JP2021066949A - 蒸着マスクおよび蒸着マスクの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】精細度を高めることができる蒸着マスクおよび蒸着マスクの製造方法を提供する。【解決手段】蒸着マスク２０は、円形状の外周縁から内側に延びる外側領域２１と、外側領域２１よりも内側に位置する本体領域２２と、を備え、本体領域２２に、２つ以上の貫通孔４０で構成される貫通孔群３０が設けられており、外側領域２１の厚みＨ２が、本体領域２２のうち貫通孔群３０が設けられた部分の厚みＨ１よりも厚くなっている、蒸着マスクおよび蒸着マスクの製造方法。【選択図】図４

Description

本開示は、蒸着マスクおよび蒸着マスクの製造方法に関する。

スマートフォンやタブレット等の持ち運び可能なデバイスで用いられる表示装置は、高精細であることが好ましく、例えば画素密度が４００ｐｐｉ以上であることが好ましい。また、持ち運び可能なデバイスにおいても、ウルトラハイディフィニション（ＵＨＤ）に対応することへの需要が高まっており、この場合、表示装置の画素密度は、例えば８００ｐｐｉ以上であることが好ましい。

表示装置の中でも、応答性の良さ、消費電力の低さやコントラストの高さのため、有機ＥＬ表示装置が注目されている。有機ＥＬ表示装置の画素を形成する方法として、所望のパターンで配列された貫通孔が形成された蒸着マスクを用いて、所望のパターンで画素を形成する方法が知られている。具体的には、まず、有機ＥＬ表示装置用の被蒸着基板に蒸着マスクを組み合わせる。続いて、有機材料を含む蒸着材料を、蒸着マスクの貫通孔を介して被蒸着基板に蒸着させる。このことにより、蒸着マスクの貫通孔と同様のパターンで、蒸着材料を含む蒸着層を画素として被蒸着基板上に形成することができる。

このような蒸着マスクの製造方法としては、フォトリソグラフィー技術を用いたエッチング処理によって金属板に貫通孔を形成する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。

特許第５３８２２５９号公報

本開示は、精細度を高めることができる蒸着マスクおよび蒸着マスクの製造方法を提供することを目的とする。

本開示による蒸着マスクは、円形状の外周縁から内側に延びる外側領域と、外側領域よりも内側に位置する本体領域と、を備えている。本体領域に、２つ以上の貫通孔で構成される貫通孔群が設けられている。外側領域の厚みが、本体領域のうち貫通孔群が設けられた部分の厚みよりも厚くなっている。

本開示による蒸着マスクの製造方法は、準備工程と、貼付工程と、領域形成工程と、貫通孔形成工程と、分離工程と、を備えている。準備工程においては、支持基板を準備する。貼付工程においては、支持基板上に、接合層を介して、金属層を分離可能に貼り付ける。領域形成工程においては、金属層を、支持基板とは反対側からエッチングして、円形状の外周縁から内側に延びる外側領域と、外側領域よりも内側に位置する本体領域と、を形成する。貫通孔形成工程においては、金属層を、支持基板とは反対側からエッチングして、金属層の本体領域に貫通孔群を構成する２つ以上の貫通孔を形成する。分離工程においては、支持基板から金属層を分離させる。外側領域の厚みは、本体領域のうち貫通孔群が設けられた部分の厚みよりも厚くなっている。

本開示による蒸着マスクの製造方法は、準備工程と、第１金属層形成工程と、分離工程と、を備えている。準備工程においては、支持基板を準備する。第１金属層形成工程においては、支持基板上に、めっき処理によって、円形状の外周縁から内側に延びる外側領域と、外側領域よりも内側に位置する本体領域と、有する第１金属層を形成する。金属層の本体領域に、２つ以上の貫通孔で構成される貫通孔群が設けられる。第２金属層形成工程においては、第１金属層の外側領域に、第２金属層を形成する。分離工程においては、支持基板から第１金属層を分離させる。外側領域の厚みは、本体領域のうち貫通孔群が設けられた部分の厚みよりも厚くなっている。

本開示による蒸着マスクの製造方法は、準備工程と、樹脂層形成工程と、第１金属層形成工程と、第２金属層形成工程と、樹脂開口形成工程と、分離工程と、を備えている。準備工程においては、支持基板を準備する。樹脂層形成工程においては、支持基板上に樹脂層を形成する。第１金属層形成工程においては、樹脂層上に、円形状の外周縁から内側に延びる外側領域と、外側領域よりも内側に位置する本体領域と、を有する第１金属層を形成する。本体領域に金属開口が形成される。第２金属層形成工程においては、第１金属層の外側領域に、第２金属層を形成する。樹脂開口形成工程においては、本体領域において、樹脂層に金属開口と連通する樹脂開口を形成し、金属開口と樹脂開口とでそれぞれ構成される２つ以上の貫通孔で構成される貫通孔群を形成する。分離工程においては、支持基板から樹脂層を分離させる。外側領域の厚みは、本体領域のうち貫通孔群が設けられた部分の厚みよりも厚くなっている。

本開示によれば、精細度を高めることができる。

本開示の第１実施形態による蒸着マスクを備えた蒸着装置を示す図である。 本開示の第１実施形態による蒸着マスク装置を示す平面図である。 図２のＡ−Ａ線に沿った断面を模式的に示す図である。 図３の蒸着マスクを模式的に示す断面図である。 図４の貫通孔の一例を示す拡大断面図である。 図２の蒸着マスクの部分拡大平面図である。 図６の蒸着マスクの貫通孔群を示す拡大平面図である。 図７Ａの貫通孔群の一変形例を示す拡大平面図である。 本開示の第１実施形態による蒸着マスクの製造方法において、支持基板を準備する準備工程を示す図である。 本開示の第１実施形態による蒸着マスクの製造方法において、金属層を貼り付ける貼付工程を示す図である。 本開示の第１実施形態による蒸着マスクの製造方法において、本体領域および外側領域を形成する領域形成工程を示す図である。 図１０Ａの平面図である。 本開示の第１実施形態による蒸着マスクの製造方法において、貫通孔を形成する貫通孔形成工程を示す図である。 本開示の第１実施形態による蒸着マスクの製造方法において、支持基板から蒸着マスクを分離させる分離工程を示す図である。 本開示の第１実施形態による蒸着マスク装置の製造方法において、蒸着マスクに張力を付与する張力付与工程を示す図である。 本開示の第１実施形態において、蒸着マスクを用いて作製された蒸着基板を示す断面図である。 本開示の第２実施形態による蒸着マスクを模式的に示す断面図である。 本開示の第２実施形態による蒸着マスクの製造方法において、支持基板に導電膜を形成する導電膜形成工程を示す図である。 本開示の第２実施形態による蒸着マスクの製造方法において、めっき処理によって第１金属層を形成する第１金属層形成工程を示す図である。 図１７Ａの平面図である。 本開示の第２実施形態による蒸着マスクの製造方法において、第１金属層上に第２金属層を形成する第２金属層形成工程を示す図である。 本開示の第２実施形態による蒸着マスクの製造方法において、支持基板から蒸着マスクを分離させる分離工程を示す図である。 本開示の第２実施形態による蒸着マスクの貫通孔の他の一例を示す拡大断面図である。 本開示の第３実施形態による蒸着マスクを模式的に示す断面図である。 本開示の第３実施形態による蒸着マスクの製造方法において、支持基板上に樹脂層を形成する樹脂層形成工程を示す図である。 本開示の第３実施形態による蒸着マスクの製造方法において、樹脂層上に導電膜を形成する導電膜形成工程を示す図である。 本開示の第３実施形態による蒸着マスクの製造方法において、導電膜上に第１金属層を形成する第１金属層形成工程を示す図である。 本開示の第３実施形態による蒸着マスクの製造方法において、導電膜を除去する導電膜除去工程を示す図である。 本開示の第３実施形態による蒸着マスクの製造方法において、第１金属層上に第２金属層を形成する第２金属層形成工程を示す図である。 本開示の第３実施形態による蒸着マスクの製造方法において、樹脂層に樹脂開口を形成する樹脂開口形成工程を示す図である。 本開示の第３実施形態による蒸着マスクの製造方法において、支持基板から蒸着マスクを分離させる分離工程を示す図である。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、「基板」や「基材」や「板」や「シート」や「フィルム」などのある構成の基礎となる物質を意味する用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」や「直交」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、ある部材又はある領域等のある構成が、他の部材又は他の領域等の他の構成の「上に」や「下に」、「上側に」や「下側に」、又は「上方に」や「下方に」とする場合、ある構成が他の構成に直接的に接している場合を含む。さらに、ある構成と他の構成との間に別の構成が含まれている場合、つまり間接的に接している場合も含む。また、特別な説明が無い限りは、「上」や「上側」や「上方」、又は、「下」や「下側」や「下方」という語句は、上下方向が逆転してもよい。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なる場合や、構成の一部が図面から省略される場合がある。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、矛盾の生じない範囲で、その他の実施形態や変形例と組み合わせられ得る。また、その他の実施形態同士や、その他の実施形態と変形例も、矛盾の生じない範囲で組み合わせられ得る。また、変形例同士も、矛盾の生じない範囲で組み合わせられ得る。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、製造方法などの方法に関して複数の工程を開示する場合に、開示されている工程の間に、開示されていないその他の工程が実施されてもよい。また、開示されている工程の順序は、矛盾の生じない範囲で任意である。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、「〜」という記号によって表現される数値範囲は、「〜」という符号の前後に置かれた数値を含んでいる。例えば、「３４〜３８質量％」という表現によって画定される数値範囲は、「３４質量％以上且つ３８質量％以下」という表現によって画定される数値範囲と同一である。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、本明細書の一実施形態において、有機ＥＬ表示装置を製造する際に有機材料を所望のパターンで基板上にパターニングするために用いられる蒸着マスクやその製造方法に関した例をあげて説明する。ただし、このような適用に限定されることなく、種々の用途に用いられる蒸着マスクに対し、本実施形態を適用することができる。

以下、本開示の一実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本開示の実施形態の一例であって、本開示はこれらの実施形態のみに限定して解釈されるものではない。

本開示の第１の態様は、
円形状の外周縁から内側に延びる外側領域と、
前記外側領域よりも内側に位置する本体領域と、を備え、
前記本体領域に、２つ以上の貫通孔で構成される貫通孔群が設けられ、
前記外側領域の厚みが、前記本体領域のうち前記貫通孔群が設けられた部分の厚みよりも厚い、蒸着マスク、
である。

本開示の第２の態様として、上述した第１の態様による蒸着マスクにおいて、
前記外側領域は、前記外周縁の全周にわたって設けられている、
ようにしてもよい。

本開示の第３の態様として、上述した第１の態様または第２の態様による蒸着マスクにおいて、
前記本体領域は、第１本体面と、前記第１本体面とは反対側に設けられた第２本体面と、を有し、
前記外側領域は、第１外側面と、前記第１外側面とは反対側に設けられた第２外側面と、を有し、
前記外側領域の前記第２外側面は、前記本体領域の前記第２本体面よりも前記第１本体面とは反対側に位置し、
前記外側領域の前記第１外側面と前記本体領域の前記第１本体面は同一面をなしている、
ようにしてもよい。

本開示の第４の態様として、上述した第１の態様から上述した第３の態様のそれぞれによる蒸着マスクにおいて、
前記本体領域に、２つ以上の前記貫通孔群が設けられ、
前記本体領域において互いに隣り合う前記貫通孔群の間の部分の厚みが、前記貫通孔群が設けられた部分の厚みと等しい、
ようにしてもよい。

本開示の第５の態様として、上述した第１の態様から上述した第３の態様のそれぞれによる蒸着マスクにおいて、
前記本体領域に、２つ以上の前記貫通孔群が設けられ、
前記本体領域において互いに隣り合う前記貫通孔群の間の部分の厚みが、前記貫通孔群が設けられた部分の厚みよりも厚い、
ようにしてもよい。

本開示の第６の態様として、上述した第１の態様から上述した第５の態様のそれぞれによる蒸着マスクにおいて、
前記外側領域と前記本体領域は、連続状に一体形成されている、
ようにしてもよい。

