CN111996488B - 一种掩膜版及其制备方法以及蒸镀系统 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种掩膜版及其制备方法以及蒸镀系统，其中，掩膜版包括：支撑部与掩膜版主体，支撑部位于掩膜版主体的一侧，掩膜版主体上设置有多个成阵列排布的掩膜区；支撑部包括多个开口区以及围绕开口区的第一边缘区，其中，多个开口区与多个掩膜区相互交叠，且一一对应，第一边缘区的部分边缘向其围绕的开口区延伸，并在各开口区内形成第一延伸部；第一延伸部与掩膜区固定连接；通过上述结构，本发明的掩膜版能够使第一延伸部与边缘区固定连接，来提高支撑部与掩膜版主体之间的贴合度，从而减小蒸镀阴影和混色不均良的现象发生，提高蒸镀良率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术的技术领域，特别是涉及一种掩膜版及其制备方法以及蒸镀系统。
背景技术
AMOLED(Active-matrix organic light-emitting diode)有源矩阵有机发光二极体是一种显示屏技术。AMOLED显示屏技术与多数传统液晶显示器相比，具有更宽的视角、更高的刷新率和更薄的尺寸，因此正在多个显示屏相关的行业中得到一定的运用。
目前，AMOLED显示屏发光材料主要使用精细金属掩膜版蒸镀到显示基板上。蒸镀OLED屏幕所用的掩膜版由用于定义RGB(红绿蓝)子像素的精密金属掩膜版(FineMetalMask，FMM)和用于遮挡非蒸镀区和支撑FMM的支撑掩膜版(F-Mask)组成。在蒸镀过程中FMM被磁铁板吸附，与LTPS基板紧密贴合，支撑掩膜版(F-Mask)凸出的水滴部分(即异形边缘)与精密金属掩膜版(FMM)之间无法紧密贴合。而蒸镀过程中磁铁板强度不够，无法将水滴部分完全吸附起来，水滴部分虽然是具有磁性的Invar材料(因瓦合金)，但是也无法减小支撑掩膜版(F-Mask)凸出的水滴部分与精密金属掩膜版(FMM)之间的间隙。而贴合效果不好会直接导致蒸镀后中产生较大的shadow(阴影)甚至混色不均的现象，良率损失严重升高。
为了减少蒸镀过程中容易产生的shadow(阴影)现象，行业中通过将蒸镀基板与掩膜版直接近距离接触，且设备内利用磁场以及采用磁性材料制备水滴部分来提升掩膜版和蒸镀基板之间的紧密结合度，但仍然无法有效避免掩膜版由于下垂或上翘而引起的shadow(阴影)问题。
发明内容
本发明提供一种掩膜版及其制备方法以及蒸镀系统，以解决现有技术中存在的蒸镀混色现象严重，均一性差的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供了一种掩膜版，包括：支撑部与掩膜版主体，支撑部位于掩膜版主体的一侧，掩膜版主体上设置有多个成阵列排布的掩膜区；支撑部包括多个开口区以及围绕开口区的第一边缘区，其中，多个开口区与多个掩膜区相互交叠，且一一对应，第一边缘区的部分边缘向其围绕的开口区延伸，在各开口区内形成第一延伸部；第一延伸部与掩膜区固定连接。
其中，第一延伸部与掩膜区通过焊点实现焊接固定。
其中，焊点的形状为圆形，且圆形焊点的直径范围为180-230微米。
其中，掩膜版主体还包括围绕掩膜区的第二边缘区，第二边缘区的部分边缘向其围绕的掩膜区延伸，并在各掩膜区内形成第二延伸部，第一延伸部与第二延伸部固定连接。
其中，第一延伸部的材质包括具有磁性材料，用于与磁性板之间产生磁力，以通过磁力使第一延伸部及第二延伸部与磁性板之间吸附连接。
为解决上述技术问题，本发明还提供一种蒸镀系统，包括：磁性板、基板以及掩膜版，磁性板、基板以及掩膜版沿同一方向依次设置，其中，磁性板设置于基板一侧，掩膜版设置于基板的另一侧；其中，掩膜版包括如上述任一项的掩膜版。
