JP2003086537A - 構造体を用いた薄膜パターン製造方法および構造体 - Google Patents

構造体を用いた薄膜パターン製造方法および構造体

Info

Publication number
JP2003086537A
JP2003086537A JP2001278829A JP2001278829A JP2003086537A JP 2003086537 A JP2003086537 A JP 2003086537A JP 2001278829 A JP2001278829 A JP 2001278829A JP 2001278829 A JP2001278829 A JP 2001278829A JP 2003086537 A JP2003086537 A JP 2003086537A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
pattern
transparent
thin film
film pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2001278829A
Other languages
English (en)
Inventor
Osamu Shinoura
治 篠浦
Original Assignee
Tdk Corp
ティーディーケイ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tdk Corp, ティーディーケイ株式会社 filed Critical Tdk Corp
Priority to JP2001278829A priority Critical patent/JP2003086537A/ja
Publication of JP2003086537A publication Critical patent/JP2003086537A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【課題】 簡便、安価な薄膜パターンの製造方法を提供
する。 【解決手段】 透明な材料により構成され、表面に凹凸
形状のパターンが形成された部材を有する構造体により
単分子膜パターンを基体に転写する工程を含むことを特
徴とする薄膜パターン製造方法であり、透明な材料によ
り構成された構造体を用いることにより構造体を通して
基体上のアライメントマークを観察することで正確な位
置あわせを行うことができる。また、構造体として、透
明な材料により構成され、表面に凹凸形状のパターンが
形成された部材と、透明な基板を有する構造体を用いて
も正確な位置あわせを行うことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は各種電子部品、通
信、記録等の分野に用いられるパターン転写を利用した
薄膜パターンの製造方法および構造体に関する。特に、
高精度のパターン重ね合わせが可能な構造体とその製造
方法に関する。
【0002】
【従来の技術】プリント配線基板、薄膜インダクタ、薄
膜トランス、各種センサ、フレキシブルスイッチ、バッ
テリー電極、太陽電池、帯電防止用保護膜、電磁シール
ド用筐体、集積回路、モーター用筐体、フラットディス
プレイパネル等の各種電子部品、通信、記録等の分野に
おいてはパターン転写による薄膜パターン形成が広く用
られている。
【0003】そして、このようなパターン形成において
は、通常、半導体産業で発展してきたレジストを用いた
フォトリソグラフィーが用いられている。このようなフ
ォトリソグラフィによる薄膜パターン形成方法は、ステ
ッパー等の高価な装置を必要としていた。
【0004】一方、高価な装置を必要とする一般的なフ
ォトリソグラフィーを用いることなく、スタンプ、すな
わちあらかじめ作製された凹凸形状のパターンが形成さ
れた構造体を用いた薄膜パターンの製造方法が知られて
いる。米国特許5512131号公報には自己組織化単
分子膜を利用して、凸凹を有するシリコンゴム構造体に
より自己組織化単分子膜パターンを基体上に転写し、こ
れをエッチングして微細パターンを作製するマイクロス
タンプ法が提案されている。さらに、同様のマイクロス
タンプ法は、アプライド フィジックス レター、63
巻、2002ページ(1993年)、ラングミュラ、1
2巻、1375ページ(1996年)、ラングミュラ、
10巻、1498ページ(1994年)にも開示されて
いる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記のマイクロスタン
プ法は、高価な装置を用いることなく簡便にパターニン
グが可能な方法であるが、精度的には、一般的なフォト
リソグラフィによるパターン形成に劣らざるを得なかっ
た。その原因のひとつは温度による構造体の変形であ
る。すなわち、構造体自体の熱膨張、熱収縮がパターニ
ング精度に大きく影響していた。例えば、構造体材料と
して一般的なシリコンゴム系材料の場合、熱膨張係数は
150〜350ppm/Kであり、パターンを形成する
シリコン(熱膨張係数:2ppm/K)やアルミナ(熱
膨張係数:8ppm/K)、ポリイミド(熱膨張係数:
10〜20ppm/K)に比べて遙かに大きい。このた
めに、例えば、8インチウエハを使用した場合に、構造
体とウエハの熱膨張係数が200ppm異なると、1℃
の温度変化で20μm以上のずれが生じてしまう。この
ため、正確な、再現性のあるパターニングを実現するた