本開示の第７の態様として、上述した第１の態様から上述した第５の態様のそれぞれによる蒸着マスクにおいて、
前記外側領域は、前記本体領域を構成するとともに前記本体領域から外側に延びる第１金属層と、前記第１金属層上に設けられた第２金属層と、を有している、
ようにしてもよい。

本開示の第８の態様として、上述した第７の態様による蒸着マスクにおいて、
前記第１金属層は、第１本体金属層と、前記第１本体金属層上に設けられた第２本体金属層と、を含んでいる、
ようにしてもよい。

本開示の第９の態様として、上述した第７の態様による蒸着マスクにおいて、
前記第１金属層の前記第２金属層とは反対側に樹脂層が設けられている、
ようにしてもよい。

本開示の第１０の態様は、
支持基板を準備する準備工程と、
前記支持基板上に、接合層介して、金属層を分離可能に貼り付ける貼付工程と、
前記金属層を、前記支持基板とは反対側からエッチングする領域形成工程であって、円形状の外周縁から内側に延びる外側領域と、前記外側領域よりも内側に位置する本体領域と、を形成する領域形成工程と、
前記金属層を、前記支持基板とは反対側からエッチングして、前記金属層の前記本体領域に貫通孔群を構成する２つ以上の貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記支持基板から前記金属層を分離させる分離工程と、を備え、
前記外側領域の厚みが、前記本体領域のうち前記貫通孔群が設けられた部分の厚みよりも厚い、蒸着マスクの製造方法、
である。

本開示の第１１の態様は、
支持基板を準備する準備工程と、
前記支持基板上に、めっき処理によって、円形状の外周縁から内側に延びる外側領域と、前記外側領域よりも内側に位置する本体領域と、有する第１金属層であって、前記本体領域に、２つ以上の貫通孔で構成される貫通孔群が設けられる第１金属層を形成する第１金属層形成工程と、
前記第１金属層の前記外側領域に、第２金属層を形成する第２金属層形成工程と、
前記支持基板から前記第１金属層を分離させる分離工程と、を備え、
前記外側領域の厚みが、前記本体領域のうち前記貫通孔群が設けられた部分の厚みよりも厚い、蒸着マスクの製造方法、
である。

本開示の第１２の態様として、上述した第１１の態様による蒸着マスクの製造方法において、
前記第２金属層形成工程において、前記第２金属層は、めっき処理によって形成される、
ようにしてもよい。

本開示の第１３の態様として、上述した第１１の態様による蒸着マスクの製造方法において、
前記第２金属層形成工程において、前記第２金属層は、前記第１金属層に接合される、
ようにしてもよい。

本開示の第１４の態様は、
支持基板を準備する準備工程と、
前記支持基板上に、樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
前記樹脂層上に、円形状の外周縁から内側に延びる外側領域と、前記外側領域よりも内側に位置する本体領域と、を有する第１金属層であって、前記本体領域に金属開口が形成される第１金属層を形成する第１金属層形成工程と、
前記第１金属層の前記外側領域に、第２金属層を形成する第２金属層形成工程と、
前記本体領域において、前記樹脂層に前記金属開口と連通する樹脂開口を形成し、前記金属開口と前記樹脂開口とでそれぞれ構成される２つ以上の貫通孔で構成される貫通孔群を形成する樹脂開口形成工程と、
前記支持基板から前記樹脂層を分離させる分離工程と、を備え、
前記外側領域の厚みが、前記本体領域のうち前記貫通孔群が設けられた部分の厚みよりも厚い、蒸着マスクの製造方法、
である。

なお、上述した第１０の態様から上述した第１４の態様はそれぞれ、第１０の態様から第１４の態様のそれぞれの蒸着マスクの製造方法により製造された蒸着マスクであってもよい。

（第１実施形態）
以下、本開示の第１実施形態による蒸着マスクおよび蒸着マスクの製造方法について、図１〜図１４を参照して説明する。

まず、対象物に蒸着材料を蒸着させる蒸着処理を実施する蒸着装置８０について、図１を参照して説明する。

図１に示すように、蒸着装置８０は、蒸着源（例えばるつぼ８１）と、ヒータ８３と、蒸着マスク装置１０と、を備えていてもよい。また、蒸着装置８０は、蒸着装置８０の内部を真空雰囲気にするための排気手段（図示せず）を更に備えていてもよい。るつぼ８１は、蒸着装置８０の内部に設けられており、有機発光材料などの蒸着材料８２を収容するように構成されている。ヒータ８３は、るつぼ８１を加熱するように構成されている。真空雰囲気でるつぼ８１を加熱することにより、蒸着材料８２が蒸発する。

蒸着マスク装置１０は、るつぼ８１に対向するように蒸着装置８０内に配置されている。蒸着マスク装置１０は、るつぼ８１の上方に配置されていてもよい。この蒸着マスク装置１０の蒸着マスク２０に対面するように被蒸着基板９１が配置されている。被蒸着基板９１は、蒸着材料８２を付着させる対象物である。被蒸着基板９１は、蒸着マスク２０の上方に配置されていてもよい。るつぼ８１から飛来した蒸着材料は、蒸着マスク２０の後述する貫通孔４０を通って、被蒸着基板９１に付着する。

図１に示すように、蒸着装置８０は、被蒸着基板９１の、蒸着マスク２０とは反対側の面に配置された磁石８５を備えていてもよい。磁石８５を設けることにより、磁力によって蒸着マスク２０を磁石８５の側に引き寄せて、蒸着マスク２０を被蒸着基板９１に密着させることができる。これにより、蒸着工程においてシャドー（後述）が発生することを抑制することができ、被蒸着基板９１に付着した蒸着材料８２によって形成される蒸着層９２（図１７参照）の形状精度や位置精度を高めることができる。被蒸着基板９１と磁石８５との間には、蒸着時に被蒸着基板９１を冷却する冷却板（図示せず）が介在されていてもよい。また、静電気力を利用する静電チャックを用いて蒸着マスク２０を被蒸着基板９１に密着させてもよい。

次に、本実施形態による蒸着マスク装置１０について、図２および図３を参照して説明する。

図２に示すように、本実施形態による蒸着マスク装置１０は、フレーム１５と、１つの蒸着マスク２０と、を備えていてもよい。本実施形態において、蒸着マスク２０は、円形状の外周縁２５を有していてもよい。ここで、円形状とは、完全な円形であることに限られることはなく、シリコンウエハの平面形状と同様に円形の一部が切り欠かれた形状を概念に含む用語として用いている。すなわち、本実施形態において蒸着マスク２０の形状として規定する円形状という用語は、オリエンテーションフラット（orientation flat）と称される円形の一部が直線状に切り欠かれた平面形状（図２参照）を含む概念として用いており、また、ノッチと称される円形の一部が凹状に切り欠かれた平面形状を含む概念として用いている。

本実施形態による蒸着マスク２０の直径は、１５０ｍｍ〜４５０ｍｍであってもよい。例えば、１５０ｍｍ（６インチ）、２００ｍｍ（８インチ）、３００ｍｍ（１２インチ）、または４５０ｍｍ（１８インチ）であってもよい。このことにより、後述するＭＥＭＳ用の製造装置で製造可能な大きさにすることができる。ここで直径とは、蒸着マスク２０の外周縁２５のうち円形状に形成された部分における直径を意味している。

フレーム１５は、蒸着マスク２０が撓んでしまうことがないように、蒸着マスク２０を平面方向に引っ張った状態で支持する。すなわち、蒸着マスク２０はフレーム１５に張設されている。

図３に示すように、フレーム１５は、蒸着マスク２０の側に位置する第１フレーム面１５ａと、第１フレーム面１５ａとは反対側に位置する第２フレーム面１５ｂと、を有していてもよい。第１フレーム面１５ａに、蒸着マスク２０が固定されている。なお、図３は、図２のＡ−Ａ線断面を模式的に示した図であり、図面を明瞭にするために、後述する貫通孔群３０の個数および貫通孔４０の個数を少なくしている。

フレーム１５は、平面視で矩形状の枠形状を有していてもよい。フレーム１５の一部は、蒸着マスク２０よりも外側にはみ出していてもよい。また、フレーム１５は、蒸着マスク２０の貫通孔４０を露出するフレーム開口１６を有していてもよい。フレーム開口１６は、第１フレーム面１５ａから第２フレーム面１５ｂに延びて、フレーム１５を貫通している。ここで、「平面視」とは、蒸着マスク２０の厚み方向で見ることを意味する用語であって、例えば、図２の紙面に垂直な方向で見ることを意味する用語とする。

蒸着マスク２０は、蒸着マスク２０の後述する外側領域２１において、例えば溶接によってフレーム１５に固定されていてもよい。例えば、スポット溶接によって、蒸着マスク２０をフレーム１５に固定するようにしてもよい。この場合、図２に示すように、外周縁２５に沿う方向に並ぶ複数の点状の溶接痕１９が、スポット溶接によって蒸着マスク２０の外側領域２１（後述）に形成されるようにしてもよい。図２においては、図面を明瞭にするために、一部の溶接痕１９のみを示している。

次に、本開示の第１実施形態による蒸着マスクおよび蒸着マスクの製造方法について、図４〜図１４を参照して説明する。ここでは、圧延材をエッチングすることにより得られる蒸着マスク２０を例にとって説明する。

まず、本実施形態による蒸着マスク２０の構成について、図４〜図７Ｂを参照して説明する。

図４に示すように、蒸着マスク２０は、円形状の外周縁２５から内側に延びる外側領域２１と、外側領域２１よりも内側に位置する本体領域２２と、を備えていてもよい。本体領域２２に、２つ以上の貫通孔４０で構成される貫通孔群３０が設けられている。

図４に示すように、本体領域２２は、第１本体面２２ａと、第１本体面２２ａとは反対側に位置する第２本体面２２ｂと、第１本体面２２ａから第２本体面２２ｂに延びる２つ以上の（または複数の）貫通孔４０と、を有していてもよい。第１本体面２２ａは、蒸着時に被蒸着基板９１が密着する面であってもよい。第２本体面２２ｂは、上述したフレーム１５の側の面であってもよい。

上述したように、本体領域２２には、２つ以上の貫通孔４０が設けられていてもよい。貫通孔４０は、第１本体面２２ａから第２本体面２２ｂに延びており、蒸着マスク２０の本体領域２２を貫通している。図５に示すように、貫通孔４０のうち第２本体面２２ｂにおける開口は、第１本体面２２ａにおける開口よりも大きくなっていてもよい。一実施形態では、第１本体面２２ａに沿った貫通孔４０の断面開口は、第１本体面２２ａから第２本体面２２ｂに向かって徐々に大きくなっていてもよい。言い換えると、蒸着マスク２０の法線方向に沿った各位置における第１本体面２２ａに沿った断面での各貫通孔４０の断面積は、第１本体面２２ａから第２本体面２２ｂに向かって徐々に大きくなっていてもよい。この場合、貫通孔４０は、第１本体面２２ａから第２本体面２２ｂに向かって、貫通孔４０の中心軸線ＣＬから遠ざかるように形成された壁面４１を有していてもよい。図３においては、図面を簡略化するために、貫通孔４０の壁面４１が、第１本体面２２ａから第２本体面２２ｂに向かって中心軸線ＣＬから遠ざかるように中心軸線ＣＬに対して直線状に傾斜している例が示されている。例えば、エッチング処理によって貫通孔４０を形成する場合には、貫通孔４０の壁面４１は、図５に示すように湾曲状に形成されていてもよい。図５に示す貫通孔４０は、貫通孔４０の壁面４１が外側に膨らむように湾曲している。この場合であっても、第１本体面２２ａに沿う方向における貫通孔４０の断面開口は、第１本体面２２ａから第２本体面２２ｂに向かって徐々に大きくなっていてもよい。

