WO2017014016A1 - メタルマスク用基材の製造方法、蒸着用メタルマスクの製造方法、メタルマスク用基材、および、蒸着用メタルマスク - Google Patents

メタルマスク用基材の製造方法、蒸着用メタルマスクの製造方法、メタルマスク用基材、および、蒸着用メタルマスク Download PDF

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菜穂子 三上
純香 田村
玲爾 寺田
真嗣 倉田
大生 藤戸
清明 西辻
剛広 西
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凸版印刷株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a method for producing a metal mask substrate, a method for producing a metal mask for vapor deposition using the metal mask substrate, a metal mask substrate, and a vapor deposition metal mask.
  • An organic EL display is known as one of display devices manufactured using a vapor deposition method.
  • the organic layer provided in the organic EL display is a deposit of organic molecules sublimated in the vapor deposition process.
  • the opening of the metal mask used in the vapor deposition process is a passage through which the sublimated organic molecules pass, and has a shape corresponding to the shape of the pixel in the organic EL display (see, for example, Patent Document 1).
  • the organic EL display described above, and in the metal mask for determining the pixel size is formed using a metal mask.
  • higher definition is desired.
  • a high definition of 700 ppi or more is desired for an organic EL display, and therefore, a metal mask capable of forming an organic layer in such a high definition organic EL display is desired. .
  • the high definition of film formation using a metal mask is not limited to the manufacture of display devices including organic EL displays, and metal masks such as the formation of wirings included in various devices and functional layers included in various devices are used. It is also desired in vapor deposition.
  • the present invention relates to a method for producing a metal mask substrate, a method for producing a metal mask for vapor deposition, a substrate for metal mask, and a metal mask for vapor deposition that can achieve high definition film formation using the metal mask for vapor deposition.
  • the purpose is to provide.
  • the manufacturing method of the base material for metal masks for solving the said subject is a metal rolling sheet provided with the surface and the back surface which is a surface on the opposite side to the said surface, Comprising: At least one of the said surface and the said back surface is The thickness of the metal rolled sheet is reduced to 10 ⁇ m or less by preparing the metal rolled sheet to be processed and etching the process target by 3 ⁇ m or more with an acidic etching solution, and 0.2 ⁇ m or more. Roughening the object to be processed to be a resist processing surface having a surface roughness Rz, thereby obtaining a metal metal mask sheet.
  • the manufacturing method of the metal mask for vapor deposition for solving the said subject forms the base material for metal masks provided with at least 1 resist processing surface, and forms a resist layer in one said processing surface for resists And forming a resist mask by patterning the resist layer, and etching the metal mask substrate using the resist mask.
  • the said metal mask base material is formed using the said manufacturing method of the base material for metal masks.
  • the metal mask base material for solving the above-mentioned problem includes a metal sheet comprising a surface and a back surface opposite to the surface, and at least one of the front surface and the back surface is a resist processing surface.
  • the thickness of the metal sheet is 10 ⁇ m or less, and the surface roughness Rz of the processed surface for resist is 0.2 ⁇ m or more.
  • the metal mask for vapor deposition for solving the said subject contains the base material for metal masks, the said base material for metal masks is the said base material for metal masks, The said metal sheet contained in the said base material for metal masks However, it has a some through-hole penetrated between the said surface and the said back surface.
  • the thickness of the metal mask sheet is 10 ⁇ m or less, the depth of the mask opening formed in the metal mask sheet can be 10 ⁇ m or less. Therefore, it is possible to reduce the shadow part of the metal mask for vapor deposition when looking at the film formation target from the vapor deposition particles, that is, to suppress the shadow effect. It is possible to obtain a film formation target, and thus to increase the film definition using a metal mask for vapor deposition.
  • the mask opening in the metal mask sheet first, when a resist layer is formed on the resist processing surface, the adhesion between the resist layer and the metal mask base material is increased more than before the roughening. It is possible. Further, since it is possible to suppress a decrease in shape accuracy due to the resist layer being peeled off from the metal mask sheet in the formation of the mask opening, also in this respect, the film formation using the metal mask for vapor deposition is possible. High definition can be achieved.
  • the processing target may be both the front surface and the back surface.
  • a resist layer can be formed on any resist processing surface, whether it is a resist processing surface formed from the front surface or a resist processing surface formed from the back surface. . Therefore, it is possible to prevent the adhesion of the resist layer and the metal mask base material from becoming difficult to obtain due to a mistake in the target surface on which the resist layer is formed. It is also possible to suppress a decrease in yield.
  • the processing target is one of the front surface and the back surface
  • the manufacturing method includes a resin-made support layer laminated on a surface opposite to the processing target.
  • the metal rolling sheet and the support layer are stacked so that the object to be processed is etched, thereby obtaining a metal mask base material in which the metal mask sheet and the support layer are laminated. May be.
  • the etching is performed by etching a first process target that is one of the front surface and the back surface, and then, the second process that is the other of the front surface and the back surface.
  • Etching the processing object, and the manufacturing method includes: laminating a resin support layer on the resist processing surface obtained by etching the first processing object after etching the first processing object A metal mask base material in which the second processing object is etched in a state where the metal rolled sheet and the support layer are stacked, whereby the metal mask sheet and the support layer are laminated. You may get
  • the metal mask sheet is caused by the weakness of the metal mask sheet due to the thickness of the metal mask sheet being 10 ⁇ m or less in the conveyance of the metal mask sheet and the post-processing on the metal mask sheet.
  • the troublesomeness in handling the sheet can be reduced.
  • the rolled metal sheet is an Invar rolled sheet and the metal mask sheet is made of Invar.
  • the linear expansion coefficient of the glass substrate and the linear expansion coefficient of Invar are approximately the same, so the metal mask formed from the metal mask base material is attached to the glass substrate.
  • film formation that is, a metal mask with improved shape accuracy can be applied to film formation on a glass substrate.
  • the metal mask base material includes a laminate of the metal mask sheet and a resin support layer, and the metal mask base after the resist mask is formed.
  • the method further includes chemically removing the support layer from the metal mask substrate by exposing the material to an alkaline solution.
  • the processing surface for resist may have particle marks that are a plurality of depressions having an elliptical cone shape, and the major axis direction of each particle mark may be aligned.
  • metal sheets are usually produced by rolling, it is not uncommon for particles such as oxides of deoxidizers added during the metal sheet production process to enter the metal sheet.
  • the particles mixed in the surface of the metal sheet are elongated in the rolling direction of the metal material and have an elliptical cone shape having a major axis in the rolling direction. If such particles remain in the resist processing surface where the mask opening is to be formed, the etching for forming the mask opening may be hindered by the particle.
  • the resist processing surface has a plurality of oval pyramid-shaped particle traces whose major axis directions are aligned, that is, the above-described particles have already been removed from the resist processing surface, so that the mask When forming the opening, it is possible to increase the accuracy of the shape and dimensions of the mask opening.
  • film formation using a metal mask for vapor deposition can be made highly precise.
  • the perspective view which shows the perspective structure of the base material for metal masks in one embodiment which actualized the base material for metal masks of this invention.
  • Process drawing which shows the process of preparing an Invar rolling sheet
  • Process drawing which shows the process of etching the back surface of an Invar rolling sheet
  • Process drawing which shows the process of forming a support layer in the processing surface for resist of an Invar rolling sheet
  • the schematic diagram which shows typically distribution of the metal oxide in an invar rolled sheet.
  • Process drawing which shows the process of forming a resist layer in the manufacturing method of the metal mask for vapor deposition.
  • Process drawing which shows the process of forming a resist mask in the manufacturing method of the metal mask for vapor deposition.
  • Process drawing which shows the process of etching an Invar sheet in the manufacturing method of the metal mask for vapor deposition.
  • Sectional drawing which shows the cross-sectional shape of the through-hole formed by etching both the surface and back surface of an invar sheet.
  • Process drawing which shows the process of removing a resist mask in the manufacturing method of the metal mask for vapor deposition.
  • Process drawing which shows the process of removing a support layer chemically in the manufacturing method of the metal mask for vapor deposition.
  • FIG. 4 is an SEM image obtained by photographing a resist processing surface in an invar sheet of Test Example 2.
  • FIG. 6 is an SEM image obtained by photographing a resist processing surface in an invar sheet of Test Example 3.
  • FIG. 6 is an SEM image obtained by photographing a resist processing surface in an invar sheet of Test Example 4; The SEM image which imaged the 1st particle mark. The SEM image which image
  • Sectional drawing which shows the cross-section of the metal mask and flame
  • Sectional drawing which shows the cross-section of the metal mask and flame
  • the top view which shows the planar structure of the Invar sheet
  • one embodiment embodying a method for manufacturing a metal mask substrate, a method for manufacturing a metal mask for vapor deposition, a substrate for metal mask, and a metal mask for vapor deposition will be described.
  • a metal mask for vapor deposition a metal mask for vapor deposition used for forming an organic layer included in an organic EL device will be described.
  • the structure of the base material for metal masks, the manufacturing method of the metal mask for vapor deposition containing the manufacturing method of the base material for metal masks, and a test example are demonstrated in order.
  • the metal mask base material 10 is an example of a metal mask sheet, and includes an invar sheet 11 that is an invar metal mask sheet.
  • the invar sheet 11 includes a surface 11a and a surface 11a. Is provided with a back surface 11b which is the opposite surface.
  • the front surface 11 a and the back surface 11 b are resist processing surfaces, and a resist layer can be formed when the invar sheet 11 is etched.
  • the thickness T1 of the Invar sheet 11 is 10 ⁇ m or less, and the surface roughness Rz on the front surface 11a and the surface roughness Rz on the back surface 11b are 0.2 ⁇ m or less.
  • the thickness of the invar sheet 11 is 10 ⁇ m or less, the depth of the mask opening formed in the invar sheet 11 can be 10 ⁇ m or less. Therefore, it is possible to reduce the shadow part of the metal mask for vapor deposition when looking at the film formation target from the vapor deposition particles, that is, to suppress the shadow effect. It is possible to obtain a film formation target, and thus to increase the film definition using a metal mask for vapor deposition.
  • the mask opening is formed in the invar sheet 11
  • the resist layer is formed on the surface 11 a
  • the film formation using the metal mask for vapor deposition is performed. High definition can be achieved.
  • the forming material of the invar sheet 11 is a nickel-iron alloy containing 36% by mass of nickel and iron, that is, invar, and the thermal expansion coefficient of the invar, that is, the invar sheet 11 is about 1.2 ⁇ 10 ⁇ 6 / ° C. It is.
  • the thermal expansion coefficient of the Invar sheet 11 and the thermal expansion coefficient of a glass substrate which is an example of a film formation target are approximately the same. Therefore, the metal mask for vapor deposition manufactured using the metal mask base material 10 is applied to the film formation on the glass substrate, that is, the metal mask for vapor deposition whose shape accuracy is improved is applied to the film formation on the glass substrate. It is possible.
  • the surface roughness Rz on the surface of the Invar sheet 11 is a value measured by a method according to JIS B 0601-2001.
  • the surface roughness Rz is the maximum height in the contour curve having the reference length.
  • the metal mask base material 10 further includes a resin support layer 12, and the metal mask base material 10 is a laminate of the invar sheet 11 and the support layer 12. Of the invar sheet 11, the back surface 11 b is in close contact with the support layer 12.
  • the material for forming the support layer 12 is, for example, at least one of polyimide and a negative resist.
  • the support layer 12 may be one layer made of polyimide or one layer made of negative resist.
  • the support layer 12 may be a laminate of a polyimide layer and a negative resist layer.
  • the thermal expansion coefficient of polyimide shows the same tendency as the thermal expansion coefficient of Invar as temperature dependence, and the value of the thermal expansion coefficient is about the same. Therefore, if the forming material of the support layer 12 is polyimide, the metal mask base material 10, by extension, due to the temperature change in the metal mask base material 10, compared to the configuration in which the support layer 12 is made of resin other than polyimide. Further, warping of the invar sheet 11 is suppressed.
  • the method for manufacturing a metal mask for vapor deposition includes a method for manufacturing the base material 10 for metal mask.
  • Invar rolling is an example of a metal rolled sheet.
  • a sheet 21 is prepared.
  • the invar rolled sheet 21 includes a front surface 21a and a back surface 21b opposite to the front surface 21a.
  • the front surface 21a and the back surface 21b are processed in the method for manufacturing the metal mask substrate 10. It is a target.
  • the Invar rolled sheet 21 is obtained by rolling an Invar base material and annealing the rolled base material.
  • the surface roughness Rz on each of the front surface 21a and the back surface 21b of the invar rolled sheet 21 is such that the step on the front and back surfaces of the base material is reduced by rolling the invar rolled sheet 21, and the surface roughness of the base material and It is smaller than the surface roughness Rz on the back surface.
  • the thickness T2 of the Invar rolled sheet 21 is, for example, 10 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less, and more preferably 10 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less.
  • the back surface 21b which is one of the processing objects and is an example of the first processing object to be etched first, is etched by 3 ⁇ m or more with an acidic etching solution.
  • the difference between the back surface 21b of the Invar rolled sheet 21 before etching and the back surface of the Invar rolled sheet 21 after etching, that is, the resist processing surface 21c is the etching thickness T3, and the etching thickness T3 is 3 ⁇ m or more. .
  • the thickness of the Invar rolled sheet 21 is made smaller than that before etching, and the back surface 21b is roughened so that the resist processing surface 21c has a surface roughness Rz of 0.2 ⁇ m or more.
  • the acidic etchant may be an etchant that can etch Invar and has a composition that roughens the back surface 21b of the Invar rolled sheet 21 more than before the etching.
  • Acidic etching liquid is, for example, perchloric acid, hydrochloric acid, sulfuric acid, formic acid, and a mixed liquid of ferric perchlorate and ferric perchlorate and ferric chloride. It is a mixed solution of any of acetic acid.
  • the etching of the back surface 21b may be a dip method in which the Invar rolled sheet 21 is immersed in an acidic etching solution, or a spray method in which an acidic etching solution is sprayed on the back surface 21b of the Invar rolled sheet 21, A spin type in which an acidic etching solution is dropped onto the Invar rolled sheet 21 rotated by a spinner may be used.