めには、作業時の温度管理が重要なことは明らかであっ
た。しかし、この温度管理は単に作業場の室温を管理し
ただけでは十分ではなく、また、実際に転写作業を行う
時点においてパターンがずれていることが判明した場合
には、作業所全体の加温または冷却が必要であり、膨大
な設備と労力を必要としていた。
【0006】さらに、電子部品等では基体上に形成され
ている薄膜パターンの上に、第2、第3の薄膜パターン
を重ねて形成する複数回のパターニングが一般的であ
る。この際、パターン間の相対位置合わせが特に重要と
なる。しかし、従来のマイクロスタンプ法では、構造体
の凹凸形状パターンを基体上に正確に位置合わせをする
ことが困難であり、高精度のパターニングに用いること
が困難であった。特に、構造体が熱膨張、熱収縮により
寸法変形している場合には、ウエハの全体にわたって位
置合わせを行うことは不可能であった。
【0007】このような実状のもとに本発明は創案され
たものであり、その目的はフォトリソグラフィ等の手法
と同等の高い精度のマイクロスタンプ法による薄膜パタ
ーンの製造方法および構造体を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記のような課題は以下
の(1)乃至(11)のいずれかの本発明により解決さ
れる。 (1)透明な材料により構成され、表面に凹凸形状のパ
ターンが形成された部材を有する構造体により単分子膜
パターンを基体に転写する工程を含むことを特徴とする
薄膜パターン製造方法。 (2)透明な材料により構成され、表面に凹凸形状のパ
ターンが形成された部材と、透明な基板を有する構造体
により単分子膜パターンを基体に転写する工程を含むこ
とを特徴とする薄膜パターン製造方法。 (3)前記部材の凹凸形状のパターンが形成された面お
よび前記基体にアライメントマークを有し、前記基体側
のアライメントマークと前記部材側アライメントマーク
を前記透明基体側から観察することにより前記部材と前
記基体の相対的な位置をあわせることを特徴とする
(1)または(2)に記載の薄膜パターン製造方法。 (4)前記構造体は温度制御素子を有し、温度制御され
ていることを特徴とする(1)乃至(3)のいずれかに
記載の薄膜パターン製造方法。 (5)透明な材料により構成され、表面に凹凸形状のパ
ターンが形成された部材を有することを特徴とする構造
体。 (6)透明な材料により構成され、表面に凹凸形状のパ
ターンが形成された部材と、透明な基板を有することを
特徴とする構造体。 (7)前記透明な基板が非可撓性であることを特徴とす
るを(6)に記載の構造体。 (8)前記凹凸形状のパターンはアライメントマークを
有することを特徴とする(5)乃至(7)のいずれかに
記載の構造体。 (9)前記部材がシリコンゴム、熱硬化性樹脂、放射線
硬化性樹脂、オレフィン樹脂のいずれかにより構成され
ることを特徴とする(5)乃至(8)のいずれかに記載
の構造体。 (10)前記構造体は温度制御素子を有することを特徴
とする(5)乃至(9)のいずれかに記載の構造体。 (11)前記構造体は基体上に単分子膜パターンを転写
することを特徴とする(5)乃至(10)のいずれかに
記載の構造体。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的実施の形態
について詳細に説明する。
【0010】マイクロスタンプ法は、凹凸形状パターン
が形成された部材を有する部材を有する構造体により基
体上にパターンを転写し、これを用いて薄膜パターンを
形成させる方法で、以下のような特徴がある。
【0011】凹凸のパターンを持つ1つの構造体を用い
て、多数の基体に押し当てることにより、多数のパター
ンを製造することができ、量産が容易である。凹凸のパ
ターンを持つ構造体は、1つの凹凸のパターンを持つマ
スター基体をもとに作製できるが、このマスター基体を
作製するときは量産性を考慮する必要がないので、光、
電子線などを用いた様々な方法を選択することができ、
また最低限1つ作製すればよいため、量産性を考慮した
装置を必要とせず、量産性の低い電子線露光装置でもマ
スター基体を作製することが可能である。
【0012】マイクロスタンプ法によるパターン転写は
単分子膜、特に自己組織化単分子膜を用いることが一般
的である。自己組織化単分子膜(Self−assem
bled monolayer,SAM)とは、特定の
分子を含む有機溶媒に特定の材質からなる基体を浸漬さ
せたときに自発的に形成される単分子膜である。例え
ば、SiO2やAl23のような酸化物からなる基体に
対して、R−Si(OR’)3のような有機シラン化合
物により構成される単分子膜が形成され、金、銀、銅の
ような金属からなる基体に対して、アルカンチオール
(R−SH)やジアルキドジスルフィド(R−SS−
R)のような有機イオウ化合物膜、白金からなる基体に
対して、アルコール(R−OH)やアミン(R−N
2)化合物膜が形成される。この自己組織化単分子膜
を基体上に形成することで、基体表面の自己組織化単分
子膜が形成された部分は、前記エッチング溶液あるいは
めっき溶液等の水溶液の浸漬から保護される。
【0013】この自己組織化単分子膜は特定の材質の膜
であらかじめ被覆しておいた基体であっても形成でき
る。このため、本発明に用いる基体は、ガラス、セラミ
ック、プラスチックのような絶縁体、シリコンのような
半導体、銅のような導体からなる基体も用いることが可
能である。
