JP6425135B2 - 蒸着マスクの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、複数の貫通孔が形成された蒸着マスクを、めっき処理を利用して製造する方法に関する。

近年、スマートフォンやタブレットＰＣ等の持ち運び可能なデバイスで用いられる表示装置に対して、高精細であること、例えば画素密度が４００ｐｐｉ以上であることが求められている。また、持ち運び可能なデバイスにおいても、ウルトラフルハイビジョンに対応することへの需要が高まっており、この場合、表示装置の画素密度が例えば８００ｐｐｉ以上であることが求められる。

応答性の良さ、消費電力の低さやコントラストの高さのため、有機ＥＬ表示装置が注目されている。有機ＥＬ表示装置の画素を形成する方法として、所望のパターンで配列された貫通孔を含む蒸着マスクを用い、所望のパターンで画素を形成する方法が知られている。具体的には、はじめに、有機ＥＬ表示装置用の基板に対して蒸着マスクを密着させ、次に、密着させた蒸着マスクおよび基板を共に蒸着装置に投入し、有機材料などの蒸着を行う。この場合、高い画素密度を有する有機ＥＬ表示装置を精密に作製するためには、蒸着マスクの貫通孔の位置や形状を設計に沿って精密に再現することや、蒸着マスクの厚みを小さくすることが求められる。

蒸着マスクの製造方法としては、例えば特許文献１に開示されているように、フォトリソグラフィー技術を用いたエッチングによって金属板に貫通孔を形成する方法が知られている。例えば、はじめに、金属板の第１面上に第１レジストパターンを形成し、また金属板の第２面上に第２レジストパターンを形成する。次に、金属板の第１面のうち第１レジストパターンによって覆われていない領域をエッチングして、金属板の第１面に第１凹部を形成する。その後、金属板の第２面のうち第２レジストパターンによって覆われていない領域をエッチングして、金属板の第２面に第２凹部を形成する。この際、第１凹部と第２凹部とが通じ合うようにエッチングを行うことにより、金属板を貫通する貫通孔を形成することができる。なお金属板の第１面とは、有機ＥＬ表示装置用の基板（以下、有機ＥＬ基板とも称する）と対向する蒸着マスクの第１面を構成するようになる面のことである。また金属板の第２面とは、蒸着材料を保持するるつぼなどの蒸着源側に位置する蒸着マスクの第２面を構成するようになる面のことである。

ところでエッチング工程において、金属板の浸食は、金属板の法線方向のみに進むのではなく、金属板の板面に沿った方向にも進んでいく。すなわち、金属板のうちレジストパターンによって覆われている部分においても、金属板の浸食が少なくとも部分的に生じる。従って、エッチングを用いた方法においては、レジストパターンのとおりに金属板に貫通孔を形成することができず、このため蒸着マスクの貫通孔の形状を設計に沿って精密に再現することは困難である。また、金属面の第１面側と第２面側とで貫通孔の寸法が異なる場合など、貫通孔が複雑な形状を有する場合は、実際に作製される蒸着マスクの貫通孔の、設計に対する再現性がさらに低下してしまう。

またエッチングを用いて蒸着マスクを製造する場合、金属板の法線方向におけるエッチングが完了するまでの時間の長短に応じて、金属板の板面に沿った方向における金属板の浸食の程度が変化する。すなわち、金属板の厚みに応じて、貫通孔の形状が変動する。このため、金属板の厚み、すなわち蒸着マスクの厚み、および貫通孔の形状の両者を精密に再現することは容易ではない。

蒸着マスクの製造方法としては、上述のエッチングを用いた方法以外にも、例えば特許文献２に開示されているように、めっき処理を利用して蒸着マスクを製造する方法が知られている。例えば特許文献２に記載の方法においては、はじめに、導電性を有する母型板を準備する。次に、母型板の上に、所定の隙間を空けてレジストパターンを形成する。このレジストパターンは、蒸着マスクの貫通孔が形成されるべき位置に設けられている。その後、レジストパターンの隙間にめっき液を供給して、電解めっき処理によって母型板の上に金属層を析出させる。その後、金属層を母型板から分離させることにより、複数の貫通孔が形成された蒸着マスクを得ることができる。

めっき処理を利用して蒸着マスクを製造する方法によれば、レジストパターンのとおりに金属板に貫通孔を形成することができる。すなわち、蒸着マスクの貫通孔の位置や形状を設計に沿って精密に再現することができる。また、めっき処理を継続する時間を調整することにより、蒸着マスクの貫通孔の位置や形状とは独立に、蒸着マスクの厚みを設定することができる。

特許第５３８２２５９号公報 特開２００１−２３４３８５号公報

蒸着工程においてシャドーが発生することを抑制したり、有機ＥＬ基板に付着する蒸着材料の面積、形状や厚みを精密に制御したりするためには、蒸着マスクの貫通孔の形状や寸法が位置に応じて変化することが必要になることがある。例えば上述の特許文献１においては、蒸着マスクの第１面側における貫通孔の開口寸法が、第２面側における貫通孔の開口寸法よりも小さくなっている例が示されている。しかしながら、特許文献２に記載の方法によっては、このような複雑な形状を有する貫通孔が形成された蒸着マスクを作製することはできない。

本発明は、このような課題を考慮してなされたものであり、複雑な形状を有する貫通孔が形成された蒸着マスクを、めっき処理を利用して製造する方法を提供することを目的とする。

本発明は、複数の貫通孔が形成された蒸着マスクを製造する蒸着マスク製造方法であって、複数の高密着性領域と、前記高密着性領域を取り囲む低密着性領域と、に区画された表面を有する基板を準備する準備工程と、前記基板の前記表面上に、所定の隙間を空けてめっき用レジストパターンを形成するめっき用レジスト形成工程と、前記めっき用レジストパターンの前記隙間において前記基板の前記表面上に金属層を析出させるめっき処理工程と、前記金属層を前記基板の前記表面から分離させる分離工程と、を備え、前記めっき用レジストパターンは、前記基板の前記表面に対向する第１面と、前記第１面の反対側に位置する第２面と、前記隙間に面する側面と、を含み、前記高密着性領域に対する前記めっき用レジストパターンの前記第１面の密着力は、前記低密着性領域に対する前記めっき用レジストパターンの前記第１面の密着力よりも高く、前記めっき用レジスト形成工程は、前記めっき用レジストパターンの前記第１面が前記高密着性領域を覆うとともに前記低密着性領域にまで広がり、かつ、前記めっき用レジストパターンの前記隙間が前記低密着性領域上に位置するよう、実施され、前記めっき処理工程においては、前記低密着性領域と前記めっき用レジストパターンの前記第１面との間にも前記金属層が析出する、蒸着マスク製造方法である。

