CN115074664A - 一种使用复合材料制作的精细掩模版 - Google Patents
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- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 claims abstract description 7
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 18
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 8
- -1 polyethylene naphthalate Polymers 0.000 claims description 4
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 3
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 claims description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 claims description 2
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 claims description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 claims description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 238000013329 compounding Methods 0.000 abstract description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/362—Laser etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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- Materials Engineering (AREA)
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Abstract
本发明掩模板技术领域，具体涉及一种使用复合材料制作的精细掩模版，包括以下步骤：S1：制备CMM掩模版基材与高分子结合的复合材料，在CMM掩模版基材的一面涂覆高分子材料，经高温环境固话后，冷却至室温；S2利用激光刻蚀的工艺在上述的CMM掩模版基材与高分子掩模版复合材料的高分子材料面上制备开口；S3：对CMM掩模版基材未涂高分子材料的Invar面，进行多次刻蚀，直到掩模版出现所需开口，过湿法刻蚀与激光刻蚀工艺在高分子材料上开口，解决了复合金属掩模版需要使用FMM掩模版材料短缺，同时提供了一种大尺寸OLED生产过程中，一种CMM掩模版与高分子材料复合而成的FMM。
Description
技术领域
本发明属于掩模板技术领域，具体涉及一种使用复合材料制作的精细掩模版。
背景技术
掩膜版是OLED蒸镀工艺中必不可缺少的核心材料，掩模版主要包括CMM和FMM两种。其中，CMM主要被用于大尺寸OLED面板生产过程中；FMM主要用于中小尺寸OLED面板制造过程中。蒸镀过程中因为需要考虑到温度对掩模版的影响，目前使用的材料都是主要为36％的镍的铁属合金，因瓦金属(Invar)。特别地，RGB三原色像素由于其独立的发光技术，色彩表现力强、对比度效果出色，但在大尺寸的OLED生产过程中，FMM就成为了限制其发展的重要因素。
现有技术中无论是采用激光刻蚀的工艺在具有磁性的柔性薄膜开口，还是先通过张网制作低PPI的掩膜制品，再经过涂覆PI和曝光显影形成较小，再的高PPI开口，都需使用到厚度很薄的Invar合金，而薄型的因瓦金属生产困难供应链有限。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种使用复合材料制作的精细掩模版，解决了复合金属掩模版需要使用FMM掩模版材料短缺等问题。
本发明的目的可以通过以下技术方案实现：
一种使用复合材料制作的精细掩模版，所述方法包括以下步骤：
S1：制备CMM掩模版基材与高分子结合的复合材料，在CMM掩模版基材的一面涂覆高分子材料，经高温环境固话后，冷却至室温；
S2利用激光刻蚀的工艺在上述的CMM掩模版基材与高分子掩模版复合材料的高分子材料面上制备开口；
S3：对CMM掩模版基材未涂高分子材料的Invar面，进行多次刻蚀，直到掩模版出现所需开口。
进一步地，所述步骤S1中，所述CMM掩模版基材为厚度在100μm-200μm之间的InVar合金。
进一步地，所述步骤S1中，所述高分子材料为聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚醚砜树脂塑料。
进一步地，，所述步骤S1中，涂覆高分子材料的方法包括但不限于旋涂、印刷、打印等中的一种或几种。
进一步地，所述步骤S1中，固化所需的温度为150-500℃，所需时间为1-10h。
进一步地，所述步骤S2中，激光刻蚀的面积小于CMM掩模版基材面积。
进一步地，所述步骤S3中，在Invar面进行刻蚀开口，包括以下步骤：
S301：在复合材料未涂高分子材料的InVar合金面旋涂保护膜，通过曝光工艺形成所需要的开孔区域；
S302：通过显影去除部分保护膜，露出所需开孔区域的InVar合金材料；
S303：对开孔区域进行多次刻蚀，去除开孔区的Invar合金材料。
进一步地，所述步骤S301中，涂覆保护膜的方法包括但不限于旋涂、印刷、打印等中的一种或几种。
进一步地，所述InVar合金面的开口区大于上述高分子材料面的开口区。
进一步地，所述步骤S303中，刻蚀的次数大于等于1次，直至掩模版出现开口。
本发明的有益效果：与现有技术相比，本发明提供了一种使用复合材料制作的精细掩模版，通过湿法刻蚀与激光刻蚀工艺在高分子材料上开口，解决了复合金属掩模版需要使用FMM掩模版材料短缺，同时提供了一种大尺寸OLED生产过程中，一种CMM掩模版与高分子材料复合而成的FMM。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例中使用复合材料制作的精细掩模版的流程图；
图2是本发明实施例中掩模板的结构示意图；
图3是本发明实施例中高分子材料面刻蚀开口图；
图4是本发明实施例中InVar合金面刻蚀开口图；
图5是本发明实施例中复合材料制作的精细掩模版示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“开孔”、“上”、“下”、“厚度”、“顶”、“中”、“长度”、“内”、“四周”等指示方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的组件或元件必须具有特定的方位，以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
一种使用复合材料制作的精细掩模版，所述方法包括以下步骤：
S1、制备CMM掩模版基材与高分子结合的复合材料：选取厚度为200μm的CMM掩模版基材即厚度为200μm的InVar合金，使用旋涂的方式在CMM掩模版基材表面涂覆高分子材料形成复合材料，在300℃固化2h，在室温环境中将复合材料冷却至室温；
S2、利用激光刻蚀的工艺在上述的CMM掩模版基材与高分子掩模版复合材料的高分子面上制备开口：光刻蚀工艺在高分子材料面上进行开口，开口的精度与大小可根据使用需求进行调整，为了保证平整度，可在刻蚀后进行抛光处理。
S3、对CMM掩模版基材未涂高分子材料的Invar合金面，进行多次刻蚀，直到掩模版出现所需开口，包括以下步骤：
S301：在复合材料未涂高分子材料的InVar合金面旋涂保护膜，通过曝光工艺形成所需要的开孔区域；
S302：通过显示去除部分保护膜，露出所需开孔区域的InVar合金材料；
S303：对开孔区域进行多次刻蚀，去除开孔区的InVar合金材料。
如此，由上述步骤所制出的掩模版解决了掩模版中必须使用FMM掩模版的问题；同时使用高分子制成的薄膜材料，可以使蒸镀区域厚度减薄，而几乎可以不考虑蒸镀阴影区域；利用激光刻蚀工艺，也提高了复合掩模版的精度。
在本说明书的描述中，参考为术语“一个实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。
Claims (10)
1.一种使用复合材料制作的精细掩模版，包括以下步骤：
S1：制备CMM掩模版基材与高分子结合的复合材料，在CMM掩模版基材的一面涂覆高分子材料，经高温环境固话后，冷却至室温；
S2利用激光刻蚀的工艺在上述的CMM掩模版基材与高分子掩模版复合材料的高分子材料面上制备开口；
S3：对CMM掩模版基材未涂高分子材料的Invar面，进行多次刻蚀，直到掩模版出现所需开口。
2.根据权利要求1所述的一种使用复合材料制作的精细掩模版，其特征在于，所述步骤S1中，所述CMM掩模版基材为厚度在100μm-200μm之间的InVar合金。
3.根据权利要求1所述的一种使用复合材料制作的精细掩模版，其特征在于，所述步骤S1中，所述高分子材料为聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚醚砜树脂塑料。
4.根据权利要求1所述的一种使用复合材料制作的精细掩模版，其特征在于，所述步骤S1中，涂覆高分子材料的方法包括但不限于旋涂、印刷、打印等中的一种或几种。
5.根据权利要求1所述的一种使用复合材料制作的精细掩模版，其特征在于，所述步骤S1中，固化所需的温度为150-500℃，所需时间为1-10h。
6.根据权利要求1所述的一种使用复合材料制作的精细掩模版，其特征在于，所述步骤S2中，激光刻蚀的面积小于CMM掩模版基材面积。
7.根据权利要求1所述的一种使用复合材料制作的精细掩模版，其特征在于，所述步骤S3中，在Invar合金面进行刻蚀开口，包括以下步骤：
S301：在复合材料未涂高分子材料的InVar合金面旋涂保护膜，通过曝光工艺形成所需要的开孔区域；
S302：通过显影去除部分保护膜，露出所需开孔区域的InVar合金材料；
S303：对开孔区域进行多次刻蚀，去除开孔区的Invar合金材料。
8.根据权利要求7所述的一种使用复合材料制作的精细掩模版，其特征在于，所述步骤S301中，涂覆保护膜的方法包括但不限于旋涂、印刷、打印等中的一种或几种。
9.根据权利要求7所述的一种使用复合材料制作的精细掩模版，其特征在于，所述InVar合金面的开口区大于上述高分子材料面的开口区。
10.根据权利要求7所述的一种使用复合材料制作的精细掩模版，其特征在于，所述步骤S303中，刻蚀的次数大于等于1次，直至掩模版出现开口。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210845359.3A CN115074664A (zh) | 2022-07-18 | 2022-07-18 | 一种使用复合材料制作的精细掩模版 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210845359.3A CN115074664A (zh) | 2022-07-18 | 2022-07-18 | 一种使用复合材料制作的精细掩模版 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115074664A true CN115074664A (zh) | 2022-09-20 |
Family
ID=83259201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210845359.3A Pending CN115074664A (zh) | 2022-07-18 | 2022-07-18 | 一种使用复合材料制作的精细掩模版 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN115074664A (zh) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103451598A (zh) * | 2013-09-05 | 2013-12-18 | 中山新诺科技有限公司 | 一种oled显示面板生产用新型精细金属掩膜版及制作方法 |
| CN103866230A (zh) * | 2014-03-20 | 2014-06-18 | 中山新诺科技股份有限公司 | 一种oled显示面板生产用新型荫罩板的制作方法 |
| JP2015028204A (ja) * | 2013-06-28 | 2015-02-12 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスクの製造方法、金属フレーム付き蒸着マスクの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法 |
| CN108277454A (zh) * | 2018-04-23 | 2018-07-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 精细掩模板及其制备方法 |
| CN109072411A (zh) * | 2016-02-10 | 2018-12-21 | 鸿海精密工业股份有限公司 | 蒸镀掩模的制造方法、蒸镀掩模及有机半导体元件的制造方法 |
| CN109136838A (zh) * | 2018-11-21 | 2019-01-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩模板的制作方法、掩模板及蒸镀设备 |
| CN111826608A (zh) * | 2020-07-30 | 2020-10-27 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 掩膜板、掩膜板的制备方法及蒸镀装置 |
-
2022
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Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015028204A (ja) * | 2013-06-28 | 2015-02-12 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスクの製造方法、金属フレーム付き蒸着マスクの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法 |
| CN103451598A (zh) * | 2013-09-05 | 2013-12-18 | 中山新诺科技有限公司 | 一种oled显示面板生产用新型精细金属掩膜版及制作方法 |
| CN103866230A (zh) * | 2014-03-20 | 2014-06-18 | 中山新诺科技股份有限公司 | 一种oled显示面板生产用新型荫罩板的制作方法 |
| CN109072411A (zh) * | 2016-02-10 | 2018-12-21 | 鸿海精密工业股份有限公司 | 蒸镀掩模的制造方法、蒸镀掩模及有机半导体元件的制造方法 |
| CN108277454A (zh) * | 2018-04-23 | 2018-07-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 精细掩模板及其制备方法 |
| CN109136838A (zh) * | 2018-11-21 | 2019-01-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩模板的制作方法、掩模板及蒸镀设备 |
| CN111826608A (zh) * | 2020-07-30 | 2020-10-27 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 掩膜板、掩膜板的制备方法及蒸镀装置 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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