図６に示すように、貫通孔４０は、２つ以上の貫通孔群３０をなしていてもよい。各貫通孔群３０は、上述したフレーム１５のフレーム開口１６に露出している。すなわち、フレーム開口１６が、複数の貫通孔群３０を露出させていてもよい。更には、一のフレーム開口１６で、本体領域２２に形成された全ての貫通孔群３０が露出していてもよい。図４に示すように、各貫通孔群３０は、２つ以上の貫通孔４０が群をなすように構成されていてもよい。貫通孔群３０とは、規則的に配列された複数の貫通孔４０の集合体を意味する用語として用いている。一の貫通孔群３０を構成する外縁の貫通孔４０は、同様に規則的に配列されている複数の貫通孔４０のうち最も外側に位置する貫通孔４０である。外縁の貫通孔４０の外側には、同様に規則的に配列されて蒸着材料８２の通過を意図する貫通孔４０は存在していなくてもよい。互いに隣り合う貫通孔群３０同士の間には、蒸着材料８２の通過を意図する貫通孔４０は形成されていなくてもよい。しかしながら、互いに隣り合う貫通孔群３０同士の間には、他の用途の貫通孔や凹部（いずれも図示せず）は形成されていてもよい。これらの他の用途の貫通孔や凹部は、貫通孔４０の配列の規則性を持たずに形成されていてもよく、貫通孔群３０には属していないと考えてもよい。

図６に示すように、複数の貫通孔群３０は、所定の間隔を開けて（所定のピッチで）配列されていてもよい。貫通孔群３０は、第１方向Ｄ１１において所定の間隔（図６に示す符号Ｃ１）を開けて配列されるとともに、第２方向Ｄ１２において所定の間隔（図６に示す符号Ｃ２）を開けて配列されていてもよい。貫通孔群３０の配列ピッチＣ１、Ｃ２は、第１方向Ｄ１１および第２方向Ｄ１２で異なっていてもよいが、等しくてもよい。図６においては、第１方向Ｄ１１の配列ピッチＣ１と第２方向Ｄ１２の配列ピッチＣ２が等しい例を示している。図６に示すように、貫通孔群３０は、並列配列されていてもよい。すなわち、第１方向Ｄ１１に沿った一の列を構成する各貫通孔群３０と、当該列と第２方向Ｄ１２において隣り合う他の列を構成する各貫通孔群３０とは、第２方向Ｄ１２において整列されていてもよい。

貫通孔群３０の配列ピッチＣ１、Ｃ２は、例えば、５ｍｍ以上であってもよく、１５ｍｍ以上であってもよく、２５ｍｍ以上であってもよく、３５ｍｍ以上であってもよい。配列ピッチＣ１、Ｃ２を５ｍｍ以上とすることにより、ＶＲグラスやデジタルカメラの電子ファインダなどの小型ディスプレイにも適用することができる。また、配列ピッチＣ１、Ｃ２は、例えば、７０ｍｍ以下であってもよく、８０ｍｍ以下であってもよく、９０ｍｍ以下であってもよく、１００ｍｍ以下であってもよい。配列ピッチＣ１、Ｃ２を１００ｍｍ以下とすることにより、フレーム１５への張設時の強度を高めることができる。配列ピッチＣ１、Ｃ２の範囲は、５ｍｍ、１５ｍｍ、２５ｍｍ及び３５ｍｍからなる第１グループ、及び／又は、７０ｍｍ、８０ｍｍ、９０ｍｍ及び１００ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。配列ピッチＣ１、Ｃ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。配列ピッチＣ１、Ｃ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。配列ピッチＣ１、Ｃ２の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、５ｍｍ以上１００ｍｍ以下であってもよく、５ｍｍ以上９０ｍｍ以下であってもよく、５ｍｍ以上８０ｍｍ以下であってもよく、５ｍｍ以上７０ｍｍ以下であってもよく、５ｍｍ以上３５ｍｍ以下であってもよく、５ｍｍ以上２５ｍｍ以下であってもよく、５ｍｍ以上１５ｍｍ以下であってもよく、１５ｍｍ以上１００ｍｍ以下であってもよく、１５ｍｍ以上９０ｍｍ以下であってもよく、１５ｍｍ以上８０ｍｍ以下であってもよく、１５ｍｍ以上７０ｍｍ以下であってもよく、１５ｍｍ以上３５ｍｍ以下であってもよく、１５ｍｍ以上２５ｍｍ以下であってもよく、２５ｍｍ以上１００ｍｍ以下であってもよく、２５ｍｍ以上９０ｍｍ以下であってもよく、２５ｍｍ以上８０ｍｍ以下であってもよく、２５ｍｍ以上７０ｍｍ以下であってもよく、２５ｍｍ以上３５ｍｍ以下であってもよく、３５ｍｍ以上１００ｍｍ以下であってもよく、３５ｍｍ以上９０ｍｍ以下であってもよく、３５ｍｍ以上８０ｍｍ以下であってもよく、３５ｍｍ以上７０ｍｍ以下であってもよく、７０ｍｍ以上１００ｍｍ以下であってもよく、７０ｍｍ以上９０ｍｍ以下であってもよく、７０ｍｍ以上８０ｍｍ以下であってもよく、８０ｍｍ以上１００ｍｍ以下であってもよく、８０ｍｍ以上９０ｍｍ以下であってもよく、９０ｍｍ以上１００ｍｍ以下であってもよい。

図７Ａに示すように、一の貫通孔群３０において、複数の貫通孔４０は、所定の間隔を開けて（所定のピッチで）配列されていてもよい。貫通孔４０は、第１方向Ｄ１１において所定の間隔（図７Ａに示す符号Ｃ３）を開けて配列されると共に、第２方向Ｄ１２において所定の間隔（図７Ａに示す符号Ｃ４）を開けて配列されていてもよい。貫通孔４０の配列ピッチＣ３、Ｃ４は、第１方向Ｄ１１および第２方向Ｄ１２で異なっていてもよいが、等しくてもよい。図７Ａにおいては、第１方向Ｄ１１の配列ピッチＣ３と第２方向Ｄ１２の配列ピッチＣ４が等しい例を示している。図７Ａに示すように、貫通孔４０は、並列配列されていてもよい。すなわち、第１方向Ｄ１１に沿った一の列を構成する各貫通孔４０と、当該列と第２方向Ｄ１２において隣り合う他の列を構成する各貫通孔４０とは、第２方向Ｄ１２において整列されていてもよい。貫通孔４０の配列ピッチＣ３、Ｃ４は、表示装置または投影装置の画素密度に応じて、例えば以下のように定められていてもよい。
・画素密度が６００ｐｐｉ以上の場合：ピッチは４２．３μｍ以下
・画素密度が１２００ｐｐｉ以上の場合：ピッチは２１．２μｍ以下
・画素密度が３０００ｐｐｉ以上の場合：ピッチは８．５μｍ以下
画素密度が６００ｐｐｉの表示装置又は投影装置は、例えば、スマートフォン用の有機ＥＬ表示装置として用いられてもよい。画素密度が１２００ｐｐｉの表示装置又は投影装置は、例えば、仮想現実（いわゆるＶＲ）を表現するための画像や映像を表示又は投影するために用いられてもよい。画素密度が３０００ｐｐｉの表示装置又は投影装置は、例えば、拡張現実（いわゆるＡＲ）を表現するための画像や映像を表示又は投影するために用いられてもよい。

なお、一の貫通孔群３０における貫通孔４０は、並列配列ではなく、図７Ｂに示すように、千鳥配列されていてもよい。すなわち、第１方向Ｄ１１に沿った一の列を構成する各貫通孔４０と、当該列と第２方向Ｄ１２において隣り合う他の列を構成する各貫通孔４０とは、第２方向Ｄ１２において整列されていなくてもよい。図７Ｂに示す例では、一の列を構成する各貫通孔４０と、隣り合う他の列を構成する貫通孔４０とは、第１方向Ｄ１１においてずれて配列されており、そのずれ量が、第１方向における配列ピッチＣ３の半分になっている。

図７Ａに示すように、貫通孔４０は、平面視において、略矩形形状の輪郭を有していてもよい。この場合、貫通孔４０の輪郭のうちの四隅は湾曲していてもよい。なお、輪郭の形状は、画素の形状に応じて任意に定められ得る。例えば、六角形、八角形などのその他の多角形の形状を有していてもよく、円形状を有していてもよい。また、輪郭の形状は、複数の形状の組み合わせであってもよい。また、貫通孔４０はそれぞれ、互いに異なる輪郭の形状を有していてもよい。貫通孔４０が多角形形状の輪郭を有する場合、貫通孔４０の開口寸法は、図７Ａに示すように、多角形において対向する一対の辺の間の間隔としてもよい。

図４および図７Ａにおいて、蒸着マスク２０の第１本体面２２ａにおける貫通孔４０の開口寸法が、符号Ｓ１で示されている。また、蒸着マスク２０の第２本体面２２ｂにおける貫通孔４０の開口寸法が、符号Ｓ２で示されている。また、符号Ｓ３は、第１本体面２２ａにおける互いに隣り合う貫通孔４０同士の間の距離を示している。図７Ａにおいては、貫通孔４０の平面形状は正方形としているため、第１方向Ｄ１１における貫通孔４０の開口寸法と第２方向Ｄ１２における貫通孔４０の開口寸法は等しくなっている。代表的にＤ１２における貫通孔４０の寸法を、符号Ｓ１、Ｓ２で示している。

寸法Ｓ１、寸法Ｓ２および寸法Ｓ３は、表示装置又は投影装置の画素密度に応じて例えば以下の表１のように定められる。

上述した貫通孔４０の壁面４１は、本体領域２２の第１本体面２２ａに対して角度θ１で傾斜していてもよい。以下、角度θ１の技術的意味について説明する。蒸着マスク２０を用いて蒸着材料８２を被蒸着基板９１に蒸着させる蒸着工程において、図１に示するつぼ８１の構成次第では、蒸着材料８２は、蒸着源（るつぼ８１）から被蒸着基板９１に向かって蒸着マスク２０の厚み方向Ｄ２に沿って飛来する成分に加えて、蒸着マスク２０の厚み方向Ｄ２に対して傾斜した方向に沿って飛来する成分を含むことがある。この場合、傾斜した方向に沿って飛来する蒸着材料８２の一部は、被蒸着基板９１に到達する前に蒸着マスク２０の第２本体面２２ｂや貫通孔４０の壁面４１に到達して付着する。このため、被蒸着基板９１に形成される蒸着層９２の厚みは、貫通孔４０の壁面４１に近いほど薄くなり易い。このような、被蒸着基板９１への蒸着材料８２の付着が貫通孔４０の壁面４１によって阻害される現象のことを、シャドーとも称する。シャドーの発生を抑制するための対策としては、上述の角度θ１を小さくすることと、蒸着マスク２０の本体領域２２の厚みＨ１を小さくすることが考えられる。

角度θ１を小さくすることは、本体領域２２の第２本体面２２ｂにおける貫通孔４０の開口が大きくなることを意味する。この場合、第２本体面２２ｂにおいて互いに隣り合う貫通孔４０の壁面４１が接続されて、これらの貫通孔４０の間に第２本体面２２ｂが存在しなくなってしまう。すなわち、第２本体面２２ｂにおいて互いに隣り合う貫通孔４０同士の間の部分が、後述するエッチング処理によって削られてしまう。このため、蒸着マスク２０の機械的強度を確保するために、角度θ１は小さくし過ぎないことが好ましい。この場合、貫通孔４０の配列ピッチＣ３、Ｃ４を小さくすることが可能になる。

角度θ１を小さくし過ぎないようにする場合、シャドーの発生を抑制するためには、蒸着マスク２０の本体領域２２の厚みＨ１を小さくすることが好ましい。このため、蒸着マスク２０の機械的強度が確保可能な程度に、厚みＨ１を小さくしてもよい。すなわち、本体領域２２の厚みＨ１を小さくすることにより、角度θ１を大きくすることができる。この場合、貫通孔４０の配列ピッチＣ３、Ｃ４を小さくすることができる。

ところで、一の貫通孔群３０は、一の有効領域２３と称することがある。有効領域２３の周囲に位置する領域は周囲領域２４と称することがある。この場合、周囲領域２４は、複数の有効領域２３を囲んでいる。