本発明による蒸着マスクの製造方法において、前記準備工程は、前記基板の前記表面のうち前記低密着性領域に対応する領域の上に表面処理用レジストパターンを形成する表面処理用レジスト形成工程と、前記基板の前記表面のうち前記表面処理用レジストパターンによって覆われていない領域を表面処理して前記高密着性領域を形成する表面処理工程と、を含んでいてもよい。

本発明による蒸着マスクの製造方法において、前記準備工程は、前記基板の前記表面のうち前記高密着性領域に対応する領域の上に表面処理用レジストパターンを形成する表面処理用レジスト形成工程と、前記基板の前記表面のうち前記表面処理用レジストパターンによって覆われていない領域を表面処理して前記低密着性領域を形成する表面処理工程と、を含んでいてもよい。

本発明による蒸着マスクの製造方法において、前記基板の前記表面のうち少なくとも前記低密着性領域は、導電性を有する導電層によって構成されており、前記めっき処理工程は、前記基板の前記導電層に電流を流すことによって前記基板の前記表面の前記低密着性領域に前記金属層を析出させる電解めっき処理工程を含んでいてもよい。

本発明による蒸着マスクの製造方法において、前記金属層は、前記基板の前記低密着性領域と前記めっき用レジストパターンの前記第１面との間において析出した金属によって形成される第１部分と、前記めっき用レジストパターンの前記隙間において析出した金属によって形成される第２部分と、を含み、前記第１部分のうち前記第２部分に接続される部分の厚みは、５μｍ以下であってもよい。

本発明による蒸着マスクの製造方法において、前記金属層の厚みは、１〜５０μｍの範囲内、より好ましくは３〜３０μｍの範囲内、さらに好ましくは３〜２５μｍの範囲内、さらに好ましくは３〜２０μｍの範囲内であってもよい。

本発明による蒸着マスク製造方法は、複数の高密着性領域と、高密着性領域を取り囲む低密着性領域と、に区画された表面を有する基板を準備する準備工程と、基板の表面上に、所定の隙間を空けてめっき用レジストパターンを形成するめっき用レジスト形成工程と、めっき用レジストパターンの隙間において基板の表面上に金属層を析出させるめっき処理工程と、を含んでいる。めっき用レジスト形成工程は、めっき用レジストパターンが高密着性領域を覆うとともに低密着性領域にまで広がり、かつ、めっき用レジストパターンの隙間が低密着性領域上に位置するよう、実施される。このため、めっき処理工程の際、低密着性領域とめっき用レジストパターンとの間にめっき液を少なくとも部分的に浸入させることができる。これによって、金属層は、基板の低密着性領域とめっき用レジストパターンとの間に浸入しためっき液によって形成される第１部分と、めっき用レジストパターンの隙間に供給されためっき液によって形成される第２部分と、を含むようになる。この場合、蒸着マスクの貫通孔の形状は、一方の面においては第１部分によって画定され、他方の面においては第２部分によって画定される。従って、複雑な形状を有する貫通孔を得ることができる。また、低密着性領域とめっき用レジストパターンとの間に浸入しためっき液を利用して第２部分を形成することにより、小さな厚みを有する第２部分を得ることができる。

図１は、本発明の実施の形態において、蒸着マスクを含む蒸着マスク装置の一例を示す概略平面図。 図２は、図１に示す蒸着マスク装置を用いて蒸着する方法を説明するための図。 図３は、図１に示された蒸着マスクを示す部分平面図。 図４は、図３のＩＶ−ＩＶ線に沿った断面図。 図５は、図４に示す蒸着マスクの第１部分および第２部分の一部を拡大して示す断面図。 図６は、表面および裏面を有する基板を示す断面図。 図７は、基板の表面上に表面処理用レジストパターンを形成する表面処理用レジスト形成工程を示す断面図。 図８は、基板の表面上に表面処理液を供給する表面処理工程を示す断面図。 図９Ａは、被処理領域からなる高密着性領域が形成された基板を示す断面図。 図９Ｂは、被処理領域からなる高密着性領域が形成された基板を示す平面図。 図１０Ａは、基板の表面上にめっき用レジストパターンを形成するめっき用レジスト形成工程を示す断面図。 図１０Ｂは、図１０Ａのめっき用レジストパターンを示す平面図。 図１１は、基板の表面上に金属層を析出させるめっき処理工程を示す断面図。 図１２は、めっき用レジストパターンを除去する除去工程を示す図。 図１３Ａは、金属層を基板から分離させることによって得られた蒸着マスクを示す図。 図１３Ｂは、図１３Ａの蒸着マスクを第２面側から見た場合を示す平面図。 図１４は、本発明の実施の形態の第１の変形例において、基板の表面上に表面処理用レジストパターンを形成する表面処理用レジスト形成工程を示す断面図。 図１５は、基板の表面上に表面処理液を供給する表面処理工程を示す断面図。 図１６は、本発明の実施の形態の第１の変形例において、被処理領域からなる低密着性領域が形成された基板を示す断面図。 図１７は、本発明の実施の形態の第２の変形例において、基板の表面上にめっき用レジストパターンを形成するめっき用レジスト形成工程を示す断面図。 図１８は、本発明の実施の形態の第２の変形例において、基板の表面上に金属層を析出させるめっき処理工程を示す断面図。 図１９は、本発明の実施の形態の第２の変形例において、金属層を基板から分離させることによって得られた蒸着マスクを示す断面図。 図２０は、蒸着マスクを含む蒸着マスク装置の変形例を示す図。

以下、図面を参照して本発明の一実施の形態について説明する。なお、本件明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。

図１〜図２０は、本発明による一実施の形態およびその変形例を説明するための図である。以下の実施の形態およびその変形例では、有機ＥＬ表示装置を製造する際に有機材料を所望のパターンで基板上にパターニングするために用いられる蒸着マスクの製造方法を例にあげて説明する。ただし、このような適用に限定されることなく、種々の用途に用いられる蒸着マスクの製造方法に対し、本発明を適用することができる。

なお、本明細書において、「板」、「シート」、「フィルム」の用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。例えば、「板」はシートやフィルムと呼ばれ得るような部材も含む概念である。

また、「板面（シート面、フィルム面）」とは、対象となる板状（シート状、フィルム状）の部材を全体的かつ大局的に見た場合において対象となる板状部材（シート状部材、フィルム状部材）の平面方向と一致する面のことを指す。また、板状（シート状、フィルム状）の部材に対して用いる法線方向とは、当該部材の板面（シート面、フィルム面）に対する法線方向のことを指す。

さらに、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件および物理的特性並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」、「直交」、「同一」、「同等」等の用語や長さや角度並びに物理的特性の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。

