WO2014167989A1 - 蒸着マスク、蒸着マスク準備体、蒸着マスクの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法 - Google Patents

蒸着マスク、蒸着マスク準備体、蒸着マスクの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法 Download PDF

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deposition mask
metal
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武田　利彦
小幡　勝也
洋光 落合
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大日本印刷株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to an evaporation mask, an evaporation mask preparation, an evaporation mask manufacturing method, and an organic semiconductor element manufacturing method.
  • the organic layer or cathode electrode of the organic EL element is formed of, for example, a metal in which a large number of minute slits are arranged in parallel at minute intervals in a region to be deposited.
  • a vapor deposition mask was used.
  • the vapor deposition mask is placed on the surface of the substrate to be vapor-deposited and held by a magnet from the back side, but the rigidity of the slit is extremely small, so when holding the vapor deposition mask on the substrate surface In this case, the slits are easily distorted, which has been an obstacle to the increase in the size of products with high definition or a long slit length.
  • Patent Document 1 covers a base plate that also serves as a first metal mask having a plurality of openings, and covers the openings.
  • the thickness of the vapor deposition mask made of metal it is necessary to reduce the thickness of the vapor deposition mask made of metal in order to reduce the weight of the vapor deposition mask.
  • the thickness of the vapor deposition mask made of metal is reduced, the strength of the vapor deposition mask will decrease, and the vapor deposition mask may be deformed or may be difficult to handle. Problems will arise.
  • the present invention has been made in view of such a situation, and even when the size is increased, both high definition and light weight can be satisfied, and formation of a high-definition deposition pattern while maintaining strength is achieved.
  • To provide a vapor deposition mask capable of being manufactured to provide a vapor deposition mask manufacturing method and a vapor deposition mask preparation capable of easily producing this vapor deposition mask, and to produce an organic semiconductor element with high accuracy
  • An object of the present invention is to provide a method for manufacturing an organic semiconductor element that can be used.
  • the present invention for solving the above problems is a vapor deposition mask for simultaneously forming vapor deposition patterns for a plurality of screens, wherein a metal mask provided with a plurality of slits and a resin mask are laminated, and the resin mask Are provided with openings necessary for constituting a plurality of screens, the openings correspond to patterns to be deposited, and each slit is provided at a position overlapping at least one entire screen. It is characterized by that.
  • the present invention for solving the above problems is a vapor deposition mask, in which a metal mask provided with one through hole and a resin mask provided with a plurality of openings corresponding to a pattern to be produced by vapor deposition are laminated. In addition, all of the plurality of openings are provided at positions overlapping the one through hole.
  • the present invention for solving the above-described problem is that a metal mask provided with a plurality of slits and a resin mask are laminated, and the resin mask is provided with openings necessary for configuring a plurality of screens.
  • the opening corresponds to a pattern for vapor deposition, and the vapor deposition mask preparation for obtaining a vapor deposition mask in which each slit is provided at a position overlapping at least one entire screen, on one surface of the resin plate A metal mask provided with slits is laminated, and each of the slits is provided at a position overlapping with the entire opening constituting one screen finally provided on the resin plate.
  • the present invention for solving the above-described problem is a laminate of a metal mask provided with one through-hole and a resin mask provided with a plurality of openings corresponding to a pattern to be vapor-deposited.
  • a metal mask having a slit provided on one surface of the resin plate is laminated.
  • the one through hole is provided at a position overlapping the entire opening finally provided in the resin plate.
  • this invention for solving the said subject is a manufacturing method of a vapor deposition mask, Comprising: The process of preparing the metal mask with a resin plate by which the metal mask provided with the some slit and the resin plate were laminated
  • this invention for solving the said subject is a manufacturing method of a vapor deposition mask, Comprising: The process of preparing the metal mask with the resin board on which the metal mask provided with one through-hole and the resin board were laminated
  • the resin mask forming step may be performed after fixing the metal mask with a resin plate on a frame.
  • the present invention for solving the above-described problem is a method for manufacturing an organic semiconductor element, including a step of forming a vapor deposition pattern on a vapor deposition object using a vapor deposition mask with a frame in which the vapor deposition mask is fixed to the frame.
  • the step of forming the vapor deposition pattern the vapor deposition mask fixed to the frame is formed by laminating a metal mask having a plurality of slits and a resin mask, and the resin mask forms a plurality of screens.
  • An opening necessary for the above is provided, and each of the slits is a deposition mask provided at a position overlapping with at least one entire screen.
  • the present invention for solving the above-described problem is a method for manufacturing an organic semiconductor element, including a step of forming a vapor deposition pattern on a vapor deposition object using a vapor deposition mask with a frame in which the vapor deposition mask is fixed to the frame.
  • the vapor deposition mask fixed to the frame includes a metal mask provided with one through hole, and a resin mask provided with a plurality of openings corresponding to the pattern to be vapor deposited. Are stacked, and all of the plurality of openings are vapor deposition masks provided at positions overlapping with the one through-hole.
  • both high definition and light weight can be satisfied even when the size is increased, and a high definition vapor deposition pattern can be formed while maintaining the strength of the entire vapor deposition mask.
  • the vapor deposition mask preparation of this invention and the manufacturing method of a vapor deposition mask the vapor deposition mask of the said characteristic can be manufactured simply.
  • an organic semiconductor element can be manufactured with sufficient precision.
  • FIG. 2 It is a partial expanded sectional view of the vapor deposition mask of embodiment (B). It is a schematic sectional drawing which shows the relationship between a shadow and the thickness of a metal mask. It is the front view which looked at the vapor deposition mask of embodiment (B) from the metal mask side. It is process drawing for demonstrating the example of the manufacturing method of the vapor deposition mask of embodiment (B).
  • (A) to (c) are cross-sectional views. It is the front view which looked at the vapor deposition mask with a frame of one embodiment from the resin mask side. It is the front view which looked at the vapor deposition mask with a frame of one embodiment from the resin mask side.
  • the vapor deposition mask 100 of the embodiment (A) is a vapor deposition mask for simultaneously forming vapor deposition patterns for a plurality of screens, and is provided with a plurality of slits 15.
  • the metal mask 10 and the resin mask 20 are laminated, and the resin mask 20 is provided with openings 25 necessary to form a plurality of screens, and each slit 15 is provided at a position overlapping at least one entire screen.
  • FIG. 3 to FIG. 5 and FIG. 9 are front views of the vapor deposition mask of the embodiment (A) as viewed from the metal mask side
  • FIG. 2 and FIG. 6 are portions of the vapor deposition mask shown in FIG. It is an expansion schematic sectional drawing.
  • the vapor deposition mask 100 of the embodiment (A) is a vapor deposition mask used for simultaneously forming vapor deposition patterns for a plurality of screens, and the vapor deposition patterns corresponding to a plurality of products are simultaneously formed with one vapor deposition mask 100. Can do.
  • the “opening” in the specification of the present application means a pattern to be produced using the vapor deposition mask of the embodiment (A) and the embodiment (B).
  • the vapor deposition mask is formed in an organic EL display.
  • the shape of the opening 25 is the shape of the organic layer.
  • released from the vapor deposition source passes the opening part 25, and the vapor deposition pattern corresponding to the opening part 25 is formed in a vapor deposition target object. Is done.
  • “one screen” includes an assembly of openings 25 corresponding to one product. When the one product is an organic EL display, it is necessary to form one organic EL display. An aggregate of organic layers, that is, an aggregate of openings 25 serving as an organic layer is “one screen”.
  • the “one screen” is arranged on the resin mask 20 for a plurality of screens at predetermined intervals. Yes. That is, the resin mask 20 is provided with openings 25 necessary for forming a plurality of screens.
  • the metal mask 10 provided with a plurality of slits 15 is laminated on one surface of the resin mask, and each slit of the metal mask 10 overlaps at least one entire screen. It is characterized by being provided.
  • the length of the slit 15 is the same as that of the metal mask 10 between the openings 25 necessary for constituting one screen and between the openings 25 adjacent in the horizontal direction.
  • metal wire portions having a thickness may be collectively referred to simply as metal portions.
  • the vapor deposition mask 100 of the embodiment (A) when the size of the opening 25 necessary to configure one screen or the pitch between the openings 25 configuring one screen is narrowed, for example, exceeds 400 ppi. Even when the size of the openings 25 and the pitch between the openings 25 are extremely small in order to form a screen, interference by the metal portion can be prevented, and high-definition images can be formed. It becomes possible.
  • one screen is divided by a plurality of slits, in other words, when a metal line portion is present between the openings 25 constituting one screen, the openings 25 constituting one screen. As the pitch between them becomes narrower, it is necessary to thin the metal portion existing between the openings 25. However, when the metal part existing between the openings 25 constituting one screen is thinned, the frequency of the metal part breaking increases, and the broken metal part may adversely affect the deposition. .
  • the metal part when a metal part exists between the openings 25 constituting one screen, the metal part causes a shadow and it is difficult to form a high-definition screen.
  • the shadow is thinner than the target deposition film thickness because a part of the deposition material released from the deposition source collides with the inner wall surface of the slit 15 of the metal mask 10 and does not reach the deposition target. This refers to a phenomenon in which an undeposited portion having a film thickness occurs.
  • the shape of the opening 25 is miniaturized, the influence of the shadow caused by the metal portion existing between the openings 25 in one screen increases.
  • the slits are provided at positions that overlap at least the entire screen, that is, the metal portion is not present between the openings 25 constituting the single screen, thereby improving the durability of the vapor deposition mask. This is to prevent the influence of shadows.
  • weight reduction can be achieved compared with the conventional vapor deposition mask.
  • the mass of the vapor deposition mask 100 of the embodiment (A) is lightened by the amount of replacing a part of the metal material of the conventionally known vapor deposition mask with a resin material.
  • the vapor deposition mask is thin, When the size is increased, the vapor deposition mask may be distorted or the durability may be reduced.
  • the resin mask 20 By being present, the weight can be reduced as compared with a vapor deposition mask formed of only metal.
  • Resin mask forming vapor deposition mask of embodiment (A) For the resin mask 20 forming the vapor deposition mask of the embodiment (A), a conventionally known resin material can be appropriately selected and used. Although the material is not particularly limited, the formation of the high-definition opening 25 by laser processing or the like. It is preferable to use a lightweight material that has a small dimensional change rate and moisture absorption rate over time and with heat.
  • Such materials include polyimide resin, polyamide resin, polyamideimide resin, polyester resin, polyethylene resin, polyvinyl alcohol resin, polypropylene resin, polycarbonate resin, polystyrene resin, polyacrylonitrile resin, ethylene vinyl acetate copolymer resin, ethylene- Examples thereof include vinyl alcohol copolymer resin, ethylene-methacrylic acid copolymer resin, polyvinyl chloride resin, polyvinylidene chloride resin, cellophane, and ionomer resin.
  • the resin mask 20 is made of a resin material capable of forming the high-definition opening 25 as compared with the metal material as described above. Therefore, the vapor deposition mask 100 having the high-definition opening 25 can be obtained. The same applies to the vapor deposition mask of the embodiment (B).
  • the thickness of the resin mask 20 there is no particular limitation on the thickness of the resin mask 20, but when vapor deposition is performed using the vapor deposition mask 100 of the embodiment (A), a vapor deposition portion that is thinner than a target vapor deposition film thickness, a so-called shadow. In order to prevent this from occurring, the resin mask 20 is preferably as thin as possible. However, when the thickness of the resin mask 20 is less than 3 ⁇ m, defects such as pinholes are likely to occur, and the risk of deformation and the like increases. On the other hand, if it exceeds 25 ⁇ m, shadows may occur. Considering this point, the thickness of the resin mask 20 is preferably 3 ⁇ m or more and 25 ⁇ m or less.
  • the thickness of the resin mask 20 By setting the thickness of the resin mask 20 within this range, it is possible to reduce the risk of defects such as pinholes and deformation, and to effectively prevent the generation of shadows. In particular, by setting the thickness of the resin mask 20 to 3 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less, more preferably 4 ⁇ m or more and 8 ⁇ m or less, it is possible to more effectively prevent the influence of shadows when forming a high-definition pattern exceeding 400 ppi. . In the vapor deposition mask of the embodiment (A), even if the thickness of the resin mask 20 is reduced to the above preferable range, the vapor deposition mask is present due to the presence of the metal mask 10 provided on the resin mask 20. The durability and handling properties of the entire 100 can be satisfied. The same applies to the vapor deposition mask of the embodiment (B).
  • the metal mask 10 and the resin mask 20 may be joined directly and may be joined via the adhesive layer, an adhesive layer
  • an adhesive layer In the case where the metal mask 10 and the resin mask 20 are bonded via the metal, the total thickness of the resin mask 20 and the pressure-sensitive adhesive layer is 3 ⁇ m or more and 25 ⁇ m or less, preferably 3 ⁇ m or more in consideration of the shadow point. The thickness is preferably set to 10 ⁇ m, particularly preferably in the range of 4 ⁇ m to 8 ⁇ m. The same applies to the vapor deposition mask of the embodiment (B).
  • the vapor deposition mask 100 of the embodiment (A) has a configuration in which the resin mask 20 and the metal mask 10 are laminated, the presence of the metal mask 10 improves the durability of the vapor deposition mask as a whole. Thereby, handling performance, breakage, and prevention of deformation are achieved. The same applies to the vapor deposition mask of the embodiment (B).
  • FIGS. 1 and 3 to 6 an example of the opening 25 constituting one screen will be described with reference to FIGS. 1 and 3 to 6.
  • a region closed by a broken line is one screen.
  • a small number of openings 25 are aggregated as one screen.
  • the present invention is not limited to this form.
  • one opening 25 is defined as one pixel, one screen There may be an opening 25 of several million pixels.
  • one screen is constituted by an aggregate of openings 25 in which a plurality of openings 25 are provided in the vertical and horizontal directions.
  • one screen is constituted by an aggregate of openings 25 in which a plurality of openings 25 are provided in the horizontal direction.
  • one screen is constituted by an aggregate of openings 25 in which a plurality of openings 25 are provided in the vertical direction.
  • slits 15 are provided at positions that overlap the entire screen.
  • the slit 15 of the metal mask 10 may be provided at a position overlapping only one screen. As shown in FIGS. 5A and 5B, the slit 15 has 2 You may provide in the position which overlaps with the above whole screen.
  • 5A in the resin mask shown in FIG. 1, a slit 15 is provided at a position overlapping the entire two screens that are continuous in the horizontal direction.
  • the slit 15 is provided at a position overlapping the entire three screens that are continuous in the vertical direction.
  • the proportion of the metal portion provided on the resin mask decreases as the proportion of the region occupied by the slit 15 increases with respect to the entire surface of the metal mask 10.
  • the durability of the entire 100 tends to decrease. Therefore, when the entire plurality of screens are overlapped with one slit, it is necessary to appropriately set in consideration of the durability of the vapor deposition mask 100 as a whole.
  • the pitch between the openings 25 constituting one screen and the pitch between the screens will be described.
  • the pitch between the openings 25 constituting one screen and the size of the openings 25, can be set as appropriate according to the pattern to be deposited.
  • the horizontal pitch (P1) and vertical pitch (P2) of the adjacent openings 25 in the openings 25 constituting one screen are about 60 ⁇ m. It becomes.
  • the size of the opening is about 500 ⁇ m 2 to 1000 ⁇ m 2 .
  • one opening 25 is not limited to corresponding to one pixel. For example, depending on the pixel arrangement, a plurality of pixels can be integrated into one opening 25.
  • the horizontal pitch (P3) and the vertical pitch (P4) between the screens are not particularly limited. However, as shown in FIG. 1, when one slit 15 is provided at a position overlapping the entire screen. Will have a metal part between each screen. Accordingly, the horizontal pitch (P3) and the vertical pitch (P4) between the screens are the horizontal pitch (P1) and the vertical pitch (P2) of the openings 25 provided in one screen. If it is smaller than or substantially equal, the metal portion existing between the screens is easily disconnected. Therefore, in consideration of this point, it is preferable that the pitch (P3, P4) between the screens is wider than the pitch (P1, P2) between the openings 25 constituting one screen. An example of the pitch (P3, P4) between the screens is about 1 mm to 100 mm. Note that the pitch between the screens means a pitch between adjacent openings in one screen and another screen adjacent to the one screen.