蒸着マスク２０を用いて有機ＥＬ表示装置などの表示装置を作製する場合、１つの有効領域２３は、１つの有機ＥＬ表示装置の表示領域に対応する。このため、図２に示す蒸着マスク２０によれば、有機ＥＬ表示装置の多面付蒸着が可能である。なお、１つの有効領域２３が複数の表示領域に対応する場合もある。

有効領域２３は、例えば、図６に示すように、平面視において略矩形状の輪郭を有していてもよい。有効領域２３の輪郭は、対応する貫通孔群３０のうち最も外側に位置する貫通孔４０に外側から接する線によって画定されてもよい。より詳細には、有効領域２３の輪郭は、貫通孔４０の開口に接する線によって画定されていてもよい。図６に示す例では、貫通孔４０が並列配列されていることから、有効領域２３の輪郭は、略矩形状の輪郭となっている。なお、図示はしないが、各有効領域２３は、有機ＥＬ表示装置の表示領域の形状に応じて、様々な形状の輪郭を有することができる。例えば各有効領域２３は、円形状の輪郭を有していてもよい。

本実施形態においては、本体領域２２において互いに隣り合う２つの貫通孔群３０の間の部分の厚みＨ１は、貫通孔群３０が設けられた部分の厚みと等しくなっていてもよい。言い換えると、互いに隣り合う２つの有効領域２３の間の部分の周囲領域２４の厚みが、有効領域２３の厚みＨ１と等しくなっていてもよい。すなわち、本体領域２２の厚みＨ１は、全体的に等しくなっていてもよい。

この場合、本体領域２２の厚み（有効領域２３の厚み）厚みＨ１は、例えば、３μｍ以上であってもよく、４μｍ以上であってもよく、６μｍ以上であってもよく、７μｍ以上であってもよい。厚みＨ１を３μｍ以上とすることにより、蒸着マスク２０の機械的強度を確保することができる。また、厚みＨ１は、例えば、９μｍ以下であってもよく、１０μｍ以下であってもよく、１２μｍ以下であってもよく、１３μｍ以下であってもよい。厚みＨ１を１３μｍ以下とすることにより、シャドーの発生を抑制することができる。厚みＨ１の範囲は、３μｍ、４μｍ、６μｍ及び７μｍからなる第１グループ、及び／又は、９μｍ、１０μｍ、１２μｍ及び１３μｍからなる第２グループによって定められてもよい。厚みＨ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。厚みＨ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。厚みＨ１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、３μｍ以上１３μｍ以下であってもよく、３μｍ以上１２μｍ以下であってもよく、３μｍ以上１０μｍ以下であってもよく、３μｍ以上９μｍ以下であってもよく、３μｍ以上７μｍ以下であってもよく、３μｍ以上６μｍ以下であってもよく、３μｍ以上４μｍ以下であってもよく、４μｍ以上１３μｍ以下であってもよく、４μｍ以上１２μｍ以下であってもよく、４μｍ以上１０μｍ以下であってもよく、４μｍ以上９μｍ以下であってもよく、４μｍ以上７μｍ以下であってもよく、４μｍ以上６μｍ以下であってもよく、６μｍ以上１３μｍ以下であってもよく、６μｍ以上１２μｍ以下であってもよく、６μｍ以上１０μｍ以下であってもよく、６μｍ以上９μｍ以下であってもよく、６μｍ以上７μｍ以下であってもよく、７μｍ以上１３μｍ以下であってもよく、７μｍ以上１２μｍ以下であってもよく、７μｍ以上１０μｍ以下であってもよく、７μｍ以上９μｍ以下であってもよく、９μｍ以上１３μｍ以下であってもよく、９μｍ以上１２μｍ以下であってもよく、９μｍ以上１０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上１３μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上１２μｍ以下であってもよく、１２μｍ以上１３μｍ以下であってもよい。

蒸着マスク２０の外側領域２１は、本体領域２２よりも厚く形成されていてもよい。本実施形態においては、外側領域２１の厚みＨ２が、本体領域２２のうち上述した貫通孔群３０が設けられた部分の厚みＨ１よりも厚くなっていてもよい。

また、外側領域２１は、蒸着マスク２０の外周縁２５の全周にわたって設けられていてもよい。この場合、外側領域２１は、リング状または枠状に形成されてもよい。外側領域２１の内周縁２６は、少なくとも一部が円弧状に形成されていてもよい。すなわち、外側領域２１の内周縁２６のうちの一部が、円弧状に形成されていてもよく、この場合には、この円弧状部分が、外周側から蒸着マスク２０の中心に向かって見たときに一の貫通孔群３０を超える円弧長さを有していてもよい。また、外側領域２１の内周縁２６の全部が、円弧状に形成されていてもよい。この場合には、当該内周縁２６は、全体として円形状に形成される。

外側領域２１は、第１外側面２１ａと、第１外側面２１ａとは反対側に位置する第２外側面２１ｂと、を有していてもよい。このうち第１外側面２１ａと本体領域２２の第１本体面２２ａは同一面をなしていてもよい。すなわち、蒸着マスク２０の被蒸着基板９１の側の面は、同一面で平坦状に形成されていてもよい。一方、第２外側面２１ｂは、本体領域２２の第２本体面２２ｂよりも、第１本体面２２ａとは反対側に位置していてもよい。すなわち、外側領域２１は、蒸着マスク２０の第２本体面２２ｂから、第１本体面２２ａとは反対側（フレーム１５の側）に突出していてもよい。この場合、外側領域２１の内周縁２６と蒸着マスク２０の第２本体面２２ｂとによって、マスク凹部２７が画定されている。このマスク凹部２７の底面が第２本体面２２ｂに相当し、複数の貫通孔群３０がマスク凹部２７内に露出されている。

外側領域２１の厚みＨ２は、例えば、１０μｍ以上であってもよく、１５μｍ以上であってもよく、２０μｍ以上であってもよく、２５μｍ以上であってもよい。厚みＨ２を１０μｍ以上とすることにより、後述するクランプＰで外側領域２１を把持することができる。また、厚みＨ２は、例えば、３５μｍ以下であってもよく、４０μｍ以下であってもよく、４５μｍ以下であってもよく、５０μｍ以下であってもよい。厚みＨ２を５０μｍ以下とすることにより、外側領域２１をフレーム１５に容易に溶接して固定することができる。厚みＨ２の範囲は、１０μｍ、１５μｍ、２０μｍ及び２５μｍからなる第１グループ、及び／又は、３５μｍ、４０μｍ、４５μｍ及び５０μｍからなる第２グループによって定められてもよい。厚みＨ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。厚みＨ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。厚みＨ２の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、１０μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上４５μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上３５μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上２５μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上２０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上１５μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上４５μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上３５μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上２５μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上２０μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上４５μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上３５μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上２５μｍ以下であってもよく、２５μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、２５μｍ以上４５μｍ以下であってもよく、２５μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、２５μｍ以上３５μｍ以下であってもよく、３５μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、３５μｍ以上４５μｍ以下であってもよく、３５μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、４０μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、４０μｍ以上４５μｍ以下であってもよく、４５μｍ以上５０μｍ以下であってもよい。

外側領域２１の半径方向寸法Ｗは、例えば、５ｍｍ以上であってもよく、７ｍｍ以上であってもよく、１０ｍｍ以上であってもよく、１５ｍｍ以上であってもよい。半径方向寸法Ｗを５ｍｍ以上とすることにより、後述するクランプＰで外側領域２１を把持することができる。また、半径方向寸法Ｗは、例えば、２０ｍｍ以下であってもよく、２５ｍｍ以下であってもよく、２８ｍｍ以下であってもよく、３０ｍｍ以下であってもよい。半径方向寸法Ｗを３０ｍｍ以下とすることにより、本体領域２２の面積を確保することができる。半径方向寸法Ｗの範囲は、５ｍｍ、７ｍｍ、１０ｍｍ及び１５ｍｍからなる第１グループ、及び／又は、２０ｍｍ、２５ｍｍ、２８ｍｍ及び３０ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。半径方向寸法Ｗの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。半径方向寸法Ｗの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。半径方向寸法Ｗの範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、５ｍｍ以上３０ｍｍ以下であってもよく、５ｍｍ以上２８ｍｍ以下であってもよく、５ｍｍ以上２５ｍｍ以下であってもよく、５ｍｍ以上２０ｍｍ以下であってもよく、５ｍｍ以上１５ｍｍ以下であってもよく、５ｍｍ以上１０ｍｍ以下であってもよく、５ｍｍ以上７ｍｍ以下であってもよく、７ｍｍ以上３０ｍｍ以下であってもよく、７ｍｍ以上２８ｍｍ以下であってもよく、７ｍｍ以上２５ｍｍ以下であってもよく、７ｍｍ以上２０ｍｍ以下であってもよく、７ｍｍ以上１５ｍｍ以下であってもよく、７ｍｍ以上１０ｍｍ以下であってもよく、１０ｍｍ以上３０ｍｍ以下であってもよく、１０ｍｍ以上２８ｍｍ以下であってもよく、１０ｍｍ以上２５ｍｍ以下であってもよく、１０ｍｍ以上２０ｍｍ以下であってもよく、１０ｍｍ以上１５ｍｍ以下であってもよく、１５ｍｍ以上３０ｍｍ以下であってもよく、１５ｍｍ以上２８ｍｍ以下であってもよく、１５ｍｍ以上２５ｍｍ以下であってもよく、１５ｍｍ以上２０ｍｍ以下であってもよく、２０ｍｍ以上３０ｍｍ以下であってもよく、２０ｍｍ以上２８ｍｍ以下であってもよく、２０ｍｍ以上２５ｍｍ以下であってもよく、２５ｍｍ以上３０ｍｍ以下であってもよく、２５ｍｍ以上２８ｍｍ以下であってもよく、２８ｍｍ以上３０ｍｍ以下であってもよい。

外側領域２１と本体領域２２は、連続状に一体形成されていてもよい。本実施形態においては、後述する金属層５２をエッチング処理することにより、外側領域２１および本体領域２２を含む蒸着マスク２０が作製される。このため、外側領域２１および本体領域２２は、一体の金属材料から作製されており、外側領域２１と本体領域２２は連続状に形成されている。

本体領域２２および外側領域２１を含む蒸着マスク２０を構成する材料としては、例えば、ニッケルを含む鉄合金を用いることができる。鉄合金は、ニッケルに加えてコバルトを更に含んでいてもよい。例えば、蒸着マスク２０の材料として、ニッケル及びコバルトの含有量が合計で３０質量％以上且つ５４質量％以下であり、且つコバルトの含有量が０質量％以上且つ６質量％以下である鉄合金を用いることができる。ニッケルを含む鉄合金の具体例としては、３４質量％以上且つ３８質量％以下のニッケルを含むインバー材、３８質量％以上且つ５４質量％以下のニッケルを含む低熱膨張Ｆｅ−Ｎｉ系めっき合金などを挙げることができる。ニッケル及びコバルトを含む鉄合金の具体例としては、３０質量％以上且つ３４質量％以下のニッケルに加えてさらにコバルトを含むスーパーインバー材などを挙げることができる。このような鉄合金を用いることにより、蒸着マスク２０の熱膨張係数を低くすることができる。例えば、被蒸着基板９１としてガラス基板が用いられる場合に、蒸着マスク２０の熱膨張係数を、ガラス基板と同等の低い値にすることができる。これにより、蒸着工程の際、被蒸着基板９１に形成される蒸着層９２の形状精度や位置精度が、蒸着マスク２０と被蒸着基板９１との間の熱膨張係数の差に起因して低下することを抑制することができる。

