CN108220885B - 蒸镀掩模装置和蒸镀掩模装置的制造方法 - Google Patents

蒸镀掩模装置和蒸镀掩模装置的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供蒸镀掩模装置和蒸镀掩模装置的制造方法，其能够抑制在蒸镀掩模上产生皱褶或变形。蒸镀掩模装置(10)具备：蒸镀掩模(20)，其具有配置有多个第1贯通孔(25)的有效区域(22)；和安装于蒸镀掩模(20)的框架(15)，该蒸镀掩模装置具有将蒸镀掩模(20)和框架(15)互相接合的多个接合部(60)，多个接合部(60)沿着蒸镀掩模(20)的外缘(26)排列，在蒸镀掩模(20)的外缘(26)上的与相邻的两个接合部(60)之间对应的位置处形成有切口(42)。

Description

蒸镀掩模装置和蒸镀掩模装置的制造方法
技术领域
本发明涉及在蒸镀材料向被蒸镀基板的蒸镀中所使用的蒸镀掩模装置、和该蒸镀掩模装置的制造方法。
背景技术
近年，对于在智能手机或平板电脑等可移动设备中使用的显示装置，要求高精细化，例如要求像素密度为400ppi以上。另外，即使对于可移动设备，应对超全高清的需要也在不断高涨，这种情况下，要求显示装置的像素密度为例如800ppi以上。
在显示装置中，由于响应性良好、能耗低且对比度高，有机EL显示装置正在受到关注。作为形成有机EL显示装置的像素的方法，已知这样的方法：使用包含有以所希望的图案排列的贯通孔的蒸镀掩模，以所希望的图案形成像素。具体来说，首先，将有机EL显示装置用的基板(有机EL基板)放入蒸镀装置中，接下来，在蒸镀装置内使蒸镀掩模紧密贴合于有机EL基板，执行使有机材料蒸镀于有机EL基板上的蒸镀工序。
在使用蒸镀掩模来使蒸镀材料在被蒸镀基板上成膜的情况下，蒸镀材料不仅附着于基板上，也附着于蒸镀掩模上。例如，在蒸镀材料中，也存在沿着相对于蒸镀掩模的板面的法线方向大幅地倾斜的方向朝向被蒸镀基板的蒸镀材料，但这样的蒸镀材料在到达被蒸镀基板之前会到达并附着于蒸镀掩模的贯通孔的壁面上。这种情况下，在被蒸镀基板的位于蒸镀掩模的贯通孔的壁面附近的区域中，蒸镀材料难以附着，其结果是，可以想到：附着的蒸镀材料的厚度比其它部分小，或者产生未附着蒸镀材料的部分。即，可以认为，蒸镀掩模的贯通孔的壁面附近的蒸镀变得不稳定。因此，在为了形成有机EL显示装置的像素而使用了蒸镀掩模的情况下，像素的尺寸精度或位置精度低下，其结果是，有机EL显示装置的发光效率变得低下。
作为能够解决这样的问题的蒸镀掩模的一例，可以列举出JP2016-148112A所公开的蒸镀掩模。JP2016-148112A所公开的蒸镀掩模是利用镀覆处理而制造出来的。首先，在绝缘性的基板上形成导电性图案，然后利用电镀法在导电性图案上形成第1金属层。接下来，在第1金属层上形成具有开口的抗蚀剂图案，利用电镀法在该开口内形成第2金属层。然后，将抗蚀剂图案、导电性图案和基板除去，由此得到具有第1金属层和第2金属层的蒸镀掩模。
在JP2016-148112A所公开的技术中，由于利用镀覆处理来制造蒸镀掩模，因此具有可得到厚度薄的蒸镀掩模这样的优点。通过厚度薄的蒸镀掩模，能够降低从相对于蒸镀掩模的板面的法线方向大幅地倾斜的方向朝向被蒸镀基板的蒸镀材料中的、到达并附着于蒸镀掩模的贯通孔的壁面上的蒸镀材料的比例。即，能够使从相对于蒸镀掩模的板面的法线方向大幅地倾斜的方向朝向被蒸镀基板的蒸镀材料恰当地附着于在蒸镀掩模的贯通孔内露出的被蒸镀基板上。因此，在为了形成有机EL显示装置的像素而使用了蒸镀掩模的情况下，具有能够有效防止下述情况的优点：像素的尺寸精度和位置精度低下而导致有机EL显示装置的发光效率低下。
在JP2016-148112A所公开的技术中，在利用镀覆处理制造出蒸镀掩模后，将该蒸镀掩模安装于框架而制造出蒸镀掩模装置。此时，蒸镀掩模装置的框架将蒸镀掩模保持成张紧的状态。即，在固定于框架的状态下，对蒸镀掩模赋予有张力。由此，抑制了在蒸镀掩模上产生挠曲的情况。可是，发现了下述问题：由于对厚度薄的蒸镀掩模赋予张力，而在该蒸镀掩模上产生皱褶或变形。
另外，在JP2016-148112A所公开的技术中，通过镀覆处理在基板上形成金属层后，将该金属层从基板剥离，由此由该金属层制造出蒸镀掩模。这种情况下，在将金属层从基板剥离时，由于对金属层赋予张力而局部地产生较高的应力，由此，还存在在剥离出的蒸镀掩模上产生皱褶或变形这样的担忧。
发明内容
本发明是考虑了这样的问题而完成的，目的在于提供能够抑制在蒸镀掩模上产生皱褶或变形的蒸镀掩模装置和该蒸镀掩模装置的制造方法。
本发明的蒸镀掩模装置具备：蒸镀掩模，其具有配置有多个第1贯通孔的有效区域；和框架，其被安装于所述蒸镀掩模，所述蒸镀掩模装置具有使所述蒸镀掩模和所述框架互相接合的多个接合部，所述多个接合部沿着所述蒸镀掩模的外缘排列，在所述蒸镀掩模的所述外缘上的与相邻的两个所述接合部之间对应的位置处形成有切口。
在本发明的蒸镀掩模装置中，可以是，所述蒸镀掩模具有位于相邻的两个所述切口之间的接合片，在所述外缘上，所述切口沿着所述外缘的延伸方向具有第1宽度，所述接合片沿着所述外缘的延伸方向具有第2宽度，所述第1宽度大于所述第2宽度。
在本发明的蒸镀掩模装置中，可以是，在俯视观察所述蒸镀掩模时，所述切口延伸成超过所述框架的内缘。
在本发明的蒸镀掩模装置中，可以是，在俯视观察时，所述蒸镀掩模具有多边形形状，沿着构成所述多边形的一条边形成有多个所述切口。
在本发明的蒸镀掩模装置中，可以是，所述蒸镀掩模装置具有多个所述切口，多个所述切口包含在俯视观察所述蒸镀掩模时具有互不相同的形状和/或尺寸的两个切口。
本发明的蒸镀掩模装置具备：蒸镀掩模，其具有配置有多个第1贯通孔的有效区域；和框架，其被安装于所述蒸镀掩模，所述蒸镀掩模装置具有使所述蒸镀掩模和所述框架互相接合的多个接合部，所述多个接合部沿着所述蒸镀掩模的外缘排列，所述蒸镀掩模在所述多个接合部与所述有效区域之间具有在俯视观察时与所述框架的内缘重合的多个第2贯通孔，各第2贯通孔被配置在与相邻的两个所述接合部之间对应的位置。
在本发明的蒸镀掩模装置中，可以是，在俯视观察时与所述框架的内缘重合的区域中，所述第2贯通孔沿着所述内缘的延伸方向具有第3宽度，位于在所述内缘的延伸方向上相邻的两个所述第2贯通孔之间的所述蒸镀掩模的金属层沿着所述内缘的延伸方向具有第4宽度，所述第3宽度大于所述第4宽度。
在本发明的蒸镀掩模装置中，可以是，所述蒸镀掩模在所述多个接合部与所述有效区域之间具有在俯视观察时不与所述框架重合的多个第3贯通孔。
关于本发明的蒸镀掩模装置的制造方法，所述蒸镀掩模装置具备：蒸镀掩模，其具有配置有多个第1贯通孔的有效区域；和框架，其被安装于所述蒸镀掩模，其中，所述蒸镀掩模装置的制造方法具有：接合工序，将具有基材、导电性图案以及金属层的层叠体的所述金属层通过多个接合部接合于框架，所述导电性图案被设置于所述基材上，所述金属层被设置于所述导电性图案的与所述基材相反的一侧；和分离工序，蚀刻去除所述导电性图案而使所述基材从所述金属层分离，由所述金属层形成所述蒸镀掩模。
在本发明的蒸镀掩模装置的制造方法中，可以是，使所述多个接合部沿着所述金属层的外缘排列，在所述金属层的所述外缘上的与在所述多个接合部的排列方向上相邻的两个所述接合部之间对应的位置处形成切口。
在本发明的蒸镀掩模装置的制造方法中，可以是，使所述多个接合部沿着所述金属层的外缘排列，使所述金属层在所述多个接合部与所述有效区域之间具有在俯视观察时与所述框架的内缘重合的多个第2贯通孔，将各第2贯通孔配置于与在所述多个接合部的排列方向上相邻的两个所述接合部之间对应的位置处。
根据本发明，能够提供可抑制在蒸镀掩模上产生皱褶或变形的蒸镀掩模装置和该蒸镀掩模装置的制造方法。
附图说明
图1是用于说明本发明的一个实施方式的图，并且是概要性地示出蒸镀掩模装置的一例的俯视图。
图2是用于说明使用了图1所示的蒸镀掩模装置的蒸镀方法的图。
图3是示出图1所示的蒸镀掩模装置的部分俯视图。
图4是在与图3的IV-IV线对应的截面中示出蒸镀掩模装置的图。
图5是示出图3的蒸镀掩模装置的蒸镀掩模的部分俯视图。
图6是在与图5的VI-VI线对应的截面中示出蒸镀掩模的图。
图7是示出为了制造蒸镀掩模装置而使用的图案基板的制造方法的一例的一个工序的图。
图8是示出为了制造蒸镀掩模装置而使用的图案基板的制造方法的一例的一个工序的图。
图9是示出为了制造蒸镀掩模装置而使用的图案基板的制造方法的一例的一个工序的图。
图10是示出为了制造蒸镀掩模装置而使用的图案基板的制造方法的一例的一个工序的图。
图11是示出蒸镀掩模装置的制造方法的一例的一个工序的图。
图12是示出蒸镀掩模装置的制造方法的一例的一个工序的图。
图13是示出蒸镀掩模装置的制造方法的一例的一个工序的图。
图14是示出蒸镀掩模装置的制造方法的一例的一个工序的图。
图15是示出蒸镀掩模装置的制造方法的一例的一个工序的图。
图16是示出蒸镀掩模装置的制造方法的一例的一个工序的图。
图17是示出蒸镀掩模装置的制造方法的一例的一个工序的图。
图18是示出蒸镀掩模装置的制造方法的一例的一个工序的图。
图19是示出用于制造蒸镀掩模装置的中间部件的部分俯视图。
图20是在与图19的XX-XX线对应的截面中示出中间部件的图。
图21是在与图19的XXI-XXI线对应的截面中示出中间部件的图。
图22是将图20的截面的一部分放大后示出的图。
图23是示出蒸镀掩模装置的一个变形例的部分俯视图。
图24是示出中间部件的一个变形例的部分俯视图。
图25是在与图24的XXV-XXV线对应的截面中示出中间部件的图。
图26是示出蒸镀掩模装置的另一个变形例的俯视图。
图27是将图26所示的蒸镀掩模装置的一部分放大后示出的部分俯视图。
图28是在与图27的XXVIII-XXVIII线对应的截面中示出蒸镀掩模装置的图。
图29是示出图26所示的蒸镀掩模装置的蒸镀掩模的俯视图。
图30是示出图26所示的蒸镀掩模装置的框架的俯视图。
图31是示出蒸镀掩模装置的再一个变形例的俯视图。
图32是示出图31所示的蒸镀掩模装置的第1框架的俯视图。
图33是示出图31所示的蒸镀掩模装置的第2框架的俯视图。
图34是示出图31所示的蒸镀掩模装置的蒸镀掩模的俯视图。
图35是示出蒸镀掩模装置的再一个变形例的俯视图。
图36是示出图35所示的蒸镀掩模装置的第1框架的俯视图。
图37是示出图35所示的蒸镀掩模装置的第2框架的俯视图。
图38是示出图35所示的蒸镀掩模装置的蒸镀掩模的俯视图。
图39是示出蒸镀掩模装置的再一个变形例的俯视图。
图40是示出图39所示的蒸镀掩模装置的第1框架的俯视图。
图41是示出图39所示的蒸镀掩模装置的第2框架的俯视图。
图42是示出图39所示的蒸镀掩模装置的蒸镀掩模的俯视图。
图43是示出蒸镀掩模装置的再一个变形例的俯视图。
图44是示出图43所示的蒸镀掩模装置的第1框架的俯视图。
图45是示出图43所示的蒸镀掩模装置的第2框架的俯视图。
图46是示出图43所示的蒸镀掩模装置的蒸镀掩模的俯视图。
具体实施方式
下面，参照附图对本发明的一个实施方式进行说明。并且，在本说明书所附的附图中，为了便于图示和理解，根据实物适当地变更比例和纵横的尺寸比等而夸张地示出。
图1～图46是用于说明本发明的一个实施方式的图。在以下的实施方式中，列举如下的蒸镀掩模装置和蒸镀掩模装置的制造方法为例进行说明：该蒸镀掩模装置用于在制造有机EL显示装置时使有机材料以所期望的图案在基板上实现图案化。但是，并不限于这样的应用，对于在各种用途中使用的蒸镀掩模装置和蒸镀掩模装置的制造方法，均可应用本发明。
并且，在本说明书中，“板”、“片”、“膜”的术语并不是仅基于称呼上的不同而被相互区分开的。例如，“板”是也包含可称为片或膜这样的部件在内的概念。
另外，“板面(片面、膜面)”是指在整体或大体观察作为对象的板状(片状、膜状)的部件的情况下，作为对象的板状部件(片状部件、膜状部件)的与平面方向相一致的面。另外，针对板状(片状、膜状)的部件使用的法线方向是指相对于该部件的板面(片面、膜面)的法线方向。
在本说明书中，“俯视观察”是指从对称的板状(片状、膜状)的部件的法线方向观察该部件的状态。例如，某个板状的部件“在俯视观察时具有矩形的形状”是指：在从该部件的板面的法线方向观察该部件时，该部件具有矩形的形状。
此外，关于本说明书中使用的对形状或几何学的条件和物理特性以及它们的程度进行指定的例如“平行”、“垂直”、“相同”、“同等”等术语、以及长度、角度和物理特性的值等，并不限定于严格的含义，而是包含可期待同样功能的程度的范围来进行解释。
首先，参照图1和图2，对蒸镀掩模装置10的一例进行说明。在此，图1是示出蒸镀掩模装置10的一例的俯视图，图2是用于说明图1所示的蒸镀掩模装置10的使用方法的图。
图1和图2所示的蒸镀掩模装置10具备：在俯视观察时具有大致矩形的形状的蒸镀掩模20；和安装于蒸镀掩模20的周缘部的框架15。蒸镀掩模20具有：形成有多个第1贯通孔25的有效区域22；和位于蒸镀掩模20的周缘部的耳部区域24，蒸镀掩模20在各耳部区域24中被安装于框架15。在图1所示的例子中，框架15形成为大致矩形的框状，具有大致矩形的形状的蒸镀掩模20以该蒸镀掩模20的各边对应于框架15的各边的方式安装于框架15。
在有效区域22中，以所希望的图案形成有多个第1贯通孔25，其中，所述第1贯通孔25的意图在于：在使蒸镀材料98(例如有机发光材料)向作为蒸镀对象物的被蒸镀基板(例如有机EL基板92)蒸镀时，供蒸镀材料98通过。如图2所示，在该蒸镀掩模装置10中，蒸镀掩模20以蒸镀掩模20的第1面20a面对被蒸镀基板的下表面的方式被支承于蒸镀装置90内，且在蒸镀材料98朝向被蒸镀基板的蒸镀中被使用。
在蒸镀装置90内，在有机EL基板92的与蒸镀掩模20相反的一侧的面(在图2中为上表面)上配置有磁铁93。由此，蒸镀掩模20被来自磁铁93的磁力向磁铁93吸引而紧密贴合于有机EL基板92。在蒸镀装置90内，在蒸镀掩模装置10的下方配置有：收纳蒸镀材料98的坩埚94；和对坩埚94加热的加热器96。坩埚94内的蒸镀材料98借助加热器96的加热而气化或升华，并附着于有机EL基板92的表面。如上述那样，在蒸镀掩模20上形成有多个贯通孔25，蒸镀材料98经由该贯通孔25附着于有机EL基板92。其结果是，蒸镀材料98以与蒸镀掩模20的第1贯通孔25的位置相对应的所期望的图案在有机EL基板92的表面上成膜。
如上所述，在本实施方式中，第1贯通孔25在各有效区域22中以规定的图案配置。并且，在希望进行基于多个颜色的彩色显示的情况下，例如分别准备搭载有与各颜色对应的蒸镀掩模装置10的蒸镀机，并将有机EL基板92依次放入各蒸镀机中。由此，能够使例如红色用的有机发光材料、绿色用的有机发光材料和蓝色用的有机发光材料依次蒸镀到有机EL基板92上。
另外，蒸镀处理有时在高温气氛下的蒸镀装置90的内部实施。这种情况下，在蒸镀处理的期间，保持在蒸镀装置90内部的蒸镀掩模装置10和有机EL基板92也被加热。此时，蒸镀掩模装置10和有机EL基板92显示出基于各自的热膨胀系数的尺寸变化的行为。这种情况下，若蒸镀掩模装置10和有机EL基板92的热膨胀系数有很大差异，则由于它们的尺寸变化的差异而发生位置偏移，其结果是，附着于有机EL基板92上的蒸镀材料98的尺寸精度、位置精度会降低。为了解决这样的课题，优选使构成蒸镀掩模装置10的蒸镀掩模20和框架15的热膨胀系数是与有机EL基板92的热膨胀系数同等的值。例如，在使用玻璃基板作为有机EL基板92的情况下，作为蒸镀掩模20和框架15的主要材料，可以使用含镍的铁合金。例如，可以将含34质量％以上且38质量％以下的镍的因瓦合金材、除了含镍外还含有钴的超因瓦合金材等铁合金，用作构成蒸镀掩模20的后述的第1金属层32和第2金属层37的材料。
并且，在蒸镀处理时，在蒸镀掩模装置10和有机EL基板92的温度未达到高温的情况下，并不特别需要将构成蒸镀掩模装置10的蒸镀掩模20和框架15的热膨胀系数设为与有机EL基板92的热膨胀系数同等的值。这种情况下，作为构成蒸镀掩模20的后述的第1金属层32、第2金属层37或耳部金属层38的材料，可以使用上述的铁合金以外的材料。例如，可以使用含铬的铁合金等、上述的含镍的铁合金以外的铁合金。作为含铬的铁合金，例如可以使用被称作所谓的不锈钢的铁合金。另外，也可以使用镍或镍-钴合金等铁合金以外的合金。
接下来，参照图1和图3～图6，对蒸镀掩模20进行说明。图3是从蒸镀掩模20的第1面20a侧观察并示出蒸镀掩模装置10的部分俯视图，特别是将在图1中由带有标号III的点划线所包围的部分放大后示出的图。图4是在与图3的IV-IV线对应的截面中示出蒸镀掩模装置10的图。图5是示出图3的蒸镀掩模装置10的蒸镀掩模20的部分俯视图，特别是将在图3中由带有标号V的点划线所包围的部分放大后示出的图。图6是在与图5的VI-VI线对应的截面中示出蒸镀掩模20的图。并且，关于后述的第1金属层32，详细来说，如图6所示，从第2金属层37露出的第2面20b侧的面的至少一部分由曲面形成。可是，在图4中，为了避免附图变得繁杂，以简单的矩形示出了第1金属层32的截面。另外，图11～图18、图20以及图25也相同。
如图1和图3所示，在本实施方式中，蒸镀掩模20在俯视观察时具有大致四边形形状，更正确地说，在俯视观察时具有大致矩形形状的轮廓。蒸镀掩模20包含：按照规则的排列形成有第1贯通孔25的有效区域22；包围有效区域22的周围区域23；以及位于蒸镀掩模20的周缘部的耳部区域24。蒸镀掩模20具有多个有效区域22，多个有效区域22沿着互相垂直的两个方向分别以规定的间隔进行排列。在图示的例子中，一个有效区域22对应一个有机EL显示装置。即，根据图示的蒸镀掩模装置10，能够对被蒸镀基板上进行拼版蒸镀(多面付蒸着)。另外，耳部区域24位于包围周围区域23的位置处，形成蒸镀掩模20的外缘26。
周围区域23是用于支承有效区域22的区域，耳部区域24是用于将蒸镀掩模20安装于框架15的区域。因此，周围区域23和耳部区域24都不是供意图朝向有机EL基板92蒸镀的蒸镀材料98通过的区域。例如，在用于有机EL显示装置用的有机发光材料的蒸镀的蒸镀掩模20中，有效区域22是指面对如下区域的蒸镀掩模20内的区域：该区域是有机EL基板92的供有机发光材料蒸镀而形成像素的成为显示区域的区域。在图1所示的例子中，各有效区域22在俯视时具有大致四边形形状，更正确地说，在俯视时具有大致矩形形状的轮廓。有效区域22具有厚度T1(参照图4)，该厚度T1例如为2μm以上且50μm以下。另外，尽管未图示，但各有效区域22可以根据有机EL基板92的显示区域的形状而具有各种形状的轮廓。例如，各有效区域22可以具有圆形的轮廓。
蒸镀掩模20和框架15互相面对地被固定。因此，蒸镀掩模装置10具有使蒸镀掩模20和框架15互相接合的多个接合部60。多个接合部60在蒸镀掩模20的耳部区域24内沿着外缘26排列。如上所述，在本实施方式中，蒸镀掩模20在俯视观察时具有大致矩形形状的轮廓。因此，多个接合部60也沿着蒸镀掩模20的外缘26呈大致矩形形状的图案排列。在图3所示的例子中，多个接合部60距蒸镀掩模20的外缘26具有一定的距离，且被排列成一条直线状。即，多个接合部60沿着与蒸镀掩模20的外缘26所延伸的方向平行的方向进行排列。另外，在图示的例子中，多个接合部60沿着外缘26所延伸的方向互相具有等间隔地排列。在本实施方式中，蒸镀掩模20和框架15通过点焊互相面对地固定。因此，各接合部60构成为基于点焊的焊接部。并且，不限于此，蒸镀掩模20和框架15也可以通过例如粘接剂等其它固定手段互相面对地固定。即，各接合部60例如也可以构成为粘接部。
在蒸镀掩模20的外缘26的与相邻的两个接合部60之间对应的位置，形成有切口42。在此，蒸镀掩模20的外缘26的与相邻的两个接合部60之间对应的位置是指：从处于相邻的两个接合部60之间的位置起，位于在蒸镀掩模20的板面内与连接该相邻的两个接合部60的方向相垂直的方向上的、外缘26的部分。特别是在图3所示的例子中，包含蒸镀掩模20的外缘26的与相邻的两个接合部60之间的中央对应的位置在内，形成有切口42。即，包含外缘26的如下部分在内形成有切口42：该部分从成为相邻的两个接合部60之间的中央的位置起，位于在蒸镀掩模20的板面内与连接该相邻的两个接合部60的方向相垂直的方向上。
通过使蒸镀掩模20具有这样的切口42，由此，在后述的分离工序中，能够使蚀刻液从蒸镀掩模20的外缘26侧经由该切口42浸入，因此，能够容易地将位于框架15和基材51之间的导电性图案52蚀刻去除。
在俯视观察时，各切口42从蒸镀掩模20的外缘26朝向有效区域22侧延伸。在图3所示的例子中，切口42从蒸镀掩模20的外缘26朝向有效区域22侧具有一定宽度地延伸。在图示的例子中，切口42从蒸镀掩模20的耳部区域24跨越周围区域23延伸。并且，不限于此，切口42也可以仅位于蒸镀掩模20的耳部区域24。另外，切口42的有效区域22侧的端部的角被进行了倒圆角。特别是在图示的例子中，切口42的有效区域22侧的端部具有大致半圆形状。由此，在外力作用于蒸镀掩模20的情况下，能够抑制如下的情况：应力集中于切口42内的特定部位，从而在该部位产生龟裂或变形。
在图3所示的例子中，蒸镀掩模20具有多个切口42。特别是在图示的例子中，蒸镀掩模20在俯视观察时具有多边形形状，沿着构成该多边形的一条边形成有多个切口42。由此，能够将位于框架15与基材51之间的导电性图案52高效地蚀刻去除。
多个切口42在图示的例子中具有彼此相同的形状和尺寸。但是，不限于此，多个切口42也可以包含具有互不相同的形状和/或尺寸的两个切口42。例如，多个切口42中的两个切口42也可以在俯视观察蒸镀掩模20时具有互不相同的形状和/或尺寸。在多个切口42包含在俯视观察蒸镀掩模20时具有互不相同的形状和/或尺寸的两个切口42的情况下，在该两个切口42中，能够使分离工序中的、蚀刻液向框架15与基材51之间浸入的浸入量和/或速度局部地变化。由此，能够使位于框架15与基材51之间的导电性图案52的蚀刻去除的推进速度均匀化。另外，不限于此，也可以有意地使位于框架15与基材51之间的导电性图案52的蚀刻去除的推进速度产生局部的差异。
在图3所示的例子中，在俯视观察时，切口42延伸成超过框架15的内缘17。由此，在切口42的有效区域22侧的端部与框架15的内缘17之间形成有间隙18。由此，在后述的分离工序中，能够使蚀刻液从框架15的内缘17侧经由该间隙18浸入，因此，能够更加容易地将位于框架15与基材51之间的导电性图案52蚀刻去除。
在相邻的两个切口42之间形成有接合片44。换言之，接合片44位于相邻的两个切口42之间。蒸镀掩模20在该接合片44处接合于框架15。即，接合片44和框架15经由接合部60被互相面对地固定。在图3所示的例子中，在一个接合片44上配置一个接合部60。在图示的例子中，多个接合片44沿着蒸镀掩模20的外缘26排列。多个接合片44沿着外缘26所延伸的方向互相具有等间隔地排列。
在俯视观察时，各接合片44从蒸镀掩模20的外缘26朝向有效区域22侧延伸。在图3所示的例子中，关于接合片44，除了其有效区域22侧的一部分区域外，该接合片从蒸镀掩模20的外缘26朝向有效区域22侧具有固定宽度地延伸。在图示的例子中，接合片44从蒸镀掩模20的耳部区域24跨越周围区域23地延伸。并且，不限于此，接合片44也可以仅位于蒸镀掩模20的耳部区域24。
在本实施方式的蒸镀掩模20中，各接合片44被配置在蒸镀掩模20的最外周。并且，各接合片44的沿着延伸的方向位于有效区域22的相反侧的端部45构成了蒸镀掩模20的外缘26的一部分。因此，在本实施方式中，将多个接合片44的各端部45连接而形成的大致矩形形状的假想线构成了蒸镀掩模20的外缘26。
在蒸镀掩模20的外缘26中，切口42沿着外缘所延伸的方向具有第1宽度W1。另外，接合片44沿着外缘26所延伸的方向具有第2宽度W2。并且，在本实施方式中，切口42的第1宽度W1大于接合片44的第2宽度W2。由此，在后述的分离工序中，能够使蚀刻液经由具有比接合片44的第2宽度W2大的第1宽度W1的切口42从蒸镀掩模20的外缘26侧浸入，因此，能够更加容易地将位于框架15与基材51之间的导电性图案52蚀刻去除。切口42的第1宽度W1可以设为例如1mm以上且10mm以下。接合片44的第2宽度W2可以设为例如1mm以上且3mm以下。另外，接合片44的长度(切口42的长度)L可以设为例如0.5mm以上且2.5mm以下。
在图4所示的例子中，蒸镀掩模20具有第1金属层32、第2金属层37和耳部金属层38。以下，也将第1金属层32、第2金属层37和耳部金属层38合起来仅称为金属层。第1金属层32被配置于蒸镀掩模20的第1面20a侧。第2金属层37被配置得比第1金属层32靠蒸镀掩模20的第2面20b侧。耳部金属层38在蒸镀掩模20的耳部区域24内被配置于第1金属层32与第2金属层37之间。在图示的例子中，第1金属层32的与第2金属层37相反的一侧的面构成蒸镀掩模20的第1面20a，第2金属层37的与第1金属层32相反的一侧的面构成蒸镀掩模20的第2面20b。
图示的蒸镀掩模20的耳部区域24具有耳部金属层38，因此具有比有效区域22大的厚度。即，蒸镀掩模20的耳部区域24的厚度T2大于有效区域22的厚度T1。该耳部区域24的厚度T2可以设为例如15μm以上且50μm以下。另外，耳部金属层38的厚度可以设为例如10μm以上且45μm以下。根据具备耳部区域24的蒸镀掩模20，其中，该耳部区域24具有这样的厚度T2，能够利用形成得较厚的耳部区域24支承厚度薄的有效区域22，因此，能够抑制有效区域22中的变形，提高蒸镀掩模20的操作性。
在本实施方式中，如后所述，使用镀覆法制作蒸镀掩模20。这种情况下，在使用镀覆法析出的金属层(第1金属层32、第2金属层37和耳部金属层38)内，会产生残留应力(内部应力)。该残留应力具有在金属层内的所谓的实地部中变大的倾向。在此，实地部是指金属层中的未形成有开口部的区域。另外，随着金属层的厚度变大，在该金属层中产生的残留应力也变大。因此，在本实施方式的蒸镀掩模20中，在具有比有效区域22大的厚度的耳部区域24中，会产生比较大的残留应力。在耳部区域24中产生有较大的残留应力的情况下，由于该残留应力，会在厚度薄的有效区域22中发生变形。例如在耳部区域24中产生有收缩(拉伸)的残留应力的情况下，由于该残留应力，使得有效区域22被从周围拉伸而会发生变形。有效区域22的变形会引起经由蒸镀掩模20蒸镀的蒸镀材料的尺寸精度和位置精度降低。
为了降低在耳部区域24中产生的这样的残留应力，减小比各接合部60靠内侧(有效区域22侧)处的实地部的面积是有效的。因此，优选的是，增大切口42的第1宽度W1，减小接合片44的第2宽度W2。在本实施方式中，如上所述，切口42的第1宽度W1大于接合片44的第2宽度W2。由此，能够减小具有较大厚度的耳部区域24内的实地部的面积，从而降低在耳部区域24中产生的残留应力。因此，能够抑制有效区域22的变形，提高经由蒸镀掩模20蒸镀的蒸镀材料的尺寸精度和位置精度。
另外，为了减小比各接合部60靠内侧(有效区域22侧)处的实地部的面积，优选的是，将各接合部60设置成接近框架15的内缘17，即，减小接合部60与框架15的内缘17之间的距离D。在图3所示的例子中，距离D是在蒸镀掩模20的板面内沿着与多个接合部60的排列方向垂直的方向测量出的接合部60与框架15的内缘17之间的距离。通过减小距离D，也能够减小具有较大厚度的耳部区域24内的实地部的面积，从而降低在耳部区域24中产生的残留应力。因此，能够抑制有效区域22的变形，提高经由蒸镀掩模20蒸镀的蒸镀材料的尺寸精度和位置精度。距离D可以设为例如0.5mm以上且2.5mm以下。
接下来，参照图5和图6，对形成于各有效区域22中的多个第1贯通孔25进行说明。如图5所示，形成于各有效区域22中的多个第1贯通孔25在该有效区域22中沿着互相垂直的两个方向分别以规定的间隔进行排列。在此，针对通过镀覆处理形成蒸镀掩模20的情况下的第1贯通孔25的形状等进行说明。
如图6所示，在各有效区域22中，蒸镀掩模20具备：以规定的图案设置有第1开口部30的第1金属层32；和设置有与第1开口部30连通的第2开口部35的第2金属层37。
在本实施方式中，第1开口部30和第2开口部35互相连通，由此构成了贯通蒸镀掩模20的第1贯通孔25。这种情况下，第1贯通孔25在蒸镀掩模20的第1面20a侧的开口尺寸或开口形状由第1金属层32的第1开口部30限定。另一方面，第1贯通孔25在蒸镀掩模20的第2面20b侧的开口尺寸或开口形状由第2金属层37的第2开口部35限定。换言之，对第1贯通孔25赋予了由第1金属层32的第1开口部30限定的形状、和由第2金属层37的第2开口部35限定的形状双方。
如图5所示，构成第1贯通孔25的第1开口部30或第2开口部35也可以在俯视观察时成为大致多边形状。此处示出了第1开口部30和第2开口部35为大致四边形形状、更具体地说为大致正方形形状的示例。另外，尽管未图示，但第1开口部30、第2开口部35也可以为大致六边形形状、大致八边形形状等其它的大致多边形形状。另外，“大致多边形形状”是包括多边形的角部被倒圆角的形状在内的概念。另外，虽然未图示，第1开口部30、第2开口部35也可以具有圆形状或椭圆形状等形状。另外，只要第2开口部35在俯视观察时具有包围第1开口部30的轮廓，则第1开口部30的形状与第2开口部35的形状也可以不必为相似的形状。
在图6中，标号41表示连接第1金属层32和第2金属层37的连接部。另外，标号S0表示第1贯通孔25在第1金属层32与第2金属层37的连接部41处的尺寸。并且，在图6中，示出了第1金属层32和第2金属层37相接的例子，但不限于此，也可以在第1金属层32与第2金属层37之间夹设有其它层。例如，在第1金属层32与第2金属层37之间可以设置用于促进第2金属层37在第1金属层32上的析出的催化剂层。
如图6所示，第1贯通孔25(第2开口部35)在第2面20b中的开口尺寸S2比第1贯通孔25(第1开口部30)在第1面20a中的开口尺寸S1大。
在图6中，穿过第1贯通孔25(第2开口部35)在蒸镀掩模20的第2面20b侧的端部36的蒸镀材料98的路径、即能够到达有机EL基板92的路径中的与蒸镀掩模20的法线方向N所成的角度最小的路径由标号L1表示。另外，路径L1与蒸镀掩模20的法线方向N所成的角度由标号θ1表示。为了使斜着移动的蒸镀材料98尽可能地到达有机EL基板92，增大角度θ1是有利的。例如，优选使角度θ1为45°以上。
上述的开口尺寸S0、S1、S2是考虑了有机EL显示装置的像素密度和上述的角度θ1的所希望的值等而适当地设定的。例如，在制作400ppi以上的像素密度的有机EL显示装置的情况下，第1贯通孔25在连接部41处的开口尺寸S0可以被设定在15μm以上且60μm以下的范围内。另外，第1开口部30在第1面20a中的开口尺寸S1可以被设定在10μm以上且50μm以下的范围内，第2开口部35在第2面20b中的开口尺寸S2可以被设定在15μm以上且60μm以下的范围内。
在图6所示的例子中，有效区域22中的第1金属层32和第2金属层37的合计厚度T1可以设为例如2μm以上且50μm以下。在有效区域22中的蒸镀掩模20的厚度T1具有这样的厚度的情况下，蒸镀掩模20不但具有所希望的耐久性而且还被充分地薄化，因此，能够抑制从斜方向即相对于有机EL基板92的板面和该板面的法线方向双方倾斜的方向朝向有机EL基板92的蒸镀材料相对于该有机EL基板92的附着受阻，即能够抑制有机材料的附着不均的发生。由此，在具有该有机EL基板92的有机EL显示装置中，能够有效地防止发生辉度不均。
作为构成第1金属层32、第2金属层37和耳部金属层38的主要材料，可以使用含镍的铁合金。例如，可以使用含34质量％以上且38质量％以下的镍的因瓦合金材、除了含镍外还含有钴的超因瓦合金材等铁合金。另外，不限于此，作为构成第1金属层32和第2金属层37的主要材料，例如也可以使用含铬的铁合金等、上述的含镍的铁合金以外的铁合金。作为含铬的铁合金，例如可以使用被称作所谓的不锈钢的铁合金。另外，也可以使用镍或镍-钴合金等铁合金以外的合金。并且，第1金属层32和第2金属层37可以由具有同一组分的材料构成，也可以由具有不同组分的材料构成。
另外，在图3所示的例子中，蒸镀掩模20在多个接合部60与有效区域22之间具有在俯视观察时不与框架15重合的多个第3贯通孔48。特别是在图示的例子中，多个第3贯通孔48被设置于蒸镀掩模20的周围区域23内。第3贯通孔48的意图在于：在后述的分离工序中，使蚀刻液经由该第3贯通孔48浸入。在图示的例子中，第3贯通孔48在俯视观察时具有圆形形状。另外，各第3贯通孔48形成为具有彼此相同的形状和尺寸。但是，不限于此，各第3贯通孔48也可以形成为具有互不相同的形状或尺寸。第3贯通孔48的直径可以设为例如20μm以上且50μm以下。
通过使蒸镀掩模20具有这样的第3贯通孔48，在后述的分离工序中，能够使蚀刻液经由该第3贯通孔48浸入，因此，能够容易地将多个接合部60与有效区域22之间的、特别是位于周围区域23内的导电性图案52蚀刻去除。
接下来，对蒸镀掩模装置10的制造方法的一例进行说明。
〔图案基板准备工序〕
首先，针对制作为了制造蒸镀掩模装置10而使用的图案基板50的方法的一例进行说明。首先，准备基材51。只要具有绝缘性和适当的强度，构成基材51的材料和基材51的厚度就不特别限定。如后所述，在通过隔着基材51照射激光而将蒸镀掩模20和框架15焊接固定在一起的情况下，作为构成基材51的材料，可以是恰当地使用具有高透光性的玻璃材料。另外，在使用粘接剂将蒸镀掩模20和框架15互相固定在一起的情况下，作为构成基材51的材料，可以使用玻璃、合成树脂、金属等。这种情况下，基材51可以不具有透光性。
接下来，如图7所示，形成由导电性材料构成的导电层52a。导电层52a是通过构图而成为导电性图案52的层。作为构成导电层52a的材料，适当地使用了金属材料或氧化物导电性材料等具有导电性的材料。作为金属材料的例子，能够列举出例如铬或铜等。优选的是，将相对于后述的第1抗蚀剂图案53具有较高的紧密贴合性的材料用作构成导电层52a的材料。例如在通过对含有丙烯系光硬化性树脂的抗蚀剂膜等、被称为所谓的干膜的膜进行构图来制作第1抗蚀剂图案53的情况下，作为构成导电层52a的材料，优选使用铜。
导电层52a通过例如溅镀或无电镀等而形成。如果使导电层52a形成得较厚，则导电层52a的形成需要较长的时间。另一方面，如果导电层52a的厚度过薄，则阻值变大，难以通过电镀处理形成第1金属层32。因此，例如优选使导电层52a的厚度在50nm以上且500nm以下的范围内。
接下来，如图8所示，在导电层52a上形成具有规定的图案的第1抗蚀剂图案53。作为形成第1抗蚀剂图案53的方法，可以与后述的第2抗蚀剂图案55的情况相同地采用光刻法等。作为对第1抗蚀剂图案53用的材料以规定的图案照射光线的方法，可以采用如下的方法等：使用使曝光光线按照规定的图案透过的曝光掩模；或者，使曝光光线按照规定的图案相对于第1抗蚀剂图案53用的材料相对扫描。然后，如图9所示，通过蚀刻，将导电层52a中的未被第1抗蚀剂图案53覆盖的部分除去。接下来，如图10所示，除去第1抗蚀剂图案53。由此，能够得到形成有如下的导电性图案52的图案基板50：该导电性图案52具有与第1金属层32对应的图案。
〔第1成膜工序〕
接下来，针对利用图案基板50来制作上述的第1金属层32的第1成膜工序进行说明。在此，在具有绝缘性的基材51上，形成按照规定的图案设有第1开口部30的第1金属层32。具体来说，实施第1镀覆处理工序，在该工序中，将第1镀覆液供给到形成有导电性图案52的基材51上，使第1金属层32在导电性图案52上析出。例如，将形成有导电性图案52的基材51浸渍在填充有第1镀覆液的镀覆槽中。由此，如图11所示，能够在基材51上得到以规定的图案设有第1开口部30的第1金属层32。第1金属层32的厚度为例如5μm以下。并且，关于在基材51上形成第1金属层32，并不限于在基材51上直接形成第1金属层32，还包含如下情况：在基材51上隔着导电性图案52等其它的层形成第1金属层32。
只要能够使第1金属层32在导电性图案52上析出，则第1镀覆处理工序的具体方法就不特别限定。例如，第1镀覆处理工序可以作为如下这样的所谓的电镀处理工序来实施：通过使电流流过导电性图案52而在导电性图案52上析出第1金属层32。或者，第1镀覆处理工序也可以是无电镀处理工序。并且，在第1镀覆处理工序为无电镀处理工序的情况下，可以在导电性图案52上设有恰当的催化剂层。或者，也可以构成为使导电性图案52作为催化剂层发挥功能。即使在实施电镀处理工序的情况下，也可以在导电性图案52上设有催化剂层。
所使用的第1镀覆液的成分可以根据第1金属层32所要求的特性适当地设定。例如，作为第1镀覆液，可以使用含有镍化合物的溶液与含有铁化合物的溶液的混合溶液。例如，可以使用包含氨基磺酸镍或溴化镍的溶液与包含氨基磺酸亚铁的溶液的混合溶液。在镀覆液中可以包含各种添加剂。作为添加剂，可以使用硼酸等pH缓冲剂、糖精钠等第一光亮剂、丁炔二醇、炔丙醇、香豆素、福尔马林、硫脲等第二光亮剂或者防氧化剂等。
〔第2抗蚀剂图案形成工序〕
接下来，实施在基材51上和第1金属层32上隔开规定的间隙56形成第2抗蚀剂图案55的第2抗蚀剂图案形成工序。图12是示出在基材51上形成的第2抗蚀剂图案55的剖视图。如图12所示，抗蚀剂形成工序以如下方式实施：第1金属层32的第1开口部30被第2抗蚀剂图案55覆盖，并且第2抗蚀剂图案55的间隙56位于第1金属层32上。并且，此时，在与耳部区域24对应的区域中没有形成第2抗蚀剂图案55。在此，间隙56是指未形成第2抗蚀剂图案55的部位。因此，可以说，在与蒸镀掩模20的耳部区域24对应的区域中也形成有间隙56。
以下，对抗蚀剂形成工序的一例进行说明。首先，通过在基材51上和第1金属层32上粘贴干膜，由此形成负性的抗蚀剂膜。作为干膜的例子，可以列举出例如日立化成制的RY3310等含有丙烯系光硬化性树脂的膜。另外，也可以是：将第2抗蚀剂图案55用的材料涂敷在基材51上，然后根据需要实施烧制，由此形成抗蚀剂膜。接下来，准备曝光掩模，并将曝光掩模配置在抗蚀剂膜上，其中，所述曝光掩模使光不透过抗蚀剂膜中的应该成为间隙56的区域。然后，通过真空紧密贴合使曝光掩模充分地紧密贴合于抗蚀剂膜。并且，作为抗蚀剂膜，也可以使用正性的抗蚀剂膜。这种情况下，作为曝光掩模，使用使光透过抗蚀剂膜中的希望去除的区域的曝光掩模。
然后，隔着曝光掩模对抗蚀剂膜进行曝光。而且，为了在曝光后的抗蚀剂膜上形成图像，对抗蚀剂膜进行显影。并且，为了使第2抗蚀剂图案55更加牢固地紧密贴合于基材51和第1金属层32，也可以在显影工序后实施对第2抗蚀剂图案55加热的热处理工序。
〔耳部金属层形成工序〕
接下来，实施在与耳部区域24对应的区域内形成耳部金属层38的耳部金属层形成工序。
在耳部金属层形成工序中，在通过遮蔽部件覆盖着并非意图形成耳部金属层38的区域(在图12所示的例子中，为有效区域22、周围区域23和耳部区域24的有效区域22侧的端部)的状态下，将耳部金属层形成用的镀覆液供给至从遮蔽部件露出的第1金属层32上，在第1金属层32上析出耳部金属层38。例如，在并非意图形成耳部金属层38的区域被遮蔽部件覆盖的状态下，将基材51、导电性图案52、第1金属层32和第2抗蚀剂图案55的层叠体浸入填充有耳部金属层形成用的镀覆液的镀覆槽中。由此，如图13所示，能够在耳部区域24内的第1金属层32上形成耳部金属层38。耳部金属层38的厚度可以设为例如10μm以上且45μm以下。
只要能够在第1金属层32上析出耳部金属层38，则耳部金属层形成工序的具体方法并不特别限定。例如，耳部金属层形成工序可以作为如下的所谓电镀处理工序来实施：通过使电流流过第1金属层32而使耳部金属层38在第1金属层32上析出。或者，耳部金属层形成工序也可以是无电镀处理工序。并且，在耳部金属层形成工序为无电镀处理工序的情况下，可以在第1金属层32上设有恰当的催化剂层。即使在实施电镀处理工序的情况下，也可以在第1金属层32上设有催化剂层。
作为耳部金属层形成用的镀覆液，可以使用与上述的第1镀覆液相同的镀覆液。或者，也可以将与第1镀覆液不同的镀覆液用作耳部金属层形成用的镀覆液。在第1镀覆液的组分和耳部金属层形成用的镀覆液的组分相同的情况下，构成第1金属层32的金属的组分和构成耳部金属层38的金属的组分也相同。
〔第2成膜工序〕
接下来，实施在第1金属层32和耳部金属层38上形成第2金属层37的第2成膜工序。在第2成膜工序中，在第1金属层32上形成设有与第1开口部30连通的第2开口部35的第2金属层37。特别是在本实施方式中，在第2成膜工序中，使第2金属层37形成为跨在第1金属层32上和耳部金属层38上。具体来说，实施如下的第2镀覆处理工序：将第2镀覆液供给到第2抗蚀剂图案55的间隙56和耳部金属层38上，在第1金属层32和耳部金属层38上析出第2金属层37。例如，将形成有第1金属层32和耳部金属层38的基材51浸入填充有第2镀覆液的镀覆槽中。由此，如图14所示，能够在第1金属层32和耳部金属层38上形成第2金属层37。第2金属层37的厚度被设定成使得有效区域22中的蒸镀掩模20的金属层的厚度T1为2μm以上且50μm以下。
在图14所示的例子中，有效区域22中的第1金属层32的厚度和耳部区域24中的第1金属层32的厚度相同。另外，有效区域22中的第2金属层37的厚度和耳部区域24中的第2金属层37的厚度也相同。因此，耳部区域24的厚度T2由于耳部金属层38的存在而比有效区域22的厚度T1大。
只要能够使第2金属层37在第1金属层32和耳部金属层38上析出，则第2镀覆处理工序的具体方法并不特别限定。例如，第2镀覆处理工序可以作为如下的所谓电镀处理工序来实施：通过使电流流过第1金属层32和耳部金属层38而使第2金属层37在第1金属层32和耳部金属层38上析出。或者，第2镀覆处理工序也可以是无电镀处理工序。并且，在第2镀覆处理工序为无电镀处理工序的情况下，可以在第1金属层32和耳部金属层38上设有恰当的催化剂层。即使在实施电镀处理工序的情况下，也可以在第1金属层32和耳部金属层38上设有催化剂层。
作为第2镀覆液，可以使用与上述的第1镀覆液或耳部金属层形成用的镀覆液相同的镀覆液。或者，也可以将与第1镀覆液或耳部金属层形成用的镀覆液不同的镀覆液用作第2镀覆液。在第1镀覆液的组分和第2镀覆液的组分相同的情况下，构成第1金属层32的金属的组分与构成第2金属层37的金属的组分也变得相同。另外，在耳部金属层形成用的镀覆液的组分与第2镀覆液的组分相同的情况下，构成耳部金属层38的金属的组分与构成第2金属层37的金属的组分也变得相同。
并且，在图14中，示出了持续执行第2镀覆处理工序直至第2抗蚀剂图案55的上表面与第2金属层37的上表面变得一致为止的例子，但不限于此。也可以在第2金属层37的上表面位于第2抗蚀剂图案55的上表面的下方的状态下使第2镀覆处理工序停止。
〔除去工序〕
然后，实施将第2抗蚀剂图案55除去的除去工序。除去工序是通过将图案基板50、第1金属层32、耳部金属层38、第2金属层37和第2抗蚀剂图案55的层叠体浸渍于例如碱系的剥离液中来进行的。由此，如图15所示，能够将第2抗蚀剂图案55从图案基板50、第1金属层32和第2金属层37剥离。
〔切断工序〕
接下来，实施如下的切断工序：在应该成为蒸镀掩模20的外缘26的部位，将图案基板50、第1金属层32、耳部金属层38和第2金属层37沿着切断线切断。在图15中，该切断线由带有标号C的点划线表示。切出的基材51、导电性图案52、第1金属层32、耳部金属层38和第2金属层37的层叠体65在图16中示出。
〔接合工序〕
接下来，实施将金属层(第1金属层32、第2金属层37和耳部金属层38)接合于框架15的接合工序。在接合工序中，将层叠体65的金属层通过多个接合部60接合于框架15，其中，所述层叠体65具有基材51、设置于基材51上的导电性图案52、以及设置于导电性图案52的与基材51相反的一侧的金属层。特别是在本实施方式中，将层叠体65中的接合片44接合于框架15(参照图19)。在图17所示的例子中，金属层和框架15通过点焊互相面对地固定。特别是在图示的例子中，金属层和框架15通过激光点焊互相面对地固定。并且，不限于此，在接合工序中，金属层和框架15也可以通过例如粘接剂等其它固定手段互相面对地固定。
在图17所示的例子中，以接合片44的第2金属层37和框架15接触的方式配置层叠体65和框架15。接下来，从基材51侧隔着基材51对层叠体65的接合片44照射激光La，通过因激光La的照射而产生的热使接合片44的一部分和框架15的一部分熔解，从而将接合片44和框架15焊接固定。
作为激光La，例如，可以使用由YAG激光装置生成的YAG激光。作为YAG激光装置，例如可以使用具备在YAG(钇·铝·石榴石)中添加Nd(钕)而成的结晶来作为振荡用介质的激光装置。
由此，如图18所示，形成将接合片44和框架15接合在一起的接合部60，并获得具有基材51、第1金属层32、耳部金属层38、第2金属层37和框架15的中间部件70。图19是示出中间部件70的部分俯视图。在图19中，从基材51侧观察并示出中间部件70。在图示的例子中，中间部件70具有使层叠体65(蒸镀掩模20)的金属层32、37、38和框架15互相接合在一起的多个接合部60，多个接合部60沿着层叠体65的外缘26排列，在层叠体65的外缘26上的与相邻的两个接合部60之间对应的位置形成有切口42。
〔分离工序〕
接下来，实施使第1金属层32、耳部金属层38、第2金属层37和框架15的组合体从基材51分离的分离工序。在分离工序中，首先，将中间部件70浸渍于能够选择性地蚀刻导电性图案52的蚀刻液中。接下来，将第1金属层32、耳部金属层38、第2金属层37和框架15的组合体从基材51剥下而使它们分离。然后，将第1金属层32、耳部金属层38、第2金属层37和框架15的组合体再次浸渍于蚀刻液中，将附着于第1金属层32上而残存的导电性图案52完全蚀刻去除。由此，能够获得图4所示那样的将蒸镀掩模20和框架15通过多个接合部60接合在一起而成的蒸镀掩模装置10，其中，所述蒸镀掩模20具备：以规定的图案设有第1开口部30的第1金属层32；设有与第1开口部30连通的第2开口部35的第2金属层37；以及在耳部区域24中配置于第1金属层32和第2金属层37之间的耳部金属层38。
参照图20～图22，对该分离工序中的导电性图案52的蚀刻去除进行说明。图20是在与图19的XX-XX线对应的截面中示出中间部件70的图。图21是在与图19的XXI-XXI线对应的截面中示出中间部件70的图。图22是将图20的截面的一部分放大后示出的图，特别是示出了由图20的带有标号XXII的点划线所包围的区域中的中间部件70。
在分离工序中，在图20所示的例子中，蚀刻液从层叠体65(蒸镀掩模20)的外缘26侧浸入切口42内。另外，在图示的例子中，蚀刻液也从框架15的内缘17侧经由间隙18浸入切口42内。
如图21所示，存在于接合片44和基材51之间的导电性图案52在切口42内露出。因此，导电性图案52从在切口42内露出的面即侧面开始被浸入切口42内的蚀刻液蚀刻。在此，使用仅溶解导电性图案52而不溶解第1金属层32、耳部金属层38、第2金属层37和框架15的蚀刻液来作为蚀刻液，由此，能够在第1金属层32、耳部金属层38、第2金属层37和框架15不被蚀刻液侵蚀的情况下仅将导电性图案52溶解、除去。在图示的例子中，蚀刻从导电性图案52的两个侧面朝向内侧推进。如果蚀刻不断推进，则通过从一个侧面推进的蚀刻而形成的表面和通过从另一个侧面推进的蚀刻而形成的表面相连接，由此，接合片44的第1金属层32和基材51分离。
另外，在图20所示的例子中，蒸镀掩模20具有多个第3贯通孔48，所述第3贯通孔48被设置在多个接合部60与有效区域22之间，且在俯视观察时不与框架15重合。由此，在分离工序中，蚀刻液浸入该第3贯通孔48内。
如图22所示，在周围区域23内存在于第1金属层32与基材51之间的导电性图案52在第3贯通孔48内露出。因此，导电性图案52从在第3贯通孔48内露出的面即侧面开始被浸入第3贯通孔48内的蚀刻液蚀刻。在图示的例子中，蚀刻从导电性图案52的两个侧面朝向内侧推进。如果蚀刻不断推进，则通过从一个侧面推进的蚀刻而形成的表面和通过从另一个侧面推进的蚀刻而形成的表面相连接，由此，周围区域23内的第1金属层32和基材51分离。
另外，在图20所示的例子中，在有效区域22内存在于第1金属层32和基材51之间的导电性图案52在第1贯通孔25内露出。因此，导电性图案52从在第1贯通孔25内露出的面即侧面开始被浸入第1贯通孔25内的蚀刻液蚀刻。在图示的例子中，蚀刻从导电性图案52的两个侧面朝向内侧推进。如果蚀刻不断推进，则通过从一个侧面推进的蚀刻而形成的表面和通过从另一个侧面推进的蚀刻而形成的表面相连接，由此，有效区域22内的第1金属层32和基材51分离。
通过以上步骤，导电性图案52被从中间部件70蚀刻去除，第1金属层32和基材51分离。即，第1金属层32、耳部金属层38、第2金属层37和框架15的组合体从基材51分离。并且，在导电性图案52的蚀刻去除工序中，第1金属层32和基材51也可以不完全分离。即，第1金属层32和基材51也可以成为局部地通过导电性图案52连接的状态。这种情况下，通过将基材51从第1金属层32、耳部金属层38、第2金属层37和框架15的组合体剥离，由此，能够使将第1金属层32和基材51部分地连接的导电性图案52断裂，从而使基材51从该组合体分离。并且，通过将第1金属层32、耳部金属层38、第2金属层37和框架15的组合体再次浸渍于蚀刻液中，能够将附着于第1金属层32上而残存的导电性图案52完全地蚀刻去除。
本实施方式的蒸镀掩模装置10具备：蒸镀掩模20，其具有配置有多个第1贯通孔25的有效区域22；和安装于蒸镀掩模20的框架15，该蒸镀掩模装置具有将蒸镀掩模20和框架15互相接合的多个接合部60，多个接合部60沿着蒸镀掩模20的外缘26排列，在蒸镀掩模20的外缘26上的与相邻的两个接合部60之间对应的位置处形成有切口42。
根据这样的蒸镀掩模装置10，在制造蒸镀掩模装置10时的、使基材51从构成层叠体65(蒸镀掩模20)的金属层32、37、38与框架15的组合体分离的分离工序中，能够使蚀刻液从层叠体65(蒸镀掩模20)的外缘26侧经由该切口42浸入，因此，能够容易地将夹在框架15与基材51之间而就位的、即夹在接合片44与基材51之间而就位的导电性图案52蚀刻去除。由此，不对蒸镀掩模20施加张力就能够使蒸镀掩模20接合于框架15，因此，能够有效地抑制在蒸镀掩模装置10的蒸镀掩模20上产生皱褶或变形。
在本实施方式的蒸镀掩模装置10中，蒸镀掩模20具有位于相邻的两个切口42之间的接合片44，在外缘26中，切口42沿着外缘26所延伸的方向具有第1宽度W1，接合片44沿着外缘26所延伸的方向具有第2宽度W2，第1宽度W1大于第2宽度W2。
根据这样的蒸镀掩模装置10，在分离工序中，能够使蚀刻液经由切口42从层叠体65(蒸镀掩模20)的外缘26侧浸入，其中，所述切口42具有比接合片44的第2宽度W2大的第1宽度W1，因此，能够更加容易地将夹在框架15与基材51之间而就位的、即夹在接合片44与基材51之间而就位的导电性图案52蚀刻去除。因此，能够以较短的时间使基材51从金属层32、37、38与框架15的组合体分离，从而能够高效且快速地进行蒸镀掩模装置10的制造。而且，能够减小与有效区域22相比具有较大厚度的耳部区域24内的实地部的面积，从而能够降低因利用镀覆法形成金属层32、37、38而在耳部区域24中产生的残留应力(内部应力)。因此，能够抑制有效区域22的变形，提高经由蒸镀掩模20蒸镀的蒸镀材料的尺寸精度和位置精度。
在本实施方式的蒸镀掩模装置10中，在俯视观察蒸镀掩模20时，切口42延伸成超过框架15的内缘17。
根据这样的蒸镀掩模装置10，能够在切口42的有效区域22侧的端部与框架15的内缘17之间形成间隙18。由此，在分离工序中，能够使蚀刻液从框架15的内缘17侧经由该间隙18浸入，因此，能够更加容易地将位于框架15与基材51之间的导电性图案52蚀刻去除。
在本实施方式的蒸镀掩模装置10中，蒸镀掩模20在俯视观察时具有多边形形状，且沿着构成多边形的一条边形成有多个切口42。
根据这样的蒸镀掩模装置10，在构成蒸镀掩模20的俯视图形状的多边形的一条边上形成有多个切口42，因此，能够将位于框架15与基材51之间的导电性图案52更高效地蚀刻去除。
在本实施方式的蒸镀掩模装置10中，具有多个切口42，多个切口42包括在俯视观察蒸镀掩模20时具有互不相同的形状和/或尺寸的两个切口42。
根据这样的蒸镀掩模装置10，通过包含具有互不相同的形状和/或尺寸的两个切口42，由此，在该两个切口42中，能够使分离工序中的、蚀刻液向框架15与基材51之间浸入的浸入量和/或速度局部地变化。由此，能够使位于框架15与基材51之间的导电性图案52的蚀刻去除的推进速度均匀化。另外，不限于此，也可以有意地使位于框架15与基材51之间的导电性图案52的蚀刻去除的推进速度产生局部的差异。
在本实施方式的蒸镀掩模装置10中，蒸镀掩模20在多个接合部60与有效区域22之间具有在俯视观察时不与框架15重合的多个第3贯通孔48。
根据这样的蒸镀掩模装置10，在分离工序中，能够使蚀刻液经由第3贯通孔48浸入，因此，能够容易地将多个接合部60与有效区域22之间的、特别是位于周围区域23内的导电性图案52蚀刻去除。因此，能够以更短的时间使基材51从金属层32、37、38与框架15的组合体分离，从而能够高效且快速地进行蒸镀掩模装置10的制造。
本实施方式的蒸镀掩模装置10的制造方法是具备蒸镀掩模20和安装于蒸镀掩模20的框架15的蒸镀掩模装置10的制造方法，所述蒸镀掩模20具有形成有多个第1贯通孔25的有效区域22，其中，该制造方法具备：接合工序，将层叠体65的金属层32、37、38通过多个接合部60接合于框架15，所述层叠体65具有基材51、设置于基材51上的导电性图案52、以及设置于导电性图案52的与基材51相反的一侧的金属层32、37、38；和分离工序，将导电性图案52蚀刻去除而使基材51从金属层32、37、38分离，由金属层32、37、38形成蒸镀掩模20。
根据这样的蒸镀掩模装置10的制造方法，能够使构成蒸镀掩模20的层叠体65的金属层32、37、38在保持于基材51上的状态下相对于框架15接合，因此，不对蒸镀掩模20施加张力就能够使蒸镀掩模20接合于框架15并确保蒸镀掩模20的平坦性。由此，能够有效地抑制因对蒸镀掩模20施加张力而在蒸镀掩模装置10的蒸镀掩模20上产生皱褶或变形。
在本实施方式的蒸镀掩模装置10的制造方法中，多个接合部60沿着金属层32、37、38的外缘26排列，在金属层32、37、38的外缘26的、与在多个接合部60的排列方向上相邻的两个接合部60之间相对应的位置处形成有切口42。
根据这样的蒸镀掩模装置10的制造方法，在分离工序中，能够使蚀刻液从层叠体65(蒸镀掩模20)的外缘26侧经由该切口42浸入，因此，能够容易地将夹在框架15与基材51之间而就位的、即夹在接合片44与基材51之间而就位的导电性图案52蚀刻去除。
并且，能够对上述的实施方式施加各种变形。以下，根据需要，参照图面对变形例进行说明。在以下的说明和以下的说明所使用的附图中，对于能够和上述的实施方式相同地构成的部分，使用与上述的实施方式中的对应的部分所使用的标号相同的标号，并省略重复的说明。另外，在上述的实施方式所得到的作用效果很明显也能够在变形例中得到的情况下，有时也省略其说明。
图23是示出蒸镀掩模装置10的一个变形例的部分俯视图。在图示的例子中，蒸镀掩模装置10的蒸镀掩模20在多个接合部60与有效区域22之间具有在俯视观察时与框架15的内缘17重合的多个第2贯通孔46。另外，各第2贯通孔46被配置在与相邻的两个接合部60之间对应的位置处。在此，第2贯通孔46在俯视观察时与框架15的内缘17重合且被配置在与相邻的两个接合部60之间对应的位置处是指：第2贯通孔46从处于相邻的两个接合部60之间的位置起，位于在蒸镀掩模20的板面内与连接该相邻的两个接合部60的方向垂直的方向上，且与框架15的内缘17的部分重合。特别是在图示的例子中，包含框架15的内缘17的与相邻的两个接合部60之间的中央对应的位置在内，形成有第2贯通孔46。包含框架15的内缘17的如下部分在内形成有第2贯通孔46：该部分从成为相邻的两个接合部60之间的中央的位置起，位于在蒸镀掩模20的板面内与连接该相邻的两个接合部60的方向相垂直的方向上。
在图23所示的例子中，各第2贯通孔46在俯视观察时形成为圆形形状。由此，在外力作用于蒸镀掩模20的情况下，能够抑制如下的情况：应力集中于第2贯通孔46内的特定部位，从而在该部位产生龟裂或变形等。并且，不限于此，各第2贯通孔46也可以在俯视观察时具有椭圆形、矩形等多边形形状等其它形状。在各第2贯通孔46在俯视观察时形成为多边形形状等具有角部的形状的情况下，从在外力作用于蒸镀掩模20的情况下缓和第2贯通孔46内的应力集中的观点出发，优选对该角部倒圆角。并且，在图示的例中，第2贯通孔46的直径可以设为例如1mm以上且10mm以下。
通过形成第2贯通孔46，由此，如图23所示，在蒸镀掩模20上，在第2贯通孔46的有效区域22侧的周缘部与框架15的内缘17之间形成间隙18。
通过使蒸镀掩模20具有这样的第2贯通孔46，由此，在分离工序中，能够使蚀刻液从框架15的内缘17侧经由由第2贯通孔46和框架15的内缘17形成的间隙18浸入，因此，能够容易地将位于框架15和基材51之间的导电性图案52蚀刻去除。
在俯视观察时与框架15的内缘17重合的区域中，第2贯通孔46沿着内缘17所延伸的方向具有第3宽度W3。另外，位于在内缘17所延伸的方向上相邻的两个第2贯通孔46之间的蒸镀掩模20的金属层沿着内缘17所延伸的方向具有第4宽度W4。并且，在本变形例子中，第3宽度W3大于第4宽度W4。由此，在分离工序中，能够使蚀刻液经由具有比第4宽度W4大的第3宽度W3的第2贯通孔46(间隙18)从框架15的内缘17侧浸入，因此，能够更加容易地将位于框架15与基材51之间的导电性图案52蚀刻去除。
另外，由于第3宽度W3大于第4宽度W4，因此，能够减小与有效区域22相比具有较大厚度的耳部区域24内的实地部的面积，从而能够降低因利用镀覆法形成金属层32、37、38而在耳部区域24中产生的残留应力(内部应力)。因此，能够抑制有效区域22的变形，提高经由蒸镀掩模20蒸镀的蒸镀材料的尺寸精度和位置精度。
第3宽度W3可以设为例如1mm以上且10mm以下。第4宽度W4可以设为例如1mm以上且3mm以下。
并且，在图23中示出了设置有切口42和第2贯通孔46双方的例子，但不限于此，蒸镀掩模20也可以不具有切口42而仅具有第2贯通孔46。
接下来，对本变形例中的蒸镀掩模装置10的制造方法的一例进行说明。通过与上述的实施方式相同地从图案基板准备工序执行至接合工序，由此得到图24所示那样的具有基材51、第1金属层32、耳部金属层38、第2金属层37以及框架15的中间部件70。在图24中，从基材51侧观察并示出中间部件70。在图示的例子中，中间部件70具有使层叠体65(蒸镀掩模20)的金属层32、37、38和框架15互相接合在一起的多个接合部60，多个接合部60沿着层叠体65的外缘26排列，层叠体65在多个接合部60与有效区域22之间具有在俯视观察时与框架15的内缘17重合的多个第2贯通孔46，各第2贯通孔46被配置在与相邻的两个接合部60之间对应的位置。
对于分离工序中的导电性图案52的蚀刻去除，参照图25详细叙述。图25是在与图24的XXV-XXV线对应的截面中示出中间部件70的图。
在分离工序中，在图25所示的例子中，蚀刻液从框架15的内缘17侧经由间隙18浸入第2贯通孔46内。在此，夹在框架15与基材51之间而就位的导电性图案52具有在第2贯通孔46内露出的侧面。因此，导电性图案52被浸入第2贯通孔46内的蚀刻液从在第2贯通孔46中露出的侧面蚀刻。在图示的例子中，蚀刻从导电性图案52的在第2贯通孔46中露出的侧面朝向内侧推进。
另外，在图示的例子中，蚀刻液也从层叠体65(蒸镀掩模20)的外缘26侧浸入切口42内。在此，在图示的例子中，夹在框架15与基材51之间而就位的导电性图案52也具有在切口42内露出的侧面。因此，导电性图案52也被浸入切口42内的蚀刻液从在切口42内露出的侧面蚀刻。
在图示的例子中，蚀刻从导电性图案52的两个侧面朝向内侧推进。如果蚀刻不断推进，则通过从一个侧面推进的蚀刻而形成的表面和通过从另一个侧面推进的蚀刻而形成的表面相连接，由此，夹在框架15与基材51之间而就位的第1金属层32与基材51分离。另外，在周围区域23内存在于第1金属层32与基材51之间的导电性图案52、和在有效区域22内存在于第1金属层32和基材51之间的导电性图案52也与上述的实施方式相同地被蚀刻去除。
通过以上步骤，导电性图案52被从中间部件70蚀刻去除，第1金属层32和基材51分离。即，第1金属层32、耳部金属层38、第2金属层37和框架15的组合体从基材51分离。
本变形例的蒸镀掩模装置10具备：蒸镀掩模20，其具有配置有多个第1贯通孔25的有效区域22；和安装于蒸镀掩模20的框架15，该蒸镀掩模装置具有将蒸镀掩模20和框架15互相接合的多个接合部60，多个接合部60沿着蒸镀掩模20的外缘26排列，蒸镀掩模20在多个接合部60与有效区域22之间具有在俯视观察时与框架15的内缘17重合的多个第2贯通孔46，各第2贯通孔46被配置在与相邻的两个接合部60之间对应的位置。
根据这样的蒸镀掩模装置10，在制造蒸镀掩模装置10时的、使基材51从构成层叠体65(蒸镀掩模20)的金属层32、37、38与框架15的组合体分离的分离工序中，能够使蚀刻液从框架15的内缘17侧经由该第2贯通孔46浸入，因此，能够容易地将夹在框架15与基材51之间而就位的导电性图案52蚀刻去除。由此，不对蒸镀掩模20施加张力就能够使蒸镀掩模20接合于框架15，因此，能够有效地抑制在蒸镀掩模装置10的蒸镀掩模20上产生皱褶或变形。
关于本变形例的蒸镀掩模装置10，在俯视观察时与框架15的内缘17重合的区域中，第2贯通孔46沿着内缘17所延伸的方向具有第3宽度W3，位于在内缘17所延伸的方向上相邻的两个第2贯通孔46之间的蒸镀掩模20的金属层沿着内缘17所延伸的方向具有第4宽度W4，第3宽度W3大于第4宽度W4。
根据这样的蒸镀掩模装置10，在分离工序中，能够使蚀刻液经由具有比第4宽度W4大的第3宽度W3的第2贯通孔46从框架15的内缘17侧浸入，因此，能够更加容易地将夹在框架15与基材51之间而就位的导电性图案52蚀刻去除。因此，能够以较短的时间使基材51从金属层32、37、38与框架15的组合体分离，从而能够高效且快速地进行蒸镀掩模装置10的制造。而且，能够减小与有效区域22相比具有较大厚度的耳部区域24内的实地部的面积，从而能够降低因利用镀覆法形成金属层32、37、38而在耳部区域24中产生的残留应力(内部应力)。因此，能够抑制有效区域22的变形，提高经由蒸镀掩模20蒸镀的蒸镀材料的尺寸精度和位置精度。
在本变形例的蒸镀掩模装置10的制造方法中，多个接合部60沿着金属层32、37、38的外缘26排列，金属层32、37、38在多个接合部60与有效区域22之间具有在俯视观察时与框架15的内缘17重合的多个第2贯通孔46，各第2贯通孔46被配置在与在多个接合部60的排列方向上相邻的两个接合部60之间相对应的位置处。
根据这样的蒸镀掩模装置10的制造方法，在分离工序中，能够使蚀刻液从框架15的内缘17侧经由该第2贯通孔46浸入，因此能够容易地将夹在框架15与基材51之间而就位的导电性图案52蚀刻去除。
接下来，参照图26～图30，对蒸镀掩模装置10的另一个变形例进行说明。图26是示出本变形例的蒸镀掩模装置10的俯视图，图27是将蒸镀掩模装置10的一部分放大后示出的部分俯视图，并且是示出图26的由标记有XXVII的点划线所包围的部分的图，图28是在与图27的XXVIII-XXVIII线对应的截面中示出蒸镀掩模装置10的图，图29是示出蒸镀掩模装置10的蒸镀掩模20的俯视图，图30是示出蒸镀掩模装置10的框架80的俯视图。
图26所示的蒸镀掩模装置10具备：在俯视观察时具有大致矩形的形状的蒸镀掩模20；和安装于蒸镀掩模20的周缘部的框架80。蒸镀掩模装置10具有多个蒸镀掩模20。多个蒸镀掩模20沿着与框架80的后述的第2框架82的板面平行、且互相交叉的两个方向排列。特别是在图示的例子中，多个蒸镀掩模20沿着互相垂直的两个方向排列。各蒸镀掩模20分别具有一个有效区域22。各蒸镀掩模20对应一个有机EL显示装置的显示区域。因此，根据图示的蒸镀掩模装置10，能够对应于各蒸镀掩模20进行有机EL显示装置的拼版蒸镀(多面付蒸着)。在图示的例子中，蒸镀掩模20具有：金属层31；和形成于金属层31的多个第1贯通孔25。另外，关于蒸镀掩模20的厚度，作为一例，可以为2.5μm以上且30μm以下。
如图26、图27和图30所示，框架80具有：第1框架81；和安装于第1框架81的第2框架82。第2框架82在俯视图中具有大致四边形形状，更正确地说，在俯视图中具有大致矩形形状的轮廓。第1框架81形成为大致矩形的框状，第2框架82以该第2框架82的各边与第1框架81的各边相对应的方式安装于第1框架81。
第2框架82具有板部件84和形成于板部件84的多个开口部86。多个开口部86沿着互相交叉的两个方向排列。特别是在图示的例子中，多个开口部86沿着互相垂直的两个方向排列。在本变形例的蒸镀掩模装置10中，与第2框架82的一个开口部86对应地安装一个蒸镀掩模20。第2框架82的厚度可以设为例如50μm以上且500μm以下。
如图所示，第2框架82的开口部86例如在俯视图中具有大致四边形形状，更准确地说，在俯视图中具有大致矩形的轮廓。另外，尽管未图示，但各开口部86可以根据被蒸镀基板(有机EL基板)92的显示区域的形状而具有各种形状的轮廓。例如各开口部86可以具有圆形状的轮廓。在图26、图27和图30中，示出了各开口部86具有彼此相同的俯视图形状的例子，但不限于此，各开口部86也可以具有互不相同的开口部形状。换言之，第2框架82也可以具有这样的多个开口部86：它们具有互不相同的俯视图形状。
蒸镀掩模20的第1贯通孔25具有比第2框架82的开口部86的面方向尺寸小的面方向尺寸。在此，第1贯通孔25具有比开口部86的面方向尺寸小的面方向尺寸是指：第1贯通孔25的尺寸在沿着第2框架82的板面(蒸镀掩模20的板面)的所有方向中小于开口部86的尺寸。由此，在图27所示的例子中，在俯视观察时，限定开口部86的轮廓包围着限定第1贯通孔25的轮廓，其中，所述第1贯通孔25位于该开口部86内。第1贯通孔25的面方向的最大尺寸可以设为例如5μm以上且100μm以下。并且，第1贯通孔25也可以在俯视观察时具有如下的缝隙状的形状：该形状具有长度方向和与该长度方向垂直的宽度方向。这种情况下，可以将第1贯通孔25的沿宽度方向的最大宽度设为例如5μm以上且100μm以下。
蒸镀掩模20和第2框架82被互相面对地固定。因此，蒸镀掩模装置10具有将第2框架82和蒸镀掩模20互相接合的多个第1接合部61(接合部60)。另外，第1框架81和第2框架82被互相面对地固定。因此，蒸镀掩模装置10具有使第1框架81和第2框架82互相接合的多个第2接合部62。作为一例，第1接合部61和第2接合部62可以分别构成为通过点焊形成的焊接部。
在图26、图27和图29所示的例子中，在蒸镀掩模20的有效区域22的外周附近设有多个对准标记49。另外，在图26、图27和图30所示的例子中，在第2框架82的各开口部86的附近设有多个对准标记89。并且，在图示的例子中，几个(例如两个)对准标记89在相邻的开口部86之间共有。对准标记49、89用于在将蒸镀掩模20安装于第2框架82时使蒸镀掩模20与第2框架82的相对位置对准规定的位置。对准标记49、89的具体的形状只要是能够通过照相机等摄像装置来识别的形状即可，并不特别限定。
接下来，对本变形例中的蒸镀掩模装置10的制造方法的一例进行说明。
〔图案基板准备工序〕
准备参照图10所说明的图案基板。
〔成膜工序〕
接下来，实施在导电性图案上形成金属层31的成膜工序。在成膜工序中，在导电性图案上形成设有第1贯通孔25的金属层31。具体来说，实施如下的镀覆处理工序：将镀覆液供给到形成有导电性图案的基材上，在导电性图案上析出金属层31。由此，能够在导电性图案上形成后来构成蒸镀掩模20的金属层31。成膜工序的详情与上述的第1成膜工序和第2成膜工序相同，因此，在此省略说明。
〔切断工序〕
接下来，实施如下的切断工序：在应该成为蒸镀掩模20的外缘26的部位，将图案基板和金属层31切断。
〔框架准备工序〕
准备具备第1框架81和第2框架82的框架80。将第2框架82在其周缘部上的多个部位处点焊于第1框架81，由此将第2框架82安装于第1框架81。由此，第2框架82通过多个第2接合部62接合于第1框架81。
〔接合工序〕
接下来，实施使金属层31接合于第2框架82的接合工序。在接合工序中，将层叠体的金属层31通过多个第1接合部61接合于第2框架82，其中，所述层叠体具有基材、设置于基材上的导电性图案、以及设置于导电性图案的与基材相反的一侧的金属层31。特别是在本变形例中，将层叠体中的接合片44接合于第2框架82。金属层31和第2框架82通过点焊被互相面对地固定。特别是，金属层31和第2框架82通过激光点焊被互相面对地固定。
具体来说，首先，一边利用照相机等摄像装置识别对准标记49、89，一边使金属层31相对于第2框架82的对应的开口部86定位，以金属层31的接合片44和第2框架82接触的方式配置层叠体和第2框架82。接下来，从基材侧隔着基材对接合片44照射激光，通过因激光的照射而产生的热使接合片44的一部分和第2框架82的一部分熔解，从而将接合片44和第2框架82焊接固定。由此，形成将接合片44和第2框架82接合在一起的第1接合部61。
〔分离工序〕
接下来，实施使基材从金属层31分离的分离工序。在分离工序中，首先，将框架80、金属层31、导电性图案和基材的组合体浸渍于能够选择性地蚀刻导电性图案的蚀刻液中。接下来，将基材51从金属层31剥下而使它们分离。然后，将金属层31再次浸渍于上述的蚀刻液中，将附着于金属层31上而残存的导电性图案完全蚀刻去除。
对多个金属层31重复进行上述的接合工序和分离工序，由此能够制造出具备多个蒸镀掩模20的蒸镀掩模装置10。另外，不限于此，也可以是：对多个金属层31重复进行上述的接合工序，并对接合于第2框架82的多个金属层31一并进行上述的分离工序。
本变形例的蒸镀掩模装置10具备框架80、和安装于框架80的多个蒸镀掩模20，框架80具有框状的第1框架81、和安装于第1框架81的板状的第2框架82，在第2框架82上形成有多个开口部86，各蒸镀掩模20与各开口部86对应地安装于第2框架82。
另外，关于本变形例的蒸镀掩模装置10，蒸镀掩模20具有多个第1贯通孔25，第1贯通孔25的面方向尺寸小于开口部86的面方向尺寸。
根据这样的蒸镀掩模装置10，能够分别制作多个蒸镀掩模20并将其安装于框架80，因此，能够提高蒸镀掩模装置10的成品率。
另外，根据这样的蒸镀掩模装置10，能够使各蒸镀掩模20的俯视图尺寸(面方向尺寸)比较小，因此，在蒸镀掩模装置的制造工序中，能够有效地抑制下述情况：因输送具有比较大的俯视图尺寸的蒸镀掩模而在该蒸镀掩模上产生弯折或凹陷等外观不良。特别是在本变形例中，蒸镀掩模20具有与有机EL显示装置的一个显示区域对应的一个有效区域22。由此，能够大幅减小各蒸镀掩模20的俯视图尺寸。因此，能够进一步有效地抑制在输送蒸镀掩模时在该蒸镀掩模上产生弯折或凹陷等外观不良。
接下来，对具备框架80的蒸镀掩模装置10的另一个变形例进行说明，其中，所述框架80具有第1框架81和第2框架82。在以下的说明和以下的说明所使用的附图中，对于能够和参照图26～图30在上面叙述的变形例相同地构成的部分，可以使用与该变形例中的对应部分所使用的标号相同的标号，并省略重复的说明。另外，在该变形例中所获得的作用效果很明显也能够在以下说明的变形例中得到的情况下，有时也省略其说明。
图31～图34是用于说明蒸镀掩模装置10的再一个变形例的图。其中，图31是示出本变形例的蒸镀掩模装置10的俯视图，图32是示出蒸镀掩模装置10的第1框架81的俯视图，图33是示出蒸镀掩模装置10的第2框架82的俯视图，图34是示出蒸镀掩模装置10的蒸镀掩模20的俯视图。
图31所示的蒸镀掩模装置10具备：在俯视观察时具有大致矩形的形状的蒸镀掩模20；和安装于蒸镀掩模20的框架80。框架80具有：第1框架81；和安装于第1框架81的第2框架82。
第2框架82具有板部件84和形成于板部件84的多个开口部86。多个开口部86沿着互相交叉的两个方向排列。特别是在图示的例子中，多个开口部86沿着互相垂直的两个方向排列。
另外，第1框架81和第2框架82被互相面对地固定。因此，蒸镀掩模装置10具有使第1框架81和第2框架82互相接合的多个第2接合部。但是，在图31中，省略了第2接合部的图示。
蒸镀掩模20以覆盖第2框架82的多个开口部86的方式安装于第2框架82。特别是在图示的例子中，蒸镀掩模20覆盖第2框架82的所有开口部86。蒸镀掩模装置10具有使第2框架82和蒸镀掩模20互相接合的多个第1接合部(接合部)。但是，在图31中，省略了第1接合部的图示。在蒸镀掩模20的有效区域22内形成有多个第1贯通孔。关于第1贯通孔的形状和配置图案，作为一例，可以与参照图3～图6、图23和图27～图29在上面叙述的例子相同地形成。因此，在图31和图34中，省略了第1贯通孔的图示。
本变形例的蒸镀掩模装置10具备框架80、和安装于框架80的蒸镀掩模20，框架80具有框状的第1框架81、和安装于第1框架81的板状的第2框架82，在第2框架82上形成有多个开口部86，各蒸镀掩模20覆盖多个开口部86并安装于第2框架82。
如参照图2在上面叙述的那样，在使用该蒸镀掩模装置10在蒸镀装置90内进行蒸镀材料98向被蒸镀基板的蒸镀时，如果蒸镀掩模20具有覆盖多个开口部86这样的比较大的尺寸，则存在如下情况：蒸镀掩模20由于重力的作用而向下方挠曲，即使使用磁铁93也无法使蒸镀掩模20充分地紧密贴合于被蒸镀基板。与此相对，根据本变形例的蒸镀掩模装置10，即使蒸镀掩模20具有比较大的尺寸，但第2框架82从下方支承蒸镀掩模20，从而能够减小因重力的作用所导致的蒸镀掩模20向下方的挠曲。另外，能够利用被磁铁93的磁力向被蒸镀基板吸引的第2框架82将蒸镀掩模20向被蒸镀基板按压，由此，能够有效地提高蒸镀掩模20相对于被蒸镀基板的紧密贴合性。
图35～图38是用于说明蒸镀掩模装置10的再一个变形例的图。其中，图35是示出本变形例的蒸镀掩模装置10的俯视图，图36是示出蒸镀掩模装置10的第1框架81的俯视图，图37是示出蒸镀掩模装置10的第2框架82的俯视图，图38是示出蒸镀掩模装置10的蒸镀掩模20的俯视图。
图35所示的蒸镀掩模装置10具备：框架80；和安装于框架80的多个蒸镀掩模20。框架80具有：第1框架81；和安装于第1框架81的多个第2框架82。
第1框架81具有：主体部87；和形成于主体部87的多个开口部88。在图示的例子中，多个开口部88沿着互相交叉的两个方向排列。特别是，多个开口部88沿着互相垂直的两个方向排列。
第2框架82具有：板部件84；和形成于板部件84的开口部86。特别是，第2框架82具有形成于板部件84的一个开口部86。各第2框架82分别对应于第1框架81的开口部88进行设置。即，与一个开口部88对应地设置一个第2框架82。第2框架82的开口部86在俯视观察时与对应于该第2框架82的第1框架81的开口部88重合。特别是，第2框架82的开口部86的面方向尺寸小于第1框架81的开口部88的面方向尺寸。在图示的例子中，第2框架82的开口部86在俯视观察时位于对应的第1框架81的开口部88的内部。
多个蒸镀掩模20沿着与第2框架82的板面平行、且互相交叉的两个方向排列。特别是在图示的例子中，多个蒸镀掩模20沿着互相垂直的两个方向排列。在蒸镀掩模20的有效区域22内形成有多个第1贯通孔。关于第1贯通孔的形状和配置图案，作为一例，可以与参照图3～图6、图23和图27～图29在上面叙述的例子相同地形成。因此，在图35和图38中，省略了第1贯通孔的图示。
蒸镀掩模20和第2框架82被互相面对地固定。因此，蒸镀掩模装置10具有使蒸镀掩模20和第2框架82互相接合的多个第1接合部。另外，第1框架81和第2框架82被互相面对地固定。因此，蒸镀掩模装置10具有使第1框架81和第2框架82互相接合的多个第2接合部。但是，在图35中，省略了第1接合部和第2接合部的图示。
本变形例的蒸镀掩模装置10具备：框架80；和安装于框架80的多个蒸镀掩模20，框架80具有：第1框架81；和安装于第1框架81的多个板状的第2框架82，在第1框架81上形成有多个开口部88，在各第2框架82上形成有开口部86，各第2框架82分别与第1框架81的开口部88相对应地配置，各蒸镀掩模20覆盖着开口部86安装于第2框架82。
根据本变形例，能够起到与参照图26～图30在上面叙述的变形例的效果相同的效果，并且能够使各第2框架82分别独立地相对于第1框架81定位，因此，能够高精度地进行各第2框架82相对于第1框架81的定位。另外，能够分别制作多个第2框架82并将其安装于第1框架81，因此，能够提高蒸镀掩模装置10的成品率。
图39～图42是用于说明蒸镀掩模装置10的再一个变形例的图。其中，图39是示出本变形例的蒸镀掩模装置10的俯视图，图40是示出蒸镀掩模装置10的第1框架81的俯视图，图41是示出蒸镀掩模装置10的第2框架82的俯视图，图42是示出蒸镀掩模装置10的蒸镀掩模20的俯视图。
图39所示的蒸镀掩模装置10具备：框架80；和安装于框架80的蒸镀掩模20。框架80具有：第1框架81；和安装于第1框架81的第2框架82。
第1框架81具有：主体部87；和形成于主体部87的多个开口部88。在图示的例子中，多个开口部88沿着互相交叉的两个方向排列。特别是，多个开口部88沿着互相垂直的两个方向排列。
第2框架82具有板部件84和形成于板部件84的多个开口部86。多个开口部86沿着互相交叉的两个方向排列。特别是在图示的例子中，多个开口部86沿着互相垂直的两个方向排列。各开口部86分别对应于第1框架81的开口部88进行设置。即，与第1框架81的一个开口部88对应地设有第2框架82的一个开口部86。第2框架82的开口部86在俯视观察时与对应于该第2框架82的第1框架81的开口部88重合。特别是，第2框架82的开口部86的面方向尺寸小于第1框架81的开口部88的面方向尺寸。在图示的例子中，第2框架82的开口部86在俯视观察时位于对应的第1框架81的开口部88的内部。
蒸镀掩模20具有多个有效区域22。多个有效区域22沿着与第2框架82的板面平行、且互相交叉的两个方向排列。特别是在图示的例子中，多个有效区域22沿着互相垂直的两个方向排列。在有效区域22内形成有多个第1贯通孔。关于第1贯通孔的形状和配置图案，作为一例，可以与参照图3～图6、图23和图27～图29在上面叙述的例子相同地形成。因此，在图39和图42中，省略了第1贯通孔的图示。
蒸镀掩模20和第2框架82被互相面对地固定。因此，蒸镀掩模装置10具有使蒸镀掩模20和第2框架82互相接合的多个第1接合部。另外，第1框架81和第2框架82被互相面对地固定。因此，蒸镀掩模装置10具有使第1框架81和第2框架82互相接合的多个第2接合部。但是，在图39中，省略了第1接合部和第2接合部的图示。
本变形例的蒸镀掩模装置10具备：框架80；和安装于框架80的蒸镀掩模20，框架80具有：第1框架81；和安装于第1框架81的板状的第2框架82，在第1框架81上形成有多个开口部88，在第2框架82上形成有多个开口部86，第2框架82的各开口部86分别与第1框架81的开口部88相对应地配置，蒸镀掩模20覆盖着多个开口部86安装于第2框架82。
根据本变形例，能够起到与参照图31～图34在上面叙述的变形例的效果相同的效果，并且，即使蒸镀掩模20具有比较大的尺寸，但是，除了第2框架82外第1框架81也从下方支承蒸镀掩模20，从而能够进一步减小因重力的作用所导致的蒸镀掩模20向下方的挠曲。由此能够更加有效地提高蒸镀掩模20相对于被蒸镀基板的紧密贴合性。
图43～图46是用于说明蒸镀掩模装置10的再一个变形例的图。其中，图43是示出本变形例的蒸镀掩模装置10的俯视图，图44是示出蒸镀掩模装置10的第1框架81的俯视图，图45是示出蒸镀掩模装置10的第2框架82的俯视图，图46是示出蒸镀掩模装置10的蒸镀掩模20的俯视图。
图43所示的蒸镀掩模装置10具备：框架80；和安装于框架80的多个蒸镀掩模20。框架80具有：第1框架81；和安装于第1框架81的第2框架82。
第1框架81具有：主体部87；和形成于主体部87的多个开口部88。在图示的例子中，多个开口部88沿着互相交叉的两个方向排列。特别是，多个开口部88沿着互相垂直的两个方向排列。
第2框架82具有板部件84和形成于板部件84的多个开口部86。多个开口部86沿着互相交叉的两个方向排列。特别是在图示的例子中，多个开口部86沿着互相垂直的两个方向排列。各开口部86分别对应于第1框架81的开口部88进行设置。即，与第1框架81的一个开口部88对应地设有第2框架82的一个开口部86。第2框架82的开口部86在俯视观察时与对应于该第2框架82的第1框架81的开口部88重合。特别是，第2框架82的开口部86的面方向尺寸小于第1框架81的开口部88的面方向尺寸。在图示的例子中，第2框架82的开口部86在俯视观察时位于对应的第1框架81的开口部88的内部。
多个蒸镀掩模20沿着与第2框架82的板面平行、且互相交叉的两个方向排列。特别是在图示的例子中，多个蒸镀掩模20沿着互相垂直的两个方向排列。在蒸镀掩模20的有效区域22内形成有多个第1贯通孔。关于第1贯通孔的形状和配置图案，作为一例，可以与参照图3～图6、图23和图27～图29在上面叙述的例子相同地形成。因此，在图43和图46中，省略了第1贯通孔的图示。
蒸镀掩模20和第2框架82被互相面对地固定。因此，蒸镀掩模装置10具有使蒸镀掩模20和第2框架82互相接合的多个第1接合部。另外，第1框架81和第2框架82被互相面对地固定。因此，蒸镀掩模装置10具有使第1框架81和第2框架82互相接合的多个第2接合部。但是，在图43中，省略了第1接合部和第2接合部的图示。
本变形例的蒸镀掩模装置10具备：框架80；和安装于框架80的多个蒸镀掩模20，框架80具有：第1框架81；和安装于第1框架81的板状的第2框架82，在第1框架81上形成有多个开口部88，在第2框架82上形成有多个开口部86，第2框架82的各开口部86分别与第1框架81的开口部88相对应地配置，蒸镀掩模20覆盖着多个开口部86安装于第2框架82。
根据本变形例，能够起到与参照图39～图42在上述叙述的变形例的效果相同的效果，并且，由于能够使各蒸镀掩模20分别独立地相对于框架80(第2框架82)定位，因此，能够高精度地进行各蒸镀掩模20相对于框架80的定位。另外，能够分别制作多个蒸镀掩模20并将其安装于框架80，因此，能够提高蒸镀掩模装置10的成品率。
另外，根据这样的蒸镀掩模装置10，能够使各蒸镀掩模20的俯视图尺寸(面方向尺寸)比较小，因此，在蒸镀掩模装置的制造工序中，能够有效地抑制下述情况：因输送具有比较大的俯视图尺寸的蒸镀掩模而在该蒸镀掩模上产生弯折或凹陷等外观不良。特别是在本变形例中，蒸镀掩模20具有与有机EL显示装置的一个显示区域对应的一个有效区域22。由此，能够大幅减小各蒸镀掩模20的俯视图尺寸。因此，能够进一步有效地抑制在输送蒸镀掩模时在该蒸镀掩模上产生弯折或凹陷等外观不良。
并且，在参照图31～图46于上面叙述的各变形例中，在蒸镀掩模20的外缘26的与相邻的两个接合部之间对应的位置处形成有切口，在相邻的两个切口之间形成有接合片，但在图31～图46中，省略了切口和接合片的图示。
在参照图26～图46于上面叙述的各变形例中，切口也可以在俯视观察时延伸成超过第2框架82的开口部86的轮廓。由此，在切口的有效区域22侧的端部与开口部86的轮廓之间形成间隙。因此，在分离工序中，能够使蚀刻液从开口部86的轮廓侧经由该间隙浸入，因此，能够更加容易地将位于框架80(第2框架82)与基材51之间的导电性图案52蚀刻去除。
并且，以上说明了针对上述的实施方式的几个变形例，当然也可以将多个变形例适当地组合来应用。

Claims (3)

1.一种蒸镀掩模装置的制造方法，所述蒸镀掩模装置具备：
蒸镀掩模，其具有配置有多个第1贯通孔的有效区域；和
框架，其被安装于所述蒸镀掩模，
其特征在于，
所述蒸镀掩模装置的制造方法具有：
接合工序，将具有基材、导电性图案以及金属层的层叠体的所述金属层通过多个接合部接合于框架，所述导电性图案被设置于所述基材上，所述金属层被设置于所述导电性图案的与所述基材相反的一侧；和
分离工序，蚀刻去除所述导电性图案而使所述基材从所述金属层分离，由所述金属层形成所述蒸镀掩模。
2.根据权利要求1所述的蒸镀掩模装置的制造方法，其特征在于，
使所述多个接合部沿着所述金属层的外缘排列，
在所述金属层的所述外缘上的与在所述多个接合部的排列方向上相邻的两个所述接合部之间对应的位置处形成切口。
3.根据权利要求1或2所述的蒸镀掩模装置的制造方法，其特征在于，
使所述多个接合部沿着所述金属层的外缘排列，
使所述金属层在所述多个接合部与所述有效区域之间具有在俯视观察时与所述框架的内缘重合的多个第2贯通孔，
将各第2贯通孔配置于与在所述多个接合部的排列方向上相邻的两个所述接合部之间对应的位置处。
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102083823B (zh) * 2008-06-09 2015-10-07 第一三共株式会社 1-联苯甲基咪唑化合物的制备方法
JP7121918B2 (ja) * 2016-12-14 2022-08-19 大日本印刷株式会社 蒸着マスク装置及び蒸着マスク装置の製造方法
EP3650575A4 (en) * 2017-07-05 2021-04-21 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Vapor deposition mask, vapor deposition mask device, vapor deposition mask manufacturing method, and vapor deposition mask device manufacturing method
CN208013662U (zh) * 2018-03-30 2018-10-26 昆山国显光电有限公司 显示面板及制作显示面板用掩模板
JP7169534B2 (ja) * 2018-07-31 2022-11-11 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク、及び蒸着マスクを作製するための給電板
KR20200027129A (ko) * 2018-09-03 2020-03-12 삼성디스플레이 주식회사 증착 마스크 및 그 제조방법
KR102236542B1 (ko) * 2018-12-03 2021-04-06 주식회사 오럼머티리얼 마스크 지지 템플릿, 마스크 금속막 지지 템플릿, 마스크 지지 템플릿의 제조 방법 및 프레임 일체형 마스크의 제조 방법
KR20200082919A (ko) * 2018-12-31 2020-07-08 엘지디스플레이 주식회사 마스크 및 이의 제조 방법
CN111485194A (zh) * 2019-01-29 2020-08-04 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模、蒸镀掩模装置及其制造方法、中间体、蒸镀方法及有机el显示装置的制造方法
JP7406719B2 (ja) 2019-01-29 2023-12-28 大日本印刷株式会社 蒸着マスク及びその製造方法、蒸着マスク装置及びその製造方法、中間体、蒸着方法、並びに有機ｅｌ表示装置の製造方法
CN109750256B (zh) 2019-03-25 2020-12-18 京东方科技集团股份有限公司 掩膜组件的制备方法、掩膜组件
JP2021038436A (ja) * 2019-09-03 2021-03-11 株式会社ジャパンディスプレイ 蒸着マスク
JP2021042439A (ja) * 2019-09-11 2021-03-18 株式会社ジャパンディスプレイ 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法
KR20230048564A (ko) * 2019-10-04 2023-04-11 도판 인사츠 가부시키가이샤 증착 마스크, 증착 마스크의 제조 방법, 및, 표시 장치의 제조 방법
CN211036074U (zh) * 2019-10-30 2020-07-17 京东方科技集团股份有限公司 一种精细金属掩膜板、掩膜装置及张网设备
CN110643938B (zh) * 2019-10-31 2022-07-05 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板组件
CN111074204B (zh) * 2020-01-03 2022-01-14 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板及其制作方法
CN111394692B (zh) 2020-05-09 2022-05-13 京东方科技集团股份有限公司 掩膜版
JP7151745B2 (ja) * 2020-07-16 2022-10-12 凸版印刷株式会社 蒸着マスク中間体、蒸着マスク、および、蒸着マスクの製造方法
CN111952485B (zh) * 2020-08-20 2023-12-19 京东方科技集团股份有限公司 掩模板张网组件及张网装置、张网方法
KR102493706B1 (ko) * 2021-01-21 2023-01-31 (주)필옵틱스 이형시 발생되는 파손 방지를 위한 전주도금을 이용한 메탈 마스크 및 그 제조 방법
CN113088879B (zh) * 2021-04-15 2023-01-20 京东方科技集团股份有限公司 精细金属掩模版及掩模装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020059903A1 (en) * 2000-11-22 2002-05-23 Sanyo Electric Co., Ltd. Deposition mask and method of preparing the same
CN1578563A (zh) * 2003-07-22 2005-02-09 精工爱普生株式会社 蒸镀掩模及制法、显示装置及制法以及具有其的电子机器
JP2005158477A (ja) * 2003-11-26 2005-06-16 Toppan Printing Co Ltd 蒸着マスクの製造方法
JP2005340138A (ja) * 2004-05-31 2005-12-08 Canon Inc マスク構造体及びその製造方法
JP2006124761A (ja) * 2004-10-28 2006-05-18 Canon Inc 蒸着装置
CN105144421A (zh) * 2013-04-22 2015-12-09 应用材料公司 主动对准的精细金属掩模
CN207608620U (zh) * 2016-12-14 2018-07-13 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003272839A (ja) * 2002-03-14 2003-09-26 Dainippon Printing Co Ltd 蒸着処理用のマスキング部材の製造方法
JP4606114B2 (ja) * 2004-10-15 2011-01-05 大日本印刷株式会社 メタルマスク位置アラインメント方法及び装置
JP2009068082A (ja) * 2007-09-14 2009-04-02 Sony Corp 蒸着マスクの作製方法および蒸着マスク
KR101156442B1 (ko) * 2010-04-29 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 마스크 프레임 조립체
TWI472631B (zh) * 2012-03-30 2015-02-11 Au Optronics Corp 遮罩條
JP5382257B1 (ja) * 2013-01-10 2014-01-08 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いて蒸着マスクを製造する方法
JP5382259B1 (ja) * 2013-01-10 2014-01-08 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いて蒸着マスクを製造する方法
KR102237428B1 (ko) * 2014-02-14 2021-04-08 삼성디스플레이 주식회사 마스크 프레임 조립체 및 그 제조방법
CN110551973B (zh) * 2015-02-10 2022-06-14 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模
CN105568218A (zh) * 2016-01-11 2016-05-11 友达光电股份有限公司 一种遮罩组件

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020059903A1 (en) * 2000-11-22 2002-05-23 Sanyo Electric Co., Ltd. Deposition mask and method of preparing the same
CN1578563A (zh) * 2003-07-22 2005-02-09 精工爱普生株式会社 蒸镀掩模及制法、显示装置及制法以及具有其的电子机器
JP2005158477A (ja) * 2003-11-26 2005-06-16 Toppan Printing Co Ltd 蒸着マスクの製造方法
JP2005340138A (ja) * 2004-05-31 2005-12-08 Canon Inc マスク構造体及びその製造方法
JP2006124761A (ja) * 2004-10-28 2006-05-18 Canon Inc 蒸着装置
CN105144421A (zh) * 2013-04-22 2015-12-09 应用材料公司 主动对准的精细金属掩模
CN207608620U (zh) * 2016-12-14 2018-07-13 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模装置

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