【0014】本発明において構造体は、透明な材料によ
り構成され、表面に凹凸形状のパターンが形成された部
材を有する。部材を透明な材料により構成することによ
って、凹凸のパターンのある構造体面に対向する反対面
から観察することができる。このため、単分子膜が転写
される基体上の既に形成されているパターンと、新規に
転写するパターンとの位置あわせを容易に行うことがで
きる。ここで、透明な材料とは可視光による目視、ある
いは電気的な撮像管等によってのみ観察可能な可視光外
の波長領域であっても良いが、その材料の下にある物を
観察可能な材料を指す。なお、材料が完全に透明でな
く、例えば半透明の場合には、その実際の透過率によっ
て本発明における”透明”であるかが決定される。すな
わち、材料自体の透明度に加えて、材料の観察方向の厚
さが”透明”であるかを判断するための要因として加わ
る。このため、構造体を通して観察することにより構造
体のパターンと基体のパターンの位置あわせをアライメ
ントマークを用いてすることが出来れば、本発明におけ
いては”透明”であると判断される。
【0015】透明な材料により構成される部材はパター
ンを基体上に忠実に転写する必要があるため、膨潤しに
くい適度な硬さを持つ剥離性のよい材料により構成され
る。具体的にはシリコンゴム、フルオロシリコンゴム、
フッ素ゴム等の市販されている型取り用シリコン樹脂あ
るいは熱硬化樹脂、紫外線や電子線の照射により硬化す
る放射線硬化樹脂、オレフィン樹脂を用いることができ
る。特に紫外線硬化型透明性樹脂を用いることで、型か
らの取り出しが容易になる。これは硬化反応により樹脂
が収縮するためである。特に好ましく用いることの出来
る樹脂は、シリコン樹脂である。
【0016】部材の形状は平板上の形状が好ましい。ま
た、部材の厚さは上述のように透明であるかを判断する
要因であり、厚さは薄い程透過率が高く精度の高い位置
あわせが可能となる。このため、部材の厚さは好ましく
は10mm以下、特に好ましくは1mm以下である。前
記範囲を超えると部材を透過する透過光の減少、屈折に
よる位置あわせの誤差が発生しやすくなる。さらに温度
による部材の変形が顕著となる。部材の厚さの下限は凹
凸のパターンの凹凸の2倍、すなわち0.01mm程度
である。前記範囲未満では部材の製造が困難となる。
【0017】また、凹凸のパターンのある面と対向する
反対面の平面度も重要となる。これは凹凸や曲面が形成
されていると、それがレンズの作用をして透過観察した
際の誤差の原因となる。このため、本発明の構造体は透
明な材料により構成される部材のみであっても良いが、
さらに透明な基板を有することが好ましい。すなわち、
前述のように凹凸のパターンのあるスタンプ面と対向す
る反対面に密着して透明な基板を有することが好まし
い。特にこの透明な基板はガラス基板等の非可撓性基板
であることが好ましい。このように透明な非可撓性基板
を有する構造体とすることで、凹凸のパターンのあるス
タンプ面と対向する反対面の平面度が改善されて、より
明瞭にアライメントマーク等が観察可能となる。すなわ
ち、この透明基板は平面性が良いことも大切である。ま
た、このような非可撓性基板は構造体の支持体としても
作用し作業性が大幅に向上する。なお、透明な基板は、
全面が同一材質であることが好ましいが、特に必要があ
る場合には、アライメントマークを観察する部分だけが
透明であっても差し支えない。
【0018】本発明の構造体の作製は、例えば、図1に
示したように行う。シリコンウエハ10にレジストを塗
布し、微細パターンを電子線露光後、現像し、レジスト
パターン20が形成される(図1−A)。シリコンウエ
ハをエッチングすることにより、凹凸のパターンが形成
されたシリコンウエハマスター基体11を作製する(図
1−B)。シリコンウエハマスター基体11に部材の材
料であるシリコンゴム30を流し込んだ後、硬化させる
(図1−C)。シリコンウエハマスター基体11を剥離
することで、凹凸のパターンを持つ部材31を得る(図
1−D)。また、剥離を容易にするためシリコンウエハ
マスター基体11に離型材層を形成しておいても良い。
その場合、離型材層として蒸着法などにより形成された
ステアリン酸アミド層等を用いることができ、層厚は5
乃至10nmとすればよい。なお、本発明においては、
透明な基板40を有することが好ましい。透明な基板4
0は構造体の作製時に未硬化の部材の上に予め貼り付け
ておく。透明な基板40と構造体30の接着強度を確保
するために、透明な基板40にアンカー効果を目的とし
た溝41を設けておくことが好ましい。構造体31はパ
ターンを基体に転写するため単分子膜110を一時的に
保持する(図1−E)。
【0019】構造体材料として用いることができるシリ
コンゴムあるいは熱硬化樹脂、放射線硬化樹脂、オレフ
ィン樹脂の熱膨張係数は、150〜350ppm/Kで
あるために、シリコンウエハマスターからの型取りの際
の雰囲気温度は厳密に管理されることが好ましい。この
時の管理温度は、実際に構造体が使用される際の温度を
基準として、±3℃、好ましくは±1℃である。前記範
囲を越えると、パターン精度が低下する。
【0020】しかし、本発明においては、型取りの際の
雰囲気温度と使用温度が異なる場合にも、使用時の構造
体の温度を制御することで、構造体を膨張、収縮させて
高い精度による位置あわせを行うこともできる。すなわ
ち、図2に示すように、部材31を透明な基板40と密
着させ、さらにペルチェ素子などの温度制御素子50を
