CN105803388B - 蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法 - Google Patents

蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105803388B
CN105803388B CN201610206232.1A CN201610206232A CN105803388B CN 105803388 B CN105803388 B CN 105803388B CN 201610206232 A CN201610206232 A CN 201610206232A CN 105803388 B CN105803388 B CN 105803388B
Authority
CN
China
Prior art keywords
mask
resin
manufacturing
metallic plate
metal mask
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610206232.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105803388A (zh
Inventor
武田利彦
西村佑行
小幡胜也
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Publication of CN105803388A publication Critical patent/CN105803388A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105803388B publication Critical patent/CN105803388B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B12/00—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area
    • B05B12/16—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area for controlling the spray area
    • B05B12/20—Masking elements, i.e. elements defining uncoated areas on an object to be coated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/02—Local etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/12—Gaseous compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
    • G03F7/2063—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam for the production of exposure masks or reticles
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • H10K71/233—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers by photolithographic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • H10K71/421—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour using coherent electromagnetic radiation, e.g. laser annealing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

本发明提供一种即使在大型化的情况下也能够满足高精细化和轻量化二者的蒸镀掩模的制造方法、及可制造高精细的有机半导体元件的有机半导体元件的制造方法。通过如下的工序制造蒸镀掩模，即：准备在金属板的一面设有树脂层的带树脂层的金属板；相对于所述带树脂层的金属板的金属板，通过形成仅贯通该金属板的缝隙而形成带树脂层的金属掩模；然后，从所述金属掩模侧照射激光，在所述树脂层上纵横地形成多列与要蒸镀制作的图案对应的开口部，从而形成树脂掩模。