  • the pitch between two or more screens provided at a position overlapping with one slit 15 may be substantially equal to the pitch between the openings 25 constituting one screen.
  • the cross-sectional shape of the opening 25 there is no particular limitation on the cross-sectional shape of the opening 25, and the end faces facing each other of the resin mask forming the opening 25 may be substantially parallel to each other. However, as shown in FIGS. It is preferable that the cross-sectional shape has a shape that expands toward the vapor deposition source. In other words, it is preferable to have a tapered surface that expands toward the metal mask 10 side.
  • the taper angle ⁇ can be appropriately set in consideration of the thickness of the resin mask 20 and the like, but the straight line connecting the lower bottom tip in the opening portion of the resin mask and the upper bottom tip in the opening portion of the resin mask.
  • the angle ( ⁇ ) formed with the side surface is preferably in the range of 5 ° to 85 °, and more preferably in the range of 15 ° to 80 °. Preferably, it is in the range of 25 ° to 65 °.
  • the end face forming the opening 25 has a linear shape, but is not limited to this, and has an outwardly convex curved shape, that is, an opening.
  • the entire shape of the portion 25 may be a bowl shape.
  • the opening 25 having such a cross-sectional shape is, for example, a multi-stage laser that appropriately adjusts the laser irradiation position and laser irradiation energy when the opening 25 is formed, or changes the irradiation position in stages. It can be formed by irradiation.
  • FIG. 2 and 6 are partially enlarged cross-sectional views showing an example of the vapor deposition mask 100 having the configuration shown in FIG. The same applies to the vapor deposition mask of the embodiment (B), and FIG. 2 and FIG. 6 may be read as FIG. 12 and FIG.
  • the opening 25 can be formed regardless of a processing method used in conventional metal processing, for example, an etching method or a processing method such as cutting. That is, the forming method of the opening 25 is not particularly limited, and the opening is made using various processing methods, for example, a laser processing method capable of forming the high-definition opening 25, precision press processing, photolithography processing, or the like.
  • the portion 25 can be formed. A method of forming the opening 25 by a laser processing method or the like will be described later. The same applies to the vapor deposition mask of the embodiment (B).
  • Etching methods include, for example, a wet etching method such as a spray etching method in which an etching material is sprayed from a spray nozzle at a predetermined spray pressure, an immersion etching method in an etching solution filled with the etching material, or a spin etching method in which an etching material is dropped.
  • a wet etching method such as a spray etching method in which an etching material is sprayed from a spray nozzle at a predetermined spray pressure
  • an immersion etching method in an etching solution filled with the etching material or a spin etching method in which an etching material is dropped.
  • An etching method or a dry etching method using gas, plasma, or the like can be used. The same applies to the vapor deposition mask of the embodiment (B).
  • the resin mask 20 is used as the configuration of the vapor deposition mask 100. Therefore, when the vapor deposition is performed using the vapor deposition mask 100, the opening 25 of the resin mask 20 is formed in the opening mask 25. Extremely high heat is applied, and gas may be generated from the end face (see FIG. 6) forming the opening 25 of the resin mask 20, which may reduce the degree of vacuum in the vapor deposition apparatus. Therefore, considering this point, it is preferable that a barrier layer 26 is provided on the end surface of the resin mask 20 where the opening 25 is formed, as shown in FIG. By forming the barrier layer 26, it is possible to prevent gas from being generated from the end face where the opening 25 of the resin mask 20 is formed. The same applies to the vapor deposition mask of the embodiment (B), and FIG. 6 may be read as FIG.
  • the barrier layer 26 may be an inorganic oxide, an inorganic nitride, a metal thin film layer, or a vapor deposition layer.
  • an oxide of aluminum, silicon, indium, tin, or magnesium can be used, and as the metal, aluminum or the like can be used.
  • the thickness of the barrier layer 26 is preferably about 0.05 ⁇ m to 1 ⁇ m. The same applies to the vapor deposition mask of the embodiment (B).
  • the barrier layer 26 preferably covers the deposition source side surface of the resin mask 20 (not shown). The barrier property is further improved by covering the deposition source side surface of the resin mask 20 with the barrier layer 26.
  • the barrier layer is preferably formed by various PVD (physical vapor deposition) methods or CVD (chemical vapor deposition) methods.
  • PVD physical vapor deposition
  • CVD chemical vapor deposition
  • a metal it is preferably formed by various PVD methods such as sputtering, ion plating, and vacuum deposition, particularly by vacuum deposition.
  • the surface on the vapor deposition source side of the resin mask 20 referred to here may be the entire surface on the vapor deposition source side of the resin mask 20, and is exposed from the metal mask on the surface on the vapor deposition source side of the resin mask 20. It may be only the part which is. The same applies to the vapor deposition mask of the embodiment (B).
  • a magnet or the like is disposed behind the vapor deposition object, and the vapor deposition mask 100 in front of the vapor deposition object is attracted by a magnetic force.
  • a magnetic layer (not shown) made of a magnetic material on the surface of the resin mask 20 that is not in contact with the metal mask 10. .
  • Embodiment (A) It is possible to prevent the deposition pattern from becoming thick due to the gap between the deposition mask and the deposition object. Specifically, in the vapor deposition mask of the embodiment (A), the metal portion is not present between the openings 25 constituting one screen, and therefore the vapor deposition of the embodiment (A) is performed in a region corresponding to one screen. The mask 100 and the deposition object cannot be brought into close contact with each other. On the other hand, when the magnetic layer is provided, the vapor deposition mask 100 of the embodiment (A) and the vapor deposition object can be brought into close contact with each other even in the region where the magnetic layer is provided.
  • Vapor deposition pattern thickening refers to a phenomenon in which a vapor deposition pattern having a shape larger than the intended vapor deposition pattern is formed.
  • sucking with a magnetic force it does not require especially providing a magnetic layer. The same applies to the vapor deposition mask of the embodiment (B).
  • the material for the magnetic layer examples include iron, nickel, cobalt, and alloys containing these metals.
  • the thickness of the magnetic layer is not particularly limited, but is preferably 0.05 ⁇ m or more and 1 ⁇ m or less. The same applies to the vapor deposition mask of the embodiment (B).
  • FIG. 7 is a front view of another aspect of the resin mask. As shown in FIG. 7, it is preferable that a groove 28 extending in the vertical direction or the horizontal direction (vertical direction in the case of FIG. 7) of the resin mask 20 is formed on the resin mask 20. When heat is applied at the time of vapor deposition, the resin mask 20 may thermally expand, which may cause a change in the size and position of the opening 25. However, by forming the groove 28, the expansion of the resin mask is absorbed. It is possible to prevent the resin mask 20 from expanding in a predetermined direction as a whole and accumulating the thermal expansion occurring at various portions of the resin mask and changing the size and position of the opening 25.
  • the formation position of the groove 28 is not limited, and the groove 28 may be provided between the openings 25 constituting one screen or at a position overlapping the opening 25, but is preferably provided between the screens. Further, the groove may be provided only on one surface of the resin mask, for example, the surface in contact with the metal mask, or may be provided only on the surface not in contact with the metal mask. Alternatively, it may be provided on both surfaces of the resin mask 20.
  • the grooves 28 extending in the vertical direction are formed between adjacent screens, but the present invention is not limited to this, and grooves extending in the horizontal direction may be formed between adjacent screens. Furthermore, it is possible to form the grooves in a combination of these.
  • the depth and width of the groove 28 are not particularly limited. However, if the depth of the groove 28 is too deep or too wide, the rigidity of the resin mask 20 tends to decrease. It is necessary to set in consideration of Further, the cross-sectional shape of the groove is not particularly limited, and may be arbitrarily selected in consideration of a processing method such as a U shape or a V shape. The same applies to the vapor deposition mask of the embodiment (B).
  • the metal mask 10 constituting the vapor deposition mask of the embodiment (A) is made of metal, and is provided with a plurality of slits 15.
  • each slit 15 is provided at a position overlapping with at least one entire screen.
  • the opening 25 constituting one screen is provided at a position overlapping with one slit 15.
  • FIG. 8A is a partially enlarged cross-sectional view of a vapor deposition mask in which an opening 25a constituting one screen is divided by a plurality of slits 15a.
  • FIG. 8B is a cross-sectional view of FIG. In the vapor deposition mask shown in FIG. FIG.
  • FIG. 8C is a partial enlarged cross-sectional view showing an example of the vapor deposition mask 100 of the embodiment (A) in which one slit 15 is provided at a position overlapping the entire screen
  • FIG. FIG. 9 is a partially enlarged cross-sectional view showing a state in which the thickness of the metal mask 10 is increased in the vapor deposition mask 100 in FIG.
  • an aggregate of openings 25 provided with five openings in the horizontal direction (the vertical direction is arbitrary) is used as one screen.
  • a metal portion that forms a wall surface of the slit 15a in a part of the adjacent opening 25a Will exist.
  • a metal portion exists between the openings 25a constituting one screen. In this case, the metal portion prevents the vapor deposition material released from the vapor deposition source from passing through the opening 25a, making it difficult to produce a high-definition vapor deposition pattern.
  • the thickness of the metal mask 10a when the thickness of the metal mask 10a is reduced, the durability of the entire vapor deposition mask is also lowered.
  • the thickness of the metal mask 10a is increased as shown in FIG. 8B in order to improve the durability of the entire vapor deposition mask, the vapor deposition material released from the vapor deposition source is more contained in the metal portion. It becomes easy to collide with the wall surface. As the amount of the vapor deposition material that collides with the inner wall surface increases, the amount of the vapor deposition material that cannot reach the vapor deposition object increases, and the generation of shadows becomes more prominent. Further, when the pitch between the openings 25a is narrowed, it is necessary to thin the metal portions existing between the openings 25a, and the risk of disconnection of the metal portions increases. In addition, when a metal part is disconnected, durability of the whole vapor deposition mask falls.
  • the entire screen that is, all the openings 25 provided in the screen overlap with one slit 15. Is provided. Therefore, as shown in FIG. 8C, the vapor deposition material can be passed through the opening 25 without waste, and the generation of shadows can be prevented. Further, as shown in FIG. 8D, even when the thickness of the metal mask 10 is increased to some extent, the influence of shadow is small, and a high-definition deposition pattern can be formed. In particular, in the vapor deposition mask of the embodiment (A), even when the thickness of the metal mask 10 is about 100 ⁇ m, the generation of shadows can be prevented.
  • the vapor deposition mask of the embodiment (A) allows the formation of a high-definition vapor deposition pattern while reducing the thickness.
  • the durability can be improved by appropriately setting.
  • the thickness of the metal mask 10 is not particularly limited, but is preferably 100 ⁇ m or less and more preferably 50 ⁇ m or less in order to more effectively prevent the occurrence of shadows in the opening 25 located near the inner wall surface of the slit 15. More preferably, it is particularly preferably 35 ⁇ m or less.
  • the vapor deposition mask of the embodiment (B) and the slit 15 may be read as a through hole.
  • the cross-sectional shape of the slit 15 has a spread toward the vapor deposition source. Such a shape is preferable. With such a cross-sectional shape, even if the thickness of the entire deposition mask is increased for the purpose of preventing distortion that may occur in the deposition mask 100 or improving durability, it is emitted from the deposition source.
  • the deposited material can reach the deposition object without colliding with the surface of the slit 15 or the inner wall surface of the slit 15.
  • the angle formed between the inner wall surface of the slit 15 and the surface of the metal mask 10 on the side in contact with the resin mask 20 is 5
  • it is within the range of ° to 85 °, more preferably within the range of 15 ° to 80 °, and even more preferably within the range of 25 ° to 65 °.
  • an angle smaller than the vapor deposition angle of the vapor deposition machine to be used is preferable.
  • the metal is released from the vapor deposition source.
  • the vapor deposition material can reach the vapor deposition object without colliding with the inner wall surface of the slit 15. As a result, the occurrence of shadows can be more effectively prevented.
  • the end surface which the opening part 25 of the resin mask 20 faces may be substantially parallel, as demonstrated above. Both the slit 15 of the metal mask 10 and the opening 25 of the resin mask 20 preferably have a shape in which the cross-sectional shape expands toward the vapor deposition source side.
  • the material of the metal mask 10 is not particularly limited, and any conventionally known material can be appropriately selected and used in the field of the evaporation mask, and examples thereof include metal materials such as stainless steel, iron-nickel alloy, and aluminum alloy. . Among them, an invar material that is an iron-nickel alloy can be suitably used because it is less deformed by heat. The same applies to the vapor deposition mask of the embodiment (B).
  • the metal mask 10 is preferably formed of a magnetic material.
  • the magnetic metal mask 10 include iron-nickel alloy, pure iron, carbon steel, tungsten (W) steel, chromium (Cr) steel, cobalt (Co) steel, and iron alloys including cobalt, tungsten, chromium, and carbon.
  • KS steels Some KS steels, MK steels mainly composed of iron, nickel and aluminum, NKS steels with cobalt and titanium added to MK steels, Cu-Ni-Co steels, aluminum (Al) -iron (Fe) alloys, etc. Can do.
  • the metal mask 10 may be magnetized by dispersing the magnetic powder in the material. The same applies to the vapor deposition mask of the embodiment (B).
  • FIG. 9 is a front view showing another aspect of the vapor deposition mask 100 of the embodiment (A).
  • the openings 25 constituting one screen may be alternately arranged in the horizontal direction.
  • the openings 25 adjacent in the horizontal direction may be shifted in the vertical direction.
  • the vapor deposition mask of the embodiment (B) includes a metal mask 10 provided with one through hole 15 and a resin mask provided with a plurality of openings corresponding to the pattern to be produced by vapor deposition. 20 are stacked, and all of the plurality of openings 25 are provided at positions overlapping one through-hole provided in the metal mask 10.
  • 11 is a front view of the vapor deposition mask of the embodiment (B) as viewed from the metal mask side
  • FIG. 12 is a partially enlarged schematic sectional view of the vapor deposition mask shown in FIG.
  • the metal mask 10 since the metal mask 10 is provided on the resin mask 20, durability and handling properties of the vapor deposition mask 100 can be improved.
  • durability and handling properties of a vapor deposition mask when it is set as the vapor deposition mask which consists only of a resin mask, without providing the metal mask 10 on the resin mask 20, durability and handling property of a vapor deposition mask will fall.
  • the thickness of the resin mask is thin, and when the thickness of the resin mask is reduced, the durability of the vapor deposition mask consisting only of the resin mask is reduced. The handling performance will be further reduced.
  • the metal mask 10 having one through hole 15 is provided on the resin mask 20 having the plurality of openings 25, and all of the plurality of openings 25 are provided. Is provided at a position overlapping the one through hole 15.
  • the openings 25 provided in the resin mask 20 are not affected by the interference of the metal portions.
  • a high-definition deposition pattern can be formed according to the dimensions.
  • FIG. 17A the opening 25a of the resin mask 20a is divided by a plurality of through holes 15a, and there is a metal portion forming the wall surface of the through hole 15a between the openings 25a. It is a partial expanded sectional view of a vapor deposition mask.
  • FIG.17 (b) is the elements on larger scale of the vapor deposition mask which made the thickness of the metal mask 10a thick in FIG.17 (a).
  • the vapor deposition masks shown in FIGS. 17A and 17B are used.
  • the vapor deposition material released from the vapor deposition source collides with the metal portion, and the accuracy of the vapor deposition pattern to be formed decreases due to the influence of shadows.
  • the shadow is a part of the vapor deposition material released from the vapor deposition source that collides with the wall surface of the through hole of the metal mask and does not reach the vapor deposition target, thereby causing the vapor deposition pattern to have a thickness greater than the target vapor deposition thickness.
  • the collision of the vapor deposition material with the metal portion can be more prominent as the thickness of the metal portion is increased, in other words, as the thickness of the metal mask 10a is increased.
  • the thickness of the metal mask 10a In order to prevent the occurrence of shadows, it is effective to reduce the thickness of the metal mask 10a as shown in FIG. 17A.
  • the size of the opening 25a is required to form a high-definition deposition pattern.
  • the pitch between the openings 25a is made finer, even if the thickness of the metal mask 10a is reduced and the thickness of the metal portion existing between the openings 25a is reduced, the influence of the shadow is affected. Formation of a high-definition vapor deposition pattern becomes difficult. Further, by reducing the thickness of the metal mask 10a, the durability of the entire vapor deposition mask is also lowered. Furthermore, when the pitch between the openings 25a is narrowed, it is necessary to thin the metal part existing between the openings 25a, and the risk of disconnection of the metal part increases.
  • the metal portion forming the wall surface of the through hole 15 does not exist between the openings 25, so that the shadow Therefore, it is possible to form a high-definition deposition pattern without being affected by the above.
  • the metal portion forming the wall surface of the through hole 15 is located near the end of the vapor deposition mask 100, it is possible to form a high-definition vapor deposition pattern without affecting the formation of the vapor deposition pattern. It becomes possible.
  • FIG. 17 (d) even when the thickness of the metal mask 10 is increased, the metal mask 10 is hardly affected by shadows.
  • the thickness and the handling property can be sufficiently increased, and the durability and the handling property can be improved while enabling the formation of a high-definition deposition pattern.
  • the resin mask 20 constituting the vapor deposition mask of the embodiment (B) is made of resin, and as shown in FIG. 12, a plurality of openings 25 corresponding to the pattern to be vapor deposited are provided at positions overlapping with one through hole 15. ing.
  • the opening 25 corresponds to a pattern to be produced by vapor deposition, and the vapor deposition material released from the vapor deposition source passes through the opening 25 so that a vapor deposition pattern corresponding to the opening 25 is formed on the vapor deposition target.
  • the openings are arranged in a plurality of rows in the vertical and horizontal directions is described.
  • the openings may be arranged only in the vertical or horizontal direction.
  • the vapor deposition mask 100 of the embodiment (A) is provided with the slit 15 of the metal mask 10 at a position that overlaps at least one screen formed of an assembly of openings provided in the resin mask, while the embodiment (B).
  • the vapor deposition mask 100 is different from the vapor deposition mask of the embodiment (A) in that the through-holes 15 of the metal mask 10 are located at positions that overlap all the openings provided in the resin mask. Except for this difference, the mode described in the vapor deposition mask of the embodiment (A) can be appropriately selected. Hereinafter, the difference will be mainly described.
  • the vertical pitch P1 and the horizontal pitch P2 of the adjacent openings 25 can be set as appropriate according to the pattern to be deposited.
  • the vertical pitch (P1) and the horizontal pitch (P2) of adjacent openings 25 in the openings 25 constituting one screen are about 60 ⁇ m. It becomes.
  • the size of the opening is about 500 ⁇ m 2 to 1000 ⁇ m 2 .
  • one opening 25 is not limited to corresponding to one pixel. For example, depending on the pixel arrangement, a plurality of pixels can be integrated into one opening 25.
  • the vapor deposition mask 100 of the embodiment (B) may be used for forming a vapor deposition pattern corresponding to one screen, or may be used for the simultaneous formation of vapor deposition patterns corresponding to two or more screens. Good.
  • the openings 25 are provided at predetermined intervals for each screen unit.
  • an area enclosed by a broken line is “one screen”.
  • one screen is constituted by twelve openings 25, but is not limited to this form.
  • the pitch between the screens both the vertical pitch and the horizontal pitch are about 1 mm to 100 mm. Note that the pitch between the screens means a pitch between adjacent openings in one screen and another screen adjacent to the one screen.
  • FIG. 18 is a front view showing another aspect of the vapor deposition mask 100 of the embodiment (B).
  • the openings 25 may be alternately arranged in the horizontal direction.
  • the openings 25 adjacent in the horizontal direction may be shifted in the vertical direction.
  • the metal mask 10 constituting the vapor deposition mask of the embodiment (B) is made of metal and has one through hole 15. And in the vapor deposition mask of embodiment (B), the said one through-hole 15 is arrange
  • a metal part constituting the metal mask 10, that is, a part other than the through hole 15 may be provided along the outer edge of the vapor deposition mask 100 as shown in FIG. 11, and the size of the metal mask 10 as shown in FIG. The thickness may be smaller than that of the resin mask 20, and the outer peripheral portion of the resin mask 20 may be exposed.
  • 14 is a partially enlarged schematic cross-sectional view of the vapor deposition mask shown in FIG.
  • the size of the metal mask 10 may be made larger than that of the resin mask 20, and a part of the metal portion may protrude outward in the horizontal direction or in the vertical direction of the resin mask. In any case, the size of the through hole 15 is smaller than the size of the resin mask 20.
  • W1 and W2 are reduced. As time goes on, durability and handling properties tend to decrease. Therefore, it is preferable that W1 and W2 have widths that can sufficiently satisfy durability and handling properties.
  • An appropriate width can be set as appropriate according to the thickness of the metal mask 10, but as an example of a preferable width, both W1 and W2 are about 1 mm to 100 mm.
  • the cross-sectional shape of the through-hole 15 is a shape that expands toward the vapor deposition source. .
  • released from the vapor deposition source can be passed through also in the opening part 25 located in the inner wall face vicinity of the through-hole 15 without waste.
  • the angle formed by the straight line connecting the lower bottom tip of the through hole 15 of the metal mask 10 and the upper bottom tip of the through hole 15 of the metal mask 10 and the bottom surface of the metal mask 10 is 25 ° to 65 °. It is preferable to be within the range. In particular, within this range, an angle smaller than the vapor deposition angle of the vapor deposition machine to be used is preferable.
  • the vapor deposition mask 100 according to the embodiment (B) of the present invention has been described mainly with respect to the example in which only one through hole 15 is provided in the metal mask 10, but the metal mask 10 has a plurality of through holes 15. May be provided. In this case, it is an essential condition that one through-hole 15 of the plurality of through-holes 15 is provided at a position overlapping with all the openings 25 provided in the resin mask 20.
  • the manufacturing method of the vapor deposition mask of embodiment (A) of this invention is demonstrated.
  • the method for manufacturing the vapor deposition mask 100 of the embodiment (A) is a metal mask with a resin plate in which a metal mask 10 provided with a plurality of slits 15 and a resin plate 30 are laminated.
  • a metal mask provided with a slit 15 that overlaps at least one entire screen among a plurality of screens is used.
  • the manufacturing method of the vapor deposition mask of embodiment (A) is demonstrated concretely.
  • a metal mask provided with a plurality of slits 15 is prepared.
  • the metal mask 10 prepared here is the entire opening 25 provided in at least one entire screen described in the vapor deposition mask 100 of the above-described embodiment (A).
  • the metal mask 10 provided with the slit 15 that overlaps with is used.
  • the method for bonding the metal mask and the resin plate to form a metal mask with a resin plate and the forming method are not particularly limited.
  • a metal mask with a resin plate can be obtained by preparing a body and forming slits 15 in the metal plate in the state of a laminate.
  • the resin layer which comprises the metal mask with a resin plate also includes the resin layer formed by coating as mentioned above. That is, the resin plate may be prepared in advance or may be formed by a conventionally known coating method or the like.
  • the metal mask 10 and the resin plate may be bonded together using various adhesives, or a resin plate having self-adhesiveness may be used.
  • the metal mask 10 and the resin plate 30 may have the same size. If the resin plate 30 is made smaller than the metal plate 10 and the outer peripheral portion of the metal mask 10 is exposed in consideration of the optional fixing to the frame thereafter, the metal mask 10 and the frame This is preferable because it can be easily welded. The same applies to the method for manufacturing the vapor deposition mask of the embodiment (B), and the slit may be read as one through hole.
  • a masking member for example, a resist material is applied to the surface of the metal plate, a predetermined portion is exposed and developed, and finally the slit 15 is formed.
  • a resist pattern is formed leaving the position to be formed.
  • the resist material used as the masking member those having good processability and desired resolution are preferable.
  • etching is performed by an etching method using this resist pattern as an etching resistant mask. After the etching is completed, the resist pattern is removed by washing. Thereby, the metal mask 10 provided with the plurality of slits 15 is obtained. Etching for forming the slit 15 may be performed from one side of the metal plate or from both sides.
  • the resist pattern is applied after coating the masking member on the surface of the metal plate that is not in contact with the resin plate.
  • the slit 15 is formed by etching from one side.
  • the resin plate has etching resistance to the etching material of the metal plate, it is not necessary to mask the surface of the resin plate, but when the resin plate does not have resistance to the etching material of the metal plate. Needs to be coated with a masking member on the surface of the resin plate.
  • the resist material is mainly described as the masking member. However, instead of coating the resist material, a dry film resist may be laminated and the same patterning may be performed. The same applies to the method for manufacturing the vapor deposition mask of the embodiment (B), and the slit may be read as one through hole.
  • This step is an optional step in the method of manufacturing the vapor deposition mask of the embodiment (A), but the completed vapor deposition mask is not fixed to the frame, but to the metal mask with a resin plate fixed to the frame. Since the opening is provided later, the positional accuracy can be improved significantly. In addition, when fixing the completed vapor deposition mask 100 to a frame, in order to fix a metal mask with an opening determined with respect to the frame, the opening position coordinate accuracy is higher than in the case of having this process. Will be reduced.
  • the method for fixing the metal mask with a resin plate to the frame is not particularly limited, and for example, a conventionally known process method such as spot welding may be appropriately employed.
  • FIG. 10B a laser is irradiated from the metal mask 10 side of the metal mask with a resin plate through the slit 15 to form an opening 25 corresponding to the pattern to be deposited on the resin plate 30.
  • the resin mask 20 is used.
  • the laser device used here is not particularly limited, and a conventionally known laser device may be used. Thereby, the vapor deposition mask 100 of embodiment (A) as shown in FIG.10 (c) is obtained.
  • one slit 15 is used in this step.
  • An opening 25 necessary for configuring one screen or an opening 25 necessary for configuring two or more screens is formed therein. That is, one slit 15 is provided so as to overlap with an opening constituting the entire screen or an opening 25 constituting two or more entire screens.
  • a reference plate (not shown) in which a pattern for vapor deposition, that is, a pattern corresponding to the opening 25 to be formed is provided in advance.
  • laser irradiation corresponding to the pattern of the reference plate may be performed from the metal mask 10 side.
  • the opening 25 can be formed in a so-called facing-off state in which laser irradiation is performed while observing the pattern of the reference plate bonded to the metal mask with the resin plate, and the dimensional accuracy of the opening is extremely high.
  • the high-definition opening 25 can be formed.
  • this method forms the opening part 25 in the state fixed to the flame
  • the resin plate has a certain thickness, it is necessary to use a transparent one.
  • a preferable thickness considering the influence of the shadow for example, about 3 ⁇ m to 25 ⁇ m.
  • the reference plate pattern can be recognized even with a colored resin plate.
  • the same method can be used also for the manufacturing method of the vapor deposition mask of embodiment (B).
  • the method for bonding the metal mask with resin plate and the reference plate is not particularly limited.
  • the metal mask 10 is a magnetic body, a magnet or the like is disposed behind the reference plate, and the metal with resin plate is provided. They can be bonded together by attracting the resin plate 30 of the mask and the reference plate. In addition, it can also be bonded using an electrostatic adsorption method or the like.
  • the reference plate include a TFT substrate having a predetermined opening pattern and a photomask. The same method can be used also for the manufacturing method of the vapor deposition mask of embodiment (B).
  • a slimming process may be performed between the processes described above or after the processes.
  • a resin plate 30 that finally becomes the resin mask 20 or a metal mask 10 that is thicker than the preferred thickness described above is used, the metal mask 10 or the resin plate 30 is removed during the manufacturing process.
  • the thickness of the vapor deposition mask 100 obtained by the manufacturing method of the embodiment (A) is an optimum thickness.
  • the slimming process is a useful process for optimizing the thickness of the vapor deposition mask 100 while satisfying durability and transportability during or after the manufacturing process.
  • the slimming of the metal mask 10 is the surface of the metal mask 10 that does not contact the resin plate 30 or the surface of the metal mask 10 that does not contact the resin plate 30 or the resin mask 20 during or after the above-described steps. Can be realized by etching using an etching material capable of etching the metal mask 10.
  • the surface of the resin plate 30 that is not in contact with the metal mask 10 or the surface of the resin mask 20 that is not in contact with the metal mask 10 is etched using an etching material that can etch the material of the resin plate 30 and the resin mask 20. This is possible.
  • both the metal mask 10 and the resin mask 30 can be etched, and both thicknesses can also be optimized.
  • the above slimming process can also be applied as it is in the method for manufacturing a vapor deposition mask of the embodiment (B).
  • the manufacturing method of the vapor deposition mask 100 of embodiment (B) prepares the metal mask with a resin plate by which the metal mask 10 provided with one through-hole and the resin plate 30 were laminated
  • FIG. 19A a resin mask forming process for forming a plurality of openings 25 at positions overlapping with one through hole 15 of the resin plate 30 by irradiating laser from the metal mask 10 side
  • This step is a step of preparing a metal mask with a resin plate in which the metal mask 10 and the resin plate 30 are laminated by bonding the metal mask 10 provided with one through hole 15 and the resin plate 30 together. .
  • This step is an optional step in the method for manufacturing the vapor deposition mask of the embodiment (B), and the method described in the method for manufacturing the vapor deposition mask in the above embodiment (A) can be used as it is. Description is omitted.
  • the vapor deposition mask preparation of one embodiment of the present invention is a laminate of a metal mask provided with a plurality of slits and a resin mask, and the resin mask is provided with openings necessary to form a plurality of screens.
  • the portion corresponds to the pattern to be produced by vapor deposition, and each of the slits is a vapor deposition mask preparation for obtaining a vapor deposition mask provided at a position overlapping at least one entire screen, on one surface of the resin plate
  • a metal mask provided with slits is laminated, and each slit is provided at a position overlapping with the entire opening constituting one screen finally provided on the resin plate.
  • the vapor deposition mask preparation of one embodiment of the present invention is common to the vapor deposition mask 100 of the above-described embodiment (A) except that the opening 25 is not provided in the resin plate, and a specific description is as follows. Omitted.
  • a specific configuration of the vapor deposition mask preparation of one embodiment a metal mask with a resin plate (see FIG. 10A) prepared in the preparation step in the vapor deposition mask manufacturing method of the above embodiment (A) is given. be able to.
  • both high definition and light weight can be achieved even when the size is increased, and high definition vapor deposition is achieved.
  • a vapor deposition mask capable of forming a pattern can be obtained.
  • the vapor deposition mask preparation of another embodiment is formed by laminating a metal mask provided with one through hole and a resin mask provided with a plurality of openings corresponding to a pattern to be produced by vapor deposition, and all of the plurality of openings.
  • one through hole is provided at a position overlapping with all the openings finally provided in the resin plate.
  • the vapor deposition mask preparation of another embodiment is common to the vapor deposition mask 100 of the embodiment (B) described above except that the opening 25 is not provided in the resin plate, and a specific description is omitted. .
  • a metal mask with a resin plate (see FIG. 19A) prepared in the preparation step in the vapor deposition mask manufacturing method of the above embodiment (B). Can be mentioned.
  • both high definition and light weight can be satisfied even when the size is increased, and high definition is achieved.
  • a vapor deposition mask capable of forming a vapor deposition pattern can be obtained.
  • the manufacturing method of the organic-semiconductor element of one Embodiment of this invention has the process of forming a vapor deposition pattern by the vapor deposition method using the vapor deposition mask with a flame
  • An organic semiconductor device manufacturing method having a step of forming a vapor deposition pattern by a vapor deposition method using a vapor deposition mask with a frame includes an electrode forming step of forming an electrode on a substrate, an organic layer forming step, and a counter electrode forming step.
  • the deposition pattern is formed on the substrate by a deposition method using a deposition mask with a frame in each optional step. For example, when the vapor deposition method using a vapor deposition mask with a frame is applied to the R, G, B light emitting layer forming step of the organic EL device, vapor deposition patterns of the respective color light emitting layers are formed on the substrate.
  • the manufacturing method of the organic-semiconductor element of one Embodiment of this invention is not limited to these processes, It is applicable to the arbitrary processes in manufacture of the conventionally well-known organic-semiconductor element using a vapor deposition method.
  • the vapor deposition mask fixed to the frame is the vapor deposition mask of the embodiment (A) described above or the embodiment. It is a vapor deposition mask of (B).
  • the vapor deposition mask 100 of the embodiment (A) or the embodiment (B) described above can be used as it is, and detailed description thereof is omitted here.
  • the manufacturing method of the organic semiconductor element using the vapor deposition mask of the embodiment (A) of the present invention described above and the frame-equipped vapor deposition mask including the vapor deposition mask of the embodiment (B) it has a high-definition pattern.
  • An organic semiconductor element can be formed.
  • the organic layer, light emitting layer, cathode electrode, etc. of an organic EL element can be mentioned, for example.
  • the method for manufacturing an organic semiconductor element according to an embodiment of the present invention can be suitably used for manufacturing R, G, and B light emitting layers of organic EL elements that require high-definition pattern accuracy.
  • the frame is not particularly limited and may be any member that can support the vapor deposition mask.
  • a metal frame, a ceramic frame, or the like can be used.
  • the metal frame is preferable in that it can be easily welded to the metal mask of the vapor deposition mask and the influence of deformation or the like is small.
  • an example using a metal frame as a frame will be mainly described. For example, as illustrated in FIG.
  • a metal frame-attached vapor deposition mask 200 in which one vapor deposition mask 100 is fixed to the metal frame 60 may be used.
  • a metal frame-equipped vapor deposition mask 200 in which vapor deposition masks (four vapor deposition masks in the illustrated form) are arranged in the vertical direction or in the horizontal direction and fixed (in the illustrated form, arranged in the horizontal direction) may be used.
  • 20 and 21 are front views of the vapor deposition mask 200 with a metal frame of one embodiment as viewed from the resin mask 20 side.
  • the metal frame 60 is a substantially rectangular frame member and has an opening for exposing the opening 25 provided in the resin mask 20 of the vapor deposition mask 100 to be finally fixed to the vapor deposition source side.
  • the material of the metal frame is not particularly limited, but a metal material having high rigidity, for example, SUS or Invar material is preferable.
  • the thickness of the metal frame is not particularly limited, but is preferably about 10 mm to 30 mm from the viewpoint of rigidity and the like.
  • the width between the inner peripheral end face of the opening of the metal frame and the outer peripheral end face of the metal frame is not particularly limited as long as the metal frame and the metal mask of the vapor deposition mask can be fixed. A width of about 50 mm can be exemplified.
  • a reinforcing frame 65 or the like may be present in the opening of the metal frame as long as exposure of the opening 25 of the resin mask 20 constituting the vapor deposition mask 100 is not hindered.
  • the opening of the metal frame 60 may be divided by the reinforcing frame or the like.
  • a plurality of reinforcing frames 65 extending in the horizontal direction are arranged in the vertical direction.
  • reinforcing frames extending in the vertical direction are arranged in a plurality of rows in the horizontal direction. May be.
  • a plurality of reinforcing frames 65 extending in the vertical direction are arranged in the horizontal direction.
  • the reinforcing frames extending in the horizontal direction are arranged in the vertical direction. A plurality of them may be arranged.
  • a plurality of the vapor deposition masks 100 of the embodiment (A) or the embodiment (B) described above are arranged in the metal frame 60 in the vertical direction and the horizontal direction.
  • the vapor deposition mask can be fixed to the metal frame 60 even at a position where the reinforcing frame and the vapor deposition mask overlap.

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Abstract

　大型化した場合でも高精細化と軽量化の双方を満たすことができ、かつ、強度を保ちつつも、高精細な蒸着パターンの形成が可能な蒸着マスク、及びこの蒸着マスクを簡便に製造することができる蒸着マスクの製造方法や蒸着マスク準備体、さらには高精細な有機半導体素子を製造することができる有機半導体素子の製造方法を提供すること。　複数のスリット１５が設けられた金属マスク１０と、樹脂マスク２０とが積層され、樹脂マスク２０には、複数画面を構成するために必要な開口部２５が設けられ、開口部２５は、蒸着作製するパターンに対応しており、各スリット１５が、少なくとも１画面全体と重なる位置に設けられている。

Description

蒸着マスク、蒸着マスク準備体、蒸着マスクの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法
　本発明は、蒸着マスク、蒸着マスク準備体、蒸着マスクの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法に関する。
　従来、有機ＥＬ素子の製造において、有機ＥＬ素子の有機層或いはカソード電極の形成には、例えば、蒸着すべき領域に多数の微細なスリットを微小間隔で平行に配列してなる金属から構成される蒸着マスクが使用されていた。この蒸着マスクを用いる場合、蒸着すべき基板表面に蒸着マスクを載置し、裏面から磁石を用いて保持させているが、スリットの剛性は極めて小さいことから、蒸着マスクを基板表面に保持する際にスリットにゆがみが生じやすく、高精細化或いはスリット長さが大となる製品の大型化の障害となっていた。
　スリットのゆがみを防止するための蒸着マスクについては、種々の検討がなされており、例えば、特許文献１には、複数の開口部を備えた第一金属マスクを兼ねるベースプレートと、前記開口部を覆う領域に多数の微細なスリットを備えた第二金属マスクと、第二金属マスクをスリットの長手方向に引っ張った状態でベースプレート上に位置させるマスク引張保持手段を備えた蒸着マスクが提案されている。すなわち、２種の金属マスクを組合せた蒸着マスクが提案されている。この蒸着マスクによれば、スリットにゆがみを生じさせることなくスリット精度を確保できるとされている。
　ところで近時、有機ＥＬ素子を用いた製品の大型化或いは基板サイズの大型化にともない、蒸着マスクに対しても大型化の要請が高まりつつあり、金属から構成される蒸着マスクの製造に用いられる金属板も大型化している。しかしながら、現在の金属加工技術では、大型の金属板にスリットを精度よく形成することは困難であり、たとえ上記特許文献１に提案されている方法などによってスリット部のゆがみを防止できたとしても、スリットの高精細化への対応はできない。また、金属のみからなる蒸着マスクとした場合には、大型化に伴いその質量も増大し、フレームを含めた総質量も増大することから取り扱いに支障をきたすこととなる。
　上記で提案がされている蒸着マスクにおいて、蒸着マスクの軽量化を図るためには、金属から構成される蒸着マスクの厚みを薄くすることが必要となる。しかしながら、金属から構成される蒸着マスクの厚みを薄くしていった場合には、そのぶん蒸着マスクの強度が低下していき、蒸着マスクに変形が生じる場合や、ハンドリングが困難になるといった新たな問題が生ずることとなる。
特開２００３－３３２０５７号公報
　本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、大型化した場合でも高精細化と軽量化の双方を満たすことができ、かつ、強度を保ちつつも、高精細な蒸着パターンの形成が可能な蒸着マスクを提供すること、及び、この蒸着マスクを簡便に製造することができる蒸着マスクの製造方法や蒸着マスク準備体を提供すること、さらには、有機半導体素子を精度よく製造することができる有機半導体素子の製造方法を提供することを主たる課題とする。
　上記課題を解決するための本発明は、複数画面分の蒸着パターンを同時に形成するための蒸着マスクであって、複数のスリットが設けられた金属マスクと、樹脂マスクとが積層され、前記樹脂マスクには、複数画面を構成するために必要な開口部が設けられ、前記開口部は、蒸着作製するパターンに対応しており、各前記スリットが、少なくとも１画面全体と重なる位置に設けられていることを特徴とする。
　また、上記課題を解決するための本発明は、蒸着マスクであって、１つの貫通孔が設けられた金属マスクと、蒸着作製するパターンに対応した開口部が複数設けられた樹脂マスクとが積層され、前記複数の開口部の全てが、前記１つの貫通孔と重なる位置に設けられていることを特徴とする。
　また、上記課題を解決するための本発明は、複数のスリットが設けられた金属マスクと樹脂マスクとが積層され、前記樹脂マスクには複数画面を構成するために必要な開口部が設けられ、前記開口部は蒸着作製するパターンに対応しており、各前記スリットが、少なくとも１画面全体と重なる位置に設けられている蒸着マスクを得るための蒸着マスク準備体において、樹脂板の一方の面上にスリットが設けられた金属マスクが積層されてなり、各前記スリットは、前記樹脂板に最終的に設けられる１画面を構成する開口部全体と重なる位置に設けられていることを特徴とする。
　また、上記課題を解決するための本発明は、１つの貫通孔が設けられた金属マスクと、蒸着作製するパターンに対応した開口部が複数設けられた樹脂マスクとが積層され、前記複数の開口部の全てが、前記１つの貫通孔と重なる位置に設けられている蒸着マスクを得るための蒸着マスク準備体において、樹脂板の一方の面上にスリットが設けられた金属マスクが積層されてなり、各前記１つの貫通孔は、前記樹脂板に最終的に設けられる開口部全体と重なる位置に設けられていることを特徴とする。
　また、上記課題を解決するための本発明は、蒸着マスクの製造方法であって、複数のスリットが設けられた金属マスクと、樹脂板とが積層された樹脂板付き金属マスクを準備する工程と、前記金属マスク側からレーザーを照射して、前記樹脂板に複数画面を構成するために必要な開口部を形成する樹脂マスク形成工程と、を備え、前記金属マスクとして、前記複数画面のうちの少なくとも１画面全体と重なる位置にスリットが設けられた金属マスクが用いられることを特徴とする。
　また、上記課題を解決するための本発明は、蒸着マスクの製造方法であって、１つの貫通孔が設けられた金属マスクと、樹脂板とが積層された樹脂板付き金属マスクを準備する工程と、前記金属マスク側からレーザーを照射し、前記樹脂板の前記１つの貫通孔と重なる位置に複数の開口部を形成する樹脂マスク形成工程と、を備えることを特徴とする。
　また、上記の製造方法において、フレーム上に、前記樹脂板付き金属マスクを固定した後に、前記樹脂マスク形成工程を行ってもよい。
　また、上記課題を解決するための本発明は、有機半導体素子の製造方法であって、フレームに蒸着マスクが固定されたフレーム付き蒸着マスクを用いて蒸着対象物に蒸着パターンを形成する工程を含み、前記蒸着パターンを形成する工程において、前記フレームに固定される前記蒸着マスクが、複数のスリットが設けられた金属マスクと、樹脂マスクとが積層され、前記樹脂マスクには、複数画面を構成するために必要な開口部が設けられ、各前記スリットが、少なくとも１画面全体と重なる位置に設けられている蒸着マスクであることを特徴とする。
　また、上記課題を解決するための本発明は、有機半導体素子の製造方法であって、フレームに蒸着マスクが固定されたフレーム付き蒸着マスクを用いて蒸着対象物に蒸着パターンを形成する工程を含み、前記蒸着パターンを形成する工程において、前記フレームに固定される前記蒸着マスクが、１つの貫通孔が設けられた金属マスクと、蒸着作製するパターンに対応した開口部が複数設けられた樹脂マスクとが積層され、前記複数の開口部の全てが、前記１つの貫通孔と重なる位置に設けられている蒸着マスクであることを特徴とする。
　本発明の蒸着マスクによれば、大型化した場合でも高精細化と軽量化の双方を満たすことができ、かつ、蒸着マスク全体の強度を保ちつつも、高精細な蒸着パターンの形成が可能となる。また、本発明の蒸着マスク準備体や、蒸着マスクの製造方法によれば、上記特徴の蒸着マスクを簡便に製造することができる。また、本発明の有機半導体素子の製造方法によれば、有機半導体素子を精度よく製造することができる。
実施形態（Ａ）の蒸着マスクを金属マスク側から見た正面図である。 図１に示す蒸着マスクの部分拡大断面図である。 実施形態（Ａ）の蒸着マスクを金属マスク側から見た正面図である。 実施形態（Ａ）の蒸着マスクを金属マスク側から見た正面図である。 実施形態（Ａ）の蒸着マスクを金属マスク側から見た正面図である。 実施形態（Ａ）の蒸着マスクの部分拡大断面図である。 実施形態（Ａ）の蒸着マスクを樹脂マスク側から見た正面図である。 シャドウと、金属マスクの厚みとの関係を示す概略断面図である。 実施形態（Ａ）の蒸着マスクを金属マスク側から見た正面図である。 実施形態（Ａ）の蒸着マスクの製造方法の例を説明するための工程図である。なお（ａ）～（ｃ）はすべて断面図である。 実施形態（Ｂ）の蒸着マスクを金属マスク側から見た正面図である。 図１１に示す蒸着マスクの部分拡大断面図である。 実施形態（Ｂ）の蒸着マスクを金属マスク側から見た正面図である。 図１３に示す蒸着マスクの部分拡大断面図である。 実施形態（Ｂ）の蒸着マスクを金属マスク側から見た正面図である。 実施形態（Ｂ）の蒸着マスクの部分拡大断面図である。 シャドウと、金属マスクの厚みとの関係を示す概略断面図である。 実施形態（Ｂ）の蒸着マスクを金属マスク側から見た正面図である。 実施形態（Ｂ）の蒸着マスクの製造方法の例を説明するための工程図である。なお（ａ）～（ｃ）は断面図である。 一実施形態のフレーム付き蒸着マスクを樹脂マスク側から見た正面図である。 一実施形態のフレーム付き蒸着マスクを樹脂マスク側から見た正面図である。
　以下に、本発明の一実施形態の蒸着マスク１００について、実施形態（Ａ）、実施形態（Ｂ）にわけて図面を用いて具体的に説明する。
　＜実施形態（Ａ）の蒸着マスク＞
　図１～図７、図９に示すように、実施形態（Ａ）の蒸着マスク１００は、複数画面分の蒸着パターンを同時に形成するための蒸着マスクであって、複数のスリット１５が設けられた金属マスク１０と、樹脂マスク２０とが積層され、樹脂マスク２０には、複数画面を構成するために必要な開口部２５が設けられ、各スリット１５が、少なくとも１画面全体と重なる位置に設けられていることを特徴とする。なお、図１、図３～図５、図９は、実施形態（Ａ）の蒸着マスクを金属マスク側から見た正面図であり、図２、図６は、図１に示す蒸着マスクの部分拡大概略断面図である。
　実施形態（Ａ）の蒸着マスク１００は、複数画面分の蒸着パターンを同時に形成するために用いられる蒸着マスクであり、１つの蒸着マスク１００で、複数の製品に対応する蒸着パターンを同時に形成することができる。本願明細書で言う「開口部」とは、実施形態（Ａ）、及び実施形態（Ｂ）の蒸着マスクを用いて作製しようとするパターンを意味し、例えば、当該蒸着マスクを有機ＥＬディスプレイにおける有機層の形成に用いる場合には、開口部２５の形状は当該有機層の形状となる。実施形態（Ａ）、及び実施形態（Ｂ）の蒸着マスク１００では、蒸着源から放出された蒸着材が開口部２５を通過することで、蒸着対象物に開口部２５に対応する蒸着パターンが形成される。また、「１画面」とは、１つの製品に対応する開口部２５の集合体からなり、当該１つの製品が有機ＥＬディスプレイである場合には、１つの有機ＥＬディスプレイを形成するのに必要な有機層の集合体、つまり、有機層となる開口部２５の集合体が「１画面」となる。そして、実施形態（Ａ）の蒸着マスク１００は、複数画面分の蒸着パターンを同時に形成すべく、樹脂マスク２０には、上記「１画面」が、所定の間隔をあけて複数画面分配置されている。すなわち、樹脂マスク２０には、複数画面を構成するために必要な開口部２５が設けられている。
　実施形態（Ａ）の蒸着マスクは、樹脂マスクの一方の面上に、複数のスリット１５が設けられた金属マスク１０が積層され、金属マスク１０の各スリットは、それぞれ少なくとも１画面全体と重なる位置に設けられている点を特徴とする。換言すれば、１画面を構成するのに必要な開口部２５間に、横方向に隣接する開口部２５間に、スリット１５の縦方向の長さと同じ長さであって、金属マスク１０と同じ厚みを有する金属線部分や、縦方向に隣接する開口部間２５に、スリット１５の横方向の長さと同じ長さであって、金属マスク１０と同じ厚みを有する金属部分が存在していないことを特徴とする。以下、スリット１５の縦方向の長さと同じ長さであって、金属マスク１０と同じ厚みを有する金属線部分や、スリット１５の横方向の長さと同じ長さであって、金属マスク１０と同じ厚みを有する金属線部分のことを総称して、単に金属部分と言う場合がある。
　実施形態（Ａ）の蒸着マスク１００によれば、１画面を構成するのに必要な開口部２５の大きさや、１画面を構成する開口部２５間のピッチを狭くした場合、例えば、４００ｐｐｉを超える画面の形成を行うべく、開口部２５の大きさや、開口部２５間のピッチを極めて微小とした場合であっても、上記金属部分による干渉を防止することができ、高精細な画像の形成が可能となる。なお、１画面が、複数のスリットによって分割されている場合、換言すれば、１画面を構成する開口部２５間に金属線部分が存在している場合には、１画面を構成する開口部２５間のピッチが狭くなっていくことにともない、開口部２５間に存在する金属部分を細線化させる必要がある。しかしながら、１画面を構成する開口部２５間に存在する金属部分を細線化していった場合には、当該金属部分が破断する頻度が高まり、破断した金属部分が、蒸着時に悪影響を及ぼす場合がある。
　また、１画面を構成する開口部２５間に金属部分が存在している場合は、当該金属部分が、シャドウの発生を引き起こし高精細な画面の形成が困難となる。なお、シャドウとは、蒸着源から放出された蒸着材の一部が、金属マスク１０のスリット１５の内壁面に衝突して蒸着対象物へ到達しないことにより、目的とする蒸着膜厚よりも薄い膜厚となる未蒸着部分が生ずる現象のことをいう。特に、開口部２５の形状が微細化していくことにともない、１画面内の開口部２５間に存在する金属部分によるシャドウによる影響は大きくなる。つまり、実施形態（Ａ）の蒸着マスクでは、少なくとも１画面全体と重なる位置にスリットを設ける、すなわち、１画面を構成する開口部２５間に金属部分を存在させないことで、蒸着マスクの耐久性や、シャドウの影響を防止している点にある。
　また、実施形態（Ａ）の蒸着マスク１００によれば、従来の蒸着マスクと比較して軽量化を図ることができる。具体的には、実施形態（Ａ）の蒸着マスク１００の質量と、従来公知の金属のみから構成される蒸着マスクの質量とを、蒸着マスク全体の厚みが同一であると仮定して比較すると、従来公知の蒸着マスクの金属材料の一部を樹脂材料に置き換えた分だけ、実施形態（Ａ）の蒸着マスク１００の質量は軽くなる。また、金属のみから構成される蒸着マスクを用いて、軽量化を図るためには、当該蒸着マスクの厚みを薄くする必要などがあるが、蒸着マスクの厚みを薄くした場合には、蒸着マスクを大型化した際に、蒸着マスクに歪みが発生する場合や、耐久性が低下する場合が起こる。一方、実施形態（Ａ）の蒸着マスクによれば、大型化したときの歪みや、耐久性を満足させるべく、蒸着マスク全体の厚みを厚くしていった場合であっても、樹脂マスク２０の存在によって、金属のみから形成される蒸着マスクよりも軽量化を図ることができる。以下、それぞれについて具体的に説明する。このことは、後述する実施形態（Ｂ）の蒸着マスクについても同様である。
　（実施形態（Ａ）の蒸着マスクをなす樹脂マスク）
　実施形態（Ａ）の蒸着マスクをなす樹脂マスク２０は、従来公知の樹脂材料を適宜選択して用いることができ、その材料について特に限定されないが、レーザー加工等によって高精細な開口部２５の形成が可能であり、熱や経時での寸法変化率や吸湿率が小さく、軽量な材料を用いることが好ましい。このような材料としては、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、エチレン酢酸ビニル共重合体樹脂、エチレン－ビニルアルコール共重合体樹脂、エチレン－メタクリル酸共重合体樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、セロファン、アイオノマー樹脂等を挙げることができる。上記に例示した材料の中でも、その熱膨張係数が１６ｐｐｍ／℃以下である樹脂材料が好ましく、吸湿率が１．０％以下である樹脂材料が好ましく、この双方の条件を備える樹脂材料が特に好ましい。この樹脂材料を用いた樹脂マスクとすることで、開口部２５の寸法精度を向上させることができ、かつ熱や経時での寸法変化率や吸湿率を小さくすることができる。実施形態（Ａ）の蒸着マスクでは、樹脂マスク２０が上述したように金属材料と比較して、高精細な開口部２５の形成が可能な樹脂材料から構成される。したがって、高精細な開口部２５を有する蒸着マスク１００とすることができる。実施形態（Ｂ）の蒸着マスクについても同様である。
　樹脂マスク２０の厚みについても特に限定はないが、実施形態（Ａ）の蒸着マスク１００を用いて蒸着を行ったときに、目的とする蒸着膜厚よりも薄い膜厚となる蒸着部分、所謂シャドウが生じることを防止するためには、樹脂マスク２０は可能な限り薄いことが好ましい。しかしながら、樹脂マスク２０の厚みが３μｍ未満である場合には、ピンホール等の欠陥が生じやすく、また変形等のリスクが高まる。一方で、２５μｍを超えるとシャドウの発生が生じ得る。この点を考慮すると樹脂マスク２０の厚みは３μｍ以上２５μｍ以下であることが好ましい。樹脂マスク２０の厚みをこの範囲内とすることで、ピンホール等の欠陥や変形等のリスクを低減でき、かつシャドウの発生を効果的に防止することができる。特に、樹脂マスク２０の厚みを、３μｍ以上１０μｍ以下、より好ましくは４μｍ以上８μｍ以下とすることで、４００ｐｐｉを超える高精細パターンを形成する際のシャドウの影響をより効果的に防止することができる。また、実施形態（Ａ）の蒸着マスクでは、樹脂マスク２０の厚みを、上記好ましい範囲まで薄くしていった場合であっても、樹脂マスク２０上に設けられる金属マスク１０の存在によって、蒸着マスク１００全体の耐久性や、ハンドリング性を満足させることができる。実施形態（Ｂ）の蒸着マスクについても同様である。
　なお、実施形態（Ａ）の蒸着マスク１００において、金属マスク１０と樹脂マスク２０とは、直接的に接合されていてもよく、粘着剤層を介して接合されていてもよいが、粘着剤層を介して金属マスク１０と樹脂マスク２０とが接合される場合には、上記シャドウの点を考慮して、樹脂マスク２０と粘着剤層との合計の厚みが３μｍ以上２５μｍ以下、好ましくは３μｍ以上１０μｍ、特に好ましくは、４μｍ以上８μｍ以下の範囲内となるように設定することが好ましい。実施形態（Ｂ）の蒸着マスクについても同様である。
　また、実施形態（Ａ）の蒸着マスク１００は、上記樹脂マスク２０と、金属マスク１０が積層された構成をとることから、金属マスク１０の存在によって蒸着マスク全体の耐久性の向上が図られ、これにより、ハンドリング性能や、破断、変形の防止が図られている。実施形態（Ｂ）の蒸着マスクについても同様である。
　次に、図１、図３～図６を参照して、１画面を構成する開口部２５の一例について説明する。なお、図示する形態において破線で閉じられた領域が１画面となっている。図示する形態では、説明の便宜上少数の開口部２５の集合体を１画面としているが、この形態に限定されるものではなく、例えば、１つの開口部２５を１画素としたときに、１画面に数百万画素の開口部２５が存在していてもよい。
　図１に示す形態では、縦方向、横方向に複数の開口部２５が設けられてなる開口部２５の集合体によって１画面が構成されている。図３に示す形態では、横方向に複数の開口部２５が設けられてなる開口部２５の集合体によって１画面が構成されている。また、図４に示す形態では、縦方向に複数の開口部２５が設けられてなる開口部２５の集合体によって１画面が構成されている。そして、図１、図３、図４では、１画面全体と重なる位置にスリット１５が設けられている。
　上記で説明したように、金属マスク１０のスリット１５は、１画面のみと重なる位置に設けられていてもよく、図５（ａ）、図５（ｂ）に示すように、スリット１５は、２以上の画面全体と重なる位置に設けられていてもよい。図５（ａ）では、図１に示す樹脂マスクにおいて、横方向に連続する２画面全体と重なる位置にスリット１５が設けられている。図５（ｂ）では、縦方向に連続する３画面全体と重なる位置にスリット１５が設けられている。なお、複数画面全体を１つのスリットと重なる場合において、金属マスク１０全表面に対し、スリット１５が占める領域の割合が多くなるほど、樹脂マスク上に設けられる金属部分が占める割合が低下し、蒸着マスク１００全体の耐久性は、低下していく傾向にある。したがって、複数画面全体を１つのスリットと重ねる場合には、蒸着マスク１００全体の耐久性を考慮して適宜設定する必要がある。
　次に、図１に示す形態を例に挙げて、１画面を構成する開口部２５間のピッチ、画面間のピッチについて説明する。１画面を構成する開口部２５間のピッチや、開口部２５の大きさについて特に限定はなく、蒸着作製するパターンに応じて適宜設定することができる。例えば、４００ｐｐｉの高精細な蒸着パターンの形成を行う場合には、１画面を構成する開口部２５において隣接する開口部２５の横方向のピッチ（Ｐ１）、縦方向のピッチ（Ｐ２）は６０μｍ程度となる。また、開口部の大きさは、５００μｍ2～１０００μｍ2程度となる。また、１つの開口部２５は、１画素に対応していることに限定されることはなく、例えば、画素配列によっては、複数画素を纏めて１つの開口部２５とすることもできる。
　画面間の横方向のピッチ（Ｐ３）、縦方向のピッチ（Ｐ４）についても特に限定はないが、図１に示すように、１つのスリット１５が、１画面全体と重なる位置に設けられる場合には、各画面間に金属部分が存在することとなる。したがって、各画面間の横方向のピッチ（Ｐ３）、縦方向のピッチ（Ｐ４）が、１画面内に設けられている開口部２５の横方向のピッチ（Ｐ１）、縦方向のピッチ（Ｐ２）よりも小さい場合、或いは略同等である場合には、各画面間に存在している金属部分が断線しやすくなる。したがって、この点を考慮すると、画面間のピッチ（Ｐ３、Ｐ４）は、１画面を構成する開口部２５間のピッチ（Ｐ１、Ｐ２）よりも広いことが好ましい。画面間のピッチ（Ｐ３、Ｐ４）の一例としては、１ｍｍ～１００ｍｍ程度である。なお、画面間のピッチとは、１の画面と、当該１の画面と隣接する他の画面とにおいて、隣接している開口部間のピッチを意味する。
　なお、図５に示すように、１つのスリット１５が、２つ以上の画面全体と重なる位置に設けられる場合には、１つのスリット１５内に設けられている複数の画面間には、金属部分が存在しないこととなる。したがって、この場合、１つのスリット１５と重なる位置に設けられている２つ以上の画面間のピッチは、１画面を構成する開口部２５間のピッチと略同等であってもよい。
　開口部２５の断面形状についても特に限定はなく、開口部２５を形成する樹脂マスクの向かいあう端面同士が略平行であってもよいが、図２、図６に示すように、開口部２５はその断面形状が、蒸着源に向かって広がりをもつような形状であることが好ましい。換言すれば、金属マスク１０側に向かって広がりをもつテーパー面を有していることが好ましい。開口部２５の断面形状を当該構成とすることにより、実施形態（Ａ）の蒸着マスクを用いて蒸着を行ったときに、蒸着作成するパターンにシャドウが生じることを防止することができる。テーパー角θについては、樹脂マスク２０の厚み等を考慮して適宜設定することができるが、樹脂マスクの開口部における下底先端と、同じく樹脂マスクの開口部における上底先端を結んだ直線と、樹脂マスク２０の底面とのなす角度、換言すれば、樹脂マスク２０の開口部２５を構成する内壁面の厚み方向断面において、開口部２５の内壁面と樹脂マスク２０の金属マスク１０と接しない側の面（図示する形態では、樹脂マスクの下面）とのなす角度（θ）は、５°～８５°の範囲内であることが好ましく、１５°～８０°の範囲内であることがより好ましく、２５°～６５°の範囲内であることがさらに好ましい。特には、この範囲内の中でも、使用する蒸着機の蒸着角度よりも小さい角度であることが好ましい。さらに、図２、図６にあっては、開口部２５を形成する端面は直線形状を呈しているが、これに限定されることはなく、外に凸の湾曲形状となっている、つまり開口部２５の全体の形状がお椀形状となっていてもよい。このような断面形状を有する開口部２５は、例えば、開口部２５の形成時における、レーザーの照射位置や、レーザーの照射エネルギーを適宜調整する、或いは照射位置を段階的に変化させる多段階のレーザー照射を行うことで形成可能である。なお、図２、図６は、図１に示す形態の蒸着マスク１００の一例を示す部分拡大断面図である。実施形態（Ｂ）の蒸着マスクについても同様であり、図２、図６を、それぞれ図１２、図１６と読み替えればよい。
　樹脂マスク２０は、樹脂材料が用いられることから、従来の金属加工に用いられる加工法、例えば、エッチング加工法や切削等の加工方法によらず、開口部２５の形成が可能である。つまり、開口部２５の形成方法について特に限定されることなく、各種の加工方法、例えば、高精細な開口部２５の形成が可能なレーザー加工法や、精密プレス加工、フォトリソ加工等を用いて開口部２５を形成することができる。レーザー加工法等によって開口部２５を形成する方法については後述する。実施形態（Ｂ）の蒸着マスクについても同様である。
　エッチング加工法としては、例えば、エッチング材を噴射ノズルから所定の噴霧圧力で噴霧するスプレーエッチング法、エッチング材が充填されたエッチング液中に浸漬エッチング法、エッチング材を滴下するスピンエッチング法等のウェットエッチング法や、ガス、プラズマ等を利用したドライエッチング法を用いることができる。実施形態（Ｂ）の蒸着マスクについても同様である。
　また、実施形態（Ａ）の蒸着マスクでは、蒸着マスク１００の構成として樹脂マスク２０が用いられることから、この蒸着マスク１００を用いて蒸着を行ったときに、樹脂マスク２０の開口部２５には非常に高い熱が加わり、樹脂マスク２０の開口部２５を形成する端面（図６参照）から、ガスが発生し、蒸着装置内の真空度を低下させる等のおそれが生じ得る。したがって、この点を考慮すると、図６に示すように、樹脂マスク２０の開口部２５を形成する端面には、バリア層２６が設けられていることが好ましい。バリア層２６を形成することで、樹脂マスク２０の開口部２５を形成する端面からガスが発生することを防止できる。実施形態（Ｂ）の蒸着マスクについても同様であり、図６を、図１６と読み替えればよい。
　バリア層２６は、無機酸化物や無機窒化物、金属の薄膜層または蒸着層を用いることができる。無機酸化物としては、アルミニウムやケイ素、インジウム、スズ、マグネシウムの酸化物を用いることができ、金属としてはアルミニウム等を用いることができる。バリア層２６の厚みは、０．０５μｍ～１μｍ程度であることが好ましい。実施形態（Ｂ）の蒸着マスクについても同様である。
　さらに、バリア層２６は、樹脂マスク２０の蒸着源側表面を覆っていることが好ましい（図示しない）。樹脂マスク２０の蒸着源側表面をバリア層２６で覆うことによりバリア性が更に向上する。バリア層は、無機酸化物、および無機窒化物の場合は各種ＰＶＤ（ｐｈｙｓｉｃａｌ　ｖａｐｏｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａｐｏｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって形成することが好ましい。金属の場合は、スパッタリング法、イオンプレーティング、真空蒸着法等の各種ＰＶＤ法、特には、真空蒸着法によって形成することが好ましい。なお、ここでいうところの樹脂マスク２０の蒸着源側表面とは、樹脂マスク２０の蒸着源側の表面の全体であってもよく、樹脂マスク２０の蒸着源側の表面において金属マスクから露出している部分のみであってもよい。実施形態（Ｂ）の蒸着マスクについても同様である。
　また、実施形態（Ａ）の蒸着マスクを用いて蒸着対象物に蒸着を行うにあたり、蒸着対象物後方に磁石等を配置して蒸着対象物前方の蒸着マスク１００を磁力によって引きつけることで、実施形態（Ａ）の蒸着マスクと蒸着対象物とを密着させる場合には、樹脂マスク２０の金属マスク１０と接しない側の面に、磁性材料から構成される磁性層（図示しない）を設けることが好ましい。磁性層を設けることで、当該磁性層と、蒸着対象物とを磁力によって引きつけて、実施形態（Ａ）の蒸着マスクと蒸着対象物を隙間なく十分に密着させることができ、実施形態（Ａ）の蒸着マスクと蒸着対象物との隙間に起因して生じ得る蒸着パターン太りを防止することができる。具体的には、実施形態（Ａ）の蒸着マスクでは、１画面を構成する開口部２５間に金属部分を存在させていないことから、１画面に対応する領域において、実施形態（Ａ）の蒸着マスク１００と蒸着対象物とを密着させることができない。一方で、磁性層を設けた場合には、当該磁性層が設けられている領域においても実施形態（Ａ）の蒸着マスク１００と蒸着対象物とを密着させることができることから、樹脂マスク２０の１画面に対応する領域上に磁性層を設けることで、実施形態（Ａ）の蒸着マスク１００と蒸着対象物との密着性を良好なものとすることができる。蒸着パターン太りとは、目的とする蒸着パターンよりも大きな形状の蒸着パターンが形成される現象を言う。なお、実施形態（Ａ）の蒸着マスク１００と蒸着対象物とを磁力によって引きつける以外の方法を用いて密着させる場合には、磁性層を設けることを特に要しない。実施形態（Ｂ）の蒸着マスクについても同様である。
　磁性層の材料としては、例えば、鉄、ニッケルや、コバルト、或いは、これらの金属を含む合金などを挙げることができる。磁性層の厚みについて特に限定はないが、０．０５μｍ以上１μｍ以下であることが好ましい。実施形態（Ｂ）の蒸着マスクについても同様である。
　図７は樹脂マスクの別の態様の正面図である。図７に示すように、樹脂マスク２０上には、樹脂マスク２０の縦方向、或いは横方向（図７の場合は縦方向）にのびる溝２８が形成されていることが好ましい。蒸着時に熱が加わった場合、樹脂マスク２０が熱膨張し、これにより開口部２５の寸法や位置に変化が生じる可能性があるが、当該溝２８を形成することで樹脂マスクの膨張を吸収することができ、樹脂マスクの各所で生じる熱膨張が累積することにより樹脂マスク２０が全体として所定の方向に膨張して開口部２５の寸法や位置が変化することを防止することができる。溝２８の形成位置について限定はなく、１画面を構成する開口部２５間や、開口部２５と重なる位置に設けられていてもよいが、各画面間に設けられていることが好ましい。また、溝は、樹脂マスクの一方の面、例えば、金属マスクと接する側の面のみに設けられていてもよく、金属マスクと接しない側の面のみに設けられていてもよい。或いは、樹脂マスク２０の両面に設けられていてもよい。
　図７では、隣接する画面間に縦方向に延びる溝２８が形成されているが、これに限定されることはなく、隣接する画面間に横方向に延びる溝を形成してもよい。さらには、これらを組み合わせた態様で溝を形成することも可能である。
　溝２８の深さやその幅については特に限定はないが、溝２８の深さが深すぎる場合や、幅が広すぎる場合には、樹脂マスク２０の剛性が低下する傾向にあることから、この点を考慮して設定することが必要である。また、溝の断面形状についても特に限定されることはなくＵ字形状やＶ字形状など、加工方法などを考慮して任意に選択すればよい。実施形態（Ｂ）の蒸着マスクについても同様である。
　（実施形態（Ａ）の蒸着マスクをなす金属マスク）
　実施形態（Ａ）の蒸着マスクをなす金属マスク１０は、金属から構成され、複数のスリット１５が設けられている。実施形態（Ａ）の蒸着マスクでは上記で説明したように、各スリット１５は、少なくとも１つの画面全体と重なる位置に設けられている。換言すれば、１画面を構成する開口部２５は、１つのスリット１５と重なる位置に設けられている。
　次に、図８（ａ)～図８（ｃ）を用いてシャドウの発生と、金属マスク１０の厚みによって生じ得るシャドウの発生や、少なくとも１画面全体と重なる位置にスリットが設けられている実施形態（Ａ）の蒸着マスク１００の優位性について説明する。なお、図８（ａ）は、１画面内を構成する開口部２５ａが、複数のスリット１５ａで分割されている蒸着マスクの部分拡大断面図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）にしめす蒸着マスクにおいて、金属マスクの厚みを厚くした状態を示す部分拡大断面図である。図８（ｃ）は、１つのスリット１５が、１画面全体と重なる位置に設けられている実施形態（Ａ）の蒸着マスク１００の一例を示す部分拡大断面図であり、図８（ｄ）は、図８（ｃ）における蒸着マスク１００において金属マスク１０の厚みを厚くした状態を示す部分拡大断面図である。また、図示する形態では、横方向に５つの開口部（縦方向は任意とする）が設けられている開口部２５の集合体を１画面としている。
　図８（ａ）に示すように、１画面を構成する開口部２５ａが、複数のスリット１５ａで分割されている場合には、隣接する開口部２５ａの一部にスリット１５ａの壁面をなす金属部分が存在することとなる。高精細な蒸着パターンの形成を行うべく、開口部２５ａのピッチや、開口部２５ａの形状を微細化していった場合において、１画面を構成する開口部２５ａ間に金属部分が存在している場合には、当該金属部分が、蒸着源から放出された蒸着材の開口部２５ａ内への通過を妨げ、高精細な蒸着パターンの作製を行うことが困難となる。また、金属マスク１０ａの厚みを薄くしていった場合には、蒸着マスク全体の耐久性も低下していくこととなる。蒸着マスク全体の耐久性を向上させるべく、図８（ｂ）に示すように金属マスク１０ａの厚みを厚くしていった場合には、蒸着源から放出された蒸着材がより当該金属部分の内壁面に衝突しやすくなる。内壁面に衝突する蒸着材の量が多くなるほど、蒸着対象物へ到達することができなくなる蒸着材の量は多くなり、シャドウの発生がより顕著に発生する。また、開口部２５ａ間のピッチを狭くしていった場合には、当該開口部２５ａ間に存在する金属部分を細線化する必要があり、金属部分の断線のリスクが高まる。なお、金属部分が断線した場合には、蒸着マスク全体の耐久性が低下する。
　一方、実施形態（Ａ）の蒸着マスクでは、図８（ｃ）に示すように、１画面全体、すなわち、１画面内に設けられている全ての開口部２５は、１つのスリット１５と重なる位置に設けられている。したがって、図８（ｃ）に示すように、開口部２５内に蒸着材を無駄なく通過させることができ、シャドウの発生を防止することができる。また、図８（ｄ）に示すように、ある程度、金属マスク１０の厚みを厚くしていった場合であっても、シャドウの影響が小さく、高精細な蒸着パターンの形成が可能となる。特に、実施形態（Ａ）の蒸着マスクでは、金属マスク１０の厚みを、１００μｍ程度としていった場合であっても、シャドウの発生を防止することができる。金属マスク１０の厚みを厚くすることで、蒸着マスク１００全体の耐久性は向上することから、実施形態（Ａ）の蒸着マスクでは、高精細な蒸着パターンの形成を可能としつつも、その厚みを適宜設定することで耐久性を向上させることができる。
　金属マスク１０の厚みについて特に限定はないが、スリット１５の内壁面近傍に位置する開口部２５におけるシャドウの発生をより効果的に防止するためには、１００μｍ以下であることが好ましく、５０μｍ以下であることがより好ましく、３５μｍ以下であることが特に好ましい。実施形態（Ｂ）の蒸着マスクについても同様であり、スリット１５を、貫通孔と読み替えればよい。
　また、実施形態（Ａ）の蒸着マスク１００において、さらに、シャドウ発生を十分に防止するには、図２、図６に示すように、スリット１５の断面形状を、蒸着源に向かって広がりをもつような形状とすることが好ましい。このような断面形状とすることで、蒸着マスク１００に生じうる歪みの防止、或いは耐久性の向上を目的として、蒸着マスク全体の厚みを厚くしていった場合であっても、蒸着源から放出された蒸着材が、スリット１５の当該表面や、スリット１５の内壁面に衝突等することなく、蒸着材を蒸着対象物へ到達させることができる。具体的には、金属マスク１０のスリット１５における下底先端と、同じく金属マスク１０のスリット１５における上底先端を結んだ直線と金属マスク１０の底面とのなす角度、換言すれば、金属マスク１０のスリット１５を構成する内壁面の厚み方向断面において、スリット１５の内壁面と金属マスク１０の樹脂マスク２０と接する側の面（図示する形態では、金属マスクの下面）とのなす角度は、５°～８５°の範囲内であることが好ましく、１５°～８０°の範囲内であることがより好ましく、２５°～６５°の範囲内であることがさらに好ましい。特には、この範囲内の中でも、使用する蒸着機の蒸着角度よりも小さい角度であることが好ましい。このような断面形状とすることで、蒸着マスク１００に生じうる歪みの防止、或いは耐久性の向上を目的として金属マスク１０の厚みを比較的厚くした場合であっても、蒸着源から放出された蒸着材が、スリット１５の内壁面に衝突等することなく、蒸着材を蒸着対象物へ到達させることができる。これにより、シャドウ発生をより効果的に防止することができる。なお、樹脂マスク２０の開口部２５の向かいあう端面は略平行となっていてもよいが、上記で説明したように。金属マスク１０のスリット１５、及び樹脂マスク２０の開口部２５は、ともにその断面形状が、蒸着源側に向かって広がりを持つ形状となっていることが好ましい。
　金属マスク１０の材料について特に限定はなく、蒸着マスクの分野で従来公知のものを適宜選択して用いることができ、例えば、ステンレス鋼、鉄ニッケル合金、アルミニウム合金などの金属材料を挙げることができる。中でも、鉄ニッケル合金であるインバー材は熱による変形が少ないので好適に用いることができる。実施形態（Ｂ）の蒸着マスクについても同様である。
　また、実施形態（Ａ）の蒸着マスク１００を用いて、基板上へ蒸着を行うにあたり、基板後方に磁石等を配置して基板前方の蒸着マスク１００を磁力によって引きつけることが必要な場合には、金属マスク１０を磁性体で形成することが好ましい。磁性体の金属マスク１０としては、鉄ニッケル合金、純鉄、炭素鋼、タングステン（Ｗ）鋼、クロム（Ｃｒ）鋼、コバルト（Ｃｏ）鋼、コバルト・タングステン・クロム・炭素を含む鉄の合金であるＫＳ鋼、鉄・ニッケル・アルミニウムを主成分とするＭＫ鋼、ＭＫ鋼にコバルト・チタンを加えたＮＫＳ鋼、Ｃｕ－Ｎｉ－Ｃｏ鋼、アルミニウム（Ａｌ）－鉄（Ｆｅ）合金等を挙げることができる。また、金属マスク１０を形成する材料そのものが磁性体でない場合には、当該材料に上記磁性体の粉末を分散させることにより金属マスク１０に磁性を付与してもよい。実施形態（Ｂ）の蒸着マスクについても同様である。
　図９は、実施形態（Ａ）の蒸着マスク１００の別の態様を示す正面図である。図９に示すように、蒸着マスク１００の金属マスク１０側から見た正面図において、１画面を構成する開口部２５を横方向に互い違いに配置してもよい。つまり、横方向に隣り合う開口部２５を縦方向にずらして配置してもよい。このように配置することにより、樹脂マスク２０が熱膨張した場合にあっても、各所において生じる膨張を開口部２５によって吸収することができ、膨張が累積して大きな変形が生じることを防止することができる。
　＜実施形態（Ｂ）の蒸着マスク＞
　図１１、図１２に示すように、実施形態（Ｂ）の蒸着マスクは、１つの貫通孔１５が設けられた金属マスク１０と、蒸着作製するパターンに対応した開口部が複数設けられた樹脂マスク２０とが積層され、当該複数の開口部２５の全てが、金属マスク１０に設けられた１つの貫通孔と重なる位置に設けられている。なお、図１１は、実施形態（Ｂ）の蒸着マスクを金属マスク側から見た正面図であり、図１２は、図１１に示す蒸着マスクの部分拡大概略断面図である。
　実施形態（Ｂ）の蒸着マスク１００によれば、樹脂マスク２０上に、金属マスク１０が設けられていることから、蒸着マスク１００の耐久性や、ハンドリング性を高めることができる。なお、樹脂マスク２０上に金属マスク１０を設けることなく、樹脂マスクのみからなる蒸着マスクとした場合には、蒸着マスクの耐久性や、ハンドリング性は低下していくこととなる。特に、高精細な蒸着パターンの形成を行うためには、樹脂マスクの厚みは薄いことが好ましく、樹脂マスクの厚みを薄くしていった場合には、樹脂マスクのみからなる蒸着マスクの耐久性や、ハンドリング性能はさらに低下していく。
　実施形態（Ｂ）の蒸着マスクによれば、上記のように、樹脂マスク２０の厚みを薄くしていった場合であっても、金属マスク１０の存在によって、蒸着マスク１００に十分な耐久性と、ハンドリング性を付与することができる。
　また、実施形態（Ｂ）の蒸着マスクでは、複数の開口部２５を有する樹脂マスク２０上に、１つの貫通孔１５を有する金属マスク１０が設けられており、かつ、複数の開口部２５の全ては、当該１つの貫通孔１５と重なる位置に設けられている。この構成を有する実施形態（Ｂ）の蒸着マスク１００では、開口部２５間に金属部分が存在していないことから、金属部分の干渉を受けることなく樹脂マスク２０に設けられている開口部２５の寸法通りに高精細な蒸着パターンを形成することが可能となる。
　以下、図１７を用いて、実施形態（Ｂ）の蒸着マスクの優位性について具体的に説明する。なお、図１７（ａ）は、樹脂マスク２０ａが有する開口部２５ａが、複数の貫通孔１５ａによって分割されており、開口部２５ａ間に、貫通孔１５ａの壁面をなす金属部分が存在している蒸着マスクの部分拡大断面図である。また、図１７（ｂ）は、図１７（ａ）において、金属マスク１０ａの厚みを厚くした蒸着マスクの部分拡大断面図である。
　図１７（ａ）、（ｂ）に示すように、開口部２５ａ間に貫通孔１５ａの壁面をなす金属部分を存在させた場合には、図１７（ａ）、（ｂ）に示す蒸着マスクを用いた蒸着パターンの形成時に、蒸着源から放出された蒸着材が当該金属部分に衝突し、シャドウの影響により、形成される蒸着パターンの精度が低下する。なお、シャドウとは、蒸着源から放出された蒸着材の一部が、金属マスクの貫通孔の壁面に衝突して蒸着対象物へ到達しないことにより、蒸着パターンに目的とする蒸着膜厚よりも薄い膜厚となる未蒸着部分が生ずる現象のことをいう。蒸着材の金属部分への衝突は、金属部分の厚みが厚くなるほど、換言すれば、金属マスク１０ａの厚みを厚くなるほど顕著に生じ得る。
　シャドウの発生を防止するためには、図１７（ａ）に示すように金属マスク１０ａの厚みを薄くする対策が有効ではあるが、高精細な蒸着パターンの形成を行うべく、開口部２５ａの大きさや、開口部２５ａ間のピッチを微細化していった場合には、金属マスク１０ａの厚みを薄くし、開口部２５ａ間に存在する金属部分の厚みを薄くしたとしても、シャドウの影響を受け、高精細な蒸着パターンの形成は困難となる。また、金属マスク１０ａの厚みを薄くしていくことで、蒸着マスク全体の耐久性も低下していくこととなる。さらには、開口部２５ａ間のピッチを狭くしていった場合には、当該開口部２５ａ間に存在する金属部分を細線化する必要があり、金属部分の断線のリスクが高まる。
　一方、実施形態（Ｂ）の蒸着マスク１００では、図１７（ｃ）、（ｄ）に示すように、開口部２５間に貫通孔１５の壁面をなす金属部分が存在していないことから、シャドウの影響を受けることなく、高精細な蒸着パターンの形成が可能となる。換言すれば、貫通孔１５の壁面をなす金属部分は、蒸着マスク１００の端部近傍に位置することから、蒸着パターンの形成に影響を与えることなく、高精細な蒸着パターンの形成を行うことが可能となる。さらには、図１７（ｄ）に示すように、金属マスク１０の厚みを厚くしていった場合であっても、シャドウの影響を殆ど受けることがないことから、金属マスク１０の厚みを、耐久性や、ハンドリング性を十分に満足させることができるまで厚くすることができ、高精細な蒸着パターンの形成を可能としつつも、耐久性や、ハンドリング性を向上させることができる。
　（実施形態（Ｂ）の蒸着マスクをなす樹脂マスク）
　実施形態（Ｂ）の蒸着マスクをなす樹脂マスク２０は、樹脂から構成され、図１２に示すように、１つの貫通孔１５と重なる位置に蒸着作製するパターンに対応した開口部２５が複数設けられている。開口部２５は、蒸着作製するパターンに対応しており、蒸着源から放出された蒸着材が開口部２５を通過することで、蒸着対象物には、開口部２５に対応する蒸着パターンが形成される。図示する形態では、開口部が縦横に複数列配置された例を挙げて説明をしているが、縦方向、或いは横方向にのみ配置されていてもよい。実施形態（Ａ）の蒸着マスク１００が、少なくとも樹脂マスクに設けられた開口部の集合体からなる１画面と重なる位置に金属マスク１０のスリット１５が設けられているのに対し、実施形態（Ｂ）の蒸着マスク１００は、樹脂マスクに設けられた全ての開口部と重なる位置に金属マスク１０の貫通孔１５が位置している点で、実施形態（Ａ）の蒸着マスクと相違する。この相違点以外は、上記実施形態（Ａ）の蒸着マスクで説明した態様を適宜選択することができる。以下、相違点を中心に説明する。
　開口部２５の形状、大きさについて特に限定はなく、蒸着作製するパターンに対応する形状、大きさであればよい。また、図１１に示すように、隣接する開口部２５の縦方向のピッチＰ１や、横方向のピッチＰ２についても蒸着作製するパターンに応じて適宜設定することができる。例えば、４００ｐｐｉの高精細な蒸着パターンの形成を行う場合には、１画面を構成する開口部２５において隣接する開口部２５の縦方向のピッチ（Ｐ１）、横方向のピッチ（Ｐ２）は６０μｍ程度となる。また、開口部の大きさは、５００μｍ2～１０００μｍ2程度となる。また、１つの開口部２５は、１画素に対応していることに限定されることはなく、例えば、画素配列によっては、複数画素を纏めて１つの開口部２５とすることもできる。
　実施形態（Ｂ）の蒸着マスク１００は、１画面に対応する蒸着パターンの形成に用いられるものであってもよく、２以上の画面に対応する蒸着パターンの同時形成に用いられるものであってもよい。この場合には、図１５に示すように、画面単位毎に所定の間隔をあけて開口部２５が設けられていることが好ましい。なお、図１５では、破線で閉じられた領域を「１画面」としている。図１５では、１２個の開口部２５によって１画面が構成されているが、この形態に限定されるものではなく、例えば、１つの開口部２５を１画素としたときに、数百万個の開口部２５によって１画面を構成することもできる。画面間のピッチの一例としては、縦方向のピッチ、横方向のピッチともに１ｍｍ～１００ｍｍ程度である。なお、画面間のピッチとは、１の画面と、当該１の画面と隣接する他の画面とにおいて、隣接している開口部間のピッチを意味する。
　図１８は、実施形態（Ｂ）の蒸着マスク１００の別の態様を示す正面図である。図１８に示すように、蒸着マスク１００の金属マスク１０側から見た正面図において、開口部２５を横方向に互い違いに配置してもよい。つまり、横方向に隣り合う開口部２５を縦方向にずらして配置してもよい。このように配置することにより、樹脂マスク２０が熱膨張した場合にあっても、各所において生じる膨張を開口部２５によって吸収することができ、膨張が累積して大きな変形が生じることを防止することができる。
　（実施形態（Ｂ）の蒸着マスクをなす金属マスク）
　実施形態（Ｂ）の蒸着マスクをなす金属マスク１０は、金属から構成され１つの貫通孔１５を有している。そして、実施形態（Ｂ）の蒸着マスクでは、当該１つの貫通孔１５は、金属マスク１０の正面からみたときに、全ての開口部２５と重なる位置、換言すれば、樹脂マスク２０に配置された全ての開口部２５がみえる位置に配置されている。
　金属マスク１０を構成する金属部分、すなわち貫通孔１５以外の部分は、図１１に示すように蒸着マスク１００の外縁に沿って設けられていてもよく、図１３に示すように金属マスク１０の大きさを樹脂マスク２０よりも小さくし、樹脂マスク２０の外周部分を露出させてもよい。なお、図１４は、図１３に示す蒸着マスクの部分拡大概略断面図である。また、金属マスク１０の大きさを樹脂マスク２０よりも大きくして、金属部分の一部を、樹脂マスクの横方向外方、或いは縦方向外方に突出させてもよい。なお、いずれの場合であっても、貫通孔１５の大きさは、樹脂マスク２０の大きさよりも小さく構成されている。
　図１１に示される金属マスク１０の貫通孔の壁面をなす金属部分の横方向の幅（Ｗ１）や、縦方向の幅（Ｗ２）について特に限定はないが、Ｗ１、Ｗ２の幅が狭くなっていくに従い、耐久性や、ハンドリング性が低下していく傾向にある。したがって、Ｗ１、Ｗ２は、耐久性や、ハンドリング性を十分に満足させることができる幅とすることが好ましい。金属マスク１０の厚みに応じて適切な幅を適宜設定することができるが、好ましい幅の一例としては、Ｗ１、Ｗ２ともに１ｍｍ～１００ｍｍ程度である。
　また、貫通孔１５の内壁面近傍に位置する開口部２５におけるシャドウ発生を十分に防止するには、貫通孔１５の断面形状を、蒸着源に向かって広がりをもつような形状とすることが好ましい。このような断面形状とすることで、貫通孔１５の内壁面近傍に位置する開口部２５においても、蒸着源から放出された蒸着材を無駄なく通過させることができる。具体的には、金属マスク１０の貫通孔１５における下底先端と、同じく金属マスク１０の貫通孔１５における上底先端を結んだ直線と金属マスク１０の底面とのなす角度が２５°～６５°の範囲内であることが好ましい。特には、この範囲内の中でも、使用する蒸着機の蒸着角度よりも小さい角度であることが好ましい。
　以上、本発明の実施形態（Ｂ）の蒸着マスク１００について、金属マスク１０に１つの貫通孔１５のみが設けられた例を中心に説明を行ったが、金属マスク１０には複数の貫通孔１５が設けられていてもよい。なお、この場合、複数の貫通孔１５のうちの１つの貫通孔１５が、樹脂マスク２０に設けられている全ての開口部２５と重なる位置に設けられていることを必須の条件とする。
　（実施形態（Ａ）の蒸着マスクの製造方法）
　次に、本発明の実施形態（Ａ）の蒸着マスクの製造方法について説明する。実施形態（Ａ）の蒸着マスク１００の製造方法は、図１０（ａ）に示すように、複数のスリット１５が設けられた金属マスク１０と、樹脂板３０とが積層された樹脂板付き金属マスクを準備する工程と、図１０（ｂ）に示すように金属マスク側からレーザーを照射して樹脂板３０に複数画面を構成するために必要な開口部２５を形成する樹脂マスク形成工程とを有し、樹脂板付金属マスクを構成する金属マスク１０として、複数画面のうちの少なくとも１画面全体と重なるスリット１５が設けられた金属マスクが用いられることを特徴とする。以下、実施形態（Ａ）の蒸着マスクの製造方法について具体的に説明する。
　（樹脂板付き金属マスクを準備する工程）
　図１０（ａ）に示す、スリットが設けられた金属マスク１０と樹脂板３０とが積層された樹脂板付き金属マスクを準備するにあたり、まず、複数のスリット１５が設けられた金属マスクを準備する。実施形態（Ａ）の蒸着マスクの製造方法では、ここで準備される金属マスク１０が、上記実施形態（Ａ）の蒸着マスク１００で説明した、少なくとも１画面全体に設けられている開口部２５全体と重なるスリット１５が設けられている金属マスク１０が用いられる。
　樹脂板付き金属マスクとするための金属マスクと樹脂板との貼り合せ方法や、形成方法についても特に限定されず、例えば、予め金属マスクとなる金属板に対して樹脂層をコーティングにより形成した積層体を準備し、積層体の状態で、金属板にスリット１５を形成することで樹脂板付金属マスクを得ることもできる。実施形態（Ａ）の蒸着マスクの製造方法において、樹脂板付金属マスクを構成する樹脂板には、上記のようにコーティングによって形成される樹脂層も含まれる。つまり、樹脂板は、予め準備されたものであってもよく、従来公知のコーティング法等によって形成されたものであってもよい。また、金属マスク１０と樹脂板とは各種粘着剤を用いて貼り合わせてもよく、自己粘着性を有する樹脂板を用いてもよい。なお、金属マスク１０と樹脂板３０の大きさは同一であってよい。この後に任意で行われるフレームへの固定を考慮して、樹脂板３０の大きさを金属板１０よりも小さくし、金属マスク１０の外周部分が露出された状態としておくと、金属マスク１０とフレームとの溶接が容易となり好ましい。実施形態（Ｂ）の蒸着マスクの製造方法についても同様であり、スリットを、１つの貫通孔と読み替えればよい。
　スリット１５が設けられた金属マスク１０の形成方法としては、金属板の表面にマスキング部材、例えば、レジスト材を塗工し、所定の箇所を露光し、現像することで、最終的にスリット１５が形成される位置を残したレジストパターンを形成する。マスキング部材として用いるレジスト材としては処理性が良く、所望の解像性があるものが好ましい。次いで、このレジストパターンを耐エッチングマスクとして用いてエッチング法によりエッチング加工する。エッチングが終了後、レジストパターンを洗浄除去する。これにより、複数のスリット１５が設けられた金属マスク１０が得られる。スリット１５を形成するためのエッチングは、金属板の片面側から行ってもよく、両面から行ってもよい。また、金属板に樹脂板が設けられた積層体を用いて、金属板にスリット１５を形成する場合には、金属板の樹脂板と接しない側の表面にマスキング部材を塗工した後にレジストパターンを形成し、次いで、片面側からのエッチングによってスリット１５が形成される。なお、樹脂板が、金属板のエッチング材に対し耐エッチング性を有する場合には、樹脂板の表面をマスキングする必要はないが、樹脂板が、金属板のエッチング材に対する耐性を有しない場合には、樹脂板の表面にマスキング部材を塗工しておく必要がある。また、上記では、マスキング部材としてレジスト材を中心に説明を行ったが、レジスト材を塗工する代わりにドライフィルムレジストをラミネートし、同様のパターニングを行ってもよい。実施形態（Ｂ）の蒸着マスクの製造方法についても同様であり、スリットを、１つの貫通孔と読み替えればよい。
　（フレームに樹脂板付き金属マスクを固定する工程）
　当該工程は、実施形態（Ａ）の蒸着マスクの製造方法における任意の工程であるが、完成した蒸着マスクをフレームに固定するのではなく、フレームに固定された状態の樹脂板付き金属マスクに対し、後から開口部を設けているので、位置精度を格段に向上せしめることができる。なお、完成した蒸着マスク１００をフレームに固定する場合には、開口が決定された金属マスクをフレームに対して引っ張りながら固定するために、本工程を有する場合と比較して、開口位置座標精度は低下することとなる。
　フレームに、樹脂板付き金属マスクを固定する方法について特に限定はなく、例えば、スポット溶接など従来公知の工程方法を適宜採用すればよい。
　（金属マスク側からレーザーを照射し、樹脂板付き金属マスクの樹脂板に蒸着作製するパターンに対応した開口部を形成する工程）
　次に、図１０（ｂ）に示すように、樹脂板付き金属マスクの金属マスク１０側からスリット１５を通してレーザーを照射し、前記樹脂板３０に蒸着作製するパターンに対応した開口部２５を形成し、樹脂マスク２０とする。ここで用いるレーザー装置については特に限定されることはなく、従来公知のレーザー装置を用いればよい。これにより、図１０（ｃ）に示すような、実施形態（Ａ）の蒸着マスク１００を得る。
　なお、実施形態（Ａ）の製造方法では、予め１画面全体、或いは２以上の画面全体と重なる位置にスリット１５が設けられた金属マスク１０が用いられることから、本工程では、１つのスリット１５内には、１画面を構成するのに必要な開口部２５、或いは２以上の画面を構成するのに必要な開口部２５が形成される。つまり、１つのスリット１５は、１画面全体を構成する開口部、或いは２以上の画面全体を構成する開口部２５と重なるように設けられることとなる。
　また、フレームに固定された樹脂板付き金属マスクの樹脂板に開口部２５を設けるに際し、蒸着作製するパターン、すなわち形成すべき開口部２５に対応するパターンが予め設けられた基準板（図示しない）を準備し、この基準板を、樹脂板の金属マスク１０が設けられていない側の面に貼り合せた状態で、金属マスク１０側から、基準板のパターンに対応するレーザー照射を行ってもよい。この方法によれば、樹脂板付き金属マスクに貼り合わされた基準板のパターンを見ながらレーザー照射を行う、いわゆる向こう合わせの状態で、開口部２５を形成することができ、開口の寸法精度が極めて高い高精細な開口部２５を形成することができる。また、この方法は、フレームに固定された状態で開口部２５の形成が行われることから、寸法精度のみならず、位置精度にも優れた蒸着マスクとすることができる。
　なお、上記方法を用いる場合には、金属マスク１０側から、樹脂板３０を介して基準板のパターンをレーザー照射装置等で認識することができることが必要である。樹脂板としては、ある程度の厚みを有する場合には透明性を有するものを用いることが必要となるが、上記で説明したように、シャドウの影響を考慮した好ましい厚み、例えば、３μｍ～２５μｍ程度の厚みとする場合には、着色された樹脂板であっても、基準板のパターンを認識させることができる。実施形態（Ｂ）の蒸着マスクの製造方法についても同様の方法を用いることができる。
　樹脂板付き金属マスクと基準板との貼り合せ方法についても特に限定はなく、例えば、金属マスク１０が磁性体である場合には、基準板の後方に磁石等を配置して、樹脂板付き金属マスクの樹脂板３０と基準板とを引きつけることで貼り合せることができる。これ以外に、静電吸着法等を用いて貼り合せることもできる。基準板としては、例えば、所定の開口パターンを有するＴＦＴ基板や、フォトマスク等を挙げることができる。実施形態（Ｂ）の蒸着マスクの製造方法についても同様の方法を用いることができる。
　また、上記で説明した工程間、或いは工程後にスリミング工程を行ってもよい。たとえば、最終的に樹脂マスク２０となる樹脂板３０や、金属マスク１０として、上記で説明した好ましい厚みよりも厚いものを用いた場合には、製造工程中において、金属マスク１０や樹脂板３０を単独で搬送する際等に、優れた耐久性や搬送性を付与することができる。一方で、シャドウの発生等を防止するためには、実施形態（Ａ）の製造方法で得られる蒸着マスク１００の厚みは最適な厚みであることが好ましい。スリミング工程は、製造工程間、或いは工程後において耐久性や搬送性を満足させつつ、蒸着マスク１００の厚みを最適化する場合に有用な工程である。
　金属マスク１０のスリミングは、上記で説明した工程間、或いは工程後に、金属マスク１０の樹脂板３０と接しない側の面、或いは金属マスク１０の樹脂板３０又は樹脂マスク２０と接しない側の面を、金属マスク１０をエッチング可能なエッチング材を用いてエッチングすることで実現可能である。
　樹脂マスク２０となる樹脂板３０や、樹脂マスク２０のスリミング、すなわち、樹脂板３０、樹脂マスク２０の厚みの最適化についても同様であり、上記で説明した何れかの工程間、或いは工程後に、樹脂板３０の金属マスク１０と接しない側の面、或いは樹脂マスク２０の金属マスク１０と接しない側の面を、樹脂板３０や樹脂マスク２０の材料をエッチング可能なエッチング材を用いてエッチングすることで実現可能である。また、蒸着マスク１００を形成した後に、金属マスク１０、樹脂マスク３０の双方をエッチング加工することで、双方の厚みを最適化することもできる。上記のスリミング工程は、実施形態（Ｂ）の蒸着マスクの製造方法においてもそのまま適用することができる。
　（実施形態（Ｂ）の蒸着マスクの製造方法）
　次に、本発明の実施形態（Ｂ）の蒸着マスクの製造方法について説明する。実施形態（Ｂ）の蒸着マスク１００の製造方法は、図１９に示すように、１つの貫通孔が設けられた金属マスク１０と、樹脂板３０とが積層された樹脂板付き金属マスクを準備する工程（図１９（ａ）参照）と、金属マスク１０側からレーザーを照射して樹脂板３０の１つの貫通孔１５と重なる位置に複数の開口部２５を形成する樹脂マスク形成工程（図１９（ｂ）参照）とを備えることを特徴とする。以下、実施形態（Ｂ）の蒸着マスクの製造方法について具体的に説明する。
　（樹脂板付き金属マスクを準備する工程）
　本工程は、１つの貫通孔１５が設けられた金属マスク１０と樹脂板３０とを貼り合わせることで、金属マスク１０と樹脂板３０とが積層されてなる樹脂板付金属マスクを準備する工程である。
　（フレームに樹脂板付き金属マスクを固定する工程）
　当該工程は、実施形態（Ｂ）の蒸着マスクの製造方法における任意の工程であり、上記実施形態（Ａ）の蒸着マスクの製造方法で説明した方法をそのまま用いることができ、ここでの詳細な説明は省略する。
　（金属マスク側からレーザーを照射し、樹脂板付き金属マスクに１つの貫通孔と重なる複数の開口部を形成する工程）
　次に、図１９（ｂ）に示すように、金属マスク１０側から１つの貫通孔１５を通してレーザーを照射し、前記樹脂板３０に蒸着作製するパターンに対応した開口部２５を形成し、樹脂マスク２０とする。この工程では、１つの貫通孔１５を通してレーザーの照射が行われることから、最終的に１つの貫通孔１５と重なる位置に、複数の開口部２５が形成されることとなる。ここで用いるレーザー装置については特に限定されることはなく、従来公知のレーザー装置を用いればよい。これにより、図１９（ｃ）に示すような、実施形態（Ｂ）の蒸着マスク１００を得る。
　（蒸着マスク準備体）
　次に、本発明の一実施形態の蒸着マスク準備体について説明する。本発明の一実施形態の蒸着マスク準備体は、複数のスリットが設けられた金属マスクと樹脂マスクとが積層され、樹脂マスクには複数画面を構成するために必要な開口部が設けられ、開口部は蒸着作製するパターンに対応しており、各スリットが、少なくとも１画面全体と重なる位置に設けられている蒸着マスクを得るための蒸着マスク準備体であって、樹脂板の一方の面上にスリットが設けられた金属マスクが積層されてなり、各スリットは、樹脂板に最終的に設けられる１画面を構成する開口部全体と重なる位置に設けられていることを特徴としている。
　本発明の一実施形態の蒸着マスク準備体は、樹脂板に開口部２５が設けられていない点以外は、上記で説明した実施形態（Ａ）の蒸着マスク１００と共通し、具体的な説明は省略する。一実施形態の蒸着マスク準備体の具体的な構成としては、上記実施形態（Ａ）の蒸着マスクの製造方法における準備工程で準備される樹脂板付き金属マスク（図１０（ａ）参照）を挙げることができる。
　上記一実施形態の蒸着マスク準備体によれば、当該蒸着マスク準備体の樹脂板に開口部を形成することで、大型化した場合でも高精細化と軽量化の双方を満たし、高精細な蒸着パターンの形成が可能な蒸着マスクを得ることができる。
　他の実施形態の蒸着マスク準備体は、１つの貫通孔が設けられた金属マスクと、蒸着作製するパターンに対応した開口部が複数設けられた樹脂マスクとが積層され、複数の開口部の全てが、１つの貫通孔と重なる位置に設けられている蒸着マスクを得るための蒸着マスク準備体であって、樹脂板の一方の面上に１つの貫通孔が設けられた金属マスクが積層されてなり、１つの貫通孔は、樹脂板に最終的に設けられる全ての開口部と重なる位置に設けられていることを特徴としている。
　他の実施形態の蒸着マスク準備体は、樹脂板に開口部２５が設けられていない点以外は、上記で説明した実施形態（Ｂ）の蒸着マスク１００と共通し、具体的な説明は省略する。他の実施形態の蒸着マスク準備体の具体的な構成としては、上記実施形態（Ｂ）の蒸着マスクの製造方法における準備工程で準備される樹脂板付き金属マスク（図１９（ａ）参照）を挙げることができる。
　上記他の実施形態の蒸着マスク準備体によれば、当該蒸着マスク準備体の樹脂板に開口部を形成することで、大型化した場合でも高精細化と軽量化の双方を満たし、高精細な蒸着パターンの形成が可能な蒸着マスクを得ることができる。
　（有機半導体素子の製造方法）
　次に、本発明の一実施形態の有機半導体素子の製造方法について説明する。本発明の一実施形態の有機半導体素子の製造方法は、フレーム付き蒸着マスクを用いた蒸着法により蒸着パターンを形成する工程を有し、当該有機半導体素子を形成する工程において以下のフレーム付き蒸着マスクが用いられる点に特徴を有する。
　フレーム付き蒸着マスクを用いた蒸着法により蒸着パターンを形成する工程を有する一実施形態の有機半導体素子の製造方法は、基板上に電極を形成する電極形成工程、有機層形成工程、対向電極形成工程、封止層形成工程等を有し、各任意の工程においてフレーム付き蒸着マスクを用いた蒸着法により基板上に蒸着パターンが形成される。例えば、有機ＥＬデバイスのＲ，Ｇ，Ｂ各色の発光層形成工程に、フレーム付き蒸着マスクを用いた蒸着法をそれぞれ適用する場合には、基板上に各色発光層の蒸着パターンが形成される。なお、本発明の一実施形態の有機半導体素子の製造方法は、これらの工程に限定されるものではなく、蒸着法を用いる従来公知の有機半導体素子の製造における任意の工程に適用可能である。
　本発明の一実施形態の有機半導体素子の製造方法は、上記蒸着パターンを形成する工程において、フレームに固定される前記蒸着マスクが、上記で説明した実施形態（Ａ）の蒸着マスク、或いは実施形態（Ｂ）の蒸着マスクであることを特徴とする。
　フレーム付き蒸着マスクを構成する蒸着マスクについては、上記で説明した実施形態（Ａ）、或いは実施形態（Ｂ）の蒸着マスク１００をそのまま用いることができ、ここでの詳細な説明は省略する。上記で説明した本発明の実施形態（Ａ）の蒸着マスクや、実施形態（Ｂ）の蒸着マスクを含むフレーム付き蒸着マスクを用いた有機半導体素子の製造方法によれば、高精細なパターンを有する有機半導体素子を形成することができる。本発明の一実施形態の有機半導体素子の製造方法で製造される有機半導体素子としては、例えば、有機ＥＬ素子の有機層、発光層や、カソード電極等を挙げることができる。特に、本発明の一実施形態の有機半導体素子の製造方法は、高精細なパターン精度が要求される有機ＥＬ素子のＲ、Ｇ、Ｂ発光層の製造に好適に用いることができる。
　有機半導体素子の製造に用いられるフレーム付き蒸着マスクは、フレームに、上記で説明した実施形態（Ａ）、或いは実施形態（Ｂ）の蒸着マスクが固定されているとの条件を満たすものであればよく、その他の条件について特に限定されることはない。フレームについて特に限定はなく、蒸着マスクを支持することができる部材であればよく、例えば、金属フレームや、セラミックフレーム等を使用することができる。中でも、金属フレームは、蒸着マスクの金属マスクとの溶接が容易であり、変形等の影響が小さい点で好ましい。以下、フレームとして金属フレームを用いた例を中心に説明する。例えば、図２０に示すように、金属フレーム６０に、１つの蒸着マスク１００が固定されてなる金属フレーム付き蒸着マスク２００を用いてもよく、図２１に示すように、金属フレーム６０に、複数の蒸着マスク（図示する形態では４つの蒸着マスク）が縦方向、或いは横方向に並べて固定（図示する形態では横方向に並べて固定）された金属フレーム付き蒸着マスク２００を用いてもよい。なお、図２０、図２１は、一実施形態の金属フレーム付き蒸着マスク２００を樹脂マスク２０側からみた正面図である。
　金属フレーム６０は、略矩形形状の枠部材であり、最終的に固定される蒸着マスク１００の樹脂マスク２０に設けられた開口部２５を蒸着源側に露出させるための開口を有する。金属フレームの材料について特に限定はないが、剛性が大きい金属材料、例えば、ＳＵＳや、インバー材などが好適である。
　金属フレームの厚みについても特に限定はないが、剛性等の点から１０ｍｍ～３０ｍｍ程度であることが好ましい。金属フレームの開口の内周端面と、金属フレームの外周端面間の幅は、当該金属フレームと、蒸着マスクの金属マスクとを固定することができる幅であれば特に限定はなく、例えば、１０ｍｍ～５０ｍｍ程度の幅を例示することができる。
　また、蒸着マスク１００を構成する樹脂マスク２０の開口部２５の露出を妨げない範囲で、金属フレームの開口に補強フレーム６５等が存在していてもよい。換言すれば、金属フレーム６０が有する開口が、補強フレーム等によって分割された構成を有していてもよい。図２０に示す形態では、横方向に延びる補強フレーム６５が縦方向に複数配置されているが、この補強フレーム６５にかえて、或いは、これとともに縦方向に延びる補強フレームが横方向に複数列配置されていてもよい。また、図２１に示す形態では、縦方向に延びる補強フレーム６５が横方向に複数配置されているが、この補強フレーム６５にかえて、或いは、これとともに、横方向に延びる補強フレームが縦方向に複数配置されていてもよい。補強フレーム６５が配置された金属フレーム６０を用いることで、金属フレーム６０に、上記で説明した実施形態（Ａ）、或いは実施形態（Ｂ）の蒸着マスク１００を縦方向、及び横方向に複数並べて固定するときに、当該補強フレームと蒸着マスクが重なる位置においても、金属フレーム６０に蒸着マスクを固定することができる。
　金属フレーム６０と、上記で説明した実施形態（Ａ）、或いは実施形態（Ｂ）の蒸着マスク１００との固定方法についても特に限定はなく、レーザー光等により固定するスポット溶接、接着剤、ねじ止め等を用いて固定することができる。
１００…蒸着マスク
１０…金属マスク
１５…スリット、貫通孔
２０…樹脂マスク
２５…開口部
２８…溝
６０…金属フレーム
２００…フレーム付き蒸着マスク

Claims (9)

  1. 　複数画面分の蒸着パターンを同時に形成するための蒸着マスクであって、
    　複数のスリットが設けられた金属マスクと、樹脂マスクとが積層され、
    　前記樹脂マスクには、複数画面を構成するために必要な開口部が設けられ、
    　前記開口部は、蒸着作製するパターンに対応しており、
    　各前記スリットが、少なくとも１画面全体と重なる位置に設けられていることを特徴とする蒸着マスク。
  2. 　１つの貫通孔が設けられた金属マスクと、蒸着作製するパターンに対応した開口部が複数設けられた樹脂マスクとが積層され、
    　前記複数の開口部の全てが、前記１つの貫通孔と重なる位置に設けられていることを特徴とする蒸着マスク。
  3. 　複数のスリットが設けられた金属マスクと樹脂マスクとが積層され、前記樹脂マスクには複数画面を構成するために必要な開口部が設けられ、前記開口部は蒸着作製するパターンに対応しており、各前記スリットが、少なくとも１画面全体と重なる位置に設けられている蒸着マスクを得るための蒸着マスク準備体において、
    　樹脂板の一方の面上にスリットが設けられた金属マスクが積層されてなり、
    　各前記スリットは、前記樹脂板に最終的に設けられる１画面を構成する開口部全体と重なる位置に設けられていることを特徴とする蒸着マスク準備体。
  4. 　１つの貫通孔が設けられた金属マスクと、蒸着作製するパターンに対応した開口部が複数設けられた樹脂マスクとが積層され、前記複数の開口部の全てが、前記１つの貫通孔と重なる位置に設けられている蒸着マスクを得るための蒸着マスク準備体において、
    　樹脂板の一方の面上にスリットが設けられた金属マスクが積層されてなり、
    　各前記１つの貫通孔は、前記樹脂板に最終的に設けられる開口部全体と重なる位置に設けられていることを特徴とする蒸着マスク準備体。
  5. 　蒸着マスクの製造方法であって、
    　複数のスリットが設けられた金属マスクと、樹脂板とが積層された樹脂板付き金属マスクを準備する工程と、
    　前記金属マスク側からレーザーを照射して、前記樹脂板に複数画面を構成するために必要な開口部を形成する樹脂マスク形成工程と、
    　を備え、
    　前記金属マスクとして、前記複数画面のうちの少なくとも１画面全体と重なる位置にスリットが設けられた金属マスクが用いられることを特徴とする蒸着マスクの製造方法。
  6. 　蒸着マスクの製造方法であって、
    　１つの貫通孔が設けられた金属マスクと、樹脂板とが積層された樹脂板付き金属マスクを準備する工程と、
    　前記金属マスク側からレーザーを照射し、前記樹脂板の前記１つの貫通孔と重なる位置に複数の開口部を形成する樹脂マスク形成工程と、
    　を備えることを特徴とする蒸着マスクの製造方法。
  7. 　フレーム上に、前記樹脂板付き金属マスクを固定した後に、前記樹脂マスク形成工程が行われることを特徴とする請求項５又は６に記載の蒸着マスクの製造方法。
  8. 　有機半導体素子の製造方法であって、
    　フレームに蒸着マスクが固定されたフレーム付き蒸着マスクを用いて蒸着対象物に蒸着パターンを形成する工程を含み、
    　前記蒸着パターンを形成する工程において、前記フレームに固定される前記蒸着マスクが、
    　複数のスリットが設けられた金属マスクと、樹脂マスクとが積層され、
    　前記樹脂マスクには、複数画面を構成するために必要な開口部が設けられ、
    　前記開口部は、蒸着作製するパターンに対応しており、
    　各前記スリットが、少なくとも１画面全体と重なる位置に設けられている蒸着マスクであることを特徴とする有機半導体素子の製造方法。
  9. 　有機半導体素子の製造方法であって、
    　フレームに蒸着マスクが固定されたフレーム付き蒸着マスクを用いて蒸着対象物に蒸着パターンを形成する工程を含み、
    　前記蒸着パターンを形成する工程において、前記フレームに固定される前記蒸着マスクが、
    　１つの貫通孔が設けられた金属マスクと、蒸着作製するパターンに対応した開口部が複数設けられた樹脂マスクとが積層され、前記複数の開口部の全てが、前記１つの貫通孔と重なる位置に設けられている蒸着マスクであることを特徴とする有機半導体素子の製造方法。
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