CN108004501A - 蒸镀遮罩 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种蒸镀遮罩,其包括框架、主体膜,所述框架贯设有一第一开口,所述主体膜盖设于所述第一开口上,所述主体膜上开设有多个第二开口;所述主体膜包括塑料膜,每一个所述第二开口贯穿所述塑料膜,所述第一开口与每一个所述第二开口连通;所述蒸镀遮罩还包括支架;所述支架固定于所述框架上且跨越所述第一开口,所述框架与所述支架共同支撑所述主体膜。本发明的蒸镀遮罩采用塑料材质且通过支架进一步支撑蒸镀遮罩,改善蒸镀遮罩下垂问题,减少阴影效应的影响。
Description
技术领域
本发明涉及一种蒸镀遮罩。
背景技术
目前之有机电致发光显示面板通过在基板上蒸镀有机发光材料以将有机发光材料形成在基板上。随着有机电致发光显示技术的发展,有机电致发光显示装置的尺寸在不断增加,也要求蒸镀遮罩的尺寸要不断增大。但随着蒸镀遮罩尺寸的增大,会由于重力作用而加重蒸镀遮罩下垂问题,随之导致蒸镀遮罩在蒸镀过程中发生对位不良,影响生产良率。
蒸镀遮罩一般选用金属材质,蒸镀时藉由一磁铁将基板与蒸镀遮罩紧密接合,蒸镀遮罩上之遮罩图案通常藉由蚀刻方式进行加工。然,于金属材质上加工图案的精细程度较难控制,从而影响蒸镀之精度。若蒸镀遮罩采用塑料材质,虽可满足对加工图案精细化的要求,但塑料材质不具有磁性,无法通过磁铁使基板与蒸镀遮罩紧密贴合,令蒸镀过程中塑料蒸镀遮罩与基板之间存在一间隙,进而导致基板上的蒸镀形成的有机发光材料图案的实际尺寸大于预设尺寸(shadow effect,阴影效应),影响蒸发质量。
发明内容
鉴于此,有必要提供一种能够改善阴影效应的蒸镀遮罩。
一种蒸镀遮罩,其包括框架、主体膜,所述框架贯设有一第一开口,所述主体膜盖设于所述第一开口上,所述主体膜上开设有多个第二开口;所述主体膜包括塑料膜,每一个所述第二开口贯穿所述塑料膜,所述第一开口与每一个所述第二开口连通;所述蒸镀遮罩还包括支架;所述支架固定于所述框架上且跨越所述第一开口,所述框架与所述支架共同支撑所述主体膜。
优选地,所述主体膜还包括与所述塑料膜层叠设置的金属膜,每一个所述第二开口贯穿所述金属膜。
优选地,每一个所述第二开口包括贯穿所述塑料膜的第一子开口和贯穿所述金属膜的第二子开口,所述第二子开口与所述第一子开口连通,所述第二子开口的内径大于所述第一子开口的内径。
优选地,所述塑料膜包括中央区和周边区,其中所述多个第二开口对应所述中央区设置;所述金属膜覆盖所述塑料膜的周边区。
优选地,所述框架与所述支架位于所述主体膜的同一侧。
优选地,所述框架与所述支架均位于所述主体膜具有所述金属膜的一侧。
优选地,所述支架包括纵向延伸的至少一个第一支架和横向延伸的至少一个第二支架中至少一种。
优选地,每一个所述第一支架具有相对的两端,每一个所述第一支架的两端固定于所述框架上;每一个所述第二支架具有相对的两端,每一个所述第二支架的两端固定于所述框架上。
优选地,所述主体膜为一非连续的层,其包括至少两个间隔设置的子膜。
优选地,所述第一支架和所述第二支架中至少一者包括支撑部和由所述支撑部延伸形成的延伸部,所述支撑部用于支撑相邻的两个所述子膜,所述延伸部位于相邻的两个所述子膜之间。
相较于现有技术,本发明的蒸镀遮罩采用塑料材质且通过支架进一步支撑蒸镀遮罩,改善蒸镀遮罩下垂问题,减少阴影效应的影响。
附图说明
图1是本发明第一实施例的蒸镀遮罩平面结构示意图。
图2是图1沿II-II剖面线剖开的剖面结构示意图。
图3是本发明第一实施例的主体膜剖面结构示意图。
图4是本发明一较佳实施例的主体膜剖面结构示意图。
图5是本发明第一实施例的蒸镀遮罩与基板的剖面结构示意图。
图6是本发明第二实施例的蒸镀遮罩的平面结构示意图。
图7是本发明第三实施例的蒸镀遮罩平面结构示意图。
图8是本发明第四实施例的蒸镀遮罩平面结构示意图。
图9是本发明第五实施例的蒸镀遮罩平面结构示意图。
图10是本发明第六实施例的蒸镀遮罩平面结构示意图。
图11是本发明第七实施例的蒸镀遮罩平面结构示意图。
图12是本发明第八实施例的蒸镀遮罩平面结构示意图。
图13是图8沿XIII-XIII剖面线剖开的剖面结构示意图。
主要元件符号说明
