JP2017057494A - 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法及び有機半導体素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】蒸着マスクの変形を抑制するとともに、蒸着品質の向上を図る。【解決手段】蒸着マスク２０は、一方の面２０ａ及び一方の面２０ａと対向する他方の面２０ｂを備え、蒸着マスク２０は、複数の貫通孔２５及び各貫通孔２５を仕切る仕切部２６を有し、仕切部２６は、蒸着マスク２０の一方の面２０ａの一部をなす第１面２６ａと、第１面２６ａと対向する第２面２６ｂとを有し、仕切部２６は、当該仕切部２６の延在方向に直交する断面において、第１面２６ａが当該仕切部２６の外側に向かって凸をなすように湾曲している。【選択図】図４

Description

本発明は、複数の貫通孔が形成された蒸着マスク、及び、蒸着マスクの製造方法に関する。また本発明は、有機半導体素子の製造方法に関する。

近年、スマートフォンやタブレットＰＣ等の持ち運び可能なデバイスで用いられる表示装置に対して、高精細であること、例えば画素密度が４００ｐｐｉ以上であることが求められている。また、持ち運び可能なデバイスにおいても、ウルトラフルハイビジョンに対応することへの需要が高まっており、この場合、表示装置の画素密度が例えば８００ｐｐｉ以上であることが求められる。

表示装置の中でも、応答性の良さ、消費電力の低さやコントラストの高さのため、有機ＥＬ表示装置が注目されている。有機ＥＬ表示装置の画素を形成する方法として、所望のパターンで配列された貫通孔を含む蒸着マスクを用い、所望のパターンで画素を形成する方法が知られている。具体的には、はじめに、有機ＥＬ表示装置用の有機ＥＬ基板（被蒸着基板）に対して蒸着マスクを密着させ、次に、密着させた蒸着マスクおよび有機ＥＬ基板を共に蒸着装置に投入し、有機材料を有機ＥＬ基板に蒸着させる蒸着工程を行う。この場合、高い画素密度を有する有機ＥＬ表示装置を精密に作製するためには、蒸着マスクの貫通孔の位置や形状を設計に沿って精密に再現することが求められる。

蒸着マスク製造方法として、エッチング処理による方法も知られているが、蒸着マスクの厚みを低減し得る方法として、例えば特許文献１に開示されているように、めっき処理を利用して蒸着マスクを製造する方法が知られている。例えば特許文献１に記載の方法においては、はじめに、導電性を有する基材を準備する。次に、基材の上に、所定の隙間を空けてレジストパターンを形成する。このレジストパターンは、蒸着マスクの貫通孔が形成されるべき位置に設けられている。その後、レジストパターンの隙間にめっき液を供給して、電解めっき処理によって基材の上に金属層を析出させる。その後、金属層を基材から分離させることにより、複数の貫通孔が形成された蒸着マスクを得ることができる。

特開２００１−２３４３８５号公報

蒸着材料を有機ＥＬ基板に蒸着させる蒸着工程においては、蒸着マスクに向かって飛来した蒸着材料は、貫通孔を通過して有機ＥＬ基板に付着する。この場合、蒸着材料は、有機ＥＬ基板に向けて蒸着マスクの法線方向に沿って移動するだけでなく、蒸着マスクの法線方向に対して大きく傾斜した方向に移動することもある。このことにより、蒸着材料の一部が貫通孔の壁面に付着し、堆積してしまい、いわゆる蒸着シャドーが発生する。この場合、蒸着材料の利用効率が低下し得るとともに、有機ＥＬ基板に付着した蒸着材料の厚みが不均一となり、蒸着品質が低下するおそれがある。蒸着材料の厚みが不均一となると、画素全体を一様の強度で発光できなくなるという問題が生じ得る。

そこで、蒸着シャドーの発生を抑制するために、蒸着マスクの厚みを薄くすることが考えられている。めっき処理を利用して蒸着マスクを製造する方法において、例えば１０μｍ以下の厚みで蒸着マスクの金属層を製作することは実現可能である。しかしながら、金属層の厚みを薄くすると、蒸着マスクの強度が低下してしまう。このような蒸着マスクを繰り返して使用する場合、有機ＥＬ基板への蒸着マスクの着脱時や、蒸着マスクの超音波洗浄時に、蒸着マスクの変形が生じるおそれがある。

また、蒸着工程の際には、磁石からの磁力によって蒸着マスクと有機ＥＬ基板とが密着するようになるが、蒸着マスクの厚みが薄くなると、蒸着マスクに作用する吸着力が低下し、蒸着マスクと有機ＥＬ基板との密着性が低下し得る。この場合、蒸着マスクと有機ＥＬ基板との間に微小な隙間が形成され、この隙間に蒸着材料が入り込み得る。このため、蒸着材料により形成される画素の形状精度が低下し、蒸着品質が低下するおそれがある。

本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、蒸着マスクの変形を抑制するとともに、蒸着品質の向上を図ることを目的とする。

本発明の蒸着マスクは、
一方の面及び前記一方の面と対向する他方の面を備えた蒸着マスクであって、
前記蒸着マスクは、複数の貫通孔及び各貫通孔を仕切る仕切部を有し、
前記仕切部は、前記蒸着マスクの前記一方の面の一部をなす第１面と、前記第１面と対向する第２面とを有し、
前記仕切部は、当該仕切部の延在方向に直交する断面において、前記第１面が当該仕切部の外側に向かって凸をなすように湾曲している。

本発明の蒸着マスクにおいて、前記蒸着マスクの板面と平行且つ前記仕切部の延在方向に直交する方向を前記仕切部の幅方向とし、前記断面を含む平面内での、前記第１面の前記幅方向の端部から前記幅方向の中央部へ向かって前記幅方向に沿って所定の距離だけ内側に入った前記第１面上の点における前記第１面への接線と、前記蒸着マスクの板面と平行をなす直線と、のなす角度は、１０°以上４５°以下であってもよい。

本発明の蒸着マスクにおいて、前記断面における、前記第１面の曲率半径は、２μｍ以上３５μｍ以下であってもよい。

本発明の蒸着マスクにおいて、前記蒸着マスクの板面と平行且つ前記仕切部の延在方向に直交する方向を前記仕切部の幅方向とし、前記幅方向の中央部における前記第１面の前記第２面からの高さは、前記幅方向の端部における前記第１面の前記第２面からの高さよりも高くてもよい。

本発明の蒸着マスクにおいて、前記幅方向の中央部における前記第１面の前記第２面からの高さと、前記幅方向の端部における前記第１面の前記第２面からの高さとの差は、０．１５μｍ以上３．５μｍ以下であってもよい。

本発明の蒸着マスクにおいて、前記幅方向の中央部における前記第１面の前記第２面からの高さは２μｍ以上２０μｍ以下であってもよい。

本発明の蒸着マスクにおいて、前記仕切部の前記幅方向に沿った幅は３μｍ以上１５μｍ以下であってもよい。

本発明の蒸着マスクにおいて、前記仕切部の第２面側に、前記仕切部の前記幅方向に沿った幅よりも広い幅を有するウィング部が配置されていてもよい。

本発明の蒸着マスクにおいて、前記仕切部はめっき層で形成されていてもよい。

本発明の蒸着マスクにおいて、所定のパターンで前記貫通孔が形成された金属層を備え、前記貫通孔のうち前記他方の面上に位置する部分を第１開口部と称し、前記貫通孔のうち前記一方の面上に位置する部分を第２開口部と称する場合、前記貫通孔は、前記蒸着マスクの法線方向に沿って前記蒸着マスクを見た場合に、前記第２開口部の輪郭が前記第１開口部の輪郭を囲うよう構成されており、前記他方の面には窪み部が形成されていてもよい。

本発明の蒸着マスクにおいて、前記他方の面のうち前記窪み部が形成されていない部分の幅は、０．５μｍ以上５．０μｍ以下の範囲内であってもよい。

本発明の蒸着マスクにおいて、前記金属層は、前記第１開口部及び前記窪み部が形成された第１金属層と、前記第１金属層に積層され、前記第２開口部が形成された第２金属層と、を有してもよい。

本発明の蒸着マスクにおいて、前記蒸着マスクの法線方向に沿って前記蒸着マスクを見た場合に、前記第１金属層と前記第２金属層とが接続される接続部の輪郭は、前記第１金属層に形成された前記窪み部の輪郭を囲っていてもよい。

本発明の蒸着マスクにおいて、前記第１金属層のうち前記第２金属層に接続される部分の厚みは、５μｍ以下であってもよい。

本発明の蒸着マスクにおいて、前記金属層は、めっき層であってもよい。

本発明の蒸着マスクの製造方法は、
複数の貫通孔が形成された蒸着マスクの製造方法であって、
基材の表面上に、所定の隙間を空けてめっき用レジストパターンを形成するめっき用レジスト形成工程と、
前記めっき用レジストパターンの前記隙間に金属層を析出させるめっき処理工程と、
前記金属層を前記基材の前記表面から分離させる分離工程と、を備え、
前記めっき処理工程では、前記めっき用レジストパターンの高さよりも低い高さまで前記金属層を析出させる。

本発明の有機半導体素子の製造方法は、
上述の蒸着マスクを準備する工程と、
前記蒸着マスクを使用して、被蒸着基板に蒸着材料をパターン状に蒸着させる工程と、を備える。

本発明によれば、蒸着マスクの変形を抑制するとともに、蒸着品質の向上を図ることができる。

図１は、本発明の一実施の形態を説明するための図であって、蒸着マスクを含む蒸着マスク装置の一例を示す概略平面図である。 図２Ａは、図１の蒸着マスク装置を用いて蒸着する方法を説明するための図である。 図２Ｂは、図１の蒸着マスク装置を用いて製造した有機ＥＬ表示装置を示す断面図である。 図３は、図１の蒸着マスクを示す部分平面図である。 図４は、図３の蒸着マスクのIV−IV線に対応する断面を示す図である。 図５Ａは、図４の蒸着マスクの仕切部を示す部分拡大図である。 図５Ｂは、図５Ａの仕切部に対応する図であって、本実施の形態の仕切部による効果について説明するための図である。 図６Ａは、図４の蒸着マスクを製造するために用いられるパターン基板を製造する方法の一例の一工程を示す図である。 図６Ｂは、図４の蒸着マスクを製造するために用いられるパターン基板を製造する方法の一例の一工程を示す図である。 図６Ｃは、図４の蒸着マスクを製造するために用いられるパターン基板を製造する方法の一例の一工程を示す図である。 図６Ｄは、図４の蒸着マスクを製造するために用いられるパターン基板を製造する方法の一例の一工程を示す図である。 図７Ａは、図４の蒸着マスクをめっき処理によって製造する方法の一例の一工程を示す図である。 図７Ｂは、図４の蒸着マスクをめっき処理によって製造する方法の一例の一工程を示す図である。 図７Ｃは、図４の蒸着マスクをめっき処理によって製造する方法の一例の一工程を示す図である。 図７Ｄは、図７Ｃの蒸着マスクの一部を示す部分拡大図である。 図８は、図５Ａに対応する図であって、蒸着マスクの変形例を示す部分拡大図である。 図９は、窪み部が明示された蒸着マスクを示す断面図である。 図１０は、図９に示す蒸着マスクを拡大して示す断面図である。 図１１は、蒸着マスクを他方の面側から見て示す平面図である。 図１２Ａは、有機ＥＬ基板の面方向における蒸着マスクの位置を調整する位置調整工程を示す図である。 図１２Ｂは、蒸着マスクを有機ＥＬ基板に密着させる密着工程を示す図である。 図１２Ｃは、蒸着マスクの窪み部の窪み面が有機ＥＬ基板に密着する例を示す図である。 図１３は、蒸着マスクの複数の貫通孔の配置の一変形例を示す平面図である。 図１４は、パターン基板の導電性パターンの一例を拡大して示す断面図である。 図１５は、図１４に示すパターン基板を用いて第１成膜工程を実施した場合に得られる蒸着マスクを拡大して示す断面図である。 図１６は、パターン基板の導電性パターンのその他の例を拡大して示す断面図である。 図１７は、図１６に示すパターン基板を用いて第１成膜工程を実施した場合に得られる蒸着マスクを拡大して示す断面図である。

以下、図面を参照して本発明の一実施の形態について説明する。なお、本件明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。

図１〜図７Ｄは、本発明の一実施の形態を説明するための図である。以下の実施の形態では、有機ＥＬ表示装置を製造する際に有機材料を所望のパターンで基板上にパターニングするために用いられる蒸着マスクを例にあげて説明する。ただし、このような適用に限定されることなく、種々の用途に用いられる蒸着マスクに対し、本発明を適用することができる。

なお、本明細書において、「板」、「シート」、「フィルム」の用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。例えば、「板」は、「シート」や「フィルム」と呼ばれ得るような部材も含む概念である。

また、「板面（シート面、フィルム面）」とは、対象となる板状（シート状、フィルム状）の部材を全体的かつ大局的に見た場合において対象となる板状部材（シート状部材、フィルム状部材）の平面方向と一致する面のことを指す。また、板状（シート状、フィルム状）の部材に対して用いる法線方向とは、当該部材の板面（シート面、フィルム面）に対する法線方向のことを指す。

さらに、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件および物理的特性並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」、「直交」、「同一」、「同等」等の用語や長さや角度並びに物理的特性の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。

（蒸着マスク装置）
まず、蒸着マスクを含む蒸着マスク装置の一例について、図１〜図２Ｂを参照して説明する。ここで、図１は、蒸着マスクを含む蒸着マスク装置の一例を示す平面図であり、図２Ａは、図１に示す蒸着マスク装置の使用方法を説明するための図であり、図２Ｂは、図１の蒸着マスク装置を用いて製造した有機ＥＬ表示装置を示す断面図である。

図１及び図２Ａに示された蒸着マスク装置１０は、平面視において略矩形状の形状を有する複数の蒸着マスク２０と、複数の蒸着マスク２０の周縁部に取り付けられたフレーム１５と、を備えている。蒸着マスク２０は、蒸着マスク２０の長手方向における一対の端部において、フレーム１５に取り付けられている。フレーム１５は、蒸着マスク２０が撓んでしまうことがないように蒸着マスク２０を張った状態に保持する。蒸着マスク２０とフレーム１５とは、例えばスポット溶接により互いに対して固定されている。各蒸着マスク２０には、蒸着マスク２０を貫通する複数の貫通孔２５が設けられている。

次に、図２Ａを参照して、有機ＥＬ表示装置（有機半導体素子）１００を製造する方法について説明する。まず、蒸着マスク２０と、フレーム１５とを準備する。次に、上述したように、蒸着マスク２０をフレーム１５に取り付けることにより、蒸着マスク装置１０を作製する。その後、蒸着マスク装置１０を使用して、有機ＥＬ基板（被蒸着基板）９２に蒸着材料９８をパターン状に蒸着させる。このようにして、図２Ｂに示すように、有機ＥＬ基板９２に、蒸着材料９８によってパターン状の画素が形成された有機ＥＬ表示装置１００が作製される。

蒸着材料９８を有機ＥＬ基板９２に蒸着させる際、この蒸着マスク装置１０は、図２Ａに示すように、蒸着マスク２０が蒸着対象物である基板（被蒸着基板）、例えば有機ＥＬ基板９２の下面に対面するようにして蒸着装置９０内に支持され、有機ＥＬ基板９２への蒸着材料９８の蒸着に使用される。

より具体的には、蒸着装置９０内では、不図示の磁石からの磁力によって、蒸着マスク２０と有機ＥＬ基板９２とが密着するようになる。蒸着装置９０内には、蒸着マスク装置１０の下方に、蒸着材料（一例として、有機発光材料）９８を収容するるつぼ９４と、るつぼ９４を加熱するヒータ９６とが配置されている。蒸着装置９０内を高真空に減圧した後、るつぼ９４内の蒸着材料９８は、ヒータ９６からの加熱により、気化または昇華して有機ＥＬ基板９２の表面に付着するようになる。上述したように、蒸着マスク２０には多数の貫通孔２５が形成されており、蒸着材料９８はこの貫通孔２５を通過して有機ＥＬ基板９２に付着する。この結果、蒸着マスク２０の貫通孔２５の位置に対応した所望のパターンで、蒸着材料９８が有機ＥＬ基板９２の表面に成膜される。図２Ａにおいて、蒸着マスク２０の面のうち蒸着工程の際に有機ＥＬ基板９２と対向する面が符号２０ｂで表されている。また、蒸着マスク２０の面のうち面２０ｂの反対側に位置する面が符号２０ａで表されている。面２０ａ側には、蒸着材料９８の蒸着源（ここではるつぼ９４）が配置される。以降、蒸着マスク２０の面２０ａを一方の面２０ａと呼び、一方の面２０ａと対向する面２０ｂを他方の面２０ｂと呼ぶ。

上述したように、本実施の形態では、貫通孔２５が後述の各有効領域２２において所定のパターンで配置されている。なお、複数の色によるカラー表示を行いたい場合には、各色に対応する蒸着マスク２０が搭載された蒸着機をそれぞれ準備し、有機ＥＬ基板９２を各蒸着機に順に投入する。これによって、例えば、赤色用の有機発光材料、緑色用の有機発光材料及び青色用の有機発光材料を順に有機ＥＬ基板９２に蒸着させることができる。

ところで蒸着処理は、高温雰囲気となる蒸着装置９０の内部で実施される場合がある。この場合、蒸着処理の間、蒸着装置９０の内部に保持される蒸着マスク２０、フレーム１５および有機ＥＬ基板９２も加熱される。この際、蒸着マスク２０、フレーム１５および有機ＥＬ基板９２は、各々の熱膨張係数に基づいた寸法変化の挙動を示すことになる。この場合、蒸着マスク２０やフレーム１５と有機ＥＬ基板９２の熱膨張係数が大きく異なっていると、それらの寸法変化の差異に起因した位置ずれが生じ、この結果、有機ＥＬ基板９２上に付着する蒸着材料９８の寸法精度や位置精度が低下してしまう。このような課題を解決するため、蒸着マスク２０およびフレーム１５の熱膨張係数が、有機ＥＬ基板９２の熱膨張係数と同等の値であることが好ましい。例えば、有機ＥＬ基板９２としてガラス基板が用いられる場合、蒸着マスク２０およびフレーム１５の主要な材料として、ニッケルを含む鉄合金を用いることができる。具体的には、３４質量％以上３８質量％以下のニッケルを含むインバー材や、ニッケルに加えてさらにコバルトを含むスーパーインバー材などの鉄合金を、蒸着マスク２０を構成する後述する第１金属層３２および第２金属層３７の材料として用いることができる。

なお、蒸着処理の際に、蒸着マスク２０、フレーム１５および有機ＥＬ基板９２の温度が高温には達しない場合は、蒸着マスク２０およびフレーム１５の熱膨張係数を有機ＥＬ基板９２の熱膨張係数と同等の値にする必要は特にない。この場合、蒸着マスク２０を構成する後述する第１金属層３２および第２金属層３７の材料として、ニッケルやニッケル−コバルト合金など、上述の鉄合金以外の様々な材料を用いることができる。

（蒸着マスク）
次に、蒸着マスク２０について、図１、図３〜図５Ｂを参照して詳細に説明する。図３は、図１の蒸着マスク２０を一方の面２０ａの側から見て示す部分平面図であり、図４は、図３の蒸着マスクのIV−IV線に対応する断面を示す図である。