（蒸着マスク装置）
まず、蒸着マスクを含む蒸着マスク装置の一例について、図１〜図４を参照して説明する。ここで、図１は、蒸着マスクを含む蒸着マスク装置の一例を示す平面図であり、図２は、図１に示す蒸着マスク装置の使用方法を説明するための図である。図３は、蒸着マスクを第１面の側から示す平面図であり、図４は、図３のＩＶ−ＩＶ線に沿った断面図である。

図１及び図２に示された蒸着マスク装置１０は、平面視において略矩形状の形状を有する複数の蒸着マスク２０と、複数の蒸着マスク２０の周縁部に取り付けられたフレーム１５と、を備えている。各蒸着マスク２０には、蒸着マスク２０を貫通する複数の貫通孔２５が設けられている。この蒸着マスク装置１０は、図２に示すように、蒸着マスク２０が蒸着対象物である基板、例えば有機ＥＬ基板９２の下面に対面するようにして蒸着装置９０内に支持され、有機ＥＬ基板９２への蒸着材料の蒸着に使用される。

蒸着装置９０内では、不図示の磁石からの磁力によって、蒸着マスク２０と有機ＥＬ基板９２とが密着するようになる。蒸着装置９０内には、蒸着マスク装置１０の下方に、蒸着材料（一例として、有機発光材料）９８を収容するるつぼ９４と、るつぼ９４を加熱するヒータ９６とが配置されている。るつぼ９４内の蒸着材料９８は、ヒータ９６からの加熱により、気化または昇華して有機ＥＬ基板９２の表面に付着するようになる。上述したように、蒸着マスク２０には多数の貫通孔２５が形成されており、蒸着材料９８はこの貫通孔２５を介して有機ＥＬ基板９２に付着する。この結果、蒸着マスク２０の貫通孔２５の位置に対応した所望のパターンで、蒸着材料９８が有機ＥＬ基板９２の表面に成膜される。図２において、蒸着マスク２０の面のうち蒸着工程の際に有機ＥＬ基板９２と対向する面（以下、第１面とも称する）が符号２０ａで表されている。また、蒸着マスク２０の面のうち蒸着材料９８の蒸着源（ここではるつぼ９４）側に位置する面（以下、第２面とも称する）が符号２０ｂで表されている。

上述したように、本実施の形態では、貫通孔２５が各有効領域２２において所定のパターンで配置されている。なお、複数の色によるカラー表示を行いたい場合には、各色に対応する蒸着マスク２０が搭載された蒸着機をそれぞれ準備し、有機ＥＬ基板９２を各蒸着機に順に投入する。これによって、例えば、赤色用の有機発光材料、緑色用の有機発光材料および青色用の有機発光材料を順に有機ＥＬ基板９２に蒸着させることができる。

なお、蒸着マスク装置１０のフレーム１５は、矩形状の蒸着マスク２０の周縁部に取り付けられている。フレーム１５は、蒸着マスク２０が撓んでしまうことがないように蒸着マスク２０を張った状態に保持する。蒸着マスク２０とフレーム１５とは、例えばスポット溶接により互いに対して固定されている。

ところで蒸着処理は、高温雰囲気となる蒸着装置９０の内部で実施される場合がある。この場合、蒸着処理の間、蒸着装置９０の内部に保持される蒸着マスク２０、フレーム１５および有機ＥＬ基板９２も加熱される。この際、蒸着マスク２０、フレーム１５および有機ＥＬ基板９２は、各々の熱膨張係数に基づいた寸法変化の挙動を示すことになる。この場合、蒸着マスク２０やフレーム１５と有機ＥＬ基板９２の熱膨張係数が大きく異なっていると、それらの寸法変化の差異に起因した位置ずれが生じ、この結果、有機ＥＬ基板９２上に付着する蒸着材料の寸法精度や位置精度が低下してしまう。このような課題を解決するため、蒸着マスク２０およびフレーム１５の熱膨張係数が、有機ＥＬ基板９２の熱膨張係数と同等の値であることが好ましい。例えば、有機ＥＬ基板９２としてガラス基板が用いられる場合、蒸着マスク２０およびフレーム１５の主要な材料として、ニッケルを含む鉄合金を用いることができる。具体的には、３４〜３８質量％のニッケルを含むインバー材や、ニッケルに加えてさらにコバルトを含むスーパーインバー材などの鉄合金を、蒸着マスク２０を構成する後述する第１部分３２および第２部分３７の材料として用いることができる。なお本明細書において、「〜」という記号によって表現される数値範囲は、「〜」という符号の前後に置かれた数値を含んでいる。例えば、「３４〜３８質量％」という表現によって画定される数値範囲は、「３４質量％以上かつ３８質量％以下」という表現によって画定される数値範囲と同一である。

なお蒸着処理の際に、蒸着マスク２０、フレーム１５および有機ＥＬ基板９２の温度が高温には達しない場合は、蒸着マスク２０およびフレーム１５の熱膨張係数を有機ＥＬ基板９２の熱膨張係数と同等の値にする必要は特にない。この場合、蒸着マスク２０を構成する後述する第１部分３２および第２部分３７の材料として、ニッケルやニッケル−コバルト合金など、上述の鉄合金以外の様々な材料を用いることができる。

（蒸着マスク）
次に、蒸着マスク２０について詳細に説明する。図１に示すように、本実施の形態において、蒸着マスク２０は、平面視において略四角形形状、さらに正確には平面視において略矩形状の輪郭を有している。蒸着マスク２０は、規則的な配列で貫通孔２５が形成された有効領域２２と、有効領域２２を取り囲む周囲領域２３と、を含んでいる。周囲領域２３は、有効領域２２を支持するための領域であり、基板へ蒸着されることを意図された蒸着材料が通過する領域ではない。例えば、有機ＥＬ表示装置用の有機発光材料の蒸着に用いられる蒸着マスク２０においては、有効領域２２は、有機発光材料が蒸着して画素を形成するようになる有機ＥＬ基板９２の表示領域となる区域に対面する、蒸着マスク２０内の領域のことである。ただし、種々の目的から、周囲領域２３に貫通孔や凹部が形成されていてもよい。図１に示された例において、各有効領域２２は、平面視において略四角形形状、さらに正確には平面視において略矩形状の輪郭を有している。なお図示はしないが、各有効領域２２は、有機ＥＬ基板９２の表示領域の形状に応じて、様々な形状の輪郭を有することができる。例えば各有効領域２２は、円形状の輪郭を有していてもよい。

図示された例において、蒸着マスク２０の複数の有効領域２２は、蒸着マスク２０の長手方向と平行な一方向に沿って所定の間隔を空けて一列に配列されている。図示された例では、一つの有効領域２２が一つの有機ＥＬ表示装置に対応するようになっている。すなわち、図１に示された蒸着マスク装置１０（蒸着マスク２０）によれば、多面付蒸着が可能となっている。