  • Etching thickness T3 may be at least 3 ⁇ m, preferably 10 ⁇ m or more, and more preferably 15 ⁇ m or more.
  • the above-described resin support layer 12 is laminated on the resist processing surface 21 c obtained by etching the back surface 21 b.
  • the thickness T4 of the support layer 12 is, for example, not less than 10 ⁇ m and not more than 50 ⁇ m.
  • the thickness of the support layer 12 is 10 ⁇ m or less, the strength of the laminate of the support layer 12 and the invar rolled sheet 21 is increased in the manufacturing process of the metal mask substrate 10.
  • the thickness is preferably 10 ⁇ m or more from the viewpoint of reducing the troublesome handling due to the fragility of the body.
  • the thickness of the support layer 12 is preferably 50 ⁇ m or less from the viewpoint of suppressing the time required for removing the support layer 12 from the metal mask substrate 10 with an alkaline solution from being excessively long.
  • the support layer 12 may be laminated on the resist processing surface 21c by being attached to the resist processing surface 21c after being formed into a sheet shape. Alternatively, the support layer 12 may be laminated on the resist processing surface 21c by applying a coating liquid for forming the support layer 12 to the resist processing surface 21c.
  • the negative resist film is applied to the resist processing surface 21c or after the negative resist film is applied to the resist processing surface 21c. After that, the entire negative resist is irradiated with ultraviolet rays to form the support layer 12.
  • the surface 21 a of the invar rolled sheet 21 that is an example of the second processing target that is etched after the first processing target in the state where the invar rolled sheet 21 and the support layer 12 are stacked is an acidic etching solution. To etch 3 ⁇ m or more.
  • the difference between the surface 21a of the Invar rolled sheet 21 before etching and the Invar rolled sheet 21 after etching, that is, the surface 11a of the Invar sheet 11, is the etching thickness T5, and the etching thickness T5 is 3 ⁇ m or more. .
  • the etching of the invar rolled sheet 21 is performed by etching the back surface 21b of the invar rolled sheet 21 which is an example of the first processing target, and thereafter etching the surface 21a which is an example of the second processing target. Including.
  • the surface 21a is etched so that the thickness T2 of the invar rolled sheet 21 described above with reference to FIG. 2 is 10 ⁇ m or less and the surface 21a has a surface roughness Rz of 0.2 ⁇ m or more. Coarse.
  • the metal sheet for the metal mask and the invar sheet 11 which is an example of the metal sheet, the surface roughness Rz on each of the front surface 11a and the back surface 11b is 0.2 ⁇ m or more, and the invar sheet A metal mask substrate 10 in which the sheet 11 and the support layer 12 are laminated is obtained.
  • the resist processing surface can be any resist processing surface formed from the front surface 21a or the resist processing surface 21c formed from the back surface 21b.
  • a resist layer can also be formed on the surface. Therefore, it is possible to prevent the adhesiveness between the resist layer and the metal mask base material 10 from becoming difficult to be obtained due to a mistake in the surface on which the resist layer is to be formed. It is also possible to suppress a decrease in the yield during the manufacturing process.
  • the metal mask substrate 10 is a laminate of the Invar sheet 11 and the support layer 12. For this reason, inconvenience in handling of the invar sheet 11 due to the vulnerability of the invert sheet 11 due to the thickness of the invert sheet 11 being 10 ⁇ m or less in the transport of the invert sheet 11 and post-processing on the invert sheet 11 is reduced. Can do.
  • the acidic etching solution may be any acidic etching solution used for etching the back surface 21b, and is preferably the same as the acidic etching solution used for etching the back surface 21b.
  • the etching of the front surface 21a may be any of the dip method, the spray method, and the spin method, but the same method as the etching of the back surface 21b is preferable.
  • the etching thickness T5 may be at least 3 ⁇ m, preferably 10 ⁇ m or more, and more preferably 15 ⁇ m or more.
  • the etching thickness T5 and the above-described etching thickness T3 may be the same or different from each other.
  • the base material of the invar rolled sheet 21 When forming the base material of the invar rolled sheet 21, usually, for example, granular aluminum or magnesium is removed from the base material forming material in order to remove oxygen mixed in the base material forming material. Mix as an acid. Aluminum and magnesium are oxidized and contained in the base material in the form of metal oxides such as aluminum oxide and magnesium oxide. When the base material is formed, most of the metal oxide is removed from the base material, but some metal oxide remains inside the base material.
  • the portion including the center in the thickness direction of the invar rolled sheet 21 is the central portion C
  • the portion including the front surface 21a is the first surface layer portion S1
  • the back surface 21b is the portion including the second surface layer portion S2.
  • the metal oxide is distributed more in the first surface layer portion S1 and the second surface layer portion S2.
  • the metal oxide contributes to peeling of the resist from the invar sheet 11 and excessive etching of the invar sheet 11 when a metal mask for vapor deposition is formed by etching the invar sheet 11.
  • the front surface 21a and the back surface 21b of the invar rolled sheet 21 are etched, and therefore, the first surface layer portion S1 and the second surface layer portion S2 containing a large amount of metal oxide. At least a portion is removed. Therefore, compared with the case where the front surface 21a and the back surface 21b of the Invar rolled sheet 21 are not etched, resist peeling due to the metal oxide and excessive etching of the Invar sheet 11 are suppressed, and the etching for the metal mask substrate 10 is suppressed. A reduction in accuracy is suppressed.
  • a resist layer 22 is formed on the surface 11 a of the invar sheet 11.
  • the resist layer 22 may be formed on the surface 11a by being affixed to the surface 11a after being formed into a sheet shape.
  • the resist layer 22 may be formed on the surface 11a by applying a coating liquid for forming the resist layer 22 to the surface 11a.
  • the forming material of the resist layer 22 may be a negative resist or a positive resist.
  • the resist layer 22 is preferably formed of the same material as the support layer 12.
  • a resist mask 23 is formed by patterning the resist layer 22.
  • the resist mask 23 has a plurality of through holes 23 a for etching the Invar sheet 11.
  • the resist layer 22 is exposed by irradiating the resist layer 22 with ultraviolet rays other than the portions corresponding to the through holes 23a of the resist mask 23. Then, by developing the resist layer 22 with a developer, a resist mask 23 having a plurality of through holes 23a is obtained.
  • the resist layer 22 is exposed by irradiating the resist layer 22 with ultraviolet rays to portions corresponding to the through holes 23a of the resist mask 23. Then, by developing the resist layer 22 with a developer, a resist mask 23 having a plurality of through holes 23a is obtained.
  • the Invar sheet 11 is etched using the resist mask 23.
  • a ferric chloride solution is used for etching the invar sheet 11.
  • a plurality of through holes 11c penetrating between the front surface 11a and the back surface 11b, that is, mask openings are formed in the Invar sheet 11.
  • the inner peripheral surface of each through hole 11c has a substantially inferior arc shape, and the opening area on the front surface 11a is larger than the opening area on the back surface 11b in each through hole 11c.
  • the thickness of the invar sheet 11 is 10 ⁇ m or less, even if the invar sheet 11 is only etched from the front surface 11a, the mask opening provided in the invar sheet 11, in other words, the through-hole 11c is not excessively enlarged, and the front surface 11a and the back surface A through-hole 11c penetrating between 11b can be formed.
  • the thickness T6 of the Invar sheet 31 is larger than the thickness T1 of the Invar sheet 11, that is, the thickness T6 of the Invar sheet 31 is larger than 10 ⁇ m.
  • a through hole 31e constituted by a first hole 31c opening in the front surface 31a and a second hole 31d opening in the back surface 31b is formed.
  • the opening area at the connection portion between the first hole 31c and the second hole 31d is smaller than the opening area of the second hole 31d in the back surface 31b.
  • the invar sheet 31 having such a through hole 31e is used as a metal mask for vapor deposition
  • the invar sheet 31 is placed between the vapor deposition source and the film formation target with the back surface 31b of the invar sheet 31 facing the film formation target.
  • the connecting portion forms a portion that is a shadow of the metal mask for vapor deposition when the deposition target is viewed from the vapor deposition particles, and accordingly, the shape of the mask opening in the second hole 31 d is followed accordingly. It is difficult to obtain the shape for the film formation target. Therefore, it is preferable that the depth of the second hole 31d, in other words, the distance between the back surface 31b and the connection portion is small.
  • the metal mask for vapor deposition is hidden when the film formation target is viewed from the vapor deposition particles as compared with the above-described invar sheet 31 by an amount not having the connection portion. Can be reduced. As a result, a shape that more closely follows the shape of the mask opening can be obtained in the film formation target.
  • the resist mask 23 described above with reference to FIG. 9 and the resist mask 23 located on the metal mask base material 10 is removed.
  • the support layer 12 is protected on the surface of the support layer 12 opposite to the surface in contact with the invert sheet 11.
  • a protective layer may be formed. According to the protective layer, it is possible to suppress the support layer 12 from being dissolved by the solution for removing the resist mask 23.
  • the support layer 12 is chemically removed from the metal mask substrate 10 by exposing the metal mask substrate 10 to an alkaline solution.
  • the metal mask sheet 41 for vapor deposition is obtained.
  • the metal mask sheet 41 for vapor deposition has a front surface 41a corresponding to the front surface 11a of the invar sheet 11, a back surface 41b corresponding to the back surface 11b of the invar sheet 11, and a through hole 41c corresponding to the through hole 11c of the invar sheet 11. is doing.
  • the alkaline solution may be any solution that can peel the support layer 12 from the Invar sheet 11 by dissolving the support layer 12, and is, for example, a sodium hydroxide aqueous solution.
  • the metal mask substrate 10 When the metal mask substrate 10 is exposed to an alkali solution, the metal mask substrate 10 may be immersed in the alkali solution, or the alkali solution may be sprayed onto the support layer 12 of the metal mask substrate 10. Then, the alkaline solution may be dropped onto the support layer 12 of the metal mask substrate 10 that is rotated by a spinner.
  • a vapor deposition metal mask 51 having a predetermined length is cut out from the vapor deposition metal mask sheet 41.
  • the vapor deposition metal mask 51 includes a front surface 51 a corresponding to the front surface 41 a of the vapor deposition metal mask sheet 41, a back surface 51 b corresponding to the back surface 41 b of the vapor deposition metal mask sheet 41, and a through hole 41 c of the vapor deposition metal mask sheet 41. And a corresponding through hole 51c.
  • a metal mask 51 for vapor deposition is attached to the frame. That is, the vapor deposition metal mask 51 is used for vapor deposition of the organic layer in a state where the vapor deposition metal mask 51 is attached to the metal frame 52 by the adhesive layer 53.
  • the vapor deposition metal mask 51 a part of the back surface 51 b of the vapor deposition metal mask 51 faces a part of the frame 52, and the adhesive layer 53 is located between the vapor deposition metal mask 51 and the frame 52.
  • the vapor deposition metal mask 51 has a part of the surface 51 a of the vapor deposition metal mask 51 facing a part of the frame 52, and an adhesive layer 53 between the surface 51 a of the vapor deposition metal mask 51 and the frame 52. In a state of being positioned at, the adhesive layer 53 may be attached to the frame 52.
  • the vapor deposition metal mask 51 has a rectangular shape, and the frame 52 has a rectangular frame shape.
  • each through hole 51c has a rectangular shape. That is, the opening in the surface 51a among the through holes 51c has a rectangular shape.
  • the opening in the back surface 51b also has a rectangular shape among the through holes 51c.
  • the plurality of through holes 51c are arranged at equal intervals along one direction, and are arranged at equal intervals along another direction orthogonal to one direction.
  • the vapor deposition metal mask 51 is disposed between the vapor deposition source and the film formation target with the back surface 51b of the vapor deposition metal mask 51 facing the film formation target.
  • the horizontal direction of the paper is the direction in which pixels are arranged in the film formation target.
  • the distance between the through holes 51 c adjacent to each other in the left-right direction is smaller than the width of the through holes 51 c in the left-right direction, but the distance between the through holes 51 c adjacent to each other in the left-right direction is the through hole in the left-right direction. It is preferably at least twice the width of 51c.
  • Test examples will be described with reference to FIGS.
  • Test Example 1 An Invar rolled sheet having a thickness of 30 ⁇ m was prepared and used as the Invar rolled sheet of Test Example 1.
  • Test Example 2 An Invar rolled sheet having a thickness of 30 ⁇ m was prepared, and the surface of the Invar rolled sheet was etched by 3 ⁇ m by spraying an acidic etching solution on the surface of the Invar rolled sheet, and the Invar of Test Example 2 having a resist processing surface A sheet was obtained. In addition, the solution which mixed perchloric acid with the liquid mixture of the ferric perchlorate liquid and the ferric chloride liquid was used as acidic etching liquid.
  • Test Example 3 An Invar rolled sheet having a thickness of 30 ⁇ m was prepared, and the surface of the Invar rolled sheet was etched by 4.5 ⁇ m under the same conditions as in Test Example 2 to obtain the Invar sheet of Test Example 3 having a resist processing surface.
  • Test Example 4 An Invar rolled sheet having a thickness of 30 ⁇ m was prepared, and the surface of the Invar rolled sheet was etched by 10 ⁇ m under the same conditions as in Test Example 2 to obtain an Invar sheet of Test Example 4 having a resist-treated surface.
  • Test Example 1 The surface of Test Example 1 and the processed surface for resist in each of Test Examples 2 to 4 were photographed with a scanning electron microscope to generate an SEM image.
  • the magnification in a scanning electron microscope JSM-7001F, manufactured by JEOL Ltd. was set to 10,000 times, the acceleration voltage was set to 10.0 kV, and the working distance was set to 9.7 mm.
  • the flatness of the surface of the invar rolled sheet of Test Example 1 is the highest, and the surface of the Invar rolled sheet of Test Example 1 is a stripe that extends in the vertical direction of the paper surface. Marks were observed.
