CN110331377A - 掩膜片及其制作方法、开口掩膜板及其使用方法、薄膜沉积设备 - Google Patents
掩膜片及其制作方法、开口掩膜板及其使用方法、薄膜沉积设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110331377A CN110331377A CN201910671434.7A CN201910671434A CN110331377A CN 110331377 A CN110331377 A CN 110331377A CN 201910671434 A CN201910671434 A CN 201910671434A CN 110331377 A CN110331377 A CN 110331377A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- groove
- exposure mask
- mask piece
- piece
- opening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 44
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 63
- 239000010408 film Substances 0.000 description 39
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 11
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 8
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 206010027146 Melanoderma Diseases 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010148 water-pollination Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
Abstract
本发明提供了一种掩膜片及其制作方法、开口掩膜板及其使用方法、薄膜沉积设备，涉及掩膜板技术领域，能够提高膜层整体的沉积效果。其中的掩膜片包括多个开口；沿所述掩膜片的厚度方向，所述掩膜片的一侧且位于每个所述开口的边缘均具有一圈第一凹槽；沿所述掩膜片的厚度方向，所述掩膜片的另一侧且靠近每个所述开口的边缘均设置有第二凹槽。
Description
技术领域
本发明涉及掩膜板技术领域，尤其涉及一种掩膜片及其制作方法、开口掩膜板及其使用方法、薄膜沉积设备。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机电致发光二极管)显示面板，通过发光功能层自主发光显示，由于不需要背光，因此，其有更快的响应时间，而且具有可视角大、对比度高、重量轻、低功耗、易于制成柔性等特点，被认为是目前最有发展潜力的显示器件。
由于发光功能层的抗水氧能力极差，因此为了保证OLED显示面板的品质，其封装技术显的尤为关键。目前有盖板式封装和TFE(Thin Film Encapsulation，薄膜封装)两种，由于TFE可适用于柔性显示装置，因此得到了广泛的应用。
TFE工艺采用掩膜板在基板上沉积薄膜，从而形成包括两层无机层和一层有机层的封装层。但是，掩膜板在制作的过程中，由于需要进行张网拉伸，而张网拉伸会导致掩膜板出现变形，该变形会导致沉积的封装层相对于设计位置发生偏移，进而导致OLED显示面板因封装失效产生进行性黑斑(Growing Black Spots，GDS)等不良现象。
发明内容
本发明的实施例提供一种掩膜片及其制作方法、开口掩膜板及其使用方法、薄膜沉积设备，通过该开口掩膜板沉积的膜层不易出现偏移、阴影较窄，膜层整体的沉积效果较好。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一方面，提供了一种掩膜片，包括多个隔离条。
多个所述隔离条呈网格状分布间隔出多个开口。
在所述掩膜片的第一侧面上，沿所述掩膜片的厚度方向，在每个所述开口的边缘朝向所述隔离条的延伸处设置第一凹槽。
在所述掩膜片的第二侧面上，沿所述掩膜片的厚度方向，在每个所述第一凹槽相对位置处设置第二凹槽。
所述第一侧面与所述第二侧面平行且相对设置，与所述掩膜片的厚度方向垂直。
所述第一凹槽与第二凹槽在所述掩膜片的厚度方向上的投影不完全重合。
可选的，所述第二凹槽围绕所述第一凹槽连续设置。
可选的，所述第二凹槽围绕所述第一凹槽分多段设置。
可选的，所述第二凹槽为多个。
可选的，多个所述第二凹槽相连接。
可选的，针对任一个所述开口，最靠近该所述开口的第二凹槽沿掩膜片厚度方向的投影，与所述第一凹槽的投影部分重叠。
可选的，所述第二凹槽的深度小于等于所述掩膜片厚度的一半。
可选的，所述第二凹槽的纵截面形状为拱形、半圆形、椭圆形、多边形和规则图形中的至少一种。