図３に示すように、図示された例において、各有効領域２２に形成された複数の貫通孔２５は、当該有効領域２２において、互いに直交する二方向に沿ってそれぞれ所定のピッチで配列されている。この貫通孔２５の形状などについて、図３および図４を参照して更に詳述する。

図３および図４に示すように、蒸着マスク２０の貫通孔２５は、第１面２０ａ側に位置し、第１面２０ａにおいて開口寸法Ｓ１を有する第１開口部３０と、第２面２０ｂ側に位置し、第２面２０ｂにおいて開口寸法Ｓ２を有する第２開口部３５と、を含んでいる。言い換えると、第１面２０ａ側の第１開口部３０と第２面２０ｂ側の第２開口部３５とが互いに連通することにより、貫通孔２５が形成されている。図４において、蒸着マスク２０の有効領域２２のうち、第１面２０ａ側の第１開口部３０の輪郭を画定している部分（以下、第１部分とも称する）が符号３２で表され、第２面２０ｂ側の第２開口部３５の輪郭を画定している部分（以下、第２部分とも称する）が符号３７で表されている。第１部分３２および第２部分３７は例えば、後述するめっき処理工程において基板５１の表面５１ａ上に析出する金属層２８として同時に形成される。

図３に示すように、貫通孔２５を構成する第１開口部３０や第２開口部３５は、平面視において略多角形状になっていてもよい。ここでは第１開口部３０および第２開口部３５が、略四角形状、より具体的には略正方形状になっている例が示されている。また図示はしないが、第１開口部３０や第２開口部３５は、略六角形状や略八角形状など、その他の略多角形状になっていてもよい。なお「略多角形状」とは、多角形の角部が丸められている形状を含む概念である。また図示はしないが、第１開口部３０や第２開口部３５は、円形状になっていてもよい。また、平面視において第２開口部３５が第１開口部３０を囲う輪郭を有する限りにおいて、第１開口部３０の形状と第２開口部３５の形状が相似形になっている必要はない。

図５は、図４の金属層２８の第１部分３２および第２部分３７を拡大して示す図である。後述するように、第１部分３２は、基板５１の低密着性領域５６とめっき用レジストパターン６０の第１面６１との間において析出した金属によって形成される部分である。一方、第２部分３７は、めっき用レジストパターン６０の隙間６４において析出した金属によって形成される部分である。図５においては、第１部分３２と第２部分３７との間の仮想的な境界線が一点鎖線で示されている。また、第１部分３２によって画定される第１開口部３０の壁面３１と、第２部分３７によって画定される第２開口部３５の壁面３６とが接する接続部が符号４１で表されている。なお「壁面３１」とは、第１部分３２の面のうち第１開口部３０を画成する面のことである。上述の「壁面３６」も同様に、第２部分３７の面のうち第２開口部３５を画成する面のことである。

図５に示すように、蒸着マスク２０の第２面２０ｂにおける金属層２８の幅Ｍ２は、蒸着マスク２０の第１面２０ａにおける金属層２８の幅Ｍ１よりも小さくなっている。言い換えると、第２面２０ｂにおける貫通孔２５（第２開口部３５）の開口寸法Ｓ２は、第１面２０ａにおける貫通孔２５（第１開口部３０）の開口寸法Ｓ１よりも大きくなっている。以下、このように金属層２８を構成することの利点について説明する。

蒸着マスク２０の第２面２０ｂ側から飛来する蒸着材料９８は、貫通孔２５の第２開口部３５および第１開口部３０を順に通って有機ＥＬ基板９２に付着する。有機ＥＬ基板９２のうち蒸着材料９８が付着する領域は、第１面２０ａにおける貫通孔２５の開口寸法Ｓ１や開口形状によって主に定められる。ところで、図４において第２面２０ｂ側から第１面２０ａへ向かう矢印Ｌ１で示すように、蒸着材料９８は、るつぼ９４から有機ＥＬ基板９２に向けて蒸着マスク２０の法線方向Ｎに沿って移動するだけでなく、蒸着マスク２０の法線方向Ｎに対して大きく傾斜した方向に移動することもある。ここで、仮に第２面２０ｂにおける貫通孔２５の開口寸法Ｓ２が第１面２０ａにおける貫通孔２５の開口寸法Ｓ１と同一であるとすると、蒸着マスク２０の法線方向Ｎに対して大きく傾斜した方向に移動する蒸着材料９８の多くは、貫通孔２５を通って有機ＥＬ基板９２に到達するよりも前に、貫通孔２５の第２開口部３５の壁面３６に到達して付着してしまう。従って、蒸着材料９８の利用効率を高めるためには、第２開口部３５の開口寸法Ｓ２を大きくすること、すなわち第２面２０ｂ側における金属層２８の幅Ｍ２を小さくすることが好ましいと言える。

図４において、第２部分３７の端部３８および第１部分３２の端部３３を通る直線Ｌ１が、蒸着マスク２０の法線方向Ｎに対してなす最小角度が、符号θ１で表されている。斜めに移動する蒸着材料９８を、第２開口部３５の壁面３６に到達させることなく可能な限り有機ＥＬ基板９２に到達させるためには、角度θ１を大きくすることが有利となる。角度θ１を大きくする上では、第１面２０ａ側における金属層２８の幅Ｍ１に比べて第２面２０ｂ側における金属層２８の幅Ｍ２を小さくすることが有効である。また図から明らかなように、角度θ１を大きくする上では、第１部分３２の厚みＴ１や第２部分３７の厚みＴ２を小さくすることも有効である。ここで「第１部分３２の厚みＴ１」は、第１部分３２と第２部分３７との境界における第１部分３２の厚みを意味している。また図５から明らかなように、第２部分３７の厚みＴ２は、蒸着マスク２０の有効領域２２を構成する金属層の厚みと同義である。なお幅Ｍ２、厚みＴ１やの厚みＴ２を過剰に小さくしてしまうと、蒸着マスク２０の強度が低下し、このため搬送時や使用時に蒸着マスク２０が破損してしまうことが考えられる。例えば、蒸着マスク２０をフレーム１５に張設する際に蒸着マスク２０に加えられる引張り応力によって、蒸着マスク２０が破損してしまうことが考えられる。これらの点を考慮すると、蒸着マスク２０の各部分の幅や厚みが以下の範囲に設定されることが好ましいと言える。これによって、上述の角度θ１を例えば４５°以上にすることができる。

・第１面２０ａ側における金属層２８の幅Ｍ１：５〜２５μｍ
・第２面２０ｂ側における金属層２８の幅Ｍ２：２〜２０μｍ
・第１部分３２の厚みＴ１：５μｍ以下
・第２部分３７の厚みＴ２：１〜５０μｍ、より好ましくは３〜３０μｍ、さらに好ましくは３〜２５μｍ、さらに好ましくは３〜２０μｍ
・厚みＴ１と厚みＴ２との差ΔＴ：０．１〜５０μｍ、より好ましくは３〜３０μｍ、さらに好ましくは３〜２５μｍ、さらに好ましくは６〜２５μｍ

