CN105467696A - 显示基板及其制造方法、显示装置 - Google Patents

显示基板及其制造方法、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN105467696A
CN105467696A CN201610031519.5A CN201610031519A CN105467696A CN 105467696 A CN105467696 A CN 105467696A CN 201610031519 A CN201610031519 A CN 201610031519A CN 105467696 A CN105467696 A CN 105467696A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
underlay substrate
slit
insulation course
display device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610031519.5A
Other languages
English (en)
Inventor
李娜
蒋昆
张瑞辰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201610031519.5A priority Critical patent/CN105467696A/zh
Publication of CN105467696A publication Critical patent/CN105467696A/zh
Priority to US15/227,314 priority patent/US20170205655A1/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134363Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259Multistep manufacturing methods
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/133707Structures for producing distorted electric fields, e.g. bumps, protrusions, recesses, slits in pixel electrodes
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134318Electrodes characterised by their geometrical arrangement having a patterned common electrode
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134372Electrodes characterised by their geometrical arrangement for fringe field switching [FFS] where the common electrode is not patterned
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134381Hybrid switching mode, i.e. for applying an electric field with components parallel and orthogonal to the substrates
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/122Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode having a particular pattern

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

本发明公开一种显示基板及其制造方法、显示装置,属于显示技术领域。显示基板包括:衬底基板,衬底基板上形成有第一电极;形成有第一电极的衬底基板上形成有第一绝缘层;形成有第一绝缘层的衬底基板上形成有第二电极,第二电极上形成有至少一个弯曲的狭缝。本发明解决了显示装置的视角较窄以及显示装置的颜色偏移较大的问题,达到了扩大显示装置的视角以及减小显示装置的颜色偏移的效果。本发明用于显示。

Description

显示基板及其制造方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种显示基板及其制造方法、显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展,诸如薄膜晶体管液晶显示器(英文:ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay,简称:TFT-LCD)等显示装置广泛应用于电视机、电脑、手机等显示领域。
显示装置可以包括边缘场切换(英文:FringeFieldSwitching;简称:FFS)模式的显示装置,FFS模式的显示装置通常包括对盒成型的阵列基板和彩膜基板,以及填充在阵列基板和彩膜基板之间的液晶层,液晶层中包括多个液晶分子,阵列基板包括衬底基板,衬底基板上形成有多根数据线和栅线,各个数据线和栅线交叉且绝缘,且相邻的两根数据线和与该相邻的两根数据线相交的相邻的两根栅线限定一个像素区,每个像素区内形成有像素电极和公共电极,且公共电极位于像素电极的上方,相关技术中,每个公共电极上形成有多个长条状狭缝,所有的长条状狭缝的长度方向平行,该FFS模式的显示装置通过公共电极上的长条状狭缝使在像素电极与公共电极的作用下形成平行于阵列基板的上表面的水平电场来驱动液晶分子偏转,以改变液晶层的透光率,实现图像显示。
在实现本发明的过程中,发明人发现相关技术至少存在以下问题:
由于公共电极上的狭缝为长度方向平行的长条状狭缝,因此,通过该长条状狭缝形成的电场的方向单一,液晶分子的偏转方向单一,导致光线从显示装置的同一个方向射出,显示装置的视角较窄,且显示装置各个方向上的透光率的差异较大,显示装置的颜色偏移(从不同视角观察到的颜色不同)较大。
发明内容
为了解决显示装置的视角较窄以及显示装置的颜色偏移较大的问题,本发明提供一种显示基板及其制造方法、显示装置。所述技术方案如下:
第一方面,提供一种显示基板,所述显示基板包括:
衬底基板,
所述衬底基板上形成有第一电极;
形成有所述第一电极的衬底基板上形成有第一绝缘层;