Description

蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法
本申请是申请人为大日本印刷株式会社、申请日为2013年01月11日，申请号为201380005299.3、发明名称为蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法的中国专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法。
背景技术
以往，在有机电致发光元件的制造中，在形成有机电致发光元件的有机层或阴极电极时，例如使用有在应蒸镀的区域以微小间隔平行地配列多个细微的缝隙而形成的由金属构成的蒸镀掩模。在使用该蒸镀掩模的情况下，在应蒸镀的基板表面载置蒸镀掩模，使用磁铁从背面进行保持，但由于缝隙的刚性极小，故而在将蒸镀掩模保持于基板表面时，容易在缝隙产生变形，成为高精细化或缝隙长度变大的产品大型化的阻碍。
对于用于防止缝隙的变形的蒸镀掩模进行了各种检讨，例如在专利文献1中提出有如下的蒸镀掩模，其具备：兼具具备多个开口部的第一金属掩模的底板；在覆盖所述开口部的区域具备多个细微缝隙的第二金属掩模；以将第二金属掩模在缝隙的长度方向上拉伸的状态使第二金属掩模位于底板上的掩模拉伸保持装置。即，提出有将两种金属掩模组合的蒸镀掩模。根据该蒸镀掩模，在缝隙不会产生变形，能够确保缝隙精度。
但最近，伴随着使用有机电致发光元件的产品的大型化或基板尺寸的大型化，对于蒸镀掩模的大型化的要求越来越高，用于由金属构成的蒸镀掩模的制造的金属板也大型化。但是，在目前的金属加工技术中，难以在大型金属板上精度良好地形成缝隙，虽然例如通过上述专利文献1提出的方法等可防止缝隙部的变形，但也无法应对缝隙的高精细化。另外，在形成为仅由金属构成的蒸镀掩模的情况下，伴随着大型化，其质量也增大，包含框体在内的总质量也增大，故而对处理造成阻碍。
专利文献1：(日本)特开2003－332057号公报
发明内容
本发明是鉴于上述这样的状况而设立的，其主要课题在于提供即使在大型化的情况下也能够满足高精细化和轻量化二者的蒸镀掩模的制造方法、及可精度良好地制造有机半导体元件的有机半导体元件的制造方法。
为了解决上述课题，本发明的蒸镀掩模的制造方法，为将设有缝隙的金属掩模、和位于所述金属掩模的表面且纵横地配置有多列与要蒸镀制作的图案相对应的开口部层积而构成的蒸镀掩模的制造方法，其中，具备如下的工序：准备在金属板的一面设有树脂层的带树脂层的金属板；在所述带树脂层的金属板的金属板上，通过形成仅贯通该金属板的缝隙而形成带树脂层的金属掩模；然后，从所述金属掩模侧照射激光，在所述树脂层上纵横地形成多列与要蒸镀制作的图案对应的开口部，从而形成树脂掩模。
在上述方面的蒸镀掩模的制造方法中，形成所述带树脂层的金属掩模的工序为如下的工序，即，将抗蚀剂材料涂敷在所述带树脂层的金属板的未设有树脂层的面上，使用形成有缝隙图案的掩模遮蔽该抗蚀剂材料并进行曝光、显影，从而形成抗蚀剂图案，将该抗蚀剂图案用作耐蚀刻掩模，对金属板进行蚀刻加工，在蚀刻结束后将所述抗蚀剂图案洗净除去。
另外，在上述方面的蒸镀掩模的制造方法中，也可以不将所述抗蚀剂图案洗净除去而直接残留。
另外，也可以还具备在形成所述带树脂层的金属掩模的工序中得到带树脂层的金属掩模之后，将该带树脂层的金属掩模固定在含有金属的框体上的工序，在将所述带树脂层的金属掩模固定在框体上之后，进行形成所述树脂掩模的工序。
另外，为了解决上述课题，本发明的有机半导体元件的制造方法使用由具有上述方面的制造方法制造的蒸镀掩模。
根据本发明的蒸镀掩模的制造方法，能够成品率良好地制造即使在大型化的情况下也能够满足高精细化和轻量化二者的蒸镀掩模。另外，根据本发明的有机半导体元件的制造方法，能够精度良好地制造有机半导体元件。
附图说明
图l(a)～(e)是用于说明本发明的蒸镀掩模的第一制造方法的工序图；
图2(a)～(e)是用于说明本发明的蒸镀掩模的第二制造方法的工序图；
图3(a)是由上述第一制造方法制造的蒸镀掩模的从金属掩模侧观察到的正面图，(b)是由上述第一制造方法制造的蒸镀掩模100的放大剖面图；
图4是由第二制造方法制造的蒸镀掩模的放大剖面图；
图5(a)、(b)是由本发明的制造方法制造的蒸镀掩模的从金属掩模侧观察到的正面图；
图6(a)～(c)是表示阴影和金属掩模的厚度的关系的概略剖面图；
图7(a)～(d)是表示金属掩模的缝隙和树脂掩模的开口部的关系的部分概略剖面图；
图8是表示金属掩模的缝隙和树脂掩模的开口部的关系的部分概略剖面图。
标记说明
100：蒸镀掩模
10、66：金属掩模
15：缝隙
18：桥接器
20、70：树脂掩模
25：开口部
60：带树脂层的金属板
61：金属板
62：抗蚀剂材料
64：抗蚀剂图案
67：树脂层
68：带树脂层的金属掩模
80：蒸镀掩模
具体实施方式
以下，使用附图对本发明的蒸镀掩模的制造方法进行具体说明。在以下的说明中，首先以工序为中心进行说明，对于材质等的说明是在对由该制造方法制造的蒸镀掩模进行说明时一并进行的。
(第一制造方法)
图1是用于说明本发明的蒸镀掩模的第一制造方法的工序图。图1(a)～(e)均为剖面图。
如图1(a)所示，准备在金属板61的一面设有树脂层67的带树脂层的金属板60。在此，对于带树脂层的金属板60的准备方法没有特别限定，既可以购入市场上销售的带树脂层的金属板60，也可以通过在金属板的表面设置树脂层而形成为带树脂层的金属板60。作为在金属板的表面设置树脂层的方法，例如通过在金属板涂敷含有成为树脂层的树脂的涂敷液并进行干燥，从而能够得到带树脂层的金属板60。也可以取代该方法而在金属板上贴合树脂板而得到带树脂层的金属板。作为金属板和树脂板的贴合方法，既可使用例如各种粘着剂，也可使用具有自粘性的树脂板。另外，已知有由于树脂在形成后的一定期间产生经时变化，故而需要在直至形状稳定之前设置所谓的老化期间。市场上销售的带树脂层的金属板60由于认为经过了所谓的老化期间，故而从成品率的观点来看，优选使用市场上销售的带树脂层的金属板。
接着，在所述带树脂层的金属板60的金属板61上，通过形成仅贯通该金属板的缝隙而形成带树脂层的金属掩模68。本方法中的该工序未作特别限定，只要能够仅在金属掩模上形成所希望的缝隙，任何工序均可。在本申请说明书所指的带树脂层的金属掩模68意味着在上述带树脂层的金属板60的金属板上形成有缝隙的构成。
图1(b)～(d)表示形成带树脂层的金属掩模68的工序之一例。如图1(b)所示，在所述带树脂层的金属板60的未设有树脂层67的面上涂敷抗蚀剂材料62，使用形成有缝隙图案的掩模63遮蔽该抗蚀剂材料并进行曝光、显影。由此，如图1(c)所示，在金属板67的表面形成抗蚀剂图案64。而且，将该抗蚀剂图案64用作耐蚀刻掩模，仅对金属板60进行蚀刻加工，在蚀刻结束后，将上述抗蚀剂图案洗净除去。由此，如图1(d)所示，能够得到仅在金属板67形成有缝隙65的金属掩模66(带树脂层的金属掩模68)。
对抗蚀剂材料的遮蔽方法没有特别限定，既可以如图1(b)所示地仅在带树脂层的金属板60的未设有树脂层67的面侧涂敷抗蚀剂材料62，也可以在带树脂层的金属板60的两面涂敷抗蚀剂材料62(未图示)。另外，也能够使用在带树脂层的金属板60的未设有树脂层67的面，或者带树脂层的金属板60的两面贴合干膜抗蚀剂的干膜法。对于抗蚀剂材料62的涂敷法没有特别限定，在仅于带树脂层的金属板60的未设有树脂层67的面侧涂敷抗蚀剂材料62的情况下，能够使用旋涂法或喷涂法。另一方面，在使用长条片状的带树脂层的金属板60的情况下，使用能够以卷对卷方式涂敷抗蚀剂材料的浸涂法等为好。另外，在浸涂法中，在带树脂层的金属板60的两面涂敷抗蚀剂材料62。