表１に、５インチの有機ＥＬ表示装置において、表示画素数、および表示画素数に応じて求められる、蒸着マスク２０の各部分の幅や厚みの値の例を示す。なお「FHD」は、Full High Definitionを意味し、「WQHD」は、Wide Quad High Definitionを意味し、「UHD」は、Ultra High Definitionを意味している。

次に、第１部分３２の形状についてより詳細に説明する。仮に図５において点線で示すように、端部３３において第１部分３２が、第２面２０ｂ側へ向かって大きく切り立った形状を有している場合、貫通孔２５の第２開口部３５を通過した後の蒸着材料９８の多くが第１部分３２の壁面３１に到達して付着してしまうことが考えられる。このような、端部３３近傍における第１部分３２への蒸着材料９８の付着を抑制するため、図５に示すように、第１部分３２は、端部３３およびその近傍において、第１部分３２のうち第２部分３７に接する部分における厚みＴ１よりも小さな厚みを有することが好ましい。例えば図５に示すように、第１部分３２の厚みが、第１部分３２のうち第２部分３７に接する部分から端部３３に向かうにつれて単調に減少していることが好ましい。このような第１部分３２の形状は、後述するように、めっき処理によって第１部分３２を形成することによって実現され得る。

（蒸着マスクの製造方法）
次に、以上のような構成からなる蒸着マスク２０を製造する方法について、図６〜図１３Ｂを参照して説明する。

（準備工程）
はじめに、めっき処理の際の下地となる基板５１を準備する準備工程を実施する。ここでは、めっき処理が電解めっき処理である例について説明する。この場合、基板５１の表面５１ａのうち少なくとも金属層が析出する部分は、導電性を有する導電層によって構成されている。例えば基板５１全体が、導電性を有する導電層によって構成されていてもよい。この場合、基板５１のうち表面５１ａの反対側に位置する裏面５１ｂには、裏面５１ｂが他の部材と導通してしまうことを防ぐための、絶縁性を有するカバーフィルム５２が設けられていてもよい。

後述するめっき処理の際に所定の金属を析出させることができる限りにおいて、基板５１の導電層を構成する材料が特に限られることはない。例えば、基板５１の導電層を構成する材料としては、金属材料や酸化物導電性材料等の導電性を有する材料が適宜用いられる。金属材料の例としては、例えばステンレススチールや銅などを挙げることができる。好ましくは、後述するめっき用レジストパターン６０に対する高い密着性を有する材料が、基板５１の導電層を構成する材料として用いられる。例えばめっき用レジストパターン６０が、アクリル系光硬化性樹脂を含むレジスト膜など、いわゆるドライフィルムと称されるものをパターニングすることによって作製される場合、基板５１の導電層を構成する材料として、ドライフィルムに対する高い密着性を有する銅が用いられることが好ましい。

準備工程においては、基板５１を準備した後、基板５１の表面５１ａに高密着性領域５５および低密着性領域５６を形成する工程を実施する。ここで「高密着性領域５５および低密着性領域５６」は、高密着性領域５５に対する、後述するめっき用レジストパターン６０の第１面６１の密着力が、低密着性領域５６に対するめっき用レジストパターン６０の第１面６１の密着力よりも相対的に高くなるよう構成された領域として定義される。図９Ａおよび図９Ｂは、高密着性領域５５および低密着性領域５６が形成された基板５１を示す断面図および平面図である。高密着性領域５５は、めっき処理によって基板５１の表面５１ａ上に作製される蒸着マスク２０の第１面２０ａ側の第１開口部３０に対応する領域である。図９Ａおよび図９Ｂに示すように、高密着性領域５５は、基板５１の表面５１ａ上に複数形成される。また各高密着性領域５５は、第１開口部３０に対応する形状、例えば略矩形状を有している。一方、低密着性領域５６は、各高密着性領域５５を取り囲むよう形成される。高密着性領域５５および低密着性領域５６とめっき用レジストパターン６０との間の密着力の評価方法としては、例えば、ＪＩＳ Ｋ５４００−８に記載の碁盤目試験、ＪＩＳ−５６００−５−６に記載のクロスカット法、ＪＩＳ Ｋ５６００−５−７に記載のプルオフ法などを用いることができる。

〔表面処理用レジスト形成工程〕
以下、基板５１上に高密着性領域５５および低密着性領域５６を形成する方法の一例について、図７および図８を参照して説明する。はじめに図７に示すように、基板５１の表面５１ａのうち低密着性領域５６に対応する領域の上に表面処理用レジストパターン５３を形成する表面処理用レジスト形成工程を実施する。言い換えると、基板５１の表面５１ａのうち高密着性領域５５に対応する領域に隙間５３ａが空けられるよう、基板５１の表面５１ａ上に表面処理用レジストパターン５３を設ける。具体的には、はじめに、基板５１の表面５１ａにドライフィルムを貼り付けることによって、ネガ型のレジスト膜を形成する。ドライフィルムの例としては、例えば日立化成製のＲＹ３３１０など、アクリル系光硬化性樹脂を含むものを挙げることができる。次に、レジスト膜のうち隙間５３ａとなるべき領域に光を透過させないようにした露光マスクを準備し、露光マスクをレジスト膜上に配置する。その後、真空密着によって露光マスクをレジスト膜に十分に密着させる。なおレジスト膜として、ポジ型のものが用いられてもよい。この場合、露光マスクとして、レジスト膜のうちの除去したい領域に光を透過させるようにした露光マスクが用いられる。

その後、レジスト膜を露光マスク越しに露光する。さらに、露光されたレジスト膜に像を形成するためにレジスト膜を現像する。以上のようにして、図７に示す表面処理用レジストパターン５３を形成することができる。なお、表面処理用レジストパターン５３を基板５１の表面５１ａに対してより強固に密着させるため、現像工程の後に表面処理用レジストパターン５３を加熱する熱処理工程を実施してもよい。

〔表面処理工程〕
次に、基板５１の表面５１ａのうち表面処理用レジストパターン５３によって覆われていない領域を表面処理して被処理領域５４を形成する表面処理工程を実施する。ここでは、表面処理液として、基板５１の表面５１ａをソフトエッチングすることによって表面５１ａを粗化することができるものが用いられる。例えば表面処理液として、過酸化水素水および硫酸を含む、いわゆる過酸化水素／硫酸系のソフトエッチング剤などが用いられ、具体的にはAtoteck社製のボンドフィルムなどが用いられ得る。このような表面処理液を用いて基板５１の表面５１ａを部分的に粗化することにより、後述するめっき用レジストパターン６０に対する表面５１ａの被処理領域５４の密着力を部分的に高めることができる。すなわち、表面処理液によって表面処理された被処理領域５４が、めっき用レジストパターン６０に対する高い密着力を有する高密着性領域５５となる。また、表面処理用レジストパターン５３によって覆われているために表面処理が施されなかった領域が、めっき用レジストパターン６０に対する密着力が高密着性領域５５に比べて相対的に低い低密着性領域５６となる。高密着性領域５５に施される粗化処理の程度、例えば高密着性領域５５の表面粗さは、高密着性領域５５を構成する材料や後述するめっき用レジストパターン６０を構成する材料などに応じて適宜定められる。例えば、菱化システム社製の走査型白色干渉計VertScanを用いて表面粗さを測定した場合、高密着性領域５５および低密着性領域５６における表面粗さはそれぞれ以下の範囲内になっている。

なお表２において、「表面積率(s-ratio)」は、高密着性領域５５や低密着性領域５６の表面の起伏や凹凸を考慮しない、表面の二次元的な投影面積に対する、高密着性領域５５や低密着性領域５６の表面の起伏や凹凸を含めた、表面の三次元的な実測面積の比を意味している。

なお、めっき用レジストパターン６０に対する基板５１の表面５１ａの密着力を部分的に高めることができる限りにおいて、表面処理工程の内容が、上述の粗化処理に限られることはない。例えば表面処理工程は、めっき用レジストパターン６０に対する高い密着性を有する層を、基板５１の表面５１ａのうち表面処理用レジストパターン５３によって覆われていない領域に設ける工程であってもよい。

その後、表面処理用レジストパターン５３を除去する除去工程を実施する。例えばアルカリ系剥離液を用いることによって、表面処理用レジストパターン５３を基板５１の表面５１ａから剥離させることができる。このようにして、図９Ａおよび図９Ｂに示すように、複数の高密着性領域５５と、高密着性領域５５を取り囲む低密着性領域５６と、に区画された表面５１ａを有する基板５１を準備することができる。

（めっき用レジスト形成工程）
次に、基板５１の表面５１ａ上に、所定の隙間６４を空けてめっき用レジストパターン６０を形成するめっき用レジスト形成工程を実施する。図１０Ａおよび図１０Ｂは、めっき用レジストパターン６０が形成された基板５１を示す断面図および平面図である。図１０Ａに示すように、めっき用レジストパターン６０は、基板５１の表面５１ａに対向する第１面６１と、第１面６１の反対側に位置する第２面６２と、隙間６４に面する側面６３と、を含んでいる。

めっき用レジスト形成工程は、図１０Ａおよび図１０Ｂに示すように、めっき用レジストパターン６０の第１面６１が高密着性領域５５を覆うとともに低密着性領域５６にまで広がり、かつ、めっき用レジストパターン６０の隙間６４が低密着性領域５６上に位置するよう、実施される。この場合、図１０Ａに示すように、めっき用レジストパターン６０の第１面６１は、高密着性領域５５および低密着性領域５６の両方に接し、まためっき用レジストパターン６０の側面６３は低密着性領域５６に接するようになる。なお上述のように高密着性領域５５には粗化処理が施されているので、高密着性領域５５に対するめっき用レジストパターン６０の密着力は、低密着性領域５６に対するめっき用レジストパターン６０の密着力よりも高くなっている。

後述するように、蒸着マスク２０の第１部分３２は、低密着性領域５６とめっき用レジストパターン６０との間に浸入しためっき液によって形成される。めっき用レジストパターン６０のうち高密着性領域５５から低密着性領域５６へはみ出している部分の幅ｋは、第１面２０ａ上における第１部分３２の幅Ｍ３に対応しており、例えば０．５〜５．０μｍの範囲内になっている。

めっき用レジスト形成工程においては、上述の表面処理用レジスト形成の場合と同様に、はじめに、基板５１の表面５１ａにドライフィルムを貼り付けることによって、ネガ型のレジスト膜を形成する。ドライフィルムの例としては、例えば日立化成製のＲＹ３３１０など、アクリル系光硬化性樹脂を含むものを挙げることができる。次に、レジスト膜のうち隙間６４となるべき領域に光を透過させないようにした露光マスクを準備し、露光マスクをレジスト膜上に配置する。その後、真空密着によって露光マスクをレジスト膜に十分に密着させる。なおレジスト膜として、ポジ型のものが用いられてもよい。この場合、露光マスクとして、レジスト膜のうちの除去したい領域に光を透過させるようにした露光マスクが用いられる。

その後、レジスト膜を露光マスク越しに露光する。さらに、露光されたレジスト膜に像を形成するためにレジスト膜を現像する。以上のようにして、図１０Ａおよび図１０Ｂに示すめっき用レジストパターン６０を形成することができる。なお、めっき用レジストパターン６０を基板５１の表面５１ａに対して、特に高密着性領域５５に対してより強固に密着させるため、現像工程の後にめっき用レジストパターン６０を加熱する熱処理工程を実施してもよい。また現像工程の後、酸性の溶液などを用いてめっき用レジストパターン６０を活性化する活性化工程を実施してもよい。これによって、めっき用レジストパターン６０と低密着性領域５６との間の密着性をより低くすることができる。酸性の溶液としては、例えばスルファミン酸を用いることができる。

（めっき処理工程）
次に、めっき用レジストパターン６０の隙間６４にめっき液を供給するめっき処理工程を実施する。例えば、めっき用レジストパターン６０が設けられた基板５１を、めっき液が充填されためっき槽に浸してもよい。これによって、図１１に示すように、隙間６４において基板５１の表面５１ａ上に金属層２８を析出させることができる。めっき液の成分は、金属層２８に求められる特性に応じて適宜定められる。例えば金属層２８が、ニッケルを含む鉄合金によって構成される場合、めっき液として、ニッケル化合物を含む溶液と、鉄化合物を含む溶液との混合溶液を用いることができる。例えば、スルファミン酸ニッケルを含む溶液と、スルファミン酸鉄を含む溶液との混合溶液を用いることができる。めっき液には、マロン酸やサッカリンなどの添加剤が含まれていてもよい。その他にも、金属層２８を構成する材料に応じて、例えば、ニッケルおよびコバルトを含むめっき液や、ニッケルを含むめっき液などを用いることができる。

基板５１の表面５１ａ上に金属層を析出させることができる限りにおいて、めっき処理工程の具体的な方法が特に限られることとはない。例えば、めっき処理工程は、基板５１の導電層に電流を流すことによって基板５１の表面５１ａの低密着性領域５６上に金属層を析出させる、いわゆる電解めっき処理工程として実施されてもよい。若しくは、めっき処理工程は、無電解めっき処理工程であってもよい。なおめっき処理工程が無電解めっき処理工程である場合、基板５１の導電層上には適切な触媒層が設けられる。電解めっき処理工程が実施される場合にも、基板５１の導電層上に触媒層が設けられていてもよい。