为解决上述技术问题，本发明还提供一种掩膜版的制备方法，掩膜版，包括：支撑部与掩膜版主体，支撑部位于掩膜版主体的一侧，其特征在于，掩膜版主体上设置有多个成阵列排布的掩膜区；支撑部包括多个开口区以及围绕开口区的第一边缘区，其中，多个开口区与多个掩膜区相互交叠，且一一对应，第一边缘区的部分边缘向其围绕的开口区延伸，并在各开口区内形成第一延伸部；第一延伸部与掩膜区固定连接；制备方法包括：获取掩膜版；将掩膜版的第一延伸部顶起，使第一延伸部与掩膜区固定连接。
其中，将第一延伸部顶起，使第一延伸部与掩膜区固定连接的步骤包括：通过顶针将第一延伸部顶起，使第一延伸部与第一边缘区位于同一平面上，通过激光器发射激光将第一延伸部焊接固定于与其位置对应的掩膜区。
其中，激光的焊接能量范围为8％-10％；激光的焊接的频率范围为：25-35赫兹。
其中，第一延伸部通过磁性材料制备而成；将第一延伸部顶起，使第一延伸部与掩膜区固定连接的步骤具体包括：通过顶针将第一延伸部顶起，使第一延伸部与第一边缘区位于同一平面上，利用磁性板和第一延伸部之间的磁力使第一延伸部与掩膜区吸附连接。
本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明的掩膜版包括：支撑部与掩膜版主体，支撑部位于掩膜版主体的一侧，掩膜版主体上设置有多个成阵列排布的掩膜区；支撑部包括多个开口区以及围绕开口区的第一边缘区，其中，多个开口区与多个掩膜区相互交叠，且一一对应，第一边缘区的部分边缘向其围绕的开口区延伸，并在围绕的开口区内形成第一延伸部；第一延伸部与掩膜区固定连接。通过上述结构，本发明的掩膜版能够使第一延伸部与边缘区处于同一平面上，来提高支撑部与掩膜版主体之间的贴合度，从而减小蒸镀阴影和混色不均良的现象发生，提高蒸镀良率。
附图说明
图1是现有技术中蒸镀系统的示意图；
图2是本发明提供的掩膜版一实施例的结构示意图；
图3是图2实施例中掩膜版的局部结构示意图；
图4是本发明提供的掩膜版又一实施例的结构示意图；
图5是本发明提供的掩膜版又一实施例的结构示意图；
图6是本发明提供的蒸镀系统一实施例的结构示意图；
图7是本发明提供的掩膜版的制备方法一实施例的流程示意图；
图8是本发明提供的掩膜版的制备方法另一实施例的流程示意图；
图9是本发明提供的掩膜版的制备方法又一实施例的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，均属于本发明保护的范围。
需要说明，若本发明实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
另外，若本发明实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。
在AMOLED显示屏的生产工艺中，LTPS基板常常用于制备智能终端的显示屏。而目前，智能终端的显示屏上往往需要预留空间以容纳前置摄像头，来满足用户的前置拍照需求。因此，在LTPS基板的制备过程中，要将需要制备出前置摄像头的位置进行掩膜，以避免AMOLED显示屏发光材料被蒸镀到LTPS基板。
请参阅图1，图1是一般情况下蒸镀流程的示意图。
具体地，蒸镀过程中，LTPS基板01、掩膜版主体02以及支撑部03依次贴合设置，而蒸镀源04设置于支撑部03的一侧，与支撑部03间隔设置。蒸镀时，蒸镀源04向支撑部03方向发射镀膜材料，以将其镀到LTPS基板01上。其中，掩膜版主体02包括第二边缘区021和掩膜区022，镀膜材料通过掩膜区022镀至LTPS基板01上。支撑部03包括第一边缘区032和第一延伸部031，其中，第一延伸部031受重力作用出现下垂现象，使得蒸镀源04发射出来的镀膜材料受到不规则遮挡，使得LTPS基板01上的镀膜不均，并产生阴影甚至混色不均的现象。