另外，作为抗蚀剂材料，优选使用处理性良好且具有所希望的解析度的材料。另外，对于在蚀刻加工时使用的蚀刻材料无特别限定，适当选择公知的蚀刻材料即可。
对于金属板60的蚀刻法并无特别限定，例如可使用从喷射喷嘴以规定的喷雾压力将蚀刻材料喷雾的喷雾蚀刻法、浸溃在填充有蚀刻材料的蚀刻液中的浸渍蚀刻法、将蚀刻材料滴下的旋转蚀刻法等湿式蚀刻法，或利用气体、等离子体等的干式蚀刻法。
接着，从带树脂层的金属板68的金属掩模66侧通过缝隙65而照射激光，在所述树脂层67上纵横地形成多列(2列以上)与要蒸镀制作的图案对应的开口部69，形成树脂掩模70。对于在此使用的激光装置没有特别限定，使用以往公知的激光装置即可。由此，可得到图1(e)所示那样的蒸镀掩模80。另外，在本申请说明书中，要蒸镀制作的图案是指要使用该蒸镀掩模制作的图案，例如，在将该蒸镀掩模用于有机电致发光元件的有机层的形成的情况下，为该有机层的形状。以下，对于其它实施方式的制造方法也是同样的。
(第二制造方法)
图2是用于说明本发明的蒸镀掩模的第二制造方法的工序图。另外，图2(a)～(e)均为剖面图。
在图1所示的第一制造方法中，将在形成金属掩模66时作为蚀刻掩模而使用的蚀刻图案64除去，但也可以不将其除去，而如图2(d)及图2(e)所示地使其直接残留。对于其它工序、即图2(a)～(c)，由于与图1的(a)～(c)相同，故而在此省略说明。
另外，在上述第一及第二制造方法中，也可以在形成金属掩模66(带树脂层的金属掩模68)之后，即在图1及图2(d)与(e)之间，在含有金属的框体上固定带树脂层的金属掩模68。如此，在形成对应于最终蒸镀制作的图案形状的树脂掩模70的开口部之前的阶段固定于框体上，由此，能够使在将蒸镀掩模固定于框体时产生的安装误差为零。在以往公知的方法中，由于将决定了开口的金属掩模相对于框体一边拉伸一边进行固定，故而开口位置坐标精度降低。
另外，通过激光加工法在固定于框体的状态的带树脂层的金属掩模68的树脂层上设置开口部69时，也可以准备预先设有要蒸镀制作的图案、即与应形成的开口部69对应的图案的基准板，以将该基准板贴合在带树脂层的金属掩模68的未设有金属掩模66侧的面上的状态，从金属掩模66侧进行对应于基准板的图案的激光照射。根据该方法，能够在一边观察与带树脂层的金属掩模68贴合的基准板的图案一边进行激光照射的所谓彼此相对(向こう合わせ)的状态下，在树脂层68形成开口部69，能够形成具有开口的尺寸精度极高的高精细的开口部69的树脂掩模70。另外，该方法由于在固定于框体的状态下进行开口部69的形成，故而能够形成为不仅尺寸精确高且位置精度也优良的蒸镀掩模。
另外，在使用上述方法的情况下，需要能够由激光照射装置等从金属掩模66侧经由树脂层67辨识基准板的图案。作为树脂层67，需要使用在具有一定厚度时具有透明性的构成，但如后述，在形成为考虑了阴影的影响的优选厚度、例如3μm～25μm左右的厚度的情况下，即使是着色的树脂层，也能够识别基准板的图案。
对于树脂层和基准板的贴合方法没有特别限定，例如，在金属掩模66为磁性体的情况下，在基准板的后方配置磁铁等，可通过吸引树脂层67和基准板而将其贴合。除此之外，也能够使用静电吸附法等进行贴合。作为基准板，可列举例如具有规定图案的TFT基板或光致掩模等。
根据这样的本发明的第一及第二制造方法，即使均为大型化的情况下，也能够成品率良好地制造可满足高精细化和轻量化二者的蒸镀掩模。另外，根据本发明的一实施方式，可使框体和蒸镀掩模100的位置精度提高。另外，通过使用基准板形成开口部69，能够尺寸精度极好地形成开口部69。
具体地，在本发明的制造方法中，制造层积有树脂掩模70和金属掩模66的蒸镀掩模100。在此，在假定蒸镀掩模整体的厚度相同的前提下，对由本发明的制造方法制造的蒸镀掩模100的质量和仅由以往公知的金属构成的蒸镀掩模的质量进行比较，本发明的蒸镀掩模100的质量减轻了将以往公知的蒸镀掩模的金属材料的一部分置换成树脂材料的量。另外，使用仅由金属构成的蒸镀掩模，为了谋求轻量化，需要减薄该蒸镀掩模的厚度，但在将蒸镀掩模的厚度减薄的情况下，在将蒸镀掩模大型化时，引起在蒸镀掩模产生变形的情况，或耐久性下降的情况。另一方面，根据本发明的蒸镀掩模，即使在大型化时发生变形，或为了满足耐久性而将蒸镀掩模整体的厚度增厚的情况下，由于树脂掩模70的存在，也能够实现比仅由金属形成的蒸馒掩模更轻量化。
另外，在本发明的制造方法中，与金属材料相比较，通过向能够形成高精细开口的树脂层67照射激光而可得到树脂掩模70，故而能够制作具有高精细的开口部69的蒸镀掩模100。
(减薄工序)
另外，在本发明的制造方法中，也可以在上述说明的工序间，或者工序后进行减薄工序。该工序是本发明的制造方法的任意的工序，是将金属掩模66的厚度或树脂掩模70的厚度最佳化的工序。作为金属掩模66或树脂掩模70的优选厚度，在后述的优选范围内适当设定即可，在此省略详细的说明。
例如，在作为带树脂层的金属板60使用具有一定厚度的构成的情况下，在制造工序中，在搬送带树脂层的金属板60或带树脂层的金属掩模68时，在搬送由上述制造方法制造的蒸镀掩模100时可赋予优良的耐久性或搬送性。另一方面，为了防止阴影的发生等，优选由本发明的制造方法得到的蒸镀掩模100的厚度为最佳厚度。减薄工序是在制造工序间或工序后，在满足耐久性或搬送性的同时将蒸镀掩模100的厚度最佳化的情况下有用的工序。
成为金属掩模66的金属板61或金属掩模66的减薄、即金属掩模的厚度的最佳化通过在上述说明的工序间或者工序后，通过使用可蚀刻金属板61或金属掩模66的蚀刻材料将金属板61的未与树脂层相接侧的面，或者金属掩模66的未与树脂层67或树脂掩模70相接侧的面蚀刻而能够实现。
对于成为树脂掩模70的树脂层67或树脂掩模70的减薄、即树脂层67、树脂掩模70的厚度的最佳化也是同样的，在上述说明的工序间或者工序后，通过使用可蚀刻树脂层67或树脂掩模70的材料的蚀刻材料将树脂层70的未与金属板61或金属掩模66相接侧的面，或者树脂层70的未与金属掩模66相接侧的面蚀刻而能够实现。另外，在形成了蒸镀掩模100之后，通过将金属掩模66、树脂掩模70双方蚀刻加工，也能够将双方的厚度最佳化。
在减薄工序中，对于用于蚀刻树脂层67或者树脂掩模70的蚀刻材料，根据树脂层67或树脂掩模70的树脂材料适当设定即可，并无特别限定。例如，在作为树脂层67或树脂掩模70的树脂材料使用聚酰亚胺树脂的情况下，作为蚀刻材料，可使用使氢氧化钠或氢氧化钾溶解的碱性水溶液、水合肼等。蚀刻材料也能够直接使用市场上销售的产品，作为聚酰亚胺树脂的蚀刻材料，能够使用东丽工程株式会社制造的TPE3000等。
(由第一制造方法制造的蒸镀掩模)
图3(a)是由上述第一制造方法制造的蒸镀掩模的从金属掩模侧观察到的正面图，图3(b)是由上述第一制造方法制造的蒸镀掩模100的放大剖面图。该图为了强调金属掩模的设置的缝隙及设于蒸镀掩模的开口部，而增大相对于整体的比率进行记载。另外，为了便于说明，在图3～图6所示的方式中，将金属掩模的标记记作10，将树脂掩模的标记记作20，金属掩模10能够直接置换成在上述本发明的制作方法中说明的金属掩模66，另外，树脂掩模20能够直接置换成在上述本发明的制造方法中说明的金属掩模70。