図１に示すように、本実施の形態において、蒸着マスク２０は、平面視において略四角形形状、さらに正確には平面視において略矩形状の輪郭を有している。蒸着マスク２０は、規則的な配列で貫通孔２５が形成された有効領域２２と、有効領域２２を取り囲む周囲領域２３と、を含んでいる。周囲領域２３は、有効領域２２を支持するための領域であり、有機ＥＬ基板９２へ蒸着されることを意図された蒸着材料９８が通過する領域ではない。例えば、有機ＥＬ表示装置１００用の有機発光材料の蒸着に用いられる蒸着マスク２０においては、有効領域２２は、有機発光材料が蒸着して画素を形成するようになる有機ＥＬ基板９２の表示領域となる区域に対面する、蒸着マスク２０内の領域のことである。ただし、種々の目的から、周囲領域２３に貫通孔や凹部が形成されていてもよい。図１に示された例において、各有効領域２２は、平面視において略四角形形状、さらに正確には平面視において略矩形状の輪郭を有している。なお、図示はしないが、各有効領域２２は、有機ＥＬ基板９２の表示領域の形状に応じて、様々な形状の輪郭を有することができる。例えば各有効領域２２は、円形状の輪郭を有していてもよい。

図１に示された例において、蒸着マスク２０の複数の有効領域２２は、蒸着マスク２０の長手方向と平行な一方向に沿って所定の間隔を空けて一列に配列されている。図示された例では、一つの有効領域２２が一つの有機ＥＬ表示装置１００に対応するようになっている。すなわち、図１に示された蒸着マスク装置１０（蒸着マスク２０）によれば、多面付蒸着が可能となっている。

図３に示された例では、蒸着マスク２０の各有効領域２２に形成された複数の貫通孔２５は、当該有効領域２２において、互いに直交する二方向に沿ってそれぞれ所定のピッチで配列されている。また、隣接する二つの貫通孔２５は、当該貫通孔２５間に配置された仕切部２６で仕切られている。

この貫通孔２５、仕切部２６の形状等について、以下に詳細に説明する。図４に示された例では、蒸着マスク２０は、一方の面２０ａ、及び、一方の面２０ａと対向する他方の面２０ｂを備えている。図示された例では、一方の面２０ａと他方の面２０ｂとは平行をなしている。蒸着マスク２０の他方の面２０ｂは、蒸着材料９８を有機ＥＬ基板９２等の基板に蒸着する際に、当該基板に対面するように配置されることを意図されている。例えば図２Ａに示されているように、蒸着マスク２０が有機ＥＬ基板９２の下面に対面して配置される場合、蒸着マスク２０は、他方の面２０ｂが上面となり一方の面２０ａが下面となるように有機ＥＬ基板９２の下方に配置される。すなわち、蒸着マスク２０は、他方の面２０ｂが有機ＥＬ基板９２の下面に対面するように配置される。

蒸着マスク２０は、複数の貫通孔２５及び各貫通孔２５を仕切る仕切部２６を有している。図３に示された例では、仕切部２６は、隣接する二つの貫通孔２５間に配置され、当該二つの貫通孔２５の中心どうしを結ぶ直線と交差し且つ蒸着マスク２０の板面に平行な方向に延在している。とりわけ図示された例では、仕切部２６は、隣接する二つの貫通孔２５の中心どうしを結ぶ直線と直交する方向に延在している。図示された例では、各貫通孔２５は、それぞれ略矩形状の形状を有し、隣接する二つの貫通孔２５の、一方の貫通孔２５における他方の貫通孔２５側に位置する辺と、他方の貫通孔２５における一方の貫通孔２５側に位置する辺とが平行をなすようにして、配置されている。これにともなって、図示された例では、仕切部２６は、隣接する二つの貫通孔２５の、一方の貫通孔２５における他方の貫通孔２５側に位置する辺と、他方の貫通孔２５における一方の貫通孔２５側に位置する辺との間に、一方の貫通孔２５における他方の貫通孔２５側に位置する辺及び他方の貫通孔２５における一方の貫通孔２５側に位置する辺と平行な方向に沿って延在している。

図４に示された例では、仕切部２６は、蒸着マスク２０の一方の面２０ａの一部をなす第１面２６ａと、第１面２６ａと対向する第２面２６ｂと、を有している。図示された例では、仕切部２６の第２面２６ｂ側にウィング部２９が配置されている。とりわけ、仕切部２６の第２面２６ｂ上にウィング部２９が配置されている。なお、これに限られず、仕切部２６とウィング部２９との間に、他の層が設けられていてもよい。

図４に示された例では、仕切部２６（第１面２６ａ）が、蒸着マスク２０の一方の面２０ａの一部をなし、ウィング部２９が、蒸着マスク２０の他方の面２０ｂの一部をなしている。ウィング部２９は、蒸着材料９８を有機ＥＬ基板９２等の基板に蒸着する際に、当該基板に密着するように配置される。これにより、ウィング部２９は、有機ＥＬ基板９２の画素間に相当する箇所等、蒸着材料９８が付着すべきでない箇所へ蒸着材料９８が付着することを防止する機能を有する。また、仕切部２６は、貫通孔２５に進入した蒸着材料９８が隣接する貫通孔２５へ向かうことを抑制する壁部として機能する。さらに、仕切部２６は、ウィング部２９を支持する支持部としても機能する。

仕切部２６は、当該仕切部２６の延在方向に直交する断面において、蒸着マスク２０の板面と平行且つ仕切部２６の延在方向に直交する方向（以下、幅方向ともいう）に沿って第１の幅Ｗ１を有している。また、ウィング部２９は、当該仕切部２６の延在方向に直交する断面において、幅方向に沿って第１の幅Ｗ１よりも広い幅を有する第２の幅Ｗ２を有している。なお、図示された例では、仕切部２６は、後述のめっき層で形成されている。とりわけ図示された例では、仕切部２６及びウィング部２９が、いずれもめっき層で形成されている。

ところで、図４に示すように、蒸着マスク２０は、所定のパターンで第１開口部３０が設けられた第１金属層３２と、第１開口部３０に連通する第２開口部３５が設けられた第２金属層３７と、を備えている。第１金属層３２は、第２金属層３７よりも蒸着マスク２０の他方の面２０ｂ側に配置されている。とりわけ、第１金属層３２が蒸着マスク２０の他方の面２０ｂを構成し、第２金属層３７が蒸着マスク２０の一方の面２０ａを構成している。したがって、図示された例では、第１金属層３２の一部がウィング部２９をなし、第２金属層３７の一部が仕切部２６をなしている。

本実施の形態においては、第１開口部３０と第２開口部３５とが互いに連通することにより、蒸着マスク２０を貫通する貫通孔２５が構成されている。この場合、蒸着マスク２０の他方の面２０ｂ側における貫通孔２５の開口寸法や開口形状は、第１金属層３２の第１開口部３０によって画定される。一方、蒸着マスク２０の一方の面２０ａ側における貫通孔２５の開口寸法や開口形状は、第２金属層３７の第２開口部３５によって画定される。言い換えると、貫通孔２５には、第１金属層３２の第１開口部３０によって画定される形状、及び、第２金属層３７の第２開口部３５によって画定される形状の両方が付与されている。

図３に示すように、貫通孔２５を構成する第１開口部３０や第２開口部３５は、平面視において略多角形状になっていてもよい。ここでは第１開口部３０及び第２開口部３５が、略四角形状、より具体的には略正方形状になっている例が示されている。また図示はしないが、第１開口部３０や第２開口部３５は、略六角形状や略八角形状など、その他の略多角形状になっていてもよい。なお「略多角形状」とは、多角形の角部が丸められている形状を含む概念である。また図示はしないが、第１開口部３０や第２開口部３５は、円形状になっていてもよい。また、平面視において第２開口部３５が第１開口部３０を囲う輪郭を有する限りにおいて、第１開口部３０の形状と第２開口部３５の形状が相似形になっている必要はない。

図４において、符号４１は、第１金属層３２（ウィング部２９）と第２金属層３７（仕切部２６）とが接続される接続部を表している。また符号Ｓ０は、第１金属層３２と第２金属層３７との接続部４１における貫通孔２５の寸法を表している。なお図４においては、第１金属層３２（ウィング部２９）と第２金属層３７（仕切部２６）とが接している例を示したが、これに限られることはなく、第１金属層３２（ウィング部２９）と第２金属層３７（仕切部２６）との間にその他の層が介在されていてもよい。例えば、第２金属層３７がめっき処理により形成される場合、第１金属層３２（ウィング部２９）と第２金属層３７（仕切部２６）との間に、第１金属層３２（ウィング部２９）上における第２金属層３７（仕切部２６）の析出を促進させるための触媒層が設けられていてもよい。

上述したように、当該仕切部２６の延在方向に直交する断面において、仕切部２６は幅方向に沿って第１の幅Ｗ１を有し、ウィング部２９は幅方向に沿って第１の幅Ｗ１よりも広い幅を有する第２の幅Ｗ２を有している。したがって、図４に示すように、一方の面２０ａにおける貫通孔２５（第２開口部３５）の開口寸法Ｓ２は、他方の面２０ｂにおける貫通孔２５（第１開口部３０）の開口寸法Ｓ１よりも大きくなっている。以下、このように第１金属層３２（ウィング部２９）及び第２金属層３７（仕切部２６）を構成することの利点について説明する。

蒸着マスク２０の一方の面２０ａ側から蒸着マスク２０に向かって飛来する蒸着材料９８は、貫通孔２５の第２開口部３５及び第１開口部３０を順に通って有機ＥＬ基板９２に付着する。有機ＥＬ基板９２のうち蒸着材料９８が付着する領域は、他方の面２０ｂにおける貫通孔２５の開口寸法Ｓ１や開口形状によって主に定められる。ところで、図４において一方の面２０ａ側から他方の面２０ｂへ向かう矢印で示すように、蒸着材料９８は、るつぼ９４から有機ＥＬ基板９２に向けて蒸着マスク２０の法線方向Ｎに沿って移動するだけでなく、蒸着マスク２０の法線方向Ｎに対して大きく傾斜した方向に移動することもある。

ここで、仮に一方の面２０ａにおける貫通孔２５の開口寸法Ｓ２が他方の面２０ｂにおける貫通孔２５の開口寸法Ｓ１と同一である、すなわち仕切部２６の第１の幅Ｗ１とウィング部２９の第２の幅Ｗ２とが同一である、とすると、蒸着マスク２０の法線方向Ｎに対して大きく傾斜した方向に移動する蒸着材料９８の多くは、貫通孔２５を通って有機ＥＬ基板９２に到達するよりも前に、貫通孔２５の第２開口部３５の壁面（仕切部２６の側面）３６に到達して付着してしまう。したがって、蒸着材料９８の利用効率を高めるためには、第２開口部３５の開口寸法Ｓ２を大きくする、すなわち仕切部２６の第１の幅Ｗ１をウィング部２９の第２の幅Ｗ２よりも狭くする、ことが好ましいといえる。

図４において、第２開口部３５の端部（仕切部２６の第１面２６ａにおける端部）２８を通って、第１開口部３０の端部（ウィング部２９の他方の面２０ｂにおける端部）３３と接する直線Ｌ１と、蒸着マスク２０の法線方向Ｎとがなす角度が、符号θ１で表されている。斜めに移動する蒸着材料９８を、第２開口部３５の壁面３６に到達させることなく可能な限り有機ＥＬ基板９２に到達させるためには、角度θ１を大きくすることが有利となる。例えば角度θ１を４５°以上にすることが好ましい。このため、ウィング部２９が仕切部２６よりも貫通孔２５の内側に向って突出している端部３３を有することにより、角度θ１を大きくすることができる。

上述の開口寸法Ｓ０，Ｓ１，Ｓ２は、有機ＥＬ表示装置１００の画素密度や上述の角度θ１の所望値などを考慮して、適切に設定される。例えば、４００ｐｐｉ以上の画素密度の有機ＥＬ表示装置１００を作製する場合、接続部４１における貫通孔２５の開口寸法Ｓ０は、１５μｍ以上６０μｍ以下の範囲内に設定され得る。また、他方の面２０ｂにおける第１開口部３０の開口寸法Ｓ１は、１０μｍ以上５０μｍ以下の範囲内に設定され、一方の面２０ａにおける第２開口部３５の開口寸法Ｓ２は、１５μｍ以上６０μｍ以下の範囲内に設定され得る。

ウィング部２９の、蒸着マスク２０の板面と平行且つ仕切部２６の延在方向に直交する方向（幅方向）における第２の幅Ｗ２は、例えば１０μｍ以上５０μｍ以下とすることができる。また、ウィング部２９の、蒸着マスク２０の板面への法線方向に沿った高さ（厚み）Ｈ２は、例えば０．５μｍ以上５μｍ以下とすることができる。このような幅Ｗ２及び厚みＨ２を有するウィング部２９によれば、有機ＥＬ基板９２への蒸着材料９８の付着を適切に防止しつつ、有機ＥＬ基板９２における画素密度の向上を図ることができる。

図４に示された例において、蒸着マスク２０の厚みＴは、例えば３μｍ以上５０μｍ以下とすることができる。このような厚みＴを有する蒸着マスク２０によれば、蒸着マスク２０が所望の耐久性を有しつつも十分に薄厚化されているので、有機ＥＬ基板９２に、斜め方向、すなわち有機ＥＬ基板９２の板面及び当該板面への法線方向の両方に対して傾斜した方向、から向かう蒸着材料の当該有機ＥＬ基板９２への付着が阻害されることを抑制すること、すなわち有機材料の付着ムラの発生を抑制することが可能になる。これにより、当該有機ＥＬ基板９２を有する有機ＥＬ表示装置１００において、輝度ムラが生じることを効果的に防止することができる。

次に、図５Ａを参照して、仕切部２６の断面形状について、さらに詳細に説明する。図５Ａは、図４の蒸着マスク２０における１つの仕切部２６の断面を拡大して示す図である。とりわけ、図５Ａは、仕切部２６の延在方向に直交する断面を示している。

図５Ａに示す仕切部２６の延在方向に直交する断面において、仕切部２６の第１面２６ａは、仕切部２６の外側に向かって凸をなすように湾曲している。とりわけ図示された例では、仕切部２６の第１面２６ａは、仕切部２６の外側に向かって凸をなすように略円弧状に湾曲している。これにより、仕切部２６の第１面２６ａは、蒸着マスク２０の板面と平行且つ仕切部２６の延在方向に直交する方向（幅方向）の中央部２７が、幅方向の端部２８よりも、第２面２６ｂと反対側に向かって突出している。

図５Ａに示された例では、仕切部２６は、幅方向に沿って一方の端部２８から他方の端部２８までを３等分した３つの領域であって、一方の端部２８を含む第１領域Ａ１と、他方の端部２８を含む第２領域Ａ２と、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２との間に位置する第３領域Ａ３とを有し、第３領域Ａ３の第１面２６ａにおける、第２面２６ｂからの高さが最も高い箇所での当該高さは、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２の第１面２６ａにおける全ての箇所での第２面２６ｂからの高さよりも高くなっている。言い換えると、第３領域Ａ３の第１面２６ａにおける、第２面２６ｂからの高さが最も高い箇所での当該高さは、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２の第１面２６ａにおける、第２面２６ｂからの高さが最も高い箇所での当該高さよりも高くなっている。

また、図示された例では、仕切部２６の幅方向の中央部２７における第１面２６ａの第２面２６ｂからの高さＨ１は、幅方向の端部２８における第１面２６ａの第２面２６ｂからの高さＨ３よりも高くなっている。ここで、仕切部２６の幅方向の中央部２７とは、仕切部２６の第１面２６ａにおける第３領域Ａ３に対応する部分を指す。したがって、図示された例では、仕切部２６の幅方向の中央部２７における第１面２６ａの第２面２６ｂからの高さＨ１とは、第３領域Ａ３の第１面２６ａにおける、第２面２６ｂからの高さが最も高い箇所での当該高さと同一である。この場合、第３領域Ａ３の第１面２６ａにおける、第２面２６ｂからの高さが最も高い箇所での当該高さＨ１が、幅方向の端部２８における第１面２６ａの第２面２６ｂからの高さＨ３よりも高くなっている、ということもできる。

なお、蒸着マスク２０の仕切部２６とウィング部２９とが一体に形成されている場合や、仕切部２６及びウィング部２９の断面を観察しても仕切部２６とウィング部２９との境界線が明確でない場合は、仕切部２６とウィング部２９との間の接続部４１を含み、蒸着マスク２０の板面と平行をなす仮想面を設定し、この仮想面を仕切部２６の第２面２６ｂとすることができる。

以上に説明した断面形状を有する仕切部２６による効果について、図５Ｂを参照して説明する。蒸着材料９８を有機ＥＬ基板９２等の基板に蒸着する際に、ウィング部２９が基板に密着するように当該ウィング部２９を適切に支持する観点から、蒸着マスク２０への法線方向に沿った仕切部２６の高さ（厚み）は、できるだけ高い（厚い）方が好ましい。一方、仕切部２６の高さを単に高くすると、蒸着マスク２０の法線方向Ｎに対して大きく傾斜した方向から進入してくる蒸着材料９８の有機ＥＬ基板９２への到達が、仕切部２６により妨げられる。これによりいわゆる蒸着シャドーが発生する。

例えば、第１面２６ａの幅方向の両端部２８，２８を結ぶ直線に対応する面を上面とする仕切部、すなわち、図５Ｂにおいて幅Ｗ１及び高さＨ３の矩形断面を有する仕切部を基準として考える。図５Ｂにおいて、蒸着マスク２０の法線方向Ｎに対して角度θ３を有して傾斜した方向から進入してくる蒸着材料９８のうち、この基準となる仕切部の上面の幅方向の端部近傍を通る蒸着材料９８の経路が、符号Ｌ２で示されている。

これに対して、その高さを単に高くした仕切部を比較対象として考える。例えば、図５Ｂにおいて幅Ｗ１及び高さＨ１の矩形断面を有する仕切部を比較対象として考える。この場合、蒸着マスク２０の法線方向Ｎに対して角度θ３を有して傾斜した方向から進入してくる蒸着材料９８のうち、この比較対象となる仕切部の上面の幅方向の端部近傍を通る蒸着材料９８の経路は、符号Ｌ３のようになる。したがって、この比較対象の仕切部においては、蒸着マスク２０の法線方向Ｎに対して角度θ３を有して傾斜した方向から進入してくる蒸着材料９８のうち、経路Ｌ２と経路Ｌ３との間の経路Ｌ４を通る蒸着材料９８は、当該仕切部の上面に付着してしまい、有機ＥＬ基板９２へは到達することができない。そして、これにより蒸着シャドーが発生する。

本実施の形態の仕切部２６は、当該仕切部２６の延在方向に直交する断面において、第１面２６ａが当該仕切部２６の外側に向かって凸をなすように湾曲している。また、仕切部２６の、蒸着マスク２０の板面と平行且つ仕切部２６の延在方向に直交する幅方向の中央部２７における第１面２６ａの第２面２６ｂからの高さは、幅方向の端部２８における第１面２６ａの第２面２６ｂからの高さよりも高くなっている。

この場合、仕切部２６の高さ（第２面２６ｂからの高さ）は、上述の基準となる仕切部と比べて高くなり、さらに、仕切部２６の延在方向に直交する断面における当該仕切部２６の断面積も大きくなる。これにより、基準となる仕切部と比べて、ウィング部２９の補強効果を効果的に向上させることができる。この補強効果により、蒸着時の有機ＥＬ基板９２との繰返しの着脱による変形に対する耐久性や、超音波洗浄での変形に対する耐久性等を向上させることができる。また、蒸着マスク２０の法線方向Ｎに対して角度θ３を有して傾斜した方向から進入してくる蒸着材料９８のうち、この仕切部２６の第１面２６ａの端部２８近傍を通る蒸着材料９８の経路は、符号Ｌ２のようになる。これにより、蒸着シャドーの発生を抑制することができる。すなわち、本実施の形態の仕切部２６によれば、蒸着シャドーの発生を抑制しつつ、ウィング部２９の補強効果を向上させることができる。言い換えると、本実施の形態の仕切部２６によれば、ウィング部２９の補強効果と、蒸着シャドーの抑制効果との両立を図ることが可能となる。すなわち、蒸着マスク２０の変形を抑制するとともに、蒸着品質の向上を図ることができる。