形成有所述第一绝缘层的衬底基板上形成有第二电极,所述第二电极上形成有至少一个弯曲的狭缝。
可选地,所述第一电极上形成有至少一个弯曲的狭缝。
可选地,所述衬底基板上形成有多根栅线;
形成有所述栅线的衬底基板上形成有第二绝缘层;
形成有所述第二绝缘层的衬底基板上形成有多根数据线,所述多根数据线与所述多根栅线交叉,且任意相邻的两根数据线和与所述任意相邻的两根数据线交叉的任意相邻的两根栅线限定一个像素区,使所述衬底基板上形成多个像素区;
形成有所述数据线的衬底基板上形成有多个所述第一电极,每个所述第一电极位于一个所述像素区内;
形成有所述第一电极的衬底基板上形成有所述第一绝缘层;
形成有所述第一绝缘层的衬底基板上形成有多个所述第二电极,每个所述第二电极上形成有至少一个弯曲的狭缝,且每个所述第二电极位于一个所述像素区内,任意相邻的两个第二电极关于位于所述任意相邻的两个第二电极之间的信号线对称,所述任意相邻的两个第二电极上的狭缝关于所述信号线对称,所述信号线为栅线或数据线。
可选地,所述狭缝为半圆环形狭缝;或者,
所述狭缝为由一端连通的两个长条状狭缝所形成的狭缝,所述两个长条状狭缝的长度方向之间的夹角的取值范围为:150度~178度。
可选地,所述第一电极为像素电极,所述第二电极为公共电极;或者,
所述第一电极为公共电极,所述第二电极为像素电极。
第二方面,提供一种显示基板的制造方法,所述方法包括:
在衬底基板上形成第一电极;
在形成有所述第一电极的衬底基板上形成第一绝缘层;
在形成有所述第一绝缘层的衬底基板上形成第二电极,所述第二电极上形成有至少一个弯曲的狭缝。
可选地,所述在衬底基板上形成第一电极,包括:
在所述衬底基板上形成第一电极,所述第一电极上形成有至少一个弯曲的狭缝。
可选地,所述在衬底基板上形成第一电极,包括:
在所述衬底基板上形成多根栅线;
在形成有所述栅线的衬底基板上形成第二绝缘层;
在形成有所述第二绝缘层的衬底基板上形成多根数据线,使所述多根数据线与所述多根栅线交叉,且任意相邻的两根数据线和与所述任意相邻的两根数据线交叉的任意相邻的两根栅线限定一个像素区,所述衬底基板上形成多个像素区;
在形成有所述数据线的衬底基板上形成多个所述第一电极,使每个所述第一电极位于一个所述像素区内;
所述在形成有所述第一绝缘层的衬底基板上形成第二电极,所述第二电极上形成至少一个弯曲的狭缝,包括:
在形成有所述第一绝缘层的衬底基板上形成多个所述第二电极,每个所述第二电极上形成至少一个弯曲的狭缝,且每个所述第二电极位于一个所述像素区内,任意相邻的两个第二电极关于位于所述任意相邻的两个第二电极之间的信号线对称,所述任意相邻的两个第二电极上的狭缝关于所述信号线对称,所述信号线为栅线或数据线。
可选地,所述狭缝为半圆环形狭缝;或者,
所述狭缝为由一端连通的两个长条状狭缝所形成的狭缝,所述两个长条状狭缝的长度方向之间的夹角的取值范围为:150度~178度。
可选地,所述第一电极为像素电极,所述第二电极为公共电极;或者,
所述第一电极为公共电极,所述第二电极为像素电极。
第三方面,提供一种显示装置,所述显示装置包括:第一方面所述的显示基板。
本发明提供的技术方案带来的有益效果是:
本发明提供的显示基板及其制造方法、显示装置,显示基板包括:衬底基板,衬底基板上形成有第一电极;形成有第一电极的衬底基板上形成有第一绝缘层;形成有第一绝缘层的衬底基板上形成有第二电极,第二电极上形成有至少一个弯曲的狭缝。由于狭缝是弯曲的,第一电极和第二电极形成的电场的方向较多,因此,光线能够从显示装置的不同方向上射出,显示装置的视角较宽,且显示装置各个方向上的透光率差异较小,显示装置的颜色偏移较小,解决了显示装置的视角较窄以及显示装置的颜色偏移较大的问题,达到了扩大显示装置的视角以及减小显示装置的颜色偏移的效果。
应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的,并不能限制本发明。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种显示基板的结构示意图;
图2-1是本发明实施例提供的另一种显示基板的结构示意图;
图2-2是图2-1所示实施例提供的一种显示基板的俯视图;
图2-3是图2-1所示实施例提供的另一种显示基板的俯视图;
图2-4是图2-1所示实施例提供的再一种显示基板的俯视图;
图2-5是图2-4所示实施例提供的显示基板的狭缝的夹角示意图;
图2-6是采用图2-2所示实施例提供的显示基板形成的显示装置中的液晶的偏转示意图;
图3是本发明实施例提供的一种显示基板的制造方法的方法流程图;
图4-1是本发明实施例提供的另一种显示基板的制造方法的方法流程图;
图4-2是图4-1所示实施例提供的一种在衬底基板上形成多根栅线后的俯视图;
图4-3是图4-1所示实施例提供的一种在形成有栅线的衬底基板上形成第二绝缘层后的结构示意图;
图4-4是图4-1所示实施例提供的一种在形成有第二绝缘层的衬底基板上形成多根数据线后的结构示意图;
图4-5是图4-1所示实施例提供的一种在形成有第二绝缘层的衬底基板上形成多根数据线后的俯视图;
图4-6是图4-1所示实施例提供的一种在形成有数据线的衬底基板上形成第一电极后的结构示意图;
图4-7是图4-1所示实施例提供的一种在形成有数据线的衬底基板上形成第一电极后的俯视图;
图4-8是图4-1所示实施例提供的一种在形成有第一电极的衬底基板上形成第一绝缘层后的结构示意图;
图4-9是图4-1所示实施例提供的一种在形成有第一绝缘层的衬底基板上形成第二电极后的结构示意图;
图4-10是图4-1所示实施例提供的一种在形成有第一绝缘层的衬底基板上形成第二电极后的俯视图。
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本发明的实施例,并与说明书一起用于解释本发明的原理。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部份实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
请参考图1,其示出了本发明实施例提供的一种显示基板01的结构示意图,参见图1,该显示基板01可以包括衬底基板010,衬底基板010可以为透明基板,其具体可以是采用玻璃、石英、透明树脂等具有一定坚固性的导光且非金属材料制成的基板。
衬底基板010上形成有第一电极011;形成有第一电极011的衬底基板010上形成有第一绝缘层012;形成有第一绝缘层012的衬底基板010上形成有第二电极013,第二电极013上形成有至少一个弯曲的狭缝A。