如图3所示，由本发明的第一制造方法制造的蒸镀掩模100采取如下的构成，即，层积有设有缝隙15的金属掩模10、和位置于金属掩模10的表面(在图3(b)所示的情况下为金属掩模10的下面)且纵横地配置有多列与要蒸镀制作的图案对应的开口部25。以下，分别进行具体地说明。
(树脂掩模)
树脂掩模20由树脂构成，如图3所示，在与缝隙15重合的位置纵横地配置有多列与要蒸镀制作的图案对应的开口部25。另外，在本发明中，举例说明了将开口部纵横配置有多列的例子，但开口部25只要设于与缝隙重合的位置即可，在缝隙15在纵向或者横向上仅配置有一列的情况下，只要在与该一列的缝隙15重合的位置设有开口部25即可。
树脂掩模20能够适当选择以往公知的树脂材料进行使用，对该材料没有特别限定，使用可由激光加工等形成高精细的开口部25且热或经时的尺寸变化率或吸湿率小、轻量的材料为好。作为这样的材料，可列举出聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、聚酰胺－酰亚胺树脂、聚酯树脂、聚乙烯树脂、聚乙烯醇树脂、聚丙烯树脂、聚碳酸酯树脂、聚苯乙烯树脂、聚丙烯腈树脂、乙烯－乙酸乙烯酯共聚物树脂、乙烯－乙烯醇共聚物树脂、乙烯－甲基丙烯酸共聚物树脂、聚氯乙烯树脂、聚偏二氯乙烯树脂、赛璐玢、离聚物树脂等。在上述示例的材料中，也优选热膨胀系数为16ppm/℃以下的树脂材料，优选吸湿率为1.0％以下的树脂材料，而具备该二者条件的树脂材料特别优选。因此，图l及图2中的树脂层67由于在将来成为该树脂掩模20，故而使用例如由上述示例的优选的树脂材料构成的树脂层为好。
对于树脂掩模20的厚度没有特别限定，但在使用本发明的蒸镀掩模进行蒸镀时，为了防止在要蒸镀制成的图案产生不充分的蒸镀部分、即成为比希望的蒸镀膜厚薄的膜厚的蒸镀部分、所谓的阴影，使树脂掩模20尽可能地薄为好。但是，在树脂掩模20的厚度不足3μm的情况下，容易产生针孔等缺陷，另外变形等的风险变高。另一方面，若超过25μm，则会产生阴影。考虑该方面，树脂掩模20的厚度为3μm以上且25μm以下为好。通过将树脂掩模20的厚度设置在该范围内，能够降低针孔等缺陷或变形等的风险，并且能够有效果地防止阴影的发生。特别是通过将树脂掩模20的厚度形成在3μm以上且10μm以下，更理想的是4μm以上且8μm以下，能够更加有效地防止形成超过300ppi的高精细图案时的阴影的影响。因此，在图1及图2中的树脂层67由于在将来成为该树脂掩模20，故而优选形成为上述的厚度。另外，树脂层67既可以经由粘着剂层或粘接剂层相对于金属板接合，也可以将树脂层67和金属板直接接合，但在经由粘着剂层或粘接剂层将树脂层和金属板接合的情况下，考虑上述阴影的方面，优选将树脂层67和粘着剂层或树脂层67和粘接剂层的合计厚度设定在3μm以上且25μm以下的范围内。
开口部25的形状、尺寸并无特别限定，只要是对应于要蒸镀制作的图案的形状、尺寸即可。另外，如图2(a)所示，邻接的开口部25的横向的间距P1或纵向的间距P2也能够对应于要蒸镀制作的图案进行适当设定。因此，在图1及图2中通过照射激光而形成开口部时，只要适当设计上述间距P1、P2即可。
对于设置开口部25的位置、开口部25的数量没有特别地跟定，既可以在与缝隙15重合的位置设置一个，也可以在纵向或横向上设置多个(2个以上)。例如，如图5(a)所示，在缝隙沿纵向延伸的情况下，与该缝隙15重合的开口部25也可以在横向上设有两个以上。
对于开口部25的剖面形状也没有特别限定，形成开口部25的树脂掩模的彼此相对的端面彼此可以大致平行，但如图3(b)或图4所示，开口部25优选为其截面形状为具有朝向蒸镀源扩展的形状。换言之，优选具有朝向金属掩模10侧扩展的锥形面。通过将开口部25的截面形状形成为该构成，在使用本发明的蒸镀掩模进行蒸镀时，能够防止在要蒸镀制成的图案上产生阴影的情况。对于锥形角θ，能够考虑树脂掩模20的厚度等而适当设计，但连结在树脂掩模的开口部的下底前端和相同的树脂掩模的开口部的上底前端的角度为25°～65°的范围内为好。特别是，在该范围中，优选为比使用的蒸镀机的蒸镀角度小的角度。另外，在图3(b)或图4中，形成开口部25的端面25a呈直线形状，但并不限定于此，也可以形成向外凸的卷曲形状、即开口部25的整体形状成为碗状。具有这样的截面形状的开口部25能够通过适当调整激光的照射位置及激光的照射能量、或者进行使照射位置阶段地变化的多级(2级以上)激光照射而形成。
另外，在本发明中，由于作为蒸镀掩模100的构成而使用树脂掩模20，故而在使用该蒸镀掩模10进行蒸镀时，对树脂掩模20的开口部25施加非常高的热，会从树脂掩模20的形成开口部25的端面25a(参照图3)产生气体，降低蒸镀装置内的真空度等。因此，考虑该方面，如图3所示，优选在树脂掩模20的形成开口部25的端面25a设有阻挡层26。通过形成阻挡层26，能够防止从树脂掩模20的形成开口部25的端面25a产生气体的情况。
阻挡层26可使用无机氧化物及无机氮化物、金属的薄膜层或蒸镀层。作为无机氧化物，可使用铝或硅、铟、锡、镁的氧化物，作为金属，可使用铝等。阻挡层26的厚度为0.05μm～1μm左右为好。因此，在图l及图2中说明的本发明的制造方法中，也可以在得到蒸镀掩模80之后，进行形成上述那样的阻挡层26的工序。
另外，阻挡层覆盖树脂掩模20的蒸镀源侧表面为好。通过由阻挡层26覆盖树脂掩模20的蒸镀源侧表面而使阻挡性进一步提高。阻挡层在无机氧化物及无机氮化物的情况下优选通过各种PVD法、CVD法形成。在金属的情况下，优选通过真空蒸镀法而形成。另外，在此所说的树脂掩模20的蒸镀源侧表面既可以是树脂掩模20的蒸镀源侧的整个表面，也可以是在树脂掩模20的蒸镀源侧的表面仅从金属掩模露出的部分。
(金属掩模)
金属掩模10由金属构成，从该金属掩模10的正面观察时，在与开口部25重合的位置，换言之，可看到配置于树脂掩模20的全部开口部25的位置配置有多列在纵向或横向上延伸的缝隙15。另外，在图3中，在金属掩模10的纵向上延伸的缝隙15在横向上连续配置。另外，在本发明中，举例说明了配置有多列在纵向或横向上延伸的缝隙15，但缝隙15也可以仅在纵向或横向上仅配置有一列。
对缝隙15的宽度W没有特别限定，但优选以至少比邻接的开口部25之间的间距短的方式设计。具体地，如图2(a)所示，在缝隙15在纵向上延伸的情况下，缝隙15的横向的宽度W比在横向上邻接的开口部25的间距P1短为好。同样地，虽然未作图示，在缝隙15在横向上延伸的情况下，优选缝隙15的纵向的宽度比在纵向上邻接的缝隙25的间距P2短。另一方面，对缝隙15在纵向上延伸时的纵向的长度L没有特别限定，只要根据金属掩模1的纵长以及设于树脂掩模20的开口部25的位置适当设计即可。因此，在图1及图2说明的本发明的制造方法中，在蚀刻金属板时如前所述地设计为好。
另外，在纵向或横向上连续延伸的缝隙15也可以如图5(b)所示地通过桥接器18被分割成多个。另外，图5(b)是蒸镀掩模100的从金属掩模10侧观察到的正面图，表示了图3(a)所示的在纵向上连续延伸的一个缝隙15被桥接器18分割成多个(缝隙15a、15b)的例子。对桥接器18的宽度并无特别限定，但优选为5μm～20μm左右。通过将桥接器18的宽度设定在该范围，能够有效地提高金属掩模10的刚性。对桥接器18的配置位置也没有特别限定，优选以分割后的缝隙与两个以上的开口部25重合的方式配置有桥接器18。