ところで上述のように、めっき用レジストパターン６０の隙間６４は基板５１の低密着性領域５６上に位置している。まためっき用レジストパターン６０は、高密着性領域５５から低密着性領域５６へはみ出している。この場合、めっき用レジストパターン６０の隙間６４に供給されためっき液は、低密着性領域５６とめっき用レジストパターン６０の第１面６１との間にも浸入し得る。このようなめっき液の浸入が生じるため、図１１に示すように、隙間６４だけでなく、基板５１の低密着性領域５６とめっき用レジストパターン６０の第１面６１との間においても金属（金属層２８）の析出が生じる。このため、めっき処理工程によって基板５１の表面５１ａ上に生じる金属層２８は、めっき用レジストパターン６０の隙間６４において析出した金属によって形成される第２部分３７に加えて、基板５１の低密着性領域５６とめっき用レジストパターン６０の第１面６１との間において析出した金属によって形成される第１部分３２を含むようになる。一方、高密着性領域５５においては粗化処理によってめっき用レジストパターン６０に対する密着力が高められている。このため図１１に示すように、めっき液の浸入を高密着性領域５５によって食い止めることができる。このため、金属層２８に上述の第１開口部３０を確保することができる。

（除去工程）
めっき処理工程によって基板５１の表面５１ａ上に金属層を形成した後、図１２に示すように、めっき用レジストパターン６０を除去する除去工程を実施する。例えばアルカリ系剥離液を用いることによって、めっき用レジストパターン６０を基板５１の表面５１ａから剥離させることができる。

（分離工程）
次に、金属層２８を基板５１の表面５１ａから分離させる分離工程を実施する。これによって、図１３Ａに示すように、第１面２０ａから第２面２０ｂまで延びる第２部分３７と、第１面２０ａ側において第２部分３７から貫通孔２５の中心側に向かって広がる第１部分３２と、を含む金属層２８を有する蒸着マスク２０を得ることができる。図１３Ｂは、蒸着マスク２０を第２面２０ｂ側から見た場合を示す平面図である。

以下、分離工程の一例について詳細に説明する。はじめに、粘着性を有する物質が塗工などによって設けられているフィルムを、基板５１上に形成された金属層２８に貼り付ける。次に、フィルムを引き上げたり巻き取ったりすることにより、フィルムを基板５１から引き離し、これによって、金属層２８を基板５１から分離させる。その後、金属層２８からフィルムを剥がす。

なお粘着性を有する物質としては、ＵＶなどの光を照射されることによって、または加熱されることによって粘着性を喪失する物質を使用してもよい。この場合、金属層２８を基板５１から分離させた後、フィルムに光を照射する工程やフィルムを加熱する工程を実施する。これによって、金属層２８からフィルムを剥がす工程を容易化することができる。例えば、フィルムと金属層２８とを可能な限り互いに平行な状態に維持した状態で、フィルムを剥がすことができる。これによって、フィルムを剥がす際に金属層２８が湾曲することを抑制することができ、このことにより、蒸着マスク２０に湾曲などの変形のくせがついてしまうことを抑制することができる。

本実施の形態によれば、上述のように、めっき用レジスト形成工程は、めっき用レジストパターン６０が高密着性領域５５を覆うとともに低密着性領域５６にまで広がり、かつ、めっき用レジストパターン６０の隙間６４が低密着性領域５６上に位置するよう、実施される。このため、めっき処理工程の際、低密着性領域５６とめっき用レジストパターン６０との間にめっき液を少なくとも部分的に浸入させることができる。これによって、金属層２８は、基板５１の低密着性領域５６とめっき用レジストパターン６０との間において析出した金属によって形成される第１部分３２と、めっき用レジストパターン６０の隙間６４において析出した金属によって形成される第２部分３７と、を含むようになる。この場合、蒸着マスク２０の貫通孔２５の形状は、第１面２０ａにおいては第１部分３２によって画定され、第２面２０ｂにおいては第２部分３７によって画定される。従って、複雑な形状を有する貫通孔２５を得ることができる。

また、低密着性領域５６とめっき用レジストパターン６０との間に浸入しためっき液を利用して第２部分を形成することにより、小さな厚みを有する第２部分３２を得ることができる。さらに、第１部分３２の厚みを、第１部分３２のうち第２部分３７に接する部分から端部３３に向かうにつれて単調に減少させることも可能になる。これによって、有機ＥＬ基板９２に到達し得る蒸着材料９８の飛来角度に対応する上述の角度θ１を効率的に大きくすることができる。

また、めっき処理を利用して金属層２８を形成することにより、貫通孔２５の形状とは独立に、蒸着マスク２０の厚みを任意に設定することができる。このため、十分な強度を蒸着マスク２０に持たせることができる。従って、高精細な有機ＥＬ表示装置を製造することができ、かつ耐久性に優れた蒸着マスク２０を提供することができる。

なお、上述した実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、必要に応じて図面を参照しながら、変形例について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した実施の形態と同様に構成され得る部分について、上述の実施の形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。また、上述した実施の形態において得られる作用効果が変形例においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。

（第１の変形例）
上述の本実施の形態においては、複数の高密着性領域５５と、高密着性領域５５を取り囲む低密着性領域５６と、に区画された表面５１ａを有する基板５１を準備する準備工程が、基板５１の表面５１ａを部分的に粗化することによって実現される例を示した。すなわち、基板５１の表面５１ａに対して部分的に実施される表面処理が、粗化処理である例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、めっき用レジストパターン６０に対する基板５１の表面５１ａの密着性を低下させるための表面処理を基板５１の表面５１ａに対して部分的に実施することにより、上述の準備工程を実現してもよい。

例えば、はじめに、上述の本実施の形態の場合と同様に、導電層を含む基板５１を準備する。基板５１の導電層を構成する材料としては、例えば、古河電工社製のEFTEC-64Tなどの銅合金を用いることができる。次に図１４に示すように、基板５１の表面５１ａのうち高密着性領域５５に対応する領域の上に表面処理用レジストパターン５３を形成する表面処理用レジスト形成工程を実施する。その後、図１５に示すように、基板５１の表面５１ａのうち表面処理用レジストパターン５３によって覆われていない領域を表面処理して被処理領域５４を形成する表面処理工程を実施する。例えば、めっき用レジストパターン６０に対する低い密着性を有し、かつ導電性を有する層を、基板５１の表面５１ａのうち表面処理用レジストパターン５３によって覆われていない領域に設ける。具体的な表面処理としては、例えば、表面処理用レジストパターン５３が設けられた基板５１の表面５１ａに離形処理剤を供給する離型処理を挙げることができる。離形処理剤としては、日本化学産業社製のニッカノンタックＡなどを用いることができる。その後、表面処理用レジストパターン５３を除去する除去工程を実施する。

