CN107833983A - 一种掩膜板及其制备方法、基板的制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明的实施例提供一种掩膜板及其制备方法、基板的制备方法，涉及显示技术领域，可改善掩膜板发生褶皱的问题。一种掩膜板，包括掩膜板本体，所述掩膜板本体包括至少一个开口区；非金属掩膜层设置于所述掩膜板本体上，且在所述开口区，所述非金属掩膜层包括若干子像素蒸镀孔。

Description

一种掩膜板及其制备方法、基板的制备方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种掩膜板及其制备方法、基板的制备方法。

背景技术

有机电致发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示具有自发光、不需要背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广等优异特性，被认为是下一代的平面显示器新兴应用技术。

OLED的全彩显示一般包括R(红)G(绿)B(蓝)子像素独立发光、或白光OLED结合彩色滤光膜等方式。其中，RGB子像素独立发光是目前采用最多的彩色模式，其是利用子像素单元中的有机发光材料独立发光。

目前，有机发光材料层一般都是通过对有机材料进行真空蒸发镀膜形成。其中，对于RGB子像素独立发光的OLED，由于每个RGB子像素单元采用不同的有机发光材料，因而RGB子像素单元的有机发光层需要分别进行蒸镀，在此过程中一般采用精密金属掩膜板来控制有机材料在基板上的镀膜位置，然后依次在每个子像素区域中蒸镀相应的有机材料。

在现有技术中，金属掩膜板的制作方式为，先制作具有蒸镀孔的掩膜条，然后将掩膜条通过张网机焊接到掩膜板框架上。为了避免掩膜条由于重力作用而产生的下垂形变，在张网过程中需要提高拉力，这样又容易使制作好的掩膜板在对应基板的显示区发生褶皱，从而会导致子像素边缘会出现明显的边缘混色现象。

发明内容

本发明的实施例提供一种掩膜板及其制备方法、基板的制备方法，可改善掩膜板发生褶皱的问题。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

第一方面，提供一种掩膜板，包括掩膜板本体，所述掩膜板本体包括至少一个开口区；非金属掩膜层设置于所述掩膜板本体上，且在所述开口区，所述非金属掩膜层包括若干子像素蒸镀孔。

优选的，所述非金属掩膜层的材料为聚酰亚胺。

优选的，所述非金属掩膜层的厚度在5～10μm之间。

第二方面，提供一种掩膜板的制备方法，包括：在掩膜板本体上形成非金属掩膜层；所述掩膜板本体包括至少一个开口区；其中，所述非金属掩膜层充满所述开口区；采用构图工艺，在所述开口区的所述非金属掩膜层上形成若干子像素蒸镀孔。

优选的，在所述掩膜板本体上形成所述非金属掩膜层之前，所述方法还包括：将所述掩膜板本体置于机台上，使所述机台与所述掩膜板本体的所述开口区靠近掩膜板框架一侧贴合。

优选的，所述制备方法还包括：当所述非金属掩膜层上的所述子像素蒸镀孔出现位置偏差，且位置偏差超出规格时，去除所述非金属掩膜层，并在去除所述非金属掩膜层的所述掩膜板本体上形成新的所述非金属掩膜层。

优选的，所述非金属掩膜层的材料为聚酰亚胺。

优选的，所述非金属掩膜层的厚度在5～10μm之间。

第三方面，提供一种基板的制备方法，包括：采用第一方面所述的掩膜板，通过蒸镀工艺形成位于每个子像素区域的图案层；其中，所述掩膜板的一个开口区对应一个基板的显示区。

优选的，所述图案层包括OLED器件的有机材料功能层。

本发明的实施例提供一种掩膜板及其制备方法、基板的制备方法，通过在掩膜板本体上制作形成非金属掩膜层，使得位于掩膜板本体开口区的非金属掩膜层，与开口区的各侧壁接触的部分具有相同的粘附力，从而可改善在对应基板的显示区发生褶皱现象的问题，尤其可改善由于褶皱现象而导致的高PPI显示基板出现的混色现象。此外，由于所述掩膜板本体的制备成本较低，因此，相对现有技术的精密金属掩膜板，本发明的掩膜板的成本较低。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1a为本发明提供的一种掩膜板的正面俯视示意图；

图1b为本发明提供的一种掩膜板的背面俯视示意图；

图2为图1a中AA′剖视示意图；

图3为本发明提供的一种制备掩膜板的流程示意图一；

图4a为本发明提供的一种掩膜板本体的正面俯视示意图；

图4b为本发明提供的一种掩膜板本体的背面俯视示意图；

图5a为本发明提供的一种在掩膜板本体上形成非金属掩膜层但未形成蒸镀孔的正面俯视示意图；

图5b为本发明提供的一种在掩膜板本体上形成非金属掩膜层但未形成蒸镀孔的背面俯视示意图；

图6为本发明提供的一种制备掩膜板的流程示意图二；

图7a-图7e为本发明提供在掩膜板本体上形成非金属掩膜层的过程示意图。

附图标记：

10-掩膜板本体；11-开口区；20-非金属掩膜层；21-子像素蒸镀孔；30-机台。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明实施例提供一种掩膜板，如图1a、图1b和图2所示，包括掩膜板本体10，掩膜板本体10包括至少一个开口区11；非金属掩膜层20设置于掩膜板本体10上，且在开口区11，非金属掩膜层20包括若干子像素蒸镀孔21。

可以理解的是，本发明的具有开口区11的掩膜板本体10，即为Open Mask。掩膜板本体10包括掩膜片，掩膜片固定于掩膜板框架上，掩膜片上具有至少一个开口区11，一个开口区11可对应一个基板的显示区。

需要说明的是，第一，图1a和图1b分别为掩膜板背离掩膜板框架一侧的正面图和掩膜板框架一侧的背面图。图1a和图1b以掩膜板本体10包括9个开口区11进行示意，具体开口区11的个数可根据母板包括的基板的个数而定。

其中，图1a中掩膜板本体10边缘的矩形框为方便机械手抓取的槽。

第二，本领域技术人员应该明白，在非开口部分即遮挡部分，非金属掩膜层20应位于掩膜板本体10背离掩膜板框架的一侧；位于开口区11中的非金属掩膜层20应与开口区11的侧壁具有一定的粘附力，保证蒸镀孔21的位置不易移动。

第三，对于非金属掩膜层20的材料，其应具有一定的粘结性，以使得非金属掩膜层20能固定于掩膜板本体10上，而不容易发生移动。此外，还应具有一定的强度以及耐高温性，从而保证该掩膜板在工艺过程中，使形成的图案满足要求。

本发明实施例提供一种掩膜板，通过在掩膜板本体10上制作形成非金属掩膜层20，使得位于掩膜板本体10开口区11的非金属掩膜层20，与开口区11的各侧壁接触的部分具有相同的粘附力，从而可改善在对应基板的显示区发生褶皱现象的问题，尤其可改善由于褶皱现象而导致的高PPI(像素密度)显示基板出现的混色现象。此外，由于所述掩膜板本体10的制备成本较低，因此，相对现有技术的精密金属掩膜板，本发明的掩膜板的成本较低。

由于PI(聚酰亚胺)具有一定的粘附力，且其强度、耐高温性都可满足掩膜工艺的要求，因此，优选非金属掩膜层20的材料为PI(聚酰亚胺)。

PI材料的非金属掩膜层20还可减小掩膜板的重量，因而可减小重力引起的下垂。此外，当PI材料的非金属掩膜层20在使用过程中发现其不满足工艺要求时，还可以通过去除该非金属掩膜层20，重新形成新的非金属掩膜层20来反复利用，因此，可大幅降低成本。

优选的，非金属掩膜层20的厚度在5～10μm之间。这样，可保证非金属掩膜层20不会由于过重而引起较大的下垂，也可保证非金属掩膜层20的强度而不易变形。

本发明实施例还提供一种掩膜板的制备方法，如图3所示，包括如下步骤：

S10、如图5a和图5b所示，在掩膜板本体10上形成非金属掩膜层20；如图4a和图4b所示，掩膜板本体10包括至少一个开口区11；其中，非金属掩膜层20充满所述开口区11。

一个开口区11可对应一个基板的显示区。

其中，图4a和图5a为掩膜板本体10背离掩膜板框架一侧的正面图，图4b和图5b为掩膜板本体10的框架一侧的背面图。

S11、参考图1a和图1b所示，采用构图工艺，在开口区11的非金属掩膜层20上形成若干子像素蒸镀孔21。

其中，子像素蒸镀孔21与开口区11所对应的基板显示区的子像素区域一一对应。

需要说明的是，第一，本领域技术人员应该明白，在非开口部分即遮挡部分，非金属掩膜层20应位于掩膜板本体10背离掩膜板框架的一侧；位于开口区11中的非金属掩膜层20应与开口区11的侧壁具有一定的粘附力，保证蒸镀孔21的位置不易移动。

第二，对于非金属掩膜层20的材料，其应具有一定的粘结性，以使得非金属掩膜层20能固定于掩膜板本体10上，而不容易发生移动。此外，还应具有一定的强度以及耐高温性，从而保证在该掩膜板在工艺过程中，使形成的图案满足要求。

第三，构图工艺至少包括曝光、显影工艺，进一步的，还可在曝光之前包括涂胶工艺，在显影之后包括刻蚀、剥离工艺。

本发明实施例提供一种掩膜板的制备方法，通过在掩膜板本体10上制作形成非金属掩膜层20，使得位于掩膜板本体10开口区11的非金属掩膜层20，与开口区11的各侧壁接触的部分具有相同的粘附力，从而可改善在对应基板的显示区发生褶皱现象的问题，尤其可改善由于褶皱现象而导致的高PPI显示基板出现的混色现象。此外，由于所述掩膜板本体10的制备成本较低，因此，相对现有技术的精密金属掩膜板，本发明的掩膜板的成本较低。

优选的，所述制备方法还包括：当所述非金属掩膜层20上的子像素蒸镀孔21出现位置偏差，且位置偏差超出规格时，去除该非金属掩膜层20，并在去除该非金属掩膜层20的掩膜板本体10上形成新的非金属掩膜层20。

其中，可以理解的是，仍然可通过上述的S10和S11，在去除该非金属掩膜层20的掩膜板本体10上形成新的非金属掩膜层20。

这样，可反复利用掩膜板本体10，只需重新在掩膜板本体10形成非金属掩膜层20即可，因而，可大幅降低成本。

优选的，非金属掩膜层20的材料为PI。

PI材料的非金属掩膜层20可减小掩膜板的重量，因而减小重力引起的下垂。

优选的，非金属掩膜层20的厚度在5～10μm之间。这样，可保证非金属掩膜层20不会由于过重而引起较大的下垂，也可保证非金属掩膜层20的强度而不易变形。

下面提供一种具体的掩膜板的制备方法，如图6所示，包括如下步骤：

S21、如图7a所示，提供掩膜板本体10，掩膜板本体10包括至少一个开口区11，一个开口区11对应一个基板的显示区。

S22、如图7b所示，将掩膜板本体10置于机台30上，使机台30与掩膜板本体10的开口区11靠近掩膜板框架一侧贴合。

S23、如图7c和图7d所示，在掩膜板本体10上形成PI材料的非金属掩膜层20,非金属掩膜层20充满所述开口区11。

其中，可采用涂布工艺涂布PI材料，之后进行固化，形成非金属掩膜层20。

当非金属掩膜层20形成后，可将机台30去除。

S24、如图7e所示，采用曝光、显影工艺，在开口区11的非金属掩膜层20上形成若干子像素蒸镀孔21。

其中，子像素蒸镀孔21与开口区11所对应的基板显示区的子像素区域一一对应。

本发明实施例还提供一种基板的制备方法，包括：采用上述的掩膜板，通过蒸镀工艺形成位于每个子像素区域的图案层；其中，所述掩膜板的一个开口区11对应一个基板的显示区。

通过上述的掩膜板，蒸镀形成的图案层，可避免出现混色现象。

优选的，所述图案层包括OLED器件的有机材料功能层。

其中，有机材料功能层可包括发光层，进一步的还可包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层等有机材料层。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种掩膜板，其特征在于，包括掩膜板本体，所述掩膜板本体包括至少一个开口区；

非金属掩膜层设置于所述掩膜板本体上，且在所述开口区，所述非金属掩膜层包括若干子像素蒸镀孔。

2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述非金属掩膜层的材料为聚酰亚胺。

3.根据权利要求1或2所述的掩膜板，其特征在于，所述非金属掩膜层的厚度在5～10μm之间。

4.一种掩膜板的制备方法，其特征在于，包括：

在掩膜板本体上形成非金属掩膜层；所述掩膜板本体包括至少一个开口区；其中，所述非金属掩膜层充满所述开口区；

采用构图工艺，在所述开口区的所述非金属掩膜层上形成若干子像素蒸镀孔。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在所述掩膜板本体上形成所述非金属掩膜层之前，所述方法还包括：

将所述掩膜板本体置于机台上，使所述机台与所述掩膜板本体的所述开口区靠近掩膜板框架一侧贴合。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，还包括：

当所述非金属掩膜层上的所述子像素蒸镀孔出现位置偏差，且位置偏差超出规格时，去除所述非金属掩膜层，并在去除所述非金属掩膜层的所述掩膜板本体上形成新的所述非金属掩膜层。

7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述非金属掩膜层的材料包括聚酰亚胺。

8.根据权利要求4-7任一项所述的制备方法，其特征在于，所述非金属掩膜层的厚度在5～10μm之间。

9.一种基板的制备方法，其特征在于，包括：

采用权利要求1-3任一项所述的掩膜板，通过蒸镀工艺形成位于每个子像素区域的图案层；

其中，所述掩膜板的一个开口区对应一个基板的显示区。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述图案层包括OLED器件的有机材料功能层。