综上所述,本发明实施例提供的显示基板包括:衬底基板,衬底基板上形成有第一电极,形成有第一电极的衬底基板上形成有第一绝缘层,形成有第一绝缘层的衬底基板上形成有第二电极,第二电极上形成有至少一个弯曲的狭缝,由于狭缝是弯曲的,第一电极和第二电极形成的电场的方向较多,因此,光线能够从显示装置的不同方向上射出,显示装置的视角较宽,且显示装置各个方向上的透光率差异较小,显示装置的颜色偏移较小,解决了显示装置的视角较窄以及显示装置的颜色偏移较大的问题,达到了扩大显示装置的视角以及减小显示装置的颜色偏移的效果。
请参考图2-1,其示出了本发明实施例提供的另一种显示基板01的结构示意图,参见图2-1,该显示基板01可以包括衬底基板010,衬底基板010可以为透明基板,其具体可以是采用玻璃、石英、透明树脂等具有一定坚固性的导光且非金属材料制成的基板。
衬底基板010上形成有第一电极011;形成有第一电极011的衬底基板010上形成有第一绝缘层012;形成有第一绝缘层012的衬底基板010上形成有第二电极013,第二电极013上形成有至少一个弯曲的狭缝A。可选地,在本发明实施例中,狭缝A为半圆环形狭缝;或者,狭缝A为由一端连通的两个长条状狭缝所形成的狭缝,该两个长条状狭缝的长度方向之间的夹角的取值范围为:150度~178度。其中,将狭缝A设置为半圆环形狭缝,或者,将狭缝A设置为由一端连通的两个长条状狭缝所形成的狭缝,且该两个长条状狭缝的长度方向之间的夹角的取值范围为150度~178度,可以避免由于狭缝A的弯曲度过大导致位于狭缝A的弯曲部位上方的液晶无法偏转的问题,避免显示装置形成液晶暗区。
可选地,第一电极011上形成有至少一个弯曲的狭缝(图2-1中未画出)。
进一步地,请继续参考图2-1,衬底基板010上形成有多根栅线(图2-1中未画出),形成有栅线的衬底基板010上形成有第二绝缘层014,形成有第二绝缘层014的衬底基板010上形成有多根数据线015(图2-1中仅画出一根),多根数据线015与多根栅线交叉,且任意相邻的两根数据线015和与任意相邻的两根数据线015交叉的任意相邻的两根栅线限定一个像素区,使衬底基板010上形成多个像素区;形成有数据线015的衬底基板010上形成有多个第一电极011,每个第一电极011位于一个像素区内,形成有第一电极011的衬底基板010上形成有第一绝缘层012,形成有第一绝缘层012的衬底基板010上形成有多个第二电极013,每个第二电极013上形成有至少一个弯曲的狭缝A,且每个第二电极013位于一个像素区内,任意相邻的两个第二电极013关于位于任意相邻的两个第二电极013之间的信号线对称,且任意相邻的两个第二电极013上的狭缝关于信号线对称,该信号线为栅线或数据线。其中,任意相邻的两个第二电极013关于位于任意相邻的两个第二电极013之间的信号线对称,且任意相邻的两个第二电极013上的狭缝关于信号线对称可以使得第一电极011和第二电极013形成各个方向上的电场,使各个方向上的液晶分子都能够有效偏转,扩大显示装置的视角。
可选地,在本发明实施例中,第一电极011为像素电极,第二电极013为公共电极;或者,第一电极011为公共电极,第二电极013为像素电极,本发明实施例对此不做限定。
可选地,请参考图2-2,其示出的是本发明实施例提供的一种显示基板01的俯视图,参见图2-2,显示基板01包括衬底基板010,衬底基板010上形成有多根栅线016(图2-2中画出了4根),该多根栅线016相互平行,形成有栅线016的衬底基板010上形成有第二绝缘层(图2-2中未画出),形成有第二绝缘层的衬底基板010上形成有多根数据线015(图2-2中画出了5根),该多根数据线015相互平行,且该多根数据线015与多根栅线014垂直交叉,且任意相邻的两根数据线015和与任意相邻的两根数据线015交叉的任意相邻的两根栅线014限定一个像素区X,使衬底基板010上形成多个像素区X;形成有数据线015的衬底基板010上形成有多个第一电极(图2-2中未画出),每个第一电极位于一个像素区X内,形成有第一电极的衬底基板010上形成有第一绝缘层(图2-2中未画出),形成有第一绝缘层的衬底基板010上形成有多个第二电极013,每个第二电极013上形成有至少一个弯曲的狭缝A,且每个第二电极013位于一个像素区X内,任意相邻的两个第二电极013关于位于任意相邻的两个第二电极013之间的信号线对称,且任意相邻的两个第二电极013上的狭缝A关于位于任意相邻的两个第二电极013之间的信号线对称,该信号线为栅线或数据线。可选地,如图2-2所示,每个第二电极013上形成有3个狭缝A,每个狭缝A都为半圆环形狭缝,且任一第二电极013上的3个狭缝A的开口的朝向相同,3个狭缝A的开口均朝向数据线015。
可选地,请参考图2-3,其示出的是本发明实施例提供的另一种显示基板01的俯视图,参见图2-3,每个第二电极013上形成有6个狭缝A,且每个第二电极013位于一个像素区X内,任意相邻的两个第二电极013关于位于任意相邻的两个第二电极013之间的信号线对称,且任意相邻的两个第二电极013上的狭缝A关于位于任意相邻的两个第二电极013之间的信号线对称,该信号线为栅线或数据线。每个狭缝A都为半圆环形狭缝,且任一第二电极013上的6个狭缝A的开口的朝向相同,6个狭缝A的开口均朝向栅线016。
需要说明的是,在本发明实施例中,半圆环形狭缝可以是圆环形狭缝的一半或者椭圆环形狭缝的一半,也可以是从圆环形狭缝或者椭圆环形狭缝上截取的一部分,其中,图2-1所示的显示基板01的结构示意图可以看作是图2-2所示的显示基板01的E-E部位的剖面图,本发明实施例对此不做限定。
可选地,请参考图2-4,其示出的是本发明实施例提供的再一种显示基板01的俯视图,参见图2-4,每个第二电极013上形成有3个狭缝A,且每个第二电极013位于一个像素区X内,任意相邻的两个第二电极013关于位于任意相邻的两个第二电极013之间的信号线对称,且任意相邻的两个第二电极013上的狭缝A关于位于任意相邻的两个第二电极013之间的信号线对称,该信号线为栅线或数据线。每个狭缝A都为由一端连通的两个长条状狭缝所形成的狭缝,如图2-4所示,该两个长条状狭缝包括长条状狭缝A1和长条状狭缝A2,长条状狭缝A1的长度方向为a1(图2-4中未标出),长条状狭缝A2的长度方向为a2(图2-4中未标出),如图2-5所示,其示出的是图2-4所示实施例提供的显示基板01的狭缝A的夹角的示意图,参见图2-5,长条状狭缝的长度方向a1与长条状狭缝的长度方向a2之间的夹角为a,该夹角a的取值范围可以为:150度~178度,本发明实施例对此不做限定。
请参考图2-5,其示出的是采用图2-2所示实施例提供的显示基板01形成的显示装置中的液晶的偏转图,参见图2-5,相邻的液晶分子B的偏转方向各不相同,这样可以扩大显示装置的视角,改善显示装置的颜色偏移。
需要说明的是,在本发明实施例中,每个第二电极013上的狭缝A的具体个数可以根据实际情况进行设置,本发明实施例对此不做限定,且如图2-2至2-4以及图2-6所示,每个像素区X中还包括器件放置区X1,该器件放置区X1用于设置驱动器件,该驱动器件可以为薄膜晶体管(英文:ThinFilmTransistor;简称:TFT),其中,TFT可以包括栅极、源极和漏极,栅极可以与栅线016连接,源极可以与数据线015连接,漏极可以与像素电极连接,优选地,栅极和栅线016可以采用同一次构图工艺形成,源极、漏极和数据线015可以采用同一次构图工艺形成,本发明实施例对此不做限定。
综上所述,本发明实施例提供的显示基板包括:衬底基板,衬底基板上形成有第一电极,形成有第一电极的衬底基板上形成有第一绝缘层,形成有第一绝缘层的衬底基板上形成有第二电极,第二电极上形成有至少一个弯曲的狭缝,由于狭缝是弯曲的,第一电极和第二电极形成的电场的方向较多,因此,光线能够从显示装置的不同方向上射出,显示装置的视角较宽,且显示装置各个方向上的透光率差异较小,显示装置的颜色偏移较小,解决了显示装置的视角较窄以及显示装置的颜色偏移较大的问题,达到了扩大显示装置的视角以及减小显示装置的颜色偏移的效果。
本发明实施例提供的显示基板,能够保持原显示基板的开口率、易于生产和制造;且由于任意相邻的两个第二电极关于位于该任意相邻的两个第二电极之间的信号线对称,且该任意相邻的两个第二电极上的狭缝关于该任意相邻的两个第二电极之间的信号线对称,该信号线为栅线或数据线,这样可以使得相邻的两个第二电极上方的液晶分子按照不同的方向旋转,扩大显示装置的视角,改善显示装置的颜色偏移,提高显示装置的显示质量。
本发明实施例提供的显示基板,通过改进第二电极上的狭缝的形状、采用第二电极多象限配置以及相邻的第二电极间的对称设计的综合作用,有效地解决了显示装置的视角较窄和颜色偏移较大的问题。
需要说明的是,本发明实施例提供的显示基板可以适用于FFS模式的显示装置的生产,在FFS模式的显示装置中,公共电极和像素电极设置在同一基板上,该同一基板可以为阵列基板或者彩膜基板,本发明实施例对此不做限定。
本发明实施例提供的显示基板可以应用于下文的方法,本发明实施例中显示基板的制造方法和制造原理可以参见下文各实施例中的描述。
请参考图3,其示出了本发明实施例提供的一种显示基板的制造方法的方法流程图,该显示基板的制造方法可以用于制造图1至图2-4任一所示的显示基板01,其中,该显示基板01可以包括:衬底基板010,衬底基板010可以为透明基板,其具体可以是采用玻璃、石英、透明树脂等具有一定坚固性的导光且非金属材料制成的基板。参见图3,该显示基板的制造方法可以包括如下几个步骤:
步骤301、在衬底基板上形成第一电极。
步骤302、在形成有第一电极的衬底基板上形成第一绝缘层。
步骤303、在形成有第一绝缘层的衬底基板上形成第二电极,第二电极上形成有至少一个弯曲的狭缝。
综上所述,本发明实施例提供的显示基板的制造方法,通过在衬底基板上形成第一电极,在形成有第一电极的衬底基板上形成第一绝缘层,在形成第一绝缘层的衬底基板上形成第二电极,第二电极上形成有至少一个弯曲的狭缝,由于狭缝是弯曲的,第一电极和第二电极形成的电场的方向较多,因此,光线能够从显示装置的不同方向上射出,显示装置的视角较宽,且显示装置各个方向上的透光率差异较小,显示装置的颜色偏移较小,解决了显示装置的视角较窄以及显示装置的颜色偏移较大的问题,达到了扩大显示装置的视角以及减小显示装置的颜色偏移的效果。
可选地,步骤301可以包括:
在衬底基板上形成第一电极,第一电极上形成有至少一个弯曲的狭缝。
可选地,步骤301可以包括:
在衬底基板上形成多根栅线;
在形成有栅线的衬底基板上形成第二绝缘层;
在形成有第二绝缘层的衬底基板上形成多根数据线,使多根数据线与多根栅线交叉,且任意相邻的两根数据线和与任意相邻的两根数据线交叉的任意相邻的两根栅线限定一个像素区,衬底基板上形成多个像素区;
在形成有数据线的衬底基板上形成多个第一电极,使每个第一电极位于一个像素区内;
步骤303可以包括:
在形成有第一绝缘层的衬底基板上形成多个第二电极,每个第二电极上形成至少一个弯曲的狭缝,且每个第二电极位于一个像素区内,任意相邻的两个第二电极关于位于任意相邻的两个第二电极之间的信号线对称,任意相邻的两个第二电极上的狭缝关于信号线对称,信号线为栅线或数据线。
可选地,狭缝为半圆环形狭缝;或者,
狭缝为由一端连通的两个长条状狭缝所形成的狭缝,两个长条状狭缝的长度方向之间的夹角的取值范围为:150度~178度。
可选地,第一电极为像素电极,第二电极为公共电极;或者,
第一电极为公共电极,第二电极为像素电极。
上述所有可选技术方案,可以采用任意结合形成本发明的可选实施例,在此不再一一赘述。
综上所述,本发明实施例提供的显示基板的制造方法,通过在衬底基板上形成第一电极,在形成有第一电极的衬底基板上形成第一绝缘层,在形成第一绝缘层的衬底基板上形成第二电极,第二电极上形成有至少一个弯曲的狭缝,由于狭缝是弯曲的,第一电极和第二电极形成的电场的方向较多,因此,光线能够从显示装置的不同方向上射出,显示装置的视角较宽,且显示装置各个方向上的透光率差异较小,显示装置的颜色偏移较小,解决了显示装置的视角较窄以及显示装置的颜色偏移较大的问题,达到了扩大显示装置的视角以及减小显示装置的颜色偏移的效果。
请参考图4-1,其示出了本发明实施例提供的另一种显示基板的制造方法的方法流程图,该显示基板的制造方法可以用于制造图1至图2-4任一所示的显示基板01,其中,该显示基板01可以包括:衬底基板010,衬底基板010可以为透明基板,其具体可以是采用玻璃、石英、透明树脂等具有一定坚固性的导光且非金属材料制成的基板。参见图4-1,该显示基板的制造方法可以包括如下几个步骤:
步骤401、在衬底基板上形成多根栅线。
请参考图4-2,其示出的是图4-1所示实施例提供的一种在衬底基板010上形成多根栅线016后的俯视图,参见图4-2,多根栅线016相互平行。
其中,可以采用金属材料形成栅线016。示例地,可以采用涂覆、磁控溅射、热蒸发或者等离子体增强化学气相沉积法(英文:PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition;简称:PECVD)等方法在衬底基板010上沉积一层金属材料形成金属膜层,然后采用一次构图工艺对该金属膜层进行处理得到多根栅线016。其中,一次构图工艺包括:光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离,因此,采用一次构图工艺对该金属膜层进行处理得到多根栅线016可以包括:在金属膜层上涂覆一层具有一定厚度的光刻胶,采用掩膜版对光刻胶进行曝光,使得光刻胶形成完全曝光区和非曝光区,之后采用显影工艺处理,使完全曝光区的光刻胶被完全去除,非曝光区的光刻胶全部保留,采用刻蚀工艺对金属膜层上完全曝光区对应的区域进行刻蚀,之后剥离非曝光区的光刻胶,金属膜层上非曝光区对应的区域形成栅线016。
需要说明的是,本发明实施例是以采用正性光刻胶形成栅线016为例进行说明的,实际应用中,还可以采用负性光刻胶形成栅线016,本发明实施例对此不做限定。
还需要说明的是,实际应用中,显示基板还包括TFT,且TFT包括栅极、源级和漏极,栅极与栅线016连接,因此,在形成栅线016的同时,还可以在衬底基板010上形成TFT的栅极,也即,采用同一次构图工艺形成栅极和栅线016,本发明实施例对此不做限定。
步骤402、在形成有栅线的衬底基板上形成第二绝缘层。
请参考图4-3,其示出的是图4-1所示实施例提供的一种在形成有栅线的衬底基板010上形成第二绝缘层014后的结构示意图,其中,该图4-3中未画出栅线。该第二绝缘层014可以采用有机树脂材料形成,且第二绝缘层014的厚度可以根据实际需要进行设置,本发明实施例对此不做限定。
示例地,可以采用涂覆、磁控溅射、热蒸发或者PECVD等方法在形成有栅线的衬底基板010上沉积一层具有一定厚度的有机树脂薄膜形成第二绝缘层014。其中,第二绝缘层014可以选用氧化物、氮化物或氧氮化合物生成,对应的反应气体可以为SiH4(四氢化硅)、NH3(氨气)、N2(氮气)的混合气体或SiH2Cl2(二氯二氢硅)、NH3、N2的混合气体,在形成有栅线的衬底基板上形成第二绝缘层014可以使栅线与后续的数据线之间彼此绝缘。
需要说明的是,实际应用中,当第二绝缘层014包括图形时,还可以采用构图工艺对有机树脂薄膜进行处理得到第二绝缘层014,本发明实施例对此不做限定。
步骤403、在形成有第二绝缘层的衬底基板上形成多根数据线,使多根数据线与多根栅线交叉,且任意相邻的两根数据线和与任意相邻的两根数据线交叉的任意相邻的两根栅线限定一个像素区,衬底基板上形成多个像素区。
请参考图4-4,其示出的是图4-1所示实施例提供的一种在形成有第二绝缘层014的衬底基板010上形成多根数据线015后的结构示意图,参见图4-4,数据线015位于第二绝缘层014的上方,因此,数据线015与栅线之间彼此绝缘。
请参考图4-5,其示出的是图4-1所示实施例提供的一种在形成有第二绝缘层014的衬底基板010上形成多根数据线015后的俯视图,参见图4-5,多根数据线015相互平行,且每根数据线015都与所有的栅线016垂直交叉,任意相邻的两根数据线015和与任意相邻的两根数据线015交叉的任意相邻的两根栅线016限定一个像素区X,使得衬底基板010上形成多个像素区X,如图4-5所示,每个像素区X中包括器件放置区X1,该器件放置区X1用于放置驱动器件(图4-5中未画出),该驱动器件可以为TFT,本发明实施例对此不作限定。
其中,该多根数据线015的形成过程可以参考步骤401中的多根栅线016的形成过程,本发明实施例在此不再赘述。但是需要说明的是,显示基板的TFT的源级与数据线连接,且TFT的源级与漏极同层设置,因此,在形成数据线015的同时,还可以在形成有第二绝缘层014的衬底基板010上形成TFT的源级和漏极,也即,采用同一次构图工艺形成源级、漏极和数据线015,本发明实施例对此不做限定。
步骤404、在形成有数据线的衬底基板上形成第一电极。
请参考图4-6,其示出的是图4-1所示实施例提供的一种在形成有数据线015的衬底基板010上形成第一电极011后的结构示意图,参见图4-6,第一电极011与数据线015位于同一层。请参考图4-7,其示出的是图4-1所示实施例提供的一种在形成有数据线015的衬底基板010上形成第一电极011后的俯视图,参见图4-7,每个像素区X内形成有一个第一电极011,因此,在形成有数据线015的衬底基板010上形成第一电极011也即是在形成有数据线015的衬底基板010上形成多个第一电极011,使每个第一电极011位于一个像素区X内。其中,该第一电极011可以为像素电极或者公共电极,本发明实施例对此不做限定,本发明实施例以第一电极011为像素电极为例进行说明。
其中,可以采用金属材料形成第一电极011。示例地,可以采用涂覆、磁控溅射、热蒸发或者PECVD等方法在形成有数据线015的衬底基板010上沉积一层金属材料形成金属膜层,然后采用一次构图工艺对该金属膜层进行处理得到第一电极011。其中,一次构图工艺包括:光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离,因此,采用一次构图工艺对该金属膜层进行处理得到第一电极011可以包括:在金属膜层上涂覆一层具有一定厚度的光刻胶,采用掩膜版对光刻胶进行曝光,使得光刻胶形成完全曝光区和非曝光区,之后采用显影工艺处理,使完全曝光区的光刻胶被完全去除,非曝光区的光刻胶全部保留,采用刻蚀工艺对金属膜层上完全曝光区对应的区域进行刻蚀,之后剥离非曝光区的光刻胶,金属膜层上非曝光区对应的区域形成第一电极011。
需要说明的是,本发明实施例是以采用正性光刻胶形成第一电极011为例进行说明的,实际应用中,还可以采用负性光刻胶形成第一电极011,本发明实施例对此不做限定。
还需要说明的是,本发明实施例是以第一电极011上未设置狭缝为例进行说明的,实际应用中,第一电极011上还可以设置狭缝,且狭缝可以为半圆环形狭缝;或者,狭缝可以为由一端连通的两个长条状狭缝所形成的狭缝,当狭缝为由一端连通的两个长条状狭缝所形成的狭缝时,两个长条状狭缝的长度方向之间的夹角的取值范围为:150度~178度,这样可以避免显示装置出现液晶暗区,当第一电极011上设置狭缝时,在形成第一电极011时,只要采用相应的掩膜版对光刻胶进行曝光,之后采用显影、刻蚀、剥离工艺进行处理即可,本发明实施例在此不再赘述。
步骤405、在形成有第一电极的衬底基板上形成第一绝缘层。
请参考图4-8,其示出的是图4-1所示实施例提供的一种在形成有第一电极011的衬底基板010上形成第一绝缘层012后的结构示意图,其中,在形成有第一电极011的衬底基板010上形成第一绝缘层012可以使第一电极011以及数据线015与后续形成的第二电极之间彼此绝缘,该第一绝缘层012的具体形成过程可以参考上述步骤402,本发明实施例在此不再赘述。
步骤406、在形成有第一绝缘层的衬底基板上形成第二电极,第二电极上形成有至少一个弯曲的狭缝。
请参考图4-9,其示出的是图4-1所示实施例提供的一种在形成有第一绝缘层012的衬底基板010上形成第二电极013后的结构示意图,参见图4-9,第二电极013上形成有至少一个狭缝A。请参考图4-10,其示出的是图4-1所示实施例提供的一种在形成有第一绝缘层012的衬底基板010上形成第二电极013后的俯视图,参见图4-10,每个像素区X内形成有一个第二电极013,且每个第二电极013上形成有至少一个弯曲的狭缝A,任意相邻的两个第二电极013关于位于任意相邻的两个第二电极013之间的信号线对称,且任意相邻的两个第二电极013上的狭缝A关于该位于任意相邻的两个第二电极013之间的信号线对称,该信号线为栅线或数据线,示例地,如图4-10所示,该狭缝A可以为半圆环形狭缝。