  • FIGS. 16 and 17 it was recognized that a step was formed between the resist processing surface of the invar sheet of Test Example 2 and the resist processing surface of the invar sheet of Test Example 3.
  • the resist processing surface of the invar sheet of Test Example 4 has a step difference larger than the resist processing surface of the Invar sheet of Test Example 2 and the resist processing surface of the Invar sheet of Test Example 3 Was observed to be formed.
  • the rolling traces have almost disappeared by etching on the resist processing surfaces in the invar sheets of FIGS. 16 to 18.
  • a test piece including the surface of the Invar rolled sheet of Test Example 1 as a surface was prepared, and a test piece including the resist processing surface of the Invar sheet in each of Test Examples 2 to 4 as a surface was prepared. And the surface roughness in the scanning area
  • the surface roughness of the surface of each test example was measured by a method based on JIS B 0601-2001.
  • the measurement results of the surface roughness were as shown in Table 1 below.
  • the surface area ratio in each test piece was calculated as the ratio of the surface area in the scanning region to the area of the scanning region. In other words, the surface area ratio is a value obtained by dividing the surface area in the scanning region by the area of the scanning region.
  • Rz is the maximum height that is the sum of the highest peak height and the deepest valley depth in the contour curve having the reference length.
  • Ra is the arithmetic mean roughness of a contour curve having a reference length.
  • Rp is the highest peak height in the contour curve having the reference length, and
  • Rv is the deepest valley depth in the contour curve having the reference length.
  • each unit of Rz, Ra, Rp, and Rv is ⁇ m.
  • the surface roughness Rz is 0.17
  • the surface roughness Ra is 0.02
  • the surface roughness Rp is 0.08.
  • the surface roughness Rv was found to be 0.09. Further, on the surface of the invar rolled sheet of Test Example 1, it was confirmed that the surface area ratio was 1.02.
  • the processed surface for resist in the invar sheet of Test Example 2 has a surface roughness Rz of 0.24, a surface roughness Ra of 0.02, a surface roughness Rp of 0.12, and a surface roughness Rv. Was found to be 0.12. Further, it was confirmed that the surface area ratio was 1.23 on the resist processing surface of the invar sheet of Test Example 2.
  • the processed surface for resist in the Invar sheet of Test Example 3 has a surface roughness Rz of 0.28, a surface roughness Ra of 0.03, a surface roughness Rp of 0.15, and a surface roughness Rv. was found to be 0.13. Moreover, it was recognized that the surface area ratio was 1.13 in the resist processing surface in the invar sheet of Test Example 3.
  • the surface roughness Rz is 0.30
  • the surface roughness Ra is 0.03
  • the surface roughness Rp is 0.17
  • the surface roughness Rv. was found to be 0.13.
  • the surface area ratio is 1.22 in the processing surface for resists in the invar sheet of Test Example 4.
  • the surface roughness Rz on the resist processing surface was 0.2 ⁇ m or more.
  • the etching thickness on the surface of the Invar rolled sheet is preferably 4.5 ⁇ m, and more preferably 10 ⁇ m. It was.
  • An Invar rolled sheet having a thickness of 30 ⁇ m was prepared, and an Invar sheet having a thickness of 10 ⁇ m was obtained by etching 10 ⁇ m on each of the front and back surfaces of the Invar rolled sheet under the above-described conditions. At this time, a polyimide sheet having a thickness of 20 ⁇ m was attached as a support layer to the resist processing surface obtained from the back surface of the Invar rolled sheet.
  • the inventors of the present application recognize that it is possible to form a through-hole penetrating between the front and back surfaces of the invar sheet only by etching the invar sheet from the surface of the invar sheet. ing.
  • each of the opening area on the surface of the invar sheet and the opening area on the back surface of the invar sheet has a desired size.
  • a dry film resist was applied to the surface of the Invar rolled sheet of Test Example 1, and after patterning the dry film resist, the Invar rolled sheet of Test Example 1 was etched to form a plurality of recesses on the surface.
  • each Invar sheet of Test Examples 2 to 4 is etched and used for resist A plurality of recesses were formed on the processing surface.
  • Test Examples 2 to 4 the same method as in Test Example 1 was used as the dry film resist patterning method, and the Invar sheet etching conditions were set to the same conditions as in Test Example 1.
  • Test Example 5 An Invar rolled sheet having a thickness of 30 ⁇ m was prepared and used as the Invar rolled sheet of Test Example 5.
  • Test Example 6 An Invar rolled sheet having a thickness of 30 ⁇ m was prepared, and the surface of the Invar rolled sheet was etched by 3 ⁇ m under the same conditions as in Test Example 2 to obtain an Invar sheet of Test Example 6 having a resist processing surface.
  • Test Example 7 An Invar rolled sheet having a thickness of 30 ⁇ m was prepared, and the surface of the Invar rolled sheet was etched by 10 ⁇ m under the same conditions as in Test Example 2 to obtain the Invar sheet of Test Example 7 having a resist processing surface.
  • Test Example 8 An Invar rolled sheet having a thickness of 30 ⁇ m was prepared, and the surface of the Invar rolled sheet was etched by 15 ⁇ m under the same conditions as in Test Example 2 to obtain an Invar sheet of Test Example 8 having a resist processing surface.
  • Test Example 9 An Invar rolled sheet having a thickness of 30 ⁇ m was prepared, and the surface of the Invar rolled sheet was etched by 16 ⁇ m under the same conditions as in Test Example 2 to obtain an Invar sheet of Test Example 9 having a resist processing surface.
  • each test piece was observed using a scanning electron microscope (same as above), and the particle marks of each test piece were counted.
  • the particle traces were traces of the metal oxide particles detached from the Invar rolled sheet or Invar sheet, and at least one of the first particle trace and the second particle trace was observed in each test piece. The results of counting the particle traces are as shown in Table 2 below.
  • the first particle trace is a hollow having a semispherical shape that divides a substantially circular region in a plan view facing the surface of the test piece.
  • the diameter of the first particle mark was found to be 3 ⁇ m or more and 5 ⁇ m or less.
  • the second particle trace is a depression having an elliptical cone shape that divides a substantially elliptical region in a plan view facing the surface of the test piece.
  • the major axis of the second particle trace was found to be 3 ⁇ m or more and 5 ⁇ m or less.
  • the magnification was set to 5000 times, the acceleration voltage was set to 10.0 kV, and the working distance was set to 9.7 mm.
  • Test Example 5 As shown in Table 2, in Test Example 5, it was recognized that the test piece 1 had one first particle mark, and that both the test piece 2 and the test piece 3 had no particle mark. . That is, in Test Example 5, it was confirmed that the total number of first particle traces was 1 and the total number of second particle traces was 0.
  • test piece 1 has four first particle marks and one second particle mark
  • test piece 2 has nine first particle marks
  • eight test examples 3 The first particle trace and two second particle traces were observed. That is, in Test Example 6, it was recognized that the total number of first particle marks was 21 and the total number of second particle marks was three.
  • test piece 1 has five first particle marks and one second particle mark
  • test piece 2 has six first particle marks and one second particle mark.
  • test piece 3 had five first particle marks and two second particle marks. That is, in Test Example 7, it was confirmed that the total number of first particle traces was 16, and the total number of second particle traces was 4.
  • test piece 1 has five first particle marks
  • test piece 2 has two first particle marks
  • test piece 3 has six first particle marks and one particle mark. It was found to have second particle marks. That is, in Test Example 8, it was recognized that the total number of first particle marks was 13, and the total number of second particle marks was one.
  • Test Example 9 while the test piece 1 has four first particle marks, the test piece 2 has five first particle marks, and the test piece 3 has five first particle marks. It was confirmed that all of the test pieces 1 to 3 did not have the second particle mark. That is, in Test Example 9, it was recognized that the total number of first particle marks was 14.
  • Test Example 6 and Test Example 7 having a plurality of second particle traces, the major axis direction of each second particle trace is aligned, and the major axis direction is parallel to the rolling direction of the Invar rolled sheet for forming the Invar sheet. It was confirmed that
  • the second particle traces can be removed from the resist processing surface of the Invar sheet.
  • the number of first particle marks can be reduced by etching the surface of the Invar rolled sheet by 10 ⁇ m or more, and the number of first particle marks can be reduced by etching the surface of the Invar rolled sheet by 15 ⁇ m or more. It has been found that further reductions can be made.
  • the metal oxide particles in the Invar rolled sheet can be reduced by etching the surface of the Invar rolled sheet by 10 ⁇ m or more, more preferably by 15 ⁇ m or more. Therefore, in order to suppress the influence of detachment of the metal oxide on the accuracy of the shape of the through hole formed by etching the base material for the metal mask, the surface of the Invar rolled sheet is etched by 10 ⁇ m or more, Preferably, it can be said that etching of 15 ⁇ m or more is effective.
  • a method for manufacturing a metal mask substrate a method for manufacturing a metal mask for vapor deposition, a substrate for metal mask, and a metal mask for vapor deposition, the effects listed below can be obtained. Obtainable.
  • the thickness of the invar sheet 11 is 10 ⁇ m or less, the depth of the mask opening formed in the invar sheet 11 can be 10 ⁇ m or less. Therefore, it is possible to reduce the shadowed portion of the metal mask 51 for vapor deposition when the deposition target is viewed from the vapor deposition particles, that is, to suppress the shadow effect, and thus the shape following the shape of the mask opening. Can be obtained as a film formation target, and as a result, high-definition film formation using the metal mask 51 for vapor deposition can be achieved.
  • the mask opening is formed in the invar sheet 11
  • the film formation using the metal mask 51 for vapor deposition is also possible in this respect. High definition can be achieved.
  • any resist processing surface may be used.
  • the resist layer 22 can be formed. Therefore, it is possible to prevent the adhesion between the resist layer 22 and the metal mask base material 10 from becoming difficult to obtain due to a mistake in the target surface on which the resist layer 22 is formed. It is also possible to suppress a decrease in yield in manufacturing 51.
  • the embodiment described above can be implemented with appropriate modifications as follows.
  • the support layer 12 may be physically peeled from the invar sheet 11. That is, an external force may be applied to at least one of the support layer 12 and the invar sheet 11 so that peeling occurs at the interface between the support layer 12 and the invar sheet 11.
  • the Invar rolled sheet is roughened so that the surface roughness Rz of the resist-treated surface is 0.2 ⁇ m or more and the thickness of the Invar rolled sheet 21 after etching is 10 ⁇ m or less. If 21 is etched, the effect equivalent to (1) mentioned above can be acquired.
  • the back surface 21b may be etched before the front surface 21a, or the front surface 21a and the back surface 21b may be etched simultaneously. Regardless of the order in which the front surface 21a and the back surface 21b are etched, the surface roughness Rz of the resist processing surface is roughened to 0.2 ⁇ m or more, and the thickness of the etched Invar rolled sheet 21 is 10 ⁇ m. If the Invar-rolled sheet 21 is etched so as to be as follows, the same effect as (1) described above can be obtained.
  • the processing target in the invar rolled sheet 21 may be only the front surface 21a of the invar rolled sheet 21 or only the back surface 21b. Even with such a configuration, the Invar rolled sheet is roughened so that the surface roughness Rz of the resist-treated surface is 0.2 ⁇ m or more and the thickness of the Invar rolled sheet 21 after etching is 10 ⁇ m or less. If 21 is etched, the effect equivalent to (1) mentioned above can be acquired.
  • the support layer 12 is stacked on the back surface 21b before the etching of the front surface 21a, and the invar rolled sheet 21 and the support layer 12 are stacked. Etching is preferred.
  • the processing target is only the back surface 21b, it is preferable to form the support layer 12 on the front surface 21a and etch the back surface 21b in a state where the invar rolled sheet 21 and the support layer 12 are stacked before the etching of the back surface 21b. . Even with this configuration, it is possible to obtain the same effect as the above-described (3).
  • the support layer 12 is not formed on the invar rolled sheet 21 regardless of whether the processing target is either the front surface 21a or the back surface 21b or both the front surface 21a and the back surface 21b. It may be performed in a state. Even with such a configuration, the Invar rolled sheet is roughened so that the surface roughness Rz of the resist-treated surface is 0.2 ⁇ m or more and the thickness of the Invar rolled sheet 21 after etching is 10 ⁇ m or less. If 21 is etched, the effect equivalent to (1) mentioned above can be acquired.
  • the metal mask base material may have a configuration not including the support layer 12, that is, a configuration including only the Invar sheet 11.
  • the metal mask that is a laminate of the Invar sheet 11 and the support layer 12 is used. A substrate may be obtained.
  • the forming material of the support layer 12 is polyimide
  • only a portion overlapping the through hole 11c of the invar sheet 11 may be removed from the invar sheet 11.
  • the support layer 12 is removed from the metal mask base material 10, in the plan view facing the back surface 11 b of the invar sheet 11, the edge of the support layer 12 in the support layer 12, and all the through-holes. You may remove only parts other than the part located outside the hole 11c.
  • the vapor deposition metal mask 61 includes the Invar sheet 11 and the polyimide frame 12a having a rectangular frame shape.
  • the invar sheet 11 has a plurality of through holes 11c
  • the polyimide frame 12a has a rectangular frame shape in plan view facing the back surface 11b of the invar sheet 11 and surrounds all the through holes 11c.
  • the polyimide frame 12 a included in the vapor deposition metal mask 61 can function as an adhesive layer when the vapor deposition metal mask 61 is attached to the frame 52. Therefore, the vapor deposition metal mask 61 is attached to the frame 52 with the polyimide frame 12 a in contact with the frame 52.
  • the vapor deposition metal mask 62 includes the invar sheet 11 having a plurality of through-holes 11c and the support layer 12 that overlaps the entire back surface 11b of the invar sheet 11 when attached to the frame 52. Is done.
  • the support layer 12 included in the vapor deposition metal mask 62 can function as an adhesive layer when the vapor deposition metal mask 62 is attached to the frame 52, as in the above-described polyimide frame 12a. Therefore, the metal mask 62 for vapor deposition is attached to the frame 52 with the support layer 12 in contact with the frame 52 in the metal mask 62 for vapor deposition.
  • the through-hole 11c of the invar sheet 11 in the thickness direction of the metal mask substrate 10 in the support layer 12 is provided. It is only necessary to remove the portion overlapping with the invar sheet 11. In other words, in the plan view facing the back surface 11b of the invar sheet 11, only the portion of the support layer 12 other than the portion that is the edge of the support layer 12 and located outside the through holes 11c is removed. do it.
  • FIG. 23 shows a planar structure of the Invar sheet, which is a planar structure in a plan view facing the resist processing surface obtained by etching of the processing object in the Invar rolled sheet 21.
  • dots are added to the first particle trace and the second particle trace. Yes.
  • the resist processing surface 71a of the invar sheet 71 has a plurality of first particle traces 72 and a plurality of A second particle mark 73.
  • Each first particle mark 72 is a hollow having a hemispherical shape, and the first diameter D1 which is the diameter of the first particle mark 72 is 3 ⁇ m or more and 5 ⁇ m or less.
  • Each second particle mark 73 is a depression having an elliptical cone shape, and the second diameter D2 which is the long diameter of the second particle mark 73 is 3 ⁇ m or more and 5 ⁇ m or less, and the long diameter direction of each second particle mark 73 is aligned. ing.
  • the major axis direction of each second particle mark 73 is a direction parallel to the rolling direction of the invar sheet 71.
  • the Invar sheet 71 Since the Invar sheet 71 is usually manufactured by rolling, particles composed of oxides such as a deoxidizer added in the manufacturing process of the Invar sheet 71 are often mixed into the Invar sheet 71. Some of the particles mixed in the surface of the invar sheet 71 are elongated in the rolling direction of the invar sheet 71 and have an elliptical cone shape having a major axis in the rolling direction. If such particles remain in a portion of the resist processing surface 71a where the mask opening is to be formed, the etching for forming the mask opening may be hindered by the particle.
  • the resist processing surface 71a Since the above-mentioned particles have already been removed from the resist processing surface 71a, the resist processing surface 71a has a plurality of second elliptical-shaped particle marks 73 having the same major axis direction. Therefore, when forming the mask opening, it is possible to improve the accuracy of the shape and dimensions of the mask opening as compared with the case where the particles remain in the invar sheet 71.
  • the forming material of the rolled metal sheet and thus the forming material of the metal mask sheet and the metal sheet, may be a material other than Invar as long as it is a pure metal or an alloy.
  • each process in the manufacturing method of the metal mask 51 for vapor deposition may be performed with respect to the invar-rolled sheet piece previously cut
  • the vapor deposition mask is obtained by removing the resist mask and the support layer from the invar sheet piece corresponding to the invar rolled sheet piece.
  • each process in the manufacturing method of the base material 10 for metal masks is performed with respect to the invar rolled sheet 21 which has a magnitude
  • the obtained base material for metal masks 10 may be cut into metal mask substrate pieces having a size corresponding to one metal mask 51 for vapor deposition. And you may perform with respect to the base material piece for metal masks, forming a resist layer, forming a resist mask, etching an Invar sheet, and removing a support layer.
  • the vapor deposition metal mask 51 has a shape other than a rectangular shape in a plan view facing the surface 51a, and may have, for example, a square shape or a polygonal shape other than a square shape. May be.
  • each of the opening on the front surface 51a and the opening on the back surface 51b may have a shape other than a rectangular shape such as a square shape and a circular shape.
  • the plurality of through holes 51c are arranged as follows. May be. That is, the plurality of through holes 51c along the first direction constitute one row, and the plurality of through holes 51c are formed at a predetermined pitch in the first direction. And in the some through-hole 51c which comprises each line, the position in a 1st direction mutually overlaps every other line.
  • the plurality of through holes 51c may be arranged in a staggered pattern.
  • the plurality of through holes 51c may be arranged so as to correspond to the arrangement of the organic layers formed using the vapor deposition metal mask 51.
  • the plurality of through holes 51c are arranged so as to correspond to the lattice arrangement in the organic EL device, while the plurality of through holes 51c in the modification described above correspond to the delta arrangement in the organic EL device. Are lined up.
  • each through hole 51c has the first direction It is separated from other through holes 51c adjacent in one direction and other through holes 51c adjacent in the second direction.
  • the opening in the surface 51a of each through hole 51c may be continuous with the opening in the surface 51a of another through hole 51c adjacent to each other in the first direction, or the through hole adjacent to each other in the second direction. It may be continuous with the opening in the surface 51a of 51c.
  • each through-hole 51c may be continued with the opening in the surface 51a of the other through-hole 51c adjacent to each other in both the first direction and the second direction.
  • the thickness of the portion where the two through holes 51c are continuous is etched in the outer edge of the metal mask for vapor deposition where the through hole 51c is not located, that is, in the step of forming the through hole 51c. It may be thinner than the thickness of the part that is not.
  • the metal mask for vapor deposition is not limited to the metal mask for vapor deposition used when forming the organic layer of the organic EL device, but also includes the formation of wiring included in various devices such as display devices other than the organic EL device, and various devices.
  • the metal mask for vapor deposition used when forming a functional layer etc. may be sufficient.
  • SYMBOLS 10 Metal mask base material 11, 31, 71 ... Invar sheet, 11a, 21a, 31a, 41a, 51a ... Front surface, 11b, 21b, 31b, 41b, 51b ... Back surface, 11c, 23a, 31e, 41c, 51c ... through-hole, 12 ... support layer, 12a ... polyimide frame, 21 ... invar rolled sheet, 21c, 71a ... resist processing surface, 22 ... resist layer, 23 ... resist mask, 31c ... first hole, 31d ... second hole 41 ... Metal mask sheet for vapor deposition, 51, 61, 62 ... Metal mask for vapor deposition, 52 ... Frame, 53 ... Adhesive layer, 72 ... First particle trace, 73 ... Second particle trace, C ... Central portion, S1 ... 1st surface layer part, S2 ... 2nd surface layer part.

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Abstract

表面と、表面とは反対側の面である裏面とを備える金属圧延シートのうち、表面および裏面の少なくとも一方が処理対象である。メタルマスク用基材の製造方法は、処理対象を酸性エッチング液によって３μｍ以上エッチングすることによって、金属圧延シートが有する厚さを１０μｍ以下まで薄くするとともに、０．２μｍ以上の表面粗さＲｚを有したレジスト用処理面となるように処理対象を粗らし、金属製のメタルマスク用シートを得る。

Description

メタルマスク用基材の製造方法、蒸着用メタルマスクの製造方法、メタルマスク用基材、および、蒸着用メタルマスク
　本発明は、メタルマスク用基材の製造方法、メタルマスク用基材を用いた蒸着用メタルマスクの製造方法、メタルマスク用基材、および、蒸着用メタルマスクに関する。
　蒸着法を用いて製造される表示デバイスの１つとして有機ＥＬディスプレイが知られている。有機ＥＬディスプレイが備える有機層は、蒸着工程において昇華された有機分子の堆積物である。蒸着工程にて用いられるメタルマスクの開口は、昇華された有機分子が通る通路であって、有機ＥＬディスプレイにおける画素の形状に応じた形状を有している（例えば、特許文献１参照）。
特開２０１５－０５５００７号公報
　ところで、表示デバイスにおける表示品質が高まることや、表示デバイスの高精細化が進むことに伴って、上述した有機ＥＬディスプレイ、ひいては、画素のサイズを定めるメタルマスクにおいては、メタルマスクを用いた成膜に対して高精細化が望まれている。近年では、有機ＥＬディスプレイに対して７００ｐｐｉ以上の高精細化が望まれ、それゆえに、このように高精細化された有機ＥＬディスプレイにおける有機層を形成することが可能なメタルマスクが望まれている。
　なお、メタルマスクを用いた成膜に対する高精細化は、有機ＥＬディスプレイを含む表示デバイスの製造に限らず、各種デバイスが備える配線の形成や、各種デバイスが備える機能層などのメタルマスクを用いた蒸着においても望まれている。
　本発明は、蒸着用メタルマスクを用いた成膜を高精細化することのできるメタルマスク用基材の製造方法、蒸着用メタルマスクの製造方法、メタルマスク用基材、および、蒸着用メタルマスクを提供することを目的とする。
　上記課題を解決するためのメタルマスク用基材の製造方法は、表面と、前記表面とは反対側の面である裏面とを備える金属圧延シートであって、前記表面および前記裏面の少なくとも一方が処理対象である前記金属圧延シートを準備することと、前記処理対象を酸性エッチング液によって３μｍ以上エッチングすることによって、前記金属圧延シートが有する厚さを１０μｍ以下まで薄くするとともに、０．２μｍ以上の表面粗さＲｚを有したレジスト用処理面となるように前記処理対象を粗らし、それによって、金属製のメタルマスク用シートを得ることと、を含む。
　上記課題を解決するための蒸着用メタルマスクの製造方法は、少なくとも１つのレジスト用処理面を備えるメタルマスク用基材を形成することと、１つの前記レジスト用処理面にレジスト層を形成することと、前記レジスト層をパターニングすることによってレジストマスクを形成することと、前記レジストマスクを用いて前記メタルマスク用基材をエッチングすることと、を含む。上記メタルマスク用基材の製造方法を用いて、前記メタルマスク用基材を形成する。
　上記課題を解決するためのメタルマスク基材は、表面と、前記表面とは反対側の面である裏面とを備える金属シートを含み、前記表面および前記裏面の少なくとも一方がレジスト用処理面であり、前記金属シートが有する厚さが１０μｍ以下であり、前記レジスト用処理面の表面粗さＲｚが０．２μｍ以上である。
　上記課題を解決するための蒸着用メタルマスクは、メタルマスク用基材を含み、前記メタルマスク用基材が、上記メタルマスク用基材であり、前記メタルマスク用基材に含まれる前記金属シートが、前記表面と前記裏面との間を貫通する複数の貫通孔を有する。
　上記構成によれば、メタルマスク用シートの有する厚さが１０μｍ以下であるため、メタルマスク用シートに形成されるマスク開口の深さを１０μｍ以下とすることが可能である。それゆえに、蒸着粒子から成膜対象を見たときに蒸着用メタルマスクの陰となる部分を少なくすること、すなわち、シャドウ効果を抑えることが可能であるため、マスク開口の形状に追従した形状を成膜対象に得ること、ひいては、蒸着用メタルマスクを用いた成膜の高精細化を図ることが可能である。そのうえ、メタルマスク用シートにマスク開口を形成することに際し、まず、レジスト用処理面にレジスト層が形成されるとき、そのレジスト層とメタルマスク用基材との密着性を粗化前よりも高めることが可能である。そして、レジスト層がメタルマスク用シートから剥がれることなどに起因した形状精度の低下を、マスク開口の形成において抑えることが可能であるから、この点においても、蒸着用メタルマスクを用いた成膜の高精細化を図ることが可能である。
　上記メタルマスク用基材の製造方法において、前記処理対象は、前記表面および前記裏面の両方であってもよい。
　上記構成によれば、表面から形成されたレジスト用処理面であれ、裏面から形成されたレジスト用処理面であれ、いずれのレジスト用処理面に対してもレジスト層を形成することが可能である。そのため、レジスト層を形成する対象の面を誤ることによってレジスト層とメタルマスク用基材との密着性が得られにくくなることを抑えることが可能であって、ひいては、蒸着用メタルマスクの製造に際しての歩留まりが低下することを抑えることが可能でもある。
　上記メタルマスク用基材の製造方法において、前記処理対象は、前記表面および前記裏面のいずれか一方であり、前記製造方法は、前記処理対象とは反対側の面に樹脂製の支持層を積層することをさらに含み、前記金属圧延シートと前記支持層とが積み重なる状態で前記処理対象がエッチングされ、それによって、前記メタルマスク用シートと前記支持層とが積層されたメタルマスク用基材を得てもよい。
　上記メタルマスク用基材の製造方法において、前記エッチングすることは、前記表面および前記裏面の一方である第１処理対象をエッチングすることと、その後に、前記表面および前記裏面の他方である第２処理対象をエッチングすることと、を含み、前記製造方法は、前記第１処理対象をエッチングした後、前記第１処理対象のエッチングによって得られた前記レジスト用処理面に樹脂製の支持層を積層することをさらに含み、前記金属圧延シートと前記支持層とが積み重なる状態で前記第２処理対象がエッチングされ、それによって、前記メタルマスク用シートと前記支持層とが積層されたメタルマスク用基材を得てもよい。
　上記構成によれば、メタルマスク用シートの搬送や、メタルマスク用シートに対する後処理において、メタルマスク用シートの厚さが１０μｍ以下であることによるメタルマスク用シートの脆弱性に起因したメタルマスク用シートの取り扱いにおける煩わしさを減らすことができる。
　上記メタルマスク用基材の製造方法において、前記金属圧延シートがインバー圧延シートであり、前記メタルマスク用シートがインバー製であることが好ましい。
　上記構成によれば、成膜対象がガラス基板であるとき、ガラス基板の線膨張係数とインバーの線膨張係数とが同じ程度であるため、メタルマスク基材から形成されるメタルマスクをガラス基板に対する成膜に適用すること、すなわち、形状の精度が高められたメタルマスクをガラス基板に対する成膜に適用することが可能である。
　上記蒸着用メタルマスクの製造方法において、前記メタルマスク用基材は、前記メタルマスク用シートと樹脂製の支持層との積層体を含み、前記レジストマスクが形成された後の前記メタルマスク用基材をアルカリ溶液に曝すことによって前記メタルマスク用基材から前記支持層を化学的に除去することをさらに含むことが好ましい。
　上記構成によれば、メタルマスク用シートから支持層を物理的に引きはがす場合と比べて、メタルマスク用シートに外力が作用しないため、メタルマスク用シートに皺や歪みが生じることが抑えられる。
　上記メタルマスク基材において、前記レジスト用処理面は、楕円錘状を有した複数の窪みである粒子痕を有し、前記各粒子痕における長径方向が揃っていてもよい。
　金属シートは通常圧延によって製造されるため、金属シートの製造過程で添加される脱酸剤の酸化物などの粒子が金属シートに混入することが少なくない。金属シートの表面に混入している粒子は、金属材の圧延方向に延ばされ、圧延方向に長径を有する楕円錘状を有する。レジスト用処理面の中でマスク開口が形成される部位にこのような粒子が残存していると、マスク開口を形成するためのエッチングが粒子によって妨げられるおそれがある。
　この点、上記構成によれば、長径方向が揃った楕円錘状の複数の粒子痕をレジスト用処理面が有する、すなわち、レジスト用処理面からは上述した粒子が既に除かれているため、マスク開口の形成時には、マスク開口の形状や寸法の精度を高めることが可能でもある。
　本発明によれば、蒸着用メタルマスクを用いた成膜を高精細化することができる。
本発明のメタルマスク用基材を具体化した１つの実施形態におけるメタルマスク用基材の斜視構造を示す斜視図。 蒸着用メタルマスクの製造方法においてインバー圧延シートを準備する工程を示す工程図。 蒸着用メタルマスクの製造方法においてインバー圧延シートの裏面をエッチングする工程を示す工程図。 蒸着用メタルマスクの製造方法においてインバー圧延シートのレジスト用処理面に支持層を形成する工程を示す工程図。 蒸着用メタルマスクの製造方法においてインバー圧延シートの表面をエッチングする工程を示す工程図。 インバー圧延シートにおける金属酸化物の分布を模式的に示す模式図。 蒸着用メタルマスクの製造方法においてレジスト層を形成する工程を示す工程図。 蒸着用メタルマスクの製造方法においてレジストマスクを形成する工程を示す工程図。 蒸着用メタルマスクの製造方法においてインバーシートをエッチングする工程を示す工程図。 インバーシートの表面と裏面との両方をエッチングすることによって形成された貫通孔の断面形状を示す断面図。 蒸着用メタルマスクの製造方法においてレジストマスクを除去する工程を示す工程図。 蒸着用メタルマスクの製造方法において支持層を化学的に除去する工程を示す工程図。 フレームに貼り付けられた蒸着用メタルマスクの断面構造を示す断面図。 フレームに貼り付けられた蒸着用メタルマスクの平面構造を示す平面図。 試験例１のインバー圧延シートにおける表面を撮影したＳＥＭ画像。 試験例２のインバーシートにおけるレジスト用処理面を撮影したＳＥＭ画像。 試験例３のインバーシートにおけるレジスト用処理面を撮影したＳＥＭ画像。 試験例４のインバーシートにおけるレジスト用処理面を撮影したＳＥＭ画像。 第１粒子痕を撮影したＳＥＭ画像。 第２粒子痕を撮影したＳＥＭ画像。 変形例におけるメタルマスクとフレームとの断面構造を示す断面図。 変形例におけるメタルマスクとフレームとの断面構造を示す断面図。 変形例におけるインバーシートの平面構造を示す平面図。
　図１から図２０を参照して、メタルマスク用基材の製造方法、蒸着用メタルマスクの製造方法、メタルマスク用基材、および、蒸着用メタルマスクを具体化した１つの実施形態を説明する。本実施形態では、蒸着用メタルマスクの一例として、有機ＥＬデバイスが備える有機層の形成に用いられる蒸着用メタルマスクを説明する。以下では、メタルマスク用基材の構成、メタルマスク用基材の製造方法を含む蒸着用メタルマスクの製造方法、および、試験例を順番に説明する。
　［メタルマスク用基材の構成］
　図１を参照してメタルマスク用基材の構成を説明する。
　図１が示すように、メタルマスク用基材１０は、メタルマスク用シートの一例であって、インバー製のメタルマスクシートであるインバーシート１１を含み、インバーシート１１は、表面１１ａと表面１１ａとは反対側の面である裏面１１ｂとを備えている。インバーシート１１において、表面１１ａおよび裏面１１ｂがレジスト用処理面であって、インバーシート１１をエッチングするときに、レジスト層を形成することが可能な面である。
　インバーシート１１の厚さＴ１は、１０μｍ以下であり、表面１１ａにおける表面粗さＲｚ、および、裏面１１ｂにおける表面粗さＲｚが０．２μｍ以下である。
　インバーシート１１の有する厚さが１０μｍ以下であるため、インバーシート１１に形成されるマスク開口の深さを１０μｍ以下とすることが可能である。それゆえに、蒸着粒子から成膜対象を見たときに蒸着用メタルマスクの陰となる部分を少なくすること、すなわち、シャドウ効果を抑えることが可能であるため、マスク開口の形状に追従した形状を成膜対象に得ること、ひいては、蒸着用メタルマスクを用いた成膜の高精細化を図ることが可能である。
　そのうえ、インバーシート１１にマスク開口を形成することに際し、まず、表面１１ａにレジスト層が形成されるとき、レジスト層とインバーシート１１との密着性を粗化前よりも高めることが可能である。そして、レジスト層がインバーシート１１から剥がれることなどに起因した形状精度の低下を、マスク開口の形成において抑えることが可能であることから、この点においても、蒸着用メタルマスクを用いた成膜の高精細化を図ることが可能である。
　インバーシート１１の形成材料は、３６質量％のニッケルと、鉄とを含むニッケル鉄合金、すなわちインバーであり、インバー、すなわちインバーシート１１の熱膨張係数は、１．２×１０－６／℃程度である。
　インバーシート１１の熱膨張係数と、成膜対象の一例であるガラス基板の熱膨張係数とが同じ程度である。そのため、メタルマスク用基材１０を用いて製造した蒸着用メタルマスクをガラス基板に対する成膜に適用すること、すなわち、形状の精度が高められた蒸着用メタルマスクをガラス基板に対する成膜に適用することが可能である。
　インバーシート１１の表面における表面粗さＲｚは、ＪＩＳ　Ｂ　０６０１－２００１に準拠する方法によって測定された値である。表面粗さＲｚは、基準長さを有する輪郭曲線中での最大高さである。
　メタルマスク用基材１０は、樹脂製の支持層１２をさらに備え、メタルマスク用基材１０は、インバーシート１１と支持層１２との積層体である。インバーシート１１のうち、裏面１１ｂが、支持層１２に密着している。支持層１２の形成材料は、例えば、ポリイミド、および、ネガ型レジストの少なくとも一方である。支持層１２は、ポリイミド製の１つの層であってもよいし、ネガ型レジスト製の１つの層であってもよい。あるいは、支持層１２は、ポリイミド製の層と、ネガ型レジスト製の層との積層体であってもよい。
　このうち、ポリイミドの熱膨張係数は、温度の依存性としてインバーの熱膨張係数と同じ傾向を示し、かつ、熱膨張係数の値が同じ程度である。そのため、支持層１２の形成材料がポリイミドであれば、支持層１２がポリイミド以外の樹脂製である構成と比べて、メタルマスク用基材１０における温度の変化によって、メタルマスク用基材１０、ひいては、インバーシート１１に反りが生じることが抑えられる。
　［蒸着用メタルマスクの製造方法］
　図２から図１２を参照して蒸着用メタルマスクの製造方法を説明する。
　図２が示すように、蒸着用メタルマスクの製造方法は、メタルマスク用基材１０の製造方法を含み、メタルマスク用基材１０の製造方法では、まず、金属圧延シートの一例であるインバー圧延シート２１を準備する。インバー圧延シート２１は、表面２１ａと表面２１ａとは反対側の面である裏面２１ｂとを備え、インバー圧延シート２１のうち、表面２１ａおよび裏面２１ｂが、メタルマスク用基材１０の製造方法における処理対象である。
　インバー圧延シート２１は、インバー製の母材を圧延し、圧延された母材をアニールすることによって得られる。インバー圧延シート２１の表面２１ａおよび裏面２１ｂの各々における表面粗さＲｚは、インバー圧延シート２１が圧延されることで、母材の表面および裏面における段差が小さくされる分だけ、母材の表面および裏面における表面粗さＲｚよりも小さい。
　インバー圧延シート２１の厚さＴ２は、例えば、１０μｍ以上１００μｍ以下であり、より好ましくは１０μｍ以上５０μｍ以下である。
　図３が示すように、処理対象の１つであり、２つの処理対象のうち、先にエッチングされる第１処理対象の一例である裏面２１ｂを酸性エッチング液によって３μｍ以上エッチングする。エッチング前のインバー圧延シート２１における裏面２１ｂと、エッチング後のインバー圧延シート２１における裏面、すなわちレジスト用処理面２１ｃとの間の差がエッチング厚さＴ３であり、エッチング厚さＴ３は３μｍ以上である。
　裏面２１ｂのエッチングによって、インバー圧延シート２１の厚さをエッチング前よりも小さくするとともに、レジスト用処理面２１ｃが０．２μｍ以上の表面粗さＲｚを有するように裏面２１ｂを粗す。
　酸性エッチング液は、インバーのエッチングが可能なエッチング液であって、かつ、インバー圧延シート２１の裏面２１ｂをエッチング前よりも粗す組成を有した溶液であればよい。酸性エッチング液は、例えば、過塩素酸第二鉄液、および、過塩素酸第二鉄液と塩化第二鉄液との混合液に対して、過塩素酸、塩酸、硫酸、蟻酸、および、酢酸のいずれかを混合した溶液である。裏面２１ｂのエッチングは、インバー圧延シート２１を酸性エッチング液に浸漬するディップ式であってもよいし、インバー圧延シート２１の裏面２１ｂに対して酸性エッチング液を吹き付けるスプレー式であってもよいし、スピナーによって回転するインバー圧延シート２１に酸性エッチング液を滴下するスピン式であってもよい。
　エッチング厚さＴ３は少なくとも３μｍであればよく、１０μｍ以上であることが好ましく、１５μｍ以上であることがより好ましい。
　図４が示すように、インバー圧延シート２１の裏面２１ｂをエッチングした後、裏面２１ｂのエッチングによって得られたレジスト用処理面２１ｃに上述した樹脂製の支持層１２を積層する。支持層１２の厚さＴ４は、例えば１０μｍ以上５０μｍ以下である。
　支持層１２の厚さは、インバー圧延シート２１の厚さが１０μｍ以下であっても、支持層１２とインバー圧延シート２１との積層体における強度をメタルマスク用基材１０の製造過程において、積層体の脆弱性に起因した取り扱いの煩わしさを減らす程度に高める点で、１０μｍ以上であることが好ましい。
　また、支持層１２の厚さは、支持層１２をアルカリ溶液によってメタルマスク用基材１０から除去する際に要する時間が過剰に長くなることを抑える点で、５０μｍ以下であることが好ましい。
　支持層１２は、シート状に形成された後にレジスト用処理面２１ｃに貼り付けられることによって、レジスト用処理面２１ｃに積層されてもよい。あるいは、支持層１２は、支持層１２を形成するための塗液が、レジスト用処理面２１ｃに塗布されることによって、レジスト用処理面２１ｃに積層されてもよい。
　なお、上述したネガ型レジスト製の層を支持層１２が含む場合には、ネガ型レジストのフィルムをレジスト用処理面２１ｃに貼り付けた後、あるいは、ネガ型レジストをレジスト用処理面２１ｃに塗布した後、ネガ型レジストの全体に対して紫外線を照射して、支持層１２を形成する。
　図５が示すように、インバー圧延シート２１と支持層１２とが積み重なる状態で、第１処理対象よりも後にエッチングされる第２処理対象の一例であるインバー圧延シート２１の表面２１ａを酸性エッチング液によって３μｍ以上エッチングする。エッチング前のインバー圧延シート２１における表面２１ａと、エッチング後のインバー圧延シート２１、すなわち、インバーシート１１における表面１１ａとの間の差がエッチング厚さＴ５であり、エッチング厚さＴ５は３μｍ以上である。
　このように、インバー圧延シート２１のエッチングは、第１処理対象の一例であるインバー圧延シート２１の裏面２１ｂをエッチングすることと、その後に、第２処理対象の一例である表面２１ａをエッチングすることとを含んでいる。
　表面２１ａのエッチングによって、図２を用いて先に説明したインバー圧延シート２１が有する厚さＴ２を１０μｍ以下にするとともに、表面２１ａが０．２μｍ以上の表面粗さＲｚを有するように表面２１ａを粗す。これにより、金属製のメタルマスク用シートおよび金属シートの一例であるインバーシート１１であって、表面１１ａおよび裏面１１ｂの各々における表面粗さＲｚが０．２μｍ以上であるインバーシート１１、および、インバーシート１１と支持層１２とが積層されたメタルマスク用基材１０を得る。
　インバー圧延シート２１の表面２１ａおよび裏面２１ｂの両方がエッチングされるため、表面２１ａから形成されたレジスト用処理面であれ、裏面２１ｂから形成されたレジスト用処理面２１ｃであれ、いずれのレジスト用処理面に対してもレジスト層を形成することが可能である。それゆえに、レジスト層を形成する対象の面を誤ることによってレジスト層とメタルマスク用基材１０との密着性が得られにくくなることを抑えることが可能であって、ひいては、蒸着用メタルマスク５１の製造に際しての歩留まりが低下することを抑えることが可能でもある。
　また、メタルマスク用基材１０は、インバーシート１１と支持層１２との積層体である。そのため、インバーシート１１の搬送や、インバーシート１１に対する後処理において、インバーシート１１の厚さが１０μｍ以下であることによるインバーシート１１の脆弱性に起因したインバーシート１１の取り扱いにおける煩わしさを減らすことができる。
　酸性エッチング液は、裏面２１ｂのエッチングに用いられる酸性エッチング液のいずれかであればよく、裏面２１ｂのエッチングに用いられる酸性エッチング液と同じであることが好ましい。また、表面２１ａのエッチングも、ディップ式、スプレー式、および、スピン式のいずれであってもよいが、裏面２１ｂのエッチングと同じ方式であることが好ましい。
　エッチング厚さＴ５は少なくとも３μｍであればよく、１０μｍ以上であることが好ましく、１５μｍ以上であることがより好ましい。エッチング厚さＴ５と、上述したエッチング厚さＴ３とは、同じ大きさであってもよいし、互いに異なる大きさであってもよい。
　なお、インバー圧延シート２１の母材を形成するときには、通常、母材の形成材料中に混入した酸素を除くために、母材の形成材料に対して、例えば、粒状のアルミニウムやマグネシウムなどを脱酸剤として混ぜる。アルミニウムおよびマグネシウムは酸化され、酸化アルミニウムおよび酸化マグネシウムなどの金属酸化物の状態で、母材の形成材料中に含まれる。母材が形成されるとき、金属酸化物の大部分は母材から取り除かれるものの、母材の内部には一部の金属酸化物が残される。
　図６が示すように、インバー圧延シート２１のうち、インバー圧延シート２１の厚さ方向における中央を含む部分が中央部分Ｃであり、表面２１ａを含む部分が第１表層部分Ｓ１であり、裏面２１ｂを含む部分が第２表層部分Ｓ２である。金属酸化物は、中央部分Ｃに比べて、第１表層部分Ｓ１および第２表層部分Ｓ２に多く分布している。
　金属酸化物は、インバーシート１１のエッチングによって蒸着用メタルマスクを形成するとき、インバーシート１１からレジストが剥がれることや、インバーシート１１が過剰にエッチングされることの一因となる。
　上述したように、メタルマスク用基材１０の製造方法では、インバー圧延シート２１の表面２１ａおよび裏面２１ｂがエッチングされるため、金属酸化物を多く含む第１表層部分Ｓ１および第２表層部分Ｓ２の少なくとも一部が除去される。それゆえに、インバー圧延シート２１の表面２１ａおよび裏面２１ｂがエッチングされない場合と比べて、金属酸化物によるレジストの剥がれや、インバーシート１１の過剰なエッチングが抑えられ、メタルマスク用基材１０に対するエッチングの精度が低くなることが抑えられる。
　図７が示すように、インバーシート１１の表面１１ａにレジスト層２２を形成する。レジスト層２２は、シート状に形成された後に表面１１ａに貼り付けられることによって、表面１１ａに形成されてもよい。あるいは、レジスト層２２は、レジスト層２２を形成するための塗液が、表面１１ａに塗布されることによって、表面１１ａに形成されてもよい。
　レジスト層２２の形成材料は、ネガ型レジストであってもよいし、ポジ型レジストであってもよい。なお、支持層１２の形成材料がネガ型レジストであるときには、レジスト層２２も支持層１２と同じ材料で形成することが好ましい。
　図８が示すように、レジスト層２２をパターニングすることによってレジストマスク２３を形成する。レジストマスク２３は、インバーシート１１をエッチングするための複数の貫通孔２３ａを有している。
　レジスト層２２の形成材料がネガ型レジストであるとき、レジスト層２２のうち、レジストマスク２３の各貫通孔２３ａに対応する部分以外の部分に対して紫外線を照射し、レジスト層２２を露光する。そして、レジスト層２２を現像液で現像することによって、複数の貫通孔２３ａを有したレジストマスク２３を得る。
　レジスト層２２の形成材料がポジ型レジストであるとき、レジスト層２２のうち、レジストマスク２３の各貫通孔２３ａに対応する部分に対して紫外線を照射し、レジスト層２２を露光する。そして、レジスト層２２を現像液で現像することによって、複数の貫通孔２３ａを有したレジストマスク２３を得る。
　図９が示すように、レジストマスク２３を用いてインバーシート１１をエッチングする。インバーシート１１のエッチングには、例えば、塩化第二鉄溶液を用いる。これにより、インバーシート１１に対して、表面１１ａと裏面１１ｂとの間を貫通する複数の貫通孔１１ｃ、すなわちマスク開口を形成する。インバーシート１１の厚さ方向に沿う断面において、各貫通孔１１ｃの内周面は略劣弧状を有し、各貫通孔１１ｃにおいて、表面１１ａにおける開口面積が、裏面１１ｂにおける開口面積よりも大きい。
　インバーシート１１の厚さが１０μｍ以下であるため、インバーシート１１を表面１１ａからエッチングするのみでも、インバーシート１１が有するマスク開口、言い換えれば貫通孔１１ｃを過剰に大きくすることなく、表面１１ａと裏面１１ｂとの間を貫通する貫通孔１１ｃを形成することができる。
　図１０が示すように、インバーシート３１の厚さＴ６は、インバーシート１１の厚さＴ１よりも大きく、すなわち、インバーシート３１の厚さＴ６は１０μｍよりも大きい。この場合には、インバーシート３１の表面３１ａにおける開口の面積を、インバーシート１１の表面１１ａにおける開口の面積と同程度にしつつ、表面３１ａと裏面３１ｂとを貫通する貫通孔を形成する上で、インバーシート３１を表面３１ａと裏面３１ｂとからエッチングする必要がある。
　これにより、表面３１ａに開口する第１孔３１ｃと、裏面３１ｂに開口する第２孔３１ｄとから構成される貫通孔３１ｅが形成される。インバーシート３１の厚さと直交する方向において、第１孔３１ｃと第２孔３１ｄとの接続部における開口面積は、裏面３１ｂにおける第２孔３１ｄの開口面積よりも小さい。
　こうした貫通孔３１ｅを有するインバーシート３１が蒸着用メタルマスクとして用いられる場合には、インバーシート３１の裏面３１ｂが成膜対象に対向する状態で、インバーシート３１が蒸着源と成膜対象との間に配置される。インバーシート３１のうち、蒸着粒子から成膜対象を見たときに蒸着用メタルマスクの陰となる部分を接続部が形成するため、その分だけ、第２孔３１ｄにおけるマスク開口の形状に追従した形状を成膜対象において得られにくい。そのため、第２孔３１ｄの深さ、言い換えれば裏面３１ｂと接続部との間の距離は小さいことが好ましい。
　これに対して、インバーシート１１の貫通孔１１ｃによれば、接続部を有しない分だけ、上述したインバーシート３１に比べて、蒸着粒子から成膜対象を見たときに蒸着用メタルマスクの陰となる部分を少なくすることができる。結果として、マスク開口の形状に対してより追従した形状を成膜対象において得ることができる。
　図１１が示すように、図９を用いて先に説明したレジストマスク２３であって、メタルマスク用基材１０上に位置するレジストマスク２３を除去する。なお、レジストマスク２３をメタルマスク用基材１０とレジストマスク２３との積層体から除去するときには、支持層１２のうち、インバーシート１１に接する面とは反対側の面に、支持層１２を保護する保護層を形成してもよい。保護層によれば、レジストマスク２３を除去するための溶液によって、支持層１２が溶解することが抑えられる。
　図１２が示すように、レジストマスク２３を除去した後、メタルマスク用基材１０をアルカリ溶液に曝すことによって、メタルマスク用基材１０から支持層１２を化学的に除去する。これにより、蒸着用メタルマスクシート４１を得る。蒸着用メタルマスクシート４１は、インバーシート１１の表面１１ａに相当する表面４１ａと、インバーシート１１の裏面１１ｂに相当する裏面４１ｂと、インバーシート１１の貫通孔１１ｃに相当する貫通孔４１ｃとを有している。
　このとき、支持層１２がメタルマスク用基材１０から化学的に除去されるため、インバーシート１１から支持層１２を物理的に引きはがす場合と比べて、インバーシート１１に外力が作用せず、インバーシート１１に皺や歪みが生じることが抑えられる。
　アルカリ溶液は、支持層１２を溶解することによって、支持層１２をインバーシート１１から剥離することができる溶液であればよく、例えば、水酸化ナトリウム水溶液である。メタルマスク用基材１０をアルカリ溶液に曝すときには、メタルマスク用基材１０をアルカリ溶液に浸漬してもよいし、メタルマスク用基材１０の支持層１２に対してアルカリ溶液を吹き付けてもよいし、スピナーによって回転するメタルマスク用基材１０の支持層１２に対してアルカリ溶液を滴下してもよい。
　図１３が示すように、蒸着用メタルマスクシート４１から、所定の長さを有した蒸着用メタルマスク５１を切り出す。蒸着用メタルマスク５１は、蒸着用メタルマスクシート４１の表面４１ａに相当する表面５１ａと、蒸着用メタルマスクシート４１の裏面４１ｂに相当する裏面５１ｂと、蒸着用メタルマスクシート４１の貫通孔４１ｃに相当する貫通孔５１ｃとを有している。
　そして、有機層の蒸着を行うとき、蒸着用メタルマスク５１をフレームに貼り付ける。すなわち、蒸着用メタルマスク５１は、金属製のフレーム５２に対して接着層５３によって貼り付けられた状態で、有機層の蒸着に用いられる。蒸着用メタルマスク５１において、蒸着用メタルマスク５１の裏面５１ｂの一部が、フレーム５２の一部に対向し、接着層５３は、蒸着用メタルマスク５１とフレーム５２との間に位置している。なお、蒸着用メタルマスク５１は、蒸着用メタルマスク５１の表面５１ａの一部が、フレーム５２の一部に対向し、接着層５３が、蒸着用メタルマスク５１の表面５１ａとフレーム５２との間に位置する状態で、接着層５３によって、フレーム５２に貼り付けられてもよい。
　図１４が示すように、蒸着用メタルマスク５１の表面５１ａと対向する平面視において、蒸着用メタルマスク５１は矩形状を有し、フレーム５２は矩形枠状を有している。表面５１ａと対向する平面視において、各貫通孔５１ｃは矩形状を有している。すなわち、貫通孔５１ｃのうち、表面５１ａにおける開口は、矩形状を有している。なお、貫通孔５１ｃのうち、裏面５１ｂにおける開口も、矩形状を有している。複数の貫通孔５１ｃは、１つの方向に沿って等間隔で並び、かつ、１つの方向と直交する他の方向に沿って等間隔で並んでいる。蒸着用メタルマスク５１は、蒸着用メタルマスク５１の裏面５１ｂが成膜対象と対向する状態で、蒸着源と成膜対象との間に配置される。
　なお、図１４において、紙面の左右方向が成膜対象において画素の並ぶ方向である。図１４では、左右方向において互いに隣り合う貫通孔５１ｃ間の距離が、左右方向における貫通孔５１ｃの幅よりも小さいが、左右方向において互いに隣り合う貫通孔５１ｃ間の距離は、左右方向における貫通孔５１ｃの幅の２倍以上であることが好ましい。
　［試験例］
　図１５から図２０を参照して試験例を説明する。
　［試験例１］
　３０μｍの厚さを有したインバー圧延シートを準備し、試験例１のインバー圧延シートとした。
　［試験例２］
　３０μｍの厚さを有したインバー圧延シートを準備し、インバー圧延シートの表面に対して酸性エッチング液を吹き付けることによってインバー圧延シートの表面を３μｍエッチングし、レジスト用処理面を有する試験例２のインバーシートを得た。なお、酸性エッチング液として、過塩素酸第二鉄液と塩化第二鉄液との混合液に対して過塩素酸を混合した溶液を用いた。
　［試験例３］
　３０μｍの厚さを有したインバー圧延シートを準備し、試験例２と同じ条件でインバー圧延シートの表面を４．５μｍエッチングし、レジスト用処理面を有する試験例３のインバーシートを得た。
　［試験例４］
　３０μｍの厚さを有したインバー圧延シートを準備し、試験例２と同じ条件でインバー圧延シートの表面を１０μｍエッチングし、レジスト用処理面を有する試験例４のインバーシートを得た。
　［走査電子顕微鏡による表面の撮影］
　試験例１の表面、および、試験例２から試験例４の各々におけるレジスト用処理面を走査電子顕微鏡により撮影し、ＳＥＭ画像を生成した。走査電子顕微鏡（ＪＳＭ－７００１Ｆ、日本電子（株）製）における倍率を１００００倍に設定し、加速電圧を１０．０ｋＶに設定し、作動距離を９．７ｍｍに設定した。
　図１５が示すように、試験例１のインバー圧延シートにおける表面の平坦性が最も高いことが認められ、また、試験例１のインバー圧延シートにおける表面において、紙面の上下方向に延びるすじである圧延痕が認められた。図１６および図１７が示すように、試験例２のインバーシートにおけるレジスト用処理面と、試験例３のインバーシートにおけるレジスト用処理面とには、段差が形成されていることが認められた。図１８が示すように、試験例４のインバーシートにおけるレジスト用処理面には、試験例２のインバーシートにおけるレジスト用処理面、および、試験例３のインバーシートにおけるレジスト用処理面よりも大きい段差が形成されていることが認められた。また、図１６から図１８の各インバーシートにおけるレジスト用処理面では、エッチングによって圧延痕がほぼ消失していることが認められた。
　［原子間力顕微鏡による表面粗さの測定］
　試験例１のインバー圧延シートにおける表面を表面として含む試験片を作成し、かつ、試験例２から試験例４の各々におけるインバーシートのレジスト用処理面を表面として含む試験片を作成した。そして、各試験片の表面において、一辺の長さが５μｍである正方形状を有した領域である走査領域における表面粗さを測定した。
　原子間力顕微鏡（ＡＦＭ５４００Ｌ、（株）日立ハイテクサイエンス製）を用いて、ＪＩＳ　Ｂ　０６０１－２００１に準拠する方法で、各試験例の表面における表面粗さを測定した。表面粗さの測定結果は、以下の表１に示す通りであった。また、測定結果に基づき、各試験片における表面積率を、走査領域の面積に対する走査領域での表面積の比として算出した。言い換えれば、表面積率は、走査領域での表面積を走査領域の面積で除算した値である。
　なお、表１に記載の表面粗さのパラメータのうち、Ｒｚは、基準長さを有する輪郭曲線の中で最も高い山の高さと、最も深い谷の深さとの和である最大高さであり、Ｒａは、基準長さを有する輪郭曲線の算術平均粗さである。Ｒｐは、基準長さを有する輪郭曲線の中で最も高い山の高さであり、Ｒｖは、基準長さを有する輪郭曲線の中で最も深い谷の深さである。また、以下において、Ｒｚ、Ｒａ、Ｒｐ、および、Ｒｖの各々の単位はμｍである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１が示すように、試験例１のインバー圧延シートにおける表面では、表面粗さＲｚが０．１７であり、表面粗さＲａが０．０２であり、表面粗さＲｐが０．０８であり、表面粗さＲｖが０．０９であることが認められた。また、試験例１のインバー圧延シートにおける表面では、表面積率が１．０２であることが認められた。
　試験例２のインバーシートにおけるレジスト用処理面では、表面粗さＲｚが０．２４であり、表面粗さＲａが０．０２であり、表面粗さＲｐが０．１２であり、表面粗さＲｖが０．１２であることが認められた。また、試験例２のインバーシートにおけるレジスト用処理面では、表面積率が１．２３であることが認められた。
　試験例３のインバーシートにおけるレジスト用処理面では、表面粗さＲｚが０．２８であり、表面粗さＲａが０．０３であり、表面粗さＲｐが０．１５であり、表面粗さＲｖが０．１３であることが認められた。また、試験例３のインバーシートにおけるレジスト用処理面では、表面積率が１．１３であることが認められた。
　試験例４のインバーシートにおけるレジスト用処理面では、表面粗さＲｚが０．３０であり、表面粗さＲａが０．０３であり、表面粗さＲｐが０．１７であり、表面粗さＲｖが０．１３であることが認められた。また、試験例４のインバーシートにおけるレジスト用処理面では、表面積率が１．２２であることが認められた。
　このように、インバー圧延シートの表面を３μｍ以上エッチングすることによって得られたインバーシートでは、レジスト用処理面における表面粗さＲｚが０．２μｍ以上であることが認められた。また、エッチングする厚さが大きくなるほど、レジスト用処理面における表面粗さＲｚが大きくなることから、インバー圧延シートの表面におけるエッチングの厚さは、４．５μｍが好ましく、１０μｍがより好ましいことが認められた。
　なお、３０μｍの厚さを有するインバー圧延シートを準備し、インバー圧延シートの表面および裏面の各々を、上述した条件で１０μｍずつエッチングすることによって、１０μｍの厚さを有するインバーシートが得られた。このとき、インバー圧延シートの裏面から得られたレジスト用処理面には、２０μｍの厚さを有するポリイミド製のシートを支持層として貼り付けた。
　こうしたインバーシートによれば、インバーシートの表面からインバーシートをエッチングするのみで、インバーシートの表面と裏面との間を貫通する貫通孔を形成することが可能であることが本願発明者によって認められている。また、こうした貫通孔において、インバーシートの表面における開口面積、および、インバーシートの裏面における開口面積の各々が所望の大きさを有することも本願発明者らによって認められている。
　また、試験例１のインバー圧延シートの表面にドライフィルムレジストを貼り付け、ドライフィルムレジストをパターニングした後、試験例１のインバー圧延シートをエッチングして、表面に複数の凹部を形成した。
　そして、試験例２から４の各々のインバーシートのレジスト用処理面にドライフィルムレジストを貼り付け、ドライフィルムレジストをパターニングした後、試験例２から４の各々のインバーシートをエッチングして、レジスト用処理面に複数の凹部を形成した。なお、試験例２から４では、ドライフィルムレジストのパターニング方法として試験例１と同じ方法を用い、また、インバーシートのエッチング条件を試験例１と同じ条件に設定した。
　試験例２から４の各々では、レジスト用処理面での開口の大きさにおけるばらつきが、試験例１での開口の大きさにおけるばらつきよりも小さいことが認められた。すなわち、試験例２から４の各々のように、表面粗さＲｚが０．２μｍ以上であれば、レジスト層とインバーシートとの密着性が高まることで、マスク開口における形状精度の低下が抑えられることが認められた。
　［試験例５］
　３０μｍの厚さを有したインバー圧延シートを準備し、試験例５のインバー圧延シートとした。
　［試験例６］
　３０μｍの厚さを有したインバー圧延シートを準備し、試験例２と同じ条件でインバー圧延シートの表面を３μｍエッチングし、レジスト用処理面を有する試験例６のインバーシートを得た。
　［試験例７］
　３０μｍの厚さを有したインバー圧延シートを準備し、試験例２と同じ条件でインバー圧延シートの表面を１０μｍエッチングし、レジスト用処理面を有する試験例７のインバーシートを得た。
　［試験例８］
　３０μｍの厚さを有したインバー圧延シートを準備し、試験例２と同じ条件でインバー圧延シートの表面を１５μｍエッチングし、レジスト用処理面を有する試験例８のインバーシートを得た。
　［試験例９］
　３０μｍの厚さを有したインバー圧延シートを準備し、試験例２と同じ条件でインバー圧延シートの表面を１６μｍエッチングし、レジスト用処理面を有する試験例９のインバーシートを得た。
　［粒子痕の計数］
　試験例５のインバー圧延シートにおける表面の一部を表面として含む３つの試験片であって、一辺の長さが２ｍｍである正方形状を有する試験片を作成した。また、試験例６から試験例９の各々のインバーシートにおけるレジスト用処理面の一部を表面として含む３つの試験片であって、一辺の長さが２ｍｍである正方形状を有する試験片を作成した。
　走査電子顕微鏡（同上）を用いて各試験片の表面を観察し、各試験片が有する粒子痕を計数した。なお、粒子痕はインバー圧延シートあるいはインバーシートから金属酸化物の粒子が脱離した痕跡であり、各試験片では、第１粒子痕および第２粒子痕の少なくとも一方が認められた。粒子痕を計数した結果は、以下の表２に示す通りであった。
　図１９が示すように、第１粒子痕は試験片の表面と対向する平面視において略円状の領域を区画し、半球状を有した窪みである。第１粒子痕の径は、３μｍ以上５μｍ以下であることが認められた。
　これに対して、図２０が示すように、第２粒子痕は試験片の表面と対向する平面視において略楕円状の領域を区画し、楕円錘状を有した窪みである。第２粒子痕の長径は、３μｍ以上５μｍ以下であることが認められた。
　第１粒子痕と第２粒子痕とを撮影したとき、走査電子顕微鏡において、倍率を５０００倍に設定し、加速電圧を１０．０ｋＶに設定し、作動距離を９．７ｍｍに設定した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　表２が示すように、試験例５では、試験片１が１個の第１粒子痕を有することが認められ、試験片２および試験片３はいずれも粒子痕を有しないことが認められた。すなわち、試験例５において、第１粒子痕の合計が１個であり、第２粒子痕の合計が０個であることが認められた。
　試験例６では、試験片１が４個の第１粒子痕と１個の第２粒子痕とを有し、試験片２が９個の第１粒子痕を有し、試験例３が８個の第１粒子痕と２個の第２粒子痕とを有することが認められた。すなわち、試験例６において、第１粒子痕の合計が２１個であり、第２粒子痕の合計が３個であることが認められた。
　試験例７では、試験片１が５個の第１粒子痕と１個の第２粒子痕とを有し、試験片２が６個の第１粒子痕と１個の第２粒子痕とを有し、試験片３が５個の第１粒子痕と２個の第２粒子痕とを有することが認められた。すなわち、試験例７において、第１粒子痕の合計が１６個であり、第２粒子痕の合計が４個であることが認められた。
　試験例８では、試験片１が５個の第１粒子痕を有し、試験片２が２個の第１粒子痕を有し、試験片３が６個の第１粒子痕と１個の第２粒子痕を有することが認められた。すなわち、試験例８において、第１粒子痕の合計が１３個であり、第２粒子痕の合計が１個であることが認められた。
　試験例９では、試験片１が４個の第１粒子痕を有し、試験片２が５個の第１粒子痕を有し、試験片３が５個の第１粒子痕を有する一方で、試験片１から試験片３の全てが第２粒子痕を有しないことが認められた。すなわち、試験例９では、第１粒子痕の合計が１４個であることが認められた。
　また、複数の第２粒子痕を有する試験例６および試験例７では、各第２粒子痕における長径方向が揃い、かつ、長径方向はインバーシートを形成するためのインバー圧延シートの圧延方向と平行であることが認められた。
　このように、インバー圧延シートの表面を１６μｍ以上エッチングすれば、インバーシートのレジスト用処理面から第２粒子痕を除くことが可能であることが認められた。また、インバー圧延シートの表面を１０μｍ以上エッチングすることによって、第１粒子痕の数を減らすことができることが認められ、インバー圧延シートの表面を１５μｍ以上エッチングすることによって、第１粒子痕の数をさらに減らすことができることが認められた。
　こうした結果から、インバー圧延シートの表面を１０μｍ以上エッチングすることによって、より好ましくは１５μｍ以上エッチングすることによって、インバー圧延シート内の金属酸化物の粒子を減らすことが可能であると言える。そのため、メタルマスク用基材のエッチングによって形成される貫通孔の形状の精度に対して金属酸化物の脱離が影響することを抑える上では、インバー圧延シートの表面を１０μｍ以上エッチングすること、より好ましくは１５μｍ以上エッチングすることが有効であると言える。
　以上説明したように、メタルマスク用基材の製造方法、蒸着用メタルマスクの製造方法、メタルマスク用基材、および、蒸着用メタルマスクの１つの実施形態によれば、以下に列挙する効果を得ることができる。
　（１）インバーシート１１の有する厚さが１０μｍ以下であるため、インバーシート１１に形成されるマスク開口の深さを１０μｍ以下とすることが可能である。それゆえに、蒸着粒子から成膜対象を見たときに蒸着用メタルマスク５１の陰となる部分を少なくすること、すなわち、シャドウ効果を抑えることが可能であるため、マスク開口の形状に追従した形状を成膜対象に得ること、ひいては、蒸着用メタルマスク５１を用いた成膜の高精細化を図ることが可能である。
　そのうえ、インバーシート１１にマスク開口を形成する際に、レジスト層２２とインバーシート１１との密着性を粗化前よりも高めることが可能である。そして、レジスト層２２がインバーシート１１から剥がれることなどに起因した形状精度の低下を、マスク開口の形成において抑えることが可能であるから、この点においても、蒸着用メタルマスク５１を用いた成膜の高精細化を図ることが可能である。
　（２）インバー圧延シート２１の表面２１ａから形成されたレジスト用処理面であれ、インバー圧延シート２１の裏面２１ｂから形成されたレジスト用処理面２１ｃであれ、いずれのレジスト用処理面に対してもレジスト層２２を形成することが可能である。そのため、レジスト層２２を形成する対象の面を誤ることによってレジスト層２２とメタルマスク用基材１０との密着性が得られにくくなることを抑えることが可能であって、ひいては、蒸着用メタルマスク５１の製造に際しての歩留まりが低下することを抑えることが可能でもある。
　（３）インバーシート１１の搬送や、インバーシート１１に対する後処理において、インバーシート１１の厚さが１０μｍ以下であることによるインバーシート１１の脆弱性に起因したインバーシート１１の取り扱いにおける煩わしさを減らすことができる。
　（４）インバーシート１１から支持層１２を物理的に引きはがす場合と比べて、インバーシート１１に外力が作用しないため、インバーシート１１に皺や歪みが生じることが抑えられる。
　なお、上述した実施形態は、以下のように適宜変更して実施することもできる。
　・支持層１２は、インバーシート１１から物理的に剥がされてもよい。すなわち、支持層１２とインバーシート１１の界面において剥離が生じるように、支持層１２とインバーシート１１との少なくとも一方に外力が加えられてもよい。こうした構成であっても、レジスト用処理面の表面粗さＲｚが０．２μｍ以上となるように粗し、かつ、エッチング後のインバー圧延シート２１における厚さが１０μｍ以下となるようにインバー圧延シート２１をエッチングすれば、上述した（１）と同等の効果を得ることはできる。
　ただし、上述したように、インバーシート１１の皺や歪みを抑える上では、支持層１２は、アルカリ溶液によって、メタルマスク用基材１０から化学的に除去することが好ましい。
　・インバー圧延シート２１の表面２１ａと裏面２１ｂとのエッチングにおいて、裏面２１ｂが表面２１ａよりも先にエッチングされてもよいし、表面２１ａと裏面２１ｂとが同時にエッチングされてもよい。表面２１ａと裏面２１ｂとがエッチングされる順番に関わらず、レジスト用処理面の表面粗さＲｚが０．２μｍ以上となるように粗し、かつ、エッチング後のインバー圧延シート２１における厚さが１０μｍ以下となるようにインバー圧延シート２１をエッチングすれば、上述した（１）と同等の効果を得ることはできる。
　・インバー圧延シート２１における処理対象は、インバー圧延シート２１の表面２１ａのみであってもよいし、裏面２１ｂのみであってもよい。こうした構成であっても、レジスト用処理面の表面粗さＲｚが０．２μｍ以上となるように粗し、かつ、エッチング後のインバー圧延シート２１における厚さが１０μｍ以下となるようにインバー圧延シート２１をエッチングすれば、上述した（１）と同等の効果を得ることはできる。
　・インバー圧延シート２１において、処理対象が表面２１ａのみであるときには、表面２１ａのエッチング前に、裏面２１ｂに支持層１２を積層し、インバー圧延シート２１と支持層１２とが積み重なる状態で表面２１ａをエッチングすることが好ましい。また、処理対象が裏面２１ｂのみであるときには、裏面２１ｂのエッチング前に、表面２１ａに支持層１２を形成し、インバー圧延シート２１と支持層１２とが積み重なる状態で裏面２１ｂをエッチングすることが好ましい。こうした構成によっても、上述した（３）と同等の効果を得ることはできる。
　・インバー圧延シート２１における処理対象のエッチングは、処理対象が表面２１ａおよび裏面２１ｂのいずれか一方であれ、表面２１ａおよび裏面２１ｂの両方であれ、インバー圧延シート２１に対して支持層１２が形成されない状態で行われてもよい。こうした構成であっても、レジスト用処理面の表面粗さＲｚが０．２μｍ以上となるように粗し、かつ、エッチング後のインバー圧延シート２１における厚さが１０μｍ以下となるようにインバー圧延シート２１をエッチングすれば、上述した（１）と同等の効果を得ることはできる。
　この場合には、メタルマスク用基材は、支持層１２を有しない構成、すなわち、インバーシート１１のみを備える構成であってもよい。あるいは、インバー圧延シート２１からインバーシート１１を得た後に、インバーシート１１の１つの面に対して支持層１２を積層することによって、インバーシート１１と支持層１２との積層体であるメタルマスク用基材を得てもよい。
　・図２１が示すように、支持層１２の形成材料がポリイミドであれば、メタルマスク用基材１０から支持層１２を除去するとき、支持層１２のうち、メタルマスク用基材１０の厚さ方向において、インバーシート１１が有する貫通孔１１ｃと重なる部分のみをインバーシート１１から除去してもよい。言い換えれば、メタルマスク用基材１０から支持層１２を除去するとき、インバーシート１１の裏面１１ｂと対向する平面視において、支持層１２のうち、支持層１２の縁部であって、全ての貫通孔１１ｃよりも外側に位置する部分以外の部分のみを除去してもよい。
　こうした構成では、蒸着用メタルマスク６１は、インバーシート１１と、矩形枠状を有したポリイミド枠１２ａとから構成される。インバーシート１１は、複数の貫通孔１１ｃを有し、ポリイミド枠１２ａは、インバーシート１１の裏面１１ｂと対向する平面視において、矩形枠状を有し、全ての貫通孔１１ｃを取り囲んでいる。
　蒸着用メタルマスク６１が備えるポリイミド枠１２ａは、蒸着用メタルマスク６１がフレーム５２に取り付けられるとき、接着層として機能し得る。そのため、蒸着用メタルマスク６１のうち、ポリイミド枠１２ａがフレーム５２に接する状態で、蒸着用メタルマスク６１がフレーム５２に取り付けられる。
　・図２２が示すように、支持層１２の形成材料がポリイミドであれば、支持層１２はメタルマスク用基材１０から除去されなくてもよい。こうした構成では、蒸着用メタルマスク６２は、フレーム５２に貼り付けられた時点において、複数の貫通孔１１ｃを有したインバーシート１１と、インバーシート１１の裏面１１ｂの全体と重なる支持層１２とから構成される。
　蒸着用メタルマスク６２が備える支持層１２は、上述したポリイミド枠１２ａと同様、蒸着用メタルマスク６２がフレーム５２に取り付けられるとき、接着層として機能し得る。そのため、蒸着用メタルマスク６２のうち、支持層１２がフレーム５２に接する状態で、蒸着用メタルマスク６２がフレーム５２に取り付けられる。
　なお、こうした蒸着用メタルマスク６２では、蒸着用メタルマスク６２がフレーム５２に取り付けられた後に、支持層１２のうち、メタルマスク用基材１０の厚さ方向において、インバーシート１１が有する貫通孔１１ｃと重なる部分のみをインバーシート１１から除去すればよい。言い換えれば、インバーシート１１の裏面１１ｂと対向する平面視において、支持層１２のうち、支持層１２の縁部であって、全ての貫通孔１１ｃよりも外側に位置する部分以外の部分のみを除去すればよい。
　・図２３は、インバーシートの平面構造であって、インバー圧延シート２１における処理対象のエッチングによって得られるレジスト用処理面と対向する平面視における平面構造を示している。なお、図２３では、第１粒子痕および第２粒子痕とレジスト用処理面におけるそれ以外の部分との区別を明確にするために、第１粒子痕および第２粒子痕にドットを付している。
　図２３が示すように、インバー圧延シート２１の処理対象がエッチングされる厚さが３μｍ以上１０μｍ以下であれば、インバーシート７１のレジスト用処理面７１ａは、複数の第１粒子痕７２と複数の第２粒子痕７３とを有している。各第１粒子痕７２は半球状を有した窪みであり、第１粒子痕７２の直径である第１径Ｄ１は、３μｍ以上５μｍ以下である。
　各第２粒子痕７３は楕円錘状を有した窪みであり、第２粒子痕７３の長径である第２径Ｄ２は、３μｍ以上５μｍ以下であり、各第２粒子痕７３における長径方向が揃っている。各第２粒子痕７３における長径方向は、インバーシート７１の圧延方向と平行な方向である。
　インバーシート７１は通常圧延によって製造されるため、インバーシート７１の製造過程で添加される脱酸剤などの酸化物から構成される粒子がインバーシート７１に混入することが少なくない。インバーシート７１の表面に混入している粒子の一部は、インバーシート７１の圧延方向に延ばされ、圧延方向に長径を有する楕円錘状を有する。レジスト用処理面７１ａの中でマスク開口が形成される部位にこのような粒子が残存していると、マスク開口を形成するためのエッチングが粒子によって妨げられるおそれがある。
　この点、上述した構成によれば、以下の効果を得ることができる。
　（５）レジスト用処理面７１ａから上述した粒子が既に取り除かれているために、レジスト用処理面７１ａは、長径方向が揃った楕円錘状の複数の第２粒子痕７３を有する。そのため、マスク開口の形成時には、インバーシート７１の中に粒子が残存している場合と比べて、マスク開口の形状や寸法の精度を高めることが可能でもある。
　・金属圧延シートの形成材料、ひいては、メタルマスクシートおよび金属シートの形成材料は、純粋な金属、あるいは、合金であれば、インバー以外の材料であってもよい。
　・蒸着用メタルマスク５１の製造方法における各工程は、予め１つの蒸着用メタルマスク５１に対応する大きさに切断されたインバー圧延シート片に対して行われてもよい。こうした場合には、インバー圧延シート片に相当するインバーシート片からレジストマスクと支持層とが除去されることによって蒸着用マスクが得られる。
　あるいは、メタルマスク用基材１０の製造方法における各工程は、複数の蒸着用メタルマスク５１に対応する大きさを有するインバー圧延シート２１に対して行われる一方で、得られたメタルマスク用基材１０を１つの蒸着用メタルマスク５１に対応する大きさを有したメタルマスク用基材片に切断してもよい。そして、レジスト層を形成すること、レジストマスクを形成すること、インバーシートをエッチングすること、および、支持層を除去することをメタルマスク用基材片に対して行ってもよい。
　・蒸着用メタルマスク５１は、表面５１ａと対向する平面視において、矩形状以外の形状であって、例えば、正方形状を有してもよいし、四角形状以外の多角形状などの形状を有してもよい。
　・蒸着用メタルマスク５１の各貫通孔５１ｃのうち、表面５１ａにおける開口、および、裏面５１ｂにおける開口の各々は、例えば、正方形状および円形状などの矩形状以外の形状を有してもよい。
　・表面５１ａと対向する平面視において、上述した１つの方向が第１方向であり、第１方向と直交する方向が第２方向であるとき、複数の貫通孔５１ｃは、以下のように並んでいてもよい。すなわち、第１方向に沿う複数の貫通孔５１ｃが、１つの行を構成し、第１方向において、複数の貫通孔５１ｃは、所定のピッチで形成されている。そして、各行を構成する複数の貫通孔５１ｃにおいて、第１方向における位置が１行おきに互いに重なる。一方で、第２方向において互いに隣り合う行では、一方の行を構成する複数の貫通孔５１ｃにおける第１方向での位置に対して、他方の行を構成する複数の貫通孔５１ｃにおける第１方向での位置が、１／２ピッチ程度ずれている。言い換えれば、複数の貫通孔５１ｃは千鳥状に並んでいてもよい。
　要は、蒸着用メタルマスク５１において、複数の貫通孔５１ｃは、蒸着用メタルマスク５１を用いて形成される有機層の配置に対応するように並んでいればよい。なお、実施形態では、複数の貫通孔５１ｃは、有機ＥＬデバイスにおける格子配列に対応するように並ぶ一方で、上述した変形例における複数の貫通孔５１ｃは、有機ＥＬデバイスにおけるデルタ配列に対応するように並んでいる。
　・表面５１ａと対向する平面視において、上述した１つの方向が第１方向であり、第１方向と直交する方向が第２方向であるとき、上述した実施形態では、各貫通孔５１ｃは、第１方向において隣り合う他の貫通孔５１ｃ、および、第２方向において隣り合う他の貫通孔５１ｃから離れている。これに限らず、各貫通孔５１ｃの表面５１ａにおける開口が、第１方向において互いに隣り合う他の貫通孔５１ｃの表面５１ａにおける開口と連なっていてもよいし、第２方向において互いに隣り合う貫通孔５１ｃの表面５１ａにおける開口と連なっていてもよい。あるいは、各貫通孔５１ｃの表面５１ａにおける開口は、第１方向と第２方向との双方において、互いに隣り合う他の貫通孔５１ｃの表面５１ａにおける開口と連なっていてもよい。こうした蒸着用メタルマスクでは、２つの貫通孔５１ｃが連なる部分における厚さが、蒸着用メタルマスクの外縁であって、貫通孔５１ｃが位置しない部分、すなわち、貫通孔５１ｃを形成する工程においてエッチングされていない部分の厚さよりも薄くてもよい。
　・蒸着用メタルマスクは、有機ＥＬデバイスの有機層を形成する際に用いられる蒸着用メタルマスクに限らず、有機ＥＬデバイス以外の表示デバイスなどの各種デバイスが備える配線の形成や、各種デバイスが備える機能層などを形成する際に用いられる蒸着用メタルマスクであってもよい。
　１０…メタルマスク用基材、１１，３１，７１…インバーシート、１１ａ，２１ａ，３１ａ，４１ａ，５１ａ…表面、１１ｂ，２１ｂ，３１ｂ，４１ｂ，５１ｂ…裏面、１１ｃ，２３ａ，３１ｅ，４１ｃ，５１ｃ…貫通孔、１２…支持層、１２ａ…ポリイミド枠、２１…インバー圧延シート、２１ｃ，７１ａ…レジスト用処理面、２２…レジスト層、２３…レジストマスク、３１ｃ…第１孔、３１ｄ…第２孔、４１…蒸着用メタルマスクシート、５１，６１，６２…蒸着用メタルマスク、５２…フレーム、５３…接着層、７２…第１粒子痕、７３…第２粒子痕、Ｃ…中央部分、Ｓ１…第１表層部分、Ｓ２…第２表層部分。

Claims (10)

  1. 　表面と、前記表面とは反対側の面である裏面とを備える金属圧延シートであって、前記表面および前記裏面の少なくとも一方が処理対象である前記金属圧延シートを準備することと、
    　前記処理対象を酸性エッチング液によって３μｍ以上エッチングすることによって、前記金属圧延シートが有する厚さを１０μｍ以下まで薄くするとともに、０．２μｍ以上の表面粗さＲｚを有したレジスト用処理面となるように前記処理対象を粗らし、それによって、金属製のメタルマスク用シートを得ることと、を含む
    　メタルマスク用基材の製造方法。
  2. 　前記処理対象は、前記表面および前記裏面の両方である
    　請求項１に記載のメタルマスク用基材の製造方法。
  3. 　前記処理対象は、前記表面および前記裏面のいずれか一方であり、
    　前記製造方法は、前記処理対象とは反対側の面に樹脂製の支持層を積層することをさらに含み、
    　前記金属圧延シートと前記支持層とが積み重なる状態で前記処理対象がエッチングされ、それによって、前記メタルマスク用シートと前記支持層とが積層されたメタルマスク用基材を得る
    　請求項１に記載のメタルマスク用基材の製造方法。
  4. 　前記エッチングすることは、前記表面および前記裏面の一方である第１処理対象をエッチングすることと、その後に、前記表面および前記裏面の他方である第２処理対象をエッチングすることと、を含み、
    　前記製造方法は、前記第１処理対象をエッチングした後、前記第１処理対象のエッチングによって得られた前記レジスト用処理面に樹脂製の支持層を積層することをさらに含み、
    　前記金属圧延シートと前記支持層とが積み重なる状態で前記第２処理対象がエッチングされ、それによって、前記メタルマスク用シートと前記支持層とが積層されたメタルマスク用基材を得る
    　請求項２に記載のメタルマスク用基材の製造方法。
  5. 　前記金属圧延シートがインバー圧延シートであり、
    　前記メタルマスク用シートがインバー製である
    　請求項１から４のいずれか一項に記載のメタルマスク用基材の製造方法。
  6. 　少なくとも１つのレジスト用処理面を備えるメタルマスク用基材を形成することと、
    　１つの前記レジスト用処理面にレジスト層を形成することと、
    　前記レジスト層をパターニングすることによってレジストマスクを形成することと、
    　前記レジストマスクを用いて前記メタルマスク用基材をエッチングすることと、を含み、
    　請求項１から５のいずれか一項に記載のメタルマスク用基材の製造方法を用いて、前記メタルマスク用基材を形成する
    　蒸着用メタルマスクの製造方法。
  7. 　前記メタルマスク用基材は、前記メタルマスク用シートと樹脂製の支持層との積層体を含み、
    　前記レジストマスクが形成された後の前記メタルマスク用基材をアルカリ溶液に曝すことによって前記メタルマスク用基材から前記支持層を化学的に除去することをさらに含む
    　請求項６に記載の蒸着用メタルマスクの製造方法。
  8. 　表面と、前記表面とは反対側の面である裏面とを備える金属シートを含み、
    　前記表面および前記裏面の少なくとも一方がレジスト用処理面であり、
    　前記金属シートが有する厚さが１０μｍ以下であり、
    　前記レジスト用処理面の表面粗さＲｚが０．２μｍ以上である
    　メタルマスク用基材。
  9. 　前記レジスト用処理面は、楕円錘状を有した複数の窪みである粒子痕を有し、前記各粒子痕における長径方向が揃っている
    　請求項８に記載のメタルマスク用基材。
  10. 　メタルマスク用基材を含み、
    　前記メタルマスク用基材が、請求項８または９に記載のメタルマスク用基材であり、
    　前記メタルマスク用基材に含まれる前記金属シートが、前記表面と前記裏面との間を貫通する複数の貫通孔を有する
    　蒸着用メタルマスク。
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