JP6120038B1 - 蒸着用メタルマスク基材の製造方法 - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 204
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 204
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title abstract description 102
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title abstract description 39
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 232
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 115
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 claims abstract description 35
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims abstract description 21
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 80
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 29
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 72
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 56
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 35
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 13
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 12
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 8
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 5
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- -1 iron ion Chemical class 0.000 description 2
- SURQXAFEQWPFPV-UHFFFAOYSA-L iron(2+) sulfate heptahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.O.[Fe+2].[O-]S([O-])(=O)=O SURQXAFEQWPFPV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- LHOWRPZTCLUDOI-UHFFFAOYSA-K iron(3+);triperchlorate Chemical compound [Fe+3].[O-]Cl(=O)(=O)=O.[O-]Cl(=O)(=O)=O.[O-]Cl(=O)(=O)=O LHOWRPZTCLUDOI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001453 nickel ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- FTLYMKDSHNWQKD-UHFFFAOYSA-N (2,4,5-trichlorophenyl)boronic acid Chemical compound OB(O)C1=CC(Cl)=C(Cl)C=C1Cl FTLYMKDSHNWQKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021585 Nickel(II) bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229960002089 ferrous chloride Drugs 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000004687 hexahydrates Chemical class 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- NMCUIPGRVMDVDB-UHFFFAOYSA-L iron dichloride Chemical compound Cl[Fe]Cl NMCUIPGRVMDVDB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- SQZYOZWYVFYNFV-UHFFFAOYSA-L iron(2+);disulfamate Chemical compound [Fe+2].NS([O-])(=O)=O.NS([O-])(=O)=O SQZYOZWYVFYNFV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- LAIZPRYFQUWUBN-UHFFFAOYSA-L nickel chloride hexahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.[Cl-].[Cl-].[Ni+2] LAIZPRYFQUWUBN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- IPLJNQFXJUCRNH-UHFFFAOYSA-L nickel(2+);dibromide Chemical compound [Ni+2].[Br-].[Br-] IPLJNQFXJUCRNH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- KERTUBUCQCSNJU-UHFFFAOYSA-L nickel(2+);disulfamate Chemical compound [Ni+2].NS([O-])(=O)=O.NS([O-])(=O)=O KERTUBUCQCSNJU-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000008 nickel(II) carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- ZULUUIKRFGGGTL-UHFFFAOYSA-L nickel(ii) carbonate Chemical compound [Ni+2].[O-]C([O-])=O ZULUUIKRFGGGTL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 239000006174 pH buffer Substances 0.000 description 1
- 239000006179 pH buffering agent Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229940085605 saccharin sodium Drugs 0.000 description 1
- 229940049703 saccharin sodium dihydrate Drugs 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
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Abstract
Description
図1が示すように、蒸着用メタルマスク基材10は、ニッケル含有金属シート11から構成される。ニッケル含有金属シート11は、基材表面11aと、基材表面11aとは反対側の面である基材裏面11bとを備える。基材表面11a、および、基材裏面11bの少なくとも一方は、レジスト層が位置するための対象である対象面である。対象面は、蒸着用メタルマスクが形成される過程において、レジストマスクが形成される面である。
[条件1]表面粗さSa≦0.019μm、かつ、表面粗さSz≦0.308μm。
表面粗さSa、および、Szは、ISO 25178に準拠する方法によって測定される値である。反射率Rは、ハロゲンランプから射出された光が対象面に入射したときの正反射による反射光の測定を通じ、下記式(1)によって算出される。ハロゲンランプから射出された光は、対象面の法線方向に対して、45°±0.2°の入射角度で対象面における14mm2の領域に入射する。反射光を受光する素子の面積は、11.4mm2である。反射率Rの測定は、対象面のなかで相互に異なる3つの部位に対して行われる。対象面の反射率Rは、対象面の各部位から得られた反射率Rの平均値である。また、各部位における反射率Rの測定は、相互に直交する2つの方向から照射された光を用い、各方向に対して別々に行われる。なお、母材の圧延のみによって形成されたニッケル含有金属シート11を測定の対象とする場合、対象面と対向する方向から見て、対象面に入射する光の方向のいずれかは、母材の圧延された方向と同じである。
[正反射による反射光の光量/入射光の光量]×100…(1)
[条件1]および[条件2]の少なくとも一方を満たす表面性状であれば、対象面に照射された光が対象面で散乱することが抑えられる。そして、対象面に位置するレジスト層に光が照射されることに際し、光の一部が対象面で散乱し、散乱した光がレジスト層のなかの露光対象領域以外の部分を照射してしまうことが抑えられる。結果として、露光、および、現像によって形成されるレジストマスクの構造と、設計されたレジストマスクの構造との間の差異を抑えることが可能である。そして、ウェットエッチング法によって形成される開口の構造と、設計された開口の構造との間の差異が生じることを抑えることが可能となる。
相互に直交する2つの方向は、対象面に含まれる方向である。相互に直交する2つの方向は、第1方向と第2方向とである。相互に直交する2つの方向での反射率差は、第1方向から照射された光における反射率と、第2方向から照射された光における反射率との差である。
蒸着用メタルマスク基材の製造方法は、蒸着用メタルマスクの製造方法に含まれる。蒸着用メタルマスク基材の製造方法は、(A)電解、(B)圧延および研磨、(C)電解および研磨、(D)圧延のみのなかから、いずれか1つが用いられる。
ニッケル含有金属シート11の製造方法として電解が用いられる場合、電解に用いられる電極の表面に、ニッケル含有金属シート11が形成される。その後、電極の表面からニッケル含有金属シート11が分離される。それによって、対象面と、対象面とは反対側の面であって電極の表面に接していた面とを備えたニッケル含有金属シート11が製造される。ニッケル含有金属シート11の対象面と同じ程度の表面形態を電極の表面が有している場合、ニッケル含有金属シート11の基材表面11aと基材裏面11bとの両方が、対象面に相当する表面性状を有する。ニッケル含有金属シート11の対象面よりも大きい表面粗さや、ニッケル含有金属シート11よりも低い反射率を電極の表面が有している場合、この電極の表面と接していた面とは反対側の面が、ニッケル含有金属シート11の対象面となる。なお、基材表面11aと基材裏面11bとの両方が対象面に相当する表面性状を有する構成は、対象面にレジスト層を形成することに際して、基材表面11aと基材裏面11bとの区別に要する負荷を軽減することを可能とする。なお、分離されたニッケル含有金属シート11は、分離された後にアニール処理を施されてもよい。
ニッケル含有金属シート11の製造方法のなかに研磨が用いられる場合、研磨前のニッケル含有金属シート11は、(A)電解によって製造されてもよいし、圧延によって製造されてもよい。研磨前のニッケル含有金属シート11を圧延によって製造する方法は、まず、ニッケル含有金属の母材を圧延し、その後、圧延された母材をアニールする。この際、研磨前のニッケル含有金属シート11における基材表面11aの段差は、母材の表面における段差よりも小さい。また、研磨前のニッケル含有金属シート11における基材裏面11bの段差は、母材の裏面における段差よりも小さい。そして、研磨前のニッケル含有金属シート11のなかで平滑面となる対象面に、物理的、化学的、化学機械的、あるいは、電気的な研磨加工が施される。それによって、対象面を備えたニッケル含有金属シート11が製造される。
図3が示すように、マスク装置20は、メインフレーム21と、複数の蒸着用メタルマスク30とを備える。メインフレーム21は、複数の蒸着用メタルマスク30を支持する枠板状を有する。メインフレーム21は、蒸着を行うための蒸着装置に取り付けられる。メインフレーム21は、複数のメインフレーム孔21Hを有する。各メインフレーム孔21Hは、各蒸着用メタルマスク30が取り付けられる部位のほぼ全体にわたり、メインフレーム21を貫通する。
図4で説明した蒸着用メタルマスク30を製造する方法と、図5で説明した蒸着用メタルマスク30を製造する方法とは、ニッケル含有金属シート11にウェットエッチングを行う工程が異なる一方で、それ以外の工程はほぼ同様である。以下では、図4で説明した蒸着用メタルマスク30の製造方法を主に説明し、図5で説明した蒸着用メタルマスク30の製造方法に関しては、その重複した説明を省略する。
図7および図8を参照して、上記蒸着用メタルマスク基材10における表面粗さSa,Sz、反射率R、反射率差、および、レジストマスクの加工精度を説明する。図7は、試験例1から試験例9の各水準における表面粗さSa,Szと、反射率Rと、反射率差とを示す。図8は、試験例1から試験例9の各々に対して測定した反射率のなかで、代表的な例となる試験例1、試験例2、試験例3、試験例9の各々の反射率の反射光角度依存性を示す。
・硫酸第一鉄・7水和物 :83.4g
・硫酸ニッケル(II)・6水和物:250.0g
・塩化ニッケル(II)・6水和物:40.0g
・ホウ酸 :30.0g
・サッカリンナトリウム2水和物:2.0g
・マロン酸 :5.2g
・温度 :50℃
試験例4、試験例5の各々は、圧延によって得られた研磨前のニッケル含有金属シート11に、過酸化水素系の化学研磨液を用いた化学的な研磨を施して得られた。
・電解による蒸着用メタルマスク基材の製造に際して、ニッケル含有金属シート11のマスクとなるパターンを、電極の表面に予め形成してもよい。この製造方法においては、電極の表面のなかでパターン以外の部分に、ニッケル含有金属シート11が形成される。そして、電極の表面にニッケル含有金属シート11が形成された状態で、電極の表面からパターンが溶解などによって取り除かれ、次いで、電極の表面からニッケル含有金属シートが分離される。これによって、蒸着用メタルマスク基材が製造される。電極の表面に予め形成されるパターンは、そのパターンにおいてニッケル含有金属シート11の成長が抑えられるパターンであればよく、例えばレジストパターンを用いることが可能である。
Claims (1)
- 電解によって電極面にニッケル含有金属シートを形成することと、
前記電極面から前記ニッケル含有金属シートを分離することとを含み、
前記ニッケル含有金属シートは、表面と、前記表面とは反対側の面である裏面とを備え、
前記表面および前記裏面の少なくとも一方は、レジスト層が位置するための対象面であり、
前記電解は、前記対象面の表面粗さSaを0.019μm以下とし、かつ、前記対象面の表面粗さSzを0.308μm以下とするとともに、ハロゲンランプから射出された光が前記対象面の法線方向に対して45°±0.2°の入射角度で前記対象面に入射したときの正反射による反射率を67.5%以上97.0%以下とする
蒸着用メタルマスク基材の製造方法。
Applications Claiming Priority (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015143509 | 2015-07-17 | ||
JP2015143509 | 2015-07-17 | ||
JP2015171440 | 2015-08-31 | ||
JP2015171440 | 2015-08-31 | ||
JP2016079099 | 2016-04-11 | ||
JP2016079099 | 2016-04-11 | ||
JP2016081362 | 2016-04-14 | ||
JP2016081362 | 2016-04-14 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016566838A Division JP6805830B2 (ja) | 2015-07-17 | 2016-07-15 | 蒸着用メタルマスク基材、蒸着用メタルマスク、蒸着用メタルマスク基材の製造方法、および、蒸着用メタルマスクの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6120038B1 true JP6120038B1 (ja) | 2017-04-26 |
JP2017193775A JP2017193775A (ja) | 2017-10-26 |
Family
ID=57843290
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016238664A Active JP6120038B1 (ja) | 2015-07-17 | 2016-12-08 | 蒸着用メタルマスク基材の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6120038B1 (ja) |
CN (3) | CN117821896A (ja) |
TW (1) | TWI665319B (ja) |
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- 2016-07-15 TW TW105122409A patent/TWI665319B/zh active
- 2016-07-15 CN CN201620749297.6U patent/CN205974646U/zh active Active
- 2016-07-15 CN CN201610561108.7A patent/CN106350768A/zh active Pending
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN117821896A (zh) | 2024-04-05 |
TW201708576A (zh) | 2017-03-01 |
JP2017193775A (ja) | 2017-10-26 |
CN205974646U (zh) | 2017-02-22 |
TWI665319B (zh) | 2019-07-11 |
CN106350768A (zh) | 2017-01-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20170124 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170301 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170314 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6120038 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |