CN204803392U - 精密掩膜板 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种精密掩膜板，分为图案区和应力缓冲区，所述应力缓冲区的两面都设有半刻蚀的缓冲图案。上述精密掩膜板，通过在应力缓冲区的两面都形成缓冲图案，可以使精密掩膜板的应力中性层两侧受力平衡，减少翘曲和起伏，可提高张网效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体制造技术，特别是涉及一种精密掩膜板。
背景技术
AMOLED的制程工艺中，有机物通过精密掩膜板被蒸镀到玻璃基板上，形成像素。精密掩膜板的制造精度直接决定蒸镀的精度和每英寸像素数。这就要求精密掩膜板上的像素孔大小和位置必须尽可能准确，才能减少蒸镀缺陷。
精密掩膜板是很薄的片状结构，需要固定在框体上以保证其在蒸镀时呈平面展开。如图1所示，是精密掩膜板1固定在框体2上的示意图，把精密掩膜板1固定在框体2上的过程称为张网。为保证精密掩膜板1呈平面展开状态，张网时需要将精密掩膜板1拉伸。
由于精密掩膜板1上开设有很多用于蒸镀像素材料的孔，其在被拉伸时，可能在各处受力不均，导致精密掩膜板1上出现起伏，使得精密掩膜板1上的像素孔的大小和位置出现偏移。
传统的精密掩膜板的结构中，为了解决上述问题，在除了蒸镀像素的图形区外的一个表面进行半刻蚀，以改变半刻蚀区域的应力，来消除在拉伸时精密掩膜板上的起伏。这种设计可以从一定程度上缓解问题，但是仍然很难将精密掩膜板的应力中性层保持在一个平面上。
实用新型内容
基于此，有必要提供一种减少拉伸时的起伏的精密掩膜板。
一种精密掩膜板，分为图案区和应力缓冲区，所述应力缓冲区的两面都设有半刻蚀的缓冲图案。
在其中一个实施例中，所述应力缓冲区包括位于图案区之间的第一应力缓冲区。
在其中一个实施例中，所述应力缓冲区包括位于所述精密掩膜板两端的第二应力缓冲区。
在其中一个实施例中，所述精密掩膜板还包括固定区。
在其中一个实施例中，所述应力缓冲区两面的缓冲图案相同，且对应设置。
在其中一个实施例中，所述应力缓冲区两面的缓冲图案相同，且错位相邻设置。
在其中一个实施例中，所述缓冲图案的刻蚀深度小于精密掩膜板厚度的1/4。
在其中一个实施例中，两面的缓冲图案的刻蚀深度之和小于精密掩膜板厚度的1/2。
在其中一个实施例中，所述缓冲图案为沿拉伸方向依次排列的两个以上的矩形凹槽。
在其中一个实施例中，每个矩形凹槽在与拉伸方向垂直的方向上还分成两段。
上述精密掩膜板，通过在应力缓冲区的两面都形成缓冲图案，可以使精密掩膜板的应力中性层两侧受力平衡，减少翘曲和起伏，可提高张网效率。
附图说明
图1为精密掩膜板的固定示意图；
图2为一实施例的精密掩膜板的平面示意图；
图3为精密掩膜板的剖面示意图；
图4为像素孔的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图和实施例进行进一步说明。
图2为一实施例的精密掩膜板的平面示意图，图3是精密掩膜板的剖面示意图。参考图2和图3，该精密掩膜板10分为图案区100和应力缓冲区(包括第一应力缓冲区200和第二应力缓冲区300)。
图案区100用于形成所需的层，例如在制作AMOLED时，用于制作像素的精密掩膜板，其图案区是与像素对应的孔，像素材料通过蒸镀的方式，按照精密掩膜板上的像素孔110(如图3所示)蒸镀到底层材料上，形成像素层。可以理解，精密掩膜板也可以在AMOLED制作工艺中形成其它层，或者在其他工艺中用来形成需要的层。
应力缓冲区用来调节精密掩膜板10内部应力，使得精密掩膜板10在被拉伸时，其应力中性层尽量保证在一个平面上。为了达到上述目的，使应力缓冲区在两面都进行半刻蚀，形成缓冲图案。所述缓冲图案可以是沿拉伸方向依次排列的两个以上的矩形凹槽。每个矩形凹槽可以在与拉伸方向垂直的方向上分成两段或以上。
半刻蚀是指非穿透性刻蚀，即应力缓冲区的两面的缓冲图案被刻蚀的深度均小于精密掩膜板10的厚度，同时两面的缓冲图案被刻蚀的深度之和也小于精密掩膜板10的厚度。较佳的，两面的缓冲图案被刻蚀的深度之和也小于精密掩膜板10的厚度的一半。一种情况是，每一面的缓冲图案的刻蚀深度均小于精密掩膜板10的厚度的1/4。另外的情况是，其中一面的缓冲图案的刻蚀深度大于精密掩膜板10的厚度的1/4，但与另一面的缓冲图案的刻蚀深度之和仍小于精密掩膜板10的厚度的一半。
应力缓冲区的两面的缓冲图案的形状、位置以及刻蚀深度根据需要进行确定，通过调节两面缓冲图案的形状、位置以及刻蚀深度，可将精密掩膜板10的应力中性层尽量控制在一个平面上，这样就能够避免精密掩膜板10在拉伸时，产生翘曲、起伏等问题，从而保证图案区内图案的位置和精度不发生偏移。
应力缓冲区可包括位于图案区100之间的第一应力缓冲区200。第一应力缓冲区200可有多个，分布于图案区100之间，或者图案区100内部的间隙。基于图案区100的图案制作方式，图案区100在精密掩膜板10的两侧刻蚀宽度可能不同。参考图4，仍然以AMOLED制作工艺为例，在形成像素孔时，采用两面刻蚀的方式形成通孔，其中上半部分的刻蚀孔宽度小于下半部分的刻蚀孔宽度，那么当精密掩膜板10被拉伸时，上下两部分的内部应力则不相同，此时需要对上下两部分进行对应的调节。
进一步地，应力缓冲区也可以包括位于精密掩膜板10两端的第二应力缓冲区300。第二应力缓冲区300位于精密掩膜板10两端，每端分别设置一个应力缓冲区300。在传统的精密掩膜板10结构中，在精密掩膜板10两端并不会设置应力缓冲区，也即不会在精密掩膜板10两端刻蚀形成单面的缓冲图案。本实施例中，在精密掩膜板10两端形成具有两面缓冲图案的第二应力缓冲区300。精密掩膜板10的两端一般设置固定区400，以将精密掩膜板10进行固定。精密掩膜板10的两端位置首先承受拉伸的力，产生应力变化。因此，在这里设置第二应力缓冲区300，能够起到更好的应力调节效果。
固定区400与外部的框架连接，可将精密掩膜板10进行固定。一般地，固定区400可设置内凹的缺口或者通孔辅助固定。
应力缓冲区两面的缓冲图案可以相同，且对应设置。基于图案区100的图案制作方式，图案区100在精密掩膜板10的两侧刻蚀宽度可以相同。当精密掩膜板10被拉伸时，上下两部分的内部应力大致相同，上下两部分需要利用相同的缓冲图案进行对应的调节。
应力缓冲区两面的缓冲图案相同，且错位相邻设置。错位是指两面的缓冲图案并没有在同一位置上对应设置，而是有所偏移。基于图案区100的图案制作方式，图案区100在精密掩膜板10的两侧刻蚀宽度可能不同(参考图4)。当精密掩膜板10被拉伸时，上下两部分的内部应力则不相同，此时需要对上下两部分进行对应的调节。例如使下部的图案更靠外一些。
可以理解，应力缓冲区两面的缓冲图案也可以不同，因而对应力的调节效果也不相同。此时可以通过调节缓冲图案的形状、位置以及刻蚀深度中的其他影响因子保证应力中性层在一个平面上。
上述精密掩膜板，通过在应力缓冲区的两面都形成缓冲图案，可以使精密掩膜板的应力中性层两侧受力平衡，减少翘曲和起伏，提高张网效率。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种精密掩膜板，分为图案区和应力缓冲区，其特征在于，所述应力缓冲区的两面都设有半刻蚀的缓冲图案。
2.根据权利要求1所述的精密掩膜板，其特征在于，所述应力缓冲区包括位于图案区之间的第一应力缓冲区。
3.根据权利要求1所述的精密掩膜板，其特征在于，所述应力缓冲区包括位于所述精密掩膜板两端的第二应力缓冲区。
4.根据权利要求1所述的精密掩膜板，其特征在于，所述精密掩膜板还包括位于两端的固定区。
5.根据权利要求1所述的精密掩膜板，其特征在于，所述应力缓冲区两面的缓冲图案相同，且对应设置。
6.根据权利要求1所述的精密掩膜板，其特征在于，所述应力缓冲区两面的缓冲图案相同，且错位相邻设置。
7.根据权利要求1所述的精密掩膜板，其特征在于，所述缓冲图案的刻蚀深度小于精密掩膜板厚度的1/4。
8.根据权利要求1所述的精密掩膜板，其特征在于，两面的缓冲图案的刻蚀深度之和小于精密掩膜板厚度的1/2。
9.根据权利要求1所述的精密掩膜板，其特征在于，所述缓冲图案为沿拉伸方向依次排列的两个以上的矩形凹槽。
10.根据权利要求9所述的精密掩膜板，其特征在于，每个矩形凹槽在与拉伸方向垂直的方向上还分成两段。
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