透明な基板40に設ける。温度制御素子50は部材31
に設けても良い。温度制御素子50は図示はしていない
温度制御装置により制御される。なお温度制御素子とし
ては、各種の熱交換器が使用可能であるが、上述したペ
ルチェ素子が小型軽量で有ることから好ましい。ここで
91,92は、構造体上に設けられたアライメントマー
クであり、101,102は基体70上に設けられたア
ライメントマークである。
【0021】構造体と基体との位置あわせ(アライメン
ト)は、このように構造体と基体それぞれ2カ所以上に
形成されたアライメントマークにより行う。図3に基体
上に形成するアライメントマークの例(図3−A)、構
造体側に形成するアライメントマークの例(図3−
B)、および構造体上面から観察してアライメントが合
っている状態すなわち構造体と基体との位置あわせが良
好な場合の例(図3−C)を示す。もちろん、上記アラ
イメントマークは一例にすぎず、目的に応じて各種の形
状のマークが使用可能である。
【0022】構造体が設計時の寸法よりも熱膨張あるい
は収縮している場合には、基体および構造体上の一定の
間隔を隔てた2組のアライメントマーク(例えば図2に
おける91と101の組と92と102の組)を同時に
合わせることは不可能となる。この場合、構造体の温度
を制御して、構造体自体を膨張収縮させ、アライメント
マークの間隔を所期の間隔とすることができる。
【0023】本発明のおいて特に好ましく用いることが
出来る自己組織化単分子膜はアルカンチオールであり、
RSH(Rは置換もしくは非置換の脂肪族、脂環式又は
芳香族の炭化水素基を示す。)で表わされるものを用い
ることができる。特に好ましくは高純度の薬品を入手が
容易なヘキサデカンチオールである。また、これらの自
己組織化単分子膜は加熱処理などを行うことにより容易
に剥離することができる。
【0024】さらに、自己組織化単分子膜パターンに対
して反転パターンとなる水溶性高分子により高分子マス
クを形成することもできる。具体的には、自己組織化単
分子膜パターンを形成した後、水溶性高分子を適量溶解
した高分子溶液に基体を浸漬し、引き上げるディップコ
ート法、あるいはスピンコート法などの方法により水溶
性高分子膜を基体上に形成する。上記溶液の膜を乾燥、
好ましくは硬化させることにより自己組織化単分子膜パ
ターンに対して反転パターンとなる高分子マスクを形成
することができる。
【0025】この高分子マスクを用いて、公知の金属薄
膜をパターニングする。例えば、特開2001−203
109号公報に開示されている、通常はフォトレジスト
を用い行われている高アスペクト比の構造体を形成する
ための電気めっき法による成膜パターニングも可能であ
る。
【0026】このような本発明の構造体は、磁性膜やコ
イルの金属薄膜のパターニングを必要とする薄膜インダ
クタなどの磁気デバイスをはじめ、コイルのパターニン
グを必要とする光部品、さらにはスタンパ等の製造に適
用することができる。
【0027】
【実施例】以下、本発明による実施例および比較例を示
し、本発明を図4を用いて具体的に説明する。本実施例
では本発明の構造体を用いて微細な金属配線である薄膜
パターンが形成された薄膜インダクタを作製した。ただ
し、本発明は本実施例に制限されるものではない。
【0028】[シリコンウエハマスターの作製]シリコ
ンウエハ上にフォトレジストを塗布し、電子線をパター
ン照射後、現像してパターンを作り、これをフッ酸でエ
ッチングして、凹凸形状のパターンを持つシリコンウエ
ハマスターを作製した。
【0029】[シリコンゴム構造体の作製]構造体を型
取り用透明シリコンゴム(信越化学工業(株)製:KE
−1603)により作製した。KE−1603AとKE
−1603B、各500gを混合し、減圧脱泡した後、
上記シリコンウエハマスター上に流し込んだ。さらに、
その上に1mmのスペーサーを介して透明な基板40と
してアンカー効果のための溝を形成済みの0.7mm厚
のガラス基板をシリコンゴムに密着させた。シリコンゴ
ムは未硬化であるため、余剰のゴムはガラス基板とシリ
コンマスターの間からはみ出した。その状態で、室温で
24時間静置して硬化させシリコンゴムからなる部材3
1とした。硬化後シリコンウエハマスターからガラス基
板付きシリコンゴムを剥離することで、シリコンウエハ
マスターのパターンが転写されたシリコンゴム部材とガ
ラス基板を有する構造体を得た。シリコンゴムの厚さは
1mmであった。このガラス基板を有するシリコンゴム
構造体のガラス面にペルチェ素子からなる温度制御素子
50を貼り付け、構造体を完成させた(図4−A)。ま
た、この構造体には、アライメントマーク91,92が
設けてある。なお、図4ではペルチェ素子の温度制御コ
ントローラ等は図示していない。
【0030】[単分子膜パターンの転写]ガラス基体上
に、下部導体層および絶縁層103がすでに形成されて
いる薄膜インダクタ作製用ウエハである基体70を用意
した。また、シリコンゴム構造体の位置あわせのための
基体側のアライメントマーク101,102もすでに形
成されているものを使用した。
【0031】アルカンチオール(1−ヘキサデカンチオ
ール、以下、HDTと略す)1.0gをエタノール3
2.3gに溶解させ単分子溶液とした。そして、構造体
をHDTに含浸させ凹凸パターン面に単分子膜110を
保持させた(図4−B)。
【0032】基体のアライメントマークと、構造体のア
ライメントマークは、構造体上面から明瞭に観察可能で
あった。そこで、アライメントを試みたが、左右2カ所
にある2組のアライメントマーク(91と101,92
と102)を同時に合わせることは出来なかった。これ
は、設計の際の気温に比べて作業時が高温で、熱膨張に
より構造体の寸法に誤差が生じているためであった。そ
こで、ペルチェ素子を用いて構造体温度を冷却し、補正
したところ、左右のアライメントマークを同時に合わせ
ることが可能となった。そこで、構造体を基体に押し当
てて、HDTのパターンを、転写形成し、2mmHg/
50℃の条件で乾燥させ単分子膜パターン111とした
(図4−C)。なお、シリコンゴムは柔軟性があるため
に、基体70に予め形成されている表面の凹凸に関係無
く、所望の位置にHDTのパターンが形成することがで
きる。
【0033】[水溶性高分子マスク作製]HDTは高精
度パターンが形成可能であるが、剥離しやすい欠点を有
する。そこで、HDTに影響を与えることが少なく剥離
の心配のないポリビニルアルコール10wt%水溶液を
乾燥後膜厚で2μmとなるようにスピンコート法により
塗布した。、親水性のポリビニルアルコール水溶液層は
疎水基が表面に出ているHDTの上には形成されない。
こののち、硬化処理を行い高分子膜120を形成した
(図4−D)。
【0034】[HDT除去工程]基体を超純水で洗浄
後、真空中熱処理炉にて90℃で0.5時間の熱処理を
行いHDTを除去した(図4−E)。これにより、HD
Tパターンに対して反転マスクとなるポリビニルアルコ
ールHDTよりも堅牢な特性を有する高分子マスク12
1を形成することができる。
【0035】[電気めっき膜形成工程]次に電気めっき
法により厚さ5μmの銅薄膜を形成した(図4−F)。
この時のめっき液は以下の組成とした。また、めっき条
件は、めっき液の温度は室温、スターラー攪拌、電流密
度3A/dm2 とし、めっき時間は15分間とした。
【0036】[電気銅めっき液組成] 硫酸銅 :80g/l 硫酸 :200g/l 光沢剤 :適量 塩素イオン :50mg/l [水溶性高分子マスク剥離工程]水溶性高分子マスク
を、専用剥離液で剥離し、所望の薄膜パターンが形成さ
れた薄膜インダクタが多数形成された基体を得ることが
できた(図4−G)。この基体を実施例1とする。
【0037】[評価]実施例1の基体上に形成された薄
膜インダクタをプローブテスターを用いて、基体全面に
おいて、導通テストを行ったところ、250カ所の測定
点全てにおいて不良個所は認められなかった。すなわち
微細な金属配線である薄膜パターンがウエハ全面で、短
絡、絶縁等の問題なく形成されていることが確認され
た。
【0038】(実施例2)実施例1と同じ手法でシリコ
ンゴム部材を作製した。しかし、透明な基板であるガラ
ス基板を使用しないで、構造体凹凸面の対向面は、大気
として硬化させた。その結果、緩やかなうねりのある面
となった。また、温度制御素子は部材に密着させて設け
た。基体とのアライメント合わせを試みたが、構造体が
変形しやすいために、そして構造体上面からアライメン
トマークは歪んで観察された。温度変化により設計時と
寸法が異なっていたため温度制御素子を用いて位置をあ
わせをおこなったところ、アライメントの精度はガラス
基板を有する実施例1よりも劣ったものの位置をあわせ
ることは可能であった。
【0039】(比較例1)実施例1と同じ手法で、白色
シリコン樹脂KE−1300を用いてシリコンゴム部材
のみからなる構造体を作製した。構造体と基体との位置
合わせを試みたが、構造体上面から基体のアライメント
マークが確認出来なかったため、位置をあわせることは
不可能であった。
【0040】
【発明の効果】上述のように本発明の効果は明らかであ
る。本発明により、安価で簡便な工程により、精度の高
いパターン形成を行うことができる。これにより、本発
明の構造体は各種電子部品を製造するための治具として
用いられるとともに、本発明の製造方法は、各種プリン
ト配線基板、薄膜インダクタ、フレキシブルスイッチ、
バッテリー電極、太陽電池、センサー、帯電防止用保護
膜、電磁シールド用筐体、集積回路、モーター用筐体、
フラットディスプレイパネル等の電子デバイスなどの電
気、電子、通信、記録等の広範な分野において、パター
ンの形成に応用可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の構造体を用いた薄膜パターンの製
造方法の一例による工程を示す図である。
【図2】 本発明の薄膜パターンの製造方法の一例に
おけるアライメントを示す図である。
【図3】 アライメントマークの一例を示す図であ
る。
【図4】 本発明の構造体を用いた薄膜パターンの製
造方法の一例による工程を示す図である。
【符号の説明】
10 シリコンウエハ 20 フォトレジスト 30 シリコンゴム 31 部材 40 透明な基板 41 溝 50 ペルチェ素子 70 基体 91,92 構造体のアライメントマーク 101、102 基体上に形成済みのアライメントマー
ク 103 下部導体層および絶縁層 110 単分子膜 120 高分子層 121 高分子マスク 130 電気めっき層

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 透明な材料により構成され、表面に凹凸
    形状のパターンが形成された部材を有する構造体により
    単分子膜パターンを基体に転写する工程を含むことを特
    徴とする薄膜パターン製造方法。
  2. 【請求項2】 透明な材料により構成され、表面に凹凸
    形状のパターンが形成された部材と、透明な基板を有す
    る構造体により単分子膜パターンを基体に転写する工程
    を含むことを特徴とする薄膜パターン製造方法。
  3. 【請求項3】 前記部材の凹凸形状のパターンが形成さ
    れた面および前記基体にアライメントマークを有し、前
    記基体側のアライメントマークと前記部材側アライメン
    トマークを前記透明基体側から観察することにより前記
    部材と前記基体の相対的な位置をあわせることを特徴と
    する請求項1または2に記載の薄膜パターン製造方法。
  4. 【請求項4】 前記構造体は温度制御素子を有し、温度
    制御されていることを特徴とする請求項1乃至3のいず
    れかに記載の薄膜パターン製造方法。
  5. 【請求項5】 透明な材料により構成され、表面に凹凸
    形状のパターンが形成された部材を有することを特徴と
    する構造体。
  6. 【請求項6】 透明な材料により構成され、表面に凹凸
    形状のパターンが形成された部材と、透明な基板を有す
    ることを特徴とする構造体。
  7. 【請求項7】 前記透明な基板が非可撓性であることを
    特徴とするを請求項6に記載の構造体。
  8. 【請求項8】 前記凹凸形状のパターンはアライメント
    マークを有することを特徴とする請求項5乃至7のいず
    れかに記載の構造体。
  9. 【請求項9】 前記部材がシリコンゴム、熱硬化性樹
    脂、放射線硬化性樹脂、オレフィン樹脂のいずれかによ
    り構成されることを特徴とする請求項5乃至8のいずれ
    かに記載の構造体。
  10. 【請求項10】 前記構造体は温度制御素子を有するこ
    とを特徴とする請求項5乃至9のいずれかに記載の構造
    体。
  11. 【請求項11】 前記構造体は基体上に単分子膜パター
    ンを転写することを特徴とする請求項5乃至10のいず
    れかに記載の構造体。
JP2001278829A 2001-09-13 2001-09-13 構造体を用いた薄膜パターン製造方法および構造体 Withdrawn JP2003086537A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001278829A JP2003086537A (ja) 2001-09-13 2001-09-13 構造体を用いた薄膜パターン製造方法および構造体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001278829A JP2003086537A (ja) 2001-09-13 2001-09-13 構造体を用いた薄膜パターン製造方法および構造体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003086537A true JP2003086537A (ja) 2003-03-20

Family

ID=19103127

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001278829A Withdrawn JP2003086537A (ja) 2001-09-13 2001-09-13 構造体を用いた薄膜パターン製造方法および構造体

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003086537A (ja)

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005183985A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Komag Inc インプリント・リソグラフィのための複合スタンパ
JP2006005023A (ja) * 2004-06-15 2006-01-05 Dainippon Printing Co Ltd インプリント方法、インプリント装置とその型部材、および該インプリント方法を用いた半導体素子形成のためのパターニング方法。
JP2007190734A (ja) * 2006-01-18 2007-08-02 Hitachi Ltd パターン形成方法およびモールド
JP2007230229A (ja) * 2006-02-01 2007-09-13 Canon Inc インプリント用モールド、該モールドによる構造体の製造方法、部材の製造方法
JP2007305647A (ja) * 2006-05-09 2007-11-22 Toppan Printing Co Ltd ナノインプリント装置及びナノインプリント方法
JP2007335873A (ja) * 2006-06-13 2007-12-27 Lg Philips Lcd Co Ltd ソフトモールドの形成方法及びソフトモールドの形成装置
JP2008507114A (ja) * 2004-04-27 2008-03-06 ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニヴァーシティー オブ イリノイ ソフトリソグラフィ用複合パターニングデバイス
JP2008522867A (ja) * 2004-12-10 2008-07-03 エシロール アンテルナシオナル (コンパニー ジェネラレ ドプテイク) パターニング用スタンプ、該スタンプの製造方法、および該スタンプを用いて対象物を製造する方法