また、蒸着マスク２０に、被蒸着基板９１と位置合わせを行うためのアライメントマーク４５が設けられていてもよい。アライメントマーク４５は、蒸着マスク２０と被蒸着基板９１とを位置合わせすることができれば、任意の位置に配置することができる。例えば、図２に示すように、蒸着マスク２０の本体領域２２の第１本体面２２ａに、アライメントマーク４５が形成されていてもよい。被蒸着基板９１がある程度の透過性を有している場合には、被蒸着基板９１を介して蒸着マスク２０に設けられたアライメントマーク４５を視認することができ、被蒸着基板９１と蒸着マスク２０とを容易に位置合わせすることができる。アライメントマーク４５の平面形状は、図２では、円形形状である例を示しているが、これに限られることはなく、矩形形状や十字形状など、任意の形状とすることができる。また、アライメントマーク４５は、蒸着マスク２０の第１本体面２２ａをエッチングすることで凹状に形成されていてもよく、あるいは、蒸着マスク２０を貫通するように形成されていてもよい。

次に、このような構成からなる蒸着マスク２０の製造方法について、図８〜図１２を参照して説明する。本実施形態による蒸着マスク２０の製造方法は、支持基板５０を準備する準備工程と、支持基板５０に金属層５２を分離可能に貼り付ける貼付工程と、外側領域２１および本体領域２２を形成する領域形成工程と、貫通孔４０を形成する貫通孔形成工程と、支持基板５０から蒸着マスク２０を分離させる分離工程と、を備えていてもよい。なお、図１１および図１２においては、図面を明瞭にするために、図４よりも貫通孔４０の個数を少なくしている。

まず、図８に示すように、準備工程として、支持基板５０を準備してもよい。支持基板５０を構成する材料としては、ガラスやシリコン等を用いることができる。ここでは、支持基板５０に、図１０Ｂに示すような矩形状の平面形状を有するガラス基板を用いる例について説明する。

また、準備工程として、金属層５２を準備してもよい。本実施形態では、金属層５２には、圧延材として作製された金属板を用いてもよい。金属板は、枚葉状の金属板であってもよい。金属板は、矩形状の平面形状を有していてもよい。

準備工程の後、貼付工程として、図９に示すように、支持基板５０上に、接合層５１を介して、金属層５２が分離可能に貼り付けられてもよい。例えば、支持基板５０の一方の面に、シート状の接合層５１が貼り付けられて、その後に、接合層５１に金属層５２が貼り付けられてもよい。

接合層５１を構成する材料としては、加熱されることによって粘着性を喪失可能な材料を用いてもよい。例えば、このような接合層５１を構成する材料としては、加熱されることにより発泡して剥離可能になる材料を用いてもよい。例えば、日東電工株式会社製の剥離シート「リバアルファ（登録商標）」を用いてもよい。あるいは、接合層５１を構成する材料としては、紫外線（ＵＶ光）を照射されることによって粘着性を喪失可能な材料を用いてもよい。例えば、このような接合層５１を構成する材料としては、アクリル系硬化性樹脂等を用いてもよい。接合層５１の厚みは、例えば、１μｍ〜１０μｍであってもよい。

貼付工程の後、領域形成工程として、図１０Ａに示すように、金属層５２が、支持基板５０とは反対側からエッチングされてもよい。本実施形態による領域形成工程では、第１レジスト膜形成工程と、第１エッチング工程と、第１レジスト膜除去工程とが、この順番で行われてもよい。

第１レジスト膜形成工程においては、まず、金属層５２の支持基板５０とは反対側の面（図１０Ａにおける上面）にドライフィルム（図示せず）が貼り付けられて、レジスト膜（図示せず）が形成される。続いて、フォトリソグラフィー処理により、外側領域２１に対応するようにレジスト膜がパターニングされ、形成されるレジスト膜は、本体領域２２に対応するようにパターニングされたレジスト開口を有する。なお、レジスト膜は、ネガ型レジストであってもよく、ポジ型レジストであってもよい。また、レジスト膜として液状レジストを金属層５２に塗布して硬化した膜を用いてもよい。

第１エッチング工程においては、金属層５２が、支持基板５０とは反対側からエッチングされて、外側領域２１と本体領域２２とが形成される。より具体的には、上述したレジスト膜のレジスト開口を介して金属層５２がエッチングされて、図１０Ａに示すように、金属層５２にマスク凹部２７が形成される。また、第１エッチング工程においては、図１０Ａおよび図１０Ｂに示すように、金属層５２の外周縁が円形状（ここではオリエンテーションフラット形状）に形成される。このようにして、金属層５２に、外周縁２５と外側領域２１と本体領域２２とが形成される。金属層５２のエッチング処理は、ウェットエッチング処理であってもよい。この場合、例えば、塩化第２鉄溶液と塩酸とを含むエッチング液を用いてもよい。

第１レジスト膜除去工程においては、レジスト膜が除去される。例えば、アルカリ系剥離液を用いることによって、レジスト膜を金属層５２から剥離させてもよい。

このようにして、外側領域２１と本体領域２２とが得られる。

領域形成工程の後、貫通孔形成工程として、図１１に示すように、金属層５２が、支持基板５０とは反対側からエッチングされてもよい。本実施形態による貫通孔形成工程では、第２レジスト膜形成工程と、第２エッチング工程と、第２レジスト膜除去工程とが、この順番で行われてもよい。

第２レジスト膜形成工程においては、第１レジスト膜形成工程と同様に、ドライフィルムを用いて、金属層５２上に、所望のパターンでレジスト膜が形成されるようにしてもよい。形成されるレジスト膜は、貫通孔４０に対応するようにパターニングされたレジスト開口を有する。

第２エッチング工程においては、第１エッチング工程と同様に、金属層５２が、支持基板５０とは反対側からエッチングされて、本体領域２２に貫通孔群３０を構成する貫通孔４０が形成される。より具体的には、上述したレジスト開口を介して金属層５２がエッチングされて、図１１に示すように、貫通孔４０が形成される。

第２レジスト膜除去工程においては、第１レジスト膜除去工程と同様に、レジスト膜が除去される。

このようにして、貫通孔４０が形成された蒸着マスク２０が得られる。

貫通孔形成工程の後、分離工程として、図１２に示すように、支持基板５０から蒸着マスク２０（または金属層５２）が分離されてもよい。例えば、接合層５１が、加熱されることによって粘着性を喪失可能な材料で構成されている場合には、蒸着マスク２０または支持基板５０を介して接合層５１を加熱する。このことにより、蒸着マスク２０を支持基板５０および接合層５１から剥がしやすくすることができる。また、接合層５１が、紫外線を照射されることによって粘着性を喪失可能な材料で構成されている場合には、支持基板５０を介して接合層５１に紫外線を照射する。このことにより、蒸着マスク２０を支持基板５０および接合層５１から剥がしやすくすることができる。この場合、支持基板５０は、紫外線を透過可能な材料で構成されていてもよい。

このようにして、図４に示すような、本実施形態による蒸着マスク２０が得られる。

次に、上述のようにして得られた蒸着マスク２０を用いて蒸着マスク装置１０を製造する方法について説明する。

この場合、図３に示すように、蒸着マスク２０がフレーム１５に張設される。より具体的には、蒸着マスク２０に張力が付与され、張力が付与された状態で蒸着マスク２０の外側領域２１がフレーム１５に固定される。外側領域２１は、例えばスポット溶接でフレーム１５に固定されて、図２に示すような溶接痕１９が形成されてもよい。

蒸着マスク２０をフレーム１５に張設する際、蒸着マスク２０には放射状に張力が付与されてもよい。例えば、図１３に示すように、蒸着マスク２０の第１方向Ｄ１１および第２方向Ｄ１２に張力が付与されるとともに、第１方向Ｄ１１および第２方向Ｄ１２に対して４５°傾いた方向にも張力が付与されるようにしてもよい。

より具体的には、図１３に示すように、蒸着マスク２０の外側領域２１のうち、第１方向Ｄ１１に沿った部分がクランプＰによって把持される。この場合、蒸着マスク２０の中心点に対する両側で外側領域２１がクランプＰによって把持される。また、蒸着マスク２０の外側領域２１のうち、第２方向Ｄ１２に沿った部分が、同様にクランプＰによって把持される。また、蒸着マスク２０の外側領域２１のうち、第１方向Ｄ１１および第２方向Ｄ１２に対して４５°傾いた方向に沿った部分もそれぞれ、クランプＰによって把持される。このように、図１３に示す例では、蒸着マスク２０の外側領域２１が、４５°ピッチでクランプＰに把持されて、放射状に張力が付与される。

張設時には、各貫通孔４０が、所望の位置（蒸着目標位置）に対して許容範囲内に位置付けられるように、各クランプＰが蒸着マスク２０に付与する張力が調整される。このことにより、蒸着マスク２０に放射状に張力が付与されて本体領域２２が撓むことを抑制することができる。また、各クランプＰから蒸着マスク２０に付与される張力を個別に調整することにより、各貫通孔４０の位置を局所的に調整することができ、各貫通孔４０を許容範囲内に位置付けることができる。

次に、本実施形態による蒸着マスク装置１０を用いた蒸着基板の製造方法について、図１および図１４を参照して説明する。蒸着基板の製造方法は、蒸着マスク装置１０を用いて被蒸着基板９１に蒸着材料８２を付着させて蒸着層９２を形成し、図１４に示すような蒸着基板９０を得る方法である。蒸着基板９０は、主として、被蒸着基板９１と、被蒸着基板９１に形成された蒸着層９２とによって構成されており、有機ＥＬ表示装置などで用いられる。本実施形態による蒸着基板の製造方法は、蒸着マスク装置準備工程と、密着工程と、蒸着工程と、を備えていてもよい。

まず、蒸着マスク装置準備工程として、上述した蒸着マスク装置１０を準備してもよい。

蒸着マスク準備工程の後、密着工程として、蒸着マスク装置１０の蒸着マスク２０のうち第１外側面２１ａおよび第１本体面２２ａを、被蒸着基板９１に密着させてもよい。より具体的には、まず、蒸着マスク２０が、被蒸着基板９１に対向するように、被蒸着基板９１とともに蒸着装置８０内に配置される。この際、被蒸着基板９１を、蒸着マスク２０と磁石８５との間に介在させて、磁石８５の磁力で蒸着マスク２０を被蒸着基板９１に引き寄せてもよい。このことにより、蒸着マスク２０の第１外側面２１ａおよび第１本体面２２ａに、被蒸着基板９１が密着することができる。

密着工程の後、蒸着工程として、蒸着マスク２０の貫通孔４０を通して蒸着材料８２を被蒸着基板９１に蒸着させて蒸着層９２が形成されてもよい。このことにより、蒸着基板９０が得られる。より具体的には、蒸着装置８０の内部空間を真空雰囲気にし、蒸着材料８２を蒸発させて被蒸着基板９１に飛来させる。飛来した蒸着材料８２は、蒸着マスク２０の各貫通孔４０を通って被蒸着基板９１に到達し、付着する。このようにして、被蒸着基板９１に、貫通孔４０のパターンに対応したパターンで形成された蒸着層９２を備えた蒸着基板９０が得られる。

上述したように、本実施形態では、貫通孔４０が各有効領域２３において所定のパターンで配置されている。複数の色によるカラー表示を行いたい場合には、各色に対応する蒸着マスク２０を準備し、各蒸着マスク２０で被蒸着基板９１に各色の蒸着材料８２を順次付着させる。これにより、例えば、赤色用の有機発光材料、緑色用の有機発光材料および青色用の有機発光材料を一の被蒸着基板９１にそれぞれ蒸着させることができる。

このようにして、被蒸着基板９１に、各色の蒸着層９２が形成された蒸着基板９０が得られる。

このように本実施形態によれば、円形状の外周縁２５から内側に延びる外側領域２１の厚みが、外側領域２１よりも内側に位置する本体領域２２のうち貫通孔群３０が設けられた部分の厚みよりも厚くなっている。このことにより、本体領域２２のうち貫通孔群３０が設けられた部分の厚みを、外側領域２１の厚みより薄くすることができ、上述したシャドーの発生を抑制することができる。このため、被蒸着基板９１に形成される蒸着層９２の厚みを均等化することができ、蒸着層９２の形状精度および位置精度を向上させることができる。この結果、蒸着層９２の精細度を高めることができる。この場合、蒸着層９２の高精細化を図ることもできる。

また、本実施形態によれば、円形状の外周縁２５から内側に延びる外側領域２１の厚みが、外側領域２１よりも内側に位置する本体領域２２のうち貫通孔群３０が設けられた部分の厚みよりも厚くなっている。このことにより、蒸着マスク２０に張力を付与するためのクランプＰで、蒸着マスク２０のうち外側領域２１を把持することができ、円形状の蒸着マスク２０に張力を付与することができる。このため、蒸着マスク２０をフレーム１５に張設することができ、各貫通孔４０の位置精度を向上させることができる。この結果、蒸着マスク装置１０における貫通孔４０の精細度を高めることができる。

また、本実施形態によれば、蒸着マスク２０の外周縁２５が円形状に形成されている。このことにより、蒸着マスク２０を、上述した支持基板５０にシリコンウエハを用いる場合には、後述するようにＭＥＭＳ用の製造装置で製造することができる。この場合、蒸着マスク２０の貫通孔４０の形状精度および位置精度を向上させることができる。このため、貫通孔４０の精細度を高めることができる。

また、本実施形態によれば、蒸着マスク２０の外側領域２１は、外周縁２５の全周にわたって設けられている。このことにより、外側領域２１における任意の箇所から蒸着マスク２０に張力を付与することができる。例えば、外側領域２１を一定の角度ピッチでクランプして蒸着マスク２０に等方的に張力を付与することができる。このため、張設時の貫通孔４０の位置を容易に調整することができ、貫通孔４０の位置精度を向上させることができる。この結果、貫通孔４０の精細度を高めることができる。

また、本実施形態によれば、外側領域２１の第１外側面２１ａと本体領域２２の第１本体面２２ａが同一面をなしている。このことにより、外側領域２１の第１外側面２１ａと本体領域２２の第１本体面２２ａとで構成される蒸着マスク２０の面を、蒸着時に被蒸着基板９１に密着させる面とすることができる。このため、蒸着工程においてシャドーが発生することを抑制することができ、被蒸着基板９１に形成される蒸着層９２の形状精度や位置精度を高めることができる。この結果、蒸着層９２の精細度を高めることができる。

また、本実施形態によれば、本体領域２２において互いに隣り合う貫通孔群３０の間の部分の厚みが、貫通孔群３０が設けられた部分の厚みと等しくなっている。このことにより、張設時の貫通孔４０の位置の調整を容易化させることができ、貫通孔４０の位置精度を向上させることができる。この結果、貫通孔４０の精細度を高めることができる。

また、本実施形態によれば、外側領域２１と本体領域２２が、連続状に一体形成されている。このことにより、外側領域２１の厚みが、貫通孔群３０が設けられた部分の厚みよりも厚い蒸着マスク２０を、効率良く製造することができる。

なお、上述した本実施形態においては、外側領域２１が、蒸着マスク２０の外周縁２５の全周にわたって設けられている例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、外側領域２１は、外周縁２５の一部から内側に延びるように形成されていてもよい。この場合、外側領域２１は、周方向に部分的に形成されてもよい。この場合においても、外側領域２１の厚みを、本体領域２２のうち貫通孔群３０が設けられた部分の厚みよりも厚くすることができ、外側領域２１をクランプＰで把持することができる。このため、蒸着マスク２０に張力を付与することができる。

また、上述した本実施形態においては、本体領域２２において互いに隣り合う貫通孔群３０の間の部分の厚みが、貫通孔群３０が設けられた部分の厚みと等しい例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、互いに隣り合う貫通孔群３０の間の部分の厚みが、貫通孔群３０が設けられた部分の厚みよりも厚くなっていてもよい。このことにより、本体領域２２の機械的強度を向上させることができ、フレーム１５に張設した際に、本体領域２２が撓むことを抑制することができる。この場合、互いに隣り合う貫通孔群３０の間の部分の厚みは、外側領域２１の厚みと等しくてもよく、これにより、蒸着マスク２０の製造工程が複雑化することを抑制できる。あるいは、互いに隣り合う貫通孔群３０の間の部分の厚みは、外側領域２１の厚みよりも薄くてもよい。この場合、本体領域２２の機械的強度を向上させつつ、張設時の貫通孔４０の位置の調整を容易化させることができる。

また、上述した本実施形態においては、支持基板５０に矩形状の平面形状を有するガラス基板が用いられる例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、支持基板５０にシリコンウエハが用いられてもよい。このことにより、蒸着マスク２０を、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）用の製造装置で製造することができる。この場合、支持基板５０の直径は、特に限られることはないが、例えば、１５０ｍｍ（６インチ）、２００ｍｍ（８インチ）、３００ｍｍ（１２インチ）、または４５０ｍｍ（１８インチ）であってもよい。支持基板５０の厚みＨ２は、直径が１５０ｍｍの場合には０．６２５ｍｍであってもよく、直径が２００ｍｍの場合には、０．７２５ｍｍであってもよく、直径が３００ｍｍの場合には、０．７７５ｍｍであってもよい。

また、上述した本実施形態においては、蒸着マスク２０の外側領域２１が、４５°ピッチでクランプＰに把持されて、放射状に張力が付与される例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、クランプＰの配置ピッチは、各貫通孔４０を許容範囲内に位置づけることができれば任意であり、例えば、９０°ピッチにしてもよい。

また、上述した本実施形態においては、枚葉状の金属層５２から蒸着マスク２０を製造する例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、金属層５２は、ロールから巻き出された連続状の金属層であってもよい。この場合、ロールから巻き出された連続状の支持基板５０に金属層５２を連続的に貼り付けて各工程による処理を行い、本実施形態による蒸着マスク２０を製造することができる。

（第２実施形態）
次に、本開示の第２実施形態による蒸着マスクおよび蒸着マスクの製造方法について、図１５〜図２０を参照して説明する。

図１５〜図２０に示す第２実施形態においては、外側領域が、本体領域を構成するとともに本体領域から外側に延びる第１金属層と、第１金属層上に設けられた第２金属層と、を有している点が主に異なり、他の構成は、図１〜図１４に示す第１実施形態と略同一である。なお、図１５〜図２０において、図１〜図１４に示す第１実施形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。

本実施形態では、めっき処理により得られる蒸着マスク２０を例にとって説明する。

本実施形態による蒸着マスク２０は、図１５に示すように、第１金属層６１と第２金属層６２とを有しており、２層構造となっていてもよい。例えば、外側領域２１が、本体領域２２を構成するとともに本体領域２２から外側に延びる第１金属層６１と、第１金属層６１上に設けられた第２金属層６２と、を有していてもよい。言い換えると、外側領域２１は、第１金属層６１と第２金属層６２とで構成されている。本体領域２２は、第１金属層６１で構成されており、第２金属層６２が存在していない領域となっている。第１金属層６１に、第１実施形態と同様な貫通孔群３０が形成されている。

本実施形態では、本体領域２２は、第１金属層６１で構成されており、単層構造となっている。この場合、めっき処理で形成された蒸着マスク２０においては、貫通孔４０の断面形状は、図１５に示すような台形形状であってもよい。図１５に示す貫通孔４０は、貫通孔４０の壁面４１が、中心軸線ＣＬに対して直線状に傾斜している。

第１金属層６１の厚みは、本体領域２２の厚みＨ１に相当する。第２金属層６２の厚みＨ３は、３μｍ以上であってもよく、５μｍ以上であってもよく、１０μｍ以上であってもよく、１５μｍ以上であってもよい。厚みＨ３を３μｍ以上とすることにより、後述するクランプＰで外側領域２１を把持することができる。また、厚みＨ３は、例えば、２５μｍ以下であってもよく、３０μｍ以下であってもよく、３５μｍ以下であってもよく、３７μｍ以下であってもよい。厚みＨ３を３７μｍ以下とすることにより、外側領域２１をフレーム１５に容易に溶接して固定することができる。厚みＨ３の範囲は、３μｍ、５μｍ、１０μｍ及び１５μｍからなる第１グループ、及び／又は、２５μｍ、３０μｍ、３５μｍ及び３７μｍからなる第２グループによって定められてもよい。厚みＨ３の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。厚みＨ３の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。厚みＨ３の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、３μｍ以上３７μｍ以下であってもよく、３μｍ以上３５μｍ以下であってもよく、３μｍ以上３０μｍ以下であってもよく、３μｍ以上２５μｍ以下であってもよく、３μｍ以上１５μｍ以下であってもよく、３μｍ以上１０μｍ以下であってもよく、３μｍ以上５μｍ以下であってもよく、５μｍ以上３７μｍ以下であってもよく、５μｍ以上３５μｍ以下であってもよく、５μｍ以上３０μｍ以下であってもよく、５μｍ以上２５μｍ以下であってもよく、５μｍ以上１５μｍ以下であってもよく、５μｍ以上１０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上３７μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上３５μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上３０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上２５μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上１５μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上３７μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上３５μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上３０μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上２５μｍ以下であってもよく、２５μｍ以上３７μｍ以下であってもよく、２５μｍ以上３５μｍ以下であってもよく、２５μｍ以上３０μｍ以下であってもよく、３０μｍ以上３７μｍ以下であってもよく、３０μｍ以上３５μｍ以下であってもよく、３５μｍ以上３７μｍ以下であってもよい。

本実施形態による蒸着マスク２０の製造方法は、支持基板５０を準備する準備工程と、外側領域２１と本体領域２２と貫通孔とを有する第１金属層６１を形成する第１金属層形成工程と、第１金属層６１の外側領域２１に第２金属層６２を形成する第２金属層形成工程と、支持基板５０から蒸着マスク２０を分離させる分離工程と、を備えていてもよい。

まず、準備工程として、図８に示す準備工程と同様に支持基板５０を準備してもよい。

準備工程の後、第１金属層形成工程として、支持基板５０上に、めっき処理によって第１金属層６１が形成される。本実施形態による第１金属層形成工程では、導電膜形成工程と、第１レジスト膜形成工程と、第１めっき処理工程と、第１レジスト膜除去工程とが、この順番で行われてもよい。

導電膜形成工程においては、図１６に示すように、まず、支持基板５０の一方の面に、パターン状の導電膜６３が形成される。導電膜６３は、第１金属層６１に対応するようにパターニングされてもよい。導電膜６３を構成する材料としては、金属材料や導電性酸化物材料等の導電性を有する材料を用いてもよい。このうち金属材料の例としては、クロムや銅等を挙げることができる。導電膜６３の厚みは、例えば、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であってもよい。導電膜６３は、例えば、スパッタリング処理や蒸着処理で形成されてもよい。なお、蒸着マスク２０を支持基板５０および導電膜６３から分離させる分離工程（後述）を容易化するために、支持基板５０および導電膜６３に離型処理が施されていてもよい。

第１レジスト膜形成工程においては、支持基板５０の導電膜６３の側の面（図１６における上面）に、ドライフィルム（図示せず）が貼り付けられて、レジスト膜（図示せず）が形成される。続いて、フォトリソグラフィー処理により、貫通孔４０に対応するようにレジスト膜がパターニングされる。フォトリソグラフィー処理においては、支持基板５０のうちレジスト膜とは反対側の面に露光光が照射されて、レジスト膜が、支持基板５０を介して露光されてもよい。このことにより、露光光の回り込み（回折）によって、直線状に傾斜した壁面４１に対応する形状を有するレジスト膜が得られる。

第１めっき処理工程においては、図１７Ａに示すように、めっき処理により、導電膜６３上に第１金属層６１が形成される。ここでは、導電膜６３を給電電極として電解めっき処理により第１金属層６１が形成される。より具体的には、導電膜６３の支持基板５０とは反対側の面にめっき液が供給される。例えば、導電膜６３が形成された支持基板５０が、めっき液が充填されためっき槽に浸されてもよい。このことにより、導電膜６３の支持基板５０とは反対側の面に、めっき液の成分が析出されて第１金属層６１が形成される。第１めっき処理工程においては、図１７Ａおよび図１７Ｂに示すように、第１金属層６１の外周縁が円形状に形成される。なお、図１７Ｂにおいては、図面を簡略化するために、貫通孔４０は省略している。

用いられるめっき液の成分は、第１金属層６１に求められる特性に応じて適宜定められる。例えば第１金属層６１が、ニッケルを含む鉄合金によって構成される場合、めっき液として、ニッケル化合物を含む溶液と、鉄化合物を含む溶液との混合溶液を用いることができる。例えば、スルファミン酸ニッケルや臭化ニッケルを含む溶液と、スルファミン酸第一鉄を含む溶液との混合溶液を用いることができる。めっき液には、様々な添加剤が含まれていてもよい。添加剤としては、例えば、ホウ酸などのｐＨ緩衝材や、マロン酸やサッカリンなどの添加剤が含まれていてもよい。

第１レジスト膜除去工程においては、レジスト膜が除去される。例えば、アルカリ系剥離液を用いることによって、レジスト膜を支持基板５０から剥離させてもよい。

このようにして、支持基板５０上に、貫通孔４０を有する第１金属層６１が得られる。

第１金属層形成工程の後、第２金属層形成工程として、図１８に示すように、第１金属層６１の外側領域２１に、第２金属層６２が形成されてもよい。本実施形態による第２金属層形成工程では、第２レジスト膜形成工程と、第２めっき処理工程と、第２レジスト膜除去工程とが、この順番で行われてもよい。

第２レジスト膜形成工程においては、第１レジスト膜形成工程と同様に、ドライフィルムを用いて、第１金属層６１上に、所望のパターンでレジスト膜が形成されるようにしてもよい。レジスト膜は、本体領域２２に対応するようにパターニングされ、形成されるレジスト膜は、外側領域２１に対応するようにパターニングされたレジスト開口を有する。

第２めっき処理工程においては、図１８に示すように、第１めっき処理工程と同様に、第１金属層６１の外側領域２１に、第２金属層６２が形成される。ここでは、第１金属層６１を給電電極として電解めっき処理により第２金属層６２が形成される。より具体的には、第１金属層６１のうち上述したレジスト開口で露出された部分にめっき液が供給されて、第２金属層６２が形成される。

第２レジスト膜除去工程においては、第１レジスト膜除去工程と同様に、レジスト膜が除去される。

このようにして、第１金属層６１の外側領域２１に第２金属層６２が形成された蒸着マスク２０が得られる。

第２金属層形成工程の後、分離工程として、図１９に示すように、支持基板５０および導電膜６３から蒸着マスク２０（または第１金属層６１）が分離される。上述したように支持基板５０および導電膜６３に離型処理が施されている場合には、支持基板５０および導電膜６３からの蒸着マスク２０の分離を容易化させることができる。

このようにして、図１５に示すような、本実施形態による蒸着マスク２０が得られる。

このように本実施形態によれば、外側領域２１が、本体領域２２を構成するとともに本体領域２２から外側に延びる第１金属層６１と、第１金属層６１上に設けられた第２金属層６２と、を有している。このことにより、外側領域２１の厚みを、本体領域２２の厚みよりも厚くすることができる。すなわち、本体領域２２の厚みよりも厚い外側領域２１を有する蒸着マスク２０を容易に得ることができる。

なお、上述した本実施形態においては、２層構造を有する蒸着マスク２０がめっき処理により作製される例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、２層構造を有する蒸着マスク２０を、圧延材をエッチング処理することにより作製してもよい。例えば、第１金属層６１を、圧延材を支持基板５０に貼り付けてエッチング処理することで形成し、第２金属層６２を、第１金属層６１上に接合してもよい。例えば、第２金属層６２は、ワニスで第１金属層６１に接合されてもよい。この場合、第２金属層６２は、第１金属層６１と同様に圧延材をエッチング処理することで形成してもよい。また、第２金属層６２は、エッチングで形成された第１金属層６１に、めっき処理で形成してもよい。更には、第１金属層６１をめっき処理で形成し、この第１金属層６１上に、第２金属層６２をワニスで接合してもよい。

また、上述した本実施形態においては、本体領域２２が、第１金属層６１で構成された単層構造となっている例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、本体領域２２は、図２０に示すように、２層構造となっていてもよい。図２０に示す例では、本体領域２２を構成する第１金属層６１は、第１本体金属層６４と、第１本体金属層６４上に設けられた第２本体金属層６５と、を含んでいてもよい。第１本体金属層６４は、第１本体面２２ａの側に配置され、第２本体金属層６５は、第２本体面２２ｂの側に配置される。貫通孔４０は、第１本体金属層６４に設けられた第１開口６６と、第２本体金属層６５に設けられた第２開口６７と、を含んでいる。第１開口６６と第２開口６７とが互いに連通して、貫通孔４０が構成されている。第２開口６７の開口寸法が、第１開口６６の開口寸法よりも大きくなっている。図２０に示す蒸着マスク２０では、角度θ１を大きくすることができ、本体領域２２の厚みを厚くした場合であっても、シャドーが発生することを抑制できる。すなわち、シャドーの発生を抑制しつつ蒸着マスク２０の機械的強度を確保することができる。

図２０に示す蒸着マスク２０を製造する場合には、上述した第１金属層形成工程では、導電膜形成工程と、第１本体金属層６４を形成するための第１本体めっき処理工程と、第１レジスト膜形成工程と、第２本体金属層６５を形成するための第２本体めっき処理工程と、第１レジスト膜除去工程とが、この順番で行われてもよい。導電膜形成工程においては、第１本体金属層６４に対応する位置に導電膜６３が形成される。第１本体めっき処理工程では、導電膜６３を給電電極として電解めっき処理により第１本体金属層６４が形成される。第１レジスト膜形成工程では、貫通孔４０に対応する位置にレジスト膜が形成され、第２本体めっき処理工程では、第１本体金属層６４を給電電極として電解めっき処理により第２本体金属層６５が形成される。

（第３実施形態）
次に、本開示の第３実施形態による蒸着マスクおよび蒸着マスクの製造方法について、図２１〜図２８を参照して説明する。

図２１〜図２８に示す第３実施形態においては、第１金属層の第２金属層とは反対側に樹脂層が設けられている点が主に異なり、他の構成は、図１５〜図２０に示す第２実施形態と略同一である。なお、図２１〜図２８において、図１５〜図２０に示す第２実施形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。

本実施形態では、樹脂層と金属層とを有する蒸着マスク２０を例にとって説明する。

図２１に示すように、本実施形態による蒸着マスク２０の本体領域２２は、２層構造となっていてもよい。例えば、第１金属層６１の第２金属層６２とは反対側に樹脂層７１が設けられている。言い換えると、本体領域２２が、樹脂層７１と、樹脂層７１上に設けられた第１金属層６１と、を有していてもよい。樹脂層７１は、第１本体面２２ａの側に配置され、第１金属層６１は、樹脂層７１よりも第２本体面２２ｂの側に配置される。外側領域２１は、樹脂層７１と、第１金属層６１と、第２金属層６２で構成されている。本体領域２２は、樹脂層７１と第１金属層６１とで構成されており、第２金属層６２が存在していない領域となっている。樹脂層７１および第１金属層６１に、第１実施形態および第２実施形態と同様な貫通孔群３０が形成されている。

本実施形態では、本体領域２２は、樹脂層７１と第１金属層６１とで構成されており、互いに異なる材料で形成された２つの層を含む層構成となっている。樹脂層７１と第１金属層６１との間には、導電膜７２（図２８参照）が介在されている。なお、図２１においては、図面を明瞭にするために、導電膜７２は省略している。

本実施形態においては、貫通孔４０は、樹脂層７１に設けられた樹脂開口７３と、第１金属層６１に設けられた金属開口７４と、を含んでいる。樹脂開口７３と金属開口７４とが互いに連通して、貫通孔４０が構成されている。金属開口７４の開口寸法が、樹脂開口７３の開口寸法よりも大きくなっている。一の金属開口７４には、対応する一の樹脂開口７３が露出している。しかしながら、このことに限られることはなく、一の金属開口７４に２つ以上の樹脂開口７３が露出するように、金属開口７４を大きく形成してもよい。

樹脂層７１の厚みＨ４は、例えば、１μｍ以上であってもよく、２μｍ以上であってもよく、３μｍ以上であってもよく、４μｍ以上であってもよい。厚みＨ４を１μｍ以上とすることにより、蒸着マスク２０の機械的強度を確保することができる。また、厚みＨ４は、例えば、７μｍ以下であってもよく、８μｍ以下であってもよく、９μｍ以下であってもよく、１０μｍ以下であってもよい。厚みＨ４を１０μｍ以下とすることにより、シャドーの発生を抑制することができる。厚みＨ４の範囲は、１μｍ、２μｍ、３μｍ及び４μｍからなる第１グループ、及び／又は、７μｍ、８μｍ、９μｍ及び１０μｍからなる第２グループによって定められてもよい。厚みＨ４の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。厚みＨ４の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。厚みＨ４の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、１μｍ以上１０μｍ以下であってもよく、１μｍ以上９μｍ以下であってもよく、１μｍ以上８μｍ以下であってもよく、１μｍ以上７μｍ以下であってもよく、１μｍ以上４μｍ以下であってもよく、１μｍ以上３μｍ以下であってもよく、１μｍ以上２μｍ以下であってもよく、２μｍ以上１０μｍ以下であってもよく、２μｍ以上９μｍ以下であってもよく、２μｍ以上８μｍ以下であってもよく、２μｍ以上７μｍ以下であってもよく、２μｍ以上４μｍ以下であってもよく、２μｍ以上３μｍ以下であってもよく、３μｍ以上１０μｍ以下であってもよく、３μｍ以上９μｍ以下であってもよく、３μｍ以上８μｍ以下であってもよく、３μｍ以上７μｍ以下であってもよく、３μｍ以上４μｍ以下であってもよく、４μｍ以上１０μｍ以下であってもよく、４μｍ以上９μｍ以下であってもよく、４μｍ以上８μｍ以下であってもよく、４μｍ以上７μｍ以下であってもよく、７μｍ以上１０μｍ以下であってもよく、７μｍ以上９μｍ以下であってもよく、７μｍ以上８μｍ以下であってもよく、８μｍ以上１０μｍ以下であってもよく、８μｍ以上９μｍ以下であってもよく、９μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。

第１金属層６１の厚みＨ５は、厚みＨ５は、例えば、２μｍ以上であってもよく、４μｍ以上であってもよく、５μｍ以上であってもよく、６μｍ以上であってもよい。厚みＨ５を２μｍ以上とすることにより、蒸着マスク２０の機械的強度を確保することができる。また、厚みＨ５は、例えば、８μｍ以下であってもよく、９μｍ以下であってもよく、１０μｍ以下であってもよく、１２μｍ以下であってもよい。厚みＨ５を１２μｍ以下とすることにより、シャドーの発生を抑制することができる。厚みＨ５の範囲は、２μｍ、４μｍ、５μｍ及び６μｍからなる第１グループ、及び／又は、８μｍ、９μｍ、１０μｍ及び１２μｍからなる第２グループによって定められてもよい。厚みＨ５の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。厚みＨ５の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。厚みＨ５の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、２μｍ以上１２μｍ以下であってもよく、２μｍ以上１０μｍ以下であってもよく、２μｍ以上９μｍ以下であってもよく、２μｍ以上８μｍ以下であってもよく、２μｍ以上６μｍ以下であってもよく、２μｍ以上５μｍ以下であってもよく、２μｍ以上４μｍ以下であってもよく、４μｍ以上１２μｍ以下であってもよく、４μｍ以上１０μｍ以下であってもよく、４μｍ以上９μｍ以下であってもよく、４μｍ以上８μｍ以下であってもよく、４μｍ以上６μｍ以下であってもよく、４μｍ以上５μｍ以下であってもよく、５μｍ以上１２μｍ以下であってもよく、５μｍ以上１０μｍ以下であってもよく、５μｍ以上９μｍ以下であってもよく、５μｍ以上８μｍ以下であってもよく、５μｍ以上６μｍ以下であってもよく、６μｍ以上１２μｍ以下であってもよく、６μｍ以上１０μｍ以下であってもよく、６μｍ以上９μｍ以下であってもよく、６μｍ以上８μｍ以下であってもよく、８μｍ以上１２μｍ以下であってもよく、８μｍ以上１０μｍ以下であってもよく、８μｍ以上９μｍ以下であってもよく、９μｍ以上１２μｍ以下であってもよく、９μｍ以上１０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上１２μｍ以下であってもよい。

本実施形態による蒸着マスク２０の製造方法は、支持基板５０を準備する準備工程と、樹脂層７１を形成する樹脂層形成工程と、樹脂層７１上に第１金属層６１を形成する第１金属層形成工程と、外側領域に第２金属層６２を形成する第２金属層形成工程と、樹脂層７１に樹脂開口７３を形成する樹脂開口形成工程と、支持基板５０から蒸着マスク２０を分離させる分離工程と、を備えていてもよい。

まず、準備工程として、図８に示す準備工程と同様に支持基板５０を準備してもよい。

準備工程の後、樹脂層形成工程として、図２２に示すように、支持基板５０上に、樹脂層７１が形成される。例えば、支持基板５０の一方の面のうち、蒸着マスク２０の外周縁２５で画定される領域に、ポリイミドワニス等の樹脂溶液が塗布されてもよい。塗布された樹脂溶液を乾燥することにより、樹脂層７１が形成される。樹脂層形成工程においては、樹脂層７１は円形状（ここでは、オリエンテーションフラット形状）に形成される。

樹脂層形成工程の後、第１金属層形成工程として、樹脂層７１上に、第１金属層６１が形成される。本実施形態による第１金属層形成工程では、導電膜形成工程と、第１レジスト膜形成工程と、第１めっき処理工程と、第１レジスト膜除去工程と、導電膜除去工程とが、この順番で行われてもよい。

導電膜形成工程においては、図２３に示すように、樹脂層７１の支持基板５０とは反対側の面に、導電膜７２が形成される。導電膜７２は、樹脂層７１の全面に形成されてもよい。導電膜７２を構成する材料としては、金属材料や導電性酸化物材料等の導電性を有する材料を用いてもよい。このうち金属材料の例としては、クロムや銅等を挙げることができる。導電膜７２の厚みは、例えば、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であってもよい。導電膜７２は、例えば、スパッタリング処理や蒸着処理で形成されてもよい。導電膜７２形成工程においては、導電膜７２は、円形状に形成される。

第１レジスト膜形成工程においては、第２実施形態による第１レジスト膜形成工程と同様にしてパターン状のレジスト膜（図示せず）が形成される。ここでは、樹脂層７１上に、貫通孔４０に対応する位置にレジスト膜が形成される。フォトリソグラフィー処理においては、露光光は、レジスト膜の支持基板５０とは反対側の面（図２３における上面）に照射されてレジスト膜が露光されてもよい。

第１めっき処理工程においては、図２４に示すように、めっき処理により、導電膜７２上に第１金属層６１が形成される。ここでは、導電膜７２を給電電極として電解めっき処理により第１金属層６１が形成される。より具体的には、導電膜７２の支持基板５０とは反対側の面にめっき液が供給され、導電膜７２のうちレジスト膜から露出されている部分にめっき液の成分が析出されて第１金属層６１が形成される。第１めっき処理工程においては、第１金属層６１は円形状（ここでは、オリエンテーションフラット形状）に形成される。

第１レジスト膜除去工程においては、第２実施形態による第１レジスト膜除去工程と同様にレジスト膜が除去される。このことにより、本体領域２２において、第１金属層６１に金属開口７４が形成される。

導電膜除去工程においては、図２５に示すように、導電膜７２のうち第１金属層６１から露出された部分が除去される。このことにより、導電膜７２に、導電膜開口７５が形成される。例えば、導電膜７２の除去には、選択性のウェットエッチング液を用いてもよい。例えば、導電膜７２に銅が用いられている場合には、銅を選択的にエッチングするエッチング液（メック株式会社製：ＳＦ−５４２０Ｂ）を用いることによって、導電膜７２を除去することができる。

このようにして、樹脂層７１と、金属開口７４が設けられた第１金属層６１とが得られる。

第１金属層形成工程の後、第２金属層形成工程として、図２６に示すように、第１金属層６１の外側領域２１に、第２金属層６２が形成される。本実施形態による第２金属層形成工程では、第２レジスト膜形成工程と、第２めっき処理工程と、第２レジスト膜除去工程とが、この順番で行われてもよい。

第２レジスト膜形成工程においては、第１レジスト膜形成工程と同様に、第１金属層６１上に、所望のパターンでレジスト膜が形成されるようにしてもよい。レジスト膜は、本体領域２２に対応するようにパターニングされ、形成されるレジスト膜は、外側領域２１に対応するようにパターニングされたレジスト開口を有する。

第２めっき処理工程においては、図２６に示すように、第１めっき処理工程と同様に、第１金属層６１の外側領域２１に、第２金属層６２が形成される。ここでは、第１金属層６１を給電電極として電解めっき処理により第２金属層６２が形成される。より具体的には、第１金属層６１のうち上述したレジスト開口で露出された部分にめっき液が供給されて、第２金属層６２が形成される。

第２レジスト膜除去工程においては、第１レジスト膜除去工程と同様に、レジスト膜が除去される。

このようにして、第１金属層６１の外側領域２１に第２金属層６２が形成された蒸着マスク２０が得られる。

第２金属層形成工程の後、樹脂開口形成工程として、図２７に示すように、本体領域２２において、樹脂層７１に、金属開口７４と連通する樹脂開口７３が形成される。例えば、樹脂層７１のうち金属開口７４から露出された部分に、第２本体面２２ｂの側からレーザ光Ｌを照射し、樹脂開口７３を形成してもよい。レーザ光Ｌとしては、例えば、波長２４８ｎｍのＫｒＦのエキシマレーザ光や波長３５５ｎｍのＹＡＧレーザ光を用いてもよい。

このようにして、金属開口７４と導電膜開口７５と樹脂開口７３とで構成された貫通孔４０を有する蒸着マスク２０が得られる。

樹脂開口形成工程の後、分離工程として、図２８に示すように、支持基板５０から蒸着マスク２０（または樹脂層７１）が分離される。

このようにして、本実施形態による蒸着マスク２０が得られる。

このように本実施形態によれば、第１金属層６１の第２金属層６２とは反対側に樹脂層７１が設けられている。このことにより、貫通孔４０のうち樹脂層７１に設けられた部分（樹脂開口７３）を、レーザ光Ｌを照射することにより精度良く形成することができる。そして、樹脂開口７３を、第１本体面２２ａに開口させることができる。このため、蒸着層９２の形状精度や位置精度を向上させることができる。この結果、蒸着層９２の精細度を高めることができる。

なお、上述した本実施形態において説明した蒸着マスク２０の製造方法は、上述した手順に限られることはなく、本実施形態による蒸着マスク２０を得ることができれば、上述した各工程の順番は任意である。

２０ 蒸着マスク
２１ 外側領域
２１ａ 第１外側面
２１ｂ 第２外側面
２２ 本体領域
２２ａ 第１本体面
２２ｂ 第２本体面
２５ 外周縁
３０ 貫通孔群
４０ 貫通孔
５０ 支持基板
５１ 接合層
５２ 金属層
６１ 第１金属層
６２ 第２金属層
６４ 第１本体金属層
６５ 第２本体金属層
７１ 樹脂層
７３ 樹脂開口
７４ 金属開口

Claims (14)

1. 円形状の外周縁から内側に延びる外側領域と、
   前記外側領域よりも内側に位置する本体領域と、を備え、
   前記本体領域に、２つ以上の貫通孔で構成される貫通孔群が設けられ、
   前記外側領域の厚みが、前記本体領域のうち前記貫通孔群が設けられた部分の厚みよりも厚い、蒸着マスク。
2. 前記外側領域は、前記外周縁の全周にわたって設けられている、請求項１に記載の蒸着マスク。
3. 前記本体領域は、第１本体面と、前記第１本体面とは反対側に設けられた第２本体面と、を有し、
   前記外側領域は、第１外側面と、前記第１外側面とは反対側に設けられた第２外側面と、を有し、
   前記外側領域の前記第２外側面は、前記本体領域の前記第２本体面よりも前記第１本体面とは反対側に位置し、
   前記外側領域の前記第１外側面と前記本体領域の前記第１本体面は同一面をなしている、請求項１または２に記載の蒸着マスク。
4. 前記本体領域に、２つ以上の前記貫通孔群が設けられ、
   前記本体領域において互いに隣り合う前記貫通孔群の間の部分の厚みが、前記貫通孔群が設けられた部分の厚みと等しい、請求項１〜３のいずれか一項に記載の蒸着マスク。
5. 前記本体領域に、２つ以上の前記貫通孔群が設けられ、
   前記本体領域において互いに隣り合う前記貫通孔群の間の部分の厚みが、前記貫通孔群が設けられた部分の厚みよりも厚い、請求項１〜３のいずれか一項に記載の蒸着マスク。
6. 前記外側領域と前記本体領域は、連続状に一体形成されている、請求項１〜５のいずれか一項に記載の蒸着マスク。
7. 前記外側領域は、前記本体領域を構成するとともに前記本体領域から外側に延びる第１金属層と、前記第１金属層上に設けられた第２金属層と、を有している、請求項１〜５のいずれか一項に記載の蒸着マスク。
8. 前記第１金属層は、第１本体金属層と、前記第１本体金属層上に設けられた第２本体金属層と、を含んでいる、請求項７に記載の蒸着マスク。
9. 前記第１金属層の前記第２金属層とは反対側に樹脂層が設けられている、請求項７に記載の蒸着マスク。
10. 支持基板を準備する準備工程と、
    前記支持基板上に、接合層を介して、金属層を分離可能に貼り付ける貼付工程と、
    前記金属層を、前記支持基板とは反対側からエッチングする領域形成工程であって、円形状の外周縁から内側に延びる外側領域と、前記外側領域よりも内側に位置する本体領域と、を形成する領域形成工程と、
    前記金属層を、前記支持基板とは反対側からエッチングして、前記金属層の前記本体領域に貫通孔群を構成する２つ以上の貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
    前記支持基板から前記金属層を分離させる分離工程と、を備え、
    前記外側領域の厚みが、前記本体領域のうち前記貫通孔群が設けられた部分の厚みよりも厚い、蒸着マスクの製造方法。
11. 支持基板を準備する準備工程と、
    前記支持基板上に、めっき処理によって、円形状の外周縁から内側に延びる外側領域と、前記外側領域よりも内側に位置する本体領域と、有する第１金属層であって、前記本体領域に、２つ以上の貫通孔で構成される貫通孔群が設けられる第１金属層を形成する第１金属層形成工程と、
    前記第１金属層の前記外側領域に、第２金属層を形成する第２金属層形成工程と、
    前記支持基板から前記第１金属層を分離させる分離工程と、を備え、
    前記外側領域の厚みが、前記本体領域のうち前記貫通孔群が設けられた部分の厚みよりも厚い、蒸着マスクの製造方法。
12. 前記第２金属層形成工程において、前記第２金属層は、めっき処理によって形成される、請求項１１に記載の蒸着マスクの製造方法。
13. 前記第２金属層形成工程において、前記第２金属層は、前記第１金属層に接合される、請求項１１に記載の蒸着マスクの製造方法。
14. 支持基板を準備する準備工程と、
    前記支持基板上に、樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
    前記樹脂層上に、円形状の外周縁から内側に延びる外側領域と、前記外側領域よりも内側に位置する本体領域と、を有する第１金属層であって、前記本体領域に金属開口が形成される第１金属層を形成する第１金属層形成工程と、
    前記第１金属層の前記外側領域に、第２金属層を形成する第２金属層形成工程と、
    前記本体領域において、前記樹脂層に前記金属開口と連通する樹脂開口を形成し、前記金属開口と前記樹脂開口とでそれぞれ構成される２つ以上の貫通孔で構成される貫通孔群を形成する樹脂開口形成工程と、
    前記支持基板から前記樹脂層を分離させる分離工程と、を備え、
    前記外側領域の厚みが、前記本体領域のうち前記貫通孔群が設けられた部分の厚みよりも厚い、蒸着マスクの製造方法。

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