对形成于金属掩模10的缝隙15的截面形状也没有特别限定，但与在上述树脂掩模20的开口部25同样地，如图3所示，为朝向蒸镀源扩展的形状为好。因此，在图l及图2说明的本发明的制造方法中，优选在蚀刻金属板时以成为上述那样的截面形状的方式进行蚀刻。
对金属掩模10的材料并无特别限定，可在蒸镀掩模的领域适当选择使用以往公知的材料，例如，可列举不锈钢、铁镍合金、铝合金等金属材料。其中，铁镍合金即殷钢材料因热导致的变形少，故而可适合使用。
另外，在使用本发明的蒸镀掩模100对基板进行蒸镀时，在需要在基板后方配置磁铁等而利用磁力吸引基板前方的蒸镀掩模100的情况下，优选由磁性体形成金属掩模10。作为磁性体的金属掩模10，能够列举出纯铁、碳素钢、W钢、Cr钢、Co钢、KS钢、MK钢、NKS钢、Cunico钢、Al－Fe合金等。另外，在形成金属掩模10的材料本身并非磁性体的情况下，也可以通过使上述磁性体的粉末在该材料中分散而对金属掩模10赋予磁性。
对金属掩模的厚度没有特别限定，优选为5μm～100μm左右。在考虑了防止蒸镀时的阴影的情况下，优选金属掩模10的厚度薄，在比5μm薄的情况下，破裂及变形的风险增加且有可能难以进行处理。但在本发明中，由于金属掩模10与树脂掩模20一体化，故而即使在金属掩模10的厚度为非常薄的5μm情况下，也能够降低破裂及变形的风险，若为5μm以上则能够使用。另外，在比100μm厚的情况下，由于能够产生阴影故而不理想。因此，在图1及图2说明的本发明的制造方法中，在准备带树脂层的金属板时，考虑这些情况进行准备为好。
以下，使用图6(a)～图6(c)对阴影的产生和金属掩模10的厚度的关系进行具体地说明。如图6(a)所示，在金属掩模10的厚度薄的情况下，从蒸镀源向蒸镀对象物释放的蒸镀材料不与金属掩模10的缝隙15的内壁面、或金属掩模10的未设有树脂掩模20侧的表面冲突，而通过金属掩模10的缝隙15及树脂掩模20的开口部25到达蒸镀对象物。由此，能够对蒸镀对象物以均一的膜厚形成蒸镀图案。即，能够防止阴影的发生。另一方面，如图6(b)所示，在金属掩模10的厚度厚的情况下，例如金属掩模10的厚度超过100μm的情况下，从蒸镀源释放的蒸镀材料的一部分与金属掩模10的缝隙15的内壁或金属掩模10的未形成有树脂掩模20侧的表面冲突，无法到达蒸镀对象物。无法到达蒸镀对象物的蒸镀材料越多，在蒸镀对象物上越容易产生成为比希望的蒸镀膜厚薄的膜厚的未蒸镀部分、即产生阴影。
为了充分防止阴影的产生，如图6(c)所示，将缝隙15的截面形状形成为朝向蒸镀源扩展的形状为好。通过形成为这样的截面形状，即使在为了防止在蒸镀掩模100产生变形或者提高耐久性而将蒸镀掩模整体的厚度增厚的情况下，从蒸镀源释放的蒸镀材料也不与缝隙15的该表面或缝隙15的内壁面冲突等，能够使蒸镀材料到达蒸镀对象物。更具体地，将金属掩模10的缝隙15的下底前端和相同的金属掩模10的缝隙15的上底前端连接的直线和金属掩模10的底面所构成的角度在25°～65°的范围内为好。特别是，在该范围中，为比使用的蒸镀机的蒸镀角度小的角度为好。通过形成为这样的截面形状，即使在为了防止可在蒸镀掩模100产生的变形或者提高耐久性而将金属掩模罩10的厚度增厚的情况下，从蒸镀源释放的蒸镀材料也不与缝隙15的内壁面冲突等，能够使蒸镀材料到达蒸镀对象物。由此，能够更有效地防止阴影的产生。另外，图6是用于说明阴影的发生和金属掩模10的缝隙15的关系的部分概略剖面图。另外，在图6(c)所示的方式中，金属掩模10的缝隙15成为朝向蒸镀源侧扩展的形状，树脂掩模20的开口部的彼此相对的端面大致平行，但为了更有效地防止阴影的发生，金属掩模10的缝隙及树脂掩模20的缝隙25均将截面形状形成为朝向蒸镀源侧扩展的形状为好。因此，在本发明的蒸镀掩模的制造方法中，优选以金属掩模的缝隙及树脂掩模的开口部的截面形状为朝向蒸镀源侧扩展的形状的方式制造金属掩模10的缝隙15及树脂掩模20的开口部25。
图7(a)～(d)是表示金属掩模的缝隙和树脂掩模的开口部的关系的概略剖面图，在图示的方式中，由金属掩模的缝隙15和树脂掩模的开口部25形成的整个开口的截面形状呈阶梯状。如图7所示，通过将整个开口的截面形状形成为朝向蒸镀源侧扩展的阶梯状，从而能够有效地防止阴影的产生。
因此，在本发明的蒸镀掩模的制造方法中，优选以由金属掩模的缝隙和树脂掩模的开口部25形成的整个开口的截面形状为阶梯状的方式进行制造。
金属掩模的缝隙15及树脂掩模20的截面形状既可以如图7(a)所示地，使彼此相对的端面大致平行，也可以如图7(b)、(c)所示地，仅使金属掩模的缝隙15、树脂掩模的开口部的任一方具有朝向蒸镀源侧扩展的截面形状。另外，如上述说明地，为了更有效地防止阴影的发生，金属掩模的缝隙15及树脂掩模的开口部25如图3(b)、图7(d)所示地，优选均具有朝向蒸镀源侧扩展的截面形状。
对于成为上述阶梯状的截面的平坦部(在图7中的标记(X))的宽度并无特别限定，但在平坦部(X)的宽度小于1μm的情况下，由于金属掩模的缝隙的干扰而有防止阴影产生的效果下降的倾向。因此，考虑该方面，平坦部(X)的宽度为1μm以上为好。对于优选的上限值没有特别限定，能够考虑树脂掩模的开口部尺寸、邻接的开口部的间隔等而适当设定，作为一例，为20μm左右。
另外，在上述图7(a)～(d)中，表示了在缝隙在纵向上延伸的情况下，与该缝隙15重合的开口部25在横向上设有一个的例子，但也可以如图8所示，在缝隙在纵向上延伸的情况下，与该缝隙15的重合的开口部25在横向上设有两个以上。在图8中，金属掩模的缝隙15及树脂掩模的开口部25均具有朝向蒸镀源侧扩展的截面形状，与该缝隙15重合的开口部25在横向上设有两个以上。
(由第二制造方法制造的蒸镀掩模)
图4是由第二制造方法制造的蒸镀掩模的放大剖面图。
如图4所示，在由第二制造方法制造的蒸镀掩模100中，仅在抗蚀剂图案30残留方面与图3所示的由第一制造方法制造的蒸镀掩模不同，其他方面相同。因此，省略金属掩模10及树脂掩模20的说明。
(抗蚀剂图案)
抗蚀剂图案30是蚀刻金属板时作为蚀刻掩模而使用的抗蚀剂图案，由抗蚀剂材料构成。该图案与形成于金属掩模10的缝隙大致相同。另外，对于抗蚀剂图案30的开口部31的截面形状，也如图4所示，形成为朝向蒸镀源扩展的形状为好。
由这样的第二制造方法制造的蒸镀掩模通过树脂覆盖金属掩模的两面，故而即使在由于蒸镀时的热而使树脂产生膨胀的情况下，也在其两面均匀地产生膨胀，故而与仅在一面存在树脂的情况相比，不易产生弯曲，故而优选。为了有效地发挥该效果，优选以构成树脂掩模的树脂、即设于金属板的树脂层的材质和构成抗蚀剂图案的抗蚀剂材料的材质的热膨胀系数的差变小的方式选择二者的材料。
(有机半导体元件的制造方法)
本发明的有机半导体元件的制造方法的特征在于，使用由以上说明的本发明的制造方法制造的蒸镀掩模100形成有机半导体元件。对于蒸镀掩模100，能够直接使用由上述说明的本发明的制造方法制造的蒸镀掩模100，在此省略详细的说明。根据上述说明的本发明的蒸镀掩模，能够通过该蒸镀掩模100所具有的尺寸精确度高的开口部25形成具有高精细图案的有机半导体元件。作为由本发明的制造方法制造的有机半导体元件，例如可列举有机电致发光元件的有机层、发光层或阴极电极等。特别是本发明的有机半导体元件能够很好地用于要求高精细图案精度的有机电致发光元件的R、G、B发光层的制造。

Claims (18)

1.一种蒸镀掩模的制造方法，所述蒸镀掩模将设有缝隙的金属掩模、和位于所述金属掩模的表面且配置有与要蒸镀制作的图案相对应的开口部的树脂掩模层积而构成，所述蒸镀掩模的制造方法的特征在于，具备如下的工序：
准备在金属板的一面设有树脂层的带树脂层的金属板；
在所述带树脂层的金属板的金属板上，通过形成仅贯通该金属板的缝隙而形成带树脂层的金属掩模；
然后，从所述带树脂层的金属掩模的所述金属掩模侧通过所述缝隙而照射激光，在所述树脂层上形成与要蒸镀制作的图案对应的开口部，从而形成树脂掩模，
在从金属掩模侧俯视观察所述蒸镀掩模的情况下，所述缝隙的尺寸比所述开口部的尺寸大。
2.如权利要求1所述的蒸镀掩模的制造方法，其特征在于，
形成所述带树脂层的金属掩模的工序为如下的工序，即，将抗蚀剂材料涂敷在所述带树脂层的金属板的未设有树脂层的面上，使用形成有缝隙图案的掩模遮蔽该抗蚀剂材料并进行曝光、显影，从而形成抗蚀剂图案，将该抗蚀剂图案用作耐蚀刻掩模，对金属板进行蚀刻加工，在蚀刻结束后将所述抗蚀剂图案洗净除去。
3.如权利要求l所述的蒸镀掩模的制造方法，其特征在于，
形成所述带树脂层的金属掩模的工序为如下的工序，即，将抗蚀剂材料涂敷在所述带树脂层的金属板的未设有树脂层的面上，使用形成有缝隙图案的掩模遮蔽该抗蚀剂材料并进行曝光、显影，从而形成抗蚀剂图案，将该抗蚀剂图案用作耐蚀刻掩模，对金属板进行蚀刻加工，在蚀刻结束后也将所述抗蚀剂图案残留在金属板表面。
4.如权利要求1所述的蒸镀掩模的制造方法，其特征在于，
还具备在形成所述带树脂层的金属掩模的工序中得到带树脂层的金属掩模之后，将该带树脂层的金属掩模固定在框体上的工序，
在将所述带树脂层的金属掩模固定在框体上之后，进行形成所述树脂掩模的工序。
5.如权利要求1所述的蒸镀掩模的制造方法，其特征在于，
在准备所述带树脂层的金属板的工序中，在金属板上涂敷包含成为树脂层的树脂的涂敷液而得到带树脂层的金属板。
6.如权利要求1所述的蒸镀掩模的制造方法，其特征在于，
在准备所述带树脂层的金属板的工序中，通过在金属板上贴合树脂层而得到带树脂层的金属板。
7.如权利要求1所述的蒸镀掩模的制造方法，其特征在于，
所述树脂层使用热膨胀系数为16ppm/℃以下的树脂材料。
8.如权利要求1所述的蒸镀掩模的制造方法，其特征在于，
所述树脂层使用吸湿率为1.0％以下的树脂材料。
9.如权利要求1所述的蒸镀掩模的制造方法，其特征在于，
所述树脂层使用热膨胀系数为16ppm/℃以下、且吸湿率为1.0％以下的树脂材料。
10.如权利要求1所述的蒸镀掩模的制造方法，其特征在于，
在形成所述树脂掩模的工序中，以将形成于所述树脂掩模的所述开口部剖视时的剖面形状朝向蒸镀源方向扩展的方式对所述树脂层进行加工，在所述树脂层形成与要蒸镀制作的所述图案对应的开口部。
11.如权利要求1所述的蒸镀掩模的制造方法，其特征在于，
在形成所述树脂掩模的工序中，以如下的方式对所述树脂层进行加工而形成与要蒸镀制作的所述图案对应的开口部，即，在从横截面观察以所述树脂掩模为下、所述金属掩模为上的方式配置的所述蒸镀掩模时，由将所述树脂掩模的所述开口部的下底前端与上底前端连接的直线、和所述树脂掩模的下底的直线构成的角度为25°以上且65°以下。
12.如权利要求1所述的蒸镀掩模的制造方法，其特征在于，
在形成所述带树脂层的金属掩模的工序中，以将形成于所述金属掩模的所述缝隙剖视时的剖面形状朝向蒸镀源方向扩展的方式对所述金属板进行加工，形成所述缝隙。
13.如权利要求1所述的蒸镀掩模的制造方法，其特征在于，
在形成所述带树脂层的金属掩模的工序中，以如下的方式对所述金属板进行加工而形成所述缝隙，即，在从横截面观察以所述树脂层为下、所述金属掩模为上的方式配置的所述带树脂层的金属掩模时，由将所述金属掩模的所述缝隙的下底前端与上底前端连接的直线、和所述金属掩模的下底的直线构成的角度为25°以上且65°以下。
14.如权利要求1所述的蒸镀掩模的制造方法，其特征在于，
在形成所述带树脂层的金属掩模的工序中，以将形成于所述金属掩模的所述缝隙剖视时的剖面形状朝向蒸镀源方向扩展的方式对所述金属板进行加工而形成所述缝隙，
在形成所述树脂掩模的工序中，以将形成于所述树脂掩模的所述开口部剖视时的剖面形状朝向蒸镀源方向扩展的方式对所述树脂层进行加工，在所述树脂层形成与要蒸镀制作的所述图案对应的开口部。
15.如权利要求1所述的蒸镀掩模的制造方法，其特征在于，
在形成所述带树脂层的金属掩模的工序中，以如下的方式对所述金属板进行加工而形成所述缝隙，即，在从横截面观察以所述树脂层为下、所述金属掩模为上的方式配置的所述带树脂层的金属掩模时，由将所述金属掩模的所述缝隙的下底前端与上底前端连接的直线、和所述金属掩模的下底的直线构成的角度为25°以上且65°以下，
在形成所述树脂掩模的工序中，以如下的方式对所述树脂层进行加工而形成与要蒸镀制作的所述图案对应的开口部，即，在从横截面观察以所述树脂掩模为下、所述金属掩模为上的方式配置的所述蒸镀掩模时，由将所述树脂掩模的所述开口部的下底前端与上底前端连接的直线、和所述树脂掩模的下底的直线构成的角度为25°以上且65°以下。
16.如权利要求1所述的蒸镀掩模的制造方法，其特征在于，
所述树脂层使用厚度为3μm以上且25μm以下的树脂层。
17.如权利要求1所述的蒸镀掩模的制造方法，其特征在于，
所述树脂层使用厚度为4μm以上且8μm以下的树脂层。
18.一种有机半导体元件的制造方法，其特征在于，使用由权利要求1～17中任一项所述的制造方法制造的蒸镀掩模。
CN201610206232.1A 2012-01-12 2013-01-11 蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法 Active CN105803388B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012-004486 2012-01-12
JP2012004486 2012-01-12
CN201380005299.3A CN104041185B (zh) 2012-01-12 2013-01-11 蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201380005299.3A Division CN104041185B (zh) 2012-01-12 2013-01-11 蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105803388A CN105803388A (zh) 2016-07-27
CN105803388B true CN105803388B (zh) 2018-11-06