JP2009545163A (ja) * 2006-07-24 2009-12-17 ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー. 接触リソグラフィのための位置合わせ
JP2011101016A (ja) * 2002-08-01 2011-05-19 Molecular Imprints Inc インプリント・リソグラフィの散乱計測アラインメント
JP2011140225A (ja) * 2011-01-31 2011-07-21 Hitachi Ltd パターン形成方法およびモールド
JP2012019010A (ja) * 2010-07-07 2012-01-26 Toshiba Corp インプリント用テンプレート、インプリント用テンプレートの製造方法及びパターン形成方法
US20120082745A1 (en) * 2010-10-04 2012-04-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Patterning mold and manufacturing method thereof
US8253941B2 (en) 2006-05-09 2012-08-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus for manufacturing display panel and method for manufacturing the same
JP2013028150A (ja) * 2011-06-22 2013-02-07 Teijin Chem Ltd 成形品の成形方法
JP2013102132A (ja) * 2011-10-14 2013-05-23 Canon Inc インプリント装置、それを用いた物品の製造方法
JP2015111708A (ja) * 2011-10-14 2015-06-18 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、及びデバイス製造方法

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011101016A (ja) * 2002-08-01 2011-05-19 Molecular Imprints Inc インプリント・リソグラフィの散乱計測アラインメント
JP4712370B2 (ja) * 2003-12-19 2011-06-29 コマーグ・インコーポレーテッド インプリント・リソグラフィのための複合スタンパ
JP2005183985A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Komag Inc インプリント・リソグラフィのための複合スタンパ
JP2008507114A (ja) * 2004-04-27 2008-03-06 ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニヴァーシティー オブ イリノイ ソフトリソグラフィ用複合パターニングデバイス
JP2006005023A (ja) * 2004-06-15 2006-01-05 Dainippon Printing Co Ltd インプリント方法、インプリント装置とその型部材、および該インプリント方法を用いた半導体素子形成のためのパターニング方法。
JP2008522867A (ja) * 2004-12-10 2008-07-03 エシロール アンテルナシオナル (コンパニー ジェネラレ ドプテイク) パターニング用スタンプ、該スタンプの製造方法、および該スタンプを用いて対象物を製造する方法
JP2007190734A (ja) * 2006-01-18 2007-08-02 Hitachi Ltd パターン形成方法およびモールド
US8268209B2 (en) 2006-01-18 2012-09-18 Hitachi, Ltd. Pattern forming method and its mold
JP4735280B2 (ja) * 2006-01-18 2011-07-27 株式会社日立製作所 パターン形成方法
JP2007230229A (ja) * 2006-02-01 2007-09-13 Canon Inc インプリント用モールド、該モールドによる構造体の製造方法、部材の製造方法
US8253941B2 (en) 2006-05-09 2012-08-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus for manufacturing display panel and method for manufacturing the same
JP2007305647A (ja) * 2006-05-09 2007-11-22 Toppan Printing Co Ltd ナノインプリント装置及びナノインプリント方法
JP4695117B2 (ja) * 2006-06-13 2011-06-08 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド ソフトモールドの形成方法及びソフトモールドの形成装置
JP2007335873A (ja) * 2006-06-13 2007-12-27 Lg Philips Lcd Co Ltd ソフトモールドの形成方法及びソフトモールドの形成装置
JP2009545163A (ja) * 2006-07-24 2009-12-17 ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー. 接触リソグラフィのための位置合わせ
JP2012019010A (ja) * 2010-07-07 2012-01-26 Toshiba Corp インプリント用テンプレート、インプリント用テンプレートの製造方法及びパターン形成方法
US20120082745A1 (en) * 2010-10-04 2012-04-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Patterning mold and manufacturing method thereof
US8894406B2 (en) * 2010-10-04 2014-11-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Patterning mold and manufacturing method thereof
JP2011140225A (ja) * 2011-01-31 2011-07-21 Hitachi Ltd パターン形成方法およびモールド
JP2013028150A (ja) * 2011-06-22 2013-02-07 Teijin Chem Ltd 成形品の成形方法
JP2013102132A (ja) * 2011-10-14 2013-05-23 Canon Inc インプリント装置、それを用いた物品の製造方法
JP2015111708A (ja) * 2011-10-14 2015-06-18 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、及びデバイス製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003086537A (ja) 構造体を用いた薄膜パターン製造方法および構造体
TWI279830B (en) Compliant template for UV imprinting
US7955545B2 (en) Nano-imprinting process
KR100333457B1 (ko) 마이크로렌즈를 형성하기 위한 몰드 및 그 제조 방법
KR20010030001A (ko) 디바이스제조를 위한 리소그래피 공정
US20130266727A1 (en) Methods for providing patterned orientation templates for self-assemblable polymers for use in device lithography
US20050159019A1 (en) Method for manufacturing large area stamp for nanoimprint lithography
CN108761600B (zh) 一种预应力辅助纳米压印制作高密度衍射光栅的方法
JP2007506281A (ja) 位置合わせマークを有するインプリント・リソグラフィ・テンプレート
CN102914947B (zh) 静电夹持装置、光刻设备和制造静电夹持装置的方法
JP2008126450A (ja) モールド、その製造方法および磁気記録媒体
WO2016008277A1 (zh) 一种有机单晶场效应电路及其制备方法
JP2014167992A (ja) パターン形成方法
Lev Fabrication of micro-magnetic traps for cold neutral atoms
JP2000043054A (ja) マイクロ構造体、マイクロレンズ及びその作製方法
US20100170870A1 (en) Imprint process of thermosetting material
CN112349869A (zh) 一种纳米压印制备oled阳极的方法
KR20100031570A (ko) 질화규소, 탄화규소 또는 옥시질화규소 막을 갖는 템플레이트
KR101652339B1 (ko) 자기조립 단분자막에 의하여 처리된 몰드를 이용한 패턴 형성 방법
CN110767806A (zh) 一种有机薄膜晶体管及其制备方法和显示器件
JP5477562B2 (ja) インプリント方法および組みインプリントモールド
JP6314609B2 (ja) インプリントレプリカモールド及びインプリントレプリカモールドの製造方法
Black et al. Microfabrication of two layer structures of electrically isolated wires using self-assembly to guide the deposition of insulating organic polymer
EP3907562A1 (en) Template preparation method
JP2014065231A (ja) インプリントモールド及びインプリントモールドの製造方法並びにパターン成形体

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20081202