーション硬度の測定は、実施例１と同様に行った。

　インデンテーション硬度Ｈ_ＩＴは、実施例１と同様にして求められた最大荷重Ｐ_ｍａｘと接触面積Ａ_Ｃとから以下の式を用いて求めた。

　なお、押込荷重Ｐおよび押込量ｈの測定から、インデンテーション弾性率Ｅ_ｒおよびインデンテーション硬度Ｈ_ＩＴの算出までは、ナノインデンターが行った。

　各サンプルで得られたインデンテーション弾性率およびインデンテーション硬度は、後述する表５に示す。

　超音波洗浄は、実施例１と同様にして行い、超音波を照射した後、サンプルを取り出して、対象面における凹みの発生の有無を確認した。凹みが発生していた場合には、発生した凹みの個数を数えた。その結果を、以下の表５に示す。なお、凹みの確認は、実施例１と同様に行った。表５の凹み発生数は、各サンプルを１７個作製して、その結果を平均した値を示している。

　各サンプルの良否判定は、凹みの発生数が１以下であるとした。この良否判定に基づくと、各サンプルの良否判定は表５に示すようになる。

　表５に示された各サンプルを、図３７にプロットした。図３７では、横軸にインデンテーション弾性率をとり、縦軸にインデンテーション硬度をとった。

　図３７に示されているように、プロットされた各サンプルのうち、良と判定されたサンプルのグループが存在するエリアと、否と判定されたサンプルのグループが存在するエリアとは、明確に区分けされていることがわかる。より具体的には、概略的には、インデンテーション硬度が小さい範囲に、否と判定されたサンプルが存在し、インデンテーション硬度が大きい範囲に、良と判定されたサンプルが存在している。

　そして、これらのサンプルのグループの間には、明確な境界線が存在すると言うことができる。その境界線は、インデンテーション弾性率が所定の値（図３７では約９７）よりも小さい範囲では、インデンテーション硬度が一定となる線によって定義できることがわかる。より具体的には、インデンテーション硬度をｚ（ＧＰａ）とすると、境界線は、
　ｚ＝３．７
によって定義できる。すなわち、このインデンテーション弾性率の範囲では、ｚ＝３．７の境界線よりもインデンテーション硬度が小さい範囲に、否と判定されたサンプルのグループが存在し、当該境界線よりも大きい範囲に、良と判定されたサンプルのグループが存在している。

　一方、インデンテーション弾性率が上記所定の値よりも大きい範囲では、インデンテーション硬度が、インデンテーション弾性率の一次関数を示す線によって定義できることがわかる。より具体的には、インデンテーション弾性率をｘ（ＧＰａ）、インデンテーション硬度をｚ（ＧＰａ）とすると、境界線は、
　ｚ＝０．１ｘ－０．６
によって定義できる。すなわち、このインデンテーション弾性率の範囲では、ｚ＝０．１ｘ－０．６よりもインデンテーション硬度が小さい範囲に、否と判定されたサンプルのグループが存在し、当該境界線よりも大きい範囲に、良と判定されたサンプルのグループが存在している。

　従って、インデンテーション弾性率ｘ（ＧＰａ）とインデンテーション硬度ｚ（ＧＰａ）が、
　　ｚ≧３．７、かつ、ｚ≧０．１ｘ－６．０
を満たしていると、超音波洗浄時に凹みの発生の可能性を低減できる、または凹みが発生し得ない蒸着マスク２０のマスク本体（金属層２８、金属層組合体２８’、金属板２１）を得ることができる。

　なお、実施例２におけるサンプルＳ１～Ｓ６は、上述したように２層構造の金属層組合体２８’（［形態２］）である。これらのサンプルＳ１～Ｓ６は、いずれも良と判定されており、否と判定されたサンプルが存在していない。しかしながら、形態２の金属層組合体２８’と、形態１の金属層２８とは、層構造の点で相違するが、層構造の相違は、凹みの発生に影響を及ぼすことは考え難いため、形態２の金属層組合体２８’も、形態１の金属層２８と同様の傾向を示すと考えられる。このため、形態２の金属層組合体２８’であっても、上記式を満たすことにより、超音波洗浄時に凹みの発生の可能性を低減できる、または凹みが発生し得ない蒸着マスク２０のマスク本体（金属層組合体２８’）を得ることができる。

Claims

　被蒸着基板に蒸着材料を蒸着させる蒸着マスクであって、
　マスク本体と、
　前記マスク本体に設けられ、前記蒸着材料を前記被蒸着基板に蒸着させる際に前記蒸着材料が通過する貫通孔と、を備え、
　前記マスク本体は、インデンテーション弾性率をｘ（ＧＰａ）、０．２％耐力をｙ（ＭＰａ）としたときに、
　ｙ≧９５０、かつ、ｙ≧２３ｘ－１２８０
を満たしていることを特徴とする蒸着マスク。
　被蒸着基板に蒸着材料を蒸着させる蒸着マスクであって、
　マスク本体と、
　前記マスク本体に設けられ、前記蒸着材料を前記被蒸着基板に蒸着させる際に前記蒸着材料が通過する貫通孔と、を備え、
　前記マスク本体は、インデンテーション弾性率をｘ（ＧＰａ）、インデンテーション硬度をｚ（ＧＰａ）としたときに、
　ｚ≧３．７、かつ、ｚ≧０．１ｘ－６．０
を満たしていることを特徴とする蒸着マスク。
　前記マスク本体の厚みは、１５μｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の蒸着マスク。
　前記蒸着マスクは、めっき処理によって作製されたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の蒸着マスク。
　前記マスク本体は、第１金属層と、前記第１金属層上に設けられた第２金属層と、を有していることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の蒸着マスク。
　被蒸着基板に蒸着材料を蒸着させる蒸着マスクを製造する蒸着マスクの製造方法であって、
　基材上に、めっき処理によって、前記蒸着材料を前記被蒸着基板に蒸着させる際に前記蒸着材料が通過する貫通孔が設けられたマスク本体を形成する工程と、
　前記マスク本体を前記基材から分離させる工程と、を備え、
　前記マスク本体は、インデンテーション弾性率をｘ（ＧＰａ）、０．２％耐力をｙ（ＭＰａ）としたときに、
　ｙ≧９５０、かつ、ｙ≧２３ｘ－１２８０
を満たしていることを特徴とする蒸着マスクの製造方法。
　被蒸着基板に蒸着材料を蒸着させる蒸着マスクを製造する蒸着マスクの製造方法であって、
　基材上に、めっき処理によって、前記蒸着材料を前記被蒸着基板に蒸着させる際に前記蒸着材料が通過する貫通孔が設けられたマスク本体を形成する工程と、
　前記マスク本体を前記基材から分離させる工程と、を備え、
　前記マスク本体は、インデンテーション弾性率をｘ（ＧＰａ）、インデンテーション硬度をｚ（ＧＰａ）としたときに、
　ｚ≧３．７、かつ、ｚ≧０．１ｘ－６．０
を満たしていることを特徴とする蒸着マスクの製造方法。
　前記マスク本体を形成する工程は、
　前記貫通孔を構成する第１開口部が設けられた第１金属層を形成する第１成膜工程と、　前記第１開口部に連通する第２開口部が設けられた第２金属層を前記第１金属層上に形成する第２成膜工程であって、前記第１金属層と前記第２金属層とを有する前記マスク本体を得る第２成膜工程と、を有していることを特徴とする請求項６または７に記載の蒸着マスクの製造方法。
　前記第２成膜工程は、
　前記基材上および前記第１金属層上に、所定の隙間を空けてレジストパターンを形成するレジスト形成工程と、
　前記レジストパターンの前記隙間において前記第１金属層上に、第２金属層を析出させるめっき処理工程と、を含み、
　前記レジスト形成工程は、前記第１金属層の前記第１開口部が前記レジストパターンによって覆われるとともに、前記レジストパターンの前記隙間が前記第１金属層上に位置するように実施されることを特徴とする請求項８に記載の蒸着マスクの製造方法。
　前記第２成膜工程の前記めっき処理工程は、前記第１金属層に電流を流すことによって前記第１金属層上に前記第２金属層を析出させる電解めっき処理工程を含むことを特徴とする請求項９に記載の蒸着マスクの製造方法。
　前記基材は、絶縁性を有しており、
　前記基材上には、前記第１金属層に対応するパターンを有する導電性パターンが形成されており、
　前記第１成膜工程は、前記導電性パターン上に前記第１金属層を析出させるめっき処理工程を含むことを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか一項に記載の蒸着マスクの製造方法。
　前記第１成膜工程の前記めっき処理工程は、前記導電性パターンに電流を流すことによって前記導電性パターン上に前記第１金属層を析出させる電解めっき処理工程を含むことを特徴とする請求項１１に記載の蒸着マスクの製造方法。
　前記第１成膜工程は、
　前記基材上に、所定の隙間を空けてレジストパターンを形成するレジスト形成工程と、　前記レジストパターンの前記隙間において前記基材上に、第１金属層を析出させるめっき処理工程と、を含み、
　前記基材の表面のうち前記第１金属層が析出する部分は、導電性を有する導電層によって構成されていることを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか一項に記載の蒸着マスクの製造方法。
　前記第１成膜工程の前記めっき処理工程は、前記基材に電流を流すことによって前記基材上に前記第１金属層を析出させる電解めっき処理工程を含むことを特徴とする請求項１３に記載の蒸着マスクの製造方法。
　被蒸着基板に蒸着材料を蒸着させる蒸着マスクを製造するために用いられる金属板であって、
　インデンテーション弾性率をｘ（ＧＰａ）、０．２％耐力をｙ（ＭＰａ）としたときに、
　ｙ≧９５０、かつ、ｙ≧２３ｘ－１２８０
を満たしていることを特徴とする金属板。
　被蒸着基板に蒸着材料を蒸着させる蒸着マスクを製造するために用いられる金属板であって、
　インデンテーション弾性率をｘ（ＧＰａ）、インデンテーション硬度をｚ（ＧＰａ）としたときに、
　ｚ≧３．７、かつ、ｚ≧０．１ｘ－６．０
を満たしていることを特徴とする金属板。