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
请一并参考图1、图2及图5,图1是本发明第一实施例的蒸镀遮罩100平面结构示意图,图2是图1沿II-II剖面线剖开的剖面结构示意图,图5是本发明第一实施例的蒸镀遮罩100与基板14的剖面结构示意图。本发明第一实施例提供一种蒸镀遮罩100,用于在基板14上形成有机发光材料层。具体地,所述蒸镀遮罩100可用于在显示面板(例如手机显示面板或计算机显示面板等)(图未示)的基板14上形成有机发光材料层。
请一并参考图1和图2,蒸镀遮罩100包括主体膜11、支架12以及框架13,根据主体膜11是否具有磁性,可在基板14上方选择性设置一磁铁以吸附主体膜11(图未示)。所述框架13具有一第一开口101,本实施例中,所述第一开口101为矩形,但不限于此。在其他实施例中,该第一开口101可为圆形、菱形等其他形状。所述主体膜11盖设于所述第一开口101上,即所述框架13固设于该主体膜11的周缘。所述框架13和所述支架12位于主体膜11的同一侧。在本实施例中所述支架12包括沿X方向(横向)延伸的第一支架121和沿Y方向(纵向)延伸的第二支架122。每一个第一支架121具有相对的两端,每一个第一支架121的两端固定于该框架13上且跨越第一开口101。每一个第二支架122具有相对的两端,每一个第二支架122的两端固定于该框架13上且跨越第一开口101。所述第一支架121和第二支架122相交共同支撑主体膜11。
请一并参考图1、图2和图3,其中,图3是本发明第一实施例的主体膜11剖面结构示意图。所述主体膜11开设有蒸镀所需要的多个第二开口102。主体膜11包括中央区1111和围绕中央区1111的周边区1112,其中所述多个第二开口102对应设置在中央区1111。本实施例中,所述多个第二开口102呈矩阵排列。
在本实施例中,所述主体膜11包括层叠设置的塑料膜111和金属膜112。其中,所述框架13和所述支架12位于金属膜112的同一表面。每一个第二开口102贯穿该塑料膜111和金属膜112。如图2所示,每一个第二开口102与第一开口101连通。第二开口102包括贯穿塑料膜111的第一子开口1021和贯穿金属膜112的第二子开口1022,所述第一子开口1021与所述第二子开口1022相互连通。其中,所述第二子开口1022的内径大于所述第一子开口1021的内径。蒸镀材料通过的第二开口102的第一子开口1021和第二子开口1022可在基板上蒸镀形成高精细的像素图案。所述金属膜112具有磁性,可由设置在基板14上方的磁铁(图未示)将主体膜11吸附至靠近基板14的方向。
所述支架12在主体膜11上的投影不与所述多个第二开口102重叠。在本实施例中,如图1所示,第一支架121的数量为一,第二支架122的数量为三。所述第一支架121和第二支架122的两端可通过焊接的方式固定在框架13上,但不限于此。例如,框架13上可设置复数个与支架12两端对应的凹槽(图未示),所述支架12的两端容纳于所述凹槽中,从而使支架12跨越框架13。
请参考图4,图4是上述主体膜11的一变更实施例,所述主体膜11包括塑料膜111和金属膜112。所述金属膜112仅设置在主体膜11的周边区1112,每一个第二开口102仅贯穿所述塑料膜111与第一开口101连通。蒸镀材料通过位于中央区1111的第二开口102可在基板上蒸镀形成高精细的蒸镀图案。所述金属膜112具有磁性,可由设置在基板14上方的磁铁将主体膜11吸附至靠近基板14的方向。
在另一变更实施例中,所述主体膜11可仅包括一塑料膜111。每一个第二开口102仅贯穿该塑料膜111与第一开口101连通。蒸镀材料通过位于中央区1111的第二开口102在基板上蒸镀形成高精细的蒸镀图案。
所述塑料膜111的材质可选自聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯(PE)、聚醚醚酮(PEEK)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚酰亚胺(PI)、聚酰胺(PA)、聚四氟乙烯(PTFE)、硅(SI)、聚丙烯(PP)、聚苯硫醚(PPS)、聚乙烯奈(PEN)中的一种,但不以此为限。优选地,所述塑料膜111的热膨胀值介于1.0ppm至15.0ppm/K之间。优选地,所述塑料膜111的厚度介于3μm至100μm之间。
所述金属膜112的材质可以选自钴(Co)、镍(Ni)、铁(Fe)、钛(Ti)和因瓦合金(Invar Alloy)中的一种,但不以此为限。优选地,所述金属膜112的厚度介于5μm至50μm之间。
所述支架12的材质可以选自因瓦(Invar)、镍(Ni)、不锈钢等中的一种,但不以此为限。所述框架13的材质可以选自因瓦(Invar)、镍(Ni)、不锈钢等中的一种,但不以此为限。
所述主体膜11在框架13和支架12的共同支撑下,其弯曲挠度可小于80μm。所述弯曲挠度为蒸镀过程中蒸镀遮罩100与基板14之间由于蒸镀遮罩100形变所产生的间距。具体的,由于蒸镀遮罩100与基板14之间的间距减小,使蒸镀材料能够更加准确地形成于基板对应开口区域的位置,使蒸镀图案X方向上的形变小于5μm,在Y方向上的形变小于5μm。当主体膜11包括有一金属膜112时,可通过设置在基板14上方的磁铁,将主体膜11吸附至靠近基板14方向,减小蒸镀遮罩100的下垂程度。因此,所述蒸镀遮罩100可以有效减少阴影效应的影响,提高蒸镀良率。
下述实施例中,与第一实施例结构和功能相同的元件将不再重复累述。
请参考图6,图6是本发明第二实施例的蒸镀遮罩200平面结构示意图。所述蒸镀遮罩200包括主体膜21、支架22、框架23。其中,支架22仅包括沿Y轴方向延伸的多个第二支架222。所述支架22与框架23共同支撑主体膜21。可选地,相邻的两个第二支架222之间的间距相等。
请参考图7,图7是本发明第三实施例的蒸镀遮罩300平面结构示意图。所述蒸镀遮罩300包括主体膜31、支架32、框架33。其中,支架32仅包括沿X轴方向延伸的第一支架321。所述支架32与框架33共同支撑主体膜31。可选地,相邻的两个第一支架321之间的间距相等。
上述实施例所述的主体膜11、主体膜21、主体膜31均为一连续的层。请一并参考图8和图13,图8是本发明第四实施例的蒸镀遮罩400平面结构示意图,图13是图8沿XIII-XIII剖面线剖开的剖面结构示意图。所述蒸镀遮罩400包括主体膜41、支架42、框架43。其中,支架42仅包括沿Y轴方向延伸的第二支架422。所述主体膜41为一非连续的层,其包括间隔设置的至少两个子膜410。在本实施中,所述主体膜41包括四个子膜410。所述每一个第二支架422包括第一支撑部4222和由第一支撑部4222延伸形成的第一延伸部4221,第一支撑部4222支撑相邻的两个子膜410,第一延伸部4221位于相邻的两个子膜410之间以将相邻的两个子膜410间隔开来。本实施例中,所述支撑部4222的宽度(沿垂直主体膜41的厚度D方向)大于第一延伸部4221的宽度(沿垂直主体膜41的厚度D方向)。
本实施例中,所述第一延伸部4221的厚度与主体膜41的厚度D相等,此时,第一延伸部4221与主体膜41平齐。可变更的,所述第一延伸部4221的厚度可以大于主体膜41的厚度D,此时,第一延伸部4221相对凸出于主体膜41;所述第一延伸部4221的厚度也可以小于主体膜41的厚度D。所述支架42与框架43共同支撑主体膜41。具体地,每一子膜410由其对应的第二支架422的第一支撑部4222和框架43共同支撑。在本实施例中,将主体膜41分隔为多个子膜410,可进一步减小蒸镀遮罩400的形变程度。
请参考图9,图9是本发明第五实施例的蒸镀遮罩500平面结构示意图。所述蒸镀遮罩500包括主体膜51、支架52、框架53。其中,支架52仅包括沿X轴方向延伸的第一支架521。所述主体膜51为一非连续的层,其包括间隔设置的至少两个子膜510。在本实施中,所述主体膜51包括四个子膜510。所述每一个第一支架521包括第二支撑部5212和由第二支撑部5212延伸形成的第二延伸部5211,第二支撑部5212支撑相邻的两个子膜510,第二延伸部5211位于相邻的两个子膜510之间以将相邻的两个子膜510间隔开来。本实施例中,所述第二支撑部5212的宽度(沿垂直主体膜51的厚度D方向)大于第二延伸部5211的宽度(沿垂直主体膜51的厚度D方向)。
本实施例中,所述第二延伸部5211的厚度与主体膜51的厚度D相等,此时,第二延伸部5211与主体膜51平齐。可变更的,所述第二延伸部5211的厚度可以大于主体膜51的厚度D,此时,第二延伸部5211相对凸出于主体膜51;所述第二延伸部5211的厚度也可以小于主体膜51的厚度D。所述支架52与框架53共同支撑主体膜51。具体地,每一子膜510由其对应的第一支架521的第二支撑部5212和框架53共同支撑。在本实施例中,将主体膜51分隔为多个子膜510,可进一步减小蒸镀遮罩500的形变程度。
请参考图10,图10是本发明第六实施例的蒸镀遮罩600平面结构示意图。所述蒸镀遮罩600包括主体膜61、支架62、框架63。其中,支架52包括沿X方向延伸的第一支架621和沿Y方向延伸的第二支架622。所述主体膜61为一非连续的层,其包括间隔设置的至少两个子膜610。在本实施中,所述主体膜61包括四个子膜610。所述每一个第二支架622包括第一支撑部6222和由第一支撑部6222延伸形成的第一延伸部6221,第一支撑部6222支撑相邻的两个子膜610,第一延伸部6221位于相邻的两个子膜610之间以将相邻的两个子膜610间隔开来。本实施例中,所述支撑部6222的宽度(沿垂直主体膜61的厚度D方向)大于第一延伸部6221的宽度(沿垂直主体膜61的厚度D方向)。
本实施例中,所述第一延伸部6221的厚度与主体膜61的厚度D相等,此时,第一延伸部6221与主体膜61平齐。可变更的,所述第一延伸部6221的厚度可以大于主体膜61的厚度D,此时,第一延伸部6221相对凸出于主体膜61;所述第一延伸部6221的厚度也可以小于主体膜61的厚度D。所述支架62与框架63共同支撑主体膜61。具体地,每一子膜610由其对应的第二支架622的第一支撑部6222、第一支架621和框架63共同支撑。在本实施例中,将主体膜61分隔为多个子膜610,可进一步减小蒸镀遮罩600的形变程度。
请参考图11,图11是本发明第七实施例的蒸镀遮罩平面结构示意图。所述蒸镀遮罩700包括主体膜71、支架72、框架73。其中,支架52包括沿X方向延伸的第一支架721和沿Y方向延伸的第二支架722。所述主体膜71为一非连续的层,其包括间隔设置的至少两个子膜710。在本实施中,所述主体膜71包括二个子膜710。所述每一个第一支架721包括第二支撑部7212和由第二支撑部7212延伸形成的第二延伸部7211,第二支撑部7212支撑相邻的两个子膜710,第二延伸部7211位于相邻的两个子膜710之间以将相邻的两个子膜710间隔开来。本实施例中,所述第二支撑部7212的宽度(沿垂直主体膜71的厚度D方向)大于第二延伸部7211的宽度(沿垂直主体膜71的厚度D方向)。
本实施例中,所述第二延伸部7211的厚度与主体膜71的厚度D相等,此时,第二延伸部7211与主体膜71平齐。可变更的,所述第二延伸部7211的厚度可以大于主体膜71的厚度D,此时,第二延伸部7211相对凸出于主体膜71;所述第二延伸部7211的厚度也可以小于主体膜71的厚度D。所述支架72与框架73共同支撑主体膜71。具体地,每一子膜710由其对应的第一支架721的第二支撑部7212、第二支架722和框架73共同支撑。在本实施例中,将主体膜71分隔为多个子膜710,可进一步减小蒸镀遮罩700的形变程度。
请参考图12,图12是本发明第八实施例的蒸镀遮罩平面结构示意图。所述蒸镀遮罩800包括主体膜81、支架82、框架83。其中,支架82包括沿X方向延伸的第一支架821和沿Y方向延伸的第二支架822。第一支架821与第二支架822在相交处重合。所述主体膜81为一非连续的层,其包括间隔设置的至少两个子膜810。在本实施中,所述主体膜81包括八个子膜810。所述每一个第一支架821包括第二支撑部8212和由第二支撑部8212延伸形成的第二延伸部8211,第二支撑部8212支撑相邻的两个子膜810,第二延伸部8211位于相邻的两个子膜810之间以将相邻的两个子膜810间隔开来。本实施例中,所述第二支撑部8212的宽度(沿垂直主体膜81的厚度D方向)大于第二延伸部8211的宽度(沿垂直主体膜81的厚度D方向)。所述每一个第二支架822包括第一支撑部8222和由第一支撑部8222延伸形成的第一延伸部8221,第一支撑部8222支撑相邻的两个子膜810,第一延伸部8221位于相邻的两个子膜810之间以将相邻的两个子膜810间隔开来。本实施例中,所述支撑部8222的宽度(沿垂直主体膜81的厚度D方向)大于第一延伸部8221的宽度(沿垂直主体膜81的厚度D方向)。
本实施例中,所述第二延伸部8211的厚度与主体膜81的厚度D相等,此时,第二延伸部8211与主体膜81平齐。可变更的,所述第二延伸部8211的厚度可以大于主体膜81的厚度D,此时,第二延伸部8211相对凸出于主体膜81;所述第二延伸部8211的厚度也可以小于主体膜81的厚度D。本实施例中,所述第一延伸部8221的厚度与主体膜81的厚度D相等,此时,第一延伸部8221与主体膜81平齐。可变更的,所述第一延伸部8221的厚度可以大于主体膜81的厚度D,此时,第一延伸部8221相对凸出于主体膜81;所述第一延伸部8221的厚度也可以小于主体膜81的厚度D。所述支架82与框架83共同支撑主体膜81。具体地,每一子膜810由其对应的第一支架821的第二支撑部8212、第二支架822的第一支撑部8222和框架83共同支撑。在本实施例中,将主体膜81分隔为多个子膜810,可进一步减小蒸镀遮罩800的形变程度。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制,尽管参照较佳实施对本发明进行了详细说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本发明的技术方案进行修改或等同替换,而不脱离本发明技术方案的精神和范围。
Claims (10)
1.一种蒸镀遮罩,其包括框架、主体膜,所述框架贯设有一第一开口,所述主体膜盖设于所述第一开口上,所述主体膜上开设有多个第二开口;所述主体膜包括塑料膜,每一个所述第二开口贯穿所述塑料膜,所述第一开口与每一个所述第二开口连通,其特征在于:所述蒸镀遮罩还包括支架;所述支架固定于所述框架上且跨越所述第一开口,所述框架与所述支架共同支撑所述主体膜。
2.如权利要求1所述的蒸镀遮罩,其特征在于:所述主体膜还包括与所述塑料膜层叠设置的金属膜,每一个所述第二开口贯穿所述金属膜。
3.如权利要求2所述的蒸镀遮罩,其特征在于:每一个所述第二开口包括贯穿所述塑料膜的第一子开口和贯穿所述金属膜的第二子开口,所述第二子开口与所述第一子开口连通,所述第二子开口的内径大于所述第一子开口的内径。
4.如权利要求2所述的蒸镀遮罩,其特征在于:所述塑料膜包括中央区和周边区,其中所述多个第二开口对应所述中央区设置;所述金属膜覆盖所述塑料膜的周边区。
5.如权利要求1或2所述的蒸镀遮罩,其特征在于:所述框架与所述支架位于所述主体膜的同一侧。
6.如权利要求2或4所述的蒸镀遮罩,其特征在于:所述框架与所述支架均位于所述主体膜具有所述金属膜的一侧。
7.如权利要求1所述的蒸镀遮罩,其特征在于:所述支架包括纵向延伸的至少一个第一支架和横向延伸的至少一个第二支架中至少一种。
8.如权利要求7所述的蒸镀遮罩,其特征在于:每一个所述第一支架具有相对的两端,每一个所述第一支架的两端固定于所述框架上;每一个所述第二支架具有相对的两端,每一个所述第二支架的两端固定于所述框架上。
9.如权利要求7所述的蒸镀遮罩,其特征在于:所述主体膜为一非连续的层,其包括至少两个间隔设置的子膜。
10.如权利要求9所述的蒸镀遮罩,其特征在于:所述第一支架和所述第二支架中至少一者包括支撑部和由所述支撑部延伸形成的延伸部,所述支撑部用于支撑相邻的两个所述子膜,所述延伸部位于相邻的两个所述子膜之间。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110512172A (zh) * | 2018-05-21 | 2019-11-29 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 蒸镀遮罩的制造方法及有机发光材料的蒸镀方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106298859B (zh) * | 2016-09-30 | 2018-09-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 触控面板及显示装置 |
CN111996488B (zh) * | 2020-07-31 | 2022-09-30 | 云谷(固安)科技有限公司 | 一种掩膜版及其制备方法以及蒸镀系统 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104053812A (zh) * | 2012-01-12 | 2014-09-17 | 大日本印刷株式会社 | 拼版蒸镀掩模的制造方法及由此所得拼版蒸镀掩模以及有机半导体元件的制造方法 |
CN105143497A (zh) * | 2013-04-12 | 2015-12-09 | 大日本印刷株式会社 | 蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、及有机半导体元件的制造方法 |
CN106029939A (zh) * | 2014-03-31 | 2016-10-12 | 大日本印刷株式会社 | 蒸镀掩模的拉伸方法、带框架的蒸镀掩模的制造方法、有机半导体元件的制造方法及拉伸装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030002947A (ko) * | 2001-07-03 | 2003-01-09 | 엘지전자 주식회사 | 풀칼라 유기 el 표시소자 및 제조방법 |
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CN107858642B (zh) * | 2013-04-12 | 2020-04-21 | 大日本印刷株式会社 | 蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、及有机半导体元件的制造方法 |
KR102140303B1 (ko) * | 2014-09-17 | 2020-08-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 프레임 조립체, 그 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR102280269B1 (ko) * | 2014-11-05 | 2021-07-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 프레임 조립체 및 그 제조 방법 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104053812A (zh) * | 2012-01-12 | 2014-09-17 | 大日本印刷株式会社 | 拼版蒸镀掩模的制造方法及由此所得拼版蒸镀掩模以及有机半导体元件的制造方法 |
CN105143497A (zh) * | 2013-04-12 | 2015-12-09 | 大日本印刷株式会社 | 蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、及有机半导体元件的制造方法 |
CN106029939A (zh) * | 2014-03-31 | 2016-10-12 | 大日本印刷株式会社 | 蒸镀掩模的拉伸方法、带框架的蒸镀掩模的制造方法、有机半导体元件的制造方法及拉伸装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110512172A (zh) * | 2018-05-21 | 2019-11-29 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 蒸镀遮罩的制造方法及有机发光材料的蒸镀方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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