而在本发明中，采用在掩膜版的支撑部的边缘区上设置第一延伸部来对需要制备出前置摄像头的位置进行掩膜，同时考虑到第一延伸部是一种凸出结构，其受重力作用或制备环境等影响容易产生上翘或下垂的现象。通过将第一延伸部与掩膜区进行固定连接，来改善上述问题。本发明采用的一种掩膜版如下：
请参阅图2-3，图2是本发明提供的掩膜版一实施例的结构示意图。图3是图2实施例中掩膜版的局部结构示意图。
本实施例的掩膜版10包括支撑部11与掩膜版主体12，支撑部11位于掩膜版主体12的一侧，用于在蒸镀时支撑掩膜版主体12。掩膜版主体12上设置有多个成阵列排布的掩膜区121。掩膜版主体12沿着各掩膜区121周围还设置有第二边缘区122。各掩膜区121上设置有用于掩膜像素的掩膜结构1211。掩膜结构1211覆盖整个掩膜区121。
支撑部11包括多个开口区111以及围绕开口区111的第一边缘区112，其中，多个开口区111与多个掩膜区121相互交叠且一一对应。
其中，掩膜版主体12覆盖整个支撑部11，且多个开口区111的数量与多个掩膜区121也是一一对应的。而图2中的掩膜版主体12仅覆盖部分支撑部11的结构仅是为了方便展示支撑部11的结构，图中所示掩膜版主体12的结构并不在此对掩膜版主体12进行限定。
支撑部11的第一边缘区112的部分边缘向其围绕的开口区111延伸，并在各个开口区111内形成第一延伸部1121。其中，第一延伸部1121用于遮挡蒸镀时的镀膜材料，以避免镀膜材料镀到基板(图中未示出)上。第一延伸部1121与掩膜区121固定连接。
请参阅图3，基板101、掩膜版主体12以及支撑部11贴合设置，第一延伸部1121与掩膜区121固定连接。从而保证第一延伸部1121与掩膜区121贴合设置，从而减少第一延伸部1121因重力作用或环境因素产生上翘或下垂的现象。
通过上述结构，本实施例的掩膜版通过将支撑部上的第一延伸部与掩膜版本体上的掩膜区进行固定连接，使得第一延伸部与掩膜区贴合设置，减少第一延伸部因重力作用或环境因素产生上翘或下垂的现象。从而减少掩膜版在蒸镀过程中不规则遮挡镀膜材料的蒸镀路径，导致LTPS基板出现较大的shadow(阴影)甚至混色不均的现象产生，提升LTPS基板的蒸镀良率，减少返工。
请参阅图4，图4是本发明提供的掩膜版又一实施例的结构示意图。
本实施例的掩膜版20包括支撑部21与掩膜版主体22，支撑部21位于掩膜版主体22的一侧，用于在蒸镀时支撑掩膜版主体22。掩膜版主体22上设置有多个成阵列排布的掩膜区221。掩膜版主体22沿着各掩膜区221周围还设置有第二边缘区222。各第二边缘区222向掩膜区221延伸，并在各个掩膜区221内形成第二延伸部2221，以用于掩膜LTPS基板上需要容纳前置摄像头的区域。各掩膜区221上设置有用于掩膜显示屏像素的掩膜结构2211。掩膜结构2211覆盖整个掩膜区221，且掩膜结构2211不覆盖第二延伸部2221的位置。
支撑部21包括多个开口区211以及围绕开口区211的第一边缘区212，支撑部21的第一边缘区212的部分边缘向其围绕的开口区211延伸，并在各个开口区211内形成单个第一延伸部2121。其中，多个开口区211的开口形状、大小以及位置与多个掩膜区221一一对应。且支撑部21上的第一延伸部2121的形状、大小以及位置也与掩膜版主体22上的第二延伸部2221对应相同，以共同用于遮挡蒸镀时的镀膜材料，以避免镀膜材料镀到LTPS基板上。在其他实施例中，各开口区211上第一边缘区212的数量可以根据实际需求而设置，例如：2个或多个，在此不做限定。
掩膜版主体22包括多列掩膜组件223，多列掩膜组件223共同组成掩膜版主体22，每一列掩膜组件223用于对支撑部21上的每一列的开口区211进行覆盖掩膜。当进行蒸镀时，每一列掩膜组件223分别对应排列设置于支撑部21上的每一列的开口区211的一侧，也就是每一列的开口区211的一侧上都覆盖有一列掩膜组件223，从而使得掩膜版主体22覆盖整个支撑部21，且多个开口区211的数量与多个掩膜区221也是一一对应的。以使支撑部21对整个掩膜版主体22进行支撑。其中，图中掩膜版20的掩膜版主体22仅覆盖部分支撑部21的结构仅是为了方便展示支撑部21的结构，在实际结构中，掩膜版主体22覆盖所有支撑部21上的开口区211，图中所示掩膜版主体22的结构并不在此对掩膜版主体22进行限定，在其他实施例中，掩膜版主体22也可以为整体结构，用于整体地覆盖支撑部21，在此不做限定。
各第一延伸部2121与各掩膜版主体22上的第二延伸部2221固定连接，以使第一延伸部2121与第一边缘区212处于同一平面上。其中，各第一延伸部2121与各掩膜版主体22上的第二延伸部2221之间的固定方式为焊接固定。
第一延伸部2121与掩膜区221上的第二延伸部2221通过激光固定焊接。其中，激光的焊接能量范围为8％-10％；激光焊接的频率范围为：25-35赫兹。在实际的焊接过程中，根据不同的板件可采用不同的激光进行焊接，例如：激光的焊接能量可以为8.5％、9％、9.3％以及9.6％等，激光焊接的频率可以为28赫兹、30赫兹以及33赫兹等。而激光机可以选取QCW准连续激光机或其他激光机。其中，QCW准连续激光机具有较好的光束质量，其输出光斑尺寸有多种选择，且其能量转换效率更高，操作更易控制，对于需要精准焊接的第一延伸部2121与第二延伸部2221具有提高焊接成功率的效果。
具体地，激光焊接能量的具体选择由第一延伸部2121的厚度来决定，当第一延伸部2121的厚度越大时，激光的焊接能量越大，以采用合适的激光能量对具体的第一延伸部2121进行焊接，减少激光焊接中出现虚焊或过焊的现象发生。而激光焊接第一延伸部2121与第二延伸部2221，使其固定连接时，其焊点形状可以为圆形，且圆形焊点的直径范围为180-230微米。具体地，可以为190微米、200微米、215微米等。在其他实施例中焊点形状可以根据实际操作进行改变，但焊点的面积仍需与180-230微米直径范围的圆形焊点的面积相等。在该直径范围内的焊点能够实现降低焊接褶皱，减小焊接移位的现象发生。
第一延伸部2121的厚度范围为15-45微米，具体地，可以为16微米、20微米、25微米、31微米以及40微米等。第一延伸部2121与第二延伸部2221的形状根据实际生产需求而定，在此不做限定。
其中，支撑部21与掩膜版主体22的材质可以为因瓦合金或其他金属材料，以实现第一延伸部2121与第二延伸部2221在不添加其他物质的情况下，依靠其自身材质实现激光焊接。
通过上述结构，本实施例的掩膜版通过将支撑部上的第一延伸部与掩膜版本体上的掩膜区进行焊接连接，使得第一延伸部与掩膜区贴合设置，减少第一延伸部因重力作用或环境因素产生上翘或下垂的现象。并采用焊接能量范围在8％-10％内、频率范围在25-35赫兹内的激光进行焊接，以保证第一延伸部与第二延伸部之间的焊接效果，减少焊接工艺出现过焊或虚焊的现象发生。本实施例减少了掩膜版在蒸镀过程中不规则遮挡镀膜材料的蒸镀路径，导致LTPS基板出现较大的shadow(阴影)甚至混色不均的现象产生，提升了LTPS基板的蒸镀良率，减少LTPS基板的返工与产能浪费。
请参阅图5，图5是本发明提供的掩膜版又一实施例的结构示意图。
基板301与掩膜版30贴合设置，掩膜版30包括掩膜版主体32以及支撑部31，支撑部31位于掩膜版主体32的一侧，用于在蒸镀时支撑掩膜版主体32。掩膜版主体32上设置有多个掩膜区321。掩膜版主体32沿着各掩膜区321周围还设置有第二边缘区322。第二边缘区322的部分边缘向其围绕的掩膜区321延伸，并在各掩膜区321内形成第二延伸部3221，所述第一延伸部3121与所述第二延伸部3221固定连接。其中，多个开口区311的开口形状、大小以及位置与多个掩膜区321一一对应。且支撑部31上的第一延伸部3121的形状、大小以及位置也与掩膜版主体32上的第二延伸部3221对应相同，以共同用于遮挡蒸镀时的镀膜材料，以避免镀膜材料镀到基板301上。
其中，第一延伸部3121的材质为具有磁性的金属材质，例如具有磁性的因瓦合金等，在此不做限定。第二延伸部3221的材质为金属材质，可选地，第二延伸部3221的材质为磁性的金属材质。当对基板301进行蒸镀时，基板301远离掩膜版主体32的一侧设置有磁性板34，磁性板34用于与具有磁性的第一延伸部3121之间产生磁力，通过磁力使得第一延伸部3121及第二延伸部3221与磁性板之间吸附连接，从而实现第一延伸部3121与第二延伸部3221之间的固定连接。从而减少第一延伸部3121因重力作用或环境因素产生上翘或下垂的现象。
通过上述结构，本实施例的掩膜版通过采用磁性材料制备第一延伸部，且在第二边缘区上制备第二延伸部，使得第一延伸部和第二延伸部能够在磁力的作用下与磁性板吸附连接，减少第一延伸部因重力作用或环境因素产生上翘或下垂的现象。减少掩膜版在蒸镀过程中不规则遮挡镀膜材料的蒸镀路径，导致基板出现较大的shadow(阴影)甚至混色不均的现象产生，提升了基板的蒸镀良率，减少基板的返工与产能浪费。
请参阅图6，图6是本发明提供的蒸镀系统一实施例的结构示意图。
本实施例的蒸镀系统40包括磁性板44、基板401以及掩膜版41。
磁性板44、基板401以及掩膜版41沿同一方向依次设置，其中，磁性板44设置于基板401一侧，掩膜版41设置于基板401的另一侧。其中，掩膜版41的结构可以包括如前文实施例描述的掩膜版10、掩膜版20以及掩膜版30的结构，具体请参阅前文实施例，在此不再赘述。
请参阅图7，图7是本发明提供的掩膜版的制备方法一实施例的流程示意图。
S11：获取掩膜版。
获取本实施例的掩膜版，其中，掩膜版包括：支撑部与掩膜版主体，支撑部位于掩膜版主体的一侧，掩膜版主体上设置有多个成阵列排布的掩膜区；支撑部包括多个开口区以及围绕开口区的第一边缘区，其中，多个开口区与多个掩膜区相互交叠，且一一对应，第一边缘区的部分边缘向其围绕的开口区延伸，并在各开口区内形成第一延伸部，第一延伸部与掩膜区固定连接。
S12：将第一延伸部顶起，使第一延伸部与掩膜区固定连接。
其中，由于第一延伸部在自然状态下常常出现上翘或下垂的现象，因此，需要将第一延伸部顶起，使第一延伸部与边缘区固定连接。
在一个具体的实施场景中，固定连接的方式包括焊接、磁性吸附以及粘连等固定方式中的一种或多种，在此不做限定。
通过上述方式，本实施例能够减少掩膜版在蒸镀过程中不规则遮挡镀膜材料的蒸镀路径，导致LTPS基板出现较大的shadow(阴影)甚至混色不均的现象产生，提升了LTPS基板的蒸镀良率，减少LTPS基板的返工与产能浪费。
请参阅图8，图8是本发明提供的掩膜版的制备方法另一实施例的流程示意图。
S21：通过顶针将第一延伸部顶起，使第一延伸部与第一边缘区位于同一平面上。
本实施例的掩膜版，包括：支撑部与掩膜版主体，支撑部位于掩膜版主体的一侧，在蒸镀时用于支撑掩膜版主体，掩膜版主体上设置有多个成阵列排布掩膜区；支撑部包括多个开口区以及围绕所开口区的边缘区，其中，多个开口区的开口形状以及位置与多个掩膜区一一对应，部分边缘区向各个开口区延伸，并在各个开口区内形成第一延伸部。
在FMM张网机中，通过顶针(顶PIN)将第一延伸部顶起，以给予掩膜区外力使得第一延伸部与边缘区处于同一平面上。以便于后续步骤进行固定。
S22：通过激光器发射激光将第一延伸部焊接固定于与其位置对应的掩膜区。
通过顶针将第一延伸部顶起，使第一延伸部与第一边缘区位于同一平面后，通过激光器发射激光将第一延伸部与掩膜区进行激光焊接，使第一延伸部与掩膜区固定连接。其中，激光器可以选择QCW准连续激光机或其他激光机。其中，QCW准连续激光机具有较好的光束质量，其输出光斑尺寸有多种选择，且其能量转换效率更高，操作更易控制，对于需要精准焊接的第一延伸部与掩膜区具有提高焊接成功率的效果。
而激光的焊接能量范围为8％-10％；激光焊接的频率范围为：25-35赫兹。在实际的焊接过程中，根据不同的板件可采用不同的激光进行焊接，例如：激光的焊接能量可以为8.5％、9％、9.3％以及9.6％等，激光焊接的频率可以为28赫兹、30赫兹以及33赫兹等。
激光焊接第一延伸与掩膜区使其固定连接时，其焊点形状可以为圆形，且圆形焊点的直径范围为180-230微米。具体地，可以为190微米、200微米、215微米等。在其他实施例中焊点形状可以根据实际操作进行改变，但焊点的面积仍需与180-230微米直径范围的圆形焊点的面积相等。
通过上述参数范围内的激光对第一延伸部与掩膜区进行焊接能够提高激光焊接的效果，减少激光过焊或虚焊的现象发生。而采用上述面积范围的焊点进行焊接，能够降低焊接褶皱，减小焊接移位的现象发生，进一步提高焊接的品质，提高掩膜版的可靠性。
另外，本实施例的激光焊接的对象并不仅限于第一延伸部，当掩膜版上其他位置存在上翘或下垂现象时，也可以通过激光焊接对其他位置进行焊接固定，从而保证掩膜版的蒸镀效果。
本实施例的掩膜版的制备方法先在张网机内通过顶针将第一延伸部顶起，使第一延伸部与第一边缘区处于同一平面上，再通过一定参数范围的激光焊接将第一延伸部固定于与其位置对应的掩膜区进行固定，从而实现第一延伸部与掩膜区贴合设置。进而减少了掩膜版在蒸镀过程中不规则遮挡镀膜材料的蒸镀路径，导致LTPS基板出现较大的shadow(阴影)甚至混色不均的现象产生，提升了LTPS基板的蒸镀良率，减少LTPS基板的返工与产能浪费。
请参阅图9，图9是本发明提供的掩膜版的制备方法又一实施例的流程示意图。
S31：通过顶针将第一延伸部顶起，使第一延伸部与第一边缘区位于同一平面上。
本实施例的掩膜版，包括：支撑部与掩膜版主体，支撑部位于掩膜版主体的一侧，在蒸镀时用于支撑掩膜版主体，掩膜版主体上设置有多个成阵列排布掩膜区；支撑部包括多个开口区以及围绕所开口区的边缘区，其中，多个开口区的开口形状以及位置与多个掩膜区一一对应，部分边缘区向各个开口区延伸，并在各个开口区内形成第一延伸部。
掩膜版主体还包括围绕掩膜区的第二边缘区，部分第二边缘区向各个掩膜区延伸，并在各个掩膜区内形成第二延伸部，第一延伸部与第二延伸部固定连接。
在FMM张网机中，通过顶针(顶PIN)将第一延伸部顶起，以给予掩膜区外力使得第一延伸部与边缘区处于同一平面上。以便于后续步骤进行固定。
S32：利用磁性板和第一延伸部之间的磁力使第一延伸部与掩膜区吸附连接。
本实施例的第一延伸部的材质为具有磁性的金属材质，例如具有磁性的因瓦合金等，在此不做限定。第二延伸部的材质为金属材质。当对基板进行蒸镀时，基板远离掩膜版主体的一侧设置有磁性板，利用磁性板和第一延伸部之间的磁力使第一延伸部与第二延伸部吸附连接。从而减少第一延伸部因重力作用或环境因素产生上翘或下垂的现象。
通过上述结构，本实施例的掩膜版通过采用磁性材料制备第一延伸部，且在第二边缘区上制备第二延伸部，使得第一延伸部能够在磁性板的作用下与第二延伸部吸附连接，减少第一延伸部因重力作用或环境因素产生上翘或下垂的现象。减少掩膜版在蒸镀过程中不规则遮挡镀膜材料的蒸镀路径，导致基板出现较大的shadow(阴影)甚至混色不均的现象产生，提升了基板的蒸镀良率，减少基板的返工与产能浪费。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种掩膜版，包括：支撑部与掩膜版主体，所述支撑部位于所述掩膜版主体的一侧，其特征在于，
所述掩膜版主体上设置有多个成阵列排布的掩膜区；
所述支撑部包括多个开口区以及围绕所述开口区的第一边缘区，其中，所述多个开口区与多个所述掩膜区相互交叠，且一一对应，所述第一边缘区的部分边缘向其围绕的所述开口区延伸，并在各所述开口区内形成第一延伸部；其中，多个所述开口区的开口形状以及位置与多个所述掩膜区一一对应；
所述第一延伸部与所述掩膜区固定连接。
2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第一延伸部与所述掩膜区通过焊点实现焊接固定。
3.根据权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述焊点的形状为圆形，且圆形焊点的直径范围为180-230微米。
4.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版主体还包括围绕所述掩膜区的第二边缘区，所述第二边缘区的部分边缘向其围绕的所述掩膜区延伸，并在各所述掩膜区内形成第二延伸部，所述第一延伸部与所述第二延伸部固定连接。
5.根据权利要求4所述的掩膜版，其特征在于，所述第一延伸部的材质包括具有磁性材料，用于与磁性板之间产生磁力，以通过所述磁力使所述第一延伸部及所述第二延伸部与所述磁性板之间吸附连接。
6.一种蒸镀系统，其特征在于，所述蒸镀系统包括：磁性板、基板以及掩膜版，所述磁性板、所述基板以及所述掩膜版沿同一方向依次设置，其中，所述磁性板设置于所述基板一侧，所述掩膜版设置于所述基板的另一侧；
其中，所述掩膜版包括如权利要求1-5任一项所述的掩膜版。
7.一种掩膜版的制备方法，所述掩膜版，包括：支撑部与掩膜版主体，所述支撑部位于所述掩膜版主体的一侧，其特征在于，所述掩膜版主体上设置有多个成阵列排布的掩膜区；所述支撑部包括多个开口区以及围绕所述开口区的第一边缘区，其中，所述多个开口区与多个所述掩膜区相互交叠，且一一对应，所述第一边缘区的部分边缘向其围绕的所述开口区延伸，并在各所述开口区内形成第一延伸部；所述第一延伸部与所述掩膜区固定连接；其中，多个所述开口区的开口形状以及位置与多个所述掩膜区一一对应；
所述制备方法包括：
获取所述掩膜版；
将所述掩膜版的第一延伸部顶起，使所述第一延伸部与所述掩膜区固定连接。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述将所述第一延伸部顶起，使所述第一延伸部与所述掩膜区固定连接的步骤包括：
通过顶针将所述第一延伸部顶起，使所述第一延伸部与所述第一边缘区位于同一平面上；
通过激光器发射激光将所述第一延伸部焊接固定于与其位置对应的所述掩膜区。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述激光的焊接能量范围为8%-10%；所述激光的焊接的频率范围为：25-35赫兹。
10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述第一延伸部通过磁性材料制备而成；
所述将所述第一延伸部顶起，使所述第一延伸部与所述掩膜区固定连接的步骤具体包括：
通过顶针将所述第一延伸部顶起，使所述第一延伸部与所述第一边缘区位于同一平面上；
利用磁性板和所述第一延伸部之间的磁力使所述第一延伸部与所述掩膜区吸附连接。
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