在本发明实施例中,在形成有第一绝缘层012的衬底基板010上形成第二电极013,第二电极013上形成有至少一个弯曲的狭缝A可以包括,在形成有第一绝缘层012的衬底基板010上形成多个第二电极013,使每个第二电极013上形成至少一个弯曲的狭缝A,且每个第二电极013位于一个像素区内,任意相邻的两个第二电极013关于位于任意相邻的两个第二电极013之间的信号线对称,且任意相邻的两个第二电极013上的狭缝A关于位于任意相邻的两个第二电极013之间的信号线对称,信号线为栅线或数据线。其中,该第二电极013可以为像素电极或者公共电极,本发明实施例对此不做限定,本发明实施例以第二电极013为公共电极为例进行说明。
在本发明实施例中,可以采用金属材料形成第二电极013。示例地,可以采用涂覆、磁控溅射、热蒸发或者PECVD等方法在形成有第一绝缘层012的衬底基板010上沉积一层金属材料形成金属膜层,然后采用一次构图工艺对该金属膜层进行处理得到第二电极013。其中,一次构图工艺包括:光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离,因此,采用一次构图工艺对该金属膜层进行处理得到第二电极013可以包括:在金属膜层上涂覆一层具有一定厚度的光刻胶,采用具有特定图形的掩膜版对光刻胶进行曝光,使得光刻胶形成完全曝光区和非曝光区,之后采用显影工艺处理,使完全曝光区的光刻胶被完全去除,非曝光区的光刻胶全部保留,采用刻蚀工艺对金属膜层上完全曝光区对应的区域进行刻蚀,之后剥离非曝光区的光刻胶,金属膜层上非曝光区对应的区域形成第二电极013。其中,完全曝光区可以是光刻胶上与狭缝A对应的区域,本发明实施例对此不作限定。
需要说明的是,本发明实施例是以采用正性光刻胶形成第二电极013为例进行说明的,实际应用中,还可以采用负性光刻胶形成第二电极013,本发明实施例对此不做限定。
需要说明的是,本发明实施例以第一电极011上未设置狭缝,第二电极013上设置狭缝为例进行说明,第一电极011上设置狭缝,第二电极013上未设置狭缝,以及第一电极011和第二电极013上都设置狭缝的显示基板的制造方法可以参考该图4-1所示的显示基板的制造方法,本发明实施例在此不再赘述。但是需要说明的是,当第一电极011和第二电极013上都设置狭缝时,为了使得能够在第一电极011和第二电极013的作用下形成平行于衬底基板010的电场,同一个像素区X中的第一电极011和第二电极013在衬底基板010上的投影不重合。
综上所述,本发明实施例提供的显示基板的制造方法,通过在衬底基板上形成第一电极,在形成有第一电极的衬底基板上形成第一绝缘层,在形成第一绝缘层的衬底基板上形成第二电极,第二电极上形成有至少一个弯曲的狭缝,由于狭缝是弯曲的,第一电极和第二电极形成的电场的方向较多,因此,光线能够从显示装置的不同方向上射出,显示装置的视角较宽,且显示装置各个方向上的透光率差异较小,显示装置的颜色偏移较小,解决了显示装置的视角较窄以及显示装置的颜色偏移较大的问题,达到了扩大显示装置的视角以及减小显示装置的颜色偏移的效果。
本发明实施例提供的显示基板的制造方法,能够保持原显示基板的开口率、易于生产和制造;且由于任意相邻的两个第二电极关于位于该任意相邻的两个第二电极之间的信号线对称,且该任意相邻的两个第二电极上的狭缝关于该任意相邻的两个第二电极之间的信号线对称,该信号线为栅线或数据线,这样可以使得相邻的两个第二电极上方的液晶分子按照不同的方向旋转,扩大显示装置的视角,改善显示装置的颜色偏移,提高显示装置的显示质量。
本发明实施例提供的显示基板的制造方法,通过改进第二电极上的狭缝的形状、采用第二电极多象限配置以及相邻的第二电极间的对称设计的综合作用,有效地解决了显示装置的视角较窄和颜色偏移较大的问题。
本发明实施例还提供一种显示装置,该显示装置可以包括图1至图2-4任一所示的显示基板01。示例地,该显示装置可以为:液晶面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、照相机、摄像机、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
其中,显示基板01的结构在前述实施例中已做了详细的描述,本发明实施例在此不再赘述。
综上所述,本发明实施例提供的显示装置包括显示基板,显示基板的衬底基板上形成有第一电极,形成有第一电极的衬底基板上形成有第一绝缘层,形成第一绝缘层的衬底基板上形成有第二电极,第二电极上形成有至少一个弯曲的狭缝,由于狭缝是弯曲的,第一电极和第二电极形成的电场的方向较多,因此,光线能够从显示装置的不同方向上射出,显示装置的视角较宽,且显示装置各个方向上的透光率差异较小,显示装置的颜色偏移较小,解决了显示装置的视角较窄以及显示装置的颜色偏移较大的问题,达到了扩大显示装置的视角以及减小显示装置的颜色偏移的效果。
本发明实施例提供的显示装置,能够保持原显示基板的开口率、易于生产和制造;且由于任意相邻的两个第二电极关于位于该任意相邻的两个第二电极之间的信号线对称,且该任意相邻的两个第二电极上的狭缝关于该任意相邻的两个第二电极之间的信号线对称,该信号线为栅线或数据线,这样可以使得相邻的两个第二电极上方的液晶分子按照不同的方向旋转,扩大显示装置的视角,改善显示装置的颜色偏移,提高显示装置的显示质量。
本发明实施例提供的显示装置,通过改进第二电极上的狭缝的形状、采用第二电极多象限配置以及相邻的第二电极间的对称设计的综合作用,有效地解决了显示装置的视角较窄和颜色偏移较大的问题。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分步骤可以通过硬件来完成,也可以通过程序来指令相关的硬件完成,所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中,上述提到的存储介质可以是只读存储器,磁盘或光盘等。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (11)

1.一种显示基板,其特征在于,所述显示基板包括:
衬底基板,
所述衬底基板上形成有第一电极;
形成有所述第一电极的衬底基板上形成有第一绝缘层;
形成有所述第一绝缘层的衬底基板上形成有第二电极,所述第二电极上形成有至少一个弯曲的狭缝。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,
所述第一电极上形成有至少一个弯曲的狭缝。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,
所述衬底基板上形成有多根栅线;
形成有所述栅线的衬底基板上形成有第二绝缘层;
形成有所述第二绝缘层的衬底基板上形成有多根数据线,所述多根数据线与所述多根栅线交叉,且任意相邻的两根数据线和与所述任意相邻的两根数据线交叉的任意相邻的两根栅线限定一个像素区,使所述衬底基板上形成多个像素区;
形成有所述数据线的衬底基板上形成有多个所述第一电极,每个所述第一电极位于一个所述像素区内;
形成有所述第一电极的衬底基板上形成有所述第一绝缘层;
形成有所述第一绝缘层的衬底基板上形成有多个所述第二电极,每个所述第二电极上形成有至少一个弯曲的狭缝,且每个所述第二电极位于一个所述像素区内,任意相邻的两个第二电极关于位于所述任意相邻的两个第二电极之间的信号线对称,所述任意相邻的两个第二电极上的狭缝关于所述信号线对称,所述信号线为栅线或数据线。
4.根据权利要求1至3任一所述的显示基板,其特征在于,
所述狭缝为半圆环形狭缝;或者,
所述狭缝为由一端连通的两个长条状狭缝所形成的狭缝,所述两个长条状狭缝的长度方向之间的夹角的取值范围为:150度~178度。
5.根据权利要求1至3任一所述的显示基板,其特征在于,
所述第一电极为像素电极,所述第二电极为公共电极;或者,
所述第一电极为公共电极,所述第二电极为像素电极。
6.一种显示基板的制造方法,其特征在于,所述方法包括:
在衬底基板上形成第一电极;
在形成有所述第一电极的衬底基板上形成第一绝缘层;
在形成有所述第一绝缘层的衬底基板上形成第二电极,所述第二电极上形成有至少一个弯曲的狭缝。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,
所述在衬底基板上形成第一电极,包括:
在所述衬底基板上形成第一电极,所述第一电极上形成有至少一个弯曲的狭缝。
8.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,
所述在衬底基板上形成第一电极,包括:
在所述衬底基板上形成多根栅线;
在形成有所述栅线的衬底基板上形成第二绝缘层;
在形成有所述第二绝缘层的衬底基板上形成多根数据线,使所述多根数据线与所述多根栅线交叉,且任意相邻的两根数据线和与所述任意相邻的两根数据线交叉的任意相邻的两根栅线限定一个像素区,所述衬底基板上形成多个像素区;
在形成有所述数据线的衬底基板上形成多个所述第一电极,使每个所述第一电极位于一个所述像素区内;
所述在形成有所述第一绝缘层的衬底基板上形成第二电极,所述第二电极上形成至少一个弯曲的狭缝,包括:
在形成有所述第一绝缘层的衬底基板上形成多个所述第二电极,每个所述第二电极上形成至少一个弯曲的狭缝,且每个所述第二电极位于一个所述像素区内,任意相邻的两个第二电极关于位于所述任意相邻的两个第二电极之间的信号线对称,所述任意相邻的两个第二电极上的狭缝关于所述信号线对称,所述信号线为栅线或数据线。
9.根据权利要求6至8任一所述的方法,其特征在于,
所述狭缝为半圆环形狭缝;或者,
所述狭缝为由一端连通的两个长条状狭缝所形成的狭缝,所述两个长条状狭缝的长度方向之间的夹角的取值范围为:150度~178度。
10.根据权利要求6至8任一所述的方法,其特征在于,
所述第一电极为像素电极,所述第二电极为公共电极;或者,
所述第一电极为公共电极,所述第二电极为像素电极。
11.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括:权利要求1至5任一所述的显示基板。
CN201610031519.5A 2016-01-18 2016-01-18 显示基板及其制造方法、显示装置 Pending CN105467696A (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610031519.5A CN105467696A (zh) 2016-01-18 2016-01-18 显示基板及其制造方法、显示装置
US15/227,314 US20170205655A1 (en) 2016-01-18 2016-08-03 Display substrate, manufacturing method thereof and display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610031519.5A CN105467696A (zh) 2016-01-18 2016-01-18 显示基板及其制造方法、显示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN105467696A true CN105467696A (zh) 2016-04-06

Family

ID=55605554

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610031519.5A Pending CN105467696A (zh) 2016-01-18 2016-01-18 显示基板及其制造方法、显示装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20170205655A1 (zh)
CN (1) CN105467696A (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106444171A (zh) * 2016-08-03 2017-02-22 厦门天马微电子有限公司 一种液晶显示面板及液晶显示装置
CN107479225A (zh) * 2017-08-25 2017-12-15 友达光电股份有限公司 液晶显示面板
CN111584607A (zh) * 2020-06-05 2020-08-25 昀光微电子(上海)有限公司 一种子像素结构、像素排布结构和硅基微显示器
CN112147819A (zh) * 2020-09-22 2020-12-29 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种液晶显示面板
WO2024119438A1 (zh) * 2022-12-08 2024-06-13 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107967874B (zh) * 2016-10-19 2020-04-28 元太科技工业股份有限公司 像素结构
TWI687864B (zh) * 2017-09-03 2020-03-11 美商創藝設計股份有限公司 顯示裝置
CN110618564B (zh) * 2019-10-30 2022-06-24 京东方科技集团股份有限公司 电极结构、阵列基板及显示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201853033U (zh) * 2010-10-29 2011-06-01 京东方科技集团股份有限公司 Ffs型tft-lcd阵列基板
