TWI679716B - 可撓性電子裝置之製造方法 - Google Patents

可撓性電子裝置之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI679716B
TWI679716B TW105123977A TW105123977A TWI679716B TW I679716 B TWI679716 B TW I679716B TW 105123977 A TW105123977 A TW 105123977A TW 105123977 A TW105123977 A TW 105123977A TW I679716 B TWI679716 B TW I679716B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
electronic device
resin film
film substrate
glass substrate
flexible electronic
Prior art date
Application number
TW105123977A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201732982A (zh
Inventor
田中康一
Kohich TANAKA
鳴瀧陽三
Yozo Narutaki
岸本克彦
Katsuhiko Kishimoto
Original Assignee
鴻海精密工業股份有限公司
Hon Hai Precision Industry Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 鴻海精密工業股份有限公司, Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. filed Critical 鴻海精密工業股份有限公司
Publication of TW201732982A publication Critical patent/TW201732982A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI679716B publication Critical patent/TWI679716B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/189—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components characterised by the use of a flexible or folded printed circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H01L2221/68331—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding of passive members, e.g. die mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12044—OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10128—Display
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/851—Division of substrate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

本發明提供一種能夠不增加步驟地製造可撓性電子裝置，玻璃基板能夠再利用、且從玻璃基板卸下的可撓性電子裝置之損傷、角彎折之虞少的可撓性電子裝置的製造方法。在玻璃基板10之上形成的樹脂薄膜基板11之上，更進一步地形成電子裝置構造2，對於裝置形成區域3，沿著四角形成有圓弧或倒角之矩形狀照射長波長的第1雷射光41，從樹脂薄膜基板11切割含有裝置形成區域3形成之電子裝置構造2的可撓性電子裝置1以後，從玻璃基板10的裏側對於樹脂薄膜基板11的全面照射短波長的第2雷射光42，使玻璃基板10與樹脂薄膜基板11的界面產生變質，而使得從玻璃基板10剝離樹脂薄膜基板11變容易。

Description

可撓性電子裝置之製造方法
本發明係關於一種使用有機發光二極體的影像顯示裝置等之可撓性電子裝置的製造方法。
近年來，在具有可撓性的樹脂薄膜基板之上形成有機發光二極體(OLED：Organic Light Emitting Diode)之影像顯示裝置已實用化了。在此類的可撓性樹脂薄膜基板之上形成影像顯示裝置等之可撓性電子裝置的情況下，將樹脂薄膜基板保持平坦是有必要的。因此，一般是將聚醯亞胺前驅物等之熱硬化性樹脂塗布於平坦的玻璃基板之上，更進一步地以一定的溫度進行燒成，進而形成在玻璃基板上保持有聚醯亞胺等的樹脂薄膜基板。接著，在被保持於玻璃基板之樹脂薄膜基板上形成用於驅動有機發光二極體之電路元件以後，再移入蒸鍍裝置中，藉由蒸鍍來形成反射電極(陽極)、電洞注入層、電洞輸送層、發光層、電子輸送層、電子注入層、具有透光性之極薄的金屬電極(陰極)等之有機發光二極體構造。然後，在樹脂薄膜基板之上形成由驅動電路及有機發光二極體構造構成的電子裝置構造以後，再從玻璃基板的裏側、即沒有形成樹脂薄膜基板之側照射紫外線等之短波長的第2雷射光，使玻璃基板與樹脂薄膜基板之界面產生變質，進而使得從玻璃基板剝除樹脂薄膜基板變容易。另外，將紅外線等之長波 長的第1雷射光從玻璃基板之表側照射在形成有電子裝置構造的區域之周圍，藉以從樹脂薄膜基板之上切割在其之上形成的可撓性電子裝置。在由1枚之樹脂薄膜基板來製造多數個可撓性電子裝置的情況下，依照使得各個可撓性電子裝置配列成陣列狀的方式來蒸鍍蒸鍍物質。接著，當可撓性電子裝置被形成時，為了從樹脂薄膜基板切割各個可撓性電子裝置，則使第1雷射光直線地掃描電子裝置的各邊的配列方向。
另外，如後述，在本發明有關之可撓性電子裝置的製造方法中，由於照射第1雷射光與第2雷射光之順序是不同的，因而將先出場的雷射光設為「第2雷射光」，將後出場的雷射光設為「第1雷射光」。又，所謂「電子裝置構造」係指由用以驅動在樹脂薄膜基板之上形成的有機發光二極體之電路元件、以及在電路元件上形成的反射電極(陽極)、電洞注入層、電洞輸送層、發光層、電子輸送層、電子注入層、金屬電極(陰極)所構成的有機發光二極體構造等之具有做為電子裝置的機能構造之意；所謂「可撓性電子裝置」係指含有電子裝置構造及其周圍的樹脂薄膜基板之已完成的電子構件之意(以下同樣)。
因此，在習用的可撓性電子裝置的製造方法中，由於第1雷射光為照射在玻璃基板之上形成的樹脂薄膜基板之全面，所以甚至是在可撓性電子裝置未使用的區域之樹脂薄膜基板也會從玻璃基板被剝除下來。因此，為了將驅動用的驅動器IC等連接於所製造的可撓性電子裝置，所以在將每一玻璃基板、可撓性電子裝置移送至後續的步驟之情況，必須依照不使可撓性電子裝置從玻璃基板之上落下的方式而慎重地處理玻璃基板。是以，若根據專利文獻1所記載之可撓性電子裝置的製造方法，為了抑制用以剝除樹脂薄膜基板用之第1雷射光在可撓性電子裝置被形成之裝置形成區域的周圍的穿透量，則形成例如矩形框體狀的剝離防止層，以使得只有在裝置形成區域中之玻璃基板 與樹脂薄膜基板的界面產生變質。其結果，即使在每一玻璃基板、可撓性電子裝置移送後續的步驟之情況下，由於剝離防止層被形成之部分的樹脂薄膜基板為附著於玻璃基板而具有做為導軌的機能，因而可撓性電子裝置就難以從玻璃基板之上落下來。
在上述之專利文獻1所記載之可撓性電子裝置的製造方法中，在裝置形成區域的周圍形成剝離防止層之步驟是必要的；又，在將玻璃基板再利用之情況下，則進一步從玻璃基板移除剝離防止層之步驟是必要的。其結果，則就成為導致可撓性電子裝置的製造成本上昇之原因了。又，由1枚的樹脂薄膜基板來製造多數個可撓性電子裝置之情況，為了提高構件的利用効率來減低製造成本，因而有使各個可撓性電子裝置(或裝置形成區域)的間隔更為狹窄化的傾向，於可撓性電子裝置保持於玻璃基板之上的狀態下，不能夠與配置有驅動器IC等之撓性印刷基板相連接，以致必須先從玻璃基板卸下可撓性電子裝置再進行貼附作業等。在那之際，由於各個可撓性電子裝置之四個角落的角是尖的，因而會有從玻璃基板卸下之可撓性電子裝置彼此接觸、因尖角導致可撓性電子裝置損傷之虞。另外，由於在放置聚醯亞胺薄膜等的樹脂薄膜基板時會有因吸水作用等之影響而導致反曲的傾向，所以當可撓性電子裝置之四個角落的角為尖的時候，任意接觸之際角就會有折彎之虞。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕特開2014-48619號公報
本發明係為了解決上述之習用例的問題而完成者，目的是提供一種能夠不必增加步驟地製造可撓性電子裝置，玻璃基板能夠再利用，即使從玻璃基板卸下的可撓性電子裝置彼此接觸也不會有可撓性電子裝置遭受損傷，而且角彎折之虞少的可撓性電子裝置的製造方法。
為了達成上述之目的，本發明有關之可撓性電子裝置的製造方法之特徵係在於具備：在玻璃基板的表面塗布熱硬化性樹脂，藉由將前述熱硬化性樹脂予以燒成而在前述玻璃基板的表面形成樹脂薄膜基板之步驟；在前述樹脂薄膜基板之上，於配列成陣列狀的設定之裝置形成區域分別形成電子裝置構造之步驟；對於前述裝置形成區域的每一個，沿著四角形成有圓弧或倒角之矩形狀照射長波長的第1雷射光，藉以從前述樹脂薄膜基板之其他的區域，分別切割含有在前述裝置形成區域形成的前述電子裝置構造之可撓性電子裝置之步驟；從沒有形成前述玻璃基板的前述樹脂薄膜基板之側，對於前述樹脂薄膜基板的全面照射短波長的第2雷射光，以使前述玻璃基板與前述樹脂薄膜基板的界面產生變質，並使得從前述玻璃基板剝離前述樹脂薄膜基板變容易之步驟。
配列成前述陣列狀之裝置形成區域所形成的電子裝置構造也可以是依照使得第1方向為相同向、第2方向為每隔1列相同向形成、且相鄰的2列為逆向的方來形成。
也可以是構成為：在照射前述第1雷射光之前、或在照射前述第1雷射光之後直到照射前述第2雷射光為止之間，在配列成前述陣列狀的裝置形成區域之中，依照使得配列成第1方向之裝置形成區域包含有1列或2列的第2方向的方式，對於前述玻璃基板及前述樹脂薄膜基板，於前述第1方向照射直線地切斷用的第3雷射光，藉以切斷前述玻璃基板及前述樹脂薄膜基板。
或者，前述玻璃基板也可以是構成為：第2方向的尺寸大小為足夠形成同方向的1個或2個前述裝置形成區域，且由第1方向的尺寸大小為比前述第2方向的尺寸大小還長的短柵狀片複數個配列於前述第2方向而成，在照射前述第1雷射光之際，沿著與前述第2方向相鄰接的2個前述短柵狀片的接觸面，於前述第1方向直線狀地照射前述第1雷射光，而將在前述樹脂薄膜基板之上配列成前述第1方向之前述裝置形成區域，於前述第2方向每1列或相鄰的每2列切斷所構成。
也可以是構成為：在前述第2方向每1列或相鄰的每2列被切斷、將在前述樹脂薄膜基板之上配列成前述第1方向之前述可撓性電子裝置與其他的電子構件相連接，然後，再照射前述第2雷射光。
也可以是構成為：在照射前述第1雷射光之際，在干擾其他的電子構件之位置，形成與使用前述可撓性電子裝置的電子機器相配合、並與前述其他的電子構件的形狀相對應的孔穴或截角。
根據本發明的可撓性電子裝置的製造方法，由於照射例如紫外線等的短波長的第2雷射光是在比使玻璃基板與樹脂薄膜基板的界面產生變質更早以前，例如，將紅外線等的長波長的第1雷射光照射在樹脂薄膜基板，而從樹脂薄膜基板之其他的區域，分別切割在裝置形成區域形成的可撓性電子裝置，所以藉由延遲照射第2雷射光的時間點(timing)，也能夠將複數個可撓性電子裝置保持於玻璃基板之上照原樣地將驅動器IC等其他的電子構件連接於可撓性電子裝置。又，由於第2雷射光是照射在樹脂薄膜基板的全面，所以能夠從玻璃基板簡單地移除樹脂薄膜基板，再利用玻璃基板就容易了。另外，由於是對於裝置形成區域的每一個，分別照射四角形成有圓弧或倒角之矩形狀的長波長的第1雷射光，所以完成的可撓性電子裝置的四個角落不是尖的，因 而即便是可撓性電子裝置彼此接觸，可撓性電子裝置遭受損傷、角彎折之虞也是會變少的。
1‧‧‧可撓性電子裝置
2‧‧‧電子裝置構造
3‧‧‧裝置形成區域
10‧‧‧玻璃基板
10a‧‧‧短柵狀片
11‧‧‧樹脂薄膜基板
11a‧‧‧樹脂材料
40‧‧‧第1雷射裝置
41‧‧‧第1雷射光
42‧‧‧第2雷射光
43‧‧‧第3雷射光
44‧‧‧第3雷射裝置
50‧‧‧撓性印刷基板
圖1是本發明第一實施方式的微型LED顯示面板的剖面示意圖。
圖1係顯示藉由本發明的一實施形態有關之可撓性電子裝置的製造方法，在玻璃基板之上形成的樹脂薄膜基板之上更進一步地將可撓性電子裝置配列成陣列狀來形成的形態之圖。
圖2(a)係顯示在可撓性電子裝置的四個角落形成的圓弧之圖；(b)係顯示在可撓性電子裝置的四個角落形成的截角之圖。
圖3係顯示可撓性電子裝置的外形之一例子的圖。
圖4係顯示在玻璃基板之上形成樹脂薄膜基板的步驟之圖。
圖5係顯示藉由蒸鍍在樹脂薄膜基板之上形成有機發光二極體構造的步驟之圖。
圖6係顯示從樹脂薄膜基板之其他的區域切割樹脂薄膜基板之上形成的可撓性電子裝置，進而更進一步地使玻璃基板與樹脂薄膜基板的界面產生變質之步驟的圖。
圖7係顯示在可撓性電子裝置之製造方法的第1變形例中切斷玻璃基板的步驟之圖。
圖8係顯示在被保持於切斷的玻璃基板(短柵狀片)之狀態下，將其他的電子構件連接於可撓性電子裝置的步驟之圖。
圖9係顯示在可撓性電子裝置之製造方法的第2變形例中，沿著構成玻璃基板之複數個短柵狀片的接合面照射雷射光，將配列成第1方向之裝置形成區域於第2方向每1列或相鄰的每2列切斷樹脂薄膜基板之步驟的圖。
對於本發明的一實施形態有關之可撓性電子裝置的製造方法，說明於下。圖1係顯示：在玻璃基板10之上形成有聚醯亞胺等的樹脂薄膜基板11，另外更進一步地在樹脂薄膜基板11之上將多數個可撓性電子裝置1及裝置形成區域3配列成陣列狀，在所製造的各個可撓性電子裝置1上分別形成電子裝置構造2的形態。對於可撓性電子裝置1的四個角落實施如圖2(a)所示這樣的圓弧1a、或如圖2(b)所示這樣的截角1b。例如，只要圓弧1a的曲率半徑R是在1~10mm的範圍即可。又，裝置形成區域3雖然是與可撓性電子裝置1的外形幾乎一致的，然而四個角落卻是沒有形成圓弧或截角之矩形狀的假想領域，且被設定成：在樹脂薄膜基板11之上被配列成陣列狀。
圖3係顯示：在樹脂薄膜基板11之上形成的可撓性電子裝置1之一例子，例如，使用有在智慧型手機等所使用的有機發光二極體之影像顯示裝置。又，以一點鏈線來表示裝置形成區域3。該影像顯示裝置係在被稱為頂部發光型、在不一定要是透明之聚醯亞胺等的樹脂薄膜基板11之上，積層做為電子裝置構造2之用於驅動有機發光二極體的電路元件、以及在電路元件上形成的反射電極(陽極)、電洞注入層、電洞輸送層、發光層、電子輸送層、電子注入層、半透明之極薄的金屬電極(陰極)等。可撓性電子裝置1之樹脂薄膜基板11的外形係與使用該影像顯示裝置的電子機器之外形相合一致，並且電子裝置構造2被形成於樹脂薄膜基板11的裝置形成區域3之中央部。又，在樹脂薄膜基板11之上的電子裝置構造2之周圍，在干擾攝影透鏡、揚聲器及麥克風等其他的電子構件之位置上，形成與其他的電子構件的形狀相對應之孔穴或截角4a~4c等。又，在電子裝置構造2的周圍形成有：用以和 驅動電子裝置構造2的驅動器IC等連接続用的導電圖案4d。
圖4係顯示操玻璃基板10之上形成樹脂薄膜之步驟。在圖4(a)中，塗布裝置12係一般被稱為狹縫塗布機，其具備有例如平行於玻璃基板10的被塗布面移動的狹縫頭(slit head)13、以及將樹脂材料11a供給至狹縫頭13的泵浦14；樹脂材料11a為以和狹縫頭13的長度相對應之塗布寬度而被供至玻璃基板10之上面。樹脂材料11a為例如聚醯亞胺前驅物等的熱硬化性樹脂，經例如400~500℃以數小時被燒成。在該期間，溶劑成分為氣化，又，由於促進分子彼此之鍵結，因而如圖4(b)所示在玻璃基板10之上形成的聚醯亞胺等之樹脂薄膜基板11的膜厚幾乎取決於溶劑濃度，而成為玻璃基板10的被塗布面所塗布之樹脂材料11a的膜厚之例如約1/10。從而，可因應所期望的樹脂薄膜基板11之膜厚來調節塗布於玻璃基板10的被塗布面之樹脂材料11a的量與濃度。另外，樹脂材料11a的塗布方法並未限定於使用狹縫塗布機之方法，也可以使用線-棒塗布機或旋塗機等、以及其他的塗布裝置。燒成後的樹脂薄膜基板11之厚度，一般是在10μm~數十μm左右。
圖5係顯示：用以在樹脂薄膜基板11之上形成構成電子裝置構造2之有機發光二極體構造的蒸鍍裝置30之構成及蒸鍍步驟。蒸鍍裝置30係具備有：將被蒸鍍面之樹脂薄膜基板11的表面朝下地保持在真空腔室(未圖示)內之基板保持器31、與基板保持器31所保持之樹脂薄膜基板11的被蒸鍍面相對向地被設置在真空腔室的底部之複數個點狀或線狀的蒸鍍源32、以及使基板保持器31或蒸鍍源32於指定方向以一定速度旋轉或平行移動之驅動機構(未圖示)等。在複數個蒸鍍源中收存有：分別用以形成上述之反射電極(陽極)、電洞注入層、電洞輸送層、發光層、電子輸送層、電子注入層、金屬電極(陰極)等之用的蒸鍍物質。當樹脂薄膜基板11被形成於玻璃基板10之上時，則依照使得樹脂薄膜基板11朝下的方式而將玻璃基板10裝設於基板保持器31。另外，從下側將蒸鍍遮罩33裝設於樹脂薄膜基板11的被蒸鍍面，並開始進行蒸鍍。
蒸鍍遮罩33係一種被稱為混雜型的物體，由於指定的圖案形成有開口之樹脂薄膜層33a、保持樹脂薄膜層33a的金屬薄膜層33b、及用以在樹脂薄膜層33a施加一定的張力之金屬框體(frame)33c等所構成。又，由於反射電極(陽極)、電洞注入層、電洞輸送層、發光層、電子輸送層、電子注入層、金屬電極(陰極)等之各個圖案形狀分別為不相同的，因而分別準備與個別的層相對應之蒸鍍遮罩，並且蒸鍍步驟是經由交換蒸鍍遮罩來實行的。另外，由於構成1個畫素的紅(R)、綠(G)及藍(B)的發光層被形成於不同的位置，所以形成發光層之步驟係反復交換蒸鍍遮罩3次來進行的。該蒸鍍遮罩33係可藉由設置在例如基板保持器31的內部之磁石的磁力而被吸引保持於樹脂薄膜基板11的被蒸鍍面。
在樹脂薄膜基板11之上形成有用以驅動有機發光二極體的電路元件。然後，當使用蒸鍍裝置30而在電路元件上形成由有機發光二極體構造構成之電子裝置構造2的影像顯示裝置時，則將樹脂薄膜基板11為與玻璃基板10一起從蒸鍍裝置30卸下，依照使電子裝置構造2成為上側的方式而使上下顛倒，進而將封止膜等形成於電子裝置構造2之上，並從樹脂薄膜基板11切斷可撓性電子裝置1。圖6係顯示用以分別從樹脂薄膜基板11之其他的區域切割可撓性電子裝置1，更進一步地使玻璃基板10與樹脂薄膜基板11的界面產生變質的裝置及步驟；(a)為顯示開始切割時，(b)為顯示切割完成時。第1雷射裝置40係用以照射例如紅外線等的長波長的第1雷射光41之物體；並且是安裝於被設置在樹脂薄膜基板11及玻璃基板10之上方的X-Y移動裝置(未圖示)。接著，以垂直於紙面的方向為X；以左右方向為Y；以上下方向為Z；第1雷射裝置40係構成為：能夠藉由X-Y移動裝置而在X-Y平面上自由地移動。在該實施形態中，第1雷射裝置40為持續地分別對於裝置形成區域3的每一個照射第1雷射光41，並沿著如圖1所示之可撓性電子裝置1的外形線移動。在那之際，如圖2所示，在可撓性電子裝置1的四個角落形成圓弧或截角。在該段階中，各可撓性電子裝置1雖然是從樹脂薄膜基板11之其他的區域被切割，然而由於是尚 未照射後述之第2雷射光，所以各可撓性電子裝置1是保持於玻璃基板10。
圖6(c)係顯示藉由第2雷射裝置(未圖示)，從玻璃基板10的裏側、即從沒有形成樹脂薄膜基板11之側照射紫外線等之短波長的第2雷射光42，而使玻璃基板10與樹脂薄膜基板11的界面產生變質之步驟。第2雷射光42係照射在玻璃基板10之內面的幾乎全域上，將樹脂薄膜基板11的全體從玻璃基板10剝離下來。當如此進行時，由於各個可撓性電子裝置1為從樹脂薄膜基板11之其他的區域被切離，因而能夠將1個個的可撓性電子裝置1從玻璃基板10逐一地卸下，並轉移到搬運用承盤(tray)等。如前述，由於可撓性電子裝置1的四個角落為形成圓弧或截角，所以即便是可撓性電子裝置1彼此接觸，則由於角是不尖的，所以可撓性電子裝置1遭受損傷之虞就變少了。又，雖然聚醯亞胺薄膜等的樹脂薄膜基板11在放置時有反曲的傾向，但由於可撓性電子裝置的四個角落的角不是尖的，所以即使是任意地接觸，角被彎折之虞也是會變少的。另外，由於第2雷射光42為照射在玻璃基板10之上的樹脂薄膜基板11之全面，樹脂薄膜基板11的全體為從玻璃基板10被剝離，所以玻璃基板10係能夠再利用的。
其次，針對上述之可撓性電子裝置的製造方法之第1變形例進行說明。在第1變形例中係構成為：在對於玻璃基板10之上的樹脂薄膜基板11照射第1雷射光41以前、或者在照射第1雷射光41以後到從玻璃基板10的裏側照射第2雷射光42為止之期間，在如圖7所示之配列成陣列狀的裝置形成區域3之中，配列於第1方向(X方向)的裝置形成區域3為於第2方向(Y方向)包含有1列或2列的方式，對於玻璃基板10及樹脂薄膜基板11於第1方向(X方向)直線地掃描第3雷射裝置44，照射切斷用的第3雷射光43而將玻璃基板10及樹脂薄膜基板11切斷成短柵狀片。例如，在全部的可撓性電子裝置1皆配列成同向的情況下，為沿著圖1中以虛線所示之直線A及B照射第3雷射光43。另一方面，在第2方向(Y方向)相鄰的2個可撓性電子裝置1為相對於例如直線B呈逆向被形成的情況下為只沿著直線A照射第3雷射光43。藉由 如此作業，如圖8所示，也可以構成為：在從玻璃基板10的裏側照射第2雷射光42以前，先對於樹脂薄膜基板11之上配列於第1方向(X方向)的可撓性電子裝置1，將例如上述之導電圖案4d連接於撓性印刷基板50(使用異方性導電薄膜等之壓合貼附)而連接於驅動器IC等之其他的電子構件，然後再照射第2雷射光42。在該情況下，由於可撓性電子裝置1為強固地保持於玻璃基板10之上，所以能夠以良好的效率來進行撓性印刷基板等的接續作業。在將切斷的短柵狀片予以剛剛切斷後之狀態相比，在切斷面挾住有例如低融點玻璃熔塊材料的狀態下，藉由將被第3雷射光43切斷的界面熔著於切斷面，因而能夠被再利用來再做為1個大的玻璃基板10。所謂的低融點玻璃熔塊材料為一種具有比在可撓性電子裝置1的製造步驟中之最高溫度(例如TFT形成溫度約300~500℃)還要更高的600~800℃左右之熔點的材料。較佳為使用例如五氧化釩(V2O5：熔點為約650℃)等。
其次，針對上述之可撓性電子裝置的製造方法之第2變形例來進行說明。在上述之第1變形例中，雖然是藉由將第3雷射光43照射於玻璃基板10來進行切斷，然而在第2變形例中係如圖9所示，預先配合所製造的玻璃基板10之可撓性電子裝置1的大小而切斷成指定尺寸大小的短柵狀片10a，並將複數個短柵狀片10a配列於短邊方向來使用。圖9(a)係顯示在玻璃基板10之上所形成的樹脂薄膜基板11之上，進一步地形成有電子裝置構造2之狀態。在如圖9所示的構成例中，各短柵狀片10a之第2方向(Y方向)的尺寸大小為足夠形成2個在同方向之裝置形成區域3(或可撓性電子裝置1)，第1方向(X方向)的尺寸大小為設定成比第2方向(Y方向)的尺寸大小還更長。又，第2方向(Y方向)之相鄰的2個可撓性電子裝置1係被形成為逆向。圖9(b)係顯示從第1雷射裝置40持續對於裝置形成區域3照射第1雷射光41，進而沿著可撓性電子裝置1的外形線切斷樹脂薄膜基板11之狀態。又，圖9(c)係顯示在樹脂薄膜基板11之上形成的全部之可撓性電子裝置1為從樹脂薄膜基板11之其他的區域被切離以後，再進一步地沿著在第2方向(Y方向)相鄰的2個短柵狀 片10a的接觸面，於第1方向(X方向)直線狀地照射或沿著指定的凹凸圖案照射第1雷射光41，而將樹脂薄膜基板11之上於第1方向(X方向)配列的可撓性電子裝置1以在第2方向(Y方向)相鄰的每2列切斷之步驟。如此，根據第2變形例，由於玻璃基板10為預先被切斷成複數個短柵狀片10a，所以能夠省略照射第3雷射光43來切斷玻璃基板10之步驟。另外，短柵狀片10a之在第2方向(Y方向)的尺寸大小只要是足夠形成1個在同方向之裝置形成區域3(或可撓性電子裝置1)即可，在該情況下，在樹脂薄膜基板11之上配列於第1方向(X方向)的可撓性電子裝置1可以是在第2方向(Y方向)以每1列切斷。又，為了將相隣的2個短柵狀片10a予以結合，所以可以是在該等2個短柵狀片10a之第2方向(Y方向)的端部形成平面視結合用的凹凸等。製造該類的短柵狀片10a的製造方法可考慮對於玻璃基板10的材料，沿著平面上指定的凹凸圖案來掃描上述之第3雷射裝置44，進而照射切斷用的第3雷射光43之方法等。凹凸圖案之較佳者為在複數個短柵狀片10a相結合的狀態下，可以發揮即使將任一者的短柵狀片10a於水平方向展開也不會分離的錨定效果之類的形狀。
如此，根據本發明的一實施形態有關之可撓性電子裝置的製造方法，由於是在經由照射例如紫外線等之短波長的第2雷射光42，在使得玻璃基板10與樹脂薄膜基板11的界面產生變質以前，將例如紅外線等的長波長的第1雷射光41照射於樹脂薄膜基板11而將在裝置形成區域3所形成的可撓性電子裝置1，分別地從樹脂薄膜基板11之其他的區域切離，所以藉由延遲照射第2雷射光42之時間點，就能夠將複數個可撓性電子裝置1保持於玻璃基板10之上而照原樣地將可撓性電子裝置1連接於驅動器IC等與其他的電子構件。又，由於是在樹脂薄膜基板11的全面照射第2雷射光42，所以能夠簡單地從玻璃基板10將樹脂薄膜基板11予以移除，因而玻璃基板10的再利用就容易了。另外，對於裝置形成區域3的每一個，由於是沿著四個角落形成圓弧1a或截角1b的矩形狀來照射長波長的第1雷射光41，所以所完成的可撓性電子裝置1的四個角落不是尖的，因而即使可撓性電子裝置1彼此接觸，可撓性電子 裝置1遭受損傷、角彎折之虞就變少了。
此外，藉由將玻璃基板10切斷成短柵狀片10a、或者將預先切斷的複數個短柵狀片10a予以配列而形成玻璃基板10，延遲照射第2雷射光42的時間點，使得能夠在將可撓性電子裝置1保持於玻璃基板10之上或短柵狀片10a上的狀態下進行處理；在將可撓性電子裝置1搬運到下一步驟之際，由於可撓性電子裝置1彼此間之接觸沒有了，所以可撓性電子裝置1遭受損傷、角彎折之虞就更進一步地減少了。

Claims (5)

  1. 一種可撓性電子裝置的製造方法，其特徵在於具備：在玻璃基板的表面上塗布熱硬化性樹脂，藉由對於前述熱硬化性樹脂進行燒成而在前述玻璃基板的表面形成樹脂薄膜基板之步驟；在前述樹脂薄膜基板之上，在配列成陣列狀的設定之裝置形成區域上分別形成電子裝置構造之步驟；對於前述裝置形成區域的每一個，沿著四角形成有圓弧或倒角之矩形狀照射長波長的第1雷射光，而從前述樹脂薄膜基板之其他的區域分別將包含有在前述裝置形成區域形成的前述電子裝置構造之可撓性電子裝置切除之步驟；從沒有形成前述玻璃基板的前述樹脂薄膜基板之側，對於前述樹脂薄膜基板的全面照射短波長的第2雷射光，以使前述玻璃基板與前述樹脂薄膜基板的界面產生變質，並使得從前述玻璃基板剝離前述樹脂薄膜基板變容易之步驟；其係在照射前述第1雷射光之前、或在照射前述第1雷射光之後至照射前述第2雷射光為止的期間，依照使得在配列成前述陣列狀的裝置形成區域之中，在第2方向中包含有1列或2列的被配列於第1方向的裝置形成區域之方式，對於前述玻璃基板及前述樹脂薄膜基板，於前述第1方向，照射直線地切斷用的第3雷射光，藉以切斷前述玻璃基板及前述樹脂薄膜基板。
  2. 如請求項1所記載之可撓性電子裝置的製造方法，其中在配列成前述陣列狀之裝置形成區域所形成的電子裝置構造係依照：使得在第1方向為同向、在第2方向為每隔1列同向、並且相鄰的2列為逆向的方式來形成。
  3. 如請求項1或請求項2所記載之可撓性電子裝置的製造方法，其中前述玻璃基板為：由將第2方向的尺寸大小為足夠在同方向中形成1個或2個之前述裝置形成區域，且第1方向的尺寸大小為比前述第2方向的尺寸大小還長的短柵狀片複數配列於前述第2方向而成，在照射前述第1雷射光之際，沿著在前述第2方向相鄰之2個前述短柵狀片的接觸面於前述第1方向照射直線狀之前述第1雷射光，在前述樹脂薄膜基板之上將配列於前述第1方向的前述可撓性電子裝置於前述第2方向每1列或每相鄰2列切斷。
  4. 如請求項1所記載之可撓性電子裝置的製造方法，其係相對於在前述樹脂薄膜基板之上配列於前述第1方向的前述可撓性電子裝置，在前述第2方向以每1列或每相鄰2列被切斷，並與其他的電子構件相連接，然後再照射前述第2雷射光。
  5. 如請求項1、2、4中任一項所記載之可撓性電子裝置的製造方法，其係在照射前述第1雷射光之際，在干擾其他的電子構件之位置，形成與使用前述可撓性電子裝置之電子機器相配合、並與前述其他的電子構件之形狀相對應的孔穴或截角。
TW105123977A 2016-03-10 2016-07-29 可撓性電子裝置之製造方法 TWI679716B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016046815 2016-03-10
JP??2016-046815 2016-03-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201732982A TW201732982A (zh) 2017-09-16
TWI679716B true TWI679716B (zh) 2019-12-11

Family

ID=59790144

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105123977A TWI679716B (zh) 2016-03-10 2016-07-29 可撓性電子裝置之製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10749126B2 (zh)
JP (1) JP6510138B2 (zh)
CN (1) CN108966693B (zh)
TW (1) TWI679716B (zh)
WO (1) WO2017154235A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019030819A1 (ja) * 2017-08-08 2019-02-14 シャープ株式会社 Ｅｌデバイスの製造方法
US10516001B2 (en) 2017-10-26 2019-12-24 Sakai Display Products Corporation Method and apparatus for producing flexible OLED device
US11114650B2 (en) 2017-10-26 2021-09-07 Sakai Display Products Corporation Method and apparatus for producing flexible OLED device including lift-off light irradiation
GB201801457D0 (en) * 2018-01-30 2018-03-14 Pragmatic Printing Ltd Integrated circuit manufacturing process and apparatus
JP6556298B2 (ja) * 2018-06-15 2019-08-07 堺ディスプレイプロダクト株式会社 フレキシブルｏｌｅｄデバイスの製造方法および製造装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007087807A (ja) * 2005-09-22 2007-04-05 Mitsubishi Electric Corp 有機ｅｌ表示装置の製造方法
JP2012209215A (ja) * 2011-03-30 2012-10-25 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置の製造方法、電子機器
JP2014074757A (ja) * 2012-10-03 2014-04-24 Japan Display Inc 表示装置の製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5374812B2 (ja) * 2005-08-23 2013-12-25 株式会社リコー 記録用インク、並びに、インクカートリッジ、インク記録物、インクジェット記録装置及びインクジェット記録方法
JP2009047897A (ja) * 2007-08-20 2009-03-05 Hitachi Displays Ltd 薄型パネルの製造方法
KR101073563B1 (ko) * 2010-02-08 2011-10-14 삼성모바일디스플레이주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP2013025015A (ja) * 2011-07-20 2013-02-04 Mitsubishi Electric Corp 液晶パネル及び液晶パネルの製造方法
JP5956867B2 (ja) * 2012-08-21 2016-07-27 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法
JP2014048619A (ja) 2012-09-04 2014-03-17 Panasonic Corp フレキシブルデバイスの製造方法
JP6224918B2 (ja) * 2013-05-31 2017-11-01 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
TWI687143B (zh) * 2014-04-25 2020-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007087807A (ja) * 2005-09-22 2007-04-05 Mitsubishi Electric Corp 有機ｅｌ表示装置の製造方法
JP2012209215A (ja) * 2011-03-30 2012-10-25 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置の製造方法、電子機器
JP2014074757A (ja) * 2012-10-03 2014-04-24 Japan Display Inc 表示装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201732982A (zh) 2017-09-16
JPWO2017154235A1 (ja) 2018-11-01
WO2017154235A1 (ja) 2017-09-14
US10749126B2 (en) 2020-08-18
CN108966693A (zh) 2018-12-07
US20190067605A1 (en) 2019-02-28
CN108966693B (zh) 2020-08-04
JP6510138B2 (ja) 2019-05-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI679716B (zh) 可撓性電子裝置之製造方法
CN108220885B (zh) 蒸镀掩模装置和蒸镀掩模装置的制造方法
KR102078888B1 (ko) 증착 마스크, 증착 마스크의 제조 방법 및 박막 패턴 형성 방법
JP5935179B2 (ja) 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法
KR101267534B1 (ko) 유기전계발광소자의 제조방법
WO2013039196A1 (ja) 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法及び薄膜パターン形成方法
TWI244354B (en) Deposition mask, manufacturing method thereof, display unit, manufacturing method thereof, and electronic apparatus including display unit
JP6594615B2 (ja) 蒸着用マスク及びそれを用いた有機ｅｌ表示装置の製造方法、並びに、蒸着用マスクの製造方法
KR101880371B1 (ko) 쉐도우 마스크의 제조 방법 및 표시 장치의 제조 방법
JP2007023358A (ja) マスク、マスクチップ、マスクの製造方法、マスクチップの製造方法、及び電子機器
JP6405073B1 (ja) フレキシブルｏｌｅｄデバイスの製造方法および製造装置
JP2019090114A (ja) 微細パターンを有する樹脂フィルムの製造方法および有機ｅｌ表示装置の製造方法ならびに微細パターン形成用基材フィルムとサポート部材付き樹脂フィルム
WO2020227930A1 (zh) 阵列基板及其制作方法、显示装置
JP2010224422A (ja) 表示装置およびその製造方法
US20210167337A1 (en) Vapor deposition mask, production method therefor, and production method for organic el display device
WO2019180846A1 (ja) 成膜用マスクおよびそれを用いた表示装置の製造方法
TW202013712A (zh) 有機發光顯示裝置及其製備方法、製備支撐柱的掩膜板
JP5804457B2 (ja) マスク
JP2003218392A (ja) 画像表示装置及びその製造方法
KR101182228B1 (ko) 지지 기판 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조방법
JP6556298B2 (ja) フレキシブルｏｌｅｄデバイスの製造方法および製造装置
JP2013065446A (ja) 薄膜パターン形成方法
JP2006077276A (ja) マスク、マスクの製造方法、薄膜パターンの形成方法、電気光学装置の製造方法
CN109300935B (zh) Oled面板的制作方法、临时配对结构
WO2019180836A1 (ja) 蒸着マスクおよび蒸着マスクの製造方法