本変形例において、表面処理工程は、表面処理が施された被処理領域５４の、めっき用レジストパターン６０に対する密着力が、表面処理が施されなかった領域の、めっき用レジストパターン６０に対する密着力よりも低くなるよう、実施される。このため図１６に示すように、表面処理された被処理領域５４が、めっき用レジストパターン６０に対する低い密着力を有する低密着性領域５６となる。また、表面処理用レジストパターン５３によって覆われているために表面処理が施されなかった領域が、めっき用レジストパターン６０に対する密着力が低密着性領域５６に比べて相対的に高い高密着性領域５５となる。

その後、上述の本実施の形態の場合と同様にして、めっき用レジスト形成工程、めっき処理工程および分離工程を実施することにより、基板５１の低密着性領域５６とめっき用レジストパターン６０との間において析出した金属によって形成される第１部分３２と、めっき用レジストパターン６０の隙間６４において析出した金属によって形成される第２部分３７と、を含む金属層２８を有する蒸着マスク２０を作製することができる。

（第２の変形例）
図１７に示すように、基板５１上に設けられるめっき用レジストパターン６０は、基板５１から遠ざかるにつれてめっき用レジストパターン６０の幅が広くなる形状、いわゆる逆テーパ形状を有していてもよい。言い換えると、隙間６４を画成するめっき用レジストパターン６０の側面６３の間の間隔が、基板５１から遠ざかるにつれて狭くなっていてもよい。図１８は、このようなめっき用レジストパターン６０の隙間６４にめっき液をすることにより、隙間６４において基板５１の表面５１ａ上に金属層２８が析出した様子を示す断面図である。また図１９は、上述の除去工程および分離工程を実施することによって得られた蒸着マスク２０を示す断面図である。図１９に示すように、本変形例による蒸着マスク２０の第２部分３７は、第１面２０ａ側から第２面２０ｂ側に向かうにつれて部分的に先細になる形状を有している。このため、第２部分３７の厚みや第２部分３７の体積を十分に確保しながら、角度θ１を効率的に大きくすることができる。例えば、第１面２０ａにおける貫通孔２５の開口寸法Ｓ１、および第２面２０ｂにおける貫通孔２５の開口寸法Ｓ２を、上述の本実施の形態の場合と同一にしながら、第１部分３２と第１部分３２との境界部４１における貫通孔２５の寸法Ｓ０を、上述の本実施の形態の場合に比べて小さくすることができる。

（その他の変形例）
また上述の本実施の形態においては、蒸着マスク２０の長手方向に複数の有効領域２２が割り付けられる例を示した。また、蒸着工程において、複数の蒸着マスク２０がフレーム１５に取り付けられる例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、図２０に示すように、幅方向および長手方向の両方に沿って格子状に配置された複数の有効領域２２を有する蒸着マスク２０が用いられてもよい。

なお、上述した実施の形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。

２０ 蒸着マスク
２０ａ 第１面
２０ｂ 第２面
２２ 有効領域
２３ 周囲領域
２５ 貫通孔
２８ 金属層
３０ 第１開口部
３１ 壁面
３２ 第１部分
３３ 端部
３５ 第２開口部
３６ 壁面
３７ 第２部分
３８ 端部
４１ 境界部
５１ 基板
５２ カバーフィルム
５３ 表面処理用レジストパターン
５４ 被処理領域
５５ 高密着性領域
５６ 低密着性領域
６０ めっき用レジストパターン
６１ 第１面
６２ 第２面
６３ 側面
６４ 隙間
９２ 有機ＥＬ基板
９８ 蒸着材料

Claims (6)

1. 複数の貫通孔が形成された蒸着マスクを製造する蒸着マスク製造方法であって、
   複数の高密着性領域と、前記高密着性領域を取り囲む低密着性領域と、に区画された表面を有する基板を準備する準備工程と、
   前記基板の前記表面上に、所定の隙間を空けてめっき用レジストパターンを形成するめっき用レジスト形成工程と、
   前記めっき用レジストパターンの前記隙間において前記基板の前記表面上に金属層を析出させるめっき処理工程と、
   前記金属層を前記基板の前記表面から分離させる分離工程と、を備え、
   前記めっき用レジストパターンは、前記基板の前記表面に対向する第１面と、前記第１面の反対側に位置する第２面と、前記隙間に面する側面と、を含み、
   前記高密着性領域に対する前記めっき用レジストパターンの前記第１面の密着力は、前記低密着性領域に対する前記めっき用レジストパターンの前記第１面の密着力よりも高く、
   前記めっき用レジスト形成工程は、前記めっき用レジストパターンの前記第１面が前記高密着性領域を覆うとともに前記低密着性領域にまで広がり、かつ、前記めっき用レジストパターンの前記隙間が前記低密着性領域上に位置するよう、実施され、
   前記めっき処理工程においては、前記低密着性領域と前記めっき用レジストパターンの前記第１面との間にも前記金属層が析出する、蒸着マスク製造方法。
2. 前記準備工程は、前記基板の前記表面のうち前記低密着性領域に対応する領域の上に表面処理用レジストパターンを形成する表面処理用レジスト形成工程と、前記基板の前記表面のうち前記表面処理用レジストパターンによって覆われていない領域を表面処理して前記高密着性領域を形成する表面処理工程と、を含む、請求項１に記載の蒸着マスク製造方法。
3. 前記準備工程は、前記基板の前記表面のうち前記高密着性領域に対応する領域の上に表面処理用レジストパターンを形成する表面処理用レジスト形成工程と、前記基板の前記表面のうち前記表面処理用レジストパターンによって覆われていない領域を表面処理して前記低密着性領域を形成する表面処理工程と、を含む、請求項１に記載の蒸着マスク製造方法。
4. 前記基板の前記表面のうち少なくとも前記低密着性領域は、導電性を有する導電層によって構成されており、
   前記めっき処理工程は、前記基板の前記導電層に電流を流すことによって前記基板の前記表面の前記低密着性領域に前記金属層を析出させる電解めっき処理工程を含む、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の蒸着マスク製造方法。
5. 前記金属層は、前記基板の前記低密着性領域と前記めっき用レジストパターンの前記第１面との間において析出した金属によって形成される第１部分と、前記めっき用レジストパターンの前記隙間において析出した金属によって形成される第２部分と、を含み、
   前記第１部分のうち前記第２部分に接続される部分の厚みは、５μｍ以下である、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の蒸着マスク製造方法。
6. 前記金属層の厚みは、３〜３０μｍの範囲内である、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の蒸着マスク製造方法。

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