US20120133865A1 (en) * 2010-11-25 2012-05-31 Mitsubishi Electric Corporation Liquid crystal display panel and liquid crystal display device
CN103809340A (zh) * 2012-11-13 2014-05-21 乐金显示有限公司 边缘场切换模式液晶显示装置的阵列基板及其制造方法
CN104536213A (zh) * 2014-12-19 2015-04-22 深圳市华星光电技术有限公司 Ffs阵列基板及液晶显示面板

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7583339B2 (en) * 2006-06-29 2009-09-01 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display device and fabricating the same
JP4978786B2 (ja) * 2007-07-30 2012-07-18 ソニー株式会社 液晶表示装置
JP2016014775A (ja) * 2014-07-02 2016-01-28 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201853033U (zh) * 2010-10-29 2011-06-01 京东方科技集团股份有限公司 Ffs型tft-lcd阵列基板
US20120133865A1 (en) * 2010-11-25 2012-05-31 Mitsubishi Electric Corporation Liquid crystal display panel and liquid crystal display device
CN103809340A (zh) * 2012-11-13 2014-05-21 乐金显示有限公司 边缘场切换模式液晶显示装置的阵列基板及其制造方法
CN104536213A (zh) * 2014-12-19 2015-04-22 深圳市华星光电技术有限公司 Ffs阵列基板及液晶显示面板

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106444171A (zh) * 2016-08-03 2017-02-22 厦门天马微电子有限公司 一种液晶显示面板及液晶显示装置
CN106444171B (zh) * 2016-08-03 2019-06-07 厦门天马微电子有限公司 一种液晶显示面板及液晶显示装置
CN107479225A (zh) * 2017-08-25 2017-12-15 友达光电股份有限公司 液晶显示面板
CN111584607A (zh) * 2020-06-05 2020-08-25 昀光微电子(上海)有限公司 一种子像素结构、像素排布结构和硅基微显示器
CN112147819A (zh) * 2020-09-22 2020-12-29 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种液晶显示面板
WO2024119438A1 (zh) * 2022-12-08 2024-06-13 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20170205655A1 (en) 2017-07-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105467696A (zh) 显示基板及其制造方法、显示装置
CN104965370B (zh) 阵列基板及其制造方法、显示装置
CN106932990B (zh) 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
CN106019751B (zh) 阵列基板及其制造方法、显示装置
JP2020532755A (ja) アレイ基板、ディスプレイパネル、ディスプレイデバイス
CN103217838B (zh) 液晶显示装置及其制造方法
CN105137672B (zh) 阵列基板及其制造方法
CN109884830A (zh) 阵列基板及其制作方法、显示装置、掩模板
JP6572388B2 (ja) Ips型tft−lcdアレイ基板の製造方法及びips型tft−lcdアレイ基板
US20160379996A1 (en) Display Substrate and Manufacturing Method Thereof, and Display Device
WO2019205702A1 (zh) 阵列基板及其制作方法
CN205507295U (zh) 阵列基板和包括其的显示装置
CN104049430A (zh) 一种阵列基板、显示装置及其制造方法
US9897863B2 (en) Array substrate, display panel and display apparatus having recesses on data lines or gate lines
WO2019085700A1 (zh) 阵列基板及其制造方法和显示装置及其制造方法
TW201715708A (zh) 顯示面板
CN103309105A (zh) 阵列基板及其制备方法、显示装置
CN201853033U (zh) Ffs型tft-lcd阵列基板
CN105957867A (zh) 阵列基板母板及其制作方法、显示装置
WO2016141705A1 (zh) 阵列基板及其制造方法和显示装置
US10678357B2 (en) Electrode structure, method of manufacturing the same, touch panel, and touch display device
CN107037655A (zh) 一种显示基板及其制作方法、显示器件
WO2020082459A1 (zh) 一种显示面板的制作方法和显示面板
CN104020621A (zh) 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
WO2019062320A1 (zh) 阵列基板及其制备方法、显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20160406