仕切部２６の第１面２６ａの、幅方向の中央部２７における第２面２６ｂからの高さＨ１は、例えば２μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。仕切部２６の第１面２６ａの、幅方向の中央部２７における第１面２６ａの第２面２６ｂからの高さＨ１と、幅方向の端部２８における第１面２６ａの第２面２６ｂからの高さＨ３との差Ｈ４は、例えば０．１５μｍ以上３．５μｍ以下であることが好ましい。また、このような仕切部２６の第１面２６ａの曲率半径ｒは、例えば２μｍ以上３５μｍ以下であることが好ましい。仕切部２６の、蒸着マスク２０の板面と平行且つ仕切部２６の延在方向に直交する方向（幅方向）における第１の幅Ｗ１は、例えば３μｍ以上１５μｍ以下とすることが好ましい。

また、図５Ａに示された例では、蒸着マスク２０の板面と平行且つ仕切部２６の延在方向に直交する方向を仕切部２６の幅方向とし、仕切部２６の延在方向に直交する断面を含む平面内での、第１面２６ａの幅方向の端部２８から幅方向の中央部２７へ向かって幅方向に沿って所定の距離Ｄ１だけ内側に入った第１面２６ａ上の点Ｐにおける第１面２６ａへの接線Ｌｔと、蒸着マスク２０の板面と平行をなす直線Ｌｅと、のなす角度θ２は、１０°以上４５°以下となっている。ここで、所定の距離Ｄ１は、仕切部２６の第１の幅Ｗ１の３％である。

このような寸法および形状を有する仕切部２６によれば、ウィング部２９の補強効果及び蒸着シャドーの抑制効果を、より効果的に発揮することができる。

次に、図４に示す蒸着マスク２０の製造方法の一例について説明する。

〔パターン基板準備工程〕
はじめに、パターン基板５０を作製する方法の一例について説明する。はじめに、基材５１を準備する。次に図６Ａに示すように、導電性材料からなる導電層５２ａを形成する。導電層５２ａは、パターニングされることによって導電性パターン５２となる層である。

絶縁性及び適切な強度を有する限りにおいて、基材５１を構成する材料や基材５１の厚みが特に限られることはない。例えば基材５１を構成する材料として、ガラスや合成樹脂などを用いることができる。

導電層５２ａを構成する材料としては、金属材料や酸化物導電性材料等の導電性を有する材料が適宜用いられる。金属材料の例としては、例えばクロムや銅、及びこれらを含む合金などを挙げることができる。好ましくは、後述するレジストパターン５３に対する高い密着性を有する材料が、導電性パターン５２を構成する材料として用いられる。例えばレジストパターン５３が、アクリル系光硬化性樹脂を含むレジスト膜など、いわゆるドライフィルムと称されるものをパターニングすることによって作製される場合、導電性パターン５２を構成する材料として、ドライフィルムに対する高い密着性を有する銅又は銅合金が用いられることが好ましい。

後述するように、導電層５２ａをパターニングすることによって形成される導電性パターン５２の上には、導電性パターン５２を覆うように第１金属層３２が形成され、この第１金属層３２はその後の工程で導電性パターン５２から分離される。このため、第１金属層３２のうち導電性パターン５２と接する側の面の上には、通常、導電性パターン５２の厚みに対応する窪みが形成される。この点を考慮すると、電解めっき処理に必要な導電性を導電性パターン５２が有する限りにおいて、導電性パターン５２の厚み、すなわち導電層５２ａの厚みは小さい方が好ましい。一方、導電層５２ａの厚みは、薄すぎると抵抗値が大きくなり、電解めっき処理により第１金属層３２が形成されにくくなる。例えば導電層５２ａの厚みは、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内になっている。

次に図６Ｂに示すように、導電層５２ａ上に、所定のパターンを有するレジストパターン５３を形成する。レジストパターン５３を形成する方法としては、後述するレジストパターン５５の場合と同様に、フォトリソグラフィー法などが採用され得る。レジストパターン５３用の材料に所定のパターンで光を照射する方法としては、所定のパターンで露光光を透過させる露光マスクを用いる方法や、所定のパターンで露光光をレジストパターン５３用の材料に対して相対的に走査する方法などが採用され得る。その後、図６Ｃに示すように、導電層５２ａのうちレジストパターン５３によって覆われていない部分を、エッチングによって除去する。次に図６Ｄに示すように、レジストパターン５３を除去する。これによって、第１金属層３２に対応するパターンを有する導電性パターン５２が形成されたパターン基板５０を得ることができる。

〔第１成膜工程〕
次に、パターン基板５０を利用して、めっき処理によって上述の第１金属層３２を作製する第１成膜工程について説明する。ここでは、導電性パターン５２が形成された基材５１上に第１めっき液を供給して、導電性パターン５２上に第１金属層３２を析出させる第１めっき処理工程を実施する。例えば、導電性パターン５２が形成された基材５１を、第１めっき液が充填されためっき槽に浸す。これによって、図７Ａに示すように、基材５１上に、所定のパターンで第１開口部３０が設けられた第１金属層３２を得ることができる。第１金属層３２の厚みは、例えば５μｍ以下になっている。

なおめっき処理の特性上、図７Ａに示すように、第１金属層３２は、基材５１の法線方向に沿って見た場合に導電性パターン５２と重なる部分だけでなく、導電性パターン５２と重ならない部分にも形成され得る。これは、導電性パターン５２の端面５４と重なる部分に析出した第１金属層３２の表面にさらに第１金属層３２が析出するためである。このため、第１金属層３２は、導電性パターン５２から基材５１の法線方向に析出されて成長するだけでなく、導電性パターン５２の端面５４から基材５１の法線方向に直交する方向にも析出され成長していく。この結果、図７Ａに示すように、第１開口部３０の端部３３は、基材５１の法線方向に沿って見た場合に導電性パターン５２と重ならない部分に位置するようになり得る。

導電性パターン５２上に第１金属層３２を析出させることができる限りにおいて、第１めっき処理工程の具体的な方法が特に限られることはない。例えば第１めっき処理工程は、導電性パターン５２に電流を流すことによって導電性パターン５２上に第１金属層３２を析出させる、いわゆる電解めっき処理工程として実施されてもよい。若しくは、第１めっき処理工程は、無電解めっき処理工程であってもよい。なお、第１めっき処理工程が無電解めっき処理工程である場合、導電性パターン５２上には適切な触媒層が設けられていてもよい。若しくは、導電性パターン５２が、触媒層として機能するよう構成されていてもよい。電解めっき処理工程が実施される場合にも、導電性パターン５２上に触媒層が設けられていてもよい。

用いられる第１めっき液の成分は、第１金属層３２に求められる特性に応じて適宜定められる。例えば、第１めっき液として、ニッケル化合物を含む溶液と、鉄化合物を含む溶液との混合溶液を用いることができる。例えば、スルファミン酸ニッケルや臭化ニッケルを含む溶液と、スルファミン酸第一鉄を含む溶液との混合溶液を用いることができる。めっき液には、様々な添加剤が含まれていてもよい。添加剤としては、ホウ酸などのｐＨ緩衝剤、サッカリンナトリウなどの一次光沢剤、ブチンジオール、プロパギルアルコール、クマリン、ホルマリン、チオ尿素などの二次光沢剤や、酸化防止剤などが用いられ得る。

〔第２成膜工程〕
次に、第１開口部３０に連通する第２開口部３５が設けられた第２金属層３７を第１金属層３２上に形成する第２成膜工程を実施する。まず、基材５１上及び第１金属層３２上に、所定の隙間５６を空けてレジストパターン５５を形成するレジスト形成工程を実施する。図７Ｂは、基材５１上に形成されたレジストパターン５５を示す断面図である。図７Ｂに示すように、レジスト形成工程は、第１金属層３２の第１開口部３０がレジストパターン５５によって覆われるとともに、レジストパターン５５の隙間５６が第１金属層３２上に位置するように実施される。

以下、レジスト形成工程の一例について説明する。はじめに、基材５１上及び第１金属層３２上にドライフィルムを貼り合わせることによって、ネガ型のレジスト膜を形成する。ドライフィルムの例としては、例えば日立化成製のＲＹ３３１０など、アクリル系光硬化性樹脂を含むものを挙げることができる。また、レジストパターン５５用の材料を基材５１上に塗布し、その後に必要に応じて焼成を実施することにより、レジスト膜を形成してもよい。このとき、レジスト膜は、その厚み（高さ）が、形成すべき第２金属層３７の厚み（仕切部２６の高さＨ１）よりも厚くなるように形成する。次に、レジスト膜のうち隙間５６となるべき領域に光を透過させないようにした露光マスクを準備し、露光マスクをレジスト膜上に配置する。その後、真空密着によって露光マスクをレジスト膜に十分に密着させる。なおレジスト膜として、ポジ型のものが用いられてもよい。この場合、露光マスクとして、レジスト膜のうちの除去したい領域に光を透過させるようにした露光マスクが用いられる。

その後、レジスト膜を露光マスク越しに露光する。さらに、露光されたレジスト膜に像を形成するためにレジスト膜を現像する。以上のようにして、図７Ｂに示すように、第１金属層３２上に位置する隙間５６が設けられるとともに第１金属層３２の第１開口部３０を覆うレジストパターン５５を形成することができる。なお、レジストパターン５５を基材５１及び第１金属層３２に対してより強固に密着させるため、現像工程の後にレジストパターン５５を加熱する熱処理工程を実施してもよい。

次に、レジストパターン５５の隙間５６に第２めっき液を供給して、第１金属層３２上に第２金属層３７を析出させる第２めっき処理工程を実施する。例えば、第１金属層３２が形成された基材５１を、第２めっき液が充填されためっき槽に浸す。これによって、図７Ｃに示すように、第１金属層３２上に第２金属層３７を形成することができる。このとき、第２金属層３７の上面がレジストパターン５５の上面よりも下方に位置する状態で、第２めっき処理工程が停止されるように、めっき処理を制御する。すなわち、レジストパターン５５の高さよりも低い高さまで第２金属層３７が析出されるようにめっき処理を制御する。例えば第２金属層３７の厚みＨ１は、１μｍ以上５０μｍ以下、より好ましくは２μｍ以上４０μｍ以下、さらに好ましくは２μｍ以上３０μｍ以下、さらに好ましくは２μｍ以上２０μｍ以下の範囲内になっている。

図７Ｄに、図７Ｃの蒸着マスクの一部を拡大して示す。レジストパターン５５の隙間５６にめっき処理により金属層を析出させる場合、隙間５６の壁部近傍５６ｂでは、第２めっき液が滞留することにより、隙間５６の中央部５６ａと比較して、金属層の析出速度が遅くなる。これにより、外側に向かって凸をなすように湾曲した上面（第１面２６ａ）を有する仕切部２６を得ることができる。なお、仕切部２６の第１面２６ａの、幅方向の中央部２７における第１面２６ａの第２面２６ｂからの高さＨ１、仕切部２６の第１面２６ａの、幅方向の中央部２７における第１面２６ａの第２面２６ｂからの高さＨ１と幅方向の端部２８における第１面２６ａの第２面２６ｂからの高さとの差Ｈ４、仕切部２６の第１面２６ａの曲率半径ｒ、仕切部２６の延在方向に直交する断面を含む平面内での第１面２６ａの幅方向の端部２８における第１面への接線Ｌｔと第１面２６ａの幅方向の両端部２８，２８を結ぶ直線Ｌｅとのなす角度θ２等の、仕切部２６の各部の具体的な寸法は、第２めっき処理工程における、めっき液の種類及び濃度、めっき液の液温、電流密度、攪拌、めっき処理時間等を適宜調整することにより、調節することができる。

第１金属層３２上に第２金属層３７を析出させることができる限りにおいて、第２めっき処理工程の具体的な方法が特に限られることとはない。例えば、第２めっき処理工程は、第１金属層３２に電流を流すことによって第１金属層３２上に第２金属層３７を析出させる、いわゆる電解めっき処理工程として実施されてもよい。若しくは、第２めっき処理工程は、無電解めっき処理工程であってもよい。なお第２めっき処理工程が無電解めっき処理工程である場合、第１金属層３２上には適切な触媒層が設けられていてもよい。電解めっき処理工程が実施される場合にも、第１金属層３２上に触媒層が設けられていてもよい。

第２めっき液としては、上述の第１めっき液と同一のめっき液が用いられてもよい。若しくは、第１めっき液とは異なるめっき液が第２めっき液として用いられてもよい。第１めっき液の組成と第２めっき液の組成とが同一である場合、第１金属層３２を構成する金属の組成と、第２金属層３７を構成する金属の組成も同一になる。

〔除去工程〕
その後、レジストパターン５５を除去する除去工程を実施する。例えばアルカリ系剥離液を用いることによって、レジストパターン５５を基材５１、第１金属層３２や第２金属層３７から剥離させることができる。

〔分離工程〕
次に、第１金属層３２及び第２金属層３７の組み合わせ体を基材５１から分離させる分離工程を実施する。これによって、所定のパターンで第１開口部３０が設けられた第１金属層３２と、第１開口部３０に連通する第２開口部３５が設けられた第２金属層３７と、を備えた蒸着マスク２０を得ることができる。

なお、めっき処理により作製された金属層（めっき層）は、光学顕微鏡等で観察すると、その表面に光沢面を有している。一方、例えば金属材料をロールを用いて圧延することによって作製された金属層は、光学顕微鏡等で観察すると、その表面にいわゆるロール筋が観察される。したがって、めっき層と、他の方法、例えば圧延により作製された金属層とは、その表面を光学顕微鏡等で観察することによって区別することができる。また、めっき層には、不可避不純物として硫黄や窒素が含有されている。したがって、めっき層と、他の方法、例えば圧延により作製された金属層とは、当該金属層内に硫黄又は窒素を含有しているか否かを調査することによっても区別することができる。

なお、上述した実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、図面を参照しながら、変形例について説明する。以下の説明及び以下の説明で用いる図面では、上述した実施の形態と同様に構成され得る部分について、上述の実施の形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。

図８を参照して、蒸着マスク２０の変形例について説明する。図８は、蒸着マスク２０の変形例における１つの仕切部２６の断面を拡大して示す図である。とりわけ、図８は、仕切部２６の延在方向に直交する断面を示している。

図８に示された例では、仕切部２６の延在方向に直交する断面において、仕切部２６の第１面２６ａが、幅方向の両端部２８，２８において、滑らかに仕切部２６の側面２６ｃと接続している。図示された例では、第１面２６ａの幅方向の各端部２８は、仕切部２６の延在方向に直交する断面において直線状をなしている側面２６ｃが、曲がり始める点として特定することができる。図示された例においても、仕切部２６の延在方向に直交する断面を含む平面内での、第１面２６ａの幅方向の端部２８から幅方向の中央部２７へ向かって幅方向に沿って所定の距離Ｄ１だけ内側に入った第１面２６ａ上の点Ｐにおける第１面２６ａへの接線Ｌｔと、蒸着マスク２０の板面と平行をなす直線Ｌｅと、のなす角度θ２は、１０°以上４５°以下となっている。また、所定の距離Ｄ１は、仕切部２６の第１の幅Ｗ１の３％である。

したがって、図８に示された例においても、図５Ａを参照して説明した例と同様に、仕切部２６によりウィング部２９を適切に補強しながら、蒸着マスク２０の法線方向Ｎに対して大きく傾斜した方向から進入してくる蒸着材料９８の有機ＥＬ基板９２への到達が、仕切部２６により妨げられ、いわゆる蒸着シャドーを生じることを効果的に抑制することができる。

他の変形例として、上述の本実施の形態においては、蒸着マスク２０が、蒸着マスク２０の長手方向に沿って一列に並べられた複数の有効領域２２を含む例を示したが、これに限られることはない。蒸着マスク２０の長手方向及び幅方向の両方に沿って、複数の有効領域２２が格子状に配置されていてもよい。

（蒸着マスクの他方の面の窪み部について）
上述の実施の形態及び各変形例においては、第１金属層３２を形成する第１成膜工程を実施するためのパターン基板５０として、基材５１上に所定の厚みを有する導電性パターン５２が設けられたものを用いる。また、第１金属層３２は、基材５１の法線方向に沿って見た場合に導電性パターン５２と重なる部分だけでなく、導電性パターン５２と重ならない部分にも形成される。このため、第１金属層３２（ウィング部２９）及び前記第２金属層３７（仕切部２６）を含む蒸着マスク２０をパターン基板５０の基材５１及び導電性パターン５２から分離すると、第１金属層３２によって構成される蒸着マスク２０の他方の面２０ｂには、図９及び図１０に示すように、導電性パターン５２に対応する形状を有する窪み部３４が形成される。図９は、窪み部３４が明示された蒸着マスク２０を示す断面図である。また、図１０は、図９に示す蒸着マスク２０を拡大して示す断面図である。

以下の説明において、蒸着マスク２０の他方の面２０ｂのうち、窪み部３４が形成されていない部分を最表面２０ｃと称し、窪み部３４が形成されている部分を窪み面２０ｄと称する。また、最表面２０ｃと窪み部３４の窪み面２０ｄとの境界を窪み部３４の外縁３４ｅと称する。最表面２０ｃは、第１成膜工程において析出した第１金属層３２のうち、導電性パターン５２と重ならない部分に析出した第１金属層３２の表面である。蒸着マスク２０の法線方向において、最表面２０ｃと一方の面２０ａとの間の距離は、窪み面２０ｄと一方の面２０ａとの間の距離よりも大きい。

蒸着マスク２０の法線方向に沿った窪み部３４の深さＤ２は、パターン基板５０の導電性パターン５２の厚みに応じて定まる。例えば、導電性パターン５２の厚みが５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内である場合、窪み部３４の深さＤ２は５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内になる。第１金属層３２の厚みＨ２は、上述の実施の形態の場合と同様に、０．５μｍ以上５μｍ以下の範囲内である。また、第２金属層３７の厚みＨ１も、上述の実施の形態の場合と同様に、例えば１μｍ以上５０μｍ以下、より好ましくは２μｍ以上４０μｍ以下、さらに好ましくは２μｍ以上３０μｍ以下、さらに好ましくは２μｍ以上２０μｍ以下の範囲内である。

図１１は、蒸着マスク２０の法線方向に沿って蒸着マスク２０を他方の面２０ｂ側から見た場合を示す平面図である。また、図１１においては、蒸着マスク２０の一方の面２０ａ側に形成される第２金属層３７の端部２８、及び、第１金属層３２と第２金属層３７とが接続される接続部４１を破線で表している。第２金属層３７の壁面３６が蒸着マスク２０の法線方向に平行に広がる場合、平面図において、接続部４１の位置は第２金属層３７の端部２８の位置に一致する。

図１１に示すように、最表面２０ｃ及び窪み部３４の外縁３４ｅは、第１金属層３２の端部３３に沿って延びており、また、貫通孔２５を囲う閉じた輪郭を有している。蒸着マスク２０の板面に平行且つ貫通孔２５の輪郭線に直交する方向に沿った最表面２０ｃの幅Ｗ３は、図７Ａに示す、第１金属層３２のうち導電性パターン５２と重ならない部分の幅Ｗ３に等しく、例えば０．５μｍ以上５μｍ以下の範囲内である。

好ましくは、図１１に示すように、蒸着マスク２０の法線方向に沿って蒸着マスク２０を見た場合、第１金属層３２と第２金属層３７とが接続される接続部４１の輪郭が、第１金属層３２に形成された窪み部３４の輪郭（外縁３４ｅ）を囲っている。言い換えると、第２金属層３７は、第１金属層３２のうち窪み部３４が形成されている部分の上に積層されている。このように構成することの利点については後述する。蒸着マスク２０の面方向における窪み部３４の外縁３４ｅと接続部４１の輪郭との間の距離ｄは、例えば１μｍ以上１６．５μｍ以下の範囲内である。

以下、蒸着マスク２０の他方の面２０ｂに窪み部３４が形成されることの利点の一例を説明する。図１２Ａは、有機ＥＬ基板９２の面方向における蒸着マスク２０の位置を調整する位置調整工程を示す図である。図１２Ｂは、蒸着マスク２０を有機ＥＬ基板９２に密着させる密着工程を示す図である。

位置調整工程においては、蒸着マスク２０が有機ＥＬ基板９２に接触して有機ＥＬ基板９２の表面が傷ついてしまうことを抑制するため、有機ＥＬ基板９２と蒸着マスク２０の他方の面２０ｂとの間に所定の間隔を空けた状態で蒸着マスク２０を有機ＥＬ基板９２の面方向に沿って移動させて、蒸着マスク２０の位置を調整する。

この場合、有機ＥＬ基板９２と蒸着マスク２０の他方の面２０ｂとの間の間隔が小さいほど、有機ＥＬ基板９２に対する蒸着マスク２０の相対的な位置を精度よく検出することができ、従って、蒸着マスク２０の位置を精密に調整することができる。一方、有機ＥＬ基板９２と蒸着マスク２０の他方の面２０ｂとの間の間隔が小さいほど、蒸着マスク２０の位置調整の誤差や蒸着マスク２０のたわみなどに起因して蒸着マスク２０が有機ＥＬ基板９２に接触する可能性が高くなる。

ここで本実施の形態によれば、蒸着マスク２０の他方の面２０ｂに窪み部３４が形成されている。窪み部３４の窪み面２０ｄは、最表面２０ｃよりも有機ＥＬ基板９２から遠ざかる位置にある。このため、窪み面２０ｄが有機ＥＬ基板９２に接触する可能性は、最表面２０ｃが有機ＥＬ基板９２に接触する可能性よりも低い。従って、蒸着マスク２０の他方の面２０ｂに窪み部３４を形成することにより、蒸着マスク２０の位置調整の誤差や蒸着マスク２０のたわみが生じた場合であっても、有機ＥＬ基板９２に接触する蒸着マスク２０の面積を低減することができる。このことにより、有機ＥＬ基板９２の表面が傷つくことを抑制することができる。例えば、有機ＥＬ基板９２に予め形成されている配線や電極が傷つくことを抑制することができる。

位置調整工程の後、図１２Ｂに示すように、蒸着マスク２０を有機ＥＬ基板９２に密着させる密着工程を実施する。例えば、不図示の磁石からの磁力を利用して、蒸着マスク２０を有機ＥＬ基板９２へ近づけ、蒸着マスク２０の他方の面２０ｂと有機ＥＬ基板９２とを接触させる。その後、有機材料などを有機ＥＬ基板９２に蒸着させる蒸着工程を実施する。

ところで、蒸着工程の際、蒸着マスク２０の第１金属層３２の端部３３と有機ＥＬ基板９２との間に隙間が空いていると、この隙間に蒸着材料が入り込み、有機ＥＬ基板９２に付着する蒸着材料の形状がばらついてしまう。従って、有機ＥＬ基板９２に付着する蒸着材料の形状を精密に制御するためには、蒸着マスク２０の第１金属層３２の端部３３を有機ＥＬ基板９２に確実に接触させることが重要になる。この隙間は、蒸着マスク２０の厚みが小さく、このため蒸着マスク２０にたわみや波打ち形状などが表れている場合などに生じやすい。

ここで本実施の形態によれば、蒸着マスク２０の他方の面２０ｂに窪み部３４が形成されているので、密着工程の際に蒸着マスク２０を有機ＥＬ基板９２へ近づけるとき、蒸着マスク２０の最表面２０ｃが窪み面２０ｄよりも有機ＥＬ基板９２に接触し易い。そして、蒸着マスク２０の第１金属層３２の端部３３（他方の面２０ｂ上における蒸着マスク２０の外縁）は、最表面２０ｃに位置している。従って、蒸着マスク２０の第１金属層３２の端部３３をより確実に有機ＥＬ基板９２に接触させることができる。

ところで、第１金属層３２のうち蒸着マスク２０の法線方向に沿って見た場合に第２金属層３７と重ならない部分は、第１金属層３２のうち第２金属層３７と重なっている部分に比べて変形し易い。また、蒸着マスク２０の第１金属層３２に窪み部３４が形成される場合、第１金属層３２の厚みは、窪み部３４の深さＤ２の分だけ小さくなり、この結果、第１金属層３２がさらに変形し易くなる。このため、磁石からの磁力などの力が蒸着マスク２０に作用すると、図１２Ｃに示すように、第１金属層３２のうち窪み部３４が形成されるとともに第２金属層３７とは重ならない部分が変形して窪み部３４の窪み面２０ｄの一部が有機ＥＬ基板９２に接触することが考えられる。蒸着マスク２０の最表面２０ｃに加えて窪み部３４の窪み面２０ｄの一部が有機ＥＬ基板９２に接触することにより、蒸着マスク２０をより強固に有機ＥＬ基板９２に密着させることができる。

とりわけ、本実施の形態では、仕切部２６（第２金属層３７）は、当該仕切部２６の延在方向に直交する断面において、第１面２６ａが当該仕切部２６の外側に向かって凸をなすように湾曲している。これにより、仕切部２６の高さ（第２面２６ｂからの高さ）は、図５Ｂを参照して説明した基準となる仕切部と比べて高くなり、さらに、仕切部２６の延在方向に直交する断面における当該仕切部２６の断面積も大きくなる。したがって、仕切部２６は、磁石から大きな磁力を受けて、窪み部３４の窪み面２０ｄの一部を有機ＥＬ基板９２に接触させることができる。このような仕切部２６により、蒸着マスク２０をさらに強固に有機ＥＬ基板９２に密着させることが可能となる。

好ましくは、密着工程の際、はじめに、蒸着マスク２０の最表面２０ｃが有機ＥＬ基板９２に接触し、その後、蒸着マスク２０の窪み部３４の窪み面２０ｄが有機ＥＬ基板９２に接触するよう、蒸着マスク２０を有機ＥＬ基板９２に近づける。これによって、蒸着マスク２０の最表面２０ｃの端部３３を確実に有機ＥＬ基板９２に接触させるとともに、蒸着マスク２０を強固に有機ＥＬ基板９２に密着させることができる。

また、図９乃至図１２Ｃに示す例においても、蒸着マスク２０は、第１開口部３０が形成された第１金属層３２と、第２開口部３５が形成された第２金属層３７と、を備える。このため、上述の本実施の形態の場合と同様に、一方の面２０ａにおける開口寸法Ｓ２が他方の面２０ｂにおける開口寸法Ｓ１よりも大きい、という貫通孔２５の形状を容易に実現することができる。このことにより、蒸着マスク２０の法線方向Ｎに対して大きく傾斜した方向に移動する蒸着材料９８が、貫通孔２５の壁面に付着してしまうことを抑制することができる。これによって、例えば、シャドーの発生を抑制することができる。

なお、蒸着マスク２０の他方の面２０ｂに窪み部３４を形成することによって、有機ＥＬ基板９２に接触する蒸着マスク２０の面積を低減するという効果は、蒸着マスク２０の層構成に依らず実現され得る。例えば、図示はしないが、蒸着マスク２０を、１つの金属層（めっき層）のみによって構成し、金属層のうち蒸着マスク２０の他方の面２０ｂを構成する面に、窪み部３４を形成してもよい。

（貫通孔の配置の変形例）
上述の本実施の形態においては、蒸着マスク２０の法線方向に沿って蒸着マスク２０を見た場合に複数の貫通孔２５が格子状に配置される例を示した。しかしながら、貫通孔２５の配置が特に限られることはない。例えば図１３に示すように、蒸着マスク２０の法線方向に沿って蒸着マスク２０を見た場合に複数の貫通孔２５が千鳥足状に配置されていてもよい。

（窪み部の形状の例）
蒸着マスク２０の他方の面２０ｂの窪み部３４は、上述のように、パターン基板５０の導電性パターン５２に対応して形成される。従って、窪み部３４の形状は、導電性パターン５２の形状に基づいて定まる。以下、パターン基板５０が、図６Ａ〜図６Ｄを参照して説明した方法により作製される場合の、窪み部３４の形状のいくつかの例について説明する。

図１４は、ウェットエッチングによって導電層５２ａをパターニングした場合に得られるパターン基板５０の導電性パターン５２の一例を拡大して示す断面図である。また、図１５は、図１４に示すパターン基板５０を用いて第１成膜工程を実施した場合に得られる蒸着マスク２０を拡大して示す断面図である。

ウェットエッチングのように等方的に進行するエッチングが採用される場合、図１４に示すように、導電性パターン５２の側面５２ｃに窪みが形成されることがある。この場合、図１５に示すように、蒸着マスク２０の第１金属層３２の窪み部３４の側壁３４ｃは、窪み部３４に向かって突出する。この結果、第１金属層３２のうち窪み部３４が形成されている部分の、蒸着マスク２０の法線方向における変形が抑制されると考えられる。このため、有機ＥＬ基板９２の面方向における蒸着マスク２０の位置を調整する位置調整工程の際に蒸着マスク２０の他方の面２０ｂの窪み面２０ｄが有機ＥＬ基板９２に接触してしまうことをより確実に抑制することができる。また、蒸着マスク２０の最表面２０ｃの端部３３をより確実に有機ＥＬ基板９２に接触させることができる。

図１６は、ウェットエッチングによって導電層５２ａをパターニングした場合に得られるパターン基板５０の導電性パターン５２のその他の例を拡大して示す断面図である。また、図１７は、図１６に示すパターン基板５０を用いて第１成膜工程を実施した場合に得られる蒸着マスク２０を拡大して示す断面図である。図１６に示す導電性パターン５２においては、側面５２ｃのうち基材５１に接する部分が、側面５２ｃのうちレジストパターン５３に接する部分よりも外側（導電性パターン５２の中心から遠ざかる側）に位置する。言い換えると、導電性パターン５２のすそ野部分が外側へ広がっている。図１６に示す導電性パターン５２は、導電層５２ａにウェットエッチングを施す時間が図１４に示す形態の場合よりも短い場合に得られる。例えば、導電層５２ａにウェットエッチングを施す時間を、導電層５２ａの厚みを導電層５２ａのエッチングレートで割ることによって算出される時間、いわゆるジャストエッチング時間に設定することにより、図１６に示す導電性パターン５２が得られる。

図１６に示す導電性パターン５２のすそ野部分の位置は、ウェットエッチングを施す時間に応じて敏感に変動する。また、図１７に示すように、導電性パターン５２のすそ野部分の位置が外側にずれると、その分だけ蒸着マスク２０の第１金属層３２の端部３３の位置も外側にずれる。従って、蒸着マスク２０の第１金属層３２の端部３３の位置を安定に定めるためには、図１４に示す形態のように、ウェットエッチング時間をジャストエッチング時間よりも大きくすることが好ましい。

一方、パターン基板５０上に成膜された第１金属層３２及び第２金属層３７からなる蒸着マスク２０をパターン基板５０から分離させる分離工程を容易化するためには、図１６に示すように導電性パターン５２が外側へ広がるすそ野部分を有することが好ましい。

（離型処理を実施する例）
蒸着マスク２０をパターン基板５０から分離させる分離工程を容易化するため、第１成膜工程を実施する前にパターン基板５０に離型処理を施しておいてもよい。以下、離型処理の例について説明する。

まず、パターン基板５０の表面の油分を除去する脱脂処理を実施する。例えば、酸性の脱脂液を用いて、パターン基板５０の導電性パターン５２の表面の油分を除去する。

次に、導電性パターン５２の表面を活性化する活性化処理を実施する。例えば、その後のめっき処理において用いられるめっき液に含まれる酸性溶液と同一の酸性溶液を導電性パターン５２の表面に接触させる。例えば、めっき液がスルファミン酸ニッケルを含む場合、スルファミン酸を導電性パターン５２の表面に接触させる。

次に、導電性パターン５２の表面に有機物の膜を形成する有機膜形成処理を実施する。例えば、有機物を含む離型剤を導電性パターン５２の表面に接触させる。この際、有機膜の厚みを、有機膜の電気抵抗が、電解めっきによる第１金属層３２の析出が有機膜によって阻害されない程度に薄く設定する。

なお、脱脂処理、活性化処理および有機膜形成処理の後には、パターン基板５０を水で洗浄する水洗処理をそれぞれ実施する。

本変形例によれば、第１成膜工程を実施する前にパターン基板５０に離型処理を施すことにより、蒸着マスク２０をパターン基板５０から分離させる分離工程を容易化することができる。

（仕切部の断面の観察方法について）
次に、蒸着マスク２０の仕切部２６における、当該仕切部２６の延在方向に直交する断面の観察方法の一例について説明する。

まず、第１金属層３２を含む試料を５ｍｍ角片に切断し、樹脂包埋する。次に、図４に示す断面が得られるように、ダイヤモンドナイフでトリミング加工する。この際、ミクロトーム（例えばライカマイクロシステムズ社製のウルトラミクロトーム）を使用して、測定目的位置から３０μｍ離れた部分までトリミング加工する。次に、トリミング加工を行った切断面を削ることにより、観察用の切断面を作製する。この際、断面試料作製装置（例えばＪＯＥＬ社製のクロスセクションポリッシャー）を使用して、飛び出し幅を３０μｍ、電圧を５ｋＶ、時間を６時間に設定し、イオンビーム加工にて、切断面を削る。その後、得られた試料の切断面を測定する。この際、走査型電子顕微鏡（例えば、カールツァイス社製の走査型電子顕微鏡）を使用して、電圧を５ｋＶ、作動距離を３ｍｍ、観察倍率を５０００倍または２００００倍に設定し、切断面を観察する。このようにして、当該仕切部２６の形状や各部の寸法を測定することができる。なお、撮影時の観察倍率基準は、Ｐｏｌａｒｏｉｄ５４５とする。

なお、上述した実施の形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。

１０ 蒸着マスク装置
１５ フレーム
２０ 蒸着マスク
２０ａ 一方の面
２０ｂ 他方の面
２０ｃ 最表面
２０ｄ 窪み面
２２ 有効領域
２３ 周囲領域
２５ 貫通孔
２６ 仕切部
２６ａ 第１面
２６ｂ 第２面
２７ 中央部
２８ 端部
２９ ウィング部
３０ 第１開口部
３１ 壁面
３２ 第１金属層
３３ 端部
３４ 窪み部
３４ｃ 側壁
３４ｅ 外縁
３５ 第２開口部
３６ 壁面
３７ 第２金属層
４１ 接続部
５０ パターン基板
５１ 基材
５２ 導電性パターン
５３ レジストパターン
５５ レジストパターン
５６ 隙間
５６ａ 中央部
５６ｂ 壁部近傍
９０ 蒸着装置
９２ 有機ＥＬ基板
９８ 蒸着材料
１００ 有機ＥＬ表示装置（有機半導体素子）

Claims (17)

1. 一方の面及び前記一方の面と対向する他方の面を備えた蒸着マスクであって、
   前記蒸着マスクは、複数の貫通孔及び各貫通孔を仕切る仕切部を有し、
   前記仕切部は、前記蒸着マスクの前記一方の面の一部をなす第１面と、前記第１面と対向する第２面とを有し、
   前記仕切部は、当該仕切部の延在方向に直交する断面において、前記第１面が当該仕切部の外側に向かって凸をなすように湾曲している、蒸着マスク。
2. 前記蒸着マスクの板面と平行且つ前記仕切部の延在方向に直交する方向を前記仕切部の幅方向とし、前記断面を含む平面内での、前記第１面の前記幅方向の端部から前記幅方向の中央部へ向かって前記幅方向に沿って所定の距離だけ内側に入った前記第１面上の点における前記第１面への接線と、前記蒸着マスクの板面と平行をなす直線と、のなす角度は、１０°以上４５°以下である、請求項１に記載の蒸着マスク。
3. 前記断面における、前記第１面の曲率半径は、２μｍ以上３５μｍ以下である、請求項１又は２に記載の蒸着マスク。
4. 前記蒸着マスクの板面と平行且つ前記仕切部の延在方向に直交する方向を前記仕切部の幅方向とし、前記幅方向の中央部における前記第１面の前記第２面からの高さは、前記幅方向の端部における前記第１面の前記第２面からの高さよりも高い、請求項１〜３のいずれかに記載の蒸着マスク。
5. 前記幅方向の中央部における前記第１面の前記第２面からの高さと、前記幅方向の端部における前記第１面の前記第２面からの高さとの差は、０．１５μｍ以上３．５μｍ以下である、請求項４に記載の蒸着マスク。
6. 前記幅方向の中央部における前記第１面の前記第２面からの高さは２μｍ以上２０μｍ以下である、請求項４又は５に記載の蒸着マスク。
7. 前記仕切部の前記幅方向に沿った幅は３μｍ以上１５μｍ以下である、請求項１〜６のいずれかに記載の蒸着マスク。
8. 前記仕切部の第２面側に、前記仕切部の前記幅方向に沿った幅よりも広い幅を有するウィング部が配置されている、請求項１〜７のいずれかに記載の蒸着マスク。
9. 前記仕切部はめっき層で形成されている、請求項１〜８のいずれかに記載の蒸着マスク。
10. 所定のパターンで前記貫通孔が形成された金属層を備え、
    前記貫通孔のうち前記他方の面上に位置する部分を第１開口部と称し、前記貫通孔のうち前記一方の面上に位置する部分を第２開口部と称する場合、前記貫通孔は、前記蒸着マスクの法線方向に沿って前記蒸着マスクを見た場合に、前記第２開口部の輪郭が前記第１開口部の輪郭を囲うよう構成されており、
    前記他方の面には窪み部が形成されている、請求項１〜９のいずれかに記載の蒸着マスク。
11. 前記他方の面のうち前記窪み部が形成されていない部分の幅は、０．５μｍ以上５．０μｍ以下の範囲内である、請求項１０に記載の蒸着マスク。
12. 前記金属層は、前記第１開口部及び前記窪み部が形成された第１金属層と、前記第１金属層に積層され、前記第２開口部が形成された第２金属層と、を有する、請求項１０又は１１に記載の蒸着マスク。
13. 前記蒸着マスクの法線方向に沿って前記蒸着マスクを見た場合に、前記第１金属層と前記第２金属層とが接続される接続部の輪郭は、前記第１金属層に形成された前記窪み部の輪郭を囲っている、請求項１２に記載の蒸着マスク。
14. 前記第１金属層のうち前記第２金属層に接続される部分の厚みは、５μｍ以下である、請求項１２又は１３に記載の蒸着マスク。
15. 前記金属層は、めっき層である、請求項１０〜１４のいずれかに記載の蒸着マスク。
16. 複数の貫通孔が形成された蒸着マスクの製造方法であって、
    基材の表面上に、所定の隙間を空けてめっき用レジストパターンを形成するめっき用レジスト形成工程と、
    前記めっき用レジストパターンの前記隙間に金属層を析出させるめっき処理工程と、
    前記金属層を前記基材の前記表面から分離させる分離工程と、を備え、
    前記めっき処理工程では、前記めっき用レジストパターンの高さよりも低い高さまで前記金属層を析出させる、蒸着マスクの製造方法。
17. 有機半導体素子の製造方法であって、
    請求項１〜１５のいずれかに記載の蒸着マスクを準備する工程と、
    前記蒸着マスクを使用して、被蒸着基板に蒸着材料をパターン状に蒸着させる工程と、を備えた有機半導体素子の製造方法。

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