Family

ID=48781585

Family Applications (10)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610206421.9A Active CN105779934B (zh) 2012-01-12 2013-01-11 蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法
CN201610206515.6A Pending CN105870326A (zh) 2012-01-12 2013-01-11 蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法
CN201610206491.4A Pending CN105779935A (zh) 2012-01-12 2013-01-11 蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法
CN201610206129.7A Active CN105810850B (zh) 2012-01-12 2013-01-11 蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法
CN201380005299.3A Active CN104041185B (zh) 2012-01-12 2013-01-11 蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法
CN201610206130.XA Active CN105821374B (zh) 2012-01-12 2013-01-11 蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法
CN201610206420.4A Active CN105789487B (zh) 2012-01-12 2013-01-11 蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法
CN201610206229.XA Active CN105870325B (zh) 2012-01-12 2013-01-11 蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法
CN201610206316.5A Pending CN105821375A (zh) 2012-01-12 2013-01-11 蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法
CN201610206232.1A Active CN105803388B (zh) 2012-01-12 2013-01-11 蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法

Family Applications Before (9)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610206421.9A Active CN105779934B (zh) 2012-01-12 2013-01-11 蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法
CN201610206515.6A Pending CN105870326A (zh) 2012-01-12 2013-01-11 蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法
CN201610206491.4A Pending CN105779935A (zh) 2012-01-12 2013-01-11 蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法
CN201610206129.7A Active CN105810850B (zh) 2012-01-12 2013-01-11 蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法
CN201380005299.3A Active CN104041185B (zh) 2012-01-12 2013-01-11 蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法
CN201610206130.XA Active CN105821374B (zh) 2012-01-12 2013-01-11 蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法
CN201610206420.4A Active CN105789487B (zh) 2012-01-12 2013-01-11 蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法
CN201610206229.XA Active CN105870325B (zh) 2012-01-12 2013-01-11 蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法
CN201610206316.5A Pending CN105821375A (zh) 2012-01-12 2013-01-11 蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法

Country Status (6)

Country Link
US (8) US9203028B2 (zh)
JP (6) JP5288073B2 (zh)
KR (6) KR102242389B1 (zh)
CN (10) CN105779934B (zh)
TW (8) TWI572729B (zh)
WO (1) WO2013105643A1 (zh)

Families Citing this family (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105779934B (zh) * 2012-01-12 2020-05-22 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法
CN105336855B (zh) 2012-01-12 2020-08-04 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模装置准备体
TWI717742B (zh) * 2012-01-12 2021-02-01 日商大日本印刷股份有限公司 具多面之蒸鍍遮罩
JP6142194B2 (ja) 2012-11-15 2017-06-07 株式会社ブイ・テクノロジー 蒸着マスクの製造方法及び蒸着マスク
JP5958824B2 (ja) * 2012-11-15 2016-08-02 株式会社ブイ・テクノロジー 蒸着マスクの製造方法
JP6142386B2 (ja) * 2012-12-21 2017-06-07 株式会社ブイ・テクノロジー 蒸着マスクの製造方法
JP6078747B2 (ja) * 2013-01-28 2017-02-15 株式会社ブイ・テクノロジー 蒸着マスクの製造方法及びレーザ加工装置
TWI671414B (zh) 2013-03-26 2019-09-11 日商大日本印刷股份有限公司 蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩準備體、蒸鍍遮罩之製造方法、及有機半導體元件之製造方法
CN107855641A (zh) * 2013-04-12 2018-03-30 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、及有机半导体元件的制造方法
WO2014167989A1 (ja) 2013-04-12 2014-10-16 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、蒸着マスク準備体、蒸着マスクの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法
JP6331312B2 (ja) * 2013-09-30 2018-05-30 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法、及び蒸着マスク準備体
JP5780350B2 (ja) * 2013-11-14 2015-09-16 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、及び有機半導体素子の製造方法
JP6357312B2 (ja) * 2013-12-20 2018-07-11 株式会社ブイ・テクノロジー 成膜マスクの製造方法及び成膜マスク
CN103882375B (zh) * 2014-03-12 2016-03-09 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜板及其制作方法
JP6511908B2 (ja) * 2014-03-31 2019-05-15 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの引張方法、フレーム付き蒸着マスクの製造方法、有機半導体素子の製造方法、及び引張装置
JP6255592B2 (ja) * 2014-04-24 2018-01-10 株式会社ブイ・テクノロジー 成膜マスク、成膜マスクの製造方法及びタッチパネルの製造方法
CN103981485B (zh) * 2014-05-09 2016-07-06 合肥鑫晟光电科技有限公司 掩膜板及其制造方法
CN106536784B (zh) * 2014-06-06 2019-08-30 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模及其前体、以及有机半导体元件的制造方法
KR102330942B1 (ko) 2014-06-06 2021-11-26 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 증착 마스크, 프레임을 갖는 증착 마스크, 증착 마스크 준비체, 및 유기 반도체 소자의 제조 방법
JP6394879B2 (ja) * 2014-09-30 2018-09-26 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、蒸着マスク準備体、フレーム付き蒸着マスク、及び有機半導体素子の製造方法
JP6594615B2 (ja) * 2014-10-06 2019-10-23 株式会社ジャパンディスプレイ 蒸着用マスク及びそれを用いた有機ｅｌ表示装置の製造方法、並びに、蒸着用マスクの製造方法
WO2016060216A1 (ja) 2014-10-15 2016-04-21 シャープ株式会社 蒸着マスク、蒸着装置、蒸着方法、および蒸着マスクの製造方法
WO2016125815A1 (ja) * 2015-02-03 2016-08-11 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク製造装置、レーザー用マスクおよび有機半導体素子の製造方法
JP5994952B2 (ja) * 2015-02-03 2016-09-21 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク製造装置、レーザー用マスクおよび有機半導体素子の製造方法
TWI696708B (zh) * 2015-02-10 2020-06-21 日商大日本印刷股份有限公司 有機ｅｌ顯示裝置用蒸鍍遮罩之製造方法、欲製作有機ｅｌ顯示裝置用蒸鍍遮罩所使用之金屬板及其製造方法
JP6112130B2 (ja) * 2015-03-25 2017-04-12 トヨタ自動車株式会社 静電ノズル、吐出装置及び半導体モジュールの製造方法
KR102025002B1 (ko) * 2015-04-17 2019-09-24 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 증착 패턴의 형성 방법, 누름판 일체형의 압입 부재, 증착 장치 및 유기 반도체 소자의 제조 방법
WO2017006821A1 (ja) * 2015-07-03 2017-01-12 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク準備体、有機半導体素子の製造方法、有機ｅｌディスプレイの製造方法、及び蒸着マスク
JP6160747B2 (ja) * 2015-07-03 2017-07-12 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク準備体、有機半導体素子の製造方法、及び蒸着マスク
KR20200011585A (ko) 2015-07-17 2020-02-03 도판 인사츠 가부시키가이샤 메탈 마스크 기재, 메탈 마스크, 및 메탈 마스크의 제조 방법
KR102341452B1 (ko) 2015-07-17 2021-12-21 도판 인사츠 가부시키가이샤 증착용 메탈 마스크 기재, 증착용 메탈 마스크, 증착용 메탈 마스크 기재의 제조 방법, 및, 증착용 메탈 마스크의 제조 방법
WO2017013904A1 (ja) 2015-07-17 2017-01-26 凸版印刷株式会社 メタルマスク基材、メタルマスク基材の管理方法、メタルマスク、および、メタルマスクの製造方法
CN113403574A (zh) * 2015-07-17 2021-09-17 凸版印刷株式会社 金属掩模用基材及其制造方法、蒸镀用金属掩模及其制造方法
JP6714995B2 (ja) * 2015-10-30 2020-07-01 株式会社ブイ・テクノロジー 成膜マスクの製造方法
JP6417486B2 (ja) * 2015-12-25 2018-11-07 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 蒸着マスクおよび有機半導体素子の製造方法
WO2017138166A1 (ja) * 2016-02-10 2017-08-17 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク、および有機半導体素子の製造方法
JP6681739B2 (ja) * 2016-02-25 2020-04-15 株式会社ジャパンディスプレイ シャドーマスクの製造方法及び表示装置の製造方法
JP6906652B2 (ja) * 2016-02-25 2021-07-21 株式会社ジャパンディスプレイ 蒸着マスク
JP6237972B1 (ja) 2016-04-14 2017-11-29 凸版印刷株式会社 蒸着マスク用基材、蒸着マスク用基材の製造方法、および、蒸着マスクの製造方法
CN106048521B (zh) * 2016-06-12 2018-09-18 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 一种金属掩膜板的制备方法及金属掩膜板
TWI678824B (zh) * 2016-07-29 2019-12-01 鴻海精密工業股份有限公司 掩膜及其製備方法
US10982316B2 (en) * 2016-09-30 2021-04-20 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Vapor deposition mask, frame-equipped vapor deposition mask, vapor deposition mask preparation body, vapor deposition pattern forming method, method for producing organic semiconductor element, and method for producing organic EL display
CN109790615A (zh) * 2016-10-06 2019-05-21 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模的制造方法、有机半导体元件的制造方法、及有机el显示器的制造方法
KR20180071695A (ko) * 2016-12-20 2018-06-28 주식회사 티씨케이 층간 경계를 덮는 증착층을 포함하는 반도체 제조용 부품 및 그 제조방법
JP6428903B2 (ja) * 2017-01-17 2018-11-28 大日本印刷株式会社 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法
CN113737128A (zh) * 2017-01-31 2021-12-03 堺显示器制品株式会社 蒸镀掩模、蒸镀掩模及有机半导体元件的制造方法
TWI763818B (zh) * 2017-03-31 2022-05-11 日商大日本印刷股份有限公司 蒸鍍遮罩，附有框架的蒸鍍遮罩，蒸鍍遮罩準備體，蒸鍍圖案形成方法及有機半導體元件的製造方法
JP6319505B1 (ja) 2017-09-08 2018-05-09 凸版印刷株式会社 蒸着マスク用基材、蒸着マスク用基材の製造方法、蒸着マスクの製造方法および表示装置の製造方法
KR102153870B1 (ko) * 2017-09-15 2020-09-09 도판 인사츠 가부시키가이샤 증착 마스크의 제조 방법, 표시 장치의 제조 방법, 및 증착 마스크
JP6299921B1 (ja) 2017-10-13 2018-03-28 凸版印刷株式会社 蒸着マスク用基材、蒸着マスク用基材の製造方法、蒸着マスクの製造方法、および、表示装置の製造方法
US11121321B2 (en) * 2017-11-01 2021-09-14 Emagin Corporation High resolution shadow mask with tapered pixel openings
CN110512172A (zh) * 2018-05-21 2019-11-29 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 蒸镀遮罩的制造方法及有机发光材料的蒸镀方法
TWI694164B (zh) * 2018-05-21 2020-05-21 鴻海精密工業股份有限公司 蒸鍍遮罩的製造方法及有機發光材料的蒸鍍方法
KR20200055871A (ko) * 2018-11-13 2020-05-22 삼성디스플레이 주식회사 기판 식각 방법
KR20200056525A (ko) * 2018-11-14 2020-05-25 삼성디스플레이 주식회사 마스크 및 마스크 제조 방법
EP3919649A4 (en) * 2019-01-31 2022-11-09 Dai Nippon Printing Co., Ltd. DEPOSITION MASK ASSEMBLY, METHOD OF MAKING AN ELECTRONIC DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE
JP2020158843A (ja) * 2019-03-27 2020-10-01 日立金属株式会社 メタルマスク用クラッド板材およびメタルマスク
KR20220081406A (ko) * 2020-12-08 2022-06-16 삼성디스플레이 주식회사 마스크 제조 방법 및 마스크를 포함하는 증착 설비
KR20220091647A (ko) * 2020-12-23 2022-07-01 삼성디스플레이 주식회사 마스크 어셈블리의 제작 방법
KR102615023B1 (ko) * 2021-06-22 2023-12-19 (주)휴넷플러스 대면적 다중 박막 초고해상도 증착용 마스크
KR20230020035A (ko) * 2021-08-02 2023-02-10 삼성디스플레이 주식회사 증착용 마스크

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07300664A (ja) * 1994-04-28 1995-11-14 Fujitsu Ltd メタルマスクの製造方法とその再生方法

Family Cites Families (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4086127A (en) * 1977-07-01 1978-04-25 Westinghouse Electric Corporation Method of fabricating apertured deposition masks used for fabricating thin film transistors
JPS5976868A (ja) * 1982-10-26 1984-05-02 Showa Denko Kk 溶射用マスク
JPS6376859A (ja) * 1986-09-19 1988-04-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 蒸着用マスクとその製造法
DE69618162T2 (de) * 1995-08-24 2002-08-14 Toshiba Kawasaki Kk Herstellungsverfahren eines Reflektors
JPH09143758A (ja) * 1995-11-22 1997-06-03 Nippon Steel Corp 容器用樹脂被覆金属板およびその樹脂被覆金属板を有する缶体
JP2001113667A (ja) 1999-10-20 2001-04-24 Taiyo Kagaku Kogyo Kk スクリーン印刷用メタルマスクとその製造方法
JP4092914B2 (ja) * 2001-01-26 2008-05-28 セイコーエプソン株式会社 マスクの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
JP4635348B2 (ja) * 2001-02-08 2011-02-23 凸版印刷株式会社 パターン形成用マスクおよびそれを使用したパターン形成装置
JP4491574B2 (ja) * 2001-02-16 2010-06-30 大日本印刷株式会社 Ｈｄｄ用サスペンション及びその製造方法
KR20030002947A (ko) * 2001-07-03 2003-01-09 엘지전자 주식회사 풀칼라 유기 ｅｌ 표시소자 및 제조방법
JP4862236B2 (ja) * 2001-08-24 2012-01-25 大日本印刷株式会社 有機ｅｌ素子製造に用いる真空蒸着用多面付けマスク装置
JP2003332057A (ja) 2002-05-16 2003-11-21 Dainippon Printing Co Ltd 有機ｅｌ素子製造に用いる真空蒸着用多面付けマスク装置
CN100355104C (zh) * 2001-08-24 2007-12-12 大日本印刷株式会社 真空蒸镀用多面成形掩模装置
JP3775493B2 (ja) * 2001-09-20 2006-05-17 セイコーエプソン株式会社 マスクの製造方法
KR100490534B1 (ko) * 2001-12-05 2005-05-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 전자 발광 소자의 박막 증착용 마스크 프레임 조립체
KR100944313B1 (ko) * 2002-01-25 2010-02-24 제이에스알 가부시끼가이샤 2층 적층막 및 이것을 이용한 패턴 형성 방법
US6897164B2 (en) * 2002-02-14 2005-05-24 3M Innovative Properties Company Aperture masks for circuit fabrication
KR100469252B1 (ko) * 2002-04-12 2005-02-02 엘지전자 주식회사 쉐도우 마스크 및 그를 이용한 풀칼라 유기 ｅｌ 표시소자
US6878208B2 (en) * 2002-04-26 2005-04-12 Tohoku Pioneer Corporation Mask for vacuum deposition and organic EL display manufactured by using the same
KR100813832B1 (ko) * 2002-05-31 2008-03-17 삼성에스디아이 주식회사 증착용 마스크 프레임 조립체와 이의 제조방법
KR100480705B1 (ko) * 2002-07-03 2005-04-06 엘지전자 주식회사 유기 ｅｌ 소자 제작용 새도우 마스크 및 그 제조 방법
TW545081B (en) * 2002-08-16 2003-08-01 Lightronik Technology Inc Bilayer metal shadow mask structure and fabrication process
JP4104964B2 (ja) * 2002-12-09 2008-06-18 日本フイルコン株式会社 パターニングされたマスク被膜と支持体からなる積層構造の薄膜パターン形成用マスク及びその製造方法
JP4170179B2 (ja) * 2003-01-09 2008-10-22 株式会社 日立ディスプレイズ 有機ｅｌパネルの製造方法および有機ｅｌパネル
KR100534580B1 (ko) * 2003-03-27 2005-12-07 삼성에스디아이 주식회사 표시장치용 증착 마스크 및 그의 제조방법
KR100525819B1 (ko) * 2003-05-06 2005-11-03 엘지전자 주식회사 유기 이엘 디스플레이 패널 제조용 새도우 마스크
CN100549819C (zh) * 2003-05-29 2009-10-14 中国科学院光电技术研究所 金属掩模板
US9236279B2 (en) * 2003-06-27 2016-01-12 Lam Research Corporation Method of dielectric film treatment
JP2005042147A (ja) * 2003-07-25 2005-02-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 蒸着用マスクの製造方法および蒸着用マスク
US7592207B2 (en) * 2003-11-14 2009-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
EP1548147A1 (en) * 2003-12-26 2005-06-29 Seiko Epson Corporation Thin film formation method
JP4512772B2 (ja) * 2004-02-23 2010-07-28 株式会社プロセス・ラボ・ミクロン 導電性ボール定置用マスクの製造方法
CN1763239A (zh) * 2004-10-20 2006-04-26 悦城科技股份有限公司 蒸镀遮罩
JP4438710B2 (ja) * 2005-07-20 2010-03-24 セイコーエプソン株式会社 マスク、マスクチップ、マスクの製造方法及びマスクチップの製造方法
US7615501B2 (en) * 2005-08-11 2009-11-10 3M Innovative Properties Company Method for making a thin film layer
JP5008849B2 (ja) * 2005-09-08 2012-08-22 ソニーモバイルディスプレイ株式会社 レーザ加工方法及び透明樹脂層を有する表示装置の製造方法
US20070148337A1 (en) * 2005-12-22 2007-06-28 Nichols Jonathan A Flame-perforated aperture masks
TWI458648B (zh) * 2006-04-07 2014-11-01 Mitsubishi Paper Mills Ltd A method for manufacturing a photographic mask for printing a resin, and a screen printing mask for resin
JP2008121060A (ja) 2006-11-10 2008-05-29 Mitsubishi Paper Mills Ltd 樹脂付き真空成膜用マスクの作製方法及び樹脂付き真空成膜用マスク
KR20080051555A (ko) * 2006-12-06 2008-06-11 엘지디스플레이 주식회사 섀도우 마스크 및 그를 포함하는 증착 장치
JP2008255433A (ja) * 2007-04-06 2008-10-23 Sumco Corp 蒸着用マスク、ならびにそれを用いる蒸着パターン作製方法、半導体ウェーハ評価用試料の作製方法、半導体ウェーハの評価方法および半導体ウェーハの製造方法
CN100580905C (zh) * 2007-04-20 2010-01-13 晶能光电（江西）有限公司 获得在分割衬底上制造的半导体器件的高质量边界的方法
JP2009041054A (ja) * 2007-08-07 2009-02-26 Sony Corp 蒸着用マスクおよびその製造方法ならびに表示装置の製造方法
JP4915312B2 (ja) * 2007-08-08 2012-04-11 ソニー株式会社 蒸着用マスクの製造方法
JP4985227B2 (ja) 2007-08-24 2012-07-25 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、蒸着マスク装置、蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク装置の製造方法、および、蒸着マスク用シート状部材の製造方法
JP2009052073A (ja) 2007-08-24 2009-03-12 Dainippon Printing Co Ltd 蒸着マスク付シート、蒸着マスク装置の製造方法、および、蒸着マスク付シートの製造方法
JP2009111226A (ja) * 2007-10-31 2009-05-21 Kyushu Hitachi Maxell Ltd 吸着ヘッド
CN100560782C (zh) * 2008-01-22 2009-11-18 电子科技大学 一种有机电致发光器件的新型掩膜体系及制作方法
JP5239800B2 (ja) * 2008-07-24 2013-07-17 富士ゼロックス株式会社 光導波路フィルム及びその製造方法、並びに、光送受信モジュール
JP5379717B2 (ja) * 2010-02-24 2013-12-25 株式会社アルバック 蒸着用マスク
JP2013021165A (ja) * 2011-07-12 2013-01-31 Sony Corp 蒸着用マスク、蒸着用マスクの製造方法、電子素子および電子素子の製造方法
CN105336855B (zh) * 2012-01-12 2020-08-04 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模装置准备体
TWI717742B (zh) * 2012-01-12 2021-02-01 日商大日本印刷股份有限公司 具多面之蒸鍍遮罩
CN105779934B (zh) * 2012-01-12 2020-05-22 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法
KR101978190B1 (ko) * 2012-11-29 2019-05-15 삼성디스플레이 주식회사 편광 소자 및 이의 제조방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07300664A (ja) * 1994-04-28 1995-11-14 Fujitsu Ltd メタルマスクの製造方法とその再生方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI572729B (zh) 2017-03-01
KR101930378B1 (ko) 2018-12-18
KR102201790B1 (ko) 2021-01-11
KR20210005327A (ko) 2021-01-13
CN105821374A (zh) 2016-08-03
CN105779934B (zh) 2020-05-22
TW201345313A (zh) 2013-11-01
TW201435110A (zh) 2014-09-16
US20190363257A1 (en) 2019-11-28
KR102242389B1 (ko) 2021-04-19
CN105870325B (zh) 2019-04-26
TW201738400A (zh) 2017-11-01
JP2020172705A (ja) 2020-10-22
JP2019194364A (ja) 2019-11-07
US20210066601A1 (en) 2021-03-04
US9379324B2 (en) 2016-06-28
KR20190142449A (ko) 2019-12-26
US20140377903A1 (en) 2014-12-25
KR20180136569A (ko) 2018-12-24
KR102097574B1 (ko) 2020-04-06
JP6725890B2 (ja) 2020-07-22
TWI647322B (zh) 2019-01-11
CN105810850B (zh) 2017-11-14
TWI705150B (zh) 2020-09-21
US20180277763A1 (en) 2018-09-27
TWI677587B (zh) 2019-11-21
US20170186955A1 (en) 2017-06-29
TW201907032A (zh) 2019-02-16
CN105803388A (zh) 2016-07-27
TWI526562B (zh) 2016-03-21
TW201614086A (en) 2016-04-16
TWI601838B (zh) 2017-10-11
CN105870326A (zh) 2016-08-17
KR20200036067A (ko) 2020-04-06
CN104041185B (zh) 2016-05-04
TWI810479B (zh) 2023-08-01
US20160268511A1 (en) 2016-09-15
US20190123280A1 (en) 2019-04-25
US20160049586A1 (en) 2016-02-18
JP2018135604A (ja) 2018-08-30
CN104041185A (zh) 2014-09-10
JP6566086B2 (ja) 2019-08-28
TW201716610A (zh) 2017-05-16
JP5288073B2 (ja) 2013-09-11
JP2013227679A (ja) 2013-11-07
CN105870325A (zh) 2016-08-17
TW202100784A (zh) 2021-01-01
KR20140081909A (ko) 2014-07-01
TWI461098B (zh) 2014-11-11
KR101439219B1 (ko) 2014-09-12
CN105779935A (zh) 2016-07-20
JP2013165058A (ja) 2013-08-22
KR20140102235A (ko) 2014-08-21
CN105821375A (zh) 2016-08-03
CN105789487B (zh) 2019-04-26
JP2017145512A (ja) 2017-08-24
JP6344505B2 (ja) 2018-06-20
CN105810850A (zh) 2016-07-27
JP6186897B2 (ja) 2017-08-30
WO2013105643A1 (ja) 2013-07-18
CN105779934A (zh) 2016-07-20
CN105821374B (zh) 2019-07-12
TW202012663A (zh) 2020-04-01
US9203028B2 (en) 2015-12-01
CN105789487A (zh) 2016-07-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105803388B (zh) 蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法
CN105143497B (zh) 蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、及有机半导体元件的制造方法
CN105637113B (zh) 蒸镀掩模、带框架的蒸镀掩模及有机半导体元件的制造方法
CN105355796A (zh) 拼版蒸镀掩模
CN107858642A (zh) 蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、及有机半导体元件的制造方法
JP6221585B2 (ja) 蒸着マスクおよび蒸着マスクの製造方法
JP6822529B2 (ja) 蒸着マスクの製造方法、金属マスク付き樹脂層、及び有機半導体素子の製造方法
JP2017206741A (ja) 蒸着マスク

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant