CN111826608A - 掩膜板、掩膜板的制备方法及蒸镀装置 - Google Patents
掩膜板、掩膜板的制备方法及蒸镀装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111826608A CN111826608A CN202010753967.2A CN202010753967A CN111826608A CN 111826608 A CN111826608 A CN 111826608A CN 202010753967 A CN202010753967 A CN 202010753967A CN 111826608 A CN111826608 A CN 111826608A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- mask
- mask layer
- layer
- plate
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 title claims abstract description 59
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 title claims abstract description 56
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 67
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 9
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 7
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 claims description 6
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims description 6
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims description 4
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 3
- 238000010000 carbonizing Methods 0.000 claims description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 3
- -1 polypropylene Polymers 0.000 claims description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 21
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 4
- 230000008093 supporting effect Effects 0.000 description 4
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 description 3
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/12—Organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明提供一种掩膜板、掩膜板的制备方法及蒸镀装置，涉及显示技术领域，旨在解决现有掩膜板无法制备高分辨率的显示面板的问题。该掩膜板包括层叠设置的第一掩膜层和第二掩膜层，第一掩膜层上设置有多个第一开口，第二掩膜层包括相互独立的多个掩膜部，掩膜部由有机材料制成，多个掩膜部与多个第一开口一一对应设置，每个所述掩膜部上均设置有呈阵列排布的多个第二开口。每个第一开口在对应的掩膜部上的投影覆盖该掩膜部的所有第二开口。本发明能够降低掩膜板的制备难度，并且满足高分辨率的显示面板的制备需求，优化显示面板的显示效果。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种掩膜板、掩膜板的制备方法及蒸镀装置。
背景技术
随着电子显示技术的快速发展，有机电致发光二极管(Organic Light-EmittingDiode，简称：OLED)作为一种自发光器件，因其具有低功耗、高色饱和度、广视角、薄厚度、能实现柔性化且无需背光源等优异性能，被广泛地应用在终端设备和穿戴设备等显示装置中。
目前，OLED显示装置采用独立的RGB发光层实现彩色显示，该RGB发光层通过蒸镀的方式制备，蒸镀过程中会使用FMM(Fine metal mask，精密金属掩膜板)，FMM掩膜板具有多个开口结构，开口结构对应需要沉积RGB发光层的位置。FMM掩膜板一般采用Invar合金(因瓦合金、镍铁合金)制成，呈完整的板面结构，覆盖整个待蒸镀的区域，其开口结构采用双面化学刻蚀的方式制备。为适应OLED显示装置的PPI(Pixels Per Inch，像素密度)不断提高，FMM掩膜板中开口结构的分布密度需要相应增加。这就使得FMM掩膜板的厚度减小，并且开口结构制备过程中化学刻蚀液停留时间增加，以保证FMM掩膜板中开口结构的分布密度满足OLED显示装置的高PPI的要求。
然而，FMM掩膜板的厚度减小以及化学刻蚀液停留时间增加均会降低其结构强度，增加制备难度，同时会降低开口结构的位置及尺寸精度，无法满足高PPI的OLED显示装置的制备需求。
发明内容
为了解决背景技术中提到的至少一个问题，本发明提供一种掩膜板、掩膜板的制备方法及蒸镀装置，能够降低掩膜板的制备难度，并且满足高分辨率的显示面板的制备需求，优化显示面板的显示效果。
为了实现上述目的，第一方面，本发明提供一种掩膜板，包括层叠设置的第一掩膜层和第二掩膜层，第一掩膜层上设置有多个第一开口，第二掩膜层包括相互独立的多个掩膜部，掩膜部由有机材料制成，多个掩膜部与多个第一开口一一对应设置，每个掩膜部上均设置有呈阵列排布的多个第二开口。
每个第一开口在对应的掩膜部上的投影覆盖该掩膜部的所有第二开口。
本发明提供的掩膜板，通过设置层叠的第一掩膜层和第二掩膜层，并且将第一掩膜层的第一开口与第二掩膜层的掩膜部相对设置，利用第一掩膜层支撑第二掩膜层，避免第二掩膜层在使用过程中下垂或变形。通过在第二掩膜层中设置多个掩膜部，可以根据需要调整掩膜部的位置以及掩膜部的数量，从而提高该掩膜板结构的灵活性，并且通过调整掩膜部的位置提高第一掩膜层和第二掩膜层的对位精度。通过将掩膜部中的第二开口设置为多个，并且呈阵列排布，从而增大掩膜板上像素开口的密度，通过将第一开口在对应的掩膜部上的投影覆盖该掩膜部的所有第二开口，避免第一开口遮挡待沉积材料通过第二开口，保证该掩膜板能够制备高分辨率的显示面板，同时降低掩膜板的制备难度。
在上述的掩膜板中，可选的是，第一掩膜层包括多个磁性部，多个磁性部沿第一掩膜层的延伸方向间隔设置；或，第一掩膜层由磁性材料制成。
这样的设置可以利用第一掩膜层将第二掩膜层紧密贴合待沉积板，避免蒸镀阴影的产生。
在上述的掩膜板中，可选的是，第二掩膜层的厚度小于或等于20微米。
在上述的掩膜板中，可选的是，第二掩膜层的多个掩膜部的制成材料包括聚酰亚胺、聚苯乙烯或者聚丙烯中的任一种或多种的复合物。
第二方面，本发明提供一种掩膜板的制备方法，包括：
在透光的基板上形成具有相互独立的多个掩膜部的第二掩膜层；
将第二掩膜层与第一掩膜层对位贴合；
去除第二掩膜层上的基板。
本发明提供的掩膜板的制备方法，通过在透光的基板上形成第二掩膜层，利用基板支撑第二掩膜层，第二掩膜层包括多个相互独立的掩膜部，可以根据需要调整掩膜部的位置以及掩膜部的数量，从而提高该掩膜板结构的灵活性，并且通过调整掩膜部的位置提高第一掩膜层和第二掩膜层的对位精度。每个掩膜部上均设置有阵列排布的多个第二开口，这样的设置有利于利用该掩膜板制备高分辨率的显示面板。通过将第二掩膜层和第一掩膜层对位贴合，利用第一掩膜层支撑第二掩膜层，避免第二掩膜层在使用过程中下垂或变形，同时保证第二掩膜层的每个掩膜部上的第二开口均位于与该掩膜部对应的第一掩膜层的第一开口的内侧，避免第一开口影响第二开口中待沉积材料的通过。通过去除第二掩膜层上的基板，避免基板影响掩膜板在沉积过程中的使用。该掩膜板的制备方法能够有效降低掩膜板的制备难度，提高掩膜板的制备效率。
在上述的掩膜板的制备方法中，可选的是，在透光的基板上形成具有相互独立的多个掩膜部的第二掩膜层的步骤包括：
在透光的基板上形成相互独立的多个有机材料层；
对所有有机材料层进行图案化处理，以使每个有机材料层上均形成呈阵列排布的多个第二开口，具有多个第二开口的有机材料层形成掩膜部，多个掩膜部共同组成第二掩膜层。
通过在透光基板上形成有机材料层，利用有机材料层形成第二掩膜层，减小了图案化处理的难度，提高第二掩膜层上第二开口的开口位置以及开口数量的精度，利于制造高分辨率的显示面板。
在上述的掩膜板的制备方法中，可选的是，将第二掩膜层与第一掩膜层对位贴合的步骤包括：
将第一掩膜层与第二掩膜层对位放置，第一掩膜层的第一开口与第二掩膜层的多个掩膜部一一对应的相对；
调整第二掩膜层的每个掩膜部的有机材料的粘度，粘接第二掩膜层的所有掩膜部和第一掩膜层，形成对位贴合的第一掩膜层和第二掩膜层。
通过将第一掩膜层和第二掩膜层对位放置，利用调整第二掩膜层的有机材料的粘度，减小第一掩膜层和第二掩膜层对位贴合的难度。
在上述的掩膜板的制备方法中，可选的是，去除第二掩膜层上的基板的步骤包括：
采用激光照射第二掩膜层的所有掩膜部和基板的连接处；
激光碳化第二掩膜层的所有掩膜部和基板的连接处的至少部分第二掩膜层的有机材料，第二掩膜层和基板脱离；
剥离第二掩膜层上的基板。
通过激光剥离第二掩膜层上的基板，可以减小两者的剥离难度，同时可以避免基板影响掩膜板的使用。
在上述的掩膜板的制备方法中，可选的是，去除第二掩膜层上的基板的步骤之后，还包括：
调整第二掩膜层的位置，以使第二掩膜层的至少部分掩膜部的有机材料填充进第一掩膜层的缺口。
通过第二掩膜层的有机材料填充第一掩膜层的缺口，可以减少掩膜板报废率，减小掩膜板制备过程的成本。
第三方面，本发明提供一种蒸镀装置，包括蒸镀腔室、蒸发源以及上述的掩膜板。
蒸发源、掩膜板和待沉积板均位于蒸镀腔室中，掩膜板位于蒸发源和待沉积板之间，且掩膜板的第一掩膜层位于第二掩膜层靠近蒸发源的一侧。
本发明提供的蒸镀装置，通过将蒸发源、待沉积板以及掩膜板设置在蒸镀腔室中，利用蒸镀腔室提供蒸镀的真空环境，保证蒸镀过程的稳定性。通过将掩膜板设置在蒸发源和待沉积板之间，并且限定第一掩膜层位于第二掩膜层靠近蒸发源的一侧，便于蒸发源产生的待沉积材料依次经过掩膜板的第一开口和第二开口，沉积在待沉积板上。利用多个掩膜部可以提高掩膜板的结构灵活性，并且通过调整掩膜部的位置提高第一掩膜层和第二掩膜层的对位精度。利用第一掩膜层支撑第二掩膜层，避免第二掩膜层在使用过程中下垂或变形。利用多个阵列排布的第二开口，可以增加沉积后的待沉积板上沉积材料的分布密度，从而增加由该蒸镀装置制造的显示面板的分辨率，优化显示面板的显示效果。
本发明的构造以及它的其他发明目的及有益效果将会通过结合附图而对优选实施例的描述而更加明显易懂。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作以简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的掩膜板的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的掩膜板的仰视图；
图3为本发明实施例提供的掩膜板的第二掩膜层位于基板上的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的掩膜板的第二掩膜层的图案化处理后的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的对位贴合后的第一掩膜层和第二掩膜层的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的掩膜板的制备方法的流程示意图；
图7为本发明实施例提供的掩膜板的制备方法中在透光的基板上形成第二掩膜层的流程示意图；
图8为本发明实施例提供的掩膜板的制备方法中将第二掩膜层和第一掩膜层对位贴合的流程示意图；
图9为本发明实施例提供的掩膜板的制备方法中去除第二掩膜层上的基板的流程示意图；
图10为本发明实施例提供的蒸镀装置的结构示意图。
附图标记说明：
100-掩膜板；
10-第一掩膜层；
11-第一开口；
20-第二掩膜层；
21-第二开口；
22-掩膜部；
30-蒸镀腔室；
40-蒸发源；
50-待沉积板；
60-基板。
具体实施方式
目前的OLED显示装置通过蒸镀的方式制备独立的RGB发光层，蒸镀过程中会使用FMM(Fine metal mask，精密金属掩膜板)，FMM掩膜板具有多个开口结构，开口结构对应需要沉积RGB发光层的位置。FMM掩膜板一般采用Invar合金(因瓦合金、镍铁合金)制成，其开口结构采用双面化学刻蚀的方式制备。并且掩膜板呈完整的板面结构，覆盖整个待蒸镀的区域。为适应OLED显示装置的PPI(Pixels Per Inch，像素密度)不断提高，FMM掩膜板中开口结构的分布密度需要相应增加。为了提高开口结构的分布密度，目前常用的方式是减小FMM掩膜板的厚度，并且在开口结构制备过程中增加化学刻蚀液停留时间。基于化学蚀刻的方式属于各向同性的刻蚀方式，刻蚀在刻蚀液分布的各个方向均会发生，并且刻蚀速率在刻蚀的各个方向均相等。当FMM掩膜板的厚度的厚度减小，并且化学刻蚀液停留时间增加后，会减小开口结构的形成难度，从而便于形成多个开口结构。然而，FMM掩膜板的厚度减小以及化学刻蚀液停留时间增加均会降低其结构强度，增加制备难度。并且各向同性的化学刻蚀方式无法保证开口结构的边缘位置，从而降低开口结构的位置及尺寸精度，无法完全满足高PPI的OLED显示装置的制备需求。
鉴于此，本发明实施例提供的掩膜板、掩膜板的制备方法及蒸镀装置，该掩膜板通过设置层叠的第一掩膜层和第二掩膜层，并且将第一掩膜层的第一开口与第二掩膜层的掩膜部相对设置，利用第一掩膜层支撑第二掩膜层，避免第二掩膜层在使用过程中下垂或变形。通过在第二掩膜层中设置多个掩膜部，可以根据需要调整掩膜部的位置以及掩膜部的数量，从而提高该掩膜板结构的灵活性，并且通过调整掩膜部的位置提高第一掩膜层和第二掩膜层的对位精度。通过将掩膜部中的第二开口设置为多个，并且呈阵列排布，从而增大掩膜板上像素开口的密度，通过将第一开口在对应的掩膜部上的投影覆盖该掩膜部的所有第二开口，避免第一开口遮挡待沉积材料通过第二开口，保证该掩膜板能够制备高分辨率的显示面板，同时降低掩膜板的制备难度。
在该掩膜板的制备方法中，通过在透光的基板上形成第二掩膜层，利用基板支撑第二掩膜层，第二掩膜层包括多个相互独立的掩膜部，可以根据需要调整掩膜部的位置以及掩膜部的数量，从而提高该掩膜板结构的灵活性，并且通过调整掩膜部的位置提高第一掩膜层和第二掩膜层的对位精度。每个掩膜部上均设置有阵列排布的多个第二开口，这样的设置有利于利用该掩膜板制备高分辨率的显示面板。通过将第二掩膜层和第一掩膜层对位贴合，利用第一掩膜层支撑第二掩膜层，避免第二掩膜层在使用过程中下垂或变形，同时保证第二掩膜层的每个掩膜部上的第二开口均位于与该掩膜部对应的第一掩膜层的第一开口的内侧，避免第一开口影响第二开口中待沉积材料的通过。通过去除第二掩膜层上的基板，避免基板影响掩膜板在沉积过程中的使用。该掩膜板的制备方法能够有效降低掩膜板的制备难度，提高掩膜板的制备效率，便于形成用于高分辨率显示面板制备的掩膜板。
在该蒸镀装置中，通过将蒸发源、待沉积板以及掩膜板设置在蒸镀腔室中，利用蒸镀腔室提供蒸镀的真空环境，保证蒸镀过程的稳定性。通过将掩膜板设置在蒸发源和待沉积板之间，并且限定第一掩膜层位于第二掩膜层靠近蒸发源的一侧，便于蒸发源产生的待沉积材料依次经过掩膜板的第一开口和第二开口，沉积在待沉积板上。利用多个掩膜部可以提高掩膜板的结构灵活性，并且通过调整掩膜部的位置提高第一掩膜层和第二掩膜层的对位精度。利用第一掩膜层支撑第二掩膜层，避免第二掩膜层在使用过程中下垂或变形。利用多个阵列排布的第二开口，可以增加沉积后的待沉积板上沉积材料的分布密度，从而增加由该蒸镀装置制造的显示面板的分辨率，优化显示面板的显示效果。
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明的优选实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行更加详细的描述。在附图中，自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。下面结合附图对本发明的实施例进行详细说明。
图1为本发明实施例提供的掩膜板的结构示意图。图2为本发明实施例提供的掩膜板的仰视图。图3为本发明实施例提供的掩膜板的第二掩膜层位于基板上的结构示意图。图4为本发明实施例提供的掩膜板的第二掩膜层的图案化处理后的结构示意图。图5为本发明实施例提供的对位贴合后的第一掩膜层和第二掩膜层的结构示意图。图6为本发明实施例提供的掩膜板的制备方法的流程示意图。图7为本发明实施例提供的掩膜板的制备方法中在透光的基板上形成第二掩膜层的流程示意图。图8为本发明实施例提供的掩膜板的制备方法中将第二掩膜层和第一掩膜层对位贴合的流程示意图。图9为本发明实施例提供的掩膜板的制备方法中去除第二掩膜层上的基板的流程示意图。图10为本发明实施例提供的蒸镀装置的结构示意图。
参照图1和图2所示，本发明实施例提供的掩膜板100，包括层叠设置的第一掩膜层10和第二掩膜层20，第一掩膜层10上设置有多个第一开口11，第二掩膜层20包括相互独立的多个掩膜部22，掩膜部22由有机材料制成，多个掩膜部22与多个第一开口11一一对应设置，每个掩膜部22上均设置有呈阵列排布的多个第二开口21。
每个第一开口11在对应的掩膜部22上的投影覆盖该掩膜部22的所有第二开口21。
需要说明的是，本实施例的第一掩膜层10和第二掩膜层20层叠设置，两者之间具有相互贴合的面。第一掩膜层10可以对第二掩膜层20起到支撑作用，基于第二掩膜层20的掩膜部22采用有机材料制成，其机械强度并不高，利用第一掩膜层10可以增强对第二掩膜层20的支撑效果，防止第二掩膜层20在使用过程中发生下垂或形变的问题，避免第二掩膜层20处出现蒸镀阴影。第一掩膜层10上设置的第一开口11和第二掩膜层20上的多个掩膜部22呈相对设置。其中多个掩膜部22在第二掩膜层20上呈相互独立的设置，此处的相互独立可以理解为，任意相邻的两个掩膜部22之间并不连接，两者之间也并未设置任何用于连接的结构。在安装过程中，任意两个掩膜部22的安装过程相互独立。这样设置可以根据用户的需要在第二掩膜层20上的任意位置设置掩膜部22，通过调节掩膜部22的设置位置和数量，达到调整掩膜板100结构的目的，提高掩膜板100结构的灵活性。多个掩膜部22在第二掩膜层20上可以按照第一开口11的位置布置，例如阵列排布，本实施例对此并不加以限制。
进一步地，每个掩膜部22上均设置有呈阵列排布的多个第二开口21，基于第一开口11和第二开口21相对，在掩膜板100的使用过程中，待沉积材料可以依次通过第一开口11和第二开口21后沉积在待沉积板50上。并且多个第二开口21可以提高掩膜板100整体的开口密度，通过该掩膜板100制备的显示面板中的像素密度相应增加，从而提高该显示面板的分辨率，优化该显示面板的显示效果。
需要说民的是，该第一掩膜层10上的多个第一开口11，分别对应不同的显示面板的显示区域，即每个第一开口11分别对应一个待制备显示面板的显示区域，利用多个第一开口11可以达到分割不同显示面板的显示区域的目的。
其中，第二掩膜层20的掩膜部22可以由有机材料制成。该有机材料可以包括但不限于聚酰亚胺(PolyImide，简称为PI)、聚苯乙烯(PolyStyrene，简称为PS)或者聚丙烯(PolyproPylene，简称为PP)中的任一种或多种的复合物。该有机材料可以优选使用聚酰亚胺，聚酰亚胺具有耐高温、耐化学腐蚀、机械强度较一般有机材料高且热膨胀系数低等优良性能，因此使用聚酰亚胺可以提高第二掩膜层20的性能。当然，基板还可以选用玻璃基板。并且在制备第二掩膜层20时所选用的基板60同样为聚酰亚胺，基板60和第二掩膜层20的掩膜部22选用的相同的材料可以提高两者的相容性，避免两者的连接处出现断裂或分层，保证第二掩膜层20上第二开口21制备过程的稳定性。该第二掩膜层20的厚度可以小于或等于20微米，第二掩膜层20的厚度较小，可以有效减小第二开口21的开口难度。
作为一种可实现的实施方式，第一掩膜层10包括多个磁性部，多个磁性部沿第一掩膜层10的延伸方向间隔设置。作为另一种可实现的实施方式，第一掩膜层10由磁性材料制成。需要说明的是，该掩膜板100用于蒸镀装置中，蒸镀装置在蒸镀过程中保持真空且具有磁场的环境，通过将第一掩膜层10设置为带有磁性，可以利用第一掩膜层10支撑第二掩膜层20，并且在蒸镀时将第二掩膜层20贴合在待沉积板50上，避免在第二掩膜层20中出现褶皱或弯曲的，从而保证第二掩膜层20在待沉积板50上紧密贴合，避免蒸镀阴影的产生。作为一种可实现的实施方式，第一掩膜层10可以为现有的通用掩膜板100(Common Mask或Open Mask)，这样可以利用现有的通用掩膜板100制备本实施例的掩膜板100，减小掩膜板100的制备难度，减少制备成本。
参照图3至图9所示，本发明实施例还提供一种掩膜板100的制备方法，用于制作上述的掩膜板100。该掩膜板100的制备方法包括：
S1：在透光的基板上形成具有相互独立的多个掩膜部的第二掩膜层；
S2：将第二掩膜层与第一掩膜层对位贴合；
S3：去除第二掩膜层上的基板。
其中，结合图3和图4所示，在步骤S1中，即在透光的基板60上形成第二掩膜层20中，可以具体包括：
S11：在透光的基板上形成相互独立的多个有机材料层；
S12：对所有有机材料层进行图案化处理，以使每个有机材料层上均形成呈阵列排布的多个第二开口，具有多个第二开口的有机材料层形成掩膜部，多个掩膜部共同组成第二掩膜层。
需要说明的是，有机材料层可以选用涂覆的方式分布在该透光的基板60上，为保证有机材料层形成的第二掩膜层20的厚度小于或等于20微米，可以通过调控涂覆操作参数实现，例如涂覆速率，有机材料的喷出速率等。
对有机材料层的图案化处理可以通过激光刻蚀的方式实现，基于第二掩膜层20的厚度较小，可以大大减小图案化处理过程的操作难度。相比于现有在金属掩膜板100上使用的化学刻蚀，本实施例选用激光刻蚀，可以有效控制第二开口21形成位置，以及第二开口21边缘的形成，因此可以有效提高第二开口21的开口精度和开口数量，有利于制造高开口密度的第二掩膜层20，从而保证该掩膜板100适用于高分辨率的显示面板的制备。
其中，基于第二开口21是通过激光刻蚀的方式制作，因此将基板60设置为透光可以保证第二开口21刻蚀的完整性。
其中，结合图5所示，在步骤S2中，即在第二掩膜层20与第一掩膜层对位贴合中，可以具体包括：
S21：将第一掩膜层与第二掩膜层对位放置，第一掩膜层的多个第一开口与第二掩膜层的多个掩膜部一一对应的相对。
S22：调整第二掩膜层的每个掩膜部的有机材料的粘度，粘接第二掩膜层的所有掩膜部和第一掩膜层，形成对位贴合的第一掩膜层和第二掩膜层。
需要说明的是，将基板60和第二掩膜层20对位放置在第一掩膜层10上，基板60位于第二掩膜层20远离第一掩膜层10的一侧，第一掩膜层10和第二掩膜层20的掩膜部22面面接触。其中对位的概念是指第一掩膜层10的第一开口11与第二掩膜层20的掩膜部22相对，即并且第一开口11和掩膜部22的第二开口21的开口区域相互重合。并且基于第一开口11大于第二开口21，第二开口21均全部位于第一开口11的内侧。
为提高第一掩膜层10和第二掩膜层20之间的连接强度，需要对第二掩膜层20中的有机材料进行二次聚合，即通过调整温度，湿度或者溶剂含量调整第二掩膜层20中有机材料的粘度，使其粘度增加，从而将第一掩膜层10和第二掩膜层20面面接触的部分进行粘接，从而保证两者对位贴合，避免两者在掩膜板100的使用过程中相互错位。在两者粘接完成后，可以通过降低第二掩膜层20的有机材料的粘度，保证粘接的稳定性。
其中，在步骤S3中，即去除第二掩膜层20上的基板60中，可以具体包括：
S21：采用激光照射第二掩膜层的所有掩膜部和基板的连接处；
S32：激光碳化第二掩膜层的所有掩膜部和基板的连接处的至少部分第二掩膜层的有机材料，第二掩膜层和基板脱离；
S33：剥离第二掩膜层上的基板。
需要说明的是，基于第二掩膜层20和基板60可以均为有机材料制成，或者第二掩膜层20通过有机材料制成，基板60为玻璃基板。通过激光剥离(Laser Lift-off，简称为LLO)第二掩膜层20上的基板60，可以减小两者的剥离难度，同时可以避免基板60影响掩膜板100的使用。使用的激光的波长可以根据需要设定，本实施例对此并不加以限制，激光的照射方向可以沿着第二掩膜层20的延伸方向，激光照射时高温的光束可以碳化第二掩膜层20的掩膜部22和基板60连接处的有机材料，从而使两者脱离。去除基板60后可以避免基板60影响待沉积材料穿过掩膜板100沉积在待沉积板50上。
进一步，去除第二掩膜层20上的基板60之后，还包括：调整第二掩膜层20的位置，以使第二掩膜层20的至少部分掩膜部的有机材料填充进第一掩膜层10的缺口。需要说明的是，在第一掩膜层10和第二掩膜层20对位贴合后，可以采用rework(重制或返工)工艺使得第二掩膜层20的至少部分掩膜部22的有机材料填充进第一掩膜层10的缺口中，该缺口可以为第一掩膜层10在制备过程中由于制备装置或制备工艺的限制而产生的缺口，或者是第一掩膜层10重复多次使用后，所造成的使用缺口。利用掩膜部22的有机材料填充缺口可以避免第一掩膜层10的缺口造成掩膜板100的报废，从而减少掩膜板100报废率。
并且，基于第一掩膜层10为通用掩膜板100，在本实施例的掩膜板100使用完成后，可以剥离第一掩膜层10和第二掩膜层20，使得该第一掩膜层10还可在显示面板的制备过程中重复使用，从而节省掩膜板100制备过程的成本。
参照图10所示，本发明实施例还提供一种蒸镀装置，包括蒸镀腔室30、蒸发源40以及上述的掩膜板100。蒸发源40、待沉积板50和掩膜板100均位于蒸镀腔室30中，掩膜板100位于蒸发源40和待沉积板50之间，且掩膜板100的第一掩膜层10位于第二掩膜层20靠近蒸发源40的一侧。
需要说明的是，该蒸镀腔室30可以为蒸镀装置提供真空且具有磁性的环境，蒸发源40用于将待沉积材料转变为气态，气态的待沉积材料在磁性环境中漂浮，经过掩膜板100后沉积在待沉积板50上。图10中的箭头示出了气态待沉积材料的移动方向。基于第一掩膜层10具有磁性，可以在磁性环境的作用下将第二掩膜层20紧密贴合在待沉积板50上，从而避免出现蒸镀阴影。
在本发明实施例的描述中，需要理解的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应作广义理解，例如，可以使固定连接，也可以是通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或者两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。术语“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或者位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或者暗示所指的装置或者元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非是另有精确具体地规定。
本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种掩膜板，其特征在于，包括层叠设置的第一掩膜层和第二掩膜层，所述第一掩膜层上设置有多个第一开口，所述第二掩膜层包括相互独立的多个掩膜部，所述掩膜部由有机材料制成，多个所述掩膜部与多个所述第一开口一一对应设置，每个所述掩膜部上均设置有呈阵列排布的多个第二开口；
每个所述第一开口在对应的所述掩膜部上的投影覆盖该所述掩膜部的所有所述第二开口。
2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述第一掩膜层包括多个磁性部，多个所述磁性部沿所述第一掩膜层的延伸方向间隔设置；或，所述第一掩膜层由磁性材料制成。
3.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述第二掩膜层的厚度小于或等于20微米。
4.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述第二掩膜层的多个所述掩膜部的制成材料包括聚酰亚胺、聚苯乙烯或者聚丙烯中的任一种或多种的复合物。
5.一种掩膜板的制备方法，其特征在于，包括：
在透光的基板上形成具有相互独立的多个掩膜部的第二掩膜层；
将所述第二掩膜层与第一掩膜层对位贴合；
去除所述第二掩膜层上的所述基板。
6.根据权利要求5所述的掩膜板的制备方法，其特征在于，在透光的基板上形成具有相互独立的多个掩膜部的第二掩膜层的步骤包括：
在透光的所述基板上形成相互独立的多个有机材料层；
对所有所述有机材料层进行图案化处理，以使每个所述有机材料层上均形成呈阵列排布的多个第二开口，具有多个所述第二开口的所述有机材料层形成所述掩膜部，多个所述掩膜部共同组成所述第二掩膜层。
7.根据权利要求6所述的掩膜板的制备方法，其特征在于，将所述第二掩膜层与第一掩膜层对位贴合的步骤包括：
将所述第一掩膜层与所述第二掩膜层对位放置，所述第一掩膜层的多个第一开口与所述第二掩膜层的多个所述掩膜部一一对应的相对；
调整所述第二掩膜层的每个所述掩膜部的有机材料的粘度，使所述第二掩膜层的所有所述掩膜部和所述第一掩膜层粘接，形成对位贴合的所述第一掩膜层和所述第二掩膜层。
8.根据权利要求5所述的掩膜板的制备方法，其特征在于，去除所述第二掩膜层上的所述基板的步骤包括：
采用激光照射所述第二掩膜层的所有所述掩膜部和所述基板的连接处；
激光碳化所述第二掩膜层的所有所述掩膜部和所述基板的连接处的至少部分所述第二掩膜层的有机材料；
剥离所述第二掩膜层上的所述基板。
9.根据权利要求5所述的掩膜板的制备方法，其特征在于，去除所述第二掩膜层上的所述基板的步骤之后，还包括：
调整所述第二掩膜层的位置，以使所述第二掩膜层的至少部分所述掩膜部的有机材料填充进所述第一掩膜层的缺口。
10.一种蒸镀装置，其特征在于，包括蒸镀腔室、蒸发源以及权利要求1-4中任一项所述的掩膜板；
所述蒸发源、所述掩膜板以及待沉积板均位于所述蒸镀腔室中，所述掩膜板位于所述蒸发源和所述待沉积板之间，且所述掩膜板的第一掩膜层位于第二掩膜层靠近所述蒸发源的一侧。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010753967.2A CN111826608A (zh) | 2020-07-30 | 2020-07-30 | 掩膜板、掩膜板的制备方法及蒸镀装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010753967.2A CN111826608A (zh) | 2020-07-30 | 2020-07-30 | 掩膜板、掩膜板的制备方法及蒸镀装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111826608A true CN111826608A (zh) | 2020-10-27 |
Family
ID=72920508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010753967.2A Pending CN111826608A (zh) | 2020-07-30 | 2020-07-30 | 掩膜板、掩膜板的制备方法及蒸镀装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111826608A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113201710A (zh) * | 2021-04-26 | 2021-08-03 | 睿馨（珠海）投资发展有限公司 | 一种掩膜板、制备及其应用 |
| CN115074664A (zh) * | 2022-07-18 | 2022-09-20 | 重庆翰博显示科技研发中心有限公司 | 一种使用复合材料制作的精细掩模版 |
| CN115928008A (zh) * | 2023-01-05 | 2023-04-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 高精细掩膜板及其制造方法 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1534383A (zh) * | 2003-03-27 | 2004-10-06 | ����Sdi��ʽ���� | 显示装置的沉积掩模及其制造方法 |
| CN106086781A (zh) * | 2016-06-15 | 2016-11-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜组件及其制造方法、显示装置 |
| CN106350768A (zh) * | 2015-07-17 | 2017-01-25 | 凸版印刷株式会社 | 蒸镀用金属掩模以及蒸镀用金属掩模的制造方法 |
| CN106591776A (zh) * | 2016-12-28 | 2017-04-26 | 武汉华星光电技术有限公司 | 精细掩膜板及其制作方法 |
| CN107740042A (zh) * | 2017-11-30 | 2018-02-27 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | 掩膜板 |
| CN107833983A (zh) * | 2017-10-27 | 2018-03-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜板及其制备方法、基板的制备方法 |
| CN109072411A (zh) * | 2016-02-10 | 2018-12-21 | 鸿海精密工业股份有限公司 | 蒸镀掩模的制造方法、蒸镀掩模及有机半导体元件的制造方法 |
| WO2020076020A1 (ko) * | 2018-10-10 | 2020-04-16 | 주식회사 오럼머티리얼 | 프레임 일체형 마스크 및 프레임 일체형 마스크의 제조 방법 |
| CN111357129A (zh) * | 2017-09-18 | 2020-06-30 | 悟勞茂材料公司 | 框架一体型掩模 |
-
2020
- 2020-07-30 CN CN202010753967.2A patent/CN111826608A/zh active Pending
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1534383A (zh) * | 2003-03-27 | 2004-10-06 | ����Sdi��ʽ���� | 显示装置的沉积掩模及其制造方法 |
| CN106350768A (zh) * | 2015-07-17 | 2017-01-25 | 凸版印刷株式会社 | 蒸镀用金属掩模以及蒸镀用金属掩模的制造方法 |
| CN109072411A (zh) * | 2016-02-10 | 2018-12-21 | 鸿海精密工业股份有限公司 | 蒸镀掩模的制造方法、蒸镀掩模及有机半导体元件的制造方法 |
| CN106086781A (zh) * | 2016-06-15 | 2016-11-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜组件及其制造方法、显示装置 |
| CN106591776A (zh) * | 2016-12-28 | 2017-04-26 | 武汉华星光电技术有限公司 | 精细掩膜板及其制作方法 |
| CN111357129A (zh) * | 2017-09-18 | 2020-06-30 | 悟勞茂材料公司 | 框架一体型掩模 |
| CN107833983A (zh) * | 2017-10-27 | 2018-03-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜板及其制备方法、基板的制备方法 |
| CN107740042A (zh) * | 2017-11-30 | 2018-02-27 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | 掩膜板 |
| WO2020076020A1 (ko) * | 2018-10-10 | 2020-04-16 | 주식회사 오럼머티리얼 | 프레임 일체형 마스크 및 프레임 일체형 마스크의 제조 방법 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113201710A (zh) * | 2021-04-26 | 2021-08-03 | 睿馨（珠海）投资发展有限公司 | 一种掩膜板、制备及其应用 |
| CN115074664A (zh) * | 2022-07-18 | 2022-09-20 | 重庆翰博显示科技研发中心有限公司 | 一种使用复合材料制作的精细掩模版 |
| CN115928008A (zh) * | 2023-01-05 | 2023-04-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 高精细掩膜板及其制造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN111826608A (zh) | 掩膜板、掩膜板的制备方法及蒸镀装置 | |
| CN102023474B (zh) | 掩模组件、其制造方法及用于平板显示器的沉积装置 | |
| US20180355466A1 (en) | Fine metal mask and manufacture method thereof | |
| EP3712940B1 (en) | Led display module | |
| CN100379057C (zh) | 用于有机发光二极管显示器制造的分离式遮蔽罩幕装置 | |
| US7271094B2 (en) | Multiple shadow mask structure for deposition shadow mask protection and method of making and using same | |
| WO2013089138A1 (ja) | 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 | |
| US20120294003A1 (en) | Mother substrate structure of light emitting devices, light emitting device and method of fabricating the same | |
| JP2005165015A (ja) | 膜形成用マスク、膜形成装置、電気光学装置および電子機器 | |
| TWI679716B (zh) | 可撓性電子裝置之製造方法 | |
| CN109166889A (zh) | 显示基板及其制造方法、显示装置 | |
| CN204325516U (zh) | 复合掩膜板、复合掩膜板组件 | |
| JP2008196002A (ja) | 蒸着マスクおよび蒸着マスクの製造方法 | |
| KR20030019232A (ko) | 일렉트로 루미네센스 소자의 제조 방법 및 증착 마스크 | |
| US20210184126A1 (en) | Light-emitting component, manufacturing method therefor, mask, and display device | |
| CN110819938B (zh) | 蒸镀掩模、蒸镀掩模装置及其制造方法、蒸镀方法 | |
| JP2019173181A (ja) | 基板付蒸着マスク | |
| KR102293219B1 (ko) | 기판 또는 마스크를 지지하기 위한 캐리어 | |
| CN109980078A (zh) | 发光模组及其制造方法、显示装置 | |
| KR101266489B1 (ko) | 쉐도우 마스크 장치 및 이를 이용한 유기 전계발광표시장치의 제조 방법 | |
| US11296298B2 (en) | Method for manufacturing flexible organic light-emitting diode display panel | |
| CN114784070A (zh) | 显示面板及其制作方法、显示装置 | |
| JP6627372B2 (ja) | 基板付蒸着マスクの製造方法、蒸着マスクの製造方法および基板付蒸着マスク | |
| JP4338335B2 (ja) | 真空蒸着装置 | |
| CN117954566A (zh) | 显示面板预制件、显示面板及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20201027 |