可选的，所述第二凹槽距离所述开口的边缘为0μm～2000μm。
可选的，针对所有所述开口，位于每个所述开口周围的所述第二凹槽与所述开口的间距，不完全相等。
可选的，针对任一个所述开口，最靠近所述开口的第二凹槽与所述开口之间的距离为100μm～2000μm。
另一方面，提供了一种开口掩膜板，包括：框架，以及固定于所述框架上的如上所述的掩膜片。
可选的，所述框架和所述掩膜片的材料相同。
又一方面，提供了一种薄膜沉积设备，包括：腔室、设置于所述腔室内的载台、掩膜板固定部件和开口掩膜板。
所述载台，用于承载待进行薄膜沉积的基板。
所述掩膜板固定部件，用于固定开口掩膜板。
所述开口掩膜板为上述的开口掩膜板。
又一方面，提供了一种掩膜片的制作方法，包括：
在掩膜片用基材的第一侧面上，沿掩膜片用基材的厚度方向，通过刻蚀形成多个呈网格状分布的隔离条，多个所述隔离条间隔出多个开口；在每个所述开口的边缘朝向所述隔离条的延伸处具有第一凹槽。
在所述掩膜片用基材的第二侧面上，沿掩膜片用基材的厚度方向，在每个所述第一凹槽相对位置处通过半刻技术形成第二凹槽；所述第二凹槽与所述第一凹槽在所述掩膜片用基材的厚度方向上的投影不完全重合。
所述第一侧面与所述第二侧面平行且相对设置，与所述掩膜片用基材的厚度方向垂直。
又一方面，提供了一种开口掩膜板的使用方法，该使用方法利用如上所述的开口掩膜板进行膜层制备。
本发明提供了一种掩膜片及其制作方法、开口掩膜板及其使用方法、薄膜沉积设备。在掩膜片厚度方向的一侧存在第一凹槽，在另一侧设有第二凹槽，使得该掩膜片在张网拉伸时，第一凹槽所在一侧不易出现较大幅度的变形，从而可以保证通过包括该掩膜片的开口掩膜板沉积的膜层不易出现偏移、形成的shadow较窄，膜层沉积的整体效果较好。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1a为本发明实施例提供的一种OLED显示面板的纵截面结构示意图；
图1b为本发明实施例提供的一种发光功能层的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种掩膜板的结构示意图；
图3a为本发明实施例提供的一种掩膜片的结构示意图；
图3b为图3a中A处的立体结构示意图；
图3c为图3a中B-B向截面示意图；
图3d为理想情况下掩膜片上的开口及其边缘的截面示意图；
图4a为相关技术中掩膜片在张网拉伸前一种第一凹槽的截面示意图；
图4b为相关技术中掩膜片在张网拉伸后一种第一凹槽变形后的截面示意图；
图4c为相关技术中掩膜片在张网拉伸后另一种第一凹槽变形后的截面示意图；
图5a为本发明实施例提供的一种第二凹槽的结构示意图；
图5b为本发明实施例提供的另一种第二凹槽的结构示意图；
图5c为本发明实施例提供的又一种第二凹槽的结构示意图；
图6a为本发明实施例提供的一种第二凹槽的纵截面结构示意图；
图6b为本发明实施例提供的另一种第二凹槽的纵截面结构示意图；
图6c为本发明实施例提供的另一种第二凹槽的纵截面结构示意图；
图7a为本发明实施例提供的另一种第二凹槽的纵截面结构示意图；
图7b为本发明实施例提供的另一种第二凹槽的纵截面结构示意图；
图7c为本发明实施例提供的另一种第二凹槽的纵截面结构示意图；
图7d为本发明实施例提供的另一种第二凹槽的纵截面结构示意图；
图7e为本发明实施例提供的另一种第二凹槽的纵截面结构示意图；
图7f为本发明实施例提供的另一种第二凹槽的纵截面结构示意图；
图8a为本发明实施例提供的一种掩膜片的制作方法流程示意图；
图8b为本发明实施例提供的一种第一凹槽的制作过程示意图；
图8c为本发明实施例提供的一种第二凹槽的制作过程示意图；
图9为本发明实施例提供的一种薄膜沉积设备的截面结构示意图。
附图标记：
1-OLED显示面板；10-发光器件；100-发光功能层；1000-发光层；1001-电子传输层；1002-电子注入层；1003-空穴传输层；1004-空穴注入层；11-封装层；111-第一无机层；112-第二无机层；113-有机层；12-衬底；2-开口掩膜板；20-掩膜片；200-隔离条；201-开口；202-第一凹槽；203-第二凹槽；21-框架；3-水平面；4-腔室；5-载台；6-掩膜板固定部件；7-基板；8-掩膜片用基材。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图1a所示，以OLED显示面板1为例，OLED显示面板1包括衬底12、设置于衬底12上显示区每个亚像素中的发光器件10和覆盖显示区的封装层11，其中封装层11包括第一无机层111、第二无机层112和有机层113。
衬底12例如可以为玻璃衬底或聚酰亚胺(Polyimide，PI)衬底。
发光器件10用于自主发光，发光器件10包括阳极、发光功能层和阴极。如图1b所示，发光功能层100除包括发光层1000外，还可以包括电子传输层(election transportinglayer，简称ETL)1001、电子注入层(election injection layer，简称EIL)1002、空穴传输层(hole transporting layer，简称HTL)1003以及空穴注入层(hole injection layer，简称HIL)1004。需要说明的是，发光功能层100并不限于仅包括发光层1000和ETL1001、EIL1002、HTL1003、HIL1004的组合，其还可以包括其它功能层别。
示例的，第一无机层111的材料包括氮氧化硅，第二无机层112的材料包括氮化硅和/或氮氧化硅。其中的氮氧化硅具有亲水性较好的优点，可以与有机层113的材料更好的融合，尤其是在第一无机层111远离发光功能层100的一侧制备有机层113时，材料为氮氧化硅的第一无机层111可以使得有机层113更易成膜和更平整。
第一无机层111和第二无机层112可以通过等离子体增强化学气相沉积(PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)工艺制备。
本领域技术人员明白，以OLED显示面板1为例，该OLED显示面板1不是一个个单独制备的，而是先制备OLED母板，最后将该OLED母板切割为一个个OLED显示面板1。基于此，在利用上述的PECVD工艺制备第一无机层111和第二无机层112时，开口掩膜板(open mask)需要在对应OLED母板上各待形成OLED显示面板1的区域具有开口，以形成第一无机层111和第二无机层112，而且需要对OLED母板的其他区域进行遮挡。
示例的，有机层113的材料为亚克力(Polymethyl methacrylate，PMMA)。
有机层113可以通过IJP(Ink Jet Printing，喷墨印刷)工艺制备。
需要说明的是，在发光功能层100与衬底12之间还设有其它膜层，该其它膜层可以根据本领域的常规技术设置，例如在衬底12与发光功能层100之间还设置有像素驱动电路。
上述仅是以第一无机层111和第二无机层112为例，描述开口掩膜板的用途，但本发明实施例并不限于利用开口掩膜板来形成第一无机层111和第二无机层112。对于OLED显示面板1中的其他膜层，或者其他类型的显示面板中的膜层，只要可以利用开口掩膜板进行制备的，本发明的开口掩膜板都适用。
如图2所示，本发明的实施例提出一种开口掩膜板2，包括框架21，以及固定于框架21上的掩膜片20。
掩膜片20可以是多个，多个掩膜片20例如可以沿水平方向或竖直方向平行排布。
可选的，框架21和掩膜片20均为金属材质，该金属可以为金属单质或合金。制作框架21和掩膜片20的材料可以相同，也可以不同。
示例的，制作框架21和掩膜片20的材料均可以为因瓦合金(镍铁合金)。
制备开口掩膜板2时，通过对掩膜片20进行张网拉伸，再利用激光焊接技术将掩膜片20和框架21焊接在一起。
在此基础上，如图3a、图3b和图3c所示，本发明提出一种应用于上述开口掩膜板2的掩膜片20，该掩模片20包括多个隔离条200；多个隔离条200呈网格状分布间隔出多个开口201。
在掩膜片20的第一侧面上，沿掩膜片20的厚度方向，在每个开口201的边缘朝向隔离条200的延伸处设置第一凹槽202。
如图3b和图3c所示，在掩膜片20的第二侧面上，沿掩膜片20的厚度方向，在每个第一凹槽202相对位置处设置第二凹槽203。
第一侧面与第二侧面平行且相对设置，与掩膜片20的厚度方向垂直。
第一凹槽202与第二凹槽203在掩膜片20的厚度方向上的投影不完全重合。
掩膜片20上的多个开口201，可通过对掩膜片用基材进行湿刻形成多个隔离条200后形成。
可选的，掩膜片用基材为因瓦合金基材。
由于掩膜片20中的开口201是通过对掩膜片用基材进行湿刻形成的，但受到湿刻液刻蚀特性的影响，导致隔离条200围成开口201的一侧断面并不平整，往往存在一圈第一凹槽202，如图3c所示；而理想状态下，围成开口201的边缘的隔离条200的断面为平整的，如图3d所示。而第一凹槽202的存在会影响开口掩膜板2的膜层沉积效果。
以下通过对相关技术中，隔离条200中第一凹槽202所在一侧在张网拉伸前后的变化，分析第一凹槽202对利用开口掩膜板2进行膜层沉积效果的影响。
如图4a所示，在相关技术中，通过湿刻形成掩膜片20上的开口201后，并未关注隔离条200上存在于开口201周围的第一凹槽202。这便导致，在后续对掩膜片20进行张网拉伸时，由于第一凹槽202所在处的厚度小于隔离条200上其它未被刻蚀的区域的厚度，因此，在拉力的影响下第一凹槽202会发生变形，进而导致隔离条200靠近开口201的一侧发生较为严重的变形，该变形主要产生于Z轴方向。如图4b所示，隔离条200上第一凹槽202所在一侧相对于未拉伸前沿水平面3向上翘曲；或者，如图4c所示，隔离条200上第一凹槽202所在一侧相对于未拉伸前沿水平面3向下弯曲。翘曲或弯曲会导致利用该开口掩膜板2沉积的膜层相对于预定的区域会发生偏移、在膜层附近形成宽度较大的阴影(shadow)等导致开口掩膜板2的膜层沉积效果较差的问题。
因而，为了改善相关技术中，通过开口掩膜板2沉积的膜层易发生偏移、shadow较宽等导致开口掩膜板2膜层沉积效果较差的问题，如图3b和图3c所示，在本申请中的掩膜片20上设置了第二凹槽203，第二凹槽203用于平衡隔离条200上第一凹槽202所在一侧所承受的拉力，使得隔离条200两侧的受力相对平衡，进而保证隔离条200在拉伸时不易在Z轴方向产生变形。
示例的，如图5a所示，第二凹槽203可以围绕第一凹槽202的连续一圈设置。或者，如图5b和图5c所示，第二凹槽203可以围绕第一凹槽202分多段设置。
第二凹槽203可以围绕开口201连续一圈设置，该种结构下的第二凹槽203结构简单、设置较为方便，且在第二凹槽203深度相等的情况下能最大程度的平衡隔离条200上第一凹槽202所在一侧所承受的拉力。
由于第二凹槽203与第一凹槽202分别位于掩膜片20的厚度方向的相对两侧，因而在对掩膜片20进行张网拉伸时，隔离条200上的第一凹槽202所在一侧和第二凹槽203所在一侧可以同时承受拉力，使得位于隔离条200上第一凹槽202所在一侧与第二凹槽203所在一侧所承受的拉力相对平衡。从而保证隔离条200上第一凹槽202一侧基本不会沿Z轴方向发生变形，使得通过包括本申请中的掩膜片20的开口掩膜板2沉积的膜层不发生偏移、形成的shadow较窄、膜层沉积效果较好。
本发明的实施例提供了一种掩膜片20，在该掩膜片20厚度方向的一侧存在第一凹槽202，在另一侧设有第二凹槽203，使得该掩膜片20在张网拉伸时，第一凹槽202所在一侧不易出现较大幅度的变形，从而可以保证通过包括该掩膜片20的开口掩膜板2沉积的膜层不易出现偏移、形成的shadow较窄，膜层沉积的整体效果较好。
可选的，第二凹槽203为多个。多个为至少2个。
多个第二凹槽203均围绕第一凹槽202连续一圈设置。可以理解的是，多个第二凹槽203相互间隔设置。示例的，如图6a所示，2个纵截面为半圆形的第二凹槽203间隔设置。
可选的，多个第二凹槽203相连接。
示例的，如图6b所示，2个纵截面为半圆形的第二凹槽203相连接。
示例的，如图6c所示，2个第二凹槽203中的一个纵截面可以为半圆形，另一个可以为矩形。
多个第二凹槽203相连接时，该多个第二凹槽203的深度可以设置的较小，从而用于保证隔离条200的强度。
可选的，如图6a至图6c所示，每个开口201的边缘设置有2个第二凹槽203。2个第二凹槽203可以更好的与第一凹槽202分担掩膜片20所承受的拉力，同时可以避免第二凹槽202的深度设置的过大。
可选的，针对任一个开口201，最靠近该开口201的第二凹槽203沿掩膜片20厚度方向的投影，与第一凹槽202的投影部分重叠。
示例的，如图6a至图6c所示，沿从右向左的方向，第一个第二凹槽203沿掩膜片20厚度方向的投影，与第一凹槽202的投影部分重叠。
可选的，第二凹槽203的深度小于等于掩膜片20厚度的一半。若第二凹槽203的深度较大，会导致掩膜片20出现厚度较薄的区域，影响掩膜片20的强度，因此可以将第二凹槽203的深度控制在掩膜片20厚度的一半的范围内。
示例的，掩膜片20的厚度为100μm～200μm，则第二凹槽203的深度范围可以为40μm～100μm。
第二凹槽203可通过半刻技术刻蚀形成。在半刻的过程中，通过控制湿刻液的浓度和刻蚀时间来控制第二凹槽203的刻蚀深度。
可选的，第二凹槽203的纵截面形状为拱形、半圆形、椭圆形、多边形和规则图形中的至少一种。
多边形可以是矩形、三角形、梯形等，其中的矩形又可以是长方形或正方形。
如图3b和图3c所示，第二凹槽203的纵截面形状为矩形。
如图7a所示，第二凹槽203的纵截面形状为拱形。
如图7b所示，第二凹槽203的纵截面形状为半圆形。
如图7c所示，第二凹槽203的纵截面形状为椭圆形。
如图7d所示，第二凹槽203的纵截面形状为三角形。
需要说明的是，该三角形可以是不等边三角形、等腰三角形、等边三角形、直角三角形等。
如图7e所示，第二凹槽203的纵截面形状为梯形。
如图7f所示，第二凹槽203的纵截面形状为规则图形。
该规则图形可以由多边形、拱形、半圆形、椭圆形等基本图形组合而成。示例的，如图7f所示，该规则图形由三角形和矩形组合而成。
第二凹槽203的纵截面形状多变，因而可以根据掩膜片20的厚度大小以及拉伸时所承受的拉力的实际情况，灵活选择第二凹槽203的纵截面形状。
可选的，针对所有开口201，位于每个开口201周围的第二凹槽203与开口201的间距，不完全相等。
由于刻蚀形成的第一凹槽202的深度和宽度不一定完全相等，因此在设置第二凹槽203时，可以根据每个开口201处的第一凹槽202的具体情况选择位于该第一凹槽202相对侧的第二凹槽203的具体位置。
可选的，如图6a至图6c所示，针对任一个开口201，最靠近开口201的第二凹槽203与开口201之间的距离L为100μm～2000μm。
第二凹槽203设置在上述距离范围内，可以最大程度的平衡隔离条200厚度方向两侧所承受的拉力，进而保证隔离条200中的第一凹槽202所在一侧不易发生变形，保证利用该掩膜片20沉积的膜层效果较好。
在此基础上，如图8a所示，本发明的实施例提供了一种掩膜片20的制作方法，包括：
S10、如图8b所示，在掩膜片用基材8的第一侧面上，沿掩膜片用基材8的厚度方向，通过刻蚀形成多个呈网格状分布的隔离条200，多个隔离条200间隔出多个开口201；在每个开口201的边缘朝向隔离条200的延伸处具有第一凹槽202。
S11、如图8c所示，在掩膜片用基材8的第二侧面上，沿掩膜片用基材8的厚度方向，在每个第一凹槽202相对位置处通过半刻技术形成第二凹槽203；第二凹槽203与第一凹槽202在掩膜片用基材8的厚度方向上的投影不完全重合。
第一侧面与第二侧面平行且相对设置，与掩膜片用基材8的厚度方向垂直。
示例的，上述的掩膜片用基材8可以为因瓦合金基材。
掩膜片20的制作方法与上述的掩膜片20具有相同的有益效果，因此不再赘述。
在此基础上，如图9所示，本发明的实施例还提供了一种薄膜沉积设备，包括：腔室4、设置于腔室4内的载台5、掩膜板固定部件6和开口掩膜板2。
载台5，用于承载待进行薄膜沉积的基板7。
掩膜板固定部件6，用于固定开口掩膜板2。
开口掩膜板2为上述的开口掩膜板2。
基板7可以是上述的衬底12，或者，是在衬底12上已经形成有某些膜层，例如该基板7包括衬底12以及形成于衬底12上的发光器件10。
利用上述的薄膜沉积设备以及开口掩膜板2沉积的膜层时，由于开口掩膜板2中的隔离条200向上翘曲或向下弯曲的程度较小，因此使得掩膜片20上的开口201与基板7上的成膜区域之间的对位精度较高，且沉积的膜层的shadow较小，利用开口掩膜板2沉积的膜层效果较好。
本发明的实施例还提供了一种开口掩膜板2的使用方法，该使用方法利用上述的开口掩膜板2进行膜层制备。
上述的膜层可以是第一无机层111和第二无机层112，也可以是其它可以通过该开口掩膜板2制备的膜层。
开口掩膜板2的使用方法与掩膜片20具有相同的有益效果，因此不再赘述。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (16)
1.一种掩膜片，其特征在于，包括多个隔离条；
多个所述隔离条呈网格状分布间隔出多个开口；
在所述掩膜片的第一侧面上，沿所述掩膜片的厚度方向，在每个所述开口的边缘朝向所述隔离条的延伸处设置第一凹槽；
在所述掩膜片的第二侧面上，沿所述掩膜片的厚度方向，在每个所述第一凹槽相对位置处设置第二凹槽；
所述第一侧面与所述第二侧面平行且相对设置，与所述掩膜片的厚度方向垂直；
所述第一凹槽与第二凹槽在所述掩膜片的厚度方向上的投影不完全重合。
2.根据权利要求1所述的掩膜片，其特征在于，所述第二凹槽围绕所述第一凹槽连续设置。
3.根据权利要求1所述的掩膜片，其特征在于，所述第二凹槽围绕所述第一凹槽分多段设置。
4.根据权利要求2所述的掩膜片，其特征在于，所述第二凹槽为多个。
5.根据权利要求4所述的掩膜片，其特征在于，多个所述第二凹槽相连接。
6.根据权利要求4所述的掩膜片，其特征在于，针对任一个所述开口，最靠近该所述开口的第二凹槽沿掩膜片厚度方向的投影，与所述第一凹槽的投影部分重叠。
7.根据权利要求1所述的掩膜片，其特征在于，所述第二凹槽的深度小于等于所述掩膜片厚度的一半。
8.根据权利要求1所述的掩膜片，其特征在于，所述第二凹槽的纵截面形状为拱形、半圆形、椭圆形、多边形和规则图形中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的掩膜片，其特征在于，所述第二凹槽距离所述开口的边缘为0μm～2000μm。
10.根据权利要求1所述的掩膜片，其特征在于，针对所有所述开口，位于每个所述开口周围的所述第二凹槽与所述开口的间距，不完全相等。
11.根据权利要求1-10任一项所述的掩膜片，其特征在于，针对任一个所述开口，最靠近所述开口的第二凹槽与所述开口之间的距离为100μm～2000μm。
12.一种开口掩膜板，其特征在于，包括：框架，以及固定于所述框架上的如权利要求1-11任一项所述的掩膜片。
13.根据权利要求12所述的开口掩膜板，其特征在于，所述框架和所述掩膜片的材料相同。
14.一种薄膜沉积设备，其特征在于，包括：腔室、设置于所述腔室内的载台、掩膜板固定部件和开口掩膜板；
所述载台，用于承载待进行薄膜沉积的基板；
所述掩膜板固定部件，用于固定开口掩膜板；
所述开口掩膜板为权利要求12或13所述的开口掩膜板。
15.一种掩膜片的制作方法，其特征在于，包括：
在掩膜片用基材的第一侧面上，沿掩膜片用基材的厚度方向，通过刻蚀形成多个呈网格状分布的隔离条，多个所述隔离条间隔出多个开口；在每个所述开口的边缘朝向所述隔离条的延伸处具有第一凹槽；
在所述掩膜片用基材的第二侧面上，沿掩膜片用基材的厚度方向，在每个所述第一凹槽相对位置处通过半刻技术形成第二凹槽；所述第二凹槽与所述第一凹槽在所述掩膜片用基材的厚度方向上的投影不完全重合；
所述第一侧面与所述第二侧面平行且相对设置，与所述掩膜片用基材的厚度方向垂直。
16.一种开口掩膜板的使用方法，其特征在于，利用如权利要求12或13所述的开口掩膜板进行膜层制备。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910671434.7A CN110331377B (zh) | 2019-07-24 | 2019-07-24 | 掩膜片及其制作方法、开口掩膜板及其使用方法、薄膜沉积设备 |
| US17/271,374 US20210246548A1 (en) | 2019-07-24 | 2020-07-24 | Mask sheet and method of manufacturing the same, opening mask and method of using the same, thin film deposition device and display apparatus |
| PCT/CN2020/104531 WO2021013252A1 (zh) | 2019-07-24 | 2020-07-24 | 掩膜片及其制作方法、开口掩膜板及其使用方法、薄膜沉积设备及显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910671434.7A CN110331377B (zh) | 2019-07-24 | 2019-07-24 | 掩膜片及其制作方法、开口掩膜板及其使用方法、薄膜沉积设备 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110331377A true CN110331377A (zh) | 2019-10-15 |
| CN110331377B CN110331377B (zh) | 2021-10-29 |
Family
ID=68147353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910671434.7A Active CN110331377B (zh) | 2019-07-24 | 2019-07-24 | 掩膜片及其制作方法、开口掩膜板及其使用方法、薄膜沉积设备 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20210246548A1 (zh) |
| CN (1) | CN110331377B (zh) |
| WO (1) | WO2021013252A1 (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021013252A1 (zh) * | 2019-07-24 | 2021-01-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜片及其制作方法、开口掩膜板及其使用方法、薄膜沉积设备及显示装置 |
| WO2021098289A1 (zh) * | 2019-11-21 | 2021-05-27 | 昆山国显光电有限公司 | 掩膜版、蒸镀系统及掩膜版的制备方法 |
| CN114592179A (zh) * | 2022-03-07 | 2022-06-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模版及显示装置的制备方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110777328A (zh) * | 2019-11-21 | 2020-02-11 | 昆山国显光电有限公司 | 一种掩膜版、蒸镀系统及掩膜版的制备方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN204803392U (zh) * | 2015-07-27 | 2015-11-25 | 昆山国显光电有限公司 | 精密掩膜板 |
| CN105803389A (zh) * | 2016-05-18 | 2016-07-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板及其制作方法 |
| CN107099770A (zh) * | 2017-06-08 | 2017-08-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板、其制作方法和利用其进行蒸镀方法 |
| CN108385083A (zh) * | 2018-02-26 | 2018-08-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模板及其制作方法、显示面板及其封装方法、显示装置 |
| CN108546914A (zh) * | 2018-05-07 | 2018-09-18 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 蒸镀用的掩膜版及掩膜版装置 |
| CN108642440A (zh) * | 2018-05-14 | 2018-10-12 | 昆山国显光电有限公司 | 掩膜板及掩膜组件 |
| CN108796435A (zh) * | 2018-05-28 | 2018-11-13 | 昆山国显光电有限公司 | 掩模版及其制作方法 |
| CN208266253U (zh) * | 2018-05-14 | 2018-12-21 | 昆山国显光电有限公司 | 掩膜板 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101049804B1 (ko) * | 2009-02-19 | 2011-07-15 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 증착 장치용 마스크 밀착 수단 및 이를 이용한 증착 장치 |
| KR101820020B1 (ko) * | 2011-04-25 | 2018-01-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착용 마스크 프레임 어셈블리 |
| KR20140101600A (ko) * | 2013-02-12 | 2014-08-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기판 이송 장치 |
| KR102106336B1 (ko) * | 2013-07-08 | 2020-06-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착용 마스크 |
| KR102219210B1 (ko) * | 2013-12-18 | 2021-02-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 단위 마스크 및 마스크 조립체 |
| KR102250047B1 (ko) * | 2014-10-31 | 2021-05-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 프레임 조립체, 그 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| CN104561896A (zh) * | 2014-12-31 | 2015-04-29 | 昆山国显光电有限公司 | 用于蒸镀的掩膜板及其制作方法 |
| KR102375261B1 (ko) * | 2016-04-01 | 2022-03-17 | 엘지이노텍 주식회사 | 증착용마스크 및 이를 이용한 oled 패널 |
| JP6465075B2 (ja) * | 2016-05-26 | 2019-02-06 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、有機半導体素子の製造方法、及びに有機ｅｌディスプレイの製造方法 |
| KR101967920B1 (ko) * | 2017-03-21 | 2019-04-10 | 주식회사 다원시스 | 반도체 도너 기판, 시스템 및 유기 발광 장치의 제조 방법 |
| CN110331377B (zh) * | 2019-07-24 | 2021-10-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜片及其制作方法、开口掩膜板及其使用方法、薄膜沉积设备 |
-
2019
- 2019-07-24 CN CN201910671434.7A patent/CN110331377B/zh active Active
-
2020
- 2020-07-24 WO PCT/CN2020/104531 patent/WO2021013252A1/zh active Application Filing
- 2020-07-24 US US17/271,374 patent/US20210246548A1/en active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN204803392U (zh) * | 2015-07-27 | 2015-11-25 | 昆山国显光电有限公司 | 精密掩膜板 |
| CN105803389A (zh) * | 2016-05-18 | 2016-07-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板及其制作方法 |
| CN107099770A (zh) * | 2017-06-08 | 2017-08-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板、其制作方法和利用其进行蒸镀方法 |
| CN108385083A (zh) * | 2018-02-26 | 2018-08-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模板及其制作方法、显示面板及其封装方法、显示装置 |
| CN108546914A (zh) * | 2018-05-07 | 2018-09-18 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 蒸镀用的掩膜版及掩膜版装置 |
| CN108642440A (zh) * | 2018-05-14 | 2018-10-12 | 昆山国显光电有限公司 | 掩膜板及掩膜组件 |
| CN208266253U (zh) * | 2018-05-14 | 2018-12-21 | 昆山国显光电有限公司 | 掩膜板 |
| CN108796435A (zh) * | 2018-05-28 | 2018-11-13 | 昆山国显光电有限公司 | 掩模版及其制作方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021013252A1 (zh) * | 2019-07-24 | 2021-01-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜片及其制作方法、开口掩膜板及其使用方法、薄膜沉积设备及显示装置 |
| WO2021098289A1 (zh) * | 2019-11-21 | 2021-05-27 | 昆山国显光电有限公司 | 掩膜版、蒸镀系统及掩膜版的制备方法 |
| CN114592179A (zh) * | 2022-03-07 | 2022-06-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模版及显示装置的制备方法 |
| CN114592179B (zh) * | 2022-03-07 | 2023-10-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模版及显示装置的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2021013252A1 (zh) | 2021-01-28 |
| US20210246548A1 (en) | 2021-08-12 |
| CN110331377B (zh) | 2021-10-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110331377A (zh) | 掩膜片及其制作方法、开口掩膜板及其使用方法、薄膜沉积设备 | |
| JP6725890B2 (ja) | 蒸着マスクの製造方法、パターンの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法 | |
| KR101117645B1 (ko) | 마스크 조립체 및 이를 이용한 평판표시장치용 증착 장치 | |
| KR100839380B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치의 진공 증착 장치 | |
| CN108538886B (zh) | 像素界定层及制造方法、显示基板、显示装置 | |
| KR102432350B1 (ko) | 마스크 프레임 조립체, 이를 포함하는 증착 장치 및 표시 장치의 제조 방법 | |
| WO2021136051A1 (zh) | 掩膜板及其制作方法 | |
| KR20070082317A (ko) | 마스크 및 그 제조 방법 | |
| CN107699854A (zh) | 掩膜组件及其制造方法 | |
| WO2017117999A1 (zh) | 金属掩模板及其制作方法 | |
| CN108962953A (zh) | Oled显示面板及oled显示器 | |
| WO2019205752A1 (zh) | Oled器件 | |
| CN102569673A (zh) | 掩膜框架组件、其制造方法及制造有机发光显示器的方法 | |
| CN106941112A (zh) | 像素界定层及其制造方法、显示基板 | |
| CN207512253U (zh) | 蒸镀用掩模板及掩模板组件 | |
| US8646405B2 (en) | Deposition mask and method of fabricating the same | |
| KR100853544B1 (ko) | 평판 표시장치 박막 증착용 마스크 프레임 조립체 및 이를이용한 증착장비 | |
| KR200489621Y1 (ko) | 유기 발광 다이오드(oled)를 제조하기 위한 세라믹 마스크 | |
| CN107195796B (zh) | 基于喷墨打印技术的像素结构及其制作方法 | |
| CN105132861A (zh) | 一种蒸镀掩膜版以及蒸镀设备 | |
| CN203834005U (zh) | 一种掩模板及掩模组件 | |
| CN107958921A (zh) | 一种柔性基板及其制备方法、显示器 | |
| CN103966548B (zh) | 一种掩模板及其制作方法、掩模组件 | |
| CN107833983A (zh) | 一种掩膜板及其制备方法、基板的制备方法 | |
| WO2021147624A1 (zh) | 掩膜板组件及其制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |